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DE1031366B - Circuit arrangement for evaluating n different potentials, in particular for digit identification, in systems of communication technology - Google Patents

Circuit arrangement for evaluating n different potentials, in particular for digit identification, in systems of communication technology

Info

Publication number
DE1031366B
DE1031366B DES53518A DES0053518A DE1031366B DE 1031366 B DE1031366 B DE 1031366B DE S53518 A DES53518 A DE S53518A DE S0053518 A DES0053518 A DE S0053518A DE 1031366 B DE1031366 B DE 1031366B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
transistor
transistors
evaluation
voltage
circuit arrangement
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DES53518A
Other languages
German (de)
Inventor
Heinrich Uebelhack
Dipl-Ing Peter Gerke
Dipl-Ing Otto Kneisel
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Corp filed Critical Siemens Corp
Priority to DES53518A priority Critical patent/DE1031366B/en
Publication of DE1031366B publication Critical patent/DE1031366B/en
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04QSELECTING
    • H04Q3/00Selecting arrangements
    • H04Q3/42Circuit arrangements for indirect selecting controlled by common circuits, e.g. register controller, marker
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04QSELECTING
    • H04Q1/00Details of selecting apparatus or arrangements
    • H04Q1/18Electrical details
    • H04Q1/30Signalling arrangements; Manipulation of signalling currents
    • H04Q1/38Signalling arrangements; Manipulation of signalling currents using combinations of direct currents of different amplitudes or polarities over line conductors or combination of line conductors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Description

In Anlagen der Nachrichtenvermittlungstechnik besteht häufig die Aufgabe, bestimmte Kennzeichen in größerer Anzahl von einem Zifferngeber in einen Speicher oder von einem Speicher zu einem Wählereinstellsatz zu übertragen. Bei der Tastaturwahl sind, um ein Beispiel zu nennen, die durch Tastendruck verwirklichten Potentiale, die die gewählten Ziffern darstellen, von der Tastatur zu einem Register zu übertragen und einzuspeichern. Für derartige Übertragungen stehen normalerweise nur wenige Übertragungsleitungen zur Verfügung. In systems of communication technology there is often the task of defining certain identifiers in larger number from a numeric transmitter to a memory or from a memory to a dial set transferred to. When choosing a keyboard, to give an example, they are implemented by pressing a key Transfer potentials that represent the selected digits from the keyboard to a register and save. Only a few transmission lines are typically available for such transmissions.

Es ist bekannt, zur Einsparung von Übertragungsleitungen möglichst viele Kennzeichen über eine einzige Leitung zu übertragen. Dafür sind z. B. bei der Übertragung von sechzehn Kennzeichen über zwei Leitungen pro Leitung vier unterschiedliche Potentiale erforderlich, die entsprechend kombiniert übertragen werden.It is known to save as many labels as possible over a single one in order to save transmission lines Transfer line. For this are z. B. when transmitting sixteen license plates over two Lines per line require four different potentials, which transmit combined accordingly will.

Der Erfindung liegt nun die Aufgabe zugrunde, die Übertragung möglichst vieler Kennzeichen, die in Form bestimmter unterschiedlicher Potentiale vorliegen, über eine einzige Leitung zu ermöglichen. Dabei soll eine Empfangsschaltung durch die übertragenen Potentiale in unterschiedliche Zustände gebracht werden, so daß diese Zustände eine Aussage dafür darstellen, welches bestimmte Potential von η möglichen Potentialen übertragen wurde.The invention is now based on the object of enabling the transmission of as many identifiers as possible, which are present in the form of certain different potentials, via a single line. A receiving circuit should be brought into different states by the transmitted potentials, so that these states represent a statement as to which particular potential of η possible potentials was transmitted.

Diese Aufgabe wird mit Hilfe einer Schaltungsanordnung zur Auswertung von η unterschiedlichen Potentialen erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß n-1 an unterschiedlichen \?ergleichsspannungen liegende Transistoren vorgesehen sind, die mit ihren Steuerelektroden an einer gemeinsamen, die verschiedenen Potentiale führenden Übertragungsleitung liegen und entsprechend ihrer unterschiedlichen Vergleichsspannung nur von bestimmten Potentialen in ihrem Durehlässigkeitsbereich ausgesteuert werden, und daß in Abhängigkeit von einer bestimmten Anzahl durchlässiger Transistoren die Wirkung dieser Aussteuerung für bestimmte Transistoren derart wieder aufgehoben wird, daß die im Durchlässigkeitsszustand verbleibenden Transistoren das Auswertekennzeichen für das betreffende Potential darstellen.This object is achieved with the aid of a circuit arrangement for evaluating η different potentials according to the invention in that n-1 transistors are provided which are connected to different DC voltages, the control electrodes of which are connected to a common transmission line carrying the different potentials and corresponding to their different reference voltages can only be controlled by certain potentials in their permeability range, and that depending on a certain number of permeable transistors, the effect of this modulation for certain transistors is canceled again in such a way that the transistors remaining in the permeability state represent the evaluation indicator for the potential in question.

Die Erfindung wird an Hand der Ausführungsbeispiele der Fig. 1 bis 4 näher erläutert, und zwar zeigtThe invention is explained in more detail with reference to the exemplary embodiments in FIGS. 1 to 4, specifically showing

Fig. 1 eine erfindungsgemäße Auswerteschaltung für η unterschiedliche Potentiale mit Richtleitern zur Änderung der Vergleichsspannung an jedem Transistor, 1 shows an evaluation circuit according to the invention for η different potentials with directional conductors for changing the comparison voltage at each transistor,

Fig. 2 eine Auswerteschaltung mit Hilf stransistoren zur Änderung der unterschiedlichen Vergleichsspannung, Fig. 2 shows an evaluation circuit with auxiliary transistors to change the different equivalent stress,

Fig. 3 eine erfindungsgemäße Schaltungsanordnung zur Auswertung von zehn unterschiedlichen Poten-3 shows a circuit arrangement according to the invention for evaluating ten different potentials

Schaltungsanordnung zur Auswertung
von η unterschiedlichen Potentialen,
insbesondere zur Ziffernkennzeichnung,
in Anlagen der Nachrichtenvermittlungstechnik
Circuit arrangement for evaluation
of η different potentials,
in particular for the identification of digits,
in systems of communication technology

Anmelder:Applicant:

Siemens & Halske Aktiengesellschaft,Siemens & Halske Aktiengesellschaft,

Berlin und München,
München 2, Witteisbacherplatz 2
Berlin and Munich,
Munich 2, Witteisbacherplatz 2

Heinrich Ubelhack, München,Heinrich Ubelhack, Munich,

Dipl.-Ing. Peter Gerke, München-SoUn,Dipl.-Ing. Peter Gerke, Munich-SoUn,

und Dipl.-Ing. Otto Kneisel,and Dipl.-Ing. Otto Kneisel,

Großhesselohe bei München,Großhesselohe near Munich,

sind als Erfinder genannt wordenhave been named as inventors

tialen· in Form eines Binärcodes, wobei die Auswertung der Aussteuerung durch Koinzidenz teilweise wieder rückgängig gemacht wird,tial · in the form of a binary code, with the evaluation the modulation is partially reversed by coincidence,

Fig. 4 eine Fig. 3 entsprechende Schaltung unterFIG. 4 shows a circuit corresponding to FIG. 3 below

Verwendung von zweistufigen Transistorverstärkern.Use of two-stage transistor amplifiers.

In Fig. 1 sind zur Auswertung von η unterschiedliehen Potentialen n-1 Transistoren Tl, T2, T3 bis Tm-I vorgesehen. Diese Transistoren liegen mit ihren Steuerelektroden, hier mit der jeweiligen Basis, über Begrenzungswiderstände Wl, W2, W3 bis Wn-I, an der die unterschiedlichen Potentiale führenden Übertragungsleitung L. Jeder Emitter der Transistoren Tl, T2, T 3 bis Tm-I ist an den Abgriff eines Spannungsteilers aus den Widerständen Ria und RIb, R2a und R2b, R3a und R3b.. . Rna-1 und Rnb-1 angeschlossen. Zur Erzielung einer größeren Verstärkung sind die Kollektoren der Transistoren Tl, T2, T3 bis Tw-I über je einen Kopplungswiderstand RKl, RK2, RK 3, RKn-I mit der Basis einer weiteren Transistorverstärkerstufe TIl, T12, T13 bis Tw-I verbunden. Im Ausgangskreise dieser weiteren Verstärkerstufen lie-In Fig. 1, n-1 transistors T1, T2, T3 to Tm-I are provided for evaluating η different potentials. These transistors are with their control electrodes, here with the respective base, via limiting resistors Wl, W2, W 3 to Wn-I, on which the different potentials leading transmission line L. Each emitter of the transistors Tl, T2, T 3 to Tm-I is to the tap of a voltage divider consisting of the resistors Ria and RIb, R2a and R2b, R3a and R3b ... Rna-1 and Rnb-1 attached. To achieve a greater gain, the collectors of the transistors Tl, T2, T3 to Tw-I are connected to the base of a further transistor amplifier stage TIl, T12, T13 to Tw-I via a coupling resistor RKl, RK2, RK 3, RKn-I. In the output circuit of these further amplifier stages there is

gen die Auswerterelais Al, A2, A3 bis An-I. Die für die Erzeugung der unterschiedlichen Vergleichsspannungen der einzelnen Auswertetransistoren Tl, T2, T 3 bis Tn-I maßgeblichen Spannungsteiler liegen z. B. zwischen Erde und der Amtsbatteriespannung.the evaluation relays Al, A2, A3 to An-I. The voltage dividers relevant for the generation of the different comparison voltages of the individual evaluation transistors Tl, T2, T 3 to Tn-I are z. B. between earth and the office battery voltage.

809 529/177809 529/177

3 43 4

Die Erzeugung der unterschiedlichen über die Lei- Es ist ein Vorteil der erfindungsgemäßen Schaltung L übertragenen Potentiale kann an sich auf be- tung, daß der Leitungswiderstand RL der Übertraliebige Weise erfolgen. Im Ausführungsbeispiel der gungsleitung L hoch sein kann, da die Übertragungs-Schaltung gemäß Fig. 1 werden die unterschiedlichen leitung immer nur durch einen Transistor bzw. kurz-Potentiale an einem Spannungsteiler aus den Wider- 5 zeitig durch zwei Transistoren belastet wird, ständen Sp 1, Sp2, Sp3 bis Spn-1 über Kontakte Al, Es spielt sich in der erfindungsgemäßen Schaltung k2, k3, kn-1 abgegriffen. Die Kontakte k 1, k2, k$ . .. für das Beispiel, daß das dritte Potential übertragen kn-1 können beispielsweise durch eine Tastatur oder wird, folgendes ab:It is an advantage of the circuit L according to the invention that the line resistance RL can be produced in an excessive manner. In the exemplary embodiment, the transmission line L can be high, since the transmission circuit according to FIG. 1, the different lines are always only loaded by one transistor or short-term potentials at a voltage divider from the resistors 5 through two transistors, Sp 1 would be , Sp2, Sp3 to Spn-1 via contacts A1, It is tapped in the circuit according to the invention k2, k3, kn-1. The contacts k 1, k2, k $. .. for the example that the third potential can be transmitted kn-1 , for example through a keyboard or, the following:

auch über Relais betätigt werden. Das dritte Potential durchläuft infolge der Kabel-Um nun eine Beeinflussung der an den Abgriffen io kapazität zunächst das zur Aussteuerung im Durch-can also be operated via relays. The third potential runs through as a result of the cable um now an influencing of the capacitance at the taps io initially that for modulation in the through-

der Spannungsteiler der Transistoren T1, T2, T 3 bis lässigkeitsbereich des ersten Transistors ausreichendethe voltage divider of the transistors T1, T2, T 3 to the permeability range of the first transistor sufficient

Tm-I liegenden unterschiedlichen Vergleichsspannun- erste Potential und anschließend auch in gleicherTm-I lying different comparison voltage-first potential and then also in the same

gen in Abhängigkeit von einer bestimmten Anzahl in Weise das zweite Potential. Damit werden die beidengen depending on a certain number in way the second potential. This will make the two of them

ihrem Durchlässigkeitsbereich ausgesteuerter Tran- Transistoren Tl und T2 in ihrem Durchlässigkeitssiistoren zu ermöglichen, sind in der erfindungsgemäßen 15 bereich ausgesteuert, aber der Transistor Π wirdTo allow their permeability range of controlled trans transistors T1 and T2 in their permeability are controlled in the 15 range according to the invention, but the transistor Π is

Schaltung Richtleiter Gl, G 2 ... bis Gn sowie Rieht- vom Ausgang der zweiten Auswertestufe her überCircuit directional conductor Gl, G 2 ... to Gn as well as rectifying from the output of the second evaluation stage over

leiter GR2, GR3 . . . usw. vorgesehen. den Richtleiter Gl sofort wieder gesperrt. Durch dieseHead of GR2, GR3. . . etc. provided. the director Gl immediately blocked again. Through this

Mit Hilfe dieser Richtleiter arbeitet die erfindungs- Sperrung wird der Spannungsteiler entlastet, da derWith the help of this directional ladder works the invention blocking is relieved of the voltage divider, since the

gemäße Empfangsschaltung nun folgendermaßen: Transistor Tl nun keinen Steuerstrom mehr auf-Es sei angenommen, daß das erste beim Schließen 20 nimmt, und es kann jetzt der Transistor T3 in seinemaccording to receiving circuit now as follows: transistor Tl now no more control current-It is assumed that the first takes when closing 20, and it can now the transistor T3 in his

des Kontaktes k 1 über die Leitung L übertragene Durchlässigkeitsbereich ausgesteuert werden. Damitof the contact k 1 via the line L transmitted permeability range can be controlled. In order to

Potential zur Aussteuerung des ersten Transistors Tl wird aber gleichzeitig der Transistor T2 wieder überThe potential for modulating the first transistor Tl is, however, at the same time again over the transistor T2

in seinen Durchlässigkeitsbereich ausreicht, während den Richtleiter G 2 gesperrt. Das kurzzeitige öffnenSufficient in its permeability range, while the directional guide G 2 is blocked. The momentary opening

das zweite Potential zur Aussteuerung der ersten bei- der Transistoren Tl und T 2 spielt keine Rolle, da diethe second potential for modulating the first two transistors T1 and T2 does not matter, since the

den Transistoren T1, T2 in deren Durchlässigkeits- 25 Ansprechzeit der Relais Al, A2 usw. ohnehin größerthe transistors T1, T2 in their permeability 25 response time of the relays A1, A2 , etc. are larger anyway

bereich ausreicht, usf. Der Richtleiter G1 verbindet ist.area is sufficient, etc. The directional director G 1 connects.

nun den Abgriff des Spannungsteilers des ersten Tran- Bei elektronischer Auswertung am Ausgang der sistors T1 mit dem Kollektor des Transistors T12, Transistoren T11, T12, T13 ... ist es gegebenenfalls welcher der Ausgang der zweiten Auswertestufe ist. erforderlich, Zeitglieder vorzusehen, die eine Aus-Hierbei soll unter Auswertestufe jeweils ein Transi- 3° steuerung der genannten Transistoren TIl, T12... storpaar Tl, TIl; T2, T12 usw. verstanden werden. für die Zeit verhindern, während der die Transistoren In gleicher Weise verbindet der Richtleiter G 2 den T1, T2 usw. kurzzeitig durchlässig sind. Abgriff des Spannungsteilers des Transistors T 2 mit Für den Fall, daß die Sendeanordnung für die dem Ausgang der dritten Auswertestufe T 3, T13. unterschiedlichen Potentiale in einem anderen Fern-Wenn nun beispielsweise das dritte Potential über- 35 meldeamt angeordnet ist als die erfindungsgemäße tragen wird, das in seiner Größe dazu ausreichen Empfangsschaltung, kann es zweckmäßig sein, bewürde, die ersten drei Transistoren T1, T2, T3 in stimmte Maßnahmen für die Betriebsspannung der ihrem Durchlässigkeitsbereich auszusteuern, so sorgen Empfängerschaltung zu treffen, von welcher Betriebsdie genannten Richtleiter G1, G 2 und der Richtleiter spannung die vorstehend beschriebenen Vergleichs-GR2 dafür, daß die Vergleichsspannung für die ersten 40 spannungen über die Spannungsteiler aus den Widerbeiden Transistoren derart verändert wird, daß die zu- ständen j? I a, Rib, R2a, R2b . . . abgeleitet werden, nächst ausgesteuerten Transistoren Tl, T2 wieder ge- Liegen Sender und Empfänger in getrennten Ämtern, sperrt werden. Dies geschieht z. B. für den Transistor so können ttämlich gegenläufige Spannungsschwankun-Tl, der hier ein Transistor des n-p-n-Typs ist, da- gen der Amtsbatterien auftreten, die die Vergleichsdurch, daß das Potential an seinem Emitter, das zu- 45 spannungen beeinflussen und gegebenenfalls zu Fehlnächst für die Aussteuerung im Durchlässigkeits- auswertungen führen können. Um nun solche Fehlbereich des Transistors T1 etwas negativer als das auswertungen zu vermeiden, ist gemäß einer vorteil-Potential an der Basis des Transistors Tl war, so haften Ausgestaltung der Erfindung ein Regelorgan, weit angehoben wird, daß das Potential am Emitter hier der Regeltransistorverstärker RT in Kollektoretwas positiver als an der Basis wird, so daß der Tran- 50 schaltung, vorgesehen. Der Basis des Regeltransistors sistorTl gesperrt wird, d.h., es fließt kein Strom RT werden über eine weitere Leitung & Signalspanmehr zum Kollektor des Transistors Tl. Das Poten- nungen vom Sender her zugeführt, die von Schwantial am Emitter des Transistors Tl, d.h. am Abgriff kungen der Betriebsspannungen im Sender abhängig des Spannungsteilers, aus den Widerständen Ria sind. Damit wird der RegeltransistorRT derart ge- und RIb wird dadurch positiver als das Potential an 55 steuert, daß die an seinem Emitter angeschlossenen der Basis des Transistors Tl, daß bei Aussteuerung Spannungsteiler aus den Widerständen Ria, RIb, des Transistors T2 auch der Transistor T12 durch- R2a, R2b ..., die die Vergleichsspannungen für die lässig wird. Damit setzt sich das Potential, das jetzt Transistoren Tl, T2 .. . liefern, an einer Betriebsam Kollektor des Transistors T12 liegt, über den spannung liegen, die sich gleichsinnig mit Spannungs-Richtleiter G1 auch am Abgriff des genannten Span- 60 Schwankungen im Sender ändert, wodurch diese Spannungsteilers durch. Die Richtleiter GR2, GR3 ver- nungsschwankungen kompensiert werden, hindern dabei gleichzeitig eine Rückwirkung vom Die Anordnung eines solchen Regeltransistors RT Ausgang der betreffenden Auswertestufe auf ihre hat den Vorteil, daß über die Leitung b nur ein kleieigene Vergleichsspannung und auf die Vergleichs- ner Steuerstrom zu liefern ist, während der für die Spannung der folgenden Äuswertestufen. Mit Hilfe 65 Versorgung des Empfängers erforderliche Strom von dieser erfindungsgemäßen Auswerteschaltung ist es der Amtsbatterie des Empfängerortes geliefert wird, gewährleistet, daß stets nur ein Relais A1, A 2 usf, In Fig. 2 sind ebenfalls zur Auswertung der untererregt wird. Der Zustand der Auswerterelais stellt schiedlichen Potentiale an die Leitung L Transistoren also ein direktes Auswertekennzeichen für das betref- Tl, T2 bis Tm-I über die Widerstände Wl, W2 bis fende übertragene Potential' dar. 70 Wn-I angeschlossen. Auch die Spannungsteiler, dieNow the tap of the voltage divider of the first tran- With electronic evaluation at the output of the transistor T1 with the collector of the transistor T12, transistors T11, T12, T13 ... it is possibly which is the output of the second evaluation stage. It is necessary to provide timing elements that have an off. Here, under the evaluation stage, each transi- 3 ° control of said transistors TIl, T12 ... storpaar Tl, TIl; T2, T12, etc. can be understood. for the time during which the transistors In the same way, the directional conductor G 2 connects the T1, T2 etc. are briefly permeable. Tapping of the voltage divider of the transistor T 2 with In the event that the transmission arrangement for the output of the third evaluation stage T 3, T13. different potentials in a different remote If, for example, the third potential is now arranged over the reporting office than the one according to the invention, which is of sufficient size for the receiving circuit, it may be useful to put the first three transistors T1, T2, T3 in If measures are taken to control the operating voltage of its permeability range, the receiver circuit ensures that the above-mentioned directional conductor G1, G 2 and the directional conductor voltage use the comparison GR 2 described above to ensure that the comparison voltage for the first 40 voltages via the voltage divider between the two transistors is changed in such a way that the states j? I a, Rib, R2a, R2b. . . are derived, the next controlled transistors T1, T2 are again. If the transmitter and receiver are in separate offices, they are blocked. This happens e.g. For example, for the transistor, opposing voltage fluctuations, which here is a transistor of the NPN type, can occur in relation to the official batteries Missing soon for the modulation in the permeability evaluations can lead. In order to avoid such an error area of the transistor T1 a little more negative than the evaluations, according to an advantageous potential at the base of the transistor Tl, a control element adhering to the invention is raised far so that the potential at the emitter here is the control transistor amplifier RT is somewhat more positive in the collector than at the base, so that the tran- 50 circuit is provided. The base of the control transistor sistorTl is blocked, that is, no current RT flows via a further line & Signalspanmehr to the collector of the transistor Tl the operating voltages in the transmitter depend on the voltage divider from which the resistors Ria are. Thus, the control transistor RT is overall in such a way and Rib is thereby controls more positive than the potential at 55, that at its emitter to the base connected to the transistor Tl that in modulation voltage divider comprising resistors Ria, Rib, of the transistor T2 and the transistor T12 through- R2a, R2b ... which is the equivalent stresses for the casual. This sets the potential that is now transistors T1, T2 ... supply, on an operating at the collector of the transistor T12, over the voltage that changes in the same direction as the voltage directional conductor G1 also at the tap of the said span 60 fluctuations in the transmitter, whereby this voltage divider by. The directional conductors GR2, GR3 are compensated for voltage fluctuations, at the same time preventing a reaction from the The arrangement of such a control transistor RT output of the evaluation stage concerned has the advantage that only a branch's own comparison voltage and the comparator control current over the line b is to be delivered, while for the voltage of the following evaluation levels. With the help of 65 supply of the receiver required current from this evaluation circuit according to the invention, it is supplied to the office battery of the recipient location, ensuring that only one relay A 1, A 2, etc., in Fig. 2 are also underexcited to evaluate the. The status of the evaluation relay represents different potentials on the line L transistors so a direct evaluation indicator for the relevant Tl, T2 to Tm-I via the resistors Wl, W2 to fende transmitted potential. 70 Wn-I connected. Also the voltage dividers that

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die unterschiedlichen Vergleichsspannungen für die len sich bei Übertragung des dritten, vierten undthe different equivalent voltages for the len are when the third, fourth and

einzelnen Transistoren Tl, T2... liefern, sind in fünften Potentials ab. Der Transistor Γ2 steuert beiindividual transistors T1, T2 ... supply are in fifth potential. The transistor Γ2 contributes

gleicher Weise aus den Widerständen Rla und RIb, seiner Aussteuerung in den Durchlässigkeitsbereichin the same way from the resistors Rla and RIb, its modulation in the permeability range

R2α und R2b sowie Rna-1 und Rnb-1 aufgebaut. Die über den Widerstand K2 und den Richtleiter GL2 die R2α and R2b as well as Rna-1 and Rnb-1 are built up. The via the resistor K2 and the directional conductor GL2 the

unterschiedlichen Potentiale werden hier über Druck- 5 zweite Auswerteeinrichtung £2 um. In gleicher Weisedifferent potentials are measured here via pressure 5 second evaluation device £ 2. In the same way

tasten öl, D2, DZ... an Widerständen RPl, RP2, wirkt der Transistor T 3 über den Widerstand K3 aufkeys oil, D2, DZ ... at resistors RP1, RP2, the transistor T 3 acts through the resistor K 3

RP 3 ... RPn-I abgegriffen, wobei sich eine Span- die Auswerteeinrichtung £3 ein, und der Transistor RP 3 ... RPn-I tapped, with a span, the evaluation device £ 3, and the transistor

nungsteilung zwischen dem Vergleichswiderstand RV Ti steuert über den Widerstand Kl· die Auswerteein-voltage division between the comparison resistor RV Ti controls the evaluation input via the resistor Kl

und dem gerade eingeschalteten Widerstand RPl, richtung El·, d. h., bei Übertragung des fünften Poten-and the resistor RPl just switched on, direction El ·, d. i.e., when transferring the fifth potential

RP 2... einstellt. In den Kollektorkreisen der Tran- io tials werden alle vier Auswerteeinrichtungen £ 1 bis RP 2 ... sets. In the collector circuits of the tran- iotials, all four evaluation devices £ 1 to

sistorenTl, Γ2 usw. sind auch hier die Auswerte- £4 betätigt,sistorenTl, Γ2 etc. the evaluation £ 4 are also activated here,

relais A1, A2 bis An-I vorgesehen. Wenn nun das sechste Potential übertragen wird,Relays A1, A2 to An-I provided. If now the sixth potential is transferred,

Zur Beeinflussung der Vergleichsspannungen an den das in seiner Größe an sich ausreichen würde, die Abgriffen der genannten Spannungsteiler des ersten Transistoren Tl bis T 5 durchlässig zu machen, so bis vorletzten Transistors sind nun gemäß einer wei- 15 sorgt der Umsteuertransistor UTl dafür, daß die teren Ausbildung der Erfindung Hilfstransistoren durch den Transistor Tl bewirkte Aussteuerung der THl, TH2... vorgesehen, die in Abhängigkeit von Auswerteeinrichtung £ 1 verhindert wird, indem der der Aussteuerung des nächstfolgenden Transistors in Transistor UTl vom Kollektor des Transistors T 5 ihrem Durchlässigkeitsbereich ausgesteuert werden her leitend gemacht wird und damit der Kollektor- und damit den Widerstand Ria bzw. R2a usw. über- 20 strom des Transistors Tl nicht mehr zur Aktivierung brücken, so daß der zugehörige Transistor Tl, T2 . . . der Auswerteeinrichtung £1 ausreicht, da er über den mit seinem Emitter auf Erdpotential gelegt und in- leitenden und damit niederohmigen Transistor UT1 folgedessen gesperrt wird. Wenn beispielsweise das abfließt. Infolgedessen sind bei Übertragung des zweite Potential übertragen wird, das an sich aus- sechsten Potentials nur die Auswerteeinrichtungen reichen würde, sowohl den Transistor Tl als auch den 25 E2, E3 und El· betätigt, während die Auswerte-Transistor T2 in seinem Durchlässigkeitsbereich aus- einrichtung £ 1 nicht betätigt wird,
zusteuern, so wird vom Kollektor des Transistors T2 In gleicher Weise wirken die Umsteuertransistoren her der Transistor TH1 durchlässig gemacht und da- UT2 und UT3, und zwar sorgt bei Übertragung des mit der Transistor Tl durch Überbrückung des Span- siebenten Potentials der durch dieses Potential leinungsteilerwiderstandes wieder gesperrt, so daß nur 30 tend gemachte Transistor T 6 durch Aussteuerung des das Auswerterelais A2 ansprechen kann. In gleicher Umsteuertransistors UT2 in dessen Durchlässigkeits-Weise erfolgt die Sperrung weiterer Transistoren T 3, bereich dafür, daß der Transistor T2 die Auswerte- Tl· usw. Der Richtleiter D verhindert eine Rückwir- einrichtung £2 nicht umzusteuern vermag. Damit sind kung vom Ausgang des Transistors T2 auf seine eigene also bei Übertragung des siebenten Potentials ledig-Vergleichsspannung. 35 Hch die Auswerteeinrichtungen £ 3 und El· aktiviert.
In order to influence the comparison voltages at which this would be sufficient in its size to make the taps of the mentioned voltage dividers of the first transistors T1 to T5 permeable, so up to the penultimate transistor are now, according to another 15, the reversing transistor UT1 ensures that the Further embodiment of the invention auxiliary transistors caused by the transistor Tl modulation of the THl, TH2 ... provided, which is prevented depending on the evaluation device £ 1 by controlling the modulation of the next following transistor in transistor UTl from the collector of transistor T 5 to their permeability range forth is made conductive and thus the collector and thus the resistor Ria or R2a etc. no longer bridge overcurrent of the transistor T1 for activation, so that the associated transistor T1, T2. . . the evaluation device £ 1 is sufficient, since it is consequently blocked via the transistor UT1, which has its emitter and is conductive and therefore low-resistance. For example, when that drains. As a result, when the second potential is transmitted, which in itself would only reach the evaluation devices from the sixth potential, both the transistor T1 and the 25 E2, E3 and El device £ 1 is not operated,
In the same way, the reversing transistors act to make the transistor TH 1 permeable and thus UT2 and UT3, and that ensures the transmission of the potential through this potential when the transistor Tl is transmitted by bridging the voltage Line dividing resistor blocked again, so that only 30 tend made transistor T 6 can respond by modulating the evaluation relay A 2. Similarly Umsteuertransistors UT2 in its permeability, the blockage of additional transistors T 3 takes place, area for the fact that the transistor T2, the evaluation Tl · etc. The isolator D prevents retroactive means 2 £ can not change course. This means that the output of the transistor T2 acts on its own, i.e. when the seventh potential is transferred, a single comparison voltage. 35 Hch the evaluation devices £ 3 and El · activated.

Fig. 3 zeigt ein erfindungsgemäßes Ausführungsbei- Bei Übertragung des achten Potentials, das den Transpiel zur Auswertung von zehn unterschiedlichen sistor T 7 leitend macht, wird der Umsteuertransistor Potentialen in Form eines Binärcodes. Die zehn unter- UT 3 vom Transistor T7 her im Durchlässigkeitsschiedlichen, beliebig erzeugten Potentiale werden bereich ausgesteuert, und der Transistor CTT3 verhinüber die Leitung L übertragen, und die einzelnen 40 dert damit, daß der Transistor T 3 die Auswerteein-Transistoren Tl, T2... sind in gleicher Weise, wie richtung £3 aktiviert. Bei Übertragung des achten es an Hand von Fig. 1 und 2 beschrieben wurde, ge- Potentials ist infolgedessen nur die Auswerteeinrichschaltet. Demgemäß liegen die Transistoren Tl bis tung El· über den Transistor T4 aktiviert. Damit ver-T9 über Widerstände Wl bis W9 mit ihren Steuer- hindern die Transistoren T5, T6, T7 mit Hilfe der elektroden, hier mit der Basis, an der Übertragungs- 45 Umsteuertransistoren UTl, UT2, UT3, die über leitung L und mit ihrem Emitter an individuellen Basiswiderstände Bl, B 2, 53 an einer bestimmten Spannungsteilern Λ1 bis St 9, die für jeden Transi- Vorspannung liegen, die Aussteuerung der betreffenstor Tl bis T9 je eine bestimmte Vergleichsspannung den Auswerteeinrichtung durch die Transistoren Tl, liefern. Die Reihenfolge der Bezifferung der Transi- T2, T 3.Fig. 3 shows an embodiment according to the invention. When the eighth potential is transmitted, which makes the transmission for evaluating ten different transistor T 7 conductive, the reversing transistor potentials in the form of a binary code. The ten different potentials generated by the transistor T7 with different permeability are controlled in the range, and the transistor CTT3 is transmitted over the line L , and the individual 40 changes so that the transistor T 3 controls the evaluation transistors T1, T2. .. are activated in the same way as direction £ 3. When transferring the eighth it was described with reference to FIGS. 1 and 2, only the evaluation device is consequently switched on. Accordingly, the transistors Tl through the device El · are activated via the transistor T4. This ver-T9 via resistors Wl to W9 with their control prevent the transistors T5, T6, T7 with the help of the electrodes, here with the base, on the transmission 45 reversing transistors UTl, UT2, UT 3, the over line L and with their emitter at individual base resistors Bl, B 2, 53 at a certain voltage divider Λ1 to St 9, which are for each transi bias voltage, the modulation of the relevant gate Tl to T9 each deliver a certain comparison voltage to the evaluation device through the transistors Tl. The order of figuring the Transi- T2, T 3.

stören Tl bis T9 wurde in Fig. 3 so vorgenommen, 50 Dagegen ist die Aussteuerung der ersten beiden daß die Bezifferung eine bestimmte Unterteilung die- Auswerteeinrichtungen £ 1 und £2 über den Transiser neun Transietoren in vier Gruppen erkennen läßt. stör T 8 bzw. T9 bei Übertragung des neunten bzw. Die Gruppe I faßt die Transistoren Tl, T5 und T8 des zehnten Potentials unabhängig vom Zustand der zusammen. Gruppe II enthält die Transistoren T2, T6 Umsteuertransistoren UT1 bzw. UT2. Dies wird da- und T 9, während Gruppe III die Transistoren T3 und 55 durch erreicht, daß der durch das neunte Potential in T7 enthält. In der Gruppe IV befindet sich nur der seinen Durchlässigkeitsbereich ausgesteuerte Transi-Transistor Tl·. Jeder der vier Gruppen ist eine Aus- stör T8 über den Koppelwiderstand K8 die Auswertewerteeinrichtung £1, £2, £3, El· zugeordnet. Diese einrichtung £ 1 direkt beeinflussen kann. Ebenso kann Auswerteeinrichtungen sind nur als Kästchen darge- der durch das zehnte Potential aussteuerbare Transistellt, da es sich um an sich bekannte Kippstufen, 60 stör T 9 über den Koppelwiderstand K 9 die Auswerte-Relais od. dgl. handeln kann. einrichtung £2 direkt beeinflussen. Die Richtleiterdisturb T1 to T9 was carried out in Fig. 3 so, 50 On the other hand, the control of the first two is that the numbering a certain subdivision of the evaluation devices £ 1 and £ 2 can be recognized through the Transiser nine transit gates in four groups. disturb T 8 or T9 when transmitting the ninth or the group I summarizes the transistors Tl, T5 and T8 of the tenth potential regardless of the state of the together. Group II contains the transistors T2, T6 reversing transistors UT1 and UT2, respectively. This is da- and T 9, while group III, the transistors T3 and 55 achieved by that contains the ninth potential in T7. In group IV there is only the transi-transistor Tl · controlled by its permeability range. Each of the four groups is assigned an ejector T8 via the coupling resistor K8 to the evaluation device £ 1, £ 2, £ 3, El · . This facility £ 1 can directly affect. Likewise, evaluation devices are only shown as boxes of the transistors that can be controlled by the tenth potential, since they are known flip-flops, can interfere with the evaluation relay or the like via the coupling resistor K 9. affect facility £ 2 directly. The judges

Die erfindungsgemäße Schaltung arbeitet nun fol- GLl und GL2 dienen zur Entkopplung der Transigendermaßen: Bei Übertragung des ersten Potentials stören T 8 und T9 vom Kollektor der Umsteuertranwird keiner der Transistoren Tl bis T9 in seinen sistoren UTl bzw. UT2. Damit können die Transi-Durchlässigkeitsbereich ausgesteuert. Das zweite 65 stören T 8 bzw. T 9 unabhängig vom Zustand der Tran-Potential steuert den Transistor Tl in seinen Durch- sistoren UTl und UT2 auf die Auswerteeinrichtung lässigkeitsbereich aus, und damit wird die über den £1 bzw. £2 einwirken. Die Widerstände K1 bis K9 Widerstand K1 und den Richtleiter GL1 mit dem sind Koppelwiderstände.The circuit according to the invention now works as follows: GL1 and GL2 are used to decouple the transgenders: When the first potential is transmitted, T 8 and T9 from the collector interfere with the reversing transition, none of the transistors T1 to T9 in its transistors UT1 or UT2. This allows the transi-permeability range to be controlled. The second 65 interfering T 8 or T 9 regardless of the state of the Tran potential controls the transistor Tl in its transistors UT1 and UT2 on the evaluation device permeability range, and thus the via the £ 1 or £ 2 will act. The resistors K1 to K9, resistor K 1 and the directional conductor GL1 with the are coupling resistors.

Kollektor des Transistors Tl verbundene Auswerte- Die in Fig. 4 dargestellte erfindungsgemäße Schaleinrichtung £1 betätigt. Die gleichen Vorgänge spie- 70 tung arbeitet in gleicher Weise, wie es für die Schal-Evaluation unit connected to the collector of the transistor Tl. The switching device according to the invention shown in FIG. 4 £ 1 actuated. The same processes work in the same way as it does for the circuit.

tung gemäß Fig. 3 beschrieben wurde, jedoch sind hier die Transistoren Tl bis TS an je eine weitere Transistorverstärkerstufe TVl bis TV 9 angeschlossen. Alle Transistoren Tl bis T 9 sind wieder in vier Gruppen aufgeteilt, und zwar umfaßt die Gruppe I die Transistoren Tl, TS und T8 mit den zugehörigen Verstärkertransistoren TV1, TV 5, TV 8. Entsprechend faßt die Gruppe II die Transistoren T 2, T 6 und T 9 mit den Verstärkertransistoren TV2, TVQ, TV9 zusammen. In der Gruppe III sind die Transistoren T 3 und T 7 mit ihren Verstärkertransistoren TV 3, TV 7 enthalten. Die Gruppe IV wird allein durch den Transistor T 4 mit seinem Verstärkertransistor TV 4: dargestellt. Die Transistoren Tl bis T9 liegen an individuellen Spannungsteilern STl bis ST 9, die die unterschiedlichen Vergleichsspannungen liefern, und sind über Widerstände WKl bis WK9 mit der Steuerelektrode, hier mit der Basis, der zugehörigen Verstärkertransistoren TVl bis TV 9 gekoppelt. Die Verstärkertransistoren liegen über Basiswiderstände WBl bis WB 9 an einer bestimmten Vorspannung.described processing of FIG. 3, but the transistors Tl to TS to are each connected to a further transistor amplifier stage TVL to TV 9 here. All transistors T1 to T9 are again divided into four groups, namely group I includes transistors T1, TS and T 8 with the associated amplifier transistors TV1, TV 5, TV 8. Correspondingly, group II includes transistors T 2, T 6 and T 9 together with the amplifier transistors TV2, TVQ, TV9 . Group III contains the transistors T 3 and T 7 with their amplifier transistors TV 3, TV 7 . Group IV is represented solely by transistor T 4 with its amplifier transistor TV 4 : . The transistors Tl to T9 are located on individual voltage dividers STl to ST 9, which provide the different reference voltages, and are coupled via resistors WKL to WK9 to the control electrode, here with the base, of the associated amplifier transistors TVL to TV. 9 The amplifier transistors are above base resistors WBl WB to 9 at a certain bias.

Die an Hand von Fig. 3 für die Umsteuertransistoren UTl, UT2 und UT 3 beschriebenen Funktionen werden in der Schaltungsanordnung gemäß Fig. 4 durch den Verstärkertransistor TV 5 in der Gruppe I, durch den Verstärkertransistor TV6 in der Gruppell und durch den Verstärkertransistor TV7 in der Gruppe III ausgeführt. Und zwar verhindert in der Gruppe I der Verstärkertransistor TV 5 eine Aktivierung der Auswerteeinrichtung E1 durch den Transistor TVl, wenn das sechste Potential übertragen wird, indem der Kollektorstrom des Transistors T1 über den bei Übertragung des sechsten Potentials leitend gemachten und damit niederohmigen Verstärkertransistor TV5 abgeleitet wird, d. h., der Verstärkertransistor TV5 sperrt den Verstärkertransistor TVl. In gleicher Weise wirken die Transistoren TV 6 und TV7. Die in der Schaltung gemäß Fig. 3 durch die Richtleiter Gl 1 und G12 bewirkte, Entkopplung des Kollektors der Transistoren T 8 und T 9 von dem KoI-lektor der leitenden Transistoren UTl und UT2 wird in der Schaltung gemäß Fig. 4 von den Transistoren TVl und TV 2 bewirkt, indem diese Transistoren als Sperrglieder zwischen dem Kollektor des Transistors TV8 bzw. TV9 und dem Kollektor des Transistors TV5 bzw. TV6 liegen. Die Schaltungsanordnung gemäß Fig. 4 arbeitet also in gleicher Weise wie die Schaltung gemäß Fig. 3. Es sind bei Übertragung der Potentiale 1 bis 5 die Auswerteeinrichtungen £ 1 bis E 4 ausgesteuert. Bei Übertragung des sechsten Potentials verhindert der Verstärkertransistor TVS die Aussteuerung der Auswerteeinrichtung E1. Bei Übertragung des siebenten Potentials verhindert der Verstärkertransistor TV 6 die Aussteuerung der Einrichtung E2, und bei Übertragung des achten Potentials verhindert der Verstärkertransistor TV 7 die Aussteuerung der Auswerteeinrichtung E 3. Die Verstärkertransistoren TV8 und TV9 können die Einrichtungen E1 bzw. E 2 unabhängig vom leitenden Zustand der Verstärkertransistoren TVS bzw. TV6 aussteuern. The reference to FIG. 3 for the Umsteuertransistoren UTL, UT2 and UT-described functions 3 are in the circuit of Fig. 4 by the amplifier transistor TV 5 in the group I, through the amplifying transistor TV 6 in the Gruppell and through the amplifying transistor TV7 in of group III carried out. In group I, the amplifier transistor TV 5 prevents the evaluation device E1 from being activated by the transistor TV1 when the sixth potential is transmitted, in that the collector current of the transistor T1 is diverted via the amplifier transistor TV5, which is made conductive when the sixth potential is transmitted and is therefore low-impedance , ie, the amplifier transistor TV5 blocks the amplifier transistor TV1. The transistors TV 6 and TV7 act in the same way. Caused in the circuit of Fig. 3 through the isolator Gl 1 and G12, decoupling of the collector of the transistors T 8 and T 9 of the koi lecturer of the conductive transistors UTL and UT2 is in the circuit of Fig. 4 by the transistors TVL and TV 2 is effected by these transistors as blocking elements between the collector of the transistor TV8 or TV9 and the collector of the transistor TV 5 or TV6 . The circuit arrangement according to FIG. 4 thus works in the same way as the circuit according to FIG. 3. When the potentials 1 to 5 are transmitted, the evaluation devices E 1 to E 4 are controlled. When the sixth potential is transmitted, the amplifier transistor TVS prevents the evaluation device E1 from being modulated. When transferring the seventh potential of the amplifier transistor TV 6 prevents the modulation of the device E2, and transmission of the eighth potential of the amplifier transistor TV 7 prevents the modulation of the evaluation device E 3. The amplifier transistors TV 8 and TV9 the devices E1 and E2 may independently from Control the conductive state of the amplifier transistors TVS or TV 6.

Bei entsprechender Änderung der Potentialverhältnisse lassen sich in den beschriebenen erfindungsgemäßen Schaltungen auch Transistoren des jeweiligen komplementären Typs verwenden.With a corresponding change in the potential ratios, the described inventive Circuits also use transistors of the respective complementary type.

Die an Hand von Fig. 1 beschriebene Regelschaltung mit dem Transistor RT läßt sich sinngemäß auch zur Regelung der Betriebsspannung in den Schaltungen gemäß der Fig. 2, 3 und 4 verwenden. In Fig. 2 würden an dem Emitter des Regeltransistors die gleichen Spannungsteiler aus den Widerständen Ria, RIb, R2a, R2b ... angeschaltet, wie es an Hand von Fig. 1 dargestellt wurde. In den Fig. 3 und 4 wurden die entsprechenden Spannungsteile StI, St 2 ... ebenfalls, wie beschrieben, an den Emitter des Regeltransistors zu schalten sein. The control circuit with the transistor RT described with reference to FIG. 1 can also be used analogously to control the operating voltage in the circuits according to FIGS. In FIG. 2, the same voltage dividers consisting of the resistors Ria, RIb, R2a, R2b . In FIGS. 3 and 4, the corresponding voltage components StI, St 2 ... were also to be connected to the emitter of the regulating transistor, as described.

Claims (8)

Patentanspruch iiClaim ii 1. Schaltungsanordnung zur Auswertung von η unterschiedlichen Potentialen, insbesondere zur ZifFernkennzeichnung, in Anlagen der Nachrichtenvermittlungstechnik, dadurch gekennzeichnet, daß M-I an unterschiedlichen Vergleichsspannungen liegende Transistoren vorgesehen sind, die mit ihren Steuerelektroden an einer gemeinsamen, die unterschiedlichen Potentiale führenden Übertragungsleitung liegen und entsprechend ihrer unterschiedlichen Vergleichsspannung nur von bestimmten Potentialen in ihrem Durchlässigkeitsbereich ausgesteuert werden, und daß in Abhängigkeit von einer bestimmten Anzahl durchlässiger Transistoren die Wirkung dieser Aussteuerung für bestimmte Transistoren derart wieder aufgehoben wkd, daß die im Durchlässigkeitszustand verbleibenden Transistoren das Auswertekennzeichen des- betreffenden Potentials darstellen.1. Circuit arrangement for evaluating η different potentials, in particular for ZifFernkennzeichen, in systems of communication technology, characterized in that MI transistors are provided which are at different reference voltages and which have their control electrodes on a common transmission line carrying the different potentials and according to their different ones Comparison voltage can only be controlled by certain potentials in their permeability range, and that, depending on a certain number of permeable transistors, the effect of this modulation for certain transistors is canceled again in such a way that the transistors remaining in the permeability state represent the evaluation indicator of the relevant potential. 2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zur Auswertung der η Potentiale Ji-1 Transistoren (Tl, T2 ... Tn-I) in Emitterschaltung vorgesehen sind, deren Basen an die Übertragungsleitung (L) angeschlossen sind und deren Emitter an verschiedenen, die unterschiedlichen Vergleichsspannungen liefernden Spannungsteilern (Ria, RIb, R2a, R2b ...) liegen, die für den ersten bis vorletzten Transistor derart von der Aussteuerung des folgenden Transistors abhängig gemacht sind, daß der jeweils letzte in der Reihe der im Durchlässigkeitsbereich ausgesteuerten Transistoren den Durchlässigkeitszustand aller vorangehenden Transistoren durch Änderung der Vergleichsspannung am Spannungsteiler der vorangehenden Transistoren wieder aufhebt, derart, daß für jedes Potential nur ein bestimmter Transistor leitend ist.2. Circuit arrangement according to claim 1, characterized in that for evaluating the η potentials Ji-1 transistors (Tl, T2 ... Tn-I) are provided in an emitter circuit, the bases of which are connected to the transmission line (L) and their emitters to different voltage dividers (Ria, RIb, R2a, R2b ... ) which supply the different reference voltages, which are made dependent on the modulation of the following transistor for the first to the penultimate transistor in such a way that the last in the series of those modulated in the permeability range Transistors cancels the conduction state of all preceding transistors by changing the comparison voltage at the voltage divider of the preceding transistors, in such a way that only one specific transistor is conductive for each potential. 3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Abgriffe der Spannungsteiler des ersten bis vorletzten Transistors über Richtleiter (Gl, G2 . . . GR2, GR3 . ..) mit den Ausgängen aller folgenden Transistoren derart verbunden sind, daß der jeweils letzte in der Reihe der im Durchlässigkeitsbereich ausgesteuerten Transistoren über die genannten Richtleiter die Vergleichsspannungen der vorangehenden Transistoren derart beeinflußt, daß damit der Durchlässigkeitszustand wieder aufgehoben wird.3. Circuit arrangement according to claim 2, characterized in that the taps of the voltage divider of the first to penultimate transistor via directional conductors (Gl, G2 ... GR2, GR3...) Are connected to the outputs of all subsequent transistors in such a way that the last one in the row of transistors controlled in the permeability range via said directional conductor influences the comparison voltages of the preceding transistors in such a way that the permeability state is canceled again. 4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß jeweils ein Widerstand (Ria, R2a...) der Spannungsteiler des ersten bis vorletzten Transistors durch einen in Abhängigkeit von der Aussteuerung des jeweils folgenden Transistors steuerbaren Hilfstransistor (THl, TH2 ...) überbrückbar und damit die Vergleichsspannung des ersten bis vorletzten Transistors (Tl, T2 . . .) veränderbar ist.4. Circuit arrangement according to claim 2, characterized in that in each case a resistor (Ria, R2a ...) of the voltage divider of the first to penultimate transistor by an auxiliary transistor (THl, TH2 ... ) Which can be controlled as a function of the modulation of the respective following transistor. can be bridged and thus the comparison voltage of the first to penultimate transistor (Tl, T2... ) can be changed. 5. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zur Auswertung von zehn unterschiedlichen Potentialen in Form eines Binärcodes neun an unterschiedlichen Vergleichsspannungen liegende Transistoren (Tl, T2 .. .) in 5. Circuit arrangement according to claim 1, characterized in that for the evaluation of ten different potentials in the form of a binary code, nine transistors (Tl, T2 ... ) Located at different comparison voltages in vier Gruppen (I, II, III, IV) unterteilt sind, die vier Auswerteeinrichtungen (£1, E2, EZ} £4) steuern, und daß je einem bestimmten Transistor (T5, T6, T 7) der ersten drei Gruppen je ein Umsteuertransistor (UTl, UT 2, UT3) zugeordnet ist, der die durch die Transistoren (Tl, TZ1 TS) bewirkbare Aussteuerung der betreffenden Auswerteeinrichtung verhindert, wenn der betreffende Umsteuertransistor (UTl, UT2, UTZ) durch den zugehörigen Transistor (T 5, T 6, TT) aktiviert wird, während die Aussteuerung der ersten beiden Auswerteeinrichtungen durch je einen weiteren Transistor (T 8, T9) der ersten beiden Gruppen (I, II) unabhängig vom Zustand des Umsteuertrairsistors (UTl, UT2) ist, derart, daß nur bei bestimmten Potentialen die zugehörige Auswerteeinrichtung betätigt wird und damit der jeweilige Zustand aller Auswerteeinrichtungen eine Aussage dafür darstellt, welche Potentialstufe ausgewertet wird.four groups (I, II, III, IV) are subdivided, the four evaluation devices (£ 1, E2, EZ } £ 4) control, and that one specific transistor (T5, T6, T 7) of the first three groups each Reversing transistor (UTl, UT 2, UT3) is assigned, which prevents the modulation of the evaluation device in question, which can be effected by the transistors (Tl, TZ 1 TS) , when the relevant reversing transistor (UTl, UT2, UTZ) is replaced by the associated transistor (T 5, T 6, TT) is activated, while the control of the first two evaluation devices by a further transistor (T 8, T9) of the first two groups (I, II) is independent of the state of the reversing transistor (UTl, UT2) , such that the associated evaluation device is only actuated at certain potentials and thus the respective state of all evaluation devices represents a statement as to which potential level is being evaluated. 6. Schaltungsanordnung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß jeder der neun Transistoren (Tl, T2 . . .) einen Verstärkertransistor (TVl, TV2. . .) steuert und die Transistoren derart zu vier Gruppen (I, II, III, IV), welche vier Auswerteeeinrichtungen steuern, zusammengefaßt sind, daß in den ersten drei Gruppen einer der Verstärkertransistoren (TV5, TV6, TV7) die durch die Transistoren (TVl, TV2, TVZ) bewirkbare Aussteuerung der Auswerteeinrichtungen verhindert, wenn der betreffende Verstärkertransistor (TV 5, TV 6, TVT) durch den zugehörigen Transistor (T5, T 6, TT) aktiviert wird, während ein weiterer Verstärkertransistor (TV 8, TV 9) in den ersten beiden Gruppen die betreffende Auswerteeinrichtung unabhängig vom Zustand der erstgenannten Verstärkertransistoren (TVS, TV6, TV 7) aussteuert.6. Circuit arrangement according to claim 5, characterized in that each of the nine transistors (Tl, T2 ...) Controls an amplifier transistor (TVl, TV2... ) And the transistors in such a way to four groups (I, II, III, IV) , which control four evaluation devices, are summarized that in the first three groups one of the amplifier transistors (TV 5, TV 6, TV 7) prevents the control of the evaluation devices caused by the transistors (TV1, TV2, TVZ) if the relevant amplifier transistor ( TV 5, TV 6, TVT) is activated by the associated transistor (T5, T 6, TT) , while another amplifier transistor (TV 8, TV 9) in the first two groups controls the evaluation device in question regardless of the state of the first-mentioned amplifier transistors (TVS , TV6, TV 7) . 7. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß Spannungsschwankungen, die am Sendeort der unterschiedlichen Potentiale entstehen, zum Empfangsort über eine eigene Übertragungsleitung (b) gemeldet und durch ein Regelorgan, vorzugsweise einen Transistorverstärker (RT) in Kollektorschaltung, ausgewertet werden, derart, daß die Betriebsspannungen des Empfängers, insbesondere die Spannung, von der die Vergleichsspannungen für die einzelnen Transistoren (Tl, T2 . . .) abgeleitet werden, am Empfangsort durch die Spannungsschwankungen am Sendeort bestimmt sind und dadurch diese Spannungsschwankungen kompensiert werden.7. Circuit arrangement according to one of claims 1 to 6, characterized in that voltage fluctuations that arise at the transmission location of the different potentials are reported to the receiving location via a dedicated transmission line (b) and evaluated by a control element, preferably a transistor amplifier (RT) in a collector circuit are, in such a way that the operating voltages of the receiver, in particular the voltage from which the comparison voltages for the individual transistors (Tl, T2. 8. Schaltungsanordnung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß zwei oder mehr Transistorverstärker in Verbundschaltung zur Kompensation der im Sender entstehenden Spannungsschwankungen am Empfangsort vorgesehen sind. 8. Circuit arrangement according to claim 7, characterized in that two or more transistor amplifiers are provided in a compound circuit to compensate for the voltage fluctuations occurring in the transmitter at the receiving location. Hierzu 2 Blatt ZeichnungenFor this purpose 2 sheets of drawings @ 809 529/177 5.58 @ 809 529/177 5.58
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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DE3036801A1 (en) * 1980-09-30 1982-04-15 Ritto-Werk Loh GmbH & Co KG, 6348 Herborn Multilevel signalling from telephone to exchange - has resistor chain of reference voltages and IR comparison at exchange of incoming signal level
WO2024165357A1 (en) 2023-02-06 2024-08-15 Evonik Operations Gmbh Process for preparing guanidinoacetic acid comprising granulates

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