DE1161582B - Schaltungsanordnung zur Umkehrung binaerer Signale - Google Patents
Schaltungsanordnung zur Umkehrung binaerer SignaleInfo
- Publication number
- DE1161582B DE1161582B DEJ21247A DEJ0021247A DE1161582B DE 1161582 B DE1161582 B DE 1161582B DE J21247 A DEJ21247 A DE J21247A DE J0021247 A DEJ0021247 A DE J0021247A DE 1161582 B DE1161582 B DE 1161582B
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- point
- resistance
- tunnel diode
- input
- current
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 208000037516 chromosome inversion disease Diseases 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/02—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
- H03K19/08—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices
- H03K19/10—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using tunnel diodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Computing Systems (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
- Pulse Circuits (AREA)
Description
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Internat. KL: H 03 k
Nummer:
Aktenzeichen:
Anmeldetag:
Auslegetag:
Aktenzeichen:
Anmeldetag:
Auslegetag:
Deutsche Kl.: 21 al-36/18
J 21247 VIII a/21 al
3. Februar 1962
23. Januar 1964
3. Februar 1962
23. Januar 1964
Die Erfindung bezieht sich auf eine Schaltungsanordnung zur Umkehrung binärer Signale mit Bauelementen
mit negativer Widerstandskennlinie, insbesondere mit Tunneldioden.
Eine Umkehrstufe wird bei logischen Schaltungen zur Umkehr des binären Wertes eines Eingangssignals in ein Ausgangssignal mit umgekehrtem binären
Wert verwendet. Ist das Eingangssignal z. B. ein Signal mit Massepotential und stellt eine binäre
»1« dar, dann ist das Ausgangssignal bezüglich Masse negativ und stellt eine binäre »0« dar, und umgekehrt.
Es sind bereits logische Umkehrstufen mit Röhren, Transistoren und Magnetkernen bekannt. Seit nun
Tunneldioden als Bauelemente logischer Schaltungen verwendet werden, ist es erwünscht, eine Umkehrstufe
zur Verfügung zu haben, die mit anderen logischen Baugruppen mit Tunneldioden zusammenarbeiten
kann und die den Vorteil einer hohen Arbeitsgeschwindigkeit bei kleinen Betriebsspannungen
aufweist.
Es ist der Zweck der Erfindung, eine solche Umkehrstufe anzugeben. Die Erfindung enthält einen
ersten und einen zweiten Zweig, die je ein Bauelement mit negativem Widerstand in Reihe mit einem normalen
Widerstand enthalten. Binäre Eingangssignale, die auf den ersten Zweig gegeben werden, beeinflussen
den Wert des negativen Widerstandes in diesem Zweig, der wiederum den negativen Widerstand im
zweiten Zweig steuert. Man erhält ein Ausgangssignal des zweiten Zweiges, das die logische Umkehr des
Eingangssignals ist.
Die Schaltungsanordnung zur Umkehrung binärer Signale ist gekennzeichnet durch eine Parallelschaltung
zweier Stromkreise, die je eine Reihenschaltung von Widerstand und negativem Widerstand enthalten,
und bei der an dem ersten gemeinsamen Punkt der Parallelschaltung, an dem außerdem die
Stromquelle liegt, jeweils der Widerstand des Eingangskreises mit der Diode des Ausgangskreises zusammengeschaltet
ist, durch eine erste Eingangsklemme am Verbindungspunkt der Bauelemente des Eingangskreises und eine zweite Eingangsklemme
am zweiten gemeinsamen Punkt der Parallelschaltung und schließlich durch eine Ausgangsklemme am Verbindungspunkt
der Bauelemente des zweiten Kreises.
Die Erfindung wird nun an Hand der Zeichnungen näher erläutert. Es zeigt
Fig. 1 eine Arbeitskennlinie einer Tunneldiode,
F i g. 2 eine logische Umkehrstufe gemäß der Erfindung,
Fig. 3 eine andere Umkehrstufe gemäß der Erfindung.
Schaltungsanordnung zur Umkehrung
binärer Signale
binärer Signale
Anmelder:
International Standard Electric Corporation,
New York, N. Y. (V. St. A.)
New York, N. Y. (V. St. A.)
Vertreter:
Dipl.-Ing. H. Ciaessen, Patentanwalt,
Stuttgart W, Rotebühlstr. 70
Als Erfinder benannt:
Ernest Henri Paul Bigo, Nutley, N. J.,
Peter Pleshko, Bronx, N.Y. (V. St. A.)
Beanspruchte Priorität:
V. St. v. Amerika vom 14. Februar 1961
(Nr. 89 290)
Eine Tunneldiode ist ein Bauelement mit negativem Widerstand in einem Teil der Kennlinie. In
der F i g. 1 ist das Betriebsverhalten einer Tunneldiode als Kurve des Tunneldiodenstromes (/) über
der Spannung (V) gezeigt. Der Teil der Kennlinie mit negativer Widerstandscharakteristik liegt in dem
Bereich zwischen dem Hügelpunkt A, an dem die Spannung und der Strom V1, bzw. Ip bezeichnet sind,
und dem Talpunkt B, an dem die Spannung und der Strom mit Vv bzw. /v bezeichnet sind. Der Ausdruck
»negativer Widerstand« wird von der Tatsache abgeleitet, daß im Bereich zwischen den beiden Punkten
bei abnehmender Spannung eine Zunahme des Stromes auftritt.
Wird die Tunneldiode in Reihe mit einem Widerstand mit der Kennlinie 2 betrieben, so hat die
Tunneldiode zwei stabile Arbeitspunkte bei A und B, die durch einen instabilen Bereich getrennt sind. Ist
die Tunneldiode auf den Punkte vorgespannt und wird mit einem Stromimpuls geschaltet, kann man
erreichen, daß sie auf den Punkt B umschaltet. Für die Tunneldiode, deren Kennlinie in der Fig. 1 gezeigt
ist, ist eine Schaltspannung Vs notwendig, um einen Strom /„ durch die Tunneldiode und den
Reihenwiderstand hervorzurufen. Wenn der Strom I„ in der Tunneldiode erreicht ist, schaltet diese vom
Punkte zum PunktZ? um, und der Widerstand der
309 780/215
Tunneldiode nimmt von Ru, = V1JI11 auf R,d = Vv/Iv
ab. Dieser Wert beträgt bei einer Germanium-Tunneldiode im allgemeinen etwa das 60fache des
Widerstandes im Hügelpunkt. Es wird hier darauf hingewiesen, daß, wenn der Widerstand, der in
Reihe mit der Tunneldiode liegt, größer als der Wert wäre, der durch die Kennlinie 3 dargestellt ist,
die gleiche Schaltspannung Fx einen Strom zur Folge hat, der kleiner als /„ ist und der die Tunneldiode
nicht umschalten würde.
Diese Kennlinie der Tunneldiode kann für eine logische Umkehrstufe ausgenutzt werden. In F i g. 2
ist eine logische Umkehrstufe gezeigt, die einen ersten und einen zweiten Zweig enthält, die mit C
und D bezeichnet sind, wobei jeder der Zweige ein Bauelement mit negativer Widerstandskennlinie
(Tunneldioden 4 und 5) in Reihe mit den normalen Widerständen 6 und 7 enthält. Eine Stromquelle 24
ist am einen Ende der Zweige angeschlossen, und das Ausgangssignal 22 wird an der Verbindungsstelle
21 des negativen Widerstandes 5 mit dem Widerstand 7 abgenommen. Die Stromquelle 24
kann eine Induktivität sein, deren Speienereigenschaften zur Erzeugung eines Schaltstromes verwendet
werden können.
Der Widerstand 6 und die Tunneldiode 5 sind direkt mit der Spule 24 verbunden. Die Tunneldiode
4 ist direkt mit dem anderen Ende des Widerstandes 6 bei 17 verbunden, und der Widerstand 7
ist direkt mit der Tunneldiode 5 bei 21 verbunden. Ein Verzögerungsglied 19 ist mit der Tunneldiode 4
bei 16 und mit dem Widerstand 7 bei 20 verbunden. Die Tunneldioden 4 und 5 seien z. B. in ihren
ersten stabilen Zuständen (Punkt A in der F i g. 1). Die Widerstände 6 und 7 sind gleich, wobei diese
nur wenig größer als der Wert Rs sind, der erforderlich
ist, um das Umschalten der Tunneldioden beim Anlegen der Schaltspannung Vs zu bewirken. Die
Widerstände 6 und 7 können z. B. den Wert 1,1 · Rs
haben. Dieser Wert ist wesentlich größer als der Widerstand der Tunneldioden im Zustand geringen
Widerstandes, der dem Punkt B in der F i g. 1 entspricht.
Ein bekanntes Verfahren zur Darstellung binärer Informationen ist negatives Potential, z. B. — Vs, für
die logische »0« und Massepotential für die logische »1«. Bei der Erfindung werden über eine
geeignete Torschaltung »0«- und »!«-Eingangssignale in Form von negativen und Massepotentialen
aufgenommen und in logische »1«- und »O«-Ausgangssignale umgekehrt.
Die binären Eingangssignale werden auf die Umkehrstufe über eine geeignete Eingangsstufe gegeben.
Die Eingangsstufe ist ebenfalls beispielsweise mit Tunneldioden aufgebaut. Die Eingangsstufe 8 enthält
zwei Tunneldioden 9 und 10, die durch einen Widerstand 11 getrennt sind. Befindet sich die Tunneldiode
9 im Zustand hohen Widerstandes, dann ist die Tunneldiode 10 im Zustand geringen Widerstandes,
und umgekehrt, entsprechend dem angelegten Signal an der Leitung 12. Der Widerstandsunterschied
zwischen dem Zustand hohen und geringen Widerstandes einer Tunneldiode liegt in der Größenordnung
60:1, so daß der Spannungsabfall an der Tunneldiode im Zustand geringen Widerstandes im
Verhältnis zum Spannungsabfall an der Tunneldiode im Zustand hohen Widerstandes vernachlässigt
werden kann.
Ein Schaltimpuls, z. B. — F5, wird an dem Punkt
13 angelegt. Wenn an den Tunneldioden ein Signal von der Leitung 12 anliegt, so daß sich die Tunneldiode
10 im Zustand geringen Widerstandes befindet, dann nimmt das Potential am Punkt 14 den Wert
— Vs an. Ist die Tunneldiode 10 im Zustand hohen
Widerstandes und die Tunneldiode 9 im Zustand geringen Widerstandes, dann nimmt der Punkt 14
Massepotential an. DerZustand mit dem Potential — Vs
am Punkt 14 bedeutet die logische »0«, und der Zustand mit Massepotential an diesem Punkt bedeutet
die logische »1«. Der Spannungsimpuls — Vs gelangt
über ein Verzögerungsglied 15, z. B. eine LC-Verzögerungsleitung, zum Punkt 16 der Umkehrstufe.
Die geringe Verzögerung ist gleich der Schaltzeit der logischen Stufe 8, wodurch der Impuls — Vs am
Punkt 16 gleichzeitig mit dem Potentialzustand am Punkt 14 auftritt. Der Punkt 14 ist mit dem Punkt 17
der Umkehrstufe durch die Diode 18 verbunden. Die Diode 18 würde sperren, wenn der Punkt 14 die Spannung
— Vs aufweist, und kein Strom würde am Punkt
17 eingespeist; befindet sich jedoch der Punkt 14 auf Massepotential, dann leitet die Diode 18, und der
Strom gelangt an den Punkt 17.
Die Eingangssignale zur Umkehrstufe sind damit: ein Spannungsimpuls — Vs am Punkt 16 und ein
positiver Strom am Punkt 17 bei einer binären »1« und ein Spannungsimpuls — Vs am Punkt 16 und kein
Strom am Punkt 17 bei einer binären »0«.
Wenn ein Eingangssignal entsprechend einer »0« auf die Umkehrstufe gegeben wird, dann ist der
Widerstand 6 größer als Rs, und der Strom, der durch
den Spannungsimpuls — Vs erzeugt wird, ist nicht
groß genug, um die Tunneldiode 4 umzuschalten. Der Zustand der Umkehrstufe ändert sich damit
nicht. Der Spannungsimpuls — Vs gelangt durch das
Verzögerungsglied 19, das nachher noch näher beschrieben wird, zum Punkt 20. Da sich die Tunneldiode
5 im ersten stabilen Zustand befindet, ist ihr Widerstand wesentlich kleiner als der Widerstand?
und kann vernachlässigt werden. Der Spannungsabfall des Impulses — Vs wirkt sich fast vollständig
am Widerstand 7 aus, wobei der Punkt 21 etwa Massepotential annimmt entsprechend einer logischen
»1«. Auf diese Weise wurde die Umkehr bewirkt, und der logische »1 «-Impuls steht an der Ausgangsleitung
22 zur Verfügung.
Wenn ein Eingangssignal entsprechend einer »1« auf die Umkehrstufe gegeben wird, d.h. wenn ein
Spannungsimpuls — Vs auf den Punkt 16 gegeben
wird und Strom am Punkt 17 anliegt, dann ist der Strom am Punkt 17 zusammen mit dem Strom, der
durch den Spannungsimpuls — Vs am Punkt 16 hervorgerufen
wird, genügend groß, um die Tunneldiode 4 umzuschalten. Wenn die Tunneldiode 4 umschaltet,
befindet sie sich im Punkt B der Kennlinie, die in F i g. 1 gezeigt ist. Beim Umschalten steigt der
Widerstand der Tunneldiode 4 von einem vernachlässigbaren kleinen Wert auf einen Wert, der wesentlich
größer als der Widerstand 6 ist. Der Widerstand einer Germanium-Tunneldiode kann z.B. um den
Faktor 60 zunehmen und wird dabei lOmal größer als Rs. Das Ansteigen des Widerstandes der Tunneldiode
4 verursacht ein steiles Absinken des Stromes zwischen dem Punkt 16 und dem Massepunkt 23.
Dieser steile Stromabfall bewirkt eine Rückspannung in der Spule 24, die wiederum einen steilen Stromanstieg
im Zweig der Tunneldiode 5 zur Folge hat.
Dieser Zweig ist der Zweig mit dem geringeren Widerstand, bei dem der Rückweg zur Masse über
die Leitung 22 und einen Belastungswiderstand 27 erfolgt. Das Verzögerungsglied 19 verzögert den
Spannungsimpuls — Vs am Punkt 20 um einen Betrag
gleich der Zeit, die die Spule 24 benötigt, um den Stromanstieg in der Tunneldiode 5 zu bewirken. Das
Verzögerungsglied 19 kann eine LC-Verzögerungsleitung sein. Mit dem zusätzlichen Strom erfolgt nun
das Umschalten der Tunneldiode 5, wobei der Widerstand dieser Tunneldiode auf einen solchen Wert
ansteigt, daß der Widerstand 7 sehr klein und vernachlässigbar dagegen ist. Der Spannungsabfall des
Impulses — Vs liegt nun fast vollständig an der
Tunneldiode 5, wobei der Punkt 21 und die Ausgangsleitung 22 das Potential — Vs annehmen, das
der logischen »0« entspricht und die Umkehrung des logischen »1 «-Signals vom Eingang ist.
Es wurde gezeigt, daß der Umschaltvorgang der Tunneldioden in der Anordnung gemäß der Erfindung
zur logischen Umkehr von binären Eingangssignalen bei hoher Arbeitsgeschwindigkeit und niederen
Spannungen verwendet werden kann. Die Kapazität der Tunneldioden wurde vernachlässigt, da der
kapazitive Scheinwiderstand der Tunneldiode vernachlässigbar im Verhältnis zu den betrachteten
ohmschen Widerstandes ist. Die durch die Kapazität hervorgerufene Verzögerung könnte beim Schaltvorgang
der Tunneldiode mitverwendet werden. Im vorliegenden Falle kann dieser Einfluß vernachlässigt
werden, da die Impulsfolgefrequenz der Eingangsimpulse innerhalb gewisser Grenzwerte liegt.
Der Arbeitswiderstand 27 ist an Stelle eines beliebigen Verbrauchers eingezeichnet, dem die umgekehrten
logischen Signale zugeführt werden. Manchmal ist es erwünscht, eine Reihe logischer Umkehrungen
zu erzeugen, indem man eine Anzahl Umkehrstufen hintereinanderschaltet. Dabei wird das
Ausgangssignal von der Leitung 22 auf einen dem Punkt 17 ähnlichen Punkt der folgenden Umkehrstufen
gegeben, und der Schaltimpuls — Vs vom Punkt 20 wird an einen dem Punkt 16 ähnlichen
Punkt der nachfolgenden Stufen gegeben, wodurch das binäre logische Signal umgekehrt und durch eine
Anzahl solcher Umkehrstufen wieder zurückgewandelt werden kann. Die einzige Forderung für einen
solchen Reihenbetrieb ist, daß der Strom, der auch von der Leitung 22 für die nächste Stufe entnommen
wird, puls dem Strom, der durch den Widerstand 7 fließt, kleiner als der Spitzenstrom der Tunneldiode 5
ist. Ist diese Forderung nicht erfüllt, so erfolgt ein Umschalten der Tunneldiode 5 zu einem ungeeigneten
Zeitpunkt.
In der F i g. 3 ist eine andere Ausführungsform der Erfindung gezeigt, bis der kein Verzögerungsglied
erforderlich ist. Die Anordnung nach F i g. 3 ist identisch mit der nach Fig. 2, mit der Ausnahme, daß
das Verzögerungsglied 19 fehlt und die Spule 24 durch eine Batterie 25 in Reihe mit dem Widerstand
ersetzt ist. Die Wirkungsweise der Anordnung nach F i g. 3 unterscheidet sich nicht wesentlich von
der Wirkungsweise der Anordnung nach Fig. 2.
Claims (4)
1. Schaltungsanordnung zur Umkehrung binärer Signale, gekennzeichnet durch eine
Parallelschaltung zweier Stromkreise, die je eine Reihenschaltung von Widerstand und negativem
Widerstand enthalten und bei der an dem ersten gemeinsamen Punkt der Parallelschaltung, an
dem außerdem die Stromquelle liegt, jeweils der Widerstand des Eingangskreises mit der Diode
des Ausgangskreises zusammengeschaltet ist, durch eine erste Eingangsklemme am Verbindungspunkt
der Bauelemente des Eingangskreises und eine zweite Eingangsklemme am zweiten gemeinsamen
Punkt der Parallelschaltung und schließlich durch eine Ausgangsklemme am Verbindungspunkt
der Bauelemente des zweiten Kreises.
2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Stromquelle eine
Induktivität ist.
3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Stromquelle die
Reihenschaltung eines Widerstandes mit einer Batterie ist.
4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß vor den Eingangsklemmen (16, 17) eine Eingangsstufe (8) angeordnet
ist.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
309 780/215 1.64 © Bundesdruckerei Berlin
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US8929061A | 1961-02-14 | 1961-02-14 | |
| CH961761A CH407217A (de) | 1960-08-18 | 1961-08-16 | Anordnung mit mehreren hintereinandergeschalteten logischen Schalteinheiten |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1161582B true DE1161582B (de) | 1964-01-23 |
Family
ID=25705059
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DEJ21247A Pending DE1161582B (de) | 1961-02-14 | 1962-02-03 | Schaltungsanordnung zur Umkehrung binaerer Signale |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3124704A (de) |
| CH (1) | CH457554A (de) |
| DE (1) | DE1161582B (de) |
| GB (1) | GB981720A (de) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3421029A (en) * | 1965-12-17 | 1969-01-07 | Bell Telephone Labor Inc | Bistable circuit employing negative resistance semiconductor diodes |
-
0
- US US3124704D patent/US3124704A/en not_active Expired - Lifetime
-
1962
- 1962-02-03 DE DEJ21247A patent/DE1161582B/de active Pending
- 1962-02-09 GB GB5065/62A patent/GB981720A/en not_active Expired
- 1962-02-13 CH CH171462A patent/CH457554A/de unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US3124704A (en) | 1964-03-10 |
| GB981720A (en) | 1965-01-27 |
| CH457554A (de) | 1968-06-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE2323478A1 (de) | Datenuebertragungsanordnung | |
| DE2611863A1 (de) | Pegelumsetzer fuer binaersignale | |
| DE1200357B (de) | Bistabile Kippschaltung mit dauernder Speichereigenschaft bei Ausfall der Versorgungsspannung | |
| DE3486360T2 (de) | Differentialschalter. | |
| DE2037023B2 (de) | Seriell arbeitende, digitale Spei cheranordnung | |
| DE1249337B (de) | ||
| DE1267249B (de) | Eingangstorschaltung fuer eine bistabile Speicherschaltung | |
| DE1161582B (de) | Schaltungsanordnung zur Umkehrung binaerer Signale | |
| DE2522588A1 (de) | Treiberschaltung in komplementaer- feldeffekttransistor-technologie | |
| DE3318957A1 (de) | Monolithisch integrierbare, bistabile multivibratorschaltung mit einem in einen vorzugszustand einstellbaren ausgang | |
| DE1194900B (de) | Schwellenwertschaltglied | |
| DE2605498C3 (de) | Schaltungsanordnung zur Erzeugung eines stufenförmigen Impulses | |
| DE2030841A1 (de) | Monostable Kippschaltung vorzugsweise fur die Erkennung von Binarsignalanderun gen | |
| DE1762436A1 (de) | Schaltung zur Durchfuehrung logischer Verknuepfungen | |
| DE2406352C3 (de) | Statisches MOS-Speicherelement und Verfahren zu dessen Betrieb | |
| DE3038522C2 (de) | Schaltungsanordnung mit einem bipolaren Schalttransistor | |
| DE1257201B (de) | Elektronischer Schalter | |
| DE1178111B (de) | Schaltungsanordnung zur Bildung einer Impuls-folge mit der Differenzfrequenz zweier Impuls-folgen mit vorgegebenen Impulsfolgefrequenzen | |
| DE69904929T2 (de) | Hochfrequenzschalter | |
| DE2132560B2 (de) | ||
| DE1141673B (de) | Dekodierer mit einer mit Magnetkernen aufgebauten Matrixschaltung, bei der die Kernewenigstens eine Eingangs-windung und eine Anzahl von Ausgangswindungen aufweisen, zur UEbertragung einer Binaerzahl von N Bits | |
| DE1294477B (de) | Leseschaltung fuer Magnetkernspeicher | |
| DE2004229A1 (de) | Impulsgenerator | |
| DE1524774C (de) | Elektronisches Speicherelement | |
| DE1218525B (de) | Verstaerker mit umschaltbarem Verstaerkungsgrad |