DE1269732C2 - Verfahren zum herstellen von halbleiteranordnungen - Google Patents

Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen von ^Halbleiteranordnungen, bei dem in einer Halbleiterscheibe von einem Leitfähigkeitstyp durch Eindiffusion von Dotierungsmaterial des entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps eine zusammenhängende, die ganze Oberfläche der Halbleiterscheibe bedeckende Zone des entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps mit mindestens angenähert gleichmäßiger

Dicke erzeugt wird, die zusammen mit einer inneren Zone eine zusammenhängende pn-Übergangsfläche bildet, die in zwei nicht zusammenhängende pn-Übergangsflächen geteilt wird.

Es ist eine Halbleiteranordnung, eine steuerbare

Siliziumzelle, bekannt [vgl. ETZ-A, 83 (1972), S. 276, Bild 14], die eine Siliziumscheibe mit vier aufeinanderfolgenden Schichten abwechselnden Leitfähigkeitstyps, Kathoden-, Anoden- und Steuerelektrodenkontakt aufweist. Zur Herstellung von steuerbarcn Siliziumzellen kann in folgender und durch die F i g. 1 und 2 erläuterter Weise verfahren werden. Eine kreisscheibenförmige η-leitende Siliziumscheibe 1 erhält durch Eindiffusion einer p-dotierenden Substanz parallel zur ganzen Oberfläche eine an die ganze Oberfläche grenzende zusammenhängende p-leitendc Zone 2. Mittels einer Bohr- oder Sägevorrichtung wird von der Siliziumscheibe durch einen Schnitt 3 senkrecht zur Scheibenfläche der Scheibenrand in einer Stärke größer als die Dicke der Diffusionsschicht 2 abgeschnitten. An die Siliziumscheibe mit den zur Scheibenflächc parallelen Schichten 2 und 4 und der zur Scheibenfläche parallelen n-leitenden Schicht 1 wird auf der Scheibenfläche S der Anodenkontakt sperrschichtfrei anlegiert. Auf der anderen Scheibenfläche 7 wird der Steuerelektrodenkontakt 8 sperrschiclüfrei an die Schicht 2 und der Kontakt 9 der Kathode unter Bildung einer n-leitenden Kathodenschicht 10 in der Schicht 2 an diese anlegiert.

Um die ganze Scheibenfläche ausnutzen zu können, soll jedoch der Anodenkontakt 6 im Unterschied zu der bekannten Anordnung nach Bild 14 der eingangs genannten Literaturstelle ganzflächig

sein und somit die gleiche Größe wie die Scheiben- Beispielsweise lehrt die deutsche Auslegeschrift flaches erhalten. Beim Anlegieren des ganzflächigen 1 ()1Η5.*ιίϊ (vgl. dort F i g. 7 und zugehörige Bcsdirei-Anodenkoniaktes 6 an die sehr dünne Schicht 4 kann bung) die Abschrägung einer Halbleiterscheibe zu nun an dem Rand des pn-Übcrganges zwischen den dem Zweck, eine größere Randfläche bei einer Basis-Schichten 1 und 4 leicht ein die nur"etwa 50 μ starke 5 zone für die Anbringung des Basiskontaktes zu er-Sdiicht 4 überbrückender Kurzschluß entstehen. halten.

Bei der bekannten Anordnung hingegen stellt sich In der deutschen Auslegeschrift 1094 886 ist ein

d.is Problem des Anlegierens anders dar. Dort be- Hoclifrequcnztransistor beschrieben, bei dem an der

sieht zwischen der Halbleiterscheibe und der Basis- mit einer bereits einlegiertcn, nicht ganzflächigen

platte (Tragscheibe) am Rande eine ringförmige Nut. io Kollektorelektrode versehenen Halbleiterscheibe ein

Da aber Halbleiterscheiben im Herstellungsprozeß vom Rande des Kollektors zur Basiselektrode sich

bei der Scheibenätzung gewöhnlich leicht konvexe stetig oder stufenweise verjüngender Querschnitt

Hauptflächen und abgerundete Randkanten erhalten, durch Ätzen abgetragen wird, damit die Kollektorka-

weist die ringförmige Nut eine nach außen zuneh- pazitiit und der Sperrstrom verringert wird, ohne die

inende Breite auf, wodurch beim Anbringen der Ba- 15 zulässige Verlustleistung zu verringern. Die Elektro-

sisnlatte flüssiges Lot oder Legiermaterial sehr leicht den des bekannten Transistors werden nur wegen der

.;n. Rande der Scheibe bei der Nut infolge der darin kleinen Abmessungen der Halbleiterscheibe vor der

verdickten Lot- bzw. Materialschicht zu dem nahege- Querschnittsabtragung (Abschrägung) an derselben

kgenen pn-Ubergang vordringen kann oder aus der einlegiert. Da sich hierbei die pn-Übergänge ausbil-

Nut herausfließen und den pn-übergang am Rande 20 den, können sie bei dem Legierprozeß nicht verun-

kurzschließen kann. Diese Defekte führen zu einer reinigt werden.

Verminderung der Sperrfähigkeit des pn-Überganges, Bei einem weiteren bekannten Halbleiterbaueleder bei der beschriebenen Anordnung sogar beson- ment, einem Gleichrichter (s. deutsche Auslegeschrift ders gefährdet ist, weil er Spannung in der Sperrich- J. 137 1.40), wird ein mit pin-Zonenstruktur ausgebiitung übernimmt. Ein weiterer nachteiliger Effekt tritt 25 deter Halbleiterkörper am Rande mechanisch abgenoch bei der stets erforderlichen Schlußätzung auf. schrägt und die Abschrägung geätzt, um durch Ver-Säurereste und während der Ätzung entstehende Me- längerung des Kriechweges auf der Abschrägung den tallsalze werden nämlich in der vorerwähnten Nut Oberflächenkriechstrom zu verringern und gleichzeifestgehalten und können bei der sich anschließenden tig eine Randoberfläche herzustellen, auf der eine Spülung nur ungenügend entfernt werden. Diese Ver- 30 nicht poröse Abdecksubstanz leicht niedergeschlagen uiircinigungen verursachen bei an der Halbleiteran- werden kann. Hinweise über das Anbringen der Ordnung angelegter Sperrspannung Ioncnleitung über Kontaktelektroden enthält die vorgenannte Druckden pn-übergang hinweg und vermindern gleichfalls schrift nicht. Werden aber Kontaktelektroden angedas Sperrvermögen der Halbleiteranordnung, vor al- bracht, so ergeben sich hierdurch wiederum die gleilcm aber ihre Langzeitstabilität während des Betrie- 35 chen schädlichen Effekte, die oben dargelegt sind. bes. ' Durch die französische Patentschrift 1311 620

Die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe be- ist ein Verfahren zur Herstellung von Halbieiterbausieht somit darin, bei der Herstellung einer Halb- elementen, insbesondere Gleichrichtern, bekannt, gelcitcranordnung der eingangs beschriebenen Art . maß dem der Halbleiterkörper eines Bauelements Kurzschlüsse und Sperrverminderung eines pn-Über- 40 durch Diffusion allseitig mit einer Oberflächengangs infolge des Anbringens des Kontaktes zu ver- schicht entgegengesetzten Leitungstyps versehen, meiden und die von der Halbleiterscheibe vorgege- diese Oberflächenschicht auf der einen Scheibenfläche bcne Stromführungsfläche zu erhalten. abgetragen sowie die obere und untere Scheiben-

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch ge- fläche mit einer Nickelschichf versehen wird und so-

löst, daß auf der einen Scheibenfläche ein sich bis 45 dann der Rand des Halbleiterkörpers durch mechani-

zum Scheibenrand ausdehnender Kontakt anlegiert sches Abtragen anstatt durch Mcsaätzung konisch

wird und auf der anderen Scheibenfläche ein oder abgeschrägt wird. Es wird mit dieser ohne Ätzung er-

zwci einen Abstand vom Scheibenrand aufweisende ziehen konischen Abschrägung bezweckt, daß der

Kontakte angebracht werden und daß sodann am darin freigelegte pn-übergang einen ausreichenden Scheibenrand von der Scheibenfläche her, die einen 50 Sicherheitsabstand vom Kontakt für die Stromzufüh-

oder zwei vom Scheibenrand entfernt bleibende Kon- rung aufweist und es dadurch verhindert wird, daß

takte aufweist, eine Abschrägung unter Aufteilung die Abschrägung beim Nachätzen des Bauelements

der zusammenhängenden pn-Übergangsfläche derart verunreinigt wird.

angeschliffen wird, daß die Schnittlinien der zwei Nach einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der nicht zusammenhängenden pn-Uberf-.angsflachen mit 55 Erfindung wird an eine Siliziumscheibe auf den

dem angeschliffenen Scheibenrand einen kürzesten Scheibenflächtn je ein Kontakt sperrschichtfrei an-

Abstand voneinander in der angeschliffenen Rand- legiert.

fläche haben, der größer ist als der Abstand zwischen Nach einem weiteren bevorzugten Ausführungs-

den parallel verlaufenden Teilen der getrennten beispiel der Erfindung zum Herstellen von steuerbapn-Übergangsflächen, wobei die sich bis zum Schei- 60 ren Siliziumzellcn wird an tine Siliziumscheibe auf

benrand ausdehnende Kontaktfläche erhalten bleibt. der einen Scheibenfläche ein sich bis zum Scheiben-

Bei dieser Verfahrensweise werden die eben erläu- rand ausdehnender Anodenkontakt sperrschichtfrei terten schädlichen Auswirkungen auf einfache Weise und auf der anderen Scheibenfläche ein Kathodenvermieden, und es wird das Sperrvermögen verbes- kontakt unter Bildung eines pn-Überganges und ein sert. 65 Steuerelektrodenkontakt sperrschichtfrei anlegiert.

Es ist an und für sich bekannt, daß der Halbleiter- Vorzugsweise kann zur erfindungsgemäßen Herscheibenrand zu verschiedenen Zwecken abgeschrägt stellung einer Halbleiteranordnung eine kreisscheiwird. benförmigc Halbleiterscheibe verwendet werden.

5 J 6

Auch die Veiwendung einer rechteckigen bzw. qua- benfläche 37 angrenzenden Teil 40 der p-leitenden

dratischen Halbleiterscheibe ist vorteilhaft. Zone wird eine η-leitende Kathodenschicht 41 er-

Wird eine kreisscheibenförmige Halbleiterscheibe zeugt. Der Steuerelektrodenkontakt kann auch durch

verwendet, kann zweckmäßig eine Abschrägung an- Aufdampfen oder elektrolytische Abscheidung einer

geschliffen werden, die eine Oberfläche von der 5 Metallschicht oder nach einem anderen Verfahren

Form einer Mantelfläche eines Kegelstumpfes mit sperrschichtfrei angebracht werden. Auch kann in

zur Scheibenfläche paralleler Grundfläche bildet. dem vom Steuerelektrodenkontakt 38 nicht bedeck-

Günstig ist das Anschleifen einer Abschrägung, die ten Teil 40 der p-leitenden Zone 32 durch Eindiffu-

eine Oberfläche von der Form einer Mantelfläche sion einer η-dotierenden Substanz eine n-leitende

einer Kugelschicht mit zur Scheibenfläche paralleler io Kathodenschicht 41 erzeugt werden, an die durch

Grundfläche bildet. Aufdampfen oder elektrolytische Abscheidung einer

Wird eine rechteckige Halbleiterscheibe verwen- Metallschicht oder nach einem anderen Verfahren

det, kann zweckmäßig eine Abschrägung angeschlif- ein sperrschichtfreier Kontakt angebracht wird. Die

fen werden, die eine Oberfläche von der Form einer mit Kontakten versehene Siliziumscheibe 31 zeigt

Mantelfläche eines Pyramidenstumpfes mit zur 15 F i g. 4 in zum Teil schematischer Darstellung im

Scheibenfläche paralleler Grundfläche, insbesondere Schnitt. Beim Verfahren gemäß der Erfindung wird

zu den Kanten der Halbleiterscheibe parallelen Sei- nach dem Anbringen der Kontakte 35, 38 und 39 an

ten der Grundfläche, bildet. Vorteilhaft kann an eine die Siliziumscheibe 31 am Scheibenrand von der

rechteckige Halbleiterscheibe eine Abschrägung an- Scheibenfläche 37 her längs des ganzen Randes eine

geschliffen werden, die eine aus je zwei Teilen von 10 Abschrägung derart angeschliffen, daß die pn-Über-

den Mantelflächen von zwei Kreiszylindern zusam- gangsfläche 42 zwischen der η-leitenden Schicht 33

mengesetzte Oberfläche bildet, wobei die Achse des und der p-leitenden Zone 32 in zwei nicht zusam-

einen Kreiszylinders parallel zu einer Kante der menhängende pn-Übergangsflächen 43, 44 geteilt

Halbleiterscheibe und die des anderen senkrecht zu wird und die Schnittlinien 45 und 46 der beiden

der Achse des erstgenannten Kreiszylinders ist. »5 pn-Übe^angsflächen 43 und 44 mit der gebildeten

Wird eine quadratische Halbleiterscheibe verwen- Oberfläche 47 einen kürzesten Abstand nahe an der

det, kann zweckmäßig eine Abschrägung angeschlif- Oberfläche 47 aufweisen, der größer als der kürzeste

fen werden, die eine Oberfläche von der Form einer Abstand zwischen den pn-Übergangsflächen 43 und

Mantelfläche eines Pyramidenstumpfes mit zur 44 ist. Beispielsweise wird an die kreisscheibenför-

Scheibenfläche paralleler Grundfläche, insbesondere 3° mige Siliziumscheibe 31 eine Oberfläche 47 ange-

mit zu den Kanten der Halbleiterscheibe parallelen schliffen, die die Form einer Mantelfläche eines Ke-

Seiten der Grundfläche bildet. Vorteilhaft kann an gelstumpfes hat, dessen Grundfläche parallel zu den

eine quadratische Halbleiterscheibe eine Abschrä- Scheibenflächen 34 und 37 ist. F i g. 5 zeigt Silizium-

gung angeschliffen werden, die eine Oberfläche von scheibe und Kontakte einer steuerbaren Siliziumzelle

der Form einer Mantelfläche einer Kugelschicht mit 35 im Schnitt und F i g. 6 in Aufsicht. Die Darstellungen

zur Scheibenfläche paralleler Grundfläche bildet. sind teilweise schematisch.

Günstig ist das Abschleifen einer Abschrägung, die Das Schleifen wird vorteilhaft mit Hilfe von

eine aus zwei Teilen von den Mantelflächen von zwei Schleifvorrichtungen und Schleifmitteln vorgenom-

Kreiszylindem zusammengesetzte Oberfläche bildet, men, die eine für das Kristallgitter der Silizium-

wobei die Achse des einen Kreiszylinders parallel zu 40 scheibe möglichst störungsfreie Feinabtragung bewir-

einer Kante der Halbleiterscheibe und die des ande- ken. Ein Abschrägen durch Sägen oder (Ultraschall-)

ren senkrecht zu der Achse des erstgenannten Kreis- Bohren wäre nachteilig.

Zylinders ist. Nach einem anderen Ausführungsbeispiel des Ver-

An Hand der F i g. 3 bis 6 wird ein vorteilhaftes fahrens gemäß der Erfindung, das an Hand der in

Ausführungsbeispiel der Erfindung erläutert. 45 zum Teil schematischer Darstellung einen Schnitt

In eine in Fig.3 in zum Teil schematischer Dar- eines Teiles von Siliziumscheibe und Kontakten einer

stellung im Schnitt gezeichnete kreisscheibenförmige steuerbaren Siliziumzelle zeigenden F i g. 7 erläutert

η-leitende Siliziumscheibe 31 wird p-Leitfähigkeit er- wird, wird nach dem Anlegieren der Kontakte 35, 38

zeugendes Dotierungsmaterial allseitig zur Eindiffu- und 39 an eine kreisscheibenförmige Siliziumscheibe

sion gebracht und in der Weise eine an die ganze 50 31 am Scheibenrand von der Scheibenfläche 37 hei

Oberfläche grenzende zusammenhängende p-leitende längs des ganzen Randes eine Abschrägung mit einer

Zone 32 erzeugt, die eine mindestens angenähert Oberfläche 48 angeschliffen, die eine Mantelfläche

gleichmäßige Dicke aufweist und eine η-leitende, zur einer Kugelschicht mit zu den Scheibenflächen 34

Scheibenfläche mindestens angenähert parallele und 37 parallele Grundfläche bildet und die die

Schicht 33 einschließt. 55 pn-Übergangsfläche 42 in zwei nicht zusammenhän-

An die diesen Schichtenaufbau aufweisende Silizi- gende pn-Ubergangsflächen 43, 44 teilt, und zwai

umscheibe 31 wird nun auf der Scheibenfläche 34 ein derart, daß die Schnittlinien 49 und 50 der pn-Über-

Anodenkontakt 35, z.B. eine p-dotierende Metallfo- gangsflächen 43 und 44 mit der Oberfläche 48 einer

lie anlegiert, der die Scheibenfläche 34 bis zur Schei- kürzesten Abstand in der Oberfläche 48 aufweisen

benkante 36 bedeckt. Auf der anderen Scheiben- 60 der größer als der kürzeste Abstand zwischen der

fläche 37 wird ein Steuerelektrodenkontakt 38, z.B. pn-Übergangsflächen 43 und 44 ist. Eine Aufsich

eine p-dotierende kleinflächige Metallfolie, anlegiert, auf die nach diesem Ausführungsbeispiel der Erfin

der einen Abstand von dem Scheibenrand entfernt dung hergestellte Anordnung von Siliziumscheibe 3]

bleibt. Auf der Scheibenfläche 37 wird außer dem . und Kontakten 35, 38 und 39 ist ähnlich der Anord

Steuerelektrodenkontakt 38 ein Kathodenkontakt 39, 65 nung der F i g. 6.

z. B. eine η-dotierende Metallfolie, anlegiert, der An Hand der F i g. 5 und 8 wird ein weiteres Aus

ebenfalls einen Abstand von dem Scheibenrand ent- führungsbeispiel des vorliegenden Verfahrens erläu

fernt bleibt. Beim Anlegieren in dem an die Schei- tert. F i g. 8 zeigt eine Aufsicht auf eine quadratisch

7 8

Siiiziumscheibc und ihre Kontakte in zum Teil sehe- ausdehnender Kollcktorkontakt sperrschichtfrei und

matischcr Darstellung. Der in F i g. 5 gezeichnete auf der linderen Schcibcnflächc ein Emitterkontakt

Schnitt kann als ein Schnitt der Halbleiteranordnung sperrschichtfrei sowie ein Basiskontakt durch die äu-

der F i g. 8 längs der Linie A-A betrachtet werden. ßerc Zone hindurch, gegen diese einen pn-übergang

Nach dem Änlcgicrcn der Kontakte 35, 38 und 39 5 bildend, sperrschichtfrei an die innere Zone anlcgiert

a;i eine c]uadratische Siliziumscheibe 31 wird am wird.

Scheibenrand von der Schcibcnilachc 37 her längs Nach einem weiteren Ausführungsbeispiel des des ganzen Randes eine Abpchrägung mit eine. Verfahrens gemäß der Erfindung wird an eine Silizi-Obcrflache 51 angeschliffen, die eine Mantelfläche umschcibc mit einer zur Schcibenflächc mindestens eines Pyramidcnslumpfcs mit zu den Kanten der SiIi- io angenähert parallelen n-lcilcndcn Schicht, die allsciziumschcibc parallelen Seilen der Grundfläche bildet. tig von einer p-lcilcndcn Diffusionsschicht umgeben Die pn-Übcrgangsflache 42 wird durch die Ober- ist. auf der einen Schcibcnflächc ein sich bis zum fläche 51 in zwei nicht zusammenhängende pn-Übcr- Scheibenrand ausdehnender Kontakt sperrschichtfrei gani'.sllächen 43 und 44 geteilt. Die Schnittlinien 52 und auf der anderen Scheibcnflächc ein einen von und 53 der pn-Übcrgangsfläehcn 43 und 44 mit der 15 dem Scheibenrand entfernt bleibender Kontakt spcrr-Oberflächc 51 weisen einen kürzesten Abstand in der schichtfrei anlcgiert. Danach wird am Scheibenrand Oberfläche 51 auf, der größer als der kürzeste Ab- von der Schcibcnflächc her, die den einen Abstand stand zwischen den pn-Übcrgangsflächcn 43 und 44 vom Scheibenrand entfernt bleibenden Kontakt aufist, weist, längs des ganzen Randes eine Abschrägung

Nach dem vorliegenden Verfahren können auch 20 derart angeschliffen, daß die pn-Übcrgangsflächc

solche steuerbaren Siliziumzcllcn hergestellt werden, zwischen p-lcitcndcr Diffusionszone und n-leitendcr

bei denen eine p-leitcndc Schicht von zwei η-leiten- von ihr eingeschlossener Schicht in zwei nicht zusam-

dcn Diffusionssehichlen umgeben ist und der Katho- mcnhängcnde pn-Übergangsflächcn geteilt wird, dc-

dcnkontakt auf der einen Schcibcnflächc sich bis rcn Schnittlinien mit der gebildeten Oberfläche einen

zum Scheibenrand ausdehnt, jedoch Anoden- und 25 kürzesten Abstand voneinander in dieser Oberfläche

Steucrelcktrodenkontakt auf der anderen Scheiben- haben, der größer als der kürzeste Abstand zwischen

fläche einen Abstand vom Scheibenrand entfernt den beiden gebildeten pn-Übcrgangsflächcn ist.

bleiben, wobei der Anodenkontakt an eine p-lcitcndc Nach dem vorliegenden Verfahren können HaIb-

Anodcnschicht grenzt. leitcranordnungcn mit einer Halbleiterscheibe aus Si-

Gemäß einem anderen Ausführungsbcispicl der 30 lizium, Germanium oder halbleitcnden Vcrbindun-

Erfindung wird zum Herstellen von Transistoren so gen aus Elementen der III. und V. Gruppe des Perio

verfahren", daß an cine Siliziumscheibc auf der einen dischcn Systems der Elemente mit vortcilhaftei

Schcibenflächc 34 ein sich bis zum Scheibenrand Eigenschaften hergestellt werden.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (10)

Patentansprüche:

1. Verfahren zum Herstellen von Halbleiteranordnungen, bei dem in einer Halbleiterscheibe von einem Leitfähigkeitstyp durch Eindiffusion von Dotierungsmaterial des entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps eine zusammenhängende, die ganze Oberfläche der Halbleiterscheibe bedekkende Zone des entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps mit mindestens angenähert gleichmäßiger Dicke erzeugt wird, die zusammen mit einer inneren Zone eine zusammenhängende pn-Übergangsfläche bildet, die in zwei nicht zusammenhängende pn-Übergangsflächen geteilt wird, dadurch gekennzeichnet, daß auf der einen Scheibenfläche (34) ein sich bis zum Scheibenrand (36) ausdehnender Kontakt (35) anlegiert wird und auf der anderen Scheibenfläche (37) ein oder zwei einen Abstand vom Scheibenrand (36) aufweisende Kontakte (38, 39) angebracht werden und daß sodann am Scheibenrand (36) von der Scheibenfläche (37) her, die einen oder zwei vom Scheibenrand entfernt bleibende Kontakte (38, 39) aufweist, eine Abschrägung (47) unter Aufteilung der zusammenhängenden pn-Übergangsfläche derart angeschliffen wird, daß die Schnittlinien (45, 46) der zwei nicht zusammenhäni,-nden pn-Übergangsflächen (42, 44) mit dem angeschliffenen Scheibenrand (47) einen kürzesten Abstand voneinander in der angeschliffenen Randfläche (47) haben der größer ist als der Abstand zwischen den parallel verlaufenden Teilen der getrennten pn-Übergangsflächen (42, 44) wobei die sich bis zum Scheibenrand ausdehnende Kontaktlasche erhalten bleibt.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß auf den Scheibenflächen (34, 37) je ein Kontakt sperrschichtfrei anlegiert wird.

3. Verfahren nach Anspruch 2 zum Herstellen einer steuerbaren Siliziumzelle, bei der der sich bis zum Scheibenrand ausdehnende Kontakt den Anodenkontakt bildet, dadurch gekennzeichnet, daß auf der anderen Scheibenfläche (37) außer dem Steuerelektrodenkontakt ein ebenfalls vom Scheibenrand entfernter Kathodenkontakt unter Bildung eines pn-Überganges anlegiert wird.

4. Verfahren nach Anspruch 2 zum Herstellen eines Transistors, bei dem der sich bis zum Scheibenrand ausdehnende Kontakt den Kollektorkontakt und der ebenfalls sperrschichtfrei anlegierte Kontakt auf der anderen Scheibenfläche den Emitterkontakt bildet, dadurch gekennzeichnet, daß auf der anderen Scheibenfläche ein Basiskontakt durch die äußere Zone hindurch, gegen diese einen pn-übergang bildend, sperrschichtfrei an die innere Zone anlcgiert wird,

5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, gekennzeichnet durch die Verwendung einer kreisförmigen Halbleiterscheibe.

6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, gekennzeichnet durch die Verwendung einer rechteckigen Halbleiterscheibe.

7. Verfahren nach Anspruch 6, gekennzeichnet durch die Verwendung einer quadratischen Halbleiterscheibe.

8. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß eine Abschrägung angeschliffen wird, die eine Oberfläche von der Form einer Mantelfläche eines Kegelstumpfes mit zur Scheibenfläche paralleler Grundfläche bildet.

9. Verfahren nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, daß eine Abschrägung angeschliffen wird, die eine Oberfläche von der Form einer Mantelfläche eines Pyramidenstumpfes mit zur Scheibenfläche paralleler Grundfläche bildet.

10. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß eine Abschrägung angeschliffen wird, die eine Oberfläche von der Form einer Mantelfläche einer Kugelschicht mit zur Scheibenfläche paralleler Grundfläche bildet.

1.1. Verfahren nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, daß eine Abschrägung angeschliffen wird, die eine aus je zwei Teilen der Mantelfläche von zwei Kreiszylindern zusammengesetzte Oberfläche bildet, wobei die Achse des einen Kreiszylinders parallel zu einer Kante der Halbleiterscheibe und die des anderen senkrecht zu der Achse des erstgenannten Kreiszylinders ist.