DE1130483B - Glaettungstransistor in einer Siebschaltung - Google Patents

Description

• Glättungstransistor in einer Siebschaltung Es sind Glättungstransistoren in einer Spannungsstabilisierungsschaltung bereits bekannt, bei denen ein Längstransistor als steuerbarer Reihenwiderstand zwischen Spannungsquelle und Verbraucher geschaltet ist.
• Für die bekannten Ausführungsformen dieser Art wurden als Bezugsspannungsquellen entweder Akkumulatoren oder aber stabilisierte Röhrenschaltungen verwendet, die einerseits besonders aufwendig, zum anderen aber auch störanfällig sind. Darüber hinaus erfordern Akkumulatoren bekanntermaßen eine dauernde Überwachung.
• Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, diese Nachteile zu vermeiden und eine wesentlich billigere und namentlich auch eine raumsparende Möglichkeit zu schaffen.
• Gemäß der Erfindung ist dies dadurch möglich geworden, daß bei einer an sich bekannten Verbindung der Anschlußstellen des Emitters und des Kollektors durch einen Belastungswiderstand die Basis mit dem Mittelpunkt einer zwischen den Polen der Ausgangsspannung liegenden Reihenschaltung von einem Kondensator und einer Diode elektrisch verbunden ist, wobei die Diode der Reihenschaltung mit dem Emitter in Verbindung steht und entgegengesetzt zur Emitter-Basis-Strecke gepolt ist. Es ist an sich bekannt, zum Schutze eines Transistors eine Diode parallel zu dessen Emitter-Basis-Strecke zu schalten.
• Eine Verwendungsmöglichkeit des neuen Transistors ist beispielsweise an Hand der in Fig. 1 dargestellten Schaltungsanordnung gezeigt.
• Danach soll aus einer Wechselspannungsquelle über einen Gleichrichter G ein Belastungswiderstand Ra mit einer möglichst geglätteten Gleichspannung gespeist werden. Fig. 2 ist der dazugehörige Ersatzstromlauf.
• Die Kondensatoren C 1 und C 2 bilden mit dem Widerstand R 1 das erste Glied der Siebkette. Demgemäß bildet der Kondensator C 3 mit dem Transistor TI., der Diode D 1 und dem Widerstand R 2 das zweite Glied der Siebkette.
• Der Transistor T l. wirkt mit seiner Kollektor-Ernitter-Strecke als ein dem Widerstand R 2 parallel geschalteter Regelwiderstand, der durch die Strombeeinflussung des gerichteten Emitter-Basis-Widerstandes gesteuert wird. Der Stromlauf zeigt, daß die eine Arbeitsgrenze des Transistors dann gegeben ist, wenn sich der Kondensator C3 im Ladezustand befindet und die in Reihe geschaltete Diode D 1 in Durchlaßrichtung beansprucht wird, wobei das Basispotential über das des Emitters ansteigt. In diesem Fall sperrt der Transistor, wodurch der Laststrom nur durch den Widerstand R 2 fließen kann. Sobald die Spannung der Stromquelle kleiner wird als die vorher auf die Kondensatoren gegebene, werden diese entladen. Dabei wird in der Reihenschaltung C 3, D 1 die Diode D 1 in Sperrichtung beansprucht, wobei der Entladestrom von C 3 über die Emitter-Basis-Strecke von T1 fließt und hier einen entsprechenden Kollektorstrom hervorruft. Andererseits steht der Kollektorstrom zu der durch den Spannungsabfall an R 2 gegebenen Kollektor-Emitter-Spannung in bekannter Weise in Beziehung.
• Die andere Arbeitsgrenze ist damit gegeben, daß der Transistor den gesamten Laststrom als Kollektorstrom übernimmt. Da in diesem Fall der Spannungsabfall über R 2 und damit die Kollektor-Emitter-Spannung sehr klein wird, kann der Kollektorstrom groß und bis zum Spitzenstrom ausgefahren werden.
• Im Falle eines Kurzschlusses über Ra würde die Spannung über derReihenschaltung C3 und D1 klein werden, so daß dann auch nur ein kleiner Kollektorstrom fließen kann. Der hierbei über R 2 entstehende Spannungsabfall kann den Wert der Kollektor-Spitzenspannung annehmen, ohne den Transistor zu beschädigen.
• Es steht also ein Spannungsregelbereich zur Verfügung, der annähernd der Kollektor-Spitzenspannung entspricht, wobei die Strombelastung bis zum Kollektor-Spitzenstrom ebenfalls ausgenutzt werden kann.

Claims (1)

1. PATENTANSPRUCH: Glättungstransistor in einer Siebschaltung, bei der ein Längstransistor als steuerbarer Reihenwiderstand zwischen Spannungsquelle und Verbraucher geschaltet ist, dadurch gekennzeichnet, daß bei an sich bekannter Verbindung der Anschlußstellen des Emitters und des Kollektors durch einen Belastungswiderstand (R2) die Basis mit dem Mittelpunkt einer zwischen den Polen der Ausgangsspannung liegenden Reihenschaltung von einem Kondensator und einer Diode elektrisch verbunden ist, wobei die Diode der Reihenschaltung mit dem Emitter in Verbindung steht und entgegengesetzt zur Emitter-Basis-Strecke gepolt ist. In Betracht gezogene Druckschriften: DeutscheAuslegeschriftenNr.1031373; 1085 203; Radio-Mentor, Heft 5/1958, S. 307; Bulletin des Schweiz. Elektrot. Vereins, Heft 1/ 1959, S. 7; Electronic Engineering, Februar 1957, S. 95.