DE1136140B

DE1136140B - Magnetkern-Speichersystem

Info

Publication number: DE1136140B
Application number: DEN14198A
Authority: DE
Original assignee: NCR Corp
Current assignee: NCR Voyix Corp
Priority date: 1956-10-17
Filing date: 1957-10-16
Publication date: 1962-09-06
Also published as: GB807700A; US3027546A; NL6414752A; NL128506C; BE561661A; NL221678A; FR1225633A; CH356800A

Description

Die Erfindung betrifft Magnetkern-Speichersysteme, insbesondere eine verbesserte Schaltung, welche Transistoren zum Auswählen und zum Antreiben von Kernen in einer magnetischen Speicheranordnung verwendet.

Für das Auswählen von Kernen in einem Magnetkern-Speichersystem ist es zwecks Vereinfachung des Systems sehr erwünscht, daß nur eine Mindestzahl von Antriebsleitern und Treiberanordnungen verwenrdet wird. Es ist ferner erwünscht, daß die verwendeten Impulse eine kurze Anstiegszeit und eine konstante Impulshöhe aufweisen, unabhängig von der Induktivität des Antriebsleiters und der mit dem Leiter in Verbindung stehenden Kerne sowie unabhängig von der gegenelektromotorischen Kraft, die in dem Antriebsleiter durch wechselnde magnetische Zustände der Kerne erzeugt wird. Ist ein Antriebsimpuls derartig beschaffen, so sind die in den Abtastleitern erzeugten Signale von gleichbleibender Form. Weiterhin erscheinen die unerwünschten, durch nicht ausgewählte Kerne erzeugten Signale während einer zum Tasten des Speicher-Flip-Flop-Kreises unzureichenden Zeit. Dadurch wird einerseits eine größere Sicherheit für das Tasten des Speicher-Flip-Flop-Kreises erzielt, andererseits die Wahrscheinlichkeit eines ungewollten Tastens des Flip-Flop-Kreises verringert.

Durch obige Impulse wird ferner eine kurze Abfrage und Einstellzeit erzielt, da die Kerne beim »Umschalten« schnell einen stabilen Zustand erreichen. Obwohl bekanntlich die Abtastwicklung so gewickelt ist, daß sich die Signale von nicht ausgewählten Kernen aufheben können, werden diese jedoch wegen der Streuung der magnetischen Daten der Kerne nicht völlig unterdrückt, so daß stets Störsignale am Ausgang des Abtastleiters erscheinen.

Es ist bereits bekannt, daß das Auswählen von Antriebsleitern in einer Magnetkern-Speicheranordnung sowohl in der X-Richtung als auch in der Y-Richtung an den beiden Enden einer Einrichtung erfolgt, wobei getrennte Leiter zum Ablesen und zum Schreiben verwendet werden. Die Antriebsleiter sind an einem Ende zu Ablese- und Schreibgruppen zusammengefaßt, sowie mit gemeinsamen Leitern an dem anderen Ende verbunden, so daß jeder gemeinsame Erregerleiter einer Schreib- bzw. Ablesegruppe jeweils mit jedem gemeinsamen Leiter an dem anderen Ende verbunden ist. In einem vollständigen Speichersystem sind mehrere Einrichtungen auf gleicher Höhe mit den Antriebsleitern angeordnet, die durch mehrere hintereinanderliegende Einrichtungen verlaufen können, so daß gleichzeitig ein Kern in einer jeden Einrichtung ausgewählt wird. Die Gruppen der Ablese-Magnetkern-Speichersystem

Anmelder:

The National Cash Register Company,
Dayton, Ohio (V. St. A.)

Vertreter: Dr. A. Stappert, Rechtsanwalt,
Düsseldorf, Feldstr. 80

Beanspruchte Priorität:
V. St. v. Amerika vom 17. Oktober 1956 (Nr. 616 439)

und der Schreib-Antriebsleiter sowie die gemeinsamen Leiter werden an jedem Ende von Treiberröhren gespeist. Diese Treiber werden durch ein, Adressensystem ausgewählt, so daß Ströme mit Impulsen halber Kernumschaltungs-Amplitude durch die gewünschten Antriebsleiter laufen können. Die Ablese- und die Schreib-Antriebsleiter führen jeweils in einer solchen Richtung durch die Kerne, daß die genannten Impulse beim Ablesen in entgegengesetzter Richtung als beim Schreiben durch die Kerne laufen. Die Auswirkungen der Induktivität des Antriebsleiters und der mit diesem in Verbindung stehenden Kerne sowie der durch Änderung des magnetischen Zustandes eines oder mehrerer Kerne erzeugten Gegen-EMK auf die Kurvenform der durch die Leiter gesandten Impulse werden durch Anwendung einer hohen Spannungsdifferenz zum Antreiben der genannten Impulse äußerst klein, so daß die erwünschte Rechteckform dieser Impulse erhalten bleibt.

Beim jetzigen Stand der Technik liegt ein ernsthafter Nachteil darin, daß der Spannungsabfall, welcher auf einem ausgewählten Leiter auftritt, auch an den Treiberröhren auftritt, die mit anderen nicht ausgewählten Gruppen der Antriebsleiter in Verbindung stehen, so daß deren Steuervorspannung aufgehoben und Strom in nicht ausgewählte Leiter fließen kann. Dieser Stromfluß hat zur Folge, daß die genannten Impulse eine verhältnismäßig lange Anstiegszeit und keine konstante Impulshöhe aufweisen.

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Ein weiterer Nachteil bekannter Einrichtungen liegt darin, daß bei Verwendung von Transistorentreibern, welche bekanntlich nur die Anwendung niedriger Spannungen erlauben, die obengenannten Auswirkungen der Induktivität der Antriebsleiter und der Kerne sowie der durch Kernzustandsänderungen erzeugten Gegen-EMK nicht mehr vernachlässigt werden können. Werden Röhren als Treiber verwendet, so treten die eben genannten Erscheinungen nicht auf.

Z-Richtung werden die Antriebsleiter, die am Ende der Einrichtung mit Schreib- und Ablese-Adressenleitern verbunden sind, zu Gruppen von Diodenverbindungen 1, 2 und 3 verbunden, wobei jede Gruppe 5 zehn Antriebsleiter, z. B. einen Leiteroi, verbindet. An jede der drei Gruppen ist ein X-Ablese- und ein X-Schreib-Adreßleiter angeschlossen, wodurch eine entsprechende Gruppe für das Ablesen oder für das Schreiben gewählt wird. Der Z- Ablese -Adreßleiter

Eine weitere bekannte Einrichtung liefert zu- io der Gruppe 1 führt zur Anode einer Diode 69, deren friedenstellende Impulse unter Verwendung einer Kathode mit dem Antriebsleiter 61 verbunden ist. Der Quelle mit hoher Spannung und eines Strombegren- X-Schreib-Adreßleiter für Gruppe 1 ist mit der Kazungswiderstandes sowie unter Verwendung eines thode einer Diode 68 verbunden, deren Anode mit Diodenbegrenzers zwischen dem'Widerstand und den dem Antriebsleiter 61 in Verbindung steht. Sämtliche Transistor-Erregerstufen. Diese Einrichtung erfordert 15 zehn dieser Gruppe von Diodenverbindungen zugejedoch hohe Betriebsspannungen, so daß die Strom- ordneten Antriebsleiter sind in gleicher Weise an die versorgungsteile sehr umfangreich werden. Ein wei- Ablese- und Schreib-Adreßleiter für Gruppe 1 angeterer Nachteil ist darin zu sehen, daß die hohe Span- schlossen, ebenso die übrigen zwei Gruppen von Dinung eine Gefahr für die Transistoren darstellt, falls odenverbindungen2und3. Bekanntlich ist es die Aufdie Begrenzungsdioden ausfallen. Dieser Anordnung 20 gäbe dieser Diodenverbindungen, einen Stromfluß ist außerdem ein hoher Energieverbrauch infolge der durch die gemeinsamen Verbindungen der Antriebs-Verluste im Begrenzungswiderstand und in den Be- leiter und durch nicht ausgewählte Antriebsleiter zu grenzungsdioden eigen. Eine weitere bekannte Ein- verhindern.

richtung verwendet eine niedrige Treiberspannung und Am entgegengesetzten Ende, d. h. an dem der Abeinen Rückkopplungsverstärker. Indessen ergibt diese 25 lese- und Schreib-Adreßleiter gegenüberliegenden Anordnung wegen ihres schlechten Frequenzganges Ende der Anordnung, befinden sich die gemeinsamen eine verhältnismäßig lange Anstiegszeit. Als weiterer Adreßleiter für Zeilen 1 bis 10, welche sowohl für Nachteil der bekannten Einrichtungen ist zu erwähnen, das Ablesen als auch für das Schreiben gemeinsam daß die Bewicklung der Kerne schwierig wird, sobald sind und jeweils mit drei Antriebsleitern in Verbingetrennte Leiter für das Ablesen und das Schreiben 30 dung stehen, und zwar mit einem aus jeder der drei verwendet werden. Gruppen. Durch das Auswählen eines dieser gemein-

Die Erfindung hat sich daher die Aufgabe gestellt, samen Adreßleiter wird gleichzeitig ein entsprecheneinen verbesserten magnetischen Kernspeicher vorzu- der Antriebsleiter, in jeder der drei Gruppen an dem sehen, der Ausgangssignale abgibt, die eindeutig sind Ablese- und Schreib-Auswählende der Einrichtung und bei dem für das Ablesen und das Schreiben nur 35 ausgewählt. Demgemäß wird die Auswahl eines Abeine kurze Zeitspanne benötigt wird. lese- oder Schreib-Adreßleiters, z. B. für Gruppe 1, Die Erfindung geht aus von einem Magnetkern- sowie eines solchen aus den zehn gemeinsamen Adreßspeichersystem mit einer Magnetkernanordnung in leitern, z. B. für Zeile 1, ein einzelner Af-Antriebs-Koordinatenform, mit einzelnen durch die Reihen leiter, z. B. Leiter 61, ausgewählt, so daß ein Halbbzw. Spalten der Kenne geführten Reihen- und Spal- 4° impuls zum Ablesen oder zum Schreiben durchfließen tentreiberleitern, und mit einer Koordinatenwähl- kann. Das Auswählsystem für die F-Antriebsleiter, schaltung zum Einschreiben von Daten in und Ab- welche in Spalten angeordnet sind, ist in gleicher Art lesen aus einem gewählten Kern, und ist dadurch ge- aufgebaut.

kennzeichnet, daß jeweils nur ein Treiberleiter durch Es sei bemerkt, daß die Fig. 1 nur eine Kernanord-

jede Reihe und jede Spalte der Kerne verläuft und 45 nung 21 zeigt, und daß ein vollständiges Speicherdaß die Koordinatenwählschaltung eine Anzahl von system sidh aus mehreren solchen Anordnungen zuwahlweise schaltbaren Spannungsdiskriminatoren, sammensetzt, wobei die Antriebsleiter durch eine jede z. B. symmetrischen Transistoren, enthält, so daß der hintereinanderliegenden Anordnungen hindurch-Treiberströme in gewählten Treiberleitern in der gehen. Die Auswahl eines einzelnen Kerns in der einen oder anderen Richtung fließen können, je nach- 50 Speicheranordnung 21 wählt somit, wie bereits bedem ob ein Schreib- oder Lesevorgang in einem der kannt, einen gleichartig untergebrachten Kern in sämt-Kerne durchzuführen ist. liehen Anordnungen aus. Es ist aber eine getrennte

Ablese- und Schreibanordnung mit einem Abtastleiter undi einem Gegenleiter für eine jede Anordnung 55 vorgesehen.

Fig. 2 zeigt ein Schema einer X-Adressenmatrix 23 und Z-Treiber 24.

Die auf logische Ausgangssignale von Speicherauswähl-Flip-Flop-Kreisen L11 und L12 sowie auf von

Fig. 3 ein Schaltbild der Koordinatenzeilenwähl- 60 einem Taktimpulsgenerator (nicht gezeigt) über Leischaltung für Anordnung nach Fig. 1, teri?_x, R_x, W_x, W_x gelieferte Taktsignale anspre-

Fig. 4 ein als Beispiel gewähltes Zeitdiagramm der chende Adressenmatrix 23 wählt einen Treiber aus, beim Arbeiten der Schaltung nach Fig. 1,2 und 3 auf- der die Verbindung mit einem der Ablese- oder tretenden Wellenformen. Schreib-Adreßleiter für Gruppen 1, 2 oder 3 herstellt,

Die in Fig. 1 dargestellte rechteckige Anordnung 21 65 so daß ein Halbimpuls durchfließen kann. Es ist zu enthält neunhundert Kerne, z. B. einen Kern 85, und beachten, daß die zwei logischen, von diesem Speicherzwar befinden sich jeweils dreißig Kerne in der X- system verwendeten Spannungsniveaus OV für ein und in der Y-Richtung. Zum Auswählen in der echtes Signal und — 8 V für ein unechtes Signal sind.

Die Merkmale der Erfindung werden nun an Hand der Zeichnungen in einem gewählten Ausführungsbeispiel beschrieben, und zwar zeigt

Fig. 1 ein Schaltschema einer Magnetkemanordnung 21,

Fig. 2 ein Schema der X-Koordinatengruppenwählschaltung für die Anordnung nach Fig. 1,

Eine besondere binäre EntscHüsselungseinriehtung wird für das Ablesen und das Schreiben in der Adressenmatrix 23 verwendet. Für das Ablesen erfolgt die Auswahl von Treibern 93, 94 oder 95 durch n-p-n-Typ Transistoren 86 bis 91. Der Emitter des Transistors 86 ist mit einem — 8-V-Pol 102, und seine Basis ist mit dem logischen Leiter R_x verbunden, während sein Kollektor an die Emitter der Transistoren 87 und 88 angeschlossen ist. Die Basis des Transistors 87 ist mit einem logischen Leiter L₁₂ und dessen Kollektor mit dem Emitter des Transistors 91 verbunden, während die Basis des Transistors 88 an einen logischen Leiter L₁₂' und der Kollektor dieses Transistors 88 an die Emitter der Transistoren 89 und 90 angeschlossen ist. Die Basis des Transistors 91 ist mit einem logischen Leiter L₁₁' und der Kollektor mit der Basis des Treibertransistors 95 verbunden. Die Basis des Transistors 90 ist mit einem logischen Leiter L₁₁ und der Kollektor mit der Basis des Treibers 94 verbunden, während die Basis des Transistors 89 an den Leiter L₁₁' und dessen Kollektor an die Basis des Treibertransistors 93 angeschlossen ist. Der Transistor 86 wird leitend, sobald R_x hohe Spannung aufweist oder im echten Zustand ist, während die Transistoren 87 bis 91 leiten, sobald deren Basen echte Signale von den Ausgängen der Flip-Flops L11 und L12 zugeführt werden. Für die Treiber 93, 94 und 95 wurden Transistoren des p-n-p-Typs gewählt, da bei diesen der Strom vom Emitter zum Kollektor fließt, sobald die an die Basis angelegte Spannung niedrig ist und der Strom von der Basis aus zu dem Pol 102 fließt. Die Kollektoren der Treiber 93,94, und 95 sind mit dem Ablese-Adressenleitern für die Gruppen 1, 2 bzw. 3 verbunden.

Als Beispiel für die Arbeitsweise der Ablese-Adressen-Matrix sei folgendes angegeben. Der Treiber 93 leitet nur dann, wenn die Kombination der Transistoren 86, 88 und 89 einen Basistrom von der Basis des Treibers 93 aus an den Pol 102 als das Ergebnis dessen leiten, daß die Leiter R_x, L₁₂' und L₁₁' in den echten Zustand gebracht wurden. Der Treiber 93 gibt dann einen Stromimpuls von einem + 12-V-Pol 100 aus über einen Leiter 97 in den Ablese-Auswählleiter für Gruppe 1 der Speicheranordnung der Fig. 1.

Den Treibern 93, 94 und 95 ist ein Transistor des n-p-n-Typs als »Scheintreiber« oder »Hilfstreiber« 92 zugeordnet, dessen Kollektor an den Leiter 97 an einem Verbindungspunkt 81 über einen Widerstand 96, und dessen Emitter an einen —4-V-PoI 101 angeschlossen ist. Der Leiter 97 stellt die Verbindung vom Kollektor des Hilfstreibers 92 und von den Emittern der Treiber 93, 94 und 95 zu dem + 12-V-Pol 100 über eine Induktanz 98 und einen strombegrenzenden Widerstand 99 her. Die Basis des Hilfstreibers 92 ist mit dem Leiter R_x verbunden.

Für den Zweck des Schreibens erfolgt die Auswahl eines Treibers durch Transistoren 105 bis 110, die sämtlich zum p-n-p-Typ gehören. Der Emitter des Transistors 105 ist bei 117 geerdet, während seine Basis an den Leiter W_x und sein Kollektor an die Emitter der Transistoren 106 und 107 angeschlossen ist. Die Basis des Transistors 106 ist an den Leiter L₁₂' und sein Kollektor an den Emitter des Transistors 110 angeschlossen, während die Basis des Transistors 107 mit dem Leiter L₁₂ und dessen Kollektor mit den Emittern der Transistoren 108 und 109 verbunden ist. Die Basis des Transistors 110 ist mit dem Leiter L₁₁ und dessen Kollektor mit der Basis eines Treibertransistors 114 verbunden. Die Basis des Transistors 109 ist am Leiter L₁₁' und der Kollektor desselben an der Basis eines Tneibertransistors 113 angeschlossen. Die Basis des Transistors 108 liegt an dem Leiter L₁₁, während der Kollektor des Transistors 108 mit der Basis eines Treibertransisiors 112 verbunden ist. Der Transistor 105 leitet, sobald ein unechter Impuls auf dem Leiter W_x erscheint, und die Transistoren 106 bis 110 leiten, sobald ihren Basen unechte oder niedrige Signale von den Flip-Flops LIl und L12 her zugeführt werden. In den »Schreib«- Treibern 112, 113 und 114, welche Transistoren des n-p-n-Typs sind, fließt Strom von Kollektoren zu den Emittern, sobald ein Stromfluß vom Erdungspunkt 117 aus über ihre Basen zu der niedrigen Spannung eines mit ihren Emittern verbundenen Pols 118 ermöglicht wird. Die Kollektoren der Treiber 112, 113 und 114 sind mit dem Schreib-Adressenleiter für die Gruppen 1, 2 bzw. 3 verbunden. Als ein Beispiel der Arbeitsweise dieser Schneib-Adressenmatrix mag folgendes dienen: Es fließt nur dann Strom vom Erdungspunkt 117 zur Basis des Treibers 112, wenn die Transistoren 105,107 und 108 unter dem Ansprechen auf niedrige oder unechte Signale auf den Leitern W_x, L₁₂ bzw. L₁₁ leiten. Somit fließt ein Stromimpuls durch den Schreib-Adressenleiter der Gruppe 1 der Speicheranordnung der Fig. 1 über den ausgewählten Treiber 112 und über einen Leiter 119 zum — 20-V-Pol 118.

Der Emitter eines Schreib-Hilfstreibers 115, welcher ein Transistor des p-n-p-Typs ist, ist mit dem —4-V-Pol 101 und sein Kollektor ist mit dem Leiter 119 an einem Verbindungspunkt 128 über einen Widerstand 124 verbunden. Der Leiter 119 stellt die Verbindung vom Kollektor des Hilfstreibers 115 und von den Emittern der Treiber 112, 113 aus zum — 20-V-PoI 118 über eine Drossel 120 und einen strombegrenzenden Widerstand 121 her. Der Leiter W_x ist mit der Basis des Hilfstreibers 115 verbunden.

Es ist zu beachten, daß die mit den Ablesetreibern 93, 94 und 95 verbundenen Transistoren der Adressenmatrix 23 dem n-p-n-Typ angehören, während die mit den Schreibtreibern 112, 113 und 114 verbundenen Transistoren dem p-n-p-Typ angehören.

Dies ist deshalb erforderlich, weil die Basen sämtlicher Treiber mit den Kollektoren der Adressentransistoren verbunden sein müssen, damit nicht ausgewählte Treiber wirksam abgeschaltet werden, wie es nachstehend beschrieben wird. Damit nun die Auswahl der Gruppen, welche durch die Ausgangssignale der Flip-Flops L11 und L12 durchgeführt wird, für das Ablesen bzw. Schreiben immer zur selben Zeit erfolgt, ist der eine Flip-Flop-Ausgang mit den Transistoren der Ablesematrix und der andere Ausgang mit dem entsprechenden Transistor der Schreib-Adressenmatrix verbunden. Die Bestimmung darüber, ob abgelesen oder geschrieben werden soll, erfolgt durch die Transistoren 86 und 105.

Die Basis eines jeden p-n-p-Transistors der Z-Adressenmatrix 23, also z. B. Transistor 105, ist über eine Parallelschaltung aus einem strombegrenzenden Widerstand 127 und einem parallelen Kondensator 126 mit ihrer Signalquelle verbunden, wodurch die die hochfrequenten Komponenten des logischen Signals angehoben werden, so daß der Verstärkungsabfall des Transistors bei höheren Frequenzen wieder ausgeglichen wird. Ein + 20-V-Pol ist über einen Widerstand 125 mit dem Leiter W_x an dem Verbindungspunkt des strombegrenzenden Widerstan-

des 127 und der Basis des Transistors 105 verbunden. Diese Einrichtung verhindert jeglichen Stromfluß durch nicht ausgewählte Transistoren, weil, wenn das logische Signal auf Leiter W_x hohe Spannung oder O-V-Spannung führt, Strom von dem +20-V-PoI durch den Widerstand 125 und den strombegrenzenden Widerstand 127 aufweisenden Spannungsteiler fließt. Dadurch wird eine Spannung von +5V der Basis des Transistors aufgedrückt. Ist der Leiter W_x

am Leiter L₆ angeschlossen. Der Emitter des Transistors 148 ist mit dem Kollektor eines Transistors 149 verbunden, während die Basis des Transistors 148 an den Leiter L₇ angeschlossen ist. Der Emitter des Transistors 149 ist bei 141 geerdet, während seine Basis mit einem logischen Leiter L₈' verbunden ist. Sämtliche Transistoren der gemeinsamen Adressenmatrix 26 gehören dem p-n-p-Typ an und werden leitend, sobald ihre Basen ein unechtes oder niedriges

unecht (-8V), und leitet der Transistor 105, dann io Signal empfangen. Die Kollektoren der zehn Transiverhindert der Spannungsteiler, daß die Spannung an stören 192 bis 201 sind mit den Basen zehn symmeder Basis des Transistors 105 über — 1V ansteigt,
und ermöglicht dadurch, daß ein Basisstrom fließen

frischer Treiber 180 bis 189 verbunden, welche leitend sind, sobald an ihre Basen Strom vom Erdungs-

kann. punktl41 aus fließen kann'. Diese symmetrischen

DieBasiseinesjedenn-p-n-Transistors derX-Adres- 15 Treiber sind Transistoren des n-p-n-Typs, deren sym-

senmatrix 23, z. B. Transistor 86, ist mit seiner logi- metrische Eigsnschaften es zulassen, daß Strom in

sehen Quelle über eine Parallelschaltung aus einem strombegrenzenden Widerstand 77 und einem Kondensator 79 verbunden. Ein — 50-V-Pol ist über einen Widerstand 78 mit dem Leiter R_r an dem Verbin-

beiden Richtungen über ihre Emitter und Kollektoren in Abhängigkeit von der Richtung der Potentialdifferenz fließen kann. So fließt z. B. ein Strom durch den symmetrischen Treiber 180 vom Verbindungspunkt 139 zum Verbindüngspunkt 140 oder umgekehrt, je nach Richtung der Potentialdifferenz zwischen dem gemeinsamen Adreßleiter der Zeile 1 und dem — 4-V-PoI 101. Als Beispiel der Arbeitsweise dieser gemeinsamen Adressenmatrix sei nachstehendes aufgeführt. Zur Basis des symmetrischen Treibers 180 fließt Strom vom Erdungspunkt 141 aus nur dann, wenn den Basen der Transistoren 192, 131, 132 und 133 ein unechtes Signal von den Leitern L₅, L₆, L₇ bzw.

dungspunkt des Widerstandes 77 und der Basis des Transistors 86 verbunden. Diese Einrichtung arbeitet ebenso wie die p-n-p-Einrichtung, so daß die Basis bei —8,5 V festgehalten wird, sobald der Transistor 86 in den nichtleitenden Zustand versetzt und dadurch jeglicher unerwünschter Stromfluß vom Kollektor zum Emitter verhindert wird.

Fig. 3 ist die Darstellung eines Schaltschemas einer
gemeinsamen X-Adressenmatrix 26 und symmetrischer X-Treiber 25 zum Auswählen einer gewünsch- 3° L_s aus zugeführt wird. Dies hat zur Folge, daß ein ten Zeile aus der Gruppe, die durch die ^-Adressen- Stromimpuls von der Verbindung 139 zu 140 oder matrix 23 und den X-Treibern 24 (Fig. 2) bestimmt
wurde.

Damit Stromimpulse durch die gemeinsamen Adressenleiter fließen können, welche die Verbindung zu 35 die Adressen-Transistoren, sobald deren Basen ein der Kernanordnung der Fig. 1, z. B. dem gemein- echter Impuls zugeführt wird, wie es bereits im Zusamen Adressenleiter der Gruppe 1, herstellen, erfolgt
die Auswahl durdh die Transistor-Adressenmatrix 26,
welche einen Treiber, z. B. einen symmetrischen Treiber 180, auswählt. Diese Adressenmatrix spricht auf 40 Rechenmaschinen-Taktzyklus bewirkt, daß der Taktdie logischen Ausgangssignale von Speicher-Flip- impulsgenerator 37 (nicht gezeigt) echte Ableseim-Flop-Kreisen L 5 bis L 8 an. pulse R_x oder unechte Schreibimpulse W_x abgibt. Die

Die Adressenmatrix 26 enthält zehn Transistoren logische Auswahl durch die Adressen-Flip-Flop-Kreise 192 bis 201, von denen die Transistoren 192, 194, geht einem jeden Ablese-Schreib-Zyklus voraus und 196,198 und 200 basisseitig mit einem logischen Lei- 45 bleibt während des Zyklus unverändert, während wel-

von der Verbindung 140 zu 139 fließt. Die mit den Leitern L₅', L₅, L₆' usw. verbundene +20-V-Spannung verhindert das Fließen jedweden Stroms durch

sammenhang mit den Transistoren der X-Adressenmatrix 23 beschrieben wurde.

Das Ablesen oder Schreiben findet statt, sobald der

ter L- verbunden sind, während die Basen der anderen fünf Transistoren 193, 195, 197, 199 und 201 mit

einem logischen Leiter L₅' verbunden sind. Die Kollektoren von Transistoren 131, 144, 145, 146 bzw.
147 sind mit den beiden Emittern von jeweils zwei 50
benachbarten Transistoren 192 und 193, 194 und
195 usw. der Transistoren 192 bis 201 verbunden.
Die Basen der Transistoren 131,145 und 147 sind mit
einem logischen Leiter L₆ und die Basen der Transistoren 144 und 146 sind mit einem logischen Leiter 55 dann durch den Antriebsleiter 61, durch den gemein- L₆ verbunden. Die Kollektoren von Transistoren 132 samen Adressenleiter der Zeile 1 und durch den sym- bzw. 150 sind mit den gemeinsamen Emittern der metrischen Treiber, z. B. 180, der durch die geKombination der Transistoren 131 und 144 bzw. der meinsame Adressenmatrix der Fig. 3 ausgewählt Kombination der Transistoren 145 und 146 verbun- wurde, zu dem —4-V-PoI 101. Während des Schreiden. Die Basis des Transistors 132 ist mit einem logi- 60 bens geht der Leiter W_x in den unechten Zustand sehen Leiter L₇ und die Basis des Transistors 150 ist über, und ein Stromimpuls fließt vom — 4-V-Pol 101

chem die Ablese- und Schreibimpulse bestimmen, ob abgelesen oder geschrieben werden soll. Demgemäß wird während des Ablesens der Leiter R_x in den echten Zustand gebracht, und ein Stromimpuls wird von dem + 12-V-Pol 100 aus durch den beispielsweise von der X-Adressenmatrix 23 aus gewählten Treiber93 sowie durch die Adressenleiter, z.B. die Leiter der Gruppe zum Antriebsleiter, z. B. Leiter 61, der Kernanordnung ausgesandt. Der Impuls fließt

mit einem logischen Leiter L₇' verbunden. Die Emitter dieser zwei Transistoren sind gemeinsam an den Kollektor eines Transistors 133 angeschlossen, dessen Basis mit einem logischen Leiter L₈ verbunden und dessen Emitter bei 141 geerdet ist. Der Emitter des Transistors 147 ist mit dem Kollektor eines Transistors 148 verbunden. Die Basis des Transistors 147 ist

durch einen symmetrischen Treiber, z. B. 180, der durch die gemeinsame -XT-Adressenmatrix 26 ausgewählt wurde, weiter durch den Adressenleiter der Zeile 1 und durch den Antriebsleiter, z. B. Leiter 61 der Kemanordnung. Der Impuls läuft dann weiter durch den Adressenleiter der Zeile 1 zu dem Treiber, beispielsweise 112, der durch die X-Adressenmatrix

23 ausgewählt wurde, und schließlich zum — 20-V-PoI 118. Somit läuft der Stromimpuls durch den ausgewählten Antriebsleiter, z. B. 61, der Anordnung in der einen Richtung während des Ablesens und in der entgegengesetzten Richtung während des Schreibens. Die Anwendung symmetrischer Transistoren tür Treiber, z. B. 180, gestattet die Verwendung der gleichen Treiber, sowohl für das Ablesen als auch für das Schreiben, wodurch Bauteile eingespart werden.

Die Dioden der Gruppen 1, 2 und 3 der Fig. 1 verhindern einen Stromfluß durch die nicht ausgewählten Antriebsleiter der Anordnung. Beispielsweise fließt während des Ablesens Strom von dem Ablese-Adreßleiter der Gruppe 1 über die Diode 69, über den Antriebsleiter 61 zu dem gemeinsamen Adreßleiter der Zeile 1 und zu einem X-Antriebsleiter 62 zur Diode 70. Wenn diese Dioden, z. B. Diode 70, nicht vorhanden wären, dann würde Strom vom Antriebsleiter 62 aus durch einen Antriebsleiter 63, durch einen Antriebsleiter 64, sowie durch einen Antriebsleiter 73 in den gemeinsamen Adreßleiter der Zeile 1 zurückfließen. Da die Dioden, z. B. Diode 70, sowohl zwischen die Ablese- und Antriebsleiter als auch zwischen die Schreib- und Antriebsleiter entsprechend geschaltet sind, verhindern sie einen Stromfluß durch nicht ausgewählte Antriebsleiter.

Die Fig. 4 zeigt ein Schaubild der Wellenformen, die in der erfindungsgemäßen Antriebseinrichtung auftreten. Bei der Auswähl- und Antriebseinrichtung der vorliegenden Erfindung fließen die Halbimpulse durch die X- und Y-Antriebsleiter während des Ablesens, wie es aus Wellenformen 155 bzw. 158 ersichtlich ist, sowie durch die X- und Y-Antriebsleiter während des Schreibens, wie es aus Wellenformen 170 bzw. 166 zu erkennen ist. Diese Schreibimpulse sind gegenüber den Leseimpulsen umgekehrt dargestellt, womit angedeutet wird, daß hier jeweils der Strom in einander entgegengesetzten Richtungen durch die Antriebsleiter fließt.

Während des Ablesens tritt der Halbimpuls in den -X-Antriebsleitern zum Zeitpunkt t_x und in den Y-Antriebsleitern zum Zeitpunkt t₂ auf. Wie bereits bekannt, wird durch diese zeitliche Verzögerung erreicht, daß das durch eine Wellenform 178 angedeutete, von den nicht ausgewählten Kernen, durch die der Af-Antriebsleiter führt, kommende Störsignal seinen Maximalwert erreicht und bereits abgeklungen ist, bevor noch die ausgewählten Kerne anfangen, ihren magnetischen Zustand zum Zeitpunkt t₂ zu ändern. Somit geht dieses Störsignal, durch die X-Antriebsleiter erzeugt, in das abzulesende Ausgangssignal nur mit einem vernachlässigbaren Betrag ein.

Während des Schreibens treten der Halbimpuls des Af-Antriebsleiters, wie durch die Wellenform 170 angedeutet, sowie der Halbimpuls des Gegentreibers, wie durch eine Wellenform 179 angedeutet, zum Zeitpunkt t_i auf, wogegen der Halbimpuls in den Y-Antriebsleitern zum Zeitpunkt t₅ erscheint, wie es durch die Wellenform 166 angedeutet wird. Wie bereits bekannt, wird durch diese zeitliche Verzögerung erreicht, daß der Gegenimpuls auf konstante Impulshöhe ansteigt, bevor noch der zweite Halbimpuls durch einen ausgewählten Kern fließt. Jeder Halbimpuls der Wellenformen 155, 158, 170 und 166 weist eine Amplitude von r/2 auf, welche beispielsweise einem Wert von 200 mA für die Kerne dieses Ausführungsbeispiels hat.

Werden jedoch niedrige Antriebsspannungen bei den Transistor-Antriebseinrichtungen verwendet, so haben diese Halbimpulse normalerweise eine Gestalt, wie sie durch Wellenformen 157, 169, 171 bzw. 175 angedeutet ist. Die lange Anstiegszeit der Wellenformen 157 und 169 sowie die lange Abfallzeit der Wellenformen 171 und 175 wird durch die Induktivität der Antriebsleiter der Kerne, durch welche die Leiter hindurchgehen, bewirkt.

Wegen der durch Zustandsänderung der Kerne erzeugten Gegen-EMK erreicht die Amplitude der Impulse in diesem Fall nicht während der ganzen Impulsdauer den Betrag i/2. Es ist zu beachten, daß eine lange Anstiegszeit und eine Veränderung der Impulshöhe des Halbimpulses auch durch das Einbringen von Strom in nicht ausgewählte Treiber bewirkt werden kann, wie es nachstehend noch beschrieben wird. Beispielsweise ist die Gegen-EMK in den Antriebsleitern als das Ergebnis der Zustandsänderung eines oder mehrerer Kerne unter dem Ansprechen auf die Antriebsimpulse 155 und 158 oder auf die Antriebsimpulse 170 und 166 dem Ausgangssignal der Wellenformen 164 bzw. 174 gleichartig. Die Gegen-EMK, die in den Antriebsleitern als das Ergebnis der Zustandsänderung eines oder mehrerer nicht ausgewählter Kerne unter dem Ansprechen auf Halbimpulse der Wellenform 155 oder 158 erzeugt wird, ist den Störspannungen der Wellenform 178 bzw. 167 gleichartig.

Wird während des Ablesens ein Kern in seinen entgegengesetzten magnetischen Zustand versetzt, dann erscheint ein Ausgangssignal auf einem Abtastleiter (nicht gezeigt), wie durch die Wellenform 164 angedeutet, falls die Form der Halbimpulse, wie durch die Wellenformen 155 und 158 dargestellt, beibehalten wird. Haben jedoch die Halbimpulse die lange Anstiegszeit und die niedrige Amplitude der Wellenformen 157 und 169, dann hat auch das Ausgangssignal eine niedrige Amplitude, wie es durch eine Wellenform 165 angedeutet wird. Der Scheitelwert des Ausgangssignals wird zu dem Zeitpunkt erreicht, zu welchem die größte Flußänderung im Magnetkernmaterial auftritt. Somit wird zu diesem Zeitpunkt die größte Gegen-EMK in den Antriebsleiter induziert, und die niedrigste Amplitude der Halbimpulse der Wellenformen 157 und 169 tritt auf. Wie bereits beschrieben, wird in einem vollständigen Speichersystem jeweils ein Kern in einer jeden der Anordnungen, welche dieses System bilden, gleichzeitig ausgewählt. Speichert also eine große Anzahl der durch einen Antriebsleiter ausgewählten Kerne eine binäre »Eins«, was eine starke Gegen-EMK zur Folge hat, dann wird eine längere Zeit zum Verändern des Zustandes der Kerne benötigt, als wenn keiner der Kerne eine binäre »Eins« speichern würde. Als Beispiel für diese Zeitverzögerung mag folgendes dienen: Die Spitze des Ausgangssignals, wie durch die Wellenform 165 angedeutet, tritt um die Zeitdifferenz At später auf, wenn die Rechteckform der Antriebsimpulse in obiger Weise verändert wird. Der Zeitpunkt, an welchem der Scheitelwert des Ausgangsimpulses auftritt, hängt von der Anzahl der ihren Zustand ändernden Kerne ab. Wird die Zeitdifferenz At zu groß, so kann es geschehen, daß das Ausgangssignal nicht mehr imstande ist, den Speicher-Flip-Flop-Kreis zu tasten, da durch einen Stroboskop-Generator (nicht gezeigt) nicht mehr der Scheitelwert des Ausgangsimpulses ausgewählt wird.

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Auf dem Abtastleiter (nicht gezeigt) erscheinen schrieben, da die Antriebseinrichtung für die Y-Anauch durch die WeHenformen 167 und 178 darge- triebsleiter analog arbeitet. Der Stromimpuls, der stellte Störspannungen, die durch nicht ausgewählte durch den ausgewählten Ablesetreiber 93, 94 oder Kerne beim Durchlaufen der Wellenformen 155 und 95 hindurchgeht, fließt vom Pol 100 aus über den Wi-158 erzeugt werden. Die lange Anstiegszeit und die 5 derstand 99 und über die Drossel 98 zu dem ausgeniedrige Amplitude der Wellenformen 157 und 169 wählten Treiber. Der Hilfstreiber 92 hat die Aufgabe, bewirken jedoch, daß die Störsignale über einen lan- einen Stromfluß über den Widerstand 99 und die geren Zeitraum hinweg auftreten, wie es aus Wellen- Drossel 98 aufrechtzuerhalten, wenn keiner der Abformen 190 bzw. 168 erkenntlich ist. Dadurch wird lesetreiber in Tätigkeit ist. Wenn sich der Leiter R_x unter Umständen ein unerwünschtes Tasten des io im echten Zustand befindet, was durch den nicht ge-Speicher-Flip-Flop-Kreises verursacht werden. zeigten Taktimpulsgenerator festgelegt ist, so leitet der

Es ist zu beachten, daß der Abtastleiter in üblicher Hilfstreiber 92, und sämtliche Ablesetreiber 93, 94 Weise in entgegengesetzten Richtungen durch anein- und 95 sind nichtleitend. Beim Ablesen jedoch geht andergrenzende Zeilen von Kernen hindurch gewickelt der Leiter R_x in den echten und der Leiter R_x' in den ist, so daß Störsignale der nicht ausgewählten Kerne 15 unechten Zustand über, so daß zu diesem Zeitpunkt zum Teil kompensiert werden. Es erscheinen jedoch es dem Ablesetreiber 93, 94 oder 95, der durch die noch immer am Ausgang des Abtastleiters wegen der Flip-Flops zu Beginn des Ablese-Schreib-Zyklus aus-Streuungen der magnetischen Daten der Kerne Stör- gewählt worden war, ermöglicht wird, einen Stromspannungen. Auf Grund dieses Wickelverfahrens des impuls entsprechend der Wellenform 155 abzugeben, Abtastleiters können die Störspannungen am Ausgang, 20 während der Hilf streiber 92, wie durch Wellenform wie durch die Wellenformen 167 und 168 angedeutet, 156 dargestellt, nichtleitend gemacht wird, auftreten, können aber auch umgekehrt erscheinen. Im allgemeinen würde bei Verwendung einer nied-

Das Ausgangssignal kann deswegen auch mit dem den rigen Antriebsspannung der Stromimpuls, der durch Wellenformen 164 und 165 entgegengesetzten Vor- einen ausgewählten Leiter der Kerne fließt, eine lange zeichen erscheinen. Haben also die Störspannung der 25 Anstiegszeit und eine niedrige Amplitude haben, wie Wellenform 168 und das Ausgangssignal der Wellen- es bereits beschrieben wurde. Wird jedoch der Stromform 165 verschiedene Vorzeichen, so subtrahieren fluß über den Hilfstreiber 92 unterbrochen und über sich die Amplituden der beiden Signale. Dadurch wird einen ausgewählten Treiber erneut zustandegebracht, der Scheitelwert des Ausgangssignals verkleinert, so so bewirkt der dabei in der Drossel 98 entstehende daß die Wahrscheinlichkeit erhöht wird, daß das Ta- 30 Spannungsstoß eine Kompensation der durch die Insten des Speicher-Flip-Flop-Kreises nicht erfolgt. Ein duktivität der Leiter und der Kerne verursachten weiterer Nachteil der Halbimpulse mit den Wellen- Gegen-EMK sowie der durch Kemzustandsänderunformen 157 und 169 liegt darin, daß die Kerne eine gen erzeugten Gegen-EMK, so daß die erwünschte längere Zeit zum Erreichen eines stabilen Zustandes Rechteckform der Halbimpulse erhalten bleibt, brauchen, als bei Anwendung der Impulse der Wellen- 35 Der Betrag des Widerstandes 96 ist gleich dem Beformen 155 und 158. Dies ist aus dem Ausgangs- trag einer Impedanz, die einen Mittelwert aus der Imsignal der Wellenform 165, das eine lange Abfallzeit pedanz der Treiberleiter, die dann vorhanden ist, aufweist, zu erkennen. Dieser Zustand macht es er- wenn kein Kern seinen Zustand ändert, und aus forderlich, daß die Halbimpulse zu einem späteren der Impedanz darstellt, die dann vorhanden ist, Zeitpunkt als /_g abfallen, was zur Folge hat, daß für 40 wenn viele Kerne eine Zustandsänderung erfahren, so das Ablesen eine längere Zeit erforderlich ist. so daß die erwünschte Amplitude i/2 des Stromes

Während des Schreibens erzeugen bei der erfin- (Wellenform 156) über den Hilfstreiber 92 in erster dungsgemäßen Auswahl- und Antriebseinrichtung die Annäherung beibehalten wird. Demgemäß erfolgt nur Halbimpulse der Wellenform 170 und 166 das Aus- eine sehr kleine Änderung des Stromflusses über die gangssignal der Wellenform 174 und die Störspannung 45 Drossel 98, wenn ein Umschalten von dem X-Hilfseiner Wellenform 176. Die üblichen Halbimpulse der treiber zu dem ausgewählten Treiber erfolgt. Es sei Wellenformen 171 und 175 erzeugen aber ein Aus- darauf hingewiesen daß der Stromimpuls durch den gangssignal einer Wellenform 173 und eine Störspan- Y-Scheintreiber (nicht gezeigt) eine Wellenform 202 nung einer Wellenform 177. Das Ausgangssignal der aufweist. Der Widerstand 99, der im Vergleich zu Wellenform 174 hat eine kurze Anstiegszeit, was an- 50 der Impedanzänderung der Antriebsleiter groß ist, zeigt, daß das Schreiben in einem kürzeren Zeitraum verringert die Schwankungen der Strom-Amplitude, durchführbar ist, als es mit dem Ausgangssignal der die durch kleine Änderungen der Impedanz in den Wellenform 173 der Fall wäre. Antriebsleitern verursacht werden, solange diese

Es ist zu beachten, daß die Amplitude der Halbim- innerhalb eines Bereiches liegen, der noch durch die pulse der Wellenformen 155, 158, 170 und 166 nicht 55 Drossel 98 ausgeregelt werden kann. Ein weiterer vergrößert werden kann, weil dadurch die Störspan- Vorteil dieses Stromkreises liegt darin, daß der nung der nicht ausgewählten Kerne ebenfalls ver- scharfe Spannungsanstieg am Verbindungspunkt 81, größert werden würde. Die erfindungsgemäße An- der durch die Drossel 98 verursacht wird, dazu dient, triebseinrichtung liefert in Verbindung mit der Adres- die relativ lange Ansprechzeit der Transistoren zu versenmatrix, welche einen Stromfluß durch nicht ausge- ⁶° kürzen. Der scharfe Spannungsanstieg am Emitter des wählte Treiber verhindert, Halbimpulse, wie sie in den ausgewählten Treibers, z.B. 93, zwingt den Basis-Wellenformen 155, 158, 170 und 166 gezeigt werden, strom, durch diesen Treiber zu fließen, was eine so daß erwünschte Ausgangssignale gemäß den WeI- schnelle Formierung und damit eine kurze Anstiegslenformen 164 und 174 erzeugt werden. zeit des Emitter-Kollektor-Stromimpulses zur Folge

Es wird nunmehr auf die Fig. 2 und 4 zwecks wei- 65 hat. Es sei darauf hingewiesen, daß eine Verkürzung terer Beschreibung der Arbeitsweise der Antriebs- der Impulsdauer der Halbimpulse nur durch den Amschaltkreiseinrichtung Bezug genommen. Es wird nur plitudenbetrag des Spannungsstoßes der Drossel 98, die Antriebseinrichtung für die X-Antriebsleiter be- den die Transistoren noch ohne Überschreitung ihrer

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zulässigen Belastung ertragen können und durch die doch, daß das Schreiben innerhalb einer kurzen Zeit Abfallzeit des über den Hilfstreiber fließenden Strom- stattfinden kann, weil der entsprechende Kern schnell impulses begrenzt wird. Ein Kondensator 29 in dem einen stabilen Zustand erreicht. Somit kompensiert Basisleiter des Hilfstreibers 92 verringert indessen die die erfindungsgemäße Antriebseinrichtung die Aus-Abfallzeit des durch diesen Transistor fließenden Im- 5 Wirkungen der Impedanz der Antriebsleiter und der pulses, so daß der Halbimpuls eine kurze Anstiegszeit Kerne sowie die in den Antriebsleitern durch Zuerreichen kann. Weiterhin bestimmt die Spannung am Standsänderung der Kerne erzeugte Gegen-EMK, so Pol 100 die Erholungszeit des induktiven Feldes der daß trotz Verwendung von Antriebsquellen mit nied-Drossel98, welche die Wiederholungshäufigkeit des riger Spannung Halbimpulse mit zufriedenstellender Ablesens mit der durch diesen Stromkreis erzielten io Rechteckform erzeugt werden. Dies hat eine Erspar-Sicherheit nach oben begrenzt. Wie es bekannt ist, nis an Energie zur Folge. Es wurde oben schon mehrfolgt jedoch bei einem Rechenmaschinen-Taktzyklus mais erwähnt, daß bei dieser Antriebseinrichtung einem jeden Ableseteil des Zyklus ein zeitlicher Zwi- durch unerwünschten Stromfluß über nicht ausgeschenraum vor dem Schreibteil, wodurch genügend wählte Treiber ebenfalls Veränderungen der Recht-Erholungszeit für die Drossel 98 vorhanden ist. Diese 15 eckform der Halbimpulse erfolgen können. Es ist eine Antriebsstromkreis-Einrichtung verringert somit weitere Aufgabe der Erfindung, diesen Effekt unwirkwesentlich die relativ lange Ansprechzeit der Transi- sam zu machen. Dies wird dadurch erreicht, daß die stören und hebt den Einfluß der Induktivität der An- Adressenmatrix so aufgebaut ist, daß sie die nicht triebsleiter und der in diesen Leitern induzierten ausgewählten Treiber wirksam von der Stromquelle Gegen-EMK auf, so daß, in Verbindung mit der in 20 abschaltet. Als Erläuterung dafür mag folgendes diediesen Erfindungen verwendeten Einrichtung zum nen: Wird ein Treiber, z. B. Treiber 93, für das Ab-Verhindern eines Stromflusses durch nicht ausge- lesen ausgewählt, dann verursacht der durch die Droswählte Leiter, ein Halbimpuls, der eine schnelle An- sei 98 erzeugte scharfe Spannungsanstieg am Verbinstiegszeit und eine konstante Amplitude entsprechend dungspunkt 81, daß etwas Strom durch die Treiber der Wellenform 155 aufweist, erzeugt wird. 25 94, 95 fließt, falls deren Basen nicht wirksam von Es sei bemerkt, daß diese eine Drossel verwen- einer Stromquelle abgeschaltet sind. Diese Stromverdende Antriebseinrichtung im Vergleich zu Rück- teilung würde bewirken, daß der Halbimpuls eine kopplungsverstärkern einen sehr guten Frequenzgang unzulässig lange Anstiegszeit und Veränderungen in im oberen Frequenzbereich aufweist. Der über einen der Amplitude aufweisen würde. Da jedoch die Basen ausgewählten X-Antriebsleiter laufende Halbimpuls 30 der Treiber 94 und 95 mit den Kollektoren der Trander Wellenform 155 ergibt im Zusammenwirken mit sistoren 90 und 91 verbunden sind, deren Emitter an dem über einen ausgewählten Y-Antriebsleiter kufen- die Kollektoren der Transistoren 88 und 87 angeden Impuls der Wellenform 158 während des Ablesens schlossen sind, wird dieser Stromweg so hochohmig, ein erwünschtes Ausgangssignal der Wellenform 164 daß der obengenannte Spannungsanstieg keinen sowie ein Störsignal von kurzer Dauer entsprechend 35 nennenswerten Strom durch die Treiber 94 und 95 der Wellenform 167. treiben kann. Dies ist die Folge dessen, daß in der Wenn kein Schreibzyklus stattfindet, und wenn kein Anordnung dieser Matrix eine Änderung der Kollek-Strom durch die Schreibtreiber 112, 113 oder 114 torspannung eines Transistors kein Fließen eines Basisfließt, dann fließt Strom durch den Hilfstreiber 115 Stroms verursacht und somit auch ein Fließen des vom Pol 101 zum Pol 118 über die Drossel 120 und 4° Kollektor-Emitter-Stroms verhindert wird. Da nun, den Widerstand 121. Unter dieser Bedingung ist der wie bereits beschrieben, während des Ablesens und Leiter W_x echt und der Leiter W_x' unecht. Findet des Schreibens der Strom jeweils in entgegengesetzten ein Schreibzyklus statt, so wird der Leiter W_x in Richtungen fließt, werden sowohl p-n-p- als auch den unechten Zustand und der Leiter W_x in den n-p-n-Typ-Transistoren in der X-Adressenmatrix 23 echten Zustand versetzt, wodurch ein Stromfluß 45 benötigt, damit sämtliche Basen der Treiber an die über den Hilfstreiber 115, wie durch eine Wellen- Kollektoren der Transistoren der Matrix angeschlosform 172 dargestellt, verhindert und ermöglicht wird, sen werden können.

daß, wie durch die Wellenform 170 angezeigt, Strom Wird nun der Treiber 93 ausgewählt und fließt durch den Treiber 112, 113 oder 114 fließt, der durch ihn ein Stromimpuls, so erscheint der am Emitdurch die Adressenmatrix zu Beginn des Ablese- 50 ter des Treibers 94 erscheinende Spannungsanstieg Schreib-Zyklus ausgewählt wurde. zwar auch an seiner Basis und am Kollektor des Tran-Die Drossel 120 übt in dieser Anordnung die sistors 90; er kann aber aus obigem Grund keinen gleiche Wirkung wie die Drossel 98 des Ablese-An- Basisstrom durch den Transistor 90 verursachen. Da triebssystem aus, so daß Stromänderungen am Punkt kein Kollektor-Emitter-Strom durch den Transistor verhindert werden. Der Widerstand 124 hat eine 55 90 fließen kann, so kann deshalb auch kein Basisähnliche Aufgabe wie der Widerstand 96 des Ablese- strom durch den Treiber 94 fließen, und die Emitter-Antriebssystems. Er bestimmt also den Betrag des Kollektor-Strecke des nicht ausgewählten Treibers 94 durch den Hilfstreiber 115 fließenden Stromes. Der Wi- bleibt nichtleitend. Da nun, sobald der Treiber 93 ausderstandl21 dient einem gleichartigen Zweck wie der gewählt wird, der Transistor 91 infolge der Anord-Widerstand 99. Der Stromimpuls durch den Y-Hilfs- 60 nung der Matrix ein offenes Gatter darstellt, wird der treiber (nicht gezeigt) bei unechtem Zustand des Lei- Pfad für den Basisstrom des Treibers 95 erst am Kolters W_x wird durch Wellenform 204 gezeigt. Somit lektor des Transistors 87 unterbrochen, der sich in ergibt ein Halbimpuls der Wellenform 170, der über diesem Fall im gesperrten Zustand befindet, den X-Antriebsleiter läuft, in Verbindung mit dem In gleichartiger Weise verhindern die Verbindun-Halbimpuls der Wellenform 166, der über den Y-An- 65 gen der Basen der Treiber 112, 113, 114 mit den triebsleiter läuft, ein Ausgangssignal, wie es durch die Kollektoren der p-n-p-Transistoren 108, 109 bzw. Wellenform 174 angedeutet wird. Dieses Ausgangs- 110, ferner die Verbindung des Emitters des Transisignal wird zwar nicht weiter verwendet, es zeigt je- stors 110 mit dem Kollektor des Transistors 106 so-

wie die Verbindung der Emitter der Transistoren 108 und 109 mit dem Kollektor des Transistors 107 einen Stromfluß während des Schreibens durch nicht ausgewählte Treiber.

Während des Sehreibens erscheint der Spannungsstoß des Verbindungspunktes 128 auf den Schreibaus-· wählleitern, z. B. der Gruppe 1 und fließt auch durch die nicht ausgewählten Antriebsleiter, z. B. Leiter 74 (Fig. 1) zu den gemeinsamen Adreßleitern der Zeile 2 (Fig. 1). Von dem genannten Leiter aus läuft der Spannungsstoß bis zum Verbindungspunkt 143 des nicht ausgewählten symmetrischen Treibers 181 (Fig. 3). Dieser Spannungsstoß würde verursachen, daß Strom durch diesen nicht ausgewählten symmetrischen Treiber fließen würde, falls dessen Basiszuleitung nicht wirksam dadurch unterbrochen wäre, daß sie mit dem Kollektor des Transistors 193 verbunden ist. Ein dem nicht ausgewählten symmetrischen Treiber 182 auferlegter Spannungsstoß würde bewirken, daß Strom durch den Transistor 194 fließt, ao welcher, wenn der symmetrische Treiber 180 ausgewählt wird, ein offenes Gatter darstellt; der Pfad für den Basistrom des symmetrischen Treibers 182 wird aber durch den Transistor 144 unterbrochen, der sich in diesem Fall im nichtleitenden Zustand befindet. Durch dieses Kernauswähl- und Schreibsystem wird somit verhindert, daß Strom über nicht ausgewählte Treiber fließt, so daß die Rechteckform der Halbimpulse durch obigen Effekt nicht beeinflußt wird.

Die Y-Adressenmatrix, die F-Treiber, die symmetrischen F-Treiber und die gemeinsame F-Adressenmatrix, die der Z-Koordinatenwählschaltung entsprechen, sind nicht näher beschrieben, da sie im Prinzip genauso wie die oben beschriebenen Einrichtungen angeordnet sind.

Claims

PATENTANSPRÜCHE:

1. Magnetkernspeichersystem mit einer Magnetkernanordnung in Koordinatenform, mit einzelnen durch die Reihen bzw. Spalten der Kerne geführten Reihen- und Spaltentreiberleitern, und mit einer Koordinatenwählschaltung zum Einschreiben von Daten in und Ablesen aus einem gewählten Kern, dadurch gekennzeichnet, daß jeweils nur ein Treiberleiter (z. B. 61) durch jede Reihe und jede Spalte der Kerne verläuft und daß die Koordinatenwählschaltung eine Anzahl von wahlweise schaltbaren Spannungsdiskriminatoren, z. B. symmetrischen Transistoren (25), enthält, so daß Treiberströme in gewählten Treiberleitern (z. B. 61) in der einen oder anderen Richtung fließen können, je nachdem, ob ein Schreib- oder Lesevorgang in einem der Kerne durchzuführen ist.

2. Magnetspeichersystem nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die einen Enden der Treiberleiter (z. B. 61) in jeder Koordinatenrichtung in Gruppen (Gruppe 1, 2, 3) an die elektrisch, z. B. durch Dioden (68, 69 usw.) voneinander entkoppelten Gruppenwähl-Lese- und Schreibkreise (z. B. 93, 89, 88, 86, LIl und L12) angeschlossen sind, daß die anderen Enden entsprechender Leiter (z. B. Leiter 1) jeder Gruppe an die Emitter-Kollektor-Kreise einzelner symmetrischer Transistoren (25) liegen, deren Basen mit entsprechenden von mehreren Leiterwählschaltungen (z. B. 192,131, 132, 133, L₅, L₀, L₇, L₈) verbunden sind und durch diese gesteuert werden.

3. Magnetkernspeichersystem nach Anspruch 2, bei dem Treiberstrom einem gewählten Treiberleiter über die diesem zugeordnete Gruppenwählschaltung zugeführt wird, gekennzeichnet durch eine Drossel (z. B. 98), einen ersten Schalter (z. B. 93) zum Verbinden einer Stromquelle (100) über die genannte Drossel mit dem gewählten Treiberleiter (z. B. 61), einen zweiten Schalter (92), der die genannte Stromquelle an einen künstlichen Belastungskreis anschaltet, der seinerseits die genannte Drossel und ein Anpassungsglied (96) zum Anpassen an die Durchschnittsimpedanz des genannten Treiberleiters enthält, sowie durch eine Steuerung (R_x, R/) des genannten ersten und des zweiten Schalters zum Anschluß der Drossel entweder an den Treiberleiter oder an den künstlichen Belastungskreis, so daß beim Anschließen an den Treiberleiter eine Stromflußänderung, wie sie infolge der Selbstinduktion des Treiberleiters auftreten würde, durch die genannte Drossel verhindert wird.

4. Magnetkernspeichersystem nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der erste und zweite Schalter aus Transistoren besteht, und daß die genannte Steuerung (R_x, R_x') Betriebsspannungen dem einen oder dem anderen der Transistoren zuführen kann, so daß jeweils immer einer leitend ist.

Hierzu 2 Blatt Zeichnungen