DE1146592B - Method for producing an ohmic base connection on the n-conducting semiconductor body of a transistor - Google Patents
Method for producing an ohmic base connection on the n-conducting semiconductor body of a transistorInfo
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Description
Verfahren zum Herstellen eines ohmschen Basisanschlusses an dem n-leitenden Halbleiterkörper eines Transistors Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Anbringen einer ohmschen Elektrode an der Basis eines Transistors mit einem n-leitenden Halbleiterkörper.Method for producing an ohmic base connection on the n-conducting Semiconductor body of a transistor The invention relates to a method of attachment an ohmic electrode at the base of a transistor with an n-conducting semiconductor body.
Untersuchungen haben ergeben, daß für die Güte von Hochfrequenzleistungstransistoren die Art des ohmschen Basisanschlusses von ausschlaggebender Bedeutung ist. Es ist bisher nicht gelungen, Hochfrequenzleistungstransistoren herzustellen, die eine bestimmte Verlustleistung in einem größeren Steuerbereich zulassen. Eine Aussteuerung konnte daher immer nur in einem relativ engen Bereich der Kennlinie erfolgen.Studies have shown that for the quality of high-frequency power transistors the type of ohmic base connection is of decisive importance. It is so far failed to produce high-frequency power transistors that have a allow certain power dissipation in a larger control range. A control could therefore only ever take place in a relatively narrow range of the characteristic curve.
Zur Vermeidung dieser Nachteile wird gemäß der Erfindung als Basisanschluß ein Elektrodenmaterial einlegiert, welches außer einem oder mehreren Donatoren auch Indium enthält; das Konzentrationsverhältnis der Donatoren und des Indiums wird dabei so groß gewählt, daß kein pn-Übergang mit dem Halbleiterkörper gebildet wird.To avoid these disadvantages, according to the invention, as a base connection an electrode material is alloyed in, which, in addition to one or more donors, also Contains indium; the concentration ratio of the donors and the indium becomes chosen so large that no pn junction is formed with the semiconductor body.
Eine solche Legierung kann z. B. in Form einer Folie auf die Verbindungsstelle zwischen Basiselektrode und Halbleiterkörper gepreßt, anschließend die Basiselektrode auf die aufgepreßte Folie gelegt und dann durch Legieren mit dem Halbleiterkörper verbunden werden.Such an alloy can e.g. B. in the form of a film on the connection point pressed between the base electrode and the semiconductor body, then the base electrode placed on the pressed-on film and then alloyed with the semiconductor body get connected.
Als n-Störstellenmaterial kann z. B. Arsen oder Antimon verwendet werden. Es ist darauf zu achten, daß der Anteil des n-Störstellenmaterials in der Legierung relativ hoch ist und z. B. bei Verwendung von Arsen ungefähr 5 Atomprozente beträgt.As the n-type impurity material, for. B. arsenic or antimony is used will. Care must be taken that the proportion of the n-type impurity material in the Alloy is relatively high and z. B. when using arsenic about 5 atomic percent amounts to.
Die erfindungsgemäße Ausbildung des Basiselektrodenanschlusses wirkt sich auch auf den Verlauf der Kollektorsperrschichtkennlinie aus. Die im Sperrbereich vorhandene negative Kennliniencharakteristik wird bei Anwendung der nach der Erfindung verwendeten Legierung für die Verbindung zwischen Basiselektrode und n-leitendem Halbleiterkörper wesentlich abgeschwächt.The design of the base electrode connection according to the invention is effective also affect the course of the collector junction characteristic. The ones in the restricted area existing negative characteristic is when using the according to the invention alloy used for the connection between the base electrode and the n-conducting Semiconductor body significantly weakened.
Das Verfahren nach der Erfindung soll an einem Ausführungsbeispiel näher erläutert werden. Ein Hochfrequenzleistungstransistor besteht nach der Zeichnung aus einem n-leitenden Halbleiterkörper 1, auf dessen Oberflächen einander gegenüberliegend die Emitterelektrode 2 und die Kollektorelektrode 3 auflegiert sind. Die Emitterelektrode 2 besteht im Ausführungsbeispiel aus einer Blei-Gallium-Legierung, während die Kollektorelektrode 3 neben Indium Blei enthält. Die Basiselektrode ist in Gestalt eines Ringbasisanschlusses 4 auf die emitterseitige Halbleiteroberfläche aufgelötet, und zwar unter Verwendung einer 5oloigen Arsen-Indium-Legierung, die in Form eines Lotringes 5 vor dem Auflöten der Basiselektrode 4 auf die Halbleiteroberfläche aufgepreßtwird. Die Hochfrequenzeigenschaften der Halbleiteranordnung werden verbessert, wenn in der Basiszone des Transistors durch unterschiedliche Dotierung ein Driftfeld erzeugt wird.The method according to the invention is intended to be based on an exemplary embodiment are explained in more detail. A high frequency power transistor is made according to the drawing from an n-conducting semiconductor body 1, on the surfaces of which are opposite one another the emitter electrode 2 and the collector electrode 3 are alloyed. The emitter electrode 2 consists in the exemplary embodiment of a lead-gallium alloy, while the collector electrode 3 contains lead in addition to indium. The base electrode is in the form of a ring base connector 4 soldered onto the emitter-side semiconductor surface using a 5-mol arsenic-indium alloy, which is in the form of a solder ring 5 before soldering of the base electrode 4 is pressed onto the semiconductor surface. The high frequency properties the semiconductor device are improved when in the base region of the transistor a drift field is generated by different doping.
Die erfindungsgemäße Ausbildung des Basisanschlusses und speziell die Zusammensetzung des Basislotes ist nicht auf Hochfrequenzleistungsgleichrichter beschränkt, sondern kann ebenso bei anderen Transistoren Anwendung finden.The inventive design of the base connection and specifically the composition of the base solder is not based on high frequency power rectifiers limited, but can also be used with other transistors.
Claims (5)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DET20506A DE1146592B (en) | 1961-07-28 | 1961-07-28 | Method for producing an ohmic base connection on the n-conducting semiconductor body of a transistor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DET20506A DE1146592B (en) | 1961-07-28 | 1961-07-28 | Method for producing an ohmic base connection on the n-conducting semiconductor body of a transistor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1146592B true DE1146592B (en) | 1963-04-04 |
Family
ID=7549732
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DET20506A Pending DE1146592B (en) | 1961-07-28 | 1961-07-28 | Method for producing an ohmic base connection on the n-conducting semiconductor body of a transistor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE1146592B (en) |
-
1961
- 1961-07-28 DE DET20506A patent/DE1146592B/en active Pending
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| None * |
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