[go: up one dir, main page]

DE10347416A1 - Gassensor und Verfahren zu dessen Herstellung - Google Patents

Gassensor und Verfahren zu dessen Herstellung Download PDF

Info

Publication number
DE10347416A1
DE10347416A1 DE10347416A DE10347416A DE10347416A1 DE 10347416 A1 DE10347416 A1 DE 10347416A1 DE 10347416 A DE10347416 A DE 10347416A DE 10347416 A DE10347416 A DE 10347416A DE 10347416 A1 DE10347416 A1 DE 10347416A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
evaluation
gas
layer
sensitive layer
deckoxidschicht
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE10347416A
Other languages
English (en)
Inventor
Heribert Weber
Odd-Axel Pruetz
Detlef Gruen
Christian Krummel
Christoph Schelling
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Paragon AG
Original Assignee
Paragon AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Paragon AG filed Critical Paragon AG
Priority to DE10347416A priority Critical patent/DE10347416A1/de
Priority to KR1020067001778A priority patent/KR20060055525A/ko
Priority to US10/565,991 priority patent/US20070062812A1/en
Priority to EP04762493A priority patent/EP1649270A1/de
Priority to JP2006520668A priority patent/JP2006528766A/ja
Priority to PCT/DE2004/001645 priority patent/WO2005012892A1/de
Publication of DE10347416A1 publication Critical patent/DE10347416A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/02Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
    • G01N27/04Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
    • G01N27/12Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
    • G01N27/128Microapparatus

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)

Abstract

Die vorliegende Erfindung betrifft einen Gassensor mit einer auf einem Halbleitersubstrat 2 ausgebildeten Membranschicht 3, auf der eine Auswertestruktur 7 in einem Auswertebereich 8 und eine Heizstruktur 9 außerhalb des Auswertebereichs 8 angeordnet sind, und mit einer über der Auswertestruktur 7 und der Heizstruktur 9 angeordneten gassensitiven Schicht 10, wobei die gassensitive Schicht 10 von der Heizstruktur 9 beheizbar und der elektrische Widerstand der gassensitiven Schicht 10 von der Auswertestruktur 7 auswertbar ist und wobei die Heizstruktur 9 auf einer haftvermittelnden Oxidschicht 6 auf der Oberseite der Membranschicht 3 angeordnet und durch eine Deckoxidschicht 11 von der gassensitiven Schicht getrennt ist. Um eine zuverlässige Funktionsweise zu ermöglichen, ist bei dem Gassensor vorgesehen, dass in dem Auswertebereich 8 eine gegenüber einer Oxidätzung unempfindliche Haftvermittlerschicht 13 zwischen der Membranschicht 3 und der Auswertestruktur 7 angeordnet ist oder dass die Auswertestruktur 7 in dem Auswertebereich 8 entsprechend der Heizstruktur 9 durch die Deckoxidschicht 11 von der gassensitiven Schicht 10 getrennt ist, wobei die Deckoxidschicht 11 Kontaktlöcher 12 aufweist, welche jeweils einen mittleren Bereich der Oberfläche der Auswertestruktur 7 freilegen, um einen direkten Kontakt zwischen der Auswertestruktur 7 und der gassensitiven Schicht 10 herzustellen.
DE10347416A 2003-07-25 2003-10-13 Gassensor und Verfahren zu dessen Herstellung Withdrawn DE10347416A1 (de)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10347416A DE10347416A1 (de) 2003-07-25 2003-10-13 Gassensor und Verfahren zu dessen Herstellung
KR1020067001778A KR20060055525A (ko) 2003-07-25 2004-07-23 가스 센서와 그 제조 방법
US10/565,991 US20070062812A1 (en) 2003-07-25 2004-07-23 Gas sensor and method for the production thereof
EP04762493A EP1649270A1 (de) 2003-07-25 2004-07-23 Gassensor und verfahren zu dessen herstellung
JP2006520668A JP2006528766A (ja) 2003-07-25 2004-07-23 ガスセンサ及びガスセンサを製造するための方法
PCT/DE2004/001645 WO2005012892A1 (de) 2003-07-25 2004-07-23 Gassensor und verfahren zu dessen herstellung

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10333996 2003-07-25
DE10347416A DE10347416A1 (de) 2003-07-25 2003-10-13 Gassensor und Verfahren zu dessen Herstellung

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE10347416A1 true DE10347416A1 (de) 2005-03-10

Family

ID=34071909

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10347416A Withdrawn DE10347416A1 (de) 2003-07-25 2003-10-13 Gassensor und Verfahren zu dessen Herstellung
DE10347415A Withdrawn DE10347415A1 (de) 2003-07-25 2003-10-13 Mikrostrukturierter chemischer Sensor

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10347415A Withdrawn DE10347415A1 (de) 2003-07-25 2003-10-13 Mikrostrukturierter chemischer Sensor

Country Status (1)

Country Link
DE (2) DE10347416A1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102017210585B3 (de) 2017-06-23 2018-09-27 Robert Bosch Gmbh Bondpadschichtsystem, Gassensor und Verfahren zur Herstellung eines Gassensors

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102017210585B3 (de) 2017-06-23 2018-09-27 Robert Bosch Gmbh Bondpadschichtsystem, Gassensor und Verfahren zur Herstellung eines Gassensors
US11407635B2 (en) 2017-06-23 2022-08-09 Robert Bosch Gmbh Bonding pad layer system, gas sensor and method for manufacturing a gas sensor

Also Published As

Publication number Publication date
DE10347415A1 (de) 2005-02-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7866202B2 (en) Method of fabricating a carbon monoxide detector and a carbon monoxide detector fabricated using the same
EP0940652A3 (de) Oberflächenform-Erkennungssensor und dessen Herstellungsverfahren
DE4415984A1 (de) Halbleitersensor mit Schutzschicht
DE102008027038A1 (de) Verfahren zum Detektieren von chemischen oder biologischen Species sowie Elektrodenanordnung hierfür
EP1649270A1 (de) Gassensor und verfahren zu dessen herstellung
EP1030174A3 (de) Messeinrichtung sowie Verfahren zu deren Herstellung
DE3519576C2 (de)
WO2010038957A3 (ko) 터치패널의 제조방법 및 이에 의해 제조되는 터치패널
DE10347416A1 (de) Gassensor und Verfahren zu dessen Herstellung
DE19842735A1 (de) Elektrochemischer Sensor mit direkt elektrisch heizbaren Elektrodenflächen
EP2009970A3 (de) Verfahren zur Herstellung einer elektisch leitfähigen Struktur
EP0997712A3 (de) Kapazitive Sensoranordnung in einem flüssigen Medium sowie Herstellungsverfahren
EP1387392A3 (de) Elektrostatischer Greifer und Verfahren zu dessen Herstellung
DE4333898C2 (de) Meßfühler zur Erfassung von Gaszusammensetzungen
CN101573601B (zh) 半导体器件
EP0892425A3 (de) Herstellverfahren für eine Platinmetall-Struktur mittels eines Lift-off-Prozesses
EP1184345A3 (de) Verfahren zur Unterdrückung der Sauerstoffblasenbildung in Glasschmelzen, eine Vorrichtung hierzu sowie die Verwendung des so erhaltenen Glases
EP1249699A3 (de) Sensor zum Messen einer Gaskonzentration oder Ionenkonzentration
EP2058076A3 (de) Verfahren zur Oberflächenbehandlung einer elektrisch leitfähigen Substratoberfläche
DE102016207260B3 (de) Mikromechanische Feuchtesensorvorrichtung und entsprechendes Herstellungsverfahren
EP1093132A3 (de) Planarer Abgleichwiderstand, Anwendungen und Verfahren zu seiner Herstellung
EP0973027A3 (de) Verfahren zum Herstellen einer Elektrode
WO2005077815A1 (de) Mikromechanischer sensor
DE102016222913A1 (de) Gassensor mit einem Halbleitersubstrat mit mindestens einer Isolationsschicht und einer Leiterbahn
DE602006001772D1 (de) Verfahren zur Messung von Halbleiterwafern mit einer oxidverstärkten Sonde

Legal Events

Date Code Title Description
8141 Disposal/no request for examination