[go: up one dir, main page]

DE10300029A1 - Massenstrom-Verhältnis-System und -Verfahren - Google Patents

Massenstrom-Verhältnis-System und -Verfahren

Info

Publication number
DE10300029A1
DE10300029A1 DE10300029A DE10300029A DE10300029A1 DE 10300029 A1 DE10300029 A1 DE 10300029A1 DE 10300029 A DE10300029 A DE 10300029A DE 10300029 A DE10300029 A DE 10300029A DE 10300029 A1 DE10300029 A1 DE 10300029A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
flow
ratio
target
line
lines
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE10300029A
Other languages
English (en)
Other versions
DE10300029B4 (de
Inventor
Jesse Ambrosina
Nicholas Kottenstette
Ali Shajii
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
MKS Instruments Inc
Original Assignee
MKS Instruments Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by MKS Instruments Inc filed Critical MKS Instruments Inc
Publication of DE10300029A1 publication Critical patent/DE10300029A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE10300029B4 publication Critical patent/DE10300029B4/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01FMEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
    • G01F1/00Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow
    • G01F1/68Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using thermal effects
    • H10P95/00
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05DSYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D11/00Control of flow ratio
    • G05D11/02Controlling ratio of two or more flows of fluid or fluent material
    • G05D11/13Controlling ratio of two or more flows of fluid or fluent material characterised by the use of electric means
    • G05D11/131Controlling ratio of two or more flows of fluid or fluent material characterised by the use of electric means by measuring the values related to the quantity of the individual components
    • G05D11/132Controlling ratio of two or more flows of fluid or fluent material characterised by the use of electric means by measuring the values related to the quantity of the individual components by controlling the flow of the individual components
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T137/00Fluid handling
    • Y10T137/0318Processes
    • Y10T137/0324With control of flow by a condition or characteristic of a fluid
    • Y10T137/0363For producing proportionate flow
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T137/00Fluid handling
    • Y10T137/2496Self-proportioning or correlating systems
    • Y10T137/2514Self-proportioning flow systems
    • Y10T137/2521Flow comparison or differential response
    • Y10T137/2529With electrical controller
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T137/00Fluid handling
    • Y10T137/2496Self-proportioning or correlating systems
    • Y10T137/2559Self-controlled branched flow systems
    • Y10T137/265Plural outflows
    • Y10T137/2657Flow rate responsive
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T137/00Fluid handling
    • Y10T137/7722Line condition change responsive valves
    • Y10T137/7758Pilot or servo controlled
    • Y10T137/7761Electrically actuated valve
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T137/00Fluid handling
    • Y10T137/8593Systems
    • Y10T137/877With flow control means for branched passages
    • Y10T137/87877Single inlet with multiple distinctly valved outlets

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Fluid Mechanics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Flow Control (AREA)
  • Measuring Volume Flow (AREA)
  • Control Of Non-Electrical Variables (AREA)

Abstract

Ein System zur Aufteilung einer einzelnen Massenströmung schließt einen zum Empfang einer einzelnen Massenströmung ausgebildeten Einlaß (12) und zumindest zwei mit dem Einlaß verbundene Strömungsleitungen (14a, 14b) ein. Jede Strömungsleitung schließt ein Strömungsmeßgerät (18a, 18b) und ein Ventil (20a, 20b) ein. Das System schließt weiterhin ein Steuergerät (24) ein, das zum Empfang eines Soll-Strömungsverhältnisses über eine Benutzer-Schnittstelle (22), zum Empfang von die gemessenen Strömung anzeigenden Signalen von den Strömungsmeßgeräten, zur Berechnung eines Ist-Strömungsverhältnisses durch die Strömungsleitungen auf der Grundlage der gemessenen Strömungen und zum Vergleich des Ist-Verhältnisses mit dem Sollverhältnis programmiert ist. Das Steuergerät ist weiterhin so programmiert, daß es die Soll-Strömung durch zumindest eine der Strömungsleitungen berechnet, wenn das Ist-Verhältnis ungleich dem Soll-Verhältnis ist, und ein die Soll-Strömung anzeigendes Signal an zumindest eines der Ventile liefert.

Description

  • Die Erfindung bezieht sich auf ein System und ein Verfahren zur Aufteilung einer einzelnen Massemströmung auf zwei oder mehrere sekundäre Strömungen mit gewünschten Verhältnissen.
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich allgemein auf Halbleiter-Fertigungsausrüstungen und insbesondere auf Systeme, Geräte und Verfahren zur Zuführung von verunreinigungsfreien, präzise bemessenen Mengen von Prozeßgasen an Halbleiter- Bearbeitungskammern.
  • Die Herstellung von Halbleiterbauteilen erfordert in vielen Fällen die sorgfältige Synchronisierung und genau bemessene Zufuhr von bis zu einem Dutzend von Gasen zu einer Bearbeitungskammer. Verschiedene Rezepte werden bei dem Herstellungsverfahren verwendet; und es können viele getrennte Verarbeitungsschritte erforderlich sein, bei denen ein Halbleiterbauteil gereinigt, poliert, oxidiert, maskiert, geätzt, dotiert, metallisiert usw. wird. Die verwendeten Schritte, ihre spezielle Folge und die beteiligten Materialien tragen alle zur Herstellung bestimmter Bauteile bei.
  • Entsprechend sind Halbleiterscheiben-Herstellungseinrichtungen üblicherweise so organisiert, daß sie Bereiche einschließen, in denen eine Abscheidung aus der Gasphase, eine Plasmaabscheidung, ein Plasmaätzen, ein Versprühen und andere ähnliche Gas- Herstellungsverfahren ausgeführt werden. Die Bearbeitungswerkzeuge müssen unabhängig davon, ob sie Reaktoren für die Abscheidung aus der Dampfphase, Vakuum- Zerstäubungsmaschinen oder Plasmaätzeinrichtungen sind oder eine plasmabeschleunigte Abscheidung aus der Dampfphase bewirken, mit verschiedenen Prozeßgasen gespeist werden. Es müssen reine Gase den Behandlungseinrichtungen in verunreinigungsfreien, genau bemessenen Mengen zugeführt werden.
  • Bei einer typischen Halbleiterscheiben-Herstellungsanlage werden die Gase in Tanks gespeichert, die über Rohrleitungen oder Leitungen mit einem Gasverteiler verbunden sind. Der Gasverteiler liefert verunreinigungsfreie, genau bemessene Mengen von reinen inerten oder reagierenden Gasen von den Tanks der Herstellungsanlage an eine Bearbeitungsausrüstung. Der Gasverteiler oder das Gasdosiersystem schließt eine Vielzahl von Gaspfaden mit Gasdosiereinrichtungen, wie zum Beispiel Ventilen, Druckreglern und Wandlern, Massenströmungs-Steuergeräten und Filtern/Reinigungseinrichtungen ein. Jeder Gaspfad hat seinen eigenen Einlaß zur Verbindung mit getrennten Gasquellen, doch laufen alle Gaspfade zu einem einzigen Auslaß zur Verbindung mit der Prozeßausrüstung zusammen.
  • In manchen Fällen ist eine Aufteilung der kombinierten Prozeßgase in gleicher Weise auf mehrfache Prozeßkammern oder auf getrennte Teile einer einzigen Prozeßkammer erwünscht. In derartigen Fällen wird der einzige Auslaß des Gasverteilers mit sekundären Strömungspfaden verbunden. Um sicherzustellen, daß die primäre Strömung am Auslaß des Gasverteilers in gleicher Weise auf die sekundären Strömungspfade aufgeteilt wird, sind Drosselkörper in jedem der sekundären Strömungspfade angeordnet.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Massenstrom-Verhältnissystem und ein Verfahren zur Aufteilung einer einzigen Strömung in ein gewünschtes Verhältnis von zwei oder mehr Strömungen zu schaffen, das unabhängig von dem geregelten Gas oder den Gasen arbeitet und das Betriebsverhalten irgendwelcher strömungsaufwärts gelegener Massenstrom-Regel- oder Steuergeräte nicht stört.
  • Diese Aufgabe wird durch die im Anspruch 1 bzw 16 angegebenen Merkmale gelöst.
  • Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den jeweiligen Unteransprüchen.
  • Erfindungsgemäß wird ein System zur Aufteilung eines einzelnen Massenstroms in zwei oder mehrere sekundäre Massenströme mit gewünschten Verhältnissen geschaffen, das einen zum Empfang des einzigen Massenstroms ausgebildeten Einlaß und zumindest zwei sekundäre Strömungsleitungen einschließt, die mit dem Einlaß verbunden sind. Jede Strömungsleitung schließt ein Strömungsmeßgerät, das die Strömung durch die Strömungsleitung mißt und ein die gemessene Strömung anzeigendes Signal liefert, und ein Ventil ein, das die Strömung durch die Strömungsleitung auf der Grundlage des Empfangs eines die Soll-Strömungsrate anzeigenden Signals steuert.
  • Das System schließt weiterhin eine Benutzer-Schnittstelle, die zum Empfang von zumindest einem Soll-Strömungsverhältnis ausgebildet ist, und ein mit den Strömungsmeßeinrichtungen, den Ventilen und der Benutzerschnittstelle verbundenes Steuergerät ein. Das Steuergerät ist so programmiert, daß es das Soll-Strömungsverhältnis über die Benutzerschnittstelle empfängt, die gemessene Strömung anzeigenden Signale von den Strömungsmeßeinrichtungen empfängt, ein Ist-Strömungsverhältnis der Strömungen durch die Strömungsleitungen auf der Grundlage der gemessenen Strömung berechnet und das Ist-Verhältnis mit dem Soll-Verhältnis vergleicht. Das Steuergerät ist weiterhin so programmiert, daß es die Soll-Strömung durch zumindest eine der Strömungsleitungen berechnet, wenn das Ist-Verhältnis nicht gleich dem Soll-Verhältnis ist, und ein die Soll-Strömung anzeigendes Signal an zumindest eines der Ventile liefert.
  • Die vorliegende Erfindung ergibt weiterhin ein Verfahren zur Aufteilung einer einzigen Massenströmung in zwei oder mehrere sekundäre Massenströmungen mit gewünschten Verhältnissen. Das Verfahren schließt die Aufteilung einer einzelnen Massenströmung auf zumindest zwei sekundäre Strömungsleitungen, die Messung der Massenströmung durch jede der Strömungsleitungen, den Empfang von zumindest einem Soll-Verhältnis der Massenströmung und die Berechnung eines Ist-Verhältnisses der Strömung durch die Strömungsleitungen auf der Grundlage der gemessenen Strömungen ein. Wenn das Ist- Verhältnis nicht gleich dem Soll-Verhältnis ist, so schließt das Verfahren weiterhin die Berechnung einer gewünschten Strömung durch zumindest eine der Strömungsleitungen und das Regeln der Ist-Strömung in dieser Strömungsleitung auf die gewünschte Strömung ein.
  • Das System und Verfahren der vorliegenden Erfindung ergeben den Vorteil eines von dem Gas oder den Gasen, die gesteuert oder geregelt werden, unabhängigen Betriebs.
  • Zusätzlich stören das System und das Verfahren nicht das Betriebsverhalten irgendwelcher strömungsaufwärts gelegener Massenströmungs-Steuergeräte.
  • Diese und weitere Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden für den Fachmann nach dem Lesen der folgenden ausführlichen Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen weiter verständlich, die in den beigefügten Zeichnungen gezeigt sind.
  • In den Zeichnungen zeigen:
  • Fig. 1 eine schematische Darstellung eines Massenströmungs-Verhältnis-Systems, das gemäß der vorliegenden Erfindung ausgebildet ist und in einer Verbindung zwischen einem Gasdosierverteiler und zwei Prozeßkammern gezeigt ist,
  • Fig. 2 ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens zur Aufteilung der Strömung des Systems nach Fig. 1,
  • Fig. 3 und 4 graphische Darstellungen, die Massenströmungs-Verhältnis- Regelbereiche des Systems und Verfahrens nach den Fig. 1 und 2 für unterschiedliche minimale Strömungen zeigen,
  • Fig. 5 eine Tabelle, die ein Ausführungsbeispiel einer Benutzer-Schnittstellenverbindung für das System nach Fig. 1 erläutert,
  • Fig. 6 eine schematische Darstellung eines weiteren Massenströmungs-Verhältnis- Systems, das gemäß der vorliegenden Erfindung aufgebaut und in einer Verbindung zwischen einem Gasdosierverteiler und mehrfachen Abschnitten einer Prozeßkammer gezeigt ist,
  • Fig. 7 eine schematische Darstellung von zwei Strömungspfaden, die gemäß dem Stand der Technik aufgebaut und zwischen einem Gasdosierverteiler und zwei Prozeßkammern angeschlossen sind, und
  • Fig. 8 eine schematische Darstellung eines bekannten Massenströmungs-Verteilers, der zwischen einem Gasdosierverteiler und zwei Prozeßkammern angeschlossen ist.
  • Gleiche Bezugsziffern werden zur Bezeichnung identischer oder entsprechender Bauteile und Einheiten in den verschiedenen Darstellungen verwendet.
  • Gemäß den Fig. 1 und 2 ergibt die vorliegende Erfindung ein Massenströmungs- Verhältnis-System 10 und ein Verfahren 12 zur Aufteilung einer einzigen Massenströmung in zwei oder mehr Massenströmungen mit einem gewünschten oder Soll-Verhältnis. Das System 10 und Verfahren 12 sind insbesondere zur Verwendung mit Gasdosiersystemen zur Zuführung von verunreinigungsfreien, präzise dosierten Mengen von Prozeß- und Spülgasen an Halbleiter-Prozeßkammern bestimmt. Das hier offenbarte System 10 und das Verfahren 12 ergeben den Vorteil, daß sie unabhängig von dem Gas oder den Gasen arbeiten, die geregelt werden, und daß sie ohne eine Störung des Betriebsverhaltens irgendwelcher strömungsaufwärts gelegener Massenströmungs-Steuergeräte arbeiten.
  • Es wird zunächst auf Fig. 7 Bezug genommen, in der ein bekanntes System 100 zur Aufteilung einer Strömung zu Vergleichszwecken gezeigt ist. Das System 100 ist in ein Gasdosiersystem 102 eingefügt, das mehrere Gase unter Einschluß von sowohl Prozeßgasen als auch Spülgasen von Gasquellen (beispielweise Gastanks) 104a, 104b, 104c, 104d empfängt und die Gase dann präzise an zwei Prozeßkammern 106, 108 dosiert (alternativ können die Gase dosiert unterschiedlichen Injektionseinrichtungen oder unterschiedlichen Bereichen einer einzigen Prozeßkammer zugeführt werden). Das Gasdosiersystem 102 schließt einen Gasverteiler 110 mit einer Vielzahl von Gaskanalbaugruppen 112a, 112b, 112c, 112d ein (obwohl vier Gaskanalbaugruppen gezeigt sind, kann der Gasverteiler mehr oder weniger als vier einschließen).
  • Jede Gaskanalbaugruppe schließt beispielsweise ein Massenströmungs-Steuergerät (MFC) 114, ein vor dem MFC angeordnetes Ventil 116 und ein hinter dem MFC angeordnetes Ventil 118 ein. Die Gaskanalbaugruppen 112a, 112b, 112c, 112d sind getrennt mit den Gasquellen 104a, 104b, 104c, 104d verbunden und bilden steuerbare Gas-Verbindungswege, so daß eine verunreinigungsfreie, präzise dosierte Menge an Gas oder eine Kombination von Gasen, von dem Gasdosiersystem 102 an die Prozeßkammern 106, 108 geliefert werden kann. Obwohl dies nicht gezeigt ist, können die Gaskanalbaugruphen 112a, 112b, 112c, 112d auch jeweils mit anderen Bauteilen zur Überwachung oder Steuerung von Gasen versehen sein, wie zum Beispiel Filtern, Reinigungseinrichtungen und Druckwandlern oder Steuergeräten. Die Gaskanalbaugruppen 112a, 112b, 112c, 112d sind miteinander, beispielsweise über einen Auslaßkrümmer 128, verbunden, um es zu ermöglichen, daß die Gasströme von jeder Gaskanalbaugruppe gemischt werden, wenn dies erwünscht ist, bevor sie den Gasverteiler verlassen.
  • Eine Vakuumpumpe 120 ist mit den Prozeßkammern 106, 108 über Schieberventile 122, 124 verbunden. Im Betrieb saugt die Vakuumpumpe 120 Gas von den Gasquellen 104a, 104b, 104c, 104d durch das Gasdosiersystem 102 und in die Prozeßkammern 106, 108.
  • Das bekannte System 100 zur Aufteilung der Strömung auf die zumindest zwei Prozeßkammern 106, 108 schließt einen Einlaßkrümmer oder eine Leitung 126, die mit dem Auslaßkrümmer 128 des Gasverteilers 110 verbunden ist, erste und zweite Strömungsleitungen 130, 132, die sich von dem Einlaß 126 zu den Prozeßkammern 106, 108 erstrecken, und Drosseln 134 ein, die in jeder Strömungsleitung angeordnet sind. Um die Strömungsraten durch die ersten und zweiten Leitungen 130, 132 hindurch genau zu steuern, muß die kleinste Strömungs-Querschnittsfläche (beispielsweise der Durchmesser) der Drosseln 134 größer als irgendeine andere Drosselstelle in den ersten und zweiten Strömungsleitungen 130, 132 sein. Weil die Drosseln 134 zur Steuerung der Strömungsraten verwendet werden, muß der strömungsaufwärts liegende Druck (das heißt der Druck des Gaszufuhrsystems 102 vor dem Strömungs-Aufteilungssystem 100) auf einem relativ hohen Wert gehalten werden (beispielsweise 30 bis 40 PSIA). Daher ist in Fällen, in denen es vorzuziehen ist, den strömungsaufwärts gelegenen Druck aus Sicherheits- oder anderen Gründen relativ niedrig zu halten (beispielsweise 15 PSIA oder weniger), das System 100 nach dem Stand der Technik nicht genau hinsichtlich der Aufteilung und der Regelung der Strömung. Weiterhin ist es nicht möglich, die Strömungsverhältnisse zwischen den Strömungsleitungen 130, 132 zu ändern, ohne die Drosseln 134 zu wechseln, was Systemausfallzeiten hervorrufen kann.
  • In Fig. 8 ist ein vorhandenes Strömungsaufteilungssystem 210 gezeigt. Das System 210 ist mit weiteren Einzelheiten in der anhängigen US-Patentanmeldung 09/836,748 vom 17. April 2001 beschrieben, die auf den Anmelder der vorliegenden Erfindung übertragen wurde und deren Inhalt durch diese Bezugnahme hier mit aufgenommen wird. Das System 210 schließt eine Einlaßleitung oder einen Krümmer 212 zum Empfang der einzigen Gasströmung von dem Auslaßkrümmer 128 des Gasverteilers 110 und erste und zweite Strömungsleitungen 214, 216 ein, die mit dem Einlaß 212 verbunden sind. Ein Massenströmungs-Meßgerät 218 mißt die Gasströmung durch die erste Leitung 214 und liefert ein die gemessene Strömungsrate anzeigendes Signal. Eine Drossel 220 begrenzt die Gasströmung durch die erste Leitung 214 auf eine gewünschte Strömungsrate und weist eine kleinste Strömungs-Querschnittsfläche auf, die so ausgewählt ist, daß sich auf der strömungsaufwärts gelegenen Seite ein Druck ergibt, der hoch genug ist, damit das Massenströmungs-Meßgerät 218 in geeigneter Weise und unterhalb eines vorgegebenen oberen Druckgrenzwerts arbeitet. Das System weist weiterhin ein Massenströmungs- Steuergerät 222 auf, das die Gasströmung durch die zweite Leitung 216 regelt. Das Massenströmungs-Steuergerät 222 empfängt das die gemessene Strömungsrate anzeigende Signal von dem Massenströmungs-Meßgerät 218 und hält eine Strömungsrate durch die zweite Leitung 216 auf der Grundlage dieses Signals aufrecht.
  • Die kleinste Strömungs-Querschnittsfläche der Drossel 220 ist vorzugsweise derart ausgewählt, daß der vorgegebene obere Druckgrenzwert gleich ungefähr 15 PSIA ist. Zusätzlich sind das Massenströmungs-Meßgerät 218 und das Massenströmungs- Steuergerät 222 vorzugsweise für den gleichen Strömungsbereich vorgesehen. Bei dem Strömungsaufteilungssystem 210 nach Fig. 8 hält das Massenströmungs-Steuergerät 222 eine Strömungsrate durch die zweite Leitung 216 aufrecht, die im wesentlichen gleich der gemessenen Strömungsrate der ersten Leitung 214 ist. Obwohl dies nicht gezeigt ist, kann das Strömungsverteilersystem 210 mit einem Steuergerät zur proportionalen Einstellung des die gemessene Strömungsrate anzeigenden Signals von dem Massenströmungs-Meßgerät 218 versehen sein, bevor das Signal von dem Massenströmungs-Steuergerät 222 empfangen wird, derart, daß das Massenströmungs- Steuergerät 222 eine Strömungsrate durch die zweite Leitung 216 aufrecht erhält, die im wesentlichen gleich einem vorgegebenen Verhältnis zu der gemessenen Strömungsrate der ersten Leitung 214 ist. Das System 210 ist als eine modulare Einheit für eine schnelle und einfache Montage zwischen einem Gasverteiler und einer Prozeßkammer oder Prozeßkammern ausgebildet, und schließt ein Absperrventil oder eine geeignete Verbindung 250 zwischen dem Einlaßkrümmer 212 des Systems 210 und dem Auslaßkrümmer 128 des Gasverteilers 110 ein.
  • Unter erneuter Bezugnahme auf Fig. 1 ist zu erkennen, daß das hier offenbarte Massenströmungs-Verhältnissystem 10 eine Einlaßleitung oder einen Einlaßkrümmer 12 zum Empfang der einzigen Gasströmung von dem Auslaßkrümmer 128 des Gasverteilers 110 und erste und zweite Strömungsleitungen 14a, 14b einschließt, die mit dem Einlaßkrümmer 12 verbunden sind. Jede Leitung 14a, 14b ist mit einem Massenströmungs-Meßgerät 18a, 18b, das die Massenströmung durch die Leitung mißt und ein die gemessene Strömung anzeigendes Signal liefert, und einem Ventil 20a, 20b versehen, das die Strömung durch die Leitung auf der Grundlage eines eine Soll- Strömungsrate anzeigenden Signals steuert. Das Verhältnissystem 10 weist weiterhin eine Benutzer-Schnittstelle 22 zum Empfang eines Soll-Strömungsverhältnisses und ein Steuergerät 24 auf, das mit den Strömungsmeßgeräten 18a, 18b, den Ventilen 20a, 20b und der Benutzer-Schnittstelle 22 verbunden ist. Das Strömungsverhältnis "α" ist hier als die Strömung Q2 durch die zweite Leitung 14b dividiert durch die Strömung Q1 durch die erste Leitung 14a definiert.
  • Unter zusätzlicher Bezugnahme auf Fig. 2 ist zu erkennen, daß das Steuergerät 24 so programmiert ist, daß es die Soll-Strömungsrate über die Benutzer-Schnittstelle 22 empfängt, wie dies bei 30 gezeigt ist, die die gemessene Strömung anzeigenden Signale von den Strömungsmeßgeräten 18a, 18b empfängt, wie dies bei 32 gezeigt ist, ein Ist- Strömungsverhältnis der Strömungen durch die Strömungsleitungen 14a, 14b auf der Grundlage der gemessenen Strömung berechnet, wie dies bei 34 gezeigt ist, und das Ist- Verhältnis mit dem Soll-Verhältnis vergleicht, wie dies bei 36 gezeigt ist. Das Steuergerät 24 ist weiterhin so programmiert, daß es die Soll-Strömung durch zumindest eine der Strömungsleitungen 14a, 14b berechnet, wenn das Ist-Strömungsverhältnis von dem Soll- Strömungsverhältnis abweicht, wie dies bei 38 gezeigt ist, um ein "Abgleich"-Signal, das die Soll-Strömung anzeigt, an zumindest eines der Ventile 20a, 20b zu liefern, wie dies bei 40 gezeigt ist. Das Steuergerät 24 stellt damit die Strömung durch zumindest eine der Strömungsleitungen 14a, 14b solange ein; bis das Ist-Strömungsverhältnis durch die Leitungen gleich dem Soll-Verhältnis ist.
  • Bei einer bevorzugten Ausführungsform ist das Steuergerät 24 so programmiert, daß es ein "Anfangs"-Signal an das Ventil 20a der ersten Leitung 14a liefert, das eine erste gewünschte Strömung anzeigt, eine zweite Soll-Strömung berechnet, wenn das Ist- Strömungsverhältnis von dem Soll-Strömungsverhältnis abweicht, und ein "Abgleich"- Signal an das Ventil 20b der zweiten Strömungsleitung 14b liefert, das die zweite gewünschte Strömung darstellt. Das "Abgleich"-Signal wird durch die folgende Gleichung berechnet:

    Vc2 = Kpa(α - αsp) + Kia ∫(α - αsp)dt
  • Darin ist Vc2 der Befehl von dem Steuergerät 24 an das zweite Ventil 20b, Kpa ist eine Proportionalverstärkung für die Verhältnissteuerung, Kia ist eine Integralverstärkung für die Verhältnissteuerung, α ist das gemessene Strömungsverhältnis, und αsp ist der Verhältnis- Sollwert oder das Soll-Strömungsverhältnis. Auf diese Weise wirkt das Ventil 20a der ersten Leitung 14a als eine feste Öffnung, während das Ventil 20b der zweiten Leitung 14b als ein veränderbares Steuerventil wirkt. Dieses Merkmal ermöglicht es dem System 10, unabhängig von der Art des Gases oder der Gase zu arbeiten, die durch das System hindurch geregelt werden, weil Fehler in der Strömungsmessung aufgrund von unterschiedlichen Gasen für beide Strömungsmeßgeräte 18a, 18b gleich sind.
  • Vorzugsweise ist das Steuergerät 24 so programmiert, daß es bewirkt, daß sich das Ventil 20a der ersten Leitung 14a vollständig öffnet, so daß der Gesamtdruckabfall längs des Systems 10 zu einem Minimum gemacht wird.
  • Beispiele geeigneter Massenströmungs-Meßgeräte 18a; 18b zur Verwendung mit dem Verhältnissystem 10 der vorliegenden Erfindung sind Steuergeräte auf thermischer Grundlage vom Typ Mass-Flo®, die von dem Anmelder der vorliegenden Erfindung, MKS Instrument, Andover, MA (http:/ / www.mksinst.com) erhältlich sind. Geeignete Ventile 20a, 20b sind ebenfalls von dem Anmelder erhältlich. Die Ventile 20a, 20b sind nichtlinear und haben einen engen steuerbaren Bereich. Die thermischen Strömungsmeßgeräte 18a; 18b stellen jedoch den begrenzenden Faktor bei der Bestimmung eines Regelbereichs dar, der sich in dem System 10 ergibt, weil die Strömungsmeßgeräte normalerweise unterhalb von fünf Prozent des maximalen Sensorbereichs nicht zuverlässig sind (beispielsweise ist ein thermisches Strömungsmeßgerät für 2.000 sccm unterhalb von 100 sccm nicht zuverlässig). Die Fig. 3 und 4 sind graphische Darstellungen, die Verhältnis- Regelbereiche eines Systems 10 darstellen, das gemäß der vorliegenden Erfindung aufgebaut ist, und zwar auf der Grundlage des begrenzten Bereichs der thermischen Strömungsmeßgeräte. Die graphische Darstellung nach Fig. 3 gilt für eine minimale Strömungsrate ("Omin") von 100 sccm durch das System 10, während die graphische Darstellung nach Fig. 4 für eine minimale Strömungsrate von 200 sccm gilt. Beide Darstellungen beruhen auf einer Stickstoff-Strömung (N2), und schließen Kurven für drei Gaskorrekturfaktoren ("GCF") von 0,5, 1,0 und 1,4 ein.
  • Fig. 5 ist eine Tabelle, die ein Auführungsbeispiel einer Steckverbindung einer Benutzer- Schnittstelle 22 für das Strömungsverhältnis-System nach Fig. 1 zeigt. Wie dies gezeigt ist, umfaßt der Steckverbinder einen 15 Anschlußstifte aufweisenden D-Steckverbinder, und die Zuordnungen und die Beschreibung für jeden Anschlußstift sind angegeben. Obwohl dies nicht gezeigt ist, kann das Steuergerät 24 einen Mikroprozessor, einen Speicher, einen elektronischen Takt-Oscillator, einen Analog/Digital-Wandler und einen Multiplexer einschließen, um nur Beispiele zu nennen.
  • In Fig. 6 ist eine weitere Ausführungsform des Massenströmungs-Verhältnissystems 50 gezeigt. Die Systeme 10 bzw. 50 nach den Figuren nach den Fig. 1 und 6 sind ähnlich und Elemente, die gleich sind, tragen die gleichen Bezugsziffern. Das System 50 nach Fig. 6 schließt eine dritte Strömungsleitung 14c, die mit dem Einlaß 12 verbunden ist, ein Massenströmungs-Meßgerät 18c, das die Massenströmung durch die Leitung 14c mißt und ein die gemessene Strömung anzeigendes Signal liefert, und ein Ventil 20c ein, das die Strömung durch die Leitung 14c auf der Grundlage eines Signals steuert, das eine Soll-Strömungsrate anzeigt. Wie gezeigt ist, können die drei Leitungen 14a, 14b, 14c des Systems 30 mit drei Abschnitten einer einzigen Prozeßkammer 106 verbunden werden.
  • Bei der Ausführungsform nach Fig. 6 ist die Benutzer-Schnittstelle 24 vorzugsweise so ausgebildet, daß sie ein Soll-Strömungsverhältnis für die zweite und die erste Strömungsleitung 14b, 14a und ein Soll-Strömungsverhältnis für die dritte und erste Strömungsleitung 14c, 14a empfängt (das heißt "α1" = "Q2"/"Q1" und "α2" = "Q3"/"Q1"). Das Steuergerät 24 ist so programmiert, daß es ein Signal an das Ventil 20a der ersten Leitung 14a liefert, das eine erste Soll-Strömung darstellt, wodurch das Ventil 20a zu einer festen Öffnung gemacht wird. Vorzugsweise wird das Ventil 20a vollständig geöffnet. Das Steuergerät 24 empfängt dann die Soll-Strömungsverhältnisse über die Benutzer- Schnittstelle 22, empfängt die gemessene Strömung anzeigenden Signale von den Strömungsmeßgeräten 18a, 18b, berechnet ein Ist-Strömungsverhältnis für die zweiten und die ersten Strömungsleitungen 14b, 14a auf der Grundlage der gemessenen Strömungen durch die zweiten und ersten Strömungsleitungen, berechnet ein zweites Soll-Strömungsverhältnis, wenn das Ist-Verhältnis für die zweiten und ersten Strömungsleitungen ungleich dem Soll-Strömungsverhältnis für die zweiten und die ersten Strömungsleitungen ist, und liefert ein die zweite Soll-Strömung anzeigendes Signal an das Ventil 20b der zweiten Strömungsleitung 14b.
  • Das Steuergerät 24 ist weiterhin so programmiert, daß es ein Ist-Strömungsverhältnis für die dritten und ersten Strömungsleitungen 14c, 14a auf der Grundlage der gemessenen Strömungen durch die dritten und ersten Strömungsleitungen berechnet, eine dritte gewünschte Strömung berechnet, wenn das Ist-Verhältnis für die dritten und ersten Strömungsleitungen ungleich dem Soll-Verhältnis für die dritten und ersten Strömungsleitungen ist, und ein die dritte Soll-Strömung anzeigendes Signal an das Ventil 20c für die dritte Strömungsleitung. Die Ventile 20b, 20c der zweiten und dritten Leitungen 14b, 14c wirken daher als Steuerventile bezüglich des Ventils 20a der ersten Leitung 14a.
  • Obwohl dies nichtgezeigt ist, können die Massenströmungs-Verhältnissysteme 10, 30 mit mehr als drei Strömungsleitungen 14 versehen sein, wobei jede zusätzliche Strömungsleitung ein Ventil 20 und ein Strömungsmeßgerät 18 aufweist, die mit dem Steuergerät 24 verbunden sind. Zusätzlich kann vorgesehen werden, daß ein Massenströmungs-Steuergerät als Massenströmungs-Meßgerät und das Ventil jeder Leitung verwendet wird. Obwohl dies nicht gezeigt ist, ist vorgesehen, daß die beschriebenen Verhältnissysteme 10, 30 in Form einer modularen Einheit für eine schnelle und einfache Einfügung zwischen einem Gasverteiler und einer Prozeßkammer oder Prozeßkammern ausgebildet sein können. In einem derartigen Fall könnte ein Abschaltventil oder eine geeignete Steckverbindung 50 zwischen dem Einlaßkrümmer 12 der Verhältnissysteme 10, 30 und dem Auslaßkrümmer 128 des Gasverteilers 110 vorgesehen sein, wie dies in den Fig. 1 und 5 gezeigt ist.
  • Ausführungsformen eines Systems und eines Verfahrens zur Unterteilung der Strömung gemäß der vorliegenden Erfindung können einen Drucksensor für den Einlaß 12 und/oder die Auslässe des Systems 10 einschließen. Die von dem Drucksensor oder den Drucksensoren gelieferte Einlaßdruck- und/oder Auslaßdruck-Messung wird von dem Steuergerät 24 dazu verwendet, nicht nur das Verhältnis "α" der Strömungen zu regeln, sondern auch den Einlaßdruck und/oder die Auslaßdrücke zu regeln.
  • Die Hinzufügung eines Drucksteuermerkmals hat eine Anzahl von zusätzlichen Vorteilen, unter Einschluß einer Verbesserung des Betriebsverhaltens des Systems 10 und der Verringerung von Störungen der Bauteile, die strömungsaufwärts oder strömungsabwärts von dem System 10 liegen. Dadurch, daß das System 10 mit den maximal zulässigen Drücken betrieben wird, kann die Notwendigkeit von Sicherheitsfaktoren in dem Verhältnissteuersystem beseitigt oder verringert werden. Zusätzlich verbessert die Steuerung des Druckabfalls längs der Ventile 20a, 20b das Ventil-Betriebsverhalten und vereinfacht die Ventileinstellung, die Ventilanpassung und die Ventilabstimmung. Die vorliegende Erfindung soll daher ein System und ein Verfahren zur Aufteilung der Strömung mit irgendwelchen zusätzlichen Drucksteuermerkmalen einschließen. Beispielsweise soll die vorliegende Beschreibung ein Strömungsaufteilungssystem 10, zusammen mit einem Drucksensor oder Drucksensoren in den Einlässen und/oder den Auslässen des Systems einschließen. Die vorliegende Erfindung soll weiterhin ein Verfahren 12 zur Aufteilung einer Strömung, einschließlich der Messung des Druckes oder der Drücke in den Einlässen und/oder Auslässen einschließen. Im Ergebnis soll die vorliegende Erfindung irgendwelche Steuer- und Regelverfahren unter Verwendung von Druckmessungen für das beanspruchte Strömungsaufteilungs-System und -Verfahren einschließen.
  • Das folgende Beispiel wird anhand der Fig. 1 erläutert. Unter der Annahme der Hinzufügung eines (nicht gezeigten) Drucksensors am Einlaß 12 des Massenströmungs- Verhältnissystems 10 ist das Steuergerät 24 so programmiert, daß es drei Eingangssignale empfängt: die Strömung "Q2" durch die zweite Leitung 14b; die Strömung "Q1" durch die erste Leitung 14a; und einen gemessenen Druck "Pin", am Einlaß 12, wie er von dem Drucksensor geliefert wird. Das Steuergerät 24 ist so programmiert, daß es Befehle an sowohl das erste als auch das zweite Ventil 20a, 20b dynamisch abgibt, statt daß lediglich ein Ventil zu einer Zeit gesteuert wird. Hinsichtlich der Verhältnissteuerung ist jedoch das "feste Ventil" zumeist offen, während das Verhältnis durch die Steuerung des anderen Ventils zwischen 10% und 50% eines Steuerbereiches des Ventils gesteuert wird. Bei der Hinzufügung des Drucksignals wird das feste Ventil so eingestellt, daß es den Einlaßdruck steuert, und das andere Ventil wird zur Steuerung des Strömungsverhältnisses verwendet. Ein Beispiel einer Einlaßdruck-Steuerung könnte wie folgt geschrieben werden:

    Vc1 = Kpa(α - αsp) + Kia ∫(α - αsp)dt

    Vc2 = Kpp(Pin - Pt) + Kip (Pin - Pt)dt

    worin Vc1 der Beifehl von dem Steuergerät 24 an das erste Ventil 20a und Vc2 der Befehl an das zweite Ventil 20b ist, Kpp die Proportionalverstärkung für die Drucksteuerung ist, Kip die integralverstärkung für die Drucksteuerung ist, Kpa eine Proportionalverstärkung für die Verhältnissteuerung ist, Kia eine Integralverstärkung für die Verhältnissteuerung ist, α das gemessene Strömungsverhältnis ist, αasp der Verhältnis-Sollwert oder das Soll- Strömungsverhältnis ist, Pin der gemessene Einlaßdruck ist und Pt ein Betriebsdruck- Schwellwert (oder ein Soll-Druck) ist.
  • Obwohl das Regelsystem und Verfahren als ein Proportional-plus-Integral- (PI)- Regelsystem und -Verfahren beschrieben wird, ist es verständlich, daß andere Arten von Regelsystemen und Verfahren verwendet werden können, wie zum Beispiel Proportional-, Integral-, Proportional-plus-Differential- (PD)- und Proportional-plus-Integralplus- Differential-(PID)-Typen von Regelsystemen und -Verfahren.
  • Obwohl spezielle Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung erläutert und beschrieben wurden, ist es verständlich, daß vielfältige Änderungen und Modifikationen für den Fachmann naheliegend sind. Entsprechend ist vorgesehen, daß die beigefügten Ansprüche alle diese Änderungen und Modifikationen abdecken können, die dem Schutzumfang der Ansprüche entsprechen.

Claims (30)

1. System zur Aufteilung einer einzelnen Massenströmung in zwei oder mehrere sekundäre Strömungen mit gewünschten Verhältnissen, mit:
A) einem Einlaß (12), der zum Empfang der einzelnen Massenströmung ausgebildet ist;
B) zumindest zwei sekundären Strömungsleitungen (14a, 14b), die mit dem Einlaß (12) verbunden sind, wobei jede Strömungsleitung folgendes einschließt:
ein Strömungsmeßgerät (18a, 18b), das die Strömung durch die Strömungsleitung (14a, 14b) mißt, und ein die gemessene Strömung anzeigendes Signal liefert, und
ein Ventil (20a, 20b), das die Strömung durch die Strömungsleitung in Abhängigkeit von einem eine Soll-Strömungsrate anzeigenden Signal steuert;
C) eine Benutzer-Schnittstelle (22); die zum Empfang von zumindest einem Soll- Strömungsverhältnis ausgebildet ist; und
D) ein Steuergerät (24), das mit den Strömungsmeßgeräten (18a, 18b), den Ventilen (20a, 20b) und der Benutzer-Schnittstelle (22) verbunden ist und so programmiert ist, daß es
das Soll-Strömungsverhältnis über die Benutzer-Schnittstelle (22) empfängt, die die gemessene Strömung anzeigenden Signale von den Strömungsmeßgeräten (18a, 18b) empfängt,
das Ist-Strömungsverhältnis der Strömungen durch die Strömungsleitungen (14a, 14b) auf der Grundlage der gemessenen Strömung berechnet, das Ist-Verhältnis mit dem Soll-Verhältnis vergleicht,
die gewünschte Strömung durch zumindest eine der Strömungsleitungen (14a, 14b) berechnet, wenn das Ist-Verhältnis ungleich dem Soll-Verhältnis ist, und ein die gewünschte Strömung anzeigendes Signal an zumindest eines der Ventile (20a, 20b) liefert.
2. System nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Strömungsmeßgeräte (18a, 18b) thermische Strömungsmeßgeräte sind.
3. System nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Strömungsleitungen erste und zweite Strömungsleitungen (14a, 14b) umfassen, und daß das Steuergerät (24) so programmiert ist, daß es:
ein eine erste Soll-Strömung anzeigendes Signal an das Ventil (20a) der ersten Strömungsleitung (14a) liefert,
eine zweite Soll-Strömung berechnet, wenn das Ist-Verhältnis ungleich dem Soll- Verhältnis ist, und
ein Signal an das Ventil (20b) der zweiten Strömungsleitung (14b) liefert, das die zweite Soll-Strömung anzeigt.
4. System nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Soll-Strömung bewirkt, daß das Ventil (20a) der ersten Leitung (14a) vollständig geöffnet wird.
5. System nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Strömungsverhältnis gleich der Strömung durch die zweite Strömungsleitung (14a) dividiert durch die Strömung durch die erste Strömungsleitung (14b) ist.
6. System nach Anspruch 5 dadurch gekennzeichnet, daß ein zulässiger Bereich für das Soll-Strömungsverhältnis zwischen ungefähr 1 und ungefähr 10 liegt.
7. System nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Strömungsleitungen erste, zweite und dritte Strömungsleitungen (14a, 14b, 14c) umfassen,
daß die Benutzer-Schnittstelle (22) zum Empfang eines Soll-Strömungsverhältnisses für die zweiten und ersten Strömungsleitungen (14b, 14a) und ein gewünschtes Strömungsverhältnis für die dritten und ersten Strömungsleitungen (14c, 14a) ausgebildet ist; und
das Steuergerät (24) so programmiert ist, daß es:
ein eine erste Soll-Strömung anzeigendes Signal an das erste Ventil (20a) liefert,
die Soll-Strömungsverhältnisse über die Benutzer-Schnittstelle (22) empfängt,
die die gemessene Strömung anzeigenden Signale von den Strömungsmeßgeräten (18a, 18b, 18c) empfängt,
ein Ist-Strömungsverhältnis für die zweiten und die ersten Leitungen (14b, 14a)auf der Grundlage der gemessenen Strömungen durch die zweiten und ersten Strömungsleitungen (14b, 14a) berechnet,
eine zweite Soll-Strömung berechnet, wenn das ist-Verhältnis für die zweiten und ersten Strömungsleitungen (14b, 14a) ungleich dem Soll-Verhältnis für die zweiten und ersten Strömungsleitungen (14b, 14a) ist,
ein Signal an das Ventil (20b) der zweiten Strömungsleitung (14b) liefert, das eine zweite Soll-Strömung anzeigt,
ein Ist-Strömungsverhältnis für die dritten und ersten Strömungsleitungen (14c, 14a) auf der Grundlage der gemessenen Strömungen durch die dritten und ersten Strömungsleitungen (14c, 14a) berechnet,
eine dritte Soll-Strömung berechnet, wenn das ist-Verhältnis für die dritten und ersten Strömungsleitungen (14c, 14a) ungleich dem gewünschten Verhältnis für die dritten und ersten Strömungsleitungen (14c, 14a) ist,
ein Signal an das Ventil (20c) der dritten Strömungsleitung (14c) liefert, das die dritte gewünschte Strömung darstellt.
8. System nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Soll-Strömung ein vollständiges Öffnen des Ventils (20a) der ersten Leitung (14a) hervorruft.
9. System nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß das erste Strömungsverhältnis gleich der Strömung durch die zweite Strömungsleitung (14b) dividiert durch die Strömung durch die erste Strömungsleitung (14a) ist, und daß das zweite Strömungsverhältnis gleich der Strömung durch die dritte Strömungsleitung (14c) dividiert durch die Strömung durch die erste Strömungsleitung (14a) ist.
10. System nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß ein zulässiger Bereich für jedes Soll-Strömungsverhältnis zwischen ungefähr 1 und ungefähr 10 liegt.
11. System nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Soll-Strömung im wesentlichen chleich Kp(α - αsp) + Ki ∫(α - αsp)dt ist, worin Kp eine Proportionalverstärkung, Ki eine Integralverstärkung, α das Ist-Strömungsverhältnis und αsp das Soll- Strömungsverhältnis ist.
12. System nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es einen Drucksensor umfaßt, der den Druck in einer der Einlaß- (12) und sekundären Strömungsleitungen (14a, 14b, 14c) mißt und mit dem Steuergerät (24) verbunden ist, um die Druckmessung an das Steuergerät zu liefern.
13. System nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß der Drucksensor den Druck in dem Einlaß (12) mißt.
14. System nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß das Steuergerät (24) so programmiert ist, daß es ein die Soll-Strömung anzeigendes Signal an das Ventil (20a) der ersten Strömungsleitung (14a) im wesentlichen gleich Kp α (α - αsp) + Ki α ∫(α - αsp)dt liefert, worin Kp eine Proportionalverstärkung für die Verhältnissteuerung, Ki eine Integralverstärkung für die Verhältnissteuerung, α das Ist-Strömungsverhältnis und αsp das Soll-Strömungsverhältnis ist.
15. System nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß das Steuergerät so programmiert ist, daß es ein die Soll-Strömung anzeigendes Signal an das Ventil (20b) der zweiten Strömungsleitung (14b) im wesentlichen gleich Kp(Pin - Pt) + Ki(Pin - Pt)dt liefert, worin Kp eine Proportionalverstärkung für die Druckregelung, Ki eine Integralverstärkung für die Druckregelung, Pin der gemessene Einlaßdruck und Pt ein Betriebsdruck-Schwellenwert ist.
16. Verfahren zur Aufteilung einer einzigen Massenströmung auf zwei oder mehr sekundäre Massenströmungen mit gewünschten Verhältnissen, mit den folgenden Schritten:
A) Aufteilung einer einzigen Massenströmung auf zumindest zwei Strömungsleitungen,
B) Messen der Massenströmung durch jede Strömungsleitung,
C) Empfangen von zumindest einem Soll-Verhältnis der Massenströmung,
D) Berechnen eines Ist-Verhältnisses der Massenströmung durch die Strömungsleitungen auf der Grundlage der gemessenen Strömungen,
E) Berechnen einer Soll-Strömung durch zumindest eine der Strömungsleitungen, wenn das Ist-Verhältnis nicht gleich dem Soll-Verhältnis ist; und
F) Regeln der Strömungsleitung auf die gewünschte Strömung.
17. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß
die einzelne Massenströmung auf erste und zweite Strömungsleitungen aufgeteilt wird,
die erste Strömungsleitung auf eine erste Soll-Strömung geregelt wird,
eine zweite Soll-Strömung unter Verwendung des Soll-Verhältnisses und der ersten Sollströmung berechnet wird, wenn das Ist-Verhältnis ungleich dem Soll-Verhältnis ist, und
die zweite Strömungsleitung auf die zweite Soll-Strömung geregelt wird.
18. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Soll-Strömung bewirkt, daß die erste Leitung vollständig geöffnet wird.
19. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß das Strömungsverhältnis gleich der Strömung durch die zweite Strömungsleitung dividiert durch die Strömung durch die erste Strömungsleitung ist.
20. Verfahren nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, daß ein zulässiger Bereich für das Soll-Strömungsverhältnis zwischen ungefähr 1 und ungefähr 10 liegt.
21. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß
die einzelne Massenströmung auf erste, zweite und dritte Strömungsleitungen aufgeteilt wird,
erste und zweite Soll-Verhältnisse der Massenströmung empfangen werden, die erste Strömungsleitung auf eine erste Soll-Strömung geregelt wird,
eine zweite Soll-Strömung unter Verwendung des ersten Soll-Verhältnisses und der ersten Soll-Strömung berechnet wird, wenn das Ist-Verhältnis der ersten und zweiten Strömungsleitungen ungleich dem ersten Soll-Verhältnis ist,
die zweite Strömungsleitung auf die zweite Soll-Strömung geregelt wird,
eine dritte. Soll-Strömung unter Verwendung des zweiten Soll-Verhältnisses und der ersten Soll-Strömung berechnet wird, wenn das Ist-Verhältnis der ersten und dritten Strömungsleitungen ungleich dem zweiten Soll-Verhältnis ist, und
die dritte Strömungsleitung auf die dritte Soll-Strömung geregelt wird.
22. Verfahren nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Sollströmung bewirkt, daß die erste Leitung vollständig offen ist.
23. Verfahren nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, daß die Verhältnisse der Strömung der ersten und zweiten Strömungsleitungen gleich der Strömung durch die zweite Strömungsleitung dividiert durch die Strömung durch die erste Strömungsleitung sind, und daß die Verhältnisse der Strömung der ersten und dritten Strömungsleitungen gleich der Strömung durch die dritte Strömungsleitung dividiert durch die Strömung durch die erste Strömungsleitung sind.
24. Verfahren nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, daß ein zulässiger Bereich für jedes der Soll-Strömungsverhältnisse zwischen ungefähr 1 und ungefähr 10 liegt.
25. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß die Massenströmungen unter Verwendung von thermischen Strömungsmeßgeräten gemessen werden.
26. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß die Soll-Strömung im wesentlichen gleich Kp(α - αsp) + Ki∫(α - αsp)dt ist, worin Kp eine Proportionalverstärkung, Ki eine Integralverstärkung, α das Ist-Strömungsverhältnis und αsp, das Soll- Strömungsverhältnis ist.
27. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß es weiterhin die Messung des Druckes in einer der Einlaß- und der Sekundär-Strömungsleitungen umfaßt.
28. Verfahren nach Anspruch 27, dadurch gekennzeichnet, daß der Druck in dem Einlaß gemessen wird.
29. Verfahren nach Anspruch 28, dadurch gekennzeichnet, daß die Soll- Strömung in einer der Strömungsleitungen im wesentlichen gleich Kp α(α - αsp) + Kia ∫(α - αsp)dt liefert, worin Kp eine Proportionalverstärkung für die Verhältnisregelung ist, Ki eine Integralverstärkung für die Verhältnisregelung ist, α das Ist-Strömungsverhältnis ist und αsp das Soll-Strömungsverhältnis ist.
30. Verfahren nach Anspruch 28, dadurch gekennzeichnet, daß die Soll-Strömung in einer der Strömungsleitungen im wesentlichen gleich Kp(Pin - Pt) + Ki (Pin - Pt)dt ist, worin Kp eine Proportionalverstärkung für die Druckregelung, Ki eine Integralverstärkung für die Druckregelung ist, Pin der gemessene Einlaßdruck ist, und Pt ein Betriebsdruck- Schwellenwert ist.
DE10300029.1A 2002-01-04 2003-01-03 Massenstrom-Verhältnis-System und -Verfahren Expired - Fee Related DE10300029B4 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/037,882 US6766260B2 (en) 2002-01-04 2002-01-04 Mass flow ratio system and method
US10/037882 2002-01-04

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE10300029A1 true DE10300029A1 (de) 2003-07-24
DE10300029B4 DE10300029B4 (de) 2021-10-14

Family

ID=21896866

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10300029.1A Expired - Fee Related DE10300029B4 (de) 2002-01-04 2003-01-03 Massenstrom-Verhältnis-System und -Verfahren

Country Status (6)

Country Link
US (2) US6766260B2 (de)
JP (1) JP2003263230A (de)
KR (1) KR100944962B1 (de)
DE (1) DE10300029B4 (de)
GB (1) GB2385680B (de)
TW (1) TWI259342B (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI420568B (zh) * 2006-12-12 2013-12-21 Horiba Stec Co 流量比率控制裝置
DE112007000926B4 (de) 2006-04-14 2020-06-18 Mks Instruments, Inc. Mehrkanal-Durchflussverhältnissteuerung bzw. Regelung

Families Citing this family (423)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100403198C (zh) 2001-05-24 2008-07-16 迅捷公司 流体流量控制器和定比率控制流体流量的方法和装置
US6766260B2 (en) * 2002-01-04 2004-07-20 Mks Instruments, Inc. Mass flow ratio system and method
US7169231B2 (en) * 2002-12-13 2007-01-30 Lam Research Corporation Gas distribution system with tuning gas
US7195026B2 (en) * 2002-12-27 2007-03-27 American Air Liquide, Inc. Micro electromechanical systems for delivering high purity fluids in a chemical delivery system
JP4552399B2 (ja) * 2003-08-07 2010-09-29 トヨタ自動車株式会社 複数タンクからなるタンクシステムおよびその制御方法
US20050075685A1 (en) * 2003-10-02 2005-04-07 Forsberg John W. Medical device programmer with infrared communication
US20050150552A1 (en) * 2004-01-06 2005-07-14 Randy Forshey Device, method, and system for controlling fluid flow
US8037896B2 (en) 2004-03-09 2011-10-18 Mks Instruments, Inc. Pressure regulation in remote zones
US7072743B2 (en) * 2004-03-09 2006-07-04 Mks Instruments, Inc. Semiconductor manufacturing gas flow divider system and method
US7216019B2 (en) * 2004-07-08 2007-05-08 Celerity, Inc. Method and system for a mass flow controller with reduced pressure sensitivity
US7673645B2 (en) * 2005-04-21 2010-03-09 Mks Instruments, Inc. Gas delivery method and system including a flow ratio controller using a multiple antisymmetric optimal control arrangement
US7621290B2 (en) * 2005-04-21 2009-11-24 Mks Instruments, Inc. Gas delivery method and system including a flow ratio controller using antisymmetric optimal control
US7394639B2 (en) * 2005-07-08 2008-07-01 Advanced Energy Industries, Inc. System and method for driving an industrial control device
US20090112370A1 (en) * 2005-07-21 2009-04-30 Asm Japan K.K. Vacuum system and method for operating the same
JP4017648B2 (ja) * 2006-01-23 2007-12-05 シャープ株式会社 プラズマ処理装置および同装置により製造された半導体素子
US20070204914A1 (en) * 2006-03-01 2007-09-06 Asahi Organic Chemicals Industry Co., Ltd. Fluid mixing system
US20070204912A1 (en) * 2006-03-01 2007-09-06 Asahi Organic Chemicals Industry Co., Ltd. Fluid mixing system
JP4765746B2 (ja) * 2006-04-17 2011-09-07 日立金属株式会社 遮断弁装置及びこれを組み込んだ質量流量制御装置
US20070288125A1 (en) * 2006-06-09 2007-12-13 Mks Instruments, Inc. Power Over Ethernet (Poe) - Based Measurement System
US9405298B2 (en) * 2006-11-20 2016-08-02 Applied Materials, Inc. System and method to divide fluid flow in a predetermined ratio
US7706925B2 (en) * 2007-01-10 2010-04-27 Mks Instruments, Inc. Integrated pressure and flow ratio control system
DE112008000331T5 (de) * 2007-01-30 2010-02-11 Bradley University, Peoria Wärmeübertragungsvorrichtung und Verfahren
JP4585035B2 (ja) * 2007-12-27 2010-11-24 株式会社堀場エステック 流量比率制御装置
US20090178714A1 (en) 2008-01-14 2009-07-16 Tokyo Electron Limited Flow control system and method for multizone gas distribution
EP2706425B1 (de) * 2008-06-26 2020-09-23 Belparts Flusssteuerungssystem
ES2379698T3 (es) * 2008-08-13 2012-04-30 Shell Internationale Research Maatschappij B.V. Método para controlar un caudal de gas entre una pluralidad de flujos de gases
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US8195312B2 (en) * 2009-08-27 2012-06-05 Hitachi Metals, Ltd Multi-mode control loop with improved performance for mass flow controller
US8783027B2 (en) * 2009-09-18 2014-07-22 Siemens Energy, Inc. Pressure regulation circuit for turbine generators
US9127361B2 (en) * 2009-12-07 2015-09-08 Mks Instruments, Inc. Methods of and apparatus for controlling pressure in multiple zones of a process tool
US20110265883A1 (en) * 2010-04-30 2011-11-03 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for reducing flow splitting errors using orifice ratio conductance control
US20110265951A1 (en) * 2010-04-30 2011-11-03 Applied Materials, Inc. Twin chamber processing system
JP5562712B2 (ja) * 2010-04-30 2014-07-30 東京エレクトロン株式会社 半導体製造装置用のガス供給装置
JP5696931B2 (ja) * 2010-08-06 2015-04-08 日立金属株式会社 分流制御装置
US8997686B2 (en) * 2010-09-29 2015-04-07 Mks Instruments, Inc. System for and method of fast pulse gas delivery
US9348339B2 (en) 2010-09-29 2016-05-24 Mks Instruments, Inc. Method and apparatus for multiple-channel pulse gas delivery system
US10353408B2 (en) 2011-02-25 2019-07-16 Mks Instruments, Inc. System for and method of fast pulse gas delivery
US10031531B2 (en) 2011-02-25 2018-07-24 Mks Instruments, Inc. System for and method of multiple channel fast pulse gas delivery
US10126760B2 (en) * 2011-02-25 2018-11-13 Mks Instruments, Inc. System for and method of fast pulse gas delivery
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10364496B2 (en) * 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US8849466B2 (en) 2011-10-04 2014-09-30 Mks Instruments, Inc. Method of and apparatus for multiple channel flow ratio controller system
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
JP5754853B2 (ja) * 2012-01-30 2015-07-29 株式会社フジキン 半導体製造装置のガス分流供給装置
DE102012003278A1 (de) * 2012-02-20 2013-08-22 Bürkert Werke GmbH Gasmischer
US20130255784A1 (en) * 2012-03-30 2013-10-03 Applied Materials, Inc. Gas delivery systems and methods of use thereof
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
KR102064552B1 (ko) * 2013-03-26 2020-01-10 삼성전자주식회사 기판 처리 장치
CN104241164A (zh) * 2013-06-14 2014-12-24 家登精密工业股份有限公司 一种晶圆/光罩密封式载具的充气净化系统
US10114389B2 (en) * 2013-06-28 2018-10-30 Applied Materials, Inc. Method and system for controlling a flow ratio controller using feedback
US10108205B2 (en) * 2013-06-28 2018-10-23 Applied Materials, Inc. Method and system for controlling a flow ratio controller using feed-forward adjustment
JP6193679B2 (ja) * 2013-08-30 2017-09-06 株式会社フジキン ガス分流供給装置及びガス分流供給方法
US9335768B2 (en) * 2013-09-12 2016-05-10 Lam Research Corporation Cluster mass flow devices and multi-line mass flow devices incorporating the same
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
GB2520750A (en) * 2013-11-29 2015-06-03 System Sentinels Ltd Detector
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
WO2015138073A1 (en) * 2014-03-13 2015-09-17 Mks Instruments, Inc. System for and method of fast pulse gas delivery
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US10658222B2 (en) 2015-01-16 2020-05-19 Lam Research Corporation Moveable edge coupling ring for edge process control during semiconductor wafer processing
DE102015100762A1 (de) * 2015-01-20 2016-07-21 Infineon Technologies Ag Behälterschalteinrichtung und Verfahren zum Überwachen einer Fluidrate
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US9933792B2 (en) * 2015-03-23 2018-04-03 Lancer Corporation Method and apparatus for flow regulation
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
US10957561B2 (en) * 2015-07-30 2021-03-23 Lam Research Corporation Gas delivery system
SG11201802438WA (en) 2015-08-26 2018-04-27 Fujikin Kk Flow dividing system
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10651015B2 (en) 2016-02-12 2020-05-12 Lam Research Corporation Variable depth edge ring for etch uniformity control
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10684159B2 (en) * 2016-06-27 2020-06-16 Applied Materials, Inc. Methods, systems, and apparatus for mass flow verification based on choked flow
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102354490B1 (ko) 2016-07-27 2022-01-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
FR3056314B1 (fr) * 2016-09-21 2018-09-07 L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude Procede et appareil de regulation de plusieurs fluides
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR102762543B1 (ko) 2016-12-14 2025-02-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
TWI815813B (zh) 2017-08-04 2023-09-21 荷蘭商Asm智慧財產控股公司 用於分配反應腔內氣體的噴頭總成
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10656662B2 (en) * 2017-09-15 2020-05-19 Kabushiki Kaisha Toshiba Variable pressure device and actuator
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
CN118380375A (zh) 2017-11-21 2024-07-23 朗姆研究公司 底部边缘环和中部边缘环
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
TWI779134B (zh) 2017-11-27 2022-10-01 荷蘭商Asm智慧財產控股私人有限公司 用於儲存晶圓匣的儲存裝置及批爐總成
JP7206265B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-17 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI852426B (zh) 2018-01-19 2024-08-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 沈積方法
WO2019142055A2 (en) 2018-01-19 2019-07-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
WO2019158960A1 (en) 2018-02-14 2019-08-22 Asm Ip Holding B.V. A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR102600229B1 (ko) 2018-04-09 2023-11-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
US12272527B2 (en) 2018-05-09 2025-04-08 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
JP7044629B2 (ja) * 2018-05-18 2022-03-30 株式会社堀場エステック 流体制御装置、及び、流量比率制御装置
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
JP7068062B2 (ja) * 2018-06-18 2022-05-16 株式会社堀場製作所 流体制御装置、及び、流量比率制御装置
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
CN112292477A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
JP7674105B2 (ja) 2018-06-27 2025-05-09 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
CN111052344B (zh) 2018-08-13 2024-04-02 朗姆研究公司 边缘环组件
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344B (zh) 2018-10-01 2024-10-25 Asmip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US12378665B2 (en) 2018-10-26 2025-08-05 Asm Ip Holding B.V. High temperature coatings for a preclean and etch apparatus and related methods
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR102748291B1 (ko) 2018-11-02 2024-12-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI866480B (zh) 2019-01-17 2024-12-11 荷蘭商Asm Ip 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR102727227B1 (ko) 2019-01-22 2024-11-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
JP7603377B2 (ja) 2019-02-20 2024-12-20 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
JP7509548B2 (ja) 2019-02-20 2024-07-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR102858005B1 (ko) 2019-03-08 2025-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR102782593B1 (ko) 2019-03-08 2025-03-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR102809999B1 (ko) 2019-04-01 2025-05-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR102869364B1 (ko) 2019-05-07 2025-10-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP7598201B2 (ja) 2019-05-16 2024-12-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP7612342B2 (ja) 2019-05-16 2025-01-14 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
US12252785B2 (en) 2019-06-10 2025-03-18 Asm Ip Holding B.V. Method for cleaning quartz epitaxial chambers
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR102911421B1 (ko) 2019-07-03 2026-01-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR102895115B1 (ko) 2019-07-16 2025-12-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102860110B1 (ko) 2019-07-17 2025-09-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
KR102903090B1 (ko) 2019-07-19 2025-12-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
CN112309843B (zh) 2019-07-29 2026-01-23 Asmip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899B (zh) 2019-07-30 2025-11-14 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
US12169361B2 (en) 2019-07-30 2024-12-17 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
CN112309900B (zh) 2019-07-30 2025-11-04 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN118422165A (zh) 2019-08-05 2024-08-02 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
CN112342526A (zh) 2019-08-09 2021-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 包括冷却装置的加热器组件及其使用方法
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
US11639548B2 (en) 2019-08-21 2023-05-02 Asm Ip Holding B.V. Film-forming material mixed-gas forming device and film forming device
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR102868968B1 (ko) 2019-09-03 2025-10-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 칼코지나이드 막 및 상기 막을 포함한 구조체를 증착하기 위한 방법 및 장치
KR102806450B1 (ko) 2019-09-04 2025-05-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR102733104B1 (ko) 2019-09-05 2024-11-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US12469693B2 (en) 2019-09-17 2025-11-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a carbon-containing layer and structure including the layer
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202128273A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氣體注入系統、及將材料沉積於反應室內之基板表面上的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理裝置
KR102879443B1 (ko) 2019-10-10 2025-11-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11320843B2 (en) * 2019-10-17 2022-05-03 Dongguan Hesheng Machinery & Electric Co., Ltd. Air compression system with pressure detection
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR102845724B1 (ko) 2019-10-21 2025-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR102890638B1 (ko) 2019-11-05 2025-11-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR102861314B1 (ko) 2019-11-20 2025-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697B (zh) 2019-11-26 2025-07-29 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN120998766A (zh) 2019-11-29 2025-11-21 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693B (zh) 2019-11-29 2025-06-10 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11885013B2 (en) 2019-12-17 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
TWI901623B (zh) 2020-01-06 2025-10-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
TWI887322B (zh) 2020-01-06 2025-06-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 反應器系統、抬升銷、及處理方法
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102882467B1 (ko) 2020-01-16 2025-11-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고 종횡비 피처를 형성하는 방법
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TWI889744B (zh) 2020-01-29 2025-07-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 污染物捕集系統、及擋板堆疊
TW202513845A (zh) 2020-02-03 2025-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 半導體裝置結構及其形成方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
CN113257655A (zh) 2020-02-13 2021-08-13 Asm Ip私人控股有限公司 包括光接收装置的基板处理设备和光接收装置的校准方法
KR20210103953A (ko) 2020-02-13 2021-08-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 분배 어셈블리 및 이를 사용하는 방법
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
US11187561B2 (en) * 2020-02-25 2021-11-30 Mks Instruments, Inc. Methods and apparatus for pressure based mass flow ratio control
TWI895326B (zh) 2020-02-28 2025-09-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 專用於零件清潔的系統
TW202139347A (zh) 2020-03-04 2021-10-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 反應器系統、對準夾具、及對準方法
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
US12173404B2 (en) 2020-03-17 2024-12-24 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method
JP7466686B2 (ja) 2020-03-23 2024-04-12 ラム リサーチ コーポレーション 基板処理システムにおける中間リング腐食補償
KR102755229B1 (ko) 2020-04-02 2025-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TWI887376B (zh) 2020-04-03 2025-06-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 半導體裝置的製造方法
TWI888525B (zh) 2020-04-08 2025-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR102901748B1 (ko) 2020-04-21 2025-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 방법
KR102866804B1 (ko) 2020-04-24 2025-09-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
TW202208671A (zh) 2020-04-24 2022-03-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成包括硼化釩及磷化釩層的結構之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TWI887400B (zh) 2020-04-24 2025-06-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於穩定釩化合物之方法及設備
KR20210132576A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조
KR102783898B1 (ko) 2020-04-29 2025-03-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
JP7726664B2 (ja) 2020-05-04 2025-08-20 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板を処理するための基板処理システム
JP7736446B2 (ja) 2020-05-07 2025-09-09 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同調回路を備える反応器システム
KR102788543B1 (ko) 2020-05-13 2025-03-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR102905441B1 (ko) 2020-05-19 2025-12-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102795476B1 (ko) 2020-05-21 2025-04-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR20210145079A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 플랜지 및 장치
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202212650A (zh) 2020-05-26 2022-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 沉積含硼及鎵的矽鍺層之方法
TWI876048B (zh) 2020-05-29 2025-03-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
KR20210156219A (ko) 2020-06-16 2021-12-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 붕소를 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법
CN113838794B (zh) 2020-06-24 2024-09-27 Asmip私人控股有限公司 用于形成设置有硅的层的方法
TWI873359B (zh) 2020-06-30 2025-02-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TWI896694B (zh) 2020-07-01 2025-09-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 沉積方法、半導體結構、及沉積系統
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TWI878570B (zh) 2020-07-20 2025-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
KR20220011092A (ko) 2020-07-20 2022-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전이 금속층을 포함하는 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US12322591B2 (en) 2020-07-27 2025-06-03 Asm Ip Holding B.V. Thin film deposition process
KR20220020210A (ko) 2020-08-11 2022-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 티타늄 알루미늄 카바이드 막 구조체 및 관련 반도체 구조체를 증착하는 방법
TWI893183B (zh) 2020-08-14 2025-08-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材處理方法
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220026500A (ko) 2020-08-25 2022-03-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면을 세정하는 방법
KR102855073B1 (ko) 2020-08-26 2025-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
KR20220027772A (ko) 2020-08-27 2022-03-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다중 패터닝 공정을 사용하여 패터닝된 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템
KR20220033997A (ko) 2020-09-10 2022-03-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 갭 충진 유체를 증착하기 위한 방법 그리고 이와 관련된 시스템 및 장치
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
KR20220036866A (ko) 2020-09-16 2022-03-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물 증착 방법
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TWI889903B (zh) 2020-09-25 2025-07-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR102873665B1 (ko) 2020-10-15 2025-10-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자의 제조 방법, 및 ether-cat을 사용하는 기판 처리 장치
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
US11841715B2 (en) * 2020-10-22 2023-12-12 Applied Materials, Inc. Piezo position control flow ratio control
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202229620A (zh) 2020-11-12 2022-08-01 特文特大學 沉積系統、用於控制反應條件之方法、沉積方法
TW202229795A (zh) 2020-11-23 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 具注入器之基板處理設備
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US12255053B2 (en) 2020-12-10 2025-03-18 Asm Ip Holding B.V. Methods and systems for depositing a layer
TW202233884A (zh) 2020-12-14 2022-09-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成臨限電壓控制用之結構的方法
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202232639A (zh) 2020-12-18 2022-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 具有可旋轉台的晶圓處理設備
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
TW202242184A (zh) 2020-12-22 2022-11-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 前驅物膠囊、前驅物容器、氣相沉積總成、及將固態前驅物裝載至前驅物容器中之方法
TW202226899A (zh) 2020-12-22 2022-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 具匹配器的電漿處理裝置
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
USD1099184S1 (en) 2021-11-29 2025-10-21 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1060598S1 (en) 2021-12-03 2025-02-04 Asm Ip Holding B.V. Split showerhead cover
CN116627024A (zh) * 2023-04-13 2023-08-22 镇江微笙科技有限公司 一种一分三型气体分流器的算法

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1767588A (en) 1927-04-15 1930-06-24 Cutler Hammer Inc Apparatus for proportioning and controlling the rates of flow of fluids
US1886575A (en) 1931-08-10 1932-11-08 Smoot Engineering Corp Multiple flow regulation
US2314152A (en) 1940-03-30 1943-03-16 Brown Instr Co Control instrument
US2288297A (en) 1940-04-02 1942-06-30 Julius M Naiman Method for controlling the flow of gases
US2638912A (en) 1947-11-21 1953-05-19 Niles Bement Pond Co Fluid distributing apparatus
US2661756A (en) 1951-04-05 1953-12-08 Thompson Prod Inc Flow control apparatus
US2780414A (en) 1952-11-27 1957-02-05 Stamicarbon Heat input stabilization
US3092127A (en) 1958-12-01 1963-06-04 Phillips Petroleum Co Proportioning stream flows
CH380397A (de) 1960-02-19 1964-07-31 Sulzer Ag Regelanordnung zum Aufteilen eines Mediumstromes in mindestens zwei Teilströme
DE1222695B (de) 1960-02-19 1966-08-11 Sulzer Ag Regeleinrichtung zum Aufteilen eines Mediumstromes in mindestens zwei Teilstroeme
US3438385A (en) 1965-01-21 1969-04-15 Honeywell Inc Flow blending control system
US3556126A (en) 1968-11-19 1971-01-19 Ashland Oil Inc Pipeline valve control system
US3762428A (en) 1971-11-15 1973-10-02 Ocean Systems Volumetric gas mixing system
US3802264A (en) 1972-07-10 1974-04-09 Geoscience Ltd Fluid temperature differential flow meter
US4369031A (en) 1981-09-15 1983-01-18 Thermco Products Corporation Gas control system for chemical vapor deposition system
JPS58151614A (ja) * 1982-03-04 1983-09-08 Mitsubishi Electric Corp 流量制御装置
DE3838756C1 (de) 1988-11-01 1991-08-29 Dr. Huelle Energie - Engineering Gmbh, 3000 Hannover, De
US5031674A (en) * 1989-03-03 1991-07-16 Eaton Corporation Fluid flow control method and apparatus for minimizing particle contamination
US5240046A (en) * 1989-03-03 1993-08-31 Eaton Corporation Fluid flow control method and apparatus for minimizing particle contamination
US5165450A (en) 1991-12-23 1992-11-24 Texaco Inc. Means for separating a fluid stream into two separate streams
US5307833A (en) 1992-10-26 1994-05-03 Texaco Inc. Method and apparatus for automatically transferring and measuring wet steam between priority and secondary users
JPH06205935A (ja) * 1992-12-25 1994-07-26 Toshiba Corp 脱硝制御装置
US5453124A (en) 1992-12-30 1995-09-26 Texas Instruments Incorporated Programmable multizone gas injector for single-wafer semiconductor processing equipment
IT1275825B1 (it) 1995-10-30 1997-10-17 Nuovo Pignone Spa Sistema perfezionato per la misura e la regolazione della portata massica di gas
US5684245A (en) * 1995-11-17 1997-11-04 Mks Instruments, Inc. Apparatus for mass flow measurement of a gas
KR970063471A (ko) * 1996-02-14 1997-09-12 김광호 가스 유량제어 장치
US6210482B1 (en) * 1999-04-22 2001-04-03 Fujikin Incorporated Apparatus for feeding gases for use in semiconductor manufacturing
JP3795699B2 (ja) * 1999-05-18 2006-07-12 株式会社東芝 流量分配装置
US6389364B1 (en) * 1999-07-10 2002-05-14 Mykrolis Corporation System and method for a digital mass flow controller
JP2002110570A (ja) * 2000-10-04 2002-04-12 Asm Japan Kk 半導体製造装置用ガスラインシステム
US6333272B1 (en) 2000-10-06 2001-12-25 Lam Research Corporation Gas distribution apparatus for semiconductor processing
US6418954B1 (en) * 2001-04-17 2002-07-16 Mks Instruments, Inc. System and method for dividing flow
CN100403198C (zh) * 2001-05-24 2008-07-16 迅捷公司 流体流量控制器和定比率控制流体流量的方法和装置
US6766260B2 (en) * 2002-01-04 2004-07-20 Mks Instruments, Inc. Mass flow ratio system and method

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE112007000926B4 (de) 2006-04-14 2020-06-18 Mks Instruments, Inc. Mehrkanal-Durchflussverhältnissteuerung bzw. Regelung
TWI420568B (zh) * 2006-12-12 2013-12-21 Horiba Stec Co 流量比率控制裝置

Also Published As

Publication number Publication date
US7007707B2 (en) 2006-03-07
GB2385680A (en) 2003-08-27
JP2003263230A (ja) 2003-09-19
DE10300029B4 (de) 2021-10-14
US6766260B2 (en) 2004-07-20
GB2385680B (en) 2005-12-07
KR100944962B1 (ko) 2010-03-02
TW200401180A (en) 2004-01-16
TWI259342B (en) 2006-08-01
US20040187928A1 (en) 2004-09-30
GB0300036D0 (en) 2003-02-05
KR20030060078A (ko) 2003-07-12
US20030130807A1 (en) 2003-07-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE10300029A1 (de) Massenstrom-Verhältnis-System und -Verfahren
DE10197206B4 (de) System und Verfahren zur Aufteilung einer Strömung
DE112007000926B4 (de) Mehrkanal-Durchflussverhältnissteuerung bzw. Regelung
DE112006000836B4 (de) Gas-Zuführungsverfahren und -System unter Einschluss einer Strömungsverhältnis-Steuerung unter Verwendung einer antisymmetrischen optimalen Steuerung
DE112005000485T5 (de) System und Verfahren zur Aufteilung einer Gasströmung bei der Halbleiter-Herstellung
DE69934646T2 (de) System und Verfahren zur dynamischen Zufuhr von gemischtem Gas
EP1967610B1 (de) Fördereinrichtung für Precursor
DE3227242C2 (de)
EP2558615B1 (de) Vorrichtung und verfahren zum gleichzeitigen abscheiden mehrerer halbleiterschichten in mehreren prozesskammern
DE3233094A1 (de) Gasregeleinrichtung fuer eine chemische bedampfungsanlage
AT510002B1 (de) Verfahren zur regelung eines gas-/luftgemisches
DE102014105294A1 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Abgasreinigung an einem CVD-Reaktor
DE2914681A1 (de) Verbrennungssteuerungsvorrichtung
DE69017928T2 (de) Verfahren zum pneumatischen und dosierten Einblasen feinkörniger Feststoffe in einen unter veränderlichem Druck stehenden Behälter.
DE3814917C2 (de)
DE102020001894A1 (de) Metallorganische chemische Gasphasenepitaxie- oder Gasphasenabscheidungsvorrichtung
DE69428485T2 (de) Gas-Zuführungssystem zur Bildung von Ablagerungen ausgehend von flüssigen Ausgangsprodukten
EP2459335A1 (de) Vorrichtung und verfahren zur geregelten sekundärkühlung einer stranggiessanlage
DE2416406A1 (de) Verfahren und vorrichtung bei klimaanlaggn
EP1165245A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum einfüllen eines fluids in einen drucktank
WO2020260480A1 (de) Verfahren zum kalibrieren/verifizieren von massenfluss-mess/steuer-geräten eines gasmischsystems und vorrichtung zur durchführung des verfahrens
DE3407796C2 (de)
DE10127289A1 (de) Brennstoffversorgungssystem und zugehöriges Betriebsverfahren
DE102008031005B3 (de) Verfahren zum Erzeugen eines Gasstroms und Gasstromerzeugungsvorrichtung
WO2023280715A1 (de) Verdampfungsquelle für einen cvd-reaktor

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
R082 Change of representative

Representative=s name: EPPING HERMANN FISCHER, PATENTANWALTSGESELLSCH, DE

Representative=s name: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHA, DE

R016 Response to examination communication
R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division
R020 Patent grant now final
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee