DE1244310B - Elektrisch verstaerkendes Bauelement mit duennen isolierenden Festkoerperschichten - Google Patents
Elektrisch verstaerkendes Bauelement mit duennen isolierenden FestkoerperschichtenInfo
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Description
BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND
DEUTSCHES
PATENTAMT
Int. Cl.
HOlI
Deutsche Kl.: 21 g - 41/00
Nummer: 1244 310
Aktenzeichen: J 23808 VHI c/21 g
Anmeldetag: 1. Juni 1963
Auslegetag: 13. Juli 1967
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein elektrisch verstärkendes Bauelement mit dünnen isolierenden
Festkörperschichten. Die Erfindung zielt darauf ab, die für derartige Vorrichtungen erforderliche
Elektronenquelle unter Ausnutzung der inneren Feldemission zu realisieren. Die innere Feldemission
ist auch unter dem Namen »Lawineneffekt« bekannt.
Wegen der Schwierigkeit, einkristalline halbleitende Schichten in Form von dünnen Filmen auf die Oberfläche
elektrisch neutraler Unterlagen, wie Keramik, Glas usw., niederzuschlagen, ist die Herstellung von
aktiven Bauelementen vom bipolaren Typ mit dünnen Schichten nicht einfach. Um diese Schwierigkeiten zu
umgehen, suchte man nach Möglichkeiten, mit unipolaren Bauelementen ähnliche oder gleiche Funktionen
zu erfüllen, wie sie bei Bauelementen vom bipolaren Typ bekannt waren. Es wurde bereits z. B.
durch die französische Patentschrift 1266 933 eine mehrschichtige Struktur bekannt, die durch das
Niederschlagen dünner polykristalliner Schichten auf ao eine geeignete Unterlage erstellt werden. Eine derartige
Struktur liegt auch der vorliegenden Erfindung zugrunde und weist eine Folge von Schichten auf,
die abwechselnd leitend und nichtleitend sind. Eine derartige mehrschichtige Struktur wird hergestellt
durch Niederschlagen von Schichten, die abwechselnd aus einem Metall oder aus einem Dielektrikum bestehen,
auf eine geeignete Unterlage. Die äußeren Schichten einer solchen Kombination aus Metall und
Dielektrikum dienen als ohmsche Kontakte für ein elektronemittierendes und ein elektronensammelndes
Element. Ein Steuergitter mit feinmaschiger Struktur zum Herstellen eines gleichförmigen elektrischen
Feldes liegt zwischen zwei Metallelektroden. Zwischen der einen Elektrode und dem Steuergitter
befindet sich ein Dielektrikum, und ein zweites Dielektrikum liegt zwischen dem Steuergitter und der
zweiten Elektrode. Aus später noch zu besprechenden Gründen besitzen die genannten beiden Dielektrika
verschiedene Dicke und verschiedene Materialeigenschaften. Es ist bekannt, eine Elektronenquelle
unter Ausnutzung des Tunneleffektes mittels einer Kombination zwischen einer Metallschicht und einer
dielektrischen Schicht zu realisieren. Man spricht dann von einer Tunnelemission. Es ist klar, daß infolge
der Benutzung des Tunneleffektes nur dann ein brauchbarer Elektronenfluß zustande kommt, wenn
die isolierende Schicht sehr dünn, etwa in der Größenordnung von 100 Angströmeinheiten ist. Solch dünne
Schichten sind nur schwierig und mit geringer Reproduzierbarkeit praktisch herzustellen.
Die vorliegende Erfindung benutzt dahingegen zur Elektrisch verstärkendes Bauelement mit dünnen
isolierenden Festkörperschichten
Anmelder:
International Business Machines Corporation,
Armonk, N.Y. (V. St. A.)
Armonk, N.Y. (V. St. A.)
Vertreter:
DipL-Ing. H. E. Böhmer, Patentanwalt,
Böblingen, Sindelfinger Str. 49
Böblingen, Sindelfinger Str. 49
Als Erfinder benannt:
Rudolf Eduard Thun, Poughkeepsie3 N.Y.;
Edward Stanley Wajda,
Kingston, N.Y. (V. St. A.)
Beanspruchte Priorität:
V. St. v. Amerika vom 1. Juni 1962 (199 449) - -
Erstellung der Elektronenquelle einen Injektionsprozeß durch eine dielektnsche Schicht vermöge des
Lawineneffektes. Dieser Lawinenprozeß tritt bereits bei dickeren isolierenden Schichten auf, nämlich bei
solchen von einer Dicke von 1000 bis 10 000 Angströmeinheiten. Diese Dickenabmessungen sind weitaus
besser reproduzierbar herstellbar als die beim Tunnelprozeß benötigten Abmessungen.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein elektrisch verstärkendes Bauelement mit
dünnen isolierenden Festkörperschichten aufzuzeigen, bei denen die Kathodenemission vermöge des inneren
Feldemissionseffektes durch »Lawineninjektion« zustande kommt.
Elektrisch verstärkendes Bauelement mit dünnen isolierenden Festkörperschichten, bei dem auf eine
isolierende Trägerschicht eine metallische, als Sammelelektrode wirkende Schicht und darauf eine
erste isolierende Schicht aufgebracht ist, an die sich eine dünne metallische, als Steuerelektrode wirkende
Schicht mit gitterförmiger Struktur anschließt, worauf weiterhin eine zweite isolierende Schicht und abschließend
eine metallische, Elektronen injizierende Schicht folgen.
Das mit drei Elektroden ausgerüstete Bauelement soll eine gleichförmige elektrische Charakteristik aufweisen.
Das elektrisch verstärkende Bauelement nach der Lehre der vorliegenden Erfindung löst die obengenannte
Aufgabe und ist dadurch gekennzeichnet,
709 610/407
daß die Dicke und die Eigenschaften der zweiten isolierenden Schicht so gewählt sind, daß die Dicke
ein Vielfaches der freien Weglänge der Elektronen in dieser Schicht beträgt und die Schichtdicke der
ersten Isolierschicht kleiner als eine freie Weglänge der Elektronen dieser ersten isolierenden Schicht ist.
Weitere Einzelheiten gehen hervor aus der folgenden Beschreibung und den Figuren.
Fig. 1 stellt schematisch einen Schnitt durch das erfindungsgemäße Bauelement dar;
Fig. 2 zeigt zwei Metallschichten, welche durch eine dielektrische Schicht getrennt sind und dient zur
besseren Verständlichmachung des Erfindungsgedankens;
Fig. 3 zeigt eine Stromspannungscharakteristik eines Dielektrikums mit einer weichen Durchbruchsspannung.
Wir kehren zurück zur Fig. 2, in der zwei von einem Dielektrikum getrennte Metallschichten dargestellt
sind. Die Figur dient zur Verdeutlichung der Unterschiede zwischen Tunneleffekt, Kapazität und
Lawineneffekt in Verbindung mit Strukturen, welche der in Fig. 1 dargestellten ähnlich sind. Ein Vergleich
der genannten Begriffe geht aus von der Beziehung E = V/D. Dabei bedeutet E die elektrische
Feldstärke, V das elektrische Potential und D den Abstand zwischen den beiden Metallschichten. Im
Fall des Tunneleffektes ist es wünschenswert, einen sehr geringen Abstand D zwischen den Elektroden 2
und 4 zu haben, damit die Tunnelwahrscheinlichkeit auf brauchbare Werte ansteigt. Man kann zeigen, daß
zur Herstellung eines zur Auslösung des Tunneleffektes ausreichenden elektrischen Feldes E der Abstand
zwischen den Elektroden 2 und 4 bzw. die Dicke des Dielektrikums 3 geringer sein muß als die
mittlere freie Weglänge eines Elektrons. Für die meisten dielektrischen Materialien bedeutet dies, daß
die Dicke des Isoliermaterials 3 auch von der Größenordnung von 1000 Ängströmeinheiten oder weniger
ist. Ein Dielektrikum dieser geringen Abmessungen ist schwierig reproduzierbar herzustellen, und seine
Eigenschaften unterliegen im Lauf der Lebensdauer des erstellten Elementes gewissen Veränderungen.
Benutzt man ein Dielektrikum zwischen zwei Metallelektroden als Kondensator, so ist man bestrebt,
Leckströme zwischen den MetalIeIektroden auf ein Minimum herabzudrücken. Aus diesem Grund
strebt man in einem Kondensator ein niedriges elektrisches Feld E bei einem großen Kapazitätswert C
an. Eine große Kapazität erfordert ihrerseits einen geringen AbstandD zwischen den Metallelektroden.
Hohe Leckströme in Kondensatoren werden auch verursacht durch feine Haarrisse in der dielektrischen
Schicht. Um dieses zu vermeiden, macht man in der Regel den Abstand zwischen den Elektroden 2 und 4
relativ dick und zwar in der Größenordnung von 10 000 Angströmeinheiten oder höher, je nach der
Art des benutzten dielektrischen Materials, wobei man oft Materialien mit besonders hoher Dielektrizitätskonstante
auswählt.
Bei der vorliegenden Erfindung wird ohne ein besonders dünnes Dielektrikum ein hoher Strom/
zwischen den Elektroden 2 und 4 erhalten. Zu diesem Zweck benutzt man eine dielektrische Schicht
zwischen den Elektroden in einer Dicke der Größen-Ordnung von 2000 Ängströmeinheiten. Mit diesem
Abstand zwischen den Elektroden 2 und 4 und einem Potential von 10 bis 20 Volt zwischen diesen Elek-
troden erreicht man hohe elektrische Feldstärken, so daß die Elektronen eine genügend hohe Energie
pro freie Weglänge erlangen können, um ihrerseits eine ionisierende Wirkung auszuüben. Da die Ionisationswahrscheinlichkeit
abhängt a) von der pro freie Weglänge gewonnene Energie und b) von der Anzahl der zur Verfügung stehenden freien Weglängen, benötigt
man ein dickeres Dielektrikum. Daher werden bei dem Bauelement nach der Erfindung unter Benutzung
des Prinzips der Lawineninjektion durch eine dielektrische Schicht Ladungsträger in der Gegend
des Steuergitters injiziert.
Im Unterschied zu dem genannten Injektionsmechanismus, der für die Elektronenquelle ausgenutzt
wird, wird für die sammelnde Wirkung der Kollektorzone bei dem Aufbau des Bauelementes
nach der Erfindung ein dem Tunneleffekt ähnlicher Mechanismus ausgenutzt, wie er z. B. beschrieben
ist von CA. Mead in »Operation of Tunnel-Emission Devices«, Journal of Applied Physics, Vol. 32,
Nr. I (1961), S. 646 bis 652. Selbstverständlich können auch andere Mittel als der Tunneleffekt zur
Aufsammlung der Ladung benutzt werden. So kann man beispielsweise auch einen PN-Übergang zu
diesem Zweck benutzen.
In der Fig. 1 besteht die Elektrode selbst aus einer im Vakuum auf eine geeignete Unterlage 8 z. B.
auf Glas aufgedampften Schicht. Diese erste Schicht 6 kann aus Tantal oder aus jedem anderen geeigneten
Metall, wie z. B. Gold, Chrom, Platin usw., bestehen. Auf die Elektrode 6 folgt ein dielektrisches Material
10 mit einer verhältnismäßig hohen Durchbruchsfeldstärke und einer scharfen Übergangscharakteristik.
Die Dicke dieser dielektrischen Schicht, für welche man z. B. Magnesiumfluorid benutzt, kann etwa
50 Ängströmeinheiten betragen. Auf die genannte dielektrische Schicht 10 ist ein Gitter 12 aufgetragen,
worauf eine zweite dielektrische Schicht 14 mit weicher Durchbruchscharakteristik folgt, die beispielsweise
durch einen Niederschlag von Siliziummonoxyd von einer Dicke von 1000 bis 2000 Ängströmeinheiten
realisiert wird. Auf diese zweite Schicht dielektrischen Materials 14 ist abschließend die Elektrode
16 aufgebracht.
Die metallische Emitterelektrode 16 dient als Quelle für die zu injizierenden Elektronen. Die Elektronen
werden auf Grund der Lawinenbildung in dem Raum 14 vervielfacht und erreichen das Steuergitter
12. Das Ausmaß der Lawinenbildung wird festgelegt durch eine Vorspannung Vse zwischen der Elektrode
16 und dem Steuergitter. Die Ladungsträger durchlaufen weiterhin die öffnungen des Gitters 12 und
gelangen in die Gegend der Kollektorschicht 6. Das Sammeln der Ladungsträger erfolgt auf Grund eines
quantenmechanischen Tunneleffektes durch das verbotene Gebiet des Dielektrikums 10.
Die F i g. 3 zeigt die Strom-Spannungs-Charakteristik des »weichen« Dielektrikums, welches für die
Schicht zwischen der Emitterelektrode 16 und dem Steuergitter 12 gewählt wurde. Man sieht, daß für
die Spannungswerte zwischen Va bis Vb ein beträchtlicher
Anstieg des zugehörigen Stromes/ erfolgt. Dieses Gebiet ist durch Schraffierung kenntlich gemacht
und stellt den Bereich dar, in welchem eine Lawineninjektion eintritt, welche in der vorliegenden
Erfindung ausgenutzt wird.
Das Bauelement nach der Erfindung, bei dem die Elektronenvervielfachung auf Grund des Lawinen-
Claims (3)
1. Elektrisch verstärkendes Bauelement mit dünnen isolierenden Festkörperschichten, bei dem
auf eine isolierende Trägerschicht eine metallische, als Sammelelektrode wirkende Schicht und
darauf eine erste isolierende Schicht aufgebracht ist, an die sich eine dünne metallische, als Steuerelektrode
wirkende Schicht mit gitterfönniger Struktur anschließt, worauf weiterhin eine zweite ao
isolierende Schicht und abschließend eine metallische, Elektronen injizierende Schicht folgen,
dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke und die Eigenschaften der zweiten isolierenden
Schicht (14) so gewählt sind, daß die Dicke ein Vielfaches der freien Weglänge der Elektronen
in dieser Schicht beträgt und die Schichtdicke
der ersten Isolierscihicht kleiner als eine freie Weglänge der Elektronen dieser ersten isolierenden
Schicht ist.
2. Elektrisch verstärkendes Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das
erste dielektrische Medium aus einer 100 Ängströmeinheiten dicken Schicht aus Magnesiumfluorid,
das zweite dielektrische Medium aus einer 1000 Ängströmeinheiten dicken Schicht aus
Siliziummonoxyd besteht und die Gitterstruktur eine Dicke von 50 Ängströmeinheiten aufweist.
3. Verfahren zum Betrieb des elektrisch verstärkenden Bauelementes nach Anspruch 1
oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß zur Sicherstellung eines Lawineneffektes in der zweiten
isolierenden Schicht eine genügend hohe Spannung zwischen den beiden äußeren Metallschichten
(6, 16) angelegt wird.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Französische Patentschrift Nr. 1266 933;
IBM Techn. Disclosure Bulletin, Bd. 4, 1961,
Nr. 6, S. 22;
Französische Patentschrift Nr. 1266 933;
IBM Techn. Disclosure Bulletin, Bd. 4, 1961,
Nr. 6, S. 22;
Funkschau, 1961, Nr. 11, S. 592;
Journal of Applied Physics, Bd. 32, 1961, S. 646 bis 652;
Journal of Applied Physics, Bd. 32, 1961, S. 646 bis 652;
Radio und Fernsehen, 1961, H. 7, S. 198.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
709 610/407 7. 67 © Bundesdruckerei Berlin
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US19944962A | 1962-06-01 | 1962-06-01 | |
| US199450A US3202543A (en) | 1962-06-01 | 1962-06-01 | Method of forming a thin film grid |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1244310B true DE1244310B (de) | 1967-07-13 |
Family
ID=26894786
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DEJ23809A Pending DE1246898B (de) | 1962-06-01 | 1963-06-01 | Verfahren zum Herstellen eines metallischen duennen Gitters fuer elektronische Festkoerperbauelemente |
| DEJ23808A Withdrawn DE1244310B (de) | 1962-06-01 | 1963-06-01 | Elektrisch verstaerkendes Bauelement mit duennen isolierenden Festkoerperschichten |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DEJ23809A Pending DE1246898B (de) | 1962-06-01 | 1963-06-01 | Verfahren zum Herstellen eines metallischen duennen Gitters fuer elektronische Festkoerperbauelemente |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3202543A (de) |
| BE (1) | BE633151A (de) |
| CH (2) | CH413114A (de) |
| DE (2) | DE1246898B (de) |
| DK (1) | DK126462B (de) |
| FR (2) | FR1357559A (de) |
| GB (1) | GB994241A (de) |
| NL (1) | NL293391A (de) |
| SE (1) | SE321990B (de) |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 | ||
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |