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DE10337640A1 - Power semiconductor module for fitting on a heat sink has a casing, power semiconductor components and an insulating substrate with metal layers on both sides - Google Patents

Power semiconductor module for fitting on a heat sink has a casing, power semiconductor components and an insulating substrate with metal layers on both sides Download PDF

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DE10337640A1
DE10337640A1 DE10337640A DE10337640A DE10337640A1 DE 10337640 A1 DE10337640 A1 DE 10337640A1 DE 10337640 A DE10337640 A DE 10337640A DE 10337640 A DE10337640 A DE 10337640A DE 10337640 A1 DE10337640 A1 DE 10337640A1
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DE
Germany
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power semiconductor
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module according
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Jakob Jost
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Semikron Elektronik GmbH and Co KG
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Semikron GmbH and Co KG
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Abstract

Power semiconductor components (PSC) (30) fit on a first metal layer (FML) (22) that is structured in itself and consequently forms individual strip conductors. The PSC link to this FML as a circuit. The FML fits on the first main surface of a substrate (20) facing the inside of a power semiconductor module. A second metal layer (24) fits on a second main surface of the substrate.

Description

Die Erfindung beschreibt ein Leistungshalbleitermodul bestehend aus mindestens einem Substrat, das seinerseits aus einem Isolierstoffkörper sowie auf beiden Hauptflächen dieses Isolierstoffkörpers angeordneten metallischen Schichten besteht. Die erste metallische Schicht ist hierbei in sich strukturiert und bildet einzelne Verbindungsbahnen. Auf diesen Verbindungsbahnen und mit diesen schaltungsgerecht verbunden sind Leistungshalbleiterbauelemente angeordnet. Auf der zweiten Hauptfläche des Isolierstoffkörpers ist eine zweite, nach dem Stand der Technik unstrukturierte, metallische Schicht (Metallisierung) angeordnet. Weiterhin weist das Leistungshalbleitermodul ein rahmenartiges Gehäuse sowie einen Deckel auf, wobei diese beiden Teile auch einstückig ausgeführt sein können.The Invention describes a power semiconductor module consisting of at least one substrate, which in turn consists of an insulating material as well on both main surfaces this insulating material arranged metallic layers consists. The first metallic Layer here is structured in itself and forms individual connection paths. On these lanes and connected to these circuit are arranged power semiconductor components. On the second main area of the insulating material is a second, according to the prior art unstructured, metallic layer (Metallization) arranged. Furthermore, the power semiconductor module has a frame-like housing and a lid, these two parts also be made in one piece can.

Das Leistungshalbleitermodul wird entweder direkt mit der zweiten metallischen Schicht auf einem Kühlkörper montiert oder es weist eine zusätzliche metallische Grundplatte auf, auf der die zweite metallische Schicht des Substrats angeordnet ist.The Power semiconductor module is either directly with the second metallic Layer mounted on a heat sink or it has an additional metallic Base plate on which the second metallic layer of the substrate is arranged.

Die DE 102 13 648 zeigt beispielhaft ein Leistungshalbleitermodul der oben beschriebenen Art zur direkten Montage auf einem Kühlkörper. Die DE 103 16 355 zeigt unter anderem ein Leistungshalbleitermodul mit Grundplatte zur Montage auf einem Kühlkörper. Allen derartigen Leistungshalbleitermodulen nach dem Stand der Technik ist gemeinsam, dass deren Substrat eine strukturierte Metallisierung auf der ersten und eine unstrukturierte Metallisierung auf der zweiten Hauptfläche aufweist. Diese unterschiedliche Ausgestaltung führt zu Verspannungen innerhalb des Substrates. Ursächlich für diese Verspannungen ist der Herstellungsprozess des Substrates. Bei der Herstellung werden auf beiden Seiten des Isolierstoffkörpers vorzugsweise identische Metallisierungen aufgebracht. Anschießend wird die erste Metallisierung strukturiert um die Leiterbahnen auszubilden. Die zweite Metallisierung ist nach dem Stand der Technik unstrukturiert. Aus diesem Unterschied der Strukturierung resultiert eine Verspannung des Substrates. Diese Verspannung kann zu einer Durchbiegung des Substrates führen. Hieraus resultieren abhängig von der Art des Leistungshalbleitermoduls bei dessen Herstellung oder dessen Verwendung eine Mehrzahl von Nachteilen, beispielhaft sind drei der wichtigsten genannt:

  • • Bei der Herstellung wird die automatisierte Bestückung des Substrates mit Bauelementen erschwert.
  • • Eine für den Wärmeabtransport während der Verwendung des Leistungshalbleiterbauelemente notwendige plane stoffschlüssige Auflage auf einer Grundplatte ist erschwert.
  • • Bei grundplattenlosen Leistungshalbleitermodulen wird während der Verwendung der Wärmeübergang zu einem stoffbündig darunter angeordneten Kühlkörper verschlechtert.
The DE 102 13 648 shows by way of example a power semiconductor module of the type described above for direct mounting on a heat sink. The DE 103 16 355 shows, inter alia, a power semiconductor module with base plate for mounting on a heat sink. All such power semiconductor modules according to the prior art have in common that their substrate has a structured metallization on the first and an unstructured metallization on the second main surface. This different design leads to tension within the substrate. The cause of these tensions is the manufacturing process of the substrate. During manufacture, identical metallizations are preferably applied to both sides of the insulating body. Anschießend the first metallization is structured to form the tracks. The second metallization is unstructured in the prior art. This difference in the structuring results in a strain of the substrate. This tension can lead to a deflection of the substrate. This results in a number of disadvantages, depending on the type of power semiconductor module in its manufacture or its use, by way of example, three of the most important are:
  • • During production, the automated assembly of the substrate with components is made more difficult.
  • • A flat cohesive support on a base plate, which is necessary for the heat removal during the use of the power semiconductor components, is made more difficult.
  • • In the case of base-less power semiconductor modules, the heat transfer to a heat sink arranged flush beneath it is degraded during use.

Ausgangspunkt der Erfindung ist weiterhin die DE 43 18 241 A1 . Hier wird die Ausgestaltung eines Substrates mit zwei Reihen von Öffnungen im Randbereich der Metallisierung der zweiten Hauptfläche vorgeschlagen. Der Vorteil dieser Anordnung von kleinen Löchern, die im Vergleich mit der Dicke der Metallisierung eine geringere Tiefe aufweisen, liegt darin eine Rissbildung der Metallisierung im Randbereich bei thermischer Belastung durch Temperaturwechsel zu vermeiden. Diese Ausgestaltung hat allerdings keinen Einfluss auf die oben beschriebene Durchbiegung des Substrates.The starting point of the invention is still the DE 43 18 241 A1 , Here, the design of a substrate with two rows of openings in the edge region of the metallization of the second major surface is proposed. The advantage of this arrangement of small holes, which have a smaller depth compared to the thickness of the metallization is to avoid cracking of the metallization in the edge region under thermal stress due to temperature changes. However, this embodiment has no influence on the above-described deflection of the substrate.

Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zu Grunde ein Leistungshalbleitermodul vorzustellen, welches eine reduzierte Durchbiegung des Substrates aufweist und somit einen besseren thermischen Kontakt des Substrates zu einer Grundplatte oder einem Kühlkörper gewährleistet.Of the The present invention is based on the object of a power semiconductor module to imagine what a reduced deflection of the substrate has and therefore a better thermal contact of the substrate guaranteed to a base plate or a heat sink.

Diese Aufgabe wird gelöst durch ein Leistungshalbleitermodul nach dem Anspruch 1, spezielle Ausgestaltungen finden sich in den Unteransprüchen.These Task is solved by a power semiconductor module according to claim 1, special Embodiments can be found in the subclaims.

Der Grundgedanke der Erfindung geht aus von einem Leistungshalbleitermodul mit Grundplatte oder zur direkten Montage auf einem Kühlkörper. Dieses besteht aus einem Gehäuse, mindestens einem Leistungshalbleiterbauelement sowie mindestens einem beidseitig mit einer metallischen Schicht versehenen elektrisch isolierenden Substrat. Das mindestens eine Leistungshalbleiterbauelement ist auf der ersten in sich strukturierten und somit einzelne Leiterbahnen bildenden metallischen Schicht angeordnet und mit dieser schaltungsgerecht beispielhaft mittels Drahtbondverbindungen verbunden. Diese erste metallische Schicht befindet sich auf der ersten, dem Inneren des Leistungshalbleitermoduls zugewandten Hauptfläche des Substrates, während die zweite metallische Schicht auf der zweiten Hauptfläche des Substrates angeordnet ist.Of the The basic idea of the invention is based on a power semiconductor module with base plate or for direct mounting on a heat sink. This consists of a housing, at least one power semiconductor device and at least one on both sides provided with a metallic layer electrically insulating substrate. The at least one power semiconductor component is on the first in itself structured and thus individual tracks forming metallic layer and arranged with this circuit connected by way of example by wire bonds. This first Metallic layer is located on the first, the inside of the Power semiconductor module facing the main surface of the substrate, while the second metallic layer disposed on the second major surface of the substrate is.

Das erfindungsgemäße Leistungshalbleitermodul weist auf der zweiten metallischen Schicht eine Vielzahl von Vertiefungen auf. Dies Vertiefungen sind regelmäßig oder unregelmäßig über die gesamte Fläche der metallischen Schicht angeordnet. Weiterhin weisen diese Vertiefungen eine Tiefenausdehnung auf, die geringer ist als die Dicke der zweiten metallischen Schicht.The Power semiconductor module according to the invention has a plurality of depressions on the second metallic layer on. These recesses are regular or irregular over the the whole area the metallic layer arranged. Furthermore, these depressions a depth extent that is less than the thickness of the second metallic Layer.

Vorteilhaft an dieser Ausgestaltung der zweiten metallischen Schicht des erfindungsgemäßen Leistungshalbleitermoduls ist, dass durch die teilweise Unterbrechung der Oberfläche diese und damit die gesamte Schicht gezielt geschwächt wird. Diese Schwächung kompensiert die durch die Strukturierung der ersten Oberfläche dort entstandene Schwächung. Somit wird eine oben beschriebene Durchbiegung des Substrates deutlich reduziert.Advantageous in this embodiment of the two th metallic layer of the power semiconductor module according to the invention is that by the partial interruption of the surface of these and thus the entire layer is weakened targeted. This weakening compensates for the weakening caused by the structuring of the first surface. Thus, a deflection of the substrate described above is significantly reduced.

Weiterhin vorteilhaft an der erfinderischen Ausgestaltung eines Leistungshalbleitermoduls ist, dass die Vertiefungen Inhomogenitäten oder Überschüsse des Auftrags von Wärmeleitpasten zwischen dem Substrat und eine Kühlkörper durch die Aufnahme dieser ausgleichen.Farther advantageous to the inventive embodiment of a power semiconductor module is that the pits inhomogeneities or excesses of the order of thermal compounds between the substrate and a heat sink through the inclusion of this balance.

Die Erfindung wird anhand von Ausführungsbeispielen in Verbindung mit den 1 bis 4 näher erläutert.The invention is based on embodiments in conjunction with the 1 to 4 explained in more detail.

1 zeigt einen Schnitt durch ein erfindungsgemäßes Leistungshalbleitermodul zur direkten Montage auf einem Kühlkörper. 1 shows a section through an inventive power semiconductor module for direct mounting on a heat sink.

2 zeigt die zweite Metallisierung des Substrates eines erfindungsgemäßen Leistungshalbleitermoduls. 2 shows the second metallization of the substrate of a power semiconductor module according to the invention.

3 zeigt eine weitere Ausgestaltung der zweiter Metallisierung des Substrates. 3 shows a further embodiment of the second metallization of the substrate.

4 zeigt eine dritte Ausgestaltung der zweiter Metallisierung des Substrates. 4 shows a third embodiment of the second metallization of the substrate.

1 zeigt einen Schnitt durch ein erfindungsgemäßes Leistungshalbleitermodul (1) zur direkten Montage auf einem Kühlkörper (50). Dargestellt ist hierbei ein rahmenartiges Gehäuse (10) mit integriertem Deckel. Dieses überdeckt das Substrat (2), welches seinerseits aus einem Isolierstoffkörper (20) sowie auf dessen beiden Hauptflächen angeordneten metallischen Schichten (22, 24) besteht. Die erste metallische Schicht (22) ist zur Ausbildung von einzelnen voneinander isolierten Leiterbahnen in sich strukturiert. Auf diesen Leiterbahnen sind Leistungshalbleiterbauelemente (30) angeordnet. Vorzugsweise geschieht dies durch einen Lötprozess. Die Leistungshalbleiterbauelemente (30) sind mit weiteren Leiterbahnen mittels Drahtbondverbindungen (32) schaltungsgerecht verbunden. Das Leistungshalbleitermodul (1) ist vorteilhafterweise im Inneren mit einem Silikonkautschuk (40) zur elektrischen Isolierung vergossen. 1 shows a section through a power semiconductor module according to the invention ( 1 ) for direct mounting on a heat sink ( 50 ). Shown here is a frame-like housing ( 10 ) with integrated lid. This covers the substrate ( 2 ), which in turn consists of an insulating body ( 20 ) and on its two main surfaces arranged metallic layers ( 22 . 24 ) consists. The first metallic layer ( 22 ) is structured to form individual insulated interconnects in itself. On these tracks are power semiconductor devices ( 30 ) arranged. This is preferably done by a soldering process. The power semiconductor components ( 30 ) are connected to further interconnects by means of wire bonds ( 32 ) connected appropriately. The power semiconductor module ( 1 ) is advantageously internally with a silicone rubber ( 40 ) shed for electrical insulation.

Derartige Leistungshalbleitermodule (1) werden zur Abfuhr der in den Leistungshalbleiterbauelementen (30) entstehenden Wärme auf einem Kühlkörper (50) montiert. Die zweite metallische Schicht (24) des Substrates (2) dient hierbei dem Wärmeübergang. Diese Schicht ist in 1 zur Verdeutlichung dicker gezeichnet als die erste metallische Schicht (22), allerdings ist bei der realen Ausgestaltung eine gleiche Schichtdicke beider Schichten (22, 24) bevorzugt. Zwischen der zweiten metallischen Schicht (24) und dem Kühlkörper ist nach dem Stand der Technik eine Wärmeleitpaste (nicht gezeichnet) angeordnet. Erfindungsgemäß weist die zweite metallische Schicht Vertiefungen (26) auf. Diese sind hier in den Bereichen der zweiten metallischen Schicht (24) angeordnet, in den auf der gegenüberliegenden ersten metallischen Schicht (22) keine Leistungshalbleiterbauelemente (30) angeordnet sind. Somit ist die zweite metallische Schicht geschwächt um die Durchbiegung des Substrates (2) zu verringern. Durch diese Anordnung ist der im wesentlichen direkte Wärmeübergang von den Leistungshalbleiterbauelementen (30) zum Kühlkörper nicht behindert. Weiterhin ist es hinreichend, wenn die Vertiefungen (26) eine Tiefe von maximal 50% der Dicke der zweiten metallischen Schicht (24) aufweisen. Die Vertiefungen (26) weisen den zusätzlichen Vorteil auf, dass überschüssige Wärmeleitpaste in diesen Vertiefungen aufgenommen werden kann.Such power semiconductor modules ( 1 ) are used to dissipate in the power semiconductor components ( 30 ) generated heat on a heat sink ( 50 ) assembled. The second metallic layer ( 24 ) of the substrate ( 2 ) here serves the heat transfer. This layer is in 1 drawn for clarity thicker than the first metallic layer ( 22 ), however, in the real embodiment, an equal layer thickness of both layers ( 22 . 24 ) prefers. Between the second metallic layer ( 24 ) and the heat sink according to the prior art, a thermal compound (not shown) is arranged. According to the invention, the second metallic layer has recesses ( 26 ) on. These are here in the areas of the second metallic layer ( 24 ), in which on the opposite first metallic layer ( 22 ) no power semiconductor components ( 30 ) are arranged. Thus, the second metallic layer is weakened around the deflection of the substrate ( 2 ) to reduce. By this arrangement, the substantially direct heat transfer from the power semiconductor devices ( 30 ) not hindered to the heat sink. Furthermore, it is sufficient if the wells ( 26 ) a maximum depth of 50% of the thickness of the second metallic layer ( 24 ) exhibit. The depressions ( 26 ) have the additional advantage that excess thermal compound can be absorbed in these wells.

Die 2 bis 4 zeigen verschiedene Ausgestaltungen der zweiten metallischen Schicht (24) eines Substrates (2) eines erfindungsgemäßen Leistungshalbleitermoduls (1). Weiterhin dargestellt sind die Positionen (32) der Leistungshalbleiterbauelemente (30) auf der ersten metallischen Schicht (22).The 2 to 4 show various embodiments of the second metallic layer ( 24 ) of a substrate ( 2 ) of a power semiconductor module according to the invention ( 1 ). Also shown are the positions ( 32 ) of the power semiconductor components ( 30 ) on the first metallic layer ( 22 ).

2 zeigt drei Gruppen von Vertiefungen (26), die sich jeweils zwischen den in Reihen angeordneten Leistungshalbleiterbauelementen (30) auf der ersten metallischen Schicht (22) befinden. Diese Gruppen sind senkrecht zur Längsseite des Substrates (2) ausgerichtet, da entlang der Längsausdehnung die Verspannungen und damit die Durchbiegung größer ist verglichen mit der Querausdehnung. Die Vertiefungen (26) bestehen hier aus Kugelsegmenten gleicher Größe. 2 shows three groups of wells ( 26 ), which in each case between the power semiconductor components arranged in rows ( 30 ) on the first metallic layer ( 22 ) are located. These groups are perpendicular to the longitudinal side of the substrate ( 2 ), because along the longitudinal extent the tension and thus the deflection is greater compared with the transverse extent. The depressions ( 26 ) consist here of spherical segments of the same size.

3 zeigt wie 2 ebenfalls drei Gruppen von Vertiefungen (26). Dargestellt sind hier schlitz- oder langlochartige Vertiefungen (26a, 26b). Vorteil hierbei ist, dass diese Vertiefungen ein Vorzugsrichtung aufweisen. Es kann somit bei geeigneter Anordnung eine unterschiedliche Schwächung der metallischen Schicht (24) in Quer- sowie in Längsausdehnung erreicht werden. Weiterhin können derartig gestaltete Vertiefungen (26a, 26b) verglichen mit Kugelsegmenten, auf Grund ihrer größeren Fläche projiziert auf den Isolierstoffkörper eine geringe Tiefe von nur 10% der Dicke der zweiten metallischen Schicht (24) aufweisen. Dies erweist sich als vorteilhaft, bei einer Lötverbindung zwischen einer Grundplatte (50) und der metallischen Schicht (24). 3 shows how 2 also three groups of wells ( 26 ). Shown here are slot or slot-like depressions ( 26a . 26b ). The advantage here is that these wells have a preferred direction. It can thus, with a suitable arrangement, a different weakening of the metallic layer ( 24 ) can be achieved in transverse and longitudinal extent. Furthermore, such shaped recesses ( 26a . 26b ) compared to spherical segments, due to their larger area projected onto the insulating material a small depth of only 10% of the thickness of the second metallic layer ( 24 ) exhibit. This proves to be advantageous in a solder joint between a base plate ( 50 ) and the metallic layer ( 24 ).

Die Gesamtheit aller Vertiefungen weist hier eine Grundfläche projiziert auf den Isolierstoffkörper auf, die zwischen 3% und 10% der Gesamtfläche der metallischen Schicht (24) liegt. Dieser Wert hängt von der Gestaltung der Strukturierung der ersten metallischen Schicht (22) ab und muss ebenso wie die Verteilung und die am besten geeignete Ausgestaltung der Vertiefungen (26) empirisch für das jeweilige Substrat (2) ermittelt werden. Die Grundfläche projiziert auf den Isolierstoffkörper einer einzelnen Vertiefung (26) ist geringer als 0,3% der Gesamtfläche der metallischen Schicht (24).The totality of all depressions here has a footprint projected onto the insulating body, which is between 3% and 10% of the total area of the metallic layer (FIG. 24 ) lies. This value depends on the design of the structuring of the first metallic layer ( 22 ) and, as well as the distribution and the most appropriate design of the wells ( 26 ) empirically for the respective substrate ( 2 ) be determined. The base projected onto the insulating body of a single recess ( 26 ) is less than 0.3% of the total area of the metallic layer ( 24 ).

4 zeigt in einer weiteren Ausgestaltung der zweiten metallischen Schicht (24) des erfindungsgemäßen Leistungshalbleitermoduls (1) eine homogen Verteilung der Vertiefungen (26). Alle Vertiefungen sind hierbei hexagonal zueinander angeordnet und weisen untereinander einen Abstand von mehr als dem Dreifachen ihrer jeweiligen lateralen Ausdehnung auf. In der gezeigten Ausgestaltung weisen alle Vertiefungen (26) eine kugelsegmentartige Form auf, allerdings weisen nicht alle die gleiche Fläche projiziert auf den Isolierstoffkörper auf. Die Vertiefungen sind in Reihen alternierend mit größerer Ausdehnung (26c) und geringerer Ausdehnung (26d) angeordnet. 4 shows in a further embodiment of the second metallic layer ( 24 ) of the power semiconductor module according to the invention ( 1 ) a homogeneous distribution of the depressions ( 26 ). All recesses are arranged hexagonal to each other and have a distance of more than three times their respective lateral extent. In the embodiment shown, all depressions ( 26 ) have a spherical segment-like shape, but not all have the same area projected onto the Isolierstoffkörper. The depressions are alternating in rows with a larger extent ( 26c ) and lesser extent ( 26d ) arranged.

Claims (8)

Leistungshalbleitermodul mit Grundplatte oder zur direkten Montage auf einem Kühlkörper bestehend aus einem Gehäuse (10), mindestens einem Leistungshalbleiterbauelement (30) sowie mindestens einem beidseitig mit einer metallischen Schicht versehenen isolierenden Substrat (20), wobei das mindestens eine Leistungshalbleiterbauelement (30) auf der ersten in sich strukturierten und somit einzelne Leiterbahnen bildenden metallischen Schicht (22) angeordnet und mit dieser schaltungsgerecht verbunden ist, diese erste metallische Schicht (12) auf der ersten dem Inneren des Leistungshalbleitermoduls zugewandten Hauptfläche des Substrates (20) und die zweite metallische Schicht (24) auf der zweiten Hauptfläche des Substrates (10) angeordnet sind, wobei die zweite metallisch Schicht (24) über ihre gesamte Fläche eine Vielzahl von Vertiefungen (26) aufweist und diese Vertiefungen eine Tiefe aufweisen, die geringer ist als die Dicke der zweiten metallischen Schicht.Power semiconductor module with base plate or for direct mounting on a heat sink consisting of a housing ( 10 ), at least one power semiconductor component ( 30 ) and at least one insulating substrate provided with a metallic layer on both sides ( 20 ), wherein the at least one power semiconductor component ( 30 ) on the first in itself structured and thus individual tracks forming metallic layer ( 22 ) is arranged and connected to this circuit, this first metallic layer ( 12 ) on the first main surface of the substrate facing the interior of the power semiconductor module ( 20 ) and the second metallic layer ( 24 ) on the second major surface of the substrate ( 10 ), wherein the second metallic layer ( 24 ) over its entire surface a plurality of depressions ( 26 ) and these recesses have a depth which is less than the thickness of the second metallic layer. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 1, wobei die Vertiefungen (26) homogen über die gesamte Fläche der zweiten metallischen Schicht (24) verteilt sind.Power semiconductor module according to claim 1, wherein the depressions ( 26 ) homogeneously over the entire surface of the second metallic layer ( 24 ) are distributed. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 1, wobei die Vertiefungen (26) nur in denjenigen Flächenabschnitten der zweiten metallischen Schicht (24) angeordnet sind, denen direkt gegenüber auf der ersten metallischen Schicht Flächenabschnitte (32) ohne Leistungshalbleiterbauelemente (30) zugeordnet sind.Power semiconductor module according to claim 1, wherein the depressions ( 26 ) only in those surface sections of the second metallic layer ( 24 ) are arranged directly opposite to the first metallic layer surface sections ( 32 ) without power semiconductor components ( 30 ) assigned. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 1, wobei die Vertiefungen (26) eine auf den Isolierstoffkörper (20) projizierte Grundfläche aufweisen, die geringer ist als 0,3% der Gesamtfläche der metallischen Schicht (24).Power semiconductor module according to claim 1, wherein the depressions ( 26 ) one on the insulating body ( 20 ) have a projected footprint which is less than 0.3% of the total area of the metallic layer ( 24 ). Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 1, wobei die gesamte auf den Isolierstoffkörper (20) projizierte Grundfläche aller Vertiefungen (26) zwischen 3% und 10% der Gesamtfläche der zweiten metallischen Schicht (24) entspricht.Power semiconductor module according to claim 1, wherein the whole of the insulating body ( 20 ) projected footprint of all wells ( 26 ) between 3% and 10% of the total area of the second metallic layer ( 24 ) corresponds. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 1, wobei der Abstand jeweils zweier Vertiefungen (26) mindestens das 3-fache der lateralen Ausdehnung in der jeweiligen Richtung entspricht.Power semiconductor module according to claim 1, wherein the distance between two recesses ( 26 ) is at least 3 times the lateral extent in the respective direction. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 1, wobei die Vertiefungen (26) eine Tiefe von maximal 10% der Dicke der zweiten metallischen Schicht (24) aufweisen.Power semiconductor module according to claim 1, wherein the depressions ( 26 ) a maximum depth of 10% of the thickness of the second metallic layer ( 24 ) exhibit. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 1, wobei einzelne Gruppen von Vertiefungen (26) senkrecht zur Längsseite des Substrates (2) ausgerichtet sind.Power semiconductor module according to claim 1, wherein individual groups of recesses ( 26 ) perpendicular to the longitudinal side of the substrate ( 2 ) are aligned.
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