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DE1170479B - Transistor-Radio-Empfaenger - Google Patents

Transistor-Radio-Empfaenger

Info

Publication number
DE1170479B
DE1170479B DEG25988A DEG0025988A DE1170479B DE 1170479 B DE1170479 B DE 1170479B DE G25988 A DEG25988 A DE G25988A DE G0025988 A DEG0025988 A DE G0025988A DE 1170479 B DE1170479 B DE 1170479B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
transistor
fed
gain control
amplifier stage
voltage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DEG25988A
Other languages
English (en)
Inventor
James Henry Guyton
Leslie Eugene Scott
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Motors Liquidation Co
Original Assignee
General Motors Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by General Motors Corp filed Critical General Motors Corp
Publication of DE1170479B publication Critical patent/DE1170479B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03GCONTROL OF AMPLIFICATION
    • H03G3/00Gain control in amplifiers or frequency changers
    • H03G3/20Automatic control
    • H03G3/30Automatic control in amplifiers having semiconductor devices

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)

Description

  • Transistor-Radio-Empfänger Die Erfindung betrifft die Mehrfachregelung von Transistorverstärkerstufen im Hochfrequenz- und Zwischenfrequenzteil.
  • Um eine genügend starke Regelspannung zur automatischen Steuerung der Verstärkung zu erhalten, ist es notwendig, zumindest eine Verstärkerstufe in der Leitung der automatischen Verstärkungsregelung zu verwenden. Da Transistoren relativ teure Bauelemente sind, erhöhen sich hierdurch die Kosten des Empfängers.
  • Es ist bereits bekannt, eine Transistorstufe zur Verstärkung sowohl der Empfangsspannung als auch der Regelspannung zu verwenden. Diese Maßnahme wird bei einem bekannten überlagerungsempfänger mit einer HF-Transistorverstärkerstufe und einer Mehrzahl von ZF-Transistorverstärkerstufen, der eine automatische Verstärkungsregelung aufweist, in der Weise durchgeführt, daß eine erste Verstärkungsregelspannung, die sich mit der Empfangssignalstärke verändert, von dem Ausgangskreis einer Diode, die mit dem verstärkten ZF-Signal gespeist wird, abgenommen und der ersten ZF-Verstärkerstufe zugeführt wird und daß eine zweite Verstärkungsregelspannung vom Ausgang dieser ZF-Verstärkerstufe entnommen und der HF-Verstärkerstufe zugeführt wird.
  • Von diesem Stand der Technik wird bei der Erfindung ausgegangen. Gemäß der Erfindung wird die zweite Verstärkungsregelspannung außerdem der Basis des Transistors einer folgenden ZF-Verstärkerstufe zugeführt und vom Ausgang dieses Transistors eine dritte Verstärkungsregelspannung abgeleitet, die dem Emitter des Transistors der HF-Verstärkerstufe zugeführt wird, während der Basis dieses Transistors die zweite Verstärkungsregelspannung zugeführt wird.
  • Die Erfindung ist in einer Ausführungsform im folgenden mit Bezug auf die Zeichnung im einzelnen beschrieben.
  • Dieses Schaltbild zeigt den HF- und ZF-Verstärkerteil eines Transistor-Empfängers und läßt das Regelsystem gemäß der Erfindung erkennen.
  • Die Schaltung beginnt mit einer HF-Verstärkerstufe mit dem Transistor 2. Nach der Mischstufe 8 folgen zwei ZF-Verstärkerstufen mit den Transistoren 4 und 6. Die Mischstufe 8 ist in Blockform dargestellt und verbindet den Ausgang der HF-Verstärkerstufe 2 mit dem Eingang der ZF-Verstärkerstufe 4. Die Signale werden von der Antenne des Empfängers der Primärwicklung 10 eines Transformators zugeführt, mit der die Sekundärwicklung 12 gekoppelt ist, deren einer Anschluß direkt zur Basiselektrode 14 des HF-Transistors 2 und deren anderer Anschluß über den Kondensator 16 zur Masse führt. Die Kollektorelektrode 18 des Transistors 2 ist über ein Filterkoppelsystem, bestehend aus der Spule 20 und zwei Kondensatoren 22 und 24, mit dem Eingang der Mischstufe 8 verbunden, wo das Signal mit einer dort erzeugten Frequenz gemischt wird. Der Ausgang der Mischstufe liefert das ZF-Signal. Die Primärwicklung 26 eines Transformators liegt im Ausgang der Mischstufe. Von der Sekundärwicklung 28 führt ein Anschluß direkt zur Basis 30 des ZF-Transistors 4 und der andere Anschluß zur Leitung 32. Diese Leitung führt zur Verbindung zweier Widerstände 34 und 36, die zusammen mit den Widerständen 50 und 104 einen Spannungsteiler zwischen Speiseleitung 38 und Erde bilden. Zwischen der Leitung 32 und Erde liegt ein Kondensator 40.
  • Die Emitterelektrode 42 des HF-Transistors 2 ist mit dem einen Anschluß eines Koppelwiderstandes 44 und über Kondensator 46 mit Erde verbunden. Der Widerstand 44 ist über die Leitung 48 mit Verbindungspunkt der Widerstände 34 und 50 verbunden. Die Emitterelektrode 52 des ZF-Transistors 4 ist über den Vorspannungswiderstand 54 geerdet, zu dem ein Kondensator 56 parallel liegt. Der Emitter 52 ist ferner über die Leitung 58 mit dem einen Ende eines Widerstandes 60 verbunden, dessen anderer Anschluß direkt zur Leitung 38 (Pluspol der Speiseleitung) führt. Diese führt die geeignete Vorspannung für den ZF-Transistor heran. Die Kollektorelektrode 62 des ZF-Transistors 4 ist mit der Anzapfung 64 der Primärseite 66 eines Koppeltransformators verbunden. Der weiter entfernte Anschluß der Primärseite 66 führt über einen Begrenzungswiderstand 68 zur Speiseleitung 38. Zur Abstimmung dieses Teiles auf die Zwischenfrequenz des Empfängers liegt ein Kondensator 70 parallel zur Primärwicklung 66.
  • Eine mit der Primärwicklung 66 induktiv gekoppelte Sekundärwicklung 72 ist mit einem Anschluß direkt mit der Basiselektrode 74 des ZF-Transistors 6 verbunden, während der andere Anschluß zu dem Verbindungspunkt der Widerstände 76 und 78 führt, die zusammen mit dem Widerstand 68 in Reihe zwischen Speiseleitung 38 und Erde liegen. Zum Widerstand 78 liegt ein Kondensator 80 parallel. Ein weiterer Spannungsteiler aus den Widerständen 82 und 84 liegt zwischen der Leitung 38 und Erde. Der Punkt zwischen diesen zwei Widerständen ist direkt mit der Emitterelektrode 86 des Transistors 6 verbunden und erzeugt so die richtige Vorspannung für diese Elektrode. Der Widerstand 84 ist durch einen Kondensator 88 überbrückt.
  • Die Kollektorelektrode 90 des ZF-Transistors 6 ist mit einer Anzapfung 92 der Primärspule 94 verbunden, die die Ankopplung zu dem restlichen Empfängerteil bewirkt. Der obere Anschluß der Spule 94 führt direkt zur Leitung 48, also zu einem Punkt zwischen den Widerständen 50 und 34. Ein Abstimmkondensator 96 liegt parallel zur Wicklung 94, um diese auf die Zwischenfrequenz abzustimmen. Die Sekundärwicklung 98 ist induktiv mit der Primärwicklung 94 gekoppelt. Ein Anschluß ist direkt mit der Diode 100 und der andere Anschluß über die Leitung 102 mit Erde verbunden. Der rechte Anschluß der Diode 100 liegt an einem Punkt zwischen den Widerständen 36 und 104. Der andere Anschluß des Widerstandes 104 ist geerdet. Ein verstellbarer Schleifer 106 auf dem Widerstand 104 dient zur Einstellung der Lautstärke des Empfängers, und dieses ist der Punkt, an dem die NF-Signale für die Speisung des NF-Verstärkers abgenommen werden. So werden HF-Signale, die an der Eingangsspule 10 erscheinen, verstärkt und gleichgerichtet und erscheinen als NF-Signale an der Leitung 108.
  • Wie bereits erwähnt, ist es bei Verstärkern mit Transistoren bekannt, in die Leitung der automatischen Verstärkungsregelung keine besondere Verstärkerstufe einzubauen, sondern eine bereits vorhandene Transistorstufe zweifach in der Verstärkung auszunutzen, und zwar für die Signalspannung und die Regelspannung. Bei der dargestellten Schaltung wird die von der Diode 100 aus den ZF-Schwingungen erzeugte Regelspannung der ersten ZF-Stufe mit dem Transistor 4 zugeführt. Die von diesem Transistor abgeleitete zweite Regelspannung wird sowohl dem Transistor 6 in der zweiten ZF-Stufe als auch der Basis des Transistors 2 der HF-Vorstufe zugeführt, während eine von dem Transistor 6 abgeleitete dritte Regelspannung dem Emitter des Transistors 2 in der HF-Stufe zugeführt wird. Steigt das Eingangssignal an der Primärwicklung 10 an, so sinkt die am Punkt A zwischen den Widerständen 34 und 36 erscheinende Spannung infolge der Gleichrichtung dieses Signals ab. Der Punkt A ist über die Leitung 32 mit der Basis 30 des Transistors 4 verbunden, wodurch sich an diesem Punkt eine niedrigere Spannung einstellt, was den Strom durch den Transistor 4 absinken läßt und somit die Verstärkung dieser Stufe verringert. Dieses Absinken des Stromes im Transistor 4 läßt die Spannung am Punkt B ansteigen. Dieser Punkt ist über Widerstand 76 und Sekundärwicklung 72 mit der Basis 74 des ZF-Transistors 6 verbunden. Die Spannung an dieser Basis wird ansteigen mit dem Ergebnis, daß der Strom durch den Transistor 6 anwächst. Dieses verursacht einen Abfall in der Spannung am Punkt C, der über die Leitung 48 und den Widerstand 44 mit der Emitterelektrode 42 des HF-Transistors 2 verbunden ist und der daher eine geringere Spannung zugeführt wird. Gleichzeitig wird die ansteigende Spannung am Punkt B über den Begrenzungswiderstand 110 der Basiselektrode 14 des Transistors 2 zugeführt. So werden gleichzeitig Spannungen von den ZF-Transistoren 4 und 6 der Emitter- und Basiselektrode des HF-Transistors 2 zugeführt, um die erwünschte Verstärkungsregelung zu bewirken.
  • Der Emitter 52 des ZF-Transistors 4 wird mit Hilfe eines Spanungsteilers, der aus den Widerständen 60 und 54 besteht und der zwischen der Leitung 38 und Erde liegt, auf einer relativ konstanten Spannung gehalten. Durch Anwendung dieser Schaltung gestatten kleine Spannungsänderungen am Punkt A eine Regelung in viel größerem Umfang. Zur Vorspannungserzeugung für die Emitterelektrode 86 wird in ähnlicher Weise ein Spannungsteiler aus den Widerständen 82 und 84 verwendet.
  • Es ist erwünscht, bei dem HF-Verstärker die automatische Verstärkungsregelung zeitlich etwas später als bei den ZF-Verstärkern vorzunehmen. Bisher wurde eine Verzögerung durch Einschalten einer Diode in die Regelleitung vor dem HF-Verstärker erreicht. In der dargestellten Schaltung erscheint die Regelspannung zunächst an den ZF-Verstärkerstufen und wird dann erst dem HF-Verstärker zugeführt, wodurch ohne Verwendung weiterer Teile die erwünschte Verzögerung erzeugt wird.
  • Mit dieser Schaltung ist eine wirksame und teilweise verzögerte automatische Verstärkungsregelung in einem Transistorverstärker ohne Zusatz einer besonderen Verstärkerstufe und ohne die Anwendung einer Verzögerungsdiode in der Regelleitung möglich.

Claims (1)

  1. Patentansprüche: Überlagerungsempfänger mit einer HF-Transistorverstärkerstufe und einer Mehrzahl von ZF-Transistorverstärkerstufen, der eine automatische Verstärkungsregelung aufweist, derart, daß eine erste Verstärkungsregelspannung, die sich mit der Empfangssignalstärke verändert, von dem Ausgangskreis einer Diode, die mit dem verstärkten ZF-Signal gespeist wird, abgenommen und der ersten ZF-Verstärkerstufe zugeführt wird und daß eine zweite Verstärkungsregelspannung vom Ausgang dieser ZF-Verstärkerstufe entnommen und der HF-Verstärkerstufe zugeführt wird, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Verstärkungsregelspannung außerdem der Basis des Transistors (6) einer folgenden ZF-Verstärkerstufe zugeführt wird und daß vom Ausgang des Transistors (6) eine dritte Verstärkungsregelspannung abgeleitet wird, die dem Emitter des Transistors (2) der HF-Verstärkerstufe zugeführt wird, während der Basis dieses Transistors (2) die zweite Verstärkungsregelspannung zugeführt wird. In Betracht gezogene Druckschriften: USA.-Patentschriften Nr. 2774866; »Radio-Mentor«, Heft 1/1956, S. 27.
DEG25988A 1957-12-20 1958-12-19 Transistor-Radio-Empfaenger Pending DE1170479B (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US1170479XA 1957-12-20 1957-12-20

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1170479B true DE1170479B (de) 1964-05-21

Family

ID=22370724

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEG25988A Pending DE1170479B (de) 1957-12-20 1958-12-19 Transistor-Radio-Empfaenger

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE1170479B (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1277380B (de) * 1965-05-28 1968-09-12 Telefunken Patent Verfahren zur Regelung der Verstaerkung eines selektiven Hochfrequenztransistorverstaerkers

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2774866A (en) * 1956-01-30 1956-12-18 Emerson Radio & Phonograph Cor Automatic gain and band width control for transistor circuits

Patent Citations (1)

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