DE1282211B - Optischer Sender mit einer Halbleiterdiode als stimulierbarem Medium - Google Patents
Optischer Sender mit einer Halbleiterdiode als stimulierbarem MediumInfo
- Publication number
- DE1282211B DE1282211B DEJ30003A DEJ0030003A DE1282211B DE 1282211 B DE1282211 B DE 1282211B DE J30003 A DEJ30003 A DE J30003A DE J0030003 A DEJ0030003 A DE J0030003A DE 1282211 B DE1282211 B DE 1282211B
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- optical transmitter
- transmitter according
- electrodes
- cover electrodes
- course
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 31
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 13
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 7
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 claims description 6
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 5
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 2
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 claims 1
- 230000000638 stimulation Effects 0.000 description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000005381 potential energy Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 2
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 description 2
- 241001663154 Electron Species 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000012886 linear function Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 1
- 230000005428 wave function Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0425—Electrodes, e.g. characterised by the structure
- H01S5/04254—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0425—Electrodes, e.g. characterised by the structure
- H01S5/04256—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the configuration
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/0625—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes in multi-section lasers
- H01S5/06251—Amplitude modulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/06233—Controlling other output parameters than intensity or frequency
- H01S5/06243—Controlling other output parameters than intensity or frequency controlling the position or direction of the emitted beam
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/1082—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region with a special facet structure, e.g. structured, non planar, oblique
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Radiation-Therapy Devices (AREA)
Description
DEUTSCHES
PATENTAMI
im. α.:
HOIs
Deutsche KL: 21g-53/08
Nummer: 1282211
Aktenzeichen: P 12 82 211.6-33 (J 30003)
Anmeldetag: 5. Februar 1966
Auslegetag: 7. November 1968
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen optischen Sender mit einer Halbleiterdiode als stimulierbarem
Medium, das in Richtung der Übergangsfläche und senkrecht zu seinen spiegelnden Stirnflächen ausstrahlt und dessen gemeinsamer
Basiselektrode mindestens zwei in Strahlrichtung hintereinanderliegende getrennte Deckelektroden zugeordnet
sind.
Obwohl optische Sender der genannten Art seit einiger Zeit bekannt sind, wird es nützlich sein, einige
diesbezügliche grundlegende Tatsachen in Verbindung mit der vorliegenden Erfindung zu erwähnen. Fällt
ein Elektron von einem hohen Energieniveau auf ein niedrigeres, so wird ein Photon erzeugt, dem eine
Frequenz zukommt, welche von der Energiedifferenz der beiden Niveaus abhängt. In allen Materialien gibt
es zwischen verschiedenen Energieniveaus sich bewegende Elektronen, wobei thermische Energie in
Strahlungsenergie umgesetzt wird. In manchen Materialien wird ein Elektron eines entsprechend hohen ao
Energieniveaus (hoher potentieller Energie) dazu stimuliert, auf ein niedrigeres Energieniveau zurückzukehren,
wenn es mit einem Photon zusammentrifft, dessen Frequenz der Energiedifferenz der beiden
gerade vorliegenden Energieniveaus entspricht. Tritt diese Rückkehr ein, so liegen zwei gleichphasige, d. h.
kohärente Photonen vor.
Ein optischer Sender der obengenannten Art, der auch Halbleiterinjektionslaser genannt wird, ist so
konstruiert, daß eine genügend hohe Wahrscheinlichkeit dafür besteht, daß das Photon innerhalb des
stimulierbaren Mediums auf ein anderes Elektron genügend hoher potentieller Energie auftrifft und
hierbei weitere kohärente Photonen ausgelöst werden; andererseits ist bei der Auslegung des optischen
Senders gleichfalls dafür gesorgt, daß die Wahrscheinlichkeit, daß das Photon aus dem stimulierbaren
Medium austritt, ohne auf ein Elektron hoher potentieller Energie aufgetroffen zu sein, bzw. die Wahrscheinlichkeit dafür, daß das Photon lediglich ther-
mische Energie innerhalb des Arbeitsmediums hervorruft, gering ist. Einige mehr ins Detail gehende
Faktoren, die bezüglich der Stimulation (Resonanzauslösung überbesetzt angeregter Elektronen) von
Wichtigkeit sind, werden im folgenden noch genannt werden. Bei der Vorrichtung nach der vorliegenden
Erfindung werden diese Parameter gesteuert, so daß die Richtung, in der die stimulierte Strahlung auftritt,
innerhalb gewisser Grenzen frei wählbar ist, wodurch eine Abtastung durchgeführt werden kann.
Erfindungsgemäß wird eine Parallelverschiebung oder Richtungsänderung eines kohärenten Strahles
Optischer Sender mit einer Halbleiterdiode als
stimulierbarem Medium
stimulierbarem Medium
Anmelder:
International Business Machines Corporation,
Armonk, N. Y. (V. St. A.)
Vertreter:
Dipl.-Phys. H. Preisher, Patentanwalt,
7030 Böblingen, Sindelfinger Str. 49
Als Erfinder benannt:
Howard Bradbury Williams,
Bankim Ramanlal Shah,
Poughkeepsie, N. Y. (V. St. A.)
Howard Bradbury Williams,
Bankim Ramanlal Shah,
Poughkeepsie, N. Y. (V. St. A.)
Beanspruchte Priorität:
V. St. v. Amerika vom 26. Februar 1965
(435 476)
V. St. v. Amerika vom 26. Februar 1965
(435 476)
dadurch erzielt, daß die Deckelektroden in ihrer Längsausdehnung in Richtung der zu steuernden
Strahlung paarweise komplementär sind, wobei die an die Deckelektroden angelegte Spannung phasenverschoben
zueinander sein muß, damit der Schwellenwert der Anregung für die kohärente Ausstrahlung
jeweils nur in einer ausgezeichneten Richtung überschritten wird.
Der das stimulierbare Medium darstellende Halbleiterkörper des optischen Senders, welcher zugleich
den optischen Resonator bildet, besitzt polierte bzw. silberverspiegelte Stirnflächen, so daß die Photonen
im Innern reflektiert werden. Hierdurch wird bewirkt, daß das Photon sich sehr oft innerhalb des optischen
Resonators hin und her bewegt, bevor es in der Lage ist, diesen zu verlassen. Durch diese Maßnahme wird
die Wahrscheinlichkeit von Stoßvorgängen zwischen Photonen und Elektronen hoher potentieller Energie
wesentlich vergrößert. Manchmal werden die restlichen Oberflächenanteile aufgerauht, so daß eine
809 630/650
3 4
Stimulation in anderen Richtungen, als dies durch Gestalt der Elektroden so gewählt, daß die Elekdie
Verspiegelung vorgesehen ist, innerhalb des trodenlängen und die Stromwerte einen Stimulationsoptischen
Resonators nicht wesentlich erfolgen kann. weg lediglich entlang einer eindeutigen, der Geraden-Bei
der vorliegenden Erfindung wird von dieser schar angehörenden Geraden ermöglicht.
Maßnahme Gebrauch gemacht, um eine Geraden- 5 Die Beschreibung zweier Ausführungsbeispiele der
schar festzulegen, innerhalb derer eine stimulierte vorliegenden Erfindung gibt an Hand der Zeich-Strahlung
auftreten kann. Durch Steuerung des nungen Aufschluß über weitere Eigenschaften dieser
optischen Senders wird die spezielle Gerade festgelegt, optischen Sender sowie über Fragen, die bei deren
entlang der ein stimulierter Strahl erzeugt werden Betrieb auftreten. In den Zeichnungen bedeutet
soll. Bei einer speziellen Ausführungsform besitzt der io Fig. 1 eine Draufsicht eines Ausführungsbeispiels
optische Resonator zwei ebene parallele Stirnflächen, eines optischen Senders der vorliegenden Erfindung;
welche poliert sind, so daß die Stimulation lediglich die Übergangsfläche liegt parallel zur Zeichenebene,
entlang einer Schar von Geraden eintreten kann, F i g. 2 eine Seitenansicht des optischen Senders
welche untereinander parallel sind und auf die beiden von F i g. 1, wobei die Übergangsfläche senkrecht zur
polierten Oberflächen senkrecht stehen. In einer wei- 15 Zeichenebene angeordnet ist,
teren Ausführungsform wird der optische Resonator Fig. 3 eine Draufsicht des optischen Senders eines
von der Mantelfläche eines Zylinders begrenzt, die zweiten Ausführungsbeispiels der Erfindung,
teilweise poliert sind, so daß die Stimulation lediglich F i g. 4 zeigt Ströme verschiedener Zeitabhängigentlang
gewisser Radien des Zylinders erfolgen kann. keit, welche zum Betrieb beider Formen des optischen
Wie bereits erwähnt wurde, kann eine stimulierte 20 Senders geeignet sind.
Strahlung nur dann erfolgen, wenn eine genügende Der in den F i g. 1 und 2 gezeigte optische Sender
Anzahl von Elektronen sich in einem hohen poten- . mit einer Halbleiterdiode als stimulierbarem Medium
tiellen Energiezustand befindet, so daß mindestens weist einen Körper aus Halbleitermaterial auf mit
genau so viele Photonen erzeugt werden, wie z. B. einer P-leitenden Zone 10 und einer N-leitenden
durch Rekombination usw. verlorengehen. In einem 25 Zone 11 sowie einem Übergang 12, an dem die Stioptischen
Sender mit Halbleiterdiode werden mittels mulation erfolgt. Zwei Deckelektroden 13 und 14
Stromfluß in Durchlaßrichtung durch die Dioden- sind in beliebiger Weise auf der P-leitenden Zone 10
Sperrschicht bzw. den Diodenübergang Elektronen befestigt, und gegenüberstehend auf der anderen
auf ein hohes Energieniveau gebracht, wobei dieser Zone 11 ist eine einzige Basis-Flächenelektrode 15
Strom moduliert werden kann, so daß entweder eine 30 angebracht. Wie die mit Pfeilen versehenen Geraden
Stimulation, je nach der Größe des Stromflusses in der Zeichnung andeuten, sind die Elektroden 13
gegenüber dem Schwellenwert, zustande kommt oder und 14 zur Zuführung der verschiedenen Ströme mit
nicht. Die Wirkung des Stromes besteht im einzelnen geeigneten Zuführungen ausgerüstet. Erreichen die
darin, eine Zone zu schaffen, in der eine hohe Wahr- Ströme I1 und I2 einen Schwellenwert, so findet, wie
scheinlichkeit der Erzeugung zusätzlicher Photonen 35 später noch erklärt wird, Stimulation zwischen den
besteht. Bei einem definierten Schwellenwert des Ebenen des Überganges 12 statt. Die einander gegen-Stromes
werden mehr Photonen erzeugt als verloren- . überliegenden Stirnseiten 18 und 19 sind poliert, so
gehen, und die erzeugte Lichtintensität wächst abrupt daß ein Photon, welches sich entlang der Geraden 20
an. Erstreckt sich die Deckelektrode nicht über die in Fig. 1 bzw. entlang einer zu dieser Geraden pargesamte
Länge des stimulierbaren Mediums, so er- 40 allelen Geraden bewegt, im Inneren reflektiert wird,,
folgt die Stimulation dann, wenn die Photonenver- wobei mit hoher Wahrscheinlichkeit eine Stimulation
Stärkung innerhalb des Gebietes unterhalb der Elek- entlang dieser Geradenschar stattfinden kann. Die als
trode hoch genug ist, die Verluste innerhalb dieses Licht erzeugte Äusgangsenergie steht an der teil-Gebietes
und gleichfalls diejenigen Verluste auszu- durchlässigen Stirnfläche 19 zur Verfügung, die der
gleichen, die im Gebiet außerhalb der Elektrode 45 vorzugsweise silberverspiegelten Stirnfläche 18 gegenstattfinden.
In dem optischen Sender nach der vor- übersteht.
liegenden Erfindung wird eine Ablenkbewegung des Wie die F i g. 1 weiter zeigt, besitzen die Deck-Strahles
dadurch hervorgerufen, daß die effektive elektroden 13 und 14 annäherungsweise, aber nicht
Lage der Elektrodenbereiche bezüglich der Zeit ent- exakt, komplementäre Längenverteilung in Richtung
lang der Geradenschar variiert wird, entlang deren 50 senkrecht zur Geraden 20, wobei als unabhängige
eine Stimulation möglich ist. Variable die Elektrodenlänge längs der Geraden 20 Die effektive Länge des Elektrodenbereiches wird . anzunehmen ist. Die Längen der Elektroden sind auf
gesteuert durch Anbringung zweier Deckelektroden, die Zeitfunktionen der Ströme abgestimmt, so daß
welche in einem gegebenen Abstand voneinander an- die Bedingung des Schwellenwertes entlang einer
gebracht sind, wobei dieser in Richtung des mög- 55 einzelnen Geraden erreicht wird. Die genaue Gestalt
liehen Stimulationsweges verläuft, so daß die Ströme der Elektroden wird am besten im Zusammenhang
beider Elektroden zur Stimulation beitragen. Jede mit der Wirkungsweise des optischen Senders er-Deckelektrode
ist so gestaltet, daß die in Richtung läutert.
des Stimulationsweges gemessene Elektrodenlänge F i g. 4 zeigt die zeitliche Abhängigkeit zweier
eine stetige Funktion einer senkrecht zur Richtung 60 Ströme I1 und I2, welche an die Deckelektroden 13
des Stimulationsweges verlaufenden Abszisse ist. Die und 14 angelegt werden. Die Zeitfunktion des
Funktionsverläufe der Längen beider Elektroden sind Stromes I1 entspricht derjenigen eines sinusförmigen
zueinander komplementär, so daß, wenn der eine an Stromes nach dessen Doppelweggleichrichtung, die-
einer bestimmten Stelle lediglich eine kurze Länge jenige von I2 einer gegenüber der genannten Kurve
aufweist, der andere dagegen an der gleichen Stelle 65 um 90° phasenverschobenen Kurve. Diese Zeitab-
entsprechend länger ist. Verschiedene zeitabhängige hängigkeiten wurden gewählt wegen der Einfachheit
Ströme werden an beide Elektroden angelegt und ihrer Erzeugung, die mit wohlbekannten Schaltungen
diese Zeitfunktionen sind mit Rücksicht auf die durchgeführt werden kann, und wegen ihrer eindeu-
tigen Beziehungen zu der Elektrodenform. Wie bereits erklärt wurde, ist der Schwellenwert für die
Stimulation eine Funktion des die Elektrode durchfließenden Stromes sowie der Elektrodenlänge in
derjenigen Richtung, entlang der die Stimulation auftritt. Für optische Sender mit Mehrfach-Elektroden
ist dieser Schwellenwert, bei dem die Stimulation eintritt, eine Funktion der Summe der Produkte aus
Strom und der Länge einer jeden Elektrode. Dreht man die F i g. 1 so, daß die linker Hand liegende
Stirnfläche 18 nach oben weist, so sieht man, daß die Länge der Elektrode 13 als eine im ersten Quadranten
verlaufende Sinuslinie betrachtet werden kann. Die Zahlen 0° und 90° sind in F i g. 1 eingetragen, um
die Zeitkoordinate zu charakterisieren. Bei der gleichen Betrachtungsweise kann die Länge der Elektrode
14 in ähnlicher Weise durch den Funktionsverlauf einer Kosinuslinie bezüglich der Zeitachse
dargestellt werden. Infolgedessen ergibt sich als Produkt aus Strom und Länge der Elektrode 13:
I2-Lc· sin2 1,
und das Produkt aus Strom und Länge der Elektrode 14 ist in entsprechender Weise eine cos2-Funktion
der Zeit. Auf Grund der trigonometrischen Identität
sin2 1 + cos2 1 = 1
ist die Summe der Produkte aus Strom und Elektrodenlänge
für beide Elektroden stets eine Konstante. Die maximale Länge entlang der Kante 22 und die
Strommaxima I1 und Z2 sind so gewählt, daß der
Schwellenwert für die Senderwirkung entlang einer eindeutigen Geraden auftritt, welche zwischen den
Kanten 22 als Zeitfunktion wechselt.
In dem in F i g. 1 dargestellten optischen Sender sind die maximalen Elektrodenlängen festgelegt durch
die Abgrenzung durch die Eckpunkte 23, bei denen die Länge verschwindet. Daher sind die Maximalwerte
der Ströme I1 und I2, die eine Stimulation entlang
der Kante 22 herbeiführen, wenn lediglich einer der Elektroden 13 oder 14 mit Energie versorgt wird.
Ein zweites Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung ist in F i g. 3 dargestellt. Diese zeigt einen
zylindrischen Körper 35 aus einem Halbleitermaterial mit zwei Zonen verschiedener Leitfähigkeit (P, N)
sowie einen von diesen Zonen gebildeten Übergang, wie er bereits in Verbindung mit F i g. 2 für den
optischen Sender des ersten Ausführungsbeispiels der Erfindung beschrieben wurde. Ein Teil der Oberfläche
des Zylindermantels 36 ist versilbert, so daß sich ein spiegelnder Bereich ergibt derart, daß innere
Reflexionen entlang von Radien des Zylinders stattfinden und daß Lichtenergie entlang einer in radialer
Richtung verlaufenden Geradenschar nach rechts geliefert wird, was durch die Gerade 37 versinnbildlicht
ist. Der optische Sender der F i g. 3 besitzt auf der oberen Oberfläche seiner Halbleiterdiode zwei
Deckelektroden 39 und 40. Diese besitzen die Gestalt einer Sinus- bzw. einer Kosinuslinie bezüglich ihrer
Länge in Abhängigkeit vom Winkel. Die Gemeinsamkeit zwischen F i g. 3 und F i g. 1 ist am besten
einzusehen, in dem man die Längskanten 43 der Elektroden 39 und 40 mit den entsprechenden Kanten
22 der F i g. 1 sowie die Punkte 44, welche die Nulllänge in Richtung der Stimulation festlegen, mit den
entsprechenden Punkten 23 in der F i g. 1 vergleicht. Hier besteht eine direkte Äquivalenz der Länge der
Elektroden 39 und 40 entlang den Radien zu der Länge der Elektroden 13 und 14 entlang der horizontalen
Linie20 in Fig. 1. Werden Spannungen mit Zeitfunktionen der Fig. 4 an die Elektroden 39 und
40 angelegt, so wird ein Lichtstrahl erzeugt, welcher in radialer Richtung hin und her schwingt zwischen
dem Radius der Kante 43, der Elektrode 40 und dem Radius 46 gegenüber der Ecke 43 der Elektrode 39.
Zur Verallgemeinerung der Erfordernisse einer Stimulation entlang einer eindeutigen Geraden der
hierfür in Frage kommenden Geradenschar wird die Summe der Produkte aus Strom und Elektrodenlänge
einem Schwellenwert gleichgemacht, und die Elektroden werden nach Maßgabe einer bestimmten
Wellenfunktion ausgestaltet. In Spezialfällen können entweder die Summe der Ströme oder die Summen
der Kantenlängen konstant gehalten werden. Die Elektrodengestalt und die Zeitabhängigkeit der hier
beschriebenen Ströme wurden so ausgewählt, daß eine hin- und hergehende Abtastbewegung hervorgerufen
wird, auf Grund derer entweder die Lage oder der Winkel des Strahles eine lineare Funktion
der Zeit ist. Die Zeitfunktion von F i g. 4 oder die Elektrodenformen können gestreckt werden (so lange,
wie die Stromamplituden in der geeigneten Weise verknüpft sind), oder die Ströme können unstetig
gemacht werden, um abweichende Abtastkonfigurationen zu erhalten. Es ist infolgedessen für den Fachmann
eine Reihe von verallgemeinerten Konfigurationen der Anordnung möglich, ohne daß über den
allgemeinen Erfindungsgedanken der vorliegenden Erfindung hinausgegangen würde.
Claims (6)
1. Optischer Sender mit einer Halbleiterdiode als stimulierbarem Medium, das in Richtung der
Übergangsfläche und senkrecht zu seinen spiegelnden Stirnflächen ausstrahlt und dessen gemeinsamer
Basiselektrode mindestens zwei in Strahlrichtung hintereinanderliegende getrennte Deckelektroden
zugeordnet sind, dadurch gekennzeichnet, daß eine Parallelverschiebung
oder Richtungsänderung eines kohärenten Strahles dadurch erzielbar ist, daß die Deckelektroden (13,
14 oder 39, 40) in ihrer Längsausdehnung in Richtung der zu steuernden Strahlung paarweise
komplementär sind, wobei die an die Deckelektroden angelegte Spannung phasenverschoben zueinander
sein muß, damit der Schwellenwert der Anregung für die kohärente Ausstrahlung jeweils
nur in einer ausgezeichneten Richtung überschritten wird.
2. Optischer Sender nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch einen prismatischen Halbleiterkörper
mit teilverspiegelten Stirnflächen sowie einem entlang der Mittellinie (20) verlaufenden
PN-Übergang.
3. Optischer Sender nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch einen zylindrischen Halbleiterkörper
mit teilverspiegeltem Zylindermantel.
4. Optischer Sender nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Funktionsverlauf der Deckelektroden dem Verlauf der
Sinus- bzw. der Kosinusfunktion im ersten Quadranten entspricht.
5. Optischer Sender nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß an die Deckelektroden
Ströme angelegt werden, deren Verlauf einem durch Vollweggleichrichtung modifizierten sinusförmigen
Strom bzw. einem Stromverlauf entsprechen, der hieraus durch Phasenverschiebung um 9QQ hervorgeht.
6. Optischer Sender nach den Ansprüchen 1
bis 5, gekennzeichnet durch die Benutzung als optische Abtastvorrichtung.
In Betracht gezogene Druckschriften: Französische Patentschrift Nr. 1389 534.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
809 630/650 10.68 © Bundesdruckerei Berlin
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US435476A US3402366A (en) | 1965-02-26 | 1965-02-26 | Beam scanning in injection lasers |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1282211B true DE1282211B (de) | 1968-11-07 |
Family
ID=23728572
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DEJ30003A Withdrawn DE1282211B (de) | 1965-02-26 | 1966-02-05 | Optischer Sender mit einer Halbleiterdiode als stimulierbarem Medium |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3402366A (de) |
| CH (1) | CH455077A (de) |
| DE (1) | DE1282211B (de) |
| FR (1) | FR1462818A (de) |
| GB (1) | GB1097023A (de) |
| NL (1) | NL143753B (de) |
| SE (1) | SE335893B (de) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2734257A1 (de) * | 1976-08-02 | 1978-02-09 | Philips Nv | Optische ausleseeinheit zum abtasten eines mit einer strahlungsreflektierenden informationsstruktur versehenen aufzeichnungstraegers |
| DE2951000A1 (de) * | 1978-12-28 | 1980-07-17 | Fizitscheskij Inst Akademii Na | Verfahren und herstellung eines flachoder kugellasers und vorrichtung fuer den flach- oder kugellaser |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3508111A (en) * | 1966-09-21 | 1970-04-21 | Ibm | Light emitting semiconductor device with light emission from selected portion(s) of p-n junction |
| US3534290A (en) * | 1967-02-01 | 1970-10-13 | Gen Electric | Semiconductor laser beacon for rotating an output beam |
| US3517337A (en) * | 1967-10-26 | 1970-06-23 | Ibm | Modulation of scanning beams in injection lasers |
| US3543084A (en) * | 1968-01-22 | 1970-11-24 | Ppg Industries Inc | Plasma arc gas heater |
| DE1789061A1 (de) * | 1968-09-30 | 1971-12-23 | Siemens Ag | Laserdiode |
| US3605037A (en) * | 1969-05-02 | 1971-09-14 | Bell Telephone Labor Inc | Curved junction laser devices |
| US3701044A (en) * | 1970-06-29 | 1972-10-24 | Bell Telephone Labor Inc | Optical coupling of adjacent stripe contact geometry semiconductor lasers |
| NL7801181A (nl) * | 1978-02-02 | 1979-08-06 | Philips Nv | Injectielaser. |
| US4255717A (en) * | 1978-10-30 | 1981-03-10 | Xerox Corporation | Monolithic multi-emitting laser device |
| JPS63199480A (ja) * | 1987-02-16 | 1988-08-17 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ走査装置 |
| DE3719868A1 (de) * | 1987-06-13 | 1988-12-22 | Messerschmitt Boelkow Blohm | Laserdiode |
| US4878222A (en) * | 1988-08-05 | 1989-10-31 | Eastman Kodak Company | Diode laser with improved means for electrically modulating the emitted light beam intensity including turn-on and turn-off and electrically controlling the position of the emitted laser beam spot |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR1389534A (fr) * | 1962-12-31 | 1965-02-19 | Ibm | Dispositifs logiques |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3344365A (en) * | 1963-06-03 | 1967-09-26 | Rca Corp | Laser system employing means with no moving parts for producing an angularly rotatable beam of coherent light |
| US3363195A (en) * | 1963-07-01 | 1968-01-09 | Bell Telephone Labor Inc | Junction diode maser |
-
1965
- 1965-02-26 US US435476A patent/US3402366A/en not_active Expired - Lifetime
-
1966
- 1966-01-04 GB GB252/66A patent/GB1097023A/en not_active Expired
- 1966-01-05 FR FR44845A patent/FR1462818A/fr not_active Expired
- 1966-02-05 DE DEJ30003A patent/DE1282211B/de not_active Withdrawn
- 1966-02-10 NL NL666601666A patent/NL143753B/xx unknown
- 1966-02-22 CH CH255566A patent/CH455077A/de unknown
- 1966-02-25 SE SE02456/66A patent/SE335893B/xx unknown
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR1389534A (fr) * | 1962-12-31 | 1965-02-19 | Ibm | Dispositifs logiques |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2734257A1 (de) * | 1976-08-02 | 1978-02-09 | Philips Nv | Optische ausleseeinheit zum abtasten eines mit einer strahlungsreflektierenden informationsstruktur versehenen aufzeichnungstraegers |
| DE2951000A1 (de) * | 1978-12-28 | 1980-07-17 | Fizitscheskij Inst Akademii Na | Verfahren und herstellung eines flachoder kugellasers und vorrichtung fuer den flach- oder kugellaser |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR1462818A (fr) | 1966-12-16 |
| CH455077A (de) | 1968-04-30 |
| US3402366A (en) | 1968-09-17 |
| NL6601666A (de) | 1966-08-29 |
| GB1097023A (en) | 1967-12-29 |
| SE335893B (de) | 1971-06-14 |
| NL143753B (nl) | 1974-10-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE1282211B (de) | Optischer Sender mit einer Halbleiterdiode als stimulierbarem Medium | |
| DE69020703T2 (de) | Optoelektronische Vorrichtungen. | |
| DE2165006C3 (de) | Halbleiterlaser | |
| DE2922334C2 (de) | ||
| DE2856507C2 (de) | ||
| DE1951857A1 (de) | Elektrolumineszenzdiode | |
| DE1489344C3 (de) | Verfahren zum Betrieb eines Diodenlasers | |
| DE2937260A1 (de) | Optischer transistor | |
| DE1950937C3 (de) | Halbleiterbauelement zur Erzeugung von in der Frequenz steuerbaren Mikrowellen | |
| DE1175792B (de) | Modulationsvorrichtung fuer einen optischen Sender oder Verstaerker mit einem selektiv fluoreszenten Medium | |
| DE2260992A1 (de) | Lumineszenzdiode mit mehrfachen verschiedenartigen uebergangszonen | |
| DE69204525T2 (de) | Wellenmodulator und optischer Detektor mit Quantenpotentialtöpfen. | |
| EP0506675A1 (de) | Verfahren zur bestimmung der lage eines pn-übergangs. | |
| DE3531814C2 (de) | ||
| DE2643053A1 (de) | Vorrichtung zum zweidimensionalen lesen von optischen bildern | |
| DE2356674C2 (de) | Halbleiterbauelement mit einem scheibenförmigen Halbleiterkörper | |
| DE3780808T2 (de) | Halbleiterlaser mit umgekehrtem kanal und ebenem substrat. | |
| DE2063242A1 (de) | Mikrowellen Bauelement | |
| DE2613581A1 (de) | Uebertragungsleitung fuer elektromagnetische wellen | |
| DE1591083A1 (de) | Elektrisches Abtastsystem mit Festkoerperelementen | |
| DE69202756T2 (de) | Stromzuführungssystem für eine integrierte Halbleiterlaser-Schaltung. | |
| DE1489809B2 (de) | Symmetrisch arbeitende Spannungsbegrenzungsvorrichtung mit einem Halbleiterkörper | |
| DE69111948T2 (de) | Mehrschichtiger elektrooptischer Lichtmodulator. | |
| DE2112001B2 (de) | Schaltung zum betrieb eines halbleiterbauelements zur steuerung der ladungstraegerreflexion und dafuer geeignete halbleiterbauelemente | |
| DE2340690B2 (de) | Kaltkathoden-anordnung fuer elektronenstrahlerzeugungssysteme |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 | ||
| EHJ | Ceased/non-payment of the annual fee |