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Halbleiterbauelement mit verringerter
anschlussbedingter parasitärer
Induktivität
und/oder Kapazität Die
vorliegende Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement gemäß der Merkmale
des Oberbegriffs des Anspruchs 1.
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Derartige Bauelemente sind beispielsweise
in Application Note, V 1.0, May 2002, APPS071E, "OptiMOS® PowerBondTM",
der Infineon Technologies AG, München,
beschrieben.
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Bekannte Leistungsgehäuse, bei
denen die Montageplatte üblicherweise
aus einem gut wärmeleitenden
Material, wie beispielsweise Kupfer besteht, und bei denen die Montageplatte
an der Rückseite
freiliegt, um insbesondere in Verbindung mit einem Kühlkörper eine
gute Wärmeabfuhr
zu ermöglichen,
umfassen üblicherweise
drei oder fünf
aus dem Gehäuse
heraus ragende Anschlussbeine. Bei Verpackung eines Leistungstransitorchips
in einem Gehäuse
mit drei Anschlussbeinen werden dabei die Lastanschlüsse, nämlich Drain
und Source bei einem MOSFET, und der Steueranschluss, nämlich das
Gate bei einem MOSFET, an je eines der Anschlussbeine angeschlossen,
wobei einer der Lastanschlüsse, üblicherweise
der Drain-Anschluss bei einem MOSFET, bereits durch Aufbringen des
Halbleiterkörpers
auf die Montageplatte (Leadframe) an eines der Anschlussbeine angeschlossen
ist und die Kontaktierung der anderen beiden Anschlüsse mittels Bonddrähten erfolgt.
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Bei Verpackung eines Leistungstransistorchips
in einem Standardgehäuse
mit fünf
Anschlussbeinen beispielsweise einem Gehäuse des Typs TO 252-5 ist es
bekannt, Drain und Gate an je ein Anschlussbein anzuschließen und
Source an zwei Anschlussbeine anzuschließen, wobei das verbleibende
Anschlussbein nicht kontaktiert wird.
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Neben der Verpackung eines Leistungsbauelementchips
in einem Leistungsgehäuse
mit an der Rückseite
freiliegendem Leadframe ist es auch bekannt, Leistungsbauelementchips
in einem soge nannten Logikgehäuse
zu verpacken. Derartige Logikgehäuse
zeichnen sich dadurch aus, dass der Halbleiterchip und die Montageplatte
vollständig
von dem Gehäuse
umgeben sind. Die Motivation für
eine Integration von Leistungsbauelementen in Logikgehäusen liegt
zum Einen in den niedrigeren Kosten für ein Logikgehäuse, die
aus der Verwendung einer dünneren,
weniger gut wärmeleitenden
Montageplatte resultieren, und zum Anderen in dem Wunsch, für bestimmte
Anwendungen auch eine Auswerte- oder Ansteuerlogik in dem Gehäuse zu integrieren, die
weitere Anschlussbeine erfordert, die bei solchen Gehäusen zur
Verfügung
stehen.
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Probleme bei der Integration von
Leistungsbauelementchips in einem Logikgehäuse bestehen wegen der gegenüber Leistungsgehäusen verschlechterten
Wärmeabfuhr.
Zur Lösung
diese Problems ist in der
US 6,242,800
B1 , die einen in einem Gehäuse integrierten MOSFET beschreibt,
vorgeschlagen, mehrere mit der Montageplatte verbundene Anschlussbeine
aus dem Gehäuse
heraus zu führen,
um eine verbesserte Wärmeabfuhr
durch die größere Anzahl
von Anschlussbeinen zu erreichen. Der Gate-Anschluss des MOSFET ist dabei an ein
Anschlussbein und der Source-Anschluss mittels mehrerer Bonddrähte an ein
weiteres Anschlussbein angeschlossen.
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Die
US
6,066,890 beschreibt ebenfalls ein in einem Logikgehäuse integriertes
Leistungshalbleiterbauelement, bei dem mehrere mit einer Montageplatte
verbundene Anschlussbeine und zwei mittels Bonddrähten an
weitere Anschlüsse
angeschlossene Anschlussbeine aus dem Gehäuse heraus ragen.
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Neben einer guten Wärmeabfuhr
ist es ein Ziel bei Leistungsgehäusen
eine durch die Anschlussbeine und interne Verbindungen bedingte
parasitäre
Induktivität
zu reduzieren.
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Dieses Ziel wird durch ein Halbleiterbauelement
gemäß der Merkmale
des Anspruchs 1 gelöst.
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Unabhängig von dem Erreichen einer
niedrigen parasitären
Induktivität,
oder in Kombination hierzu, besteht das Ziel, eine durch Anschlussbeine
des Gehäuses
bedingte parasitäre
Kapazität
zu reduzieren. Dieses Ziel wird durch ein Halbleiterbauelement gemäß der Merkmale
des Anspruchs 9 gelöst.
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Vorteilhafte Ausgestaltungen der
Erfindung sind jeweils Gegenstand der Unteransprüche.
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Das erfindungsgemäße Halbleiterbauelement umfasst
einen Halbleiterchip mit einer Vorder- und einer Rückseite
sowie einer ersten Kontaktfläche
an der Rückseite
und wenigstens einer zweiten Kontaktfläche an der Vorderseite, eine
Montageplatte, auf die die Rückseite
des Halbleiterchips aufgebracht ist und mit der die erste Kontaktfläche elektrisch
leitend verbunden ist, und ein Gehäuse, bei dem eine dem Halbleiterchip
abgewandte Seite der Montageplatte freiliegt. Das Bauelement umfasst
weiterhin aus dem Gehäuse
heraus ragende Anschlussbeine wobei wenigstens eines der Anschlussbeine
Teil der Montageplatte ist. Die wenigstens eine zweite Kontaktfläche ist
dabei elektrisch leitend an wenigstens zwei mit der Montageplatte
nicht verbundene Anschlussbeine angeschlossen, die in dem Gehäuse miteinander
verbunden sind.
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Diese Verbindung der beiden Anschlussbeine
in dem Gehäuse
erfolgt vorzugsweise dadurch, dass die beiden Anschlussbeine einstöckig ausgebildet
sind, wobei eine die beiden Anschlussbeine verbindende Brücke in dem
Gehäuse
liegt.
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Eine Brücke, die die beiden durch eine
Kontaktfläche
kontaktierten Anschlussbeine verbindet, bietet eine vergrößerte Anschlussfläche, wodurch
mehr Bonddrähte
zwischen der zweiten Kontaktfläche
und den Anschlussbeinen verbondet werden können als bei herkömmlichen
Gehäusen,
bei denen die zur Verfügung
stehende Kontaktfläche
an den Anschlussbeinen einen limitierenden Faktor darstellt. Die
Erhöhung
der Anzahl der parallel geschalteten Bonddrähte verringert den durch die
Bonddrähte hervorgerufenen
Anteil der parasitären
Induktivität
und erhöht
die Stromtragfähigkeit
des Bauelementes. Darüber
hinaus sinkt der durch die Anschlussbeine hervorgerufene Anteil
der parasitären
Induktivität
mit steigender Anzahl der an eine Kontaktfläche angeschlossenen Anschlussbeine.
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Neben Bonddrähten kann die zweite Kontaktfläche auch
mittels eines Kontaktbügels
an die wenigstens zwei Anschlussbeine angeschlossen sein, wobei
die direkte Verbindung der Anschlussbeine in dem Gehäuse einen
großflächigen Kontakt
zwischen dem Kontaktbügel.
und den Anschlussbeinen ermöglicht,
was sich positiv auf die Verringerung der parasitären Induktivität auswirkt.
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Zur Verringerung einer gehäusebedingten
Kapazität
zwischen dem über
die erste Kontaktfläche
kontaktierten Anschluss des Bauelements und dem über die zweite Kontaktfläche kontaktierten
Anschluss des Bauelements ist bei einer Ausführungsform der Erfindung vorgesehen,
die wenigstens eine zweite Kontaktfläche elektrisch leitend derart
an wenigstens ein weiteres Anschlussbein anzuschließen, dass
zwischen den beiden in dem Gehäuse
miteinander verbundenen Anschlussbeinen und dem weiteren Anschlussbein
das an der Montageplatte befestigte Anschlussbein angeordnet ist.
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Eine solche Verringerung der gehäusebedingten
Kapazität
durch Anschließen
der zweiten Kontaktfläche
an Anschlussbeine die links und rechts des Anschlussbeins für die erste
Kontaktfläche
liegen, ergibt sich bereits dann, wenn die zweite Kontaktfläche an nur
zwei Anschlussbeine angeschlossen ist, die links und rechts des
Anschlussbeins für
die erste Kontaktfläche
liegen, wie dies Gegenstand des Anspruchs 9 ist.
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Vorzugsweise ist in dem Halbleiterchip
ein Leistungstransistor integriert ist, dessen einer Lastanschluss über die
erste Kontaktfläche,
dessen anderer Lastanschluss über
die zweite Kontaktfläche
und dessen Steueranschluss über
die dritte Kon taktfläche
kontaktierbar ist. Bei einer weiteren Ausführungsform ist vorgesehen,
dass in dem Halbleiterchip eine Leistungsdiode integriert ist, deren
einer Lastanschluss über
die erste Kontaktfläche
und deren anderer Lastanschluss über
die zweite Kontaktfläche
kontaktierbar ist.
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Die vorliegende Erfindung wird nachfolgend
in Ausführungsbeispielen
anhand von Figuren näher
erläutert.
In den Figuren zeigt
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1 ein
erstes Ausführungsbeispiel
eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauelement
in Draufsicht (1A) und
im Querschnitt entlang der in 1A dargestellten
Schnittebenen A-A, B-B (1B, 1C),
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2 ein
zweites Ausführungsbeispiel
eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements
in Draufsicht,
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3 ein
drittes Ausführungsbeispiel
eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements
in Draufsicht,
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4 ein
viertes Ausführungsbeispiel
eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements,
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5 ein
fünftes
Ausführungsbeispiel
eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements,
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6 ein
sechstes Ausführungsbeispiel
eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements.
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In den Figuren bezeichnen, sofern
nicht anders angegeben, gleiche Bezugszeichen gleiche Teile mit gleicher
Bedeutung.
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1 zeigt
ein erstes Ausführungsbeispiel
eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauelementes,
wobei 1A eine Draufsicht
auf das Halbleiterbauelement und die 1B und 1C Querschnitte durch das
Halbleiterbauelement in den in 1A eingezeichneten
Schnittebenen A-A und B-B zeigen.
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Das Halbleiterbauelement umfasst
einen Halbleiterchip 10 mit einer Vorderseite 11 und
einer Rückseite 12 sowie
einer ersten Kontaktfläche
an der Rückseite 12 des
Halbleiterkörpers 10 und
wenigstens einer zweiten Kontaktfläche 13, 14 an
der Vorderseite 11, wobei das Bauelement gemäß 1 zwei solcher Kontaktflächen an
der Vorderseite 11, nämlich
eine zweite Kontaktfläche 14 und
eine dritte Kontaktfläche 13 aufweist.
Der Halbleiterchip 10 gemäß 1 ist beispielhaft als Leistungs-MOSFET-Chip
ausgebildet, wobei ein Drain-Anschluss
des MOSFET über
die Rückseite 12,
der Source-Anschluss
des MOSFET über
die zweite Kontaktfläche 14 und
der Gate-Anschluss über
die dritte Kontaktfläche 13 kontaktierbar
ist.
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Der Halbleiterchip 10 ist
derart auf eine Montageplatte 30 (Leadframe) aufgebracht,
dass die nicht näher
dargestellte erste Kontaktfläche
an der Rückseite 12 elektrisch
leitend mit der Montageplatte 30 verbunden ist. Hierzu
ist der Halbleiterchip 10 beispielsweise auf die Montageplatte 30 aufgelötet.
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Das Bauelement umfasst weiterhin
ein Gehäuse 20,
das in den Figuren strichpunktiert dargestellt ist und welches den
Halbleiterchip 10 und die den Halbleiterchip 10 tragende
Montageplatte 30 derart umgibt, dass eine dem Halbleiterchip 10 abgewandte
Seite 32 der Montagefläche 30 an
dem Gehäuse 20 frei
liegt, um die Montageplatte in nicht näher dargestellter Weise beispielsweise
auf einen Kühlkörper bringen
und zu können
dadurch eine gute Wärmeabfuhr
zu gewährleisten.
Die Montageplatte 30 besteht vorzugsweise aus einem gut
Wärme leitenden
Material, beispielsweise Kupfer.
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Aus dem Gehäuse 20 ragen mehrere
Anschlussbeine 31, 41, 42, 51 heraus,
wobei in dem Beispiel ein erstes Anschlussbein 31 integraler
Bestandteil der Montageplatte 30 ist. Dieses Anschlussbein 31 ermöglicht eine
externe Kontaktierung des Drain-Anschlusses des in dem Chip 10 integrierten
MOSFET.
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Die übrigen Anschlussbeine 41, 42, 51 sind
nicht mit der Montageplatte 30 bzw. dem sich an die Montageplatte 30 anschließenden Anschlussbein 31 verbunden
und dienen zur Kontaktierung der Kontaktflächen 13, 14 an
der Vorderseite 11 des Halbleiterchips 10. Die
Gate-Kontaktfläche 13 ist
dabei mittels eine Bonddrahtes 64 an das Anschlussbein 51 gebondet.
Die Source-Kontaktfläche 14 ist
mittels dreier Bonddrähte 61, 62, 63 an
zwei Anschlussbeine 41, 42 gebondet, wobei diese
Anschlussbeine 41, 42 erfindungsgemäß in dem Gehäuse 20 direkt
miteinander verbunden sind. Die beiden Anschlussbeine 41, 42 sind
in dem Ausführungsbeispiel
als Schenkel einer in Draufsicht U-förmigen Anordnung ausgebildet,
wobei die beiden Anschlussbeine 41, 42 in dem
Gehäuse 20 durch
eine Brücke 47,
die ebenfalls integraler Bestandteil der U-förmigen Anordnung ist, miteinander
verbunden sind. Die Brücke 47 zwischen
den beiden Anschlussbeinen 41, 42 bietet in dem
Gehäuse 20 eine
vergrößerte Anschlussfläche für Bonddrähte, so
dass in dem Gehäuse 20 der
Raum zwischen den beiden Anschlussbeinen 41, 42 für die Kontaktierung
mit Bonddrähten 61, 62, 63 genutzt
werden kann. Hierdurch können
gegenüber
herkömmlichen
derartigen Halbleiterbauelementen mehr Bonddrähte vorgesehen werden, wodurch
sich der durch die Bonddrähte
hervorgerufene Anteil an der Gesamtinduktivität reduziert. Die Verwendung
von zwei Anschlussbeinen 41, 42 reduziert darüber hinaus
die durch die Anschlussbeine hervor gerufene Induktivität gegenüber einem
Bauelement mit lediglich einem Anschlussbein für den Source-Anschluss.
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Die Herstellung des Gehäuses 20 erfolgt
in herkömmlicher
Weise dadurch, dass die Anordnung mit der Montageplatte 20, dem
Halbleiterchip 10 und den Anschlussbeinen 41, 42, 51 nach
dem Bonden der Anschlussbeine an die Kontaktflächen 13, 14 in
einer geeigneten Form mit der Gehäusemasse umspritzt wird.
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2 zeigt
ein Ausführungsbeispiel
eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauelementes
mit einem in dem Halbleiterchip 10 integrierten Leistungs-MOSFET,
wobei sich dieses Ausführungsbeispiel
von dem in 1 dargestellten
dadurch unterscheidet, dass neben der Source-Kontaktfläche 14 auch
die Gate-Kontaktfläche 13 an
zwei Anschlussbeine 51, 52 angeschlossen ist,
die in dem Gehäuse 20 mittels
einer Brücke 57 miteinander
verbunden sind. Hierdurch wird neben einer Reduktion der parasitären Induktivität im Bereich
des Source-Anschlusses auch eine Reduktion der parasitären Induktivität im Bereich
des Gate-Anschlusses erreicht.
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Die Vorteile eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauelementes
gemäß 1 und 2 gegenüber einem herkömmlichen
Halbleiterbauelement werden anhand der nachfolgenden Tabelle deutlich.
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Die erste Spalte dieser Tabelle gibt
für ein
als Leistungs-MOSFET
ausgebildetes Halbleiterbauelement die Anzahl der Source-Anschlussbeine
wieder, wobei angenommen ist, dass die Anschlussbeine aus einer Kupfer-Eisen-Legierung
bestehen, deren spezifischer Widerstand 0,0192 mΩmm beträgt. Den Ergebnissen in Zeile
2 liegt dabei ein insgesamt drei Anschluss beine umfassendes Gehäuse zugrunde,
von denen eines für die
Source-Kontaktierung zur Verfügung
steht, während
den Ergebnissen in den Zeilen 3 und 4 ein Gehäuse mit fünf Anschlussbeinen zugrunde
liegt, von denen jeweils zwei für
die Source-Kontaktierung
verwendet werden. Für
die Ergebnisse in Zeile 4 sind diese beiden Anschlussbeine miteinander
verbunden. Bei dem dreibeinigen Gehäuse beträgt die Breite der Anschlussbeine
jeweils 0,8mm und deren Querschnitt (Größe) jeweils 0,4mm2,
während
bei dem fünfbeinigen
Gehäuse
die Breite der Anschlussbeine jeweils 0,6mm und der Querschnitt
(die Größe) jeweils
0,3mm2 beträgt. Die zweite Spalte gibt
die Anzahl der Bonddrähte
wieder, die aus Aluminium mit einem spezifischen Widerstand von
0,0287 mΩmm
bestehen, deren Länge
4 mm beträgt
und deren Querschnitt 125 μm2 beträgt.
Die dritte Spalte gibt die durch die Bonddrähte hervorgerufene Induktivität, die vierte
Spalte gibt die durch die Anschlussbeine hervorgerufene Induktivität und die
fünfte
Spalte gibt die Gesamtinduktivität
wieder.
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Die dargestellte Tabelle zeigt, dass
die Bonddrahtinduktivität
mit steigender Anzahl der Bonddrähte
zunimmt, wobei für
die Ergebnisse in Zeile 2 ein Bonddraht, für die Ergebnisse in Zeile 3
zwei Bonddrähte
und für
die Ergebnisse in Zeile 4 drei Bonddrähte angenommen wurden. Entsprechend
nimmt die Anschlussbeininduktivität ebenfalls mit zunehmender
Anzahl der Anschlussbeine ab, wobei die Verbindung der Anschlussbeine
mittels einer Brücke
in dem Gehäuse
keinen Einfluss auf die Anschlussbeininduktivität besitzt. Allerdings erhöht diese
Brücke
die zur Verfügung
stehende Anschlussfläche
für Bonddrähte, so
dass hierdurch mehr Bonddrähte
an die Anschlussbeine als bei herkömmlichen Bauelementen anschließbar sind,
wodurch sich die Gesamtinduktivität verringert.
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3 zeigt
ein weiteres Ausführungsbeispiel
eines erfindungsgemäßen Bauelementes,
das sich von den in den 1 und 2 dargestellten Ausführungsbeispielen
dadurch unterscheidet, dass die beiden in dem Gehäuse 20 mittels
einer Brücke
47 miteinander
verbundenen Anschlussbeine 41, 42 durch einen
Kontaktbügel 60,
anstelle von Bonddrähten
(Bezugszeichen 61-63 in
den 1 und 2), an die zweite Kontaktfläche 14 an
der Vorderseite 11 des Halbleiterchips 10 angeschlossen
sind. Die Brücke 47 zwischen
den Anschlussbeinen 41, 42 erlaubt die Realisierung
eines großflächigen Anschlusskontaktes
zwischen den Anschlussbeinen 41, 42 und dem Kontaktbügel 60,
was sich positiv im Hinblick auf eine Verringerung der parasitären Induktivität auswirkt.
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In den 1 bis 3 ist die zweite Kontaktfläche 14, über die
der Source-Anschluss des MOSFET kontaktierbar ist, an zwei aus dem
Gehäuse
heraus ragende Anschlussbeine 41, 42 angeschlossen,
die in dem Gehäuse
miteinander verbunden sind. Selbstverständlich kann diese Kontaktfläche 14 an
beliebig mehr als zwei Anschlussbeine angeschlossen sein, wie beispielsweise
in der noch zu erläuternden 5 dargestellt ist.
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4 zeigt
ein weiteres Ausführungsbeispiel
eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauelementes,
das sich von dem in 1 dargestellten
dadurch unterscheidet, dass die zweite Kontaktfläche neben den Anschlussbeinen 41, 42,
die über
die Brücke 47 in
dem Gehäuse 20 miteinander
verbunden sind, an ein weiteres aus dem Gehäuse heraus ragendes Anschlussbein 44 mittels
eines Bonddrahtes 66 angeschlossen ist. Die miteinander
verbundenen Anschlussbeine 41, 42, das weitere
Anschlussbein 44 und das mit der Montageplatte 30 verbundene
Anschlussbein 31 sind dabei räumlich derart angeordnet, dass
das mit der Montageplatte 30 verbundene Anschlussbein 31 zwischen
dem weiteren Anschlussbein 44 und dem Doppelanschlussbein 41, 42 liegt.
Durch diese Anordnung des Anschlussbeins 31 für die erste
Kontaktfläche,
bzw. den Drain-Anschluss bei Verwendung eines MOSFET-Chips, zwischen
Anschlussbeinen für
die erste Kontaktfläche,
bzw. den Source-Anschluss eines MOS-FET, reduziert sich eine durch das Gehäuse hervorgerufene
Kapazität
zwischen diesen Anschlüssen.
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5 zeigt
eine Abwandlung des in 4 dargestellten
Halbleiterbauelementes, wobei die zweite Kontaktfläche 14 mittels
Bonddrähten 61-63 an
drei Anschlussbeine 41, 42, 43 angeschlossen
ist, die mittels Brücken 47, 48 in
dem Gehäuse 20 miteinander
verbunden sind. Die zweite Kontaktfläche 14 ist an zwei
weitere Anschlussbeine 44, 45 angeschlossen, die
mittels einer Brücke 49 in
dem Gehäuse 20 miteinander
verbunden sind. Das mit der Montageplatte 20 verbundene
Anschlussbein 31 liegt dabei zwischen den drei Anschlussbeinen 41, 42, 43 und
den beiden weiteren Anschlussbeinen 44, 45. Die
beiden weiteren Anschlussbeine 44, 45 sind in
dem Beispiel mittels zwei Bonddrähten 66, 67 kontaktiert.
Es sei darauf hingewiesen, dass die Kontaktierung der Anschlussbeine 41-43 und 44, 45 mittels
der dargestellten Bonddrähte 61-63, 66, 67 oder
auch mittels Kontaktbügeln
erfolgen kann, wobei die Verwendung von Kontaktbügeln neben einer Verringerung
der parasitären
Induktivität
auch eine Erhöhung
der Stromtragfähigkeit
mit sich bringt.
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Die Reduktion der gehäusebedingten
Kapazität
durch Anordnen des mit einem der Lastanschlüsse des Halbleiterbauelements
verbundenen Anschlussbeins 31 zwischen Anschlussbeinen 41, 44,
die an den anderen Lastanschluss des Halbleiterbauelements angeschlossen
sind, erfordert nicht, dass Anschlussbeine vorhanden sind, die in
dem Gehäuse
miteinander verbunden sind, wie in 6 dargestellt
ist. Bei dem in 6 dargestellten
Halbleiterbauelement ist die Source-Kontaktfläche 14 mittels eines
Bonddrahtes 61 an ein aus dem Gehäuse herausragendes Anschlussbein 41 angeschlossen,
und über
einen weiteren Bonddraht 66 an ein weiteres Anschlussbeine 44 angeschlossen,
wobei das mit der Montageplatte 30 verbundene Anschlussbein 31 zwischen
dem Anschlussbein 41 und dem weiteren Anschlussbein 44 liegt.
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Wenngleich die Erfindung stellenweise
unter Bezugnahme auf einen Leistungs-MOSFET beschrieben wurde, sei
darauf hinge wiesen, dass die Erfindung selbstverständlich nicht
auf solche Bauelemente beschränkt
ist. Anstelle von MOSFET können
selbstverständlich
auch IGBT oder Bipolartransistoren in dem Halbleiterchip integriert
sein. Des Weiteren ist die Erfindung auch auf Leistungsdioden anwendbar,
wobei bei der Verwendung von vertikalen Leistungsdioden die Anschlussbeine,
die in den 1 bis 6 für die Gate-Kontaktfläche 13 verwendet
wurden zusätzlich
zum Anschließen
des sich an der Vorderseite des Halbleiterchips befindenden Diodenanschlusses
verwendet werden können.
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- 10
- Halbleiterchip
- 11
- Vorderseite
des Halbleiterchips
- 12
- Rückseite
des Halbleiterchips
- 13,14
- Kontaktflächen
- 20
- Gehäuse
- 30
- Montageplatte
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- 31
- Anschlussbein
- 32
- dem
Halbleiterchip angewandte Seite der Monta
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- geplatte
- 41-43
- Anschlussbeine
- 44,45
- Anschlussbeine
- 47,48,
49
- Verbindungsbrücken
- 51,52
- Anschlussbeine
- 57
- Verbindungsbrücke
- 60
- Kontaktbügel
- 61-67
- Bonddrähte