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DE102023213007A1 - Device for sampling to determine a corrosion state of a module for semiconductor lithography, arrangement and method for determining a module state - Google Patents

Device for sampling to determine a corrosion state of a module for semiconductor lithography, arrangement and method for determining a module state Download PDF

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DE102023213007A1
DE102023213007A1 DE102023213007.6A DE102023213007A DE102023213007A1 DE 102023213007 A1 DE102023213007 A1 DE 102023213007A1 DE 102023213007 A DE102023213007 A DE 102023213007A DE 102023213007 A1 DE102023213007 A1 DE 102023213007A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
interface
module
sampling
sample collector
rinsing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE102023213007.6A
Other languages
German (de)
Inventor
Eric De La Chaux
Anissa Celina Bouali
Vincent Ma Junyong
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Carl Zeiss SMT GmbH
Original Assignee
Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Carl Zeiss SMT GmbH filed Critical Carl Zeiss SMT GmbH
Priority to DE102023213007.6A priority Critical patent/DE102023213007A1/en
Priority to PCT/EP2024/085241 priority patent/WO2025131815A1/en
Publication of DE102023213007A1 publication Critical patent/DE102023213007A1/en
Pending legal-status Critical Current

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    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N1/00Sampling; Preparing specimens for investigation
    • G01N1/02Devices for withdrawing samples
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Abstract

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung (50) zur Beprobung für eine Bestimmung eines Korrosionszustandes eines Moduls (30) für die Halbleiterlithografie, welches sich dadurch auszeichnet, dass die Vorrichtung (50) eine Spülvorrichtung (64) und einen Probensammler (56) umfasst.
Weiterhin betrifft die Erfindung eine Anordnung mit einer Vorrichtung (50) zur Beprobung eines Moduls (30) für die Halbleitertechnik und einem Modul (30) für die Halbleiterlithografie, wobei das Modul (30) einen Fluidkanal (40) und ein lösbares Verbindungselement (32) zur Anbindung einer Fluidleitung an den Fluidkanal (40) umfasst und wobei zwischen dem Verbindungselement (32) und dem Modul (30) eine Schnittstelle (42) ausgebildet ist. Die Anordnung zeichnet sich dadurch aus, dass die Vorrichtung (50) zur Beprobung eine Spülvorrichtung (64) aufweist, wobei ein in Einführungsrichtung hinter der Spülvorrichtung (64) angeordneter Probensammler (56) der Vorrichtung (50) mindestens teilweise, gegebenenfalls vollständig in den Fluidkanal (40) eingeführt ist.
Weiterhin betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Bestimmung eines Korrosionszustandes einer Schnittstelle (42) zwischen einem Modul (30) einer Projektionsbelichtungsanlage (1,101) und einem lösbar mit dem Modul (30) verbundenen Verbindungselement (32) umfassend folgende Verfahrensschritte:
- Beprobung der Schnittstelle (42),
- Analyse der entnommenen Probe (70.1),
- Bestimmung des Zustandes der Schnittstelle (42) auf Basis der Analyse.

Figure DE102023213007A1_0000
The invention relates to a device (50) for sampling to determine a corrosion state of a module (30) for semiconductor lithography, which is characterized in that the device (50) comprises a rinsing device (64) and a sample collector (56).
The invention further relates to an arrangement comprising a device (50) for sampling a module (30) for semiconductor technology and a module (30) for semiconductor lithography, wherein the module (30) comprises a fluid channel (40) and a detachable connecting element (32) for connecting a fluid line to the fluid channel (40), and wherein an interface (42) is formed between the connecting element (32) and the module (30). The arrangement is characterized in that the device (50) for sampling has a rinsing device (64), wherein a sample collector (56) of the device (50), arranged behind the rinsing device (64) in the insertion direction, is inserted at least partially, optionally completely, into the fluid channel (40).
Furthermore, the invention relates to a method for determining a corrosion state of an interface (42) between a module (30) of a projection exposure system (1, 101) and a connecting element (32) detachably connected to the module (30), comprising the following method steps:
- Sampling of the interface (42),
- Analysis of the sample taken (70.1),
- Determination of the state of the interface (42) based on the analysis.
Figure DE102023213007A1_0000

Description

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Beprobung für eine Bestimmung eines Korrosionszustandes eines Moduls für die Halbleiterlithografie sowie eine Anordnung mit der Vorrichtung und dem Modul. Weiterhin betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Bestimmung eines Modulzustandes. Insbesondere kann die Vorrichtung und das Verfahren für ein Modul einer Projektionsbelichtungsanlage Anwendung finden.The invention relates to a device for sampling to determine the corrosion state of a module for semiconductor lithography, as well as to an arrangement comprising the device and the module. Furthermore, the invention relates to a method for determining the state of a module. In particular, the device and the method can be used for a module of a projection exposure system.

Projektionsbelichtungsanlagen für die Halbleiterlithografie unterliegen extrem hohen Anforderungen an die Abbildungsqualität, um die gewünschten mikroskopisch kleinen Strukturen möglichst fehlerfrei herstellen zu können. In einem Lithografieprozess oder einem Mikrolithografieprozess beleuchtet ein Beleuchtungssystem eine fotolithografische Maske, die auch als Retikel bezeichnet wird. Das durch die Maske hindurchtretende Licht oder das von der Maske reflektierte Licht wird von einer Projektionsoptik auf ein mit einer lichtempfindlichen Schicht (Fotoresist) beschichtetes, in der Bildebene der Projektionsoptik angebrachtes Substrat (beispielsweise einen Wafer) projiziert, um die Strukturelemente der Maske auf die lichtempfindliche Beschichtung des Substrats zu übertragen. Die Anforderungen an die Positionierung der Abbildung auf dem Wafer und die Intensität des durch das Beleuchtungssystem bereitgestellten Lichts werden mit jeder neuen Generation erhöht, was zu einer höheren Wärmelast auf den optischen Elementen führt.Projection exposure systems for semiconductor lithography are subject to extremely high image quality requirements in order to produce the desired microscopic structures with as little error as possible. In a lithography or microlithography process, an illumination system illuminates a photolithographic mask, also known as a reticle. The light passing through the mask or reflected by the mask is projected by projection optics onto a substrate (e.g., a wafer) coated with a light-sensitive layer (photoresist) and mounted in the image plane of the projection optics. This transfers the mask's structural elements to the substrate's light-sensitive coating. The requirements for the positioning of the image on the wafer and the intensity of the light provided by the illumination system increase with each new generation, resulting in a higher heat load on the optical elements.

In Fällen hoher Wärmelast kann es von Vorteil sein, bestimmte Module, wie beispielsweise Tragrahmen, Referenzrahmen oder optische Module, insbesondere in EUV-Projektionsbelichtungsanlagen, also in Anlagen, die mit elektromagnetischer Strahlung der Wellenlänge zwischen 1nm und 120nm, insbesondere bei 13,5nm betrieben werden, durch eine Wasserkühlung zu temperieren. Auch in DUV-Projektionsbelichtungsanlagen, also in Anlagen, die mit elektromagnetischer Strahlung mit einer Wellenlänge zwischen 100nm und 300nm betrieben werden, können wassergekühlte Module zum Einsatz kommen. Diese Module umfassen Fluidkanäle, die üblicherweise von temperiertem Wasser durchströmt werden, wodurch die Wärme von den Modulen wegführt wird. Das Wasser wird von einem Wasserkabinett aufbereitet und bereitgestellt, wobei das Wasserkabinett über Fluidleitungen mit dem Modul verbunden ist. Die Zuleitungen und Ableitungen werden an den Schnittstellen zum Modul häufig über Flansche mit den im Modul ausgebildeten Fluidkanälen verbunden. Die Flansche sind dabei gegenüber im Modul ausgebildeten Dichtflächen mit Dichtelementen abgedichtet und können für den Transport und/oder die Lagerung der Module verschlossen werden. Ein Modul kann zwischen 1 und 30 oder mehr solcher Schnittstellen aufweisen, wobei der Ausfall von nur einer Schnittstelle, beispielsweise durch eine Undichtigkeit, zum Ausfall des gesamten Moduls und/oder der gesamten Anlage führen kann. Üblicherweise werden identische Schnittstellen in der gesamten Projektionsbelichtungsanlage verwendet, also beispielsweise sowohl im Beleuchtungssystem als auch in der Projektionsoptik.In cases of high heat load, it can be advantageous to use water cooling to control the temperature of certain modules, such as support frames, reference frames, or optical modules, particularly in EUV projection exposure systems, i.e., systems operated with electromagnetic radiation with a wavelength between 1 nm and 120 nm, especially at 13.5 nm. Water-cooled modules can also be used in DUV projection exposure systems, i.e., systems operated with electromagnetic radiation with a wavelength between 100 nm and 300 nm. These modules comprise fluid channels through which tempered water usually flows, thereby dissipating heat from the modules. The water is prepared and supplied by a water cabinet, which is connected to the module via fluid lines. The supply and discharge lines are often connected to the fluid channels formed in the module via flanges at the interfaces to the module. The flanges are sealed against sealing surfaces formed in the module with sealing elements and can be closed for transport and/or storage of the modules. A module can have between 1 and 30 or more such interfaces, whereby the failure of just one interface, for example due to a leak, can lead to the failure of the entire module and/or the entire system. Typically, identical interfaces are used throughout the entire projection exposure system, for example, in both the illumination system and the projection optics.

Die speziellen Anforderungen an Materialien im Bereich der EUV-Lithographie und den daraus resultierenden Materialpaarungen für das Modul und den Flansch ermöglichen bzw. erleichtern eine Korrosion, insbesondere im Bereich der Schnittstelle. Die Korrosion kann in Kombination mit dem, beispielsweise auf Grund von Verunreinigungen, teilweise stark korrosionsfördernden Verhalten des Wassers über die Lebensdauer noch verstärkt werden, so dass es an den Grenzflächen zwischen Flansch und Dichtfläche in den Schnittstellen zu Korrosion kommen kann. Die Korrosion kann in manchen Fällen soweit fortschreiten, dass die Korrosion die Dichtelemente unterwandert und es dadurch zu einer Undichtigkeit der Schnittstelle kommen kann. Der Effekt kann im Vergleich zu einer Nutzung der Module durch eine Lagerung der Module, insbesondere bei unsachgemäßen Lagerungsbedingungen, noch verstärkt werden.The special requirements for materials in the field of EUV lithography and the resulting material pairings for the module and the flange enable or facilitate corrosion, particularly in the area of the interface. In combination with the sometimes highly corrosive behavior of water, for example due to contamination, this corrosion can be further intensified over the lifetime, so that corrosion can occur at the interfaces between the flange and the sealing surface. In some cases, the corrosion can progress to the point where it undermines the sealing elements, potentially leading to leaks at the interface. Compared to module use, this effect can be further exacerbated by module storage, particularly under improper storage conditions.

Der Korrosionszustand im Bereich der Schnittstelle der Module kann im eingebauten Zustand, also mit montiertem Flansch, nicht bestimmt werden. Aufgrund der teilweise stark variierenden und nicht ausreichend bekannten Bedingungen über die Lebensdauer kann der Korrosionszustand auch nicht, beispielsweise auf Basis von Modellen, vorhergesagt werden. Eine Sichtprüfung der Schnittstelle, wobei der Flansch demontiert wird, kann dazu führen, dass eine trotz Korrosion noch dichte Schnittstelle bei einer erneuten Montage des Flansches undicht bleibt. Die Sichtprüfung kann also in einer Vielzahl der Fälle eine zerstörende Prüfung sein.The corrosion state in the module interface area cannot be determined in the installed state, i.e., with the flange in place. Due to the sometimes highly variable and insufficiently known conditions over the service life, the corrosion state cannot be predicted, for example, based on models. A visual inspection of the interface, during which the flange is dismantled, can result in an interface that is still tight despite corrosion remaining leaky when the flange is reinstalled. Therefore, in many cases, the visual inspection can be a destructive test.

Dieser Effekt beruht darauf, dass die durch Korrosion verursachte Beschädigung der Dichtfläche derart fortgeschritten sein kann, dass beim Wiedereinsetzen des Flansches die Schnittstelle nicht mehr ausreichend abgedichtet werden kann. Die bei der Korrosion entstehenden Korrosionsprodukte beschädigen einerseits die Dichtflächen, tragen aber andererseits auch zur Dichtigkeit bei. So kann eine bereits korrodierte Schnittstelle ungeöffnet noch mehrere Monate oder Jahre dicht sein, aber nach einer Öffnung und einer erneuten Montage undicht sein oder zeitnah undicht werden. Eine Reparatur oder Nachbearbeitung der Dichtflächen ist aus technischen Gründen in der Regel nicht möglich.This effect is due to the fact that the damage to the sealing surface caused by corrosion can be so advanced that the interface can no longer be adequately sealed when the flange is reinserted. The corrosion products produced during corrosion damage the sealing surfaces, but also contribute to their tightness. For example, an already corroded interface may remain sealed for several months or years if unopened, but may leak or become leaky soon after being opened and reassembled. Repairing or reworking the sealing surfaces is generally not possible for technical reasons.

Daraus ergibt sich der Nachteil, dass eine Vielzahl von Modulen auf Grund der Bestimmung des Korrosionszustandes verschrottet werden müssen, obwohl diese noch über eine ausreichende Lebensdauer verfügen. Dies wirkt sich negativ auf die Lifetimekosten der Projektionsbelichtungsanlage aus.This results in the disadvantage that many modules must be scrapped due to corrosion testing, even though they still have a sufficient service life. This negatively impacts the lifetime costs of the projection exposure system.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine Vorrichtung und eine Anordnung zur Verfügung zu stellen, welche die weiter oben beschriebenen Nachteile des Standes der Technik beseitigt. Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Verfahren anzugeben, welches eine Bestimmung des Korrosionszustandes einer Schnittstelle des Moduls ohne Demontage des Flansches ermöglicht.The object of the present invention is to provide a device and an arrangement that eliminates the disadvantages of the prior art described above. A further object of the present invention is to provide a method that enables the corrosion state of a module interface to be determined without disassembling the flange.

Diese Aufgabe wird gelöst durch eine Vorrichtung, eine Anordnung und ein Verfahren mit den Merkmalen der unabhängigen Ansprüche. Die Unteransprüche betreffen vorteilhafte Weiterbildungen und Varianten der Erfindung.This object is achieved by a device, an arrangement, and a method having the features of the independent claims. The subclaims relate to advantageous developments and variants of the invention.

Eine erfindungsgemäße Vorrichtung zur Beprobung für eine Bestimmung eines Korrosionszustandes eines Moduls für die Halbleiterlithografie zeichnet sich dadurch aus, dass die Vorrichtung eine Spülvorrichtung umfasst. Weiterhin umfasst die Vorrichtung einen Probensammler, welcher die durch die Spülung gelösten Proben aufnimmt.A device according to the invention for sampling to determine the corrosion state of a module for semiconductor lithography is characterized in that the device comprises a rinsing device. Furthermore, the device comprises a sample collector that receives the samples dissolved by the rinsing.

Die Spülvorrichtung ermöglicht es vorteilhafterweise einerseits eine Probe von einer Oberfläche des Moduls zu lösen und andererseits die Oberfläche dabei nicht zu beschädigen. Dadurch kann die Probe von der Oberfläche möglichst zerstörungsarm gelöst werden. Im Fall von einer Schnittstelle, welche auf ihren Korrosionszustand hin untersucht werden soll, können durch das Spülen einerseits Korrosionsprodukte entnommen werden und andererseits kann das Korrosionssystem intakt bleiben. Das Korrosionssystem umfasst die Schnittstelle und die an dieser gebildeten Korrosionsprodukte, welche mit der Schnittstelle teilweise fest verbunden sind. So weist beispielsweise das Korrosionssystem Bereiche auf, welche durch bereits gebildete Korrosionsprodukte dem Grundmaterial des Flansches und/oder des Grundkörper einen Schutz vor fortschreitender Korrosion bieten können. Die Korrosion kann dadurch zumindest verlangsamt oder sogar vollständig gestoppt werden, ohne die Dichtigkeit der Schnittstelle negativ zu beeinträchtigen.The flushing device advantageously makes it possible, on the one hand, to remove a sample from a surface of the module without damaging the surface in the process. This allows the sample to be removed from the surface with as little damage as possible. In the case of an interface that is to be examined for its corrosion state, flushing can, on the one hand, remove corrosion products and, on the other hand, allow the corrosion system to remain intact. The corrosion system comprises the interface and the corrosion products formed at it, some of which are firmly bonded to the interface. For example, the corrosion system has areas which, through corrosion products that have already formed, can offer the base material of the flange and/or the base body protection against advancing corrosion. This can at least slow down or even completely stop the corrosion without negatively affecting the tightness of the interface.

In einer ersten Ausführungsform der Erfindung kann an einem Ende der Spülvorrichtung eine Zuleitung angeordnet sein. Die Zuleitung kann beispielsweise mit einer Pumpe oder einer Handflasche verbunden sein, welche das Spülfluid mit dem zur Spülung notwendigen Druck beaufschlagen.In a first embodiment of the invention, a supply line can be arranged at one end of the flushing device. The supply line can be connected, for example, to a pump or a handheld bottle, which applies the flushing fluid to the pressure required for flushing.

Insbesondere kann der Probensammler am anderen Ende der Vorrichtung angeordnet sein, also an der der Zuleitung entgegengesetzten Seite.In particular, the sample collector can be arranged at the other end of the device, i.e. on the side opposite the supply line.

In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung kann eine Öffnung der Spülvorrichtung zwischen der Zuleitung und dem Probensammler angeordnet sein.In a further embodiment of the invention, an opening of the flushing device can be arranged between the supply line and the sample collector.

Insbesondere kann die Öffnung der Spülvorrichtung in Richtung der Zuleitung gerichtet sein. Beispielsweise kann die Öffnung in einen Winkel zur Zuleitung ausgerichtet sein, so dass das Spülfluid einen bestimmte Oberfläche des Moduls zur Probengewinnung besprühen kann. Dieser Winkel kann in einem Bereich von 90° und 180°, bevorzugt im Bereich von 120° bis 160°, besonders bevorzugt in einem Bereich von 135° bis 155° liegen.In particular, the opening of the flushing device can be directed toward the supply line. For example, the opening can be oriented at an angle to the supply line so that the flushing fluid can spray a specific surface of the module for sample collection. This angle can be in a range between 90° and 180°, preferably in a range between 120° and 160°, and particularly preferably in a range between 135° and 155°.

In einer weiteren Ausführungsform kann der Probensammler elastisch ausgebildet sein. Dies ermöglicht es, dass, falls die Vorrichtung durch eine Engstelle zum Ort der Beprobung geschoben werden muss, wie beispielsweise ein Rohr oder einen Kanal, die Außenkontur des Probensammler sich an den Querschnitt der Engstelle zeitweise anpassen kann. Der Probensammler kann zusätzlich während der Spülung als Dichtungselement wirken, wobei der elastisch ausgebildete Probensammler einen gleichmäßigen und vollständigen Kontakt zwischen dem Probensammler und einer zu dichtenden Oberfläche sicherstellen kann.In a further embodiment, the sample collector can be designed to be elastic. This allows the outer contour of the sample collector to temporarily adapt to the cross-section of the constriction if the device must be pushed through a constriction to the sampling site, such as a pipe or channel. The sample collector can also act as a sealing element during flushing, whereby the elastically designed sample collector can ensure uniform and complete contact between the sample collector and the surface to be sealed.

Weiterhin kann der Probensammler offenporig ausgebildet sein. Eine offenporige Struktur ermöglicht die Aufnahme von Fluiden, wie beispielsweise dem Spülfluid, aber auch von möglicherweise am Ort der Beprobung vorhandenen Flüssigkeiten und/oder flüssigen Proben. Die offenporige Oberfläche hat zudem den Vorteil, dass auch feste Proben leichter an der offenporigen Oberfläche haften und somit die Aufnahme der Proben mit dem Probensammler vereinfacht wird.Furthermore, the sample collector can be designed with open pores. An open-pore structure allows for the absorption of fluids, such as the rinsing fluid, but also of any liquids and/or liquid samples that may be present at the sampling site. The open-pore surface also has the advantage that even solid samples adhere more easily to the open-pore surface, thus simplifying the collection of samples with the sample collector.

Daneben kann der Probensammler eine Oberfläche zur Aufnahme mindestens eines Teils einer Probe umfassen. Diese kann eine für die Probenaufnahme besonders geeignete Geometrie aufweisen, wie beispielsweise eine Fase und/oder eine spezielle Oberfläche, welche beispielsweise adhäsiv auf bestimmten Proben wirkt.In addition, the sample collector can comprise a surface for receiving at least a portion of a sample. This surface can have a geometry particularly suitable for sample reception, such as a chamfer and/or a special surface that, for example, has an adhesive effect on certain samples.

In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung kann die Vorrichtung eine Aufnahme zur Verbindung des Probensammlers mit der Vorrichtung aufweisen. Die Probensammler können zweckmäßigerweise bei jeder Beprobung erneuert werden, so dass ein einfacher Wechsel der Probensammler von Vorteil ist. Die Vorrichtung kann beispielsweise einen Dorn mit konischen Abschnitten oder anderen Hinterschnitten umfassen. Der Dorn erleichtert das Aufschieben, wobei die konischen Abschnitte ein versehentliches Abrutschen des Probensammlers, beispielsweise beim Herausziehen der Vorrichtung aus einem Rohr oder einem Kanal vorteilhaft vermeiden können.In a further embodiment of the invention, the device can have a receptacle for connecting the sample collector to the device. The sample collectors can be conveniently replaced with each sampling, so that a simple change of the sample collectors is advantageous. The device can, for example, have a mandrel with conical sections or other Undercuts are included. The mandrel facilitates sliding on, and the conical sections can advantageously prevent the sample collector from accidentally slipping off, for example, when pulling the device out of a pipe or channel.

In einer weiteren Ausführungsform kann die Vorrichtung einen Anschlag zur Positionierung der Öffnung der Spülvorrichtung aufweisen. Der Anschlag dient zu einer guten Wiederholgenauigkeit bei der Ausrichtung der Vorrichtung zu einer Oberfläche am Ort der Beprobung, wie beispielsweise eine Schnittelle eines Moduls. Insbesondere kann der Anschlag einstellbar ausgebildet sein, wodurch eine Vorrichtung zur Beprobung unterschiedlicher Objekte verwendet werden kann.In a further embodiment, the device can have a stop for positioning the opening of the rinsing device. The stop serves to ensure good repeatability when aligning the device to a surface at the sampling location, such as an interface of a module. In particular, the stop can be adjustable, allowing one device to be used for sampling different objects.

Eine erfindungsgemäße Anordnung mit einer Vorrichtung zur Beprobung eines Moduls für die Halbleitertechnik und einem Modul für die Halbleiterlithografie, wobei das Modul einen Fluidkanal und ein lösbares Verbindungselement zur Anbindung einer Fluidleitung an den Fluidkanal umfasst und wobei zwischen dem Verbindungselement und dem Modul eine Schnittstelle ausgebildet ist, zeichnet sich dadurch aus, dass die Vorrichtung zur Beprobung eine Spülvorrichtung aufweist. Dabei ist ein in Einführungsrichtung hinter der Spülvorrichtung angeordneter Probensammler der Vorrichtung mindestens teilweise, gegebenenfalls auch vollständig in den Fluidkanal eingeführt.An arrangement according to the invention comprising a device for sampling a module for semiconductor technology and a module for semiconductor lithography, wherein the module comprises a fluid channel and a detachable connecting element for connecting a fluid line to the fluid channel, and wherein an interface is formed between the connecting element and the module, is characterized in that the sampling device has a flushing device. A sample collector of the device, arranged behind the flushing device in the insertion direction, is inserted at least partially, and optionally also completely, into the fluid channel.

Die Spülvorrichtung ermöglicht es, wie weiter oben bereits erläutert, Proben, wie beispielsweise Korrosionsprodukte, zerstörungsfrei von der Schnittstelle zu lösen.As explained above, the rinsing device enables samples, such as corrosion products, to be removed from the interface without causing any damage.

Weiterhin kann die Vorrichtung zur Beprobung bis zu einem Anschlag der Vorrichtung in das Verbindungselement, welches beispielsweise als Flansch ausgeführt ist, eingeführt werden.Furthermore, the sampling device can be inserted into the connecting element, which is designed as a flange, for example, up to a stop of the device.

Insbesondere kann der Anschlag die Position der Spülvorrichtung relativ zur Schnittstelle definieren. Dies hat den Vorteil, dass eine Beprobung der Schnittstelle auch ohne diese zu sehen beim Einführen der Vorrichtung sichergestellt werden kann.In particular, the stop can define the position of the rinsing device relative to the interface. This has the advantage of ensuring that the interface can be sampled even without being visible during the device's insertion.

Weiterhin kann eine Öffnung der Spülvorrichtung zur Beprobung im eingeführten Zustand in Einführungsrichtung hinter der Schnittstelle angeordnet sein. Dies ermöglicht es, die Schnittstelle auch dann direkt mit dem Spülfluid zu besprühen, wenn diese in Einführungsrichtung hinter einem Hinterschnitt angeordnet ist.Furthermore, an opening of the flushing device for sampling can be positioned behind the interface in the insertion direction. This allows the interface to be sprayed directly with the flushing fluid even if it is located behind an undercut in the insertion direction.

Insbesondere kann die Öffnung der Spülvorrichtung zur Beprobung in Richtung der Schnittstelle ausgerichtet sein. Dies hat den Vorteil, dass das Spülfluid in Richtung des Verbindungselementes sprüht und die Gefahr eines Eindringens des Spülfluides in den Fluidkanal vorteilhaft reduziert wird. Die Anforderungen an die Dichtwirkung eines Probensammlers der Vorrichtung können dadurch gesenkt werden, wodurch das Einführen und Herausziehen der Vorrichtung deutlich vereinfacht werden kann. In particular, the opening of the flushing device can be oriented toward the interface for sampling. This has the advantage that the flushing fluid sprays toward the connecting element, effectively reducing the risk of the flushing fluid penetrating the fluid channel. This can reduce the sealing requirements of a sample collector of the device, significantly simplifying the insertion and removal of the device.

In einer weiteren Ausführungsform kann die Vorrichtung gegenüber dem Verbindungselement drehbar angeordnet sein. Dies ermöglicht ein Besprühen der Schnittstelle über den vollen Umfang und dadurch eine bestmögliche Probengewinnung.In a further embodiment, the device can be arranged so that it can rotate relative to the connecting element. This allows the entire circumference of the interface to be sprayed, thus ensuring the best possible sample collection.

Insbesondere kann der Probensammler der Vorrichtung derart ausgebildet sein, dass der Probensammler im eingeführten Zustand den Fluidkanal in Richtung des Modulinneren gegenüber einem bei der Beprobung verwendeten Spülfluid abdichten kann. Der Probensammler hat damit eine Doppelfunktion, wobei die zweite Funktion die Abdichtung des Fluidkanals während der Probengewinnung sein kann, womit ein Eindringen des Spülfluides in den Fluidkanal des Moduls verhindert werden kann.In particular, the sample collector of the device can be designed such that, when inserted, the sample collector can seal the fluid channel toward the interior of the module against a rinsing fluid used during sampling. The sample collector thus has a dual function, with the second function being to seal the fluid channel during sample collection, thus preventing the rinsing fluid from penetrating the fluid channel of the module.

Daneben kann der Probensammler derart ausgebildet sein, dass der Probensammler im Spülfluid gelöste und/oder schwimmende Proben, wie beispielsweise Korrosionsprodukte beim Herausziehen aufsammeln bzw. aufnehmen kann.In addition, the sample collector can be designed in such a way that the sample collector can collect or absorb samples dissolved and/or floating in the rinsing fluid, such as corrosion products, when withdrawn.

In weiteren Ausführungsformen kann die Anordnung eine Vorrichtung nach den weiter oben beschriebenen Ausführungsformen umfassen.In further embodiments, the arrangement may comprise a device according to the embodiments described above.

Ein erfindungsgemäßes Verfahren zur Bestimmung eines Korrosionszustandes einer Schnittstelle zwischen einem Modul einer Projektionsbelichtungsanlage und einem lösbar mit dem Modul verbundenen Verbindungselement umfasst folgende Verfahrensschritte:

  • - Beprobung der Schnittstelle.
  • - Analyse der entnommenen Probe.
  • - Bestimmung des Zustandes der Schnittstelle auf Basis der Analyse.
A method according to the invention for determining a corrosion state of an interface between a module of a projection exposure system and a connecting element detachably connected to the module comprises the following method steps:
  • - Sampling of the interface.
  • - Analysis of the sample taken.
  • - Determination of the interface status based on the analysis.

In einer ersten Ausführungsform kann der Zustand der Schnittstelle eine Lebensdauer der Schnittstelle beschreiben. Die Lebensdauer bezieht sich beispielsweise auf die verbleibende Dauer einer sicheren Verwendung des Moduls in einer Projektionsbelichtungsanlage.In a first embodiment, the state of the interface can describe the lifetime of the interface. The lifetime refers, for example, to the remaining duration of safe use of the module in a projection exposure system.

Weiterhin kann der Zustand der Schnittstelle eine Dichtigkeit der Schnittstelle beschreiben. In Projektionsbelichtungsanlagen, welche unter vorbestimmten engen Randbedingungen betrieben werden, ist Dichtigkeit ein wichtiges Kriterium für alle fluidführenden Schnittstellen. Im Fall einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage, welche im Vakuum betrieben wird, kann eine Undichtigkeit zu einer Beschädigung oder sogar zum Komplettausfall des Moduls und/oder der gesamten Projektionsbelichtungsanlage führen.Furthermore, the condition of the interface can describe its tightness. In projection exposure systems, which operate under predetermined, tight boundary conditions, tightness is an important criterion for all fluid-carrying interfaces. In the case of an EUV pro In a projection exposure system that is operated in a vacuum, a leak can lead to damage or even complete failure of the module and/or the entire projection exposure system.

Insbesondere kann der Zustand der Schnittstelle eine auf die Dichtigkeit der Schnittstelle bezogene Lebensdauer der Schnittstelle beschreiben. Die Lebensdauer bezieht sich also darauf, wie lange unter gegebenen Randbedingungen noch von einer Dichtigkeit der Schnittstelle ausgegangen werden kann.In particular, the condition of the interface can describe the lifetime of the interface, which is related to its tightness. The lifetime refers to how long the interface can be assumed to remain tight under given boundary conditions.

In einer weiteren Ausführungsform kann die Beprobung ein Spülen der Schnittstelle umfassen, wie weiter oben bereits erläutert.In a further embodiment, the sampling may comprise flushing the interface, as explained above.

Weiterhin kann das Spülen der Schnittstelle derart erfolgen, dass es lediglich bereits lose und/oder flüssige und gelöste Korrosionsprodukte von der Schnittstelle löst. Der Druck und die Strahlform mit welcher das Spülfluid auf die Schnittstelle trifft ist dabei von entscheidender Bedeutung und kann sicherstellen, dass das Korrosionssystem nicht verletzt wird.Furthermore, the interface can be flushed in such a way that only loose and/or liquid and dissolved corrosion products are removed from the interface. The pressure and jet shape with which the flushing fluid hits the interface are crucial and can ensure that the corrosion system is not damaged.

Weiterhin können die auf diese Weise gelösten Korrosionsprodukte von einem Probensammler aufgenommen werden. Der Probensammler ist dabei derart ausgebildet, dass er sowohl flüssige als auch feste Korrosionsprodukte aufnehmen kann.Furthermore, the corrosion products dissolved in this way can be collected by a sample collector. The sample collector is designed to collect both liquid and solid corrosion products.

In einer weiteren Ausführungsform können die Korrosionsprodukte mit einem EDX Verfahren analysiert werden. Dies ist ein aus dem Stand der Technik bekanntes Verfahren und erlaubt eine genaue Analyse der in der Probe befindlichen Korrosionsprodukten.In another embodiment, the corrosion products can be analyzed using an EDX method. This is a well-known method and allows for a precise analysis of the corrosion products present in the sample.

Insbesondere kann die Bestimmung des Zustandes der Schnittstelle auf einem Vergleich der in der Probe vorhandenen Korrosionsprodukte basieren. Eine Korrosion ist nur unzureichend durch ein Modell zu bestimmen, was insbesondere durch viele unbekannte Parameter noch weiter erschwert werden kann. So kann beispielsweise die Reinheit des im Fluidkanal verwendeten Fluides unbekannt sein und/oder die im Fall einer Lagerung des Moduls vorhandenen Lagerungsbedingungen vollständig oder zumindest teilweise unbekannt sein. Eine zerstörungsfreie Beprobung, wobei sich zerstörungsfrei auf die Dichtigkeit der Schnittstelle und das Korrosionssystem beziehen kann, ist ein vorteilhaftes Verfahren zur Verlängerung der Lebensdauer von Schnittstellen.In particular, the condition of the interface can be determined based on a comparison of the corrosion products present in the sample. Corrosion can be inadequately determined using a model, which can be made even more difficult by many unknown parameters. For example, the purity of the fluid used in the fluid channel may be unknown and/or the storage conditions during module storage may be completely or at least partially unknown. Non-destructive sampling, where non-destructive can refer to the tightness of the interface and the corrosion system, is an advantageous method for extending the service life of interfaces.

Nachfolgend werden Ausführungsbeispiele und Varianten der Erfindung anhand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigen

  • 1 schematisch im Meridionalschnitt eine Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Projektionslithografie,
  • 2 schematisch im Meridionalschnitt eine Projektionsbelichtungsanlage für die DUV-Projektionslithografie,
  • 3 eine schematische Darstellung eines Details der Projektionsbelichtungsanlage,
  • 4 eine schematische Darstellung der Erfindung,
  • 5a-c eine schematische Darstellungen zur Erläuterung der Funktion und eines erfindungsgemäßen Verfahrens,
  • 6a-b weitere schematische Darstellungen zur Erläuterung der Funktion und eines erfindungsgemäßen Verfahrens,
  • 7a-b weitere schematische Darstellungen zur Erläuterung der Funktion und eines erfindungsgemäßen Verfahrens, und
  • 8 ein Flussdiagramm zu einem erfindungsgemäßen Verfahren.
In the following, embodiments and variants of the invention are explained in more detail with reference to the drawings.
  • 1 schematic meridional section of a projection exposure system for EUV projection lithography,
  • 2 schematic meridional section of a projection exposure system for DUV projection lithography,
  • 3 a schematic representation of a detail of the projection exposure system,
  • 4 a schematic representation of the invention,
  • 5a -c a schematic representation to explain the function and a method according to the invention,
  • 6a -b further schematic representations to explain the function and a method according to the invention,
  • 7a -b further schematic representations to explain the function and a method according to the invention, and
  • 8 a flowchart for a method according to the invention.

Im Folgenden werden zunächst unter Bezugnahme auf die 1 exemplarisch die wesentlichen Bestandteile einer Projektionsbelichtungsanlage 1 für die Mikrolithografie beschrieben. Die Beschreibung des grundsätzlichen Aufbaus der Projektionsbelichtungsanlage 1 sowie deren Bestandteile sind hierbei nicht einschränkend verstanden.In the following, first with reference to the 1 The essential components of a projection exposure system 1 for microlithography are described by way of example. The description of the basic structure of the projection exposure system 1 and its components is not intended to be limiting.

Eine Ausführung eines Beleuchtungssystems 2 der Projektionsbelichtungsanlage 1 hat neben einer Strahlungsquelle 3 eine Beleuchtungsoptik 4 zur Beleuchtung eines Objektfeldes 5 in einer Objektebene 6. Bei einer alternativen Ausführung kann die Lichtquelle 3 auch als ein zum sonstigen Beleuchtungssystem separates Modul bereitgestellt sein. In diesem Fall umfasst das Beleuchtungssystem die Lichtquelle 3 nicht.One embodiment of an illumination system 2 of the projection exposure system 1 has, in addition to a radiation source 3, an illumination optics 4 for illuminating an object field 5 in an object plane 6. In an alternative embodiment, the light source 3 can also be provided as a separate module from the rest of the illumination system. In this case, the illumination system does not include the light source 3.

Beleuchtet wird ein im Objektfeld 5 angeordnetes Retikel 7. Das Retikel 7 ist von einem Retikelhalter 8 gehalten. Der Retikelhalter 8 ist über einen Retikelverlagerungsantrieb 9 insbesondere in einer Scanrichtung verlagerbar.A reticle 7 arranged in the object field 5 is illuminated. The reticle 7 is held by a reticle holder 8. The reticle holder 8 can be displaced, in particular in a scanning direction, via a reticle displacement drive 9.

In der 1 ist zur Erläuterung ein kartesisches xyz-Koordinatensystem eingezeichnet. Die x-Richtung verläuft senkrecht zur Zeichenebene hinein. Die y-Richtung verläuft horizontal und die z-Richtung verläuft vertikal. Die Scanrichtung verläuft in der 1 längs der y-Richtung. Die z-Richtung verläuft senkrecht zur Objektebene 6.In the 1 For explanation purposes, a Cartesian xyz coordinate system is shown. The x-direction is perpendicular to the plane of the drawing. The y-direction is horizontal and the z-direction is vertical. The scanning direction is in the 1 along the y-direction. The z-direction runs perpendicular to the object plane 6.

Die Projektionsbelichtungsanlage 1 umfasst eine Projektionsoptik 10. Die Projektionsoptik 10 dient zur Abbildung des Objektfeldes 5 in ein Bildfeld 11 in einer Bildebene 12. Die Bildebene 12 verläuft parallel zur Objektebene 6. Alternativ ist auch ein von 0° verschiedener Winkel zwischen der Objektebene 6 und der Bildebene 12 möglich.The projection exposure system 1 comprises a projection optics 10. The projection optics 10 serves to image the object field 5 into an image field 11 in an image plane 12. The image plane 12 runs parallel to the object plane 6. Alternatively, an angle other than 0° between the object plane 6 and the image plane 12 is also possible.

Abgebildet wird eine Struktur auf dem Retikel 7 auf eine lichtempfindliche Schicht eines im Bereich des Bildfeldes 11 in der Bildebene 12 angeordneten Wafers 13. Der Wafer 13 wird von einem Waferhalter 14 gehalten. Der Waferhalter 14 ist über einen Waferverlagerungsantrieb 15 insbesondere längs der y-Richtung verlagerbar. Die Verlagerung einerseits des Retikels 7 über den Retikelverlagerungsantrieb 9 und andererseits des Wafers 13 über den Waferverlagerungsantrieb 15 kann synchronisiert zueinander erfolgen.A structure on the reticle 7 is imaged onto a light-sensitive layer of a wafer 13 arranged in the image plane 12 in the region of the image field 11. The wafer 13 is held by a wafer holder 14. The wafer holder 14 can be displaced, in particular along the y-direction, via a wafer displacement drive 15. The displacement of the reticle 7, on the one hand, via the reticle displacement drive 9, and the wafer 13, on the other hand, via the wafer displacement drive 15, can be synchronized with each other.

Bei der Strahlungsquelle 3 handelt es sich um eine EUV-Strahlungsquelle. Die Strahlungsquelle 3 emittiert insbesondere EUV-Strahlung 16, welche im Folgenden auch als Nutzstrahlung, Beleuchtungsstrahlung oder Beleuchtungslicht bezeichnet wird. Die Nutzstrahlung hat insbesondere eine Wellenlänge im Bereich zwischen 5 nm und 30 nm. Bei der Strahlungsquelle 3 kann es sich um eine Plasmaquelle handeln, zum Beispiel um eine LPP-Quelle (Laser Produced Plasma, mithilfe eines Lasers erzeugtes Plasma) oder um eine DPP-Quelle (Gas Discharged Produced Plasma, mittels Gasentladung erzeugtes Plasma). Es kann sich auch um eine synchrotronbasierte Strahlungsquelle handeln. Bei der Strahlungsquelle 3 kann es sich um einen Freie-Elektronen-Laser (Free-Electron-Laser, FEL) handeln.Radiation source 3 is an EUV radiation source. Radiation source 3 emits, in particular, EUV radiation 16, which is also referred to below as useful radiation, illumination radiation, or illumination light. The useful radiation has, in particular, a wavelength in the range between 5 nm and 30 nm. Radiation source 3 can be a plasma source, for example, an LPP source (laser produced plasma) or a DPP source (gas discharged produced plasma). It can also be a synchrotron-based radiation source. Radiation source 3 can be a free-electron laser (FEL).

Die Beleuchtungsstrahlung 16, die von der Strahlungsquelle 3 ausgeht, wird von einem Kollektor 17 gebündelt. Bei dem Kollektor 17 kann es sich um einen Kollektor mit einer oder mit mehreren ellipsoidalen und/oder hyperboloiden Reflexionsflächen handeln. Die mindestens eine Reflexionsfläche des Kollektors 17 kann im streifenden Einfall (Grazing Incidence, GI), also mit Einfallswinkeln größer als 45° gegenüber der Normalenrichtung der Spiegeloberfläche, oder im normalen Einfall (Normal Incidence, NI), also mit Einfallwinkeln kleiner als 45°, mit der Beleuchtungsstrahlung 16 beaufschlagt werden. Der Kollektor 17 kann einerseits zur Optimierung seiner Reflektivität für die Nutzstrahlung und andererseits zur Unterdrückung von Falschlicht strukturiert und/oder beschichtet sein.The illumination radiation 16 emanating from the radiation source 3 is focused by a collector 17. The collector 17 can be a collector with one or more ellipsoidal and/or hyperboloidal reflection surfaces. The at least one reflection surface of the collector 17 can be exposed to the illumination radiation 16 at grazing incidence (GI), i.e., at angles of incidence greater than 45° relative to the normal direction of the mirror surface, or at normal incidence (NI), i.e., at angles of incidence less than 45°. The collector 17 can be structured and/or coated, on the one hand, to optimize its reflectivity for the useful radiation and, on the other hand, to suppress stray light.

Nach dem Kollektor 17 propagiert die Beleuchtungsstrahlung 16 durch einen Zwischenfokus in einer Zwischenfokusebene 18. Die Zwischenfokusebene 18 kann eine Trennung zwischen einem Strahlungsquellenmodul, aufweisend die Strahlungsquelle 3 und den Kollektor 17, und der Beleuchtungsoptik 4 darstellen.After the collector 17, the illumination radiation 16 propagates through an intermediate focus in an intermediate focal plane 18. The intermediate focal plane 18 can represent a separation between a radiation source module, comprising the radiation source 3 and the collector 17, and the illumination optics 4.

Die Beleuchtungsoptik 4 umfasst einen Umlenkspiegel 19 und diesem im Strahlengang nachgeordnet einen ersten Facettenspiegel 20. Bei dem Umlenkspiegel 19 kann es sich um einen planen Umlenkspiegel oder alternativ um einen Spiegel mit einer über die reine Umlenkungswirkung hinaus bündelbeeinflussenden Wirkung handeln. Alternativ oder zusätzlich kann der Umlenkspiegel 19 als Spektralfilter ausgeführt sein, der eine Nutzlichtwellenlänge der Beleuchtungsstrahlung 16 von Falschlicht einer hiervon abweichenden Wellenlänge trennt. Sofern der erste Facettenspiegel 20 in einer Ebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet ist, die zur Objektebene 6 als Feldebene optisch konjugiert ist, wird dieser auch als Feldfacettenspiegel bezeichnet. Der erste Facettenspiegel 20 umfasst eine Vielzahl von einzelnen ersten Facetten 21, welche im Folgenden auch als Feldfacetten bezeichnet werden. Von diesen Facetten 21 sind in der 1 nur beispielhaft einige dargestellt.The illumination optics 4 comprises a deflecting mirror 19 and, downstream of this in the beam path, a first facet mirror 20. The deflecting mirror 19 can be a flat deflecting mirror or, alternatively, a mirror with a beam-influencing effect beyond the pure deflection effect. Alternatively or additionally, the deflecting mirror 19 can be designed as a spectral filter that separates a useful light wavelength of the illumination radiation 16 from stray light of a different wavelength. If the first facet mirror 20 is arranged in a plane of the illumination optics 4 that is optically conjugate to the object plane 6 as the field plane, it is also referred to as a field facet mirror. The first facet mirror 20 comprises a plurality of individual first facets 21, which are also referred to below as field facets. Of these facets 21, 1 only a few examples are shown.

Die ersten Facetten 21 können als makroskopische Facetten ausgeführt sein, insbesondere als rechteckige Facetten oder als Facetten mit bogenförmiger oder teilkreisförmiger Randkontur. Die ersten Facetten 21 können als plane Facetten oder alternativ als konvex oder konkav gekrümmte Facetten ausgeführt sein.The first facets 21 can be designed as macroscopic facets, in particular as rectangular facets or as facets with an arcuate or partially circular edge contour. The first facets 21 can be designed as flat facets or, alternatively, as convexly or concavely curved facets.

Wie beispielsweise aus der DE 10 2008 009 600 A1 bekannt ist, können die ersten Facetten 21 selbst jeweils auch aus einer Vielzahl von Einzelspiegeln, insbesondere einer Vielzahl von Mikrospiegeln, zusammengesetzt sein. Der erste Facettenspiegel 20 kann insbesondere als mikroelektromechanisches System (MEMS-System) ausgebildet sein. Für Details wird auf die DE 10 2008 009 600 A1 verwiesen.As for example from the DE 10 2008 009 600 A1 As is known, the first facets 21 themselves can also be composed of a plurality of individual mirrors, in particular a plurality of micromirrors. The first facet mirror 20 can in particular be designed as a microelectromechanical system (MEMS system). For details, reference is made to DE 10 2008 009 600 A1 referred to.

Zwischen dem Kollektor 17 und dem Umlenkspiegel 19 verläuft die Beleuchtungsstrahlung 16 horizontal, also längs der y-Richtung.Between the collector 17 and the deflecting mirror 19, the illumination radiation 16 runs horizontally, i.e. along the y-direction.

Im Strahlengang der Beleuchtungsoptik 4 ist dem ersten Facettenspiegel 20 nachgeordnet ein zweiter Facettenspiegel 22. Sofern der zweite Facettenspiegel 22 in einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet ist, wird dieser auch als Pupillenfacettenspiegel bezeichnet. Der zweite Facettenspiegel 22 kann auch beabstandet zu einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet sein. In diesem Fall wird die Kombination aus dem ersten Facettenspiegel 20 und dem zweiten Facettenspiegel 22 auch als spekularer Reflektor bezeichnet. Spekulare Reflektoren sind bekannt aus der US 2006/0132747 A1 , der EP 1 614 008 B1 und der US 6,573,978 .In the beam path of the illumination optics 4, a second facet mirror 22 is arranged downstream of the first facet mirror 20. If the second facet mirror 22 is arranged in a pupil plane of the illumination optics 4, it is also referred to as a pupil facet mirror. The second facet mirror 22 can also be arranged at a distance from a pupil plane of the illumination optics 4. In this case, the combination of the first facet mirror 20 and the second facet mirror 22 is also referred to as a specular reflector. Specular reflectors are known from US 2006/0132747 A1 , the EP 1 614 008 B1 and the US 6,573,978 .

Der zweite Facettenspiegel 22 umfasst eine Mehrzahl von zweiten Facetten 23. Die zweiten Facetten 23 werden im Falle eines Pupillenfacettenspiegels auch als Pupillenfacetten bezeichnet.The second facet mirror 22 comprises a plurality of second facets 23. The second Facets 23 are also called pupil facets in the case of a pupil facet mirror.

Bei den zweiten Facetten 23 kann es sich ebenfalls um makroskopische Facetten, die beispielsweise rund, rechteckig oder auch hexagonal berandet sein können, oder alternativ um aus Mikrospiegeln zusammengesetzte Facetten handeln. Diesbezüglich wird ebenfalls auf die DE 10 2008 009 600 A1 verwiesen.The second facets 23 can also be macroscopic facets, which can be round, rectangular or hexagonal, or alternatively facets composed of micromirrors. In this regard, reference is also made to the DE 10 2008 009 600 A1 referred to.

Die zweiten Facetten 23 können plane oder alternativ konvex oder konkav gekrümmte Reflexionsflächen aufweisen.The second facets 23 may have planar or alternatively convex or concave curved reflection surfaces.

Die Beleuchtungsoptik 4 bildet somit ein doppelt facettiertes System. Dieses grundlegende Prinzip wird auch als Wabenkondensor (Fly's Eye Integrator) bezeichnet.The illumination optics 4 thus form a double-faceted system. This basic principle is also known as a honeycomb condenser (fly's eye integrator).

Es kann vorteilhaft sein, den zweiten Facettenspiegel 22 nicht exakt in einer Ebene, welche zu einer Pupillenebene der Projektionsoptik 10 optisch konjugiert ist, anzuordnen. Insbesondere kann der Pupillenfacettenspiegel 22 gegenüber einer Pupillenebene der Projektionsoptik 10 verkippt angeordnet sein, wie es zum Beispiel in der DE 10 2017 220 586 A1 beschrieben ist.It may be advantageous not to arrange the second facet mirror 22 exactly in a plane that is optically conjugate to a pupil plane of the projection optics 10. In particular, the pupil facet mirror 22 may be arranged tilted relative to a pupil plane of the projection optics 10, as is shown, for example, in the DE 10 2017 220 586 A1 described.

Mit Hilfe des zweiten Facettenspiegels 22 werden die einzelnen ersten Facetten 21 in das Objektfeld 5 abgebildet. Der zweite Facettenspiegel 22 ist der letzte bündelformende oder auch tatsächlich der letzte Spiegel für die Beleuchtungsstrahlung 16 im Strahlengang vor dem Objektfeld 5.With the help of the second facet mirror 22, the individual first facets 21 are imaged into the object field 5. The second facet mirror 22 is the last bundle-forming mirror or actually the last mirror for the illumination radiation 16 in the beam path before the object field 5.

Bei einer weiteren, nicht dargestellten Ausführung der Beleuchtungsoptik 4 kann im Strahlengang zwischen dem zweiten Facettenspiegel 22 und dem Objektfeld 5 eine Übertragungsoptik angeordnet sein, die insbesondere zur Abbildung der ersten Facetten 21 in das Objektfeld 5 beiträgt. Die Übertragungsoptik kann genau einen Spiegel, alternativ aber auch zwei oder mehr Spiegel aufweisen, welche hintereinander im Strahlengang der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet sind. Die Übertragungsoptik kann insbesondere einen oder zwei Spiegel für senkrechten Einfall (NI-Spiegel, Normal Incidence Spiegel) und/oder einen oder zwei Spiegel für streifenden Einfall (GI-Spiegel, Gracing Incidence Spiegel) umfassen.In a further embodiment of the illumination optics 4 (not shown), a transmission optics can be arranged in the beam path between the second facet mirror 22 and the object field 5, which transmission optics contributes in particular to the imaging of the first facets 21 into the object field 5. The transmission optics can have exactly one mirror, but alternatively also two or more mirrors, which are arranged one behind the other in the beam path of the illumination optics 4. The transmission optics can in particular comprise one or two mirrors for normal incidence (NI mirrors, normal incidence mirrors) and/or one or two mirrors for grazing incidence (GI mirrors, grazing incidence mirrors).

Die Beleuchtungsoptik 4 hat bei der Ausführung, die in der 1 gezeigt ist, nach dem Kollektor 17 genau drei Spiegel, nämlich den Umlenkspiegel 19, den Feldfacettenspiegel 20 und den Pupillenfacettenspiegel 22.The illumination optics 4 has in the version shown in the 1 As shown, after the collector 17 there are exactly three mirrors, namely the deflection mirror 19, the field facet mirror 20 and the pupil facet mirror 22.

Bei einer weiteren Ausführung der Beleuchtungsoptik 4 kann der Umlenkspiegel 19 auch entfallen, so dass die Beleuchtungsoptik 4 nach dem Kollektor 17 dann genau zwei Spiegel aufweisen kann, nämlich den ersten Facettenspiegel 20 und den zweiten Facettenspiegel 22.In a further embodiment of the illumination optics 4, the deflection mirror 19 can also be omitted, so that the illumination optics 4 can then have exactly two mirrors after the collector 17, namely the first facet mirror 20 and the second facet mirror 22.

Die Abbildung der ersten Facetten 21 mittels der zweiten Facetten 23 beziehungsweise mit den zweiten Facetten 23 und einer Übertragungsoptik in die Objektebene 6 ist regelmäßig nur eine näherungsweise Abbildung.The imaging of the first facets 21 by means of the second facets 23 or with the second facets 23 and a transmission optics into the object plane 6 is usually only an approximate imaging.

Die Projektionsoptik 10 umfasst eine Mehrzahl von Spiegeln Mi, welche gemäß ihrer Anordnung im Strahlengang der Projektionsbelichtungsanlage 1 durchnummeriert sind.The projection optics 10 comprises a plurality of mirrors Mi, which are numbered according to their arrangement in the beam path of the projection exposure system 1.

Bei dem in der 1 dargestellten Beispiel umfasst die Projektionsoptik 10 sechs Spiegel M1 bis M6. Alternativen mit vier, acht, zehn, zwölf oder einer anderen Anzahl an Spiegeln Mi sind ebenso möglich. Der vorletzte Spiegel M5 und der letzte Spiegel M6 haben jeweils eine Durchtrittsöffnung für die Beleuchtungsstrahlung 16. Bei der Projektionsoptik 10 handelt es sich um eine doppelt obskurierte Optik. Die Projektionsoptik 10 hat eine bildseitige numerische Apertur, die größer ist als 0,5 und die auch größer sein kann als 0,6 und die beispielsweise 0,7 oder 0,75 betragen kann.In the 1 In the example shown, the projection optics 10 comprises six mirrors M1 to M6. Alternatives with four, eight, ten, twelve, or a different number of mirrors M1 are also possible. The penultimate mirror M5 and the last mirror M6 each have a passage opening for the illumination radiation 16. The projection optics 10 are doubly obscured optics. The projection optics 10 have an image-side numerical aperture that is greater than 0.5 and can also be greater than 0.6, for example, 0.7 or 0.75.

Reflexionsflächen der Spiegel Mi können als Freiformflächen ohne Rotationssymmetrieachse ausgeführt sein. Alternativ können die Reflexionsflächen der Spiegel Mi als asphärische Flächen mit genau einer Rotationssymmetrieachse der Reflexionsflächenform gestaltet sein. Die Spiegel Mi können, genauso wie die Spiegel der Beleuchtungsoptik 4, hoch reflektierende Beschichtungen für die Beleuchtungsstrahlung 16 aufweisen. Diese Beschichtungen können als Multilayer-Beschichtungen, insbesondere mit alternierenden Lagen aus Molybdän und Silizium, gestaltet sein.Reflection surfaces of the mirrors Mi can be designed as freeform surfaces without a rotational symmetry axis. Alternatively, the reflection surfaces of the mirrors Mi can be designed as aspherical surfaces with exactly one rotational symmetry axis of the reflection surface shape. The mirrors Mi, like the mirrors of the illumination optics 4, can have highly reflective coatings for the illumination radiation 16. These coatings can be designed as multilayer coatings, in particular with alternating layers of molybdenum and silicon.

Die Projektionsoptik 10 hat einen großen Objekt-Bildversatz in der y-Richtung zwischen einer y-Koordinate eines Zentrums des Objektfeldes 5 und einer y-Koordinate des Zentrums des Bildfeldes 11. Dieser Objekt-Bild-Versatz in der y-Richtung kann in etwa so groß sein wie ein z-Abstand zwischen der Objektebene 6 und der Bildebene 12.The projection optics 10 has a large object-image offset in the y-direction between a y-coordinate of a center of the object field 5 and a y-coordinate of the center of the image field 11. This object-image offset in the y-direction can be approximately as large as a z-distance between the object plane 6 and the image plane 12.

Die Projektionsoptik 10 kann insbesondere anamorphotisch ausgebildet sein. Sie weist insbesondere unterschiedliche Abbildungsmaßstäbe βx, βy in x- und y-Richtung auf. Die beiden Abbildungsmaßstäbe βx, βy der Projektionsoptik 10 liegen bevorzugt bei (βx, βy) = (+/- 0,25, +/- 0,125). Ein positiver Abbildungsmaßstab β bedeutet eine Abbildung ohne Bildumkehr. Ein negatives Vorzeichen für den Abbildungsmaßstab β bedeutet eine Abbildung mit Bildumkehr.The projection optics 10 can, in particular, be anamorphic. It has, in particular, different image scales βx, βy in the x and y directions. The two image scales βx, βy of the projection optics 10 are preferably (βx, βy) = (+/- 0.25, +/- 0.125). A positive image scale β means an image without image inversion. A negative sign for the image scale β means an image with image inversion.

Die Projektionsoptik 10 führt somit in x-Richtung, das heißt in Richtung senkrecht zur Scanrichtung, zu einer Verkleinerung im Verhältnis 4:1.The projection optics 10 thus leads to a reduction in the ratio 4:1 in the x-direction, i.e. in the direction perpendicular to the scanning direction.

Die Projektionsoptik 10 führt in y-Richtung, das heißt in Scanrichtung, zu einer Verkleinerung von 8:1.The projection optics 10 results in a reduction of 8:1 in the y-direction, i.e. in the scanning direction.

Andere Abbildungsmaßstäbe sind ebenso möglich. Auch vorzeichengleiche und absolut gleiche Abbildungsmaßstäbe in x- und y-Richtung, zum Beispiel mit Absolutwerten von 0,125 oder von 0,25, sind möglich.Other magnifications are also possible. Magnifications with the same sign and absolutely identical in the x and y directions, for example, with absolute values of 0.125 or 0.25, are also possible.

Die Anzahl von Zwischenbildebenen in der x- und in der y-Richtung im Strahlengang zwischen dem Objektfeld 5 und dem Bildfeld 11 kann gleich sein oder kann, je nach Ausführung der Projektionsoptik 10, unterschiedlich sein. Beispiele für Projektionsoptiken mit unterschiedlichen Anzahlen derartiger Zwischenbilder in x- und y-Richtung sind bekannt aus der US 2018/0074303 A1 .The number of intermediate image planes in the x- and y-direction in the beam path between the object field 5 and the image field 11 can be the same or can be different, depending on the design of the projection optics 10. Examples of projection optics with different numbers of such intermediate images in the x- and y-direction are known from US 2018/0074303 A1 .

Jeweils eine der Pupillenfacetten 23 ist genau einer der Feldfacetten 21 zur Ausbildung jeweils eines Beleuchtungskanals zur Ausleuchtung des Objektfeldes 5 zugeordnet. Es kann sich hierdurch insbesondere eine Beleuchtung nach dem Köhlerschen Prinzip ergeben. Das Fernfeld wird mit Hilfe der Feldfacetten 21 in eine Vielzahl an Objektfeldern 5 zerlegt. Die Feldfacetten 21 erzeugen eine Mehrzahl von Bildern des Zwischenfokus auf den diesen jeweils zugeordneten Pupillenfacetten 23.Each of the pupil facets 23 is assigned to exactly one of the field facets 21 to form a respective illumination channel for illuminating the object field 5. This can, in particular, result in illumination according to the Köhler principle. The far field is divided into a plurality of object fields 5 using the field facets 21. The field facets 21 generate a plurality of images of the intermediate focus on the pupil facets 23 assigned to them.

Die Feldfacetten 21 werden jeweils von einer zugeordneten Pupillenfacette 23 einander überlagernd zur Ausleuchtung des Objektfeldes 5 auf das Retikel 7 abgebildet. Die Ausleuchtung des Objektfeldes 5 ist insbesondere möglichst homogen. Sie weist vorzugsweise einen Uniformitätsfehler von weniger als 2 % auf. Die Felduniformität kann über die Überlagerung unterschiedlicher Beleuchtungskanäle erreicht werden.The field facets 21 are each imaged onto the reticle 7 by an associated pupil facet 23, superimposed on one another, to illuminate the object field 5. The illumination of the object field 5 is, in particular, as homogeneous as possible. It preferably has a uniformity error of less than 2%. Field uniformity can be achieved by superimposing different illumination channels.

Durch eine Anordnung der Pupillenfacetten kann geometrisch die Ausleuchtung der Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 definiert werden. Durch Auswahl der Beleuchtungskanäle, insbesondere der Teilmenge der Pupillenfacetten, die Licht führen, kann die Intensitätsverteilung in der Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 eingestellt werden. Diese Intensitätsverteilung wird auch als Beleuchtungssetting bezeichnet.By arranging the pupil facets, the illumination of the entrance pupil of the projection optics 10 can be geometrically defined. By selecting the illumination channels, in particular the subset of the pupil facets that guide light, the intensity distribution in the entrance pupil of the projection optics 10 can be adjusted. This intensity distribution is also referred to as the illumination setting.

Eine ebenfalls bevorzugte Pupillenuniformität im Bereich definiert ausgeleuchteter Abschnitte einer Beleuchtungspupille der Beleuchtungsoptik 4 kann durch eine Umverteilung der Beleuchtungskanäle erreicht werden.A likewise preferred pupil uniformity in the area of defined illuminated sections of an illumination pupil of the illumination optics 4 can be achieved by redistributing the illumination channels.

Im Folgenden werden weitere Aspekte und Details der Ausleuchtung des Objektfeldes 5 sowie insbesondere der Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 beschrieben.Further aspects and details of the illumination of the object field 5 and in particular of the entrance pupil of the projection optics 10 are described below.

Die Projektionsoptik 10 kann insbesondere eine homozentrische Eintrittspupille aufweisen. Diese kann zugänglich sein. Sie kann auch unzugänglich sein.The projection optics 10 can, in particular, have a homocentric entrance pupil. This can be accessible. It can also be inaccessible.

Die Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 lässt sich regelmäßig mit dem Pupillenfacettenspiegel 22 nicht exakt ausleuchten. Bei einer Abbildung der Projektionsoptik 10, welche das Zentrum des Pupillenfacettenspiegels 22 telezentrisch auf den Wafer 13 abbildet, schneiden sich die Aperturstrahlen oftmals nicht in einem einzigen Punkt. Es lässt sich jedoch eine Fläche finden, in welcher der paarweise bestimmte Abstand der Aperturstrahlen minimal wird. Diese Fläche stellt die Eintrittspupille oder eine zu ihr konjugierte Fläche im Ortsraum dar. Insbesondere zeigt diese Fläche eine endliche Krümmung.The entrance pupil of the projection optics 10 cannot usually be precisely illuminated with the pupil facet mirror 22. When the projection optics 10 images the center of the pupil facet mirror 22 telecentrically onto the wafer 13, the aperture rays often do not intersect at a single point. However, a surface can be found in which the pairwise determined distance of the aperture rays is minimized. This surface represents the entrance pupil or a surface conjugate to it in spatial space. In particular, this surface exhibits a finite curvature.

Es kann sein, dass die Projektionsoptik 10 unterschiedliche Lagen der Eintrittspupille für den tangentialen und für den sagittalen Strahlengang aufweist. In diesem Fall sollte ein abbildendes Element, insbesondere ein optisches Bauelement der Übertragungsoptik, zwischen dem zweiten Facettenspiegel 22 und dem Retikel 7 bereitgestellt werden. Mit Hilfe dieses optischen Elements kann die unterschiedliche Lage der tangentialen Eintrittspupille und der sagittalen Eintrittspupille berücksichtigt werden.It is possible that the projection optics 10 have different entrance pupil positions for the tangential and sagittal beam paths. In this case, an imaging element, in particular an optical component of the transmission optics, should be provided between the second facet mirror 22 and the reticle 7. With the help of this optical element, the different positions of the tangential entrance pupil and the sagittal entrance pupil can be taken into account.

Bei der in der 1 dargestellten Anordnung der Komponenten der Beleuchtungsoptik 4 ist der Pupillenfacettenspiegel 22 in einer zur Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 konjugierten Fläche angeordnet. Der Feldfacettenspiegel 20 ist verkippt zur Objektebene 6 angeordnet. Der erste Facettenspiegel 20 ist verkippt zu einer Anordnungsebene angeordnet, die vom Umlenkspiegel 19 definiert ist.At the 1 In the illustrated arrangement of the components of the illumination optics 4, the pupil facet mirror 22 is arranged in a surface conjugated to the entrance pupil of the projection optics 10. The field facet mirror 20 is arranged tilted relative to the object plane 6. The first facet mirror 20 is arranged tilted relative to an arrangement plane defined by the deflection mirror 19.

Der erste Facettenspiegel 20 ist verkippt zu einer Anordnungsebene angeordnet, die vom zweiten Facettenspiegel 22 definiert ist.The first facet mirror 20 is arranged tilted to an arrangement plane which is defined by the second facet mirror 22.

2 zeigt schematisch im Meridionalschnitt eine weitere Projektionsbelichtungsanlage 101 für die DUV-Projektionslithografie, in welcher die Erfindung ebenfalls zur Anwendung kommen kann. 2 shows schematically in meridional section a further projection exposure system 101 for DUV projection lithography, in which the invention can also be used.

Der Aufbau der Projektionsbelichtungsanlage 101 und das Prinzip der Abbildung ist vergleichbar mit dem in 1 beschriebenen Aufbau und Vorgehen. Gleiche Bauteile sind mit einem um 100 gegenüber 1 erhöhten Bezugszeichen bezeichnet, die Bezugszeichen in 2 beginnen also mit 101.The structure of the projection exposure system 101 and the principle of imaging is comparable to that in 1 described structure and procedure. Identical components are provided with a 100% difference 1 raised reference symbols, the reference symbols in 2 So start with 101.

Im Unterschied zu einer wie in 1 beschriebenen EUV-Projektionsbelichtungsanlage 1 können auf Grund der größeren Wellenlänge der als Nutzlicht verwendeten DUV-Strahlung 116 im Bereich von 100 nm bis 300 nm, insbesondere von 193 nm, in der DUV-Projektionsbelichtungsanlage 101 zur Abbildung beziehungsweise zur Beleuchtung refraktive, diffraktive und/oder reflexive optische Elementen 117, wie beispielsweise Linsen, Spiegeln, Prismen, Abschlussplatten und dergleichen verwendet werden. Die Projektionsbelichtungsanlage 101 umfasst dabei im Wesentlichen ein Beleuchtungssystem 102, einen Retikelhalter 108 zur Aufnahme und exakten Positionierung eines mit einer Struktur versehenen Retikels 107, durch welches die späteren Strukturen auf einem Wafer 113 bestimmt werden, einen Waferhalter 114 zur Halterung, Bewegung und exakten Positionierung eben dieses Wafers 113 und einem Projektionsobjektiv 110, mit mehreren optischen Elementen 117, die über Fassungen 118 in einem Objektivgehäuse 119 des Projektionsobjektives 110 gehalten sind.In contrast to a 1 Due to the longer wavelength of the DUV radiation 116 used as useful light in the range from 100 nm to 300 nm, in particular from 193 nm, in the EUV projection exposure system 101 described, refractive, diffractive and/or reflective optical elements 117, such as lenses, mirrors, prisms, cover plates and the like, can be used for imaging or illumination. The projection exposure system 101 essentially comprises an illumination system 102, a reticle holder 108 for receiving and precisely positioning a reticle 107 provided with a structure, by means of which the later structures on a wafer 113 are determined, a wafer holder 114 for holding, moving and precisely positioning this wafer 113 and a projection lens 110 with a plurality of optical elements 117 which are held via mounts 118 in a lens housing 119 of the projection lens 110.

Das Beleuchtungssystem 102 stellt eine für die Abbildung des Retikels 107 auf dem Wafer 113 benötigte DUV-Strahlung 116 bereit. Als Quelle für diese Strahlung 116 kann ein Laser, eine Plasmaquelle oder dergleichen Verwendung finden. Die Strahlung 116 wird in dem Beleuchtungssystem 102 über optische Elemente derart geformt, dass die DUV-Strahlung 116 beim Auftreffen auf das Retikel 107 die gewünschten Eigenschaften hinsichtlich Durchmesser, Polarisation, Form der Wellenfront und dergleichen aufweist.The illumination system 102 provides DUV radiation 116 required for imaging the reticle 107 on the wafer 113. A laser, a plasma source, or the like can be used as the source for this radiation 116. The radiation 116 is shaped in the illumination system 102 via optical elements such that the DUV radiation 116, upon impinging on the reticle 107, has the desired properties with regard to diameter, polarization, wavefront shape, and the like.

Der Aufbau der nachfolgenden Projektionsoptik 101 mit dem Objektivgehäuse 119 unterscheidet sich außer durch den zusätzlichen Einsatz von refraktiven optischen Elementen 117 wie Linsen, Prismen, Abschlussplatten prinzipiell nicht von dem in 1 beschriebenen Aufbau und wird daher nicht weiter beschrieben.The structure of the subsequent projection optics 101 with the lens housing 119 does not differ in principle from that in 1 described structure and is therefore not described further.

3 zeigt eine schematische Darstellung eines aus dem Stand der Technik bekannten Moduls 30 mit einem Grundkörper 31, wobei der Grundkörper 31 einen Fluidkanal 40 aufweist. Das Modul 30 kann als ein Modul einer Vorrichtung für die Halbleiterlithographie, wie beispielsweise ein Beleuchtungssystem 2, 102 einer in der 1 und der 2 erläuterten Projektionsbelichtungsanlage 1, 101, ausgebildet sein. Das Modul 30 weist als einen ersten Teil einer Schnittstelle 42 einen Flansch 32 auf, über welchen der Fluidkanal 40 des Grundkörpers 31 für den Betrieb über eine Kupplung mit einem Rohr (nicht dargestellt) zur Versorgung mit Fluid verbunden werden kann. 3 shows a schematic representation of a module 30 known from the prior art with a base body 31, wherein the base body 31 has a fluid channel 40. The module 30 can be used as a module of a device for semiconductor lithography, such as an illumination system 2, 102 of a 1 and the 2 The module 30 can be designed as a first part of an interface 42, a flange 32, via which the fluid channel 40 of the base body 31 can be connected for operation via a coupling to a pipe (not shown) for supplying fluid.

Der Flansch 32 ist auf einer Auflagefläche 33 auf dem Grundkörper 31 angeordnet und ist über Schrauben 34 mit diesem verbunden. Der Flansch 32 weist weiterhin eine Bohrung 41 mit einem zum Innendurchmesser des Rohrs korrespondierenden Durchmesser auf.The flange 32 is arranged on a support surface 33 on the base body 31 and is connected to it via screws 34. The flange 32 also has a bore 41 with a diameter corresponding to the inner diameter of the pipe.

Die Schnittstelle 42 weist weiterhin eine zumindest abschnittsweise konisch ausgebildete Aussparung 35 im Grundkörper 31 als korrespondierendes Teil zum Flansch 32 auf. In der in der 3 dargestellten Ausführungsform weist die Aussparung weiterhin eine zylindrisch ausgebildete Dichtfläche 36 auf. Der Flansch 32 wiederum weist einen Zapfen 37 mit einer zur Aussparung 35 korrespondierenden Geometrie auf, wobei in dem der Dichtfläche 36 gegenüberliegenden Bereich des Zapfens 37 in einer Vertiefung 39 ein O-Ring 38 zum Abdichten des Flansches 32 angeordnet ist. Die Aussparung 35 im Grundkörper 31 geht in den Fluidkanal 40 über.The interface 42 further comprises a recess 35 in the base body 31 which is at least partially conical and which corresponds to the flange 32. In the 3 In the embodiment shown, the recess further comprises a cylindrically shaped sealing surface 36. The flange 32, in turn, comprises a pin 37 with a geometry corresponding to the recess 35, wherein an O-ring 38 for sealing the flange 32 is arranged in a recess 39 in the region of the pin 37 opposite the sealing surface 36. The recess 35 in the base body 31 merges into the fluid channel 40.

Eine mögliche Korrosion der Schnittstelle 42 bildet sich im Bereich zwischen der Dichtfläche 36 und dem gegenüberliegenden Bereich des Zapfens 37 aus. Die bei der Korrosion verursachten Korrosionsprodukte (nicht dargestellt) lagern sich auch im Bereich 43 am Ende des Zapfens 37 an (5a). Da dieser Bereich 43 über die Bohrung 41 zumindest erreichbar ist, eignet sich dieser Bereich 43 bevorzugt zur Beprobung des Schnittstelle 42.Possible corrosion of the interface 42 develops in the area between the sealing surface 36 and the opposite area of the pin 37. The corrosion products caused by the corrosion (not shown) also accumulate in the area 43 at the end of the pin 37 ( 5a) Since this area 43 is at least accessible via the borehole 41, this area 43 is preferably suitable for sampling the interface 42.

4 zeigt eine erfindungsgemäße Vorrichtung 50 zur Beprobung der Schnittstelle 42, insbesondere im Bereich 43, zur Bestimmung des Korrosionszustandes der Schnittstelle 42. Die Verwendung der Vorrichtung 50 wird in den folgenden Figuren im Detail erläutert. Die Vorrichtung 50 ist dazu ausgebildet, Korrosionsprodukte der Schnittstelle 42, insbesondere im Bereich 43 der Beprobung (3) zwischen dem Ende des Zapfens 37 und der Aussparung 35 zu entnehmen. 4 shows a device 50 according to the invention for sampling the interface 42, in particular in the area 43, to determine the corrosion state of the interface 42. The use of the device 50 is explained in detail in the following figures. The device 50 is designed to sample corrosion products of the interface 42, in particular in the area 43 ( 3 ) between the end of the pin 37 and the recess 35.

Die Vorrichtung 50 weist einen als Halbrohr ausgebildeten Vorrichtungsträger 51 aus Edelstahl oder einem vergleichbaren nicht oder wenig korrodierenden Material auf, welcher zumindest teilweise als Rohr ausgebildet sein kann. Der Innendurchmesser liegt für ½" Flansche im Bereich von 10 mm und für ¼" Flansche im Bereich von 4,5 mm.The device 50 has a device support 51 formed as a half-pipe made of stainless steel or a comparable non-corrosive or low-corrosive material, which can be at least partially formed as a pipe. The inner diameter is in the range of 10 mm for ½" flanges and in the range of 4.5 mm for ¼" flanges.

Der Vorrichtungsträger 51 weist an einem Ende einen Anschlag 52 auf, welcher die Eindringtiefe der Vorrichtung 50 in den Flansch 32 (3) bzw. den Fluidkanal 40 definiert. Der Anschlag 52 ist abhängig von dem zu beprobenden Modul 30 an unterschiedlichen Positionen des Vorrichtungsträgers 51 angeordnet. Es ist denkbar, den Anschlag 52 einstellbar zu machen, so dass die Vorrichtung 50 zur Beprobung von unterschiedlichen Modulen 30 bzw. Flanschen 32 verwendet werden kann. Der Anschlag 52 kann dabei beispielsweise in den für die jeweiligen Module 30 korrespondierenden Positionen einrasten.The device carrier 51 has a stop 52 at one end, which determines the penetration depth of the device 50 into the flange 32 ( 3 ) or the fluid channel 40. The stop 52 is arranged at different positions of the device carrier 51 depending on the module 30 to be sampled. It is conceivable to make the stop 52 adjustable so that the device 50 can be used for sampling different modules 30 or flanges 32. The stop 52 can, for example, be arranged in the positions required for the snap into the respective modules 30 corresponding positions.

Auf der dem Anschlag entgegengesetzten Seite des Vorrichtungsträgers 51 ist eine Aufnahme 53 für einen Probensammler 56 angeordnet. Die Aufnahme 53 weist ein als Dorn 54 ausgebildetes Verbindungselement und einen als Schild 55 ausgebildeten Anschlag auf, bis zu welchem der Probensammler 56 auf den Dorn 54 aufgeschoben wird. Dies hat den Vorteil, dass der Probensammler 56 immer an derselben Position angeordnet ist und ein Wechsel des Probensammlers 56 einfach vorgenommen werden kann.On the side of the device carrier 51 opposite the stop, a receptacle 53 for a sample collector 56 is arranged. The receptacle 53 has a connecting element designed as a mandrel 54 and a stop designed as a plate 55, up to which the sample collector 56 is pushed onto the mandrel 54. This has the advantage that the sample collector 56 is always arranged in the same position and the sample collector 56 can be easily replaced.

Der Dorn 54 hat eine Spitze 57 zum leichten Aufschieben des Probensammlers 56. Im weiteren Verlauf weist der Dorn 54 konische Abschnitte 58 auf, welche das Aufschieben des Probensammlers 56 weiter erleichtern und ein Abziehen, insbesondere ein unbeabsichtigtes, vorteilhaft verhindern bzw. erschweren. Alternativ kann der Dorn 54 als Schraubdorn bzw. Gewindestift ausgebildet sein, um einen Probensammler 56 mit Innengewinde oder einen Probensammler 56 mit Durchgangsloch über eine Mutter und Unterlegscheibe fixieren zu können.The mandrel 54 has a tip 57 for easily sliding on the sample collector 56. Further along, the mandrel 54 has conical sections 58, which further facilitate sliding on the sample collector 56 and advantageously prevent or impede removal, especially accidental removal. Alternatively, the mandrel 54 can be designed as a screw mandrel or threaded pin to enable the fixation of a sample collector 56 with an internal thread or a sample collector 56 with a through hole via a nut and washer.

Der Probensammler 56 ist zylinderförmig ausgebildet und weist an beiden Seiten Fasen 59 zum leichteren Einführen bzw. Entfernen in bzw. aus der Bohrung 41 im Flansch 32 und dem Fluidkanal 40 auf. Die in der 4 gezeigte Ausführungsform des Probensammlers 56 weist Schaumstoff auf, welcher einerseits ausreichend elastisch ist, um durch den Flansch 32 in den Fluidkanal 40 eingeführt zu werden und andererseits eine ausreichende Dichtigkeit gegenüber einem bei der Beprobung verwendeten Spülfluid sicherstellt. Weiterhin können das Spülfluid und möglicherweise vorhandene Korrosionsprodukte vom Schaumstoff des Probensammlers 56 gut aufgenommen und durch die Bohrung 41 des Flanschs 32 hinaus gefördert werden.The sample collector 56 is cylindrical and has chamfers 59 on both sides for easier insertion and removal into and from the bore 41 in the flange 32 and the fluid channel 40. The 4 The embodiment of the sample collector 56 shown comprises foam material that is, on the one hand, sufficiently elastic to be introduced through the flange 32 into the fluid channel 40 and, on the other hand, ensures sufficient tightness against a flushing fluid used during sampling. Furthermore, the flushing fluid and any corrosion products present can be easily absorbed by the foam material of the sample collector 56 and conveyed out through the bore 41 of the flange 32.

Die Vorrichtung 50 weist weiterhin eine Spülvorrichtung 64 auf, welche eine als Laborschlauch 60 ausgebildete Zuleitung, im Folgenden als Schlauch 60 bezeichnet, mit einem Innendurchmesser von 2mm und einem Außendurchmesser von 3mm umfasst. Dieser wird im Vorrichtungsträger 51 bis an oder kurz vor dem Schild 55 der Aufnahme 53 geführt und mit dem Vorrichtungsträger 51 verbunden (nicht dargestellt). Die Spülvorrichtung 64 weist weiterhin am Ende des Schlauchs 60 eine Umlenkung 61 mit einem Winkel von 140° auf. Die Richtung 63 einer Öffnung 62 der Umlenkung 61 ist bei der bis zum Anschlag 52 eingeführten Vorrichtung 50 auf den Bereich 43 der Schnittstelle 42 (3; 5c) gerichtet. Dadurch wird sichergestellt, dass die Spülvorrichtung 64 den Bereich 43 der Schnittstelle 42 direkt besprüht, an welchem die Korrosionsprodukte, falls vorhanden, erwartungsgemäß auftreten.The device 50 further comprises a rinsing device 64, which comprises a supply line designed as a laboratory hose 60, hereinafter referred to as hose 60, with an inner diameter of 2 mm and an outer diameter of 3 mm. This is guided in the device carrier 51 up to or shortly before the plate 55 of the receptacle 53 and connected to the device carrier 51 (not shown). The rinsing device 64 further comprises a deflection 61 with an angle of 140° at the end of the hose 60. The direction 63 of an opening 62 of the deflection 61 is directed, when the device 50 is inserted up to the stop 52, to the area 43 of the interface 42 ( 3 ; 5c ). This ensures that the flushing device 64 directly sprays the area 43 of the interface 42 where the corrosion products, if any, are expected to occur.

Am anderen Ende des Schlauchs 60 kann beispielsweise eine Handflasche oder eine Verbindung zu einer Pumpe angeschlossen werden, mit welcher das Spülfluid in die Vorrichtung 50 eingebracht werden kann.At the other end of the hose 60, for example, a hand bottle or a connection to a pump can be connected, with which the rinsing fluid can be introduced into the device 50.

Die folgenden 5a-5c, 6a, 6b und 7a, 7b beschreiben die drei Phasen der Beprobung der Schnittstelle 42.The following 5a-5c , 6a , 6b and 7a , 7b describe the three phases of sampling interface 42.

Die 5a bis 5c beschreiben das Einführen der Vorrichtung 50 durch die Bohrung 41 im Flansch 32 in den Fluidkanal 40. Der Anschlag 52 stellt dabei sicher, dass die Öffnung 62 der Spülvorrichtung 64 auf den Bereich 43 der Schnittstelle 42 gerichtet ist, in welchem sich mögliche Korrosionsprodukte 70 ablagern und/oder anhäufen.The 5a to 5c describe the insertion of the device 50 through the bore 41 in the flange 32 into the fluid channel 40. The stop 52 ensures that the opening 62 of the flushing device 64 is directed towards the area 43 of the interface 42 in which possible corrosion products 70 are deposited and/or accumulated.

5a zeigt den Zustand kurz vor dem Einführen der Vorrichtung 50, in welchem die Fase 59 des Probensammlers 56 am Rand der Bohrung 41 des Flansches 32 anliegt. 5a shows the state shortly before insertion of the device 50, in which the chamfer 59 of the sample collector 56 rests on the edge of the bore 41 of the flange 32.

5b zeigt den Zustand, in dem der aus elastischen Schaumstoff hergestellte Probensammler 56 zusammengedrückt durch die Bohrung 41 im Flansch 32 eingeführt wird. Der Schaumstoff ist bevorzugt ein für Beprobungen geeigneter Schaumstoff, welcher den Anforderungen bzgl. Ausgasung und Materialzusammensetzung in der Halbleiterlithografie, insbesondere in der EUV-Halbleiterlithografie, entspricht. Weiterhin ist der Schaumstoff reißfest, so dass ein Lösen von Schaumstoffteilen bei der Beprobung vermieden werden kann. 5b shows the state in which the sample collector 56, made of elastic foam, is compressed and inserted through the bore 41 in the flange 32. The foam is preferably a foam suitable for sampling, which meets the requirements regarding outgassing and material composition in semiconductor lithography, particularly in EUV semiconductor lithography. Furthermore, the foam is tear-resistant, so that the detachment of foam parts during sampling can be avoided.

5c zeigt den Zustand, in dem die Vorrichtung 50 bis zum Anschlag 52 in den Flansch 32 eingeführt ist. Die Richtung 63 der Öffnung 62 zeigt in Richtung des Bereichs 43, in welchem sich die zu beprobenden Korrosionsprodukte 70 befinden. Der Probensammler 56 dichtet in diesem Zustand den Fluidkanal 40 gegenüber dem Spülfluid 71 (6a) ab. 5c shows the state in which the device 50 is inserted into the flange 32 up to the stop 52. The direction 63 of the opening 62 points in the direction of the area 43 in which the corrosion products 70 to be sampled are located. In this state, the sample collector 56 seals the fluid channel 40 against the flushing fluid 71 ( 6a) away.

6a und 6b zeigt die eigentliche Probengewinnung, bei welchem die Korrosionsprodukte 70 mit einem Spülfluid 71 von dem Bereich 43 gelöst werden. Dabei wird bewusst auf harte Werkzeuge, wie beispielsweise einen Haken oder Kratzer, wie sie beispielsweise von Zahnärzten verwendet werden, verzichtet. Dies stellt sicher, dass das „Korrosionssystem“ möglichst nicht gestört wird und eine Beschleunigung bzw. ein beschleunigtes Fortschreiten der Korrosion durch mechanische Verletzung und/oder Freilegen von Oberflächen nach der Beprobung ausgeschlossen ist. Das Korrosionssystem weist beispielsweise Bereiche auf, welche durch bereits gebildete Korrosionsprodukte dem Grundmaterial des Flansches 32 oder des Grundkörper 31 einen Schutz vor fortschreitender Korrosion bieten. Die Korrosion kann dadurch zumindest verlangsamt oder sogar vollständig gestoppt werden, ohne die Dichtigkeit der Schnittstelle 42 zu beeinträchtigen. 6a and 6b shows the actual sampling, in which the corrosion products 70 are removed from the area 43 using a rinsing fluid 71. Hard tools, such as hooks or scrapers, as used by dentists, are deliberately avoided. This ensures that the "corrosion system" is not disturbed as much as possible and that acceleration or accelerated progression of corrosion due to mechanical damage and/or exposure of surfaces after sampling is excluded. The corrosion system has, for example, areas which are Already formed corrosion products provide protection against progressive corrosion to the base material of the flange 32 or the base body 31. Corrosion can thus be at least slowed down or even completely stopped without compromising the tightness of the interface 42.

6a zeigt den Start des Spülens mit dem Spülfluid 71, welches wie weiter oben erläutert durch eine Pumpe oder durch das Zusammendrücken einer Handflasche mit einem ausreichenden Druck gegen den Bereich 43 mit den Korrosionsprodukten 70 gespritzt wird. Der Druck ist dabei derart ausgebildet, dass ein Auswaschen bzw. Lösen von bereits losen Korrosionsprodukten 70.1 sichergestellt ist, jedoch eine Ablösung oder mechanische Verletzung der festen Korrosionsprodukte 70 vermieden wird. Das Korrosionssystem bleibt also bei der Beprobung intakt. 6a shows the start of flushing with the flushing fluid 71, which, as explained above, is sprayed against the area 43 containing the corrosion products 70 by a pump or by squeezing a hand bottle with sufficient pressure. The pressure is designed in such a way that the washing out or dissolution of already loose corrosion products 70.1 is ensured, but detachment or mechanical damage to the solid corrosion products 70 is avoided. The corrosion system thus remains intact during sampling.

6b zeigt einen Zustand während der Spülung, bei welcher die Vorrichtung 50 in der Bohrung 41 des Flansches 32 gedreht wird, so dass der gesamte Umfang des Bereichs 43 mit dem Spülfluid 71 gespült wird. Es sind auch einige losgelöste Korrosionsprodukte 70.1 zu erkennen, welche im Spülfluid 71 schwimmen und/oder gelöst sind. 6b shows a state during flushing, in which the device 50 is rotated in the bore 41 of the flange 32 so that the entire circumference of the area 43 is flushed with the flushing fluid 71. Some detached corrosion products 70.1 can also be seen, which are floating and/or dissolved in the flushing fluid 71.

Das Spülfluid 71 weist Alkohol, wie beispielsweise Ethanol auf. Alkohol ist inert bzgl. des Korrosionsprozesses, hat also auch beim Verbleib von Resten keinen negativen, also beispielsweise beschleunigenden, Einfluss auf die Korrosion. Weiterhin verdampft Alkohol schnell und verbindet sich gut mit gegebenenfalls noch im Fluidkanal 40 vorhandenen Wasser.The flushing fluid 71 contains alcohol, such as ethanol. Alcohol is inert with respect to the corrosion process, so even if residues remain, it has no negative impact on the corrosion, such as accelerating it. Furthermore, alcohol evaporates quickly and combines well with any water still present in the fluid channel 40.

Der Probensammler 56 saugt sowohl ein möglicherweise im Fluidkanal 40 vorhandenes Restwasser als auch das Spülfluid 71 auf.The sample collector 56 absorbs any residual water that may be present in the fluid channel 40 as well as the rinsing fluid 71.

7a und 7b zeigen die Entnahme der Probe durch die Bohrung 41 im Flansch 32. Die Probe weist die durch das Spülfluid 71 schwimmenden und/oder gelösten Korrosionsprodukte 70.1 auf. 7a and 7b show the removal of the sample through the bore 41 in the flange 32. The sample shows the corrosion products 70.1 floating and/or dissolved by the flushing fluid 71.

Die 7a zeigt den Zustand unmittelbar nach dem Spülen des Bereichs 43 mit dem im Fluidkanal 40 angesammelten Spülfluid 71 und den ausgespülten Korrosionsprodukten 70.1.The 7a shows the condition immediately after flushing the area 43 with the flushing fluid 71 accumulated in the fluid channel 40 and the flushed-out corrosion products 70.1.

7b zeigt das Herausziehen der Vorrichtung 50, bei welchem der Probensammler 56 wiederum zusammengedrückt wird. Der Schaumstoff ist dabei derart ausgebildet, dass trotz des Zusammendrückens das Spülfluid 71 vom Probensammler 56 vollständig aufgenommen werden kann. Die Korrosionsprodukte 70.1 bleiben an der porösen Oberfläche des Probensammlers 56 haften und werden mit diesem Probensammler 56 aus dem Flansch 32 entfernt. Die beim Herausziehen im Fluidkanal 40 verbleibenden, bereits gelösten Korrosionsprodukte 70.1 können im Fall einer positiven Bewertung der Schnittstelle 42 im Nachgang entfernt bzw. durch Spülen des Fluidkanals 40 entfernt werden. 7b shows the withdrawal of the device 50, during which the sample collector 56 is again compressed. The foam is designed such that, despite the compression, the flushing fluid 71 can be completely absorbed by the sample collector 56. The corrosion products 70.1 remain on the porous surface of the sample collector 56 and are removed from the flange 32 with this sample collector 56. The already dissolved corrosion products 70.1 remaining in the fluid channel 40 upon withdrawal can be subsequently removed or removed by flushing the fluid channel 40 if the interface 42 is positively evaluated.

8 beschreibt ein mögliches Verfahren, welches die Bestimmung des Korrosionszustandes der Schnittstelle 42 des Moduls 30 ermöglicht. 8 describes a possible method which enables the determination of the corrosion state of the interface 42 of the module 30.

In einem ersten Verfahrensschritt 81 wird die Schnittstelle 42 des Moduls 30 beprobt. In einem zweiten Verfahrensschritt 82 wird die entnommene Probe 70 analysiert.In a first method step 81, the interface 42 of the module 30 is sampled. In a second method step 82, the sample 70 taken is analyzed.

In einem dritten Verfahrensschritt 83 wird der Zustand der Schnittstelle 42 auf Basis der Analyse bestimmt.In a third method step 83, the state of the interface 42 is determined on the basis of the analysis.

BezugszeichenlisteList of reference symbols

11
ProjektionsbelichtungsanlageProjection exposure system
22
Beleuchtungssystemlighting system
33
StrahlungsquelleRadiation source
44
BeleuchtungsoptikLighting optics
55
ObjektfeldObject field
66
ObjektebeneObject level
77
RetikelReticle
88
RetikelhalterReticle holder
99
RetikelverlagerungsantriebReticle displacement drive
1010
ProjektionsoptikProjection optics
1111
BildfeldImage field
1212
BildebeneImage plane
1313
Waferwafers
1414
WaferhalterWafer holder
1515
WaferverlagerungsantriebWafer relocation drive
1616
EUV-StrahlungEUV radiation
1717
Kollektorcollector
1818
ZwischenfokusebeneIntermediate focal plane
1919
UmlenkspiegelDeflecting mirror
2020
FacettenspiegelFaceted mirror
2121
Facettenfacets
2222
FacettenspiegelFaceted mirror
2323
Facettenfacets
3030
Modulmodule
3131
Grundkörper ModulBase body module
3232
Flanschflange
3333
AuflageflächeSupport surface
3434
Schraubenscrews
3535
Aussparung GrundkörperRecess base body
3636
Dichtflächen GrundkörperSealing surfaces base body
3737
Zapfen FlanschPin flange
3838
O-RingO-ring
3939
Vertiefung O-RingO-ring recess
4040
FluidkanalFluid channel
4141
Bohrung FlanschFlange bore
4242
Schnittstelleinterface
4343
Bereich der Beprobung (Beprobungsbereich)Sampling area (sampling area)
5050
Vorrichtungdevice
5151
Vorrichtungsträgerfixture carrier
5252
Anschlagstop
5353
AufnahmeRecording
5454
Dornmandrel
5555
SchildSign
5656
ProbensammlerSample collector
5757
SpitzeGreat
5858
konische Abschnitteconical sections
5959
FasenChamfers
6060
LaborschlauchLaboratory hose
6161
Umlenkungredirection
6262
Öffnung UmlenkungOpening deflection
6363
Richtung ÖffnungTowards opening
6464
SpülvorrichtungFlushing device
70,70.170,70.1
KorrosionsprodukteCorrosion products
7171
SpülfluidFlushing fluid
8181
Verfahrensschritt 1Process step 1
8282
Verfahrensschritt 2Process step 2
8383
Verfahrensschritt 3Process step 3
101101
ProjektionsbelichtungsanlageProjection exposure system
102102
Beleuchtungssystemlighting system
107107
RetikelReticle
108108
RetikelhalterReticle holder
110110
ProjektionsoptikProjection optics
113113
Waferwafers
114114
WaferhalterWafer holder
116116
DUV-StrahlungDUV radiation
117117
optisches Elementoptical element
118118
Fassungenversions
119119
Objektivgehäuselens housing
M1-M6M1-M6
SpiegelMirror

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNGQUOTES CONTAINED IN THE DESCRIPTION

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Zitierte PatentliteraturCited patent literature

  • DE 10 2008 009 600 A1 [0052, 0056]DE 10 2008 009 600 A1 [0052, 0056]
  • US 2006/0132747 A1 [0054]US 2006/0132747 A1 [0054]
  • EP 1 614 008 B1 [0054]EP 1 614 008 B1 [0054]
  • US 6,573,978 [0054]US 6,573,978 [0054]
  • DE 10 2017 220 586 A1 [0059]DE 10 2017 220 586 A1 [0059]
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Claims (25)

Vorrichtung (50) zur Beprobung für eine Bestimmung eines Korrosionszustandes eines Moduls (30) für die Halbleiterlithografie, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung (50) eine Spülvorrichtung (64) und einen Probensammler (56) umfasst.Device (50) for sampling to determine a corrosion state of a module (30) for semiconductor lithography, characterized in that the device (50) comprises a rinsing device (64) and a sample collector (56). Vorrichtung (50) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass an einem Ende der Spülvorrichtung (64) eine Zuleitung (60) angeordnet ist.Device (50) according to Claim 1 , characterized in that a supply line (60) is arranged at one end of the flushing device (64). Vorrichtung (50) nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Probensammler (56) am anderen Ende der Vorrichtung (50) angeordnet ist.Device (50) according to Claim 2 , characterized in that the sample collector (56) is arranged at the other end of the device (50). Vorrichtung (50) nach einem der Ansprüche 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass eine Öffnung (62) der Spülvorrichtung (64) zwischen der Zuleitung (60) und dem Probensammler (56) angeordnet ist.Device (50) according to one of the Claims 2 or 3 , characterized in that an opening (62) of the flushing device (64) is arranged between the supply line (60) and the sample collector (56). Vorrichtung (50) nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Öffnung (62) der Spülvorrichtung (64) in Richtung der Zuleitung (60) gerichtet ist.Device (50) according to Claim 4 , characterized in that the opening (62) of the flushing device (64) is directed in the direction of the supply line (60). Vorrichtung (50) nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass der Probensammler (56) elastisch und/oder offenporig ausgebildet ist.Device (50) according to one of the Claims 1 until 5 , characterized in that the sample collector (56) is elastic and/or open-pored. Vorrichtung (50) nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass der Probensammler (56) eine Oberfläche zur Aufnahme mindestens eines Teils einer Probe (70,70.1) umfasst.Device (50) according to one of the Claims 1 until 6 , characterized in that the sample collector (56) comprises a surface for receiving at least a part of a sample (70,70.1). Vorrichtung (50) nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung (50) eine Aufnahme (53) zur Verbindung des Probensammlers (56) mit der Vorrichtung (50) aufweist.Device (50) according to one of the Claims 1 until 7 , characterized in that the device (50) has a receptacle (53) for connecting the sample collector (56) to the device (50). Vorrichtung (50) nach einem der Ansprüche 4 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung (50) einen Anschlag (52) zur Positionierung der Öffnung (62) der Spülvorrichtung (64) aufweist.Device (50) according to one of the Claims 4 until 8 , characterized in that the device (50) has a stop (52) for positioning the opening (62) of the flushing device (64). Anordnung mit einer Vorrichtung (50) zur Beprobung eines Moduls (30) für die Halbleitertechnik und einem Modul (30) für die Halbleiterlithografie, wobei das Modul (30) einen Fluidkanal (40) und ein lösbares Verbindungselement (32) zur Anbindung einer Fluidleitung an den Fluidkanal (40) umfasst und wobei zwischen dem Verbindungselement (32) und dem Modul (30) eine Schnittstelle (42) ausgebildet ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung (50) zur Beprobung eine Spülvorrichtung (64) aufweist, wobei ein in Einführungsrichtung hinter der Spülvorrichtung (64) angeordneter Probensammler (56) der Vorrichtung (50) mindestens teilweise in den Fluidkanal (40) eingeführt ist.Arrangement with a device (50) for sampling a module (30) for semiconductor technology and a module (30) for semiconductor lithography, wherein the module (30) comprises a fluid channel (40) and a detachable connecting element (32) for connecting a fluid line to the fluid channel (40), and wherein an interface (42) is formed between the connecting element (32) and the module (30), characterized in that the device (50) for sampling has a rinsing device (64), wherein a sample collector (56) of the device (50), arranged behind the rinsing device (64) in the insertion direction, is at least partially inserted into the fluid channel (40). Anordnung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung (50) zur Beprobung bis zu einem Anschlag (52) der Vorrichtung (50) in das Verbindungselement (32) eingeführt ist und wobei der Anschlag (52) die Position der Spülvorrichtung (64) zur Schnittstelle (42) definiert.Arrangement according to Claim 10 , characterized in that the device (50) for sampling is inserted into the connecting element (32) up to a stop (52) of the device (50), and wherein the stop (52) defines the position of the rinsing device (64) relative to the interface (42). Anordnung nach einem der Ansprüche 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet, dass eine Öffnung (62) der Spülvorrichtung (64) zur Beprobung im eingeführten Zustand in Einführungsrichtung hinter der Schnittstelle (42) angeordnet ist.Arrangement according to one of the Claims 10 or 11 , characterized in that an opening (62) of the rinsing device (64) for sampling in the inserted state is arranged behind the interface (42) in the insertion direction. Anordnung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Öffnung (62) der Spülvorrichtung (64) zur Beprobung in Richtung der Schnittstelle (42) ausgerichtet ist.Arrangement according to Claim 12 , characterized in that the opening (62) of the rinsing device (64) for sampling is aligned in the direction of the interface (42). Anordnung nach einem der Ansprüche 10 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung (50) gegenüber dem Verbindungselement (32) drehbar angeordnet ist.Arrangement according to one of the Claims 10 until 13 , characterized in that the device (50) is arranged rotatably relative to the connecting element (32). Anordnung nach einem der Ansprüche 10 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass der Probensammler (56) derart ausgebildet ist, dass er im eingeführten Zustand den Fluidkanal (40) in Richtung des Modulinneren gegenüber einem bei der Beprobung verwendeten Spülfluid (71) abdichtet.Arrangement according to one of the Claims 10 until 14 , characterized in that the sample collector (56) is designed such that, in the inserted state, it seals the fluid channel (40) in the direction of the module interior against a rinsing fluid (71) used during sampling. Anordnung nach einem der Ansprüche 10 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass der Probensammler (56) derart ausgebildet ist, dass er in einem Spülfluid (71) gelöste und/oder schwimmende Proben (70.1) beim Herausziehen aufnimmt.Arrangement according to one of the Claims 10 until 15 , characterized in that the sample collector (56) is designed such that it receives samples (70.1) dissolved and/or floating in a rinsing fluid (71) when pulled out. Anordnung mit einer Vorrichtung (50) nach einem der Ansprüche 1 bis 9.Arrangement with a device (50) according to one of the Claims 1 until 9 . Verfahren zur Bestimmung eines Korrosionszustandes einer Schnittstelle (42) zwischen einem Modul (30) einer Projektionsbelichtungsanlage (1,101) und einem lösbar mit dem Modul (30) verbundenen Verbindungselement (32), umfassend folgende Verfahrensschritte: - Beprobung der Schnittstelle (42), - Analyse der entnommenen Probe (70.1), - Bestimmung des Zustandes der Schnittstelle (42) auf Basis der Analyse.A method for determining a corrosion state of an interface (42) between a module (30) of a projection exposure system (1, 101) and a connecting element (32) detachably connected to the module (30), comprising the following method steps: - sampling the interface (42), - analyzing the sample taken (70.1), - determining the state of the interface (42) based on the analysis. Verfahren nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, dass der Zustand der Schnittstelle (42) eine Lebensdauer und/oder eine Dichtigkeit der Schnittstelle (42) beschreibt.Procedure according to Claim 18 , characterized in that the state of the interface (42) describes a service life and/or a tightness of the interface (42). Verfahren nach einem der Ansprüche 18 oder 19, dadurch gekennzeichnet, dass der Zustand der Schnittstelle (42) eine auf die Dichtigkeit der Schnittstelle (42) bezogene Lebensdauer der Schnittstelle (42) beschreibt.Method according to one of the Claims 18 or 19 , characterized in that the state of the interface (42) describes a service life of the interface (42) related to the tightness of the interface (42). Verfahren nach einem der Ansprüche 18 bis 20, dadurch gekennzeichnet, dass die Beprobung ein Spülen der Schnittstelle (42) umfasst.Method according to one of the Claims 18 until 20 , characterized in that the sampling comprises rinsing the interface (42). Verfahren nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, dass das Spülen der Schnittstelle (42) derart erfolgt, dass es lediglich bereits lose und/oder flüssige und gelöste Korrosionsprodukte (70.1) von der Schnittstelle (42) löst.Procedure according to Claim 21 , characterized in that the rinsing of the interface (42) is carried out in such a way that it only removes already loose and/or liquid and dissolved corrosion products (70.1) from the interface (42). Verfahren nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, dass die Korrosionsprodukte (70.1) von einem Probensammler (56) aufgenommen werden.Procedure according to Claim 22 , characterized in that the corrosion products (70.1) are collected by a sample collector (56). Verfahren nach einem der Ansprüche 22 oder 23, dadurch gekennzeichnet, dass die Korrosionsprodukte (70.1) mit einem EDX Verfahren analysiert werden.Method according to one of the Claims 22 or 23 , characterized in that the corrosion products (70.1) are analyzed using an EDX method. Verfahren nach einem der Ansprüche 18 bis 24, dadurch gekennzeichnet, dass die Bestimmung des Zustandes der Schnittstelle (42) auf einem Vergleich der in der Probe vorhandenen Korrosionsprodukte (70.1) und bei Sichtprüfungen der Schnittstelle (42) bestimmten Korrosionsprodukten (70,70.1) und dem visuellen Zustand der Schnittstelle (42) basiert.Method according to one of the Claims 18 until 24 , characterized in that the determination of the condition of the interface (42) is based on a comparison of the corrosion products (70.1) present in the sample and corrosion products (70,70.1) determined during visual inspections of the interface (42) and the visual condition of the interface (42).
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2025131815A1 (en) 2023-12-20 2025-06-26 Carl Zeiss Smt Gmbh Device for sampling for determining a corrosion state of a module for semiconductor lithography, arrangement and method for determining a module state

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6573978B1 (en) * 1999-01-26 2003-06-03 Mcguire, Jr. James P. EUV condenser with non-imaging optics
US20060132747A1 (en) * 2003-04-17 2006-06-22 Carl Zeiss Smt Ag Optical element for an illumination system
DE102008009600A1 (en) * 2008-02-15 2009-08-20 Carl Zeiss Smt Ag Facet mirror e.g. field facet mirror, for use as bundle-guiding optical component in illumination optics of projection exposure apparatus, has single mirror tiltable by actuators, where object field sections are smaller than object field
US20180074303A1 (en) * 2015-04-14 2018-03-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Imaging optical unit and projection exposure unit including same
DE102017220586A1 (en) * 2017-11-17 2019-05-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Pupil facet mirror, illumination optics and optical system for a projection exposure apparatus
DE102019216301A1 (en) * 2019-10-23 2021-04-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Assembly in an optical system, in particular a microlithographic projection exposure system
DE102020131383A1 (en) * 2020-11-26 2022-06-02 Carl Zeiss Ag Method and device for inspecting a weld seam in an assembly of an optical system for microlithography

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2243763A (en) * 1990-05-10 1991-11-13 Conoco Inc Tank wall washing
DE102014207109A1 (en) * 2014-04-14 2014-09-18 Carl Zeiss Smt Gmbh METHOD AND DEVICE FOR DETERMINING THE CONTAMINATION OF SURFACES
DE102023213007A1 (en) 2023-12-20 2025-06-26 Carl Zeiss Smt Gmbh Device for sampling to determine a corrosion state of a module for semiconductor lithography, arrangement and method for determining a module state

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6573978B1 (en) * 1999-01-26 2003-06-03 Mcguire, Jr. James P. EUV condenser with non-imaging optics
US20060132747A1 (en) * 2003-04-17 2006-06-22 Carl Zeiss Smt Ag Optical element for an illumination system
EP1614008B1 (en) * 2003-04-17 2009-12-02 Carl Zeiss SMT AG Optical element for a lighting system
DE102008009600A1 (en) * 2008-02-15 2009-08-20 Carl Zeiss Smt Ag Facet mirror e.g. field facet mirror, for use as bundle-guiding optical component in illumination optics of projection exposure apparatus, has single mirror tiltable by actuators, where object field sections are smaller than object field
US20180074303A1 (en) * 2015-04-14 2018-03-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Imaging optical unit and projection exposure unit including same
DE102017220586A1 (en) * 2017-11-17 2019-05-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Pupil facet mirror, illumination optics and optical system for a projection exposure apparatus
DE102019216301A1 (en) * 2019-10-23 2021-04-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Assembly in an optical system, in particular a microlithographic projection exposure system
DE102020131383A1 (en) * 2020-11-26 2022-06-02 Carl Zeiss Ag Method and device for inspecting a weld seam in an assembly of an optical system for microlithography

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2025131815A1 (en) 2023-12-20 2025-06-26 Carl Zeiss Smt Gmbh Device for sampling for determining a corrosion state of a module for semiconductor lithography, arrangement and method for determining a module state

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