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Die
Erfindung betrifft ein elektrisches Bauelement, insbesondere eine
integrierte Halbleiterschaltung mit einer Kontaktierungsfläche und
ein Verfahren zum Ausbilden einer Kontaktierungsfläche.
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Halbleiterbauelemente
enthalten in der Regel auf einem Halbleitermaterial wie Silicium
oder binären,
ternären
oder quaternären
Verbindungshalbleitern durch Oberflächen-Strukturierung hergestellte integrierte
Schaltungen und Kontaktanordnungen. Das Halbleitermaterial wird
in Form von dünnen Scheiben
(Wafer) bereitgestellt. Dabei ermöglicht es die immer weiter
voranschreitende Miniaturisierung, bei der derzeitig Strukturbreiten
von weniger als einem Mikrometer (Sub-μm-Bereich)
realisiert werden, die Herstellung von einer Vielzahl von integrierten Schaltungen
auf einem Wafer.
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Nach
Abschluss des Herstellungsprozesses der integrierten Schaltungen
werden die Wafer in einzelne integrierte Schaltungen und/oder Gruppen
davon getrennt. Diese werden dann in elektrisch isolierende Gehäuse eingebracht
und sind über
Außenkontakte,
die an den Gehäusen
vorgesehen sind, elektrisch ansteuerbar.
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Bei
Halbleiterbauelementen werden in der Regel bereits während des
Herstellungsprozesses Funktionalitätstests nach einzelnen und/oder
einer bestimmten Zahl von Herstellungsschritten durchgeführt. Testuntersuchungen
werden dabei insbesondere nach aufwändigen Prozessschritten oder
auch nach solchen Prozessschritten unternommen, die sich in der
Vergangenheit als sehr fehleranfällig
erwiesen haben.
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Bei
den üblichen
Funktionalitätstests
einzelner Strukturelemente oder auch einzelner aufgebrachter Schichten,
wie etwa von Dotierschichten, Metallisierungsschichten oder auch
isolierenden Oxidschichten, werden in der Regel elektrische Größen wie
etwa Spannung oder Strom gemessen. Weiterhin werden während des
Herstellungsprozesses oft auch unfassende Tests zur Überprüfung der
Funktionalität
der gesamten Schaltung ausgeführt.
So können
dabei z.B. zu Testzwecken einzelne Speicherzellen des Chips angesteuert
und getestet werden.
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Im
Testbetrieb werden auf dem Halbleiterchip im Allgemeinen auf Kontaktierungsflächen (pads)
Kontaktstifte etwa in Form von Testnadeln aufgesetzt. Diese Testnadeln
sind mit äußeren Kontroll- oder
Steuergeräten
verbunden, mit welchen die von der integrierten Schaltung in dem
jeweiligen Herstellungszustand zu fordernden Strom-Spannungs-Abhängigkeiten
oder auch Kapazitäten
einzelner Bauteile, wie etwa Transistoren, oder Kondensatoren überprüft werden.
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Aufgrund
der Komplexität
der Schaltungsanordnungen werden dazu nicht einzelne Kontaktstifte bzw.
Testnadeln benutzt, sondern es wird eine in Form eines Testboards
ausgeführte
Mehrfachnadelkarte verwendet. Bei dieser Nadelkarte sind die Abstände der
Nadeln gemäß den Abständen der
zu kontaktierenden Kontaktierungsflächen der integrierten Schaltung
gewählt.
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Sowohl
die Vielzahl der zu den Testzwecken zu kontaktierenden Kontaktierungsflächen als
auch vielmehr deren geringe Größe erfordern
eine hohe Präzisionsgenauigkeit
beim Aufsetzen der Testnadeln einer Mehrfachnadelkarte auf die Oberfläche des
Halbleitermaterials. Daher kann es vorkommen, dass zur Ausführung eines
Funktionalitätstests
das Aufsetzen der Testnadeln erst nach mehreren Anläufen gelingt,
um die Positionierungsgenauigkeit gewährleisten zu können, was
sehr zeitaufwändig
ist. Außerdem
kann es beim Aufsetzen der Testnadeln auf den Kontaktierungsflächen zu
einer geringfügigen
Verformung der Nadelspitzen kommen. Dies kann einerseits dazu füh ren, dass
der gewünschte Kontakt
von Testnadel und Kontaktierungsfläche nicht besteht, und andererseits
die verformte Nadel nicht wieder zu weiteren Funktionalitätstests
eingesetzt werden kann, sondern vielmehr ausgetauscht werden muss.
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Darüber hinaus
kann beim Aufsetzen eine Testnadelspitze über den Rand der Kontaktierungsfläche hinaus
rutschen und diese benachbarten Schichten auf der Halbleiteroberfläche zerstören. So kann
eine Nadel etwa eine elektrisch isolierende Oxidschicht zerstören und
dadurch möglicherweise einen
unerwünschten
elektrischen Kontakt herstellen. Auch ist es möglich, dass durch eine nicht
korrekt auf einer Kontaktierungsfläche abgesetzte Nadelspitze
eine Passivierungsschicht oder sonstige Schicht wie etwa eine isolierende
Lackschicht verletzt wird. Dabei kann es neben der direkt auftretenden
Beeinträchtigung
der elektrischen Eigenschaften auch zu Spätfolgen kommen. So kann etwa
in einem durch die Nadel verursachten Riss in einer Isolierschicht Feuchtigkeit
in die integrierte Schaltung eindringen und dazu führen, dass
die integrierte Schaltung nicht mehr den Erfordernissen entsprechend
arbeitet.
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Zum
Nachweis derartiger unerwünschter Schädigungen
sind bisher lichtoptische Untersuchungen durchgeführt worden.
Verletzungen des Randes von Kontaktierungsfläche, sogenannte Padrand-Verletzungen,
werden mit solchen lichtoptischen Untersuchungen erst am Ende des
Herstellungsprozesses erkannt, was dazu führt, dass beim Feststellen
einer Schädigung
der gesamte Wafer verworfen werden muss. Insbesondere ist es mit
den herkömmlichen
lichtoptischen Untersuchungen nicht möglich präventiv Nadelverformungen oder
nicht zentrisches Kontaktieren zu erkennen, bevor diese zu einer
Schädigung
der Oberfläche
führen.
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Aus
der JP 09-107011 A ist ein Justierkontaktpad bekannt, bei dem eine
zentrale Kontaktfläche von
einem segmentierten leitenden Randstreifen umgeben ist, wobei alle
Teile des Kon taktpads auf einen unterschiedlichen Widerstand gegen
Erde gesetzt sind. Mit Hilfe einer Strommessung lässt sich
dann ermitteln, auf welchen der Teile des Kontaktpads eine Justiersonde
aufsitzt.
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Der
Erfindung liegt deshalb die Aufgabe zugrunde, ein Bauelement mit
einer Kontaktierungsfläche
bereitzustellen, auf dem sich ohne weitere zusätzliche Analysegeräte eine
bei einem Funktionalitätstest
aufgetretene Fehljustierungen bzw. Verformungen von Kontaktierungselementen
einfach und unmittelbar erkennen lassen.
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Diese
Aufgabe wird mit einem elektrischen Bauelement nach Anspruch 1 und
einem Verfahren nach Anspruch 7 gelöst. Bevorzugten Ausführungsformen
sind in den abhängigen
Ansprüche
angegeben.
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Auf
dem erfindungsgemäßen elektrischen Bauelement
sind eine oder mehrere Kontaktierungsflächen aus elektrisch leitfähigem Material
vorgesehen, die zum Aufsetzen von Kontaktierungselementen dienen.
Gemäß der Erfindung
weisen die Kontaktierungsflächen
jeweils einen elektrisch leitenden Randstreifen auf, der von den
Kontaktflächen
elektrisch isoliert ist. Vorteilhaft hierbei ist es, dass über einen
elektrischen Kontakt des Randstreifens und der Kontaktierungsfläche eine
Fehljustierung bzw. Verformung von Kontaktierungselementen angezeigt wird.
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Im
Rahmen der Erfindung wird als elektrisches Bauelement vor allem
ein Halbleiterelement verstanden, auf dem durch Strukturierungsprozesse integrierte
Schaltungen, wie beispielsweise dynamische Schreib/Lese-Speicher
einschließlich
entsprechender Deck- und/oder Isolierschichten sowie entsprechender
Kontaktbahnen und Anschlussverbindungen vorgesehen sind. Das Halbleiterbauelement weist
dazu in der Regel einen mehrlagigen Aufbau aus Schichten verschiedener
Materialien auf. Er findungsgemäß können daher
die Kontaktierungsfläche und
der Randstreifen als letzte Metallisierungslage aufgebracht sein.
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Die
Erfindung bringt den Vorteil mit sich, dass mittels einer quasi
interaktiven Korrektur Fehljustierungen bzw. Verformungen von Kontaktierungselementen
vor einer Schädigung
einer Kontaktierungsfläche
ermittelt lassen. Gleichzeitig ergibt sich als weiterer Vorteil
eine Verhinderung von Sekundärschäden, welche
dadurch entstehen, dass eine Schädigung
nicht zu einem frühen
oder frühest
möglichen
Zeitpunkt erkannt worden ist.
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Bei
einer bevorzugten Ausführungsform
des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements
befindet sich zwischen der Kontaktierungsfläche und dem Randstreifen ein
Graben, um die Kontaktfläche
und den Randstreifen elektrisch zu isolieren. Diese Ausgestaltung
sorgt für
eine einfache und damit kostengünstige
Herstellung.
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Bevorzugt
weist der Randstreifen einen Anschluss für eine Auswertelogik zum Nachweis
eines elektrischen Kurzschlusses auf. Mit Vorteil kann hierbei ein
Kurzschluss durch ein Aufsetzen einer Testnadel sowohl auf dem Kontaktstreifen
als auch auf der Kontaktierungsfläche nachgewiesen werden. Über die
Auswertelogik können
geeignete Maßnahmen
zu einer erneuten Positionierung der Testnadel unmittelbar eingeleitet
werden.
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Umgibt
der Randstreifen die Kontaktierungsfläche dabei umlaufend mit gleichem
Abstand, so können
derartige Fehlpositionierungen entlang des gesamten Umfangs der
Kontaktierungsfläche
ermittelt werden.
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Eine
bevorzugte Segmentierung des Randstreifens hat weiter den Vorteil,
dass über
die Lage eines Kurzschlusses die Position einer Fehljustierung eines
Kontaktierungselementes genau bestimmt und auch deshalb exakt korrigiert
werden kann.
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Erfindungsgemäß kann die
Kontaktierungsfläche
auch Teil einer Teststruktur sein. Vorzugsweise kann die Teststruktur
auch in der Halbleitervorrichtung integriert sein (on chip). Auch
ist es im Rahmen der Erfindung denkbar, die Auswertelogik in der
Halbleitervorrichtung zumindest weitestgehend zu integrieren.
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In
einer besonders bevorzugten Ausführungsform
ist das Kontaktierungselement eine Testnadel und/oder ein Verbindungs draht.
Die Testnadel kann dann zu einem Funktionalitätstest auf der Kontaktfläche aufgesetzt
werden. Die Kontaktfläche
kann aber auch dazu ausgebildet sein, dass ein etwa als Bonddraht
ausgeführter
Verbindungsdraht mit ihr verbunden wird. Hierdurch kann mit der
erfindungsgemäßen Kontaktanordnung
die Qualität
der Bondverbindungen etwa mittels der Auswertelogik überprüft werden.
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Bei
dem erfindungsgemäßen Verfahren
zum Ausbilden eines Kontaktes aus elektrisch leitendem Material
auf einem mit wenigstens einer integrierten Schaltung versehenen
Halbleitermaterial wird der Kontakt so erzeugt, dass er zum Aufsetzen
eines Kontaktierungselementes geeignet ist. Der Kontakt wird als
zweiteiliger Kontakt mit einer Kontaktierungsfläche und einem angrenzenden
Randstreifen jeweils aus elektrisch leitendem Material so auf dem Halbleitermaterial
aufgebracht, dass die beiden Kontaktabschnitte elektrisch voneinander
isoliert sind. Bevorzugt wird der Randstreifen den inneren Kontaktabschnitt
umgebend aufgebracht. Das führt
zu einem Vorteil durch eine Anpassung der zum Aufbringen notwendigen
Masken oder Maskenstrukturen.
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Besonders
bevorzugt wird zwischen der Kontaktierungsfläche und dem Randstreifen in
eine die beiden Kontaktabschnitte tragende Schicht ein Graben eingebracht.
Der Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens
liegt darin, dass die beiden Kontaktabschnitte dann einfach in einem
Prozessschritt etwa durch Abscheidung oder Bedampfung aufgebracht
werden können.
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Die
Erfindung wird nachfolgend anhand einer Ausführungsform im Zusammenhang
mit den beiliegenden Zeichnungen näher erläutert. Dabei zeigen:
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1 eine
Draufsicht auf eine erfindungsgemäße Ausführungsform einer Kontaktierungsfläche mit
einem Randstreifen, die durch das Aufsetzen einer Testnadel geschädigt worden
ist, in extremer Vergrößerung;
und
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2 einen
Schnitt durch eine erfindungsgemäße Halbleitervorrichtung
im Bereich einer Kontaktierungsfläche in vereinfachter Darstellung.
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Ein
in der 1 im Ausschnitt gezeigtes Halbleiterbauelement 1 in
Form eines aus einem Halbleitermaterial gebildeten Wafers, auf welchem integrierte
Schaltung gebildet worden sind, weist neben elektronischen Elementen 2 der
integrierten Schaltungen eine Kontaktierungsfläche 3 auf. Die in Aufsicht
gezeigte Kontaktierungsfläche 3 ist
aus einem Metall, vorzugsweise Aluminium, gebildet. Die von der
strukturierten Seite des Wafers gezeigte Kontaktierungsfläche dient
nach Fertigstellung der integrierten Schaltungen und Verpackung
der Schaltung in einem Gehäuse
mit zusätzlichen
Verbindungen als Außenkontakt.
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Dazu
werden in der Regel Drahtverbindungen in Form von Bondverbindungen
von einzelnen integrierten Schaltungen oder Gruppen von integrierten
Schaltungen zur Kontaktierungsfläche 3 gebildet. Die
Drähte
der Bondverbindungen werden im Zentrum der Kontaktierungsfläche 3 aufgesetzt
und befestigt. Nach 1 ist die vorzugsweise quadratisch ausgeführte Kontaktierungsfläche 3 von
einem aus einem elektrisch leitfähigen
Material, vorzugsweise Metall gebildeten, geschlossenen Randstreifen 4 elektrisch
isoliert umgeben. Zwischen dem Randstreifen 4 und der Kontaktierungsfläche 3 befindet sich
gemäß 2 ein
elektrisch isolierender Graben 5, vorzugsweise gleichmäßiger Breite.
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Nach 2 weist
die Kontaktierungsfläche 3 vorzugsweise
zwei durch Stege 6 leitend miteinander verbundene Metallisierungsschichten 7, 8 auf.
Dabei befindet sich zwischen den Stegen 6 und den Schichten 7, 8 isolierendes
Material 9, welches vorzugsweise als Oxid ausgeführt ist.
Auf einer Unter seite 8a der unteren Schicht 8 sind
aus Halbleitermaterial gebildete Anschlussstege 10 vorzugsweise
rechtwinklig weggeführt.
Zwischen den Anschlussstegen 10 befinden sich aus einem
dielektrischen Material gebildete Stege 11.
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Die
Kontaktierungsfläche 3 ist
nach 2 von dem Randstreifen 4 durch den sich
ins Innere des Halbleitermaterials von der Oberfläche ausgehend
Graben 5 getrennt, der sich vorzugsweise nach unten verjüngt. Auf
einer einer freien Oberfläche 4a des
Randstreifens gegenüberliegenden
Seite ist ein vorzugsweise konischer Verbindungssteg 12 etwa rechtwinklig
weggeführt.
Der Verbindungssteg 12 verbindet den Randstreifen 4 mit
einer in etwa parallel zum Randstreifen geführten Leitungsschicht 13. Vorzugsweise
sind der Randstreifen 4, der Verbindungssteg 12 und
die Leitungsschicht 13 aus demselben Material hergestellt
worden. Zur Passivierung schließt
sich an den Randstreifen 4 vorzugsweise eine Imid-Schicht 17 an.
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Zu
einem Test auf Funktionalität
der fertigen integrierten Schaltung als auch ihrer Zwischenstufen wird,
wie in der 2 einfach stilisiert dargestellt, eine
Nadel 14 einer Nadelkarte mit ihrer Spitze auf die Kontaktierungsoberfläche 3 gesetzt. Über die
Nadelkarte werden mit daran verbundener Auswerteelektronik elektrische
Größen wie
Strom, Spannung und/oder Kapazität
gemessen, um Informationen über
die ordnungsgemäße Wirkungsweise
der teilweise oder vollständig
hergestellten integrierten Schaltung zu erhalten.
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In
Folge einer Dejustierung der Nadelkarte und/oder eines falschen
Aufsetzens der Nadelspitze kann es dazu kommen, dass die Nadelspitze
nicht in der Mitte der Kontaktierungsfläche aufgesetzt wird. Beim Aufsetzen
gleitet, wie in 1 gezeigt, die Nadelspitze streifend über die
Kontaktierungsfläche. Dabei
kann die Nadelspitze Material aus der Kontaktierungsfläche herauskratzen
und dieses am Ende der Streifspur, dem sogenannten scratch ablagern. Eine
solche, durch ein streifendes Aufsetzen einer Nadelspitze erfolgte
Ablagerung von Material ist in 1 durch
das Bezugszeichen 15 dargestellt.
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Nach 1 ist
das Material über
die Kontaktierungsfläche 3 hinaus
auch, den Graben 5 überbrückend, auf
dem Randstreifen 4 abgelagert worden. Dadurch sind der
Randstreifen 4 und die Kontaktierungsfläche 3 elektrisch leitend
verbunden. Gemäß der Erfindung
kann eine solche elektrische, kurzschlussartige Verbindung der Kontaktierungsfläche 3 und
des Randstreifens 4 über
eine Auswertelogik 16, welche wie in der 2 einfach
dargestellt mit der Leitungsschicht 13 über deren Anschluss 13b und mit
der Kontaktierungsfläche 3 über die
Metallisierungsschicht 8 elektrisch leitend verbunden ist,
festgestellt werden. Wird nun durch die Auswertelogik, welche als
einfache Schaltung oder auch computergesteuert ausgelegt und sowohl
im Halbleiterbauelement 1 selbst oder extern angeordnet
sein kann, ein solcher Kurzschluss detektiert, wird dem Prozessingenieur
angezeigt, dass ein Fehler beim Aufsetzen der Nadel oder der Nadelkarte
aufgetreten ist.
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Es
kann nun neben zusätzlichen
weiteren elektrischen Untersuchungen etwa mittels der Auswertelogik 16 auch
eine optische Inspektion vorgenommen werden, um festzustellen, wodurch
der Kurzschluss verursacht worden ist. Dabei wird erfindungsgemäß insbesondere
darauf Wert zu legen sein, ob der Kurzschluss von einer beseitigbaren Kurzschluss-erzeugenden
Verbindung verursacht worden ist oder ob darüber hinaus eine irreparable Schädigung der
Kontaktierungsfläche 3d.h.
eine sogenannte Padrandverletzung vorliegt.
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Sofern,
wie in der 1 dargestellt, das übertragene
Material nicht über
den Randstreifen 4 hinaus, etwa in weitere diesen Randstreifen
umgebende Teile bzw. Teilschichten der Halbleitervorrichtung übertragen
worden ist und dabei z.B. die Passivierungsschicht 17 beschädigt wurde,
ist davon auszugehen, dass die Halbleitervorrichtung in ihrer Funktions weise
bzw. Zuverlässigkeit
nicht wesentlich beeinträchtigt
worden ist.
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Weiterhin
kann erfindungsgemäß bereits
ein falsches Aufsetzen der Nadelspitze etwa am Rande der Kontaktierungsfläche 3 festgestellt
werden. Wie in 2 bei Buchstabe (b) vereinfachend
durch eine aufgesetzte Nadel 14 dargestellt, kann eine
elektrisch leitende Verbindung zwischen der Kontaktierungsfläche 3 und
dem Randstreifen 4 durch ein verbindendes Aufsetzen der
Nadel sowohl auf der Kontaktierungsfläche 3 als auch auf
dem Randstreifen 4 erzeugt werden. Über die Auswertelogik 16 kann
in diesem Fall ebenfalls ein Kurzschluss detektiert werden. Erfindungsgemäß wird nun
sofort auf die Steuerung der Nadelkarte bzw. fernerhin der Nadeln
und Nadelspitzen zugegriffen. Zunächst wird die Nadelkarte von
dem Halbleitermaterial abgehoben, um erneut eine bessere Positionierung
zu erreichen.
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Wird
nach dem Abheben der Nadelkarte von der Kontaktierungsfläche 3 bzw.
dem Randstreifen 4 die Auswertelogik 16 festgestellt,
dass kein elektrischer Kurzschluss zwischen dem Randstreifen 4 und Kontaktierungsfläche 3 mehr
vorliegt, so wird durch eine in der Regel über einen Prozessrechner ausgeführte Positionsbestimmung
die Nadel 14 in Richtung auf die Mitte der Kontaktierungsfläche 3 hin
bewegt und erneut versucht, auf der Kontaktierungsfläche 3 abzusetzen.
Sofern bei einem neuen Absetzen der Nadel auf der Kontaktierungsfläche durch
die Auswertelogik 16 ein elektrischer Kurzschluss nicht
detektiert wird, muss davon ausgegangen werden, dass die Nadelposition
ordnungsgemäß ist, wie
in 2 bei Position (a) dargestellt. Es kann dann mit
dem Funktionalitätstest
in der zuletzt erzeugten Einheit der integrierten Schaltung begonnen
werden.
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Die
Erfindung ist nicht auf das beschriebene Ausführungsbeispiel beschränkt, das
in vielfacher Art und Weise abgewandelt sein kann. So kann etwa
die Funktionsweise der Auswertelogik 16 auf das gleichzeitige
Absetzen einer hohen Zahl von Nadeln 14 auf einer ebensolchen
Vielzahl von Kontaktierungsflächen 3 abgestimmt
sein. Dabei kann durch eine logische Auswertung detektiert werden,
ob ein elektrischer Kurzschluss nur an einer Kontaktierungsfläche 3 oder
an mehreren Kontaktierungsflächen 3 vorliegt. Entsprechend
kann die Nadelkarte insgesamt abgehoben werden. Es ist aber auch
eine Korrektur der Position etwa einer, einen Kurzschluss verursachenden
Nadel 14, (b) allein denkbar.
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Auch
ist es möglich, über Positionsangaben der
einzelnen Kontaktierungsflächen 3 diese
mit einem Relevanzfaktor hinsichtlich der Überprüfungsfunktionalität der integrierten
Schaltung zu versehen. Wird nach einem Aufsetzen einer Nadelkarte
durch die Auswertelogik 16 ein Kurzschluss auf einer bezüglich des
Tests der integrierten Schaltung hochrelevanten Kontaktierungsfläche festgestellt,
so muss in jedem Fall eine erneute Positionierung der Nadelkarte
vorgenommen werden. Wird dagegen durch die Auswertelogik 16 ein
Kontakt zwischen einer Kontaktierungsfläche 3 und einem diese
umgebenden Randstreifen 4 festgestellt, und handelt es
sich dabei um eine Kontaktierungsfläche, die hinsichtlich der Funktionalitätstestung
der integrierten Schaltung nicht sehr relevant ist, so kann mit
dem weiteren Funktionalitätstest
fortgefahren werden. Es braucht dann in diesem Falle eine erneute
Positionierung der Nadelkarte nicht durchgeführt zu werden. Ferner ist in
diesem Fall eine erneute Überprüfung der
mit einem Kurzschluss gemeldeten Kontaktierungsfläche 3 in
einem der weiteren folgenden Funktionalitätstests denkbar.
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Es
versteht sich, dass im Rahmen der Erfindung eine Trennung zwischen
der Kontaktierungsfläche 3 und
dem diese umgebenden Randstreifen 4 auch anders als durch
den in den Figuren dargestellten Graben ausgeführt sein kann. So ist es beispielsweise
denkbar, dass zwischen der Kontaktierungsfläche 3 und dem Randstreifen 4 ein
elektrisch isolierendes Material aufgetragen wird, etwa ein Fotolack und/oder
eine natürlich
auf einer Halbleiteroberfläche wachsende
Oxidschicht. Entscheidend für
die Erfindung ist dabei, dass zwar ein Aufsetzen einer Nadel aus
elektrisch leitendem Material sowohl auf der Kontaktierungsfläche als
auch auf dem Randstreifen ein elektrisches Stromflusssignal zwischen
beiden erzeugen kann.
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Der
Randstreifen 4 muss dabei die Kontaktierungsfläche auch
nicht vollständig
umgeben. Er kann z.B. dann, wenn die Testnadel immer nur in eine Richtung über die
Kontaktierungsfläche
hinaus bewegt werden kann, nur in dem entsprechenden Randabschnitt
ausgeführt
sein. Weiterhin kann der umgebende Randstreifen auch segmentiert
sein. Eine Segmentierung des Randstreifens hat den Vorteil, dass über die
Lage eines Kurzschlusses die Position einer Fehljustierung eines
Kontaktierungselementes genau bestimmt und auch deshalb exakt korrigiert
werden kann.
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Der
Graben 5 kann erfindungsgemäß durch unterschiedliche Methoden
der Prozesstechnologie in der Halbleitertechnik erzeugt werden.
Unter den entsprechenden Anforderungen an die Breite und Tiefe des
Grabens können
unterschiedliche Methoden des Abtrags, wie etwa reaktives Ionenätzen, nasschemische Ätzverfahren
oder sonstige in der Fotolithografie oder Röntgenlithografie übliche Abtragverfahren
gewählt
werden.
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Auch
ist die Erfindung nicht auf den Nachweis eines fehlerhaften Aufsetzens
einer Nadel einer konventionellen Nadelkarte wie etwa einer sogenannten
cantilever-card beschränkt.
Vielmehr ist unter Anpassung auf sich ändernde Größenverhältnisse auch ein Nachweis des
fehlerhaften Aufsetzens einer weiterentwickelten, etwa lithografisch
hergestellten Kon trollkarte (probe card) mit der vorliegenden Erfindung
machbar.
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Schließlich und
endlich versteht sich, dass die einzelnen Merkmale der Erfindung
auch in anderen als den dargestellten und beschriebenen Kombination
verwendet werden können.
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- 1
- Halbleitervorrichtung
- 2
- elektronische
Elemente
- 3
- Kontaktierungsfläche
- 4
- Randstreifen
- 4a
- Oberfläche des
Randstreifens
- 5
- Graben
- 6
- Steg
- 7
- Metallisierungschicht
- 8
- Metallisierungschicht
- 8a
- Unterseite
der Metallisierungschicht
- 9
- dielektrisches
Material
- 10
- Anschlusssteg
aus Halbleitermaterial
- 11
- Steg
aus dielektrischem Material
- 12
- Verbindungssteg
- 13
- Leitungsschicht
- 13b
- Anschluss
für Auswertelogik
- 14
- Nadelspitze
- 15
- Materialablagerung
auf der Kontaktierungsfläche
- 16
- Auswertelogik
- 17
- Passivierungsschicht
- 24a,
b, c, d
- Randstreifen
- 34
- Randstreifen
- (a)
- Positionen
einer Nadelspitze auf der Kontaktierungsfläche
- (b)
- Positionen
einer Nadelspitze auf der Kontaktierungsfläche