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DE1280892B - Waermeisoliertes Gefaess - Google Patents

Waermeisoliertes Gefaess

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Publication number
DE1280892B
DE1280892B DES86027A DES0086027A DE1280892B DE 1280892 B DE1280892 B DE 1280892B DE S86027 A DES86027 A DE S86027A DE S0086027 A DES0086027 A DE S0086027A DE 1280892 B DE1280892 B DE 1280892B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor
vessel according
consumer
vessel
pairs
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DES86027A
Other languages
English (en)
Inventor
Dipl-Ing Cord Albrecht
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Corp filed Critical Siemens Corp
Priority to DES86027A priority Critical patent/DE1280892B/de
Publication of DE1280892B publication Critical patent/DE1280892B/de
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F25REFRIGERATION OR COOLING; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS; MANUFACTURE OR STORAGE OF ICE; LIQUEFACTION SOLIDIFICATION OF GASES
    • F25BREFRIGERATION MACHINES, PLANTS OR SYSTEMS; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS
    • F25B21/00Machines, plants or systems, using electric or magnetic effects
    • F25B21/02Machines, plants or systems, using electric or magnetic effects using Peltier effect; using Nernst-Ettinghausen effect
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F25REFRIGERATION OR COOLING; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS; MANUFACTURE OR STORAGE OF ICE; LIQUEFACTION SOLIDIFICATION OF GASES
    • F25BREFRIGERATION MACHINES, PLANTS OR SYSTEMS; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS
    • F25B2321/00Details of machines, plants or systems, using electric or magnetic effects
    • F25B2321/02Details of machines, plants or systems, using electric or magnetic effects using Peltier effects; using Nernst-Ettinghausen effects
    • F25B2321/021Control thereof
    • F25B2321/0212Control thereof of electric power, current or voltage

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Containers, Films, And Cooling For Superconductive Devices (AREA)

Description

  • Wärmeisoliertes Gefäß Die Erfindung betrifft ein Gefäß mit mindestens zwei jeweils durch eine Wärmeisolation voneinander getrennten Wandungen, zwischen denen als Wandabstützungen ein oder mehrere thermoelektrische stromdurchflossene Halbleiterkörperpaare des p- und des n-leitenden Typs verwendet sind.
  • Es sind bereits Gefäße dieser Art bekannt. Sie bestehen aus mehreren konzentrischen Zylinderwandungen, zwischen denen zickzackförmig Peltierelemente angeordnet sind, die aus einer äußeren Stromquelle gespeist werden. Die Peltierelemente wirken als Wärmepumpen und bewirken eine Abkühlung des Gefäßinnenraumes.
  • Ferner ist ein elektrothermischer Kühlschrank bekanntgeworden, der zwischen zwei konzentrischen berippten Kühlplatten Peltierelemente enthält, durch die je nach Stromrichtung eine Heizung oder Kühlung des Innenraumes erreicht werden kann.
  • Bei einer bekanntgewordenen Kühlvorrichtung für eine innerhalb eines Gehäuses untergebrachte temperaturempfindliche Kristallanordnung erfolgt die Abführung der in der Kristallanordnung entstehenden Verlustwärme durch Peltierelemente, die in den Stromkreis der Kristallanordnung geschaltet sind. Der kalte Bereich der Peltierelemente steht hierbei mit der, zu kühlenden Kristallanordnung und der warme Bereich mit dem die Wärme abführenden Gehäuse in thermischem Kontakt.
  • Schließlich ist bereits vorgeschlagen worden, die Stromzuleitungen und -ableitungen der kalten Stufen einer elektrothermischen Kaskade unter Zwischenschalten von elektrothermischem Material nach außen zu führen.
  • Die Erfindung zielt darauf ab, bei einem Gefäß der einleitend genannten Art die thermoelektrischen Halbleiterkörper nicht nur als Stützelemente, sondern auch als den Wärmestrom nach außen unterbindende Stromdurchführung für einen innerhalb des Gefäßes befindlichen Verbraucher zu verwenden. Dies geschieht erfindungsgemäß dadurch, daß die dem Gehäuseinneren zugekehrten Enden von wenigstens zwei Halbleiterkörpern verschiedenen Leitfähigkeitstyps durch einen von außen betätigbaren Schalter wahlweise kurzgeschlossen werden können oder an einen in dem Gehäuse befindlichen elektrischen Verbraucher, vorzugsweise an einen supraleitenden Verbraucher, schaltbar sind und daß der Schalter weder ein die Wärmeisolation durchdringendes mechanisches Betätigungsglied noch nicht über wenigstens ein Halbleiterkörperpaar durch die Wärmeisolation geführte elektrische Betätigungsleitungen enthält.
  • Hierdurch wird eine gesonderte Stromdurchführung durch die Gehäusewandungen vermieden, die insbesondere bei supraleitenden Verbrauchern, wie supraleitenden Erregerspulen, nach dem Abkühlen eine unerwünschte Wärmebrücke darstellt. Die Halbleiterkörper verhindern auch in der Zeit, in der der Verbraucher angeschaltet ist, in der sie also als Stromdurchführungen wirken, auf Grund des Peltiereffektes einen unerwünschten Wärmestrom, wie er bei normalen Stromdurchführungen vorhanden wäre. Durch die erfindungsgemäße Maßnahme wird zudem ermöglicht, den sogenannten -Seebeckeffekt auszunutzen; d. h. die thermoelektrischen Halbleiterkörper zur Erzeugung einer elektrischen Spannung zu verwenden, wenn innerhalb des Gehäuses zusätzlich eine Fremdkühlquelle und außerhalb desselben ein weiterer Schalter vorgesehen wird, der wahlweise kurzgeschlossen werden kann oder an eine Spannungsquelle schaltbar ist.
  • Es ist ferner vorteilhaft, die einzelnen Halbleiterkörper nicht aus einem einzigen Halbleitermaterial zu fertigen, sondern sie in mehrere verschiedene Halbleiterschichten des gleichen Leitfähigkeitstyps zu unterteilen. Da die Temperatur bei gekühltem innerem Gefäß von der Außenwand bis zur Innenwand abfällt, ist es möglich, die einzelnen Halbleiterschichten so anzuordnen, daß jede Schicht jeweils in ihrem günstigsten Teniperaturbeieich arbeitet. So wird man an der warmen Wandurig, die sich normalerweise auf Zimmertemperatur befindet, eine Wismut-Tellur-Selen-Verbindung, vorzugsweise der Form Bi2Te2,4Seo,g vorsehen und an der kalten Wandung eine aus einer Wismut-Antimon-Verbindung. Die einzelnen Halbleiterkörper können paarweise hintereinandergeschaltet werden, wobei dann jeweils eine Kupferbrücke die Verbindung zwischen zwei Schenkeln entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps bilden können. Die Erfindung wird durch Ausführungsbeispiele an Hand von vier Figuren näher erläutert.
  • In F i g. 1 sind mit 1 und 2 Teile von Wandungen eines Gefäßes 20 bezeichnet, wobei sich die äußere Wandung l auf einem höheren Temperaturniveau befinden soll als die innere Wandung 2 und beide Wandungen durch eine wärmeisolierende Schicht 3 voneinander getrennt sind. Das Temperaturgefälle zwischen beiden Wandungen kann durch eine an sich bekannte Kühleinrichtung, z. B. durch eine Heliumverflüssigungsanlage aufrechterhalten werden. Hierzu sind am Gefäß 20 Öffnungen 32 für die Zufuhr bzw. Abfuhr des flüssigen Heliums vorgesehen. Zwischen den beiden Wandungen ist als Abstützung ein Halbleiterkörperpaar angebracht, das aus dem n-leitenden Schenkel 4 und dem p-leitenden Schenkel s besteht. Die Halbleiterkörper besitzen Kontaktplatten 7, die von den Wandungen 1 und 2 elektrisch durch eine Isolierschicht 8 getrennt sind. Diese Iolierschicht soll jedoch möglichst gut wärmeleitend sein. Vorteilhaft sind dünne, mit Äthylenglykol bestrichene Glimmerschichten. Durch einen von außen betätigbaren Umschalter 17 lassen sich die dem Gehäuseinneren zugekehrten Enden der Halbleiterkörper wahlweise an einen vorzugsweise supraleitenden Verbraucher 16 schalten oder kurzschließen. Ein außerhalb des Gefäßes befindlicher Umschalter 18 erlaubt es, die dem Gehäuseäußeren zugekehrten Enden -der Halbleiterkörper wahlweise kurzzuschließen oder an eine Spannungsquelle U mit den Klemmen 9 und 10 zu schalten.: Die =notwendigen Stromdurchführungen 11 sind mit Isoliermaterial ausgekleidet. und abgedichtet. Für den Schalter 17 ist wesentlich, daß zu seiner Betätigung mechanische und- elektrische .Mittel vermieden werden, die von außen . durch- die Wandung mit ihm körperlich verbunden werden müßten, son= denn. daß .er z. B. auf magnetischen Wege fernbetätigt wird. Hierdurch verhindert man, daß über .das Be= tätigungsörgan Wärme eindringen- kann.
  • Wie. schon erwähnt, können die Schenkel 4 und 5 in zwei oder mehr Schichten verschiedenen Halbleitermaterials. unterteilt werden. Soll sich bei der Anordnung- nach F i g. 1 die innere Wandung 2 auf einer- extrem niedrigen Temperatur befinden, beispielsweise auf der fler-flüssigen Luft (76° K) oder auf der des flüssigen Heliums (4,2° K), so kann an der der Wandung 2 zugekehrten Seite des Schenkels 4 eine Halbleiterschicht 12 aus einer Wismut-Antimon-Verbindung . vorgesehen werden. Herrscht an der äußeren Gefäßwandung 1 Zimmertemperatur, - so kann dort an den entsprechenden Schenkelseiten eine Halbleiterschicht 13 aus einer Wismut-Tellur-Selen-Verbindung angebracht sein. Zwischen diesen beiden bekannten Halbleiterschichten können sich noch weitere nicht dargestellte Schichten befinden, die jeweils an den dort auftretenden Temperaturbereich angepaßt sind. Auf diese Weise kann die Kühlleistung der thermoelektrischen Stützelemente erheblich verbessert werden.
  • Auf Grund der Schalter 17 und 18 besteht die Möglichkeit, den Halbleiterkörpern wahlweise mehrere Funktionen zuzuordnen. Neben der Stütz- und Kühlfunktion können sie noch die Aufgabe einer Stromdurchführung bzw. einer thermoelektrischen Spannungsquelle zur Speisung eines elektrischen Verbrauchers übernehmen. In der gezeichneten unbetätigten Stellung der Schalter 17 und 18 wird von der an den Klemmen 9 und 10 angeschlossenen Spannung U ein Strom in den Verbraucher 16 eingespeist. Durch Betätigen des Schalters 17 wird der Verbraucher einseitig von seiner Speisequelle abgetrennt, und es werden die kalten Enden der Halbleiterkörper kurzgeschlossen. Eine Betätigung des Umschalters 18 bei unbetätigtem Schalter 17 bewirkt einen Stromfluß in umgekehrter Richtung, da die Halbleiterkörper jetzt als Thermogenerator wirken.
  • In F i g: 2 ist als Verbraucher ein supraleitender Verbraucher 21 angenommen, in den zunächst ein Strom eingespeist werden soll, der nach erfolgter Einspeisung als Kreisstrom weiterfließen soll. Im Inneren des Gefäßes 20 befindet sich z. B. ein supraleitfähiger Stromkreis, bestehend aus den supraleitfähigen Verbindungen 19, welche zu den Enden einer supraleitenden Spule 21 führen, die ihrerseits miteinander über die supraleitfähigen Zuleitungen 22 sowie den Schalter 23 verbunden sind. Für den Schalter 23 gilt ebenso wie für den Schalter 17 der F i g. 1, daß zu seiner Betätigung mechanische oder elektrische Mittel vermieden sind. Eine Möglichkeit zur Rearsierung eines derartigen Schalters besteht darin, Supraleiter zu verwenden, die durch Temperatur-oder Magnetfeldänderungen zeitweise normalleitend gemacht werden können und so im Vergleich zu den übrigen supraleitenden Stromkreisabschnitten einen unendlich großen Widerstand darstellen. Betrachtet man die Schalter 23 bis 27 in der gezeichneten unbetätigten Stellung so ergibt sich zunächst eine mit der Anordnung nach F i g. 1 verglbiohbare Wirkungsweise der Halbleiterkörper. Es ist dabei der n-Schenkel-29 und der p-Schenkel 28 zur Kühlung wirksam;- der Verbraucher 16 ist durch den erwähnten supraleitfähigen Stromkreis ersetzt. Der Spule 21 wird bei anliegender äußerer Spannung U,ein Strom ü bzw. i2 zugeführt. Erreicht dieser den für die Erregung eines Magnetfeldes innerhalb der- Spule 21 gewünschten Wert, so wird der Schalter 23 geschlossen, und der vor diesem Öffnen in der Spule 21 fließende Strom bleibt als Kreis- oder Kurzschlußstrom i3 in den Eleinenten 21, 22 und 23 in gleicher Höhe aufrecht= erhalteg:=Näeli--dein -Schließen -des Schalters 23 fließt der von der Spannung U eingespeiste Strom il bzw. 1, vornehmlich in dem aus den Elementen 22 und 23 gebildeten Stromkreisabschnitt, da sich bei Parallelschaltung zweier Supraleiter die Ströme in ihnen umgekehrt verhalten wie ihre Induktivitäten und die Spule 21 eine weitaus größere Induktivität aufweist als die Leiterstücke 22 samt dem Schalter 23.
  • An Stelle einer Stromeinspeisung durch die.Spannung U kann diese auch in der Weise bewerkstelligt werden, daß die Halbleiterkörper zeitweilig als Thermogeneratoren betrieben werden. Zu diesem Zweck können bei der Anordnung nach F i g. 2 die Schalter 23 und 27 betätigt werden. Durch das von einer unabhängigen Kühleinrichtung aufrechterhaltene Wärmegefälle zwischen äußerer Wandung 1 und innerer Wandung 2 wird in den zwischen den Schenkeln 29 und 28 befindlichen vier Halbleiterkörperpaaren eine Thermospannung erzeugt, welche einen entsprechenden Strom 12 bewirkt. Durch wahlweises Betätigen der Schalter 25 bzw. 26, durch welches die Anzahl der auf der warmen Seite hintereinandergeschalteten Halbleiterkörper geändert wird, kann die Größe der Thermospannung und damit die Geschwindigkeit des Feldaufbaues in der Spule 21 beeinflußt werden. Nach erfolgtem Feldaufbau wird der Schalter 23 geschlossen, und es werden die übrigen Schalter in die gezeichnete Stellung gebracht, wonach ein Strom i3, in dem durch die Elemente 21, 22 und 23 gebildeten Kreis durch die Supraleitfähigkeit derselben aufrechterhalten bleibt. Diesem wird in dem durch die Elemente 22 und 23 gebildeten Stromkreisabschnitt der nun von der Spannung U eingespeiste Strom i2 überlagert, welcher in den Schenkeln 28 und 29 eine Wärmeabfuhr nach außen bewirkt. An Stelle des supraleitenden Verbrauchers kann natürlich genausogut ein normalleitender elektrischer Verbraucher angeschlossen werden, wobei nach Schließen des Schalters 23 der Kurzschlußstrom i3 entsprechend der durch den ohmschen Widerstand des Verbrauchers bedingten Zeitkonstanten abklingt.
  • F i g. 3 zeigt den Einsatz von zwei aufeinander abgestimmten Kryotronen, welche durch Änderungen des eingespeisten Stromes i2 betätigt werden. Ein Vergleich mit der Anordnung nach F i g. 2 zeigt, daß der Schalter 23 durch das Kryotron 30 ersetzt ist, während im Zuge einer Zuleitung 19 das zweite Kryotron 31 angeordnet ist. Ein Kryotron ist bekanntlich ein supraleitfähiges Leiterstück, welches durch eine ihn umschlingende, vorzugsweise ebenfalls supraleitende Schaltspule, bei deren Erregung in den normalleitenden Zustand gebracht wird. Ein Kryotron wirkt demnach - wie schon angedeutet -in Verbindung mit übrigen supraleitenden Stromkreisabschnitten wie ein Schalter. Bei der Anordnung nach F i g. 3, die im wesentlichen der Anordnung nach F i g. 2 entspricht, wird bei den eingezeichneten Schalterstellungen nach Anlegen der Spannung U an den Klemmen 9 und 10 ein Strom i2 in der Leitung 19 fließen. Es ist analog wie bei F i g. 2 möglich, den Strom i2 durch Betätigen der Schalter 25 und 26 zu variieren. Die Erregung einer Kryotronspule 30 ist so bemessen, daß dabei der durch sie hindurchgeführte Supraleiter normalleitend wird, worauf ein Stromfluß in der Spule 21 erzwungen wird, da diese stets supraleitend bleibt. Hat der Erregung der Spule 21 ihren gewünschten Wert erreicht, so werden die Schalter 24 und 27 geöffnet, so daß die supraleitfähige Anordnung von ihrer Energiequelle getrennt ist und der Strom 1, zu fließen aufhört. Die Erregung der Schaltspule 30 verschwindet, das Kryotron wird wieder supraleitend, und der vor dem Öffnen der Schalter 24 und 27 vorhandene Spulenstrom beginnt als Kreisstrom 1" in einem vollständig supraleitenden Stromkreis zu fließen. Dies hat zur Folge, daß das Kryotron 31 normalleitend gemacht und so die Zuleitung 19 praktisch vorn Schenkel 28 abgetrennt wird. Der Schalter 24 kann jetzt geschlossen und durch Schließen des Schalters 27 sowie wahlweises Betätigen der Schalter 25 und 26 einige oder sämtliche der zwischen den Schenkeln 28 und 29 befindlichen Halbleiterkörperpaare hintereinandergeschaltet werden, um einen möglichst großen Kühleffekt zu erhalten. Die vom Kreisstrom 1 3 durchflossene Spule des Kryotrons 31 bewirkt einen derartig großen Widerstand desselben, daß praktisch keine Stromeinspeisung von außen auftreten kann.
  • Es ist bei der Anordnung der F i g. 3 oder einer ihr ähnlichen auch möglich, die Kryotronspulen nicht mit dem Kreisstrom i3 bzw. dem Speisestrom i2, sondern mit gesonderten Stromquellen zu erregen, die im Rahmen der Erfindung ebenfalls aus mindestens zwei als Durchführungs-, Stütz- und Kühlelemente dienenden Halbleiterkörpern bestehen können. Gefäße für die Tiefsttemperaturtechnik werden vorzugsweise mit mehr als zwei Wandungen ausgebildet. Die Zwischenwandungen werden dann zweckmäßigerweise auf eine Zwischentemperatur, beispielsweise durch Kühlung mit flüssigem Äthylen (170° K) oder flüssigem Stickstoff (77° K) gebracht. Zwischen den Wandungen werden dann an den jeweiligen Temperaturbereich angepaßte Halbleiterkörper vorgesehen, die in der in F i g. 4 dargestellten Art geschaltet werden können.

Claims (7)

  1. Patentansprüche: 1. Gefäß mit mindestens zwei jeweils durch eine Wärmeisolation voneinander getrennten Wandungen, zwischen denen als Wandabstützungen ein oder mehrere thermoelektrische, stromdurchflossene Halbleiterkörperpaare des p- und des n-leitenden Typs verwendet sind, d a d u r c h gekennzeichnet, daß die dem Gehäuseinneren zugekehrten Enden von wenigstens zwei Halbleiterkörpern verschiedenen Leitfähigkeitstyps durch einen von außen betätigbaren Schalter wahlweise kurzgeschlossen werden können oder an einen in dem Gehäuse befindlichen elektrischen Verbraucher, vorzugsweise an einen supraleitenden Verbraucher, schaltbar sind und daß der Schalter weder ein die Wärmeisolation durchdringendes mechanisches Betätigungsglied noch nicht über wenigstens ein Halbleiterkörperpaar durch die Wärmeisolation geführte elektrische Betätigungsleitungen enthält.
  2. 2. Gefäß nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die dem Gehäuseäußeren zugekehrten Enden von wenigstens zwei Halbleiterkörpern verschiedenen Leitfähigkeitstyps durch einen weiteren Schalter wahlweise kurzgeschlossen werden können oder an eine Spannungsquelle schaltbar sind.
  3. 3. Gefäß nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß bei fehlender Stromeinspeisung von außen einige der der wärmeren Wandung (1) zugeordneten Enden (7) der Halbleiterkörper paarweise zeitweilig kurzgeschlossen sind und an zwei der kälteren Wandung zugeordneten Enden der Halbleiterkörper ein Stromkreis (16) angeschlossen ist, so daß die Halbleiterkörperpaare als Thermogenerator arbeiten.
  4. 4. Gefäß nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere Halbleiterpaare elektrisch hinteinandergeschaltet sind.
  5. 5. Gefäß nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen den Enden der Halbleiterkörper und den Wandungen eine mit Äthylenglykol bestrichene dünne Glimmerschicht (8) angebracht ist.
  6. 6. Gefäß nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterpaare aus den Verbindungen der AIIIBv-Gruppe bestehen.
  7. 7. Gefäß nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Schenkel der einzelnen Halbleiterkörper aus verschiedenen thermoelektrischen Halbleitermaterialien jeweils gleichen Leitfähigkeitstyps geschichtet sind. B. Gefäß mit einer oder mehreren Zwischenwandungen nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die zwischen den verschiedenen Wandungen befindlichen Halbleiterkörper jeweils bezüglich "ihres Halbleitermaterials dem dort herrschenden Temperaturniveau im Sinne einer optimalen Kühlleistung angepaßt sind. 9. Gefäß nach Anspruch 7 oder 8 für Tiefsttemperaturen, dadurch gekennzeichnet, daß die der kälteren Wandung zugkehrten Schenkelenden aus Schichten einer Wismut-Antimon-Verbindung bestehen. 10. Gefäß nach einem der Anspräche 7 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die der wärmeren Wandung zugekehrten Schenkelenden aus Schichten einer Wismut-Tellur-Selen-Verbindung, vorzugsweise der Form Bi 2Te2,4Seo.s bestehen. 11. Gefäß nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß `Schalter aus Supraleitern (30, 31) verwendet sind, die durch Temperatur- oder Magnetfeldänderung zeitweise normalleitend gemacht werden. 12. Gefäß nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die kalten Enden von Halbleiterkörpern verschiedener Leitfähigkeit mit einem supraieitenden Stromverbraucher (21): über ein erstes Kryotron (31) verbunden sind, - das den Verbraucher wenigstens einseitig abtrennt, sobald der Verbraucher (21) über ein zweites Kryotron (30) kurzgeschlossen wird. 13. Gefäß nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens zwei Halbleiterkörperpaare vorhanden sind; die auf ihrer der wärmeren Wandung zugekehrten Seite durch eine lösbare Verbindung (25, 26, 27) in Reihe geschaltet sind. 14. Gefäß nach Anspruch 12 oder 13, dadurch gekennzeichnet, daß das zweite Kryotron (30) vom Verbraucherspeisestrom (12) und das erste Kryotron (31) vom Verbraucherkurzschlußstrom (13) geöffnet wird. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Auslegeschrift Nr. 1080 690; USA.-Patentschriften Nr. 2 734 344, 2 996 889. In Betracht gezogene ältere Patente: Deutsches Patent Nr. 1176161.
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