DE1201495B

DE1201495B - Process for the production of a storage electrode for cathode ray tubes

Info

Publication number: DE1201495B
Application number: DEC29482A
Authority: DE
Inventors: Pierre Bonvalot; Bernard Courtan
Original assignee: CSF Compagnie Generale de Telegraphie sans Fil SA
Current assignee: Thales SA
Priority date: 1962-03-28
Filing date: 1963-03-26
Publication date: 1965-09-23
Also published as: NL290716A; US3354334A; GB962084A; FR1327109A

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLANDFEDERAL REPUBLIC OF GERMANY

DEUTSCHESGERMAN

PATENTAMTPATENT OFFICE

AUSLEGESCHRIFTEDITORIAL

Int. CL:Int. CL:

HOIjHOIj

Deutsche KL: 21g -13/25German KL: 21g -13/25

Nummer: 1201495Number: 1201495

Aktenzeichen: C 29482 VIII c/21 gFile number: C 29482 VIII c / 21 g

Anmeldetag: 26. März 1963Filing date: March 26, 1963

Auslegetag: 23. September 1965Opening day: September 23, 1965

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Speicherelektrode für Kathodenstrahlröhren, die eine poröse Isolierschicht mit induzierter Leitfähigkeit aufweist, bei dem die Abklingzeit durch ein Aktivierungsmetall eingestellt wird.The invention relates to a method for producing a storage electrode for cathode ray tubes, which has a porous insulating layer with induced conductivity, in which the decay time by an activation metal is set.

Es sind bei Speicherröhren Speicherelektroden mit induzierter Leitfähigkeit, d. h. Speicherelektroden mit einer Metallschicht bekannt, die eine Isolierschicht aus einem Dielektrikum, wie Zinksulfid, berührt. Diese Schicht hat die Eigenschaft, bei Durchtritt schneller Elektronen vorübergehend leitend zu werden, da längs der Bahnen der Elektronen eine große Anzahl von Sekundärelektronen freigesetzt wird.In the case of storage tubes, storage electrodes with induced conductivity, i. H. Storage electrodes known with a metal layer that contacts an insulating layer of a dielectric such as zinc sulfide. This layer has the property of temporarily becoming conductive when faster electrons pass through because a large number of secondary electrons are released along the orbits of the electrons will.

Es ist weiterhin bekannt, daß, wenn die die Speicherelektrode beschießenden Elektronen ein Signal tragen, dieses in Form eines Spannungsreliefs in die Isolierfläche der Speicherelektrode eingeschrieben wird. Die Zeitdauer, während der dieses Relief beim Auslegen bestehenbleibt, wird als Remanenz der Speicherelektrode bezeichnet. Diese Remanenz hat einen bestimmten Minimalwert sogar dann, wenn das Potentialrelief durch Aufbringen positiver Ladungen auf die Isolierfläche gelöscht werden soll.It is also known that when the electrons bombarding the storage electrode Carry signal, this is written in the form of a voltage relief in the insulating surface of the storage electrode will. The length of time this relief persists when laid out is called Referred to as remanence of the storage electrode. This remanence even has a certain minimum value when the potential relief is erased by applying positive charges to the insulating surface shall be.

Bei einem bekannten Verfahren zur Herstellung derartiger Speicherelektroden wird eine Isolierschicht mit den Eigenschaften der induzierten Leitfähigkeit auf einen Kollodiumfilm aufgedampft, der eine gewisse Anzahl aktivierender Verunreinigungen enthält. Die Verunreinigungen werden nach Abbau des Kollodiums in die Oberfläche der Isolierschicht oder in geringer Tiefe unterhalb dieser Oberfläche eingelagert. In a known method for producing such storage electrodes, an insulating layer is used with the properties of induced conductivity vapor-deposited on a collodion film, the one contains a certain number of activating impurities. The impurities are removed after the Collodiums embedded in the surface of the insulating layer or at a shallow depth below this surface.

Versuche haben ergeben, daß nach diesem bekannten Verfahren hergestellte Speicherelektroden eine Minimalremanenz aufweisen, die beim Abtasten oder Löschen über den in der Praxis erwünschten Werten liegt, und daß sich andererseits diese Speicherelektroden nicht dazu eignen, mit einem vorgegebenen Remanenzwert des Spannungsreliefs innerhalb eines erwünschten Remanenzbereichs gefertigt zu werden. Sie können vielmehr nur mit einem einzigen Remanenzwert gefertigt werden, der nur geringe Fertigungsabweichungen zuläßt.Experiments have shown that storage electrodes produced by this known method have a minimum remanence which, when scanning or erasing, is greater than what is desired in practice Values, and that on the other hand, these storage electrodes are not suitable for a predetermined remanence value of the voltage relief manufactured within a desired remanence range to become. Rather, they can only be manufactured with a single remanence value, the only allows slight manufacturing deviations.

Ein weiterer Nachteil des bekannten Verfahrens ist es, daß die dem Kollodium zugegebenen Verunreinigungen in einem Verhältnis von 1:10000 hinzugefügt werden müssen, was praktisch nicht durchführbar ist, da Verunreinigungen in diesem Verhältnis nicht genau und reproduzierbar dosiert werden können.Another disadvantage of the known method is that the impurities added to the collodion must be added in a ratio of 1: 10000, which is not practical because impurities in this Ratio cannot be dosed precisely and reproducibly.

Verfahren zur Herstellung einer Speicherelektrode für KathodenstrahlröhrenMethod of manufacturing a storage electrode for cathode ray tubes

Anmelder:Applicant:

CSF Compagnie Generale de Telegraphic sans FiI, ParisCSF Compagnie Generale de Telegraphic sans FiI, Paris

Vertreter:Representative:

Dr. W. Müller-Bore und DipL-Ing. H. Gralfs, Patentanwälte, Braunschweig, Am Bürgerpark 8Dr. W. Müller-Bore and Dipl.-Ing. H. Gralfs, Patent attorneys, Braunschweig, Am Bürgerpark 8

Als Erfinder benannt:
Pierre Bonvalot,
Bernard Courtan, ParisNamed as inventor:
Pierre Bonvalot,
Bernard Courtan, Paris

Beanspruchte Priorität:Claimed priority:

Frankreich vom 28. März 1962 (892 478)France of March 28, 1962 (892 478)

Ziel der Erfindung ist ein Verfahren der eingangs genannten Gattung, welches diese Nachteile nicht aufweist, d. h. welches es gestattet, eine Speicherelektrode mit einer stark verringerten Mimmalremanenz während des Löschens herzustellen. Die nach dem Verfahren hergestellte Speicherelektrode soll mit einem vorausbestimmbaren Remanenzwert hergestellt werden können, der aus einem hinreichend großen Bereich von Remanenzwerten ausgewählt werden kann. Schließlich soll die Dosierung des Aktivierungsmetalls genau und reproduzierbar durchgeführt werden können.The aim of the invention is a method of the type mentioned at the beginning which does not have these disadvantages has, d. H. which allows a storage electrode with a greatly reduced minimum remanence to establish during the deletion. The storage electrode produced by the process should be able to be produced with a predeterminable remanence value that is sufficient from a wide range of remanence values can be selected. Finally, the dosage is supposed to of the activation metal can be carried out precisely and reproducibly.

Dies wird gemäß der Erfindung dadurch erreicht, daß dem Isoliermaterial vor dem Ausbilden als poröse Schicht das Aktivierungsmetall in Gewichtsteilen von 0,1 bis 10% zugesetzt wird. This is achieved according to the invention in that the insulating material before forming as porous layer, the activation metal is added in parts by weight from 0.1 to 10%.

Als Aktivierungsmetall wird vorzugsweise Mangan oder Kupfer verwendet.Manganese or copper is preferably used as the activation metal.

Bei diesem Verfahren wird also ein Isoliermaterial mit den Eigenschaften der induzierten Leitfähigkeit, das je nach dem gewünschten Remanenzwert mit 0,1 bis 10 Gewichtsprozent eines bekannten Aktivierungsmetalls, wie Mangan oder Kupfer, versetzt ist, auf die beispielsweise aus Aluminium bestehende Metallschicht oder auf den als Zwischenträger zwischen Metallschicht und Isolierschicht dienenden Kollodiumfilm durch Aufdampfen im Vakuum unter eine poröse Isolierschicht bildenden Bedingungen aufgebracht.In this process, an insulating material with the properties of induced conductivity, depending on the desired remanence value with 0.1 to 10 percent by weight of a known activating metal, such as manganese or copper, is offset, for example made of aluminum Metal layer or on the one serving as an intermediate carrier between the metal layer and the insulating layer Collodion film by vacuum evaporation under conditions forming a porous insulating layer upset.

509 688ß68509 688-68

Die Porosität der Isolierschicht übt die gewünschte Wirkung auf die Minimalremanenz während des Löschens aus, da die Kapazität der porösen Struktur, verglichen mit einer dichten Struktur des gleichen Materials, bei gleicher Bemessung geringer ist, so daß die Zeitkonstante der Entladung herabgesetzt ist und das Löschen daher weniger Zeit erfordert.The porosity of the insulating layer has the desired effect on the minimum remanence during the Erasure because of the capacity of the porous structure compared with a dense structure of the same Material, with the same rating, is lower, so that the time constant of the discharge is reduced and therefore it takes less time to delete.

Bestände jedoch die poröse Struktur aus einem Dielektrikum, wie reinem Zinksulfid, so wäre ihre Remanenz der Beständigkeit des Reliefs ebenfalls sehr gering, verglichen mit der dichten Struktur, und läge so außerhalb des Bereichs erwünschter Remanenzen. Die Hinzunahme eines Aktivators, wie Mangan oder Kupfer, zu dem Ausgangsmaterial, das unter Vakuum aufgedampft werden soll, gestattet, diese Remanenz wiederherzustellen und in die Grenzen des erwünschten Bereichs zurückzubringen. Darüber hinaus ist der Wert der Remanenz innerhalb dieses Bereichs eine Funktion der Dosierung des Aktivators in einem solchen Ausmaß, daß es durch geeignete Wahl der Dosierung möglich ist, eine Speicherelektrode mit vorgegebener Remanenz herzustellen.However, if the porous structure consisted of a dielectric such as pure zinc sulfide, it would be theirs Remanence of the durability of the relief is also very low compared to the dense structure, and would thus lie outside the range of desired remanences. The addition of an activator like Manganese or copper, to the starting material which is to be vapor-deposited under vacuum, permitted, to restore this remanence and bring it back within the limits of the desired range. In addition, the value of the remanence within this range is a function of the dosage of the activator to such an extent that it is possible through a suitable choice of the dosage, to produce a storage electrode with a predetermined remanence.

Zur Erläuterung soll folgendes Beispiel dienen. Verwendet man mit Mangan, dessen Gewichts-Verhältnis zwischen 0,1 und 10% gewählt wird, aktiviertes Zinksulfid, so erhält man — abhängig von der genauen Bemessung des Aktivatoranteils innerhalb des angegebenen Bereichs — eine Speicherelektrode, bei der die Remanenz der Beständigkeit des Reliefs gleich der 2- bis 20fachen Zeit ist, die das Signal benötigt, um die Hälfte seines Anfangswertes anzunehmen. Dieses Zinksulfid ist auf einem Film aus Aluminium oder Kollodium unter bekannten Bedingungen (beispielsweise einem relativ geringen Vakuum in der Größenordnung von 10~⁴ mm Hg und einer relativ niedrigen Temperatur von 950° C) aufgedampt, derart, daß sich ein poröser Niederschlag ergibt. Die Minimalremanenz während des Löschens der Speicherelektrode liegt bei einem Wert, der kleiner als 2 Sekunden ist.The following example is intended to provide an explanation. If activated zinc sulfide is used with manganese, the weight ratio of which is selected between 0.1 and 10%, then - depending on the exact measurement of the activator content within the specified range - a storage electrode is obtained in which the remanence is equal to the resistance of the relief is 2 to 20 times the time it takes for the signal to take on half of its initial value. This zinc sulfide is deposited on a film of aluminum or collodion under known conditions (for example, a relatively low vacuum of the order of 10 ~ ⁴ mm Hg and a relatively low temperature of 950 ° C) such that a porous precipitate results. The minimum remanence during the erasure of the storage electrode is at a value that is less than 2 seconds.

Zum Vergleich soll angegeben werden, daß nach dem vorgenannten bekannten Verfahren hergestellte Speicherelektroden eine Minimalremanenz während des Löschens aufweisen, die nicht unter 3 Sekunden liegt, und daß die Remanenz der Beständigkeit des Reliefs immer, abgesehen von Fertigungsungenauigkeiten, bei dem gleichen Wert von einigen zehn Sekunden, der nicht Steuer- oder einstellbar ist, lag.For comparison, it should be stated that produced according to the aforementioned known method Storage electrodes have a minimum remanence during erasure, which is not less than 3 seconds and that the remanence of the stability of the relief always, apart from manufacturing inaccuracies, was at the same value of a few tens of seconds, which is not controllable or adjustable.

Claims

Patent claims:

1. A method for manufacturing a storage electrode for cathode ray tubes, the one porous insulating layer with induced conductivity, in which the decay time by a Activation metal is set, characterized in that the insulating material before forming as a porous layer the activation metal in proportions by weight of 0.1 up to 10% is added.

2. The method according to claim 1, characterized in that the activating metal is manganese or copper is used.

Considered publications:
German patent specification No. 1 043 522.