DE1185826B - Method for producing a semiconductor crystal - Google Patents
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Description
Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterkristalls Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterkristalls durch Kristallisation von Halbleitermaterial aus einer Schmelze, welche nur mit dem wachsenden stabförmigen Halbleiterkristall und einem schmelzenden stabförmigen Halbleiterkörper in Berührung steht und durch ihre Oberflächenspannung zusammengehalten wird. Halbleiterkristalle, die nach dem Verfahren gemäß der Erfindung hergestellt werden, können in elektrisch unsymmetrisch leitenden Systemen, insbesondere in ungesteuerten und gesteuerten Halbleiteranordnungen Verwendung finden. Sie eignen sich besonders in Form von Einkristallen für gesteuerte Trockengleichrichter, deren Steuerung durch Licht, Wärme, elektrische oden'und magnetische Felder bewirkt wird, sowie für ungesteuerte Trockengleichrichter.Method of making a semiconductor crystal The invention relates to a method for producing a semiconductor crystal by crystallization of semiconductor material from a melt, which only grows with the rod-shaped Semiconductor crystal and a melting rod-shaped semiconductor body in contact and is held together by their surface tension. Semiconductor crystals, which are produced by the method according to the invention can be in electrical asymmetrically conductive systems, especially in uncontrolled and controlled Find semiconductor arrangements use. They are particularly suitable in the form of single crystals for controlled dry rectifiers, their control by light, heat, electrical oden'und magnetic fields is effected, as well as for uncontrolled dry rectifiers.
Halbleiterkristalle können bekanntlich durch Ziehen aus der Schmelze erhalten werden. Jedoch kommt die flüssige Halbleitersubstanz dabei mit dem Schmelztiegel in Berührung. Die hohen Temperaturen, bei denen die Halbleitersubstanzen flüssig sind, haben nun aber zur Folge, daß von dem Schmelztiegel Verunreinigungen in die Halbleiterschmelze einwandern. Deshalb ist durch Ziehen von Kristallen aus der Schmelze keine ausreichende Reinheit der Halbleiterkristalle zu erreichen, wenn die Schmelztemperatur der Halbleiter so hoch ist, daß die Verunreinigungen in dem Tiegelmaterial merklich diffundieren, oder/und die Reaktionsfähigkeit der Halbleiter so groß ist, daß eine Reaktion mit dem Tiegelmaterial stattfindet. Es können bereits so schwache chemische oder physikalische Reaktionen mit dem Tiegelmaterial zur Verunreinigung der Schmelze führen, welche außerhalb des Halbleitergebietes ohne Bedeutung oder nicht einmal feststellbar sind. Diese Nachteile treten beispielsweise besonders bei der Herstellung von Halbleiterkristallen aus Silizium und in etwas geringerem Maße bei der Herstellung von Halbleiterkristallen aus Germanium in Erscheinung, so daß es auf diesem Wege nicht oder nur sehr mühsam gelingt, Halbleiterkristalle in einer für Anwendungen günstigen oder sogar erforderlichen hohen Reinheit zu erzielen.It is known that semiconductor crystals can be produced by pulling them from the melt can be obtained. However, the liquid semiconductor substance comes with the crucible in touch. The high temperatures at which the semiconductor substances become liquid are, but now have the consequence that from the crucible impurities in the Semiconductor melt immigrate. That is why it is by pulling crystals from the melt unable to achieve sufficient purity of the semiconductor crystals when the melting temperature the semiconductor is so high that the impurities in the crucible material are noticeable diffuse, and / or the reactivity of the semiconductor is so great that a Reaction with the crucible material takes place. It can already be so weak chemical or physical reactions with the crucible material to contaminate the melt lead which outside of the semiconductor area are irrelevant or not even are detectable. These disadvantages occur, for example, particularly during manufacture of semiconductor crystals made of silicon and, to a somewhat lesser extent, in their manufacture of semiconductor crystals made of germanium in appearance, making it this way not or only with great difficulty succeeding in producing semiconductor crystals in one for applications to achieve favorable or even required high purity.
Ein Verfahren zur Kristallherstellung, das frei von dem Einfluß von Tiegelwänden zu arbeiten gestattet, bewirkt die Reinigung des Halbleitermaterials durch die bekannte Abscheidung bei der Kristallisation bzw. Umkristallisation eines Halbleiterkörpers. Jedoch ist die mit diesem Verfahren zu erzielende Reinigungswirkung bei einer einzigen Umkristallisation nur verhältnismäßig klein. Deshalb ist für praktische Zwecke immer eine sehr große Anzahl derartiger verhältnismäßig langsamer Prozesse durchzuführen. Besonders zufolge der großen Anzahl an Kristallisationsvorgängen ist daher die Durchführung des tiegelfreien Verfahrens außerordentlich zeitraubend.A method of crystal production free from the influence of Allowing the walls of the crucible to work causes the cleaning of the semiconductor material by the known deposition in the crystallization or recrystallization of a Semiconductor body. However, the cleaning effect that can be achieved with this method is with a single recrystallization only relatively small. That's why for practical purposes always a very large number of such relatively slower Carry out processes. Especially due to the large number of crystallization processes therefore, the implementation of the crucible-free process is extremely time-consuming.
Weiterhin gehen in der Regel die Vorstellungen über die Durchführung des tiegelfreien Verfahrens, insbesondere über die Voraussetzung eines Halbleiterkörpers konstanter Dicke oden'und die Erhitzungsmöglichkeit einer flüssigen Querschnittszone bestimmten Volumens dahin, daß nach diesem Verfahren nur Halbleiterkörper in einen Halbleiterkristall übergeführt werden können, wenn deren Dicke unter einem oberen Grenzwert liegt. Beispielsweise wird aus Stabilitätsgründen für einen Siliziumkörper ein Durchmesser von angenähert 1 cm als maximale Dicke angesehen.Furthermore, the ideas about the implementation usually go the crucible-free process, in particular the requirement of a semiconductor body constant thickness oden 'and the possibility of heating a liquid cross-sectional zone certain volume so that after this method only semiconductor body in one Semiconductor crystal can be transferred if its thickness is below an upper one Limit value lies. For example, for reasons of stability for a silicon body a diameter of approximately 1 cm is considered to be the maximum thickness.
Gemäß der Erfindung wird so verfahren, daß die Geschwindigkeit, mit welcher der stabförmige Halbleiterkristall zum Kristallisieren, und die Geschwindigkeit, mit welcher der stabförmige Halbleiterkörper zum Schmelzen gebracht wird, derart eingestellt werden, daß ein stabförmiger Halbleiterkristall von einer gegenüber der Dicke des stabförmigen Halbleiterkörpers ungleichen Dicke erzeugt wird.According to the invention, the procedure is that the speed with which the rod-shaped semiconductor crystal to crystallize, and the speed, with which the rod-shaped semiconductor body is melted, such be set that a rod-shaped semiconductor crystal from one opposite the thickness of the rod-shaped semiconductor body unequal thickness is generated.
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterkristalls durch Kristallisation von Halbleitermaterial aus einer Schmelze, welche nur mit einem wachsenden stabförmigen Halbleiterkristall und einem schmelzenden stabförmigen Halbleiterkörper in Berührung steht und durch ihre Oberflächenspannung zusammengehalten wird, und besteht darin, daß die Geschwindigkeit, mit welcher der stabförmige Halbleiterkristall 3 zum Kristallisieren, und die Geschwindigkeit, mit welcher der stabförmige Halbleiterkörper 1 zum Schmelzen gebracht wird, derart eingestellt werden, daß ein stabförmiger Halbleiterkristall 3 von einer gegenüber der Dicke des stabförmigen Halbleiterkörpers 1 größeren Dicke erzeugt wird.The invention relates to a method for producing a semiconductor crystal by crystallization of semiconductor material from a melt, which only with a growing rod-shaped semiconductor crystal and a melting rod-shaped Semiconductor body is in contact and held together by their surface tension is, and is that the speed at which the rod-shaped semiconductor crystal 3 to crystallize, and the speed at which the rod-shaped semiconductor body 1 is melted, be set so that a rod-shaped semiconductor crystal 3 of a relative to the thickness of the rod-shaped Semiconductor body 1 greater thickness is generated.
Nach dem erfindungsgemäßen Verfahren kann nicht nur der Einfluß von Tiegelwänden vermieden werden, sondern außerdem zufolge eines nach der Erfindung zu erzielenden hohen Wirkungsgrades bei der Reinigung des Halbleitermaterials eine wertvolle Zeitersparnis erreicht werden. Ferner ist es nach der Erfindung möglich, Halbleiterkristalle in einer verhältnismäßig großen Dicke herzustellen, die nach dem tiegelfreien Verfahren nicht zu beherrschen ist. Beispielsweise können nach der Erfindung leicht Halbleiterkristalle aus Silizium hergestellt werden, deren Dicke über 2 cm liegt, also über dem Doppelten des für möglich gehaltenen Wertes.According to the method according to the invention, not only the influence of Crucible walls are avoided, but also according to one according to the invention to achieve high efficiency in cleaning the semiconductor material a valuable time savings can be achieved. It is also possible according to the invention Produce semiconductor crystals in a relatively large thickness, which according to the crucible-free process cannot be mastered. For example, after the invention can easily be made of silicon semiconductor crystals, their Thickness is more than 2 cm, i.e. more than twice the value thought possible.
Zweckmäßig kann zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens vorgesehen werden, daß die Schmelze, welche nur mit dem wachsenden stabförmigen Halbleiterkristall und dem schmelzenden stabförmigen Halbleiterkörper in Berührung steht, von einer feststehend angeordneten Heizvorrichtung umgeben wird. Eine einfache Anordnung wird erhalten, wenn sowohl der stabförmige Halbleiterkörper als auch der stabförmige Halbleiterkristall längs seiner Stabachse von oben nach unten durch die Heizvorrichtung hindurch bewegt wird.Appropriate for carrying out the method according to the invention be provided that the melt, which only with the growing rod-shaped Semiconductor crystal and the melting rod-shaped semiconductor body in contact is surrounded by a stationary heating device. A simple one Arrangement is obtained when both the rod-shaped semiconductor body and the rod-shaped semiconductor crystal along its rod axis from top to bottom the heater is moved through.
Diese Ausführung der Relativbewegung von stabförmigem Halbleiterkristall und stabförmigem Halbleiterkörper in bezug auf die Heizvorrichtung bietet den Vorteil eines einfachen Aufbaues der Apparatur und bei der von oben nach unten gerichteten Bewegung von stabförmigem Halbleiterkristall und stabförmigem Halbleiterkörper außerdem ein besonders günstiges verzerrungsfreies Kristallwachstum des stabförmigen Halbleiterkristalls. Für Anwendungen des stabförmigen Halbleiterkristalls, bei denen es auf die Güte des Kristallwachstums nicht ankommt - beispielsweise ist dies der Fall, wenn der stabförmige Halbleiterkristall nochmals umkristallisiert werden soll -, kann auch eine Bewegung von stabförmigem Halbleiterkristall und stabförmigem Halbleiterkörper von unten nach oben vorgesehen werden.This execution of the relative movement of rod-shaped semiconductor crystal and rod-shaped semiconductor body with respect to the heating device offers the advantage a simple structure of the apparatus and the one directed from top to bottom Movement of rod-shaped semiconductor crystal and rod-shaped semiconductor body also a particularly favorable, distortion-free crystal growth of the rod-shaped semiconductor crystal. For applications of the rod-shaped semiconductor crystal where there is a need for quality of crystal growth does not matter - for example, this is the case when the Rod-shaped semiconductor crystal is to be recrystallized again - can also a movement of rod-shaped semiconductor crystal and rod-shaped semiconductor body be provided from bottom to top.
Es ist besonders vorteilhaft, von dem stabförmigen Halbleiterkörper von seinem mit der Schmelze in Berührung stehenden Ende her pro Zeiteinheit mindestens angenähert so viel an Masse zum Schmelzen zu bringen, als durch den stabförmigen Halbleiterkristall an seinem mit der Schmelze in Berührung stehenden Ende beim Kristallisieren verbraucht wird. Eine bestimmte Dicke des stabförmigen Halbleiterkristalls wird zweckmäßig durch Wahl der Geschwindigkeit des stabförmigen Halbleiterkristalls und der Geschwindigkeit des stabförmigen Halbleiterkörpers erzielt. Um mit einer konstanten Geschwindigkeit des stabförmigen Halbleiterkörpers arbeiten zu können, ist es von Vorteil, einen stabförmigen Halbleiterkörper von gleichmäßiger, insbesondere mindestens nahezu kreiszylindrischer Gestalt zu verwenden.It is particularly advantageous from the rod-shaped semiconductor body from its end in contact with the melt per unit of time at least to bring about as much of the mass to melt as by the rod-shaped Semiconductor crystal at its end in contact with the melt during crystallization is consumed. A certain thickness of the rod-shaped semiconductor crystal becomes expediently by choosing the speed of the rod-shaped semiconductor crystal and the speed of the rod-shaped semiconductor body achieved. To be with a constant To be able to work speed of the rod-shaped semiconductor body, it is of Advantage, a rod-shaped semiconductor body of more uniform, in particular at least to use almost circular cylindrical shape.
Während der Translationsbewegung von stabförmigem Halbleiterkristall und stabförmigem Halbleiterkörper kann vorteilhaft der stabförmige Halbleiterkristall oder,(und der stabförmige Halbleiterkörper eine Drehbewegung um die gemeinsame, zentrale und mindestens angenähert senkrechte Achse ausführen. Beispielsweise kann eine gleichsinnige Rotation von stabförmigem Halbleiterkristall und stabförmigern Halbleiterkörper vorgesehen werden, wobei die Drehgeschwindigkeiten günstig etwas verschieden gewählt werden.During the translational movement of rod-shaped semiconductor crystals and the rod-shaped semiconductor body can advantageously be the rod-shaped semiconductor crystal or, (and the rod-shaped semiconductor body rotates around the common, execute central and at least approximately vertical axis. For example, can a rotation of rod-shaped semiconductor crystal and rod-shaped crystals in the same direction Semiconductor bodies are provided, the rotational speeds being somewhat favorable be chosen differently.
Nach einer vorteilhaften Ausführung der Erfindung wird die Einstellung der Translationsgeschwindigkeit von stabfärmigem Halbleiterkristall und stabförmigem Halbleiterkörper derart vorgenommen, daß ein stabförmiger Halbleiterkristall von einer gegenüber der Dicke des stabförmigen Halbleiterkörpers kleineren Dicke erzeugt wird. Als zweckmäßig erweist sich, die Dicke des stabförmigen Halbleiterkristalls und die Dicke des stabförmigen Halbleiterkörpers so groß zu wählen, daß ihr Verhältnis einen Wert kleiner als etwa 1:2, vorzugsweise von etwa 1:3 aufweist.According to an advantageous embodiment of the invention, the setting the translation speed of rod-shaped semiconductor crystal and rod-shaped Semiconductor body made such that a rod-shaped semiconductor crystal of a smaller thickness than the thickness of the rod-shaped semiconductor body is generated will. The thickness of the rod-shaped semiconductor crystal has proven to be expedient and to choose the thickness of the rod-shaped semiconductor body so large that their ratio has a value less than about 1: 2, preferably about 1: 3.
Diese Ausführung der Erfindung ermöglicht, von einem stabförmigen Halbleiterkörper auszugehen, dessen Dicke ein Mehrfaches der Dicke betragen kann, die zur Durchführung des tiegelfreien Verfahrens erforderlich gehalten wird, und bietet besonders für die Reinigung des Halbleitermaterials nach dem erfindungsgemäßen Verfahren erhebliche Vorzüge.This embodiment of the invention enables a rod-shaped To assume a semiconductor body, the thickness of which can be a multiple of the thickness, which is deemed necessary to carry out the crucible-free process, and offers especially for cleaning the semiconductor material according to the invention Procedure significant benefits.
Halbleiterkristalle können dadurch hergestellt werden, daß als Keime einkristalline Kristalle verwendet werden. Besonders für Halbleiter, welche sich nur mit Schwierigkeiten in einkristalliner Form erzeugen lassen, können zweckmäßig einkristalline Keimkristalle angewandt werden, deren Dicke gegenüber der für die stabförmigen Halbleiterkristalle vorgesehenen Dicken verschieden, vorzugsweise kleiner ist. Gelangen Keimkristalle zur Anwendung, deren Dicke kleiner gewählt wird als die für die stabförmigen Halbleiterkristalle vorgesehenen Dicken, dann erweist es sich beispielsweise als vorteilhaft, stabförmige Halbleiterkristalle mit längs ihrer Stabachse zunehmender Dicke durch Regeln der Translationsgeschwindigkeit von stabförmigem Halbleiterkristall oder/und stabförmigem Halbleiterkörper zu erzeugen.Semiconductor crystals can be produced in that as seeds single crystal crystals can be used. Especially for semiconductors that are can only be produced with difficulty in monocrystalline form, can expedient monocrystalline seed crystals are used, the thickness of which is compared to that for the Rod-shaped semiconductor crystals provided thicknesses different, preferably smaller is. If seed crystals are used, the thickness of which is selected to be smaller than the thicknesses intended for the rod-shaped semiconductor crystals, then it proves For example, as advantageous, rod-shaped semiconductor crystals with along their Rod axis of increasing thickness by regulating the translation speed of rod-shaped To produce semiconductor crystal and / or rod-shaped semiconductor body.
Erfindungsgemäß kann durch Wahl von Zeitpunkt und Geschwindigkeit der Einstellung der Translationsgeschwindigkeit von stabförmigem Halbleiterkristall und stabförmigem Halbleiterkörper bewirkt werden, daß die Oberfläche der Schmelze längs der Berührungsgrenze von Schmelze und stabförmigem Halbleiterkristall Tangentialebenen mit horizontalen Flächennormalen aufweist.According to the invention, by choosing the time and speed the adjustment of the translation speed of rod-shaped semiconductor crystal and rod-shaped semiconductor body caused that the surface of the melt along the contact boundary between the melt and the rod-shaped semiconductor crystal, tangential planes with horizontal surface normals.
Weiterhin ist es möglich, zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens einen stabförmigen Halbleiterkörper mit längs seiner Stabachse veränderlicher Dicke zu verwenden und daraus einen stabförmigen Halbleiterkristall mit längs seiner Stabachse konstanter Dicke durch Regeln der Translationsgeschwindigkeit von stabförmigem Halbleiterkristall oder/und stabförmigem Halbleiterkörper zu erzeugen. Diese Ausführung der Erfindung bietet beispielsweise dann erhebliche Vorteile, wenn stabförmige Halbleiterkörper mit ungleichmäßiger Dicke anfallen.It is also possible to carry out the method according to the invention a rod-shaped semiconductor body with a variable thickness along its rod axis to use and from it a rod-shaped semiconductor crystal with along its rod axis constant thickness by regulating the translation speed of rod-shaped semiconductor crystals and / or to produce rod-shaped semiconductor body. This embodiment of the invention offers considerable advantages, for example, when rod-shaped semiconductor bodies incurred with uneven thickness.
Zweckmäßig kann der stabförmige Halbleiterkörper, der bei der Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens aufgebracht wird, durch Gießen, Sintern, Pressen oder mechanisches oder/ und chemisches Bearbeiten von Halbleitersubstanz hergestellt werden. Für die Reinigung nach dem erfindungsgemäßen Verfahren ist es günstig, stabförmige Halbleiterkörper aus vorgereinigter Halbleitersubstanz, insbesondere im flüssigen Zustand mittels eines Gasstromes gereinigter Halbleitersubstanz, zu verwenden. Zur Vorreinigung genügt mittels meist eine geringere Reinigung im Vergleich zu der Vorreinigung bei bekannten Verfahren oder/ und eine spezifische, sich auf bestimmte Fremdstoffe erstreelende Vorreinigung, da nach dem erfindungsgemäßen Verfahren eine besonders hohe Reinigungswirkung erzielt werden kann.The rod-shaped semiconductor body can expediently be used during implementation of the method according to the invention is applied by casting, sintering, pressing or mechanical and / or chemical processing of semiconductor substance produced will. For cleaning by the process according to the invention, it is advantageous to use rod-shaped Semiconductor body made from pre-cleaned semiconductor substance, in particular in the liquid State semiconductor substance purified by means of a gas stream, to use. For pre-cleaning, it is usually sufficient to use less cleaning in the Comparison to the pre-cleaning in known processes and / or a specific, pre-cleaning, depending on certain foreign substances, since according to the invention Process a particularly high cleaning effect can be achieved.
Zur Fortsetzung der Reinigung kann erfindungsgemäß vorgesehen werden, daß der aus einem stabförmigen Halbleiterkörper erhaltene stabförmige Halbleiterkristall zur Erzeugung eines neuen stabförmigen Halbleiterkristalls als stabförmiger Halbleiterkörper verwendet wird. Gegegebenenfalls kann ein stabförmiger Halbleiterkristall zweckmäßig wiederholt einer erfindungsgemäßen Umkristallisation unterworfen werden, bei welcher sich die Dicke des jeweils zu erzeugenden stabförmigen Halbleiterkristalls zu der Dicke des jeweils aufzubrauchenden stabförmigen Halbleiterkörpers wie etwa 1:2 oder eine Zahl größer als 2 verhält.In order to continue cleaning, the invention can provide that the rod-shaped semiconductor crystal obtained from a rod-shaped semiconductor body for producing a new rod-shaped semiconductor crystal as a rod-shaped semiconductor body is used. If necessary, a rod-shaped semiconductor crystal can be expedient repeatedly subjected to a recrystallization according to the invention, in which the thickness of the rod-shaped semiconductor crystal to be produced in each case increases to the Thickness of the rod-shaped semiconductor body to be used up in each case, such as about 1: 2 or a number greater than 2 behaves.
Der hierbei zu erzielende Vorteil besteht in einer Steigerung der Reinigungswirkung mit wenigen Verfahrensschritten, welche über die Möglichkeit bekannter Verfahren hinausgeht, da es nach dem erfindungsgemäßen Verfahren gelingt, von einem stabförmigen Halbleiterkörper verhältnismäßig großer Dicke auszugehen, und nach der Erfindung vorgesehen wird, das Dickenverhältnis von stabförmigem Halbleiterkörper und stabförmigem Halbleiterkristall kleiner als 1 zu wählen. Die Reinheit eines Halbleiterkristalls, die für einen Anwendungszweck ausreichend ist, kann mitunter mit einer einzigen Kristallisation oder Umkristallisation nach der Erfindung erreicht werden, während für den gleichen Reinheitsgrad mit bekannten Verfahren eine Mehrzahl von Reinigungsprozessen durchzuführen notwendig ist.The advantage to be achieved here is an increase in Cleaning effect with a few process steps, which are known about the possibility Method goes beyond, since the method according to the invention succeeds from one starting rod-shaped semiconductor body of relatively large thickness, and after the invention is provided, the thickness ratio of rod-shaped semiconductor body and rod-shaped semiconductor crystal smaller than 1 to choose. The purity of one Semiconductor crystal that is sufficient for an application can sometimes achieved with a single crystallization or recrystallization according to the invention are, while for the same degree of purity with known methods a plurality of cleaning processes is necessary.
Eine weitere vorteilhafte Ausführung der Erfindung besteht darin, die Geschwindigkeit, mit welcher der stabförmige Halbleiterkristall zum Kristallisieren, und die Geschwindigkeit, mit welcher der stabförmige Halbleiterkörper zum Schmelzen gebracht wird, derart einzustellen, daß ein stabförmiger Halbleiterkristall von einer gegenüber der Dicke des stabförmigen Halbleiterkörpers größeren Dicke erzeugt wird.Another advantageous embodiment of the invention consists in the speed at which the rod-shaped semiconductor crystal crystallizes, and the speed at which the rod-shaped semiconductor body is melted is brought to set such that a rod-shaped semiconductor crystal of a greater thickness than the thickness of the rod-shaped semiconductor body is generated will.
Es erweist sich hierbei als zweckmäßig, die Dicke des stabförmigen Halbleiterkristalls und die Dicke des stabförmigen Halbleiterkörpers so groß zu wählen, daß ihr Verhältnis einen Wert von etwa 1,5 oder mehr aufweist. Insbesondere bei verhältnismäßig kleiner Dicke des stabförmigen Halbleiterkörpers kann für das Dickenverhältnis ein Wert von mehr als 10, insbesondere ein Wert zwischen 20 und 50 vorteilhaft vorgesehen werden.It proves to be useful here, the thickness of the rod-shaped Semiconductor crystal and the thickness of the rod-shaped semiconductor body so large choose that their ratio has a value of about 1.5 or more. In particular with a relatively small thickness of the rod-shaped semiconductor body can for the Thickness ratio has a value of more than 10, in particular a value between 20 and 50 are advantageously provided.
Der Vorzug dieser Ausführung der Erfindung tritt in noch stärkerem Maße hervor, wenn erfindungsgemäß als stabförmiger Halbleiterkörper ein stabförmiger Halbleiterkristall verwendet wird, der aus einem stabförmigen Halbleiterkörper mit gegenüber dessen Dicke vergrößerter Dicke hergestellt wurde. Gegebenenfalls kann ein stabförmiger Halbleiterkristall zweckmäßig wiederholt einer erfindungsgemäßen Umkristallisation unterzogen werden, bei welcher vorgesehen wird, daß sich die Dicke des jeweils zu erzeugenden stabförmigen Halbleiterkristalls zu der Dicke des jeweils aufzubrauchenden stabförmigen Halbleiterkörpers wie etwa 1,5 oder eine Zahl größer als 1,5: 1 verhält.The advantage of this embodiment of the invention emerges to an even greater extent if, according to the invention, a rod-shaped semiconductor crystal is used as the rod-shaped semiconductor body, which was produced from a rod-shaped semiconductor body with a thickness that is greater than that of the rod-shaped semiconductor body. If necessary, a rod-shaped semiconductor crystal can expediently repeatedly be subjected to a recrystallization according to the invention, in which it is provided that the thickness of the rod-shaped semiconductor crystal to be produced corresponds to the thickness of the rod-shaped semiconductor body to be used up, such as 1.5 or a number greater than 1.5: 1 behaves.
Als besonders zweckmäßig erweist es sich nach der Erfindung, einen stabförmigen Halbleiterkörper bzw. einen stabförmigen Halbleiterkristall mehrmals in einen stabförmigen Halbleiterkristall zu überführen und jedesmal nach :fahl, vorzugsweise programmartig zusammengestellter Wahl, eine gegenüber der Dicke des jeweils auszubrauchenden stabförmigen Halbleiterkörpers bzw. Halbleiterkristalls größere bzw. kleinere Dicke vorzusehen.It proves to be particularly useful according to the invention, a rod-shaped semiconductor body or a rod-shaped semiconductor crystal several times to be converted into a rod-shaped semiconductor crystal and each time after: pale, preferably a program-like choice, one compared to the thickness of the each rod-shaped semiconductor body or semiconductor crystal to be used up provide greater or smaller thickness.
In dieser Weise kann beispielsweise ein stabförTniger Halbleiterkristall von ausreichender Reinheit und Dicke erzeugt werden, zu dessen Herstellung von einem stabförmigen Halbleiterkörper ausgegangen wird, der als stabförmiger Halbleiterkristall aus einer Behandlung hervorgeht, welche in einer oder mehrmaliger Kristallisation bzw. Umkristallisation mit jeweils kleinerer Dicke des jeweils zu erzeugenden stabförmigen Halbleiterkristalls besteht, und der an diese Behandlung anschließend einmal oder mehrmals in einen stabförmigen Halbleiterkristall jeweils mit einer gegenüber der Dicke des aufzubrauchenden stabförmigen Halbleiterkristalls größeren Dicke übergeführt wird.In this way, for example, a rod-shaped semiconductor crystal of sufficient purity and thickness are produced for the manufacture of one rod-shaped semiconductor body is assumed as a rod-shaped semiconductor crystal emerges from a treatment which results in one or more crystallizations or recrystallization, each with a smaller thickness of the rod-shaped to be produced in each case Semiconductor crystal exists, and the subsequent to this treatment once or several times in a rod-shaped semiconductor crystal, each with one opposite the Thickness of the rod-shaped semiconductor crystal to be used up larger thickness transferred will.
Ist z. B. eine gewünschte hohe Reinheit des so erhaltenen stabförmigen Halbleiterkristalls noch nicht erreicht, dann kann günstig eine Behandlung dieses stabförmigen Halbleiterkristalls vorgenommen werden, die eine Wiederholung der Kombination von einem oder mehreren Reinigungsschritten (mit kleiner werdender Dicke des stabförmigen Halbleiterkristalls) mit einem oder mehreren Schritten zur Erhöhung der Dicke des stabförmigen Halbleiterkristalls vorsieht.Is z. B. a desired high purity of the rod-shaped obtained in this way Semiconductor crystal has not yet been reached, then a treatment of this can be beneficial rod-shaped semiconductor crystal are made, which is a repetition of the combination of one or more cleaning steps (with decreasing thickness of the rod-shaped Semiconductor crystal) with one or more steps to increase the thickness of the provides rod-shaped semiconductor crystal.
Ferner ist es möglich, das erfindungsgemäße Verfahren durchzuführen, indem von einem stabförmigen Halbleiterkörper kleiner Dicke ausgegangen wird und dieser in einem oder mehreren Schritten in einen stabförmigen Halbleiterkristall großer Dicke übergeführt wird. Aus diesem stabförmigen Halbleiterkristall kann nun mit einem oder mehreren Schritten unter jeweiligem Verkleinern der Dicke ein stabförmiger Halbleiterkristall von geforderter Reinheit und Dicke hergestellt werden.It is also possible to carry out the method according to the invention, by starting from a rod-shaped semiconductor body of small thickness and this in one or more steps into a rod-shaped semiconductor crystal large thickness is transferred. From this rod-shaped semiconductor crystal can now with one or more steps while reducing the thickness in each case, a rod-shaped one Semiconductor crystal of the required purity and thickness can be produced.
Entsprechend den Bedingungen, die an die einzelnen stabförmigen Halbleiterkristalle gestellt- werden, und entsprechend den Eigenschaften des Halbleitermaterials und seiner Verunreinigungen kann ein zweckmäßiges Programm aus Umkristallisation in einen stabförmigen Halbleiterkristall mit zunehmender Dicke und aus Umkristallisation in einen stabförmigen Halbleiterkristall mit abnehmender Dicke festgelegt werden, das beispielsweise eine besonders große Zeiteinsparung durch eine günstige Schrittzahl ermöglicht.According to the conditions that apply to the individual rod-shaped semiconductor crystals and according to the properties of the semiconductor material and its impurities can be an appropriate program of recrystallization in a rod-shaped semiconductor crystal with increasing thickness and from recrystallization are set in a rod-shaped semiconductor crystal with decreasing thickness, For example, this saves a lot of time thanks to a favorable number of steps enables.
Häufig wird der Abschluß einer erfindungsgemäßen Behandlung eines stabförmigen Halbleiterkristalls bzw. Halbleiterkörpers ein Schritt bilden, mit welchem die gewünschte Dicke des stabförmigen Halbleiterkristalls durch eine Vergrößerung der Dicke gegenüber dem aufzubrauchenden stabförmigen Halbleiterkristall bzw. Halbleiterkörper erzeugt wird. Günstig kann man zu dem abschließenden Behandlungsschritt einen stabförmigen Halbleiterkörper bzw. Halbleiterkristall verwenden, der mit bestimmten Elektronen- oder/und Defektelektronenleitung bewirkenden Stoffen versehen ist. Diese Stoffbeigabe kann jedoch vor oder während oder nach jedem Behandlungsschritt des betreffenden stabförmigen Halbleiterkörpers bzw. Halbleiterkristalls vorgenommen werden.Often the conclusion of a treatment according to the invention is a bar-shaped semiconductor crystal or semiconductor body form a step with which the desired thickness of the rod-shaped semiconductor crystal by an enlargement the thickness compared to the rod-shaped semiconductor crystal or semiconductor body to be used up is produced. A rod-shaped one can favorably be used for the final treatment step Use semiconductor bodies or semiconductor crystals, which with certain electron and / or substances causing defect electron conduction is provided. These Addition of fabric however, it can be before or during or after each treatment step of the concerned rod-shaped semiconductor body or semiconductor crystal are made.
Besonders vorteilhaft erweist sich zur Herstellung von pn-Übergängen, dem stabförmigen Halbleiterkörper bzw. Halbleiterkristall vor dem letzten Behandlungsschritt in bestimmter Absolutmenge oder nur in bestimmtem Mengenverhältnis Elektronen-und Defektelektronenleitung bewirkende Stoffe zuzufügen und während der folgenden Umkristallisation durch planmäßiges Vergrößern und Vermindern der Kristallisationsgeschwindigkeit einen stabförmigen Halbleiterkristall mit einer Mehrzahl von pn-Übergängen zu erzeugen.It is particularly advantageous for the production of pn junctions, the rod-shaped semiconductor body or semiconductor crystal before the last treatment step in a certain absolute amount or only in a certain proportion of electrons and electrons Add electron conduction causing substances and during the subsequent recrystallization by systematically increasing and decreasing the rate of crystallization to produce a rod-shaped semiconductor crystal with a plurality of pn junctions.
Nach dem erfindungsgemäßen Verfahren können in günstiger Weise stabförmige Halbleiterkristalle aus halbleitenden Elementen, insbesondere Germanium oder Silizium, oder aus halbleitenden Verbindungen, insbesondere aus einer Verbindung aus Elementen der 11l. und V. Gruppe des Periodischen Systems der Elemente oder aus einer intermetallischen Verbindung hergestellt werden.According to the method according to the invention, rod-shaped Semiconductor crystals made of semiconducting elements, in particular germanium or silicon, or from semiconducting compounds, in particular from a combination of elements the 11l. and V. Group of the Periodic Table of the Elements or from an intermetallic Connection to be established.
In den F i g. 1 bis 3 sind in zum Teil schematischer Darstellung beispielsweise Anordnungen zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens im Schnitt gezeichnet.In the F i g. 1 to 3 are, for example, in a partially schematic representation Arrangements for carrying out the method according to the invention are drawn in section.
F i g. 1 und 3 dienen zur beispielsweisen Erläuterung des Vorgehens zur Gewinnung eines stabförmigen Halbleiterkristalls größerer Dicke und bei entgegengerichteter Translationsbewegung geringerer Dicke und F i g. 3 zur beispielsweisen Erläuterung der erfindungsgemäßen Kombination des Verfahrens zur Herstellung hochgereinigter Halbleiterkristalle und des Verfahrens zur Herstellung eine gewünschte, insbesondere große Dicke aufweisender stabförmiger Halbleiterkristalle.F i g. 1 and 3 serve to explain the procedure by way of example to obtain a rod-shaped semiconductor crystal of greater thickness and in the opposite direction Translational movement of smaller thickness and F i g. 3 for explanatory purposes by way of example the inventive combination of the process for producing highly purified Semiconductor crystals and the method for producing a desired, in particular large thickness rod-shaped semiconductor crystals.
Die Bewegung des Halbleiterkörpers erfolgt durch die Heizzone der Heizvorrichtung hindurch, und zwar ist die Geschwindigkeit des stabförmigen Siliziumkörpers 1 beispielsweise kleiner oder größer als die Geschwindigkeit des stabförmigen Siliziumkristalls 3. Beispielsweise wird ein stabförmiger Halbleiterkörper von mindestens angenähert kreiszylindrischer Gestalt und einem Durchmesser von angenähert 2,4 cm verwendet. Von dem stabförmigen Siliziumkörper 1 wird von seinem mit der Schmelze 2 in Berührung stehenden Ende her pro Leiteinheit mindestens angenähert so viel an Masse zum Schmelzen gebracht, als durch den stabförmigen Siliziumkristall3 an seinem mit der Schmelze 2 in Berührung stehenden Ende beim Kristallisieren verbraucht wird.The movement of the semiconductor body takes place through the heating zone of the heating device, namely the speed of the rod-shaped silicon body 1 is, for example, less or greater than the speed of the rod-shaped silicon crystal 3. For example, a rod-shaped semiconductor body is at least approximately circular cylindrical shape and a diameter of approximately 2, 4 cm used. From the end of the rod-shaped silicon body 1 in contact with the melt 2, at least approximately as much mass is melted per guide unit as is consumed by the rod-shaped silicon crystal 3 at its end in contact with the melt 2 during crystallization.
Ein Durchführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Verfahrens, bei dem ein stabförmiger Halbleiterkristall 3 von einer gegenüber der Stärke des stabförmigen Halbleiterkörpers 1 größeren Dicke erzeugt wird, zeigt die Anordnung nach F i g. 1. Die Dicke des stabförmigen Halbleiterkörpers 1, beispielsweise eines Siliziumkörpers, ist vorzugsweise klein gegen die Dicke des stabförmigen Halbleiterkristalls 3 aus Silizium gewählt. Dementsprechend wird eine große Geschwindigkeit der Abwärtsbewegung des stabförmigen Siliziumkörpers 1 und eine kleine Geschwindigkeit der Abwärtsbewegung des stabförmigen Siliziumkristalls 3 vorgesehen. Beispielsweise kann ein stabförmiger Siliziumkörper 1 von 0,1 cm Dicke verwendet werden, der gegebenenfalls auch aus einer Mehrzahl von gleichen oder ungleichen Stücken z. B. längs seiner Stabachse zusammengesetzt sein kann. Die Geschwindigkeit der Bewegung von stabförmigem Siliziumkörper 1, und stabförmigem Siliziumkristall 3 kann zu 0,15 cm/sec bzw. zu 6 - 10-3 cm/sec gewählt werden, um einen stabförmigen Siliziumkristall 3 mit 0,5 cm Dicke zu erhalten.An embodiment of the method according to the invention, in which a rod-shaped semiconductor crystal 3 is produced with a greater thickness than the thickness of the rod-shaped semiconductor body 1 , is shown in the arrangement according to FIG. 1. The thickness of the rod-shaped semiconductor body 1, for example a silicon body, is preferably selected to be small compared to the thickness of the rod-shaped semiconductor crystal 3 made of silicon. Accordingly, a high speed of downward movement of the rod-shaped silicon body 1 and a small speed of downward movement of the rod-shaped silicon crystal 3 are provided. For example, a rod-shaped silicon body 1 0.1 cm thick can be used, which may also consist of a plurality of identical or unequal pieces z. B. can be composed along its rod axis. The speed of movement of the rod-shaped silicon body 1 and rod-shaped silicon crystal 3 can be selected to be 0.15 cm / sec and 6-10-3 cm / sec, respectively, in order to obtain a rod-shaped silicon crystal 3 with a thickness of 0.5 cm.
Wiederholt man nun die Kristallisation derart, daß man als stabförmigen Halbleiterkörper 1 den in 0,5 cm Dicke erhaltenen stabförmigen Siliziumkristall3 verwendet, dann kann ein neuer stabförmiger Siliziumkristall von 1,5 cm Dicke erzeugt werden, indem die Geschwindigkeit der Abwärtsbewegung des stabförmigen Halbleiterkörpers 1 zu 9 - 10-2 cm/sec und die des stabförmigen Halbleiterkristalls 3 zu 1 - 10-2 cm/sec gewählt wird. Durch einen dritten Verfahrensschritt, bei dem beispielsweise die Geschwindigkeit der stabförmigen Halbleiterkörper 1 angenähert 1,3 - 10-2 cm/sec und die Geschwindigkeit des stabförmigen Halbleiterkristalls 3 4 - 10-3 cmi'sec betragen kann, gelingt es dann, den 1,5 cm dicken Siliziumkristall in einen 2,7 cm dicken Siliziumkristall zu überführen.If the crystallization is now repeated in such a way that the rod-shaped silicon crystal 3 obtained in 0.5 cm thickness is used as the rod-shaped semiconductor body 1, then a new rod-shaped silicon crystal 1.5 cm thick can be produced by increasing the speed of the downward movement of the rod-shaped semiconductor body 1 9-10-2 cm / sec and that of the rod-shaped semiconductor crystal 3 is selected to be 1-10-2 cm / sec. A third method step, in which, for example, the speed of the rod-shaped semiconductor body 1 can be approximately 1.3-10-2 cm / sec and the speed of the rod-shaped semiconductor crystal 3 can be 4-10-3 cmi-sec, it is then possible to To convert 5 cm thick silicon crystal into a 2.7 cm thick silicon crystal.
In F i g. 2 ist eine Anordnung gezeichnet, bei welcher eine Translationsbewegung des stabförmigen Halbleiterkörpers 1 und des stabförmigen Halbleiterkristalls 3 von unten nach oben vorgesehen ist. Im übrigen kann sie beispielsweise mit der Anordnung zum Durchführungsbeispiel entsprechend F i g. 1 übereinstimmen, wobei zu bemerken ist, daß sowohl in dem Beispiel entsprechend F i g. 2 als auch bei dem an Hand der F i g. 1 erläuterten Beispiel eine Reihe von Einzelheiten -- um Wiederholungen zu vermeiden --.- nicht ausgeführt wurden, die sich aus den übrigen Durchführungsbeispielen sowie dem übrigen Teil der Beschreibung ohne weiteres ergeben.In Fig. 2 shows an arrangement in which a translational movement of the rod-shaped semiconductor body 1 and of the rod-shaped semiconductor crystal 3 is provided from bottom to top. Otherwise, it can be used, for example, with the arrangement for the implementation example according to FIG. 1 match, it being noted that both in the example according to FIG. 2 as well as the one on the basis of FIG. 1 a number of details - in order to avoid repetition - were not carried out, which result from the other implementation examples and the remaining part of the description without further notice.
Eine besonders zweckmäßige Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens ist beispielsweise durch die Anordnungen der F i g. 3 (F i g. 3 A und F i g. 3 B) gekennzeichnet. Von den übrigen selbstverständlichen Einzelheiten wurde noch die Heizvorrichtung 2-3 sowie der auf eine Drehbewegung des stabförmigen Halbleiterkristalls 3 hinweisende gekrümmte Pfeil weggelassen. F i g. 3 A zeigt die überführung eines stabförmigen Halbleiterkörpers 1 in einen stabförmigen Halbleiterkristall 3 von einer gegenüber der Dicke des stabförmigen Halbleiterkörpers 1 kleineren Dicke. Die Translationsgeschwindigkeit der Abwärtsbewegung des stabförmigen Halbleiterkörpers 1 ist dementsprechend kleiner als die des stabförmigen Halbleiterkristalls 3. 1n F i g. 3 B ist die Überführung eines stabförmigen, nach F i g. 3 A behandelten Halbleiterkristalls 3 in einen stabförmigen Halbleiterkristall 1 festgehalten, wobei die Geschwindigkeit der Abwärtsbewegung des stabförmigen Halbleiterkristalls 3 größer als die des stabförmigen Halbleiterkristalls 1 gewählt ist. Dementsprechend ist die Dicke des stabförmigen Halbleiterkristalls 3 kleiner als die Dicke des stabförmigenHalbleiterkristallsl.A particularly expedient implementation of the method according to the invention is, for example, by means of the arrangements in FIGS. 3 (Fig. 3 A and Fig. 3 B). The heating device 2-3 and the curved arrow indicating a rotary movement of the rod-shaped semiconductor crystal 3 have also been omitted from the other, self-evident details. F i g. 3 A shows the conversion of a rod-shaped semiconductor body 1 into a rod-shaped semiconductor crystal 3 of a smaller thickness compared to the thickness of the rod-shaped semiconductor body 1. The translational speed of the downward movement of the rod-shaped semiconductor body 1 is correspondingly smaller than that of the rod-shaped semiconductor crystal 3. 1n F i g. 3 B is the transfer of a rod-shaped, according to F i g. 3 A treated semiconductor crystal 3 is held in a rod-shaped semiconductor crystal 1, the speed of the downward movement of the rod-shaped semiconductor crystal 3 being selected to be greater than that of the rod-shaped semiconductor crystal 1. Accordingly, the thickness of the rod-shaped semiconductor crystal 3 is smaller than the thickness of the rod-shaped semiconductor crystal 1.
Die Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens entsprechend F i g. 3 A und 3 B besteht darin, den aus der Behandlung eines stabförmigen Halbleiterkörpers 1 von großer Dicke hervorgehenden stabförmigen Halbleiterkristall 3 von kleiner Dicke (s. Fi g. 3A) in einen stabförmigen Halbleiterkristall 1 von großer Dicke zu überführen (s. F i g. 3 B). Durch die Kombination. dieser Schritte oder eine Wiederholung dieser Schritte kann somit ein stabförmiger Halbleiterkristall erhalten werden, der sowohl der günstigen Reinigung nach der Erfindung unterzogen als auch in einer nach der Erfindung ermöglichten Dicke hervorgebracht worden ist.The implementation of the method according to the invention according to F i G. 3 A and 3 B consists of the treatment of a rod-shaped semiconductor body 1 rod-shaped semiconductor crystal 3 of small size emerging from a large thickness Thickness (see Fig. 3A) in a rod-shaped semiconductor crystal 1 of great thickness to be transferred (see Fig. 3 B). By combining. these steps or one Repetition of these steps can thus obtain a rod-shaped semiconductor crystal be that both the subjected to favorable cleaning according to the invention as well as in a thickness made possible according to the invention.
Die Verfahrensschritte gemäß F i g. 3 A und 3 B können miteinander programmartig kombiniert werden. Beispielsweise kann eine besonders günstige Reinigungswirkung erzielt werden, wenn die Verfahrensschritte entsprechend F i g. 3 A und 3 B zu einer Programmfolge, z. B. A-B-A-B, A-B-A-B-A-B-A-B oder A-A-B-A-A-B, verbunden werden. Die beiden Einzelschritte A und B können hierbei durchweg unverändert beibehalten werden oder aber der fortschreitenden Reinigung angepaßt werden.The method steps according to FIG. 3 A and 3 B can be combined with each other like a program. For example, a particularly favorable cleaning effect can be achieved if the method steps according to FIG. 3 A and 3 B to a program sequence, e.g. B. ABAB, ABABABAB or AABAAB, can be connected. The two individual steps A and B can be kept unchanged throughout or they can be adapted to the progressive cleaning.
Die Ausführungsbedingungen jedes Einzelschrittes können dem zu verarbeitenden Halbleiterkörper bzw. Halbleiterkristall zweckmäßig angepaßt und im Hinblick auf den zu erzielenden Halbleiterkristall optimal bemessen werden. Mit Probeversuchen können hierbei für viele Ausführungen der Erfindung, z. B. für Serienherstellungszwecke, einfach zweckmäßige Durchführungsbedingungen wie Dicke, Geschwindigkeit, Zeitpunkt und Geschwindigkeit der Einstellung der Translationsgeschwindigkeit und andere Größen ermittelt werden.The execution conditions of each individual step can be assigned to the Semiconductor body or semiconductor crystal appropriately adapted and with a view to the semiconductor crystal to be achieved can be optimally dimensioned. With trial trials can here for many embodiments of the invention, for. B. for serial production purposes, simply appropriate implementation conditions such as thickness, speed, timing and speed of setting the translation speed and other quantities be determined.
Dem zu Anwendungen vorgesehenen stabförmigen Halbleiterkristall wird zweckmäßig dadurch eine bestimmte Konzentration an Elektronen- oder/und Defektelektronenleitung bewirkenden Stoffen gegeben, daß zu dessen Kristallisation bzw. Umkristallisation ein stabförmiger Halbleiterkörper oder Halbleiterkristall verwendet wird, der mit einer entsprechenden Stoffzugabe versehen wurde. Die derart zu erhaltenden Halbleiterkristalle können Kristalle einheitlichen Leitungstyps sein oder je nach den Herstellungsbedingungen zu Kristallen führen, die sogenannte pn-übergänge, insbesondere pn-Übergänge mit Gleichrichtereigenschaften, enthalten.The rod-shaped semiconductor crystal intended for applications is expediently thereby a certain concentration of electron and / or defect electron conduction causing substances given that to its crystallization or recrystallization a rod-shaped semiconductor body or semiconductor crystal is used, which with a corresponding fabric allowance has been provided. The semiconductor crystals to be obtained in this way may be crystals of uniform conductivity type or depending on the manufacturing conditions lead to crystals, the so-called pn-junctions, especially pn-junctions with Rectifier properties included.
Claims (10)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DEL22163A DE1185826B (en) | 1955-06-06 | 1955-06-06 | Method for producing a semiconductor crystal |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DEL22163A DE1185826B (en) | 1955-06-06 | 1955-06-06 | Method for producing a semiconductor crystal |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1185826B true DE1185826B (en) | 1965-01-21 |
Family
ID=7262308
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DEL22163A Pending DE1185826B (en) | 1955-06-06 | 1955-06-06 | Method for producing a semiconductor crystal |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE1185826B (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1278993B (en) * | 1965-07-15 | 1968-10-03 | Halbleiterwerk Frankfurt Oder | Device for crucible-free zone melting of rod-shaped semiconductor material |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE975158C (en) * | 1953-12-30 | 1961-09-14 | Siemens Ag | Method and device for crucible-free zone melting of an elongated rod-shaped body |
-
1955
- 1955-06-06 DE DEL22163A patent/DE1185826B/en active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE975158C (en) * | 1953-12-30 | 1961-09-14 | Siemens Ag | Method and device for crucible-free zone melting of an elongated rod-shaped body |
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