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DE1115299B - Elektronische Schaltungsanordnung zum Durchschalten eines Wechselstromes - Google Patents

Elektronische Schaltungsanordnung zum Durchschalten eines Wechselstromes

Info

Publication number
DE1115299B
DE1115299B DEM38115A DEM0038115A DE1115299B DE 1115299 B DE1115299 B DE 1115299B DE M38115 A DEM38115 A DE M38115A DE M0038115 A DEM0038115 A DE M0038115A DE 1115299 B DE1115299 B DE 1115299B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
alternating current
switching
circuit arrangement
electronic circuit
diodes
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DEM38115A
Other languages
English (en)
Inventor
Heinrich Lankes
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Friedrich Merk Telefonbau GmbH
Original Assignee
Friedrich Merk Telefonbau GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Friedrich Merk Telefonbau GmbH filed Critical Friedrich Merk Telefonbau GmbH
Priority to DEM38115A priority Critical patent/DE1115299B/de
Publication of DE1115299B publication Critical patent/DE1115299B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/60Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors
    • H03K17/68Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors specially adapted for switching AC currents or voltages
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04MTELEPHONIC COMMUNICATION
    • H04M19/00Current supply arrangements for telephone systems
    • H04M19/02Current supply arrangements for telephone systems providing ringing current or supervisory tones, e.g. dialling tone or busy tone

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Rectifiers (AREA)

Description

  • Elektronische Schaltungsanordnung zum Durchschalten eines Wechselstromes Es ist bereits bekannt, Wechselstromleistungen in der Weise elektronisch zu einem Verbraucher durchzuschalten, daß in die beiden Adern einer übertragungsleitung, welche an beiden Enden durch QuerindÜktivitäten abgeschlossen ist, je eine Diode eingeschaltet ist, deren Arbeitspunkt durch Anlegen von Gleichspannung in den Durchlaß- oder Sperrbereich verlegt werden kann. Dabei muß im Sperrbereich die Gleichspannung größer als die Amplitude der Wechselspannung und im Durchlaßbereich der Gleichstrom größer als die Amplitude des Wechselstromes sein. Dies ist bei größeren Leistungen ein Nachteil. Es ist bereits vorgeschlagen worden, größere Wechselstromleistungen mittels zweier durch übertrager abgeschlossener Schaltleitungen dadurch durchzuschalten, daß eine die Mittelanzapfungen der Sekundärwicklung des ersten übertragers und der Primärwicklung des zweiten Übertragers verbindende Leitung einen Schalter enthält, welcher bei Schließung für jede der beiden Halbwellen des Wechselstromes einen besonderen Stromweg über eine der Dioden in Durchlaßrichtung bildet. Eine solche Anordnung vermeidet die zusätzliche Beanspruchung der Dioden durch Gleichstrom bzw. Gleichspannung und die Notwendigkeit, auf der Gleichstromseite hohe Leistungen zu schalten.
  • Die Erfindung bezweckt, ebenfalls eine Gleichstromsteuerung beim Durchschalten von Wechselstromleistungen zu vermeiden, und erreicht dies dadurch, daß in einer Schaltungsanordnung zum Durchschalten eines Wechselstromes zu einem Verbraucher mittels zweier je durch eine Querinduktivität abgeschlossener Schaltleitungen, wobei in die die beiden Querinduktivitäten verbindenden Leitungen Dioden gleicher Polung geschaltet sind, welche je eine Halbwelle des Wechselstromes durchlassen, die Querinduktivitäten als Drosseln ausgebildet sind, deren Mittelanzapfungen über einen Schalttransistor miteinander verbunden werden können, welcher im leitfähigen Zustand für jede der beiden Halbwellen des Wechselstromes einen Stromweg über eine der Dioden in Durchlaßrichtung bildet.
  • Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in der Zeichnung dargestellt. Diese zeigt eine Schaltungsanordnung zum Durchschalten einer Leitung L1 auf eine Leitung L 2 mittels eines Transistors Tr und zweier Dioden Gr 1 und Gr 2. Die Leitung L 1, welche Wechselstrom führt, ist durch eine Drossel Dr 1 ab- geschlossen. Die Leitung L 2, an der ein Verbraucher liegt, ist ebenfalls durch eine Drossel Dr2 abgeschlossen. In die beiden Leitungsäste, welche zwischen den Endpunkten der beiden Drosseln Dr 1 und Dr 2 verlaufen, liegt je ein Gleichrichter Grl bzw. Gr2. Beide Gleichrichter sind im gleichen Sinne gepolt, so daß jeder der Gleichrichter für eine Halbwelle des Wechselstromes sperrt.
  • Beide Drosseln Dr 1 und Dr 2 sind in der Mitte ihrer Wicklung angezapft. An die Mittelanzapfungen sind die Emitter- und Kollektor-Elektrode eines Transistors Ti- angeschlossen. Die Basis des Transistors kann über einen Schalter S an positive oder negative Spannung angeschaltet werden. Je nach der Stellung des Kontaktes S wird die Emitter-Kollektor-Strecke des Transistors Tr 1 stromleitend oder nichtstromleitend. Ist die Strecke stromleitend, dann bildet sie einen Strompfad für beide Halbwellen des durchzuschaltenden Wechselstromes. Die eine Halbwelle verläuft über die Diode Dr 1 in Durchlaßrichtung, während die andere Hälfte über die Diode Dr 2 in Durchlaßrichtung fließt.

Claims (1)

  1. PA T r_. N TA N s P R u CH: Schaltungsanordnung zum Durchschalten eines Wechselstromes zu einem Verbraucher mittels zweier je durch eine Querinduktivität abgeschlossener Schaltleitungen, wobei in die die beiden Querinduktivitäten verbindenden Leitungen Dioden gleicher Polung geschaltet sind, welche je eine Halbwelle des Wechselstromes durchlassen, da- durch gekennzeichnet, daß die Querinduktivitäten als Drosseln (Dr 1, Dr 2) ausgebildet sind, deren Mittelanzapfungen über einen Schalttransistor (Tr) miteinander verbunden werden können, welcher im leitfähigen Zustand für jede der beiden Halbwellen des Wechselstromes einen Stromweg über eine der Dioden in Durchlaßrichtung bildet. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Auslegeschrift Nr.1094 298; USA.-Patentschrift Nr. 2 443195.
DEM38115A 1958-07-01 1958-07-01 Elektronische Schaltungsanordnung zum Durchschalten eines Wechselstromes Pending DE1115299B (de)

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Publications (1)

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DE1115299B true DE1115299B (de) 1961-10-19

Family

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DE (1) DE1115299B (de)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2443195A (en) * 1943-10-15 1948-06-15 Sperry Corp Electronic circuit
DE1094298B (de) * 1957-08-30 1960-12-08 Licentia Gmbh Schaltungsanordnung zum Durchschalten eines Wechselstromes zu einem Verbraucher

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2443195A (en) * 1943-10-15 1948-06-15 Sperry Corp Electronic circuit
DE1094298B (de) * 1957-08-30 1960-12-08 Licentia Gmbh Schaltungsanordnung zum Durchschalten eines Wechselstromes zu einem Verbraucher

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