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DE10223203A1 - Electronic component module and method for its production - Google Patents

Electronic component module and method for its production

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Publication number
DE10223203A1
DE10223203A1 DE10223203A DE10223203A DE10223203A1 DE 10223203 A1 DE10223203 A1 DE 10223203A1 DE 10223203 A DE10223203 A DE 10223203A DE 10223203 A DE10223203 A DE 10223203A DE 10223203 A1 DE10223203 A1 DE 10223203A1
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substrate
holes
contacts
bumps
substrate body
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DE10223203A
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German (de)
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Eric Beyne
Marcel Heerman
Jozef Van Puymbroeck
Bart Vandevelde
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Siemens AG
Original Assignee
Siemens Dematic AG
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Publication date
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Priority to AU2003232635A priority patent/AU2003232635A1/en
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Abstract

Ein Anschluss-Substrat für mindestens ein elektronisches Bauelement besitzt einen flachen Substratkörper, in dessen ebener Oberfläche jeweils Innenkontakt-Höcker (3) zur Flip-Chip-Kontaktierung eines Bauelements und ggf. Außenkontakt-Höcker (9) zum Anschluss an eine Leiterplatte jeweils durch Teilabtragung oder Verformung (2; 8) vertieft angeordnet sind. DOLLAR A Durch die Herstellung dieser Kontakt-Höcker im Heißpräge-Verfahren bzw. mittels Laserabtragung können sie sehr klein und in einem engeren Raster als bisherige Chip-Anschlüsse hergestellt werden.A connection substrate for at least one electronic component has a flat substrate body, in the flat surface of which there are in each case internal contact bumps (3) for flip-chip contacting of a component and, if appropriate, external contact bumps (9) for connection to a printed circuit board by partial removal or deformation (2; 8) are arranged recessed. DOLLAR A By producing these contact bumps using the hot stamping process or by laser ablation, they can be made very small and in a narrower grid than previous chip connections.

Description

Die Erfindung betrifft ein elektronisches Bauelement-Modul mit einem Anschluss-Substrat und mindestens einem elektronischen Bauelement sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung. The invention relates to an electronic component module with a connection substrate and at least one electronic component and a method for its production.

In der EP 0782765 B1 ist bereits ein Anschluss-Substrat mit einem Halbleiterchip, ein sogenanntes PSGA (Polymer Stud Grid Array) beschrieben, wobei das spritzgegossene Substrat angeformte Polymerhöcker mit einer lötbaren Endoberfläche besitzt. Die Polymerhöcker haben nicht nur den Vorteil, dass sie in einem Arbeitsgang mit dem Grundkörper selbst ausgeformt werden können, sondern sie können aufgrund ihrer Elastizität auch Spannungen, beispielsweise aufgrund von Wärmeausdehnungen, aufnehmen und ausgleichen. A connection substrate is already included in EP 0782765 B1 a semiconductor chip, a so-called PSGA (Polymer Stud Grid Array), wherein the injection molded substrate molded polymer bumps with a solderable end surface has. The polymer bumps not only have the advantage that them in one step with the basic body itself can be molded, but they can because of their Elasticity also tensions, for example due to Thermal expansion, absorb and compensate.

Bei den bisher bekannten Substraten mit Polymerhöckern sind Letztere in ihrer Verteilung und Anordnung an das herkömmliche Raster anderer Anschlusselemente, insbesondere der Lotkugeln in der sogenannten BGA-Technik angepasst. Bei dieser Technik können die Rasterabstände wegen der Eigenschaften und der Verarbeitungsform der Lotkugeln nicht weiter verkleinert werden. Allerdings besteht mittlerweile ein Trend zu weiterer Miniaturisierung, wobei Halbleiterbauelemente mit Flip-Chip- Anschlüssen einen Rasterabstand von 0,2 mm und kleiner besitzen und die Rasterabstände der Kontakte auf Leiterplatten von früher 1 mm und mehr inzwischen auf 0,5 mm und weiter verkleinert wurden. In the previously known substrates with polymer bumps The latter in their distribution and arrangement to the conventional grid of other connection elements, especially the Adjusted solder balls in the so-called BGA technique. At this Technology can change the grid spacing because of the properties and the processing form of the solder balls not further reduced become. However, there is now a trend towards more Miniaturization, whereby semiconductor components with flip-chip Connections with a grid spacing of 0.2 mm and smaller own and the grid spacing of the contacts on printed circuit boards from previously 1 mm and more now to 0.5 mm and further were reduced.

Ziel der vorliegenden Erfindung ist es deshalb, ein Anschluss-Substrat für mindestens ein elektronisches Bauelement, insbesondere ein Halbleiterbauelement, zu schaffen und ein Verfahren zu dessen Herstellung anzugeben, welches einen Anschluss der Bauelemente in Flip-Chip-Technik mit extrem geringen Rasterabständen ermöglicht und zugleich eine besonders niedrige Bauhöhe des aus Bauelement und Anschluss-Substrat gebildeten Moduls ermöglicht. The aim of the present invention is therefore a Connection substrate for at least one electronic Component, in particular a semiconductor component, to create and to specify a process for its production, which a Connection of the components in flip-chip technology with extreme allows small grid spacings and at the same time a special low height of the component and connection substrate formed module allows.

Erfindungsgemäß weist ein derartiges Modul folgende Merkmale auf:

  • - ein flacher Substratkörper (1; 21, 22, 23; 31; 41) besitzt auf seiner ebenen Oberseite (1a) einen Kontaktbereich mit Innenkontakten (4) für das Bauelement (7) und auf seiner Unterseite (1b) Außenkontakte (10);
  • - in dem Kontaktbereich sind durch Teilabtragung (2) oder Verformung des Substratmaterials jeweils vertieft angeordnete Innenkontakt-Höcker (3) im Abstand der Anschlüsse des Bauelementes ausgebildet;
  • - auf den Innenkontakt-Höckern (3) ist jeweils durch Metallisierung ein Innenkontakt (4) ausgebildet und mit einer Lotschicht versehen;
  • - auf den Innenkontakten ist das Bauelement (7) in Flip- Chip-Technik kontaktiert und
  • - von den Innenkontakten (4) erstrecken sich Leiterbahnen (6, 12, 13, 14, 33, 34, 43, 44) über Durchgangslöcher (5; 42) zu den Außenkontakten (10) auf der Unterseite des Substratkörpers (1; 21, 22, 23; 31; 41).
According to the invention, such a module has the following features:
  • - A flat substrate body ( 1 ; 21 , 22 , 23 ; 31 ; 41 ) has on its flat top ( 1 a) a contact area with internal contacts ( 4 ) for the component ( 7 ) and on its underside ( 1 b) external contacts ( 10 );
  • - In the contact area, partial recesses ( 2 ) or deformation of the substrate material form recessed internal contact bumps ( 3 ) at a distance from the connections of the component;
  • - An inner contact ( 4 ) is formed on the inner contact bumps ( 3 ) by metallization and provided with a solder layer;
  • - On the internal contacts, the component ( 7 ) is contacted in flip-chip technology and
  • - From the inner contacts ( 4 ) extend conductor tracks ( 6 , 12 , 13 , 14 , 33 , 34 , 43 , 44 ) via through holes ( 5 ; 42 ) to the outer contacts ( 10 ) on the underside of the substrate body ( 1 ; 21 , 22 , 23 ; 31 ; 41 ).

Durch die erfindungsgemäß vertiefte Anordnung der Innenkontakt-Höcker, die durch Teilabtragung, ringförmige Einkerbungen oder sonstige Verformung in der ansonsten ebenen Oberseite des Substratkörpers gebildet werden, ergibt sich eine besonders platzsparende Kontaktierung des Bauelementes in Flip- Chip-Technik mit besonders niedriger Gesamthöhe. Die Spitze der Höcker fluchtet dadurch im wesentlichen mit der ursprünglichen planen Oberfläche des Substratkörpers; lediglich der den Kontakt bildende Lotauftrag erhebt sich über diese Ebene. Due to the recessed arrangement of the invention Internal contact bumps by partial ablation, annular Notches or other deformation in the otherwise flat An upper side of the substrate body is formed Particularly space-saving contacting of the component in flip Chip technology with a particularly low overall height. The summit the hump is essentially flush with the original flat surface of the substrate body; only the the soldering order forming the contact rises above this level.

Im Vergleich mit der herkömmlichen BGA-Technik, die aufgrund der Größenverhältnisse der Lotkugeln eine Flip-Chip- Kontaktierung nur bis zu einem bestimmten Mindestabstand der Bauelementanschlüsse ermöglicht und mit der beispielsweise bei Abständen von weniger als 200 µm nur eine Drahtbondverbindung möglich ist, ermöglicht die erfindungsgemäße Kontaktierung mit vertieften Polymerhöckern eine Flip-Chip- Kontaktierung bis zu etwa 100 µm. Der Grund liegt darin, daß die Lotkugeln in der BGA-Technik beim Aufschmelzen zur Kontaktierung zusammengedrückt werden und dadurch ihren Durchmesser gegenüber ihrem ursprünglichen Kugeldurchmesser vergrößern (auf das etwa 1,3-fache), während die bei der Erfindung auf den Höckern ausgebildete Lotschicht beim Aufschmelzen ihren Durchmesser nicht vergrößert, so daß die Kontaktstelle keinen größeren Durchmesser erreicht als der Anschluß (Pad) des Bauelementes selbst. In comparison with the conventional BGA technology, which is due to the proportions of the solder balls a flip chip Contacting only up to a certain minimum distance Component connections enabled and with, for example at distances of less than 200 µm only one Wire bond connection is possible, enables the invention Contacting with recessed polymer bumps a flip chip Contacting down to about 100 µm. The reason is that the solder balls in the BGA technique when melting Contacts are pressed together and thereby theirs Diameter compared to their original ball diameter magnify (about 1.3 times), while that at Invention formed on the bumps solder layer at Melting does not increase their diameter, so that Contact point does not reach a larger diameter than the connection (Pad) of the component itself.

Vorzugsweise sind auch auf der Unterseite des Substratkörpers durch Teilabtrag oder Verformung ebenfalls vertiefte Außenkontakt-Höcker gebildet, welche im Raster von Leiterplatten- Anschlüssen angeordnet sind und die Außenkontakte des Substrats tragen. Je nach der Anordnung und dem Herstellungsverfahren der Höcker können diese auf der Oberseite bzw. auf der Unterseite des Substratkörpers durch ringförmige oder auch annähernd gitterförmige Einkerbungen gebildet sein. Denkbar ist es auch, im gesamten Kontaktbereich die Oberfläche des Substratkörpers mit Ausnahme der dann übrig bleibenden Höcker abzutragen oder durch Heißprägen zu verformen, so daß lediglich ein Randbereich und gegebenenfalls Zwischenstege in der ursprünglichen Oberflächenebene zusammen mit den Kontakthöckern stehen bleiben. Are preferably also on the underside of the substrate body also deepened by partial removal or deformation External contact bumps formed in the grid of PCB Connections are arranged and the external contacts of the Wear substrate. Depending on the arrangement and the Manufacturing processes of the bumps can be on the top or on the Underside of the substrate body by annular or else approximately grid-shaped notches are formed. Conceivable it is also the surface of the Substrate body with the exception of the remaining bumps remove or deform by hot stamping, so that only an edge area and, if necessary, intermediate webs in the original surface level along with the Contact bumps stop.

Je nach Verlauf der Leiterbahnen von den Innenkontakten zu den Durchgangslöchern oder zu anderen Anschlüssen können die ringförmigen Einkerbungen teilweise, insbesondere an ihren Innenseiten metallisiert sein, während ein anderer Teil, vorzugsweise zumindest Teile der Außenbereiche der Einkerbung, zur Bildung von Isolationsstrecken von der Metallisierung freigehalten werden. Dies kann an den schräg verlaufenden Wänden der Einkerbung vorteilhaft durch Laserbestrahlung bewirkt werden. Die Leiterbahnen auf der Oberseite und auf der Unterseite des Substratkörpers können in bevorzugter Ausgestaltung jeweils in nutenförmigen Längsgräben verlaufen, die in die Oberfläche des Substratkörpers eingearbeitet sind. Dabei ist es vorteilhaft, dass jeweils die schrägen Seitenwände dieser Gräben zur Bildung von Leiterbahnen metallisiert sind, während der Bodenbereich und die Außenränder der Gräben, die mit Laserstrahlung gut bearbeitet werden können, von der Metallisierung freigehalten werden und somit Isolationsstrecken bilden. Auf diese Weise können sehr platzsparend jeweils zwei Leiterbahnen in einem Graben untergebracht werden. Depending on the course of the conductor tracks from the internal contacts the through holes or to other connections ring-shaped notches partially, especially on their Insides be metallized while another part, preferably at least parts of the outer areas of the notch, to form isolation gaps from metallization be kept free. This can be due to the sloping Walls of the notch are advantageous due to laser radiation be effected. The conductor tracks on the top and on the Bottom of the substrate body can be more preferred Design each run in groove-shaped longitudinal trenches are incorporated into the surface of the substrate body. It is advantageous that the inclined side walls these trenches are metallized to form conductor tracks, while the bottom area and the outer edges of the trenches that can be processed well with laser radiation, of which Metallization are kept free and thus insulation distances form. In this way, two can be very space-saving Conductor tracks can be housed in a trench.

Die Durchgangslöcher können mit rundem oder mit reckeckigem Querschnitt entweder von der oberseitigen Oberfläche bis zur unterseitigen Oberfläche vorgesehen werden, oder sie können vorteilhafterweise im Bereich einer, z. B. ringförmigen, Einkerbung direkt neben einem Höcker oder aber auch im Bereich eines Leiterbahnen führenden Grabens erzeugt werden. Im letzteren Fall ist es besonders vorteilhaft, ein rechteckiges Durchgangsloch vorzusehen, wobei jeweils zwei gegenüberliegende Seitenwände metallisiert sind, während die dazwischenliegenden Seitenwände Isolationsstrecken bilden. Dadurch können zwei getrennte Leiterbahnen in einem rechteckigen Durchgangsloch erzeugt werden, welche jeweils getrennt mit den beiden Leiterbahnen eines nutenförmigen Grabens verbunden werden können. Solche rechteckigen Durchgangslöcher können in einfacher Weise etwa beim Heißprägen des Substratkörpers erzeugt werden, wobei schräg verlaufende Seitenwände zur Erzeugung der Isolationsstrecken mit einem Laserstrahl bearbeitet werden können. The through holes can be round or rectangular Cross section either from the top surface to provided on the underside surface, or they can advantageously in the area of, for. B. annular, Notch right next to a hump or in the area of a trench guiding conductor tracks are generated. in the the latter case, it is particularly advantageous to use a rectangular one To provide through hole, two each opposite side walls are metallized, while the form insulation sections between the side walls. Thereby can have two separate traces in a rectangular Through hole are generated, each separately with the two conductor tracks of a groove-shaped trench connected can be. Such rectangular through holes can in in a simple manner, for example when hot-stamping the substrate body are generated, with inclined side walls for Generation of the insulation sections processed with a laser beam can be.

Der Substratkörper kann beispielsweise aus einer einzigen Folie hergestellt werden. Es kann aber auch von Vorteil sein, ein Basis-Substrat vorzusehen, auf dessen Oberseite und/oder Unterseite jeweils eine Höckerschicht auflaminiert wird, wobei in der jeweiligen Höckerschicht die Innenkontakt-Höcker bzw. die Außenkontakt-Höcker ausgebildet sind. In diesem Fall können die Höckerschichten jeweils aus einem anderen Material bestehen als das Basis-Substrat. So ist es möglich, die Höckerschicht mit den Innenkontakt-Höckern aus einem Material vorzusehen, das bezüglich seiner Wärmeausdehnungs- Eigenschaften dem Material des aufzubringenden Bauelementes, vorzugsweise also einem Halbleitermaterial, angepasst ist, während für die Außenkontakt-Höcker ein Material verwendet werden kann, das hinsichtlich seiner Wärmeausdehnungs- Eigenschaften an eine Leiterplatte angepasst ist. The substrate body can, for example, consist of a single one Foil are made. But it can also be an advantage to provide a base substrate on the top and / or A bump layer is laminated on the underside, the inside contact bumps in the respective bump layer or the external contact bumps are formed. In this case the cusp layers can each be made of a different material exist as the base substrate. So it is possible that Bump layer with the internal contact bumps made of one material to provide that in terms of its thermal expansion Properties of the material of the component to be applied, is preferably adapted to a semiconductor material, while a material is used for the external contact bumps which can be used in terms of its thermal expansion Properties adapted to a circuit board.

Ein erfindungsgemäßes Verfahren zur Herstellung eines Anschluss-Substrats weist die folgenden Schritte auf:

  • a) In der Oberfläche eines folienförmigen Substratkörpers aus Polymer-Material werden zumindest auf einer Seite durch Teilabtragung oder Verformung der Oberfläche jeweils Innenkontakt-Höcker (3) geformt;
  • b) zwischen der Oberseite und der Unterseite des Substratkörpers werden Durchgangslöcher erzeugt;
  • c) durch Metallisierung der Oberseite und der Unterseite des Substratkörpers sowie der Durchgangslöcher wird eine Leiterschicht erzeugt;
  • d) durch gezielte Strukturierung der Leiterschicht werden Innenkontakte auf den Innenkontakt-Höckern der Oberseite, Außenkontakte auf der Unterseite und zur Bildung elektrisch leitender Verbindungen zwischen den Innenkontakten und den Außenkontakten erzeugt;
  • e) die Innenkontakte werden mit einem Lot- Material beschichtet; und
  • f) auf die Innenkontakte wird das Bauelement aufgesetzt, und seine Anschlüsse werden mit den Innenkontakten verlötet.
A method according to the invention for producing a connection substrate has the following steps:
  • a) Inside contact bumps ( 3 ) are formed in each case on the surface of a film-shaped substrate body made of polymer material by partial removal or deformation of the surface;
  • b) through holes are produced between the top and the bottom of the substrate body;
  • c) a conductor layer is produced by metallizing the top and bottom of the substrate body and the through holes;
  • d) through targeted structuring of the conductor layer, internal contacts are produced on the internal contact bumps on the top, external contacts on the underside and to form electrically conductive connections between the internal contacts and the external contacts;
  • e) the internal contacts are coated with a solder material; and
  • f) the component is placed on the internal contacts and its connections are soldered to the internal contacts.

Vorzugsweise werden im Schritt a) auch auf der Unterseite des Substratkörpers durch Verformung oder Teilabtragung, beispielsweise durch kreisförmiges Einkerben, jeweils Außenkontakt-Höcker geformt, und es werden auf diesen im Schritt c) jeweils die Außenkontakte erzeugt. Preferably, in step a) also on the underside of the Substrate body by deformation or partial removal, for example, by circular notching, respectively External contact bumps are shaped, and in step c) each generated the external contacts.

Grundsätzlich wäre es zwar möglich, das erfindungsgemäße Anschluss-Substrat mit den vertieften Kontakt-Höckern auch in bekannter Weise durch Spritzgießen herzustellen. Da es jedoch um besonders kleine Abmessungen der Höcker selbst und der Teilungsabstände zwischen den Höckern geht, kommen für die erfindungsgemäße Herstellung der Höcker, die Herstellung der Durchgangslöcher und ggf. die Herstellung von Nuten zur Führung von Leiterbahnen vorzugsweise ein Heißprägeverfahren oder eine Strukturierung des Substratkörpers mit einem Laserstrahl in Betracht. Für die Strukturierung der Metallisierungsschicht zur Bildung der Leiterbahnen wird vorzugsweise eine Strukturierung mittels Laserstrahl verwendet. Dabei ist es in einem Fall möglich, eine Ätzresistschicht mit einem Laserstrahl zu strukturieren und danach die freigelegten Strukturen in einem Ätzverfahren abzutragen. Bei einer anderen Methode, die insbesondere für sehr dünne Leiterschichten Anwendung findet, kann auch die Metallschicht direkt mit dem Laserstrahl strukturiert werden. In principle, it would be possible to implement the invention Connection substrate with the recessed contact bumps also in known manner by injection molding. However, since it to particularly small dimensions of the hump itself and the Pitch between the humps comes for that Production of the humps according to the invention, the production of the Through holes and possibly the production of grooves for Routing conductor tracks, preferably a hot stamping process or a structuring of the substrate body with a Laser beam into consideration. For structuring the Metallization layer for forming the conductor tracks is preferred structuring using a laser beam. It is in one case it is possible to use an etch resist layer with a Structure the laser beam and then the exposed ones Remove structures in an etching process. Another one Method especially for very thin conductor layers The metal layer can also be used directly with the Laser beam can be structured.

Bei der erfindungsgemäßen Gestaltung des Anschluss-Substrats ist es möglich, in Anpassung an die Anschlüsse von Halbleiterchips Anschluss-Höcker mit einem Durchmesser von etwa 50 bis 250 µm mit einem Rasterabstand von etwa 200 µm zu erzeugen, wobei die Höhe der Höcker größer als der Durchmesser ist und vorzugsweise mehr als das 1,3-fache des Durchmessers der Lötverbindung betragen kann. Dadurch ergibt sich auf sehr engem Raum eine gute Elastizität der einzelnen Anschlüsse. Durch die Verwendung von vertieften Aussenkontakt-Höckern auf der Unterseite des Substratkörpers mit entsprechend kleinerem Durchmesser der Lötstellen der Außenanschlüsse wird auch auf der Leiterplatte, die das Modul aufnimmt, weniger Platz für die Kontakt selbst benötigt. Somit bleibt auf der Leiterplatte beispielsweise zwischen zwei Anschlüssen zusätzlicher Platz verfügbar, um anstelle einer Leiterbahn zwei oder drei Leiterbahnen hindurchzuführen. In the design of the connection substrate according to the invention it is possible to adapt to the connections of Semiconductor chips connection bumps with a diameter of about 50 up to 250 µm with a grid spacing of about 200 µm generate, the height of the bumps is greater than the diameter and preferably more than 1.3 times the diameter of the Solder connection can be. This results in a lot tight space a good elasticity of the individual connections. By using recessed external contact bumps the underside of the substrate body with a correspondingly smaller one Diameter of the solder joints of the external connections is also on the circuit board that holds the module, less space for who need contact themselves. So stay on the Printed circuit board, for example, between two additional connections Space available to place two or three instead of a trace To conduct conductor tracks.

Die Erfindung wird nachfolgend an Ausführungsbeispielen anhand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigen The invention is described below using exemplary embodiments explained in more detail with reference to the drawing. Show it

Fig. 1 einen Ausschnitt aus einem erfindungsgemäßen Anschluss-Substrat für ein erfindungsgemäßes Modul, Fig. 1 shows a section of an inventive connection substrate for an inventive module,

Fig. 2 eine schematische Ansicht des Aufbaus von Innenkontakt-Höckern in Verbindung mit Durchgangslöchern im Schnitt, Fig. 2 is a schematic view showing the structure of inner contact bumps in connection with through-holes in section,

Fig. 3 eine Schnittansicht eines Moduls mit Höckern auf der Ober- und Unterseite des Anschluss-Substrats, Fig. 3 is a sectional view of a module with bumps on the top and bottom of the terminal substrate,

Fig. 4 eine Schnittansicht eines Substrats mit einer zusätzlichen Höckerschicht auf der Oberseite, Fig. 4 is a sectional view of a substrate with an additional bump layer on the top,

Fig. 5 eine Schnittansicht eines Substrats mit zusätzlichen Höckerschichten auf der Ober- und Unterseite, Fig. 5 is a sectional view of a substrate with additional bumps layers on the top and bottom,

Fig. 6 eine schematische Detaildarstellung von Nuten mit Leiterbahnen, Fig. 6 is a schematic detail representation of grooves with conductor tracks,

Fig. 7 eine schematische Darstellung eines rechteckigen Durchgangsloches, Fig. 7 is a schematic representation of a rectangular through-hole,

Fig. 8 eine schematische Ansicht einer Leiterbahnstruktur auf der Oberseite eines Anschluss-Substrats, und Fig. 8 is a schematic view of a wiring pattern on the upper side of a connecting substrate, and

Fig. 9 eine schematische Darstellung einer Leiterbahnstruktur auf der Unterseite eines Anschluss-Substrats, Fig. 9 is a schematic representation of a wiring pattern on the bottom of a connecting substrate,

Fig. 10 eine schematische Darstellung einer Substrat- Oberseite mit einer gegenüber Fig. 2 abgewandelten Gestaltung der Innenkontakt-Höcker, Fig. 10 is a schematic representation of a substrate having a top surface with respect to FIG. 2 modified design of the inner contact bumps,

Fig. 11 eine gegenüber Fig. 10 weiter abgewandelte Ausführungsform eines Substratkörpers zur Darstellung der Lotaufbringung und FIG. 11 shows an embodiment of a substrate body further modified compared to FIG. 10 to show the solder application and

Fig. 12 eine schematische Schnittdarstellung eines erfindungsgemäßen Moduls in einer weiteren Abwandlung. Fig. 12 is a schematic sectional view of a module according to the invention in a further modification.

In Fig. 1 ist schematisch ein Ausschnitt eines erfindungsgemäßen Anschluss-Substrats gezeigt. Dieses Anschluss-Substrat besteht im Wesentlichen aus einem Substratkörper 1 aus Isolierstoff, beispielsweise LCP oder einem sonstigen, vorzugsweise thermoplastischen Kunststoff. In die Oberseite 1a dieses Substratkörpers 1 sind ringförmige Einkerbungen 2 eingebracht, beispielsweise mittels eines Prägestempels oder auch durch Abtragung mit einem Laserstrahl. Durch diese ringförmigen Einkerbungen 2, deren Tiefe beispielsweise 50 bis 200 µm betragen kann, sind Innenkontakt-Höcker 3 gebildet, deren Rasterabstände den Kontaktabständen eines Halbleiter-Bauelementes entsprechen, so dass eine Flip-Chip-Kontaktierung unmittelbar auf der Oberseite des Anschluss-Substrats möglich ist. Zu diesem Zweck sind auf der Spitze der Höcker 3 jeweils Innenkontakte in Form einer Metallschicht aufgebracht. In Fig. 1 a section of a connection according to the invention substrate is schematically shown. This connection substrate essentially consists of a substrate body 1 made of insulating material, for example LCP or another, preferably thermoplastic. In the upper side 1 a of this substrate body 1 , annular notches 2 are made , for example by means of an embossing stamp or also by removal with a laser beam. These annular notches 2 , the depth of which can be, for example, 50 to 200 μm, form internal contact bumps 3 , the grid spacings of which correspond to the contact spacings of a semiconductor component, so that flip-chip contacting is possible directly on the top of the connection substrate is. For this purpose, internal contacts in the form of a metal layer are applied to the top of the bumps 3 .

Wie in Fig. 1 weiter schematisch gezeigt ist, werden bei dieser Ausführungsform jeweils Durchgangslöcher 5 zwischen der Oberseite 1a und der Unterseite 1b des Substratkörpers erzeugt, wobei in diesem Fall die Durchgangslöcher 5 jeweils in eine Einkerbung 2 münden. Über die Metallisierung dieser Durchgangslöcher und der Außenwand der Höcker 3 wird so eine unmittelbare leitende Verbindung von den Innenkontakten 4 über die Durchgangslöcher 5 zur Unterseite 1b des Substratkörpers erzeugt. As is further shown schematically in FIG. 1, in this embodiment through holes 5 are produced between the top 1 a and the bottom 1 b of the substrate body, in which case the through holes 5 each open into a notch 2 . Via the metallization of these through holes and the outer wall of the bumps 3 , a direct conductive connection is thus produced from the inner contacts 4 via the through holes 5 to the underside 1 b of the substrate body.

Fig. 2 zeigt in einem Schnitt den Aufbau von Innenkontakt- Höckern 3. Nachdem die Einkerbungen 2 und die Durchgangslöcher 5 durch Heißprägen oder mittels Laserbestrahlung in dem Substratkörper 1 erzeugt sind, wird der Substratkörper mit einer Metallisierungsschicht überzogen, welche in einem Strukturierungsvorgang teilweise wieder abgetragen wird, so dass jeweils am Umfang der Innenkontakt-Höcker 3 eine Metallschicht 6, vorzugsweise eine Kupferschicht, bestehen bleibt, während die Außenwände der Einkerbungen 2 von der Metallisierung befreit werden und somit als Isolationsstrecken wirken. Auf die Spitze der Höcker 3 wird ebenfalls eine Metallisierung zur Bildung der Innenkontakte 4 aufgebracht. Dazu kommt noch eine Lotschicht, die hier nicht eigens dargestellt ist. Die Durchgangslöcher 5 sind während des Metallisierungsvorgangs ebenfalls mit einer Metallschicht ausgekleidet worden. Die Löcher selbst können anschließend entweder mit Metall oder auch mit einer Kunststoffmasse verschlossen werden. Fig. 2 shows in a section the structure of Innenkontakt- bumps. 3 After the notches 2 and the through holes 5 have been produced in the substrate body 1 by hot stamping or by laser radiation, the substrate body is coated with a metallization layer, which is partially removed again in a structuring process, so that a metal layer 6 is provided on the circumference of the internal contact bumps 3 , preferably a copper layer, remains, while the outer walls of the notches 2 are freed from the metallization and thus act as insulation sections. A metallization to form the internal contacts 4 is also applied to the tip of the bumps 3 . There is also a solder layer, which is not specifically shown here. The through holes 5 have also been lined with a metal layer during the metallization process. The holes themselves can then be closed either with metal or with a plastic compound.

Fig. 3 zeigt wiederum einen Schnitt durch ein schematisch dargestelltes Anschluss-Substrat 1, wobei auf der Oberseite jeweils Innenkontäkt-Höcker 3 mit Innenkontakten 4 zur Flip- Chip-Kontaktierung mit Anschlüssen 17 eines Halbleiterchips 7 oder eines anderen Bauelementes ausgebildet sind. Auf der Unterseite des Substratkörpers sind in gleicher Weise durch ringförmige Einkerbungen 8 jeweils Außenkontakt-Höcker 9 gebildet, welche ebenfalls in die Oberfläche des Substrats versenkt sind und auf ihrer Spitze jeweils einen Außenkontakt 10 tragen. Diese Außenkontakt-Höcker 9 sind in ihrer Größe und in ihrem Rasterabstand an die Anschlüsse einer Leiterplatte 11 angepasst. Die Verbindung zwischen den Innenkontakten 4 und den Außenkontakten 10 erfolgt über die metallisierten Durchgangslöcher 5 und eine entsprechende Leiterbahnstruktur 12 auf der Unterseite 1b des Substratkörpers. Die Metallisierung und Strukturierung der Leiterschichten auf der Oberseite und der Unterseite des Substratkörpers können in einem Verfahrenschritt durchgeführt werden. FIG. 3 again shows a section through a schematically illustrated connection substrate 1 , internal contact bumps 3 with internal contacts 4 for flip-chip contacting with connections 17 of a semiconductor chip 7 or another component being formed on the top. On the underside of the substrate body, external contact bumps 9 are formed in the same way by ring-shaped notches 8 , which are likewise sunk into the surface of the substrate and each carry an external contact 10 on their tip. These external contact bumps 9 are adapted in size and in their grid spacing to the connections of a printed circuit board 11 . The connection between the inner contacts 4 and the outer contacts 10 takes place via the metallized through holes 5 and a corresponding conductor track structure 12 on the underside 1 b of the substrate body. The metallization and structuring of the conductor layers on the top and the bottom of the substrate body can be carried out in one process step.

Fig. 4 zeigt eine Abwandlung gegenüber Fig. 3. In diesem Fall besteht der Substratkörper aus einem Basis-Substrat 21, auf dessen Unterseite die Außenkontakt-Höcker 9 wie im vorhergehenden Beispiel angeordnet sind. Auf der Oberseite dieses Basissubstrats 21 ist allerdings eine erste Höckerschicht 22 auflaminiert, in der die Innenkontakt-Höcker 3 wie in den vorherigen Beispielen geformt werden. Auf diese Weise kann die Höckerschicht 22 noch besser an die Eigenschaften, insbesondere die Wärmeausdehnungs-Eigenschaften eines aufzulegenden Bauelementes angepasst werden, etwa an die Eigenschaften eines Halbleitermaterials. FIG. 4 shows a modification compared to FIG. 3. In this case, the substrate body consists of a base substrate 21 , on the underside of which the external contact bumps 9 are arranged as in the previous example. However, a first bump layer 22 is laminated on top of this base substrate 21 , in which the internal contact bumps 3 are shaped as in the previous examples. In this way, the bump layer 22 can be adapted even better to the properties, in particular the thermal expansion properties, of a component to be placed on top, for example the properties of a semiconductor material.

Fig. 5 zeigt eine weitere Abwandlung, wobei in diesem Fall das Basis-Substrat 21 nicht nur auf der Oberseite eine erste Höckerschicht 22, sondern auch auf der Unterseite eine zweite Höckerschicht 23, trägt. Somit können die Höckerschichten 22 und 23 in unterschiedlicher Weise jeweils in Anpassung an ihre Kontaktpartner ausgewählt werden, also die erste Höckerschicht 22 an ein Bauelement-Material und die zweite Höckerschicht 23 an die Eigenschaften eines Leiterplatten-Materials angepasst werden. In Fig. 5 ist weiter die Möglichkeit gezeigt, Leiterbahnen auf der Oberseite und der Unterseite des Basis-Substrats 21 aufzubringen und zu strukturieren, bevor die Höckerschichten 22 und 23 auflaminiert werden. Somit durchsetzen die Durchgangslöcher 5 jeweils nur das Basissubstrat 21 und sind auf der Oberseite mit oberseitigen Leiterbahnen 24 und auf der Unterseite mit unterseitigen Leiterbahnen 25 verbunden, die ihrerseits mit Metallisierungen 6 in den Einkerbungen 2 bzw. 8 in Verbindung stehen. FIG. 5 shows a further modification, in which case the base substrate 21 carries not only a first bump layer 22 on the top but also a second bump layer 23 on the bottom. Thus, the bump layers 22 and 23 can be selected in different ways to match their contact partners, that is, the first bump layer 22 can be adapted to a component material and the second bump layer 23 can be adapted to the properties of a printed circuit board material. In Fig. 5, the possibility is further shown to apply conductive traces on the top and the bottom of the base substrate 21 and structure before the layers are laminated bumps 22 and 23. Thus, the through holes 5 each penetrate only the base substrate 21 and are connected on the upper side to upper-side conductor tracks 24 and on the underside to lower-side conductor tracks 25 , which in turn are connected to metallizations 6 in the notches 2 and 8 , respectively.

Bei den Anschluss-Substraten gemäß den Fig. 1 bis 4 können Leiterbahnen auf der Unterseite oder auf der Oberseite eines Substratkörpers 31 jeweils in nutenförmigen Gräben 32 angeordnet sein, die in Fig. 6 lediglich schematisch als kurze Abschnitte gezeigt sind. Solche Gräben können ebenfalls bei der Herstellung des Substrats, d. h. bei der Formung der Einkerbungen 2 durch Heißprägen oder durch Laserstrukturierung, mitgestaltet werden. Vorzugsweise werden in diesen Gräben 32 jeweils die schräg gestellten Seitenwände 33 und 34 metallisiert, während die Bodenflächen 35 und die oberen Randbereiche 36 nicht metallisiert sind und als Isolierstrecken dienen. Auf diese Weise können in einem Graben 32 jeweils zwei Leiterbahnen an gegenüberliegenden Wänden erzeugt werden. Die Herstellung ist relativ einfach, da nach der Metallisierung der gesamten Oberfläche des Substratkörpers einschließlich der Grabenwände die oberflächlichen Bereiche 36 und die zu der Oberfläche parallelen Bodenbereiche 35 leicht mittels eines Laserstrahls strukturiert, d. h. von der Metallisierung befreit werden können. Lediglich beispielshalber seien hier noch Größenverhältnisse angegeben, die mit einer derartigen Grabenstruktur erreicht werden können. Ein Graben 32 kann im Bodenbereich 35 eine Breite b1 von 50 µm besitzen, während der Grabenabstand im Oberflächenbereich eine Breite b2 von ebenfalls 50 µm aufweisen kann. Nimmt man ferner an, dass die schräg verlaufenden Seitenwände 33 und 34 jeweils eine Breite b3 von 25 µm einnehmen, so kann man mit dieser Technik auf einer Gesamtbreite von b4 = 150 µm zwei Leiterbahnen unterbringen. Die Tiefen der Gräben kann in diesem Beispiel ebenfalls bei etwa 50 µm liegen. Can at the connection substrates according to FIGS. 1 to 4 traces on the underside or on the upper surface of a substrate body 31 may be disposed in each groove-shaped grooves 32, which are only schematically as short sections shown in Fig. 6. Such trenches can also be shaped during the production of the substrate, ie during the formation of the notches 2 by hot stamping or by laser structuring. The inclined side walls 33 and 34 are preferably metallized in these trenches 32 , while the bottom surfaces 35 and the upper edge regions 36 are not metallized and serve as insulating sections. In this way, two conductor tracks can be produced on opposite walls in a trench 32 . The production is relatively simple, since after the entire surface of the substrate body including the trench walls has been metallized, the superficial regions 36 and the bottom regions 35 parallel to the surface can easily be structured by means of a laser beam, ie can be freed from the metallization. For the sake of example only, size ratios that can be achieved with such a trench structure are given here. A trench 32 can have a width b1 of 50 μm in the bottom region 35 , while the trench spacing in the surface region can also have a width b2 of 50 μm. If one also assumes that the inclined side walls 33 and 34 each have a width b3 of 25 μm, this technique can be used to accommodate two conductor tracks over a total width of b4 = 150 μm. The depths of the trenches can also be about 50 μm in this example.

Fig. 7 zeigt ebenfalls schematisch die Gestaltung eines rechteckförmigen, sich einseitig verengenden Durchgangsloches 42. In einem nur angedeuteten Substratkörper 41 ist ein rechteckiges Durchgangsloch 42, beispielsweise durch Heißprägen des Substrats, angeformt. Dabei werden schräge Seitenwände 43, 44, 45 und 46 dadurch erzeugt, dass die Seitenlängen c1 und d1 an der Oberseite größer sind als die Seitenlängen c2 und d2 auf der Unterseite. Hier sei noch erwähnt, dass Oberseite und Unterseite beim Substratkörper auch vertauscht werden können, so dass beispielsweise die größere Lochweite wahlweise auf der Chipseite des Anschluss-Substrats oder auf der Leiterplattenseite vorgesehen werden kann. FIG. 7 also schematically shows the design of a rectangular through hole 42 narrowing on one side. A rectangular through hole 42 is formed in a substrate body 41, which is only indicated, for example by hot stamping the substrate. In this case, inclined side walls 43 , 44 , 45 and 46 are produced in that the side lengths c1 and d1 on the upper side are larger than the side lengths c2 and d2 on the underside. It should also be mentioned here that the top and bottom sides of the substrate body can also be interchanged, so that, for example, the larger hole width can optionally be provided on the chip side of the connection substrate or on the circuit board side.

Nach der allseitigen Metallisierung des Substratkörpers 41 und auch des Durchgangslochs 42 werden dann zwei gegenüberliegende Seiten, beispielsweise die Seiten 45 und 46, von der Metallisierung befreit, so dass zwei mit Metall beschichtete, voneinander isolierte Seitenflächen 43 und 44 bestehen bleiben. Diese bilden dann zwei getrennte Leiterbahn- Durchführungen von der Oberseite zu der Unterseite des Substrats. Durchführungen dieser Art können im Substratkörper jeweils dort vorgesehen werden, wo es am günstigsten ist. Vorteilhaft ist beispielsweise ein derartiges Durchgangsloch im Bereich eines Grabens 32 gemäß Fig. 6. So könnte beispielsweise eine Leiterbahn 33 von Fig. 6 mit einer Durchführungs-Leiterbahn 43 und eine Leiterbahn 34 mit einer Durchführungs-Leiterbahn 44 verbunden werden. After all-sided metallization of the substrate body 41 and also the through hole 42 , two opposite sides, for example sides 45 and 46, are then freed from the metallization, so that two side surfaces 43 and 44 coated with metal and insulated from one another remain. These then form two separate interconnect bushings from the top to the bottom of the substrate. Feedthroughs of this type can be provided in the substrate body where it is cheapest. Such a through hole in the region of a trench 32 according to FIG. 6 is advantageous, for example . For example, a conductor track 33 from FIG. 6 could be connected to a bushing conductor track 43 and a conductor track 34 to a bushing conductor track 44 .

In den Fig. 8 und 9 sind jeweils schematisch mögliche Gestaltungen der Oberseite eines Anschluss-Substrats (Fig. 8) und der Unterseite (Fig. 9) gezeigt. Die Schemata von Fig. 8 und Fig. 9 stehen jedoch nicht in Korrelation zueinander, es handelt sich lediglich um prinzipielle Anordnungsmöglichkeiten der jeweiligen Anschluss-Elemente des Substrats. Schematically possible configurations of the upper side in Figs. 8 and 9 are shown a terminal substrate (Fig. 8) and the bottom (Fig. 9). However, the schemes of Fig. 8 and Fig. 9 are not in correlation with each other, it is merely basic arrangement possibilities of the respective connecting elements of the substrate.

So zeigt Fig. 8 eine Reihe von Innenkontakt-Höckern 3, wie sie in Fig. 1 bis 5 gezeigt sind. Diese tragen jeweils einen Innenkontakt 4. Von diesen Innenkontakt-Höckern gehen teilweise Leiterbahnen 13 ab, die bei entsprechender Gestaltung auch wie die Leiterbahnen 33 bzw. 34 (Fig. 6) in Gräben angeordnet sein können. Jeweils zwei dieser Leiterbahnen 13 führen zu einem rechteckigen Durchgangsloch 42 gemäß Fig. 7 mit Durchgangs-Leiterbahnen 43 und 44. Thus, Fig. 8 shows a series of inner contact bumps 3 as shown in Fig. 1 to 5. These each have an internal contact 4 . From these internal contact bumps, conductor tracks 13 partially depart, which, with a corresponding design, can also be arranged in trenches like conductor tracks 33 and 34 ( FIG. 6). In each case two of these conductor tracks 13 lead to a rectangular through hole 42 according to FIG. 7 with through conductor tracks 43 and 44 .

Weitere Innenkontakt-Höcker 3 in Fig. 8 mit Innenkontakten 4 sind jeweils mit runden Durchgangslöchern 5 wie in den Fig. 1 bis 4 verbunden. Diese Durchgangslöcher können unmittelbar neben den Höckern 3 im Bereich der ringförmigen Einkerbungen 2 angeordnet sein. Andere wiederum sind über zusätzliche Leiterbahnen 14 mit einem entfernten Durchgangsloch 5 verbunden. Further internal contact bumps 3 in FIG. 8 with internal contacts 4 are each connected to round through holes 5 as in FIGS. 1 to 4. These through holes can be arranged directly next to the bumps 3 in the area of the annular notches 2 . Others in turn are connected to a remote through hole 5 via additional conductor tracks 14 .

Fig. 9 zeigt eine mögliche Anordnung einer Leiterplatten- Anschluss-Seite im Ausschnitt. Auch auf dieser Seite sind Höcker vorgesehen, nämlich die Außenkontakt-Höcker 9 mit den Außenkontakten 10, die durch ringförmige Einkerbungen 8 gebildet sind. Auch in diesem Fall sind zwei Arten von Durchgangslöchern dargestellt, nämlich runde Durchgangslöcher 5, die unmittelbar im Bereich einer ringförmigen Einkerbung 8 angelegt sein können, und rechteckförmige Durchgangslöcher 42, die gemäß Fig. 7 ausgebildet sind. Diese Durchgangslöcher sind jeweils mit Leiterbahnen verbunden, beispielsweise Leiterbahnpaaren 33 und 34, die gemäß Fig. 6 in einem gemeinsamen Graben 32 angeordnet sind. In Fig. 9 ist gezeigt, wie diese beiden Leiterbahnen 33, 34 mit den beiden leitenden Seitenwänden 43 und 44 eines Durchgangsloches verbunden sind. Fig. 9 shows a possible arrangement of a circuit board connection side in the cutout. Bumps are also provided on this side, namely the external contact bumps 9 with the external contacts 10 , which are formed by annular notches 8 . In this case, too, two types of through holes are shown, namely round through holes 5 , which can be created directly in the area of an annular notch 8 , and rectangular through holes 42 , which are designed according to FIG. 7. These through holes are each connected to conductor tracks, for example conductor track pairs 33 and 34 , which are arranged in a common trench 32 according to FIG. 6. FIG. 9 shows how these two conductor tracks 33 , 34 are connected to the two conductive side walls 43 and 44 of a through hole.

In den Fig. 10 bis 12 sind schematisch weitere Abwandlungen des Anschluss-Substrats bzw. des erfindungsgemäßen Moduls gezeigt. Fig. 10 zeigt schematisch einen Substratkörper 51, auf dessen Oberseite Innenanschluss-Höcker 53 im Vergleich mit Fig. 2 nicht durch ringförmige Einkerbungen, sondern durch großflächige Abtragung bzw. Verformung der Bereiche 52 unter die Oberflächenebene 55 erzeugt sind. Neben den Innenkontakt-Höckern 53 bleiben in diesem Fall lediglich Randbereiche 56 und ein Zwischensteg 57 in der ursprünglichen Höhe bestehen. Die Innenkontakt-Höcker 53 werden dann - nach einer vorherigen Grund-Metallisierung - mit einer Lotschicht 54 zur Bildung der lötbaren Innenkontakte versehen. In Figs. 10 to 12 schematically show further modifications of the connection substrate or of the module according to the invention are shown. FIG. 10 schematically shows a substrate body 51 , on the upper side of which internal connection bumps 53 are produced in comparison to FIG. 2 not by ring-shaped notches but by large-area removal or deformation of the areas 52 below the surface plane 55 . In this case, in addition to the inner contact bumps 53 , only edge regions 56 and an intermediate web 57 remain in the original height. The inner contact bumps 53 are then - after a previous basic metallization - provided with a solder layer 54 to form the solderable inner contacts.

Vor dem Aufbringen der Lotschicht 54 werden zweckmäßigerweise die Bereiche um die Innenkontakt-Höcker 53 mit einem Lotresist 58 bedeckt (Fig. 11), um den notwendigen Isolationsabstand zwischen den einzelnen Höckern sicherzustellen. Dieses Lotresist wird beispielsweise durch Aufsprühen mit nachfolgender Laserstrukturierung oder durch Aufbringen einer lichtempfindlichen Schicht mit nachfolgender Belichtung erzeugt und strukturiert. Für das Aufbringen der Lotbeschichtung 54 kommen bekannte Verfahren, wie Siebdruck, in Betracht. Before the solder layer 54 is applied , the areas around the internal contact bumps 53 are expediently covered with a solder resist 58 ( FIG. 11) in order to ensure the necessary insulation distance between the individual bumps. This solder resist is produced and structured, for example, by spraying with subsequent laser structuring or by applying a light-sensitive layer with subsequent exposure. Known methods, such as screen printing, are suitable for applying the solder coating 54 .

Fig. 12 zeigt noch einmal im Schnitt ein erfindungsgemäßes Modul, wobei auf einem Substratkörper 61 die Oberseite zur Bildung von Innenkontakt-Höckern 63 abgetragen bzw. verformt ist, so daß lediglich Randbereiche 66 stehen bleiben. Auf diesen Innenkontakt-Höckern 63 mit ihrer Lotbeschichtung 64 wird ein Halbleiterchip 7 über seine Anschlüsse 17 im engen Rasterabstand kontaktiert. FIG. 12 shows again a section of a module according to the invention, the upper side being removed or deformed on a substrate body 61 to form internal contact bumps 63 , so that only edge regions 66 remain. On these internal contact bumps 63 with their solder coating 64 , a semiconductor chip 7 is contacted via its connections 17 in a narrow grid spacing.

Die Unterseite des Substratkörpers 61 ist in gleicher Weise zur Bildung von Außenkontakt-Höckern 68 zwischen den Randbereichen 67 weitgehend abgetragen. Da aber die Außenkontakt- Höcker 68 in Anpassung an die Leiterplatten-Anschlüsse einen größeren Rasterabstand besitzen als die Innenkontakt-Höcker 63, können auf der Unterseite des Substratkörpers 61 weitere Zwischenstege 69 stehen bleiben, auf denen beispielsweise Leiterbahnen oder dergleichen angeordnet sein können. Es sei darauf hingewiesen, daß die Gestaltung der Vertiefungen zwischen den einzelnen Höckern auf der Oberseite bzw. Unterseite des Substratkörpers beliebig sein kann, je nach dem angewendeten Verformungsverfahren. In jedem Fall sind die Höcker unter das ursprüngliche Oberflächenniveau des Substratkörpers versenkt, also unter das oberseitige Oberflächenniveau 65 und unter das unterseitige Oberflächenniveau 70 des Substratkörpers. The underside of the substrate body 61 is largely removed in the same way to form external contact bumps 68 between the edge regions 67 . However, since the outer contact bumps 68 have a larger grid spacing than the inner contact bumps 63 in adaptation to the circuit board connections, further intermediate webs 69 can remain on the underside of the substrate body 61 , on which, for example, conductor tracks or the like can be arranged. It should be noted that the design of the depressions between the individual bumps on the top or bottom of the substrate body can be any, depending on the deformation method used. In any case, the bumps are sunk below the original surface level of the substrate body, ie below the upper surface level 65 and below the lower surface surface 70 of the substrate body.

Claims (26)

1. Elektronisches Bauelement-Modul mit einem Anschluss- Substrat und mindestens einem elektronischen Bauelement (7) mit folgenden Merkmalen: - ein flacher Substratkörper (1; 21, 22, 23; 31; 411; 61) besitzt auf seiner ebenen Oberseite (1a) einen Kontaktbereich mit Innenkontakten (4) für das Bauelement (7) und auf seiner Unterseite (1b) Außenkontakte (10); - in dem Kontaktbereich sind durch Teilabtragung (2) oder Verformung des Substratmaterials jeweils vertieft angeordnete Innenkontakt-Höcker (3; 53; 63) im Abstand der Anschlüsse des Bauelementes ausgebildet; - auf den Innenkontakt-Höckern (3; 53; 63) ist jeweils durch Metallisierung ein Innenkontakt (4; 54; 64) ausgebildet und mit einer Lotschicht versehen; - auf den Innenkontakten ist das Bauelement (7) in Flip- Chip-Technik kontaktiert und - von den Innenkontakten (4) erstrecken sich Leiterbahnen (6, 12, 13, 14, 33, 34, 43, 44) über Durchgangslöcher (5; 42) zu den Außenkontakten (10) auf der Unterseite des Substratkörpers (1; 21, 22, 23; 31; 41). 1. Electronic component module with a connection substrate and at least one electronic component ( 7 ) with the following features: - A flat substrate body ( 1 ; 21 , 22 , 23 ; 31 ; 411 ; 61 ) has on its flat top ( 1 a) a contact area with internal contacts ( 4 ) for the component ( 7 ) and on its underside ( 1 b) external contacts ( 10 ); - In the contact area, recessed internal contact bumps ( 3 ; 53 ; 63 ) are formed at a distance from the connections of the component by partial removal ( 2 ) or deformation of the substrate material; - On the inner contact bumps ( 3 ; 53 ; 63 ) an inner contact ( 4 ; 54 ; 64 ) is formed in each case by metallization and provided with a solder layer; - On the internal contacts, the component ( 7 ) is contacted in flip-chip technology and - From the inner contacts ( 4 ) extend conductor tracks ( 6 , 12 , 13 , 14 , 33 , 34 , 43 , 44 ) via through holes ( 5 ; 42 ) to the outer contacts ( 10 ) on the underside of the substrate body ( 1 ; 21 , 22 , 23 ; 31 ; 41 ). 2. Modul nach Anspruch 1, wobei auf der Unterseite des Substratkörpers (1; 21, 22, 23; 63) durch Teilabtragung (8)oder Verformung des Substratmaterials vertieft angeordnete Außenkontakt-Höcker (9; 69) gebildet sind, welche im Abstand von Leiterplatten-Anschlüssen angeordnet sind und die Außenkontakte (10) des Substrats tragen. 2. Module according to claim 1, wherein on the underside of the substrate body ( 1 ; 21 , 22 , 23 ; 63 ) by partial removal ( 8 ) or deformation of the substrate material recessed external contact bumps ( 9 ; 69 ) are formed, which are at a distance from Printed circuit board connections are arranged and carry the external contacts ( 10 ) of the substrate. 3. Modul nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Innenkontakt-Höcker (3)und/oder die Außenkontakt-Höcker (9) jeweils durch ringförmige Einkerbungen (2; 8) im Substratmaterial gebildet sind. 3. Module according to claim 1 or 2, wherein the inner contact bumps ( 3 ) and / or the outer contact bumps ( 9 ) are each formed by annular notches ( 2 ; 8 ) in the substrate material. 4. Modul nach Anspruch 3, wobei die ringförmigen Einkerbungen (2; 8) jeweils an ihren Innenseiten (6) metallisiert sind und an ihren Außenseiten zumindest teilweise isoliert sind. 4. Module according to claim 3, wherein the annular notches ( 2 ; 8 ) are metallized on their inner sides ( 6 ) and are at least partially insulated on their outer sides. 5. Modul nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei in der Oberfläche der Oberseite und/oder Unterseite des Substratkörpers (31) jeweils Längsgräben (32) ausgebildet sind, deren Seitenwände (33, 34) zumindest teilweise mit einer Metallschicht zur Bildung von Leiterbahnen versehen sind. 5. Module according to one of claims 1 to 4, wherein in the surface of the top and / or bottom of the substrate body ( 31 ) longitudinal trenches ( 32 ) are formed, the side walls ( 33 , 34 ) at least partially with a metal layer to form conductor tracks are provided. 6. Modul nach Anspruch 5, wobei der Bodenbereich (35) der Gräben (32) isoliert ist, um an den Seitenwänden zwei voneinander isolierte Leiterbahnen (33, 34) zu bilden. 6. Module according to claim 5, wherein the bottom region ( 35 ) of the trenches ( 32 ) is insulated in order to form two mutually insulated conductor tracks ( 33 , 34 ) on the side walls. 7. Modul nach einem der Ansprüche 3 bis 6, wobei jeweils Durchgangslöcher (5) mit rundem Querschnitt im Bereich jeweils einer Einkerbung (2; 8) angeordnet und an ihren Umfangswänden zur Bildung von Leiterbahnen metallisiert sind. 7. Module according to one of claims 3 to 6, wherein in each case through holes ( 5 ) with a round cross section in the area of a notch ( 2 ; 8 ) are arranged and metallized on their peripheral walls to form conductor tracks. 8. Modul nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei Durchgangslöcher (42) mit rechteckigem Querschnitt jeweils nur an zwei gegenüberliegenden Seitenwänden (43, 44) metallisiert sind, um zwei voneinander isolierte Durchgangs- Leiterbahnen von der Oberseite zur Unterseite des Substrats (41) zu bilden. 8. Module according to one of claims 1 to 6, wherein through holes ( 42 ) with a rectangular cross-section are metallized only on two opposite side walls ( 43 , 44 ) to two mutually insulated through-conductor tracks from the top to the bottom of the substrate ( 41 ) to build. 9. Modul nach den Ansprüchen 6 und 8, wobei jeweils rechteckige Durchgangslöcher (43) im Bereich von Längsgräben (32) ausgebildet sind und wobei jeweils eine Leiterbahn (33, 34) auf einer Seitenwand des Längsgrabens (32) mit einer Durchgangs-Leiterbahn (43, 44) auf einer Seitenwand des Durchgangsloches (42) leitend verbunden ist. 9. Module according to claims 6 and 8, wherein in each case rectangular through holes ( 43 ) are formed in the region of longitudinal trenches ( 32 ) and in each case one conductor track ( 33 , 34 ) on a side wall of the longitudinal trench ( 32 ) with a through conductor track ( 43 , 44 ) on a side wall of the through hole ( 42 ) is conductively connected. 10. Modul nach einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei der Substratkörper aus einem Basis-Substrat (21) und einer auf der Oberseite und/oder auf der Unterseite auflaminierten Höckerschicht (22, 23) besteht und wobei in der jeweiligen Höckerschicht (22, 23) die Innenkontakt-Höcker (3) bzw. die Außenkontakt-Höcker (9) ausgebildet sind. 10. Module according to one of claims 1 to 9, wherein the substrate body consists of a base substrate ( 21 ) and a bump layer ( 22 , 23 ) laminated on the top and / or on the bottom and wherein in the respective bump layer ( 22 , 23 ) the inner contact bumps ( 3 ) and the outer contact bumps ( 9 ) are formed. 11. Modul nach Anspruch 10, wobei eine auf der Oberseite des Basis-Substrats (21) angeordnete erste Höckerschicht (22) aus einem Material besteht, dessen Wärmeausdehnungs-Eigenschaften an die eines aufzubringenden Bauelementes (7), vorzugsweise eines Halbleiter- Bauelementes, angepasst sind. 11. Module according to claim 10, wherein a on the top of the base substrate ( 21 ) arranged first bump layer ( 22 ) consists of a material whose thermal expansion properties are adapted to that of a component ( 7 ) to be applied, preferably a semiconductor component are. 12. Modul nach Anspruch 10 oder 11, wobei eine auf der Unterseite des Basis-Substrats (21) angeordnete zweite Höckerschicht (23) aus einem Material besteht, dessen Temperaturverhalten an das einer Leiterplatte (11) angepasst ist. 12. Module according to claim 10 or 11, wherein a on the underside of the base substrate ( 21 ) arranged second bump layer ( 23 ) consists of a material whose temperature behavior is adapted to that of a printed circuit board ( 11 ). 13. Modul nach einem der Ansprüche 10 bis 12, wobei unterhalb der auflaminierten Höckerschicht (22, 23) eine Leiterbahnstruktur (24; 25) angeordnet ist. 13. Module according to one of claims 10 to 12, wherein a conductor track structure ( 24 ; 25 ) is arranged below the laminated bump layer ( 22 , 23 ). 14. Modul nach einem der Ansprüche 1 bis 13, wobei das Verhältnis der Höhe eines Höckers (3; 9) zum Durchmesser der Lötstelle größer als 1, vorzugsweise größer als 1, 3, ist. 14. Module according to one of claims 1 to 13, wherein the ratio of the height of a bump ( 3 ; 9 ) to the diameter of the solder joint is greater than 1, preferably greater than 1, 3. 15. Verfahren zur Herstellung eines Moduls nach einem der Ansprüche 1 bis 14 mit folgenden Schritten: a) In der Oberfläche eines folienförmigen Substratkörpers (1; 21, 22, 23; 31; 41; 51; 61) aus Polymer-Material werden zumindest auf einer Seite durch Teilabtragung oder Verformung der Oberfläche jeweils Innenkontakt-Höcker (3; 53; 63) ge formt; b) zwischen der Oberseite und der Unterseite des Substratkörpers (1; 21, 22, 23; 31; 41; 51; 61) werden Durchgangslöcher (5; 42) erzeugt; c) durch Metallisierung der Oberseite und der Unterseite des Substratkörpers (1; 51; 61) sowie der Durchgangslöcher (5; 42) wird eine Leiterschicht erzeugt; d) durch gezielte Strukturierung der Leiterschicht werden Innenkontakte (4; 54; 64) auf den Innenkontakt-Höckern der Oberseite, Außenkontakte (10) auf der Unterseite und Leiterbahnen (6, 12, 24, 25, 33, 34, 43, 44) zur Bildung elektrisch leitender Verbindungen zwischen den Innenkontakten (4) und den Außenkontakten (10) erzeugt; e) die Innenkontakte (4; 54; 64) werden mit einem Lot-Material beschichtet; und f) auf die Innenkontakte (4) wird das Bauelement (7) aufgesetzt, und seine Anschlüsse (17) werden mit den Innenkontakten verlötet. 15. A method for producing a module according to one of claims 1 to 14 with the following steps: a) In the surface of a film-shaped substrate body ( 1 ; 21 , 22 , 23 ; 31 ; 41 ; 51 ; 61 ) made of polymer material, at least on one side, internal contact bumps ( 3 ; 53 ; 63 ) shaped; b) through holes ( 5 ; 42 ) are produced between the top and the bottom of the substrate body ( 1 ; 21 , 22 , 23 ; 31 ; 41 ; 51 ; 61 ); c) by metallizing the top and bottom of the substrate body ( 1 ; 51 ; 61 ) and the through holes ( 5 ; 42 ), a conductor layer is generated; d) through targeted structuring of the conductor layer, internal contacts ( 4 ; 54 ; 64 ) on the internal contact bumps on the upper side, external contacts ( 10 ) on the lower side and conductor tracks ( 6 , 12 , 24 , 25 , 33 , 34 , 43 , 44 ) generated to form electrically conductive connections between the inner contacts ( 4 ) and the outer contacts ( 10 ); e) the internal contacts ( 4 ; 54 ; 64 ) are coated with a solder material; and f) the component ( 7 ) is placed on the internal contacts ( 4 ) and its connections ( 17 ) are soldered to the internal contacts. 16. Verfahren nach Anspruch 15, wobei im Schritt a) auch auf der Unterseite des Substratkörpers durch Abtragung oder Verformung des Substratmaterials jeweils in der Oberfläche vertiefte Außenkontakt-Höcker (9) geformt und auf diesen im Schritt c) jeweils die Außenkontakte (10) erzeugt werden. 16. The method according to claim 15, wherein in step a) also formed on the underside of the substrate body by removal or deformation of the substrate material in each case recessed external contact bumps ( 9 ) and in each case the external contacts ( 10 ) generated in step c) become. 17. Verfahren nach Anspruch 15 oder 16, wobei die Innenkontakt-Höcker (3) und/oder die Außenkontakt-Höcker (9) durch annähernd ringförmige Einkerbungen gebildet werden. 17. The method according to claim 15 or 16, wherein the inner contact bumps ( 3 ) and / or the outer contact bumps ( 9 ) are formed by approximately annular notches. 18. Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 17, wobei die Höcker (3; 9; 53; 63; 64) und die Durchgangslöcher (5; 42) jeweils durch Heißprägen erzeugt werden. 18. The method according to any one of claims 15 to 17, wherein the bumps ( 3 ; 9 ; 53 ; 63 ; 64 ) and the through holes ( 5 ; 42 ) are each produced by hot stamping. 19. Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 17" wobei die Höcker (2; 8) und die Durchgangslöcher (5; 42) jeweils unter Verwendung eines Laserstrahls erzeugt werden. 19. The method according to any one of claims 15 to 17 ", wherein the bumps ( 2 ; 8 ) and the through holes ( 5 ; 42 ) are each produced using a laser beam. 20. Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 19, wobei die Strukturierung der Metallisierung gemäß Schritt c) unter Verwendung eines Laserstrahls erfolgt. 20. The method according to any one of claims 15 to 19, the structuring of the metallization according to step c) done using a laser beam. 21. Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 20,
wobei im Schritt a) in der Oberfläche des Substratkörpers (31) nutartige Gräben (32) mit schrägen Seitenwänden (33, 34) angeformt werden, welche im Schritt c) metallisiert werden,
wobei im Schritt d) die Bodenfläche der Gräben (35) und der Randbereich (36) an der Oberfläche des Substratkörpers (31) von der Metallschicht befreit wird.
21. The method according to any one of claims 15 to 20,
wherein in step a) groove-like trenches ( 32 ) with oblique side walls ( 33 , 34 ) are formed in the surface of the substrate body ( 31 ), which are metallized in step c),
wherein in step d) the bottom surface of the trenches ( 35 ) and the edge region ( 36 ) on the surface of the substrate body ( 31 ) are freed from the metal layer.
22. Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 20, wobei im Schritt a) Durchgangslöcher (42) mit einem sich verjüngenden rechteckigen Querschnitt erzeugt werden, wobei weiterhin im Schritt c) die Seitenwände der Durchgangslöcher metallisiert werden und wobei jeweils zwei gegenüberliegende Seitenwände (45, 46) der Durchgangslöcher im Schritt d) von der Metallschicht bereit werden. 22. The method according to any one of claims 15 to 20, wherein in step a) through holes ( 42 ) are produced with a tapering rectangular cross-section, wherein in step c) the side walls of the through holes are metallized and in each case two opposite side walls ( 45 , 46 ) the through holes in step d) are ready from the metal layer. 23. Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 22, wobei vor dem Schritt e) die Oberfläche des Substratkörpers (51) in den die Höcker (53) umgebenden Bereichen mit einer Lotresistschicht (57) bedeckt werden und wobei im Schritt e) das Lotmaterial (54) auf die Höcker (53) aufgebracht wird. 23. The method according to any one of claims 15 to 22, wherein before step e) the surface of the substrate body ( 51 ) in the areas surrounding the bumps ( 53 ) are covered with a solder resist layer ( 57 ) and wherein in step e) the solder material ( 54 ) is applied to the hump ( 53 ). 24. Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 23, wobei vor dem Schritt a) auf ein Basissubstrat (21) oberseitig und/oder unterseitig eine Höckerschicht (22, 23) auflaminiert wird und im Schritt a) die Höcker (3; 9) jeweils in der Höckerschicht (22; 23) erzeugt werden. 24. The method according to any one of claims 15 to 23, wherein before step a) on a base substrate ( 21 ) on the top and / or underside a bump layer ( 22 , 23 ) is laminated and in step a) the bumps ( 3 ; 9 ) in each case are generated in the cusp layer ( 22 ; 23 ). 25. Verfahren nach Anspruch 24, wobei vor dem Auflaminieren der Höckerschicht (22; 23) jeweils eine Leiterbahnstruktur (24; 25) auf der Oberseite bzw. der Unterseite des Basis-Substrats (21) erzeugt wird. 25. The method according to claim 24, wherein before the lamination of the bump layer ( 22 ; 23 ) in each case a conductor track structure ( 24 ; 25 ) is generated on the top or the bottom of the base substrate ( 21 ). 26. Verfahren nach Anspruch 25, wobei die Durchgangslöcher (5) in dem Basis-Substrat (21) erzeugt werden und eine leitende Verbindung von den Durchgangslöchern (5) zu den Innenkontakten (4) bzw. den Außenkontakten (10) jeweils über Einkerbungen (2) in der Höckerschicht (22; 23) erzeugt wird. 26. The method according to claim 25, wherein the through holes ( 5 ) are produced in the base substrate ( 21 ) and a conductive connection from the through holes ( 5 ) to the inner contacts ( 4 ) or the outer contacts ( 10 ) is in each case via notches ( 2 ) is generated in the bump layer ( 22 ; 23 ).
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