DE10243606A1

DE10243606A1 - Halbleitervorrichtungs-Inspektionsverfahren unter Verwendung eines leitenden RKM

Info

Publication number: DE10243606A1
Application number: DE10243606A
Authority: DE
Inventors: Hitoshi Maeda; Fumihito Ohta; Yukari Imai; Toshikazu Tsutsui
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2001-09-25
Filing date: 2002-09-19
Publication date: 2003-04-30
Also published as: US20030057988A1; TW541637B; KR20030026208A; JP2003100832A

Abstract

Es wird ein Halbleitervorrichtungs-Inspektionsverfahren vorgesehen, das elektrische Defekte bei einer Inspektion in der Linie erfassen kann. Die positive Elektrode einer veränderbaren DC-Spannungsquelle (2) wird mit der Rückseite oder einem peripheren Abschnitt eines Halbleitersubstrats (4) verbunden und die negative Elektrode der veränderbaren DC-Spannungsquelle (2) wird mit einem leitenden Ausleger (3) verbunden. Mit einer gegebenen Vorspannung in Vorwärtsrichtung (z. B. 1.OV) zwischen dem Ausleger (3) und dem Halbleitersubstrat (4) und mit dem Ausleger (3) in Kontakt mit einem Ziel-Kontaktpfropfen (9) wird eine Abtastung durchgeführt. Danach wird zum Erhalten einer Stromeigenschaft jedes Kontaktpfropfens der durch den Ausleger (3) fließende Strom mit einem Amperemeter (1) überwacht, was das Erfassen von Leitungsdefekten ermöglicht, die nicht lediglich durch Beobachtung der Struktur erfaßt werden können.

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Halbleitervorrichtungs-Inspektionsverfahren und insbesondere auf ein Inspektionsverfahren, das bei einer Inspektion in der Linie verwendet werden kann.

Die Größenreduktion von Halbleitervorrichtungen bringt verringerungen im Kontaktdurchmesser, in der Dotierungsübergangs- Tiefe, in der Gate-Isolationsfilmdicke und so weiter mit sich, was zu Problemen, wie zum Beispiel der unvollständigen Bildung von Kontaktöffnungen, Leckströmen an pn-Übergängen und Leckströmen aufgrund einer minderwertigen Ausbildung von Gateoxidfilmen führt. Die laufende Fertigung von Halbleitervorrichtungen macht es erforderlich, daß derartige Fehler in einem frühen Stadium entdeckt werden, so daß Gegenmaßnahmen wieder in den Herstellungsprozeß Eingang finden können.

Es ist daher wichtig, zur Aufklärung der Ursachen Fehler während einer Inspektion in der Linie, die innerhalb der Produktionslinie durchgeführt wird, oder während einer Analyse der fertiggestellten Produkte außerhalb der Linie aufzudecken. Die existierenden Inspektionen in der Linie können jedoch nicht auf direkte Weise elektrische Fehler erfassen und deshalb müssen derartige elektrische Fehler während Analysen außerhalb der Linie nach Beendigung des Prozesses erfaßt werden. Das Auffinden von Fehlern nimmt daher Zeit in Anspruch.

Eine Aufgabe der Erfindung ist es, ein Halbleitervorrichtungs- Inspektionsverfahren bereitzustellen, das elektrische Fehler während einer Inspektion in der Linie erfassen kann.

Die Aufgabe wird durch ein Verfahren nach Anspruch 1 gelöst.

Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen gekennzeichnet.

Ein erster Aspekt der vorliegenden Erfindung ist auf ein Verfahren zum Inspizieren einer Halbleitervorrichtung gerichtet, bei dem Halbleiterregionen in einer Hauptoberfläche eines Halbleitersubstrats vorgesehen sind und zum Kontaktieren der Halbleiterregionen eine Mehrzahl von Kontaktpfropfen, die durch einen Zwischenschicht-Isolationsfilm hindurchgehen, auf der Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats vorgesehen ist. Nach dem Anordnen der Halbleitervorrichtung in der Fertigung auf einem Inspektionsträger eines leitenden Rasterkraftmikroskops, wobei ein Ende jedes Kontaktpfropfens der Mehrzahl von Kontaktpfropfen in einer Oberfläche des Zwischenschicht- Isolationsfilms freigelegt ist, weist das Halbleitervorrichtungs-Inspektionsverfahren die Schritte (a) und (b) auf. Der Schritt (a) besteht darin, eine Vorspannung zwischen einen Ausleger des leitfähigen Rasterkraftmikroskops und das Halbleitersubstrat anzulegen, mit dem Ausleger, der in Kontakt mit einem aus der Mehrzahl von Kontaktpfropfen ausgewählten Kontaktpfropfen ist, einen Rastervorgang durchzuführen und einen durch den Ausleger fließenden Strom zu erfassen. Der Schritt (b) wird durchgeführt, nachdem der Schritt (a) an der Mehrzahl von Kontaktpfropfen durchgeführt wurde. Der Schritt (b) besteht darin, zum Bestimmen einer elektrischen Eigenschaft der Halbleitervorrichtung die erfaßten Stromwerte mit einer gegebenen Schwelle zu vergleichen.

Eine Halbleitervorrichtung in der Fertigung wird inspiziert, wobei ein Ende jedes Kontaktpfropfens in einer Oberfläche eines Zwischenschicht-Isolationsfilms freigelegt ist, eine Vorspannung zwischen den Ausleger eines leitenden Rasterkraftmikroskops und das Halbleitersubstrat angelegt wird und der Ausleger des leitenden Leiterkraftmikroskops mit dem Kontaktpfropfen in Kontakt gebracht wird. Danach wird der Strom erfaßt und eine elektrische Eigenschaft der Halbleitervorrichtung auf der Grundlage des erfaßten Stroms überprüft. Dieses Verfahren ermöglicht die Erfassung von elektrischen Fehlern während einer Inspektion in der Linie und verwirklicht eine einfache und leichte Inspektion durch die Beseitigung des Erfordernisses des Anordnens von Leitungen von Elektroden für die Messung, wie sie bei bekannten Fehlerdiagnoseverfahren erforderlich sind.

Das Halbleitervorrichtungs-Inspektionsverfahren weist weiterhin vor dem Schritt (a) einen Schritt des Überprüfens der Übergangsstrukturen in dem Halbleitersubstrat auf der Grundlage der Layout-Information über die Mehrzahl von Kontaktpfropfen und der Layoutinformation über die Implantationsmasken für die Implantation von Verunreinigungen auf und der Schritt (a) weist einen Schritt des Wählens der Polarität und des Spannungswertes der Vorspannung auf der Grundlage eines Ergebnisses der Überprüfung und der Bestimmung, ob das Erfassen des Stroms mit dem Ausleger bei den gewählten Spannungsbedingungen nützlich ist oder nicht, auf. Dabei wird, wenn dies nützlich ist, der Strom bei den gewählten Spannungsbedingungen erfaßt.

Die Übergangsstruktur in dem Halbleitersubstrat wird überprüft und auf der Grundlage des Ergebnisses der Überprüfung werden die Spannungsbedingungen gewählt. Danach wird festgelegt, ob das Erfassen des Stroms bei den gewählten Spannungsbedingungen zweckdienlich ist. Folglich ist es möglich, zum Ermöglichen einer wirkungsvollen Inspektion eine Inspektion von mit Übergangsstrukturen verbundenen Kontaktpfropfen zu vermeiden, bei denen aus einem konstruktiven Grund ein Strom nicht gemessen werden kann.

Weitere Merkmale und Zweckmäßigkeiten der Erfindung ergeben sich aus der folgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen anhand der Figuren. Von den Figuren zeigen:
Fig. 1 ein Diagramm, das grob einen Aufbau zum Messen der Leitungsbedingungen von Kontakten mit einem leitenden RKM zeigt;
Fig. 2 ein Diagramm der Leitungseigenschaften der Kontaktpfropfen,
Fig. 3 ein Diagramm das grob einen Aufbau zum Messen der Leckstromeigenschaften der Kontakte mit einem leitenden RKM zeigt;
Fig. 4 ein Diagramm der Leckstromeigenschaften der Kontaktpfropfen;
Fig. 5 ein Diagramm eines Beispiels der in einer konkreten Halbleitervorrichtung enthaltenen Übergangsstrukturen;
Fig. 6 ein Diagramm eines Aufbaus zum Verwirklichen des Halbleitervorrichtungs- Inspektionsverfahrens der vorliegenden Erfindung;
Fig. 7 und 8 ein Flußdiagramm, daß das Halbleitervorrichtungs-Inspektionsverfahren der vorliegenden Erfindung veranschaulicht;
Fig. 9 ein Diagramm das die Gestaltung eines Computersystems zum Ausführen des Halbleitervorrichtungs-Inspektionsverfahrens der vorliegenden Erfindung zeigt; und
Fig. 10 ein Diagramm des Aufbaus des Computersystems zum Ausführen des Halbleitervorrichtungs- Inspektionsverfahrens der vorliegenden Erfindung.
Das Halbleitervorrichtungs-Inspektionsverfahren der vorliegenden Erfindung verwendet ein leitendes RKM. Das leitende RKM ist eine Art von RKM (Rasterkraftmikroskop), welches eine Vorrichtung ist, die in der Lage ist, nicht nur den Zustand einer Oberfläche zu inspizieren, sondern ebenfalls durch Messen eines Stroms, der zwischen einem leitenden Ausleger und einer Probe fließt, wobei der Ausleger in Kontakt mit der Probe ist, die elektrischen Eigenschaften einer Region im Nanometerbereich zu messen. Die Verwendung des leitenden RKM zum Inspizieren von elektrischen Eigenschaften von Halbleitervorrichtungen, die hergestellt werden, ermöglicht die Erfassung von elektrischen Defekten während einer Inspektion in der Linie und verwirklicht eine einfache und leichte Inspektion durch die Beseitigung des Erfordernisses von Leitungen und Elektroden für die Messung, wie es für bekannte Fehlerdiagnoseverfahren erforderlich ist.
Fig. 1 zeigt grob einen Aufbau zum Messen von Leitungseigenschaften von Kontakten mit einem leitenden RKM.
In Fig. 1 weist das p-Halbleitersubstrat 4 eine in dessen Hauptoberfläche gebildete p-Wannenregion 5 und einen Elemente trennenden isolierenden Film 6, der selektiv in der Oberfläche der p-Wannenregion 5 zum Definieren einer Mehrzahl von aktiven Regionen gebildet ist, auf n-Regionen 7 sind in den Oberflächen der entsprechenden aktiven Regionen vorgesehen, wobei die p-Wannenregion 5 und die n-Regionen 7 pn-Übergänge bilden.
Die Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats 4 ist durch einen Zwischenschicht-Isolationsfilm 8 bedeckt und eine Mehrzahl von Kontaktpfropfen 9 geht durch den Zwischenschicht-Isolationsfilm 8 zum entsprechenden Erreichen der Mehrzahl von n- Regionen 7 hindurch. Es ist zu beachten, daß die Mehrzahl von Kontaktpfropfen 9 fehlerhaft ausgebildete Pfropfen einschließt. Die Mehrzahl von Kontaktpfropfen 9 ist mit Bezugszeichen dargestellt, so daß sie voneinander unterschieden werden können.
Dies bedeutet, Fig. 1 zeigt Kontaktpfropfen 90, 91, 92, 93 und 94, die der Reihe nach von links angeordnet sind, wobei die Kontaktpfropfen 90 und 92 normal sind, der Kontaktpfropfen 91 nicht bis zu der n-Region 7 reicht, der Kontaktpfropfen 93 ein sich verjüngendes Ende aufweist und daher in ungenügendem Kontakt mit der n-Region 7 ist, und der Kontaktpfropfen 94 aufgrund des Vorhandenseins eines isolierenden Films ZL an der Grenzfläche Substrat/Kontakt in ungenügendem Kontakt mit der n-Region 7 ist.
Wenn die Kontaktpfropfen 90 bis 94 von oberhalb des Zwischenschicht-Isolationsfilms 8 betrachtet werden, sehen sie in der Draufsicht alle normal aus, so daß es schwierig ist, durch Betrachten und Inspizieren der Öffnungsform mit einem Rasterelektronenmikroskop (REM) etc. die Leitungsdefekte zu finden.
Zum Messen der Leitungseigenschaften der Kontaktpfropfen 9 wird folglich das Halbleitersubstrat 4 auf einem Inspektions- Objektträger des leitenden RKM angeordnet, die positive Elektrode einer veränderbaren DC-Spannungsversorgung 2 wird mit der Rückseite oder einem peripheren Abschnitt des Halbleitersubstrats 4 verbunden, wie in Fig. 1 gezeigt, und die negative Elektrode wird mit einem leitenden Ausleger 3 verbunden. Danach wird ein Rastervorgang mit dem Ausleger 3 in Kontakt mit einem Ziel-Kontaktpfropfen 9 durchgeführt, wobei zwischen den Ausleger 3 und das Halbleitersubstrat 4 eine gegebene Vorspannung in Vorwärtsrichtung (z. B. 1.0 V) angelegt ist.
Zum Erhalten der Stromeigenschaft jedes Kontaktpfropfens wird der durch den Ausleger 3 fließende Strom mit einem Amperemeter 1 überwacht, was die Erfassung von Leitungsdefekten ermöglicht, die nicht durch einfaches Beobachten der Struktur erfaßt werden können.
Obwohl die Durchführung dieses Inspektionsverfahrens es erforderlich macht, daß der Durchmesser der Spitze des Auslegers 3 kleiner ist als der Durchmesser der Kontaktpfropfen 9, stellen die aktuellen Halbleitervorrichtungen kein Problem dar, da der Durchmesser der Kontaktpfropfen 9 ungefähr 100 nm ist und der Durchmesser der Spitze des Auslegers 3 einige zehn Nanometer oder weniger ist.
Fig. 2 zeigt die durch das in Fig. 1 gezeigte Verfahren gemessenen Leitungseigenschaften der Kontaktpfropfen 9. In Fig. 2 zeigt die Horizontalachse die Verschiebung der Position des Auslegers 3 (in einer beliebigen Einheit) und die Vertikalachse zeigt den durch das Amperemeter 1 gemessenen Stromwert (in einer beliebigen Einheit).
Obwohl Fig. 2 pulsartige Profile P90 bis P94 zeigt, entsprechen diese den entsprechenden Stromprofilen, die erhalten werden, wenn der Ausleger 3 über die Kontaktpfropfen 90 bis 94 bewegt wird. Dies bedeutet, daß die Profile P90 und P92 die Leitungsprofile der normalen Kontaktpfropfen 90 und 92 zeigen. Sie zeigen das Fließen eines großen Stromes an den Kontakten zwischen dem Ausleger 3 und den Kontaktpfropfen 90 und 92, da über die Kontaktpfropfen 90 und 92 eine Vorspannung in Vorwärtsrichtung an die pn-Übergänge angelegt wird, die durch die p-Wannenregion 5 und die n-Regionen 7 gebildet werden.
Das Profil P91 zeigt die Leitungseigenschaft des Kontaktpfropfens 91 mit einer fehlerhaft ausgebildeten Öffnung, der nicht die n-Region 7 erreicht. Da der Kontaktpfropfen 91 nicht zu der n-Region 7 reicht, fließt kein Strom und kein pulsartiges Profil wird erhalten. Zur Erleichterung ist jedoch als Profil 291 mit einer unterbrochenen Linie ein imaginäres Profil gezeigt, das erhalten würde, wenn eine normale Öffnung vorhanden wäre.
Die Profile P93 und P94 zeigen die Leitungseigenschaften der Kontaktpfropfen 93 und 94, die in unzureichendem Kontakt mit den n-Regionen 7 stehen. Da eine Vorspannung in Vorwärtsrichtung, wenn auch in nicht hinreichender Weise, über die Kontalktpfropfen 93 und 94 an die pn-Übergänge, die durch die p- Wannenregion 5 und die n-Regionen 7 gebildet werden, angelegt wird, fließt an den Kontakten zwischen dem Ausleger 3 und den Kontaktpfropfen 93 und 94 ein Strom. Da jedoch die Vorspannung ungenügend ist, ist der Stromwert geringer als jener für die Profile P90 und P92.
Was die Beurteilung der Leitungseigenschaften der Kontaktpfropfen 90 bis 94 anbelangt, so kann eine Festlegung getroffen werden, ob das Stromprofil einen gegebenen Schwellenstromwert überschreitet oder nicht. Dies bedeutet, wie in Fig. 2 gezeigt, durch Wählen eines Schwellenstromwertes Th1, der größer ist als der mit dem Kontaktpfropfen 91 mit einer fehlerhaften Öffnung erhaltene Strom und ebenfalls größer ist als der mit den Kontaktpfropfen 93 und 94 in unzureichendem Kontakt mit den n-Regionen 7 erhaltene Strom, können Kontaktpropfen mit Leitungsdefekten erkannt werden.
Die elektrischen Eigenschaften, die mit dem leitenden RKM gemessen werden können, beinhalten die Leckstromeigenschaften von pn-Übergängen, sowie die oben gezeigten Leitungseigenschaften.
Fig. 3 zeigt grob einen Aufbau zum Messen der Leckstromeigenschaften von Kontakten mit einem leitenden RKM. In Fig. 3 sind die gleichen Komponenten wie die in Fig. 1 gezeigten mit den gleichen Bezugszeichen versehen und nicht nochmals beschrieben.
Es ist zu beachten, daß die Mehrzahl von Kontaktpfropfen 9 einen enthält, der mit einer n-Region 7 verbunden ist, welche einen Übergangsdefekt an dem pn-Übergang aufweist. Die Mehrzahl von Kontaktpfropfen 9 ist mit Bezugszeichen dargestellt, so daß sie voneinander unterschieden werden können.
Dies bedeutet, Fig. 3 zeigt Kontaktpfropfen 95, 96, 97, 98 und 99, die der Reihe nach von links angeordnet sind, wobei die Kontaktpfropfen 95, 96, 98 und 99 mit n-Regionen 7 mit normalen pn-Übergängen verbunden sind und der Kontaktpfropfen 97 mit der n-Region 7 mit einem Übergangsdefekt an dem pn- Übergang verbunden ist.
Wenn die Kontaktpfropfen 95 bis 99 von oberhalb des Zwischenschicht-Isolationsfilms 8 betrachtet werden, sehen sie in einer Draufsicht alle normal aus, so daß es schwierig ist, durch Beobachten und Inspizieren ihrer Öffnungsgestalt mit einem REM etc. die Übergangsdefekte zu finden.
Zum Messen der Leckstromeigenschaften der Kontaktpfropfen 9 wird folglich das Halbleitersubstrat 4 auf einem Inspektions- Objektträger des leitenden RKM angeordnet, die negative Elektrode der veränderbaren DC-Spannungsquelle 2 wird mit der Rückseite oder einem peripheren Abschnitt des Halbleitersubstrats 4 verbunden, wie in Fig. 3 gezeigt, und die positive Elektrode der veränderbaren DC-Spannungsversorgung 2 wird mit dem leitenden Ausleger 3 verbunden. Danach wird mit dem Ausleger 3 in Kontakt mit einem Ziel-Kontaktpfropfen 9 ein Rastervorgang durchgeführt, wobei eine gegebene Vorspannung in Sperrichtung (z. B. 1.0 V) zwischen den Ausleger 3 und das Halbleitersubstrat 4 angelegt ist.
Zum Erhalten der Leckstromeigenschaften der n-Regionen 7, mit welchen die Kontaktpfropfen verbunden sind, wird der durch den Ausleger 3 fließende Strom mit dem Amperemeter 1 überwacht, was die Erfassung von Leckstromdefekten ermöglicht, die durch einfaches Beobachten der Konfiguration nicht erfaßt werden können.
Fig. 4 zeigt die durch das in Fig. 3 gezeigte Verfahren gemessenen Leckstromeigenschaften der Kontaktpfropfen 9. In Fig. 4 zeigt die Horizontalachse die Verschiebung der Position des Auslegers 3 (in einer beliebigen Einheit) und die Vertikalachse zeigt den mit dem Amperemeter 1 gemessenen Stromwert (in einer beliebigen Einheit).
Fig. 4 zeigt pulsartige Profile P95 bis P99, die entsprechend den Stromprofilen entsprechen, die erhalten werden, wenn der Ausleger 3 über die Kontaktpfropfen 95 bis 99 bewegt wird. Dies bedeutet, die Profile P95, P96, P98 und P99 zeigen die Leckstromprofile, die durch Rastern der Kontaktpfropfen 95, 96, 98 und 99, die mit den n-Regionen 7 mit normalen pn- Übergängen verbunden sind, erhalten werden. Dabei fließt kaum ein Strom, wenn eine Sperrspannung an die durch die p- Wannenregion 5 und die n-Regionen 7 gebildeten normalen pn- Übergänge angelegt wird, so daß der Stromwert der Profile P95, P96, P98 und P99, wie in dem Diagramm gezeigt, nahe dem Wert Null ist. Obwohl in der Praxis ein Strom nicht in einem Ausmaß fließen kann, bei dem ein pulsartiges Profil gebildet wird, zeigt Fig. 4 aus Gründen der Zweckmäßigkeit die pulsartigen Profile.
Andererseits zeigt das Profil P97 das Leckstromprofil, das erhalten wird, wenn der mit der n-Region 7 verbundene Kontaktpfropfen 97 mit einem Übergangsdefekt an dem pn-Übergang abgetastet wird. Das Profil zeigt, daß ein großer Leckstrom fließt, welcher nicht fließen würde, wenn der Übergang normal wäre, wenn an den pn-Übergang mit einem Übergangsdefekt eine Sperrspannung angelegt wird.
Für die Beurteilung der Leckstromeigenschaften der Kontaktpfropfen 95 bis 99 kann eine Festlegung getroffen werden, ob der Profilstrom einen gegebenen Schwellenstromwert übersteigt oder nicht. Wie in Fig. 4 gezeigt, bedeutet dies, daß durch Setzen eines Schwellenstromwertes Th2, der größer ist als der bei den mit den n-Regionen 7 mit normalen pn-Übergängen verbundenen Kontaktpfropfen 95, 96, 98 und 99 erhaltene Strom, mit den n-Regionen 7 mit Übergangsdefekten am pn-Übergang verbundene Kontaktpfropfen erkannt werden können.
Eine konkrete Halbleitervorrichtung weist eine Mehrzahl von Kontaktpfropfen und eine Mehrzahl von Arten von Übergangsstrukturen (die als Kombinationen von pn-Übergängen gebildet werden, wie zum Beispiel als pn-Struktur, pnp-Struktur, npn- Struktur, etc.) auf. Es ist deshalb wünschenswert, auszuwählen, welche Kontaktpfropfen für welche oben gezeigte elektrische Eigenschaft (Leitungseigenschaft oder Leckstromeigenschaft) gemessen werden sollen. Bezugnehmend auf Fig. 5 bis 8 werden im folgenden ein Aufbau und ein Betriebsablauf zum Anwenden des Inspektionsverfahrens auf eine Inspektion einer konkreten Halbleitervorrichtung beschrieben. In Fig. 5 sind die gleichen Komponenten wie jene, die in Fig. 1 gezeigt sind, durch die gleichen Bezugszeichen bezeichnet und werden nicht wieder beschrieben.
Fig. 5 zeigt zunächst in schematischer Weise ein Beispiel einer Übergangsstruktur in einer konkreten Halbleitervorrichtung.
In Fig. 5 weist das p-Halbleitersubstrat 4 eine p-Wannenregion 11 und eine n-Wannenregion 12 auf, die nebeneinander in seiner Hauptoberfläche vorgesehen sind, sowie einen Elemente trennenden Isolationsfilm 13, der zwischen der p-Wannenregion 11 und der n = Wannenregion 12 vorgesehen ist, auf. Weiterhin ist zum Definieren einer Mehrzahl von aktiven Regionen ein Elemente trennender Isolationsfilm 14 selektiv in den Oberflächen der p-Wannenregion 11 und der n-Wannenregion 12 vorgesehen. In den Oberflächen der aktiven Regionen in der p-Wannenregion 11 sind eine p-Region 15 und eine n-Region 16 als Source/Drain- Regionen vorgesehen und in den Oberflächen der aktiven Regionen in der n-Wannenregion 12 sind eine p-Region 17 und eine n- Region 18 als Source/Drain-Regionen vorgesehen.
Die Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats 4 ist durch einen Zwischenschicht-Isolationsfilm 8 bedeckt und eine Mehrzahl von Kontaktpfropfen 19 geht zum Erreichen der entsprechenden Verunreinigungsregionen durch den Zwischenschicht-Isolationsfilm 8 hindurch.
Unter der Mehrzahl von Kontaktpfropfen ist der Kontaktpfropfen 191 der Pfropfen, der zu der p-Region 15 reicht, der Kontaktpfropfen 192 der Pfropfen, der zu der n-Region 16 reicht, der Kontaktpfropfen 193 der Pfropfen, der zu der p-Region 17 reicht und der der Kontaktpfropfen 194 der Pfropfen, der zu der n-Region 18 reicht.
Obwohl Fig. 5 einen Aufbau zeigt, bei dem die negative Elektrode der veränderbaren DC-Spannungsquelle 2 mit der Rückseite oder einem peripheren Abschnitt des Halbleitersubstrats 4 verbunden ist und deren positive Elektrode mit dem leitenden Ausleger 3 verbunden ist, wird angenommen, daß die Polarität der veränderbaren DC-Spannungsquelle 2 in beliebiger Weise verändert werden kann und das Amperemeter einen Meßbereich aufweist, der sowohl die Messung von negativen als auch positiven Strömen erlaubt.
Als nächstes wird bezugnehmend auf das Blockdiagramm von Fig. 6 der Aufbau einer Inspektionsvorrichtung 100 zum Messen der elektrischen Eigenschaften der Kontaktpfropfen beschrieben.
Wie in Fig. 6 gezeigt, weist die Inspektionsvorrichtung 100 einen Informationsspeicherabschnitt 21 zum Speichern von Information, wie zum Beispiel der Layout-Information, über die Kontaktpfropfen, einen Informationsverarbeitungsabschnitt 22, einen externen Betriebsabschnitt 23 zum externen Betreiben der Inspektionsvorrichtung 100, einen Steuerabschnitt 24 zum Steuern des Betriebs der gesamten Inspektionsvorrichtung 100, einen Objektträger- und Ausleger-Treiber-Steuerabschnitt 25 zum Treiben des Inspektions-Objektträgers und des Auslegers des leitenden RKM, einen Datenaufnahmeabschnitt 26 zum Erhalt von Meßdaten über den Stromfluß durch den Ausleger, einen Datenverarbeitungsabschnitt 27 zum Verarbeiten von Daten, wie zum Beispiel den in dem Datenaufnahmeabschnitt 26 erhaltenen Meßdaten, einen Anzeigeabschnitt 28 zum Anzeigen der Inspektionsergebnisse etc. und einen Spannungserzeugungsabschnitt 29 zum Erzeugen der Vorspannung auf.
Im folgenden wird bezugnehmend auf die Flußdiagramme von Fig. 7 und 8, die den Betrieb der Inspektionsvorrichtung 100 zeigen, der Vorgang des Inspizierens der Halbleitervorrichtung beschrieben. Die Wirkungen und Betriebsweisen der einzelnen Komponenten werden ebenfalls unter Bezugnahme auf Fig. 6 beschrieben. In Fig. 7 und 8 zeigt das Bezugszeichen "1", daß die beiden Diagramme an diesem Punkt verbunden sind.
Zunächst wird ein Ziel der Inspektion, ein Halbleitersubstrat, das gefertigt wird, auf den Inspektions-Objektträger des leitenden RKM plaziert. Danach greift in dem in Fig. 7 gezeigten Schritt S1 der Informationsverarbeitungsäbschnitt 22 auf der Grundlage der Layout-Information über die Kontaktpfropfen und Verbindungen in den einzelnen Lagen, die in dem Informationsspeicherabschnitt 21 gespeichert ist, automatisch mit dem Halbleitersubstrat verbundene Kontaktpfropfen heraus. Die Information über das Herausgreifen wird an dem Anzeigeabschnitt 28 dargestellt.
Auf der Basis der Substratdotierungsinformation und der Implantationsmasken-Layoutinformation, die in dem Informationsspceicherabschnitt 21 gespeichert sind, überprüft als nächstes in dem in Fig. 7 gezeigten Schritt S2 der Informationsverarbeitungsabschnitt 22 die Übergangsstruktur in dem Halbleitersubstrat 4 und sortiert die in dem Schritt S1 herausgegriffenen Kontaktpfropfen nach der Art der Übergänge. Die sortierten Kontaktpfropfen werden in dem Anzeigeabschnitt 28 dargestellt.
In dem in Fig. 5 gezeigten Beispiel der Übergangsstruktur stellt nun der Anzeigeabschnitt 28 die sortierten unterschiedlichen Arten von Kontaktpfropfen, z. B. in unterschiedlichen Farben, wie folgt dar: den mit der in der Oberfläche der p- Wannenregion 11 gebildeten p-Region 15 verbundenen Kontaktpfropfen 191 (der Kontaktpfropfen 191 ist mit keiner Übergangsstruktur verbunden), den mit der n-Region 16, die in der Oberfläche der p-Wannenregion 11 gebildet ist, verbundenen Kontaktpfropfen 192 (der Pfropfen 192 ist mit einer pn- Übergangsstruktur verbunden), den mit der p-Region 17, die in der Oberfläche der n-Wannenregion 12 gebildet ist, verbundenen Kontaktpfropfen 193 (der Pfropfen 193 ist mit einer pnp- Übergangsstruktur verbunden) und den mit der n-Region 18, die in der Oberfläche der n-Wannenregion 12 gebildet ist, verbundenen Kontaktpfropfen 194 (der Pfropfen 194 ist mit einer pn- Übergangsstruktur verbunden).
Aus Gründen der Vereinfachung zeigt Fig. 5 mit einer einzigen Schicht verbundene Kontaktpfropfen 19, die Sortierung kann jedoch in der gleichen Weise ebenfalls mit einer mehrlagigen Verbindungsstruktur durchgeführt werden, bei der Kontaktpfropfen über eine Mehrzahl von in einer Mehrzahl von Lagen gebildeten Kontakten mit dem Halbleitersubstrat verbunden sind, durchgeführt werden.
Als nächstes erzeugt der Steuerabschnitt 24 Dateien, in denen für jede Inspektionsweise (Leitungstest und Leckstromtest: Schritt S3) die Vorspannungsbedingungen festgelegt sind. Die Spannungsbedingungen sind unten für das Beispiel der in dem Schritt S2 sortierten Kontaktpfropfen 192 bis 194 gezeigt.
Gemeinsame Bedingung: der Ausleger ist mit einem Massepotential verbunden.
Inspektionsweise: Leitungstest
Kontaktpfropfen 191: + 0.5 V an das Halbleitersubstrat 4 angelegt.
Kontaktpfropfen 192: + 0.5 V an das Halbleitersubstrat 4 angelegt.
Kontaktpfropfen 193: mit einer pnp-Übergangsstruktur verbunden und ohne Stromfluß; Messung zwecklos.
Kontaktpfropfen 194: + 0.5 V an das Halbleitersubstrat 4 angelegt.
Inspektionsweise: Leckstromtest
Kontaktpfropfen 191: mit keiner Übergangsstruktur verbunden; Messung zwecklos.
Kontaktpfropfen 192: - 1.0 V an das Halbleitersubstrat 4 angelegt.
Kontaktpfropfen 193: + 1.0 V an das Halbleitersubstrat 4 angelegt.
Kontaktpfropfen 194: - 1.0 V an das Halbleitersubstrat 4 angelegt.
Als nächstes bedient der Bediener, der den Anzeigeabschnitt 28 überwacht, zum Auswählen einer Inspektionsweise und einer Art von zu inspizierenden Kontaktpfropfen (Kontaktpfropfen 191 bis 194) den externen Bedienungsabschnitt 23. Danach greift der Steuerabschnitt 24 automatisch die entsprechende Datei aus den im Schritt S3 erzeugten Dateien mit den Spannungsbedingungen heraus und steuert den Spannungserzeugungsabschnitt 29 zum automatischen Wählen der Meßbedingungen (Schritt S4).
Auf der Grundlage des ausgewählten Inspektionsmodus und der ausgewählten Art von Kontaktpfropfen bestimmt der Steuerabschnitt 24, ob die ausgewählten Kontaktpfropfen Ziele der Inspektion sein können. Dies bedeutet, am Anfang der Inspektion wird beispielsweise festgelegt, daß die Messung des Kontaktpfropfens 193, wie oben festgestellt, zwecklos ist, so daß er nicht Ziel der Inspektion sein kann. Es macht keinen Sinn, einen Kontaktpfropfen zu inspizieren, der nicht ein Inspektionsziel sein kann. Wenn folglich die ausgewählten Kontaktpfropfen nicht Inspektionsziele sein können, wird der Bediener darüber über den Anzeigeabschnitt 28 informiert und aufgefordert, den Schritt S4 zum Auswählen anderer Kontaktpfropfen erneut durchzuführen. Wenn die ausgewählten Kontaktpfropfen Ziele der Inspektionen sein können, geht der Ablauf zu dem nächsten Schritt über (Schritt S5).
Während unten ein Beispiel beschrieben wird, in dem eine einzige Art von Kontaktpfropfen ausgewählt und inspiziert wird, kann durch Wiederholen des Schrittes S6 und der nachfolgenden Schritte eine Mehrzahl von Arten von Kontaktpfropfen inspiziert werden.
Der Schritt S6 stellt die Kontaktpfropfen dar, die unter den im Schritt S2 sortierten und in dem Anzeigeabschnitt 28 dargestellten Kontaktpfropfen Inspektionsziele sein können.
Als nächstes wird eine Auswahl getroffen, wie die Inspektionspunkte aus den in dem Anzeigeabschnitt 28 dargestellten inspizierbaren Kontaktpfropfen herausgegriffen werden (Schritt S7). Dies bedeutet, da eine Halbleitervorrichtung eine Mehrzahl von Kontaktpfropfen der gleichen Art aufweist, werden nicht alle Kontaktpfropfen inspiziert, sondern Proben herausgegriffen und inspiziert. Der Schritt S7 legt somit das Verfahren des Herausgreifens fest.
Die Verfahren des Herausgreifens beinhalten zwei Beispiele: bei einem ersten Verfahren greift der Bediener manuell einen aus den in dem Anzeigeabschnitt 28 dargestellten inspizierbaren Kontaktpfropfen heraus und in einem zweiten Verfahren greift der Steuerabschnitt 24 automatisch in zufälliger Weise einen der inspizierbaren Kontaktpfropfen heraus. In diesem Fall muß der Bediener lediglich die Anzahl der Stichproben wählen und die Stichproben können in ausgeglichener Weise herausgegriffen werden. Dies bedeutet, der Schritt S7 legt das manuelle Herausgreifen oder das automatische zufällige Herausgreifen fest.
In dem in Fig. 8 gezeigten Schritt S8 werden als nächstes die Layout-Koordinaten eines in Schritt S7 herausgegriffenen Inspektionspunkts-Kontaktpfropfens mit den Objektträgerkoordinaten des Inspektions-Objektträgers verknüpft und der Objektträger wird dergestalt automatisch bewegt, daß der Inspektionspunkt zur Position des Auslegers gelangt. Der Ausleger kann somit auf einfache Weise über dem Inspektionspunkt angeordnet werden.
Als nächstes arbeitet das leitende RKM als RKM und der Ausleger führt zur Gewinnung eines RKM-Bildes eine Abtastung durch (Schritt S9). Zum Erreichen dieses Betriebs betreibt der Steuerabschnitt 24 der Inspektionsvorrichtung 100 unter Verwendung von Funktionen des leitenden RKM das leitende RKM gemeinsam mit dem Steuersystem des leitenden RKM. Die Daten über das RKM-Bild werden von dem leitenden RKM dem Datenverarbeitungsabschnitt 27 der Inspektionsvorrichtung 100 übergeben.
Der Datenverarbeitungsabschnitt 27 erkennt das erhaltene RKM- Bild, vergleicht es mit der in dem Informationsspeicherabschnitt 21 gespeicherten Layout-Information über die Kontaktpfropfen und korrigiert auf automatische Weise eine durch einen Fehler beim Bewegen des Inspektions-Objektträgers verursachte Lageungenauigkeit. Dies ermöglicht ein präzises Abtasten des Meßpunktes (Schritt S10).
Als nächstes wird der Ausleger an dem Inspektionspunkt in Kontakt mit dem Kontaktpfropfen gebracht und auf der Grundlage der Steuerung durch den Objektträger- und Ausleger- Treibersteuerabschnitt 25 zum Abtasten veranlaßt und der Datenaufnahmeabschnitt 26 erhält den Wert des durch den Ausleger fließenden Stroms (Schritt S11).
Danach überprüft der Steuerabschnitt 24, ob alle Inspektionspunkt-Kontaktpfropfen, die in Schritt S7 herausgegriffen wurden, gemessen wurden (Schritt S12). Wenn alle gemessen wurden, geht der Ablauf zu dem nächsten Schritt über und wenn einer oder mehrere Inspektionspunkte nicht überprüft wurden, werden der Schritt S8 und die nachfolgenden Schritte wiederholt.
Als nächstes verarbeitet der Datenverarbeitungsabschnitt 27 die an den einzelnen Inspektionspunkten erhaltenen Stromwerte und erzeugt ein Histogramm von Stromwerten oder berechnet einen Mittelwert, Maximalwert, Minimalwert, etc., die in dem Anzeigeabschnitt 28 dargestellt werden (Schritt S13). Die Streuung der Stromwerte an den Inspektionspunkten kann beispielsweise so erfaßt werden.
Danach kann beispielsweise der Datenverarbeitungsabschnitt 27 die Verteilung von normalen und abnormalen Stromwerten an den einzelnen Inspektionspunkten aus dem Stromwertdiagramm erhalten, was zum Abschätzen der Ursachen der Defekte verwendet werden kann. Ebenso werden die Daten als Grundlage für das Setzen der Schwelle zum Beurteilen von Leitungs-Defekten oder pn-Ubergangs-Defekten verwendet (Schritt S14).
Ein Beispiel für die Schwelle ist unten gezeigt. In dem Leitungs-Test wird zum Festlegen, daß die Leitung bei 50 pA oder mehr gut (OK) und bei weniger als 50 pA nicht gut (NG) ist, die Schwelle auf 50 pA gesetzt. In dem Leckstromtest wird in dem Fall der Kontaktpfropfen 192 und 194 die Schwelle zum Festlegen, daß der Übergang unterhalb von 10 pA gut (OK) und bei 10 pA oder darüber nicht gut (NG) ist, beispielsweise auf 10 pA gesetzt. In dem Fall des Kontaktpfropfens 193 wird beispielsweise zum Festlegen, daß der Übergang oberhalb von - 10 pA (oder wenn der Absolutwert kleiner ist als der Absolutwert 10 pA) gut (OK) und bei - 10 pA oder darunter (oder wenn der Absolutwert größer oder gleich dem Absolutwert 10 pA ist) nicht gut (NG) ist, die Schwelle beispielsweise auf - 10 pA gesetzt.
Auf der Grundlage der so erhaltenen Ergebnisse werden nachfolgend OK-Kontaktpfropfen und NG-Kontaktpfropfen auf dem Anzeigeabschnitt 28 in unterschiedlichen Farben dargestellt (Schritt S15). Die Layout-Abhängigkeit etc. der minderwertigen Kontakte, z. B. die Beziehung zwischen der Kontakttiefe und den schlecht leitenden Kontaktpfropfen, kann dadurch erfaßt werden.
Auf der Grundlage der erhaltenen Ergebnisse stellt der Anzeigeabschnitt 28 auch die Anzahl und den Prozentsatz der NG- Kontaktpfropfen dar (Schritt S16). Die Häufigkeit des Auftretens von Defekten kann dadurch erfaßt werden.
Mittels des in Schritt S10 wahrgenommen RKM-Bildes können weiterhin die Durchmesser und Flächen der einzelnen Inspektionspunkts-Kontaktpfropfen gemessen werden (Schritt S17). Der Datenverarbeitungsabschnitt 27 verarbeitet danach die Beziehung zwischen den Pfropfendurchmessern und -flächen und den an den einzelnen Inspektionspunkten erhaltenen Stromwerten, was als ein Zuordnungsdiagramm an dem Anzeigeabschnitt 28 dargestellt wird (Schritt S18). Die Zuordnung zwischen den Kontaktpfropfen mit Leitungsfehlern und den Gestalten der Kontaktpfropfen in der Draufsicht kann somit erfaßt werden.
Obwohl eine Mehrzahl von gleichen Halbleitervorrichtungen auf einem Halbleitersubstrat gebildet ist, kann die Inspektion nicht auf alle angewendet werden. Die Inspektionsziele sind begrenzt. In als Inspektionsziele ausgewählten Halbleitervorrichtungen kann die Messung an den gleichen Inspektionspunkten durchgeführt werden, wie jenen, die im oben gezeigten Schritt S7 festgelegt wurden. Es ist jedoch nicht nötig zu sagen, daß die Inspektionspunkte von Vorrichtung zu Vorrichtung abgeändert werden können.
Zur Verwirklichung der oben beschriebenen Inspektionsvorrichtung 100 kann beispielsweise ein in Fig. 9 gezeigtes Computersystem verwendet werden.
Dies bedeutet, unter den in Fig. 6 gezeigten Komponenten der Inspektionsvorrichtung 100 erfordern der Datenaufnahmeabschnitt 26 einschließlich des Auslegers und des Amperemeters und des Spannungserzeugungsabschnitts 29 gesonderte Instrumente, die anderen Komponenten können jedoch mit dem in Fig. 9 gezeigten Computersystem verwirklicht werden. Dieses weist eine Computer-Haupteinheit 101, eine Anzeigevorrichtung 102, eine Magnetbandvorrichtung 103 mit einem Magnetband 104, eine Tastatur 105, eine Maus 106, eine CD-ROM-Vorrichtung 107 mit einer CD-ROM (Compactdisc-Festwertspeicher) 108 und ein Kommunikationsmodem 109 auf.
Die Funktionen des Informationsverarbeitungsabschnitts 22, des Steuerabschnitts 24, des Objektträger- und Ausleger-Treiber- Steuerabschnitts 25 und des Datenverarbeitungsabschnitts 27 können durch Ausführen eines Computerprogramms (eines Inspektionsverfahrensprogramms) auf dem Computer verwirklicht werden. In diesem Fall wird das Programm auf einem Aufnahmemedium, wie zum Beispiel dem Magnetband 104, der CD-ROM 108, etc. zugeführt. Dieses Programm kann ebenfalls in Signalform auf einem Kommunikationsweg übertragen werden und weiterhin ebenfalls auf ein Aufnahmemedium heruntergeladen werden.
Das Inspektionsverfahrensprogramm wird durch die Computer- Haüpteinheit 101 ausgeführt und der Bediener kann die Inspektion durch Bedienen der Tastatur 105 oder der Maus 106 entsprechend dem externen Bedienungsabschnitt 23 durchführen, während er die dem Anzeigeabschnitt 28 entsprechende Anzeigevorrichtung 102 überwacht.
Das Inspektionsverfahrensprogramm kann der Computer- Haupteinheit 101 von einem anderen Computer über die Kommunikationsleitung und das Kommunikationsmodem 109 zugeführt werden.
Fig. 10 ist ein Blockdiagramm, das den Aufbau des in Fig. 9 gezeigten Computersystems zeigt. Die in Fig. 9 gezeigte Computer-Haupteinheit 101 weist eine CPU (zentrale Prozessoreinheit) 200, ein ROM (Festwertspeicher) 201, ein RAM (Direktzugriffsspeicher) 202 und eine Festplatte 203 auf.
Die CPU 200 arbeitet, während sie Daten mit der Anzeigevorrichtung 102, der Magnetbandvorrichtung 103, der Tastatur 105, der Maus 106, der CD-ROM-Vorrichtung 107, dem Kommunikationsmodem 109, dem ROM 201, dem RAM 202 und der Festplatte 203 austauscht.
Die CPU 200 speichert das auf dem Magnetband 104 oder der CD- ROM 108 aufgezeichnete Inspektionsverfahrensprogramm einmal auf der Festplatte 203. Durch Laden des Inspektionsverfahrensprogramms von der Festplatte 203 bei Bedarf in das RAM 202 und Ausführen des Programms führt danach die CPU 200 die Inspekt ion durch.
Der Informationsspeicherabschnitt 21 in der Inspektionsvorrichtung 100 kann unter Verwendung eines anderen Teils des RAM 202 als der Programmspeicherregion verwirklicht werden oder die Information kann auf der Festplatte 203 gespeichert werden.
Das oben beschriebene Computersystem ist lediglich ein Beispiel. Das System ist nicht auf dieses System begrenzt, solange es das Inspektionsverfahrensprogramm ausführen kann. Die Speichermedien sind ebenfalls nicht auf das Magnetband 104 und die CD-ROM 108 beschränkt.
Das oben gezeigte Computersystem ist mit einem Steuersystem des leitenden RKM dergestalt verbunden, daß es den Ausleger und den Inspektions-Objektträger bedient. Dadurch wird die Inspektionsvorrichtung 100 verwirklicht. Für den Objektträger- und Ausleger-Treiber-Steuerabschnitt 25 kann ein in dem leitenden RKM enthaltenes Treiber-Steuersystem verwendet werden.
In diesem Fall ist der Steuerabschnitt 24 mit diesem Treiber- Steuersystem verbunden.

Claims

1. Verfahren zum Testen einer Halbleitervorrichtung mit in einer Hauptoberfläche eines Halbleitersubstrats (4) vorgesehenen Halbleiterregionen (7, 15 bis 18) und einer Mehrzahl von zum in Kontakt gelangen mit den Halbleiterregionen durch einen auf der Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats vorgesehenen Zwischenschicht-Isolationsfilm hindurchführenden Kontaktpfropfen (90 bis 91, 191 bis 194) mit den Schritten:
nach dem Anordnen der Halbleitervorrichtung, die gefertigt wird, auf einem Inspektions-Objektträger eines leitenden Rasterkraftmikroskops mit einem in einer Oberfläche des Zwischenschicht-Isolationsfilms freigelegten einen Ende jedes der Mehrzahl von Kontaktpfropfen

a) Anlegen einer Vorspannung zwischen einen Ausleger (3) des leitenden Rasterkraftmikroskops und das Halbleitersubstrat, Durchführen einer Abtastung mit dem Ausleger in Kontakt mit einem aus der Mehrzahl von Kontaktpfropfen ausgewählten Kontaktpfropfen und Erfassen eines durch den Ausleger fließenden Stroms und

b) nach dem Anwenden des Schrittes (a) auf die Mehrzahl von Kontaktpfropfen, Vergleichen der erfaßten Stromwerte mit einer gegebenen Schwelle zum Bestimmen einer elektrischen Eigenschaft der Halbleiter-Vorrichtung.

2. Halbleitervorrichtungs-Testverfahren nach Anspruch 1, bei dem, wenn die Halbleiterregionen Übergangsstrukturen mit einer anderen Halbleiterregion bilden, der Schritt (a) einen Schritt des Anlegens der Vorspannung in einer Vorwärtsrichtung bezüglich der Übergangsstrukturen aufweist, und der Schritt (b) einen Schritt des Bestimmens, ob die Mehrzahl von Kontaktpfropfen für eine gute Leitung sorgen oder Leitungs-Defekte aufweisen, aufweist, wobei eine Festlegung auf eine gute Leitung getroffen wird, wenn der erfaßte Stromwert größer oder gleich der gegebenen Schwelle ist.

3. Halbleitervorrichtungs-Testverfahren nach Anspruch 1, bei dem, wenn die Halbleiterregionen mit einer anderen Halbleiterregion Übergangsstrukturen bilden, der Schritt (a) einen Schritt des Anlegens der Vorspannung in einer Sperrichtung bezüglich der Übergangsstrukturen aufweist, und der Schritt (b) einen Schritt des Bestimmens, ob ein pn- Übergang in dem Halbleitersubstrat einen Leckstrom zeigt, aufweist, wobei eine Festlegung auf keinen Leckstrom in dem pn- Übergang getroffen wird, wenn der erfaßte Stromwert einen Absolutwert aufweist, der kleiner ist als die gegebene Schwelle.

4. Halbleitervorrichtungs-Testverfahren nach Anspruch 1, das weiterhin, vor dem Schritt (a) einen Schritt (S2) des Überprüfens der Übergangsstrukturen in dem Halbleitersubstrat auf der Grundlage der Layout-Information über die Mehrzahl von Kontaktpfropfen und der Layout-Information über die Implantationsmasken für die Implantation von Verunreinigungen aufweist, wobei der Schritt (a) einen Schritt (S3) des Setzens der Polarität und des Spannungswertes der Vorspannung auf der Grundlage eines Ergebnisses der Überprüfung und der Bestimmung, ob das Erfassen des Stroms mit den gewählten Spannungsbedingungen an dem Ausleger zweckdienlich ist oder nicht, aufweist, wobei, wenn das Erfassen zweckdienlich ist, der Strom bei den gewählten Spannungsbedingungen erfaßt wird.

5. Halbleitervorrichtungs-Testverfahren nach Anspruch 4, bei dem der Schritt (a) einen Schritt (S2) des Klassifizierens der Mehrzahl von Kontaktpfropfen auf der Grundlage des Ergebnisses der Überprüfung, bei dem mit einer gleichen Art von Übergangsstrukturen verbundene Pfropfen als Pfropfen einer gleichen Art klassifiziert werden, und des Setzens der Spannungsbedingungen auf der Grundlage der Klassifikation aufweist.

6. Halbleitervorrichtungs-Testverfahren nach Anspruch 4, bei dem der Schritt (a) einen Schritt des Veränderns der Polarität der Vorspannung auf der Grundlage, ob die Mehrzahl von Kontaktpfropfen bezüglich von Leitungs-Defekten oder Leckströmen an pn-Übergängen in dem Halbleitersubstrat inspiziert werden, aufweist.

7. Halbleitervorrichtungs-Testverfahren nach Anspruch 4, bei dem der Schritt (a) die Schritte
Bewegen des Inspektions-Objektträgers auf der Grundlage der Layout-Information über die Mehrzahl von Kontaktpfropfen zum Positionieren des ausgewählten Kontaktpfropfens unter dem Ausleger vor dem Erfassen des durch den Ausleger fließenden Stroms (S8),
Erhalten eines RKM-Bildes des Endes des ausgewählten Kontaktpfropfens durch Abtasten mit dem Ausleger des leitenden Rasterkraftmikroskops (S9) und
Korrigieren eines Positionsfehlers des Auslegers auf der Grundlage des RKM-Bildes (S10) aufweist.

8. Halbleitervorrichtungs-Testverfahren nach Anspruch 4, bei dem der Schritt (b) einen Schritt (S14) des Bestimmens der gegebenen Schwelle auf der Grundlage der von der Mehrzahl von Kontaktpfropfen erfaßten Stromwerte aufweist.

9. Halbleitervorrichtungs-Testverfahren nach Anspruch 4, bei dem der Schritt (b) einen Schritt (S13) des Erzeugens eines Histogramms auf der Grundlage der von der Mehrzahl von Kontaktpfropfen erfaßten Stromwerte aufweist.