DE1139147B

DE1139147B - Modulationseinrichtung fuer Wechselstromtelegraphie, insbesondere fuer Fernmesszwecke

Info

Publication number: DE1139147B
Application number: DES75983A
Authority: DE
Inventors: Rainer Herkt
Original assignee: Siemens Corp
Current assignee: Siemens Corp
Priority date: 1961-09-28
Filing date: 1961-09-28
Publication date: 1962-11-08

Description

Modulationseinrichtung für Wechselstromtelegraphie, insbesondere für Fernmeßzwecke Als Modulationseinrichtungen für den angegebenen Zweck sind bisher sogenannte Ringmodulatoren gebräuchlich. Bei derartigen Modulatoren müssen die für die Ringschaltung verwendeten Gleichrichter möglichst übereinstimmende Kennlinien aufweisen. die dazu ebenfalls notwendigen Transformatoren mit geteilten Wicklungen müssen ein Höchstmaß an Symmetrie besitzen. Durch diese Forderungen werden Ringmodulatoren ziemlich teuer.
Der Erfindung lag die Aufgabe zugrunde, eine Modulationseinrichtung für den angegebenen Zweck zu erstellen, die weniger aufwendig ist, jedoch ungefähr gleich gute Ergebnisse wie der Ringmodulator liefert.
Die Erfindung bezieht sich auf eine Modulationseinrichtung für Wechs-elstromtelegraphie, insbesondere für Fernmeßzwecke. Gemäß der Erfindung besteht ihr kennzeichnendes Merkmal darin, daß die Priniärwicklung eines Ausgangstransformators der Modulationseinrichtung in Reihe mit den Emitter-Kollektor-Strecken zweier im Takte der Trägerfrequenz bzw. der modulierenden Impulsfrequenz gesteuerten Schalttransistoren an eine Gleichspannungsquelle angeschlossen ist.
Die Modulationseinrichtung nach der Erfindung besteht also im wesentlichen aus einem Ausgangstransformator und zwei Transistoren mit einer dazugehörigen Gleichspannungsquelle. Sie ist damit weniger aufwendig als ein sogenannter Ringmodulator, für den zwei Transformatoren mit symmetrischen Wick-, sind. lungen und vier ausgesuchte Dioden notwendig Zweckmäßig ist der Kollektor des einen Transistors mit dem Emitter des anderen Transistors verbunden. Dieser Verbindungspunkt ist über einen Widerstand an einen Pol der Spannungsquelle angeschlossen. Die Basiselektrode jedes Transistors ist jeweils an den Verbindungspunkt der positiven Elektrode eines Gleichrichters und einen Widerstand, die beide in Reihe an der Sekundärwicklung eines Impulstransformators hegen, angeschlossen. Der Impulstransformator ist Teil einer an sich bekannten Transistorwechselrichterschaltung, die mit einem im magnetischen Sättigungsgebiet betriebenen Eisenkern arbeitet.
Die Erfindung wird an Hand einer Schaltskizze, die ein Ausführungsbeispiel darstellt, erläutert. Mit Tr, und Tr. sind in der Skizze Impulstransformatoren bezeichnet, die jeder einen Teil zweiex Impulsgeneratoren bilden. Derartige Generatoren sind bekannt. Die Impulstransformatoren arbeiten dabei im magnetischen Sättigungsgebiet ihres Eisenkernes. Die Generatoren weisen die wesentliche Eigenschaft auf, daß die von ihnen erzeugte Impulsfolge, in ihrer Frequenz von der Größe ihrer Eingangsgleichspannung linear abhängig gemacht werden kann. über den Transformator Tri wird die Trägerfrequenz, beispielsweise 1000 Hz, und über den Transformator Tr 2 die Impulsfrequenz einer Fernmeßanlage, die nach dem Impulsfrequenzverfahren arbeitet, übertragen. Die Frequenz der Meßwertimpulse schwankt ungefähr zwischen 5 und 15 Impulsen pro Sekunde. Die Sekundärwicklungen der Impulstransformatoren Tr, und Tr. arbeiten auf Widerstände Ri bzw R2. In die Sekundärstromkreise sind außerdem Gleichrichter Gl bzw. G, eingefügt. Infolge der Gleichrichterwirkung liegen an Schaltpunkten al bzw. a. Einfachstromirnpulse an, die zwei hintereinandergeschaltete Transistoren T, bzw. T.2 an ihrer Basis aussteuern. Die Transistoren T, und T2 werden als Schalttransistoren benutzt, wobei der Transistor Ti im Takte der Trägerfrequenz und der Transistor T, im Takte der Impulsfrequenz einmal in den Sättigungszustand und das andere Mal in den Sperrzustand getastet werden.
Die negative Klemme, einer Gleichspannungsquelle ist an ein Ende der Primärwicklung eines Ausgangstransformators Tr. angeschlossen. Ebenso steht diese Klemme über einen Widerstand R, mit dem Kollekter des Transistors T, und dem Emitter des Transistors Ti in Verbindung. An der positiven Klemme der Gleichspannungsquelle liegt der Emitter des Transistors T 2* Die positive Klemme ist außerdem mit den Enden der Sekundärwicklungen der Impulstransformatoren Tri und Tr2 verbunden, an die auch die Gleichrichter Gl bzw. G2 angeschlossen sind.
Ein Stromfluß über die beiden hintereinandergeschalteten Emitter-Kollektor-Strecken der Transistoren Ti und T" und die Primärwicklung des Aus-C erangstransfonnatirs Tr", die mit den Transistoren in Reihe liegt, kommt nur zustande, wenn der Transistor T, Sättigungsstrom fährt, denn nur dann liegt der Emitter des Transistors Ti über die Emitter-Kollektor-Strecke des Transistors T, an Pluspotential. Eine weitere Bedingung für den Stromfluß ist, daß die Basis des Transistors T, durch die Tastimpulse der Trägerfrequenz negativ gegen den Emitter wird. Wenn dagegen der Transistor T 2 gesperrt ist, so liegt der Emitter von Transistor T, über den Widerstand R, von ungefähr 10 Kiloohm an Minuspotential und weist damit niedereres Potential als die Basis auf. Stromdurchgang über den Transistor T, und die Primärwicklung des Transformators Tr. ist dann nicht möglich. Auf diese Weise findet eine Modulation der Trägerfrequenz durch die Impulsfrequenz statt.

Claims

PATENTANSPRÜCHE: 1. Modulationseinrichtung für Wechselstromtelegraphie, insbesondere für Fernmeßzwecke, da-,durch gekennzeichnet daß die Primärwicklung eines Ausgangstransformators (Tr.) der Modulationseinrichtung in Reihe mit den Emitter-Kollektor-Strecken zweier im Takte der Trägerfrequenz bzw. der modulierenden Impulsfrequenz gesteuerten Schalttransistoren (T, und T.) an eine Gleichspannungsquelle angeschlossen ist.
2. Modulationseinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Kollektor des einen Transistors (T2) mit dem Emitter des anderen Transistors (T1) verbunden und der Verbindungspunkt über einen Widerstand (R3) an einen Pol der Spannungsquelle angeschlossen ist. 3. Modulationseinrichtung nach Ansprach 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Basiselektrode jedes Transistors jeweils an den Verbindungspunkt der positiven Elektrode eines Gleichrichters (G, bzw. G2) und eines Widerstandes (R1 bzw. R.), die beide in Reihe an der Sekundärwicklung eines Impulstransformators (Tri bzw.
Tr2) liegen, angeschlossen ist.
4. Modulationseinrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Impulstransformator Teil einer an sich bekannten Transistor-WechseMehterschaltung mit magnetisch gesättigtem Eisenkern ist.