DE1277444B

DE1277444B - Arrangement for measuring the operating point-related small signal slope of transistors contained in circuits

Info

Publication number: DE1277444B
Application number: DEP29171A
Authority: DE
Inventors: Helmut Kaden; Wilhelm Schultz
Original assignee: Philips Patentverwaltung GmbH
Current assignee: Philips Intellectual Property and Standards GmbH
Priority date: 1962-04-12
Filing date: 1962-04-12
Publication date: 1968-09-12

Description

Anordnung zur Messung der arbeitspunktbezogenen Kleinsignal-Steilheit von in Schaltungen enthaltenen Transistoren Die Erfindung betrifft eine Anordnung zur Messung der arbeitspunktbezogenen Kleinsignal-Steilheit von in Schaltungen enthaltenen Transistoren im Betriebszustand oder von Transistoren an sich, wobei als charakteristische Größe der Verstärkereigenschaft des Transistors die Steilheit als Verhältnis von Ausgangskurzschlußwechselstrom zur Eingangswechselspannung ermittelt wird, die sich als niederohmig ausgekoppelter gleichgerichteter Stromwert des Prüflings bei niederohmiger Wechselspannungsansteuerung ergibt.Arrangement for measuring the small-signal slope related to the operating point of transistors contained in circuits The invention relates to an arrangement for measuring the operating point-related small signal slope of contained in circuits Transistors in the operating state or from transistors per se, being as characteristic Size of the amplifier characteristic of the transistor is the slope as a ratio of Output short-circuit alternating current is determined to the input alternating voltage, which is as a low-resistance, rectified current value of the test object with a low-resistance one AC voltage control results.

Bei der Prüfung von Transistoren hat sich bisher neben der Ermittlung der Restströme das Prüfen der Stromverstärkung (Großsignalverstärkung) OsPE eingebürgert. Beim letzteren wird der Emitter-Basis-Strecke ein vom Prüflingseingang unabhängiger Strom eingespeist und dann der Kollektorstrom gemessen. When testing transistors has so far been in addition to the determination of the residual currents the checking of the current amplification (large-signal amplification) OsPE is naturalized. In the case of the latter, the emitter-base path becomes more independent of the DUT input Current fed in and then the collector current measured.

- Hält man den Basisstrom konstant, so kann man das Anzeigeinstrument direkt in α einchen. Dieses Verfahren ist aber, wie Reihenversuche gezeigt haben, für die Praxis nicht aufschlußreich genug. Es führt in vielen Fällen zur Fehldiagnose und zum unnötigen Transistorersatz, da es die automatische Arbeitspunkteinstellung in der Schaltung, in der der Prüfling tatsächlich arbeitet, nicht berücksichtigt. Es konnte z. B. nachgewiesen werden, daß Transistoren, die beim Transistortestgerät ein a = 0 anzeigten, in einer Gebrauchs schaltung in mehreren Stufen noch zufriedenstellend arbeiteten.- If the base current is kept constant, the display instrument can be used Include directly in α. This method is, however, as shown in series experiments have not been instructive enough for practice. In many cases it leads to Misdiagnosis and unnecessary replacement of transistors, as it is the automatic operating point setting not taken into account in the circuit in which the DUT actually works. It could e.g. B. can be demonstrated that transistors that are used in the transistor tester an a = 0 indicated, in a utility circuit in several stages still satisfactory worked.

Es ist bereits ein Verfahren zur Überprüfung von Transistoren bekannt, bei dem eine Bestimmung der hParametern erfolgt (vergleiche z. B. die Zeitschrift >Radio und Fernsehen«, 1959, H. 17, S. 548 bis 552). Die dabei vorgenommene hochohmig Einspeisung entspricht jedoch nicht den Bedingungen, unter denen Transistoren normalerweise arbeiten, so daß dieses Verfahren zu keinen die Praxis befriedigenden Ergebnissen führt. A method for checking transistors is already known, in which the h parameters are determined (compare e.g. the journal > Radio und Fernsehen ", 1959, no. 17, pp. 548 to 552). The high-resistance one made in the process Infeed, however, does not correspond to the conditions under which transistors normally work, so that this method does not produce satisfactory results in practice leads.

Auch aus der deutschen Patentschrift 1 126 034 ist eine Prüfschaltung für Transistoren bekannt, die je doch ebenfalls keine echte Steilheitsmessung ermöglicht, da dabei kein Gleichstrom-Arbeitspunkt vorhanden ist. Vielmehr erfolgt die Prüfung durch Kurzschließen der Basis-Emitter-Strecke, wodurch der Transistor in B-Betrieb arbeitet. Eine direkte Eichung der Schaltung ist nicht möglich, sie liefert nur subjektiv zu wertende Vergleichsergebnisse. A test circuit is also from German patent specification 1 126 034 known for transistors, which however also do not allow a real slope measurement, since there is no direct current operating point. Rather, the test takes place by short-circuiting the base-emitter junction, putting the transistor in B mode is working. A direct calibration of the circuit is not possible, it only delivers subjectively to be evaluated comparison results.

Weiterhin ist eine Meßschaltung für Transistoren bekannt (vgl. die Zeitschrift »Funk-Technik«, 1957, H. 18, S. 630), bei der jedoch keine extreme Arbeitspunktstabifisierung durch einen festen Emitterwiderstand und einen einschaltbaren Basiswiderstand er- folgt. Die Schaltung ist als Brückenschaltung aufgebaut, ein Instrument dient der Anzeige des richtigen Brückenabgleichs, eine direkte Eichung ist jedoch ebenfalls nicht möglich. Furthermore, a measuring circuit for transistors is known (see. The Journal "Funk-Technik", 1957, no. 18, p. 630), but in which there is no extreme stabilization of the working point through a fixed emitter resistor and a switchable base resistor follows. The circuit is designed as a bridge circuit, an instrument is used for the display correct bridge balancing, but direct calibration is also not possible possible.

Die Vorteile der erfindungsgemäßen Anordnung liegen also gegenüber bekannten Anordnungen in einer echten Steilheitsmessung bei kleinen Signalspannungen, einer extremen Stabilisierung des Arbeitspunktes des Prüflings sowie der Möglichkeit einer objektiven Eichung. Auch können Transistoren sowohl im eine wie auch im ausgebauten Zustand geprüft werden. The advantages of the arrangement according to the invention are therefore opposite known arrangements in a real slope measurement with low signal voltages, an extreme stabilization of the working point of the test object as well as the possibility an objective calibration. Transistors can also be used in one as well as in the expanded Condition to be checked.

Die dafür vorgesehene Schaltung ist erfindungsgemäß dadurch gekennzeichnet, daß der Arbeitspunkt des zu prüfenden Transistors mittels Emitterwiderstand und extrem niederohmiger Zuführung der Basisgleichspannung festgehalten ist und durch Einschalten eines ohmschen, mittels einer Kapazität überbrückten Widerstandes in die Basisleitung an der Änderung des ausgekoppelten Stromes feststellbar ist, ob der zu prüfende Transistor eingangs-oder ausgangsseitig einen Fehler aufweist. The circuit provided for this is characterized according to the invention that the operating point of the transistor to be tested by means of the emitter resistor and extremely low-resistance supply of the basic DC voltage is held and by Switching on an ohmic resistor bridged by a capacitance in the base line can be determined from the change in the decoupled current, whether the transistor to be tested has an error on the input or output side.

Als kennzeichnende Größe der Verstärkereigenschaft von Transistoren wird nach dem neuen Verfahren die emitter- oder kollektor-strombezogene Steilheit #i2 h21 S = [mA/V] = #u1 k11 des Prüflings ermittelt, wobei i2 den Kollektorstrom oder Emitterstrom und u1 die Basis-Emitter-Spannung bezeichnen, während h2l und h11 die bekannten h-Parameter darstellen. As a characteristic variable of the amplifier properties of transistors According to the new method, the emitter or collector current-related slope is determined # i2 h21 S = [mA / V] = # u1 k11 of the test item determined, where i2 is the collector current or emitter current and u1 denote the base-emitter voltage, while h2l and h11 represent the known h-parameters.

Unter dem Begriff Steilheit eines aktiven Vierpoles wird grundsätzlich das Verhältnis von Ausgangskurzschlußwechselstrom zur Eingangswechselspannung verstanden. The term steepness of an active quadrupole is basically the ratio of output short circuit alternating current to the AC input voltage Understood.

Die Steilheitsmessung ermöglich es, dem Prüfling sowohl im eingebauten Zustand unter normalen Betriebsbedingungen zu testen, als auch eine Einzelprüfung im sogenannten ausgebauten Zustand vorzunehmen. The slope measurement enables the DUT to be tested both in the built-in To test the condition under normal operating conditions, as well as an individual test to be carried out in the so-called expanded state.

Durch Stabilisierung des Kollektorstromes mittels Emitterwiderstandes und niederohmiger Signaleinspeisung ist das Meßergebnis nahezu temperaturunabhängig. Auf Grund der sehr niederohmigen Ansteuerung am Prüflingseingang (Gleichstrominnenwiderstand des NF-Generators nahezu 0 und Wechselstromausgangswiderstand des Generators etwa 10mQ) kann der Arbeitspunkt des Prüflings maximal stabilisiert werden, und bei dem in der Schaltung befindlichen Prüfling kann trotz der schaltungsbedingten Nebenschlüsse die für die Eichung des Geräts notwendige Steuerspannung erzwungen werden. Da der Ausgangswechselstrom im Kurzschlußverfahren auszukoppeln ist, ist auch auf der Indikatorseite nichts Nachteilges gegen das Verbleiben des Prüflings in der Schaltung anzuführen. By stabilizing the collector current by means of an emitter resistor and low-resistance signal feed, the measurement result is almost independent of temperature. Due to the very low-resistance control at the DUT input (internal direct current resistance of the LF generator almost 0 and the alternating current output resistance of the generator about 10mQ) the working point of the test object can be stabilized to the maximum, and with the The device under test in the circuit can, despite the circuit-related shunts the control voltage necessary for the calibration of the device can be enforced. Since the Output alternating current is to be decoupled in the short-circuit process is also on the indicator side there is nothing to be said against the device under test remaining in the circuit.

Die neue Anordnung wird an Hand der Zeichnung näher beschrieben. Der von der Batterien, B' gespeiste Transistor 1 dient zur Erzeugung einer 800-Hz-Steuerspannung, der an der Ausgangswicklung des Transformators 3 eine Spannung von einigen Millivolt abgibt. Diese Spannung kann bei entsprechender Stellung der Kontaktanordnungen I, II, m an die Emitter-Basis-Strecke des Prüflings über die Leitungen B, E angelegt werden. Der Trennkondensator 4 verhindert eine Arbeitspunktverlagerung des in der Schaltung befindlichen Prüflings, und im ausgebauten Zustand wird an diesem Kondensator die für die automatische Arbeitspunktfestlegung erforderliche E-B-Spannung aufgebaut. Die Leitungen E, B, C können an den Prüfling in seiner Gebrauchsschaltung angelegt werden, sind aber gleichzeitig über gesonderte Klemmen am Prüfgerät zugänglich. Mit m ist eine Masseklemme bezeichnet, die zur Verbindung des Prüfgeräts mit dem Gerät dient, in dem der Transistor getestet werden soll. Der 800-Hz-Generator ist als RC-Generator mit viergliedriger Phasenkette 5 aufgebaut. Im Kollektorzweig befindet sich der Übertrager 3 zur Spannungsherabsetzung und zur Verkleinerung des Innenwiderstandes des Generators, um eine belastungsunabhängige Steuerspannung zu erhalten. Mit dem Kondensator 6 wird der Übertrager 3 eingangsseitig für 800Hz reell gemacht und eine zusätzliche Phasendrehung vermieden, damit die Frequenz eindeutig nur durch die Phasenkette 5 bestimmt wird. Mit den beiden einstellbaren Widerständen 7 und 8 können die Ausgangsspannung und die Frequenz eingestellt werden. Mit dem Widerstand 9 wird diese Stufe stabilisiert. The new arrangement is described in more detail with reference to the drawing. The transistor 1 fed by the batteries 'B' is used to generate an 800 Hz control voltage, the voltage of a few millivolts at the output winding of the transformer 3 gives away. This voltage can with the appropriate position of the contact arrangements I, II, m is applied to the emitter-base path of the test object via lines B, E. will. The separating capacitor 4 prevents a shift in the operating point of the Circuit under test, and in the dismantled state is on this capacitor the E-B voltage required for the automatic setting of the operating point is built up. The lines E, B, C can be applied to the device under test in its usage circuit but are also accessible via separate terminals on the test device. With m a ground terminal is referred to, which is used to connect the tester to the Device is used in which the transistor is to be tested. The 800 Hz generator is constructed as an RC generator with a four-link phase chain 5. Located in the collector branch the transformer 3 to reduce the voltage and to reduce the internal resistance of the generator in order to obtain a load-independent control voltage. With the Capacitor 6, the transformer 3 is made real on the input side for 800Hz and one additional phase shift avoided so that the frequency is clearly only through the Phase chain 5 is determined. With the two adjustable resistors 7 and 8 you can the output voltage and the frequency can be set. With the resistor 9 is stabilized this stage.

Mittels der Kontaktanordnungen I, II, III, die als Drucktasten-Aggregat zusammengefaßt sein können, werden die einzelnen Testpositionen eingestellt. Vor einer Messung wird die Anordnung geeicht, und zwar dadurch, daß die Kontaktanordnung I derart betätigt wird, daß der Kontakt 1 a getrennt und der Kontakt 1 b geschlossen wird. Die Kontaktema, mb, mc III c der Kontaktanordnung lil sind dabei geöffnet und die Kontakte II a und IIc geschlossen, während Kontakt II b geöffnet ist. By means of the contact arrangements I, II, III, which act as a pushbutton unit can be combined, the individual test positions are set. before a measurement, the arrangement is calibrated by the fact that the contact arrangement I is operated in such a way that the contact 1 a is separated and the contact 1 b is closed will. The Kontaktema, mb, mc III c of the contact arrangement lil are open and contacts II a and IIc closed, while contact II b is open.

Der Indikator 11 ist zweistufig ausgeführt mit den ebenfalls von der Batterie B, B' gespeisten Transistoren 12 und 13. Am Eingang des Verstärkers befinden sich mit dem Schalter 14 wählbar die Widerstände 15 bis 18. Sie dienen zur Meßbereichswahl, und die Bereiche können z. B. wie folgt festgelegt werden: W15 = 100 Q, 5 max = IOmA/V; Wo6 = 30 Q, S2max = 31,6mAN; W17 = 10 Q, 53 max = 100mAN; W18 = 3 Q, S4max = 316mais. The indicator 11 is designed in two stages with the also from the battery B, B 'fed transistors 12 and 13. At the input of the amplifier Resistors 15 to 18 are selectable with switch 14. They are used to select the measuring range, and the ranges can be, for. B. can be determined as follows: W15 = 100 Ω, 5 max = IOmA / V; Wo6 = 30 Q, S2max = 31.6 mAN; W17 = 10 Q, 53 max = 100 mAN; W18 = 3 Q, S4max = 316 corn.

Der Transistor 13 hat einen kleinen Ausgangsleitwert, d. h. hohen Innenwiderstand, und dessen Kollektorgleichstrom wird über einen verlustarmen Schwingkreis 19 für 800 Hz geleitet. Der Resonanzwiderstand dieses Schwingkreises kann etwa 60 kr betragen. Parallel zu diesem Schwingkreis liegt die Eingangsseite eines Brückengleichrichters 20 in Serie mit dem Widerstand 21. Der Zweig 20, 21 ist gegenüber dem Schwingkreisausgang des Transistors 13 sehr niederohmig. Durch diesen Zweig fließt also ein der Steuerspannung proportionaler Wechselstrom, der annähernd unabhängig von dem Wechselstromeingangswiderstand des Brückengleichrichters 20 ist. The transistor 13 has a small output conductance, i. H. high Internal resistance and its collector direct current is generated via a low-loss oscillating circuit 19 conducted for 800 Hz. The resonance resistance of this oscillating circuit can be around 60 kr. The input side of a bridge rectifier is parallel to this resonant circuit 20 in series with resistor 21. Branch 20, 21 is opposite the resonant circuit output of the transistor 13 has a very low resistance. The control voltage therefore flows through this branch proportional alternating current, which is approximately independent of the alternating current input resistance of the bridge rectifier 20 is.

Bekanntlich ist dieser Widerstand infolge der Kennlinienkrümmung der Dioden bei kleinen Spannungen sehr spannungsabhängig und führt zu einer gewissen Nullpunktunterdrückung der Wechselspannungsskalen. Diese Schaltungsmaßnahme führt zur fast vollständigen Linearisierung der Skala des Meßinstruments 23. Der Spannungsabfall am Widerstand 21 wird über den einstellbaren Widerstand 22, den Kondensator 24 und den Widerstand 25 dem Eingang des Transistors 13 als Gegenkopplungsspannung zugeführt. Man stellt in der Stellung »Eichen« mit dem Widerstand 22 das Instrument 23 auf Vollausschlag und erhält durch diese den Ausgangsstrom stabilisierende Gegenkopplung eine weitere Verbesserung der Linearität der Skala.As is known, this resistance is due to the curvature of the characteristic Diodes at low voltages very voltage-dependent and leads to a certain Zero point suppression of the alternating voltage scales. This circuit measure leads for almost complete linearization of the scale of the measuring instrument 23. The voltage drop at resistor 21 is via the adjustable resistor 22, the capacitor 24 and the resistor 25 is fed to the input of the transistor 13 as a negative feedback voltage. The instrument 23 is set up in the "calibration" position with the resistor 22 Full deflection and receives negative feedback that stabilizes the output current a further improvement in the linearity of the scale.

Der Generatorausgang 2 wird in dem Fall des Eichens mit dem Verstärkereingang 10 verbunden. In the case of calibration, the generator output 2 becomes the amplifier input 10 connected.

Man stellt mit dem Widerstand 22 den Verstärkungsfaktor des Indikators 11 so ein, daß der Zeiger des Instruments 23 Vollausschlag anzeigt. Diese Eichmaßnahmen erhöht die Meßgenauigkeit beträchtlich, ohne an den Generator allzu hohe Anforderungen hinsichtlich der Amplitudenkonstanz über länge Zeiträume stellen zu müssen.The gain factor of the indicator is set with the resistor 22 11 so that the pointer of the instrument 23 shows full deflection. These calibration measures increases the measuring accuracy considerably without placing too high demands on the generator with regard to the amplitude constancy to have to provide over long periods of time.

Betätigt man nun die Kontaktanordnung derart, daß die Kontakte ma, m b, mc c offen, der Kontakt 1 a geschlossen, der Kontakt 1 b offen, die Kontakte IIa, II c offen, der Kontakt II b geschlossen sind, dann kann eine Steilheitsmessung am eingebauten Transistor vorgenommen werden, sofern dieser in Emitterschaltung betrieben wird. An dem Emitter und der Basis wird chassissymmetrisch die 800-Hz-Steuerspannung angelegt und am Kollektor gleichspannungfrei über den Kondensator 30 der Wechselstrom ausgekoppelt. Der Spannungsabfall an dem umschaltbaren Eingangswiderstand 15 bis 18 des Indikators 11 wird zweistufig verstärkt, gleichgerichtet und mit dem Instrument 23 angezeigt. Hat der Widerstand den Wert # und wurde vorher die Eichung, wie oben beschrieben, durchgeführt, dann hängt die Meßgenauigkeit der Anordnung nur von der Genauigkeit des Widerstandswertes ab. If you now operate the contact arrangement in such a way that the contacts ma, m b, mc c open, contact 1 a closed, contact 1 b open, the contacts IIa, II c open, the contact II b are closed, then a slope measurement can be carried out be made on the built-in transistor, provided that it is in the emitter circuit is operated. The 800 Hz control voltage is chassis-symmetrical at the emitter and the base applied and at the collector without direct voltage via the capacitor 30 the alternating current decoupled. The voltage drop across the switchable input resistor 15 to 18 of the indicator 11 is amplified in two stages, rectified and with the instrument 23 displayed. If the resistance has the value # and was previously the calibration, as above described, carried out, then the measurement accuracy of the arrangement depends only on the Accuracy of the resistance value.

Wenn die Kontaktanordnung 1 umgelegt wird, so daß Kontakt offen und 1 b geschlossen ist, dann ist die zweite Variation der Transistorprüfung im eingebauten Zustand möglich, nämlich wenn der Transistor in Basisschaltung betrieben wird. Sie unterscheidet sich von der ersten nur durch die Wechselstromauskupplung, die hier am Emitter vorgenommen wird. Mit diesen beiden Prüfanordnungen kann man die SteilheitS' der Transistoren (relative Vergleichswerte) in allen Stufen (NF, HF, Oszillator, ZF) ermitteln, da sich für 800 Hz alle Stufen, von wenigen Ausnahmen abgesehen, ohne Änderung auf eine dieser beiden Grundschaltungen zurückführen lassen. When the contact arrangement 1 is folded over, so that contact is open and 1b is closed, then the second variation of the transistor test is built in State possible, namely when the transistor is operated in common base. she differs from the first only in the alternating current decoupling that is shown here is made at the emitter. With these two test arrangements one can determine the slope S ' of the transistors (relative comparison values) in all stages (LF, HF, oscillator, ZF), since for 800 Hz all stages, with a few exceptions, can be traced back to one of these two basic circuits without change.

Die Hauptprüfmöglichkeit stellt jedoch der Fall dar, in dem der Prüfling ausgebaut ist. Bei diesem Prüfvorgang werden auch die Betriebsspannungen für den Prüfling dem Prüfgerät entnommen. Die Batterie B, B', z. B. vier Monozellen, liefert die E-B-Spannung und die Kollektorspannung. Eine Zelle B' der Batterie wird als Gleichspannungsquelle zur Erzeugung der E-BSpannung benutzt. Der Widerstand 27 stabilisiert den Kollektorstrom, es entsteht durch ihn eine starke Gleichstromgegenkopplung. Der Spannungsabfall an diesem Widerstand ist dem Kollektorstrom proportional. Die Differenz Zellenspannung-Spannungsabfall am Widerstand 27 ist die treibende Emitter-Basis-Spannung, welche den Basisstrom antreibt, der seinerseits verknüpft mit dem Stromverstärkungsfaktor für die Größe des Kollektorstromes verantwortlich ist. Dadurch wird, ähnlich wie beim praktischen Einsatz des Transistors in der Schaltung, der Kollektorstrom und damit der Arbeitspunkt automatisch eingestellt. Diese Maßnahme vereinfacht das Prüfverfahren und ermöglicht einen unmittelbaren Vergleich der Meßergebnisse von Exemplar zu Exemplar und auch der Steilheitswerte der verschiedenen Transistortypen untereinander. Die Umgebungstemperatur hat auf das Meßergebnis kaum einen Einfluß, was übrigens in etwas gemindertem Maß auch für den Einsatzfall des Prüflings in der Schaltung selbst gilt. The main test option, however, is the case in which the test item is expanded. The operating voltages for the DUT removed from the test device. The battery B, B ', e.g. B. four monocells provides the E-B voltage and the collector voltage. A cell B 'of the battery is called DC voltage source used to generate the E-B voltage. The resistor 27 stabilizes the collector current, it creates a strong DC negative feedback. The voltage drop across this resistor is proportional to the collector current. the Difference between cell voltage and voltage drop across resistor 27 is the driving emitter-base voltage, which drives the base current, which in turn is linked to the current gain factor is responsible for the size of the collector current. This will, similar to in practical use of the transistor in the circuit, the collector current and so that the operating point is set automatically. This measure simplifies the test procedure and enables a direct comparison of the measurement results from copy to copy and also the slope values of the different transistor types among each other. the The ambient temperature has hardly any influence on the measurement result, which, by the way, is shown in somewhat reduced also for the application of the test item in the circuit itself is applicable.

Öffnet man den Schalter 28, dann wird in die Basisleitung ein wechselstrommäßig überbrückter Widerstand 29 gelegt, der der Arbeitspunktstabilisierung entgegenwirkt. Bei fehlerhaftem Eingang bei z. B. verkleinertem Wechsel- und Gleichstromeingangswiderstand des Prüflings kann dessen Arbeitspunkt nicht mehr gehalten werden. Der Kollektorstrom und damit die Steilheit gehen zurück. Die Größe der Steilheitsverminderung kann als indirektes Maß für die »Stabilisierungsfreudigkeit« des Prüflings gelten und ist gleichzeitig als Aussage über das wechselstrommäßige Eingangsverhalten des Prüflings anzusehen. If you open the switch 28, an alternating current is applied to the base line bridged resistor 29 placed, which counteracts the stabilization of the operating point. In the event of an incorrect input at z. B. reduced AC and DC input resistance of the test object, its operating point can no longer be maintained. The collector current and thus the steepness will go back. The size of the slope reduction can apply as an indirect measure of the “willingness to stabilize” of the test object and is at the same time a statement about the AC input behavior of the device under test to watch.

Zweckmäßigerweise wird die Größe des Widerstandes 29 so gewählt, daß sich die Grenze zwischen »tauglich« und »untauglich« durch den Zeigerrückgang am Meßinstrmment 23 um die Hälfte des vorherigen Ausschlags fixieren läßt. Appropriately, the size of the resistor 29 is chosen so that that the boundary between "suitable" and "unsuitable" is created by the decrease in the pointer can be fixed on the measuring instrument 23 by half of the previous deflection.

Überschlägige Versuche ergaben einen Widerstandswert von 8 bis 10 kQ. Es sei noch darauf hingewiesen, daß man außerdem die zuletzt beschriebene Prüfung auch mit teilweise eingebautem Prüfling durchführen kann, wobei man nur den Kollektoranschluß ablötet und die wechsel- und gleichspannungsmäßige Speisung des Prüflings vom Meßgerät aus vornimmt. Das kommt besonders dann in Frage, wenn die anderen Messungen nicht die erforderlichen Steilheitswerte bringen, der Fehler aber nicht durch den Transistor selbst, sondern durch seinen falschen Arbeitspunkt in der Schaltung verursacht worden ist. Rough tests gave a resistance value of 8 to 10 kQ. It should also be pointed out that the last described test is also required can also be carried out with a partially built-in DUT, whereby only the collector connection unsoldered and the AC and DC voltage supply of the test object from the measuring device makes out. This is particularly possible if the other measurements fail bring the required slope values, but not the transistor itself, but caused by its wrong operating point in the circuit is.

Eine beschädigte Kollektor-Basis-Sperrschicht läßt durch den Widerstand 29 bei geöffneter Taste 28 einen zusätzlichen Fehlstrom über die Basis fließen. A damaged collector-base junction lets through the resistor 29 when the button 28 is open, an additional fault current will flow through the base.

Der durch diesen Strom bedingte Spannungsabfall am Widerstand 29 vergrößert die Emitter-Basis-Spannung und damit die Injektion im Basisraum. Der Kollektorstrom steigt an, und mit diesem vergrößert sich auch die Steilheitsanzeige.The voltage drop across resistor 29 caused by this current is increased the emitter-base voltage and thus the injection in the base space. The collector current increases, and with this the slope display also increases.

Ist die Eingangsseite, die Emitter-Basis-Sperrschicht, beschädigt, dann bewirkt der durch Öffnung des Kontakt 28 in Reihe gelegte Widerstand 29 eine merkliche Verkleinerung des Basisstromes und damit ein erhebliches Absinken des Kollektorstromes und der Steilheitsanzeige. Bei guten Prüflingen ist der Zeigerrückgang am Meßinstrument 23 bei Betätigung der Taste 28 nur sehr gering. Der Kondensator überbrückt den Widerstand 29 wechselstrommäßig, damit in jedem Fall die Steuerspannung gleichbleibt. If the input side, the emitter-base junction, is damaged, then the resistor 29 connected in series by the opening of the contact 28 causes a noticeable reduction in the base current and thus a considerable drop in the Collector current and the slope display. In the case of good test items, the pointer decline on the measuring instrument 23 when the button 28 is actuated only very slightly. The condenser bridges the resistor 29 in terms of alternating current, thus the control voltage in each case remains the same.

Es hat sich herausgestellt, daß die in Rede stehende Steilheit aller Germaniumtransistoren unabhängig vom Typ und Leistung annähernd gleich groß ist. Man kann also (beschränkt man sich nur auf Prüflinge im ausgebauten Zustand) auf eine Eichung des Meßinstruments 23 in Steilheitswerten verzichten und für alle Transistortypen ein Markenfeld »Gut« anbringen. Links neben diesem Markenfeld kann man noch markieren, wie weit der Zeigerausschlag sich nach Öffnen des Kontakts 28 verkleinern darf. Eine dabei auftretende Vergrößerung der Anzeige ist immer als »Defekt«-Aussage anzusehen. It has been found that the steepness in question is all Germanium transistors are approximately the same size regardless of type and power. So you can (you limit yourself only to test objects in the dismantled state) dispense with a calibration of the measuring instrument 23 in slope values and for all transistor types add a brand field "good". To the left of this brand field you can still mark how far the pointer deflection may decrease after contact 28 is opened. Any enlargement of the display that occurs is always to be regarded as a "defect" statement.

Claims

Claims: 1. Arrangement for measuring the working point-related Small-signal slope of transistors contained in circuits in the operating state or of transistors per se, the characteristic variable being the amplifier property of the transistor is the steepness as the ratio of the output short-circuit alternating current for the AC input voltage is determined, which turns out to be low-resistance decoupled rectified current value of the test object with low-resistance AC voltage control shows that the operating point of the transistor to be tested by means of an emitter resistor (27) and an extremely low-resistance supply (2) of the base DC voltage is held and bridged by switching on an ohmic, by means of a capacitance Resistance (29) in the base line to the change in the decoupled current (23) it can be determined whether the transistor to be tested is on the input or output side has an error.

2. Arrangement according to claim 1, characterized in that the low frequency generator a transistor sine oscillator (1) and a two-stage transistor amplifier for amplification (12, 13) is used, in whose output stage (13) there is a resonance circuit on the collector side, to which a bridge rectifier (20) with a display instrument lying parallel to its output (23) is connected capacitively.

3. Arrangement according to claim 1 or 2, characterized in that a pushbutton unit is provided with individual switching positions in which the test item within a circuit and itself can be checked as well as the area of the display instrument is adjustable.

4. Arrangement according to claim 2, characterized in that in the output of the low frequency generator (1), a separating capacitor (4) is provided, which at the examination of the tran- sistors per se as a capacitor for the automatic operating point adjustment required EB voltage can be switched.

Documents considered: German Auslegeschrift No. 1,126,034; "Radio und Fernsehen", Vol. 8, 1959, H. 17, pp. 548 to 552; »Radio technology«, 1957, no. 18, p. 630.