[go: up one dir, main page]

DE10335357A1 - Integrierte Schaltungsanordnung mit einem Schaltungsteil zur Bereitstellung einer Kapazität - Google Patents

Integrierte Schaltungsanordnung mit einem Schaltungsteil zur Bereitstellung einer Kapazität Download PDF

Info

Publication number
DE10335357A1
DE10335357A1 DE10335357A DE10335357A DE10335357A1 DE 10335357 A1 DE10335357 A1 DE 10335357A1 DE 10335357 A DE10335357 A DE 10335357A DE 10335357 A DE10335357 A DE 10335357A DE 10335357 A1 DE10335357 A1 DE 10335357A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
sub
capacitance
providing
circuit
capacitances
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE10335357A
Other languages
English (en)
Other versions
DE10335357B4 (de
Inventor
Grand De Mercey Gregoire Le
Stephan Mechnig
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
National Semiconductor Germany AG
Original Assignee
Xignal Technologies AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Xignal Technologies AG filed Critical Xignal Technologies AG
Priority to DE10335357A priority Critical patent/DE10335357B4/de
Publication of DE10335357A1 publication Critical patent/DE10335357A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE10335357B4 publication Critical patent/DE10335357B4/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • H10D84/201—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers characterised by the integration of only components covered by H10D1/00 or H10D8/00, e.g. RLC circuits
    • H10D84/204—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers characterised by the integration of only components covered by H10D1/00 or H10D8/00, e.g. RLC circuits of combinations of diodes or capacitors or resistors
    • H10D84/212—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers characterised by the integration of only components covered by H10D1/00 or H10D8/00, e.g. RLC circuits of combinations of diodes or capacitors or resistors of only capacitors
    • H10D84/217—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers characterised by the integration of only components covered by H10D1/00 or H10D8/00, e.g. RLC circuits of combinations of diodes or capacitors or resistors of only capacitors of only conductor-insulator-semiconductor capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • H10D84/201—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers characterised by the integration of only components covered by H10D1/00 or H10D8/00, e.g. RLC circuits
    • H10D84/204—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers characterised by the integration of only components covered by H10D1/00 or H10D8/00, e.g. RLC circuits of combinations of diodes or capacitors or resistors
    • H10D84/212—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers characterised by the integration of only components covered by H10D1/00 or H10D8/00, e.g. RLC circuits of combinations of diodes or capacitors or resistors of only capacitors
    • H10D84/215—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers characterised by the integration of only components covered by H10D1/00 or H10D8/00, e.g. RLC circuits of combinations of diodes or capacitors or resistors of only capacitors of only varactors

Landscapes

  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)
  • Dram (AREA)

Abstract

Integrierte Schaltungsanordnung, umfassend einen Schaltungsteil zur Bereitstellung einer Kapazität, insbesondere spannungsgesteuerten Kapazität, wobei der Schaltungsteil einen ersten (Ka) und einen zweiten (Kb) Kapazitätsanschluss aufweist, zwischen denen die Kapazität bereitgestellt wird, wobei der Schaltungsteil eine Mehrzahl von Subschaltungsteilen (T1, T2; T3, T4; T5, T6...) zur jeweiligen Bereitstellung einer spannungsgesteuerten Subkapazität umfasst, wobei jeder Subschaltungsteil einen ersten und einen zweiten Subkapazitätsanschluss aufweist, zwischen denen die Subkapazität bereitgestellt wird, wobei jedem Subschaltungsteil eine Subeinstellspannung zur Steuerung der Subkapazität eingegeben wird, wobei die ersten Subkapazitätsanschlüsse zur Bildung des ersten Kapazitätsanschlusses (Ka) und die zweiten Subkapazitätsanschlüsse zur Bildung des zweiten Kapazitätsanschlusses (Kb) miteinander verbunden sind, wobei der Schaltungsteil Subeinstellspannungserzeugungsmittel (R) zur Erzeugung der Subeinstellspannungen umfasst.
DE10335357A 2003-08-01 2003-08-01 Integrierte Schaltungsanordnung mit einem Schaltungsteil zur Bereitstellung einer Kapazität Expired - Fee Related DE10335357B4 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10335357A DE10335357B4 (de) 2003-08-01 2003-08-01 Integrierte Schaltungsanordnung mit einem Schaltungsteil zur Bereitstellung einer Kapazität

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10335357A DE10335357B4 (de) 2003-08-01 2003-08-01 Integrierte Schaltungsanordnung mit einem Schaltungsteil zur Bereitstellung einer Kapazität

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE10335357A1 true DE10335357A1 (de) 2005-03-10
DE10335357B4 DE10335357B4 (de) 2007-03-08

Family

ID=34177272

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10335357A Expired - Fee Related DE10335357B4 (de) 2003-08-01 2003-08-01 Integrierte Schaltungsanordnung mit einem Schaltungsteil zur Bereitstellung einer Kapazität

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE10335357B4 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9876480B2 (en) 2013-10-22 2018-01-23 Infineon Technologies Ag System and method for a tunable capacitance circuit

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10021867A1 (de) * 2000-05-05 2001-11-15 Infineon Technologies Ag Spannungsgesteuerte Kapazität
US20020014925A1 (en) * 2000-07-26 2002-02-07 Toshiyuki Ochiai LC resonance circuit and voltage-controlled oscillation circuit
DE10209517A1 (de) * 2002-03-04 2003-06-26 Infineon Technologies Ag Abstimmbares, kapazitives Bauteil und LC-Oszillator mit dem Bauteil

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10021867A1 (de) * 2000-05-05 2001-11-15 Infineon Technologies Ag Spannungsgesteuerte Kapazität
US20020014925A1 (en) * 2000-07-26 2002-02-07 Toshiyuki Ochiai LC resonance circuit and voltage-controlled oscillation circuit
DE10209517A1 (de) * 2002-03-04 2003-06-26 Infineon Technologies Ag Abstimmbares, kapazitives Bauteil und LC-Oszillator mit dem Bauteil

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9876480B2 (en) 2013-10-22 2018-01-23 Infineon Technologies Ag System and method for a tunable capacitance circuit

Also Published As

Publication number Publication date
DE10335357B4 (de) 2007-03-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE10235444B4 (de) Treibersteuerungseinrichtung, Leistungsumformungseinrichtung, Verfahren zur Steuerung einer Leistungsumformungseinrichtung und Verfahren zum Gebrauch einer Leistungsumformungseinrichtung
DE102012207155B4 (de) Schaltungsanordnung zum Ansteuern eines Halbleiter-Schaltelements
DE69019784T2 (de) Geschaltete Brückenanordnung.
DE102004048686A1 (de) Hochfrequenzschaltvorrichtung
DE2413142A1 (de) Elektrischer schaltstromkreis
DE112016005676T5 (de) Eine Mehrfach-Strang-Steuereinheit mit unabhängiger Stromeinstellung für jeden Strang
DE102019206995B4 (de) Aktives filter mit adaptiver verstärkung für hochfrequenz-dc-dc-wandlerohne teiler
DE102020204549A1 (de) Gate-Treiber und Halbleitermodul
DE69635767T2 (de) Cmos treiberschaltung
DE102012205725A1 (de) Leistungselektronikmodul, Verfahren zur Herstellung
DE2343128B2 (de) R-S-Flip-Flop-Schaltung mit komplementären Isolierschicht-Feldeffekt-Transistoren
DE10335357A1 (de) Integrierte Schaltungsanordnung mit einem Schaltungsteil zur Bereitstellung einer Kapazität
DE102008010467A1 (de) Schaltungsanordnung und Verfahren zum verlustarmen Schalten einer Schaltungsanordnung
DE2301260A1 (de) Impulsgenerator mit integratorstufe
DE69931121T2 (de) Spannungsvergleicher
DE19800578C2 (de) Pegelschieber
DE1171182B (de) Taktimpulsverteilsystem
DE1212142B (de) Schaltungsanordnung zur Erzeugung mehrerer phasenverschobener Impulszuege
DE102004009283A1 (de) Flip-Flop-Schaltungsanordnung und Verfahren zur Verarbeitung eines Signals
DE102021128636B4 (de) Steuerschaltkreis und Verfahren zum Steuern einer Datenein-/ausgabe
DE1953478A1 (de) Integrierter logischer Kreis
DE3137010C2 (de) Grenzflächenanordnungen zwischen aufeinander gelegten und mit verschiedenen Spannungen polarisierten Schichten logischer Injektionsschaltungen
DE102006038541B4 (de) Halbleiterbauelementanordnung mit komplementären Leistungsbauelementen
DE102016124598A1 (de) Leistungswandler
EP1033814B1 (de) Integrierte Schaltung zur Erzeugung zweier Ausgangstakte mit zeitlich nicht überlappenden Pegeln

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8364 No opposition during term of opposition
R082 Change of representative

Representative=s name: ZELLER, ANDREAS, DE

R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee