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DE1155487B - Anordnung zur Erzielung einer positiven Basisvorspannung bei Transistoren in Schaltverstaerkern - Google Patents

Anordnung zur Erzielung einer positiven Basisvorspannung bei Transistoren in Schaltverstaerkern

Info

Publication number
DE1155487B
DE1155487B DEL40298A DEL0040298A DE1155487B DE 1155487 B DE1155487 B DE 1155487B DE L40298 A DEL40298 A DE L40298A DE L0040298 A DEL0040298 A DE L0040298A DE 1155487 B DE1155487 B DE 1155487B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
transistors
rectifier
arrangement
achieving
base
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DEL40298A
Other languages
English (en)
Inventor
Dipl-Ing Guenther Mehwald
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Original Assignee
Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Licentia Patent Verwaltungs GmbH filed Critical Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Priority to DEL40298A priority Critical patent/DE1155487B/de
Publication of DE1155487B publication Critical patent/DE1155487B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/21Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/217Class D power amplifiers; Switching amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/02Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
    • H03F1/0205Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
    • H03F1/0261Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers with control of the polarisation voltage or current, e.g. gliding Class A

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Description

  • Anordnung zur Erzielung einer positiven Basisvorspannung bei Transistoren in Schaltverstärkern Die Erfindung betrifft eine Anordnung zur Erzielung einer positiven Basisvorspannung bei Transistoren in Schaltverstärkern.
  • Es ist bekannt, Gleichrichter in den Basis-Emitterkreis von Transistoren zu legen, doch geschieht dies entweder, um Signalverzerrungen zu vermeiden, die in Verstärkern auftreten können, welche nicht temperaturkompensiert sind, oder um den Strom in Transistorstromkreisen zu stabilisieren und gleichzeitig zu verhindern, daß die Polarität und Amplitude von Signalen verändert werden. Leistungstransistoren im Schaltbetrieb jedoch, besonders, wenn mit höheren Strömen gearbeitet wird, sperren nur dann gut, wenn die Basis in bezug auf den Emitter ein positives Potential hat. Denn dadurch wird der Kollektorreststrom stark verkleinert, außerdem wird verhindert, daß die Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung bei Ansteigen der Sperrschichttemperatur unzulässig klein wird. Aus diesem Grunde werden bei bekannten Schaltungen in den Basiskreis Hilfsspannungsquellen gelegt. Dies erfordert jedoch einen großen Aufwand.
  • Bei der Anordnung zur Erzielung einer positiven Basisvorspannung bei Transistoren in Schaltverstärkern nach der Erfindung werden die Nachteile der bekannten Schaltungen, bei der mindestens ein Gleichrichter, z. B. Diode, im Basis-Emitterkreis des bzw. der Transistoren liegt, dadurch vermieden, daß parallel zu dem bzw. den Gleichrichtern ein Kondensator geschaltet ist, der sich während des Minimums der Steuerspannung des bzw. der Transistoren über den bzw. die Gleichrichter teilweise entlädt.
  • Die Erfindung wird an Hand der Zeichnungen näher erläutert. Gespeist wird der Verstärker in der Fig. 1 von einer Stromquelle 1. Die Steuerspannungsquelle 2 und der Transformator 3 liegen im Basis-Emitterkreis des Transistors 4. An Stelle eines üblicherweise verwandten niederohmigen Widerstandes, der den Widerstand der Steuerspannungsquelle 2 erhöht. wird ein Gleichrichter, z. B. eine Siliziumdiode 6, ebenfalls in den Basis-Emitterkreis des Transistors 4 eingeschaltet. Parallel zu dem Gleichrichter 6 liegt ein Kondensator 8 in demselben Kreis. Von der Steuerspannungsquelle 2 gehen rechteckförmige Wechselstromsignale aus. Jedes Signal bewirkt, daß derArbeitspunkt des Gleichrichters 6 auf seinerKennlinie in den steil ansteigenden Teil verschoben wird. Sinkt die Steuerspannung auf ein Minimum, was in der Pause zwischen zwei Signalen geschieht, so entlädt sich der Kondensator 8 teilweise, und zwar über den Gleichrichter 6. Dadurch wird die positive Vorspannung der Basis des Transistors gegenüber dem Emitter aufrechterhalten. Der Transistor ist jetzt gesperrt. Beim Eintreffen des nächsten Signals wird der Kondensator 8 wieder aufgeladen, Transistor 4 ist geöffnet. Der Widerstand 9 stellt die Last dar.
  • In einer anderen Ausführungsform liegen Gleichrichter 6 und der parallel geschaltete Kondensator 8 im Basis-Emitterkreis der Transistoren 4 und 5 eines Gegentaktschaltverstärkers, wie in Fig. 2 dargestellt ist. Die Last des Gegentaktschaltverstärkers, der in bekannter Weise arbeitet, ist in diesem Falle der Transformator 10. Auch in dieser Schaltung wird bei durchgeschaltetem Transistor der Kondensator 8 durch den Basisstrom auf die Durchlaßspannung des Gleichrichters 6 aufgeladen und entlädt sich in der Steuerspannungslücke langsam über den hochohmigen Innenwiderstand des Gleichrichters 6 im flachen Teil seiner Kennlinie. Falls erforderlich, müssen zwei Dioden in Reihe geschaltet werden. Die positive Basisvorspannung. durch die die Transistoren 4 und 5 während der Lücken der Steuerspannung gesperrt werden, wird automatisch durch den Gleichrichter 6 und den Kondensator 8 erzeugt.
  • In einer anderen Ausführungsform der Erfindung, bei der die Steuerspannungslücken sehr groß sein können, entfällt der zum Gleichrichter 6 im Basis-Emitterkreis des Transistors 4 parallel geschaltete Kondensator. Dem Gleichrichter 6 parallel geschaltet sind dafür ein Ohmscher Widerstand 7 und eine Gleichstromquelle 11. Der Strom, der von ihr durch den Gleichrichter 6 fließt, braucht nur so groß zu sein, daß die Spannung, die darüber abfällt, zur Sperrung des Transistors ausreicht.

Claims (2)

  1. PATENTANSPRÜCHE: 1. Anordnung zur Erzielung einer positiven Basisvorspannung bei Transistoren in Schaltverstärkere, bei der mindestens ein Gleichrichter, z. B. Diode, im Basis-Emitterkreis des, bzw. der Transistoren liegt, dadurch gekennzeichnet, daß parallel zu dem bzw. den Gleichrichtern ein Kondensator geschaltet ist, der sich während des Minimums der Steuerspannung des bzw. der Transistoren über den bzw. die Gleichrichter teilweise entlädt.
  2. 2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß dem Gleichrichter, z. B. einer Diode, der Strom einer Hilfsstromquelle aufgeschaltet ist. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Patentschrift Nr. 1022 639; britische Patentschrift Nr. 848 605.
DEL40298A 1961-10-25 1961-10-25 Anordnung zur Erzielung einer positiven Basisvorspannung bei Transistoren in Schaltverstaerkern Pending DE1155487B (de)

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DE1155487B true DE1155487B (de) 1963-10-10

Family

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1289122B (de) * 1964-09-14 1969-02-13 Rca Corp Galvanisch gekoppelte Transistorschaltung, insbesondere in integrierter Bauweise

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1022639B (de) * 1953-07-24 1958-01-16 Rca Corp Temperaturkompensierte Transistor-Verstaerkerschaltung
GB848605A (en) * 1957-08-27 1960-09-21 Philco Corp Improvements in and relating to transistor circuits

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