DE1144824B - Power supply device with a transistor circuit - Google Patents
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Stromversorgungseinrichtung mit einer Gleichstromquelle und mindestens einem als Gleichspannungswandler arbeitenden Transistoroszillator. Solche Stromversorgungseinrichtungen werden z. B. in Eisenbahnen, Autobussen und auch an Bord von Flugzeugen zur Speisung von Beleuchtungsanlagen, insbesondere von Leuchtstoffröhren verwendet. Dabei besteht die Gleichstromquelle meist aus einer Gleichstrommaschine, ζ. B. einem von irgendeinem Motor oder von den Rädern eines Eisenbahnwagens angetriebenen Dynamo und aus einer Batterie. Der Dynamo oder die Gleichstrommaschine ist mit einem Regler ausgerüstet, und der Gleichspannungswandler wird durch die mittels der Batterie gepufferte Gleichstrommaschine gespeist. Die Gleichstromquelle kann auch nur aus einer Batterie, z. B. einem Akkumulator, bestehen.The invention relates to a power supply device with a direct current source and at least one transistor oscillator operating as a DC voltage converter. Such power supply devices are z. B. in railways, buses and also on board aircraft for supplying lighting systems, in particular for Fluorescent tubes used. The direct current source usually consists of a direct current machine, ζ. B. one driven by any motor or by the wheels of a railroad car Dynamo and from a battery. The dynamo or the DC machine comes with a regulator equipped, and the DC / DC converter is powered by the DC machine, which is buffered by means of the battery fed. The DC power source can only come from a battery, e.g. B. an accumulator, exist.
Im Betrieb treten Schwierigkeiten dadurch auf, daß Störungen, wahrscheinlich am Kollektor der Gleichstrommaschine und/oder durch Ein- und Ausschalten und/oder durch Regem dieser Maschine, wie dies bei solchen gepufferten Maschinen üblich ist, kurze Spannungsspitzen oder Impulse mit einer Amplitude von einigen zehn Volt über den Klemmen der Batterie erzeugt werden. Solche Störungen können bei einer Vorrichtung, bei der die Gleichstromquelle ausschließlich aus einer Batterie besteht, z. B. durch Induktion, bei Blitzschlag oder bei anderen starken Störungen außerhalb der Vorrichtung auftreten. In dem Augenblick, in dem der Transistor oder einer der Transistoren des Transistoroszillators gesperrt wird, tritt an dessen Kollektor eine Spannung von etwa dem Zweifachen der Batteriespannung auf. Wenn z. B. eine Batteriespannung von 24 Volt benutzt wird und die soeben genannten Stromspitzen eine Amplitude der gleichen Größenordnung aufweisen und auf diese Batteriespannung überlagert werden, können die Störungen des Transistors oder des Oszillators zur Folge haben.In operation, difficulties arise from the fact that faults, probably on the collector of the DC machine and / or by switching this machine on and off and / or by Regem, as in Such buffered machines usually produce short voltage spikes or pulses with an amplitude of tens of volts across the terminals of the battery. Such disturbances can occur with a Device in which the direct current source consists exclusively of a battery, e.g. B. by induction, occur in the event of lightning or other severe interference outside the device. In the moment in which the transistor or one of the transistors of the transistor oscillator is blocked a voltage of about twice the battery voltage occurs at its collector. If z. B. a battery voltage of 24 volts is used and the current peaks just mentioned have an amplitude of the same order of magnitude and superimposed on this battery voltage can cause the transistor or the oscillator to malfunction.
An Transistoren durchgeführte Messungen haben nun gezeigt, daß bei Transistoren mit einer maximal
zulässigen Spannung zwischen Kollektor und Emitter von 60 Volt eine Speisespannung von 80 bis 90 Volt,
die während kurzer Zeit verdoppelt zwischen Kollektor und Emitter auftritt, die Vernichtung des
Transistors nicht herbeizuführen braucht, wenn gerade vor dem Augenblick, in dem der Transistor
gesperrt wird, eine Rückwärtsspannung von mindestens 5 Volt zwischen der Basis und dem Emitter des
Transistors wirksam ist. Diese Rückwärtsspannung verhütet somit die Vernichtung des Transistors in-Stromversorgungseinrichtung
mit einer TransistorschaltungMeasurements carried out on transistors have now shown that for transistors with a maximum permissible voltage between collector and emitter of 60 volts, a supply voltage of 80 to 90 volts, which doubles between collector and emitter for a short time, does not need to destroy the transistor, if just before the moment in which the transistor is blocked, a reverse voltage of at least 5 volts is effective between the base and the emitter of the transistor. This reverse voltage thus prevents the destruction of the transistor in the power supply device
with a transistor circuit
Anmelder:Applicant:
N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken,
Eindhoven (Niederlande)NV Philips' Gloeilampenfabrieken,
Eindhoven (Netherlands)
ίο Vertreter: Dr. rer. nat. P. Roßbach, Patentanwalt,
Hamburg 1, Mönckebergstr. 7ίο Representative: Dr. rer. nat. P. Roßbach, patent attorney,
Hamburg 1, Mönckebergstr. 7th
Beanspruchte Priorität:
Niederlande vom 14. November 1959 (Nr. 245 368)Claimed priority:
Netherlands of November 14, 1959 (No. 245 368)
Johannes Jacobus Wilting, Eindhoven (Niederlande), ist als Erfinder genannt wordenJohannes Jacobus Wilting, Eindhoven (Netherlands), has been named as the inventor
folge eines durch die vorerwähnten Spannungsspitzen verursachten Kollektor-Emitter-Durchschlags.follow a collector-emitter breakdown caused by the aforementioned voltage peaks.
Bei Anwendung einer starken, voreilenden Rückkopplung wird diese Bedingung meistens erfüllt.If a strong, leading feedback is used, this condition is mostly met.
Der Stromversorgungseinrichtung nach der Erfindung liegt die vorstehend erörterte Einsicht zugrunde. Dementsprechend ist sie dadurch gekennzeichnet, daß der Rückkopplungskreis des Oszillators derart eingerichtet ist, daß gerade vor und während der Sperrperiode des Transistors oder jeder der Transistoren eine Rückwärtsspannung von mindestens 5 Volt der Basis des Transistors zugeführt wird, wodurch eine Vernichtung des Transistors infolge eines durch die vorerwähnten Spannungsspitzen hervorgerufenen Kollektor-Emitter-Durchschlags verhütet wird, und daß die Amplitude der infolge der Rückkopplung zwischen Basis und Emitter auftretenden Spannungsspitzen mit HiKe eines im Basiskreis des Transistors eingeschalteten nichtlinearen Elementes begrenzt wird, so daß eine Vernichtung des Transistors infolge Basis-Emitter- und/oder Basis-Kollektor-Durchschlags verhütet wird.The power supply device according to the invention is based on the insight discussed above. Accordingly, it is characterized in that the feedback circuit of the oscillator is such is arranged that just before and during the blocking period of the transistor or each of the transistors a reverse voltage of at least 5 volts is applied to the base of the transistor, whereby destruction of the transistor as a result of one caused by the aforementioned voltage spikes Collector-emitter breakdown is prevented, and that the amplitude of the as a result of the feedback Voltage peaks occurring between base and emitter with HiKe one in the base circle of the Transistor switched on nonlinear element is limited, so that destruction of the transistor due to base-emitter and / or base-collector breakdown is prevented.
Da im vorliegenden Falle die Spannungsspitzen lediglich im Basiskreis des Transistors unterdrückt werden, läßt sich diese Unterdrückung durch bedeutend einfachere und billigere Mittel bewerkstelligen. Tatsächlich weist die Quelle der hohen Spannungsspitzen, vom Basiskreis des Transistors her gesehen, eine erhebliche Eigenimpedanz auf, so daß eine sehr gute Begrenzung mittels eines einfachen, z. B. als Parallelelement geschalteten nichtlinearen ElementesSince in the present case the voltage peaks are only suppressed in the base circuit of the transistor this suppression can be accomplished by much simpler and cheaper means. In fact, the source of the high voltage spikes, seen from the base circuit of the transistor, a considerable self-impedance, so that a very good limitation by means of a simple, z. B. as Parallel element switched nonlinear element
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erzielbar ist, in dem nur eine verhältnismäßig geringe Leistung in Wärme umgewandelt wird.is achievable in which only a relatively low Power is converted into heat.
Das vorerwähnte nichtlineare Element ist vorzugsweise ein über den Rückkopplungskreis als Parallelelement geschalteter, sogenannter spannungsabhängiger Widerstand (VDR), d.h. ein Widerstand mit einer symmetrischen, nichtlinearen Strom-Spannungs-Kennlinie, dessen Widerstandswert bei zunehmender Spannung abnimmt. Die bekannten »VDR« sind keramische Widerstände.The aforementioned non-linear element is preferably a so-called voltage-dependent element connected as a parallel element via the feedback circuit Resistance (VDR), i.e. a resistor with a symmetrical, non-linear current-voltage characteristic, whose resistance value decreases with increasing voltage. The well-known »VDR« are ceramic resistors.
Selbstverständlich können auch andere nichtlineare Elemente benutzt werden, z. B. im sogenannten Zenergebiet arbeitende Dioden, vorzugsweise Halbleiterdioden. Dioden und insbesondere sogenannte »Zenerdioden« sind jedoch bedeutend teurer als spannungsabhängige Widerstände.Of course, other non-linear elements can also be used, e.g. B. in the so-called Zener area working diodes, preferably semiconductor diodes. Diodes and in particular so-called “Zener diodes”, however, are significantly more expensive than voltage-dependent resistors.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform der Einrichtung nach der Erfindung, wobei der Gleichspannungswandler einen Gegentaktoszülator enthält, genügt ein zwischen denIn a preferred embodiment of the device according to the invention, wherein the DC voltage converter contains a push-pull oscillator, one between the
sistoren eingeschaltetes nichtlineares Element mit symmetrischer Kennlinie, um die gefährlichen Spannungsspitzen zu unterdrücken. Dieses symmetrische Element kann z. B. ein einziger gemeinsamer spangleicher Größenordnung wie die a'-Grenzfrequenz der Transistoren 20 und 21 festlegt.sistors switched on non-linear element with symmetrical characteristic to avoid dangerous voltage peaks to suppress. This symmetrical element can, for. B. a single shared language equivalent Order of magnitude as the a'-cutoff frequency of the transistors 20 and 21 defines.
Die Basiselektroden der Transistoren 20 und 21 sind über die Kondensatoren 26 und 27 mit ihren Kollektorelektroden kreuzweise gekoppelt. Diese Rückkopplung wird noch mittels einer Rückkopplungswicklung 28 mit Mittelanzapfung des Transformators 23 verstärkt, und die Basis jedes Transistors wird durch einen Spannungsteiler mit zwei Widerständen 29 und 30 bzw. 31 und 32 schwach in der Vorwärtsrichtung vorgespannt, von denen Widerständen einer unmittelbar mit der Minusklemme der Batterie 5 und der andere über die entsprechende Hälfte der Rückkopplungswicklung 28 mit der Plusklemme dieser Batterie verbunden ist. Die betreffenden Werte der Kondensatoren 26 und 27 und der Widerstände 29 bis 32 und die Kopplung mittels der Wicklung 28 sind derart gewählt, daß gerade vor demThe base electrodes of the transistors 20 and 21 are through the capacitors 26 and 27 with their Collector electrodes coupled crosswise. This feedback is still achieved by means of a feedback winding 28 reinforced with the center tap of the transformer 23, and the base of each transistor is weak in the by a voltage divider with two resistors 29 and 30 or 31 and 32 Forward biased, one of which is connected directly to the negative terminal of the resistors Battery 5 and the other over the corresponding half of the feedback winding 28 to the positive terminal connected to this battery. The respective values of the capacitors 26 and 27 and the Resistors 29 to 32 and the coupling by means of the winding 28 are chosen so that just before
Sperren jedes der Transistoren 20 und 21 ein RückBasiselektroden der Tran- 20 wärtsspannungsimpuls der Basis zugeführt wird.Disable each of transistors 20 and 21 a back base electrode the transverse voltage pulse is applied to the base.
Nach der der Erfindung zugrunde liegenden Erkenntnis sind die Transistoren 20 und 21 infolgedessen bedeutend weniger empfindlich gegen etwaige infolge Störungen über den Kollektor-Emitternungsabhängiger Widerstand oder die Reihenschal- 25 Strecken auftretenden Überspannungen. Infolge der tung von zwei in entgegengesetzten Leitungsrichtun- starken Rückkopplung mittels der Kondensatoren 26According to the knowledge on which the invention is based As a result, transistors 20 and 21 are significantly less sensitive to any as a result of interferences via the collector-emitter-dependent resistance or the series connection 25 lines overvoltages. As a result of Two feedbacks that are not strong in opposite line directions are produced by means of the capacitors 26
gen geschalteten Zenerdioden sein. In diesem Falle ist somit das Preisverhältnis zugunsten des spannungsabhängigen Widerstandes doppelt vorteilhaft.gen switched zener diodes. In this case, the price ratio is in favor of the voltage-dependent Resistance doubly beneficial.
Die Erfindung wird an Hand der Zeichnung näher erläutert, in derThe invention is explained in more detail with reference to the drawing, in which
Fig. 1 das Schaltbild eines ersten Ausführungsbeispiels der Stromversorgungseinrichtung nach der Erfindung zeigt;Fig. 1 is the circuit diagram of a first embodiment of the power supply device according to the Invention shows;
und 27 und der Wicklung 28 werden Störspannungsspitzen über dem Kollektor-Emitter-Kreis eines Transistors auch nach der Basis desselben Transistors stark wirksam und könnten diesen Transistor durch Basis-Emitter- und/oder Basis-Kollektor-Durchschlag vernichten, wenn eine solche Störspannungsspitze beim Sperren eines der Transistoren 20 und 21 auftritt. Es wird einleuchten, daß solche Störspannungsand 27 and the winding 28 are interference voltage spikes across the collector-emitter circuit of a transistor also strongly effective after the base of the same transistor and could this transistor through Destroy base-emitter and / or base-collector breakdown if such an interference voltage spike occurs occurs when one of the transistors 20 and 21 is blocked. It will be evident that such interference voltage
Fig. 3 zeigt das Schaltbild einer Abart des Ausführungsbeispiels nach Fig. 1.Fig. 3 shows the circuit diagram of a variant of the embodiment according to Fig. 1.
Fig. 2 zeigt ein Diagramm zur Erörterung der 35 spitzen vom Generator 1 erzeugt werden können, entWirkungsweise des Ausführungsbeispiels nach Fig. 1, weder in Form von Störungen am Kollektor dieserFIG. 2 shows a diagram for the discussion of the peaks that can be generated by the generator 1, according to the manner in which it works of the embodiment of FIG. 1, neither in the form of faults on the collector of this
Maschine oder in Form von Spannungsspitzen, die durch öffnen oder Schließen irgendeines Kontaktes des Strom- und Spannungsreglers 7 erzeugt werden.Machine or in the form of voltage spikes caused by the opening or closing of any contact of the current and voltage regulator 7 can be generated.
Die Stromversorgungseinrichtung nach Fig. 1 ent- 40 Solche Störspannungsspitzen werden selbstverständhält eine Gleichstrommaschine 1, z. B. einen durch lieh durch die Pufferbatterie 5 stark unterdrückt, den Motor eines Autobusses angetriebenen Generator Diese Batterie hat jedoch auch eine gewisse Eigenmit einer Feldwicklung 2, die über einen Widerstand 3 impedanz, so daß z.B. sehr kurze oder hochfrequenteThe power supply device according to FIG. 1 contains such interference voltage peaks as a matter of course a DC machine 1, e.g. B. strongly suppressed one borrowed by the backup battery 5, A generator powered by the engine of a bus This battery also has a certain intrinsic character a field winding 2, the impedance via a resistor 3, so that e.g. very short or high-frequency
Spannungsspitzen nicht hinreichend abgeleitet werden. Dies ist insbesondere der Fall, wenn die Batterie 5 eine Kalilaugebatterie ist, wie dies in einer Gleichstromversorgungseinrichtung eines Flugzeugs meistens der Fall ist. Gemäß der Erfindung ist einVoltage peaks cannot be adequately diverted. This is particularly the case when the battery 5 is a caustic potash battery, as in one DC power supply of an aircraft is mostly the case. According to the invention is a
als Shunt-Wicklung geschaltet ist. Der Generator 1, 2 ist mit einem bekannten Strom- und Spannungsregler 7 ausgerüstet, dessen Eingang über einen Widerstand 4 mit dem gemeinsamen Punkt der Feldwicklung 2 und des Widerstandes 3 verbunden ist, und er ladet eine Akkumulatorbatterie 5.is connected as a shunt winding. The generator 1, 2 is equipped with a known current and voltage regulator 7, the input of which is connected to the common point of the field winding 2 and the resistor 3 via a resistor 4, and it charges an accumulator battery 5.
nichtlineares Element im Basiskreis jedes der Tran-nonlinear element in the base circle of each of the trans-
An die Pufferbatterie 5 ist ein Gleichspannungs- 50 sistoren 20 und 21 eingefügt. Diese Elemente be-A DC voltage 50 sistors 20 and 21 are inserted into the backup battery 5. These elements
wandler mit zwei in Gegentakt geschalteten Transistoren 20 und 21 angeschlossen. Dieser Wandler enthält einen Transformator 22 mit einer mittelangezapften Primärwicklung 23, die an die Minusklemme der Batterie 5 angeschlossen ist. Diese Wicklung liegt zwischen den betreffenden Kollektorelektroden der Transistoren 20 und 21, deren Emitterelektroden unmittelbar mit der Plusklemme der Batterie 5 verbunden sind. Der Transformator 22 ist mit einer Ausgangswicklung 24 versehen, an die eine Belastung, z. B. der Entladekreis einer Leuchtstoffröhre angeschlossen ist. Über der Wicklung 24 ist ein Kondensator 25 geschaltet, der gemeinsam mit der im Kollektorkreis der Transistoren wirksamen Induktivität, grenzen die infolge der Rückkopplung zwischen Basis und Emitter auftretenden Spannungsspitzen auf einen solchen Wert, daß der Transistor nicht durch Basis-Emitter- und/oder Basis-Kollektor-Durchschlag vernichtet werden kann. Wie dies in Fig. 1 veranschaulicht ist, sind die nichtlinearen Elemente sogenannte spannungsabhängige Widerstände (VDR), d. h. Widerstände mit einer symmetrischen, nichtlinearen Strom-Spannungs-Kennlinie, deren Widerstandswert bei zunehmender Spannung abnimmt. Jeder dieser VDR 33 und 34 ist über dem Rückkopplungskreis eines der Transistoren als Parallelelement geschaltet und liegt zwischen der Basiselektrode eines der Transistoren 20 und 21 und einem Punkt des Rückkopp-converter with two transistors connected in push-pull 20 and 21 connected. This converter includes a transformer 22 with a center tapped Primary winding 23, which is connected to the negative terminal of the battery 5. This winding lies between the relevant collector electrodes of the transistors 20 and 21, their emitter electrodes directly are connected to the positive terminal of the battery 5. The transformer 22 has an output winding 24 provided to which a load, e.g. B. connected to the discharge circuit of a fluorescent tube is. A capacitor 25 is connected across the winding 24, which together with that in the collector circuit the effective inductance of the transistors, which limit as a result of the feedback between the base and emitter occurring voltage peaks to such a value that the transistor is not affected by base-emitter and / or base-collector breakdown can be destroyed. As illustrated in FIG. 1 the non-linear elements are so-called voltage dependent resistances (VDR), i. H. Resistors with a symmetrical, non-linear current-voltage characteristic, their resistance value decreases with increasing tension. Each of these VDRs 33 and 34 is above the feedback loop one of the transistors is connected as a parallel element and lies between the base electrode of one of the transistors 20 and 21 and a point of feedback
z. B. mit der transformierten Induktivität einer in 65 lungskreises nach der Basiselektrode des anderenz. B. with the transformed inductance of a circuit in 65 after the base electrode of the other
Reihe mit dem Entladekreis der Leuchtstoffröhre geschalteten Regelinduktivität, die Arbeitsfrequenz der Oszillatorschaltung auf einen Wert von mindestens Transistors.Series with the discharge circuit of the fluorescent tube switched control inductance, the operating frequency of the Oscillator circuit to a value of at least transistor.
In Fig. 2 sind die Spitzenspannungen veranschaulicht, die bei bestimmten Werten der Maximalspan-In Fig. 2 the peak voltages are illustrated, which at certain values of the maximum span
nung an den Klemmen der Batterie 5 zwischen dem Kollektor und dem Emitter bzw. zwischen der Basis und dem Emitter eines Transistors beim Sperren dieses Transistors auftreten können. Es wird dabei vorausgesetzt, daß Störspannungsspitzen auf die eigentliche Spannung der Batterie 5 überlagert sind.voltage at the terminals of the battery 5 between the collector and the emitter or between the base and the emitter of a transistor can occur when this transistor is turned off. It will be there provided that interference voltage peaks are superimposed on the actual voltage of the battery 5.
Die Kurve I zeigt die Spannung über der Kollektor-Emitter-Strecke des Transistors. Diese ist höchstens gleich dem Zweifachen der Spannung VB an den Klemmen der Batterie 5, während infolge der angewandten starken Rückkopplung die durch die Kurve II dargestellte Spannung zwischen Basis und Emitter jedes Transistors bei Fehlen der nichtlinearen Elemente 33 und 34 etwa dreimal so groß wie die Spannung VB werden könnte. Die nichtlinearen Elemente 33 und 34 begrenzen jedoch die Spannung an der Basis jedes Transistors auf einen Wert von maximal 80 Volt (s. Kurve III), bei dem: eine Vernichtung eines der Transistoren durch Basis-Emitter- und/oder Basis-Kollektor-Durchschlag infolge einer Störspannungsspitze praktisch ausgeschlossen ist.Curve I shows the voltage across the collector-emitter path of the transistor. This is at most equal to twice the voltage V B at the terminals of the battery 5, while as a result of the strong feedback applied, the voltage shown by curve II between the base and emitter of each transistor in the absence of the non-linear elements 33 and 34 is about three times as large as that Voltage V B could be. The non-linear elements 33 and 34, however, limit the voltage at the base of each transistor to a maximum value of 80 volts (see curve III), at which: one of the transistors is destroyed by base-emitter and / or base-collector breakdown due to an interference voltage peak is practically impossible.
Die Anordnung nach Fig. 3 unterscheidet sich von der Ausführungsform nach Fig. 1 dadurch, daß der Rückkopplungskreis des Transistoroszillators anders ausgebildet ist und daß ein einziges nichtlineares Element zum Unterdrücken der Störspannungsspitzen in den bezüglichen Basiskreisen beider Transistoren 20 und 21 verwendet wird. Wie dargestellt, wird der Transistoroszillator durch die Batterie 5 gespeist, mit der er durch einen Schalter 35 verbunden ist. Störspannungsspitzen können gegebenenfalls beim Ein- oder Ausschalten dieses Schalters auftreten, oder sie können durch Induktion in eine Leitung der Stromversorgungseinrichtung oder in eine Wicklung des Transformators 22 erzeugt werden, z. B. durch Ein- oder Ausschalten eines Starkstromkreises oder durch Blitzeinschlag in der Nähe der Einrichtung. Auch diese Störspannungsspitzen werden nicht stets in hinreichendem Maße durch die Kapazität der Batterie 5 oder eines gegebenenfalls dazu parallel gelegten Kondensators 37 unterdrückt. Der Rückkopplungskreis jedes der Transistoren 20 und 21 der Anordnung nach Fig. 3 enthält einen Kondensator 26 bzw. 27, der in Reihe mit einer Hälfte der Rückkopplungswicklung 28 zwischen der Basis und dem Emitter desselben Transistors geschaltet ist. Die Basiselektrode jedes der Tranistoren 20 und 21 ist wieder durch einen Spannungsteiler mit Widerständen 29 und 30 bzw. 31 und 32 in der Vorwärtsrichtung vorgespannt. Ein einziges gemeinsames nichtlineares Element in Form eines »VDR« ist zwischen den Basiselektroden der zwei Transistoren eingeschaltet. Mittels dieses einzigen nichtlinearen Widerstandes wird auch in diesem Falle die Maximalamplitude der zwischen jeder Basiselektrode und der entsprechenden Emitterelektrode auftretenden, gegebenenfalls durch Störspannungsspitzen erzeugten Spannung begrenzt auf einen Wert von 80VoIt, wie gezeigt durch die Kurve III der Fig. 2.The arrangement of FIG. 3 differs from the embodiment of FIG. 1 in that the Feedback circuit of the transistor oscillator is designed differently and that a single non-linear Element for suppressing the interference voltage peaks in the respective base circuits of both transistors 20 and 21 is used. As shown, the transistor oscillator is powered by the battery 5 fed to which it is connected by a switch 35. Interference voltage peaks can possibly when turning this switch on or off, or they can be induced into a Line of the power supply device or in a winding of the transformer 22 is generated be e.g. B. by switching on or off a power circuit or by lightning strike in the Close to the facility. These interference voltage peaks are also not always sufficient by the capacity of the battery 5 or a capacitor 37 that may be placed in parallel therewith suppressed. The feedback circuit of each of the transistors 20 and 21 of the arrangement of FIG. 3 includes a capacitor 26 or 27, which is in series with one half of the feedback winding 28 is connected between the base and the emitter of the same transistor. The base electrode of each of the Transistors 20 and 21 is again through a voltage divider with resistors 29 and 30 and 31 and respectively 32 biased in the forward direction. A single common nonlinear element in the form of a "VDR" is switched on between the base electrodes of the two transistors. By means of this only one nonlinear resistance is also in this case the maximum amplitude of the between each Base electrode and the corresponding emitter electrode, possibly due to interference voltage peaks voltage generated is limited to a value of 80VoIt, as shown by curve III of Fig. 2.
Es ist ohne weiteres ersichtlich, daß es bedeutend leichter ist, die gegebenenfalls auftretenden Störspannungsspitzen im Basis- oder im RückkopplungskreisIt is readily apparent that it is significantly easier to deal with any interference voltage peaks that may occur in the base or in the feedback loop
jedes Transistors zu unterdrücken als im Kollektorkreis oder an den Klemmen der Batterie 5. Tatsächlich hat die die Störimpulse erzeugende Quelle von der Basis jedes Transistors her gesehen eine bedeutend höhere Eigenimpedanz, da sogar bei starker Rückkopplung die nach der Basis des Transistors zurückgeführte Energie gering ist im Vergleich zu der in dessen Kollektor-Emitter-Kreis vorhandenen Energie. Infolgedessen ist es möglich, die erforderliche Begrenzung der Basisrückwärtsspannung durch sehr einfache Mittel, z. B. durch einen spannungsabhängigen Widerstand für jeden Transistor oder durch einen gemeinsamen Widerstand für zwei im Gegentakt geschaltete Transistoren zu erzielen. Etwaige Vorwärtsstörspannungsspitzen werden bereits durch die Basis-Emitter-Diode jedes Transistors hinreichend gedämpft.to suppress any transistor than in the collector circuit or at the terminals of the battery 5. Indeed the source producing the glitches has a significant one when viewed from the base of each transistor higher intrinsic impedance, since even with strong feedback the after the base of the transistor The returned energy is low compared to the energy present in its collector-emitter circuit. As a result, it is possible to limit the base reverse voltage by very much simple means, e.g. B. by a voltage-dependent resistor for each transistor or by to achieve a common resistance for two transistors connected in push-pull. Any forward interference voltage spikes are already sufficiently attenuated by the base-emitter diode of each transistor.
Claims (4)
Applications Claiming Priority (1)
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