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DE1260033B - Method for manufacturing semiconductor devices - Google Patents

Method for manufacturing semiconductor devices

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Publication number
DE1260033B
DE1260033B DEST20481A DEST020481A DE1260033B DE 1260033 B DE1260033 B DE 1260033B DE ST20481 A DEST20481 A DE ST20481A DE ST020481 A DEST020481 A DE ST020481A DE 1260033 B DE1260033 B DE 1260033B
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DE
Germany
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semiconductor
carrier body
solder
auxiliary carrier
semiconductor body
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DEST20481A
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Inventor
Hans Wagner
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TDK Micronas GmbH
Original Assignee
Deutsche ITT Industries GmbH
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Publication date
Application filed by Deutsche ITT Industries GmbH filed Critical Deutsche ITT Industries GmbH
Priority to DE1963ST020481 priority Critical patent/DE1260033C2/en
Priority to GB14005/64A priority patent/GB1020152A/en
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    • H10W72/00—

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  • Die Bonding (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLANDFEDERAL REPUBLIC OF GERMANY

DEUTSCHESGERMAN

PATENTAMTPATENT OFFICE

AUSLEGESCHRIFTEDITORIAL

Int. Cl.:Int. Cl .:

HOIlHOIl

Deutsche Kl.: 21g-11/02German class: 21g-11/02

Nummer: 1260 033Number: 1260 033

Aktenzeichen: St 20481 VIII c/21 gFile number: St 20481 VIII c / 21 g

Anmeldetag: 6. April 1963 Filing date: April 6, 1963

Auslegetag: 1. Februar 1968Open date: February 1, 1968

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von Halbleiteranordnungen mit einem Halbleiterkörper, vorzugsweise Silizium, Germanium oder einer intermetallischen Verbindung, bei dem mehrere mit Elektroden versehene Halbleiterkörper an einem Hilfsträgerkörper befestigt und gemeinsam weiteren Verfahrensschritten unterworfen werden.The invention relates to a method for producing semiconductor arrangements with a semiconductor body, preferably silicon, germanium or an intermetallic compound in which several Semiconductor bodies provided with electrodes are attached to an auxiliary carrier body and others together Process steps are subjected.

Derartige Halbleiteranordnungen werden in der Weise aufgebaut, daß zunächst Halbleiterkristalle in gewünschter Größe und Form hergestellt, mit Kontakten versehen, geätzt, mit Schutzlack überzogen und gegebenenfalls in ein Gehäuse eingebaut werden.Such semiconductor arrangements are constructed in such a way that first semiconductor crystals in Manufactured in the desired size and shape, provided with contacts, etched, coated with protective varnish and, if necessary, built into a housing.

Da die Manipulation mit Bauelementen von solch geringen Abmessungen schwierig und ihre einzelne Behandlung unwirtschaftlich ist, hat man schon versucht, Verfahren zu finden, die gestatten, eine größere Anzahl von Halbleiterkörpern gleichzeitig und gemeinsam zu behandeln, beispielsweise zu kontaktieren, zu ätzen oder mit Schutzüberzügen zu versehen. Since the manipulation with components of such small dimensions difficult and their individual Treatment is uneconomical, attempts have been made to find methods that allow a larger To treat the number of semiconductor bodies simultaneously and jointly, for example to contact them, to be etched or provided with protective coatings.

So hat man beispielsweise Sperrschichtzellen in der Weise hergestellt, daß man auf eine unter Zwischenlagen gebündelte Anzahl von Grundelektroden die Halbleiterschicht und die Deckelektrode aufbrachte und diese anschließend in einzelne Zellen aufteilte.For example, barrier cells have been produced in such a way that one has underlayers bundled number of base electrodes applied the semiconductor layer and the cover electrode and then divided them into individual cells.

Es wurden auch schon mehrere Elektrodenstäbe gebündelt und mit einer Halbleiterplatte verbunden und diese Platte nachher zerschnitten.Several electrode rods have already been bundled and connected to a semiconductor plate and cut up this plate afterwards.

Ferner ist ein Verfahren zum Herstellen von Halbleiteranordnungen vorgeschlagen worden, bei dem eine Anzahl von Trägerelektroden an einem Halbleiterkörper angebracht wird und das ganze System durch Zerbrechen der Halbleiterplatte in einzelne Einheiten aufgespalten wird.Furthermore, a method for manufacturing semiconductor devices has been proposed in which a number of carrier electrodes is attached to a semiconductor body and the whole system is split into individual units by breaking the semiconductor plate.

Diese bekannten Verfahren haben den Nachteil, daß es nicht möglich ist, von Halbleiterkörpern der endgültigen Abmessungen auszugehen, daß beim Zertrennen ein Teil des Halbleitermaterials als Abfall verlorengeht und daß ferner die Gefahr besteht, daß einige Anordnungen durch mechanische Schäden unbrauchbar werden.These known methods have the disadvantage that it is not possible to use semiconductor bodies final dimensions assume that part of the semiconductor material as waste when dicing is lost and that there is also the risk that some assemblies by mechanical damage become unusable.

In der Zeitschrift »Electronics« (1959) ist auf den Seiten 132 bis 135 eine Vorrichtung zum Zusammenbau von Transistoren beschrieben, bei der am Halter eines Drehtisches zunächst ein Band befestigt wird, das in zwei Elektrodenteile zerschnitten ist. Der gezogene Halbleiterkörper ist an dem Band befestigt. Mehrere solche mit Elektroden versehene Halbleitervorrichtungen werden dann gemeinsam einer Ätzbehandlung unterworfen und schließlich automatisch an einem Sockel befestigt.In the magazine "Electronics" (1959) on pages 132 to 135 there is an assembly device described by transistors, in which a tape is first attached to the holder of a turntable, which is cut into two parts of the electrode. The drawn semiconductor body is attached to the tape. A plurality of such electrode-provided semiconductor devices are then subjected to an etching treatment together subjected and finally automatically attached to a base.

Verfahren zum Herstellen
von HalbleiteranordnungenMethod of manufacture
of semiconductor arrangements

Anmelder:Applicant:

Deutsche ITT Industries
Gesellschaft mit beschränkter Haftung,
7800 Freiburg, Hans-Bunte-Str. 19German ITT Industries
Company with limited liability,
7800 Freiburg, Hans-Bunte-Str. 19th

Als Erfinder benannt:Named as inventor:

Hans Wagner, 7800 FreiburgHans Wagner, 7800 Freiburg

Weiterhin ist in der britischen Patentschrift 889165 eine Vorrichtung zum Zusammenbau von elektrischen Halbleiteranordnungen beschrieben, die aus einem mit Bohrungen versehenen Isolierstoffkörper besteht. In die trichterförmigen Ansätze der Bohrungen werden die zusammenzubauenden Teile eingebracht.Furthermore, in British patent specification 889165 a device for assembling electrical semiconductor arrangements described, which consist of an insulating body provided with holes consists. The parts to be assembled are placed in the funnel-shaped approaches of the holes brought in.

Diese Verfahren betreffen zwar auch Maßnahmen zur Halterung von Halbleiteranordnungen für eine gemeinsame Bearbeitung. Sie sind jedoch verhältnismäßig aufwendig. Die Erfindung nutzt demgegenüber mit der Befestigung an einem Hilfskörper verbundene Maßnahmen gleichzeitig für die spätere Mon-Although these methods also relate to measures for holding semiconductor arrangements for a joint editing. However, they are relatively expensive. In contrast, the invention uses measures associated with the attachment to an auxiliary body at the same time for the later assembly

■- tage auf endgültigen Trägern wie Kühlkörpern oder Sockeln aus. Sie erreicht das, indem erfindungsgemäß die Halbleiterkörper mit einem Lot an einem bandförmigen Hilfsträgerkörper angelötet werden, das einen niedrigeren Schmelzpunkt hat als das zum Anbringen der Elektrode an dem Halbleiterkörper verwendete Lot, und daß nach der gemeinsamen Behandlung der Halbleiterkörper diese durch Schmelzen des Lotes zwischen dem Halbleiterkörper und· dem Hilfsträgerkörper von letzterem abgelöst und unter Verwendung des am Halbleiterkörper haftenden Lotes schließlich auf einer Kühlplatte oder in einem Gehäuse befestigt werden.■ - days on final carriers such as heat sinks or Pedestals off. It achieves this in that, according to the invention, the semiconductor bodies are attached to one another with a solder band-shaped auxiliary carrier body are soldered, which has a lower melting point than that for attaching the electrode to the semiconductor body used solder, and that after the common Treatment of the semiconductor body by melting the solder between the semiconductor body and · the auxiliary carrier body detached from the latter and using the on the semiconductor body adhesive solder can finally be attached to a cooling plate or in a housing.

Das erfindungsgemäße Verfahren bietet eine große Anzahl von Vorteilen und bringt damit einen erheblichen technischen Fortschritt gegenüber den herkömmlichen Verfahrensweisen. Zunächst ermöglicht seine Anwendung eine Vielzahl von Halbleiterbauelementen jeglicher Art, wie beispielsweise Transistoren oder Leistungsgleichrichter, gleichzeitig herzustellen, indem mehrere Halbleiterkörper mit ihren endgültigen Abmessungen zu gleicher Zeit behandelt werden. Da die in den bisher zum gleichzeitigen Herstellen einer Vielzahl von HalbleiteranordnungenThe method according to the invention offers a large number of advantages and thus brings one considerable technical progress compared to conventional procedures. Initially enabled its application a variety of semiconductor components of any kind, such as transistors or power rectifiers, simultaneously manufacture by using several semiconductor bodies with their final dimensions are treated at the same time. Since the in the so far to the simultaneous Manufacture of a variety of semiconductor devices

709 747/440709 747/440

Claims (1)

3 43 4 bekannten Verfahren notwendige mechanische Bear- ten Halbleitereinheiten können nun gemeinsam weibeitung zum Aufteilen des Systems in die einzelnen terbehandelt werden. Besonders hervorzuheben ist Einheiten entfällt, müssen keine dadurch beschädig- die Möglichkeit, die elektrischen Werte der Anordten Halbleitersysteme ausgeschieden werden. Ferner nungen während der Herstellung auf einfache Weise, ergibt die gleichzeitige Behandlung einer Vielzahl von 5 gegebenenfalls auch mehrmals messen zu können Halbleiterkörpern eine wesentliche Einsparung an und danach das Verfahren zu steuern, um Halbleiter-Fertigungszeit. Die Zusammenfassung auf einem bauelemente mit bestimmten Eigenschaften, wie z. B. Hilfskörper ermöglicht eine einfachere manuelle mit einem engen Streubereich der Wärmewiderstände Handhabung und damit fertigungstechnische Erleich- und geringen Abweichungen der Flußkennlinien, zu terung gegenüber dem Bekannten. Durch die leichte io erhalten. Zum anderen können nun alle weiteren erMeßbarkeit der elektrischen Daten während des Her- forderlichen Verfahrensschritte an einer beliebig grostellungsverfahrens kann der Behandlungsprozeß ge- ßen Anzahl von Halbleiteranordnungen gleichzeitig steuert und dadurch die Abweichung der Halbleiter- vorgenommen werden. In den meisten Fällen wird elemente in den technischen Daten gering gehalten man ein Ätzverfahren anschließen, um etwa vorhanwerden. Mit Hilfe des Hilfsträgerkörpers wird die 15 dene Verunreinigungen von der Oberfläche des gleichzeitige Kontaktierung vieler Halbleiterkörper Halbleiterkörpers und besonders an und in der Umermöglicht und eine definierte, gleichmäßige Lot- gebung der Austrittsstellen von pn-Übergängen zu schichtstärke erzielt. Besonders hervorzuheben ist entfernen. Als nächster Verfahrensschritt folgt zweckschließlich noch der Vorteil, daß die zusätzliche Be- mäßig das Aufbringen eines Lackes oder eines andearbeitung der zum Einbau in ein Gehäuse oder zum 20 ren geeigneten Stoffes, um den gereinigten Halbleiter-Verbinden mit einer anderen Unterlage erforderlichen körper vor dem Einwirken von Fremdstoffen zu Lotschicht, die vor dem Ätzen der Einrichtung am schützen.Mechanical processing required by known methods Semiconductor units can now jointly process to divide the system into individual ones. Particularly noteworthy is Units are omitted, do not have to damage them- the possibility of changing the electrical values of the arranged Semiconductor systems are eliminated. Furthermore, voltages during manufacture in a simple manner, the simultaneous treatment of a large number of 5 results in the possibility of being able to measure several times Semiconductor bodies make a substantial saving on and then control the process to semiconductor manufacturing time. The summary on a component with certain properties, such as B. Auxiliary body allows a simpler manual with a narrow range of thermal resistances Handling and thus manufacturing-related equalization and minor deviations in the flow characteristics, too change towards the known. Obtained by the light io. On the other hand, all further measurability can now be made of the electrical data during the required process steps in any size process the treatment process can be carried out simultaneously with a number of semiconductor arrangements controls and thereby the deviation of the semiconductor can be made. In most cases it will elements in the technical data are kept to a minimum, an etching process can be connected in order to become available. With the help of the auxiliary carrier body, the 15 dene impurities from the surface of the simultaneous contacting of many semiconductor bodies semiconductor body and especially on and in the Ummallower and a defined, uniform soldering of the exit points of pn junctions layer thickness achieved. Of particular note is remove. The next step in the process is purposefully nor the advantage that the additional moderate the application of a varnish or a further processing the material suitable for installation in a housing or for the purpose of connecting the cleaned semiconductor with another pad necessary body before the action of foreign substances Solder layer that protects the device from etching. Halbleiterkörper erzeugt wurde, entfällt, weil sie Die Anwendung des erfindungsgemäßen Verfah-Semiconductor body was generated, is omitted because the application of the method according to the invention während des Ätzens oder anderer anschließender Be- rens ist jedoch auch in den Fällen vorteilhaft, woduring the etching or other subsequent rubbing, however, is also advantageous in cases where handlung nicht freiliegt, sondern mit dem Hilfsträger- 25 man oberflächenstabilisierte Halbleiterkörper behan-action is not exposed, but treated with the subcarrier - one surface-stabilized semiconductor body. körper verbunden ist und damit eine Oxydierung delt, bei denen der pn-Ubergang von einer Schutz-body is connected and thus an oxidation delt, in which the pn transition from a protective durch das Ätzmittel und andere Umwandlungen der schicht, beispielsweise einer Oxydschicht bedeckt ist,is covered by the etchant and other transformations of the layer, for example an oxide layer, Oberfläche ausgeschlossen sind. denn auch diese Halbleiterkörper werden in eine Ge-Surface are excluded. because these semiconductor bodies are also Das erfindungsgemäße Verfahren soll nachstehend häuse eingelötet oder mit einer, nötigenfalls kühl-The method according to the invention is to be soldered in the housing below or with a, if necessary, cooling an Hand der Figur näher beschrieben werden. 30 baren Unterlage gut wärmeleitend verbunden.are described in more detail with reference to the figure. 30 baren pad with good thermal conductivity. Eine Anzahl von in bekannter Weise hergestellten Der nächste Verfahrensschritt besteht darin, die und mit Elektroden versehenen Halbleiterkörpern 1 Halbleiterkörper von dem Hilfskörper abzulösen, um von beliebigem Querschnitt und mit einem oder meh- sie an einem Gehäuseboden oder einer anderen Unreren durch Legieren oder Diffusion erzeugten pn- terlage befestigen zu können. Zu diesem Zweck wird Übergängen werden auf einem Trägerkörper 2 bei- 35 gemäß der Erfindung der Hilfsträgerkörper durch spielsweise durch Löten befestigt. Dies kann auf ver- Fremdheizung wie etwa durch Auflegen auf einen schiedene Weise geschehen, etwa durch Überziehen Heizkörper 6 oder auch in einem Ofen vorgewärmt, des Trägerkörpers mit einer Lotschicht und anschlie- beispielsweise auf etwa 150° C, und schließlich werßendem Verlöten der Halbleiterkörper mit dieser den die Halbleiterkörper durch Anlegen von Gleich-Schicht oder indem man Plättchen aus Lötmetall auf 4° strom so lange erwärmt, bis sie von ihrer hilfsweise den Hilfskörper auflegt und dessen Verbindung mit benutzten Unterlage getrennt und mit ihrem endgülden Halbleiterkörpern durch Erwärmen herbeiführt. tigen Träger verlötet werden können. Das Ablösen In beiden Fällen erhält man die gewünschte definierte kann jedoch auch ausschließlich durch Erwärmen Lotschichtstärke. Erfindungsgemäß wird die Zusam- des Trägerkörpers oder nur mit Hilfe eines durch die mensetzung der an den Hilfsträgerkörper angrenzen- 45 Halbleiterkörper geleiteten Gleichstromes erfolgen, den Lotschicht 3 so gewählt, daß ihr Schmelzpunkt Man erhält so ohne Schwierigkeiten eine einwandniedriger liegt als der Schmelzpunkt des Lotes, mit freie Verbindung zwischen Halbleiterkörper und Undem die Elektroden am Halbleiterkörper befestigt terlage im Gegensatz zu den bekannten Verfahren, sind. Als besonders hierfür geeignet hat sich eine bei denen die mit dem Gehäuse oder einem anderen Legierung aus 96°/» Blei und 4% Gold erwiesen, 50 Träger zu verbindende Lotschicht freiliegt und chewährend als Kontaktmetall für die z. B. aus Silber misch verändert, beispielsweise durch das Ätzmittel herzustellende Elektrode 4 vorzugsweise Reinblei 5 oxydiert werden kann.A number of manufactured in a known manner. The next process step consists in the and semiconductor bodies 1 provided with electrodes to detach the semiconductor body from the auxiliary body in order to of any cross-section and with one or more of them on a case back or another unreren to be able to attach pn pad generated by alloying or diffusion. To this end, will Transitions are made on a carrier body 2 in the case of the auxiliary carrier body according to the invention for example attached by soldering. This can be due to external heating such as by placing on one can be done in different ways, for example by covering radiators 6 or preheating them in an oven, of the carrier body with a layer of solder and then, for example, to about 150 ° C., and finally to the surface Soldering the semiconductor body to the semiconductor body by applying a DC layer or by heating platelets made of solder to a current of 4 ° until they are of their alternative the auxiliary body is placed and its connection with the used pad separated and with your final gold Caused semiconductor bodies by heating. term carrier can be soldered. The detachment In both cases, the desired definition can also be obtained solely by heating Solder layer thickness. According to the invention, the assembly of the carrier body or only with the help of one by the composition of the direct current conducted 45 semiconductor bodies adjacent to the auxiliary carrier body, the solder layer 3 is chosen so that its melting point is obtained without difficulty lies as the melting point of the solder, with a free connection between the semiconductor body and undem the electrodes are attached to the semiconductor body in contrast to the known methods, are. One of those with the housing or another has proven to be particularly suitable for this Alloy of 96% lead and 4% gold proved to be exposed and while the brazing layer to be connected to 50 carriers as a contact metal for the z. B. mixed from silver, for example by the etchant Electrode 4 to be produced, preferably pure lead 5, can be oxidized. verwendet werden soll. Es liegt jedoch auch im Sinn Das Verfahren nach der Erfindung ermöglicht eine der Erfindung, einen anderen geeigneten -Stoff zu wesentlich vereinfachte Herstellung jeglicher Bauwählen, vorausgesetzt, daß er einen höheren Schmelz- 55 elemente, die einen Halbleiterkörper enthalten, unabpunkt als die an den Hilfsträgerkörper 2 angrenzende hängig davon, welche Art von Einbau im Gehäuse Lotschicht 3 hat. Besonders vorteilhaft ist es, einen oder Anbringung auf einem Trägerkörper vorgesehen Hilfskörper zu verwenden, der aus einer Legierung ist. Es hat sich insbesondere bei der Herstellung von von 98% Blei und 2°/o Gold besteht. Seine Form ist Ringgleichrichtern als vorteilhaft erwiesen, beliebig und wird zweckmäßig den räumlichen Ge- 60 .. gebenheiten und Erfordernissen der zur weiteren Be- a en 3118P1110 e· handlung der Halbleiterkörper benutzten Geräte und 1. Verfahren zum Herstellen von Halbleiter-Hilfsmittel angepaßt. In der Figur ist ein leistenför- anordnungen mit einem Halbleiterkörper, vormiger Träger dargestellt, an dem die Halbleiteranord- zugsweise aus Silizium, Germanium oder einer nungen in entsprechendem Abstand in einer Reihe 65 intermetallischen Verbindung, bei dem mehrere befestigt sind. Die Erfindung umfaßt jedoch auch an- mit Elektroden versehene Halbleiterkörper an dere räumliche Anordnungen. Die in der oben be- einem Hilfsträgerkörper befestigt und gemeinsam schriebenen Weise zu einem System zusammengefaß- weiteren Verfahrensschritten unterworfen wer-should be used. However, it is also in the sense that the method according to the invention enables one of the invention to select another suitable material to be considerably simplified in the manufacture of any construction, provided that it has a higher fusible element that contains a semiconductor body than those on the auxiliary carrier body 2 adjacent depending on what type of installation in the housing has solder layer 3. It is particularly advantageous to use an auxiliary body, which is made of an alloy, or which is provided on a carrier body. It has proven particularly useful in the production of 98% lead and 2% gold. Its shape is proved ring rectifiers as advantageous as desired and is appropriate .. give units of requirements tailored to the spatial overall 60 and for further treatment a en 3118 P 1110 e · treatment of the semiconductor body used devices and 1. A method for manufacturing semiconductor aids . The figure shows a strip conveyor arrangement with a semiconductor body, the former carrier, on which the semiconductor arrangement, preferably made of silicon, germanium or a hole, is spaced appropriately in a row 65 intermetallic compound, in which several are attached. However, the invention also includes semiconductor bodies provided with electrodes in other spatial arrangements. Which are attached to an auxiliary carrier body in the manner described above and combined to form a system - are subjected to further process steps den, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterkörper mit einem Lot an einem bandförmigen Hilf strägerkörper angelötet werden, das einen niedrigeren Schmelzpunkt hat als das zum Anbringen der Elektrode an dem Halbleiterkörper verwendete Lot, und daß nach der gemeinsamen Behandlung der Halbleiterkörper diese durch Schmelzen des Lotes zwischen dem Halbleiterkörper und dem Hilfsträgerkörper von letzterem abgelöst und unter Verwendung des am Halbleiterkörper haftenden Lotes schließlich auf einer Kühlplatte oder in einem Gehäuse befestigt werden.the, characterized in that the semiconductor body with a solder on a band-shaped Auxiliary body to be soldered, which has a lower melting point than that for Attaching the electrode to the semiconductor body used solder, and that after the common Treatment of the semiconductor body by melting the solder between the semiconductor body and the auxiliary carrier body detached from the latter and finally on using the solder adhering to the semiconductor body a cooling plate or in a housing. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Hilfsträgerkörper aus einem niedrigschmelzenden Lot besteht.2. The method according to claim 1, characterized in that the auxiliary carrier body from a low-melting solder. 3. Verfahren nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper von dem Hilfsträgerkörper durch Erwärmen des Hilf strägerkörpers abgelöst wird.3. The method according to claim 1 and 2, characterized in that the semiconductor body of the auxiliary carrier body by heating the auxiliary carrier body is replaced. 4. Verfahren nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Ablösung durch Erwärmen des Halbleiterkörpers mit Hilfe von Gleichstrom erfolgt.4. The method according to claim 1 to 3, characterized in that the detachment by heating of the semiconductor body takes place with the help of direct current. 5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Hilfsträgerkörper mit Fremdheizung vorgewärmt wird.5. The method according to any one of claims 1 to 4, characterized in that the auxiliary carrier body is preheated with external heating. 6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß ein leistenförmiger Hilfsträgerkörper verwendet wird.6. The method according to any one of claims 1 to 5, characterized in that a strip-shaped Auxiliary carrier body is used. 7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Hilfsträgerkörper aus einer Legierung von 98% Blei und 2°/» Gold hergestellt wird.7. The method according to any one of claims 1 to 6, characterized in that the auxiliary carrier body is made from an alloy of 98% lead and 2% gold. 8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß für die an den Hilfsträgerkörper angrenzende Lotschicht eine Legierung aus 96% Blei und 4% Gold verwendet wird.8. The method according to any one of claims 1 to 7, characterized in that for the to the auxiliary carrier body adjacent solder layer an alloy of 96% lead and 4% gold is used. 9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektroden mit Hilfe von Reinblei an dem Halbleiterkörper befestigt werden.9. The method according to any one of claims 1 to 8, characterized in that the electrodes with Using pure lead to be attached to the semiconductor body. 10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterkörper mit Elektroden aus Silber verbunden werden.10. The method according to any one of claims 1 to 9, characterized in that the semiconductor body connected with electrodes made of silver. 11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß die auf den Hilfsträgerkörper aufgesetzten Halbleiteranordnungen gemeinsam geätzt werden.11. The method according to any one of claims 1 to 10, characterized in that the on the Auxiliary carrier bodies placed on semiconductor arrangements are etched together. 12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß die auf den Hilfsträgerkörper aufgesetzten Halbleiteranordnungen gemeinsam mit Lack überzogen werden.12. The method according to any one of claims 1 to 11, characterized in that the on the Auxiliary carrier body attached semiconductor arrangements are coated together with paint. 13. Anwendung des Verfahrens nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 12 zum Herstellen von Ringgleichrichtern.13. Application of the method according to one or more of claims 1 to 12 for production of ring rectifiers. In Betracht gezogene Druckschriften:
Britische Patentschrift Nr. 889 165;
Zeitschrift »Electronics«, 32, 1959, H. 37, S. 132 bis 135.Considered publications:
British Patent No. 889 165;
Electronics magazine, 32, 1959, no. 37, pp. 132 to 135. Hierzu 1 Blatt Zeichnungen 1 sheet of drawings 709 747/440 1.68 © Bundesdruckerei Berlin709 747/440 1.68 © Bundesdruckerei Berlin
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB889165A (en) * 1960-09-27 1962-02-07 Mullard Ltd Improvements in or relating to object holders

Patent Citations (1)

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GB889165A (en) * 1960-09-27 1962-02-07 Mullard Ltd Improvements in or relating to object holders

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