DE112009003819T5 - Containment- bzw. Sicherheitsbehältersystem für reaktive Chemikalien - Google Patents
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Abstract
Ein kleines, aber wirksames Containmentsystem für eine reaktive Chemikalie umfasst eine Vorrichtung und ein Verfahren zur Reaktion des Verfahrensgases, welches aus den Reaktionsöfen abgegeben wird, mit einem Reaktionsgas auf eine Weise ohne Verbrennung, um teilchenförmige oder pulverförmige Nebenprodukte zu erzeugen und zu halten, wodurch das Prozessgas aus dem Abgasfluss entfernt wird. Die Vorrichtung stellt einen Prozessgaseinlass, reaktives Behandlungsgasdiffusion, Prozessgas und reaktives Behandlungsgasvormischen, primäres Containment, sekundäres Containment und Auslasszone zur Verfügung.
Description
- Hintergrund
- Technisches Gebiet der Erfindung
- Die vorliegende Erfindung betrifft Verfahren und Vorrichtungen zum Einfangen und Halten reaktiver chemischer Bestandteile aus industriellen Verfahren, welche in den Reaktionskammern von Dünnfilmhalbleiterabscheidungen nicht reagieren, einschließlich, jedoch nicht beschränkt auf nasse und trockene Wäscher, Fallen, Auffanggefäße und Reaktoren.
- Stand der Technik
- Eine Vielzahl von Dünnfilmabscheidungsverfahren, einschließlich solcher, die zur Abscheidung dünner Filme einer Vielzahl von Halbleitermaterialien auf Substraten oder Vorrichtungen verwendet werden, verwenden ausgewählte reaktive Verfahrensgase, um chemische Reaktionen in Reaktionskammern zu bewirken, die zu der Abscheidung eines gewünschten Dünnfilmmaterials auf dem Substrat oder der Vorrichtung führen. Bei solchen Systemen ist es üblich, mehr des reaktiven Verfahrensgases oder der -gase in und durch die Reaktionskammer einzuführen und zu leiten als tatsächlich in dem Abscheidungsverfahren reagiert oder verbraucht wird, um eine gute Dünnfilmgleichförmigkeit beizubehalten, so dass beträchtliche Mengen des reaktiven Verfahrensgases oder der -gase aus der Reaktionskammer und in das Abgassystem fließen. Einige der im Allgemeinen verwendeten reaktiven chemischen Verfahrens- oder Speisegase, wie Silan und andere Silicohydridgase, Arsenwasserstoff, Phosphin, German und andere, die in Abscheidungssystemen zum Abscheiden oder epitaktischen Aufwachsen verschiedener Dünnfilmmaterialien verwendet werden, sind toxisch, pyrophor oder umweltverschmutzend und sind daher in dem Abgassystem und/oder in der Atmosphäre gefährlich oder unerwünscht. Daher besteht ein lang festgestellter Bedarf an wirksamen und effizienten Verfahren und Vorrichtungen oder Systemen, um solche reaktive chemische Verfahrensgase in den Abgassystemen von Reaktionskammern zu handhaben und um zu verhindern, dass diese in die Atmosphäre gelangen.
- Als ein besonders relevantes Beispiel sind Silicohydridgase, z. B. Silan (SiH4), Disilan (Si2H6) und andere Silicohydridgase stark reaktive, pyrophore und toxische Verfahrensgaschemikalien, die in verschiedenen epitaktischen Wachstums- und anderen Abscheidungssystemen verwendet werden, einschließlich Niederdruckgasphasenabscheidung (LPCVD), chemische Atmosphärendruckdampfabscheidung (APCVD), plasmaunterstützte chemische Dampfabscheidung (PECVD), Hot-Wire-Abscheidung (HWD) und anderen, um dünne Filme, umfassend Silicium, wie kristallines Silicium (c-Si), polykristallines Silicium (p-Si), amorphes Silicium (a-Si), Siliciumdioxid (SiO2), Siliciumnitrid (SiN) und andere, abzuscheiden. Silan, Disilan und andere Silicohydridgase sind so reaktiv, da die Si-H-Bindungsenergie niedrig und die Bindung der Si-Si-Kette instabil ist. Typische derzeitige Lösungen, um mit Silan und anderen Silicohydridverfahrensgasen in den Abgasen solcher Reaktionskammern umzugehen, umfassen verschiedene Arten nasser und trockener Wäscher, welche sehr teuer sind, herkömmliche Fallen und Auffanggefäße, welche nur marginal hilfreich sind, oder das einfache Entsorgen der Silicohydridverfahrensgase in die Hausabgassysteme und Ausstoßen derselben in die Atmosphäre, was gefährlich ist und unerwünschte Umweltverschmutzung verursacht. Zum Beispiel führt in die Atmosphäre abgegebenes Silicohydridgas zu spontan erzeugten Mikropartikeln aus Siliciumdioxid, welche inhaliert werden können, und in den Lungen von Mensch abgelagert Gesundheitsprobleme bewirken.
- Sowohl trockene als auch nasse Wäscher umfassen typischerweise große und teure Geräteinstallationen, welche von deren Verwendung abschrecken, insbesondere in Ländern, die keine wirksamen Regulationen gegen die Abgabe von Silan an die Atmosphäre besitzen. Wo die Vorschriften nicht erzwungen werden oder unwirksam sind, würde die Verfügbarkeit von kleineren wirksameren und billigeren Silanabgasverminderungen die freiwillige Verminderung oder Befolgung durchführbarer machen, und wo diese Vorschriften erzwungen sind, wären kleinere, wirksamere und billigere Alternativen für herkömmliche Wäscher hilfreich.
- Wenn ein Wäscher installiert wird, um Silan oder andere Silicohydridgase zu behandeln, welche von einem Niederdruckgasphasenabscheidungs (LPCVD) verfahren abgegeben werden, ist eine Abgasleitung notwendig, um den Auslass der Vakuumpumpe, welche verwendet wird, um die LPCVD-Reaktionskammer zu evakuieren, mit dem Wäscher zu verbinden. Bei einigen LPCVD-Verfahren, wie der Siliciumnitridabscheidung durch plasmaunterstützte chemische Dampfabscheidung (SiN PECVD), werden kondensierbare feste Nebenprodukte gebildet und bilden sich in der Abgasleitung und verstopfen die Abgasleitung, sofern dies nicht verhindert wird. Daher ist eine erwärmte Abgasleitung notwendig, um die Nebenprodukte in der Dampfphase zu halten, um zu verhindern, dass die Abgasleitung verstopft wird. Für andere Verfahren, die große Mengen an Silan in der Abgasleitung umfassen, können feste Siliciumdioxid-(SiO2)Nebenprodukte gebildet werden. Wenn Wasserdampf beteiligt ist (welcher von einem nassen Wäscher in die Abgasleitung zurückströmen kann), können diese Nebenprodukte sehr fest an den Innenwänden der Abgasleitung haften, auch wenn die Abgasleitung erwärmt wird. Daher kann eine häufige präventive Wartung, umfassend die Zerlegung der Abgasleitung, notwendig sein, um akkumulierte Feststoffe zu entfernen, bevor sie die Abgasleitung verstopfen. Des Weiteren kann die Abgasleitung in einigen Installationen sehr lang sein, um den Wäscher zu erreichen und kann sehr komplex sein, insbesondere an dem Wäschereinlass, was nicht nur viele teure Rohrerwärmer erfordert, sondern auch komplex geformte, sogar noch teurere Rohrerwärmerbestandteile.
- In situ Reinigen der Abscheidungsverfahrenskammer ist sehr üblich, wenn z. B. Chemikalien auf Fluorbasis, wie NF3, häufig verwendet werden, um reaktives atomares Fluor zu erzeugen, um feste Abscheidungen an den Wänden und Bestandteilen der Anlage im Inneren der Verfahrenskammer (z. B. SiO2 oder Si) in gasförmige Verbindungen (z. B. SiF4) umzuwandeln, die aus der Verfahrenskammer gespült werden können. Um diese Halogengase zu behandeln, ist ein nasser Wäscher besonders wirksam, wohingegen für die Behandlung von Silan ein trockener Wäscher besonders wirksam ist. Daher können entweder eine Vielzahl von Wäschern oder mehrstufigen Wäschern sowohl mit trockenen als auch mit nassen Stufen verwendet werden, um unterschiedliche Arten von Chemikalien selektiv und wirksam zu zerstören.
- Wie oben erwähnt, sind solche herkömmliches trockenen und nassen Wäschersysteme üblicherweise groß, teuer und nicht sehr wirksam. Sie erfordern viel Raum, so dass sie nicht immer nahe an den Reaktionskammern angeordnet werden können und erfordern häufig einen langen Verlauf von erwärmten Rohren, was ebenfalls teuer ist. Es wurden Versuche unternommen, um kleinere Silanabgasbeseitigungen bereitzustellen, einschließlich z. B. des Reagierens des Silans mit Halogen, um Halosilane zu erzeugen, welche in Wasser hydrolysiert werden (
US-Patent Nr. 6,086,838 , erteilt an Morgan), Sorbentharzbetten (Veröffentlichung der US-Patentanmeldung US 2005/0089455 A1 von Morganski et al.), und nicht-thermische Coronaentladungdissoziationsreaktoren (US-Patent Nr. 6,576,573 , erteilt an Arno). Die jüngste Zunahme des Bedarfs an Flachbildfernsehern und anderen Display- und an Solarzellen hat zu einer Herstellung dieser Vorrichtungen in großem Maßstab geführt. Diese Flachbilddisplays und Solarzellenherstellungen in großem Maßstab verwenden deutlich mehr Silan als herkömmliche Halbleiterverfahren. Die derzeitige Wäschertechnologie ist schlecht ausgerüstet, um diese dramatisch erhöhten Silicohydridabgasbelastungen zu handhaben und häufigere und teurere präventive Wartung, Entfernen von Verstopfungen, und Reinigungszyklen sind nun häufig notwendig. Des Weiteren erkennen die Hersteller, die in der Vergangenheit damit durchgekommen sind ihre Silicohydrid-beladenen Abgase direkt in ihre Hausabgassysteme zu leiten, um die Investitionen und Wartungskosten von Wäschersystemen zu vermeiden, dass diese größeren Gasbeladungen Verstopfungen der Abgasleitungen mit festen Siliciumdioxidablagerungen und Sicherheits- und Umweltgefährdungen erzeugen. - Kurze Beschreibung der Zeichnungen
- Die begleitenden Zeichnungen, welche hier enthalten sind und einen Teil der Beschreibung bilden, erläutern einige, jedoch nicht die einzigen oder exklusiven Ausführungsbeispiele und/oder Merkmale. Es ist beabsichtigt, dass die Ausführungsformen und Zeichnungen, die hier offenbart sind, als erläuternd und nicht als beschränkend betrachtet werden.
- Es zeigt:
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1 eine Zeichnung eines Dünnfilmabscheidungssystems mit einem Containment für reaktive Chemikalien gemäß dieser Erfindung stromabwärts von der Dünnfilmabscheidungsreaktionskammer; -
2 eine isometrische Darstellung einer beispielhaften Containmentvorrichtung für reaktive Chemikalien für das hier beschriebene System, wobei verschiedene Bereiche der Außenstruktur und der inneren Containmentelemente weggeschnitten dargestellt sind, um einige der inneren Bestandteile darzustellen; -
3 eine Seitenansicht der beispielhaften Containmentvorrichtung für reaktive Chemikalien aus2 ; -
4 einen Querschnitt der Containmentvorrichtung für reaktive Chemikalien entlang der Linie 4-4 aus3 ; -
5 einen Querschnitt der Containmentvorrichtung für reaktive Chemikalien entlang der Linie 5-5 aus3 ; -
6 eine isometrische Ansicht der Diffusionsbestandteile der Containmentvorrichtung für reaktive Chemikalien; -
7 eine isometrische Ansicht eines weiteren Beispiels einer Ausführungsform der Containmentvorrichtung für reaktive Chemikalien, wobei verschiedene Bereiche der Außenstruktur und der inneren Containmentelemente weggeschnitten dargestellt sind, um einige der inneren Bestandteile darzustellen; -
8 eine Ansicht des vorderen Endes der beispielhaften Containmentvorrichtung für reaktive Chemikalien aus7 ; -
9 eine Seitenansicht der beispielhaften Containmentvorrichtung für reaktive Chemikalien aus7 ; -
10 einen Querschnitt der beispielhaften Containmentvorrichtung für reaktive Chemikalien entlang der Linie 10-10 aus8 ; -
11 einen Querschnitt der reaktiven Containmentvorrichtung für reaktive Chemikalien entlang der Linie 11-11 aus9 ; -
12 eine isometrische Darstellung einer beispielhaften primären Containmenteinsatzanordnung für Containmentsysteme für reaktive Chemikalien; -
13 einen Querschnitt der reaktiven Containmentvorrichtung für reaktive Chemikalien entlang der Linie 13-13 aus9 ; -
14 eine isometrische Ansicht eines beispielhaften alternativen primären Einsatzes, umfassend eine kegelförmige bzw. zulaufende Abfolge von perforierten konischen Platten; -
15 einen Querschnitt des beispielhaften primären Einsatzes aus14 ; -
16 eine isometrische Ansicht eines beispielhaften alternativen primären Einsatzes, umfassend eine Vielzahl von konzentrisch angeordneten, perforierten zylindrischen Sieben; -
17 einen isometrischen Querschnitt des beispielhaften primären Einsatzes aus16 ; -
18 eine isometrische Ansicht eines beispielhaften alternativen primären Einsatzes, umfassend ein Labyrinth zylindrischer Fässer bzw. Tonnen; -
19 einen isometrischen Querschnitt des beispielhaften primären Einsatzes aus18 ; -
20 eine isometrische Ansicht eines beispielhaften alternativen primären Einsatzes, umfassend einen Stapel versetzt angeordneter Wabenkörperelemente; -
21 einen isometrischen Querschnitt des beispielhaften primären Einsatzes aus20 ; -
22 eine isometrische Ansicht eines beispielhaften alternativen primären Einsatzes, umfassend eine bürstenartige Struktur; -
23 eine Seitenansicht des beispielhaften primären Einsatzes aus22 ; -
24 eine isometrische Ansicht eines beispielhaften alternativen primären Einsatzes, umfassend eine kegelförmige bzw. zulaufende Drahtschlange bzw. -spule aus Kühlrohr; -
25 eine Seitenansicht des beispielhaften primären Einsatzes aus24 ; -
26 eine isometrische Ansicht eines beispielhaften alternativen primären Einsatzes, umfassend eine Kombination aus einem Kühlrohr und perforierten Platten; -
27 eine Seitenansicht des beispielhaften primären Einsatzes aus26 ; -
28 eine isometrische Ansicht eines beispielhaft sekundären Containmentelementes aus Gewebe; -
29 eine isometrische Ansicht eines beispielhaften konzentrischen sekundären Containmentelementes aus Gewebe; -
30 eine isometrische Ansicht eines beispielhaften konzentrischen perforierten sekundären Zylindercontainmentelementes; -
31 eine isometrische Ansicht eines beispielhaften sekundären Containmentelementes mit geknicktem und perforiertem Blech; -
32 eine isometrische Ansicht eines beispielhaften sekundären Sicherheitselementes mit strahlenartiger Platte; -
33 einen Querschnitt einer alternativen Diffusoranordnung; -
34 einen Querschnitt einer anderen alternativen Diffusoranordnung; -
35 einen Querschnitt einer anderen alternativen Diffusoranordnung; -
36 einen Querschnitt einer anderen alternativen Diffusoranordnung; -
37 einen Querschnitt einer anderen alternativen Diffusoranordnung; -
38 einen Querschnitt einer anderen alternativen Diffusoranordnung; -
39 eine diagrammartige Darstellung eines inneren Vakuumreinigungssystems für die primäre Containmentkammer, wobei sich die Ventile im normalen Betriebszustand befinden; und -
40 eine diagrammartige Ansicht des inneren Vakuumreinigungssystems aus39 , wobei die Ventile auf Bypass- und Vakuumreinigungs-Betriebsart eingestellt sind. - Detaillierte Beschreibung der beispielhaften Ausführungsformen
- Eine beispielhafte Containmentvorrichtung
10 für reaktive Chemikalien ist diagrammartig in1 in dem Abgassystem eines typischen Dünnfilmabscheidungssystems als eine beispielhafte Umsetzung der Erfindung dargestellt, wobei anerkannt wird, dass die in den nachfolgenden Ansprüchen angegebene Erfindung auch auf andere Weise mit einer Vielzahl von Variationen im Detail umgesetzt werden kann, wenn die Prinzipien der Erfindung aus der Beschreibung hier verstanden werden. Diese beispielhafte Umsetzung der Containmentvorrichtung10 für reaktive Chemikalien ist in der isometrischen Ansicht in2 mit einigen optisch ausgeschnittenen Bereichen des äußeren Gehäuses und der externen Bestandteilen dargestellt, um innere Bestandteile zu Einfachheit deutlich zu machen, wohingegen die Seitenansicht der Vorrichtung10 in3 die inneren Bestandteile verdeckt, jedoch die optischen Orientierungen 4-4 und 5-5 für die Querschnitte in den4 und5 bereitstellt. - Unter Bezugnahme auf
1 ist eine typische Reaktionskammer12 für die Dünnfilmabscheidung dargestellt, wobei ein Substrat14 auf einer Plattform16 in der Kammer12 angeordnet ist, um auf dem Substrat14 einen dünnen Film eines Materials15 abzuscheiden, welches aus einem Fluss eines chemischen reaktiven Verfahrensgases oder -gasen hergeleitet wird, wie durch den Flusspfeil18 beschrieben. Zur Verdeutlichung und Vereinfachung der Erläuterung kann diese Erfindung für ein Containment für reaktive Chemikalien im Zusammenhang mit einer gängigen plasmaunterstützten chemischen Dampfabscheidung (PECVD) von Siliciumnitrid (Si3N4) beschrieben werden, welche in der Industrie häufig in Kürze als ”PECVD-Nitrid” bekannt ist. Dieses Beispiel ist geeignet, da PECVD-Nitrid zurzeit bei Flachbilddisplay- und Solarzellherstellungsverfahren in großem Maßstab verwendet wird, wobei, aufgrund der großen Größe der Panels gewaltige Mengen an Silan durch die Reaktionskammern12 fließen und abgegeben werden. Die Prinzipien und Vorteile dieser Erfindung können jedoch auch für Abgase aus anderen Abscheidungsverfahren verwendet werden, wie anderen chemischen Hochdruck- oder Niederdruck-Dampfabscheidungen, Hot-Wire-Dissoziationsabscheidung, Atomschichtabscheidung (ALD), oder anderen Verfahren, bei denen übermäßig reaktive Chemikalien beteiligt sind. Sie kann auch mit unterschiedlichen reaktiven Verfahrensgasen, insbesondere anderen pyrophoren Gasen, wie Disilan und andere Silicohydridgase, Arsenwasserstoff, Phosphin, German oder Wolframhexafluorid, zur Abscheidung dünner Filme aus Siliciumdioxid, polykristallinem Silicon, polykristallinem Germanium, Wolfram oder anderer verwendet werden. In1 stellt der Speisegasquellenbehälter20 eines dieser reaktiven pyrophoren Gase dar, und der Speisegasquellenbehälter22 stellt jeden anderen Gasbestandteil oder Kombinationen von Gasen dar, die für eine gewünschte Reaktion notwendig sind, um eine gewünschte Materialabscheidung zu erzielen. Zum Beispiel ist bei der PECVD-Nitridabscheidung, welche bei dieser Erläuterung verwendet wird, das andere Verfahrensgas für die Reaktion mit Silan zur Abscheidung von Siliciumnitrid, z. B. Stickstoff (N2) oder Ammoniak (NH3). Diese Verfahren können auch einige Inertträgergase oder Verdünnungsgase enthalten, dargestellt durch den Quellentank23 in1 , wie Fachleuten auf dem Gebiet bekannt ist. - Wie oben erwähnt, fließen große Mengen an unreagiertem Silan (oder anderer reaktiver Verfahrensgase) durch und aus der Reaktionskammer
12 , während ein Teil des Silans (oder des anderen reaktiven Verfahrensgases) in der Reaktionskammer12 reagiert wird, um einen dünnen Film15 aus Siliciumnitrid oder einem anderen gewünschten Material auf dem Substrat14 zu erzeugen. Von diesem Punkt der Erklärung aus wird nur nach Silanverfahrensgas explizit erwähnt werden, um eine lästige Wiederholung aller oben genannter reaktiven Verfahrensgase zu vermeiden, jedoch mit der Einsicht, dass jedes der oben erwähnten reaktiven Verfahrensgase in dem gleichen oder einem ähnlichen Zusammenhang berücksichtigt werden könnte, und dass weder dieses Beispiel noch die Erfindung auf Silan beschränkt ist. - Das nicht reagierte Silanverfahrensgas fließt aus der Reaktionskammer
12 und durch ein Rohr24 (welches manchmal als eine Vorleitung in Vakuum- oder Niederdruck-CVD-Systemen bezeichnet wird), durch die Vakuumpumpe26 und in ein weiteres Rohr30 (manchmal als Abgasrohr oder Abgasleitung bezeichnet). Die Vorleitung24 und/oder Abgasleitung30 kann durch Rohrerwärmer32 , welche Fachleuten auf dem Gebiet gut bekannt sind, auf einer erhöhten Temperatur gehalten werden. Solche Rohrerwärmer werden häufig verwendet, um zu verhindern, dass das Silanverfahrensgas und/oder dessen Nebenprodukte zu einem Feststoff in der Vorleitung24 und/oder der Abgasleitung30 sublimieren. Bei atmosphärischen oder Hochdruckabscheidungssystemen kann auch keine Vakuumpumpe vorhanden sein. Des Weiteren kann in einigen Abscheidungssystemen eine Falle oder ein spezialisierter sekundärer Reaktor irgendeiner Art (nicht dargestellt) in der Vorleitung24 vor der Vakuumpumpe25 oder in der Abgasleitung30 nach der Vakuumpumpe26 installiert sein. - Die Containmentsystemvorrichtung
10 für reaktive Chemikalien ist in1 stromabwärts von der Vakuumpumpe26 mit der Abgasleitung30 verbunden dargestellt, wo sie das Silangas behandelt und enthält, welches in den Abgasen aus der Reaktionskammer12 fließt, indem das Silanverfahrensgas mit ausreichend anderem Reaktionsgas oder Gasmischung reagiert, um das ganze Verfahrenssilan zu verbrauchen. Zum Beispiel erzeugt Silan (SiH4), das mit Sauerstoff (O2) reagiert wird, Siliciumdioxid (SiO2), welches ein chemisch stabiler Feststoff ist. Die restlichen Gase fließen weiterhin aus einem Auslass34 der Vorrichtung10 und durch das stromabwärts angeordnete Abgasleitungssegment36 in das Hausabgassystem (nicht dargestellt) oder direkt in die Atmosphäre oder in ein anderes Behandlungs- oder Entsorgungssystem. Das andere Reaktionsgas, z. B. Sauerstoff, wird in die Vorrichtung10 , wie durch die Speiseleitung38 angegeben, eingeführt. Wenn Luft als die Sauerstoffquelle verwendet wird, kann es verdichtete trockene Luft (CDA) sein, diagrammartig dargestellt durch die Luftpumpe39 , oder kann aus einem komprimierten Lufttank (nicht dargestellt) oder auf irgendeine andere bequeme Art bereitgestellt werden. Wenn solch eine Vorrichtung10 bei einem Wolfram-CVD-Verfahren verwendet wird, kann das andere Reaktionsgas Wasserdampf (H2O) umfassen, um Wolframhexafluorid (WF6) in feste Wolframoxide (z. B. WOF4, WO2F2 oder WO3) umzuwandeln. Zu Klarheitszwecken in dieser Erläuterung und um ein Durcheinander zu vermeiden, wird das unreagierte Silan oder andere reaktive Gase aus dem primären Reaktor12 als ein Verfahrensgas, Silanverfahrensgas oder Verfahrenssilan bezeichnet, und der andere Reaktant (z. B. Sauerstoff, Luft, Wasserdampf oder reaktives Gas), welcher durch die Speiseleitung38 in die Vorrichtung10 zur Reaktion mit Silan eingeführt wird, wird als das reaktive Behandlungsgas bezeichnet. - Bezug nehmend auf
2 weist die Containmentsystemapparatur oder -vorrichtung10 für reaktive Chemikalien ein Gehäuse40 auf, welche sechs funktionelle Zonen umfasst: (i) eine Eingangszone42 , welche bereitgestellt ist, um die eingehenden Gase in homogener Gasphase zu halten bzw. zu führen, einschließlich des nicht reagierten Silanverfahrensgases, und kann erwärmt werden, sofern notwendig, mit einer Heizvorrichtung (z. B. Heizvorrichtung32 und56 ), um die Temperatur des einfließenden Verfahrensgases oberhalb der Dampfgrenze zu halten; (ii) eine Diffusionszone44 , in welcher ein reaktives Behandlungsgas (z. B. Sauerstoffgas oder komprimierte trockene Luft) mit einem Volumen diffundieren kann, welches den Konzentrationsgradienten normalisiert; (iii) eine Vormischzone46 , welche einen größeren Querschnitt als die Eingangszone42 aufweist, um die Gasflussgeschwindigkeit zu reduzieren und das Vermischen des Verfahrenssilans mit dem reaktiven Behandlungsgas ohne Turbulenz zu unterstützen, um die Reaktion soweit wie möglich in der Mischzone zu vermeiden; (iv) eine primäre Containmentkammer48 , welche ein größeres Volumen als die Vormischzone46 aufweist und eine Vorrichtung umfasst, um die Bedingungen zu steigern, welche die Reaktion des reaktiven Verfahrensgases mit dem reaktiven Behandlungsgas unterstützen, um eine Reaktion zu forcieren, die das reaktive Verfahrensgas eliminiert und günstige Reaktionsnebenprodukte erzeugt, welche sonst natürlich weiter stromabwärts entstehen würden, z. B. in dem Einlass eines Wäschers oder an dem Eingang zu einem Hausabgassystem, wo sie den Gasfluss behindern oder blockieren und häufige Wartungsprobleme bewirken würden; (v) eine sekundäre Containmentzone50 , um Verfahrenssilan und reaktives Behandlungsgas, welches nicht in der primären Containmentzone48 reagiert wurde, zu reagieren; und (vi) eine Ausgangszone52 , welche die sekundäre Containmentzone50 mit dem Abgasleitungssystem36 verbindet, welches zu einem Hausabgassystem (nicht dargestellt), oder in einigen Fällen zu einem Hauswäscher (nicht dargestellt) führt. - Bezug nehmend primär auf die
2 und4 mit einer sekundären Bezugnahme auf die1 und3 werden das Verfahrensgas oder die Verfahrensgase, umfassend nicht reagiertes Verfahrenssilan, zusammen mit Reaktionsnebenprodukten und jedem Träger- oder Verdünnungsgas aus der Reaktionskammer12 durch die Vorleitung24 und das Abgasleitungssystem30 (1 ) zu der Containmentvorrichtung10 für reaktive Chemikalien befördert, wo das Abgasleitungssystem30 mit der Einlassöffnung54 der Vorrichtung10 verbunden ist (2 und4 ). Die Eintrittszone42 , welche oben erwähnt wurde, umfasst die Zone, in der das Abgasleitungssystem30 den Verfahrensgasfluss in die Einlassöffnung54 richtet, wie durch den Flusspfeil58 angegeben (4 ). - Für die effektive Handhabung und Behandlung des Verfahrenssilans in der Containmentvorrichtung
10 für reaktive Chemikalien ist es bevorzugt, das Verfahrenssilan praktisch sobald es aus der primären Reaktionskammer12 fließt, in die Vorrichtung10 einzuführen, so dass die Vakuumpumpe26 und die Vorrichtung10 idealerweise rechts neben der primären Reaktionskammer12 angeordnet wären, so dass der Auslass der primären Reaktionskammer12 direkt in den Einlass der Vakuumpumpe26 fließt und die Abflussöffnung der Vakuumpumpe26 direkt in die Einlassöffnung54 der Vorrichtung10 fließen würde. Aufgrund der Raumbeschränkungen und anderer Betrachtungen in praktischen Anwendungen ist es jedoch häufig notwendig, dass ein gewisser Raum oder Abstand zwischen der primären Reaktionskammer12 und der Vakuumpumpe26 , wie auch zwischen der Vakuumpumpe26 und der Vorrichtung10 vorhanden ist. Um daher Verstopfungen in der Vorleitung24 und in der Abgasleitung30 , welche zu der Vorrichtung10 führt, zu verhindern, ist es bevorzugt, das Verfahrenssilan und andere Verfahrensgase in der Dampfphase zu halten, um aus der primären Reaktionskammer12 zu der Vorrichtung10 ohne Sublimation in einen Festkörper zu fließen. Daher ist der Rohrerwärmer32 eine Option, die an dem Abgasrohr30 zwischen der Vakuumpumpe26 und der Vorrichtung10 verwendet werden kann, um zu helfen, dass das Verfahrenssilan und andere Verfahrensgase in der Dampfphase gehalten werden. Eine ähnliche Heizvorrichtung56 oder eine andere Wärmequelle kann um die Vormischkammer60 herum bereitgestellt werden, sofern erwünscht, damit das Verfahrenssilan und andere Verfahrensgase in der Dampfphase gehalten werden und Sublimation verhindert wird, während sie mit dem reaktiven Behandlungsgas, z. B. Sauerstoff oder Luft, Wasserdampf, etc., vermischt werden, wie nachfolgend beschrieben wird. - Die Vormischkammer
60 , welche die Vormischzone46 enthält, wird von einem Vormischkammergehäuse62 eingeschlossen, muss jedoch keine längliche zylindrische Form aufweisen, wie in den1 –4 dargestellt. Die Verfahrensgase58 fließen in die Vormischkammer60 in der beispielhaften Vorrichtung10 quer zur Längsachse64 der Vormischkammer60 , andere Orientierungen würden jedoch auch funktionieren. Die Vormischkammer60 kann, muss jedoch nicht mit der Längsachse66 der Vorrichtung10 übereinstimmen. Das Verfahrensgas oder die -gase58 mischen sich mit dem reaktiven Behandlungsgas, welches, wie durch die Flusspfeile68 angegeben, von der Diffusionszone44 der Vormischkammer60 fließt. Wie oben angegeben, ist die Querschnittsfläche der Vormischzone46 der Vormischkammer60 größer als die Querschnittsfläche des Abgasrohrs30 , um ein kräftiges Mischen des Verfahrenssilans mit dem reaktiven Behandlungsgas in der Vormischzone46 zu unterstützen. - Wie auch oben erwähnt, ist die Diffusionszone
44 der Vormischkammer60 bereitgestellt, um zu ermöglich, dass das reaktive Behandlungsgas gleichmäßiger und gleichförmiger verteilt wird, bevor es in die Vormischzone46 eintritt. Zusätzlich sollte sie weit genug entfernt von oder unter der Eingangszone42 , d. h. der Einlassöffnung54 , angeordnet sein, um einen Fluss oder eine Diffusion der Verfahrensgase in die Diffusionszone44 zu vermeiden, wo die Verfahrensgase mit dem reaktiven Behandlungsgas reagieren könnten und die Düse76 oder die Diffusionsöffnungen80 in der Diffusionszone44 verstopfen. - Wie in den
2 und4 besonders deutlich dargestellt ist, ist eine Diffusorplatte70 (welche auch in den5 und6 dargestellt ist) schräg über der Vormischkammer60 zwischen der vorderen Endwand72 des Vormischkammergehäuses62 und des Verfahrensgaseinlasses54 angeordnet. Ein Einspritzrohr74 für reaktives Behandlungsgas endet in einer Düse76 , welche sich axial durch die Diffusorplatte70 erstreckt, um das reaktive Behandlungsgas in einen Raum zwischen der Diffusorplatte70 und der vorderen Endwand oder Deckel72 einzuspritzen bzw. einzuspeisen. Das reaktive Behandlungsgas wird dann durch die Endwand oder den Deckel72 gezwungen, sich um 180° zu drehen, wie durch die Flusspfeile78 in4 dargestellt, um durch die Öffnungen80 in der Diffusorplatte70 und in die Mischzone46 der Vormischkammer60 zu fließen, wie durch die Flusspfeile68 in4 dargestellt. - Die zwischen der Einlassdüse
76 des reaktiven Behandlungsgases und der Verfahrensgaseinlassöffnung54 angeordnete Diffusorplatte70 reduziert die potenziale Diffusion des Verfahrensgases in der Diffusionszone44 oder der Nähe der Einlassdüse76 des reaktiven Gases, wo die Reaktion des Verfahrensgases mit dem reaktiven Behandlungsgas feste Nebenprodukte bilden könnte und die Einlassdüse des reaktiven Behandlungsgases verstopfen könnte. Die Diffusorplatte70 kann auch feste Nebenprodukte aus der Reaktion des Verfahrensgases mit dem reaktiven Behandlungsgas in der Vormischzone46 und der primären Containmentzone78 fangen und halten, die durch Schwerkraft aus der Vormischzone46 und der primären Containmentzone48 zu der Diffusionszone44 einfangen, wo sich diese Festkörper sonst anhäufen könnten und die Einlassdüse46 verstopfen. - Natürlich können eine Vielzahl anderer Diffusionsimplementationen verwendet werden, um die Diffusion des reaktiven Behandlungsgases gleichmäßig über den Querschnitt der Vormischkammer
60 zu erzielen, wie eine Vielzahl von Düsen (nicht dargestellt), ein Gewebe, Sieb oder perforierte Diffusorplatte (nicht dargestellt), welche Fachleute auf dem Gebiet entwerfen könnten, sobald sie die Prinzipien und den Zweck der Diffusorzone44 verstanden haben. Des Weiteren muss die Diffusorplatte70 nicht flach sein. Zum Beispiel kann eine konische Diffusorplatte70 (nicht dargestellt) bewirken, dass feste Teilchen aus Siliciumdioxid oder anderen Reaktionsnebenprodukten aus der Vormischzone44 oder aus der primären Containmentzone48 auf die konische Platte70 fallen, um zu dem Umfang zu rollen oder zu gleiten, oder weg von der Einlassdüse76 oder zu dem Mittelpunkt oberhalb der Einlassdüse76 , abhängig davon, wie die konische Diffusorplatte70 angeordnet ist. Es ist vorteilhaft, das reaktive Behandlungsgas in der Vormischzone46 gleichmäßig über die Querschnittsfläche der Vormischkammer60 zu diffundieren, um ein gründliches Mischen mit dem Verfahrensgas in der Vormischzone46 zu erzielen, wodurch die Wahrscheinlichkeit von Gasmolekülzusammenstößen gesteigert wird, was zu einer Effizienz der chemischen Reaktionen in der primären Containmentzone48 führt. - Obwohl die Querschnittsfläche der Vormischzone
46 größer als die des Rohres30 und des Einlasses54 ist, ist sie noch klein genug und das Volumen der Vormischzone46 ist klein genug, dass sich das kombinierte und gemischte Silanverfahrensgas und das reaktive Behandlungsgas schnell aus der Vormischzone46 in die Vormischkammer60 zu der primären Containmentkammer48 bewegen, wie durch die Flusspfeile82 angegeben, um eine Reaktion zwischen dem Silanverfahrensgas und dem reaktiven Behandlungsgas in der Vormischkammer60 zu minimieren. Aufgrund des relativ großen geraden Flussweges gibt es vernachlässigbare Turbulenzen in der Vormischzone46 , so dass die Bildung von Nebenprodukten aus der Reaktion des Verfahrensgases und des reaktiven Behandlungsgases minimal ist, wodurch jede Tendenz minimiert wird, die Verfahrensgaseinlassöffnung54 zu verstopfen und so die Lebensdauer zwischen den geplanten Wartungsintervallen zu verlängern. Das Ziel der Vorrichtung10 ist, dass eine vernachlässigbare Reaktion des Silanverfahrensgases mit dem reaktiven Behandlungsgas in der Diffusionszone44 auftritt, um ein Mischen des Silanverfahrensgases und des reaktiven Behandlungsgases in der Vormischzone46 mit so wenig Reaktion wie möglich zu erzielen, und soviel Reaktion wie möglich in der größeren primären Containmentkammer48 , wo sich das resultierende feste Reaktionsnebenprodukt (z. B. SiO2, wenn Silan mit Sauerstoff als dem reaktiven Behandlungsgas reagiert wird) absetzen kann und eingefangen wird. Natürlich kann das Ziel nicht zu 100% erzielbar sein, aber die Vorrichtung10 kann sich dem Ziel annähern. - Anders als herkömmliche trockene Wäscher, bei welchen Silan mit Sauerstoff vermischt und entzündet wird, um das Silan zu verbrennen, ist die Konzentration des Silans und des reaktiven Behandlungsgases (z. B. Sauerstoff) in der Vormischkammer
60 und in der primären Containmentkammer48 in der Vorrichtung10 niedrig genug, dass die Mischung nicht in der Mischzone46 oder der primären Containmentkammer48 verbrennt. Dieses Prinzip funktioniert bei dieser Anmeldung, da die Verfahrensgase, einschließlich der oben genannten, extrem reaktiv sind. Daher kann die Vorrichtung10 betrieben werden, um das Silan und das reaktive Behandlungsgas (z. B. Sauerstoff) bei Raumtemperatur zu reagieren, ohne die Notwendigkeit einer elektronischen Steuerung zum Entzünden oder einer Steuerung der Verbrennung oder einer Verbrennung des Silans, wie häufig in herkömmlichen trockenen Wäschern notwendig ist. - Wenn das gemischte Silanverfahrensgas und das reaktive Behandlungsgas in die größere primäre Containmentkammer
48 fließen, wie durch die Flusspfeile82 angegeben, verringert sich die Fließgeschwindigkeit aufgrund des größeren Volumens, und die fortgesetzte Reaktion des Verfahrenssilans und die Verfestigung eines beträchtlichen Anteils des Nebenprodukts treten in der primären Containmentkammer48 auf. Das resultierende feste Produkt84 der Reaktion (z. B. SiO2) lagert sich an dem Boden der primären Containmentkammer48 ab, welcher in der beispielhaften Umsetzung, die in4 dargestellt ist, durch die Endwand86 des zylindrischen Gehäuses88 gebildet wird, die die primäre Containmentkammer48 einschließt. Das große Volumen der primären Containmentkammer48 ist bereitgestellt, um einen Raum bereitzustellen, um beträchtliche Mengen des festen Nebenprodukts zwischen den geplanten Wartungszyklen anzusammeln und einen primären Einsatz90 , welcher ausreichend groß ist, aufzunehmen, um die hier diskutierten Funktionen und Kapazitäten bereitzustellen. Wie oben auch erwähnt, fällt, wenn die Containmentvorrichtung10 für reaktive Chemikalien so betrieben wird, dass ihre Längsachse vertikal angeordnet ist, ein kleiner Teil der festen Nebenprodukte aus der Reaktion in der primären Containmentkammer48 durch Schwerkraft durch die Vormischzone48 , die Diffusorplatte70 verhindert jedoch, dass diese Nebenprodukte die Einlassdüse76 des reaktiven Behandlungsgases verstopfen. - Der Rest der Gasmischung, welcher nicht unmittelbar beim Eintritt in die primäre Containmentkammer
48 reagiert, fließt weiter durch die primäre Containmentkammer48 zu dem primären Einsatz90 . Der primäre Einsatz90 ist in der primären Containmentkammer48 zwischen der Mischkammer60 und dem Auslass30 angeordnet, so dass das Gesamte des gemischten Gases durch diesen primären Einsatz fließen muss, wie durch die Flusspfeile92 ,94 ,96 in der4 dargestellt. Der primäre Einsatz90 umfasst Material oder Komponenten, welche die Reaktionseffizienz maximieren, indem eine Turbulenz in dem Gasfluss92 ,94 ,96 erzeugt wird, ohne selbst signifikantes Volumen zu besitzen, so dass es die Leitfähigkeit des Gasflusses durch die Vorrichtung10 nicht hemmt, d. h. den Gasfluss nicht ausreichend hemmt, um zu verhindern, dass die Vakuumpumpe26 (1 ) einen gewünschten Druck in der primären Reaktionskammer12 (1 ) erzielt oder beibehält. Zusätzlich verlangsamt die große Oberfläche des primären Einsatzes90 die Gasflussgeschwindigkeit und erhöht die Verweildauer der Gasmoleküle in der primären Containmentkammer48 , was nicht nur die chemische Reaktion wirksam steigert, sondern auch mehr Zeit bereitstellt, dass die chemischen Reaktionen in der primären Containmentkammer48 auftreten können. - In der beispielhaften Umsetzung, welche in den
2 und4 dargestellt ist, umfasst der primäre Einsatz90 rostfreien Stahl, gequetschtes Drahtgewebe, andere Materialien und Strukturen können jedoch auch verwendet werden, um die gewünschte Funktion zu erzielen. Indem die Reaktion des Silanverfahrensgases mit dem reaktiven Behandlungsgas in dem primären Einsatz90 gesteigert oder erzwungen wird, wird das Silan in der Vorrichtung10 verbraucht, statt an unerwünschteren Orten, wie in einem Wäschereinlass (nicht dargestellt) oder in einem Eingang zu einem Hausabgassystem (nicht dargestellt). Während die gasförmige Mischung durch den primären Einsatz90 geleitet wird, reagieren das Verfahrenssilan und das reaktive Behandlungsgas in der Mischung chemisch miteinander, um ein festes Produkt der Reaktion zu erzeugen. Wenn z. B. Silan (SiH4) mit Sauerstoff (O2) in dem reaktiven Behandlungsgas reagiert, ist das resultierende Produkt festes Siliciumdioxid gemäß der Reaktionsgleichung:xSiH4 + yO2 → zSiO2 (1) - Das feste Produkt (z. B. SiO2) der Reaktion in der primären Containmentkammer
48 ist in der primären Containmentkammer48 eine sehr feine teilchenförmige Materie oder Pulver, zum größten Teil werden die feinen Teilchen- oder Pulvernebenprodukte in dem Material oder der Struktur (z. B. Gewebe) des primären Einsatzes90 gehalten, wo es sich ansammelt und irgendwann den primären Einsatz90 verstopft, wie diagrammartig durch die Ansammlung98 ,99 in4 dargestellt. Da das Siliciumnebenprodukt jedoch so fein ist, kann ein Teil dessen weiter nach unten befördert werden, wo es ein sekundärer Einsatz122 einfangen und halten kann. Daher steigert der sekundären Einsatz122 die gesamte Effizienz der Vorrichtung10 nicht nur indem die weitere Reaktion des bisher nicht reagierten Verfahrensgases gesteigert wird, wie unten erläutert, sondern auch indem er teilchenförmiges oder pulverförmiges Nebenprodukt, welches aus dem primären Einsatz90 kommt oder durch diesen austritt, einfängt und hält. Natürlich können andere Reaktionsnebenprodukte aus anderen Materialien kondensieren oder sich in einer sehr dichten Ansammlung der Oberflächen des Gewebes oder anderer Medien des Elementes125 des primären Einsatzes90 bilden. - Aufgrund der natürlichen Gasflussmuster neigen die festen Ansammlungen
98 ,99 dazu, zunächst auf die vorderen (stromaufwärts gelegenen) Bereichen des primären Einsatzes90 aufzutreten, wo die gasförmige Mischung der Reaktanten zuerst auf den primären Einsatz90 treffen. Da diese Bereiche des primären Einsatzes90 mehr und mehr durch die festen Ansammlungen98 ,99 verstopft werden, verschiebt sich der Fluss der gasförmigen Mischung stufenweise zu den weniger verstopften Bereichen des Einsatzes90 weiter stromabwärts. Schließlich wird die feste Ansammlung ausreichend viel des primären Einsatzes90 verstopfen, so dass der Gasfluss materiell gehemmt wird, d. h. ausreichend, dass die Vakuumpumpe26 (1 ) einen gewünschten Druck in der primären Reaktionskammer12 nicht mehr beibehalten kann (1 ), oder wird eine nicht akzeptierbare, d. h. unwirtschaftlich lange Dauer benötigen, um die primäre Reaktionskammer12 auf einen gewünschten Druck abzupumpen. Daher wird der primäre Einsatz90 in der beispielhaften Vorrichtung10 einfach entfernt und durch einen neuen oder gereinigten Einsatz90 ersetzt, wie nachfolgend in größerem Detail erläutert. - Um mehr Kapazität zur Anhäufung fester Ansammlungen in dem primären Einsatz
90 bereitzustellen, ist der primäre Einsatz90 in einer kegelförmigen bzw. zulaufenden Anordnung strukturiert und erstreckt sich von einem kleineren Radius an dem vorderen (stromaufwärts angeordneten) Bereich100 zu einem größeren Radius an dem hinteren (stromabwärts gelegenen) Bereich104 . Durch diese kegelförmige Anordnung verstopf oder hemmt eine größere feste Ansammlung98 an dem vorderen Bereich100 nicht den Fluss der gasförmigen Mischung zwischen der Ansammlung98 und der Gehäuseseitenwand88 zu den weiter hinter angeordneten (stromabwärts angeordneten) Bereichen, bevor die hinteren Bereiche des primären Einsatzgewebes90 eine Gelegenheit haben, festes Material anzusammeln und sich im Wesentlichen anzufüllen. Idealerweise wäre und könnte der Kegel konisch sein, für eine maximale Verwendung des zur Verfügung stehenden Volumens zur Anhäufung. Der Kegel bzw. die Verjüngung kann jedoch ausreichend durch eine gestufte Einsatzstruktur bereitgestellt werden, wie durch den gestuften primären Einsatz90 dargestellt, welcher in den2 und4 gezeigt ist, welcher etwas einfacher und wirtschaftlicher in der Herstellung als eine konische Anordnung herzustellen ist. In der gestuften primären Einsatzanordnung90 , welcher in den2 und4 dargestellt ist, umfasst der primäre Einsatz90 eine zylindrische hintere Stufe oder Basisstufe104 , angeordnet auf einem Flansch106 , welcher auf einer Kante108 des Gehäuses88 befestigt ist, und durch die hintere Endplatte110 in der Position gehalten wird. Eine mittlere zylindrische Stufe102 erstreckt sich axial nach vorn von der hinteren Stufe oder Basisstufe104 und eine vordere zylindrische Stufe100 erstreckt sich axial von der mittleren Stufe102 nach vorn. Jede nachfolgende Stufe von der Basisstufe104 zu der mittleren Stufe102 und der vorderen Stufe100 weist einen kleineren Durchmesser als die vorangehende Stufe auf, um die Kegelform des Einsatzes bereitzustellen, welche mehr Raum zwischen der vorderen Stufe100 und der Gehäuseseitenwand88 als die mittlere Stufe102 und die Seitenwand88 bereitstellt, welche wiederum mehr Raum zwischen der mittleren Stufe102 und der Seitenwand88 als zwischen der Basisstufe104 und der Seitenwand88 zur Verfügung stellt. Eine Einsatzendkappe bzw. -abschlussstück112 verschließt das axial vordere (stromaufwärts gelegene) Ende der vorderen Stufe100 , so dass die gasförmige Mischung aus Silan und reaktivem Behandlungsgas durch eine oder mehrere der Stufen100 ,102 ,104 fließen muss, um den Auslass34 zu erreichen. Während der primäre Einsatz90 , welcher in den2 und4 dargestellt ist, drei zylindrische Stufen100 ,102 ,104 aufweist, kann jede Anzahl von Stufen verwendet werden, und die Stufen können jede Form aufweisen, nicht nur zylindrisch. Des Weiteren kann, wie oben erwähnt, der primäre Einsatz90 konisch sein, oder kann wie eine Pyramide geformt sein, oder jede andere kegelförmige Anordnung aufweisen. - Obwohl der primäre Einsatz
90 auf eine Vielzahl von Arten strukturiert sein kann, z. B. weist die Umsetzung des primären Einsatzes90 , welche in4 dargestellt ist, aus Gewebe140 ,142 ,144 hergestellte Stufen auf, gebildet um einen perforierten Metallblechzylinder101 ,103 ,105 herum. Die Metallblechzylinder101 ,103 ,105 stützen und halten die zylindrische Anordnung der jeweiligen Gewebestufen100 ,102 ,104 und die Löcher114 ,116 ,118 , welche durch die Metallblechzylinder101 ,103 ,105 perforiert sind, ermöglichen, dass das Gas durch die Zylinder101 ,103 ,104 fließt. - Wie oben erwähnt, kann, wenn der primäre Einsatz
90 mit Feststoffen verstopft wird, der primäre Einsatz90 zur Beseitigung oder Reinigung entfernt werden und kann durch einen neuen oder sauberen primären Einsatz90 ersetzt werden. Um den primären Einsatz90 zu entfernen, kann die hintere Endplatte110 des Vorrichtungsgehäuses40 entfernt werden, wodurch der Flansch106 freigegeben wird und so ermöglicht, dass der primäre Einsatz90 aus der primären Containmentkammer48 gezogen werden kann. Die Endplatte110 kann an dem Gehäuse88 auf jede geeignete Weise, die Fachleuten auf dem Gebiet bekannt ist, z. B. mit Klemmen104 befestigt werden, wie in2 dargestellt. - Obwohl
80 bis 90% oder mehr des Silans in der gasförmigen Mischung reagiert und aus dem Gasfluss in der primären Containmentkammer48 durch Reaktionen vor und in dem primären Einsatz90 , wie oben beschrieben, entfernt werden kann, bleiben ungefähr 10 bis 20%, möglicherweise weniger, des Verfahrenssilans in dem Gasfluss92 ,94 ,96 , welcher aus dem primären Einsatz90 austritt. Daher wird ein sekundärer Einsatz122 in einer sekundären Containmentzone50 im Inneren des primären Einsatzes90 zwischen dem primären Einsatz90 und dem Auslass34 angeordnet, um eine weitere Turbulenz in dem Gasfluss124 zu erzeugen, um eine weitere Reaktion zum Verbrauchen des übrigen Silans in dem Gasfluss zu induzieren. Der sekundäre Einsatz122 kann jede Struktur oder Element125 umfassen, welche(s) ausreichend Turbulenz und Verweildauer für den Gasfluss erzeugt, um das übrig bleibende Verfahrenssilan mit dem reaktiven Behandlungsgas zu reagieren, jedoch die Gasflussleitfähigkeit nicht ausreichend behindert, um das Pumpen zu behindern oder das Beibehalten des benötigten Vakuums in der Verfahrensreaktionskammer12 (1 ). Zum Beispiel kann das Element125 ähnlich wie der primäre Einsatz90 ausgebildet sein, welcher in diesem Beispiel ein längliches zylindrisches Gewebe126 ist, das um einen perforierten Metallblechzylinder128 gewickelt und von diesem getragen wird. Das Gewebe126 und der perforierte Zylinder128 , bei welchem es sich um ein perforiertes Metallblech, Sieb oder anderes Material handeln kann, werden an der hinteren Endplatte110 mit einem länglichen Stab130 und einer vorderen Endplatte132 befestigt. Die vordere Endplatte132 verschließt auch das vordere Ende des zylindrischen Gewebes126 und des Zylinders128 , so dass der Gasfluss124 durch das Gewebe126 fließen muss. Das Gewebe126 in dem sekundären Einsatz122 kann zur Reinigung oder zum Ersetzen entfernt werden, indem die hintere Endplatte110 von dem Gehäuse88 entfernt wird und die Nut134 von dem Stab130 freigelegt wird. Die zylindrischen Gewebestrukturen des primären Einsatzes90 und des sekundären Einsatzes122 kann dem Gewebemedium oder jedem anderen Medium desUS-Patentes 6,197,119 ähnlich sein, welches hier durch Bezugnahme aufgenommen wird. - Nachdem das übrige Verfahrenssilan in dem Gasfluss reagiert hat und aus dem Gasfluss wie oben beschrieben entfernt wurde, werden die übrigbleibenden inerten oder anderen gasförmigen Nebenprodukte in dem Fluss zu der Ausgangszone
52 geführt, wo der Auslass34 mit dem stromabwärts gelegenen Abgasrohr16 verbunden sein kann (1 ). Eine oder mehrere Reinigungs- bzw. Auslassöffnungen136 ,138 (3 ) können in der Gehäuseseitenwand88 der primären Containmentzone bereitgestellt sein, um feste Produkte der Reaktion in der primären Containmentzone48 zu entfernen. Zum Beispiel kann ein Vakuumschlauch durch jede der Reinigungs- bzw. Auslassöffnungen136 ,138 eingeführt werden, um die Feststoffe84 auf dem Boden der primären Containmentzone48 herauszusaugen (4 ) oder um einige der Feststoffe herauszusaugen, welche in dem Gewebe des primären Einsatzes90 enthalten sind. Solch ein zwischenzeitliches Reinigen kann die Dauer verlängern, die die Vorrichtung10 im Betrieb bleiben kann, bevor sie aus dem Betrieb genommen werden und geöffnet werden muss, um den primären Einsatz90 und möglicherweise den sekundären Einsatz122 , wie oben beschrieben zu entfernen und zu ersetzten oder zu reinigen. - Eine weitere beispielhafte Ausführungsform
150 des Containmentsystems für reaktive Chemikalien ist in den7 –10 dargestellt. Die Strukturen und Funktionen der Eingangszone42 , der Diffusionszone44 und der Mischzone46 dieser beispielhaften Ausführungsform150 sind die gleichen, die oben für die Ausführungsform 10 beschrieben wurden, einschließlich der Diffusionsplatte70 . Der Rest der Struktur ist längs in einer etwas ausgedehnteren Anordnung verteilt. Die Mischzone46 reicht von dem Durchmesser des Gehäuses62 der Mischkammer60 bis zu dem Gehäuse152 mit größerem Durchmesser, welche die primäre Containmentzone48 mit einem ausgestellten Verformungsbereich154 einschließt. Wenn sich das Verfahrenssilan56 und das reaktive Behandlungsgas68 (siehe10 ) in der ausgestellten Mischzone46 vermischen, wie durch die Flusspfeile156 dargestellt, verringert sich die Flussgeschwindigkeit, um Turbulenzen zu vermeiden und minimiert die Reaktion in der Mischzone46 . - In der primären Containmentzone
48 trifft der Fluss auf und verläuft quer zu einem primären Einsatz160 , welches Turbulenz erzeugt, um die freie Weglänge zwischen dem Silan und den reaktiven Behandlungsgasmolekülen zu verringern und dehnt die Verweildauer des Gasflusses aus, um die Reaktion zu induzieren, wie oben in Bezug auf den primären Einsatz90 der Vorrichtung10 der ersten Ausführungsform erläutert. Der beispielhafte primäre Einsatz160 , welcher im größeren Detail in den11 und12 dargestellt ist, umfasst eine Reihe perforierter Platten161 ,162 ,163 , welche in einer voneinander beabstandeten Beziehung zueinander auf einem Längsstab164 befestigt sind. Der Stab164 erstreckt sich längs von einer Nabe (hub)165 an den Schnittpunkt einiger Speichen166 , welche sich radial nach innen von einem Befestigungsring168 zu der Nabe165 erstrecken. Der primäre Einsatz160 ist in der primären Containmentzone48 befestigt, z. B. indem der Befestigungsring168 zwischen dem Flansch170 des Gehäuses152 und dem Flansch172 des ausgestellten Bereichs154 angeordnet ist. Bei dieser beispielhaften Befestigung sind diese Flansche170 ,172 mit Klemmen174 eingeklemmt, wie in den7 und10 dargestellt. - Der Fluss der gasförmigen Mischung nacheinander durch die perforierten Platten
161 ,162 ,163 erzeugt Turbulenz und ein gründliches Mischen um die Reaktion des Verfahrenssilans mit dem reaktiven Behandlungsgas zu steigern, um das Verfahrenssilan aufzubrauchen und ein festes Reaktionsprodukt zu erzeugen, wodurch das reagierte Verfahrenssilan wirksam aus dem Gasfluss entfernt wird. Das feste Reaktionsprodukt fällt auf den Boden der primären Containmentkammer48 , wie bei180 dargestellt. Ein oder mehrere optionale Reinigungs- bzw. Ausgangsöffnungen182 können in dem Gehäuse152 bereitgestellt sein, wie in den8 und9 dargestellt, für ein zwischenzeitliches Reinigen, z. B. indem ein Vakuumschlauch (nicht dargestellt) durch die Öffnungen182 eingeführt wird, um festes Granulat oder Pulver180 aus der primären Containmentkammer48 zu saugen. - Wie am Besten in den
11 und12 gezeigt, können die perforierten Platten161 ,162 ,163 unterschiedlich große Löcher aufweisen, z. B. größere Löcher176 in der vorderen (stromaufwärts gelegenen) Platte161 , mittelgroße Löcher177 in der mittleren Platte162 , die kleiner sind als die Löcher176 , und kleinere Löcher178 in der hinteren (stromabwärts gelegenen) Platte163 , welche kleiner sind als die Löcher177 in der mittleren Platte, dies ist jedoch unbedingt notwendig. Die größeren Löcher in der vorderen Platte161 nehmen mehr feste Ansammlungen in der vorderen Platte160 auf, bevor die Ansammlung den Fluss hemmt, während die kleineren Löcher in den nachfolgenden stromabwärts gelegenen Platten162 ,163 mehr Turbulenz erzeugen und engere unmittelbare freie Weglänge zwischen den Molekülen, um weitere Reaktionen zu induzieren, während das Verfahrenssilan und das reaktive Behandlungsgas mehr verarmen. Natürlich können auch mehr oder weniger perforierte Platten verwendet werden. - Stromabwärts des primären Einsatzes
160 verbindet ein Verformungsbereich184 mit sich verringerndem Durchmesser das Gehäuse152 der primären Containmentkammer48 mit dem Gehäuse186 mit kleinerem Durchmesser, welches die sekundäre Containmentkammer50 einschließt. Ein sekundärer Einsatz190 , umfassend ein Element191 zur Erzeugung einer Turbulenz und ausreichend Verweildauer für den Gasfluss, um das restliche Verfahrenssilan zu reagieren, ist in der sekundären Containmentkammer50 angeordnet. Ein beispielhaftes Element191 kann ein Gewebezylinder192 umfassen, welcher im Wesentlichen dem sekundären Einsatz der ersten Ausführungsform 10 der Vorrichtung, wie oben beschrieben, entsprechen kann, jedoch nicht muss. Das Gas fließt aus der primären Containmentkammer48 durch den Verformungsbereich184 , wie durch die Pfeile194 angedeutet, zu der sekundären Containmentkammer50 , wo es durch den Gewebezylinder192 des sekundären Einsatzes190 fließt, wie durch die Flusspfeile196 angegeben. Die Turbulenz und die verringerte freie Weglänge zwischen den Silanmolekülen und den reaktiven Behandlungsgasmolekülen in dem Fluss196 induziert die Reaktion des übrigbleibenden Silans in dem Fluss. Daher weist das Gas, welches aus dem Auslass198 in der Austrittszone52 herausfließt, wie durch Pfeil199 angegeben, im Wesentlichen kein Verfahrenssilan auf. - Während die beispielhafte Containmentvorrichtung
10 für reaktive Chemikalien, welche oben beschrieben wurde, im Betrieb mit der vertikal orientierten Längsachse66 erläutert und beschrieben wurde, und die beispielhafte Containmentvorrichtung150 für reaktive Chemikalien mit der horizontal orientierten Längsachse158 erläutert und beschrieben wurde, kann jede dieser Vorrichtungen entweder vertikal oder horizontal oder in jedem Winkel zwischen vertikal und horizontal betrieben werden. In der Praxis kann die bestimmte verwendete Orientierung ausgewählt werden, um den zur Verfügung stehenden Raum in der Nähe der primären Abscheidungskammer12 (1 ) in einer bestimmten Installation oder Situation anzupassen. - Wie oben erläutert, erzeugen die beispielhaften primären Einsätze
90 ,160 der Containmentvorrichtungen10 ,150 für reaktive Chemikalien Turbulenzen und dehnen die Verweildauer der Verfahrensgas- und reaktiven Behandlungsgasmischungen in der primären Containmentkammer48 aus, um die Reaktion des Verfahrensgases mit dem reaktiven Behandlungsgas in der primären Containmentkammer48 zu steigern oder zu erzwingen und um soviel wie möglich des festen Reaktionsnebenprodukts in der primären Containmentkammer48 zu halten. Der stufenförmige primäre Gewebeeinsatz90 und der primäre Einsatz160 mit perforierter Platte, welche oben beschrieben sind, sind nicht die einzigen Strukturen oder Anordnungen, die diese Funktionen bereitstellen können. Verschiedene zusätzliche beispielhafte primäre Einsatzstrukturen und Anordnungen sind in den14 –23 dargestellt. - Der beispielhafte primäre Einsatz
200 in den14 und15 , welcher für den beispielhaften primären Einsatz90 in der Containmentvorrichtung150 für reaktive Chemikalien substituiert werden kann, umfasst eine kegelförmige bzw. zulaufende Abfolge perforierter konischer Platten202 ,204 ,206 , welche längs in voneinander beabstandeter Beziehung zueinander entlang des Stabes164 befestigt sind, welcher sich längs von der Nabe165 des Befestigungsrings168 und den Speichen166 erstreckt. Der Ring168 ist in der Vorrichtung150 befestigt, wie oben beschrieben. - Jede nachfolgende nächste konische Platte
204 ,206 weist einen Bodenrand bzw. eine Außenzone205 ,207 mit größerem Durchmesser auf, als die jeweiligen Bodenränder203 ,205 der vorangehenden konischen Platten202 ,204 . Diese Anordnung maximiert die Kapazität des Containments, insbesondere wenn dieser in einer vertikalen Orientierung betrieben wird, wie in den14 und15 dargestellt. Feste Ansammlungen neigen dazu, sich dort anfänglich anzuhäufen, wo der Gasfluss zunächst die konischen Platten berührt, z. B. an den unteren Bereichen der ersten konischen Platte202 , wie diagrammartig durch die Ansammlung208 dargestellt, und anschließend auf dem Bodenbereich der zweiten konischen Platte204 , wie diagrammartig durch die Ansammlung209 dargestellt. Wenn das Reaktionsnebenprodukt feine teilchenförmige Materie oder Pulver umfasst, wie das oben beschriebene Siliziumdioxid, kann die Ansammlung208 auf der konischen Platte202 und die Ansammlung209 auf der konischen Platte204 teilchenförmige Materie oder Pulver umfassen, die durch Schwerkraft aus den Reaktionen, die in oder neben den konischen Platten204 ,206 unmittelbar oberhalb der jeweiligen Platte202 ,204 auftreten, fallen. Während sich die Ansammlung208 ,209 auf den unteren Bereichen der konischen Platten202 ,204 anhäuft, lenkt sich der Gasfluss natürlich um solche Ansammlungen208 ,209 herum, wie durch die Flusspfeile in15 dargestellt, sowohl nach innen zu den Naben der konischen Platten202 ,204 und nach außen um den Umfang der konischen Platten202 ,204 herum. Da der Gasfluss um die Außenkanten oder Peripherien der ersten und mittleren konischen Platten202 ,204 fließen kann, und die Ansammlung der teilchenförmigen Materie oder des Pulvers208 ,209 auf diesen konischen Platten202 ,204 den Gasfluss nicht blockiert und so erfordert kein verfrühtes Reinigen oder Wartung, bevor die volle Kapazität des Sicherheitsbehälters der primären Containmentkammer48 (10 ) erreicht wird. Der Durchmesser des unteren Randes207 der rückwärtigen konischen Platte206 ist groß genug, um dem Inneren des Gehäuses152 der Containmentkammer (10 ) zu genügen, so dass das ganze übrigbleibende Gas durch und nicht um die rückwärtige konische Platte206 herum fließt, und anschließend zu der sekundären Containmentkammer50 (10 ). - Natürlich können mehr oder weniger als die drei konischen Platten
202 ,204 ,206 , welche in den14 und15 dargestellt sind, vorhanden sein. Des Weiteren können einige oder alle der konischen Platten den gleichen Durchmesser aufweisen, anstelle der unterschiedlichen Durchmesser, die das kegelförmige Profil der Anordnung des primären Einsatzes200 bereitstellen, welcher in den14 und15 dargestellt ist. In diesem Zusammenhang kann auch festgehalten werden, dass, während die perforierten Platten161 ,162 ,163 des primären Einsatzes90 , welcher in den10 –12 dargestellt ist, den gleichen Durchmesser aufweisen, wie mit aufeinanderfolgend größeren Durchmessern bereitgestellt werden können, ähnlich den konischen Platten202 ,204 ,206 in den14 und15 , um den primären Einsatz90 mit einem kegelförmigen Profil bereitzustellen und einige der gleichen Vorteile solcher kegelförmiger Profile bereitstellen, z. B. dass der Gasfluss um die Außenkanten oder den Umfang der ersten und zweiten perforierten Platte161 ,162 gestattet wird, um den Gasfluss und nachfolgend die Ansammlung auf den nachfolgenden perforierten Platten162 ,163 zu verteilen, ohne dass eine Ansammlung auf der ersten perforierten Platte161 ,162 den Gasfluss durch die primäre Containmentkammer12 vorzeitig blockiert. - Der beispielhafte primäre Einsatz
210 , welcher in den16 und17 dargestellt ist, umfasst drei perforierte zylindrische Siebe212 ,214 ,216 , welche konzentrisch auf dem Stab164 befestigt sind. Der Stab164 ist auf der Nabe165 des Rings168 und den Speichen166 befestigt und erstreckt sich längs von diesem, wie oben beschrieben, und der Ring168 ist an der Vorrichtung150 befestigt, wie auch oben beschrieben. - Die unteren oder führenden Enden der perforierten zylindrischen Siebe
212 ,214 ,216 sind durch vordere Endplatten213 ,215 ,217 verschlossen oder blockiert, so dass der Gasfluss um die Außenseite der äußeren zylindrischen Siebe212 und anschließend nachfolgend durch die Perforationen in den zylindrischen Sieben212 ,214 ,216 fließen muss, wie durch die Flusspfeile in17 dargestellt. Das obere oder hintere Ende aller perforierter zylindrischer Siebe212 ,214 , mit Ausnahme des innersten zylindrischen Siebs216 , sind durch eine hintere Endplatte218 verschlossen oder blockiert, so dass das Gas durch alle perforierten zylindrischen Siebe212 ,214 ,216 fließen muss, bevor es aus dem hinteren Ende212 des innersten perforierten zylindrischen Siebs216 austritt, wie durch die Flusspfeile in17 angegeben. Natürlich können auch mehr oder weniger als die drei perforierten zylindrischen Siebe212 ,214 ,216 , vorhanden sein. - Ein Vorteil des beispielhaften primären Einsatzes
210 mit perforierten zylindrischen Sieben ist, wenn er in einer vertikalen Orientierung verwendet wird, wie in den16 und17 dargestellt, dass die meisten der teilchenförmigen oder pulverförmigen Reaktionsnebenprodukte, z. B. das Siliziumdioxidreaktionsnebenprodukt, welches oben diskutiert wurde, durch Schwerkraft auf die vorderen Endplatten oder Bodenendplatten213 ,215 ,217 fallen, und dort gehalten werden, so dass sie nicht auf die Diffusionsplatte70 (Siehe10 ) fallen können, wo sie in die Einströmung und die Diffusion des Behandlungsreaktionsgases eingreifen können. Die obere oder hintere Endplatte218 kann entfernbar sein, um der Entfernung und Reinigung solcher teilchenförmiger oder pulverförmiger Nebenprodukte aus den perforierten zylindrischen Sieben während der geplanten Wartung Platz zu bieten. - Der beispielhafte primäre Einsatz
220 , welcher in den18 und19 dargestellt ist, umfasst ein Labyrinth zylindrischer Fässer bzw. Tonnen222 ,224 ,226 ,228 , welche konzentrisch eins in dem anderen auf dem Stab164 befestigt sind. Die vorderen oder unteren Enden232 ,236 des äußersten Fasses222 und des innersten mittleren Fasses226 werden durch vordere oder untere Endplatten242 ,246 verschlossen oder blockiert, wohingegen ihre hinteren oder oberen Enden252 ,256 offen bleiben. Die hinteren oder oberen Enden254 ,258 des äußersten mittleren Fasses224 und des innersten Fasses228 erstrecken sich nach hinten oder oben über eine Entfernung über das offene hintere oder obere Ende252 ,256 des äußeren Fasses222 und des innersten mittleren Fasses226 hinaus. Die vorderen oder unteren Enden232 ,236 des äußeren Fasses222 und des innersten mittleren Fasses226 erstrecken sich nach vorn oder nach unten über die offenen vorderen oder unteren Enden234 ,238 des mittleren Fasses224 und des innersten Fasses228 hinaus. Eine hintere oder obere Platte244 erstreckt sich über und verschließt das hintere oder obere Ende254 des äußersten mittleren Fasses224 bis zu dem hinteren oder oberen Ende258 des innersten Fasses228 . Eine Öffnung248 in dem mittleren Bereich der oberen Platte244 lässt das hintere oder obere Ende258 des innersten Fasses228 offen. Das Ergebnis dieser Struktur und dieser Anordnung ist ein Labyrinth konzentrischer, zylindrischer Flusswege in und zwischen den Fässern222 ,224 ,226 ,228 , durch welche das Gas, wie durch die Flusspfeile in19 angegeben, fließt, von der Vorderseite oder dem Boden des primären Einsatzes220 , um aus der hinteren oder oberen Öffnung248 auszutreten. - Das Labyrinth bewirkt Turbulenz in dem Gasfluss, insbesondere, wenn sich der Fluss die Richtung an der Oberseite
252 ,256 und der Unterseite234 ,238 der Fässer222 ,226 und224 ,228 ändert, wie durch die Flusspfeile in19 dargestellt, wodurch die Reaktion des Verfahrensgases und des reaktiven Behandlungsgases gesteigert wird. Wenn das Reaktionsnebenprodukt teilchenförmig oder Pulver ist, wie das Siliciumdioxidreaktionsnebenprodukt, welches oben diskutiert wurde, ist das meiste dieses reaktiven Nebenprodukts in den Fässern222 ,224 ,226 ,228 enthalten. Die obere Platte244 und die Fässer224 ,228 können von den anderen Fässern222 ,226 entfernt werden, um das teilchenförmige oder pulverförmige Nebenprodukt während der geplanten Wartung zu entfernen und zu reinigen. - Der beispielhafte alternative primäre Einsatz
260 , welcher in den20 und21 dargestellt ist, umfasst einen Wabenkern161 , welcher durch eine Vielzahl von Wabenelementen262 gebildet werden kann, die in einem Fass264 gestapelt sind. Das Fass264 ist auf einem Ring168 , welcher in der Containmentvorrichtung150 für reaktive Chemikalien befestigt ist, befestigt und erstreckt sich längs von diesem, wie oben beschrieben. Daher fließt das ganze Gas durch den Wabenkern261 , welcher den Gasfluss sehr gleichmäßig über die Querschnittsfläche des Wabenkerns261 verteilt und die Turbulenz erzeugt, die die Reaktion des Verfahrensgases und des reaktiven Behandlungsgases steigert oder erzwingt. Während es nicht notwendig ist, kann die Erzeugung und Steigerung der Turbulenz in dem Gasfluss noch mehr verbessert werden, indem die Wabenelemente262 in dem Stapel in solch einer Weise angeordnet werden, dass die Wabenzellen266 der benachbarten Wabenelemente versetzt zueinander angeordnet sind, wie in21 dargestellt. Die Wabenelemente262 können aus dem Fass264 entfernt werden und voneinander getrennt werden, um einzeln gereinigt zu werden, sofern erwünscht, oder sie können ersetzt werden. - Der beispielhafte alternative primäre Einsatz
270 , welcher in den22 und23 dargestellt ist, umfasst ein bürstenartiges Element272 , mit einer Vielzahl von Borsten274 , welche sich radial nach außen in allen Richtungen von dem Stab164 erstrecken. Der Stab164 ist an der Nabe165 befestigt, so dass das bürstenartige Element272 von dem Ring168 und den Speichen166 gestützt wird, wie in der oben beschriebenen beispielhaften Containmentvorrichtung150 für reaktive Chemikalien. Die Borsten274 verteilen den Gasfluss über den Querschnitt des bürstenartigen Elementes264 und erzeugen die Turbulenz in dem Gasfluss, um die Reaktion des Verfahrensgases mit dem reaktiven Behandlungsgas zu steigern, um das Verfahrensgas, wie oben erläutert, zu verbrauchen. Die Borsten274 können wenigstens etwas des Reaktionsnebenprodukts halten, und das bürstenartige Element272 kann entfernt werden, um ersetzt oder gereinigt zu werden. - Der beispielhafte alternative primäre Einsatz
280 , welcher in den24 und25 dargestellt ist, umfasst eine konisch aufgebaute kegelförmige Schlange bzw. Spule282 aus Kühlrohr284 , befestigt auf dem Stab164 der oben beschriebenen Befestigungsanordnung aus Ring168 , Speichen166 und Nabe165 . Diese kegelförmige bzw. zulaufende Kühlrohrschlange282 ist primär für Verfahrensgase geeignet, die einen kondensierbaren Bestandteil aufweisen, der durch Kondensation aus dem Gasfluss entfernt werden kann, oder kann verwendet werden, um die Gastemperatur zu erhöhen, um die Geschwindigkeit der chemischen Reaktion zu steigern, sofern erwünscht. Es kann entweder eine Kühlflüssigkeit oder eine heiße Flüssigkeit durch das Rohr284 fließen. Die kegelförmige Schlange282 kann allein verwendet werden, abhängig von der Eigenschaft des Verfahrensgases und der Flussparameter, ist jedoch besonders geeignet, wenn sie z. B. mit einer oder mehrerer der perforierten Platten (z. B. Platten162 ,163 ) des primären Einsatzes mit perforierter Platte kombiniert wird, wie z. B. in dem alternativen primären Einsatz290 in den26 und27 dargestellt, um Verfahrensgase zu behandeln, welche einen kondensierbaren Bestandteil umfassen, welcher sich beim Abkühlen durch die Schlange282 kondensiert, während gleichzeitig der andere reaktive Verfahrensgasbestandteil in stabile Nebenprodukte im Inneren der Vorrichtung150 umgewandelt wird. Zum Beispiel können Verfahrens- und Abgase aus einem PECVD-Nitridverfahren kondensierbares (NH4)2SiF6, wie auch unreagiertes Verfahrenssilan umfassen. Bei dieser Art der Anwendung ist es im Allgemeinen bevorzugt, die Kühlrohrschlange282 als eine erste Stufe anzuordnen, um die kondensierten Nebenprodukte zu entfernen. Ein Beispiel des Einsatzes der Kühlschlange282 auf diese Weise ist es, die erste perforierte Scheibe161 durch diese Kühlschlange282 zu ersetzen, wie in den26 und27 dargestellt. - Erneut Bezug nehmend im Wesentlichen auf die
24 und25 ist das Rohr284 zu einer kegelförmigen Schlange282 aufgespult und auf geformten oder eingekerbten Kanten287 einer oder mehrerer konzentrischen Platten286 angeordnet, die ausgebildet und angeordnet sind, so dass Spalten289 zwischen den benachbarten Schleifen des Rohrs284 in der Schlange282 vorhanden sind. Daher kann die Mischung aus Verfahrensgas und reaktivem Behandlungsgas durch die Spalten289 zwischen den benachbarten Schleifen des Rohrs284 fließen. Dieser Gasfluss durch die Spalten289 erzeugt Turbulenz, während das Gas auch erwärmt oder abgekühlt wird, um die Reaktion, Kondensation oder Dissoziation des Verfahrensgases zu steigern oder zu erzwingen. Während es nicht wesentlich ist, gibt es Vorteile in der Anordnung der Schleifen des Rohres284 in einem kegelförmigen Profil, wie der konischen Rohrschlange282 , welche in den24 und25 dargestellt ist, da die Ansammlung der Reaktionsnebenprodukte oder der Kondensation zunächst an dem Führungspunkt283 der konisch kegelförmigen Schlange282 auftreten. Wenn die Spalte in der Nähe des Punktes283 durch Ansammlung blockiert wird, verteilt sich der Gasfluss von selbst weiter nach außen zu den Bereichen der kegelförmigen Schlange282 mit breiterem Durchmesser. Die Außenkanten285 sind so ausgebildet, dass sie grob dem inneren Durchmesser des Gehäuses152 angepasst sind, so dass sie zur Zentrierung und Stützung der Schlange282 lateral in dem Gehäuse152 dienen. - Eine obere Halterung
288 , welche an dem distalen Ende des Stabes164 befestigt ist, kann bereitgestellt werden, um dazu beizutragen, dass die aufgespulten Schleifen des Rohres164 richtig in den Platten286 angeordnet bzw ineinander verschachtelt sind. Die Enden284' ,284'' der Rohre können sich entlang einer Speiche166 zu einem Ring168 erstrecken, wo sie sich durch das Gehäuse152 (10 ) zu einer Quelle der Kühl- oder Heizflüssigkeit erstrecken, welche nicht dargestellt ist, jedoch in den Fähigkeiten eines Fachmanns auf dem Gebiet liegt. - Wie oben erwähnt, verbindet der beispielhafte alternative primäre Einsatz
290 in den26 und27 die kegelförmige Schlange282 des alternativen primären Einsatzes280 der24 und25 mit einer oder mehreren der perforierten Platten, z. B. den Platten162 ,163 des beispielhaften alternativen primären Einsatzes160 in den10 –12 . Natürlich kann die Schlange282 mit den eine Turbulenz erzeugenden Oberflächenbestandteilen jeder der anderen primären Einsätze90 ,190 ,200 ,210 ,220 ,260 oder270 , welche oben beschrieben sind, kombiniert werden. Des Weiteren kann die kegelförmige Schlange282 in der entgegengesetzten Richtung zulaufend oder überhaupt nicht zulaufend sein, sofern für bestimmte Anordnungen erwünscht. Wenn die Schlange282 z. B. mit einer oder mehreren der perforierten konischen Platten202 ,204 ,206 des alternativen primären Einsatzes200 in den14 und15 kombiniert wird, kann es wünschenswert sein, den Kegel bzw. das Zulaufen der Schlange282 besser an das Zulaufen der perforierten konischen Platten anzupassen, um die Anordnung längs so kompakt wie möglich zu halten. - Wie oben erwähnt, kann das Element
125 des sekundären Einsatzes122 in der beispielhaften Containmentvorrichtung10 für reaktive Chemikalien und das Element191 des sekundären Einsatzes190 in der beispielhaften Containmentvorrichtung150 für Chemikalien ein Gewebematerial umfassen, welches in einer zylindrischen Form ausgebildet ist. Ein Beispiel solch eines Gewebes umfasst ein Maschengewebe193 , gebildet in einer zylindrischen Form. Ein Beispiel solch eines Gewebes umfassend ein gequetschtes Maschengewebe193 aufgerollt zu der zylindrischen Geweberolle190 ist in der28 dargestellt. Die Elemente125 ,191 können jedoch unterschiedliche Strukturen aufweisen, welche die Turbulenz, Oberflächen, Gasflussverteilung und Verweildauer bereitstellen, die notwendig sind, um das übrige Verfahrensgas zu reagieren. Zum Beispiel können die Elemente125 ,191 bereitgestellt werden durch, sind jedoch nicht dadurch begrenzt: (i) eine Vielzahl konzentrischer zylindrischer Siebe291 ,292 ,293 ,294 ,295 ,296 , wie in29 dargestellt; (ii) eine Vielzahl konzentrisch perforierter zylindrischer Folien301 ,302 ,303 ,304 , wie in30 dargestellt; (iii) ein perforiertes Folienblech306 geknickt in der Art eines Handfächers (Falten) und gehalten in einem Zylinder, wie in31 dargestellt; oder (iv) eine Vielzahl länglicher Folienblätter307 , angeordnet und gehalten in einer zylindrischen Form durch Drähte308 ,309 , wie in32 dargestellt. - Wie oben erwähnt kann die Diffusion des reaktiven Behandlungsgases in die Vormischkammer auf eine Vielzahl von Arten umgesetzt werden. Verschiedene beispielhafte alternative Diffusoranordnungen sind in den
33 –38 dargestellt, obwohl andere Alternativen, die nicht dargestellt sind, auch verwendet werden könnten. - Die alternative Diffusoranordnung
310 , welche in33 dargestellt ist, ist dem Diffusor in den2 ,4 und10 ähnlich, einschließlich der Ablenk- oder Diffusorplatte70 , angeordnet in der Vormischkammer60 zwischen einer Einlassdüse312 des reaktiven Behandlungsgases und der Verfahrensgaseinlassöffnung54 . Die Einlassdüse312 in der Diffusoranordnung310 in33 ist jedoch in die Diffusorzone44 durch die vordere Endwand72 des Gehäuses62 der Vormischkammer gerichtet, anstatt durch die Diffusorplatte70 , wie in der Anordnung der2 ,4 und10 gezeigt und beschrieben. Daher wird das reaktive Behandlungsgas durch die Einlassdüse310 in die Diffusionszone44 eingeführt, von wo es wie durch die Flusspfeile314 in33 angegeben, durch die Öffnungen80 und in die Vormischzone46 fließt, wie durch die Flusspfeile316 angegeben. Der Fluss316 des reaktiven Behandlungsgases beginnt sich mit der Einströmung58 des Verfahrensgases in der Vormischzone46 zu vermischen und bewegt sich schnell zu der primären Containmentzone48 (2 ,4 und10 ) wie oben erläutert. Während die Einlassdüse312 in dieser Diffusoranordnung310 in der33 etwas mehr für die Verstopfung durch feste Nebenprodukte anfällig ist, die durch die Öffnungen80 fallen, als die Einlassdüse76 in den2 ,4 und10 , machen sie andere Betrachtungen, z. B. Berücksichtigung der Installation und Raumbeschränkungen vorteilhaft. - In einer anderen alternativen Diffusoranordnung
320 , welche in34 dargestellt ist, sind die Diffusionszone44 und die Ablenk- oder Diffusorplatte70 konzentrisch um die Verfahrensgaseinlassöffnung54 und um das Abgasrohr30 angeordnet. Das reaktive Behandlungsgas wird durch eine Einlassdüse322 in die Diffusionszone44 eingespritzt bzw. eingespeist, welche von dem Gehäuse324 einer zylindrischen Diffusionskammer um das Abgasrohr30 eingeschlossen ist, wo es durch die Diffusionszone44 diffundiert und gleichmäßig aus den Öffnungen80 in der Diffusionsplatte70 austritt, wie durch die Diffusionsflusspfeile326 dargestellt. Der Fluss des Verfahrensgases58 in die Vormischkammer60 beginnt sich mit dem Fluss326 des reaktiven Behandlungsgases in der Vormischzone46 zu vermischen und bewegt sich schnell zu der primären Containmentzone48 (in34 nicht dargestellt), wie oben erläutert. Die enge Nähe der Diffusionszone44 zu der Einlasszone42 in dieser Diffusoranordnung320 , im Vergleich zu der Diffusoranordnung, welche in den2 ,4 ,10 und33 dargestellt sind und oben beschrieben ist, macht die Diffusorzone44 in dieser Anordnung320 etwas anfälliger für den Rückfluss des Verfahrensgases in die Diffusionszone und für das dortige Reagieren um festes Nebenprodukt in der Diffusionszone44 zu bilden, als andere Diffusoranordnungen. Sie weist jedoch den Vorteil eines Behälterraums327 in dem unteren Bereich der Vormischkammer60 auf, wo sich feste Nebenprodukte328 anhäufen können, ohne die Einlassdüse322 oder andere Funktionen zu behindern. Eine zu öffnende und schließende Reinigungs- bzw. Ausgangsöffnung329 kann verwendet werden, um die Anhäufung327 der festen Nebenprodukte zwischen der programmierten Wartungsdemontage der Containmentvorrichtungen10 ,150 für reaktive Chemikalien auszusaugen, und so die Zeiträume zwischen solchen programmierten Wartungsdemontagen zu verlängern. - Bei der alternativen Diffusoranordnung
330 , welche in35 dargestellt ist, ist die Diffusionszone44 diametral von der Verfahrensgaseinlassöffnung54 quer über der Vormischkammer60 angeordnet. Ein Gehäuse332 der zylindrischen Diffusionszone schließt die Diffusionszone44 mit einer Seitenplatte333 an einem Ende zu der Diffusorplatte70 , angeordnet zwischen der Seitenplatte333 und der Verfahrensgaseinlassöffnung54 , ein. Eine Einlassdüse334 für das reaktive Behandlungsgas ist angeordnet, um sich durch die Diffusorplatte70 in die Diffusionszone44 zu erstrecken. Das reaktive Behandlungsgas wird dann durch die Seitenplatte333 gezwungen seine Richtung umzukehren, wie durch die Flusspfeile335 angegeben, um durch die Öffnungen80 in der Diffusorplatte70 zu fließen und dann in die Vormischzone46 in der Vormischkammer60 , wie durch die Flusspfeile336 angegeben. In der Vormischzone beginnt sich der Verfahrensgasfluss58 mit dem reaktiven Behandlungsgasfluss336 zu vermischen und bewegt sich schnell in die primäre Containmentzone48 (2 ,4 und10 ). Ähnlich wie die oben beschriebene Anordnung320 weist diese Anordnung330 einen Behälterbereich337 zur Anhäufung des festen Nebenprodukts338 und eine Reinigungs- bzw. Ausgangsöffnung339 auf. - Die in
36 dargestellte alternative Diffusoranordnung330' ist der Diffusoranordnung330 in35 ähnlich, mit der Ausnahme, dass die Einlassdüse334' für das reaktive Behandlungsgas in die Diffusionszone44 durch die Seitenplatte333 eintritt, anstelle durch die Diffusorplatte70 . Ansonsten sind die Struktur und die Funktionen der Bestandteile der Diffusoranordnung330' in36 denen der Diffusoranordnung330 in35 sehr ähnlich. - Die in
37 dargestellte alternative Diffusoranordnung300 umfasst einen ringförmigen Diffusorkanal341 , welcher die Diffusionszone44 in der Vormischkammer60 zwischen der Endplatte72 und der Verfahrensgaseinlassöffnung54 umgibt. Eine Vielzahl von Diffusoröffnungen342 öffnet sich von dem Kanal341 in die Diffusionszone44 . Das reaktive Behandlungsgas wird durch eine Einlassdüse343 in den ringförmigen Diffusorkanal341 eingeblasen, von wo es durch die Öffnungen342 in die Diffusionszone44 diffundiert, wie durch die Flusspfeile344 in37 angegeben. Aus der Diffusionszone44 fließt der Behandlungsreaktivgasfluss344 weiter durch die Vormischkammer60 und beginnt sich mit dem Verfahrensgasfluss58 aus dem Verfahrensgaseinlass54 zu vermischen. Diese Diffusoranordnung340 weist die beiden folgenden Vorteile auf: (i) die Diffusionszone44 mit der Einlassdüse343 und dem Diffusorkanal341 sind voneinander getrennt stromaufwärts von dem Verfahrensgaseinlass54 angeordnet, um ein Rückströmen des Verfahrensgases in den Kanal341 zu vermeiden, wo sich das Reaktionsnebenprodukt anhäufen könnte und die Einlassdüse343 oder den Kanal341 selbst verstopfen könnte; und (ii) weist auch einen Behälterraum345 an dem Boden des Gehäuses62 der Vormischkammer auf, um festes Nebenprodukt346 aus den obigen Reaktionen einzufangen und anzuhäufen. Eine Reinigung- bzw. Ausgangsöffnung347 ist auch dargestellt, um das feste Nebenprodukt346 aus dem Behälterraum345 zu reinigen. - Die alternative Diffusoranordnung
350 , welche in38 dargestellt ist, ist in der Struktur der Diffusoranordnung in340 in38 ähnlich, mit der Ausnahme, dass der ringförmige Diffusorkanal351 und die Öffnungen352 oberhalb, d. h. stromabwärts von der Verfahrensgaseinlassöffnung54 angeordnet sind, um die Diffusionszone44 stromabwärts von der Verfahrensgaseinlassöffnung zu erzeugen. Daher fließt der Verfahrensgasfluss58 durch die Diffusionszone44 und beginnt sich mit dem reaktivem Behandlungsgasfluss354 zu vermischen, welcher aus den Diffusionsöffnungen352 in die Vormischzone46 fließt. Das reaktive Behandlungsgas wird aus der Einlassdüse353 in den kreisförmigen Kanal351 eingeblasen, von wo es durch die Öffnungen352 in die Vormischkammer60 diffundiert, um die Diffusionszone44 zu erzeugen. Da die Diffusionszone44 stromabwärts von der Einlasszone42 , welche durch den Verfahrensgaseinfluss54 erzeugt wird, angeordnet ist, beginnt das Vermischen des Verfahrensgases und des reaktiven Behandlungsgases in der Diffusionszone44 des reaktiven Behandlungsgases, so dass die Diffusionszone46 und die Vormischzone46 näher zueinander angeordnet sind und sich zu einem gewissen Maße decken, die Vormischzone erstreckt sich jedoch stromabwärts von der Diffusionszone44 zu der primären Containmentzone48 (in38 nicht dargestellt). Festes Nebenprodukt356 kann sich in dem Behälterraum355 an dem Boden des Gehäuses62 der Vormischkammer anhäufen, und kann durch die Reinigungs- bzw. Ausgangsöffnung357 gereinigt werden. - Die absoluten und relativen Größen der verschiedenen Bestandteile können variieren, abhängig von den Verfahrensgaseigenschaften, den Größenordnungen des Gasflusses, z. B. Masse je Zeiteinheit, zur Verfügung stehender Raum, Kosten oder Kapazität. Die Einlass- und Auslassöffnungen
54 ,34 ,198 sind im Allgemeinen so groß, dass sie einer bestimmten Abgasleitung30 einer bestimmten Verfahrensreaktionskammer12 entsprechen oder koordinieren. Das Volumen der primären Containmentkammer48 ist im Allgemeinen groß genug, um eine Kapazität aufzuweisen, die ausreichend Reaktionsnebenprodukte aufnehmen kann, um die gewünschten Programmwartungsintervalle des Verwenders zu erfüllen, sofern sie nicht durch den physikalischen Raum eingeschränkt ist, der in einer bestimmten Installation zur Verfügung steht oder durch die Kosten. Andere Bestandteile und Raumgrößen können an die Natur der Verfahrensgaszusammensetzung angepasst werden, und das physikalische Verhalten des Nebenprodukts, wie auch um die Mischeffizienz und die Reaktionseffizienz zu maximieren und um ausreichend Kapazität in der zweiten Containmentkammer50 bereitzustellen, um das ganze übrigbleibende Verfahrensgas zu reagieren, welches nicht in der primären Containmentkammer48 reagiert hat. - Unter Berücksichtigung des Vorangehenden stellen die folgenden Parameter für die Containmentsysteme für reaktive Chemikalien, welche oben beschrieben sind, eine gute Ausgewogenheit von Größe, Effizienz und programmierten Wartungszeiträumen für die oben beschriebenen Verfahrensgase dar. Die Gesamtlänge L in Längsrichtung liegt in dem Bereich von 12'' ≤ L ≤ 72'' (30 cm ≤ L ≤ 183 cm). Der Durchmesser D1 der Einlassöffnung
54 liegt in dem Bereich von 1'' ≤ D1 ≤ 6'' (2,5 cm ≤ D1 ≤ 15 cm). Der Durchmesser D2 der Diffusionszone44 in Bezug zu D1 liegt in dem Bereich von D1 ≤ D2 ≤ 6D1. Der Durchmesser D3 der Vormischzone46 in Bezug zu D1 liegt in dem Bereich von D1 ≤ D3 ≤ 6D1. Der Durchmesser D4 der primären Containmentkammer48 liegt in dem Bereich von 2D1 ≤ D4 ≤ 12D1. Der Durchmesser D5 der sekundären Containmentkammer50 in Bezug zu D1 liegt in dem Bereich von 2D1 ≤ D5 ≤ 6D1. Die Auslassöffnung34 weist im Allgemeinen ungefähr die gleiche Größe wie die Einlassöffnung auf, wenn sie nicht größer ist, so dass der Durchmesser D6 der Auslassöffnung in dem Bereich von 1'' ≤ D6 ≤ 6'' (2,5 cm ≤ D6 ≤ 15 cm) liegt. Das Volumen V4 der primären Containmentkammer48 wird häufig durch den zur Verfügung stehenden Raum limitiert, ist jedoch normalerweise so groß wie möglich in einer gegebenen Situation, es ist jedoch im Allgemeinen für den Durchmesser D4 der primären Containmentkammer48 nicht notwendig entweder größer als 48 Inch (123 cm) oder kleiner als zwei Inch (5 cm) zu sein. Das Volumen V3 der Vormischzone46 in Bezug zu V4 liegt in dem Bereich von 4V3 ≤ V4 ≤ 10V3, so dass die anfängliche Vormischung des Verfahrensgases und des reaktiven Behandlungsgases schnell aus der Vormischzone46 befördert wird und in die primäre Containmentzone48 , um die Reaktion in der Vormischzone46 zugunsten des Maximierens der Reaktion in der primären Containmentzone48 zu minimieren. Des Weiteren liegt das Volumen V5 der sekundären Containmentzone50 in Bezug zu V4 in dem Bereich von 2V5 ≤ V4 < 8V5. Das Volumen V2 der Diffusionszone44 in Bezug zu V3 beträgt V2 ≤ V3. - In einigen Situationen ist der zur Verfügung stehende Raum so beschränkt, dass nur Containmentsysteme für reaktive Chemikalien mit sehr kleinem Volumen V4 der primären Containmentzone
48 untergebracht werden können, mit dem Ergebnis, dass nicht so viel festes Reaktionsnebenprodukt in dem Volumen V4 der primären Containmentzone48 angehäuft werden kann, bevor sie gereinigt werden muss. In diesen Situationen kann ein automatisches zwischenzeitliches Vakuumreinigungssystem, wie z. B. in den39 und40 dargestellt, verwendet werden, um die Zeiträume zu verlängern, zwischen denen die Bestandteile des Containmentsystems für reaktive Chemikalien demontiert und gereinigt werden müssen. - Wie in
39 dargestellt, umfasst ein beispielhaftes automatisches zwischenzeitliches Vakuumreinigungssystem360 für jedes der oben beschriebenen Containmentsysteme für reaktive Chemikalien (z. B. die Vorrichtungen10 ,150 , etc.) ein Isolations- und Bypasssystem362 und ein Vakuumreinigungssystem364 , welche beide automatisch über eine Steuerung366 betrieben werden. Im Wesentlichen trennt auf Kommando der Steuerung322 das Isolations- und Bypasssystem362 die Containmentsystemvorrichtung für reaktive Chemikalien (z. B. Vorrichtung10 oder150 , welche oben beschrieben sind) zeitweise ab und nimmt sie offline und aus dem Betrieb, während das Vakuumreinigungssystem das feste Reaktionsnebenprodukt (z. B. angehäuftes Nebenprodukt84 aus der Vorrichtung10 oder angehäuftes Nebenprodukt180 aus der Vorrichtung150 ) aus der primären Containmentkammer46 saugt. Zur Vereinfachung und um ermüdende Wiederholungen für die unterschiedlichen beispielhaften Vorrichtungen zu vermeiden, schreitet die Beschreibung dieses automatischen zwischenzeitlichen Vakuumreinigungssystems360 unter Bezugnahme auf seine Anwendung in der beispielhaften Containmentsystemvorrichtung10 für reaktive Chemikalien fort, jedoch mit dem Verständnis, dass sie gleichermaßen auf die beispielhafte Vorrichtung150 wie auch andere anwendbar ist. - Wie oben erwähnt, weist die Containmentsystemvorrichtung
10 für reaktive Chemikalien zwei Reinigungs- bzw. Ausgangsöffnungen136 ,138 auf, vorzugsweise, jedoch nicht unbedingt, an diametral gegenüberliegenden Seiten des Gehäuses88 der primären Containmentkammer. Ein Motor oder Solenoid betriebenes Absperrventil ist mit jedem der Reinigungs- bzw. Ausgangsöffnungen136 ,138 verbunden, z. B. ist das Absperrventil370 mit der Reinigungs- bzw. Ausgangsöffnung136 und das Absperrventil372 mit der Reinigungs- bzw. Ausgangsöffnung138 , als ein Teil des Vakuumreinigungssystems364 verbunden. In dem normalen Betrieb der Containmentvorrichtung10 für reaktive Chemikalien, wie oben beschrieben, ist das Vakuumreinigungssystem364 abgestellt und ruht, und diese Ventile370 ,372 sind abgeschaltet, um die primäre Containmentkammer48 gegenüber der Außenseite oder der Raumumgebung geschlossen zu halten. Gleichzeitig sind zwei Dreiwegeventile374 ,376 , welche Teil des Isolations- und Bypasssystem362 sind, angeordnet, um den Fluidfluss auf eine normale Weise zu, durch und aus der Vorrichtung10 zu richten. Das Ventil374 ist in der Abgasleitung30 angeordnet, welche zu der Einlassöffnung54 führt und das andere Ventil376 ist in der Abgasleitung30' nach der Auslassöffnung34 angeordnet. Daher richten in dem normalen Betrieb die Dreiwegeventile374 ,376 des Isolations- und Bypasssystems360 den Fluidfluss durch die stromaufwärts angeordnete Abgasleitung30 , durch die Vorrichtung10 und aus der stromabwärts angeordneten Abgasleitung30' , wie durch die Flusspfeile378 ,380 ,382 in39 angegeben. Bei diesem normalen Betrieb wird die Containmentsystemvorrichtung10 für reaktive Chemikalien berieben, um das Verfahrensgas mit einem reaktiven Behandlungsgas zu reagieren, um ein festes Nebenprodukt zu erzeugen, wodurch das Verfahrensgas aus dem Gasfluss entfernt wird und ein Teil des festen Nebenprodukts häuft sich in der primären Containmentkammer48 an, wie diagrammartig durch das angehäufte Nebenprodukt84 in39 dargestellt. - Zu bestimmten Zeiten für das zwischenzeitliche Vakuumreinigen zur Entfernung wenigstens eines Teils des angehäuften Nebenprodukts
84 aus der primären Containmentkammer48 sendet die Steuerung366 Signale, um die motorisierten oder Solenoid betriebenen Dreiwegeventile374 ,376 des Isolations- und Bypasssystems362 zu betätigen, um den Fluidfluss aus der stromaufwärts angeordneten Abgasleitung30 durch eine Bypassleitung384 , welche sich zwischen den Ventilen374 ,376 erstreckt, und zurück in die stromabwärts gelegene Abgasleitung30' zu lenken, wie durch die Flusspfeile386 ,388 in40 dargestellt. Mit den Dreiwegeventilen374 ,376 in diesen ablenkenden Betriebsarten, wird die Containmentsystemvorrichtung10 für reaktive Chemikalien von dem Fluidfluss in der Abgasleitung30 abgetrennt, wie diagrammartig durch die Dreiwegeventile374 ,376 in40 dargestellt. - Gleichzeitig oder nach einer kurzen Verzögerung, um Zeit für die Isolation der Vorrichtung
10 durch die Dreiwegeventile374 ,376 bereitzustellen, sendet die Steuerung366 Signale um die abgesperrten Ventile370 ,372 zu öffnen und das Vakuumreinigungsgebläse390 zu starten. Wenn die Absperrventile370 ,372 offen sind, wie diagrammartig in40 dargestellt, saugt das Vakuumreinigergebläse390 Luft durch die Reinigungs- bzw. Ausgangsöffnung136 und durch die primäre Containmentkammer48 , wie durch den Flusspfeil392 angegeben. Der Luftfluss392 sammelt die angehäuften festen Teilchen oder das Pulver84 in der primären Containmentkammer48 und trägt sie aus der Reinigungs- bzw. Ausgangsöffnung138 , durch die Vakuumleitung394 , wie durch den Flusspfeil396 angegeben, durch das Gebläse360 und lädt es in einen Vakuumreinigungsbeutel oder -kanister398 ab, wie diagrammartig in40 dargestellt. - Nach einem kurzen Zeitraum zur Vakuumreinigung wenigstens eines Teils des festen Nebenprodukts
84 aus der primären Containmentkammer48 , sendet die Steuerung366 Signale, um das Gebläse390 abzustellen, und die Absperrventile370 ,372 in ihre Abstellbetriebsarten zurückzusetzen, welche in39 dargestellt sind, und um die Dreiwegeventile374 ,376 in ihre normale Betriebsart zurückzusetzen, welche in39 dargestellt ist, um die Vorrichtung10 in den normalen Betrieb zurückzuführen. Die Steuerung kann jede einer Vielzahl von Computern, CPUs oder Mikroprozessoren sein, die programmiert werden können, um die Ventile und das Gebläse zu den oben beschriebenen Betriebsarten zu wechseln, oder kann sogar ein einfacher Zeitschaltkreis sein, welche alle von Fachleuten auf dem Gebiet verstanden werden, sobald die Prinzipien der Erfindung verstanden wurden. Die Steuerung366 kann die Bypass- und Isolationsbetriebsart auslösen und ausführen und die Vakuumreinigungsbetriebsart mit vorbestimmten Zeitintervallen beginnen oder in Reaktion auf andere manuelle oder automatische optionale Inputs, wie z. B. einem Drucksensor (nicht dargestellt), welcher einen Rückdruck in der Abgasleitung30 , oder einen übermäßigen Druck in der Abscheidekammer12 (1 ) aufzeichnet, welcher die Anhäufung des Nebenprodukts84 in der primären Containmentkammer48 durch Verstopfung oder auftreffenden Fluidfluss andeuten könnt. Die Dauer jedes Vakuumreinigungszyklus kann auf eine bestimmte Zeit eingestellt werden oder basierend auf jedem anderen optionalen manuellen oder automatischen Input. Der Vakuumreinigungsbehälter oder -beutel368 ist vorzugsweise groß genug, um alle Nebenprodukte aufzunehmen, welche aus der primären Containmentkammer48 gesaugt wurden, unabhängig davon, wie häufig das Vakuumreinigungssystem betätigt und zwischen programmierten und präventiven Wartungszyklen verwendet wird, wenn die Vorrichtung für eine gründliche Reinigung demontiert wird, kann der Vakuumbehälter oder der -beutel368 ausgeleert werden. - Die vorangehende Beschreibung stellt ein Beispiel zur Verfügung, welches die Prinzipien der Erfindung erläutert, die durch die folgenden Ansprüche definiert wird. Da Fachleuten auf dem Gebiet eine Vielzahl unbedeutender Modifikationen und Änderungen sofort einfallen, wenn sie die Erfindung verstehen, ist es nicht gewünscht, die Erfindung auf die genauen Beispielkonstruktionen oder -verfahren, welche oben gezeigt und beschrieben wurden, zu begrenzen. Des Weiteren können entweder das integrierte Solenoidpilotventilsmerkmal, die axiale Pilotventil- und Kolbenanordnung, oder das elastomere Ventilsitzabdichtungsmerkmal unabhängig voneinander verwendet werden, sofern erwünscht. Demzufolge wird auf alle geeigneten Kombinationen, Unterkombinationen, Modifikationen und Äquivalente zugegriffen, die in den Umfang der Erfindung fallen, welche durch die Ansprüche definiert ist. Die Worte ”umfassend”, ”umfasst”, ”umfassen”, ”enthält”, ”enthaltend” und ”enthalten”, wenn in dieser Beschreibung einschließlich der Ansprüche verwendet, sollen die Anwesenheit von angegebenen Merkmalen, Zahlen oder Schritten spezifizieren, sollen jedoch nicht die Anwesenheit oder Addition einer oder mehrerer Merkmale, Zahlen, Bestandteile, Schritte oder Gruppen dieser ausschließen. Die Ausdrücke obere, nach oben, untere, nach unten, vertikal, horizontal und andere Richtungsausdrücke in dieser Beschreibung sind in Bezug auf die diagrammartige Orientierung, die in den Zeichnungen gezeigt ist, und werden nur zur Bequemlichkeit verwendet und zur Klarheit der Beschreibung, es sei denn, es ist anders angegeben. Sie sollen nicht das Ventil
10 auf irgendeine bestimmte Richtung in der tatsächlichen Verwendung beschränken, und tatsächlich können die Isolationsventile, mit korrosionsgeschützten und wärmeübertragungsunterstützten Ventilbetätigungs- und Schließvorrichtungen, in jeder gewünschten Orientierung positioniert und verwendet werden. - ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
- Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
- Zitierte Patentliteratur
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- US 6086838 [0007]
- US 6576573 [0007]
- US 6197119 [0073]
Claims (194)
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien, umfassend: eine primäre Containmentkammer, in welcher ein Verfahrensgas und ein reaktives Behandlungsgas in einem Gasfluss dispergiert, gemischt und miteinander reagiert werden können, um ein festes Reaktionsnebenprodukt zu erzeugen, um so wenigstens einen Teil des Verfahrensgases aus dem Gasfluss zu entfernen; eine Vormischzone stromaufwärts von der primären Containmentkammer, in welcher das Verfahrensgas und das reaktive Behandlungsgas zu einem gemeinsamen Gasfluss in die primäre Containmentkammer kombiniert sind; Mittel, um das reaktive Behandlungsgas gleichmäßig in die Vormischzone zu diffundieren und Mittel, um das Verfahrensgas in die Vormischzone zu leiten.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 1, umfassend: eine sekundäre Contain mentzone stromabwärts der primären Containmentkammer, in welcher das Verfahrensgas, welches nicht in der primären Containmentkammer reagiert wurde und in dem Gasfluss in die sekundäre Containmentzone zurückbleibt mit dem reaktiven Behandlungsgas in dem Gasfluss, das auch nicht in der primären Containmentkammer reagiert wurde, dispergiert, gemischt und reagiert werden kann, um mehr des festen Reaktionsnebenproduktes zu erzeugen, um den Rest des Verfahrensgases zu entfernen, welches als ein Teil des Gasflusses aus der primären Containmentkammer in die sekundäre Containmentzone fließt.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 2, umfassend: Mittel in der primären Containmentkammer, um Turbulenz in dem Gasfluss zu erzeugen und um das Verfahrensgas und das reaktive Behandlungsgas in der primären Containmentkammer zu dispergieren, um die Reaktion des Verfahrensgases und des reaktiven Behandlungsgases miteinander zu steigern oder zu erzwingen.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 3, umfassend: Mittel in der sekundären Containmentkammer, um Turbulenz in dem Gasfluss zu erzeugen und um das Verfahrensgas und das reaktive Behandlungsgas in der sekundären Containmentkammer zu dispergieren, um die Reaktion des Verfahrensgases und des reaktiven Behandlungsgases miteinander zu steigern oder zu erzwingen.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 4, wobei die Mittel zur Erzeugung von Turbulenz in dem Gasfluss und zum Dispergieren des Verfahrensgases und des reaktiven Behandlungsgases in der primären Containmentkammer ein Medium umfasst, welches eine große Oberfläche aufweist und einen gewundenen Weg für den Gasfluss durch das Medium erzeugt, um ausreichend Turbulenz in dem Gasfluss zu erzeugen.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 5, wobei die Mittel zur Erzeugung von Turbulenz ein Drahtgewebe umfassen.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 6, wobei das Drahtgewebe in einer zulaufenden bzw. kegelförmigen (tapered) Anordnung geformt ist.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 7, wobei die zulaufenden bzw. kegelförmigen Anordnung an dem vorderen oder stromaufwärts angeordneten Ende enger ist, als an dem hinteren oder stromabwärts angeordneten Ende.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 8, wobei die zulaufende bzw. kegelförmige Anordnung zwei oder mehrere zylindrische Gewebebestandteile mit unterschiedlichen Durchmessern umfasst, welche in zylindrischen Gewebestufen zusammen gestapelt sind.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 7, wobei das Drahtgewebe in einer konischen Anordnung geformt ist.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 5, wobei die Mittel zur Erzeugung von Turbulenz eine Vielzahl perforierter Platten umfassen, welche in dem Flussweg des Gasflusses in der primären Containmentkammer voneinander beabstandet angeordnet sind.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 11, wobei die Perforationen in der stromaufwärts angeordneten Platte größer sind und nacheinander in den nacheinander stromabwärts folgenden Platten kleiner sind.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 12, wobei die Perforationen in den stromabwärts gelegenen Platten axial nicht mit den Perforationen in den Platten, welche unmittelbar stromaufwärts vor ihnen angeordnet sind, ausgerichtet sind.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 11, wobei die perforierten konischen Platten flach sind.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 11, wobei die perforierten konischen Platten kegel- bzw. konusförmig sind.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 15, wobei die nacheinander stromabwärts angeordneten konischen perforierten Platten einen größeren Durchmesser aufweisen als die jeweils unmittelbar stromaufwärts angeordneten konischen Platten.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 5, wobei die Mittel zur Erzeugung von Turbulenz eine Vielzahl perforierter zylindrischer Bleche mit unterschiedlichen Durchmessern umfasst, welche konzentrisch in Bezug zueinander angeordnet sind.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 17, wobei die Enden der perforierten zylindrischen Bleche geschlossen sind, um zu erzwingen, dass das Gas seriell durch alle perforierten zylindrischen Bleche fließt.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 5, wobei die Mittel zur Erzeugung von Turbulenz eine Vielzahl von zylindrischen Fässern bzw. Tonnen unterschiedlicher Durchmesser umfasst, welche konzentrisch in Relation zueinander angeordnet sind, mit abwechselnd geschlossenen Enden und Räumen zwischen den offenen Enden und geschlossenen Enden, um einen Labyrinthflussweg durch die kreisförmigen Räume zwischen den benachbarten Fässern zu bilden.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 5, wobei die Mittel zur Erzeugung von Turbulenz einen Wabenkern umfassen.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 20, wobei der Wabenkern ein zylindrisches Fass füllt, welches an den stromaufwärts und stromabwärts angeordneten Enden offen ist, so dass der Gasfluss durch den Wabenkern geleitet ist.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 21, wobei der Wabenkern eine Vielzahl von Wabenplatten umfasst, welche aufeinandergestapelt sind.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 22, wobei die Wabenzellen der Wabenplatten lateral versetzt zu den Wabenzellen der benachbarten Wabenplatten angeordnet sind.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 5, wobei die Mittel zur Erzeugung von Turbulenz eine bürstenartige Struktur umfassen.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 24, wobei die bürstenartige Struktur eine Vielzahl Borsten umfasst, welche sich von einem Längsstab radial nach außen erstrecken.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 25, wobei die Borsten Drahtborsten umfassen.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 5, wobei die Mittel zur Erzeugung von Turbulenz Mittel zum Kühlen oder Erwärmen eines Bestandteils des Gasflusses umfassen.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 27, wobei die Mittel zum Abkühlen oder Erwärmen eines Bestandteils des Gasflusses eine Rohrschlange bzw. -spule (coil of tube) umfassen, durch welche ein Kühl- oder Heizfluid fließen kann.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 28, wobei die Rohrschlange zulaufend bzw. kegelförmig ausgebildet ist.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 29, wobei die zulaufende bzw. kegelförmige Rohrschlange spiralförmig gewickelte Schleifen des Rohrs umfasst.
- Containmentsystem für eine reaktive Chemikalie nach Anspruch 30, wobei ein Abstand bzw. Raum zwischen jeder nachfolgenden Schleife des Rohrs und einer vorangehenden Schleife vorhanden ist.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 31, wobei jede nachfolgende Schleife von stromaufwärts nach stromabwärts aufeinanderfolgend einen größeren Durchmesser aufweist als die vorangehende Schleife, so dass die Verjüngung bzw. der Kegel an dem stromaufwärts gelegenen Ende der kegelförmigen Schlange eng ist und an den stromabwärts gelegenen Ende der kegelförmigen bzw. abgeschrägten Schlange breit ist.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 31, wobei jede nachfolgende Schleife von stromaufwärts nach stromabwärts aufeinanderfolgend einen kleineren Durchmesser aufweist als die vorangehende Schleife, so dass die Verjüngung bzw. der Kegel an dem stromaufwärts angeordneten Ende der kegelförmigen Schlange breit ist und an dem stromabwärts gelegenen Ende der kegelförmigen Schlange eng ist.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 28, wobei die Mittel zur Erzeugung von Turbulenz ein oder mehrere perforierte Platten in Kombination mit der Rohrschlange enthält.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 34, wobei die perforierten Platten in längs voneinander beabstandeter Beziehung zu der Rohrschlange befestigt sind.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 35, wobei die perforierten Platten stromabwärts von der Rohrschlange angeordnet sind.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 35, wobei die perforierten Platten stromaufwärts von der Rohrschlange angeordnet sind.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 7, wobei die sekundäre Containmentzone konzentrisch im Inneren des zulaufenden bzw. kegelförmigen Drahtgewebes angeordnet ist.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 38, umfassend Mittel, die in der sekundären Containmentzone angeordnet sind, um Turbulenz in dem Gasfluss in der sekundären Containmentzone zu bewirken.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 39, wobei die Mittel zur Erzeugung von Turbulenz in dem Gasfluss in der sekundären Containmentzone ein zylindrisches Element umfassen, mit einem Medium umfassend eine Vielzahl beabstandeter Oberflächen zur Erzeugung von Turbulenzen in dem Gasfluss.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 40, wobei das Medium eine Rolle Maschengewebe umfasst.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 40, wobei das Medium eine Vielzahl konzentrisch angeordneter zylindrischer Siebe umfasst.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 40, wobei das Medium eine Vielzahl perforierter zylindrischer Bleche umfasst.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 40, wobei das Medium ein geknicktes, perforiertes Blech umfasst, welches in eine zylindrische Form gefaltet und gerollt ist.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 40, wobei das Medium eine Vielzahl länglicher Blätter aus Material umfasst, welche miteinander zu einer zylindrischen Rolle verbunden sind, wobei die Oberflächen der benachbarten Blätter winklig voneinander beabstandet sind.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 5, wobei die sekundäre Containmentzone der Länge nach stromaufwärts von der primären Containmentkammer angeordnet ist.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 46, enthaltend Mittel in der sekundären Containmentzone um Turbulenz in dem Gasfluss zu bewirken.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 47, wobei die Mittel zur Erzeugung von Turbulenz in dem Gasfluss in der sekundären Containmentzone ein zylindrisches Element umfassen, mit einem Medium umfassend eine Vielzahl beabstandeter Oberflächen zur Erzeugung von Turbulenzen in dem Gasfluss.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 47, wobei das Medium eine Rolle Maschengewebe umfasst.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 47, wobei das Medium eine Vielzahl konzentrisch positionierter zylindrischer Siebe umfasst.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 47, wobei das Medium eine Vielzahl perforierter zylindrischer Bleche umfasst.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 47, wobei das Medium ein geknicktes perforiertes Blech umfasst, welches in eine zylindrische Form gefaltet und gerollt ist.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 47, wobei das Medium eine Vielzahl länglicher Blätter aus Material umfasst, welche miteinander zu einer zylindrischen Rolle verbunden sind, wobei die Oberflächen der benachbarten Blätter winklig voneinander beabstandet sind.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 1, wobei Mittel zum gleichförmigen Diffundieren des reaktiven Behandlungsgases in der Vormischzone eine Diffusionsplatte umfassen, mit einer Vielzahl von Diffusionsöffnungen, welche um die Diffusionsplatte in einem radialen Abstand nach außen von dem Mittelpunkt der Diffusionsplatte aus dispergiert sind und Mittel zum Einspritzen bzw. -speisen des reaktiven Behandlungsgases in der Nähe der Diffusionsplatte, wobei die Diffusionsplatte zwischen den Mitteln zum Einspeisen des reaktiven Behandlungsgases und der Vormischzone angeordnet ist, so dass das reaktive Behandlungsgas durch die Diffusionsöffnungen in der Diffusionsplatte fließen muss, um die Vormischzone zu erreichen.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 54, wobei die Mittel zum Einspeisen des reaktiven Behandlungsgases in der Nähe der Diffusionsplatte eine Düse umfassen, welche sich durch die Diffusionsplatte erstreckt.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 1, enthaltend eine längliche Vormischkammer angeordnet stromaufwärts von und verbunden in einer Gasflussbeziehung mit der primären Containmentkammer, wobei die Vormischzone in der Vormischkammer angeordnet ist, und die Mittel zum Leiten des Verfahrensgases in die Vormischzone eine Einlassöffnung in die Vormischkammer umfassend, welche angeordnet ist, um das Verfahrensgas in die Vormischkammer zu leiten.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 56, umfassend eine Eintrittszone in der Vormischkammer in der Nähe der Einlassöffnung, wo das Verfahrensgas in die Vormischkammer eintritt.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 57, wobei die Mittel zum gleichförmigen Diffundieren des reaktiven Behandlungsgases in der Vormischzone stromaufwärts von der Einlassöffnung angeordnet sind.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 58, wobei die Mittel zum gleichförmigen Diffundieren des reaktiven Behandlungsgases in der Vormischzone Mittel zum Einspeisen des reaktiven Behandlungsgases in die Vormischkammer umfassen und Mittel, um das reaktive Behandlungsgas in einer Diffusionszone in der Vormischkammer zu dispergieren.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 59, wobei die Eintrittszone zwischen der Diffusionszone und der Vormischzone angeordnet ist.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 60, wobei die Mittel zum Dispergieren des reaktiven Behandlungsgases in der Diffusionszone zwischen den Mitteln zum Einspeisen des reaktiven Behandlungsgases in die Vormischkammer und der Eintrittszone angeordnet sind.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 60, wobei die Mittel zum Dispergieren des reaktiven Behandlungsgases in der Diffusionszone zwischen den Mitteln zum Einspeisen des reaktiven Behandlungsgases in die Vormischkammer und der Einlassöffnung angeordnet sind.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 62, wobei die Mittel zum Dispergieren des reaktiven Behandlungsgases in der Diffusionszone eine Diffusionsplatte mit einer Vielzahl von Diffusionsöffnungen umfasst, welche um die Diffusionsplatte in einem radialen Abstand nach außen von dem Mittelpunkt der Diffusionsplatte dispergiert sind, so dass das reaktive Behandlungsgas durch die Öffnungen in der Diffusionsplatte fließen muss, um die Vormischzone zu erreichen.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 63, wobei die Mittel zum Einspeisen des reaktiven Behandlungsgases neben der Diffusionsplatte eine Düse umfassen, welche sich durch die Diffusionsplatte erstreckt.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 63, wobei die Mittel für das Einspeisen des reaktiven Behandlungsgases in der Nähe der Diffusionsplatte eine Düse umfassen, welche sich durch ein Gehäuse der Vormischkammer erstreckt, die die Vormischkammer umgibt, bis zu einer Position in der Nähe der Diffusionsplatte.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 63, wobei die Diffusionsplatte in der Vormischkammer der Länge nach stromaufwärts von der Eintrittszone und der Vormischzone angeordnet ist.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 63, wobei die Diffusionsplatte konzentrisch um die Einlassöffnung angeordnet ist.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 63, wobei die Diffusionsplatte diametral von der Einlassöffnung quer über der Vormischkammer angeordnet ist.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 62, wobei die Mittel zum Dispergieren des reaktiven Behandlungsgases in der Diffusionszone einen Diffusionskanal umfassen, welcher die Vormischkammer umgibt, mit einer Vielzahl von Diffusionsöffnungen, welche winklig um den Diffusionskanal dispergiert sind, so dass das reaktive Behandlungsgas aus dem Kanal durch die Diffusionsöffnungen in die Vormischkammer fließen muss, um die Vormischzone zu erreichen.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 69, wobei der Diffusionskanal der Länge nach stromaufwärts von der Einlassöffnung angeordnet ist.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 69, wobei der Diffusionskanal der Länge nach stromabwärts von der Einlassöffnung angeordnet ist.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 2, umfassend Mittel für die zwischenzeitliche Reinigung fester teilchenförmiger und/oder pulverförmiger Reaktionsnebenprodukte aus der primären Containmentkammer.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 72, wobei die Mittel für das zwischenzeitliche Reinigen Mittel zum Isolieren bzw. Abtrennen der primären Containmentkammer, der Vormischzone und der sekundären Containmentzone von dem Verfahrensgasfluss umfassen und Mittel zum Vakuumreinigen der festen teilchenförmigen und/oder pulverförmigen Reaktionsnebenprodukte aus der primären Containmentkammer.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 73, wobei der Verfahrensgasfluss über eine stromaufwärts angeordnete Abgasleitung mit einer Vormischkammer verbunden ist, welche die Vormischzone umfasst, und wobei der Gasfluss, welcher durch die Reaktion in der primären Containmentkammer und der sekundären Containmentkammer behandelt wird, aus der sekundären Containmentkammer in eine stromabwärts angeordnete Abgasleitung austritt, und wobei die Mittel zum Abtrennen der primären Containmentkammer, der Vormischzone und der sekundären Containmentzone Isolations- bzw. Abtrennventilmittel umfassen, um den Gasfluss von der stromaufwärts angeordneten Abgasleitung in die Vormischkammer zu beenden und um die sekundäre Containmentkammer von der stromabwärts gelegenen Abgasleitung zu schließen.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 74, wobei die Isolationsventilmittel ein Einlassisolationsventil umfassen, um den Gasfluss von der stromaufwärts angeordneten Abgasleitung in die Vormischkammer zu beenden und ein Auslassisolationsventil, um die sekundäre Containmentkammer von der stromabwärts gelegenen Abgasleitung zu schließen.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 75, umfassend ein Einlassisolationsventil-Betätigungsmittel für das Einlassisolationsventil, welches auf ein Signal von einer Steuerung reagiert, um das Einlassisolationsventil zu betätigen, und enthaltend ein Auslassisolationsventil-Betätigungsmittel für das Auslassisolationsventil, welches auf ein Signal von einer Steuerung zur Betätigung des Auslassisolationsventils reagiert.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 76, wobei die Mittel zum Abtrennen der primären Containmentkammer, der Vormischzone und der sekundären Containmentzone Bypassmittel umfassen, um den Verfahrensgasfluss von der stromaufwärts gelegenen Abgasleitung zu der stromabwärts gelegenen Abgasleitung umzulenken, um die primäre Containmentkammer, die Vormischzone und die sekundäre Containmentzone zu umgehen.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 77, wobei die Bypassmittel ein Bypassrohr enthalten, verbunden an einem Ende mit dem Einlassisolationsventil und an dem anderen Ende mit dem Auslassisolationsventil, und wobei das Einlassisolationsventil ein Dreiwegeventil ist, das in einer Betriebsart den Verfahrensgasfluss von der stromaufwärts gelegenen Abgasleitung in die Vormischzone leitet und in einer zweiten Betriebsart den Verfahrensgasfluss von der stromaufwärts gelegenen Abgasleitung in das Bypassrohr umlenkt und wobei des Weiteren das Auslassisolationsventil ein Dreiwegeventil ist, das in einer Betriebsart den Gasfluss von der sekundären Containmentzone in die stromabwärts gelegene Abgasleitung leitet und in einer zweiten Betriebsart das Verfahrensgas aus der Bypassleitung in die stromabwärts gelegene Abgasleitung leitet.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 78, einschließlich einer Einlassabsperrventil-Betätigungsvorrichtung zur Betätigung des Einlassabsperrventils, um die primäre Containmentkammer für die Atmosphäre zu öffnen und sie für die Atmosphäre zu schließen, und Auslassabsperrventil-Betätigungsmittel, um das Auslassabsperrventil zu betätigen, um die primäre Containmentkammer für das Vakuumreinigungssystem zu öffnen und für das Vakuumreinigungssystem zu schließen.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 79, wobei die Einlassabsperrventil-Betätigungsmittel und die Auslassabsperrventil-Betätigungsmittel auf ein Signal von einer Steuerung zur Öffnung und Schließung der Einlass- und Auslassabsperrventile reagiert.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 80, wobei jede der Ventilbetätigungsmittel einen Motor, Solenoid, Diaphragma, hydraulischen Zylinder, pneupatischen Aktuator oder jeden anderen Betätigungsmechanismus umfassen kann, der das Ventil von einer Betriebsart in eine andere wechseln kann.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 80, wobei die primäre Containmentkammer durch ein Gehäuse der primären Containmentkammer eingeschlossen wird, mit wenigstens zwei Reinigungs- bzw. Ausgangsöffnungen, und wobei das Einlassabsperrventil an einer der Reinigungs- bzw. Ausgangsöffnungen angeordnet ist und das Auslassabsperrventil an der anderen Öffnung angeordnet ist.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 82, umfassend eine Steuerung, die Signale an den Aktuator des Einlassisolationsventils und den Aktuator des Auslassisolationsventils sendet, um die primäre Containmentkammer, die Vormischkammer und die sekundäre Containmentkammer von dem Verfahrensgasfluss abzutrennen und um den Verfahrensgasfluss von der stromaufwärts gelegenen Abgasleitung durch das Bypassrohr und in die stromabwärts gelegene Abgasleitung umzulenken, und welche Signale an das Einlassabsperrventil und das Auslassabsperrventil sendet, um die primäre Containmentkammer an einer Öffnung für die Atmosphäre und an der anderen Öffnung für das Vakuumreinigungssystem zu öffnen, und um ein Signal an die Vakuumreinigungsgebläsevorrichtung zu senden, um die Vakuumreinigungsgebläsevorrichtung oder den Gebläsemotor zu starten.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 83, wobei die Steuerung programmiert ist, um Signale zu den Isolationsventilaktuatoren zu senden, um die Isolationsventile zu schalten, bevor Signale zu den Absperrventilaktuatoren und Gebläse gesendet werden, um die Absperrventile zu schalten, um die primäre Containmentkammer zu öffnen und das Vakuumreinigungsgebläse anzustellen, nachdem die primäre Containmentkammer, die Vormischkammer und die sekundäre Containmentkammer vor dem Prozessgasfluss abgetrennt wurden.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 84, optional enthaltend betätigbare Mittel, um den reaktiven Behandlungsgasfluss in die Vormischkammer abzustellen und anzustellen, wenn die primäre Containmentkammer, die Vormischkammer und die sekundäre Containmentkammer abgetrennt wurden und das Vakuumreinigungssystem gestartet wurde.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 2, wobei die Beziehung zwischen dem Volumen der primären Containmentzone (V4) und dem Volumen der Vormischzone (V3) in dem Bereich von 4V3 ≤ V4 ≤ 10V3 liegt.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 2, wobei die Beziehung zwischen dem Volumen der primären Containmentzone (V4) und dem Volumen der sekundären Containmentzone (V5) in dem Bereich von 2V5 ≤ V4 ≤ 8V5 liegt.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 2, wobei die Beziehung zwischen dem Volumen der Vormischkammer (V3) und dem Volumen der Diffusionszone (V2) V2 ≤ V3 beträgt.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 2, wobei die Gesamtlänge (L) von den Mitteln zum Diffundieren des reaktiven Gases gleichmäßig in die Vormischzoeinem Auslass von der sekundären Containmentzone in einem Bereich von 12'' ≤ L ≤ 72'' (30 cm ≤ L ≤ 72'' (30 cm) ≤ 183 cm) liegt.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 2, wobei der Durchmesser der Mittel zum Leiten des Verfahrensgases in die Vormischkammer (D1) in einem Bereich von 1'' ≤ D1 ≤ 6'' (2,5 cm ≤ D1 ≤ 15 cm) liegt.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 2, wobei der Durchmesser der primären Containmentkammer (D4) in einem Bereich von 2'' ≤ D4 ≤ 48'' (5 cm ≤ D4 ≤ 123 cm) liegt.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 2, wobei der Durchmesser eines Auslasses von der zweiten Containmentzone (D6) in einem Bereich von 1'' ≤ D6 ≤ 6'' (2,5 cm ≤ D6 ≤ 15 cm) liegt.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 2, wobei die Beziehung zwischen dem Durchmesser einer Diffusionszone (D2) stromaufwärts von der Vormischzone und der Durchmesser der Mittel zum Leiten des Verfahrensgases in die Vormischkammer (D1) in einem Bereich von D1 ≤ D2 ≤ 6D1 liegt.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 2, wobei die Beziehung zwischen dem Durchmesser der Vormischzone (D3) und dem Durchmesser der Mittel zum Leiten des Verfahrensgases in die Vormischkammer (D1) in einem Bereich von D1 ≤ D3 ≤ 6D1 liegt.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 2, wobei die Beziehung zwischen dem Durchmesser der primären Containmentkammer (D4) und dem Durchmesser der Mittel zum Leiten des Verfahrensgases in die Vormischkammer (D1) in einem Bereich von 2D1 ≤ D4 ≤ 12D1 liegt.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 2, wobei die Beziehung zwischen dem Durchmesser der sekundären Containmentkammer (D5) und dem Durchmesser der Mittel zum Leiten des Verfahrensgases in die Vormischkammer (D1) in einem Bereich von 2D1 ≤ D5 ≤ 6D1 liegt.
- Containmentvorrichtung für reaktive Chemikalien umfassend: eine primäre Containmentkammer, in welcher ein Verfahrensgas und ein reaktives Behandlungsgas in einem Gasfluss dispergierbar, mischbar und miteinander reagierbar sind, so dass wenigstens ein Teil des Verfahrensgases aus dem Gasfluss entfernbar ist; eine Vormischzone stromaufwärts der primären Containmentkammer, in welcher das Verfahrensgas und das reaktive Behandlungsgas miteinander in einem gemeinsamen Gasfluss in die primäre Containmentkammer kombinierbar sind; eine Diffusionszone stromaufwärts der Vormischzone; ein Einlass für reaktives Behandlungsgas angeordnet um das reaktive Behandlungsgas in die Diffusionszone zu lenken; und ein Verfahrensgaseinlass angeordnet um das Verfahrensgas in die Vormischzone zu lenken.
- Containmentvorrichtung für reaktive Chemikalien nach Anspruch 97, umfassend: eine sekundäre Containmentkammer stromabwärts der primären Containmentkammer, in welcher der Teil des Verfahrensgases, welcher nicht in der primären Containmentkammer reagiert wurde und in dem Gasfluss in die sekundäre Containmentkammer verbleibt, zusammen mit dem reaktiven Behandlungsgas, welches auch nicht in der primären Containmentkammer reagiert wurde, dispergiert, vermischt und reagiert werden kann, um mehr des festen Reaktionsnebenproduktes zu erzeugen, um den Rest des Verfahrensgases, welcher als Teil des Gasflusses von der primären Containmentkammer in die sekundäre Containmentkammer fließt, zu entfernen.
- Containmentvorrichtung für reaktive Chemikalien nach Anspruch 98, umfassend einen primären Einsatz in der primären Containmentkammer, welcher solch eine Größe und Form aufweist, dass Turbulenz in dem Gasfluss entsteht.
- Containmentvorrichtung für reaktive Chemikalien nach Anspruch nach Anspruch 99, umfassend einen sekundären Einsatz in der sekundären Containmentkammer, welcher solch eine Größe und Form aufweist, dass Turbulenz in dem Gasfluss entsteht.
- Containmentvorrichtung für reaktive Chemikalien nach Anspruch 99, wobei der primäre Einsatz Drahtgewebe umfasst.
- Containmentvorrichtung für reaktive Chemikalien nach Anspruch 101, wobei das Drahtgewebe in einer zulaufenden bzw. kegelförmigen Anordnung geformt ist.
- Containmentvorrichturig für reaktive Chemikalien nach Anspruch 102, wobei die zulaufende bzw. kegelförmige Anordnung an dem vorderen oder stromaufwärts angeordneten Ende enger ist, als an seinem hinteren oder stromabwärts gelegenen Ende.
- Containmentvorrichtung für reaktive Chemikalien nach Anspruch 103, wobei die zulaufende bzw. kegelförmige Anordnung zwei oder mehr zylindrische Gewebebestandteile mit unterschiedlichen Durchmessern aufweist, die in zylindrischen Gewebestufen zusammen gestapelt sind.
- Containmentvorrichtung für reaktive Chemikalien nach Anspruch 103, wobei das Drahtgewebe in einer konischen Anordnung geformt ist.
- Containmentvorrichtung für reaktive Chemikalien nach Anspruch 99, wobei der primäre Einsatz eine Vielzahl perforierter Platten umfasst, welche in dem Flussweg des Gasflusses in der primären Containmentkammer voneinander beabstandet angeordnet sind.
- Containmentvorrichtung für reaktive Chemikalien nach Anspruch 106, wobei die Perforationen in der stromaufwärts gelegenen Platte größer sind und nacheinander in den nacheinander folgenden stromabwärts folgenden Platten kleiner sind.
- Containmentvorrichtung für reaktive Chemikalien nach Anspruch 107, wobei die Perforationen in den stromabwärts gelegenen Platten axial nicht mit den Perforationen in den Platten, welche unmittelbar stromaufwärts von diesen liegen, ausgerichtet sind.
- Containmentvorrichtung für reaktive Chemikalien nach Anspruch 106, wobei die perforierten konischen Platten flach sind.
- Containmentvorrichtung für reaktive Chemikalien nach Anspruch 106, wobei die perforierten konischen Platten kegelförmig sind.
- Containmentvorrichtung für reaktive Chemikalien nach Anspruch 110, wobei die nacheinander stromabwärts angeordneten konischen perforierten Platten einen größeren Durchmesser aufweisen als die jeweils unmittelbar stromaufwärts angeordneten konischen Platten.
- Containmentvorrichtung für reaktive Chemikalien nach Anspruch 99, wobei der primäre Einsatz eine Vielzahl perforierter zylindrischer Bleche mit unterschiedlichen Durchmessern umfasst, welche konzentrisch in Bezug zueinander angeordnet sind.
- Containmentvorrichtung für reaktive Chemikalien nach Anspruch 112, wobei die Enden der perforierten zylindrischen Bleche geschlossen sind, um zu erzwingen, dass der Gasfluss seriell durch alle der perforierten zylindrischen Bleche fließt.
- Containmentvorrichtung für reaktive Chemikalien nach Anspruch 99, wobei der primäre Einsatz eine Vielzahl zylindrischer Fässer bzw. Tonnen unterschiedlicher Durchmesser umfasst, welche konzentrisch in Relation zueinander angeordnet sind, mit abwechselnd geschlossenen Enden und Räumen zwischen offenen Enden und geschlossenen Enden, um einen Labyrinthflussweg durch die kreisförmigen Räume zwischen den benachbarten Fässern zu bilden.
- Containmentvorrichtung für reaktive Chemikalien nach Anspruch 99, wobei der primäre Einsatz einen Wabenkern umfasst.
- Containmentvorrichtung für reaktive Chemikalien nach Anspruch 115, wobei der Wabenkern ein zylindrisches Fass füllt, welches an seinen stromaufwärts und stromabwärts angeordneten Enden offen ist, so dass der Gasfluss durch den Wabenkern geleitet ist.
- Containmentvorrichtung für reaktive Chemikalien nach Anspruch 116, wobei der Wabenkern aus einer Vielzahl von Wabenplatten besteht, die aufeinander gestapelt sind.
- Containmentvorrichtung für reaktive Chemikalien nach Anspruch 117, wobei die Wabenzellen der Wabenplatten lateral versetzt zu den Wabenzellen der benachbarten Wabenplatten angeordnet sind.
- Containmentvorrichtung für reaktive Chemikalien nach Anspruch 99, wobei der primäre Einsatz eine bürstenartige Struktur umfasst.
- Containmentvorrichtung für reaktive Chemikalien nach Anspruch 119, wobei die bürstenartige Struktur eine Vielzahl von Borsten umfasst, welche sich von einem Längsstab radial nach außen erstrecken.
- Containmentvorrichtung für reaktive Chemikalien nach Anspruch 120, wobei die Borsten Drahtborsten umfassen.
- Containmentvorrichtung für reaktive Chemikalien nach Anspruch 99, wobei der primäre Einsatz eine Rohrschlange umfasst, durch welche ein Kühl- oder Heizfluid fließen kann.
- Containmentvorrichtung für reaktive Chemikalien nach Anspruch 122, wobei die Rohrschlange kegelförmig bzw. zulaufend ausgebildet ist.
- Containmentvorrichtung für reaktive Chemikalien nach Anspruch 123, wobei die zulaufende bzw. kegelförmige Rohrschlange spiralförmig gewickelte Schleifen des Rohrs umfasst.
- Containmentvorrichtung für reaktive Chemikalien nach Anspruch 124, wobei ein Abstand bzw. ein Raum zwischen jeder nachfolgenden Schleife des Rohrs und der vorangehenden Schleife vorhanden ist.
- Containmentvorrichtung für reaktive Chemikalien nach Anspruch 125, wobei jede nachfolgende Schleife von stromaufwärts nach stromabwärts nacheinander einen größeren Durchmesser aufweist als die vorangehende Schleife, so dass die Verjüngung bzw. die Kegelform an dem stromaufwärts gelegenen Ende der kegelförmigen Schlange eng ist und an dem stromabwärts gelegenen Ende der kegelförmigen Schlange breit ist.
- Containmentvorrichtung für reaktive Chemikalien nach Anspruch 99, wobei der primäre Einsatz eine oder mehrere perforierte Platten in Kombination mit einer Rohrschlange enthält.
- Containmentvorrichtung für reaktive Chemikalien nach Anspruch 127, wobei die perforierten Platten stromabwärts von der Rohrschlange angeordnet sind.
- Containmentvorrichtung für reaktive Chemikalien nach Anspruch 127, wobei die perforierten Platten stromaufwärts von der Rohrschlange angeordnet sind.
- Containmentvorrichtung für reaktive Chemikalien nach Anspruch 103, wobei die sekundäre Containmentkammer konzentrisch im Inneren des zulaufenden bzw. kegelförmigen Drahtgewebes angeordnet ist.
- Containmentvorrichtung für reaktive Chemikalien nach Anspruch 130, umfassend einen sekundären Einsatz in der sekundären Containmentkammer, um Turbulenz in dem Gasfluss in der sekundären Containmentkammer zu erzeugen.
- Containmentvorrichtung für reaktive Chemikalien nach Anspruch 131, wobei der sekundäre Einsatz ein zylindrisches Element umfasst mit einem Medium umfassend eine Vielzahl beabstandeter Oberflächen, um Turbulenz in dem Gasfluss zu erzeugen.
- Containmentvorrichtung für reaktive Chemikalien nach Anspruch 132, wobei das Medium eine Rolle aus Maschengewebe umfasst.
- Containmentvorrichtung für reaktive Chemikalien nach Anspruch 132, wobei das Medium eine Vielzahl konzentrisch angeordneter zylindrischer Siebe umfasst.
- Containmentvorrichtung für reaktive Chemikalien nach Anspruch 132, wobei das Medium eine Vielzahl perforierter zylindrischer Bleche umfasst.
- Containmentvorrichtung für reaktive Chemikalien nach Anspruch 132, wobei das Medium ein geknicktes, perforiertes Blech umfasst, welches in eine zylindrische Form gefaltet und gerollt ist.
- Containmentvorrichtung für reaktive Chemikalien nach Anspruch 132, wobei das Medium eine Vielzahl länglicher Blätter aus Material umfasst, welche zu einer zylindrischen Rolle miteinander verbunden sind, wobei die Oberflächen der benachbarten Blätter winkelförmig voneinander beabstandet sind.
- Containmentsystem für reaktive Chemikalien nach Anspruch 100, wobei die sekundäre Containmentkammer der Länge nach stromabwärts von der primären Containmentkammer angeordnet ist.
- Containmentvorrichtung für reaktive Chemikalien nach Anspruch 138, umfassend einen sekundären Einsatz angeordnet in der sekundären Containmentkammer, um Turbulenz in dem Gasfluss in der sekundären Containmentkammer zu erzeugen.
- Containmentvorrichtung für reaktive Chemikalien nach Anspruch 139, wobei der sekundäre Einsatz ein zylindrisches Element umfasst mit einem Medium umfassend eine Vielzahl von beabstandeten Oberflächen, um Turbulenzen in dem Gasfluss zu erzeugen.
- Containmentvorrichtung für reaktive Chemikalien nach Anspruch 140, wobei das Medium eine Rolle Maschengewebe umfasst.
- Containmentvorrichtung für reaktive Chemikalien nach Anspruch 140, wobei das Medium eine Vielzahl konzentrisch angeordneter zylindrischer Siebe umfasst.
- Containmentvorrichtung für reaktive Chemikalien nach Anspruch 140, wobei das Medium eine Vielzahl perforierter zylindrischer Bleche umfasst.
- Containmentvorrichtung für reaktive Chemikalien nach Anspruch 140, wobei das Medium ein geknicktes perforiertes Blech umfasst, welches in eine zylindrische Form gefaltet und gerollt ist.
- Containmentvorrichtung für reaktive Chemikalien nach Anspruch 140, wobei das Medium eine Vielzahl länglicher Blätter aus Material umfasst, welche zu einer zylindrischen Rolle miteinander verbunden sind, wobei die Oberflächen der benachbarten Blätter winkelförmig voneinander beabstandet sind.
- Containmentvorrichtung für reaktive Chemikalien nach Anspruch 97, umfassend: (i) eine Diffusionsplatte in der Diffusionszone, die eine Vielzahl von Diffusionsöffnungen aufweist, die um die Diffusionsplatte in einem radialen Abstand nach außen von dem Mittelpunkt der Diffusionsplatte aus dispergiert sind; und (ii) eine reaktive Behandlungsgaseinspeisungsdüse in der Nähe der Diffusionsplatte, wobei die Diffusionsplatte zwischen der Einspritz- bzw. Einspeisdüse des reaktiven Behandlungsgases und der Vormischzone angeordnet ist, so dass das reaktive Behandlungsgas durch die Diffusionsöffnungen in der Diffusionsplatte fließen muss, um die Vormischzone zu erreichen.
- Containmentvorrichtung für reaktive Chemikalien nach Anspruch 146, wobei sich die Einspritz- bzw. Einspeisdüse des reaktiven Gases durch die Diffusionsplatte erstreckt.
- Containmentvorrichtung für reaktive Chemikalien nach Anspruch 147, wobei die Diffusionsplatte in der Vormischkammer der Länge nach stromaufwärts von dem Verfahrensgaseinlass und der Vormischzone angeordnet ist.
- Containmentvorrichtung für reaktive Chemikalien nach Anspruch 147, wobei die Diffusionsplatte konzentrisch um den Verfahrensgaseinlass angeordnet ist.
- Containmentvorrichtung für reaktive Chemikalien nach Anspruch 63, wobei die Diffusionsplatte diametral von dem Verfahrensgaseinlass quer über der Vormischkammer angeordnet ist.
- Containmentvorrichtung für reaktive Chemikalien nach Anspruch 97, umfassend einen Diffusionskanal, welcher die Vormischkammer umgibt, mit einer Vielzahl von Diffusionsöffnungen, die winklig um den Diffusionskanal dispergiert sind, um das reaktive Behandlungsgas aus dem Kanal durch die Diffusionsöffnungen in die Vormischkammer zu leiten.
- Containmentvorrichtung für reaktive Chemikalien nach Anspruch 151, wobei der Diffusionskanal der Länge nach stromaufwärts von dem Verfahrensgaseinlass angeordnet ist.
- Containmentvorrichtung für reaktive Chemikalien nach Anspruch 151, wobei der Diffusionskanal der Länge nach stromabwärts von dem Verfahrensgaseinlass angeordnet ist.
- Containmentvorrichtung für reaktive Chemikalien nach Anspruch 100, umfassend zwei Reinigungs- bzw. Ausgangsöffnungen an diametral gegenüberliegenden Seiten der primären Containmentkammer.
- Containmentvorrichtung für reaktive Chemikalien nach Anspruch 154, umfassend einen Vakuumreiniger verbunden mit einer der Reinigungs- bzw. Ausgangsöffnungen, um teilchenförmiges chemisches Reaktionsprodukt aus der primären Containmentkammer zu saugen.
- Containmentvorrichtung für reaktive Chemikalie nach Anspruch 155, umfassend Isolationsventile, angeordnet stromaufwärts von dem Verfahrensgaseinlass und stromabwärts von der sekundären Containmentkammer, welche, wenn sie für die primäre und sekundäre Containmentkammern geschlossen sind, die primären und sekundären Containmentkammern vor dem Verfahrensgasfluss abtrennen.
- Containmentvorrichtung für reaktive Chemikalien nach Anspruch 156, umfassend Reinigungs- bzw. Ausgangsventile in den Reinigungs- bzw. Ausgangsöffnungen, welche, wenn sie geöffnet sind, die primäre Containmentkammer für den Vakuumreiniger durch die eine Reinigungs- bzw. Ausgangsöffnung und für die Umgebungsatmosphäre durch die andere Reinigungs- bzw. Ausgangsöffnung öffnet.
- Containmentvorrichtung für reaktive Chemikalien nach Anspruch 157, umfassend eine Steuerung in Kommunikation mit Aktuatoren auf den Isolationsventilen, den Reinigungsventilen und dem Vakuumreiniger, welche periodisch oder auf Kommando Steuersignale für die Aktuatoren der Isolationsventile bereitstellen, um die primären und sekundären Containmentkammern von dem Verfahrensgasfluss abzutrennen, die Reinigungs- bzw. Ausgangsöffnungen für den Vakuumreiniger und die Umgebungsatmosphäre zu öffnen und den Vakuumreiniger anzustellen, um das teilchenförmige Reaktionsprodukt aus der primären Containmentkammer zu saugen.
- Containmentvorrichtung für reaktive Chemikalien nach Anspruch 100, wobei die Beziehung zwischen dem Volumen der primären Containmentkammer (V4) und dem Volumen der Vormischzone (V3) in einem Bereich von 4V3 ≤ 4V4 ≤ 10V3 liegt.
- Containmentvorrichtung für reaktive Chemikalien nach Anspruch 100, wobei die Beziehung zwischen dem Volumen der primären Containmentkammer (V4) und dem Volumen der sekundären Containmentkammer (V5) in einem Bereich von 2V5 ≤ V4 ≤ 8V5 liegt.
- Containmentvorrichtung für reaktive Chemikalien nach Anspruch 100, wobei die Beziehung zwischen dem Volumen der Vormischzone (V3) und dem Volumen der Diffusionszone (V2) V2 ≤ V3 beträgt.
- Containmentvorrichtung für reaktive Chemikalien nach Anspruch 100, wobei die Gesamtlänge (L) von der Diffusionszone zu einem Auslass aus der sekundären Containmentkammer in einem Bereich von 12''' ≤ L ≤ 72'' (30 cm ≤ L ≤ 183 cm) liegt.
- Containmentvorrichtung für eine reaktive Chemikalie nach Anspruch 100, wobei der Durchmesser des Verfahrensgaseinlasses (D1) in einem Bereich von 1'' ≤ D1 ≤ 6'' (2,5 cm ≤ D1 ≤ 15 cm) liegt.
- Containmentvorrichtung für reaktive Chemikalien nach Anspruch 100, wobei der Durchmesser der primären Containmentkammer (D4) in einem Bereich von 2'' ≤ D4 ≤ 48'' (5 cm ≤ D4 ≤ 123 cm) liegt.
- Containmentvorrichtung für reaktive Chemikalien nach Anspruch 100, wobei der Durchmesser eines Auslasses aus der sekundären Containmentkammer (D6) in einem Bereich von 1'' ≤ D6 ≤ 6'' (2,5 cm ≤ D6 ≤ 15 cm) liegt.
- Containmentvorrichtung für reaktive Chemikalien nach Anspruch 100, wobei die Beziehung zwischen dem Durchmesser einer Diffusionszone (D2) stromaufwärts von der Vormischzone und dem Durchmesser des Verfahrensgaseinlasses (D1) in einem Bereich von D1 ≤ D2 ≤ 6D1 liegt.
- Containmentvorrichtung für reaktive Chemikalien nach Anspruch 100, wobei die Beziehung zwischen dem Durchmesser der Vormischzone (D3) und dem Durchmesser des Verfahrensgaseinlasses (D1) in einem Bereich von D1 ≤ D3 ≤ 6D1 liegt.
- Containmentvorrichtung für reaktive Chemikalien nach Anspruch 100, wobei die Beziehung zwischen dem Durchmesser der primären Containmentkammer (D4) und dem Verfahrensgaseinlass (D1) in einem Bereich von 2D1 ≤ D4 ≤ 12D1 liegt.
- Containmentvorrichtung für reaktive Chemikalien nach Anspruch 100, wobei die Beziehung zwischen dem Durchmesser der sekundären Containmentkammer (D5) und dem Verfahrensgaseinlass (D1) in einem Bereich von 2D1 ≤ D5 ≤ 6D1 liegt.
- Verfahren zur Entfernung von Verfahrensgas aus einer Abgasleitung eines chemischen Dampfabscheidungssystems umfassend: Leiten des Verfahrensgases aus der Abgasleitung in eine Eingangszone einer Vormischkammer; Einspeisen eines reaktiven Behandlungsgases in eine Diffusionszone, eine Vormischkammer und Diffundieren des reaktiven Behandlungsgases in die Vormischkammer; Ermöglichen, dass sich das Verfahrensgas und das reaktive Behandlungsgas in einer Vormischzone in der Vormischkammer zu mischen beginnen, während sie in eine primäre Containmentkammer fließen; Erzeugen von Turbulenz in dem Gasfluss in der primären Containmentkammer, um das Prozessgas und das reaktive Behandlungsgas gründlich zu vermischen und die Mischung in der ganzen primären Containmentkammer zu dispergieren, um so viel des Verfahrensgases wie möglich mit dem reaktiven Behandlungsgas in der primären Containmentkammer zu reagieren; Anhäufen von fester teilchenförmigen oder pulverförmigen Reaktionsnebenprodukt in der primären Containmentkammer; Leiten des Gasflusses in eine zweite Containmentzone und Erzeugen von Turbulenzen in der sekundären Containmentzone durch gründliches Mischen des Verfahrensgases und des reaktiven Behandlungsgases und Dispergieren in der sekundären Containmentkammer, um den Rest des Verfahrensgases in dem Gasfluss mit dem reaktiven Behandlungsgas zu reagieren; Anhäufen von festem teilchenförmigen oder pulverförmigen Reaktionsnebenprodukt in der sekundären Containmentkammer; und Ermöglichen, dass der Gasfluss die sekundäre Reaktionszone in einer stromabwärts angeordneten Abgasleitung verlässt.
- Verfahren nach Anspruch 170, wobei die Beziehung zwischen dem Volumen einer primären Containmentkammer (V4) und dem Volumen der Vormischkammer (V3) in einem Verhältnis von 4V3 ≤ V4 ≤ 10V3 liegt.
- Verfahren nach Anspruch 170, wobei die Beziehung zwischen dem Volumen der primären Containmentkammer (V4) und dem Volumen der sekundären Containmentkammer (V5) in einem Bereich von 2V5 ≤ V4 ≤ 8V5 liegt.
- Verfahren nach Anspruch 170, wobei die Beziehung zwischen dem Volumen der Vormischkammer (V3) und dem Volumen der Diffusionszone (V2) V2 ≤ V3 beträgt.
- Verfahren nach Anspruch 170, wobei die Gesamtlänge (
1 ) von der Diffusionszone zu einem Auslass von der sekundären Containmentkammer in einem Bereich von 12'' ≤ L ≤ 72'' (30 cm ≤ L ≤ 183 cm) liegt. - Verfahren nach Anspruch 170, wobei der Durchmesser eines Verfahrensgaseinlasses in die Vormischkammer (D1) in einem Bereich von 1'' ≤ D1 ≤ 6'' (2,5 cm ≤ D1 ≤ 15 cm) liegt.
- Verfahren nach Anspruch 170, wobei der Durchmesser der primären Containment (D4) in einem Bereich von 2'' ≤ D4 ≤ 48'' (5 cm ≤ D4 ≤ 123 cm) liegt.
- Verfahren nach Anspruch 170, wobei der Durchmesser eines Auslasses von der sekundären Containmentkammer (D6) in einem Bereich von 1'' ≤ D6 < 6'' (2,5 cm ≤ D6 ≤ 15 cm) liegt.
- Verfahren nach Anspruch 170, wobei die Beziehung zwischen dem Durchmesser der Diffusionszone (D2) und dem Durchmesser eines Verfahrensgaseinlasses in eine Vormischkammer (D1) in einem Bereich von D1 ≤ D2 ≤ 6D1 liegt.
- Verfahren nach Anspruch 170, wobei die Beziehung zwischen dem Durchmesser der Vormischkammer (D3) und dem Durchmesser eines Verfahrensgaseinlasses in die Vormischkammer (D1) in einem Bereich von D1 ≤ D3 ≤ 6D1 liegt.
- Verfahren nach Anspruch 170, wobei die Beziehung zwischen dem Durchmesser der primären Containmentkammer (D4) und dem Durchmesser eines Verfahrensgaseinlasses in die Vormischkammer (D1) in einem Bereich von 2D1 ≤ D4 ≤ 12D1 liegt.
- Verfahren nach Anspruch 170, wobei die Beziehung zwischen dem Durchmesser der sekundären Containmentkammer (D5) und dem Durchmesser eines Verfahrensgaseinlasses in die Vormischkammer (D1) in einem Bereich von 2D1 ≤ D5 ≤ 6D1 liegt.
- Verfahren nach Anspruch 170, umfassend das Erzeugen von Turbulenz in der primären Containmentkammer, indem die Mischung des Verfahrensgases und des reaktiven Behandlungsgases durch ein Medium geleitet wird, welches eine große Oberfläche aufweist und einen gewundenen Weg für den Gasfluss durch das Medium erzeugt, welcher ausreichend ist, um Turbulenz in dem Gasfluss zu erzeugen.
- Verfahren nach Anspruch 182, wobei das Medium Drahtgewebe umfasst.
- Verfahren nach Anspruch 183, wobei das Drahtgewebe in einer zulaufenden bzw. kegelförmigen Anordnung geformt ist.
- Verfahren nach Anspruch 184, wobei die kegelförmige bzw. zulaufende Anordnung an dem vorderen oder stromaufwärts angeordneten Ende enger ist, als an dem hinteren oder stromabwärts gelegenen Ende.
- Verfahren nach Anspruch 185, wobei die zulaufende bzw. kegelförmige Anordnung zwei oder mehr zylindrische Gewebebestandteile mit unterschiedlichen Durchmessern umfasst, welche in zylindrischen Gewebestufen zusammen gestapelt werden.
- Verfahren nach Anspruch 184, wobei das Medium eine Vielzahl von perforierten Platten umfasst, welche voneinander beabstandet in dem Flussweg der Gasmischung in der primären Containmentkammer angeordnet sind.
- Verfahren nach Anspruch 187, wobei die Perforationen in der stromaufwärts angeordneten Platte größer sind und nacheinander in den nacheinander stromabwärts folgenden Platten kleiner sind.
- Verfahren nach Anspruch 188, wobei die Perforationen in den stromabwärts gelegenen Platten sich nicht mit den Perforationen in den Platten, die unmittelbar stromaufwärts von diesen liegen, ausgerichtet sind.
- Verfahren nach Anspruch 187, wobei die perforierten konischen Platten flach sind.
- Verfahren nach Anspruch 187, wobei die perforierten konischen Platten kegel- bzw. konusförmig sind.
- Verfahren nach Anspruch 191, wobei die nacheinander stromabwärts angeordneten konischen perforierten Platten einen größeren Durchmesser aufweisen als die jeweils unmittelbar stromaufwärts angeordneten konischen Platten.
- Verfahren nach Anspruch 170, umfassend periodisches oder intervallweises Abtrennen der primären und sekundären Reaktionskammern von dem Verfahrensgasfluss und Aussaugen des festen, teilchenförmigen oder pulverförmigen Reaktionsnebenproduktes, welches in der primären Containmentkammer angehäuft ist.
- Verfahren nach Anspruch 170, umfassend das Reagieren des Verfahrensgases mit dem reaktiven Behandlungsgas in einer Weise ohne Verbrennung.
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| US8241596B2 (en) * | 2010-12-31 | 2012-08-14 | Mks Instruments, Inc. | High-efficiency, hot trap apparatus and method |
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| US10854498B2 (en) | 2011-07-15 | 2020-12-01 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer-supporting device and method for producing same |
| US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
| US9017481B1 (en) | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
| SG11201402516QA (en) * | 2011-12-20 | 2014-10-30 | Exxonmobil Chem Patents Inc | Mixer/flow distributors |
| US9322549B2 (en) | 2011-12-20 | 2016-04-26 | Exxonmobil Chemical Patents Inc. | Mixer/flow distributors |
| US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
| US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
| DE102013101706A1 (de) | 2013-02-21 | 2014-09-04 | Aixtron Se | CVD-Vorrichtung sowie Verfahren zum Reinigen einer Prozesskammer einer CVD-Vorrichtung |
| US9327252B2 (en) * | 2013-03-15 | 2016-05-03 | Applied Materials, Inc. | Compact device for enhancing the mixing of gaseous species |
| JP6289859B2 (ja) * | 2013-10-21 | 2018-03-07 | 東京エレクトロン株式会社 | トラップ装置及び基板処理装置 |
| US10683571B2 (en) | 2014-02-25 | 2020-06-16 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same |
| US10167557B2 (en) | 2014-03-18 | 2019-01-01 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same |
| US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
| US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
| US9890456B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
| US9657845B2 (en) | 2014-10-07 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Variable conductance gas distribution apparatus and method |
| US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
| US10927457B2 (en) * | 2015-03-04 | 2021-02-23 | Toshiba Memory Corporation | Semiconductor manufacturing apparatus |
| US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
| US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
| US10600673B2 (en) | 2015-07-07 | 2020-03-24 | Asm Ip Holding B.V. | Magnetic susceptor to baseplate seal |
| US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
| US10322384B2 (en) * | 2015-11-09 | 2019-06-18 | Asm Ip Holding B.V. | Counter flow mixer for process chamber |
| US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
| US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
| JP6628653B2 (ja) * | 2016-03-17 | 2020-01-15 | 東京エレクトロン株式会社 | トラップ装置及びこれを用いた排気系、並びに基板処理装置 |
| US10343920B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Aligned carbon nanotubes |
| US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
| US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
| US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
| US10032628B2 (en) | 2016-05-02 | 2018-07-24 | Asm Ip Holding B.V. | Source/drain performance through conformal solid state doping |
| US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
| US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
| US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
| US10714385B2 (en) | 2016-07-19 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of tungsten |
| US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
| US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
| US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
| US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| US10643904B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures |
| US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| US10134757B2 (en) | 2016-11-07 | 2018-11-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method |
| KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
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| US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
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| US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
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| US10655221B2 (en) | 2017-02-09 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD |
| US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| USD876504S1 (en) | 2017-04-03 | 2020-02-25 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust flow control ring for semiconductor deposition apparatus |
| KR102457289B1 (ko) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| KR101938149B1 (ko) * | 2017-05-12 | 2019-01-15 | 주식회사 파나시아 | 확산수단을 가진 배기가스 처리장치 |
| US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
| US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
| US10685834B2 (en) | 2017-07-05 | 2020-06-16 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures |
| US10712005B2 (en) | 2017-07-14 | 2020-07-14 | Goodrich Corporation | Ceramic matrix composite manufacturing |
| KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
| US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
| TWI815813B (zh) | 2017-08-04 | 2023-09-21 | 荷蘭商Asm智慧財產控股公司 | 用於分配反應腔內氣體的噴頭總成 |
| US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
| US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
| US10249524B2 (en) | 2017-08-09 | 2019-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly |
| US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| USD900036S1 (en) | 2017-08-24 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Heater electrical connector and adapter |
| US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
| US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| KR102401446B1 (ko) | 2017-08-31 | 2022-05-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US10480065B2 (en) * | 2017-09-19 | 2019-11-19 | Goodrich Corporation | Gas distribution for chemical vapor deposition/infiltration |
| KR102630301B1 (ko) | 2017-09-21 | 2024-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치 |
| US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
| US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
| US10319588B2 (en) | 2017-10-10 | 2019-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition |
| US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
| KR102443047B1 (ko) | 2017-11-16 | 2022-09-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
| US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
| US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
| TWI779134B (zh) | 2017-11-27 | 2022-10-01 | 荷蘭商Asm智慧財產控股私人有限公司 | 用於儲存晶圓匣的儲存裝置及批爐總成 |
| JP7206265B2 (ja) | 2017-11-27 | 2023-01-17 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置 |
| US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
| WO2019142055A2 (en) | 2018-01-19 | 2019-07-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition |
| TWI852426B (zh) | 2018-01-19 | 2024-08-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 沈積方法 |
| USD903477S1 (en) | 2018-01-24 | 2020-12-01 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal clamp |
| US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
| USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
| US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
| WO2019158960A1 (en) | 2018-02-14 | 2019-08-22 | Asm Ip Holding B.V. | A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
| US10658181B2 (en) | 2018-02-20 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication |
| KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
| US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
| US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
| US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
| US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
| KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
| US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
| US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| KR102501472B1 (ko) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
| KR102600229B1 (ko) | 2018-04-09 | 2023-11-10 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| TWI843623B (zh) | 2018-05-08 | 2024-05-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構 |
| US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
| US12272527B2 (en) | 2018-05-09 | 2025-04-08 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same |
| KR20190129718A (ko) | 2018-05-11 | 2019-11-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조 |
| JP7085898B2 (ja) | 2018-05-25 | 2022-06-17 | 東京エレクトロン株式会社 | ラジカル失活部品及びこれを用いたプラズマ処理装置 |
| KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
| GB2574248B (en) * | 2018-05-31 | 2021-03-03 | Edwards Ltd | Foreline for a vacuum pump |
| US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
| TWI840362B (zh) | 2018-06-04 | 2024-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 水氣降低的晶圓處置腔室 |
| US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
| KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
| US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
| JP7674105B2 (ja) | 2018-06-27 | 2025-05-09 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法 |
| CN112292477A (zh) | 2018-06-27 | 2021-01-29 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构 |
| KR102686758B1 (ko) | 2018-06-29 | 2024-07-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
| US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
| US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
| US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
| US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
| US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| KR102707956B1 (ko) | 2018-09-11 | 2024-09-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
| US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
| CN110970344B (zh) | 2018-10-01 | 2024-10-25 | Asmip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
| US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
| US10847365B2 (en) | 2018-10-11 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD |
| US10811256B2 (en) | 2018-10-16 | 2020-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for etching a carbon-containing feature |
| KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
| US12378665B2 (en) | 2018-10-26 | 2025-08-05 | Asm Ip Holding B.V. | High temperature coatings for a preclean and etch apparatus and related methods |
| US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| KR102748291B1 (ko) | 2018-11-02 | 2024-12-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
| US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
| US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
| US10559458B1 (en) | 2018-11-26 | 2020-02-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming oxynitride film |
| US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
| KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
| US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| JP7504584B2 (ja) | 2018-12-14 | 2024-06-24 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
| TWI866480B (zh) | 2019-01-17 | 2024-12-11 | 荷蘭商Asm Ip 私人控股有限公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
| KR102727227B1 (ko) | 2019-01-22 | 2024-11-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
| KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
| JP7603377B2 (ja) | 2019-02-20 | 2024-12-20 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置 |
| KR20200102357A (ko) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법 |
| JP7509548B2 (ja) | 2019-02-20 | 2024-07-02 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置 |
| TWI842826B (zh) | 2019-02-22 | 2024-05-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
| US11742198B2 (en) | 2019-03-08 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOCN layer and method of forming same |
| KR102782593B1 (ko) | 2019-03-08 | 2025-03-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
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| JP2020167398A (ja) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置 |
| KR102809999B1 (ko) | 2019-04-01 | 2025-05-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
| US11447864B2 (en) | 2019-04-19 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
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| JP7612342B2 (ja) | 2019-05-16 | 2025-01-14 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
| JP7598201B2 (ja) | 2019-05-16 | 2024-12-11 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
| USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
| USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
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| US12252785B2 (en) | 2019-06-10 | 2025-03-18 | Asm Ip Holding B.V. | Method for cleaning quartz epitaxial chambers |
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| USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
| USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
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| JP7499079B2 (ja) | 2019-07-09 | 2024-06-13 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
| CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
| KR102895115B1 (ko) | 2019-07-16 | 2025-12-03 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
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| US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
| TWI839544B (zh) | 2019-07-19 | 2024-04-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法 |
| KR102903090B1 (ko) | 2019-07-19 | 2025-12-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법 |
| CN112309843B (zh) | 2019-07-29 | 2026-01-23 | Asmip私人控股有限公司 | 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法 |
| CN112309899B (zh) | 2019-07-30 | 2025-11-14 | Asmip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN112309900B (zh) | 2019-07-30 | 2025-11-04 | Asmip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| US12169361B2 (en) | 2019-07-30 | 2024-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| CN118422165A (zh) | 2019-08-05 | 2024-08-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于化学源容器的液位传感器 |
| KR102226528B1 (ko) * | 2019-08-08 | 2021-03-11 | 주식회사 미래보 | 반도체 공정의 반응부산물 포집장치 |
| CN112342526A (zh) | 2019-08-09 | 2021-02-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 包括冷却装置的加热器组件及其使用方法 |
| USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
| US11639548B2 (en) | 2019-08-21 | 2023-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Film-forming material mixed-gas forming device and film forming device |
| USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
| KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
| USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
| USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
| USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
| US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
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| KR102733104B1 (ko) | 2019-09-05 | 2024-11-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US12469693B2 (en) | 2019-09-17 | 2025-11-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a carbon-containing layer and structure including the layer |
| US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
| KR20210042810A (ko) | 2019-10-08 | 2021-04-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
| TW202128273A (zh) | 2019-10-08 | 2021-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氣體注入系統、及將材料沉積於反應室內之基板表面上的方法 |
| TWI846953B (zh) | 2019-10-08 | 2024-07-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理裝置 |
| KR102879443B1 (ko) | 2019-10-10 | 2025-11-03 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체 |
| US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
| TWI834919B (zh) | 2019-10-16 | 2024-03-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 |
| US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
| KR102845724B1 (ko) | 2019-10-21 | 2025-08-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
| KR20210050453A (ko) | 2019-10-25 | 2021-05-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
| US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
| KR102890638B1 (ko) | 2019-11-05 | 2025-11-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
| US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
| KR102861314B1 (ko) | 2019-11-20 | 2025-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
| CN112951697B (zh) | 2019-11-26 | 2025-07-29 | Asmip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| KR20210065848A (ko) | 2019-11-26 | 2021-06-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법 |
| CN120998766A (zh) | 2019-11-29 | 2025-11-21 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN112885693B (zh) | 2019-11-29 | 2025-06-10 | Asmip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| JP7527928B2 (ja) | 2019-12-02 | 2024-08-05 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基板処理装置、基板処理方法 |
| KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11885013B2 (en) | 2019-12-17 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer |
| US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
| TWI887322B (zh) | 2020-01-06 | 2025-06-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 反應器系統、抬升銷、及處理方法 |
| TWI901623B (zh) | 2020-01-06 | 2025-10-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氣體供應總成以及閥板總成 |
| US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
| KR102882467B1 (ko) | 2020-01-16 | 2025-11-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고 종횡비 피처를 형성하는 방법 |
| KR102675856B1 (ko) | 2020-01-20 | 2024-06-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
| TWI889744B (zh) | 2020-01-29 | 2025-07-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 污染物捕集系統、及擋板堆疊 |
| TW202513845A (zh) | 2020-02-03 | 2025-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 半導體裝置結構及其形成方法 |
| KR20210100010A (ko) | 2020-02-04 | 2021-08-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치 |
| US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
| KR20210103953A (ko) | 2020-02-13 | 2021-08-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 가스 분배 어셈블리 및 이를 사용하는 방법 |
| CN113257655A (zh) | 2020-02-13 | 2021-08-13 | Asm Ip私人控股有限公司 | 包括光接收装置的基板处理设备和光接收装置的校准方法 |
| US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
| TWI895326B (zh) | 2020-02-28 | 2025-09-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 專用於零件清潔的系統 |
| TW202139347A (zh) | 2020-03-04 | 2021-10-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 反應器系統、對準夾具、及對準方法 |
| US11876356B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Lockout tagout assembly and system and method of using same |
| KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
| CN113394086A (zh) | 2020-03-12 | 2021-09-14 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法 |
| US12173404B2 (en) | 2020-03-17 | 2024-12-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method |
| KR102755229B1 (ko) | 2020-04-02 | 2025-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
| TWI887376B (zh) | 2020-04-03 | 2025-06-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 半導體裝置的製造方法 |
| TWI888525B (zh) | 2020-04-08 | 2025-07-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
| US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
| KR20210128343A (ko) | 2020-04-15 | 2021-10-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조 |
| US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
| KR102901748B1 (ko) | 2020-04-21 | 2025-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판을 처리하기 위한 방법 |
| TWI887400B (zh) | 2020-04-24 | 2025-06-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於穩定釩化合物之方法及設備 |
| TW202208671A (zh) | 2020-04-24 | 2022-03-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括硼化釩及磷化釩層的結構之方法 |
| KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
| KR102866804B1 (ko) | 2020-04-24 | 2025-09-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리 |
| KR20210132576A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조 |
| KR102783898B1 (ko) | 2020-04-29 | 2025-03-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
| KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
| JP7726664B2 (ja) | 2020-05-04 | 2025-08-20 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基板を処理するための基板処理システム |
| JP7736446B2 (ja) | 2020-05-07 | 2025-09-09 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同調回路を備える反応器システム |
| KR102788543B1 (ko) | 2020-05-13 | 2025-03-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
| TW202146699A (zh) | 2020-05-15 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統 |
| KR102905441B1 (ko) | 2020-05-19 | 2025-12-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| KR20210145079A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판을 처리하기 위한 플랜지 및 장치 |
| KR102795476B1 (ko) | 2020-05-21 | 2025-04-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
| KR102702526B1 (ko) | 2020-05-22 | 2024-09-03 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치 |
| TW202212650A (zh) | 2020-05-26 | 2022-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 沉積含硼及鎵的矽鍺層之方法 |
| TWI876048B (zh) | 2020-05-29 | 2025-03-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| TW202212620A (zh) | 2020-06-02 | 2022-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法 |
| KR20210156219A (ko) | 2020-06-16 | 2021-12-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 붕소를 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법 |
| CN113838794B (zh) | 2020-06-24 | 2024-09-27 | Asmip私人控股有限公司 | 用于形成设置有硅的层的方法 |
| TWI873359B (zh) | 2020-06-30 | 2025-02-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| TWI896694B (zh) | 2020-07-01 | 2025-09-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 沉積方法、半導體結構、及沉積系統 |
| TW202202649A (zh) | 2020-07-08 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| KR20220010438A (ko) | 2020-07-17 | 2022-01-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법 |
| KR20220011092A (ko) | 2020-07-20 | 2022-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 전이 금속층을 포함하는 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
| TWI878570B (zh) | 2020-07-20 | 2025-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
| US12322591B2 (en) | 2020-07-27 | 2025-06-03 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film deposition process |
| KR20220020210A (ko) | 2020-08-11 | 2022-02-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 티타늄 알루미늄 카바이드 막 구조체 및 관련 반도체 구조체를 증착하는 방법 |
| TWI893183B (zh) | 2020-08-14 | 2025-08-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理方法 |
| US12040177B2 (en) | 2020-08-18 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes |
| KR20220026500A (ko) | 2020-08-25 | 2022-03-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면을 세정하는 방법 |
| KR102855073B1 (ko) | 2020-08-26 | 2025-09-03 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
| KR20220027772A (ko) | 2020-08-27 | 2022-03-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다중 패터닝 공정을 사용하여 패터닝된 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
| KR20220033997A (ko) | 2020-09-10 | 2022-03-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 갭 충진 유체를 증착하기 위한 방법 그리고 이와 관련된 시스템 및 장치 |
| USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
| KR20220036866A (ko) | 2020-09-16 | 2022-03-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 산화물 증착 방법 |
| USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
| TWI889903B (zh) | 2020-09-25 | 2025-07-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
| KR20220045900A (ko) | 2020-10-06 | 2022-04-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치 |
| CN114293174A (zh) | 2020-10-07 | 2022-04-08 | Asm Ip私人控股有限公司 | 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备 |
| TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
| KR102873665B1 (ko) | 2020-10-15 | 2025-10-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자의 제조 방법, 및 ether-cat을 사용하는 기판 처리 장치 |
| KR20220053482A (ko) | 2020-10-22 | 2022-04-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리 |
| TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
| TW202229620A (zh) | 2020-11-12 | 2022-08-01 | 特文特大學 | 沉積系統、用於控制反應條件之方法、沉積方法 |
| TW202229795A (zh) | 2020-11-23 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 具注入器之基板處理設備 |
| TW202235649A (zh) | 2020-11-24 | 2022-09-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 填充間隙之方法與相關之系統及裝置 |
| KR20220076343A (ko) | 2020-11-30 | 2022-06-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터 |
| US12060637B2 (en) * | 2020-12-01 | 2024-08-13 | Applied Materials, Inc. | Actively cooled foreline trap to reduce throttle valve drift |
| US12255053B2 (en) | 2020-12-10 | 2025-03-18 | Asm Ip Holding B.V. | Methods and systems for depositing a layer |
| TW202233884A (zh) | 2020-12-14 | 2022-09-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成臨限電壓控制用之結構的方法 |
| US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
| TW202232639A (zh) | 2020-12-18 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 具有可旋轉台的晶圓處理設備 |
| TW202242184A (zh) | 2020-12-22 | 2022-11-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 前驅物膠囊、前驅物容器、氣相沉積總成、及將固態前驅物裝載至前驅物容器中之方法 |
| TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
| TW202226899A (zh) | 2020-12-22 | 2022-07-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 具匹配器的電漿處理裝置 |
| CN112853310B (zh) * | 2021-01-08 | 2022-03-22 | 西南科技大学 | 一种金属有机化学气相沉淀设备 |
| USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
| USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
| USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
| USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
| KR102508977B1 (ko) * | 2021-06-24 | 2023-03-14 | 주식회사 미래보 | 에칭 공정 시 발생하는 반응부산물 포집장치 |
| USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
| USD1099184S1 (en) | 2021-11-29 | 2025-10-21 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
| USD1060598S1 (en) | 2021-12-03 | 2025-02-04 | Asm Ip Holding B.V. | Split showerhead cover |
| KR20230126069A (ko) * | 2022-02-22 | 2023-08-29 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 제조장치 |
| KR102739440B1 (ko) * | 2022-03-04 | 2024-12-06 | 주식회사 미래보 | 가스 흐름 유도를 통해 포집가용 영역 확장이 가능한 반응부산물 포집장치 |
| WO2024077123A1 (en) * | 2022-10-07 | 2024-04-11 | ExxonMobil Technology and Engineering Company | Reverse flow reactor with mixer |
| US12005389B1 (en) * | 2023-10-02 | 2024-06-11 | Globalfoundries U.S. Inc. | Retrofittable dry media abatement reactor |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6086838A (en) | 1998-12-17 | 2000-07-11 | Morgan; Vernon E. | Removal of silane from gas streams |
| US6197119B1 (en) | 1999-02-18 | 2001-03-06 | Mks Instruments, Inc. | Method and apparatus for controlling polymerized teos build-up in vacuum pump lines |
| US6576573B2 (en) | 2001-02-09 | 2003-06-10 | Advanced Technology Materials, Inc. | Atmospheric pressure plasma enhanced abatement of semiconductor process effluent species |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4029636A (en) * | 1974-11-12 | 1977-06-14 | Celanese Corporation | Method for reducing molybdenum trioxide content of gases issuing from reactors containing molybdenum-based catalysts |
| US4544350A (en) * | 1982-10-27 | 1985-10-01 | Vista Chemical Company | Burner apparatus for simultaneously incinerating liquid, dry gas and wet gas streams |
| US4555389A (en) * | 1984-04-27 | 1985-11-26 | Toyo Sanso Co., Ltd. | Method of and apparatus for burning exhaust gases containing gaseous silane |
| US5009065A (en) * | 1988-08-15 | 1991-04-23 | Arvin Industries, Inc. | Tuned exhaust processor assembly |
| JPH02207820A (ja) * | 1989-02-06 | 1990-08-17 | Kubota Ltd | 焼却炉排ガスの処理方法 |
| US5271908A (en) * | 1992-04-07 | 1993-12-21 | Intel Corporation | Pyrophoric gas neutralization chamber |
| JPH06185340A (ja) * | 1992-12-17 | 1994-07-05 | Tadao Morita | 内燃機関用排気ガス浄化装置 |
| US6432372B2 (en) * | 1993-09-28 | 2002-08-13 | John C. Schumacher | Method and apparatus for preventing reactive vapor backstreaming and backstreaming induced deposition |
| US5510093A (en) * | 1994-07-25 | 1996-04-23 | Alzeta Corporation | Combustive destruction of halogenated compounds |
| US5707410A (en) * | 1995-10-24 | 1998-01-13 | Northrup Grumman Corporation | Exhaust stack scrubber |
| DK0817905T3 (da) * | 1996-01-22 | 2002-03-11 | Inst Francais Du Petrole | Udskiller til forbrænding i udstødningen fra benzin- eller diselmotorer og tilhørende fremgangsmåde |
| TW342436B (en) * | 1996-08-14 | 1998-10-11 | Nippon Oxygen Co Ltd | Combustion type harm removal apparatus (1) |
| US5779991A (en) * | 1996-11-12 | 1998-07-14 | Eastern Digital Inc. | Apparatus for destroying hazardous compounds in a gas stream |
| US6030585A (en) * | 1998-03-30 | 2000-02-29 | Innovative Engineering Solutions, Inc. | Apparatus for oxidizing and removing matter from a hazardous gas flow |
| US6238514B1 (en) * | 1999-02-18 | 2001-05-29 | Mks Instruments, Inc. | Apparatus and method for removing condensable aluminum vapor from aluminum etch effluent |
| EP1060788A1 (de) * | 1999-06-15 | 2000-12-20 | Methanol Casale S.A. | Isothermer katalytischer Reaktor für exotherme oder endotherme heterogene Reaktionen |
| US6922891B1 (en) * | 2000-10-30 | 2005-08-02 | Robert J. Marino, Jr. | Method of manufacturing a catalytic converter |
| MD2522G2 (ro) * | 2002-11-05 | 2005-02-28 | Государственный Университет Молд0 | Procedeu şi instalaţie de epurare a gazelor de eşapament |
| JP4211467B2 (ja) * | 2003-04-16 | 2009-01-21 | 株式会社日立製作所 | 触媒式排ガス処理装置及び排ガス処理方法 |
| US7790129B2 (en) * | 2005-07-29 | 2010-09-07 | Lord Ltd., Lp | Set of processes for removing impurities from a silcon production facility |
-
2009
- 2009-12-22 DE DE112009003819T patent/DE112009003819T5/de not_active Ceased
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- 2009-12-23 TW TW098144399A patent/TWI519337B/zh active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6086838A (en) | 1998-12-17 | 2000-07-11 | Morgan; Vernon E. | Removal of silane from gas streams |
| US6197119B1 (en) | 1999-02-18 | 2001-03-06 | Mks Instruments, Inc. | Method and apparatus for controlling polymerized teos build-up in vacuum pump lines |
| US6576573B2 (en) | 2001-02-09 | 2003-06-10 | Advanced Technology Materials, Inc. | Atmospheric pressure plasma enhanced abatement of semiconductor process effluent species |
Also Published As
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