DE1266810B

DE1266810B - Method for storing binary information and magnetic layer memories operated according to this method

Info

Publication number: DE1266810B
Application number: DE1961J0020974
Authority: DE
Inventors: Henri Jean Oguey
Original assignee: International Business Machines Corp
Current assignee: International Business Machines Corp
Priority date: 1960-12-20
Filing date: 1961-12-07
Publication date: 1968-04-25
Also published as: NL271832A; NL136898C; GB981186A; CH385923A

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLANDFEDERAL REPUBLIC OF GERMANY

DEUTSCHESGERMAN

PATENTAMTPATENT OFFICE

AUSLEGESCHRIFTEDITORIAL

Int. CL:Int. CL:

GlIcGlIc

Deutsche KL: 21 al-37/06 German KL: 21 al -37/06

Nummer: 1266 810Number: 1266 810

Aktenzeichen: J 20974IX c/21 alFile number: J 20974IX c / 21 al

Anmeldetag: 7. Dezember 1961Filing date: December 7, 1961

Auslegetag: 25. April 1968Opening day: April 25, 1968

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Speichern binärer Information in einer eine magnetische Vorzugsachse aufweisenden Magnetschicht-Speicherzelle durch Auslenken der Magnetisierung in Richtung der zur magnetischen Vorzugsachse orthogonal verlaufenden Achse schwerer Magnetisierung mit Hilfe eines ersten Magnetfeldes und endgültiges Einstellen der Magnetisierung in eine der beiden als Speicherzustände definierten Lagen parallel zur Vorzugsachse mit Hilfe eines zweiten Magnetfeldes, das koinzident zum ersten Magnetfeld auftritt, aber gegenüber diesem verzögert abgeschaltet wird.The present invention relates to a method of storing binary information in a a magnetic layer memory cell having a magnetic easy axis by deflecting the magnetization heavier in the direction of the axis orthogonal to the preferred magnetic axis Magnetization with the help of a first magnetic field and final adjustment of the magnetization in one of the two positions defined as storage states parallel to the easy axis with the help of a second magnetic field, the coincident with the first magnetic field occurs, but switched off with a delay compared to this will.

Es sind heue im wesentlichen zwei Verfahren zum Speichern von binärer Information in Magnetschichtspeichern, in welchen dünne magnetische Schichten mit uniaxialer magnetischer Anisotropie als Speicherzellen dienen, bekannt. Es handelt sich hierbei um Speicherverfahren, bei denen der Aufruf der Magnetschicht-Speicherzellen — ähnlich wie auch bei den seit langem bekannten Magnetkernspeichern — nach dem Matrixprinzip erfolgt. Das eine dieser Verfahren arbeitet mit parallel verlaufenden Magnetfeldern und das andere mit orthogonal verlaufenden Magnetfeldern zur Speicherzellenauswahl.Today there are essentially two methods of storing binary information in magnetic layer memories, in which thin magnetic layers with uniaxial magnetic anisotropy are used as memory cells serve, known. These are storage methods in which the magnetic layer memory cells are called up - similar to the long-known magnetic core memories - after the matrix principle takes place. One of these processes works with parallel magnetic fields and the other with orthogonal magnetic fields for memory cell selection.

Beim Parallelfeldverfahren werden zwei oder mehr Magnetfelder in einer Richtung, die zwischen der magnetischen Vorzugsachse und der Achse schwerer Magnetisierung liegt, an die Speicherzellen angelegt, wobei jedes der Felder für sich nicht ausreicht, eine bleibende Ummagnetisierung der Speicherzelle zu bewirken. Die Einstellung der Magnetisierung in eine der beiden Richtungen entlang der Vorzugsachse, welche als Speicherzustände Null und Eins definiert sind, erfolgt in Abhängigkeit von der Polarität der koinzident angelegten Felder nach deren Abschalten.In the parallel field method, two or more magnetic fields are in a direction that is between the magnetic Easy axis and the axis of heavy magnetization, applied to the memory cells, whereby each of the fields is not sufficient in itself, a permanent reversal of magnetization of the memory cell to effect. The adjustment of the magnetization in one of the two directions along the easy axis, which are defined as memory states zero and one, takes place depending on the polarity of the coincidentally created fields after they have been switched off.

Beim Orthogonalfeldverfahren dient ein erstes Magnetfeld zur Auslenkung der Magnetisierung in Richtung der schweren Achse. Dieses Feld kann zum Zweck der Zellenauswahl aus zwei koinzident anzulegenden Teilfeldern bestehen. Die Polarität eines weiteren Magnetfeldes, das parallel der Vorzugsachse verläuft und koinzident mit den das erste Feld darstellenden Teilfedern angelegt wird, bestimmt die Richtung, in welche die Magnetisierung der Speicherzellen nach Abklingen des ersten Feldes eindreht. Auch hier wird eine Zellenauswahl nur durch Koinzidenz von Teilfeldern vorgenommen, die für sich allein noch keine Ummagnetisierung der Speicherzellen bewirken können.In the orthogonal field method, a first magnetic field is used to deflect the magnetization in the direction the heavy axis. This field can be created for the purpose of selecting cells from two coincident cells Subfields exist. The polarity of another magnetic field that is parallel to the easy axis runs and is coincident with the sub-springs representing the first field, determines the Direction in which the magnetization of the memory cells turns after the first field has decayed. Here, too, a cell selection is made only through the coincidence of subfields that are for themselves cannot yet cause any magnetization reversal of the memory cells.

Ein wesentlicher Nachteil dieser Verfahren liegt darin, daß sie zum Einschreiben von InformationenA major disadvantage of these methods is that they are used to write information

Verfahren zum Speichern binärer Information
und nach diesem Verfahren betriebene
MagnetschichtspeicherMethod for storing binary information
and operated according to this procedure
Magnetic layer storage

Anmelder:Applicant:

International Business Machines Corporation,International Business Machines Corporation,

Armonk, N. Y. (V. St. A.)Armonk, N. Y. (V. St. A.)

Vertreter:Representative:

Dipl.-Ing. A. Bittighofer, Patentanwalt,Dipl.-Ing. A. Bittighofer, patent attorney,

7030 Böblingen, Sindelfinger Str. 497030 Boeblingen, Sindelfinger Str. 49

Als Erfinder benannt:Named as inventor:

Henri Jean Oguey,Henri Jean Oguey,

Mohegan Lake, N. Y. (V. St. A.)Mohegan Lake, N.Y. (V. St. A.)

Beanspruchte Priorität:Claimed priority:

Schweiz vom 20. Dezember 1960 (14 230)Switzerland of December 20, 1960 (14 230)

Treiberströme unterschiedlicher Polarität benötigen, wodurch sich der Aufwand für die Treiberverstärkerschaltungen erhöht. Ein weiterer erheblicher Nachteil, der sich ergibt, wenn man den Aufruf der Speicherzellen so organisiert, daß immer nur eine, einzelne Speicherzelle aus der Vielzahl der in einer Ebene des Speichers vorhandenen Speicherzellen selektiv aufgerufen wird, besteht darin, daß bei der nach dem Matrixprinzip erfolgenden Speicherzellen-Selektion auch die in den nur »halb aufgerufenen« Speicherzellen stehende Information in Mitleidenschaft gezogen wird, sei es, daß sie sie schon bei einmaligem oder erst bei mehrmaligem Halbaufruf zerstört wird. Der Grund hierfür ist in den von den theoretischen Erwartungen abweichenden, nicht idealen Schalteigenschaften der Magnetschichten zu suchen. In der Praxis hat sich häufig gezeigt, daß schon beim Vorhandensein des einfachen Selektionsstromes die von ihm erzeugte Feldstärke ausreichen kann, daß eine unerwünschte partielle Umschaltung der Magnetisierung durch sogenannte Wandschaltprozesse zustande kommt. Folglich darf die Stromstärke des einfachen Selektionsstromes einen gewissen Grenzwert nicht überschreiten. Das hat andererseits zur Folge, daß auch das durch gleichzeitiges Zusammenwirken zweier Selektionsströme am Ort der Speicherzelle aus der Überlagerung zweier Felder resultierende Magnetfeld, das ein möglichst rasches Umschalten der Ma-Require driver currents of different polarity, which increases the cost of the driver amplifier circuits elevated. Another significant disadvantage that arises when calling the memory cells organized in such a way that there is always only one, individual memory cell from the multitude of in one level of the memory available memory cells is selectively called, is that in the after According to the matrix principle, memory cell selection also takes place in the memory cells that have only been "half called" standing information is affected, be it that it is already at one time or is only destroyed after repeated half-calls. The reason for this is in that of the theoretical To look for deviating, non-ideal switching properties of the magnetic layers. In the Practice has often shown that even with the existence of the simple selection stream, the The field strength generated by it can be sufficient to prevent an undesired partial switching of the magnetization comes about through so-called wall switching processes. Consequently, the amperage of the simple Selection current do not exceed a certain limit value. On the other hand, this has the consequence that this is also done by the simultaneous interaction of two selection currents at the location of the memory cell The magnetic field resulting from the superposition of two fields, which enables the quickest possible switching of the ma-

809 540/299809 540/299

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gnetisierung durch sogenanntes Rotationsschalten be- Ausführung geeigneten erfindungsgemäßen Magnetwirken soll, in seiner Stärke und damit in seiner Schichtspeichers sind aus den Ansprüchen ersichtlich. Wirksamkeit begrenzt ist. Die resultierende Feldstärke Nachfolgend sind verschiedene Ausführungsbeispiele ist somit nicht immer ausreichend, um ein einwand- der Erfindung an Hand von Zeichnungen erläutert. Es freise Umschalten der Magnetisierung in der aufge- 5 zeigtgnetisierung by so-called rotation switching be execution suitable magnetic action according to the invention should, in its strength and thus in its stratified storage can be seen from the claims. Effectiveness is limited. The resulting field strength The following are various exemplary embodiments is therefore not always sufficient to explain a problem-free invention on the basis of drawings. It Free switching of the magnetization in FIG. 5 shows

rufenen Speicherzelle durch Rotationsschalten zu- F i g. 1 die das Schaltverhalten einer dünnen ma-called memory cell by rotation switching. F i g. 1 which shows the switching behavior of a thin ma-

stande zu bringen. Die aufgezählten Schwierigkeiten gnetischen Schicht darstellende »kritische Kurve« sozeigen sich insbesondere dann, wenn die Richtung wie die den Bereich partiellen Schaltens abgrenzenden des resultierenden Magnetfeldes nicht annähernd Kurven,able to bring. The "critical curve" representing the difficulties enumerated in the gnetic layer should be shown especially when the direction delimits the partial shifting range like that of the resulting magnetic field not even approximately curves,

orthogonal zur Anisotropierichtung der Magnet- io Fig.2 die Amplituden und Richtungen der auf schicht verläuft. eine Magnetschicht-Speicherzelle einwirkenden Ma-orthogonal to the anisotropy direction of the magnet io Fig.2 the amplitudes and directions of the layer runs. a magnetic layer memory cell acting

Aufgabe vorliegender Erfindung ist es, ein Ver- gnetfelder bei dem erfindungsgemäßen Verfahren zur fahren zur Speicherung binärer Information anzu- Speicherung von binärer Information, geben, welches unter Vermeidung der angeführten F i g. 3 bis 5 die Amplituden und Richtungen derThe object of the present invention is to provide a wet field in the method according to the invention drive to store binary information to store binary information, give which, avoiding the cited F i g. 3 to 5 the amplitudes and directions of the

Nachteile eine Verbesserung des Selektionsverhält- 15 auf eine Speicherzelle einwirkenden Magnetfelder bei nisses und des Nutzsignal-Störsignal-Verhältnisses drei verschiedenen Varianten des erfindungsgemäßen beim Speicherbetrieb gestattet und das unabhängig Speicherverfahrens,Disadvantages include an improvement in the selection ratio magnetic fields acting on a memory cell Nisses and the useful signal-to-noise ratio are three different variants of the invention permitted during storage operation and the independent storage process,

von dem zu speichernden Binärwert eine gleichblei- Fig. 6a bis 6c die Anordnung der Bandleiter undfrom the binary value to be stored a constant

bende Polarität der Treiberströme ermöglicht. der Ausleseleitung für eine einzelne Magnetschicht-Bending polarity of the driver currents allows. the readout line for a single magnetic layer

Eine weitere Aufgabe der Erfindung besteht darin, 20 Speicherzelle in Draufsicht, Querschnitt und schemaeine vorteilhafte Ausführungsform eines nach dem tischer Darstellung,Another object of the invention is to provide 20 memory cells in plan view, cross section and schematic advantageous embodiment of a table representation,

erfindungsgemäßen Verfahren arbeitenden Matrix- Fig. 7 eine Schaltungsanordnung eines Magnetspeichers anzugeben. Schichtspeichers, der nach dem erfindungsgemäßenMethod according to the invention working matrix- Fig. 7 shows a circuit arrangement of a magnetic memory to specify. Layered memory, according to the invention

Das Verfahren gemäß vorliegender Erfindung be- Verfahren betrieben wird, steht darin, daß zum Auslenken der Magnetisierung 25 Fig. 8 die auf eine aufgerufene Speicherzelle des in die Richtung der schweren Achse zwei in einem Magnetschichtspeichers gemäß Fig.7 einwirkenden vorgegebenen Winkel zumindest annähernd symme- Magnetfelder in ihrer zeitlichen Relation zueinander, irisch zu beiden Seiten der schweren Achse verlau- Fig. 9 eine Schaltungsanordnung eines Magnet-The method according to the present invention is operated method, stands in the fact that for deflecting the magnetization 25 Fig. 8, the memory cell of the called up acting in the direction of the heavy axis two in a magnetic layer storage device according to FIG given angle at least approximately symmetrical magnetic fields in their temporal relation to each other, irish on both sides of the heavy axis. Fig. 9 shows a circuit arrangement of a magnet

fende Magnetfelder verwendet werden, die wenig- Schichtspeichers mit einem verbesserten Selektionsstens annähernd gleich groß sind und unterhalb der 30 verhältnis beim Aufruf einer Speicherzelle und einem Drehschaltschwelle liegen, daß das aus beiden Ma- optimalen Nutzsignal-Störsignal-Verhältnis beim Ausgnetfeldern und gegebenenfalls einem oder mehreren lesen,fende magnetic fields are used, the little-stratified storage with an improved selection are approximately the same size and below the 30 ratio when calling a memory cell and a Rotary switching threshold are that the useful signal-interference signal ratio which is optimal from the two measures in the case of Ausgnetfeldern and if necessary read one or more,

zusätzlichen richtungsneutralen Magnetfeldern resul- F i g. 10 die auf eine aufgerufene Speicherzelle desadditional direction-neutral magnetic fields result in F i g. 10 the on a called memory cell of the

tierende Magnetfeld größer ist als die Anisotropie- Magnetschichtspeichers gemäß Fig. 9 einwirkenden feldstärke der Speicherzelle und daß zur Festlegung 35 Magnetfelder in ihrer zeitlichen Relation zueinander, des jeweils einzustellenden Speicherzustandes wahl- Zunächst wird das Schaltverhalten einer aus eineranimal magnetic field is greater than the anisotropy magnetic layer memory according to FIG. 9 acting field strength of the memory cell and that to define 35 magnetic fields in their temporal relation to each other, of the memory state to be set in each case. First, the switching behavior is one of one

weise das eine oder das andere der beiden Magnet- dünnen magnetischen Schicht bestehenden Speicherfelder gegenüber dem verbleibenden Feld zeitlich ver- zelle, welche beispielsweise eine Dicke zwischen zögert abgeschaltet wird. einigen 100 bis einigen 1000 A (1A = 10~⁸ cm) auf-For example, one or the other of the two magnetically thin magnetic layers existing storage fields are temporally delayed with respect to the remaining field, which, for example, is switched off a thickness between hesitations. several 100 to several 1000 A (1A = 10 ~ ⁸ cm)

Das erfindungsgemäße Verfahren hat den Vorteil, 40 weist, qualitativ erklärt. Die Magnetschicht, die übdaß während des Speicherbetriebes in erster Linie licherweise aus einer Nickel-Eisen-Legierung besteht, Magnetfelder zur Anwendung kommen, die im we- kann auf verschiedene Weise hergestellt werden; gesentlichen quer zur magnetischen Vorzugsrichtung bräuchliche Verfahren sind z. B. Aufdampfen im Vaverlaufen, so daß ein Rotationsschalten gewährleistet kuum, galvanisches oder elektrolytisches Abscheiden, ist. Ein weiterer Vorteil besteht darin, daß die Treib- 45 Niederschlagen der Schicht durch Kathodenzerstäuimpulse eine gleichbleibende Polarität aufweisen bung oder Verdampfen durch Ionenbombardement, können. Es wird nun auf F i g. 1 Bezug genommen. Die durchThe method according to the invention has the advantage, 40 has, explained qualitatively. The magnetic layer that ought to consists primarily of a nickel-iron alloy during storage operation, Magnetic fields are used, which can be produced in various ways; common Common methods transverse to the preferred magnetic direction are e.g. B. Vapor deposition, so that rotary switching ensures vacuum, galvanic or electrolytic deposition, is. Another advantage is that the driving 45 deposition of the layer by cathode sputtering pulses have a constant polarity by exercise or evaporation by ion bombardment, can. It is now shown on FIG. 1 referred to. By

Ein Magnetschichtspeicher zum Speichern binärer die uniaxiale magnetische Anisotropie in der Magnet-Information nach dem Verfahren gemäß vorliegender schicht vorhandene Vorzugslage (leichte Richtung) Erfindung, welcher eine Anzahl Magnetschicht- 50 für die Magnetisierung entspricht der H_x-AcIiSe, die Speicherzellen mit einer uniaxialen Anisotropie so- dazu senkrechte (harte) Richtung entspricht der H_y wie erste und zweite felderzeugende, selektiv ansteuer- Achse, Das theoretisch zu erwartende Schaltverhalten bare Treibleitungen aufweist, die in zwei Richtungen der Magnetisierung beim Anlegen eines äußeren matrixförmig angeordnet sind und an deren Kreu- Magnetfeldes ist durch die »kritische Kurve« 11, die zungsstellensichdieeinzelnenMagnetschicht-Speicher- 55 aus der Literatur bekannt ist, beschreibbar. Es hanzellen befinden, besteht erfindungsgemäß darin, daß delt sich um eine Astroide. Demnach wäre anzuam Ort einer Magnetschicht-Speicherzelle die Achse nehmen, daß eine schnelle irreversible Drehung der einer ersten Treibleitung und die Achse einer zweiten Magnetisierung der Schicht eintritt, wenn die Spitze Treibleitung unter einem vorgegebenen spitzen Win- des das angelegte äußere Magnetfeld repräsentiekel symmetrisch zur Vorzugsachse der Magnetschicht 60 renden Feldvektors, der vom Koordinatenursprung angeordnet sind und daß mit den Treibleitungen ver- aus aufgetragen wird, außerhalb der kritischen Kurve bundenen Treiberstufen eine Verzögerungsschaltung liegt, und daß ein reversibles Schaltverhalten der zugeordnet ist, die zur zeitlich gestaffelten Beendi- Schicht vorliegt, wenn die Spitze des Feldvektors ingung von koinzidenten, untereinander im wesent- nerhalb der kritischen Kurve liegt. In der Praxis hat liehen gleich starken Stromimpulsen auf den beiden 65 sich jedoch gezeigt, daß das tatsächliche Schaltver-Treibleitungen dient. halten von dem durch die kritische Kurve angege-A magnetic layer memory for storing binary the uniaxial magnetic anisotropy in the magnetic information according to the method according to the present layer-present preferred position (easy direction) invention, to which a number of magnetic _{layers 50 for the magnetization corresponds to the H x} -AcIiSe, the memory cells with a uniaxial anisotropy so the perpendicular (hard) direction corresponds to the H _y as the first and second field-generating, selective control axis, the theoretically expected switching behavior has driveline conductors that are arranged in two directions of magnetization when an outer one is applied in the form of a matrix and at their cross The magnetic field can be described by the "critical curve" 11, which is known from the literature for the individual magnetic layer memory 55. There are hanzellen, according to the invention, that delt around an astroid. Accordingly, at the location of a magnetic layer memory cell, the axis would be such that a rapid irreversible rotation of a first drive line and the axis of a second magnetization of the layer occurs when the tip drive line under a given acute wind represents the external magnetic field applied symmetrically to the preferred axis the magnetic layer 60 generating field vector, which are arranged from the origin of the coordinates and that is applied with the drive lines, a delay circuit is outside the critical curve of the driver stages bound, and that a reversible switching behavior is assigned to that which is present for the staggered termination layer, when the tip of the field vector is coincident with each other and lies essentially within the critical curve. In practice, however, it has been shown that the current impulses of the same strength on the two 65 are actually used for switching distribution lines. hold of the one indicated by the critical curve

Verschiedene vorteilhafte Ausgestaltungen des benen Idealfall abweicht. Zwischen reversibler und Verfahrens gemäß der Erfindung und des zu dessen irreversibler Drehung der Magnetisierung gibt esVarious advantageous configurations deviate from the ideal case below. Between reversible and There are methods according to the invention and that for its irreversible rotation of the magnetization

einen Bereich, in welchem partielle Umschaltungen der Magnetisierung auftreten (Kriech-Zone). Die damit verbundenen Wandschaltprozesse sind relativ langsam. Dieser Bereich für partielles Schalten, der etwa durch die Kurven 12 und 13 begrenzt wird, ist bei den Magnetschichten nicht ganz einheitlich und hängt unter anderem auch von den Bedingungen bei der Herstellung der Schichten ab. Man bestimmt die Kurven 12 und 13 in der Praxis am besten durch experimentelles Ausmessen der Schicht. Die Kurve 12 begrenzt den inneren Bereich, in dem kein irreversibles Umschalten der Magnetisierung auftritt. Die Kurve 13 begrenzt den äußeren Bereich, in dem ein schnelles Umschalten der Magnetisierung durch Rotationsschalten auftritt, wobei praktisch alle magnetischen Dipole der Magnetschicht an der Umschaltung teilnehmen. Bei dem partiellen Umschalten, das in dem Bereich zwischen den Kurven 12 und 13 auftritt, schaltet nur ein Teil der magnetischen Dipole um, so daß es zu einer Aufspaltung der Magnetschicht in mehrere Domänen mit unterschiedlicher Magnetisierungsrichtung, d. h. unterschiedlicher Ausrichtung der magnetischen Dipole kommt.an area in which partial switchovers of the magnetization occur (creep zone). The one with it connected wall switching processes are relatively slow. This area for partial shifting, the is limited by curves 12 and 13, is not completely uniform in the magnetic layers and depends, among other things, on the conditions during the production of the layers. You determine that Curves 12 and 13 are best done in practice by measuring the layer experimentally. The curve 12 limits the inner area in which no irreversible switching of the magnetization occurs. the Curve 13 limits the outer area in which a rapid switching of the magnetization occurs Rotary switching occurs, with practically all of the magnetic dipoles of the magnetic layer being involved in the switching take part. In the case of the partial switchover that occurs in the area between curves 12 and 13 occurs, only a part of the magnetic dipoles switches over, causing the magnetic layer to split up into several domains with different directions of magnetization, d. H. different orientation of the magnetic dipoles comes.

Bei einer Magnetschicht-Speicherzelle mit uniaxialer magnetischer Anisotropie und Eindomänenstruktur nimmt die Magnetisierung — wenn kein äußeres Magnetfeld vorhanden ist — eine Vorzugslage parallel zur leichten Richtung (jfi^-Achse in Fig. 1) ein. Es gibt grundsätzlich zwei Einstellungen der Magnetisierung in der Vorzugslage, nämlich, parallel (+H_x) und antiparallel (-H_x) in der leichten Richtung. Diese zwei Einstellungen dienen zur Darstellung der zwei binären Werte »1« und »0«. Wenn man in der Schichtebene ein äußeres Magnetfeld H anlegt, dessen Richtung um einen gewissen Winkel von der leichten Richtung abweicht, so wird — wie bekannt ist — die Magnetisierung aus der leichten Richtung herausgedreht oder ausgelenkt.In the case of a magnetic layer memory cell with uniaxial magnetic anisotropy and a single-domain structure, the magnetization - if no external magnetic field is present - assumes a preferred position parallel to the easy direction (jfi ^ axis in FIG. 1). There are basically two settings of the magnetization in the preferred position, namely, parallel (+ H _x ) and anti-parallel (-H _x ) in the easy direction. These two settings are used to represent the two binary values "1" and "0". If an external magnetic field H is applied in the plane of the layer, the direction of which deviates from the easy direction by a certain angle, then - as is known - the magnetization is rotated or deflected out of the easy direction.

Die Richtung des die Auslenkung der Magnetisierung kennzeichnenden Magnetisierungsvektors kann mit Hilfe der kritischen Kurve 11 allgemein ermittelt werden, indem man den Magnetfeldvektor H vom Koordinatenursprung aus aufträgt und von der Spitze des H-Vektors die Tangenten T₁ und T₂ an diejenigen Teile der kritischen Kurve zeichnet, die in derselben Halbebene (obere bzw. untere) liegen wie die Spitze des H-Vektors. Bei der Ausgangslage »1« verläuft die durch den Magnetisierungsvektor M₁ dargestellte Auslenkungsrichtung der Magnetisierung parallel zur Richtung der Tangente T₁, bei der Ausgangslage »0« verläuft die durch den Magnetisierungsvektor M₂ dargestellte Auslenkungsrichtung der Magnetisierung parallel zur Richtung der Tangente T₂. Ist das äußere Magnetfeld so groß, daß die Spitze des Magnetfeldvektors H außerhalb der kritischen Kurve zu liegen kommt, so läßt sich von der Spitze nur eine Tangente an denjenigen Teil der kritischen Kurve zeichnen, der in derselben Halbebene liegt; jetzt schaltet die Magnetisierung — unabhängig von der Ausgangslage »0« oder »1« —■ in die durch diese Tangente gekennzeichnete Auslenkungsrichtung um.The direction of the magnetization vector characterizing the deflection of the magnetization can generally be determined with the help of the critical curve 11 by plotting the magnetic field vector H from the origin of the coordinates and the tangents T ₁ and T ₂ to those parts of the critical curve from the tip of the H vector draws that lie in the same half-plane (upper or lower) as the tip of the H- vector. In the starting position "1", the direction of _{deflection of the magnetization represented by the magnetization vector M 1} runs parallel to the direction of the tangent T ₁ , in the starting position "0" the direction of _{deflection of the magnetization shown by the magnetization vector M 2} runs parallel to the direction of the tangent T ₂ . If the external magnetic field is so large that the tip of the magnetic field vector H comes to lie outside the critical curve, only a tangent can be drawn from the tip to that part of the critical curve which lies in the same half-plane; now the magnetization switches - regardless of the starting position »0« or »1« - ■ in the direction of deflection indicated by this tangent.

Beim Abschalten des äußeren Magnetfeldes kehrt die Magnetisierung in die nächst benachbarte Vorzugslage zurück. Der Bereich leichter Beeinflußbarkeit für die Umschaltung der Magnetisierung in die »1«- bzw. »O«-Lage befindet sich bei den Spitzen der kritischen Kurve in der harten Richtung, d. h. bei den Punkten H₃, = +H_K bzw. H_y = —H_K. Der Wert H_K gibt die Anisotropiefeldstärke der Magnetschicht an; sie ist bei heute gebräuchlichen Schichten in der Größenordnung von etwa 2 bis 5 Oersted.When the external magnetic field is switched off, the magnetization returns to the next adjacent preferred position. The area that can be easily influenced for switching the magnetization to the "1" or "O" position is at the peaks of the critical curve in the hard direction, ie at points H ₃ , = + H _K or H _y = —H _K. The value H _K indicates the anisotropy field strength of the magnetic layer; it is in the order of magnitude of about 2 to 5 oersteds in the layers commonly used today.

Zur Erläuterung des Verfahrens zur Speicherung von Informationen gemäß der vorliegenden Erfindung wird auf F i g. 2 Bezug genommen. Demgemäß überlagert man am Ort der aufgerufenen Magnetschicht-Speicherzelle zwei Magnetfelder H₁ und H₂, die dem Betrag nach von gleicher Feldstärke sind, deren Richtungen jedoch unter einem vorgegebenen Winkel * symmetrisch zu beiden Seiten der harten Richtung liegen. Der Winkel <x und der Betrag der Feldstärke von H₁ und H₂ werden so gewählt, daß einerseits die Spitzen der einzelnen Feldvektoren H₁ und H₂ noch innerhalb des von der Kurve 12 abgegrenzten Bereichs liegen und daß andererseits die Spitze 14 des aus den beiden Feldvektoren H₁ und H₂ resultierenden Vektors außerhalb des durch die Kurve 13 begrenzten Bereichs für partielles Schalten liegt, wie es in F i g. 2 dargestellt ist. Auf diese Weise werden alle magnetischen Dipole der aufgerufenen Magnetschicht-Speicherzelle in die harte Richtung ausgelenkt; sie befinden sich dann im Zustand leichter Beeinflußbarkeit in bezug auf einen Übergang in dieTo explain the method for storing information according to the present invention, reference is made to FIG. 2 referred to. Accordingly, two magnetic fields H ₁ and H _{2 are} superimposed at the location of the called up magnetic layer memory cell , the magnitude of which is of the same field strength, but whose directions are symmetrical on both sides of the hard direction at a predetermined angle *. The angle <x and the magnitude of the field strength of H ₁ and H ₂ are chosen so that on the one hand the peaks of the individual field vectors H ₁ and H _{2 are} still within the range delimited by the curve 12 and that on the other hand the tip 14 of the The vector resulting from both field vectors H ₁ and H ₂ lies outside the range for partial switching bounded by curve 13, as shown in FIG. 2 is shown. In this way, all magnetic dipoles of the magnetic layer memory cell called up are deflected in the hard direction; they are then in the state of easy influenceability with regard to a transition to the

a5 »1«- bzw. »O«-Lage. Wenn das FeIdZi₂ zeitlich früher als das Feld H₁ abgeschaltet wird, so bedingt der langer dauernde Einfluß des Feldes H₁, daß die Magnetisierung in die »1«-Lage zurückschaltet. Wenn hingegen das Feld H₁ zeitlich früher als das Feld H₂ abgeschaltet wird, so schaltet die Magnetisierung in die »0«~Lage zurück.a5 »1« or »O« position. When the FeIdZi ₂ is turned off earlier in time than the field H _1, so long lasting due to the influence of the field H _1, the magnetization switches back to the "1" -layer. If, on the other hand, the field H ₁ is switched off earlier than the field H ₂ , the magnetization switches back to the "0" position.

Vorteilhafte Weiterbildungen dieses Speicherverfahrens bestehen darin, daß man eine Überlagerung von mehr als zwei Feldern vorsieht, wodurch sich die vorgegebenen Schaltbereiche einer Magnetschicht besser ausnutzen lassen. Zu den symmetrisch zur harten Richtung geneigten Feldern H₁ und H₂ kommen dann noch weitere Magnetfelder hinzu, welche parallel oder antiparallel zur harten Richtung liegen können. Drei solcher Varianten werden im folgenden aufgezeigt.Advantageous further developments of this storage method consist in that a superposition of more than two fields is provided, whereby the predetermined switching areas of a magnetic layer can be better utilized. In addition to the fields H ₁ and H ₂ , which are symmetrically inclined to the hard direction, there are then additional magnetic fields which can be parallel or antiparallel to the hard direction. Three such variants are shown below.

Es wird auf F i g. 3 Bezug genommen, wo wieder die das Schaltverhalten der Magnetschicht kennzeichnenden Kurven 11, 12 und 13 dargestellt sind. Man überlagert am Ort der aufgerufenen Magnetschicht-Speicherzelle zwei Magnetfelder H₁ und H₂, die dem Betrag nach von gleicher Feldstärke sind und deren Richtungen wieder unter einem vorgegebenen Winkel symmetrisch zu beiden Seiten der harten Richtung liegen, und ein drittes Magnetfeld H₃, das parallel zur harten Richtung verläuft und in bezug auf die Feldkomponenten von H₁ und H₂ in der harten Richtung gleichgerichtet ist. Für die Wahl des Winkels und die Feldstärken von H₁, H₂ und H₃ gilt wieder die Bedingung, daß die Spitzen der einzelnen Feldvektoren H₁, H₂ und H_s innerhalb des von der Kurve 12 abgegrenzten Bereichs liegen und daß die Spitze 15 des resultierenden Vektors aus den drei Feldvektoren H₁, H₂ und H₃ außerhalb des durch die Kurve 13 be-It is shown on FIG. 3, where the curves 11, 12 and 13 which characterize the switching behavior of the magnetic layer are shown again. At the location of the called up magnetic layer memory cell, two magnetic fields H ₁ and H _{2 are} superimposed, which have the same field strength in terms of magnitude and whose directions are again at a predetermined angle symmetrically on both sides of the hard direction, and a third magnetic field H ₃ , the is parallel to the hard direction and is unidirectional with respect to the field components of H ₁ and H ₂ in the hard direction. For the selection of the angle and the field strengths of H ₁ , H ₂ and H ₃ , the condition applies again that the peaks of the individual field vectors H ₁ , H ₂ and H _s lie within the area delimited by curve 12 and that the peak 15 of the resulting vector from the three field vectors H ₁ , H ₂ and H ₃ outside the area determined by curve 13

grenzten Bereichs für partielles Schalten liegt, wie es in F i g. 3 angedeutet ist. Wenn die Abschaltung der Felder in der Reihenfolge H₂-H₃-H₁ oder H_n-H₁-H₃ erfolgt, so schaltet die Magnetisierung in die »1«- Lage zurück, wenn hingegen die Abschaltung der Felder in der Reihenfovlge H₁-H₃-H₂ oder Η_Λ-Η₂-Η₃ erfolgt, so schaltet die Magnetisierung in die »0«- Lage zurück. Die Organisation eines nach dem soeben beschriebenen Speicherverfahrens betriebenen Ma-limited range for partial switching, as shown in FIG. 3 is indicated. If the shutdown of the fields in the order H ₂ -H ₃ H ₁ or H _n -H done ₁ -H _3, the magnetization switches "in the" 1 - back position, whereas if the shutdown of the fields in the Reihenfovlge H ₁ -H ₃ -H ₂ or Η _Λ -Η ₂ -Η ₃ occurs, the magnetization switches back to the "0" position. The organization of a ma-

gnetschichtspeichers ist so zu treffen, daß in der auf- und die Feldstärken von H₁, H₂, H_s und H₄ gelten gerufenen Speicherzelle eine Überlagerung aller drei die folgenden Bedingungen: Die Spitze des einzelnen Felder zustande kommt und am Ort der nur halb auf- Feldvektors H₄ muß innerhalb des von der Kurve 12 gerufenen Speicherzellen jeweils nur ein Feld H₁ oder abgegrenzten Bereichs liegen; gleichfalls müssen die H₂ oder H₃ wirksam ist. Der Fall einer möglichen 5 Spitzen 19, 20 und 21 der Resultierenden aus der Überlagerung von zwei Feldern am Ort einer Überlagerung der Felder H₄ und H₁ bzw. H₄ und H₂ Speicherzelle ist auszuschließen. Es wird später noch bzw. H₄ und H₃ innerhalb des von der Kurve 12 abgezeigt werden, auf welche Weise diese Art der gegrenzten Bereichs liegen; die Spitze 22 des resul-Selektion verwirklicht werden kann. tierenden Vektors aus den vier Feldvektoren H₁, H₂, gnetschichtspeichers is to be met in such a way that in the up and the field strengths of H ₁ , H ₂ , H _s and H ₄ are called a superposition of all three of the following conditions: The top of the individual fields comes about and at the location of only half on field vector H ₄ must lie within the memory cells called by curve 12 only one field H ₁ or a delimited area; likewise the H ₂ or H _{3 must} be effective. The case of a possible 5 peaks 19, 20 and 21 of the resultant from the superposition of two fields at the location of an overlay of the fields H ₄ and H ₁ or H ₄ and H ₂ memory cell is to be excluded. It will be shown later or H ₄ and H ₃ within the curve 12 in which way this type of delimited area lies; the top 22 of the resul selection can be realized. animal vector from the four field vectors H ₁ , H ₂ ,

Es wird jetzt auf F i g. 4 Bezug genommen, wo eine io H₃ und H₄ muß außerhalb des durch die Kurve 13 weitere Variante des erfindungsgemäßen Speicher- begrenzten Bereichs für partielles Schalten liegen, wie Verfahrens dargestellt ist. Das Schaltverfahren der es aus F i g. 5 hervorgeht. Wenn die Abschaltung der Magnetschichten ist wieder durch die Kurven 11, 12 Felder in der Reihenfolge H₂-H₃-H₁-H^ oder und 13 gekennzeichnet. Zusätzlich zu den zwei Ma- H₂-H₁-H₃-H^ erfolgt, so schaltet die Magnetisierung gnetfeidern H₁ und H₂, die dem Betrag nach von 15 in die »1«-Lage zurück. Ist die Reihenfolge der Abgleicher Feldstärke sind und deren Richtung wieder schaltung H₁-H₃-H₂-H₄ oder H₁-H₂-H₃-H₁, so schalunter einem vorgegebenen Winkel symmetrisch zu tet die Magnetisierung in die »O«-Lage zurück. Die beiden Seiten der harten Richtung liegen, kommt ein Organisation eines nach diesem Speicherverfahren bedrittes Magnetfeld H₁ hinzu, das parallel zur harten triebenen Magnetspeichers ist so zu treffen, daß in Richtung verläuft und in bezug auf die Feldkompo- 20 der aufgerufenen Speicherzelle eine Überlagerung nenten von H₁ und H₂ in der harten Richtung ent- aller vier Felder zustande kommt, während am Ort gegengerichtet ist. Für die Wahl des Winkels und die der halb aufgerufenen Speicherzellen jeweils nur zwei Feldstärken von H₁, H₂ und H₄ gelten folgende Be- Felder, entweder H₁ und H₄ oder H₂ und H₄ oder H₃ dingungen: Die Spitze des einzelnen Feldvektors H₄ und H₄, überlagert sind. Dieser Forderung wird man muß innerhalb des von der Kurve 12 abgegrenzten 25 am besten dadurch gerecht, daß das FeIdH₄, das Bereichs liegen; auch die Spitzen 16 und 17 der aus zweckmäßigerweise als erstes ein- und als letztes abder Überlagerung der Feldvektoren H₄ und H₁ bzw. geschaltet wird, auf alle Speicherzellen einer Ebene H₄ und H₂ resultierenden Vektoren müssen innerhalb des Magnetschichtspeichers einwirkt. Aus der Dardes von der Kurve.12 abgegrenzten Bereichs liegen; stellung in Fig. 5 geht anschaulich hervor, daß bei die Spitze 18 des resultierenden Vektors aus den drei 30 der hier angenommenen Reihenfolge des Abschaltens Feldvektoren H₁, H₂ und H₄ muß außerhalb des der Felder die Resultierende im kritischen Gebiet um durch die Kurve 13 begrenzten Bereichs für partielles H₃, = +H_K eine eindeutige Feldkomponente von Schalten liegen. Wenn die Abschaltung der Felder in etwa 0,2 H_K parallel zur leichten Richtung aufweist, der Reihenfolge H₂-H₁-H₁ erfolgt, so schaltet die wobei die Spitze der Resultierenden im Bereich des Magnetisierung in der »1«-Lage zurück. Wenn jedoch 35 Rotationsschaltens liegt. Damit ist ein eindeutiges die Abschaltung der Felder in der Reihenfolge Umschalten der Magnetisierung in die gewünschte H₁-H₂-H₁₁ erfolgt, so schaltet die Magnetisierung in Vorzugslage und, wenn alle Felder schließlich abgedie »O«-Lage zurück. Bei dieser Variante des erfin- schaltet sind, eine eindeutige Speicherung der gedungsgemäßen Speicherverfahrens ist also darauf zu wünschten Information gewährleistet,
achten, daß das Feld H₄ immer als erstes ein- und 4° In einer praktischen Ausführungsfonn werden die als letztes abgeschaltet wird. Die Organisation eines Magnetfelder durch Bandleiter erzeugt, die sich über nach diesem Speicherverfahren betriebenen Magnet- die Magnetschicht-Speicherzelle erstrecken. In Schichtspeichers ist so zu treffen, daß in der aufge- Fig. 6a ist die Bandleiteranordnung für eine einrufenen Speicherzelle eine Überlagerung aller drei zelne Magnetschicht-Speicherzelle in Draufsicht und Felder und am Ort der halb aufgerufenen Speicher- 45 in Fig. 6b im Querschnitt gezeigt. Auf einer Trägerzellen jeweils eine Überlagerung zweier Felder H₁ grundplatte 23 (z. B. aus Glas oder Kunststoff) be- und H₄ oder H₂ und H₄ zustande kommt. Dieser Be- findet sich eine elektrisch leitende, metallische, dünne dingung trägt man am besten dadurch Rechnung, daß Schicht 24 (z. B. eine aufgedämpfte Kupferfolie), das Feld H₄ auf alle Speicherzellen einer Ebene des Darüber liegt eine dünne Isolierschicht 25 (z. B. aus Magnetschichtspeichers einwirken gelassen wird. Ein 5° Siliziumoxyd). Dann folgt die Magnetschicht-Ausführungsbeispiel für diese Art der Selektion wird Speicherzelle 26, die beispielsweise eine runde Form später noch beschrieben werden. haben kann. Oberhalb der Speicherzelle erstrecktIt is now shown on FIG. Referring to FIG. 4, where an io H ₃ and H ₄ must lie outside the further variant of the memory-limited area according to the invention for partial switching by curve 13, as shown in the method. The switching method of FIG. 5 emerges. When the disconnection of the magnetic layers is again indicated by the curves 11, 12 fields in the order H ₂ -H ₃ -H ₁ -H ^ or and 13. In addition to the two Ma- H ₂ -H ₁ -H ₃ -H ^ occurs, the magnetization switches H ₁ and H ₂ back to the "1" position according to the amount of 15. If the sequence of the equalizers is field strength and their direction is again switching H ₁ -H ₃ -H ₂ -H ₄ or H ₁ -H ₂ -H ₃ -H ₁ , then the magnetization in the> O is symmetrical at a given angle «-Location back. The two sides of the hard direction are, there is an organization of a third magnetic field H ₁ according to this storage method, which is parallel to the hard driven magnetic storage device so that it runs in the direction and is superimposed on the field components of the memory cell called up of H ₁ and H ₂ in the hard direction comes from all four fields, while at the location is opposite. For the choice of the angle and the half-accessed memory cells only two field strengths of H ₁ , H ₂ and H ₄ apply the following fields, either H ₁ and H ₄ or H ₂ and H ₄ or H ₃ conditions: The tip of the individual field vector H ₄ and H ₄ , are superimposed. This requirement must best be met within the 25 delimited by the curve 12 by the fact that the FeIdH ₄ , the area; Also the tips 16 and 17, which are expediently switched on first and last from the superposition of the field vectors H ₄ and H ₁ or respectively, vectors resulting from all memory cells of a plane H ₄ and H ₂ must act within the magnetic layer memory. From the Dardes area delimited by curve. 12 lie; Position in Fig. 5 clearly shows that at the tip 18 of the resulting vector from the three 30 of the sequence of disconnection assumed here, field vectors H ₁ , H ₂ and H ₄ must outside of the fields the resultant in the critical area around the curve 13 limited area for partial H ₃ , = + H _{K are} a unique field component of switching. If the switch-off of the fields is approximately 0.2 H _K parallel to the easy direction, in the order H ₂ -H ₁ -H ₁ , the point of the resultant switches back to the "1" position in the area of the magnetization . However, if there is 35 rotation switching. This clearly switches off the fields in the order of switching the magnetization to the desired H ₁ -H ₂ -H ₁₁ , so the magnetization switches to the preferred position and, when all fields finally turned off, back to the "O" position. With this variant of the invented, a clear storage of the intended storage method is therefore guaranteed to the desired information,
ensure that field H _{4 is} always switched on first and 4 °. In a practical embodiment, these are switched off last. The organization of a magnetic field is generated by strip conductors, which extend over the magnetic layer memory cell operated according to this storage method. In layered storage is to be made so that in Fig. 6a the strip conductor arrangement for a recalled memory cell is an overlay of all three individual magnetic layer memory cell in plan view and fields and at the location of the half-called memory 45 shown in Fig. 6b in cross section . On a carrier _{cell, two fields H 1 are} superimposed on the base plate 23 (e.g. made of glass or plastic) and H ₄ or H ₂ and H _{4 are created} . If there is an electrically conductive, metallic, thin condition, it is best to take account of the fact that layer 24 (e.g. a vapor-deposited copper foil), the field H ₄ on all storage cells on a level above, is a thin insulating layer 25 ( For example, from magnetic layer memory is allowed to act (a 5 ° silicon oxide). Then follows the magnetic layer embodiment for this type of selection is memory cell 26, which for example a round shape will be described later. may have. Extends above the memory cell

Eine dritte Variante des erfindungsgemäßen sich als erstes die Ablesebandleitung 29, deren Längs-Speicherverfahrens wird nun unter Bezugnahme auf achse orthogonal zur leichten Richtung 27 der Schicht Fig. 5 erläutert. Die Kurvenil, 12 und 13 kenn- 55 verläuft. Zwischen Speicherzelle 26 und Ablesebandzeichnen wieder die Schaltbereiche einer Magnet- leitung 29 befindet sich eine isolierende Zwischenschicht. Den beiden Magnetfeldern H₁ und H₂, die schicht 28. Darüber liegen die der Felder H₁ und H₂ dem Betrag nach von gleicher Feldstärke sind und erzeugenden Bandleiter 31 und 33; welcher der deren Richtungen unter einem vorgegebenen Winkel beiden Bandleiter der Speicherzelle näher liegt, ist symmetrisch zu beiden Seiten der harten Richtung 60 nicht wesentlich. In Fig. 6a, 6b ist die Anordnung liegen, werden zwei weitere Magnetfelder H_s und H₄ so dargestellt, daß auf die Ablesebandleitung 29 als überlagert, die beide parallel zur harten Richtung nächstes der Bandleiter 31 und dann der Bandleiter verlaufen, in ihrer Polarität jedoch entgegengerichtet 33 folgen. Die einzelnen Bandleiter sind voneinander sind; und zwar ist das Feld H₃ in bezug auf die Feld- durch isolierende Zwischenschichten getrennt. Die komponenten von H₁ und H₉ in der harten Richtung 65 Isolierschicht 30 trennt den Bandleiter 31 von der gleichgerichtet, während das Feld H₄ in bezug auf die Ablesebandleitung 29; die Isolierschicht 32 trennt den Feldkomponenten von H₁ und H₂ in der harten Rieh- Bandleiter 33 vom Bandleiter 31. Die Bandleiter tung entgegengesetzt ist. Für die Wahl des Winkels können z. B. durch aufgedampfte dünne Kupfer-A third variant of the invention is first the reading tape line 29, the longitudinal storage method of which is now explained with reference to the axis orthogonal to the easy direction 27 of the layer in FIG. 5. Curves 12 and 13 are typical. An insulating intermediate layer is located between the memory cell 26 and the reading tape again, the switching areas of a magnetic line 29. The two magnetic fields H ₁ and H ₂ , the layer 28. Above are the fields H ₁ and H _{2 are of} the same field strength and generating strip conductors 31 and 33; which of the two strip conductors of the memory cell is closer to the two strip conductors of the memory cell at a predetermined angle is not important symmetrically on both sides of the hard direction 60. In Fig. 6a, 6b the arrangement is, two further magnetic fields H _s and H ₄ are shown so that superimposed on the reading tape line 29, both of which run parallel to the hard direction next the tape conductor 31 and then the tape conductor, in their polarity however, follow 33 in the opposite direction. The individual tape conductors are from each other; namely, the field H _{3 is separated} with respect to the field by insulating intermediate layers. The components of H ₁ and H ₉ in the hard direction 65 insulating layer 30 separates the ribbon conductor 31 from the rectified, while the field H ₄ with respect to the reading ribbon line 29; the insulating layer 32 separates the field components of H ₁ and H ₂ in the hard Rieh strip conductor 33 from the strip conductor 31. The strip conductor device is opposite. For the choice of the angle z. B. by vapor-deposited thin copper

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schichten hergestellt sein. Die Stirnseiten 34 und 35 selektiv aktiviert werden. Es wird jeweils ein Tor aus der Bandleiter sind mit der Metallschicht24 elektrisch der Gruppe der Tore TX und ein Tor aus der Gruppe leitend verbunden, so daß in ihr der einer Bandleitung der Tore TY aktiviert und zum Durchlassen eines zugeführte Strom zurückfließen kann. Die Längs- Impulses, der mittels der Eingangsleitungen 46 bis 49 achsen der Bandleiter 31 und 33 bilden miteinander 5 bzw. 56 bis 59 zugeführt wird, in Bereitschaft gesetzt, einen spitzen Winkel 2 a; α ist identisch mit dem vor- Die Eingangsleitungen zu den Toren TX sind an gegebenen Winkel, den die Felder H₁ und H₂ mit der einen ersten gemeinsamen Anschlußpunkt 62 und die harten Richtung einschließen (vgl. z. B. Fig. 2). Ein Eingangsleitungen zu den Toren TY sind an einen Strom durch den Bandleiter 31 erzeugt am Ort der zweiten gemeinsamen Anschlußpunkt 63 geführt. Die Speicherzelle 26 ein Magnetfeld H₁, dessen Richtung 10 Anordnung der X- und Y-Bandleiter in bezug auf um den Winkel« von der harten Richtung der die Speicherzellen und die Anordnung der Tor-Speicherzelle im Uhrzeigersinn abweicht. Ein Strom Eingangsleitungen ist so getroffen, daß die Laufzeit durch den Bandleiter 33 erzeugt am Ort der Speicher- eines Impulses vom Anschlußpunkt 62 zu einer bezelle 26 ein Magnetfeld H₂, dessen Richtung um den stimmten Speicherzelle etwa gleich ist der Laufzeit Winkel α von der harten Richtung im Gegenuhr- 15 eines Impulses vom Anschlußpunkt 63 zu der bezeigersinn abweicht. treffenden Speicherzelle. Der Anschlußpunkt 62 ist Natürlich ist auch eine Anordnung möglich, bei über einen Leiter 64 mit einer Stromanschlußklemme der anstatt der als gemeinsame Rückführung dienen- 60 und der einen Seite einer Impulsverzögerungsstufe den Metallschicht 24 Doppelbandleitungen zur Er- 55 verbunden. Der Anschlußpunkt 63 ist über einen zeugung der Felder benutzt werden. Die Anordnung 20 Leiter 65 mit einer zweiten Stromanschlußklemme 61 (von unten nach oben) wäre dann beispielsweise wie und mit der anderen Seite der Impulsverzögerungsfolgt: Rückleitung für H₁, umleitung für H₂, Ablese- stufe 55 verbunden. Zum Zweck des Einschreibens leitung, Speicherelement, Ableseleitung, Hinleitung einer Binärinformation in eine selektiv aufgerufene für H₁ und Rückleitung für H₂. Dies ermöglicht eine Speichzerzelle wird je nach dem zu speichernden symmetrische Anordnung bezüglich der Abschirm- 25 binären Wert an die eine oder andere Stromanschlußwirkung. Zur Vereinfachung gehen wir im folgenden klemme 60 oder 61 ein Impuls angelegt. Will man zu einer symbolhaften Darstellung über, wie sie eine »0« speichern, so legt man einen Impuls an die F i g. 6 c zeigt. Stromanschlußklemme 60, will man hingegen eine Es wird nun auf Fig. 7 Bezug genommen, wo eine »1« speichern, so legt man einen Impuls von gleicher Schaltungsanordnung eines Magnetschichtspeichers 30 Polarität an die Stromanschlußklemme 61. der nach dem erfindungsgemäßen Verfahren be- Der Magnetschichtspeicher gemäß Fig. 7 kann trieben wird, ausgeführt ist. Es ist eine Mehrzahl von entweder nach dem in bezug auf F i g. 2 beschrie-Magnetschicht-Speicherzellen 36 vorgesehen, die von benen Verfahren oder auch nach dem in bezug auf einem Netz von X- und F-Bandleitern matrixförmig F i g. 4 beschriebenen Verfahren betrieben werden, überzogen sind. In Fig. 7 sind 16 Speicherzellen, 35 Im letzteren Fall wird das MagnetfeldH₄, das auch vier Z-Bandleiter Xl- bis X 4 und vier Y-Bandleiter als »Vorspannfeld« bezeichnet wird, auf alle Magnet-Fl bis Y 4 dargestellt. Die einzelnen Speicherzellen schicht-Speicherzellen einwirken gelassen. Das Vorsind an den 16 Kreuzungspunkten der Bandleiter an- spannfeld H₄ kann man mit genügender Homogenität geordnet. Die leichte Richtung 37 ist bei allen beispielsweise durch eine bekannte Helmholtzsche Speicherzelllen gleich. Die Achsen der X- und 40 Spulenanordnung erzeugen. Die Trägerplatte mit den Y-Bandleiter sind gegenüber der leichten Richtung Magnetschicht - Speicherzellen wird inmitten der geneigt, und zwar liegen sie symmetrisch zur leichten Helmholtz-Spulen angebracht. Das Vorspannfeld H₄ Richtung. Die X- und Y-Bandleiter dienen zur Erzeu- ist in F i g. 7 symbolisch durch einen Pfeil angedeutet, gung der Magnetfelder H₁ und H₀. Die Neigung der Im folgenden sei das Einschreiben und Auslesen Bandleiterachsen bewirkt, daß die Felder H₁ und H₂ 45 einer binären Information in eine bestimmte Speicherum denselben Neigungswinkel symmetrisch zur zelle an Hand eines Beispiels erläutert, wobei das harten Richtung liegen, wie es bei dem erfindungsge- unter Bezugnahme auf F i g. 4 erläuterte Speichermäßen Speicherverfahren erwünscht ist. Eine Aus- verfahren zur Anwendung kommen soll. Welche lese- oder Abfragebandleitung 38 erstreckt sich über Speicherzelle ausgewählt wird, bestimmt die Adressenalle Magnetschicht-Speicherzellen 36. Die Längsachse 50 matrix 50. In Speicherwerken verwendete Adressender Abfragebandleitung verläuft am Ort der Speicher- matrixen sind dem Fachmann bekannt; eine nähere zellen parallel zur harten Richtung. Die Abfrageband- Beschreibung erscheint hier deshalb nicht notwendig, leitung ist in bezug auf die X- und Y-Bandleiter und Es sei angenommen, daß die Adressenmatrix 50 auf die Speicherzellen so geführt, daß allfällige Streu- die Tor-Eingangsleitungen 42 und 53 ein Signal gibt, kupplungen kompensiert werden und daß gleich- 55 so daß die Tore TX2 und TY3 aktiviert, d. h. gesinnige Flußänderungen in den Speicherzellen In- öffnet werden.layers be made. The end faces 34 and 35 are selectively activated. In each case one gate from the strip conductor is electrically connected to the metal layer 24 of the group of gates TX and one gate from the group is conductively connected, so that one of the strip lines of the gates TY can be activated in it and can flow back to allow a current to flow through. The longitudinal pulse, which is fed by means of the input lines 46 to 49 axes of the strip conductors 31 and 33 forming together 5 and 56 to 59, respectively, is set in readiness to form an acute angle 2 a; The input lines to the ports TX are at a given angle that the fields H ₁ and H ₂ include with the first common connection point 62 and the hard direction (see, for example, FIG. 2). An input lines to the ports TY are led to a current generated by the strip conductor 31 at the location of the second common connection point 63. The memory cell 26 has a magnetic field H ₁ , the direction 10 of which, the arrangement of the X and Y strip conductors, deviates by an angle from the hard direction of the memory cells and the arrangement of the gate memory cell is clockwise. A current input lines is made so that the transit time through the strip conductor 33 generates a magnetic field H ₂ at the location of the storage of a pulse from the connection point 62 to a cell 26, the direction of which around the correct storage cell is approximately the same as the transit time angle α from the hard one Counterclockwise direction of a pulse from connection point 63 to which deviates clockwise. appropriate memory cell. The connection point 62 is of course also possible in which an arrangement is also possible in which the metal layer 24 double-band lines are connected via a conductor 64 to a power connection terminal instead of serving as a common return 60 and one side of a pulse delay stage. The connection point 63 can be used to generate the fields. The arrangement 20, conductor 65 with a second power connection terminal 61 (from bottom to top) would then be connected, for example, as and with the other side of the pulse delay: return line for H ₁ , diversion for H ₂ , reading stage 55. For the purpose of writing line, memory element, reading line, forwarding of binary information into a selectively called for H ₁ and return line for H ₂ . This enables a memory cell to have one or the other power connection effect depending on the symmetrical arrangement to be stored with regard to the shielding binary value. For the sake of simplicity, we will apply a pulse to terminal 60 or 61 below. If you want a symbolic representation of how they store a "0", you apply an impulse to the F i g. 6c shows. If, however, you want a power connection terminal 60, reference is now made to FIG. 7, where a "1" is stored, then a pulse of the same circuit arrangement of a magnetic layer memory 30 polarity is applied to the power connection terminal 61 7 can be driven, is executed. It is a plurality of either after that with respect to FIG. 2 described magnetic layer memory cells 36 are provided, which are provided by the benen method or also according to the matrix-shaped F i g with respect to a network of X and F tape conductors. 4 are operated. In Fig. 7 there are 16 memory cells, 35. In the latter case, the magnetic field H ₄ , which is also referred to as the "bias field" for four Z strip conductors X1 to X 4 and four Y strip conductors, is shown on all magnet Fl to Y 4 . The individual memory cells layer memory cells are allowed to act. The presence at the 16 crossing points of the strip conductor tensioning field H ₄ can be arranged with sufficient homogeneity. The easy direction 37 is the same for all of them, for example due to a known Helmholtz storage cell. Generate the axes of the X and 40 coil assemblies. The carrier plate with the Y-strip conductors are opposite the light direction of the magnetic layer - storage cells are inclined in the middle, and they are placed symmetrically to the light Helmholtz coils. The header field H ₄ direction. The X and Y strip conductors are used for generating is shown in FIG. 7 indicated symbolically by an arrow, generation of the magnetic fields H ₁ and H ₀ . In the following, the writing and reading out of the strip conductor axes causes the fields H ₁ and H ₂ 45 of a binary information item in a specific memory to be symmetrical about the same angle of inclination to the cell according to the invention with reference to FIG. 4 explained storage methods storage method is desired. An extension procedure should be used. Which read or interrogation ribbon line 38 is selected to extend over the memory cell is determined by the address of all magnetic layer memory cells 36. The longitudinal axis 50 matrix 50. Addresses of the interrogation ribbon line used in storage units run at the location of the memory matrices are known to the person skilled in the art; a closer cell parallel to the hard direction. The interrogation tape description does not appear necessary here, the line is with respect to the X and Y tape conductors and it is assumed that the address matrix 50 is routed to the memory cells in such a way that any stray input lines 42 and 53 generate a signal there, clutches are compensated and that at the same time, so that the gates TX2 and TY3 are activated, ie sensible flux changes in the memory cells In are opened.

duktionsspannungen von gleicher Polarität in der Ab- Als erstes wird das Vorspannfeld H₄ eingeschaltet, fragebandleitung hervorrufen. Wie es bereits von welches auf alle Speicherzellen wirkt. Die Magneti-Magnetkernspeichern bekannt ist, werden die Aus- sierung der Speicherzellen wird dadurch aus der gangssignale zunächst verstärkt und über die Zeit 60 leichten Richtung etwas nach unten ausgelenkt. Da integriert. Zu diesem Zweck sind an das eine Ende es sich hierbei um eine reversible Auslenkung der der Abfragebandleitung ein Verstärker 39 und ein Magnetisierung handelt, so tritt keine Informations-Integrator 40 (z. B. ein Miller-Integrator) ange- zerstörung ein. Will man beispielsweise eine »1« einschlössen. Das Lesesignal steht am Ausgang 45 des schreiben, so wird als nächstes an die Stromanschluß-Integrators zur Verfügung. An die X- und F-Band- 65 klemme 61 ein Impuls angelegt. Dieser Impuls läuft leiter sind Tore TXl bis TX4 und TYl bis TY4 an- entlang der Leitung 65, über den Anschlußpunkt 63, geschlossen, die von der Adressenmatrix 50 über je wo er sich verzweigt, dann durch die Verzögerungseine der Adressenleitungen 41 bis 44 bzw. 51 bis 54 stufe 55 und schließlich entlang der Leitung 64 zumInduction voltages of the same polarity in the _{output. First, the biasing field H 4 is} switched on, causing the interrogation tape line. How it already acts by which on all memory cells. The Magneti magnetic core memory is known, the alignment of the memory cells is thereby initially amplified from the output signals and deflected slightly downwards over the course of time. Integrated there. For this purpose, at one end there is a reversible deflection of the interrogation band line, an amplifier 39 and a magnetization, so no information integrator 40 (for example a Miller integrator) is destroyed. For example, if you want to include a "1". The read signal is available at output 45 of the write, so it is next available to the power supply integrator. A pulse is applied to the X and F band terminal 61. This pulse runs conductors, gates TX1 to TX4 and TY1 to TY4 are closed along the line 65, via the connection point 63, which from the address matrix 50 via each where it branches off, then through the delay of the address lines 41 to 44 or 51 to 54 stage 55 and finally along the line 64 to the

I 266 810I 266 810

11 1211 12

Anschlußpunkt 62. Der Impuls gelangt vom An- speichert war, so kommt während des Auslesevorganschlußpunkt 63 durch das Tor TY 3 in die Band- ges eine bipolare Änderung des magnetischen Flusses leitung Y 3 sowie entsprechend verzögert vom An- zustande, nämlich durch das Umschalten der Magneschlußpunkt 62 durch das Tor TX2 in die Band- tisierung aus der »O«-Lage in die harte Richtung und leitung Z 2. Die Verzögerungsstufe 55, die z.B. eine 5 wieder zurück in die »O«-Lage. Somit wird in die dem Fachmann bekannte LC-Kette sein kann, ist so Auslesebandleitung zunächst ein positives und dann dimensioniert, daß während einer gewissen Zeit- ein gleich großes negatives Spannungsintegral induspanne τ der Impuls in beiden Bandleitungen Xl ziert. Werden diese Induktionsspannungen über die und Y 3 die volle Amplitude hat. Vom Strom der Dauer des Auslesevorganges integriert — wie das bei Bandleitung Z 2 wird das FeIdH₁ und vom Strom io dem vorliegenden Magnetschichtspeicher durch das in der Bandleitung Y 3 wird das FeIdH₂ erzeugt. Vorsehen des Integrators 40 der Fall ist—, so heben F i g. 8 zeigt die zeitliche Relation der Wirksamkeit sich die beiden Spannungsintegrale entgegengesetzter der Felder H₁, H₂ sowie auch H₄. Es sei hier bemerkt, Polarität gegenseitig auf, und man erhält kein Ausdaß das Vorspannfeld H₄ durchaus nicht bei jedem gangssignal am Ausgang 45 des Integrators. — Durch Speicher- oder Auslesevorgang ein- und abgeschaltet 15 die Integration der in die Auslesebandleitung während zu werden braucht, sondern daß es gegebenenfalls der Dauer des Auslesevorganges induzierten Spanständig vorhanden sein kann. Die Magnetisierung in nungen werden auch die Störspannungen eliminiert, den der Bandleitung X 2 zugeordneten Speicherzellen die von den kleinen reversiblen Auslenkungen der steht unter dem Einfluß der überlagerten Felder H₁ Magnetisierungen in den nicht bzw. halb aufgerufenen und H₄. Dadurch wird die Magnetisierung dieser 20 Speicherzellen herrühren. Da es in diesen Speicher-Speicherzellen etwa nach oben ausgelenkt. Da es zellen — wie schon erwähnt — zu keinen irreversich hierbei gleichfalls um eine reversible Auslenkung siblen partiellen Umschaltungen der magnetischen der Magnetisierung handelt, so tritt keine Informa- Dipole kommt, so werden von jeder betroffenen tionszerstörung ein. Die Magnetisierung in den der Speicherzelle während des Auslesevorganges jeweils Bandleitung Y3 zugeordneten Speicherzellen steht 25 gleiche Anteile von positiven und negativen Störunter dem Einfluß der überlagerten Felder H₂ und H₄, spannungsintegralen induziert, die sich gegenseitig so daß es zu einer kleinen Auslenkung der Magneti- aufheben und keinen Anteil zum Ausgangssignal beisierung dieser Speicherzellen nach oben kommt. Da tragen. Diese Tatsache erweist sich beim erfmdungsdiese Auslenkung wiederum reversibel ist, so kommt gemäßen Magnetschichtspeicher als sehr vorteilhaft es zu keiner Informationszerstörung. Die aufgerufene 30 und trägt zu einem günstigen Nutzsignal-Störsignal-Speicherzelle befindet sich dort, wo sich die Band- Verhältnis bei.Connection point 62. The pulse arrives from the store, so during the readout device connection point 63 through the gate TY 3 in the Bandges there is a bipolar change in the magnetic flux line Y 3 and a correspondingly delayed start, namely by switching the Magnet final point 62 through the gate TX2 into the banding from the "O" position in the hard direction and line Z 2. The delay stage 55, for example, a 5 back into the "O" position. Thus, in the LC chain known to the person skilled in the art, the readout ribbon line is initially a positive one and then dimensioned so that during a certain time an equally large negative voltage integral induspanne τ adorns the pulse in both ribbon lines Xl. If these induction voltages over the and Y 3 has the full amplitude. Integrated by the current of the duration of the readout process - as with the strip line Z 2, the FeIdH ₁ and from the current io the magnetic layer memory present through the in the strip line Y 3, the FeIdH _{2 is} generated. Providing the integrator 40 is the case - so raise FIG. 8 shows the temporal relationship of the effectiveness of the two voltage integrals of opposing fields H ₁ , H ₂ and also H ₄ . It should be noted here that the polarity is mutually exclusive, and one does not obtain any conclusions from the fact that the bias field H ₄ does not at all occur with every output signal at the output 45 of the integrator. - By storage or readout process switched on and off 15 the integration of the need to be in the readout ribbon line during, but that it may possibly be present during the duration of the readout process induced chip. The magnetization in voltages also eliminates the interference voltages in the memory cells assigned to the ribbon line X 2 that are affected by the small reversible deflections of the H ₁ magnetizations in the non-called or half-called and H ₄ fields. This will result in the magnetization of these 20 memory cells. Since it is deflected roughly upwards in these memory storage cells. Since cells - as already mentioned - are not irreversibly involved in this also with a reversible deflection, sensible partial switching of the magnetic of the magnetization, no informational dipoles occur, and every affected destructive effect occurs. The magnetization in the memory cells assigned to the tape line Y3 during the read-out process is 25 equal proportions of positive and negative interference under the influence of the superimposed fields H ₂ and H ₄ , induced voltage integrals, which mutually lead to a small deflection of the magnetic cancel and no portion of the output signal when these memory cells come up. Wear there. This fact proves to be in turn reversible when this deflection according to the invention is reversible, so that according to the magnetic layer memory it is very advantageous that no information is destroyed. The called 30 and contributes to a favorable useful signal / interference signal memory cell is located where the band ratio contributes.

leitungen Z2 und Γ 3 kreuzen. Bei dieser Zelle Es wird nun auf F i g. 9 Bezug genommen, wo eineCross lines Z2 and Γ 3. In this cell it is now referred to FIG. 9 referenced where a

kommt es zu einer Überlagerung aller drei Felder H₁, Schaltungsanordnung eines Magnetschichtspeichers H., und H₄, was zur Folge hat, daß die Magnetisierung mit einem gegenüber dem vorherigen Ausführungsder aufgerufenen Speicherzelle völlig in die harte 35 beispiel verbesserten Selektionsverhältnis beim Auf-Richtung ausgelenkt wird. Die eingeschaltete Ver- ruf einer Speicherzelle und einem optimalen Nutzzögerungsstufe 55 bewirkt, daß der Stromimpuls in signal-Störsignal-Verhältnis in der Abfrageleitungsder Bandleitung Y 3 und damit auch das Feld H₂ anordnung ausgeführt ist. Der gegenständliche Mafrüher abklingen als der Stromimpuls in der Band- gnetschichtspeicher wird nach dem in bezug auf Fig. 3 leitung Z 2, also früher als H₁. Infolgedessen schaltet 40 erläuterten erfindungsgemäßen Speicherverfahren bedie Magnetisierung in der aufgerufenen Speicherzelle trieben. Es ist eine Mehrzahl von Magnetschichtin die »1«-Lage zurück. Speicherzellen 66 vorgesehen, die von einem Netzthere is a superposition of all three fields H ₁ , circuit arrangement of a magnetic _{layer memory H., and H 4} , which has the consequence that the magnetization with a compared to the previous embodiment of the called memory cell is completely deflected into the hard selection ratio in the up direction will. The activated call of a memory cell and an optimal useful delay stage 55 has the effect that the current pulse is configured in a signal-to-interference signal ratio in the interrogation line of the ribbon line Y 3 and thus also the field H ₂ arrangement. The object in question decays earlier than the current pulse in the band magnetic layer storage device, according to the line Z 2 with reference to FIG. 3, that is, earlier than H ₁ . As a result, the memory method according to the invention explained 40 switches driven by the magnetization in the memory cell called up. There is a plurality of magnetic layers back in the "1" position. Storage cells 66 are provided by a network

Zum Auslesen der Information genügt es an sich, von Z-, Y- und Z-Bandleitern matrixförmig überzodie Magnetisierung der aufgerufenen Speicherzelle gen sind. In Fig. 9 sind 16 Speicherzellen, vier aus der leichten in die harte Richtung auszulenken. 45 Z-BandleiterZl bis Z4, vier Γ-Bandleiter Yl bis Obwohl es grundsätzlich möglich ist, mit den anstei- Γ4 und sieben Z-BandleiterZl bis Z 7 dargestellt, genden Impulsflanken die alte Information zu lesen Die Speicherzellen befinden sich an den 16 Kreu- und unmittelbar anschließend mit den abfallenden zungspunkten der Bandleiter. Die leichte Richtung 67 Impulsflanken die neue Information einzuschreiben, ist bei allen Speicherzellen gleich. Die Achsen der betrachten wir nachfolgend den einfacheren Fall, daß 5° Z-Bandleiter verlaufen parallel zur leichten Richtung, durch das Einschreiben einer vorbestimmten Infor- Die Achsen der Z- und Y-Bandleiter sind gegenüber mation (z. B. »0«) der vorher gespeicherte Wert der leichten Richtung um einen kleinen Winkel geermittelt wird. Wenn unter dieser Voraussetzung in neigt; sie liegen symmetrisch zur leichten Richtung, der aufgerufenen Speicherzelle vorher eine »1« ge- Die Z-Bandleiter dienen der Erzeugung des Magnetspeichert war, so ergibt sich eine unipolare Änderung 55 feldes H₃, während die Z- und Y-Bandleiter zur Erdesmagnetischen Flusses von der »1 «-Lage über die zeugung der Magnetfelder H₁ und H₂ dienen (vgl. Auslenkung in die harte Richtung in die »O«-Lage. Fig. 3.) Die Neigung der Z-und Y-Bandleiterachsen Dabei wird, während des Umschaltens der Magneti- bewirkt, daß die Felder^ und H₂ um denselben sierung aus der »1«-Lage in die harte Richtung, in Neigungswinkel symmetrisch zur harten Richtung liedie Auslesebandleitung das gleiche Spannungsinte- 60 gen, wie es bei dem vorliegenden Speicherverfahren gral J U ■ dt (auch bezüglich der Polarität) induziert erwünscht ist. An die Z-, Y- und Z-Bandleiter sind wie beim Umschalten der Magnetisierung aus der Tore TXlbis TX4, TYlbis TY4und TZIbis TZ7 harten Richtung in die »0«~Lage. Die in die Auslese- angeschlossen, die über die Adressenleitungen 71 bis bandleitung während dieses Auslesevorganges indu- 74, 76 bis 79, 81 bis 37 aktiviert werden. Es wird jezierte Spannung ergibt somit nach der Verstärkung 65 weils ein Tor aus der Gruppe der Tore TX, TY und und Integration ein Ausgangssignal, das am Ausgang 45 TZ aktiviert und zum Durchlassen eines Impulses, des Integrators zur Verfügung steht. — Wenn in der der mittels der Eingangsleitungen 91 bis 94, 86 bis aufgerufenen Speicherzelle vorher eine »0« ge- 99, 101 bis 107 zugeführt wird, in Bereitschaft ge-In order to read out the information, it is sufficient in itself to have the magnetization of the memory cell called up by Z, Y and Z strip conductors in the form of a matrix. In FIG. 9, there are 16 memory cells, four of which can be swiveled from the easy to the hard direction. 45 Z-strip conductors Zl to Z4, four Γ-strip conductors Yl to Although it is basically possible to read the old information with the rising pulse edges shown Γ4 and seven Z-strip conductors Zl to Z 7 The memory cells are located on the 16 crosses and immediately afterwards with the sloping junction points of the strip conductor. The easy direction of 67 pulse edges to write the new information is the same for all memory cells. The axes of the we consider below the simpler case that 5 ° Z strip conductors run parallel to the easy direction, by writing in a predetermined information. the previously saved value of the easy direction is averaged around a small angle. If on this condition in declines; They are symmetrical to the easy direction, the called up memory cell previously had a "1". The Z-tape conductors are used to generate the magnetic memory, so there is a unipolar change 55 field H ₃ , while the Z and Y-tape conductors to the earth's magnetic flux from the “1” position via the generation of the magnetic fields H ₁ and H ₂ (cf. deflection in the hard direction in the “O” position During the switchover of the magneti- causes the fields ^ and H ₂ to move from the "1" position into the hard direction, at an angle of inclination symmetrical to the hard direction, the readout ribbon line has the same voltage intensity as it does with the present storage method gral J U ■ dt (also with regard to the polarity) induced is desired. As when switching over the magnetization from gates TX1 to TX 4, TY1 to TY 4 and TZ Ibis TZ7, the Z, Y and Z strip conductors are in the hard direction of the "0" position. The connected to the readout, which are activated via the address lines 71 to ribbon line during this readout process inductively 74, 76 to 79, 81 to 37. It is jeziert voltage thus results after the amplification 65 because a gate from the group of gates TX, TY and integration, an output signal that is activated at output 45 TZ and is available for the passage of a pulse from the integrator. - If in the memory cell called up by means of the input lines 91 to 94, 86 bis a "0" is supplied beforehand 99, 101 to 107, the system is ready.

setzt. Wie später noch genauer beschrieben wird, ist der selektive Aufruf der Tore TX, TY und TZ derart, daß es zu einer Dreifachkoinzidenz für die aufgerufene Speicherzelle kommt. Die Eingangsleitungen zu den Toren TX sind an einen ersten gemeinsamen S Anschlußpunkt 68, die Eingangsleitungen zu den Toren TY sind an einen zweiten gemeinsamen Anschlußpunkt 69 und die Eingangsleitungen zu den Toren TZ sind an einen dritten gemeinsamen Anschlußpunkt 70 geführt. Die Anordnung der X- und F-Bandleiter in bezug auf die Speicherzellen und die Anordnung der zugehörigen Tor-Eingangsleitungen 91 bis 94 sowie 96 bis 99 ist so getroffen, daß die Laufzeit eines Impulses vom Anschlußpunkt 68 zu einer bestimmten Speicherzelle etwa gleich ist der Laufzeit eines Impulses vom Anschlußpunkt 69 zu der betreffenden Speicherzelle. Es ist vorteilhaft, wenn die Anordnung der Z-Bandleiter in bezug auf die Speicherzellen und die Anordnung der zugehörigen Tor-Eingangsleitungen 101 bis 107 so ausgelegt ist, daß auch die Laufzeit eines Impulses vom Anschlußpunkt 70 zu der aufgerufenen Speicherzelle mit den obigen Impulslaufzeiten wenigstens ungefähr übereinstimmt. Gewisse Toleranzen hierfür sind jedoch zulässig. Die Laufzeit eines Impulses vom An-Schlußpunkt 70 zur aufgerufenen Speicherzelle sollte im Vergleich zu den Impulslaufzeiten von den Anschlußpunkten 68 bzw. 69 keinen größeren Unterschied aufweisen, als die Impulslaufzeit in einer der Verzögerungsstufen 88 bzw. 89 beträgt. — Der Anschlußpunkt 68 ist über einen Leiter 75 mit einer ersten Stromanschlußklemme 100 und mit einer ersten Impulsverzögerungsstufe 88 verbunden. Der Anschlußpunkt 70 ist über einen Leiter 80 mit der ersten Impulsverzögerungsstufe 88 und mit einer zweiten Impulsverzögerungsstufe 89 verbunden. Der Anschlußpunkt 69 ist über einen Leiter 95 mit der anderen Seite der zweiten Impulsverzögerungsstufe 89 sowie mit einer zweiten Stromanschlußklemme 111 verbunden. puts. As will be described in more detail later, the selective calling of the gates TX, TY and TZ is such that there is a triple coincidence for the memory cell called. The input lines to the ports TX are connected to a first common S connection point 68, the input lines to the ports TY are connected to a second common connection point 69 and the input lines to the ports TZ are connected to a third common connection point 70. The arrangement of the X and F strip conductors in relation to the memory cells and the arrangement of the associated gate input lines 91 to 94 and 96 to 99 is such that the transit time of a pulse from connection point 68 to a specific memory cell is approximately the same as the transit time of a pulse from connection point 69 to the relevant memory cell. It is advantageous if the arrangement of the Z strip conductors in relation to the memory cells and the arrangement of the associated gate input lines 101 to 107 is designed so that the transit time of a pulse from connection point 70 to the memory cell called up with the above pulse transit times is at least approximately matches. However, certain tolerances for this are permissible. The transit time of a pulse from the connection point 70 to the called up memory cell should not differ more than the pulse transit time in one of the delay stages 88 or 89 compared to the pulse transit times from the connection points 68 or 69. The connection point 68 is connected via a conductor 75 to a first power connection terminal 100 and to a first pulse delay stage 88. The connection point 70 is connected to the first pulse delay stage 88 and to a second pulse delay stage 89 via a conductor 80. The connection point 69 is connected via a conductor 95 to the other side of the second pulse delay stage 89 and to a second power connection terminal 111.

Zum Zweck des Einschreiben« einer Binärinformation in eine selektiv aufgerufene Speicherzelle wird je nach dem zu speichernden binären Wert an die eine oder andere Stromanschlußklemme 100 oder 111 ein Impuls angelegt. Will man eine »0« speichern, so legt man einen Impuls an die Stromschlußklemme 100, will man jedoch eine »1« speichern, so legt man einen Impuls von gleicher Polarität an die Stromanschlußklemme 111.For the purpose of writing binary information into a selectively called memory cell, each according to the binary value to be stored to one or the other power connection terminal 100 or 111 Impulse applied. If you want to save a "0", you apply a pulse to the current connection terminal 100, However, if you want to store a "1", you apply a pulse of the same polarity to the power connection terminal 111.

Zur Verbesserung des Nutzsignal-Störsignal-Verhältnisses'sind mehrere Ausleseleitungen im Magnetschichtspeicher vorgesehen, die an selektiv aktivierbare Und-Gatter angeschlossen und über ein Oder-Gatter auf eine Ausgangsleitung zusammengeführt sind. Im vorliegenden Ausführungsbeispiel sind sieben Auslesebandleitungen 121 bis 127 vorhanden. Diese Auslesebandleitungen verlaufen parallel zur harten Richtung der Magnetschicht-Speicherzellen. An diese Leitungen sind sieben Und-Gatter 131 bis 137 angeschlossen. Die zweiten Eingänge (oder r-Lel·- tungen) 141 bis 147 dieser Und-Gatter führen zur Abfragematrix 90, von wo aus sie selektiv gesteuert werden. Die Ausgänge der Und-Gatter führen zu einem Oder-Gatter 108. Der Ausgang des Oder-Gatters ist über einen Verstärker 109 gegebenenfalls an einen Integrator 110 angeschlossen. Das Lesesignal steht am Ausgang 112 zur Verfügung. Das Aufrufen einer Speicherzelle erfolgt — wie bereits erwähnt'— durch Dreifachkoinzidenz. Die Entschlüsselung der Adresse erfolgt in den Adressenmatrizen, die sowohl funktionell als auch strukturell den Adressenmatrizen, wie sie in herkömmlichen Magnetkernspeichern verwendet werden, gleichen können. Eine Speicherzelle wird durch das Wertepaar x, y identifiziert. Die Adresse χ wird in der x-Adressenmatrix 120 entschlüsselt. Als Ergebnis der Entschlüsselung wird eine der x-Adressenleitungen 71 bis 74 mit einer Spannung beaufschlagt, so daß eines der Tore TX aktiviert wird. Die Adresse y wird in der y-Adressenmatrix 130 entschlüsselt, und eine der y-Adressenleitungen76 bis 79 wird mit einer Spannung beaufschlagt, so daß eines der Tore TY aktiviert wird. Die dritte Koordinate, die bei diesem Aufrufverfahren benötigt wird (Adresse z), ist eine eindeutige Funktion des Wertepaares x, y. Die Zuordnung der Adresse ζ zu den Adressen χ und y ist eine einfache Linearkombination aus χ und y, welche durch die z-Adressenmatrix 140 geleistet wird. Für ein bestimmtes Wertepaar x, y wird jeweils eine bestimmte z-Adressenleitung 81 bis 87 mit einer Spannung beaufschlagt, so daß eines der Tore TZ aktiviert wird. Die funktionell Zuordnung z=f (x, y) ist in der nachfolgenden Tabelle 1 wiedergegeben; die hierin angegebenen Zahlen bedeuten die mit einer Spannung beaufschlagten x-, y- bzw. z-Adressenleitungen.In order to improve the useful signal-to-interference signal ratio, several readout lines are provided in the magnetic layer memory, which are connected to selectively activatable AND gates and are brought together on an output line via an OR gate. In the present exemplary embodiment, there are seven readout ribbon lines 121 to 127. These readout ribbon lines run parallel to the hard direction of the magnetic layer memory cells. Seven AND gates 131 to 137 are connected to these lines. The second inputs (or r-lines) 141 to 147 of these AND gates lead to the interrogation matrix 90, from where they are selectively controlled. The outputs of the AND gates lead to an OR gate 108. The output of the OR gate is optionally connected to an integrator 110 via an amplifier 109. The read signal is available at output 112. As already mentioned, a memory cell is called up by triple coincidence. The address is decrypted in the address matrices, which can be functionally as well as structurally the same as the address matrices used in conventional magnetic core memories. A memory cell is identified by the value pair x, y . The address χ is decrypted in the x-address matrix 120. As a result of the decryption, a voltage is applied to one of the x address lines 71 to 74, so that one of the gates TX is activated. The address y is decrypted in the y address matrix 130, and a voltage is applied to one of the y address lines 76 to 79, so that one of the gates TY is activated. The third coordinate that is required for this call procedure (address z) is a unique function of the value pair x, y. The assignment of the address ζ to the addresses χ and y is a simple linear combination of χ and y, which is performed by the z-address matrix 140. For a specific pair of values x, y , a specific z-address line 81 to 87 is applied with a voltage, so that one of the gates TZ is activated. The functional assignment z = f (x, y) is shown in Table 1 below; the numbers given herein represent the x, y, and z address lines under voltage, respectively.

Table 1

\ X
y "\.\ X
y "\. 7171 7272 7373 7474 7676 8484 8585 8686 8787 7777 8383 8484 8585 8686 7878 8282 8383 8484 8585 7979 8181 8282 8383 8484

= f(x,y)= f (x, y)

Die Abfragematrix (oder r-Adressenmatrix) 90 ähnelt in Funktion und Struktur der z-Adressenmatrix 140. Zur Auswahl einer der sieben Ausleseleitungen wird eine weitere Koordinate (Adresse r) benötigt, die wiederum eine eindeutige Funktion (Linearkombination) des Wertepaares x, y ist. In Abhängigkeit von den Adressen χ und y wird mit Hilfe der Abfragematrix 90 eine bestimmte r-Leitung 141 bis 147 mit einer Spannung beaufschlagt, wodurch eines der Und-Gatter 131 bis 137 aktiviert wird. Die funktioneile Zuordnung r=f (x, y) ist in der nachfolgenden Tabelle 2 wiedergegeben; die hierin angegebenen Zahlen bedeuten die mit einer Spannung beaufschlagten x-, y- bzw. r-Leitungen.The query matrix (or r-address matrix) 90 is similar in function and structure to the z-address matrix 140. To select one of the seven readout lines, a further coordinate (address r) is required, which in turn is a unique function (linear combination) of the value pair x, y . Depending on the addresses χ and y , a specific r line 141 to 147 is applied with a voltage with the aid of the query matrix 90, whereby one of the AND gates 131 to 137 is activated. The functional assignment r = f (x, y) is shown in Table 2 below; the numbers given herein represent the x, y and r lines under voltage, respectively.

f(x,y)f (x, y) 7676 TabelleTabel 22 7272 7373 7474 7777 7171 142142 143143 144144 ""\ ^x
y ^\."" \ ^x
y ^ \. 7878 141141 143143 144144 145145 7979 142142 144144 145145 146146 143143 145145 146146 147147 144144

Die praktische Ausführung solcher Adressenmatrizen ist dem Fachmann geläufig; eine eingehendere Beschreibung ist daher nicht notwendig. Eine mögliche Ausführungsform sind z. B. Halbleitermatrizen mit aufgedruckter Verdrahtung.The person skilled in the art is familiar with the practical implementation of such address matrices; a more detailed one Description is therefore not necessary. One possible embodiment are e.g. B. Semiconductor matrices with printed wiring.

Beim Einschreiben oder Auslesen einer binären Information erfolgt als erstes der Speicherzellenaufruf mit Hilfe der Adressenmatrizen. In einem Beispiel sei angenommen, daß nach Entschlüsselung der x-Adressenmatrix 120 die x-Adressenleitung 72 und nach Entschlüsselung der y-Adresse durch die y-Adressenmatrix 130 die y-Adressenleitung 78 mit einer Spannung beaufschlagt sind. Damit werden gleichzeitig durch die x-Adressenmatrix 140 die z-Adressenleitung 83 (s. Tabelle 1) und durch die Abfragematrix 90 die r-Leitung 144 (s. Tabelle 2) mit einer Spannung beaufschlagt. Es sind somit die Tore TXl₁ TY3 und ΓΖ3 und das Und-Gatter 134 aktiviert. Will man beispielsweise eine »1« einschreiben, so legt man nun an die Stromanschlußklemme 111 einen Impuls. Dieser Impuls läuft entlang der Leitung 95 über den Anschlußpunkt 69, wo er sich verzweigt, dann durch die Verzögerungsstufe 89 und entlang der Leitung 80 über den Anschlußpunkt 70, wo er sich abermals verzweigt, dann durch die Verzögerungsstufe 88 und schließlich entlang der Leitung 75 zum Anschlußpunkt 68. Der Impuls gelangt vom Anschlußpunkt 69 durch das Tor TY3 in die Bandleitung Y3; er gelangt entsprechend verzögert vom Anschlußpunkt 70 durch das Tor TZ 3 in die BandleitungZ3 sowie abermals entsprechend verzögert vom Anschlußpunkt 68 durch das Tor TXl in die Bandleitung Z 2. Die Verzögerungsstufen 88 und 89 sind so dimensioniert, daß während einer gewissen Zeit-Feld H₂ früher abklingen als der Stromimpuls in der Bandleitung Xl und damit früher als das Feld H₁. In dem hier angenommenen Fall klingt der Stromimpuls in der Bandleitung Z 3 (Feld H₃) früher als der Stromimpuls in der Bandleitung Xl (FeIdH₁) und später als der Stromimpuls in der Bandleitung Γ3 (FeIdH₂) ab (vgl. Fig. 10). Diese Reihenfolge des Abschalten« der Magnetfelder bewirkt ein Zurückschalten der Magnetisierung in der aufgerufenen Speicherzelle in die »1«-Lage und damit die Speicherung eine »1«, wie es gewünscht war.When writing in or reading out binary information, the memory cell is first called up with the aid of the address matrices. In one example, it is assumed that, after decoding the x address matrix 120, the x address line 72 and, after decoding the y address by the y address matrix 130, the y address line 78 has a voltage applied to it. In this way, a voltage is simultaneously applied to the z address line 83 (see Table 1) through the x address matrix 140 and the r line 144 (see Table 2) through the interrogation matrix 90. The gates TXl ₁ TY3 and ΓΖ3 and the AND gate 134 are thus activated. For example, if you want to write a "1", you now apply a pulse to the power connection terminal 111. This pulse travels along line 95 via connection point 69, where it branches, then through delay stage 89 and along line 80 via connection point 70, where it branches again, then through delay stage 88 and finally along line 75 to the Connection point 68. The pulse passes from connection point 69 through gate TY3 and into ribbon line Y3; it arrives with a corresponding delay from connection point 70 through gate TZ 3 into strip line Z3 and again with a corresponding delay from connection point 68 through gate TX1 into strip line Z 2. Delay stages 88 and 89 are dimensioned so that during a certain time field H ₂ Decay earlier than the current pulse in the ribbon cable Xl and thus earlier than the field H ₁ . In the case assumed here, the current pulse in the strip line Z 3 (field H ₃ ) dies away earlier than the current pulse in the strip line Xl (FeIdH ₁ ) and later than the current pulse in the strip line Γ3 (FeIdH ₂ ) (see Fig. 10 ). This sequence of switching off "the magnetic fields causes the magnetization in the called up memory cell to switch back to the" 1 "position and thus the storage of a" 1 "as desired.

Das Auslesen der Information aus einer aufgerufenen Speicherzelle wird — wie im vorausgegangenen Ausführungsbeispiel — durch Einschreiben eines vorbestimmten binären Wertes (z. B. einer »0«) durchgeführt unter Beobachtung der in die Auslesebandleitung während des Auslesevorganges induzierten Spannung. Beim Aufruf einer Speicherzelle wird über die Abfragematrix 90 gleichzeitig die der aufgerufenen Speicherzelle zugeordnete Auslesebandleitung ausgewählt durch Aktivierung des zugehörigen Und-Gatters. Die ausgewählte, der aufgerufenen Speicherzelle zugeordnete Auslesebandleitung erstreckt sich ansonsten nur über Speicherzellen, die von keinem der Felder H₁ oder H₂ oder H₃ beein-As in the previous exemplary embodiment, the information is read out from a memory cell called up by writing in a predetermined binary value (e.g. a "0") while observing the voltage induced in the readout ribbon line during the readout process. When a memory cell is called up, the read-out ribbon line assigned to the called up memory cell is simultaneously selected via the interrogation matrix 90 by activating the associated AND gate. The selected readout ribbon line assigned to the called up memory cell otherwise only extends over memory cells that are not influenced by any of the fields H ₁ or H ₂ or H ₃ .

flußt werden. Die in diese Auslesebandleitung während des Auslesevorganges induzierte Spannung ist somit eine reine Nutzspannung; in diese Leitung werden überhaupt keine, von reversiblen Auslenkungenbe flowing. The in this readout ribbon line during The voltage induced during the readout process is therefore a pure useful voltage; be in this line none at all, of reversible deflections

spanne τ der Impuls in allen· drei Bandleitungen die 30 der Magnetisierung bei den halb aufgerufenen Speivolle Amplitude hat. Vom Strom in der Bandleitung cherzellen herrührende Störspannungen induziert. Inspan τ the impulse in all three ribbon lines the 30 of the magnetization in the half-called spool Has amplitude. Interference voltages resulting from the current in the strip line are induced. In

Anknüpfung an das oben angenommene Beispiel, in welchem sich die aufgerufene Speicherzelle am Kreuzungspunkt der Bandleitungen X1, Y3 und Z3 befindet, ist — wie bereits erwähnt — das Und-Gatter 134 aktiviert, weil die von der Abfragematrix 90 herkommende r-Leitung 144 mit einer Spannung beaufschlagt ist. Es können also nur Signale von der Auslesebandleitung 124, die an das aktivierte Undlenkung der Magnetisierung handelt, tritt keine In- 40 Gatter 134 angeschlossen ist, über das Oder-Gatter formationszerstörung ein. Die Magnetisierung in den 108, den Verstärker 109 und den Integrator 110 an der Bandleitung Y 3 zugeordneten SpeicherzellenFollowing on from the example assumed above, in which the accessed memory cell is located at the intersection of the ribbon lines X1, Y3 and Z3, the AND gate 134 is activated, as already mentioned, because the r line 144 coming from the interrogation matrix 90 with a Voltage is applied. Thus only signals from the read-out ribbon line 124 which act on the activated undlivening of the magnetization, if no information gate 134 is connected, can destroy the formation via the OR gate. The magnetization in memory cells associated with 108, amplifier 109 and integrator 110 on the strip line Y 3

Xl wird das FeIdH₁, vom Strom in der Bandleitung Y3 das FeIdH₂ und vom Strom in der Bandleitung Z3 das FeIdH₃ erzeugt. Fig. 10 zeigt die zeitliche Relation der Wirksamkeit der Felder H₁, H₂ und H₃. Die Magnetisierung in den der Bandleitung Xl zugeordneten Speicherzellen steht allein unter dem Einfluß des Feldes H₁; sie wird dadurch etwas nach oben ausgelenkt. Da es sich hierbei um eine reversible Aussteht allein unter dem Einfluß des Feldes Η»; es Xl , the FeIdH ₁ , the FeIdH ₂ from the current in the strip line Y3 _{and the FeIdH 3} from the current in the strip line Z3. Fig. 10 shows the temporal relationship of the effectiveness of the fields H ₁ , H ₂ and H ₃ . The magnetization in the memory cells assigned to the ribbon line Xl is solely under the influence of the field H ₁ ; it is thereby deflected a little upwards. Since this is a reversible outstanding solely under the influence of the field Η »; it

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den Ausgang 112 gelangen. Die von den halb aufgerufenen Speicherzellen in die übrigen Auslesebandkommt somit zu einer kleinen Auslenkung der Ma- leitungen induzierten Störsignale können am Ausgang gnetisierung dieser Speicherzellen nach oben, die je- 45 nicht wirksam werden, da die diesen Auslesebanddoch keine Informationszerstörung zur Folge hat, leitungen zugeordneten Und-Gatter nicht aktiviert da es sich wieder um eine reversible Auslenkung han- sind und somit keine Signale durchlassen. Man erdelt. Ähnlich kommt es zu einer kleinen Auslenkung kennt aus Fig. 9, daß die Auslesebandleitung 124 der Magnetisierung in den der Bandleitung Z3 züge- keine halb aufgerufenen, sondern neben der aufgeordneten Speicherzellen nach oben unter dem Ein- 50 rufenen Speicherzelle nur noch unbeteiligte Speicherfluß des auf sie einwirkenden Feldes H-. Weil es sichget to exit 112. The memory cells that have been half called come into the remaining readout band Interfering signals thus induced to a small deflection of the lines can be at the output gnetization of these memory cells upwards, which are not in each case effective because the readout tape does does not result in information destruction, lines assigned AND gates are not activated since it is a question of a reversible deflection and thus no signals can pass through. One earths. Similarly, there is a small deflection. It is known from FIG the magnetization in the tape line Z3 pulls - not half called, but next to the arranged Storage cells upwards below the storage cell called in only uninvolved storage flow of the field H- acting on it. Because it is

abermals um eine reversible Auslenkung der Magnetisierung handelt, so kommt es auch in diesen Speicherzellen zu keiner Informationszerstörung. Die aufgerufene Speicherzelle befindet sich dort, wo sich die Bandleitungen X1, Y3 und Z3 kreuzen. An dieser Stelle kommt es zu einer Überlagerung «aller drei Felder H₁, H₂ und H₃, was ausreicht, um die Magnetisierung dieser Speicherzelle völlig in die harte Richtung auszulenken. Es sei bemerkt, daß es bei dem 6p hier beschriebenen Speicherzellen-Aufrufverfahren keine Speicherzelle gibt, bei der es zu einer Überlagerung zweier Felder kommt.Once again a reversible deflection of the magnetization is involved, no information is destroyed in these memory cells either. The memory cell called up is located where the ribbon lines X1, Y3 and Z3 cross. At this point there is a superposition of all three fields H ₁ , H ₂ and H ₃ , which is sufficient to deflect the magnetization of this memory cell completely in the hard direction. It should be noted that in the 6p memory cell calling method described here, there is no memory cell in which two fields are superimposed.

Das eigentliche Einschreiben des Wertes »1« in die aufgerufene Speicherzelle kommt dadurch zu- 65 stände, daß — wegen der in den Impulsweg eingeschalteten Verzögerungsstufen 89 und 88 — der Stromimpuls in der Bandleitung Γ3 und damit dasThe actual writing of the value "1" into the called memory cell is thereby made possible stand that - because of the switched in the impulse path Delay stages 89 and 88 - the current pulse in the ribbon line Γ3 and with it that

zellen erfaßt.cells detected.

Abschließend sei noch erwähnt, daß es grundsätzlich möglich ist, bei dem vorliegenden Dreifach-Koinzidenzaufruf die z-Adressenleitungen 81 und 85, 82 und 86 sowie 83 und 87 gemeinsam zu aktivieren. Ebenso könnte man die r-Leitungen 141 und 145, und 146,143 und 147 sowie die Ausleseleitungen und 125,122 und 126,123 und 127 zusammenfassen, wodurch sich die Anzahl der benötigten Tore TZ von sieben auf vier und die Anzahl der benötigten Und-Gatter ebenfalls von sieben auf vier reduziert und damit der Schaltungsaufwand herabgesetzt wird. Wenn man bereit ist, ein endliches Nutzsignal-Störsignal-Verhältnis in Kauf zu nehmen, d. h., wenn man zuläßt, daß die Ausleseleitung auch eine gewisse, nicht zu große Anzahl halb aufgerufener Speicherzellen erfaßt, so kann man auch noch mehr Ausleseleitungen zusammenfassen und somit den AufwandFinally it should be mentioned that it is basically possible to activate the z-address lines 81 and 85, 82 and 86 as well as 83 and 87 together in the present triple coincidence call. Likewise, the r-lines 141 and 145, and 146, 143 and 147 as well as the read-out lines and 125, 122 and 126, 123 and 127 could be combined, whereby the number of required gates TZ from seven to four and the number of required AND gates also from seven four and thus the circuit complexity is reduced. If you are ready to accept a finite useful signal-to-interference signal ratio, that is, if you allow the readout line to capture a certain, not too large number of half-called memory cells, then you can combine even more readout lines and thus the expenditure

in der Abfrageanordnung noch weiter reduzieren. In der Praxis wird man im allgemeinen einen Mittelweg gehen zwischen vernünftigem Schaltungsaufwand und erträglichem Nutzsignal-Störsignal-Verhältnis.further reduce in the query arrangement. In practice there is generally a middle ground go between reasonable circuitry and a tolerable useful signal-to-noise ratio.

Der Magnetschichtspeicher gemäß Fig. 9 kann auch nach dem in bezug auf F i g. 5 beschriebenen Verfahren betrieben werden. An der strukturellen Anordnung des Magnetschichtspeichers, wie er weiter vorn bereits im Detail beschrieben wurde, ändert sich dabei nichts wesentliches. Es müssen lediglich Maßnahmen getroffen werden zur Erzeugung des Vorspannfeldes H_v das auf alle Magnetschicht-Speicherzellen einwirkt. Wie bereits in Zusammenhang mit dem Magnetschichtspeicher gemäß Fig. 7 ausgeführt wurde, kann man das Vorspannfeld H₁ beispielsweise durch die Helmholtzsche Spulenanordnung erzeugen; die Trägerplatte mit den Magnetschicht-Speicherzellen wird in diesem Fall inmitten der Helmholtz-Spulen angebracht. Die Dimensionierung der Amplituden und Richtungen der auf die Speicherzellen einwirkenden Magnetfelder ergibt sich aus den bei der Beschreibung des Verfahrens nach F i g. 5 bereits angeführten Bedingungen.The magnetic layer memory according to FIG. 9 can also be used according to the method with reference to FIG. 5 are operated. The structural arrangement of the magnetic layer memory, as it has already been described in detail above, does not change significantly. It is only necessary to take measures to generate the bias field H _v which acts on all magnetic layer memory cells. As has already been explained in connection with the magnetic layer memory according to FIG. 7, the bias field H ₁ can be generated, for example, by the Helmholtz coil arrangement; In this case, the carrier plate with the magnetic layer storage cells is attached in the middle of the Helmholtz coils. The dimensions of the amplitudes and directions of the magnetic fields acting on the memory cells result from the description of the method according to FIG. 5 conditions already mentioned.

Claims

Patent claims:

1. Method for storing binary information in a magnetic axis having a preferred axis Magnetic layer memory cell by deflecting the magnetization in the direction of the axis orthogonal to the easy magnetic axis Axis of heavy magnetization with the help of a first magnetic field and final Setting the magnetization in one of the two positions defined as storage states in parallel to the easy axis with the help of a second magnetic field that occurs coincident with the first magnetic field, but is switched off with a delay compared to this, characterized in that to deflect the magnetization in the direction the heavy axis two at a given angle at least approximately symmetrically magnetic fields running on both sides of the heavy axis are used, at least are approximately the same size and are below the rotary switching threshold that the two Magnetic fields and optionally one or more additional, direction-neutral magnetic fields resulting magnetic field is greater than the anisotropy field strength of the memory cell and that to determine the memory state to be set either one or the other of the two magnetic fields is switched off with a time delay compared to the remaining field will.

2. The method according to claim 1, characterized in that the two symmetrically to magnetic fields running parallel to the heavy axis Magnetic field is superimposed, which is aligned in the same direction with respect to the symmetrical fields is and is not strong enough in itself, a permanent switching of the magnetization

cause in the memory cell, and that at least one of the two symmetrical fields is switched off earlier than the additional Maenet field.

3. The method according to claim 1, characterized in that the two symmetrically to magnetic fields running parallel to the heavy axis Magnetic field is superimposed, which is aligned in opposite directions with respect to the symmetrical fields and its amplitude is such that it does not, either alone or in combination, with one of the two symmetrical fields a permanent switching of the magnetization in the Memory cell causes, and that the additional magnetic field is switched off later than the two symmetrical fields.

4. The method according to claim 3, characterized in that the additional, in opposite directions aligned magnetic field during several consecutive storage or readout processes is maintained unchanged.

5. The method according to claim 1, characterized in that the two symmetrically to magnetic fields running parallel to the heavy axis Magnetic fields are superimposed, one of which is related to the symmetrical fields in the same direction and the other is oriented in the opposite direction and whose amplitude is measured in such a way that that they are neither by themselves nor in combination with one another, nor individually in combination with one of the symmetrical fields a permanent switching of the magnetization in the memory cell cause, and that the oppositely aligned field is switched off later than the two symmetrical fields and the other additional field.

6. Magnetic layer memory for storing binary information according to the method of FIG one or more of claims 1 to 5, which comprises a number of magnetic layer memory cells with a uniaxial anisotropy as well as first and second field-generating, selectively controllable Has drive lines which are arranged in a matrix in two directions and at their crossing points the individual magnetic layer memory cells are located, characterized in that that at the location of a magnetic layer memory cell, the axis of a first drive line and the axis a second drive line are arranged symmetrically to the easy axis of the magnetic layer at a predetermined acute angle and that A delay circuit (55) is assigned to driver stages connected to the drive lines is, which is essential for the staggered termination of coincidences with each other equally strong current pulses on the two drive lines is used.

7. Magnetic layer memory according to claim 6, characterized in that at least one additional, selectively controllable driveline (Zl to Zl) running in the direction of the preferred axes of the magnetic layers is provided in the region of the crossing points of the first and second driveline.

8. Magnetic layer memory according to claims 6 and 7, characterized in that a magnetic field source is provided which generates a bias field (H ₄ ) extending parallel to the heavy axis, in which the magnetic layer memory cells are arranged.

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9. magnetic layer memory according to claims 6 to 8, characterized in that the Drive lines are fed from a common current source and that delay circuits (55) are provided to to achieve different pulse transit times from the power source to the various types of drive lines.

10. Magnetic layer memory according to claim 9, characterized in that the driver stages (TX) of the first drive lines to a first power supply line (64) and the driver stages (TY) of the second drive lines are connected to a second power supply line (65) that the two drive lines through a delay circuit (55) are coupled to one another and that, depending on the binary information to be stored, either the first or the second power supply line can be coupled to the power source.

11. Magnetic layer memory according to claim 10, characterized in that the delay circuit is designed in two stages (88, 89) and that between the two stages driver stages (TZ) of a group of additional drive lines (Zl to Z 7) running parallel to the easy axis of the magnetic layers are connected .

12. Magnetic layer memory according to claim 10, characterized by such an arrangement of the drive lines that the transit time of a pulse from the first power supply line (64) via the driver stages (TX) of the first drive lines to the memory cell in question is at least approximately the same for any magnetic layer memory cell the transit time of a pulse from the second power supply line (65) via the driver stages (TX) of the second drive lines to the same memory cell.

13. Magnetic layer memory according to claim 11, characterized by such an arrangement of the additional drive lines (Zl to Z7) that the transit time of a pulse from the connection point between the two stages (88 and 89) of the delay circuit via the driver stages (TZ) for any magnetic layer memory cell ) of the additional drive lines to the relevant memory cell compared to the transit time of a pulse from the first (or second) power supply line (75 or 95) via the driver stages s of the first (or second) drive lines to the same memory cell does not have a greater difference than it does through the running time of the pulse over a stage of the delay circuit results.

14. magnetic layer memory according to claims 11 and 13, characterized in that the both stages (88 and 89) of the delay circuit have approximately the same delay time.

15. Magnetic layer memory according to claims 6 and 7, characterized in that an addressing circuit (120 and 130) is assigned to each of the first and second drive lines and that a further addressing circuit (140) is assigned to the additional drive lines (Z 1 to Z 7), which is connected to the other two addressing circuits in such a way that the addressing of the additional drive lines takes place as a function of the addressing of the first and second drive lines.

16. Magnetic layer memory according to one or more of claims 6 to 15, characterized in that that read lines (38) are assigned to the memory cells which are located at the location of the memory cells run parallel to the heavy axis of magnetization.

17. Magnetic layer memory according to claim 16, characterized in that the memory cells a read line (38) is common to a matrix which is routed across the memory cells in such a way that changes of the magnetization in the same direction in the cells cause read signals of the same polarity.

18. Magnetic layer memory according to claim 16, characterized in that in each case a group of memory cells is assigned to a read line (121 to 127) , that the read lines are connected to a common read signal output via selectively activatable selection switches (131 to 137) and that a read line addressing circuit ( 90) is provided, which is connected to the addressing circuits (120 and 130) of the first and second drive lines in such a way that the selection device of that read line is activated in whose memory cell group the memory cell addressed via the first and second drive lines is located.

Considered publications: "Electronic Computing Systems", 1959, no. 4, to 171.

Older patents considered: German Patent No. 1151 960.

For this purpose 2 sheets of drawings

(0? 540/299 4. H 0 Bundesdruckerei Berlin(0? 540/299 4. H 0 Bundesdruckerei Berlin