DE1145228B

DE1145228B - Method for storing and non-destructive reading of binary information in or from a magnetostrictive memory

Info

Publication number: DE1145228B
Application number: DEB49102A
Authority: DE
Inventors: Adam Chaimowicz
Original assignee: International Computers and Tabulators Ltd
Current assignee: International Computers and Tabulators Ltd
Priority date: 1957-05-31
Filing date: 1958-05-30
Publication date: 1963-03-14
Also published as: GB873367A

Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Einspeichern und zerstörungsfreien Ablesen von Angaben mit Hilfe der Remanenzeigenschaften ferromagnetischer Werkstoffe.The invention relates to a method for Storage and non-destructive reading of information using the remanence properties of ferromagnetic Materials.

Es wurde bereits vorgeschlagen, Speichereinrichtungen zu benutzen, die langgestreckte Speicherglieder aus magnetostriktivem Material benutzen, die zwei entgegengesetzte remanente Zustände haben können und zwischen zwei Dämpfungsblocks gelagert sind. Die Speicherglieder können beispielsweise erne dtaht- oder eine bandförmige Gestalt besitzen, und die Übertragung von binären Angaben auf oder von unterteilten Punkten entlang des Speichergliedes kann durch Benutzung eines Umwandlers bewirkt werden, der beispielsweise eine Magnetspule oder einen piezoelektrischen Kristall enthält, um mechanische Spannungswellen zu erzeugen, die entlang des Speichergliedes wandern. Die Lagerung in Dämpfungsblocks soll Reflexionen der Spannungswellen an den Enden vermeiden. Beispielsweise ist eine Speichereinrichtung, die ein derartiges Speicherglied benutzt, bekanntgeworden, die als eine dynamische Speichereinrichtung für binäre Zeichen dient und in der entgegengesetzte binäre Zeichen durch die entgegengesetzten Zustände des Speichergliedes dargestellt werden. Bei dieser Einrichtung ist eine Eingangsspule an das eine Ende des magnetostriktiven Drahtes und eine Ausgangsspule an das andere Ende des Drahtes gekoppelt. Geeignete Impulsform- und Verstärkungskreise sind zwischen der Eingangsspule und der Ausgangsspule zwischengeschaltet, die einen Teil einer geschlossenen Schleife bilden, in der binäre Zahlen in der Form einer Folge von Impulsen zirkulieren können. Spulen für Impulszeichen sind entlang des Drahtes angeordnet, die selektiv erregt werden können, um eine Reihe von akustischen Impulsen zu erzeugen, die entltang dfes Drahtes wandern. Diese Impulse werden in der Ausgangsspule in elektrische Impulse umgewandelt. Die elektrischen Impulse werden durch den Verstärker verstärkt, und die Ausgangsimpulse aus dem Verstärker werden an die Eingangsspule angelegt, um eine neue Reihe von akustischen Impulsen in dem magnetostriktiven Draht zu erzeugen. Auf diese Wedse werden binäre Angabensignale durch akustische Impulse dargestellt, die entltang des magnetostriktiven Drahtes wandern. Die akustischen Impulse können auch als Spannungswellen in dem Draht betrachtet werden, die durch Erregung der Eingangsspule und der Spulen für die Impulszeichen gestartet werden.It has been proposed to use memory devices that use elongated memory members made of magnetostrictive material that have two opposite remanent states can and are stored between two damping blocks. The memory elements can, for example, erne dtaht- or a ribbon-like shape, and the transfer of binary information to or from subdivided points along the memory link can be effected using a transducer which contains, for example, a magnetic coil or a piezoelectric crystal to generate mechanical stress waves to generate that migrate along the storage member. Storage in damping blocks should avoid reflections of the stress waves at the ends. For example, a storage device is using such a memory member has become known as a dynamic memory device serves for binary characters and in the opposite binary character by the opposite states of the storage element are shown. In this device there is an input coil at one end of the magnetostrictive wire and an output coil coupled to the other end of the wire. Appropriate pulse shaping and gain circuits are between the input coil and the output coil interposed, which form part of a closed loop, in which binary numbers in the form a series of impulses can circulate. Coils for pulse signs are arranged along the wire, which can be selectively energized to produce a series of acoustic pulses that ensue Walk the wire. These pulses are converted into electrical pulses in the output coil. The electrical pulses are amplified by the amplifier, and the output pulses from the amplifier are applied to the input coil to generate a new series of acoustic pulses in the to generate magnetostrictive wire. On this Wedse, binary information signals are transmitted through acoustic Pulses are shown traveling along the magnetostrictive wire. The acoustic impulses can can also be viewed as stress waves in the wire caused by excitation of the input coil and the coils for the pulse characters are started.

Ein weiteres Beispiel einer Speichereinrichtung, die Spannungswellen benutzt, die in einem magnetostriktiven Speicherglied erzeugt werden, zeigt eineAnother example of a memory device that uses voltage waves generated in a magnetostrictive Memory element are generated, shows a

Verfahren zum EinspeichernStorage method

und zerstörungsfreien Ablesen von binären Informationen in einen bzw. aus einemand non-destructive reading of binary information in and out of a

magnetostriktiven Speichermagnetostrictive memory

Anmelder:Applicant:

InternationalInternational

Computers and Tabulators, Limited,
LondonComputers and Tabulators, Limited,
London

Vertreter:Representative:

Dipl.-Ing. W. Cohausz, Dipl.-Ing. W. FlorackDipl.-Ing. W. Cohausz, Dipl.-Ing. W. Florack

und Dipl.-Ing. K.-H. Eissei, Patentanwälte,and Dipl.-Ing. K.-H. Eissei, patent attorneys,

Düsseldorf, Schumannstr. 97Düsseldorf, Schumannstr. 97

Beanspruchte Priorität:
Großbritannien vom 31. Mai 1957 (Nr. 17 350)Claimed priority:
Great Britain May 31, 1957 (No. 17,350)

Adam Chaimowicz, Stevenage, HertfordshireAdam Chaimowicz, Stevenage, Hertfordshire

(Großbritannien),
ist als Erfinder genannt worden(Great Britain),
has been named as the inventor

Speichereinrichtung, in der die gespeicherten binären Zeichen durch die remanenten Zustände von unterteilten Speicherstellungen entltang der. Länge des Speichergliedes dargestellt sind. Eine getrennte Registrierspule für Angaben ist mit jeder Speicherstellung gekoppelt. Ein geeigneter Impulsstrom wird durch eine Angabenspule hindurchgeschickt, um die entsprechende Speicherstellung kurzzeitig einem magnetischen Feld auszusetzen, wobei diese Speicherstellung in den einen oder den anderen remanenten Zustand entsprechend dem binären Zeichen, das gespeichert werden soll (z. B. einer binären Eins oder einer binären Null), gebracht wird. Eine Ablesewindung ist elektromagnetisch mit allen Speicherstellungen des Drahtes gekoppelt. An einem Ende des Drahtes ist ein Umwandler angeschlossen, der bei Betätigung eine mechanische Spannungswelle in dem Draht startet. Beim Durchlauf der Spannungswelle durch jede Speicherstellung wird ein elektrisches Signal in der Ablesewindung erzeugt, das für den remanenten Zustand der betreffenden Stellung kennzeichnend ist.Storage device in which the stored binary characters are subdivided by the remanent states of Storage positions contain the. Length of the memory member are shown. A separate registration coil for information is linked to each storage position. A suitable pulse current is passed through an information coil is sent through to the corresponding memory position briefly a magnetic Suspend field, with this storage position in one or the other retentive state according to the binary character that is to be stored (e.g. a binary one or a binary zero). A reading coil is electromagnetic with all memory positions of the Coupled wire. A transducer is connected to one end of the wire, which when actuated a mechanical tension wave starts in the wire. When the voltage wave passes through Each memory position generates an electrical signal in the reading coil, which is used for the remanent State of the position in question is characteristic.

309 539/366309 539/366

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Die vorliegende Erfindung sieht ein besseres Ver- bei eine oder mehrere mechanische Spannungswellen fahren für die Registrierung von binären Zeichen in in dem Speicherglied erzeugt werden, die entspreeinem Speicher vor, in dem die Zeichen durch den chend ihrer Fortpflanzungsgeschwindigkeit die aufeinremanenten Zustand von Speicherstellungen dar- anderfolgenden Speicherstellen des magnetostriktiven gestellt werden, die entltang der Länge eines magneto- 5 Speichers durchlaufen, und wobei zusätzlich magnestriktiven Gliedes verteilt sind. Entsprechend der tische Felder erzeugt werden, die mit den Spannungsvorliegenden Erfindung wird die Registrierung eines wellen derart zusammenwirken, daß der magnetische binären Zeichens durch gleichzeitige Steuerung durch Zustand einer Speicherstelle nur dann geändert wereine Spannungswelle und ein magnetisches Feld be- den kann, wenn diese jeweilige Stelle unter der Einwirkt, das auf das Speicherglied einwirkt. Das magne- io wirkung eines magnetischen Feldes steht und gleichtische Feld allein ist hierbei unwirksam, um den zeitig von einer mechanischen Spannungswelle durchremanenten Zustand einer Speicherstellung zu ändern. laufen wird.The present invention provides better control of one or more mechanical stress waves drive for the registration of binary characters to be generated in the memory element which correspond to one Memory in front of which the characters are remanent due to their speed of propagation State of memory positions of the following memory positions of the magnetostrictive which run along the length of a magneto-5 memory, and additionally magnetostrictive Limb are distributed. Corresponding to the tables fields are generated with the voltage present Invention, the registration of a wave will interact in such a way that the magnetic binary character by simultaneous control by the state of a memory location only then changed Stress wave and a magnetic field can end if this respective point is affected by which acts on the memory element. The magnetic effect of a magnetic field is constant The field alone is ineffective here to prevent a mechanical stress wave from retiring To change the state of a memory location. will run.

Es ist offensichtlich, daß die Maximumanzahl von Gemäß einem weiteren Merkmal der ErfindungIt is obvious that the maximum number of According to a further feature of the invention

getrennten Zeichen, die entlang einer gegebenen wird eine Reihe von Spannungswellen in dem Länge eines Drahtes gespeichert werden können, bei 15 Speicherglied erzeugt, derart, daß die zeitliche Folge Benutzung der bekannten Einrichtungen durch die der Spannungswellen der örtlichen Verteilung der-Anzahl der getrennten Registrierspulen bestimmt ist, jenigen Speicherstellen entspricht, deren Zustände gedie entlang einer gegebenen Länge angeordnet werden ändert werden sollen, und daß ein einziges magnetikönnen. Ferner muß berücksichtigt werden, daß zwi- sches Feld während der Dauer dieser Spannungsschen benachbarten Spulen ein Zwischenraum gelas- 20 wellen auf das Speicherglied einwirkt, sen werden muß, da sich an den Enden jeder Spule Gemäß einem weiteren Merkmal der Erfindungseparated characters that run along a given will create a series of tension waves in the Length of a wire can be stored, generated at 15 memory element, such that the time sequence Use of the known devices by the voltage waves of the local distribution of the number the separate registration coils is determined, corresponds to those memory locations whose states gedie are to be arranged along a given length, and that a single magnetic can. Furthermore, it must be taken into account that the field between the voltage during the duration of this voltage adjacent coils, a space between the waves acts on the storage element, Sen must be, since at the ends of each coil According to a further feature of the invention

ein Streumagnetfeld ausbreitet. Bei Benutzung des wird eine einzige Spannungswelle in dem magnoto-Registrierverf ahrens gemäß der vorliegenden Erfin- striktiven Speicherglied erzeugt, und zur Änderung des dung ist die Länge der Speicherstellung des Speicher- Zustandfes der ausgewählten Speicherstellen wirken gliedes, die magnetisiert wird, um ein binäres Zeichen ²5 einzelne magnetische Felder auf diese Stellen dann darzustellen, nur bestimmt durch die Entfernung, die ein, wenn diese Spannungswelle die ausgewählten durch die Spannungswelle während der Zeit durch- Speicherstellen durchläuft.a stray magnetic field spreads. When using the, a single voltage wave is generated in the magnoto registration method according to the present invention ² 5 individual magnetic fields on these locations are then to be represented, only determined by the distance that a when this voltage wave passes through the memory locations selected by the voltage wave during the time.

laufen wird, in der das magnetische Feld angelegt ist. Ausführungsbeispiele der Erfindung werden anwill run in which the magnetic field is applied. Embodiments of the invention are on

Demzufolge kann der Abstand der Zeichen nur durch Hand der Zeichnung näher beschrieben. Steuerung der Dauer und der Zeit der Anwendung 30 Fig. 1 zeigt im U-ZZ-Diagramm die Hysteresisdes magnetischen Feldes auf einen gewünschten Wert schleife eines Werkstoffes, wobei die ff-Achse als eingestellt werden. Hierdurch können beträchtlich Abszisse und die 5-Achse als Ordinate aufgetragen engere Abstände, d. h. eine größere Speicherdichte ist; die Zeichnung zeigt die Hysteresisschleife bei geder Angaben, erzielt werden, als es bei den Abstän- spanntem und entspanntem Zustand des Materials; den möglich ist, die durch die physikalischen Abmes- 35 Fig. 2 zeigt vereinfacht eine Speichervorrichtung; sungen der Angabenregistrierspulen gegeben sind, Fig. 3 zeigt einen Schnitt durch eine Vielf ach-As a result, the spacing of the characters can only be described in more detail by hand of the drawing. Control of the duration and the time of the application 30 Fig. 1 shows the hysteresis in the U-ZZ diagram magnetic field to a desired value loop of a material, the ff-axis as can be set. This allows a considerable amount of the abscissa and the 5-axis to be plotted as the ordinate closer spacing, d. H. is a greater storage density; the drawing shows the hysteresis loop at geder Information that can be achieved than is the case with the distanced and relaxed state of the material; is possible due to the physical dimensions; 35 FIG. 2 shows, in simplified form, a memory device; solutions of the information registration coils are given, Fig. 3 shows a section through a multiple

die in den bisher bekannten Geräten benutzt speichervorrichtung.the storage device used in the previously known devices.

wurden. Es sind Werkstoffe bekannt, die die Eigenschaftbecame. There are known materials that have the property

Ein weiterer Vorteil der Erfindung besteht darin, der Magnetostriktion besitzen. Als Magnetostriktion daß sie die Registrierung von binären Zeichen, die 4° sei dabei eine Änderung der räumlichen Abmessundürch eine Reihe von Impulsen dargestellt werden, gen bezeichnet, die auftritt, wenn der Werkstoff wesentlich vereinfacht. Die bekannten Vorrichtungen magnetisiert wird. Wenn bei einer solchen Änderung erfordern eine Verteilungseinrichtung, beispielsweise sich der Werkstoff ausdehnt, wird der Vorgang als einen Kommutator zur Verteilung der Impulse auf die positive Magnetostriktion bezeichnet; umgekehrt liegt entsprechenden Zeichenregistrierspulen. 45 negative Magnetostriktion vor, wenn ein WerkstoffAnother advantage of the invention is to have magnetostriction. As magnetostriction that it allows the registration of binary characters, the 4 ° being a change in the spatial dimensions A series of pulses are represented, called genes, which occurs when the material much simplified. The known devices is magnetized. If with such a change require a distribution facility, for example the material expands, the process is called denotes a commutator for distributing the pulses to the positive magnetostriction; is reversed corresponding character registration coils. 45 negative magnetostriction before if a material

Die vorliegende Erfindung gestattet demgegenüber, sich bei der Magnetisierung zusammenzieht. Es wurde die fortlaufende ImpulsreJhe direkt auf einen einzigen nun festgestellt, daß bei positiv magnetostriktiven Umwandler anzulegen, der mit dem Speicherglied ge- Werkstoffen die Hysteresiskurve dieser Werkstoffe koppelt ist, und die Verteilung der Zeichen, die in nahezu rechtwinklig verläuft, wenn eine Zugspannung den entsprechenden Zeichenspeicherstellungen regi- 50 aufgebracht wird, so daß die Werkstoffe durch ein striert werden sollen, wird durch den Durchlauf der geringeres magnetisches Feld in einen bestimmten Spannungswelen entlang des Speichermediums in magnetischen Sättigungszustand gebracht werden kön-Rückwirkung auf die Anlegung der Impulsreihe be- nen, als dies sonst der Fall sein würde. Eine ähnliche wirkt. Änderung der Hysteresiseigenschaften eines negativThe present invention, on the other hand, allows it to contract upon magnetization. It was the continuous pulse rate directly on a single now found that with positive magnetostrictive Apply a converter that works with the storage element to create the hysteresis curve of these materials is coupled, and the distribution of the characters, which runs in almost right angles when a tensile stress the corresponding character storage positions regi- 50 is applied so that the materials through a to be striert is by the passage of the lower magnetic field in a certain Tension waves along the storage medium can be brought into magnetic saturation on the application of the pulse series than would otherwise be the case. A similar works. Change in the hysteresis properties of a negative

Gemäß der vorliegenden Erfindung wird ein Ver- 55 magnetostriktiven Werkstoffes erfolgt, wenn dieser fahren zum Einspeichern und zerstörungsfreien Ab- zusammengdrückt wird. Diese Vorgänge sind auf den lesen von Angaben in bzw. aus einer Speichervorrich- Seiten 595 und 596 der Schrift »Ferromagnetism« tung vorgeschlagen, in der eine Mehrzahl von binären von Richard M. Bozorth, herausgegeben von Zeichen in getrennten Speicherstellen entlang eines G. van Nostrand Company (New York, USA, 1951), länglichen Speichergliedes aus magnetostriktivem Ma- 60 beschrieben.According to the present invention, a magnetostrictive material is produced if this drive for storage and non-destructive printing. These operations are on the reading of information in or from a storage device - pages 595 and 596 of the publication »Ferromagnetism« tung proposed in a plurality of binary by Richard M. Bozorth, edited by Characters in separate locations along a G. van Nostrand Company (New York, USA, 1951), elongated memory member made of magnetostrictive Ma- 60 described.

terial speicherbar sind, wobei die remanenten Zu- Die Änderung der Hysteresiseigenschaften einesThe change in the hysteresis properties of a

stände des magnetostriktiven Materials von einem Werkstoffes, der in der erwähnten Weise unter Spanpositiven Wert (der beispielsweise einer binären Null nung gesetzt ist, ist in Fig. 1 dargestellt. In der Zeichentspricht) auf einen negativen Wert (der beispiels- nung zeigt die Schleife X-Y die ß-jff-Charakteristik weise eine binäre Eins darstellt) unter Einwirkung von 65 des Werkstoffes im ungespannten Zustand. Wenn der mechanischen Spannungswellen,, die in dem Speicher^ Werkstoff demgegenüber unter Spannung gesetzt ist, glied erzeugt werden und dieses mit einer konstanten nähert sich die Hysteresisschleife einer mehr recht-Geschwindigkeit durchwandern, geändert werden, wo- eckigen Form E-F. ■..- - , . · ·states of the magnetostrictive material from a material which is in the mentioned manner under chip positive value (which is set for example to a binary zero voltage, is shown in Fig. 1. In the corresponding sign) to a negative value (the example shows the loop XY the ß-jff characteristic represents a binary one) under the action of 65 of the material in the unstressed state. When the mechanical tension waves, which are placed under tension in the storage material, are generated and this with a constant approach the hysteresis loop of a more right-speed traversing, are changed, square shape EF. ■ ..- -,. · ·

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Wenn das Material im ungespannten Zustand in Die Länge jeder Komponente ist direkt proportionalWhen the material is in the unstressed state, the length of each component is directly proportional

der einen Richtung in die magnetische Sättigung ver- der wirksamen Länge der Spule 5 und umgekehrtone direction in the magnetic saturation versus the effective length of the coil 5 and vice versa

setzt wird, beispielsweise in den Punkt X, indem ein proportional der Fortpflanzungsgeschwindigkeit deris set, for example, in the point X by adding a proportional to the speed of propagation of the

magnetisches Feld geeigneter Amplitude und Rieh- Welle in dem Werkstoff. An die Wicklung 3 werdenmagnetic field of suitable amplitude and Rieh wave in the material. Be attached to winding 3

rung angelegt wird, wird der Werkstoff nach Entfer- 5 Impulse angelegt, welche Signale wiedergeben, die zution is applied, the material is applied after removal 5 impulses, which reproduce signals that lead to

nung des Feldes in dieser Richtung weiterhin magne- speichern sind. Durch geeignete Bemessung der Längevoltage of the field in this direction can still be magnetically stored. By appropriately dimensioning the length

tisiert bleiben, jedoch bei einem geringeren Magneti- der Spule 5 und der Dauer des Auslöseimpulsesremain tized, but with a lower magnetism of the coil 5 and the duration of the trigger pulse

sierungsgrad, also in Punkt A. Es sei jedoch bemerkt, gegenüber der Dauer der an die Wicklung 3 ange-degree of transformation, i.e. in point A. It should be noted, however, that compared to the duration of the

daß es zur Sättigung des Werkstoffes notwendig ist, legten Impulse kann dafür gesorgt werden, daß beimthat it is necessary for the saturation of the material, put impulses can be ensured that with

daß die Feldstärke einen Wert hat, der wenigstens io Durchgang der Spannungswelle aufeinanderfolgendethat the field strength has a value which is at least 10 consecutive passage of the voltage wave

dem Punkt R entspricht. Der Punkt A gibt dabei den Punkte über der Länge des magnetostriktiven Stabescorresponds to point R. The point A gives the point along the length of the magnetostrictive rod

Zustand des Werkstoffes an, der erreicht ist, wenn einer mechanischen Spannung ausgesetzt sind, so daßState of the material that is reached when exposed to mechanical stress, so that

der Werkstoff in einen seiner beiden Magnetisierungs- die Hysteresischarakteristik an jedem der Punkte inthe material in one of its two magnetizations - the hysteresis characteristics at each of the points in

zustände versetzt worden ist, und zwar ohne Auf- bestimmter Reihenfolge die in Fig. 1 dargestelltestates has been shifted, namely the one shown in FIG. 1 without a specific sequence

bringen mechanischer Spannung. 15 rechteckige Form annimmt. Eine ausführlicherebring mechanical tension. 15 assumes a rectangular shape. A more detailed one

In Fig. 1 ist ferner der Fall angedeutet, daß ein wissenschaftliche Beschreibung der FortpflanzungIn Fig. 1 the case is also indicated that a scientific description of the reproduction

Magnetfeld entgegengesetzter Richtung mit einer einer Spannungswelle in entsprechendem WerkstoffMagnetic field in the opposite direction with a voltage wave in the corresponding material

Feldstärke entsprechend Punkt P auf den Werkstoff enthält die Schrift »A transistor Digital Fast MuM-Field strength corresponding to point P on the material contains the text »A transistor Digital Fast MuM-

einwirkt. Dieses Feld bewirkt, daß sich der magne- pher with Magnetostrictive Storage« in den »Proceed-acts. This field causes the magnetic with Magnetostrictive Storage "to go into the" Proceed-

tische Zustand des Werkstoffes ändert und nun durch ao ings of the Institute of Electrial Engineers«, Julitable condition of the material changes and now by ao ings of the Institute of Electrical Engineers «, July

den Punkt B wiedergegeben wird; nach der Entfer- 1955, S. 424 und 425.the point B is reproduced; after the distance 1955, p. 424 and 425.

nung des Feldes läuft der Magnetisierungszustand auf Zur näheren Erläuterung der Wirkungsweise der einer kleineren Scheife zum Punkt A(I) zurück, dargestellten Vorrichtung sei angenommen, daß der Wenn also ein Feld entsprechend dem Punkt P ange- magnetostriktive Stab 1 in denjenigen Sättigungsiegt wird, kann die Wirkung dieses Feldes auf die as zustand versetzt wurde, der durch den Punkt Z der Änderung des magnetischen Zustandes des Werk- Fig. 1 wiedergegeben ist, und daß er sich in einem stoffes vernachlässigt werden, wenn dieser mechanisch gleichmäßigen Remanenzzustand befindet, der durch ungespannt ist. Die Wirkung eines solchen Feldes auf den Punkt A der Fig. 1 bezeichnet ist. Diese einden Werkstoff wird jedoch erheblich stärker, wenn leitende Sättigung kann dadurch vorgenommen werder Werkstoff gespannt ist. Bei Anlegen des Feldes 30 den, daß man einen elektrischen Rückstellimpuls an erreicht der Werkstoff in diesem Fall einen Zustand die Wicklung 3 anlegt und dadurch ein Feld erzeugt, magnetischer Sättigung in entgegengesetzter Richtung das dem Punkt R entspricht.For a more detailed explanation of the mode of operation of a smaller loop back to point A (I) , it is assumed that the magnetostrictive rod 1, if a field corresponding to point P, is in saturation, can the effect of this field on the as state was displaced, which is represented by the point Z of the change in the magnetic state of the work- Fig. 1, and that it is neglected in a material when this mechanically uniform remanence state is by unstressed is. The effect of such a field on point A of Fig. 1 is indicated. However, this single material becomes considerably stronger when conductive saturation can be made by the material is stressed. When the field 30 is applied, an electrical reset pulse is reached on the material in this case a state applies to the winding 3 and thereby generates a field of magnetic saturation in the opposite direction that corresponds to point R.

entsprechend Punkt D; nach Abnehmen des Feldes Wenn nun ein Stromimpuls geeigneter Amplitude wird der magnetische Zustand des Werkstoffes durch an die Wicklung 3 angelegt wird, wird derjenige Teil den Punkt C wiedergegeben. 35 des magnetostriktiven Stabes 1, der sich innerhalb der Wenn nun der Spannungszustand des Werkstoffes Wicklung befindet, einem im wesentlichen gleichaufgehoben wird, wird die Remanenz durch den mäßigen Feld ausgesetzt, dessen Feldstärke durch den Punkt K wiedergegeben. Durch das Anlegen einer Punkt P wiedergegeben ist. Der Remanenzzustand Feldstärke P kann also der magnetische Zustand des dieses Teiles nach Beendigung des Impulses ergibt Werkstoffes umgekehrt oder aber nicht umgekehrt 40 sich aus dem Punkt A (1), wenn das Material nicht werden, abhängig davon, ob der Werkstoff bei An- unter Spannung stand. Wenn jedoch ein bestimmter legen des Feldes P einer mechanischen Spannung aus- Bereich bei Anliegen des Feldes gespannt war, wird gesetzt" ist oder nicht. der sich ergebende Remanenzzustand dieses Bereiches Es sei angenommen, daß bei Fig. 2 ein magneto- durch den Punkt C wiedergegeben. Auf diese Weise striktiver Werkstoff verwendet ist, der die erwähnten 45 _wi_rd also der Remanenzzustand nach Anlegen des Eigenschaften hat. Fig. 2 zeigt eine Speichervorrich- magnetischen Feldes entweder im wesentlichen untung, welche einen magnetostriktiven Stab 1 enthält, verändert bleiben [Punkt A (I)] oder aber wird der von zwei Dämpfungsblocks 2 aus geeignetem umgekehrt (Punkt C), und zwar abhängig davon, Material gehalten wird. Auf dem magnetostriktiven _ot> stab 1 in diesem Bereich gespannt war oder Stab 1 ist ein schraubenförmiger Leiter 3 angeordnet, 50 nicht.according to point D; After the field has been removed If a current pulse of suitable amplitude is now applied to the magnetic state of the material on the winding 3, that part of the point C is reproduced. 35 of the magnetostrictive rod 1, which is located within the If the tension state of the material winding is now essentially equalized, the remanence is exposed to the moderate field, the field strength of which is represented by the point K. By creating a point P is reproduced. The remanence state of field strength P can thus be the magnetic state of the material after the end of the impulse, reversed or not reversed 40 results from point A (1), if the material does not become, depending on whether the material is under tension was standing. If, however, a certain application of the field P of a mechanical tension was tensioned when the field was applied, it is set "is or not. The resulting remanence state of this area. It is assumed that in FIG In this way strict material is used, which has the mentioned 45 _w i _r d ie the remanence state after applying the properties [point a (I)], or, the two damping block 2 made of a suitable vice versa (point C), namely, depending on material is maintained. in the magnetostrictive _o t> rod-1 was stretched in this area or rod 1 is a arranged helical conductor 3, 50 not.

welcher Anschlüsse 4 hat, über die eine Verbindung Eine über die Spule 5 eingeführte Spannungswellewhich has terminals 4 through which a connection A voltage wave introduced through the coil 5

mit einer QueUe elektrischer Impulse hergestellt wer- wandert entlang des Stabes 1 nacheinander über dieproduced with a source of electrical impulses migrates along the rod 1 one after the other over the

den kann. Eine Spule S ist in der Nähe eines der Punkte P (1) bis P (8), und der lineare Abstandcan. A coil S is in the vicinity of one of the points P (1) to P (8), and the linear distance

Enden des magnetostriktiven Teils angeordnet und dieser Punkte entspricht der Lage der Spannungswelle bildet zusammen mit dem Teil des magnetostriktiven 55 nach vorgegebenen Zeitintervallen, die der EinführungArranged ends of the magnetostrictive part and this point corresponds to the position of the voltage wave forms together with the part of the magnetostrictive 55 after predetermined time intervals that of the introduction

Stabes, der innerhalb der Spule liegt, eine Ultraschall- der WeEe folgen. Jeder der Punkte P (1) bis P (8)The rod, which lies within the coil, is followed by an ultrasound of the WeEe. Each of the points P (1) to P (8)

übertragung. Wenn nun ein elektrischer Auslöse- kann als Speicherstelle für eine Ziffer eines binärentransmission. If now an electrical trip can be used as a memory location for a digit of a binary

impuls an die Spule angelegt wird, so tritt eine Span- Wortes angesehen werden, und in dem dargestelltenpulse is applied to the coil, a span word occurs, and in the depicted

nungswelle in dem magnetostriktiven Stab 1 auf und Ausführungsbeispiel kann daher der magnetostriktive pflanzt sich auf dem Stab mit Schallgeschwindigkeit 60 Stab 1 als Speicher für ein binäres Wort von achtvoltage wave in the magnetostrictive rod 1 and embodiment can therefore be the magnetostrictive is planted on the stick at the speed of sound 60 stick 1 as a memory for a binary word of eight

fort. Die Dämpfungsblocks 2 bewirken dabei, daß Ziffern verwendet werden. Wenn der Anfangszustandaway. The attenuation blocks 2 have the effect that digits are used. If the initial state

Reflexionen der Wellen von den Enden des Stabes des magnetostriktiven Stabes 1 zur Darstellung derReflections of the waves from the ends of the rod of the magnetostrictive rod 1 to illustrate the

auf ein vernachlässigbares Maß herabgesetzt werden. binären Ziffer »0« verwendet werden soll, ist es not-can be reduced to a negligible level. binary digit "0" is to be used, it is necessary

Es hat sich gezeigt, daß die in dem magneto- wendig, den magnetischen Zustand des magnetostriktiven Teil 1 erzeugte Spannungswelle eine »zu- 65 striktiven Stabes bei den Punkten P (1) bis P (8) zuIt has been shown that the voltage wave generated in the magneto-agile, magnetic state of the magnetostrictive part 1 leads to an excessively strict bar at points P (1) to P (8)

sammengesetzte« Welle ist; d. h., die Welle enthält ändern, wo eine binäre »1« gespeichert werden soll.composite «wave is; d. i.e., the wave contains changing where a binary "1" should be stored.

Komponenten, die von den vorderen und rückwärti- Zu diesem Zweck wird ein elektrischer Impuls an dieFor this purpose, an electrical pulse is sent to the components by the front and rear

gen Flanken des auslösenden Impulses erzeugt sind. Wicklung 3 angelegt, welche «in Feld entsprechend Pgen edges of the triggering pulse are generated. Winding 3 applied, which «in field according to P

der Fig. 1 aufbaut, um auf den magnetostriktiven von Aussparungen oder Kanälen 7 versehen, in denen Stab 1 in einer Zeit einzuwirken, in der die Span- jeweils eine schraubenförmige Wicklung 8 unternungswelle durch die Punkte P (1) bis P (8) der gebracht ist. Innerhalb der Wicklungen 8 liegen Fig. 2 hindurchgeht, bei denen eine binäre »1« zu magnetostriktive Drähte 9, die an einem Ende in speichern ist. Der Vorgang der Einführung von In- 5 Lagerbuchsen 10 aus geeignetem dämpfendem Mateformationen in die Vorrichtung wird durch eine elek- rial befestigt sind. Die Buchsen können beispielsweise trische Impulsfolge gesteuert, die an die Wicklung 3 aus Weichgummi bestehen, das in einer Verankeangelegt wird und welche so viele Impulse enthält, rungsplatte 11 untergebracht ist. wie binäre »1 «-Werte in dem binären Wort vorkom- Die magnetostriktiven Drähte sind aus dem anderen1 builds on the magnetostrictive of recesses or channels 7, in which rod 1 act at a time in which the span each a helical winding 8 underwave through points P (1) to P (8) of the is brought. Inside the windings 8 are Fig. 2, in which a binary "1" to magnetostrictive wires 9, which is in store at one end. The process of introducing in-5 bearing bushings 10 made of suitable damping material formations into the device is secured electrically. The sockets can be controlled, for example, tric pulse train, which consist of soft rubber on the winding 3, which is placed in an anchor and which contains as many pulses as the rungs plate 11 is housed. how binary "1" values occur in the binary word. The magnetostrictive wires are out of the other

men; die. Taktgabe der Impulse muß der Geschwin- io Ende des Blockes 6 herausgeführt und in geeigneter digkeit der Spannungswelle so angepaßt sein, daß sie Weise in einem Teil 12 derart zugesammengefaßt und der räumlichen Verteilung der Lagen der binären gehalten, daß Spannungsreflexionen auf ein vernach- »1 «-Ziffern über dem magnetostriktiven Stab 1 ent- lässigbares Maß herabgesetzt werden. Die gebündelspricht. ten Drähte sind durch eine Spule 13 geführt undmen; the. The timing of the impulses must be carried out at the end of the block 6 and in a suitable manner speed of the voltage wave be adapted so that they are summarized in a way in a part 12 and the spatial distribution of the positions of the binary, that stress reflections on a negligible »1« digits above the magnetostrictive rod 1 can be reduced. The bundle speaks. th wires are passed through a coil 13 and

Der Vorgang des Einführens von Daten in die 15 anschließend in geeigneter Weise dadurch verankert, Speichervorrichtung wurde im Zusammenhang mit daß sie in einer Buchse 14 aus dampfendem Material der Speicherung binärer Informationen beschrieben, in einer zweiten Platte 15 eingeklemmt sind, wobei der magnetostriktive Stab 1 ursprünglich in Wenn ein Impuls an Spule 13 angelegt wird, werdenThe process of introducing data into the 15 is then appropriately anchored by Storage device has been related to that it is in a socket 14 made of steaming material the storage of binary information, are clamped in a second plate 15, the magnetostrictive rod 1 being originally when a pulse is applied to coil 13

einen ersten Zustand versetzt ist, der eine binäre »0« in allen Drähten gleichzeitig Spannungswellen in wiedergibt. Über die Länge des magnetostriktiven 20 Bewegung gesetzt, und diese wandern dann in beiden Stabes 1 ist eine Anzahl von Speicherstellen vorge- Richtungen auf den Drähten entlang. Die Buchsen 10 sehen, und Daten, die durch binäre »!«-Werte dar- und 14 verhindern unerwünschte Reflexionen von gestellt sind, können in jeder dieser Lagen gespeichert Ultraschallenergie bei den Enden der Drähte. Wenn werden, und sie werden dabei durch die Umkehrung die Wicklungen 8 so kurz gehalten werden, wie es des ursprünglichen magnetischen Zustande» wieder- 25 aus praktischen Gesichtspunkten zweckmäßig ist, und gegeben. Wenn nun die Daten eingeführt sind, bleibt alle auf die gleiche Länge gebracht sind, werden sie der magnetostriktive Stab 1 in seinem ursprünglichen gegenüber den Drähten in eine solche Lage gebracht, magnetischen Zustand, außer bei denjenigen Stellen, daß der Abstand zwischen dem zusammenfassenden die Daten erhalten, die durch binäre »1«-Werte Teil 12 und dem Ende jeder Wicklung für alle wiedergegeben werden, und in diesen Stellen ist der 30 Drähte gleich ist. Um diese Abstände einzuhalten, magnetische Zustand umgekehrt. Da zwei Zustände wird man zweckmäßig so vorgehen, daß die Enden magnetischer Remanenz zur Speicherung von Infor- der Wicklungen auf einer Fläche 16 in dem Block 6 mationen zur Verfugung stehen, kann die Speicher- liegen und die Fläche 16 in entsprechender Weise einrichtung zur Speicherung aller Daten verwendet ausgebildet wird.a first state is offset, which has a binary "0" in all wires at the same time voltage waves in reproduces. Movement is set over the length of the magnetostrictive 20, and these then migrate in both Rod 1 is a number of storage locations along directions on the wires. The sockets 10 see, and data represented by binary "!" values and 14 prevent unwanted reflections from In each of these layers, ultrasonic energy can be stored at the ends of the wires. if and they will be kept as short as it is by reversing the windings 8 of the original magnetic state is again appropriate from a practical point of view, and given. Now when the data is introduced, they will all remain the same length the magnetostrictive rod 1 in its original position opposite the wires is brought into such a position, magnetic state, except in those places that the distance between the summarizing the data obtained by binary "1" values part 12 and the end of each winding for all are reproduced, and in these places the 30 wires is equal. To keep these distances, magnetic state reversed. Since there are two states, it is expedient to proceed in such a way that the ends magnetic remanence for storing information of the windings on a surface 16 in the block 6 mations are available, the memory and the surface 16 can be in a corresponding manner device used to store all data is formed.

werden, die durch einen von zwei Zuständen aus- 35 Die einzelnen Drähte der Speichereinrichtung gedrückt werden können, beispielsweise also auch arbeiten in der im Zusammenhang mit Fig. 2 bebinär verschlüsselter Dezimalangaben. schriebenen Weise, wobei die Drähte 9 dem magneto-Die gespeicherte Information kann dadurch aus der striktiven Stab 1 der Fig. 1 und die Wicklungen 8 der Vorrichtung abgefragt werden, daß ein einzelner Wicklung 3 der Fig. 1 entsprechen. Jeder der Drähte 9 Auslöseimpuls an die Spule 5 angelegt und eine Span- 40 kann ein oder mehrere getrennte binäre Wörter nungswelle über die Länge des magnetostriktiven speichern, und jede Wicklung 8 kann aus einer geStabes 1 geschickt wird. Der Durchgang der Span- trennten Informationsquelle Impulse erhalten. Alle nungswelle bewirkt, daß elektrische Impulse in der Drähte 9 erhalten jedoch ihre mechanische Spannung Wicklung 3 induziert werden, die bei der Abfrage mit durch einen einzelnen Auslöseimpuls, der auf die einer Ausgangseinrichtung verbunden ist. Impulse, die 45 Spule 13 aufgebracht wird, so daß die Speicherin der Wicklung induziert werden, wenn die Span- vorrichtung verwendet werden kann, um eine Seriennungswelle durch die Speicherstellen hindurchgeht, in registrierung von Informationen bei allen Drähten denen binäre Ziffern »1« gespeichert sind, werden mit gleichzeitig vorzunehmen.The individual wires of the storage device can be pressed, for example, also work in the binary encrypted decimal information in connection with FIG. 2. written way, the wires 9 to the magneto-Die Stored information can thereby be derived from the strict rod 1 of FIG. 1 and the windings 8 of the Device are queried that a single winding 3 of FIG. 1 correspond. Each of the wires 9 Trigger pulse is applied to coil 5 and a span 40 can be one or more separate binary words voltage wave over the length of the magnetostrictive store, and each winding 8 can consist of a rod 1 is sent. The passage of the voltage-separated information source received pulses. All Voltage wave causes electrical impulses in the wires 9 to receive their mechanical tension Winding 3 are induced, which when queried with by a single trigger pulse, which is applied to the an output device is connected. Pulses, the 45 coil 13 is applied so that the memory in The winding can be induced if the clamping device can be used to make a serial shaft passes through the memory locations, registering information with all wires where binary digits "1" are stored, are to be carried out with at the same time.

Taktimpulsen verglichen, deren Frequenz dem Durch- Andererseits kann durch geeignete Änderungen beiClock pulses compared, the frequency of which can be changed by suitable changes

gang der Spannungswelle durch die einzelnen mög- 50 der Taktgabe der an die Wicklungen 8 angelegten liehen Speicherstellen entspricht. Da diese Art der Impulse die gespeicherte Information »durchschossen« Abfrage die Remanenzzustände der Speicherstellen werden, und aus dieser Anordnung abgefragte Infornicht ändert, werden die gespeicherten Daten nicht mationsimpulse sind gegeneinander in der Phase gelöscht, und die Daten können wiederholt dadurch verschoben. Es ist auch möglich, Informationen in die abgefragt werden, daß weitere Auslöseimpulse an die 55 Speichereinrichtung nur auf einem oder zwei Drähten Spule 5 angelegt werden. Jeder Auslöseimpuls be- zeitlich einzuführen, da durch das Anlegen einer der wirkt, daß eine Spannungswelle den magnetostriktiven Abfrage dienenden Spannungswelle die gespeicherte Stab durchwandert, und es werden entsprechende Information nicht gelöscht wird. Signale in der Wicklung 3 induziert. Wenn die Die Registriervorrichtung kann auch zur Parallel-transition of the voltage wave through the individual possible 50 of the timing of the applied to the windings 8 borrowed storage locations corresponds. Since this type of impulse »shot through« the stored information The remanence states of the storage locations are interrogated, and information interrogated from this arrangement is not changes, the stored data are not mation pulses are against each other in phase deleted, and the data can be moved repeatedly as a result. It is also possible to include information in the be queried that further trigger pulses are sent to the memory device only on one or two wires Coil 5 are applied. Introduce each trigger pulse in a timely manner, since by applying one of the acts that a voltage wave the magnetostrictive query serving voltage wave the stored Wand traverses and corresponding information is not deleted. Signals in the winding 3 induced. If the registration device can also be used for parallel

Speichervorrichtung neue Informationen aufnehmen 60 registrierung von Informationen dienen, wobei dann soll, wird sie in den ursprünglichen Zustand durch jeder Draht einen Informationsteil eines Wortes entAnlegen eines Impulses an die Wicklung 3 zurück- hält.Storage device to record new information 60 are used to register information, with then is to, it will create an information part of a word in the original state through each wire of a pulse to the winding 3.

versetzt, so daß ein Feld entsprechend Punkt R der Auf diese Weise ist es möglich, aufeinanderfolgendeoffset so that a field corresponding to point R of the In this way it is possible to successive

Fig. 1 erzeugt wird. Nähere Einzelheiten über den Registrierungen vorzunehmen, wobei die Lagen der Abfragevorgang sind in der britischen Patentschrift 65 Informationsteile der entsprechenden Einzehnforma-061 beschrieben. tionen auf den Drähten durch die Taktgabe der Aus-Fig. 1 is generated. To undertake more details about the registrations, with the locations of the Interrogation processes are in British Patent 65 information parts of the corresponding Einehnforma-061 described. on the wires through the timing of the output

Fig. 3 zeigt einen Schnitt durch eine Vielfach- löseimpulse relativ zu den auf die Wicklungen 8 speichereinrichtung. Ein Block 6 ist mit einer Anzahl aufgebrachten Regi&trierimpulsen bestimmt sind.3 shows a section through a multiple release pulse relative to the one on the windings 8 storage facility. A block 6 is determined with a number of applied registration pulses.

Die Drähte 9 können verdrillt oder verseilt oder in gnetostriktiven Teils 1 wird in der bereits beschriebeanderer zweckmäßiger Weise zusammengesetzt sein, nen Weise nur in diesen Punkten umgekehrt. Der wobei die magnetostriktiven Eigenschaften des inner- Speicherteil ist dann in der erwünschten Weise einhalb der Spule liegenden Abschnittes im Zusammen- gestellt.The wires 9 can be twisted or stranded or in gnetostrictive part 1 is already described in the other be put together appropriately, only reversed in these points. Of the the magnetostrictive properties of the inner memory part is then one-half in the desired manner the coil lying section in the assembled.

hang mit den Spulendaten bemessen werden, während 5 Die Wahl von Speicherlagen durch zeitlich ge-depending on the coil data, while 5 The choice of storage locations by

der zur Speicherung dienende Teil im Hinblick auf steuerte Impulse, die an den Übertrager angelegtthe part used for storage with regard to controlled pulses applied to the transmitter

optimale Hysteresiseigenschaften gewählt wird. An werden, kann andererseits auch bei einem vorgespann-optimal hysteresis properties is selected. On the other hand, it can also be used with a prestressed

Stelle der Drähte können auch geeignete Bänder oder ten Speicherstab erfolgen. Wenn beispielsweise derSuitable tapes or memory sticks can also be used in place of the wires. For example, if the

röhrenförmige Körper verwendet werden, jedoch muß Speicherstab 1 (Fig. 2) positiv magnetostriktiv ist undtubular body can be used, but memory stick 1 (Fig. 2) must be positive and magnetostrictive

in allen Fällen der Werkstoff für den zur Speicherung ίο so zwischen den beiden Endblöcken 2 gehalten ist,in all cases the material for the storage ίο is held between the two end blocks 2,

der Daten liegenden Teil so beschaffen sein, daß die daß er gespannt ist, wird seine Hysteresisschleifethe part lying on the data must be such that the one that it is tensioned becomes its hysteresis loop

Änderung der Hysteresiseigenschaften im Spannungs- rechteckige Form annehmen. Eine Komponente einerChange of the hysteresis properties in the voltage rectangular form. A component of a

zustand bewirkt, daß der magnetische Remanenz- Spannungswelle, die von einem Übertrager eingeführtstate causes the remanent magnetic voltage wave introduced by a transformer

zustand durch ein Feld geändert werden kann, dessen wird, kann dabei verwendet werden, um die Ände-state can be changed by a field whose will can be used to change the

Wert nicht ausreicht, um eine entsprechende Ände- 15 rung der Hysteresisschleife in die ursprüngliche FormThe value is not sufficient for a corresponding change in the hysteresis loop to its original form

rung zu bewirken, wenn der Werkstoff ungespannt ist, zu bewirken. Zur Beschreibung der Wahl dertion to bring about when the material is untensioned. To describe the choice of

wobei die für diese Änderung erforderliche Spannung Speicherlagen sei angenommen, daß der Stab in dieserwhere the voltage required for this change in storage layers is assumed that the rod is in this

unterhalb der Elastizitätsgrenze des Werkstoffes liegen Weise vorgespannt ist und daß er anf anglich in einenare below the elastic limit of the material is pretensioned way and that it is initially in a

muß. Zustand versetzt ist, der eine binäre »0« angibt. Ingot to. State that indicates a binary "0". In

Bei der vorangehenden Beschreibung wurde davon 20 diesem Fall werden Spannungswellen entlang des ausgegangen, daß der Übertrager eine Spule enthält magnetostriktiven Stabes durch an den Übertrager und ein bestimmter Abschnitt eines magnetostriktiven angelegte Taktimpulse in Lauf gesetzt, so daß in Drahtes verwendet wird, um eine Spannungswelle in einem vorgegebenen Zeitpunkt eine Spannungswelle dem Speicherteil einzuführen. Es können jedoch auch jede Speicherlage erreicht, die einen binären Wert »0« andere Einrichtungen verwendet werden, um die 25 speichern soll, wobei alle anderen Lagen binäre Spannungswelle aufzubringen, beispielsweise ein Werte »1« speichern sollen, d.h., diese Taktimpulse piezoelektrischer Kristall, der seine Dimensionen bilden ein Signal, welches den binären Komplementändert, wenn eine Spannung angelegt wird, und der wert desjenigen Wertes angibt, der gespeichert werden mit dem Ende des Speicherteiles zu diesem Zweck soll. Wenn in diesem Augenblick ein Steuerimpuls an verbunden ist. 30 die Wicklung 3 angelegt wird, wird dieser die magne-In the foregoing description, 20 of these are stress waves along the assumed that the transducer contains a coil magnetostrictive rod through to the transducer and a particular portion of a magnetostrictive applied clock pulse is set in motion so that in Wire is used to generate a voltage wave at a given point in time to introduce the memory part. However, any memory location can also be reached that has a binary value "0" other facilities should be used to store the 25, with all other locations binary To apply a voltage wave, for example to store a value "1", i.e. these clock pulses piezoelectric crystal whose dimensions form a signal that changes the binary complement, when a voltage is applied, and indicates the value of that value that will be stored with the end of the memory part intended for this purpose. If at that moment a control impulse comes on connected is. 30 the winding 3 is applied, this is the magnetic

Auch war bei der obigen Beschreibung vorgesehen, tischen Zustände derjenigen Lagen nicht umkehren,In the above description it was also intended not to reverse the table states of those positions

daß die Daten in den Speicherteil unter gemeinsamer in denen eine Spannungswelle wirksam ist, da diethat the data in the memory part under common in which a voltage wave is effective because the

Steuerung zweier Signale eingeführt werden, und zwar Hysteresiseigenschaften des magnetostriktiven StabesControl of two signals are introduced, namely hysteresis properties of the magnetostrictive rod

eines ersten Signals, das aus einem einzigen Impuls in diesen Punkten der Form X-Y der Fig. 1 entspricht, a first signal which corresponds to the shape XY of FIG. 1 from a single pulse at these points,

besteht und an den Übertrager angelegt wird, und 35 In allen anderen Lagen bleibt die Hysteresisschleifeexists and is applied to the transformer, and 35 The hysteresis loop remains in all other positions

eines zweiten Signals, das aus einer Folge nachein- jedoch im wesentlichen rechtwinklig, und der magne-of a second signal, which consists of a sequence one after the other, but essentially at right angles, and the magnetic

ander auftretender, entsprechend zeitlich gesteuerter tische Zustand des magnetostriktiven Teiles wird beiother occurring, correspondingly timed table state of the magnetostrictive part is at

Zifferimpulse besteht, die an die schraubenförmige den letzteren Lagen geändert. Die gespeicherte Infor-There is digit pulses that changed to the helical the latter layers. The saved information

Wicklung angelegt werden, welche den Speicherteil mation ist daher der Komplementwert des an demWinding are applied, which mation the storage part is therefore the complement of the on the

umgibt. Die Speichereinrichtung kann jedoch auch in 40 Übertrager angelegten Signals,surrounds. However, the memory device can also use signals applied in 40 transmitters,

der Weise verwendet werden, daß die Daten darstel- Praktisch wird man vorsehen, daß die Kraft, diethe way that the data will be used, in practice one will provide that the force that

lenden Impulse an den Übertrager angelegt werden zur Vorspannung des Stabes 1 aufgewendet wird, inLenden pulses are applied to the transducer to bias the rod 1 is expended in

und ein Steuerimpuls an die Wicklung. Die ent- ausreichendem Maße unterhalb der Elastizitätsgrenzeand a control pulse to the winding. The adequate measure below the elastic limit

sprechende Wirkungsweise sei an Hand der Fig. 2 des Werkstoffes liegt, so daß die entgegengesetzteSpeaking mode of operation is based on FIG. 2 of the material, so that the opposite

beschrieben. 45 Komponente der Spannungswelle bei Teill keinedescribed. 45 Component of the stress wave at Teill none

Der magnetostriktive Stab 1 sei zunächst wieder in dauernde Verformung bewirkt. Die beiden FormenThe magnetostrictive rod 1 is initially caused to be permanently deformed again. The two forms

eine bestimmte Magnetisierungsrichtung eingestellt. der Hysteresisschleife, die der magnetostriktive Stabset a certain direction of magnetization. the hysteresis loop that the magnetostrictive rod

Wenn nun eine Impulsfolge an die Spule 5 angelegt in diesem Falle besitzt, sind jedoch so verschieden,If now has a pulse train applied to the coil 5 in this case, however, they are so different

wird, wird sich eine entsprechende Folge von Span- daß ein Feld etwa von der Stärke des Punktes P becomes, a corresponding sequence of span will be that a field about the strength of the point P

nungswellen entlang des Stabes 1 fortpflanzen. Der 50 (Fig. 1) den magnetischen Zustand bei einer Lagepropagate voltage waves along the rod 1. The 50 (Fig. 1) shows the magnetic state in one layer

Abstand zwischen je zwei Spannungswellen ist ab- umkehren kann, die die eine HysteresischarakteristikThe distance between any two voltage waves can be reversed, which has one hysteresis characteristic

hängig von dem Zeitintervall zwischen den beiden hat, während bei einer Lage mit der zweiten Hyste-depending on the time interval between the two, while in a situation with the second hysteresis

erzeugenden Impulsen, da die Geschwindigkeit aller resischarakteristik keine Änderung erfolgt.generating pulses, since the speed of all resischarakteristik does not change.

Spannungswellen konstant ist. Es sei angenommen, Nach einer weiteren abgeänderten Ausführungs-Stress waves is constant. It is assumed that after a further modified embodiment

daß der ursprüngliche Zustand des Stabes 1 wiederum 55 form kann der zur Speicherung verwendete Stab auchthat the original state of the rod 1 can again form the rod used for storage

eine binäre »0« darstellt und daß ein binäres Wort so vorgespannt sein, daß die Differenz zwischen denrepresents a binary "0" and that a binary word must be biased so that the difference between the

in dem Stab gespeichert werden soll, das aus binären beiden Formen der Hysteresisschleife in folgenderis to be stored in the rod that consists of two binary forms of the hysteresis loop in the following

Ziffern »1« in Stellungen gespeichert werden soll, die Weise erhöht wird. Ein zur Speicherung verwendeterDigits "1" are to be stored in positions that are incremented. A used for storage

den Punkten P (2), P (5) und P (6) auf dem magneto- Stab möge aus einem Werkstoff bestehen, dessenthe points P (2), P (5) and P (6) on the magneto-rod may consist of a material whose

striktiven Teil entsprechen, wobei alle anderen Stel- 60 Hysteresisschleife im ungespannten Zustand nichtstrict part, with all other positions not 60 hysteresis loop in the untensioned state

lungen binäre Werte »0« darstellen. Es werden auf hinreichend verschieden von der Hysteresisschleiferepresent binary values "0". It will be on sufficiently different from the hysteresis loop

die Spule 5 drei Auslöseimpulse aufgebracht, so daß ist, die sich unter dem Einfluß einer Spannung ein-the coil 5 applied three trigger pulses, so that, under the influence of a voltage,

nach Ablauf der entsprechenden Zeit die resultieren- stellt, die durch den Übertrager eingeführt ist, wobeiafter the corresponding time has elapsed, the resultant represents which is introduced by the transformer, where

den Spannungswellen sich in den Lagen P (2), P (5) ein Feld aufzubringen ist, das den remanenten magne-the stress waves in the positions P (2), P (5) a field has to be applied, which the remanent magnetic

und P (6) befinden. In diesem Zeitpunkt wird eine 65 tischen Zustand bestimmter Lagen ändern soll, undand P (6) are located. At this point a 65 table is supposed to change the state of certain positions, and

Feldstärke entsprechend Punkt P der Fig. 1 dadurch wobei die durch die Welle aufgebrachte SpannungField strength corresponding to point P of Fig. 1 thereby whereby the voltage applied by the wave

erzeugt, daß ein elektrischer Impuls an die Wicklung 3 durch die Elastizitätsgrenze des Werkstoffes begrenztgenerated that an electrical pulse to the winding 3 is limited by the elastic limit of the material

angelegt wird, und der Remanenzzustand des ma- ist. In diesem Fall wird eine negative vorspannendeis applied, and the remanence state of the ma- is. In this case it becomes a negative bias

Kraft (beispielsweise eine Spannung, die auf einen negativ magnetostriktiven Werkstoff aufgebracht wird), die auf das magnetostriktive Material einwirkt, die Hysteresisschleife entgegengesetzt derjenigen Richtung beeinflussen, die durch die Spannungswelle aufgebracht ist. Die durch eine Spannungswelle aufgebrachte Spannung kann nun auf einen Betrag erhöht werden, der gleich der Vorspannkraft ist, wobei sich dann eine entsprechende Verstärkung der Änderung der Hysteresisschleife einstellt. Diese Art der Vor-Spannung kann für die Speicherung von Informationen verwendet werden, die das binäre Äquivalent der Signale sind, die gespeichert werden sollen.Force (for example, a voltage applied to a negatively magnetostrictive material that acts on the magnetostrictive material, the hysteresis loop is opposite to that Affect the direction applied by the stress wave. The one applied by a voltage wave Tension can now be increased to an amount equal to the pretensioning force, whereby then adjusts a corresponding amplification of the change in the hysteresis loop. That kind of pre-tension can be used for storing information that is the binary equivalent of Are signals that are to be stored.

Bei den beschriebenen Ausführungsbeispielen der Erfindung kann auch die den Speicherstab oder -draht umgebende Wicklung durch eine Anzahl einzelner Spulen ersetzt werden, wobei zweckmäßig je eine Spule in jeder Speicherlage angeordnet ist.In the described embodiments of the invention, the memory stick or wire surrounding winding can be replaced by a number of individual coils, each one expediently Coil is arranged in each storage layer.

Claims

PATENT CLAIMS:

1. A method for storing and non-destructive reading of information in or from a storage device in which a plurality of binary characters can be stored in separate storage locations along an elongated storage element made of magnetostrictive material, the remanent states of the magnetostrictive material starting from a positive value (the for example corresponds to a binary zero) to a negative value (which represents, for example, a binary one) under the action of mechanical stress waves which are generated in the memory element and travel through it at a constant speed, characterized in that one or more mechanical stress waves are generated in the memory element, which pass through the successive storage locations of the magnetostrictive memory according to their speed of propagation, and that additional magnetic fields are generated which together with the voltage waves in this way This means that the magnetic state of a storage location can only be changed if this respective location is under the influence of a magnetic field and at the same time is traversed by a mechanical stress wave.

2. The method according to claim 1, characterized in that a number of mechanical Voltage waves is generated in the storage element, such that the time sequence of the voltage waves corresponds to the local distribution of those storage locations whose states have changed are to be, and that a single magnetic field acts on the storage element during the duration of these voltage waves.

3. The method according to claim 1, characterized in that a single voltage wave in the magnetostrictive memory element is generated and that to change the state of the selected Storage locations, individual magnetic fields act on these locations when this voltage wave runs through the selected storage parts.

4. The method according to claim 1, characterized in that that the storage member is mechanically biased.

5. The method according to any one of claims 1 to 4, characterized in that the voltage waves simultaneously in a plurality of storage elements, the storage elements with one another are connected at a point of generation, and that the storage members are individually for the action a magnetic field are selectable.

6. The method according to any one of claims 1 to 5, characterized in that the storage locations of the storage medium can be selected individually for the action of a magnetic field.

Considered publications:
German Patent No. 923 396;
German interpretative document No. 1 009 236.

For this purpose, 1 sheet of drawings