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DE1121113B - Amplitudenbegrenzender Transistorimpulsverstaerker - Google Patents

Amplitudenbegrenzender Transistorimpulsverstaerker

Info

Publication number
DE1121113B
DE1121113B DES64788A DES0064788A DE1121113B DE 1121113 B DE1121113 B DE 1121113B DE S64788 A DES64788 A DE S64788A DE S0064788 A DES0064788 A DE S0064788A DE 1121113 B DE1121113 B DE 1121113B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
transistor
amplitude
emitter
base
input
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DES64788A
Other languages
English (en)
Inventor
Wilhelm Grafinger
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Corp filed Critical Siemens Corp
Priority to DES64788A priority Critical patent/DE1121113B/de
Priority to BE594751A priority patent/BE594751A/fr
Publication of DE1121113B publication Critical patent/DE1121113B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03GCONTROL OF AMPLIFICATION
    • H03G11/00Limiting amplitude; Limiting rate of change of amplitude
    • H03G11/002Limiting amplitude; Limiting rate of change of amplitude without controlling loop

Landscapes

  • Tone Control, Compression And Expansion, Limiting Amplitude (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Description

  • Amplitudenbegrenzender Transistorimpulsverstärker Es ist bereits eine Reihe von Amplitudenbegrenzerschaltungen bekannt. Fig. 1 zeigt eine übliche Begrenzerschaltung. Am Eingang E wird eine Wechselspannung zugeführt. Die beiden Dioden D 1 und D 2 liegen antiparallel und sind durch die Gleichspannungen U 1 und U 2 jeweils in Sperrichtung vorgespannt. Am Ausgang A erhält man eine auf die Spannungen (; 1 und U 2 begrenzte Wechselspannung.
  • 1N'citerhin besteht die Möglichkeit, eine Amplitudenbegrenzung durch Übersteuerung von Verstärkern zu erreichen.
  • Fig. 2 zeigt eine übliche Transistor-Verstärkerstufe. Durch die Widerstände R 2 bis R 5 ist der Arbeitspunkt des Transistors T 1 eingestellt. Der Widerstand R 6 und der Kondensator C 2 stellen eine Stromgegenkopplung dar. Die am Eingang E zugeführte Wechselspannung gelangt über den Kondensator C 1 an die Basis des Transistors T?. Bis zu einem gewissen Amplitudenwert dieser Eingangsspannung kann man am Kollektor von T 1 eine linear verstärkte Spannung entnehmen. Bei weiter ansteigender Eingangsspannung treten im Zusammenhang mit einer Verschiebung des Arbeitspunktes des Transistors T 1 starke Verzerrungen auf. Diese Verschiebung hat ihre Ursache darin, daß der Eingangswiderstand des Transistörs T 1 infolge des Diodenverhaltens der Basis-Emitter-Strecke unsymmetrisch ist. Außerdem treten zusätzliche Verzerrungen auf, wenn der Arbeitspunkt nicht geeignet eingestellt ist.
  • An eine korrekte, symmetrisch arbeitende Begrenzerschaltung muß die Forderung gestellt werden, daß der arithmetische Mittelwert jedes Schaltungsteilstroms von der am Eingang E angelegten Signalspannung unabhängig und somit konstant sein muß. Diese Bedingung wird von der Schaltungsanordnung nach Fig. 2 nicht erfüllt.
  • Die Erfindung bezieht sich auf einen mehrstufigen amplitudenbegrenzenden Transistorimpulsverstärker, der eine seinem Steuereingang zugeführte Wechselspannung von in weiten Grenzen schwankender Amplitude und Frequenz verstärkt und oberhalb eines bestimmten Amplitudenwertes auf einen konstanten Scheitelwert begrenzt.
  • Erfindungsgemäß ist der Arbeitspunkt mindestens eines Transistors so eingestellt, daß die Arbeitskennlinie zentralsymmetrisch zum Arbeitspunkt liegt. Außerdem wird der infolge des Diodenverhaltens der Emitter-Basis-Strecken bei Emitter- oder Basisschaltung unsymmetrische Eingangswiderstand der Transistoren durch Antiparallelschaltung eines Richtleiters zu der Emitter-Basis-Diodenstrecke mindestens eines Transistors symmetriert, und es arbeitet mindestens ein Transistor als Verstärker und Begrenzer.
  • Es sind bereits Schaltungen bekannt, bei denen antiparallel zu der Emitter-Basis-Diodenstrecke eines "Cransistors ein Richtleiter geschaltet ist. Dieser Richtleiter dient jedoch nicht zur Symmetrierung des Eingangswiderstandes, sondern hat lediglich die Aufgabe, in seinem Durchlaßwiderstand eine Sperrspannung für den Transistor zu liefern und bei geöffnetem Transistor einen unnötigen Nebenschluß zu vermeiden.
  • Bei einem vorteilhaften Ausführungsbeispiel gemäß der Erfindung ist zusätzlich der Eingangswiderstand mindestens eines Transistors durch Einschalten eines Widerstandes in die Basiszuleitung linearisiert.
  • Einzelheiten der Erfindung werden an Hand der Zeichnung erläutert.
  • Fig. 3 und 4 dienen zur Erläuterung der Erfindung. Fig. 5 zeigt den Aufbau einer Stufe des amplitudenbegrenzenden Transistorimpulsverstärkers gemäß der Erfindung; Fig.6 zeigt ein vorteilhaftes Ausführungsbeispiel gemäß der Erfindung; Fig. 7 zeigt in einem Diagramm den Zusammenhang zwischen Eingangs- und Ausgangsspannung bei dem Ausführungsbeispiel nach Fig. 6.
  • In Fig. 3 stellt die Linie 1 die Widerstandsgerade für den Gleichstrominnenwiderstand eines Transistors dar. Die Linie 2 zeigt die Arbeitsgerade bei linearem Abschlußwiderstand. Sie ist durch die beiden Punkte a (maximale Kollektor-Emitter-Spannung) und b (maximaler Kollektorstrom) gegeben. Der Schnittpunkt der Linien 1 und 2 ergibt den Arbeitspunkt A. Bei Aus- Steuerung des Transistors pendelt der Betriebspunkt auf der Arbeitsgeraden 2 um den Arbeitspunkt A. Bei größeren Aussteuerungen werden die Punkte a und b erreicht. Wie leicht einzusehen ist, muß bei symmetrischer Begrenzung gefordert werden, daß der Arbeitspunkt A in der Mitte zwischen den beiden Punkten a und b liegt. Dies ist dann der Fall, wenn die Neigung der beiden Linien 1 und 2 gleich groß ist. Daraus ergibt sich die eine Bedingung für symmetrische Begrenzung bei linearem Abschlußwiderstand, daß der Gleichstrominnenwiderstand gleich dem Kollektorabschlußwiderstand des Transistors sein muß.
  • Infolge des Diodenverhaltens der Basis-Emitter-Strecke eines Transistors ist der Eingangswiderstand eines Transistors unsymmetrisch. Schaltet .man nun der Emitter-Basis-Diode eine gleichartige Diode antiparallel, so ergibt sich im wesentlichen eine Kennlinie wie die Linie 2 in Fig. 4. Diese Linie ist zwar nichtlinear, aber zentralsymmetrisch zum Arbeitspunkt A, falls dieser in der Mitte zwischen den beiden Punkten a und b liegt. Hierdurch ist die zweite Bedingung für eine symmetrische Spannungsbegrenzung gegeben.
  • Die Durchlaßspannung von Dioden beträgt im allgemeinen nur einige Zehntel Volt. Bei den üblichen Transistoren liegt der Arbeitspunkt bei einer Kollektor-Emitter-Spannung von mehreren Volt. Dies würde zur Folge haben, daß die Strecke d"A' in Fig. 4 klein gegen die Strecke 7t' b' wäre. Eine Vergrößerung der Strecke 97-A-1 bzw. A' c' läßt sich durch Einschalten eines Widerstandes des Transistors erreichen.
  • Bei der Stufe nach Fig. 5 wird am Eingang E ein Impuls zugeführt, der über den Kondensator C3 und Transistors T2 gelangt. Der Arbeitspunkt dieses Transistors ist mittels der Widerstände R 8 bis R 11 so eingestellt, daß die Arbeitskennlinie zentralsymmetrisch zum Arbeitspunkt liegt. Der Widerstand R 12 und der Kondensator C 4 stellen eine Stromgegenkopplung dar. In Antiparallelschaltung zur Emitter-Basis-Diodenstrecke des Transistors T2 liegt die Diode D3. Dadurch wird erreicht, daß der am Eingang E wirksame Wechselstromwiderstand symmetrisch ist.
  • Fig. 6 zeigt einen ausgeführten amplitudenbegrenzenden Transistorverstärker gemäß der Erfindung. Die Schaltung nach Fig. 6 ergibt sich im wesentlichen durch eine Hintereinanderschaltung von drei Stufen nach Fig. 5. In die Basiszuleitung jedes der Transistoren T 3 bis T 5 ist ein Linearisierungswiderstnd R 13 bis R 15 eingeschaltet. Antiparallel zu den Emitter-Basis-Diodenstrecken dieser Transistoren liegen die Dioden D 4 bis D 6. Die Widerstände R 16 bis R 19, R 22 bis R 25,R 28 bis R 30, Rb, R 21, R 27 und R 32 dienen zur Einstellung der Arbeitspunkte dieser drei Transistoren. Die Widerstände R 20, R 26 und R 31 und die Kondensatoren C 7 bis C 9 stellen Stromgegenkopplungen dar. Die Kondensatoren C 4 bis C 6 dienen zur Ankopplung an die jeweils nächstfolgende Stufe. Die Kondensatoren C10 bis C12 sind Glättungskondensatoren für die Versorgungsspannung. Die Wirkungsweise der Schaltungsanordnung nach Fig.10 ist nach Kenntnis der Wirkungsweise der Schaltung nach Fig. 5 ohne weiteres verständlich.
  • Fig. 7 zeigt in einem Diagramm den Zusammenhang zwischen Eingangsspannung UE und Ausgangsspannung UA bei einem ausgeführten Beispiel nach Fig. 6. Wie man erkennt, ist nach überschreiten einer bestimmten Eingangsspannung Ur 1, bis zu der der Begrenzerverstärker als linearer Verstärker arbeitet, die Amplitude der Ausgangsspannung unabhängig von der Amplitude der Eingangsspannung.
  • Der Frequenzbereich, in dem die Begrenzerverstärkerschaltung nach Fig. 6 korrekt wirksam ist, ist einerseits durch die Grenzfrequenz der verwendeten Transistoren und andererseits durch die Kapazität der Ankopplungskondensatoren gegeben.

Claims (2)

  1. PATENTANSPRÜCHE: 1. Mehrstufiger amplitudenbegrenzender Transistorimpulsverstärker, der eine seinem Steuereingang zugeführte Wechselspannung von in weiten Grenzen schwankender Amplitude und Frequenz verstärkt und oberhalb eines bestimmten Amplitudenwertes auf einen bestimmten Scheitelwert begrenzt, dadurch gekennzeichnet, daß der Arbeitspunkt mindestens eines Transistors so eingestellt ist, daß die Arbeitskennlinie zentralsymmetrisch zum Arbeitspunkt liegt, daß der infolge des Diodenverhaltens der Emitter-Basis-Strecken bei Emitter- oder Basisschaltung unsymmetrische Eingangswiderstand der Transistoren durch Antiparallelschaltung eines Richtleiters (D 3 in Fig. 5) zu der Emitter-Basis-Diodenstrecke mindestens eines Transistors symmetriert wird und daß mindestens ein Transistor als Verstärker und Begrenzer arbeitet.
  2. 2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Eingangswiderstand vorzugsweise jedes Transistors durch Einschalten eines Widerstandes (R 7 in Fig. 5) in die Basiszuleitung linearisiert ist. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Patentschrift Nr. 965 852; schweizerische Patentschrift Nr. 327 528; USA.-Patentschrift Nr. 2 894150.
DES64788A 1959-09-07 1959-09-07 Amplitudenbegrenzender Transistorimpulsverstaerker Pending DE1121113B (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES64788A DE1121113B (de) 1959-09-07 1959-09-07 Amplitudenbegrenzender Transistorimpulsverstaerker
BE594751A BE594751A (fr) 1959-09-07 1960-09-05 Amplificateur à transistors, limiteur d'amplitude

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES64788A DE1121113B (de) 1959-09-07 1959-09-07 Amplitudenbegrenzender Transistorimpulsverstaerker

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1121113B true DE1121113B (de) 1962-01-04

Family

ID=7497486

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DES64788A Pending DE1121113B (de) 1959-09-07 1959-09-07 Amplitudenbegrenzender Transistorimpulsverstaerker

Country Status (2)

Country Link
BE (1) BE594751A (de)
DE (1) DE1121113B (de)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE965852C (de) * 1954-02-16 1957-06-27 Philips Nv Transistor-Gegentaktverstaerker
CH327528A (fr) * 1954-03-02 1958-01-31 Moulon Jean Marie Amplificateur de classe B à au moins un transistron
US2894150A (en) * 1953-10-07 1959-07-07 Avco Mfg Corp Transistor signal translating circuit

Patent Citations (3)

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DE965852C (de) * 1954-02-16 1957-06-27 Philips Nv Transistor-Gegentaktverstaerker
CH327528A (fr) * 1954-03-02 1958-01-31 Moulon Jean Marie Amplificateur de classe B à au moins un transistron

Also Published As

Publication number Publication date
BE594751A (fr) 1961-01-02

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