DE1297949B - Verfahren zur Herstellung gedruckter Schaltungen - Google Patents
Verfahren zur Herstellung gedruckter SchaltungenInfo
- Publication number
- DE1297949B DE1297949B DEW33938A DEW0033938A DE1297949B DE 1297949 B DE1297949 B DE 1297949B DE W33938 A DEW33938 A DE W33938A DE W0033938 A DEW0033938 A DE W0033938A DE 1297949 B DE1297949 B DE 1297949B
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- metal
- masking
- aluminum
- layer
- tantalum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 36
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 36
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 27
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims description 21
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 20
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 15
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 10
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 8
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 6
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 5
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 4
- QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N aqua regia Chemical compound Cl.O[N+]([O-])=O QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 3
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 claims 1
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003518 caustics Substances 0.000 description 4
- 235000011121 sodium hydroxide Nutrition 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 229910021538 borax Inorganic materials 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000004328 sodium tetraborate Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 2
- 235000010339 sodium tetraborate Nutrition 0.000 description 2
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 2
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 231100001010 corrosive Toxicity 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 description 1
- UQGFMSUEHSUPRD-UHFFFAOYSA-N disodium;3,7-dioxido-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3,5,7-tetraborabicyclo[3.3.1]nonane Chemical compound [Na+].[Na+].O1B([O-])OB2OB([O-])OB1O2 UQGFMSUEHSUPRD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010410 dusting Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 235000010755 mineral Nutrition 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
- H05K3/061—Etching masks
- H05K3/062—Etching masks consisting of metals or alloys or metallic inorganic compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
- C25D11/02—Anodisation
- C25D11/022—Anodisation on selected surface areas
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/02—Electroplating of selected surface areas
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N97/00—Electric solid-state thin-film or thick-film devices, not otherwise provided for
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/01—Dielectrics
- H05K2201/0137—Materials
- H05K2201/0175—Inorganic, non-metallic layer, e.g. resist or dielectric for printed capacitor
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/03—Metal processing
- H05K2203/0315—Oxidising metal
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
- H05K3/388—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by the use of a metallic or inorganic thin film adhesion layer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Description
1 2
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Her- Günstige Ergebnisse wurden dadurch erzielt, daß
stellung gedruckter Schaltungen aus den anodisch das erste und gegebenenfalls auch das maskierende
oxydierbaren Metallen Tantal, Niob, Titan, Wolfram, Metall mittels einer wässerigen Lösung von Fluor-Zirkon
und Hafnium, bei dem das Metall auf eine wasserstoff und Salpetersäure entfernt wird.
Unterlage niedergeschlagen und das gewünschte 5 Die Erfindung soll beispielhaft unter Bezugnahme
Muster durch Maskierung ausgebildet wird. auf die Zeichnungen näher erläutert werden. In den
Die einfachsten Verfahren zur Herstellung metal- Zeichnungen zeigt
lischer Muster oder Figuren auf Unterlagen sehen die F i g. 1 eine perspektivische Darstellung einer kera-
Anwendung einer Abdeckmaske in Verbindung mit mischen Platte, auf der eine dünne metallische Schicht
der Vakuumauf dampf-oder Zerstäubungstechnik vor. io eines filmbildenden Metalls niedergeschlagen wor-Obwohl
solche Verfahren breite Anwendung ge- den ist,
funden haben, sind gewisse Nachteile unvermeidlich, Fig. 2 eine perspektivische Darstellung der kera-
wenn die herzustellenden metallischen Muster von mischen Platte nach Fig. 1 mit einer auf dem Filmextrem
germger Größe oder verwickelter Formgebung bildenden Metall niedergeschlagenen Aluminiumsind.
In solchen Fällen sind die Abdeckmasken mit 15 schicht,
ihren Aussparungen entsprechend der Formgebung F i g. 3 eine Schnittdarstellung durch die Platte nach
sehr zerbrechlich und schwierig zu handhaben. Aus F i g. 2 nach der Photogravierung,
diesen Gründen wird die Technik der Photogravüre Fig. 4 eine Schnittdarstellung der Platte nach
im allgemeinen bevorzugt. F i g. 3 nach der anodischen Behandlung,
Die handelsüblichen Photoschichten sind für be- 20 Fig. 5 eine Schnittdarstellung der Platte nach
stimmte Metalle, wie Kupfer, Zink und Aluminium F i g. 4, nachdem das anodisierte Aluminium aufentwickelt
worden, die von milden Reagenzien, wie gelöst und die Platte in Säure geätzt ist.
Eisenchlorid, Essigsäure und verdünnten Mineral- Zum Zwecke der Herstellung einer gedruckten
säuren, angegriffen werden. Indessen werden solche Schaltung wird eine Aluminiumschicht durch Auf-Photoschichten,
die im wesentlichen aus Kohlen- as dampfen oder Zerstäubung in den Bereichen niederwasserstoffen
bestehen, von starken Ätzmitteln, wie geschlagen, die nicht anodisch behandelt werden sol-Fluorwasserstoffsäure
und konzentrierter Salpeter-, len. Als nächstes wird das filmbildende Metall, bei-SaIz-
und Schwefelsäure, leicht angegriffen. spielsweise Tantal, und die Aluminiumschicht ano-
Dementsprechend ist die Technik der Photogravüre disch behandelt, etwa mit einer Borsäure-Boraxbei
Verwendung üblicher Photoschichten nur mit 30 Lösung bei Gleichspannung bis zu 50 Volt. Nach der
Schwierigkeit auf Metalle angewandt worden, die nur anodischen Behandlung werden das entstandene AIuvon
den obengenannten starken Ätzmitteln ange- miniumoxyd und das übrigbleibende Aluminium mit
griffen werden. So ist zwar Tantal ein filmbildendes einer Lösung verdünnter Salzsäure, Salpetersäure
Metall, das mit Vorteil bei der Herstellung von Kon- oder Natriumhydroxyd aufgelöst, wodurch das gedensatoren
in gedruckten Schaltungen verwendet 35 wünschte Muster aus anodisch behandeltem Tantal
wird, doch kann es nicht nach der üblichen Photo- übrigbleibt.
gravüretechnik behandelt werden, da es von schwa- Fig. 1 zeigt eine Platte 11, auf der eine gedruckte
chen Ätzmitteln nicht angegriffen wird. Auf der Schaltung gemäß vorliegender Erfindung hergestellt
anderen Seite erfordert ein solches Verfahren, daß werden soll. Der erste Schritt besteht in der Säuberung
die Photoschicht eine sorgfältig überwachte Stabili- 40 der Platteil durch übliche Reinigungsmittel, beisierung
erfährt. spielsweise durch Kochen in Xylol, Aceton und Was-
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren ser. Nach der Reinigung wird eine dünne Schicht 12
zur Herstellung gedruckter Schaltungen aus den eines filmbildenden Metalls, wie Tantal, auf der
anodisch oxydierbaren Metallen Tantal, Niob, Titan, Platte 11 in bekannter Weise durch kathodische ZerWolfram,
Zirkon und Hafnium, bei dem das Metall 45 stäubung oder Aufdampfen im Vakuum niederauf
eine Unterlage niedergeschlagen und das ge- geschlagen. Im allgemeinen ist die Dicke der Schicht
wünschte Muster durch Maskierung ausgebildet wird. 12 nicht kritisch und sollte von ausreichender Stärke
Die Erfindung besteht darin, daß zur Maskierung sein, um die Oberfläche der Unterlage gleichmäßig
ein anodisch oxydierbares, vom ersten Metall ver- zu decken. Für die hier beschriebenen Zwecke liegen
schiedenes Metall in an sich bekannter Weise mittels so die Schichtdicken vorzugsweise im Bereich von 300
Zerstäubung oder Aufdampfung aufgebracht wird, bis 5000 AE.
das maskierende Metall und die frei hegenden Teile Der nächste Schritt des in F i g. 2 dargestellten er-
des ersten Metalls anodisch oxydiert werden und findungsgemäßen Verfahrens besteht im Niederanschließend das maskierende, eine Oxydschicht schlagen einer Schicht 13 aus Aluminium in gleicher
tragende Metall und gegebenenfalls auch das darunter- 55 Größe wie die Schicht 12 durch kathodische Zerliegende
anodisch nicht behandelte erste Metall ent- stäubung oder durch Vakuumaufdampftechnik. Die
fernt wird. Dicke der Schicht 13 liegt vorzugsweise im Bereich
In vorteilhafter Weise wird dabei als maskierendes von 1000 bis 2500 AE.
Metall Aluminium verwendet. Anschließend wird in der Schicht 13 ein Muster
Zweckmäßig wird das maskierende Aluminium in 60 durch Photogravüre hergestellt. Es kann jedes beeiner
Dicke von 2000 bis 2500° niedergeschlagen. kannte konventionelle Photogravüreverfahren angeln
ihrer weiteren Ausgestaltung sieht die Erfindung wandt werden.
vor, daß für gedruckte Schaltungen aus Tantal oder Fig. 3 ist ein Schnitt durch die Platte 11 und zeigt
Niob als maskierendes Metall Aluminium, Titan, das Muster, das sich nach Entfernung von Teilen der
Wolfram, Zirkon oder Hafnium verwendet wird. 65 Schicht 13 ergibt. Ziffer 14 bezeichnet den Bereich,
Das maskierende Metall wird mit Vorteil mittels aus dem das Aluminium entfernt ist.
Königswasser, Salzsäure, Salpetersäure oder Natrium- Nach der Photoätzung wird die Platte 11, nachdem
hydroxydlösung entfernt. Teile der Tantalschicht 12 freigelegt sind, mit den
restlichen Teilen der Schicht 13 in üblicher Weise anodisch behandelt, beispielsweise mit einer Borsäure-Borax-Lösung
bei Gleichspannungen bis zu etwa 50 Volt. In F i g. 4 ist eine Schicht 15 von anodisch
behandeltem Aluminium und eine Schicht 16 von anodisch behandeltem Tantal gezeigt.
Der Schlußschritt besteht in der Entfernung der anodisch behandelten Aluminiumschicht 15 zusammen
mit der darunterliegenden Aluminiumschicht 13 und der Tantalschicht 12. Übrig bleibt ein mit einer
Tantalpentoxydschicht 16 bedecktes Tantalmuster. Zu diesem Zweck wird die Aluminiumschicht zuerst
mit einem milden Ätzmittel, wie verdünnter Salzsäure, Salpetersäure oder Natriumhydroxyd, entfernt und
danach die Tantalschicht mit einer üblicherweise verwendeten starken Säure, wie etwa Fluorwasserstoffsäure.
Wenn Titan, Wolfram, Zirkon oder Hafnium an Stelle des Aluminiums verwendet werden, muß die
besagte Schicht mit Königswasser oder heißer Salzsäure geätzt werden. Jedoch können aus Bequemlich- ao
keitsgründen Lösungen von Salzsäure oder Fluorwasserstoffsäure und Salpetersäure verwendet werden,
um die Entfernung aller drei Schichten zu bewirken. Das entstandene Muster ist ein Positiv des
ursprünglichen photographischen Films. Aus diesem Grunde besitzen die gemäß vorliegender Erfindung
hergestellten Muster (F i g. 5) den gleichen Genauigkeitsgrad in der Wiedergabe von Einzelheiten, wie
er mit Photogravüreverfahren allgemein erzielbar ist.
Die erhaltenen Muster finden als Widerstände und Zwischenverbindungen Verwendung. Darüber hinaus
können sie zur Herstellung anderer Bauteile, beispielsweise Kondensatoren, weiterbehandelt werden.
Man kann nach dem oben dargelegten Verfahren einen Widerstand in gedruckter Schaltung herstellen,
der nicht weniger als 20 oder 30 parallele, miteinander verbundene Segmente enthält, wobei die Segmente
und ihre Zwischenräume eine Breite in der Größenordung von 0,025 bis 0,05 mm aufweisen.
Nachstehend werden zwei Erfindungsbeispiele näher beschrieben.
Es wurde ein Schaltkreis aus Tantal verwendet, der aus einem Widerstand, einem Kondensator und Zwischenverbindungen
bestand, die in der üblichen Photoätztechnik erhalten waren. Unter Verwendung einer mechanischen Abdeckung zum Schutz der Gebiete
des Tantals, die nicht anodisch behandelt werden sollten, wurde eine 4500 AE dicke Aluminiumschicht
nach der üblichen Aufdampftechnik niedergeschlagen, wozu 5 cm eines 1,3 mm starken Drahtes
aus Aluminium verdampft wurden. Als nächstes wurde die Maske entfernt und das Ganze in einer
Lösung mit 0,01 Gewichtsprozent Zitronensäure bei Spannungen bis zu 150 Volt anodisch behandelt.
Schließlich wurde die Aluminiumoxydschicht und das darunterliegende Aluminium durch Auflösung in
verdünnter wässeriger Ätznatron-Lösung entfernt, wodurch ein Schaltungsmuster aus partiell anodisierten
Elementen entstand.
Herstellung eines Widerstandes ,
in einer gedruckten Schaltung
Ein gläserner Objektträger von etwa 4 cm Breite und 7,5 cm Länge wurde durch Kochen in Xylol,
Aceton und Wasser gesäubert. Eine Tantalschicht von AE Dicke wurde dann in der üblichen Zerstäubungstechnik
niedergeschlagen und das Ganze durch Kochen, wie oben beschrieben, gesäubert.
Die Tantal-Oberfläche wurde dann mit einer AE dicken Aluminiumschicht in der üblichen
Aufdampftechnik bedeckt, wobei ein 5 cm langer Aluminiumdraht von 1,3 mm Durchmesser verdampft
wurde.
Danach wurde die Aluminiumoberfläche mit einer Schicht Metallätzabdeckung von Kodak überzogen.
Nach dem Vorwärmen auf 100° C wurde die lichtempfindliche Abdeckfläche unter einem Belichtungsmuster, nämlich dem photographischen Positiv eines
Widerstandsmusters exponiert. Die exponierte Schicht wurde dann nach üblicher Photogravüretechnik behandelt
und in einer 4°/oigen Lösung von Ätznatron geätzt, wodurch ein negatives Widerstandsmuster auf
dem Objektträger entstand.
Anschließend wurde der beschichtete Objektträger in einer Lösung von 12 g Borsäure und 2 g Natriumtetraborat
in 400 ml Wasser bei einer Temperatur von 80 bis 90° C bei Spannungen bis zu 35 Volt
anodisch behandelt, um eine Schicht aus Tantaloxyd von etwa 650 AE Dicke zu erzeugen.
Schließlich wurde der Objektträger mit einer wässerigen Lösung aus Salpetersäure und Flußsäure geätzt,
wobei die Schicht aus Aluminiumoxyd und die darunterliegende Schicht aus Aluminium und Tantal
entfernt wurde und ein exaktes Widerstandsmuster aus anodisch behandeltem Tantal entstand.
Claims (6)
1. Verfahren zur Herstellung gedruckter Schaltungen aus den anodisch oxydierbaren Metallen
Tantal, Niob, Titan, Wolfram, Zirkon und Hafnium, bei dem das Metall auf einer Unterlage
niedergeschlagen und das gewünschte Muster durch Maskierung ausgebildet wird, dadurch
gekennzeichnet, daß zur Maskierung ein anodisch oxydierbares, vom ersten Metall verschiedenes
Metall in an sich bekannter Weise mittels Zerstäubung oder Aufdampfung aufgebracht
wird, das maskierende Metall und die frei liegenden Teile des ersten Metalls anodisch oxydiert
werden und anschließend das maskierende, eine Oxydschicht tragende Metall und gegebenenfalls
auch das darunterliegende anodisch nicht behandelte erste Metall entfernt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als maskierendes Metall Aluminium
verwendet wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das maskierende Aluminium
in einer Dicke von 2000 bis 2500A niedergeschlagen wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß für gedruckte Schaltungen aus
Tantal oder Niob als maskierendes Metall Aluminium, Titan, Wolfram oder Hafnium verwendet
wird.
5. Verfahren nach Anspruch 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß das maskierende Metall mittels
Königswasser, Salzsäure, Salpetersäure oder Natriumhydroxydlösung entfernt wird.
6. Verfahren nach Anspruch 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß das erste und gegebenenfalls
auch das maskierende Metall mittels einer wässerigen Lösung von Fluorwasserstoff und Salpetersäure
entfernt wird.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US176298A US3294653A (en) | 1962-02-28 | 1962-02-28 | Method for fabricating printed circuit components |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1297949B true DE1297949B (de) | 1969-06-19 |
Family
ID=22643789
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DEW33938A Pending DE1297949B (de) | 1962-02-28 | 1963-02-20 | Verfahren zur Herstellung gedruckter Schaltungen |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3294653A (de) |
| BE (1) | BE628956A (de) |
| DE (1) | DE1297949B (de) |
| GB (1) | GB1031042A (de) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3622319A (en) * | 1966-10-20 | 1971-11-23 | Western Electric Co | Nonreflecting photomasks and methods of making same |
| US3491000A (en) * | 1968-11-18 | 1970-01-20 | Bell Telephone Labor Inc | Method of producing vanadium dioxide thin films |
| US3708403A (en) * | 1971-09-01 | 1973-01-02 | L Terry | Self-aligning electroplating mask |
| US3883947A (en) * | 1971-11-05 | 1975-05-20 | Bosch Gmbh Robert | Method of making a thin film electronic circuit unit |
| DE2455048A1 (de) * | 1973-11-23 | 1975-11-13 | Anvar | Verfahren zur herstellung von oberflaechenueberzuegen, sowie mittels desselben erhaltene ueberzuege und ueberzogene werkstuecke |
| US3941630A (en) * | 1974-04-29 | 1976-03-02 | Rca Corporation | Method of fabricating a charged couple radiation sensing device |
| JPS524491A (en) * | 1975-06-30 | 1977-01-13 | Hitachi Zosen Corp | Method of preparing catalyst for removing nox by selective catalytic r eduction with ammonia |
| US4015987A (en) * | 1975-08-13 | 1977-04-05 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Process for making chip carriers using anodized aluminum |
| US4158613A (en) * | 1978-12-04 | 1979-06-19 | Burroughs Corporation | Method of forming a metal interconnect structure for integrated circuits |
| US7138330B2 (en) * | 2002-09-27 | 2006-11-21 | Medtronic Minimed, Inc. | High reliability multilayer circuit substrates and methods for their formation |
| US20040061232A1 (en) * | 2002-09-27 | 2004-04-01 | Medtronic Minimed, Inc. | Multilayer substrate |
| US8003513B2 (en) * | 2002-09-27 | 2011-08-23 | Medtronic Minimed, Inc. | Multilayer circuit devices and manufacturing methods using electroplated sacrificial structures |
| DE102013219342A1 (de) * | 2013-09-26 | 2015-03-26 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur Strukturierung von Schichten oxidierbarer Materialien mittels Oxidation sowie Substrat mit strukturierter Beschichtung |
| CN108754511A (zh) * | 2018-05-16 | 2018-11-06 | 深圳仕上电子科技有限公司 | 利用硝氟酸溶液剥离石英、陶瓷或不锈钢工件表面膜的方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2930741A (en) * | 1960-03-29 | Electrolytic capacitors | ||
| US2706697A (en) * | 1943-02-02 | 1955-04-19 | Hermoplast Ltd | Manufacture of electric circuit components |
| US3099610A (en) * | 1957-07-29 | 1963-07-30 | Reynolds Metals Co | Method of multi-coloring anodized aluminum |
| NL238401A (de) * | 1958-06-16 | |||
| US3035990A (en) * | 1958-11-05 | 1962-05-22 | Collins Radio Co | Chemical blanking of aluminum sheet metal |
| US3079536A (en) * | 1959-09-21 | 1963-02-26 | Bell Telephone Labor Inc | Film-forming metal capacitors |
-
0
- BE BE628956D patent/BE628956A/xx unknown
-
1962
- 1962-02-28 US US176298A patent/US3294653A/en not_active Expired - Lifetime
-
1963
- 1963-02-07 GB GB4972/63A patent/GB1031042A/en not_active Expired
- 1963-02-20 DE DEW33938A patent/DE1297949B/de active Pending
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| None * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB1031042A (en) | 1966-05-25 |
| BE628956A (de) | |
| US3294653A (en) | 1966-12-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE1297949B (de) | Verfahren zur Herstellung gedruckter Schaltungen | |
| EP0002669B1 (de) | Verfahren zum Entfernen von Material von einem Substrat durch selektive Trockemätzung und Anwendung dieses Verfahrens bei der Herstellung von Leitungsmustern | |
| DE2424338A1 (de) | Verfahren zum aufbringen von mustern duenner filme auf einem substrat | |
| DE2251382B2 (de) | Verfahren zur Herstellung von aluminiumhaltigen Trägern | |
| DE1183919B (de) | Verfahren zur Herstellung einer vorsensibilisierten Flachdruckplatte mit metallischer Grundschicht unter Verwendung einer Haftschicht | |
| DE2021264B2 (de) | Verfahren zur herstellung einer rc-duennfilmschaltung | |
| DE2634412C2 (de) | Lithographische Druckplatte | |
| DE2905633C2 (de) | ||
| DE2102421B2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer strukturierten metallischen Schicht auf einem keramischen Grundkörper | |
| DE1515905B2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Cermet Dunnschichtwiderstanden | |
| DE1571916A1 (de) | Vorsensibilisiertes Material zur Herstellung lithographischer Druckplatten | |
| DE2363516A1 (de) | Verfahren zum herstellen eines musters mit teilplattierten bereichen | |
| EP0067984A1 (de) | Verfahren zum Ätzen von Chrom und Ätzmittelmischungen zur Durchführung des Verfahrens | |
| DE2606086C3 (de) | Herstellung von integrierten Dünnschichtschaltungen aus mit dünnen Schichten mehrlagig beschichteter Unterlage | |
| DE1101550B (de) | Verfahren zur Herstellung gedruckter Schaltungen | |
| DE2410880A1 (de) | Verfahren zum herstellen eines maskierenden musters aus photolack | |
| DE2254503C2 (de) | Für die Herstellung von Bimetallplatten für den Flachdruck geeignetes flächiges Material | |
| DE2512860C2 (de) | Verfahren zum fotolithografischen Strukturieren von Widerstandsbahnen in Hybridschaltungen | |
| DE1615051A1 (de) | ss-Tantal-Widerstaende | |
| DE1126215B (de) | Verfahren zur galvanischen Herstellung von Flachdruckplatten | |
| DE2530415B2 (de) | Verfahren zum Vorbereiten von Trägermaterialien für die Herstellung von Metallmustern | |
| DE2061382C (de) | Verfahren zur Herstellung von Schaltkreisen | |
| DE2105411C (de) | Verfahren zum Herstellen von inte grierten Dunnfilmschaltungen | |
| DE2205706A1 (de) | ||
| DE1615011C (de) | Mit dünnen Filmen mehrlagig beschichtete Unterlage |