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DE102023210888A1 - Method for multiple exposure of an object using an illumination optics - Google Patents

Method for multiple exposure of an object using an illumination optics Download PDF

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DE102023210888A1
DE102023210888A1 DE102023210888.7A DE102023210888A DE102023210888A1 DE 102023210888 A1 DE102023210888 A1 DE 102023210888A1 DE 102023210888 A DE102023210888 A DE 102023210888A DE 102023210888 A1 DE102023210888 A1 DE 102023210888A1
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DE
Germany
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pupil
illumination
illuminations
individual
optics
Prior art date
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Pending
Application number
DE102023210888.7A
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German (de)
Inventor
Bastian Kern
Michael Ramolla
Annie Isaac
Thomas Fischer
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Carl Zeiss SMT GmbH
Original Assignee
Carl Zeiss SMT GmbH
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Publication date
Application filed by Carl Zeiss SMT GmbH filed Critical Carl Zeiss SMT GmbH
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Abstract

Zur Mehrfachbelichtung eines abzubildenden Objekts wird eine Beleuchtungsoptik verwendet, mittels der eine Intensitätsverteilung in einer Pupille mittels einer Mehrzahl von Teilbündeln von Beleuchtungslicht vorgegeben werden kann. Bei der Mehrfachbelichtung wird ein Satz von Einzel-Pupillenausleuchtungen (Pi), aufweisend mindestens zwei verschiedene Einzel-Pupillenausleuchtungen (P1 bis P4) vorgegeben, die kumuliert eine Gesamt-Pupillenausleuchtung der Beleuchtungsoptik zum Belichten des Objekts ergeben. Das Objekt wird sequentiell jeweils mit einer der vorgegebenen Einzel-Pupillenausleuchtungen (P1 bis P4) des vorgegebenen Satzes der Einzel-Pupillenausleuchtungen (Pi) belichtet, bis ein und derselbe Abschnitt des Objekts mit allen Einzel-Pupillenausleuchtungen (P1 bis P4) des vorgegebenen Satzes von Einzel-Pupillenausleuchtungen (Pi) belichtet wurde. Es resultiert eine optimierte Objektbelichtung.For multiple exposure of an object to be imaged, an illumination optic is used by means of which an intensity distribution in a pupil can be specified using a plurality of partial beams of illumination light. In the case of multiple exposure, a set of individual pupil illuminations (Pi) is specified, having at least two different individual pupil illuminations (P1 to P4), which cumulatively result in a total pupil illumination of the illumination optics for exposing the object. The object is sequentially exposed with one of the specified individual pupil illuminations (P1 to P4) of the specified set of individual pupil illuminations (Pi) until one and the same section of the object has been exposed with all individual pupil illuminations (P1 to P4) of the specified set of individual pupil illuminations (Pi). The result is an optimized object exposure.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Mehrfachbelichtung eines Objekts unter Verwendung einer Beleuchtungsoptik. Ferner betrifft die Erfindung ein Verfahren zum Herstellen eines mikro- bzw. nanostrukturierten Bauelements mit einer die Beleuchtungsoptik umfassenden Projektionsbelichtungsanlage sowie ein mit diesem Verfahren hergestelltes Bauelement.The invention relates to a method for multiple exposure of an object using illumination optics. The invention further relates to a method for producing a micro- or nanostructured component with a projection exposure system comprising the illumination optics and to a component produced using this method.

Eine Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithografie ist beispielsweise bekannt aus der US 9,411,239 B2 . Belichtungsverfahren sind weiterhin bekannt aus der US 8,415,077 B2 , der US 8,910,091 B2 , der US 7,523,439 B2 , der US 7,759,253 B2 und der US 10,996,567 B2 .A projection exposure system for microlithography is known, for example, from the US 9,411,239 B2 . Exposure methods are also known from the US 8,415,077 B2 , the US 8,910,091 B2 , the US 7,523,439 B2 , the US 7,759,253 B2 and the US 10,996,567 B2 .

Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Objektbelichtung, die mit einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage durchführbar ist, zu optimieren.It is an object of the present invention to optimize an object exposure that can be carried out with such a projection exposure system.

Diese Aufgabe ist erfindungsgemäß gelöst durch ein Mehrfachbelichtungsverfahren mit den im Anspruch 1 angegebenen Merkmalen.This object is achieved according to the invention by a multiple exposure method having the features specified in claim 1.

In einem erfindungsgemäßen Mehrbelichtungsverfahren wird ein und dasselbe Objekt sequenziell über mehrere verschiedene, vorgegebene Einzel-Pupillenausleuchtungen belichtet. Zwischen den sequenziellen Belichtungsschritten erfolgt also kein Wechsel zwischen zu belichtenden Objektabschnitten. Bei Verwendung eines Scanners ist es möglich, dass bei jeder der sequenziellen Belichtungsschritte mit den verschiedenen vorgegebenen Einzel-Pupillenausleuchtungen jeweils der gleiche Objektabschnitt abgescannt wird. Bei der Durchführung des Mehrfachbelichtungsverfahrens kommt also ein und dasselbe Objekt und insbesondere ein und derselbe Objektabschnitt zum Einsatz.In a multiple exposure method according to the invention, one and the same object is exposed sequentially using several different, predetermined individual pupil illuminations. There is therefore no change between the object sections to be exposed between the sequential exposure steps. When using a scanner, it is possible for the same object section to be scanned in each of the sequential exposure steps with the various predetermined individual pupil illuminations. When carrying out the multiple exposure method, one and the same object and in particular one and the same object section is used.

Die sich durch Kumulation der Einzel-Pupillenausleuchtungen ergebende Gesamt-Pupillenausleuchtung kann beispielsweise eine möglichst vollständig gefüllte Pupille sein, die im Stand der Technik auch als konventionelles Beleuchtungssetting bezeichnet ist. Alternativ kann es sich bei der Gesamt-Pupillenausleuchtung auch um eine Beleuchtungspupille mit einem gezielt unbeleuchteten Pupillenbereich handeln.The total pupil illumination resulting from the accumulation of the individual pupil illuminations can, for example, be a pupil that is as completely filled as possible, which is also referred to in the state of the art as a conventional illumination setting. Alternatively, the total pupil illumination can also be an illumination pupil with a deliberately unilluminated pupil area.

Eine Anzahl der verschiedenen Einzel-Pupillenausleuchtungen innerhalb eines vorgegebenen Satzes kann bei zwei Einzel-Pupillenausleuchtungen, bei drei Einzel-Pupillenausleuchtungen, bei vier Einzel-Pupillenausleuchtungen, bei fünf Einzel-Pupillenausleuchtungen oder auch bei einer noch größeren Anzahl von Einzel-Pupillenausleuchtungen liegen. Regelmäßig ist die Anzahl der Einzel-Pupillenausleuchtungen kleiner als zehn.The number of different individual pupil illuminations within a given set can be two individual pupil illuminations, three individual pupil illuminations, four individual pupil illuminations, five individual pupil illuminations or even an even larger number of individual pupil illuminations. The number of individual pupil illuminations is usually less than ten.

Ein Vorgeben des Satzes der Einzel-Pupillenausleuchtungen nach Anspruch 2 werden, beispielsweise abhängig vom verwendeten Objekt, abhängig von Hardware-Komponenten der Beleuchtungsoptik sowie ggf. von weiteren Hardware-Komponenten einer zur Lithografie verwendeten Projektionsbelichtungsanlage, sowie ggf. abhängig von Kundenanforderungen entsprechende Belichtungs-Randbedingungen definiert und die Merit-Funktion durch Variation der möglichen Einzel-Pupillenausleuchtungen optimiert. Hierbei kann eines der bekannten Optimierungsverfahren in Form eines Algorithmus zum Einsatz kommen, beispielsweise ein genetischer Algorithmus oder Simulated Annealing.A specification of the set of individual pupil illuminations according to claim 2 is defined, for example depending on the object used, depending on hardware components of the illumination optics and possibly on other hardware components of a projection exposure system used for lithography, and possibly depending on customer requirements, corresponding exposure boundary conditions are defined and the merit function is optimized by varying the possible individual pupil illuminations. One of the known optimization methods in the form of an algorithm can be used here, for example a genetic algorithm or simulated annealing.

Beispiele für einen genetischen Optimierungs-Algorithmus sind beschrieben in:

  1. [1] Goldberg, David E., Genetic Algorithms in Search, Optimization & Machine Learning, Addison-Wesley, 1989 ,
  2. [2] A. R. Conn, N. I. M. Gould, and Ph. L. Toint. „A Globally Convergent Augmented Lagrangian Algorithm for Optimization with General Constraints and Simple Bounds“, SIAM Journal on Numerical Analysis, Volume 28, Number 2, pages 545-572, 1991 ,
  3. [3] A. R. Conn, N. I. M. Gould, and Ph. L. Toint. „A Globally Convergent Augmented Lagrangian Barrier Algorithm for Optimization with General Inequality Constraints and Simple Bounds“, Mathematics of Computation, Volume 66, Number 217, pages 261-288, 1997 .
Examples of a genetic optimization algorithm are described in:
  1. [1] Goldberg, David E., Genetic Algorithms in Search, Optimization & Machine Learning, Addison-Wesley, 1989 ,
  2. [2] AR Conn, NIM Gould, and Ph. L. Toint. “A Globally Convergent Augmented Lagrangian Algorithm for Optimization with General Constraints and Simple Bounds,” SIAM Journal on Numerical Analysis, Volume 28, Number 2, pages 545-572, 1991 ,
  3. [3] AR Conn, NIM Gould, and Ph. L. Toint. “A Globally Convergent Augmented Lagrangian Barrier Algorithm for Optimization with General Inequality Constraints and Simple Bounds,” Mathematics of Computation, Volume 66, Number 217, pages 261-288, 1997 .

Beispiele für einen Simulated Annealing-Optimierungs-Algorithmus gibt der Fachartikel in Dixon, L. C. W., and G .P. Szego (eds.). Towards Global Optimisation 2. North-Holland: Elsevier Science Ltd., Amsterdam, 1978 .Examples of a simulated annealing optimization algorithm are given in the article in Dixon, LCW, and G.P. Szego (eds.). Towards Global Optimization 2. North Holland: Elsevier Science Ltd., Amsterdam, 1978 .

Je nach den einzuhaltenden Randbedingungen können die Belichtungs-Randbedingungen nach den Ansprüchen 3 und 4 so vorgegeben werden, dass sie von der Gesamt-Pupillenausleuchtung zu erfüllen sind und/oder dass sie von jeder der Einzel-Pupillenausleuchtungen für sich zu erfüllen sind. Ein Beispiel für eine Belichtungs-Randbedingung, die für jede der Einzel-Pupillenausleuchtungen zu erfüllen ist, ist eine Intensitätsdosis, die zum Entwickeln eines Fotolacks beim Abbilden des Objekts im Rahmen eines lithografischen Projektionsbelichtungsverfahrens notwendig ist. Generell gilt, dass sich Belichtungs-Randbedingungen, die von der Gesamt-Pupillenausleuchtung zu erfüllen sind, von Belichtungs-Randbedingungen unterscheiden können, die für die Einzel-Pupillenausleuchtungen zu erfüllen sind.Depending on the boundary conditions to be met, the exposure boundary conditions according to claims 3 and 4 can be specified such that they are to be met by the total pupil illumination and/or that they are to be met by each of the individual pupil illuminations individually. An example of an exposure boundary condition that is to be met for each of the individual pupil illuminations is an intensity dose that is necessary for developing a photoresist when imaging the object in a lithographic projection exposure process. In general, exposure boundary conditions that are to be met by the total pupil illumination can differ from exposure boundary conditions. which must be met for the individual pupil illumination.

Parameter, die nach Anspruch 5 in die Definition der Belichtungs-Randbedingungen eingehen können, sind Belichtungsparameter wie beispielsweise ein einzuhaltender Wert für den Telezentriefehler, der insbesondere feldabhängig sein kann, ein einzuhaltender Intensitäts-(Uniformitäts-)wert, der insbesondere feldabhängig sein kann oder auch ein ebenfalls feldabhängig definierbarer Elliptizitätswert der Belichtung.Parameters which can be included in the definition of the exposure boundary conditions according to claim 5 are exposure parameters such as, for example, a value to be maintained for the telecentricity error, which can in particular be field-dependent, an intensity (uniformity) value to be maintained, which can in particular be field-dependent, or an ellipticity value of the exposure which can also be defined field-dependently.

Ein weiterer Belichtungsparameter, der in die Definition der Belichtungs-Randbedingungen eingehen kann, ist eine Ziel-Polarisation der Gesamt-Pupillenausleuchtung und/oder der Ziel-Pupillenausleuchtung. Diese Polarisation kann beleuchtungswinkelabhängig und/oder feldabhängig vorgegeben werden. Insbesondere kann eine Polarisation der Einzel-Pupillenausleuchtungen so gewählt werden, dass in der Gesamt-Pupillenausleuchtung Pupillenbereiche mit definierter Polarisation vorhanden sind, wobei sich die Polarisation für jede der Einzel-Pupillenausleuchtungen unterscheiden kann.Another exposure parameter that can be included in the definition of the exposure boundary conditions is a target polarization of the total pupil illumination and/or the target pupil illumination. This polarization can be specified depending on the illumination angle and/or field. In particular, a polarization of the individual pupil illuminations can be selected so that pupil areas with defined polarization are present in the total pupil illumination, whereby the polarization can differ for each of the individual pupil illuminations.

Als Polarisation kann eine lineare Polarisation und/oder eine zirkulare Polarisation oder auch eine Polarisations-Mischform vorgegeben werden. Insbesondere kann eine zu einem Zentrum der Pupille radiale und/oder tangentiale Polarisation vorgegeben werden.The polarization can be linear polarization and/or circular polarization or a mixed form of polarization. In particular, radial and/or tangential polarization to the center of the pupil can be specified.

Eine Abbildungsversatz-Bewertung nach Anspruch 6 ermöglicht eine zielgerichtete Definition der Merit-Funktion.An image offset evaluation according to claim 6 enables a targeted definition of the merit function.

Eine Polynomentwicklung nach Anspruch 7 ermöglicht eine stringente mathematische Modellierung des Bewertungsproblems und in der Folge des Optimierungsproblems. Bei der Polynomentwicklung kann insbesondere ein orthonormaler Funktionensatz zum Einsatz kommen. Bei der Bewertung können Zernike-Polynome zum Einsatz kommen.A polynomial expansion according to claim 7 enables a stringent mathematical modeling of the evaluation problem and, as a result, the optimization problem. In the polynomial expansion, an orthonormal set of functions can be used in particular. Zernike polynomials can be used in the evaluation.

Die Vorteile eines Herstellungsverfahrens nach Anspruch 8 entsprechen denen, die vorstehend unter Bezugnahme auf das Mehrfachbelichtungsverfahren bereits erläutert wurden. Bei dem Herstellungsverfahren wird ein Objekt in Form eines Retikels bereitgestellt und es wird ein Wafer mit einer für das Beleuchtungslicht empfindlichen Beschichtung bereitgestellt. Zumindest ein Abschnitt des Retikels, beispielsweise der beim Mehrfachbelichten belichtete Objektabschnitt, wird auf dem Wafer mithilfe der Projektionsbelichtungsanlage projiziert. Anschließend wird die mit dem Beleuchtungslicht belichtete lichtempfindliche Schicht auf dem Wafer entwickelt.The advantages of a manufacturing method according to claim 8 correspond to those already explained above with reference to the multiple exposure method. In the manufacturing method, an object in the form of a reticle is provided and a wafer with a coating sensitive to the illumination light is provided. At least a section of the reticle, for example the object section exposed during multiple exposure, is projected onto the wafer using the projection exposure system. The light-sensitive layer exposed to the illumination light is then developed on the wafer.

Beim Herstellungsverfahren kann eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage oder auch eine DUV-Projektionsbelichtungsanlage zum Einsatz kommen.The manufacturing process can use an EUV projection exposure system or a DUV projection exposure system.

Eine Beleuchtungsoptik, die beim Verfahren nach Anspruch 9 zum Einsatz kommt und die auch als Wabenkondensor bekannt ist, ermöglicht eine präzise Vorgabe der jeweiligen Einzel-Pupillenausleuchtungen. Alternativ zu einem Wabenkondensor kann auch ein spekularer Reflektor zum Einsatz kommen, bei dem insbesondere zusätzlich zu einem Feldfacettenspiegel ein weiterer Facettenspiegel zur Vorgabe der Mischung des über die Beleuchtungslicht-Teilbündel geführten Beleuchtungslichts zum Einsatz kommt, der von einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik beabstandet angeordnet ist. Die vorgegebenen Einzel-Pupillenausleuchtungen entsprechen dann nicht den Intensitätsverteilungen des Beleuchtungslichts auf dem weiteren Facettenspiegel, sind aber dennoch eindeutig vorgebbar.An illumination optics, which is used in the method according to claim 9 and which is also known as a honeycomb condenser, enables precise specification of the respective individual pupil illuminations. As an alternative to a honeycomb condenser, a specular reflector can also be used, in which in particular in addition to a field facet mirror, a further facet mirror is used to specify the mixture of the illumination light guided over the illumination light partial bundles, which is arranged at a distance from a pupil plane of the illumination optics. The specified individual pupil illuminations then do not correspond to the intensity distributions of the illumination light on the further facet mirror, but can still be clearly specified.

Über eine Beleuchtungsoptik, die beim Verfahren nach Anspruch 10 zum Einsatz kommt, lassen sich die verschiedenen Einzel-Pupillenausleuchtungen definieren und insbesondere automatisiert vorgeben. Mit jeder Kipp-/Schaltposition einer der schaltbaren Feldfacetten kann eine andere Einzel-Pupillenausleuchtung vorgegeben werden. Jeder der schaltbaren Feldfacetten kann ein Kippaktor zur unabhängigen Verkippung der Feldfacetten zueinander zugeordnet sein.The various individual pupil illuminations can be defined and, in particular, specified automatically using an illumination optics that is used in the method according to claim 10. With each tilting/switching position of one of the switchable field facets, a different individual pupil illumination can be specified. Each of the switchable field facets can be assigned a tilting actuator for independently tilting the field facets relative to one another.

Die Vorteile eines mit dem Herstellungsverfahren hergestellten mikro- bzw. nanostrukturierten Bauelements nach Anspruch 11 entsprechen denen, die vorstehend und unter Bezugnahme auf das Mehrfachbelichtungsverfahren einerseits und das Herstellungsverfahren andererseits bereits erläutert wurden. Bei dem Bauelement kann es sich um einen Mikrochip, insbesondere um einen Speicherchip handeln.The advantages of a micro- or nanostructured component produced using the production method according to claim 11 correspond to those already explained above and with reference to the multiple exposure method on the one hand and the production method on the other. The component can be a microchip, in particular a memory chip.

Nachfolgend wird anhand der Zeichnung mindestens ein Ausführungsbeispiel der Erfindung beschrieben. In der Zeichnung zeigen:

  • 1 schematisch im Meridionalschnitt eine Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Projektionslithografie;
  • 2 ein Ablaufschema eines Verfahrens zur Mehrfachbelichtung eines Objekts und der Verwendung einer Beleuchtungsoptik der Projektionsbelichtungsanlage;
  • 3 ein Beispiel für eine optimale Ziel-Pupillenausleuchtung, die mithilfe des Mehrfachbelichtungsverfahrens zumindest angenähert realisiert werden soll;
  • 4 eine Gesamt-Pupillenausleuchtung der Beleuchtungsoptik zum Belichten des Objekts, die der Ziel-Pupillenausleuchtung nach 3 angenähert ist und als kumulierter Satz von sequentiell zum Einsatz kommenden Einzel-Pupillenausleuchtungen resultiert;
  • 5-8 diejenigen vier Einzel-Pupillenausleuchtungen, die kumuliert die Gesamt-Pupillenausleuchtung nach 4 ergeben; und
  • 9 eine zu 3 ähnliche Darstellung einer weiteren beispielhaften Ziel-Pupillenausleuchtung, die mithilfe des Mehrfachbelichtungsverfahrens jedenfalls angenähert realisiert werden kann;
  • 10 in einer zur 4 ähnlichen Darstellung und am Beispiel einer anderen Pupillenfacetten-Konfiguration eine Gesamt-Pupillenausleuchtung der Beleuchtungsoptik zum Belichten des Objekts, die der Ziel-Pupillenausleuchtung nach 9 angenähert ist und als kumulierter Satz von sequenziell zum Einsatz kommenden Einzel-Pupillenausleuchtungen resultiert;
  • 11-13 diejenigen drei Einzel-Pupillenausleuchtungen, die kumuliert die Gesamt-Pupillenausleuchtung nach 10 ergeben;
  • 14 in einer zur 10 ähnlichen Darstellung eine Gesamt-Pupillenausleuchtung der Beleuchtungsoptik zum Belichten des Objekts, die der Ziel-Pupillenausleuchtung nach 3 angenähert ist und als kumulierter Satz von sequenziell zum Einsatz kommenden Einzel-Pupillenausleuchtungen resultiert;
  • 15-17 diejenigen drei Einzel-Pupillenausleuchtungen, die kumuliert die Gesamt-Pupillenausleuchtung nach 14 ergeben;
  • 18-20 eine weitere Ausführung eines Satzes von drei Einzel-Pupillenausleuchtungen, die kumuliert die Gesamt-Pupillenausleuchtung nach 14 ergeben;
  • 21 eine weitere Ausführung einer Gesamt-Pupillenausleuchtung der Beleuchtungsoptik zum Belichten des Objekts, die eine gewünschte Kombination von Belichtungsparametern aufweist und als kumulierter Satz von sequenziell zum Einsatz kommenden Einzel-Pupillenausleuchtungen resultiert;
  • 22-24 diejenigen drei Einzel-Pupillenausleuchtungen, die kumuliert die Gesamt-Pupillenausleuchtung nach 21 ergeben.
At least one embodiment of the invention is described below with reference to the drawing. In the drawing:
  • 1 schematic meridional section of a projection exposure system for EUV projection lithography;
  • 2 a flow chart of a method for multiple exposure of an object and the use of an illumination optics of the projection exposure system;
  • 3 an example of optimal target pupil illumination, which should be at least approximately realized using the multiple exposure method;
  • 4 a total pupil illumination of the illumination optics for exposing the object, which corresponds to the target pupil illumination 3 is approximated and results as a cumulative set of sequentially applied individual pupil illuminations;
  • 5-8 those four individual pupil illuminations that cumulatively give the total pupil illumination after 4 result; and
  • 9 one to 3 similar representation of another exemplary target pupil illumination, which can at least be approximately realized using the multiple exposure method;
  • 10 in a 4 similar representation and using the example of a different pupil facet configuration, a total pupil illumination of the illumination optics for illuminating the object, which corresponds to the target pupil illumination according to 9 is approximated and results as a cumulative set of sequentially applied individual pupil illuminations;
  • 11-13 those three individual pupil illuminations that cumulatively give the total pupil illumination after 10 result;
  • 14 in a 10 similar representation, a total pupil illumination of the illumination optics for exposing the object, which corresponds to the target pupil illumination 3 is approximated and results as a cumulative set of sequentially applied individual pupil illuminations;
  • 15-17 those three individual pupil illuminations that cumulatively give the total pupil illumination after 14 result;
  • 18-20 another version of a set of three individual pupil illuminations, which cumulates the total pupil illumination after 14 result;
  • 21 a further embodiment of a total pupil illumination of the illumination optics for exposing the object, which has a desired combination of exposure parameters and results as a cumulative set of sequentially used individual pupil illuminations;
  • 22-24 those three individual pupil illuminations that cumulatively give the total pupil illumination after 21 result.

Im Folgenden werden zunächst unter Bezugnahme auf die 1 exemplarisch die wesentlichen Bestandteile einer Projektionsbelichtungsanlage 1 für die Mikrolithographie beschrieben. Die Beschreibung des grundsätzlichen Aufbaus der Projektionsbelichtungsanlage 1 sowie deren Bestandteile sei hierbei nicht einschränkend verstanden.In the following, first with reference to the 1 The essential components of a projection exposure system 1 for microlithography are described by way of example. The description of the basic structure of the projection exposure system 1 and its components should not be understood as limiting.

Eine Ausführung eines Beleuchtungssystems 2 der Projektionsbelichtungsanlage 1 hat neben einer Licht- bzw. Strahlungsquelle 3 eine Beleuchtungsoptik 4 zur Beleuchtung eines Objektfeldes 5 in einer Objektebene 6. Bei einer alternativen Ausführung kann die Lichtquelle 3 auch als ein zum sonstigen Beleuchtungssystem separates Modul bereitgestellt sein. In diesem Fall umfasst das Beleuchtungssystem die Lichtquelle 3 nicht.One embodiment of an illumination system 2 of the projection exposure system 1 has, in addition to a light or radiation source 3, an illumination optics 4 for illuminating an object field 5 in an object plane 6. In an alternative embodiment, the light source 3 can also be provided as a separate module from the rest of the illumination system. In this case, the illumination system does not include the light source 3.

Belichtet wird ein im Objektfeld 5 angeordnetes Objekt am Beispiel eines Retikels 7. Das Retikel 7 ist von einem Retikel- bzw. Objekthalter 8 gehalten. Der Retikelhalter 8 ist über einen Retikel- bzw. Objektverlagerungsantrieb 9 insbesondere in einer Scanrichtung verlagerbar.An object arranged in the object field 5 is exposed using the example of a reticle 7. The reticle 7 is held by a reticle or object holder 8. The reticle holder 8 can be displaced via a reticle or object displacement drive 9, in particular in a scanning direction.

In der 1 ist zur Erläuterung ein kartesisches xyz-Koordinatensystem eingezeichnet. Die x-Richtung verläuft senkrecht zur Zeichenebene hinein. Die y-Richtung verläuft horizontal und die z-Richtung verläuft vertikal. Die Scanrichtung verläuft in der 1 längs der y-Richtung. Die z-Richtung verläuft senkrecht zur Objektebene 6.In the 1 For explanation, a Cartesian xyz coordinate system is shown. The x-direction runs perpendicular to the drawing plane. The y-direction runs horizontally and the z-direction runs vertically. The scanning direction runs in the 1 along the y-direction. The z-direction is perpendicular to the object plane 6.

Die Projektionsbelichtungsanlage 1 umfasst eine Projektionsoptik 10. Die Projektionsoptik 10 dient zur Abbildung des Objektfeldes 5 in ein Bildfeld 11 in einer Bildebene 12. Die Bildebene 12 verläuft parallel zur Objektebene 6. Alternativ ist auch ein von 0° verschiedener Winkel zwischen der Objektebene 6 und der Bildebene 12 möglich.The projection exposure system 1 comprises a projection optics 10. The projection optics 10 serves to image the object field 5 into an image field 11 in an image plane 12. The image plane 12 runs parallel to the object plane 6. Alternatively, an angle other than 0° between the object plane 6 and the image plane 12 is also possible.

Abgebildet wird eine Struktur auf dem Retikel 7 auf eine lichtempfindliche Schicht eines im Bereich des Bildfeldes 11 in der Bildebene 12 angeordneten Wafers 13. Der Wafer 13 wird von einem Waferhalter 14 gehalten. Der Waferhalter 14 ist über einen Waferverlagerungsantrieb 15 insbesondere längs der y-Richtung verlagerbar. Die Verlagerung einerseits des Retikels 7 über den Retikelverlagerungsantrieb 9 und andererseits des Wafers 13 über den Waferverlagerungsantrieb 15 kann synchronisiert zueinander erfolgen. A structure on the reticle 7 is imaged onto a light-sensitive layer of a wafer 13 arranged in the area of the image field 11 in the image plane 12. The wafer 13 is held by a wafer holder 14. The wafer holder 14 can be displaced via a wafer displacement drive 15, in particular along the y-direction. The displacement of the reticle 7 on the one hand via the reticle displacement drive 9 and the wafer 13 on the other hand via the wafer displacement drive 15 can be synchronized with one another.

Bei der Strahlungsquelle 3 handelt es sich um eine EUV-Strahlungsquelle. Die Strahlungsquelle 3 emittiert insbesondere EUV-Strahlung 16, welche im Folgenden auch als Nutzstrahlung, Beleuchtungsstrahlung oder Beleuchtungslicht bezeichnet wird. Die Nutzstrahlung hat insbesondere eine Wellenlänge im Bereich zwischen 5 nm und 30 nm. Bei der Strahlungsquelle 3 kann es sich um eine Plasmaquelle handeln, zum Beispiel um eine LPP-Quelle (Laser Produced Plasma, mithilfe eines Lasers erzeugtes Plasma) oder um eine DPP-Quelle (Gas Discharged Produced Plasma, mittels Gasentladung erzeugtes Plasma). Es kann sich auch um eine synchrotronbasierte Strahlungsquelle handeln. Bei der Strahlungsquelle 3 kann es sich um einen Freie-Elektronen-Laser (Free-Electron-Laser, FEL) handeln.The radiation source 3 is an EUV radiation source. The radiation source 3 emits in particular EUV radiation 16, which is also referred to below as useful radiation, illumination radiation or illumination light. The useful radiation has in particular a wavelength in the range between 5 nm and 30 nm. The radiation source 3 can be a plasma source, for example an LPP source (laser produced plasma, plasma produced using a laser) or a DPP source (gas discharged produced plasma, using gas discharge generated plasma). It can also be a synchrotron-based radiation source. Radiation source 3 can be a free-electron laser (FEL).

Die Beleuchtungsstrahlung 16, die von der Strahlungsquelle 3 ausgeht, wird von einem Kollektor 17 gebündelt. Bei dem Kollektor 17 kann es sich um einen Kollektor mit einer oder mit mehreren ellipsoidalen und/oder hyperboloiden Reflexionsflächen handeln. Die mindestens eine Reflexionsfläche des Kollektors 17 kann im streifenden Einfall (Grazing Incidence, GI), also mit Einfallswinkeln größer als 45°, oder im normalen Einfall (Normal Incidence, NI), also mit Einfallwinkeln kleiner als 45°, mit der Beleuchtungsstrahlung 16 beaufschlagt werden. Der Kollektor 17 kann einerseits zur Optimierung seiner Reflektivität für die Nutzstrahlung und andererseits zur Unterdrückung von Falschlicht strukturiert und/oder beschichtet sein.The illumination radiation 16 that emanates from the radiation source 3 is bundled by a collector 17. The collector 17 can be a collector with one or more ellipsoidal and/or hyperboloidal reflection surfaces. The at least one reflection surface of the collector 17 can be exposed to the illumination radiation 16 in grazing incidence (GI), i.e. with angles of incidence greater than 45°, or in normal incidence (NI), i.e. with angles of incidence less than 45°. The collector 17 can be structured and/or coated on the one hand to optimize its reflectivity for the useful radiation and on the other hand to suppress stray light.

Nach dem Kollektor 17 propagiert die Beleuchtungsstrahlung 16 durch einen Zwischenfokus in einer Zwischenfokusebene 18. Die Zwischenfokusebene 18 kann eine Trennung zwischen einem Strahlungsquellenmodul, aufweisend die Strahlungsquelle 3 und den Kollektor 17, und der Beleuchtungsoptik 4 darstellen.After the collector 17, the illumination radiation 16 propagates through an intermediate focus in an intermediate focal plane 18. The intermediate focal plane 18 can represent a separation between a radiation source module, comprising the radiation source 3 and the collector 17, and the illumination optics 4.

Die Beleuchtungsoptik 4 umfasst einen Umlenkspiegel 19 und diesem im Strahlengang nachgeordnet einen ersten Facettenspiegel 20. Bei dem Umlenkspiegel 19 kann es sich um einen planen Umlenkspiegel oder alternativ um einen Spiegel mit einer über die reine Umlenkungswirkung hinaus bündelbeeinflussenden Wirkung handeln. Alternativ oder zusätzlich kann der Umlenkspiegel 19 als Spektralfilter ausgeführt sein, der eine Nutzlichtwellenlänge der Beleuchtungsstrahlung 16 von Falschlicht einer hiervon abweichenden Wellenlänge trennt. Sofern der erste Facettenspiegel 20 in einer Ebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet ist, die zur Objektebene 6 als Feldebene optisch konjugiert ist, wird dieser auch als Feldfacettenspiegel bezeichnet. Der erste Facettenspiegel 20 umfasst eine Vielzahl von einzelnen ersten Facetten 21, welche im Folgenden auch als Feldfacetten bezeichnet werden. Von diesen Facetten 21 sind in der 1 nur beispielhaft einige dargestellt.The illumination optics 4 comprise a deflection mirror 19 and a first facet mirror 20 arranged downstream of this in the beam path. The deflection mirror 19 can be a flat deflection mirror or alternatively a mirror with a beam-influencing effect beyond the pure deflection effect. Alternatively or additionally, the deflection mirror 19 can be designed as a spectral filter which separates a useful light wavelength of the illumination radiation 16 from false light of a different wavelength. If the first facet mirror 20 is arranged in a plane of the illumination optics 4 which is optically conjugated to the object plane 6 as a field plane, it is also referred to as a field facet mirror. The first facet mirror 20 comprises a plurality of individual first facets 21, which are also referred to below as field facets. Of these facets 21, only one is shown in the 1 only a few examples are shown.

Die ersten Facetten 21 können als makroskopische Facetten ausgeführt sein, insbesondere als rechteckige Facetten oder als Facetten mit bogenförmiger oder teilkreisförmiger Randkontur. Die ersten Facetten 21 können als plane Facetten oder alternativ als konvex oder konkav gekrümmte Facetten ausgeführt sein.The first facets 21 can be designed as macroscopic facets, in particular as rectangular facets or as facets with an arcuate or partially circular edge contour. The first facets 21 can be designed as flat facets or alternatively as convex or concave curved facets.

Wie beispielsweise aus der DE 10 2008 009 600 A1 bekannt ist, können die ersten Facetten 21 selbst jeweils auch aus einer Vielzahl von Einzelspiegeln, insbesondere einer Vielzahl von Mikrospiegeln, zusammengesetzt sein. Der erste Facettenspiegel 20 kann insbesondere als mikroelektromechanisches System (MEMS-System) ausgebildet sein. Für Details wird auf die DE 10 2008 009 600 A1 verwiesen.As for example from the DE 10 2008 009 600 A1 As is known, the first facets 21 themselves can also be composed of a plurality of individual mirrors, in particular a plurality of micromirrors. The first facet mirror 20 can in particular be designed as a microelectromechanical system (MEMS system). For details, see the DE 10 2008 009 600 A1 referred to.

Zwischen dem Kollektor 17 und dem Umlenkspiegel 19 verläuft die Beleuchtungsstrahlung 16 horizontal, also längs der y-Richtung.Between the collector 17 and the deflection mirror 19, the illumination radiation 16 runs horizontally, i.e. along the y-direction.

Im Strahlengang der Beleuchtungsoptik 4 ist dem ersten Facettenspiegel 20 nachgeordnet ein zweiter Facettenspiegel 22. Sofern der zweite Facettenspiegel 22 in einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet ist, wird dieser auch als Pupillenfacettenspiegel bezeichnet. Der zweite Facettenspiegel 22 kann auch beabstandet zu einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet sein. In diesem Fall wird die Kombination aus dem ersten Facettenspiegel 20 und dem zweiten Facettenspiegel 22 auch als spekularer Reflektor bezeichnet. Spekulare Reflektoren sind bekannt aus der US 2006/0132747 A1 , der EP 1 614 008 B1 und der US 6,573,978 .In the beam path of the illumination optics 4, a second facet mirror 22 is arranged downstream of the first facet mirror 20. If the second facet mirror 22 is arranged in a pupil plane of the illumination optics 4, it is also referred to as a pupil facet mirror. The second facet mirror 22 can also be arranged at a distance from a pupil plane of the illumination optics 4. In this case, the combination of the first facet mirror 20 and the second facet mirror 22 is also referred to as a specular reflector. Specular reflectors are known from the US 2006/0132747 A1 , the EP 1 614 008 B1 and the US 6,573,978 .

Der zweite Facettenspiegel 22 umfasst eine Mehrzahl von zweiten Facetten 23. Die zweiten Facetten 23 werden im Falle eines Pupillenfacettenspiegels auch als Pupillenfacetten bezeichnet.The second facet mirror 22 comprises a plurality of second facets 23. In the case of a pupil facet mirror, the second facets 23 are also referred to as pupil facets.

Bei den zweiten Facetten 23 kann es sich ebenfalls um makroskopische Facetten, die beispielsweise rund, rechteckig oder auch hexagonal berandet sein können, oder alternativ um aus Mikrospiegeln zusammengesetzte Facetten handeln. Diesbezüglich wird ebenfalls auf die DE 10 2008 009 600 A1 verwiesen.The second facets 23 can also be macroscopic facets, which can be round, rectangular or hexagonal, for example, or alternatively facets composed of micromirrors. In this regard, reference is also made to the DE 10 2008 009 600 A1 referred to.

Die zweiten Facetten 23 können plane oder alternativ konvex oder konkav gekrümmte Reflexionsflächen aufweisen.The second facets 23 can have planar or alternatively convex or concave curved reflection surfaces.

Die Beleuchtungsoptik 4 bildet somit ein doppelt facettiertes System. Dieses grundlegende Prinzip wird auch als Wabenkondensor (Fly's Eye Integrator) bezeichnet.The illumination optics 4 thus forms a double-faceted system. This basic principle is also known as a honeycomb condenser (Fly's Eye Integrator).

Es kann vorteilhaft sein, den zweiten Facettenspiegel 22 nicht exakt in einer Ebene, welche zu einer Pupillenebene der Projektionsoptik 10 optisch konjugiert ist, anzuordnen. Insbesondere kann der Pupillenfacettenspiegel 22 gegenüber einer Pupillenebene der Projektionsoptik 7 verkippt angeordnet sein, wie es zum Beispiel in der DE 10 2017 220 586 A1 beschrieben ist.It may be advantageous not to arrange the second facet mirror 22 exactly in a plane that is optically conjugated to a pupil plane of the projection optics 10. In particular, the pupil facet mirror 22 can be arranged tilted relative to a pupil plane of the projection optics 7, as is the case, for example, in the DE 10 2017 220 586 A1 described.

Mit Hilfe des zweiten Facettenspiegels 22 werden die einzelnen ersten Facetten 21 in das Objektfeld 5 abgebildet. Der zweite Facettenspiegel 22 ist der letzte bündelformende oder auch tatsächlich der letzte Spiegel für die Beleuchtungsstrahlung 16 im Strahlengang vor dem Objektfeld 5.With the help of the second facet mirror 22, the individual first facets 21 are imaged in the object field 5. The second facet mirror 22 is the last bundle-forming or actually the last mirror for the illumination radiation 16 in the beam path in front of the object field 5.

Bei einer weiteren, nicht dargestellten Ausführung der Beleuchtungsoptik 4 kann im Strahlengang zwischen dem zweiten Facettenspiegel 22 und dem Objektfeld 5 eine Übertragungsoptik angeordnet sein, die insbesondere zur Abbildung der ersten Facetten 21 in das Objektfeld 5 beiträgt. Die Übertragungsoptik kann genau einen Spiegel, alternativ aber auch zwei oder mehr Spiegel aufweisen, welche hintereinander im Strahlengang der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet sind. Die Übertragungsoptik kann insbesondere einen oder zwei Spiegel für senkrechten Einfall (NI-Spiegel, Normal Incidence Spiegel) und/oder einen oder zwei Spiegel für streifenden Einfall (GI-Spiegel, Gracing Incidence Spiegel) umfassen.In a further embodiment of the illumination optics 4 (not shown), a transmission optics can be arranged in the beam path between the second facet mirror 22 and the object field 5, which contributes in particular to the imaging of the first facets 21 in the object field 5. The transmission optics can have exactly one mirror, but alternatively also two or more mirrors, which are arranged one behind the other in the beam path of the illumination optics 4. The transmission optics can in particular comprise one or two mirrors for vertical incidence (NI mirrors, normal incidence mirrors) and/or one or two mirrors for grazing incidence (GI mirrors, gracing incidence mirrors).

Die Beleuchtungsoptik 4 hat bei der Ausführung, die in der 1 gezeigt ist, nach dem Kollektor 17 genau drei Spiegel, nämlich den Umlenkspiegel 19, den Feldfacettenspiegel 20 und den Pupillenfacettenspiegel 22.The lighting optics 4 have in the version shown in the 1 As shown, after the collector 17 there are exactly three mirrors, namely the deflection mirror 19, the field facet mirror 20 and the pupil facet mirror 22.

Bei einer weiteren Ausführung der Beleuchtungsoptik 4 kann der Umlenkspiegel 19 auch entfallen, so dass die Beleuchtungsoptik 4 nach dem Kollektor 17 dann genau zwei Spiegel aufweisen kann, nämlich den ersten Facettenspiegel 20 und den zweiten Facettenspiegel 22.In a further embodiment of the illumination optics 4, the deflection mirror 19 can also be omitted, so that the illumination optics 4 can then have exactly two mirrors after the collector 17, namely the first facet mirror 20 and the second facet mirror 22.

Die Abbildung der ersten Facetten 21 mittels der zweiten Facetten 23 beziehungsweise mit den zweiten Facetten 23 und einer Übertragungsoptik in die Objektebene 6 ist regelmäßig nur eine näherungsweise Abbildung.The imaging of the first facets 21 by means of the second facets 23 or with the second facets 23 and a transmission optics into the object plane 6 is usually only an approximate imaging.

Die Projektionsoptik 10 umfasst eine Mehrzahl von Spiegeln Mi, welche gemäß ihrer Anordnung im Strahlengang der Projektionsbelichtungsanlage 1 durchnummeriert sind.The projection optics 10 comprises a plurality of mirrors Mi, which are numbered according to their arrangement in the beam path of the projection exposure system 1.

Bei dem in der 1 dargestellten Beispiel umfasst die Projektionsoptik 10 sechs Spiegel M1 bis M6. Alternativen mit vier, acht, zehn, zwölf oder einer anderen Anzahl an Spiegeln Mi sind ebenso möglich. Bei der Projektionsoptik 10 handelt es sich um eine doppelt obskurierte Optik. Der vorletzte Spiegel M5 und der letzte Spiegel M6 haben jeweils eine Durchtrittsöffnung für die Beleuchtungsstrahlung 16. Die Projektionsoptik 10 hat eine bildseitige numerische Apertur, die größer ist als 0,5 und die auch größer sein kann als 0,6 und die beispielsweise 0,7 oder 0,75 betragen kann.In the 1 In the example shown, the projection optics 10 comprises six mirrors M1 to M6. Alternatives with four, eight, ten, twelve or another number of mirrors Mi are also possible. The projection optics 10 is a double-obscured optics. The penultimate mirror M5 and the last mirror M6 each have a passage opening for the illumination radiation 16. The projection optics 10 has a numerical aperture on the image side that is greater than 0.5 and can also be greater than 0.6 and can be, for example, 0.7 or 0.75.

Reflexionsflächen der Spiegel Mi können als Freiformflächen ohne Rotationssymmetrieachse ausgeführt sein. Alternativ können die Reflexionsflächen der Spiegel Mi als asphärische Flächen mit genau einer Rotationssymmetrieachse der Reflexionsflächenform gestaltet sein. Die Spiegel Mi können, genauso wie die Spiegel der Beleuchtungsoptik 4, hoch reflektierende Beschichtungen für die Beleuchtungsstrahlung 16 aufweisen. Diese Beschichtungen können als Multilayer-Beschichtungen, insbesondere mit alternierenden Lagen aus Molybdän und Silizium, gestaltet sein.Reflection surfaces of the mirrors Mi can be designed as free-form surfaces without a rotational symmetry axis. Alternatively, the reflection surfaces of the mirrors Mi can be designed as aspherical surfaces with exactly one rotational symmetry axis of the reflection surface shape. The mirrors Mi, just like the mirrors of the illumination optics 4, can have highly reflective coatings for the illumination radiation 16. These coatings can be designed as multilayer coatings, in particular with alternating layers of molybdenum and silicon.

Die Projektionsoptik 10 hat einen großen Objekt-Bildversatz in der y-Richtung zwischen einer y-Koordinate eines Zentrums des Objektfeldes 5 und einer y-Koordinate des Zentrums des Bildfeldes 11. Dieser Objekt-BildVersatz in der y-Richtung kann in etwa so groß sein wie ein z-Abstand zwischen der Objektebene 6 und der Bildebene 12.The projection optics 10 have a large object-image offset in the y-direction between a y-coordinate of a center of the object field 5 and a y-coordinate of the center of the image field 11. This object-image offset in the y-direction can be approximately as large as a z-distance between the object plane 6 and the image plane 12.

Die Projektionsoptik 10 kann insbesondere anamorphotisch ausgebildet sein. Sie weist insbesondere unterschiedliche Abbildungsmaßstäbe βx, βy in x- und y-Richtung auf. Die beiden Abbildungsmaßstäbe βx, βy der Projektionsoptik 10 liegen bevorzugt bei (βx, βy) = (+/- 0,25, /+- 0,125). Ein positiver Abbildungsmaßstab β bedeutet eine Abbildung ohne Bildumkehr. Ein negatives Vorzeichen für den Abbildungsmaßstab β bedeutet eine Abbildung mit Bildumkehr.The projection optics 10 can in particular be anamorphic. In particular, it has different image scales β x , β y in the x and y directions. The two image scales β x , β y of the projection optics 10 are preferably (β x , β y ) = (+/- 0.25, /+- 0.125). A positive image scale β means an image without image inversion. A negative sign for the image scale β means an image with image inversion.

Die Projektionsoptik 10 führt somit in x-Richtung, das heißt in Richtung senkrecht zur Scanrichtung, zu einer Verkleinerung im Verhältnis 4:1.The projection optics 10 thus leads to a reduction in the ratio 4:1 in the x-direction, i.e. in the direction perpendicular to the scanning direction.

Die Projektionsoptik 10 führt in y-Richtung, das heißt in Scanrichtung, zu einer Verkleinerung von 8:1.The projection optics 10 leads to a reduction of 8:1 in the y-direction, i.e. in the scanning direction.

Andere Abbildungsmaßstäbe sind ebenso möglich. Auch vorzeichengleiche und absolut gleiche Abbildungsmaßstäbe in x- und y-Richtung, zum Beispiel mit Absolutwerten von 0,125 oder von 0,25, sind möglich.Other image scales are also possible. Image scales with the same sign and absolutely the same in the x and y directions, for example with absolute values of 0.125 or 0.25, are also possible.

Die Anzahl von Zwischenbildebenen in der x- und in der y-Richtung im Strahlengang zwischen dem Objektfeld 5 und dem Bildfeld 11 kann gleich sein oder kann, je nach Ausführung der Projektionsoptik 10, unterschiedlich sein. Beispiele für Projektionsoptiken mit unterschiedlichen Anzahlen derartiger Zwischenbilder in x- und y-Richtung sind bekannt aus der US 2018/0074303 A1 .The number of intermediate image planes in the x- and y-direction in the beam path between the object field 5 and the image field 11 can be the same or can be different depending on the design of the projection optics 10. Examples of projection optics with different numbers of such intermediate images in the x- and y-direction are known from US 2018/0074303 A1 .

Jeweils eine der Pupillenfacetten 23 ist genau einer der Feldfacetten 21 zur Ausbildung jeweils eines Beleuchtungskanals zur Ausleuchtung des Objektfeldes 5 zugeordnet. Es kann sich hierdurch insbesondere eine Beleuchtung nach dem Köhlerschen Prinzip ergeben. Das Fernfeld wird mit Hilfe der Feldfacetten 21 in eine Vielzahl an Objektfeldern 5 zerlegt. Die Feldfacetten 21 erzeugen eine Mehrzahl von Bildern des Zwischenfokus auf den diesen jeweils zugeordneten Pupillenfacetten 23.Each of the pupil facets 23 is assigned to exactly one of the field facets 21 to form an illumination channel for illuminating the object field 5. This can in particular result in illumination according to the Köhler's principle. The far field is broken down into a plurality of object fields 5 using the field facets 21. The field facets 21 generate a plurality of images of the intermediate focus on the pupil facets 23 assigned to them.

Die Feldfacetten 21 werden jeweils von einer zugeordneten Pupillenfacette 23 einander überlagernd zur Ausleuchtung des Objektfeldes 5 auf das Retikel 7 abgebildet. Die Ausleuchtung des Objektfeldes 5 ist insbesondere möglichst homogen. Sie weist vorzugsweise einen Uniformitätsfehler von weniger als 2 % auf. Die Felduniformität kann über die Überlagerung unterschiedlicher Beleuchtungskanäle erreicht werden.The field facets 21 are each imaged onto the reticle 7 by an associated pupil facet 23, superimposing one another, to illuminate the object field 5. The illumination of the object field 5 is in particular as homogeneous as possible. It preferably has a uniformity error of less than 2%. The field uniformity can be achieved by superimposing different illumination channels.

Durch eine Anordnung der Pupillenfacetten kann geometrisch die Ausleuchtung der Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 definiert werden. Durch Auswahl der Beleuchtungskanäle, insbesondere der Teilmenge der Pupillenfacetten, die Licht führen, kann die Intensitätsverteilung in der Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 eingestellt werden. Diese Intensitätsverteilung wird auch als Beleuchtungssetting oder Beleuchtungspupillenfüllung bezeichnet.By arranging the pupil facets, the illumination of the entrance pupil of the projection optics 10 can be defined geometrically. By selecting the illumination channels, in particular the subset of the pupil facets that guide light, the intensity distribution in the entrance pupil of the projection optics 10 can be set. This intensity distribution is also referred to as the illumination setting or illumination pupil filling.

Eine ebenfalls bevorzugte Pupillenuniformität im Bereich definiert ausgeleuchteter Abschnitte einer Beleuchtungspupille der Beleuchtungsoptik 4 kann durch eine Umverteilung der Beleuchtungskanäle erreicht werden.A likewise preferred pupil uniformity in the area of defined illuminated sections of an illumination pupil of the illumination optics 4 can be achieved by a redistribution of the illumination channels.

Im Folgenden werden weitere Aspekte und Details der Ausleuchtung des Objektfeldes 5 sowie insbesondere der Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 beschrieben.In the following, further aspects and details of the illumination of the object field 5 and in particular of the entrance pupil of the projection optics 10 are described.

Die Projektionsoptik 10 kann insbesondere eine homozentrische Eintrittspupille aufweisen. Diese kann zugänglich sein. Sie kann auch unzugänglich sein.The projection optics 10 can in particular have a homocentric entrance pupil. This can be accessible. It can also be inaccessible.

Die Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 lässt sich regelmäßig mit dem Pupillenfacettenspiegel 22 nicht exakt ausleuchten. Bei einer Abbildung der Projektionsoptik 10, welche das Zentrum des Pupillenfacettenspiegels 22 telezentrisch auf den Wafer 13 abbildet, schneiden sich die Aperturstrahlen oftmals nicht in einem einzigen Punkt. Es lässt sich jedoch eine Fläche finden, in welcher der paarweise bestimmte Abstand der Aperturstrahlen minimal wird. Diese Fläche stellt die Eintrittspupille oder eine zu ihr konjugierte Fläche im Ortsraum dar. Insbesondere zeigt diese Fläche eine endliche Krümmung.The entrance pupil of the projection optics 10 cannot usually be illuminated precisely with the pupil facet mirror 22. When the projection optics 10 images the center of the pupil facet mirror 22 telecentrically onto the wafer 13, the aperture rays often do not intersect at a single point. However, a surface can be found in which the pairwise determined distance of the aperture rays is minimal. This surface represents the entrance pupil or a surface conjugated to it in spatial space. In particular, this surface shows a finite curvature.

Es kann sein, dass die Projektionsoptik 10 unterschiedliche Lagen der Eintrittspupille für den tangentialen und für den sagittalen Strahlengang aufweist. In diesem Fall sollte ein abbildendes Element, insbesondere ein optisches Bauelement der Übertragungsoptik, zwischen dem zweiten Facettenspiegel 22 und dem Retikel 7 bereitgestellt werden. Mit Hilfe dieses optischen Elements kann die unterschiedliche Lage der tangentialen Eintrittspupille und der sagittalen Eintrittspupille berücksichtigt werden.It is possible that the projection optics 10 have different positions of the entrance pupil for the tangential and the sagittal beam path. In this case, an imaging element, in particular an optical component of the transmission optics, should be provided between the second facet mirror 22 and the reticle 7. With the help of this optical element, the different positions of the tangential entrance pupil and the sagittal entrance pupil can be taken into account.

Bei der in der 1 dargestellten Anordnung der Komponenten der Beleuchtungsoptik 4 ist der Pupillenfacettenspiegel 22 in einer zur Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 konjugierten Fläche angeordnet. Der Feldfacettenspiegel 20 ist verkippt zur Objektebene 6 angeordnet. Der erste Facettenspiegel 20 ist verkippt zu einer Anordnungsebene angeordnet, die vom Umlenkspiegel 19 definiert ist.In the 1 In the arrangement of the components of the illumination optics 4 shown, the pupil facet mirror 22 is arranged in a surface conjugated to the entrance pupil of the projection optics 10. The field facet mirror 20 is arranged tilted to the object plane 6. The first facet mirror 20 is arranged tilted to an arrangement plane that is defined by the deflection mirror 19.

Der erste Facettenspiegel 20 ist verkippt zu einer Anordnungsebene angeordnet, die vom zweiten Facettenspiegel 22 definiert ist.The first facet mirror 20 is arranged tilted to an arrangement plane which is defined by the second facet mirror 22.

Bei der Herstellung eines mikro- bzw. nanostrukturierten Bauelements mit der Projektionsbelichtungsanlage 1 kommt ein Verfahren zur Mehrfachbelichtung des Objekts 7 zum Einsatz, welches nachfolgend unter zusätzlicher Heranziehung der 2 f. beschrieben wird. Mithilfe der Beleuchtungsoptik 4 wird eine Intensitätsverteilung in einer Pupille der Beleuchtungsoptik 4, die in einer Pupillenebene 25 angeordnet ist, mittels einer Mehrzahl von Beleuchtungslicht-Teilbündeln erzeugt, die über die jeweiligen Ausleuchtungskanäle durch jeweils eines der zugeordneten Paare einer der Feldfacetten 21 und einer der Pupillenfacetten 23 vorgegeben werden.When producing a micro- or nanostructured component with the projection exposure system 1, a method for multiple exposure of the object 7 is used, which is subsequently carried out with additional use of the 2 f . is described. With the aid of the illumination optics 4, an intensity distribution is generated in a pupil of the illumination optics 4, which is arranged in a pupil plane 25, by means of a plurality of illumination light partial beams, which are predetermined via the respective illumination channels by one of the assigned pairs of one of the field facets 21 and one of the pupil facets 23.

3 zeigt eine beispielhafte Variante einer Ziel-Pupillenausleuchtung ZP der Pupille der Beleuchtungsoptik in der Pupillenebene 25. Diese Ziel-Pupillenausleuchtung ZP ist eine homogen mit dem Beleuchtungslicht 16 gefüllte Pupille der Beleuchtungsoptik 4. 3 shows an exemplary variant of a target pupil illumination ZP of the pupil of the illumination optics in the pupil plane 25. This target pupil illumination ZP is a pupil of the illumination optics 4 that is homogeneously filled with the illumination light 16.

Bei dem Mehrfachbelichtungsverfahren vorgegeben wird ein Satz von Einzel-Pupillenausleuchtungen P1, P2, P3 und P4, die in den 5 bis 8 für eine vergleichsweise kleine Anzahl von zum Einsatz kommenden Feldfacetten 21 und zugehörigen Pupillenfacetten 23 veranschaulicht sind.In the multiple exposure method, a set of individual pupil illuminations P1, P2, P3 and P4 is specified, which are in the 5 to 8 for a comparatively small number of field facets 21 and associated pupil facets 23 used.

Die Pupillenausleuchtungen P1 bis P4 sind paarweise voneinander derart verschieden, dass dort jeweils verschiedene Sätze von Pupillenfacetten 231 (Pupille P1), Pupillenfacetten 232 (Pupille P2), Pupillenfacetten 233 (Pupille P3) und Pupillenfacetten 234 (Pupille P4) zum Einsatz kommen. Bei jeder der Einzel-Pupillenausleuchtungen P1 bis P4 werden jeweils insgesamt dreizehn Pupillenfacetten 23i über zugehörige dreizehn Feldfacetten 21 ausgeleuchtet. Diese Feldfacetten 21 können entsprechend in vier verschiedene Kippstellungen verlagert werden, wobei bei jeder der vier Kippstellungen dieser Feldfacetten 21 eine andere der vier Einzel-Pupillenausleuchtungen P1 bis P4 resultiert.The pupil illuminations P1 to P4 are so different from each other in pairs that different sets of pupil facets 23 1 (pupil P1), pupil facets 23 2 (pupil P2), pupil facets 23 3 (pupil P3) and pupil facets 23 4 (pupil P4) are used. For each of the individual pupil illuminations P1 to P4, a total of thirteen pupil facets 23 i are illuminated via the associated thirteen field facets 21. These field facets 21 can be shifted accordingly into four different tilt positions. whereby each of the four tilting positions of these field facets 21 results in a different one of the four individual pupil illuminations P1 to P4.

Kumuliert ergeben die vier Einzel-Pupillenausleuchtungen P1 bis P4 eine Gesamt-Pupillenausleuchtung GP, die in der 4 dargestellt ist. Die Zuordnung der Sätze von Pupillenfacetten 23i, die bei der Gesamt-Pupillenausleuchtung GP alle mit dem Beleuchtungslicht 16 beauftragt werden, zu den Einzel-Pupillenausleuchtungen P1 bis P4 ist in der 4 durch unterschiedliche Schraffuren der Pupillenfacetten 23i veranschaulicht. Die kumulierte Gesamt-Pupillenausleuchtung GP ist der Ziel-Pupillenausleuchtung „komplett gefüllte Pupille“ gut angenähert.Cumulatively, the four individual pupil illuminations P1 to P4 result in a total pupil illumination GP, which is 4 The assignment of the sets of pupil facets 23 i , which are all assigned the illumination light 16 in the total pupil illumination GP, to the individual pupil illuminations P1 to P4 is shown in the 4 illustrated by different hatching of the pupil facets 23 i . The cumulative total pupil illumination GP is a good approximation of the target pupil illumination “completely filled pupil”.

Nach dem Vorgeben des Satzes von Einzel-Pupillenausleuchtungen P1 bis P4, wie vorstehend am Beispiel der 5 bis 8 verdeutlicht, erfolgt ein sequenzielles Belichten des Objekts 7 mit den vorgegebenen Einzel-Pupillenausleuchtungen P1, P2, P3 und P4. Bei der Durchführung dieses Mehrfachbelichtungsverfahrens wird ein und dasselbe Objekt 7 und insbesondere ein und derselbe Objektabschnitt auf dem Objekt bzw. dem Retikel 7 belichtet. After specifying the set of individual pupil illuminations P1 to P4, as shown above using the example of 5 to 8 As illustrated, the object 7 is sequentially exposed with the specified individual pupil illuminations P1, P2, P3 and P4. When carrying out this multiple exposure method, one and the same object 7 and in particular one and the same object section on the object or the reticle 7 is exposed.

Zwischen den einzelnen Belichtungsschritten des sequenziellen Belichtens des Objekts 7 mit den vorgegebenen Einzel-Pupillenausleuchtungen Pi erfolgt ein Umstellen der zugehörigen Feldfacetten 21 des Feldfacettenspiegels 20, sodass beispielsweise nach einer Ansteuerung der Pupillenfacetten 231 zur Erzeugung der Einzel-Pupillenausleuchtung P1 die zugehörigen Feldfacetten 21 so verkippt werden, dass die zugehörigen Beleuchtungslicht-Teilbündel nun über die Pupillenfacetten 232 der Einzel-Pupillenausleuchtung P2 geführt werden.Between the individual exposure steps of the sequential exposure of the object 7 with the predetermined individual pupil illuminations Pi, the associated field facets 21 of the field facet mirror 20 are adjusted so that, for example, after controlling the pupil facets 23 1 to generate the individual pupil illumination P1, the associated field facets 21 are tilted such that the associated illumination light sub-beams are now guided over the pupil facets 23 2 of the individual pupil illumination P2.

Zum Vorgeben des Satzes der Einzel-Pupillenausleuchtungen P1 bis P4 wird zunächst in einem Definitionsschritt 31 (vgl. 2) die optimale Ziel-Pupillenausleuchtung ZP, beispielsweise nach 3 definiert. Dies geschieht unter anderem durch ein Definieren von Belichtungs-Randbedingungen, die die Ziel-Pupillenausleuchtung ZP ergeben. In dieses Definieren der Beleuchtungs-Randbedingungen gehen ein einerseits Beleuchtungs-Randbedingungen, die von der Gesamt-Pupillenausleuchtung GP zu erfüllen sind und/oder Beleuchtungs-Randbedingungen, die von jeder der Einzel-Pupillen Pi zu erfüllen sind.To specify the set of individual pupil illuminations P1 to P4, a definition step 31 (cf. 2 ) the optimal target pupil illumination ZP, for example after 3 This is done, among other things, by defining exposure boundary conditions that result in the target pupil illumination ZP. This definition of the illumination boundary conditions includes, on the one hand, illumination boundary conditions that must be met by the total pupil illumination GP and/or illumination boundary conditions that must be met by each of the individual pupils Pi.

In das Definieren der Beleuchtungs-Randbedingungen geht ein unter anderem eine Bestimmung von Wirkungen von Geometrien und/oder Orientierungen von Objektstrukturen des Objekts 7 auf eine Abbildungsqualität des Objekts 7 bei der jeweiligen Ziel-Pupillenausleuchtung ZP. Derartige Beleuchtungs-Randbedingungen werden auch als Sensitivitäten 32 bezeichnet.The definition of the illumination boundary conditions includes, among other things, a determination of effects of geometries and/or orientations of object structures of the object 7 on an imaging quality of the object 7 at the respective target pupil illumination ZP. Such illumination boundary conditions are also referred to as sensitivities 32.

Ein Teil des Definitionsschrittes 31 ist auch das Definieren einer Merit-Funktion 33, in die bestimmte oder alle berücksichtigten Belichtungs-Randbedingungen eingehen.Part of the definition step 31 is also the definition of a merit function 33, which includes certain or all considered exposure boundary conditions.

Teil des Definitionsschrittes 31 ist auch eine Bestimmung von Auswirkungen eines Aufbaus der Beleuchtungsoptik 4 zum Erreichen der Gesamt-Pupillenausleuchtung GP, die der Ziel-Pupillenausleuchtung ZP möglichst nahekommt, sowie eine Bestimmung von Auswirkungen eines Aufbaus der abbildenden Optik 10 zum Abbilden des Objektfeldes 5 in das Bildfeld 11 auf eine Abbildungsqualität des Objekts 7 bei der jeweiligen Ziel-Pupillenausleuchtung ZP. Diese Auswirkungen des Aufbaus der Beleuchtungsoptik 4 und/oder der abbildenden Optik 10 werden auch als Hardware-Limitierungen 34 bezeichnet.Part of the definition step 31 is also a determination of effects of a structure of the illumination optics 4 for achieving the total pupil illumination GP that is as close as possible to the target pupil illumination ZP, as well as a determination of effects of a structure of the imaging optics 10 for imaging the object field 5 in the image field 11 on an imaging quality of the object 7 at the respective target pupil illumination ZP. These effects of the structure of the illumination optics 4 and/or the imaging optics 10 are also referred to as hardware limitations 34.

In den Definitionsschritt 31 können auch weitere Anforderungen 35 eingehen, beispielsweise Pupillen-ausleuchtungsunabhängige Objektstruktureffekte und/oder Objektorientierungseffekte und/oder weitere Objektspezifika.Further requirements 35 can also be included in the definition step 31, for example pupil illumination-independent object structure effects and/or object orientation effects and/or other object specifics.

In den Definitionsschritt 31 gehen weiterhin ein die Vorgabe einer maximalen Abweichung zwischen der Ziel-Pupillenausleuchtung ZP und der Gesamt-Pupillenausleuchtung GP hinsichtlich mindestens eines Belichtungsparameters, beispielsweise einer Homogenität bzw. Uniformität einer Beleuchtungsintensität über das Feld 5 bzw. 11 und/oder eine Telezentrie und/oder eine Elliptizität der Objektbelichtung.The definition step 31 also includes the specification of a maximum deviation between the target pupil illumination ZP and the total pupil illumination GP with regard to at least one exposure parameter, for example a homogeneity or uniformity of an illumination intensity over the field 5 or 11 and/or a telecentricity and/or an ellipticity of the object exposure.

Beispiel für Ziel-Pupillenausleuchtungen ZP sind aus dem Stand der Technik bekannt, beispielsweise aus der US 9,411,239 B2 .Examples of target pupil illuminations ZP are known from the state of the art, for example from US 9,411,239 B2 .

Zum Definitionsschritt 31 kann zudem gehören eine Vorgabe einer maximalen Abweichung zwischen einer Soll-Feldausleuchtung und einer Ist-Feldausleuchtung hinsichtlich mindestens eines Belichtungsparameters.The definition step 31 may also include a specification of a maximum deviation between a target field illumination and an actual field illumination with respect to at least one exposure parameter.

In dem Definitionsschritt 31 kann weiterhin eingehen eine maximale Anzahl von Beleuchtungs-Teilbündel des Beleuchtungslichts 16, die durch entsprechende Ausrichtung der Feldfacetten 21 zur Vorgabe einer Einzel-Pupillenausleuchtung Pi zum Einsatz kommen.The definition step 31 can also include a maximum number of illumination sub-beams of the illumination light 16, which are used by appropriate alignment of the field facets 21 to specify an individual pupil illumination Pi.

In dem Definitionsschritt 31 kann weiterhin eingehen eine maximale Anzahl von Einzel-Pupillenausleuchtungen Pi, die zur Erzeugung der Gesamt-Pupillenausleuchtung GP zum Einsatz kommt. Beim Beispiel nach den 5 bis 8 ist diese maximale Anzahl der Einzel-Pupillenausleuchtungen Pi vier.In the definition step 31, a maximum number of individual pupil illuminations Pi can also be included, which is used to generate the total pupil illumination GP. Example according to the 5 to 8 This maximum number of individual pupil illuminations Pi is four.

In die Definition der Merit-Funktion 33 kann eine Bewertung eines Einflusses von Änderungen der jeweiligen Einzel-Pupillenausleuchtungen Pi und/oder von Änderungen der Gesamt-Pupillenausleuchtung GP auf einen Abbildungsersatz Δx und/oder Δy in der Bildebene 12 der abbildenden Optik 10 zum Abbilden des Objektfeldes 5 in das Bildfeld 11 eingehen.The definition of the merit function 33 can include an evaluation of an influence of changes in the respective individual pupil illuminations Pi and/or of changes in the total pupil illumination GP on an image replacement Δx and/or Δy in the image plane 12 of the imaging optics 10 for imaging the object field 5 in the image field 11.

In diese Bewertung des Einflusses der Pupillenausleuchtungs-Änderungen auf den Abbildungsversatz kann eine Polynomentwicklung einer jeweiligen, zur Pupillenausleuchtung Pi bzw. GP vorgegebenen Intensitätsverteilung eingehen. Hierbei können Zernike-Polynome zum Einsatz kommen.This evaluation of the influence of pupil illumination changes on the image offset can include a polynomial expansion of a respective intensity distribution specified for pupil illumination Pi or GP. Zernike polynomials can be used for this.

Nach der Abarbeitung des Definitionsschritts 31 erfolgt eine parallele Optimierung der Pupillenausleuchtung bzgl. aller im Definitionsschritt 31 vorgegebenen und berücksichtigten Anforderungen und Freiheitsgrade. Hierbei wird in einem Variationsschritt 36 eine vorgegebene Anzahl von mit der Beleuchtungsoptik 4 möglichen Ist-Einzel-Pupillenausleuchtungen Pi solange variiert, bis ein Ist-Wert der Merit-Funktion 33, der bei einem gegebenen Satz von Einzel-Pupillenausleuchtungen Pi resultiert, mit einem Soll-Wert der Merit-Funktion 33 innerhalb einer vorgegebenen Toleranz übereinstimmt und damit ein Toleranzkriterium erfüllt.After the definition step 31 has been processed, a parallel optimization of the pupil illumination takes place with regard to all requirements and degrees of freedom specified and taken into account in the definition step 31. In a variation step 36, a predetermined number of actual individual pupil illuminations Pi possible with the illumination optics 4 are varied until an actual value of the merit function 33, which results from a given set of individual pupil illuminations Pi, matches a target value of the merit function 33 within a predetermined tolerance and thus fulfills a tolerance criterion.

Nach Abschluss des Variationsschritts 36 wird in einem Vorgabeschritt 37 des Mehrfachbelichtungsverfahrens derjenige Satz von Einzel-Pupillenausleuchtungen Pi vorgegeben, der beim Variationsschritt 36 das Toleranzkriterium erfüllt.After completion of the variation step 36, the set of individual pupil illuminations Pi that meets the tolerance criterion in the variation step 36 is specified in a specification step 37 of the multiple exposure method.

Mit diesen vorgegebenen Einzel-Pupillenausleuchtungen Pi wird dann der jeweilige Abschnitt des Objekts 7 sequenziell in einem Belichtungsschritt 37a belichtet, wie vorstehend bereits erläutert.With these predetermined individual pupil illuminations Pi, the respective section of the object 7 is then sequentially exposed in an exposure step 37a, as already explained above.

Mit dem Herstellungsverfahren kann insbesondere ein Halbleiterchip, beispielsweise ein Speicherchip, hergestellt werden.The manufacturing method can be used in particular to produce a semiconductor chip, for example a memory chip.

9 zeigt ein weiteres Beispiel für eine Ziel-Pupillenausleuchtung ZP, bei der eine ansonsten homogen gefüllte Pupille in der Pupillenebene 25 in einem definierten belichtungsfreien Spotbereich 38 nicht mit dem Beleuchtungslicht 16 beaufschlagt werden soll. 9 shows a further example of a target pupil illumination ZP, in which an otherwise homogeneously filled pupil in the pupil plane 25 in a defined exposure-free spot area 38 is not to be exposed to the illumination light 16.

Eine derartige Ziel-Pupillenausleuchtung ZP kann mithilfe des vorstehend beschriebenen Mehrfachbelichtungsverfahren so mit einer Gesamt-Pupillenausleuchtung GP angenähert werden, dass Einzel-Pupillenausleuchtungen Pi, die diese Gesamt-Pupillenausleuchtung ergeben, vorgegebene Randbedingungen, insbesondere in Bezug auf Belichtungsparameter Telezentrie, Elliptizität und Uniformität über die Felder 5, 11 erfüllen.Such a target pupil illumination ZP can be approximated with a total pupil illumination GP using the multiple exposure method described above in such a way that individual pupil illuminations Pi, which result in this total pupil illumination, satisfy predetermined boundary conditions, in particular with regard to exposure parameters telecentricity, ellipticity and uniformity across the fields 5, 11.

10 zeigt eine Gesamt-Pupillenausleuchtung GP, die der Ziel-Pupillenausleuchtung ZP nach 9 angenähert ist. Ausgeleuchtete Pupillenfacetten 23i eines Pupillenfacettenspiegels 22, der anstelle der in der 4 angedeuteten Ausführung zum Einsatz kommen kann, sind in der 10 zur Veranschaulichung ihrer Beaufschlagung mit dem Beleuchtungslicht 16 mit einem Groß- oder Kleinbuchstaben versehen. 10 shows a total pupil illumination GP, which corresponds to the target pupil illumination ZP according to 9 Illuminated pupil facets 23 i of a pupil facet mirror 22, which is used instead of the 4 The design indicated can be used in the 10 to illustrate their exposure to the illumination light 16 with an upper or lower case letter.

Der Pupillenfacettenspiegel 22 nach 10 hat quadratisch berandete Pupillenfacetten 23i. Alternativ können diese Pupillenfacetten 23i auch rund oder auch beispielsweise hexagonal berandet sein.The pupillary facet mirror 22 according to 10 has square-edged pupil facets 23 i . Alternatively, these pupil facets 23 i can also be round or, for example, hexagonal-edged.

Bei der Gesamt- Pupillenausleuchtung GP nach 10 sind diejenigen Pupillenfacetten, die im belichtungsfreien Spotbereich 38 der Ziel-Pupillenausleuchtung ZP nach 9 angeordnet sind, nicht mit dem Beleuchtungslicht 16 beaufschlagt. Zudem liegen in einem Zentralbereich 39 des Pupillenfacettenspiegels 22 nach 10 keine mit dem Beleuchtungslicht 16 beaufschlagten Pupillenfacetten 23i vor. Bei der Gesamt-Pupillenausleuchtung GP nach 10 sind ansonsten alle Pupillenfacetten 23i des Pupillenfacettenspiegels 22 mit dem Beleuchtungslicht 16 beaufschlagt.For the total pupil illumination GP according to 10 are those pupil facets that are in the exposure-free spot area 38 of the target pupil illumination ZP after 9 are not exposed to the illumination light 16. In addition, in a central area 39 of the pupil facet mirror 22, 10 no pupil facets 23 i exposed to the illumination light 16 are present. The total pupil illumination GP according to 10 Otherwise, all pupil facets 23 i of the pupil facet mirror 22 are exposed to the illumination light 16.

Die 11 bis 13 zeigen die drei Einzel-Pupillenausleuchtungen P1 ( 11), P2 (12) und P2 (13), die kumuliert die Gesamt-Pupillenausleuchtung GP nach 10 ergeben. Bei jeder dieser Einzel- Pupillenausleuchtungen P1 bis P3 liegt ein Pupillenfüllgrad von 33 % der Gesamt-Pupillenausleuchtung GP vor. Bei jeder dieser Einzel-Pupillenausleuchtungen P1 bis P3 wird also ein Drittel der bei der Gesamt-Pupillenausleuchtung nach 10 mit dem Beleuchtungslicht 16 beaufschlagten Pupillenfacetten 23i beaufschlagt.The 11 to 13 show the three individual pupil illuminations P1 ( 11 ), P2 ( 12 ) and P2 ( 13 ), which cumulates the total pupil illumination GP after 10 For each of these individual pupil illuminations P1 to P3, a pupil filling level of 33% of the total pupil illumination GP is present. For each of these individual pupil illuminations P1 to P3, one third of the total pupil illumination according to 10 with the illumination light 16 applied to the pupil facets 23 i .

Die drei Einzel-Pupillenausleuchtungen P1 bis P3 haben jeweils kleine Telezentriewerte Tx, Ty im Bereich von weniger als 2 mrad. Zur Definition der x-Telezentrie Tx und der y-Telezentrie Ty wird verwiesen auf die DE 10 2014 223 811 B4 und die dort angegebenen Referenzen.The three individual pupil illuminations P1 to P3 each have small telecentricity values Tx, Ty in the range of less than 2 mrad. For the definition of x-telecentricity Tx and y-telecentricity Ty, please refer to the DE 10 2014 223 811 B4 and the references given there.

In entsprechender Weise, wie vorstehend für den Belichtungsparameter Telezentriewert diskutiert, ist auch eine alternative oder zusätzliche Optimierung weiterer Belichtungsparameter möglich, beispielsweise der Elliptizität der Belichtung oder auch der Polarisation der Belichtung. Zur Definition des Parameters „Elliptizität“ wird verwiesen auf die WO 2021/073993 A1 und die dort angegebenen Referenzen.In a similar way as discussed above for the exposure parameter telecentricity value, an alternative or additional optimization of other exposure parameters is also possible, for example the ellipticity of the exposure or the polarization of the exposure. To define the Parameter “Ellipticity” is referred to the WO 2021/073993 A1 and the references given there.

Ein weiteres Beispiel für einen zu optimierenden Parameter ist eine Uniformität einer Beleuchtungsintensitätsverteilung über das Objektfeld 5, wobei entweder eine möglichst homogene Beleuchtungsintensitätsverteilung, insbesondere integriert über die Scanrichtung 4, vorgegeben werden kann, oder eine Ziel-Beleuchtungsintensitätsverteilung über das Objektfeld 5. Eine Einrichtung zur alternativ möglichen Beeinflussung der Uniformität im Feldbereich ist offenbart in der EP 0 952 492 A2 .Another example of a parameter to be optimized is a uniformity of an illumination intensity distribution over the object field 5, whereby either an illumination intensity distribution that is as homogeneous as possible, in particular integrated over the scanning direction 4, can be specified, or a target illumination intensity distribution over the object field 5. A device for alternatively influencing the uniformity in the field area is disclosed in the EP 0 952 492 A2 .

Mit diesen drei Einzel-Pupillenausleuchtungen P1 bis P3 nach den 11 bis 13 wird kumuliert die Gesamt-Pupillenausleuchtung GP nach 10 erzeugt, die ihrerseits einen Pupillenfüllgrad von 87 % aufweist. Aufgrund der Tatsache, dass manche der Pupillenfacetten 23i bei mehreren der Einzel-Pupillenausleuchtungen P1 bis P3 ausgeleuchtet werden, ergibt sich kein Intensitätsverlust, da alle vom Feldfacettenspiegel 20 erzeugten Beleuchtungslicht-Teilbündel genutzt werden. Die Gesamt-Pupillenausleuchtung GP hat zudem sehr geringe Telezentriewerte (Tx = 0 mrad, Ty < 0,6 mrad).With these three individual pupil illuminations P1 to P3 according to the 11 to 13 The total pupil illumination GP is cumulated after 10 which in turn has a pupil filling level of 87%. Due to the fact that some of the pupil facets 23 i are illuminated by several of the individual pupil illuminations P1 to P3, there is no loss of intensity, since all of the illumination light partial beams generated by the field facet mirror 20 are used. The total pupil illumination GP also has very low telecentricity values (Tx = 0 mrad, Ty < 0.6 mrad).

Anhand der 14 bis 20 werden weitere Beispiele insbesondere für Einzel-Pupillenausleuchtungen Pi erläutert, die zur Erzeugung einer komplett gefüllten Gesamt-Pupillenausleuchtung GP nach 14 bei Einsatz des Pupillenfacettenspiegels 22 nach 10 genutzt werden. Bis auf den nicht mit dem Beleuchtungslicht 16 beaufschlagten Zentralbereich 39 werden bei der Gesamt-Pupillenausleuchtung GP nach 14 alle Pupillenfacetten 23i des Pupillenfacettenspiegels 22 mit dem Beleuchtungslicht 16 beaufschlagt.Based on the 14 to 20 Further examples are explained, particularly for individual pupil illuminations P i , which are used to generate a completely filled total pupil illumination GP according to 14 when using the pupil facet mirror 22 after 10 Except for the central area 39, which is not illuminated by the illumination light 16, the total pupil illumination GP is calculated according to 14 all pupil facets 23 i of the pupil facet mirror 22 are exposed to the illumination light 16.

Bei der Variante der Einzel-Pupillenausleuchtungen P1 (15), P2 ( 16) und P3 (17) nach den 15 bis 17, die kumuliert wiederum die Gesamt-Pupillenausleuchtung GP nach 14 ergeben, wird die Gesamt-Pupillenausleuchtung GP in drei annulare Einzel-Pupillenausleuchtungen P1 (kleine Beleuchtungswinkel), P2 (mittlere Beleuchtungswinkel) und P3 (große Beleuchtungswinkel) aufgeteilt. Bei jeder dieser drei Einzel-Pupillenausleuchtungen P1 bis P3 ist ein Drittel der Pupillenfacetten 23i der Gesamt-Pupillenausleuchtung GP nach 14 beaufschlagt.In the variant of single pupil illumination P1 ( 15 ), P2 ( 16 ) and P3 ( 17 ) according to the 15 to 17 , which in turn accumulates the total pupil illumination GP after 14 , the total pupil illumination GP is divided into three annular individual pupil illuminations P1 (small illumination angles), P2 (medium illumination angles) and P3 (large illumination angles). For each of these three individual pupil illuminations P1 to P3, one third of the pupil facets 23 i of the total pupil illumination GP is 14 applied.

Die 18 bis 20 zeigen ein weiteres Beispiel für drei Einzel-Pupillenausleuchtungen P1 (18), P2 (19) und P3 (20), die kumuliert wiederum die Gesamt-Pupillenausleuchtung GP nach 14 ergeben. Die drei Einzel-Pupillenausleuchtungen P1 bis P3 nach den 18 bis 20 sind im Vergleich zu den annularen Settings der Einzel-Pupillenausleuchtungen P1 bis P3 nach den 15 bis 17 durch quasi statistisch über den gesamten Pupillenfacettenspiegel 22 verteilt mit dem Beleuchtungslicht 16 beaufschlagte Pupillenfacetten 23i realisiert. Bei jeder dieser Einzel-Pupillenausleuchtungen P1 bis P3 nach den 18 bis 20 wird wiederum ein Drittel der Pupillenfacetten 23i der Gesamt-Pupillenausleuchtung GP nach 14 beaufschlagt.The 18 to 20 show another example of three single pupil illuminations P1 ( 18 ), P2 ( 19 ) and P3 ( 20 ), which in turn cumulates the total pupil illumination GP after 14 The three individual pupil illuminations P1 to P3 according to the 18 to 20 are compared to the annular settings of the single pupil illuminations P1 to P3 according to the 15 to 17 by pupil facets 23 i distributed quasi statistically over the entire pupil facet mirror 22 with the illumination light 16. For each of these individual pupil illuminations P1 to P3 according to the 18 to 20 In turn, one third of the pupil facets 23 i of the total pupil illumination GP is 14 applied.

Wie bei der Verteilung der Einzel-Pupillenausleuchtungen P1 bis P3 nach den 15 bis 17 ist auch bei der Verteilung nach den 18 bis 20 keine Pupillenfacette 23i bei einer jeweiligen Einzel-Pupillenausleuchtung Pi doppelt beaufschlagt. Jede der Pupillenfacetten 23i taucht also bei genau einer der drei Einzel-Pupillenausleuchtungen P1 bis P3 sowohl nach den 15 bis 17 als auch nach den 18 bis 20 als beaufschlagte Pupillenfacette 23i auf.As with the distribution of the individual pupil illuminations P1 to P3 according to the 15 to 17 is also the case with the distribution according to the 18 to 20 No pupil facet 23 i is exposed twice for a respective individual pupil illumination Pi. Each of the pupil facets 23 i is therefore exposed for exactly one of the three individual pupil illuminations P1 to P3 both according to the 15 to 17 as well as after the 18 to 20 as exposed pupil facet 23 i .

21 zeigt ein weiteres Beispiel einer vorgebbaren Gesamt-Pupillenausleuchtung GP. Diese Gesamt-Pupillenausleuchtung GP nach 21 wird erzeugt durch Kumulation von Einzel-Pupillenausleuchtungen P1 (22), P2 (23) und P3 (24). 21 shows another example of a predeterminable total pupil illumination GP. This total pupil illumination GP according to 21 is generated by cumulation of individual pupil illuminations P1 ( 22 ), P2 ( 23 ) and P3 ( 24 ).

Die in die Pupillenfacetten 23i der Gesamt-Pupillenausleuchtung GP nach 21 eingeschriebene Zahl „1“, „2“ oder „3“ veranschaulicht, wie oft die jeweilige Pupillenfacette 23i bei der Kumulation der drei Einzel-Pupillenausleuchtungen P1 bis P3 nach den 22 bis 24 mit dem Beleuchtungslicht 16 beaufschlagt ist. Manche der Pupillenfacetten 23i werden bei der kumulierten Gesamt-Pupillenausleuchtung GP nach 21 also dreimal, manche zweimal, manche einmal und manche überhaupt nicht mit dem Beleuchtungslicht 16 beaufschlagt. Bei den Einzel-Pupillenausleuchtungen P1 bis P3 nach den 22 bis 24 wird jeweils ein Drittel der Beleuchtungslicht-Teilbündel zum Beaufschlagen genutzt, die zum kumulierten Erzeugen der Gesamt-Pupillenausleuchtung GP nach 21 erforderlich sind.The pupil facets 23 i of the total pupil illumination GP according to 21 The number “1”, “2” or “3” inscribed on the image shows how often the respective pupil facet 23 i is illuminated when the three individual pupil illuminations P1 to P3 are cumulated according to the 22 to 24 is exposed to the illumination light 16. Some of the pupil facets 23 i are illuminated by the cumulative total pupil illumination GP according to 21 Some pupils are exposed to the illumination light 16 three times, some twice, some once and some not at all. For the individual pupil illuminations P1 to P3 according to the 22 to 24 One third of the illumination light beams are used to generate the cumulative total pupil illumination GP according to 21 are required.

Die Einzel-Pupillenausleuchtung P1 nach 22 hat einen Tx-Telezentriewert im Bereich von - 3 mrad und einen Ty-Telezentriewert im Bereich von 0 mrad.The single pupil illumination P1 according to 22 has a Tx telecentricity value in the range of - 3 mrad and a Ty telecentricity value in the range of 0 mrad.

Die Einzel-Pupillenausleuchtung P2 nach 23 hat einen Tx-Telezentriewert im Bereich von 3 mrad und einen Ty-Telezentriewert im Bereich von - 2 mrad.The single pupil illumination P2 according to 23 has a Tx telecentricity value in the range of 3 mrad and a Ty telecentricity value in the range of - 2 mrad.

Die Einzel-Pupillenausleuchtung P3 nach 24 hat einen Tx-Telezentriewert im Bereich von - 5 mrad und einen Ty-Telezentriewert im Bereich von 5 mrad.The single pupil illumination P3 according to 24 has a Tx telecentricity value in the range of - 5 mrad and a Ty telecentricity value in the range of 5 mrad.

Für Objektstrukturen auf dem Objekt 7, die zu den x-/y-Koordinatenachsen um 45° geneigt sind, ergibt sich ein verschwindender Einfluss von Änderungen der Einzel-Pupillenausleuchtungen P1 bis P3 nach den 22 bis 24 auf einen Abbildungsversatz im Bildfeld 11 der abbildenden Optik 10. Insbesondere der Beitrag eines Zernike-Polynoms Z7, der bei einer Entwicklung eines entsprechenden Abbildungsversatz-Einflusses zum Einsatz kommt, kann genau den Wert 0 haben.For object structures on object 7 that are inclined by 45° to the x-/y-coordinate axes, there is a negligible influence of changes in the individual pupil illuminations P1 to P3 according to the 22 to 24 to an imaging offset in the image field 11 of the imaging optics 10. In particular, the contribution of a Zernike polynomial Z7, which is used in a development of a corresponding imaging offset influence, can have exactly the value 0.

Entsprechend ergibt sich auch für die Gesamt-Pupillenausleuchtung GP nach 21, dass dort das Zernike-Polynom Z7, das den Abbildungsversatz für diese 45°-Objektstrukturen beschreibt, den Wert 0 hat, nämlich die Kumulation der Z7-Werte (jeweils 0) der drei Einzel-Pupillenausleuchtungen P1 bis P3 nach den 22 bis 24.Accordingly, the total pupil illumination GP is calculated as follows: 21 that the Zernike polynomial Z7, which describes the image offset for these 45° object structures, has the value 0, namely the cumulation of the Z7 values (each 0) of the three individual pupil illuminations P1 to P3 according to the 22 to 24 .

Die Gesamt-Pupillenausleuchtung GP nach 21 hat Telezentriewerte Tx im Bereich von - 2 mrad und Ty im Bereich von 1 mrad.The total pupil illumination GP according to 21 has telecentricity values Tx in the range of - 2 mrad and Ty in the range of 1 mrad.

Bei den vorstehend diskutierten Gesamt-Pupillenausleuchtungen GP tragen die jeweiligen Einzel-Pupillenausleuchtungen Pi mit der gleichen Intensität zur Gesamtintensität der Gesamt-Pupillenausleuchtung GP bei.In the total pupil illumination GP discussed above, the respective individual pupil illuminations Pi contribute with the same intensity to the total intensity of the total pupil illumination GP.

Eine alternative Intensitätsgewichtung der Pupillenfacetten-Ausleuchtungen bei den drei Einzel-Pupillenausleuchtungen P1 bis P3 nach den 22 bis 24 ermöglicht einen weiteren Freiheitsgrad, der bei der Gesamt-Pupillenausleuchtung GP nach 21 dann auch die Telezentriewerte grundsätzlich zu 0 werden lassen kann. Hierbei wird die Einzel-Pupillenausleuchtung P1 mit der Intensitätsgewichtung 1,5, die Einzel-Pupillenausleuchtungen P2 nach 23 mit der Intensitätsgewichtung 3 und die Einzel-Pupillenausleuchtung P3 nach 24 mit der Intensitätsgewichtung 1 mit dem Beleuchtungslicht 16 beaufschlagt. Die Einzel-Pupillenausleuchtungen P1 bis P3 nach den 22 bis 24 haben dabei für sich die gleichen Telezentriewerte Tx und Ty, wie vorstehend erläutert. Die Gesamt-Pupillenausleuchtung GP nach 21 hat bei einer derartigen Intensitätsgewichtung 1,5/3/1 der Einzel-Pupillenausleuchtungen P1/P2/P3 nach den 22 bis 24 Telezentriewerte Tx und Ty jeweils von 0. Auch der Koeffizient Z7 bleibt, wie vorstehend in Zusammenhang mit den Einzel-Pupillenausleuchtungen P1 bis P3 nach den 22 bis 24 erläutert, bei 0.An alternative intensity weighting of the pupil facet illuminations for the three individual pupil illuminations P1 to P3 according to the 22 to 24 allows a further degree of freedom, which in the total pupil illumination GP after 21 then the telecentricity values can basically be set to 0. Here, the individual pupil illumination P1 is weighted with the intensity 1.5, the individual pupil illuminations P2 according to 23 with the intensity weighting 3 and the single pupil illumination P3 according to 24 with the intensity weighting 1 with the illumination light 16. The individual pupil illuminations P1 to P3 according to the 22 to 24 have the same telecentricity values Tx and Ty as explained above. The total pupil illumination GP according to 21 With such an intensity weighting 1.5/3/1 of the individual pupil illuminations P1/P2/P3 according to the 22 to 24 Telecentricity values Tx and Ty are each 0. The coefficient Z7 also remains, as above in connection with the individual pupil illuminations P1 to P3 according to the 22 to 24 explained, at 0.

Mithilfe einer entsprechenden Vorgabe der Einzel-Pupillenausleuchtungen Pi können also durch Nutzung entsprechender Freiheitsgrade mehrere Belichtungs-Randbedingungen für die Gesamt-Pupillenausleuchtung gleichzeitig optimiert werden.By specifying the individual pupil illumination Pi accordingly, several exposure boundary conditions for the overall pupil illumination can be optimized simultaneously by using appropriate degrees of freedom.

Zur Herstellung eines mikro- bzw. nanostrukturierten Bauteils wird die Projektionsbelichtungsanlage 1 folgendermaßen eingesetzt: Zunächst werden die Reflexionsmaske 7 bzw. das Retikel und das Substrat bzw. der Wafer 13 bereitgestellt. Anschließend wird eine Struktur auf dem Retikel 7 auf eine lichtempfindliche Schicht des Wafers 13 mithilfe der Projektionsbelichtungsanlage 1 projiziert. Durch Entwicklung der lichtempfindlichen Schicht wird dann eine Mikro- oder Nanostruktur auf dem Wafer 13 und somit das mikrostrukturierte Bauteil erzeugt. Hergestellt werden kann hierüber ein Halbleiter-Mikrochip, insbesondere ein Speicherchip.To produce a micro- or nanostructured component, the projection exposure system 1 is used as follows: First, the reflection mask 7 or the reticle and the substrate or the wafer 13 are provided. A structure on the reticle 7 is then projected onto a light-sensitive layer of the wafer 13 using the projection exposure system 1. By developing the light-sensitive layer, a micro- or nanostructure is then produced on the wafer 13 and thus the microstructured component. A semiconductor microchip, in particular a memory chip, can be produced in this way.

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Claims (11)

Verfahren zur Mehrfachbelichtung eines abzubildenden Objekts (7) unter Verwendung einer Beleuchtungsoptik (4), mittels der eine Intensitätsverteilung in einer Pupille der Beleuchtungsoptik (4) mittels einer Mehrzahl von Teilbündeln von Beleuchtungslicht (16) vorgegeben werden kann, mit folgenden Schritten: - Vorgeben eines Satzes von Einzel-Pupillenausleuchtungen (Pi), aufweisend mindestens zwei verschiedene Einzel-Pupillenausleuchtungen (Pi), die kumuliert eine Gesamt-Pupillenausleuchtung (GP) der Beleuchtungsoptik (4) zum Belichten des Objekts (7) ergeben, - sequenzielles Belichten des Objekts (7), jeweils mit einer der vorgegebenen Einzel-Pupillenausleuchtungen (Pi) des vorgegebenen Satzes der Einzel-Pupillenausleuchtungen (Pi), bis ein und derselbe Abschnitt des Objekts (7) mit allen Einzel-Pupillenausleuchtungen (Pi) des vorgegebenen Satzes von Einzel-Pupillenausleuchtungen (Pi) belichtet wurde.Method for multiple exposure of an object (7) to be imaged using an illumination optics (4) by means of which an intensity distribution in a pupil of the illumination optics (4) can be specified by means of a plurality of partial beams of illumination light (16), with the following steps: - specifying a set of individual pupil illuminations (Pi), having at least two different individual pupil illuminations (Pi), which cumulatively result in a total pupil illumination (GP) of the illumination optics (4) for exposing the object (7), - sequentially exposing the object (7), in each case with one of the specified individual pupil illuminations (Pi) of the specified set of individual pupil illuminations (Pi), until one and the same section of the object (7) has been exposed with all individual pupil illuminations (Pi) of the specified set of individual pupil illuminations (Pi). Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass beim Vorgeben des Satzes von Einzel-Pupillenausleuchtungen (Pi) folgende Schritte durchgeführt werden: - Definieren (31) von Belichtungs-Randbedingungen, die eine optimale Ziel-Pupillenausleuchtung (ZP) ergeben, wobei hierzu ein Definieren einer Merit-Funktion (33) gehört, in die die Belichtungs-Randbedingungen eingehen, - Variieren (36) einer vorgegebenen Anzahl von mit der Beleuchtungsoptik (4) möglichen Ist-Einzel-Pupillenausleuchtungen solange, bis ein Ist-Wert der Merit-Funktion (33), der bei einem gegebenen Satz von Einzel-Pupillenausleuchtungen (Pi) resultiert, mit einem Soll-Wert der Merit-Funktion (33) innerhalb einer vorgegebenen Toleranz übereinstimmt und damit ein Toleranzkriterium erfüllt, - Vorgeben des Satzes der Einzel-Pupillenausleuchtungen (Pi), der beim Schritt „Variieren“ (36) das Toleranzkriterium erfüllt.procedure according to claim 1 , characterized in that when specifying the set of individual pupil illuminations (Pi), the following steps are carried out: - defining (31) exposure boundary conditions which result in an optimal target pupil illumination (ZP), this including defining a merit function (33) into which the exposure boundary conditions are included, - varying (36) a predetermined number of actual individual pupil illuminations possible with the illumination optics (4) until an actual value of the merit function (33) which results from a given set of individual pupil illuminations (Pi) matches a target value of the merit function (33) within a predetermined tolerance and thus fulfills a tolerance criterion, - specifying the set of individual pupil illuminations (Pi) which fulfills the tolerance criterion in the "varying" step (36). Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass in das Definieren (31) der Beleuchtungs-Randbedingungen Belichtungs-Randbedingungen eingehen, die von der Gesamt-Pupillenausleuchtung (GP) zu erfüllen sind.procedure according to claim 2 , characterized in that the definition (31) of the illumination boundary conditions includes exposure boundary conditions which are to be fulfilled by the total pupil illumination (GP). Verfahren nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass in das Definieren (31) der Beleuchtungs-Randbedingungen Belichtungs-Randbedingungen eingehen, die von jeder der Einzel-Pupillenausleuchtungen (Pi) zu erfüllen sind.procedure according to claim 2 or 3 , characterized in that the definition (31) of the illumination boundary conditions includes exposure boundary conditions which are to be fulfilled by each of the individual pupil illuminations (Pi). Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass in das Definieren (31) der Belichtungs-Randbedingungen eingehen: - ein Bestimmen von Wirkungen von Symmetrien und/oder Orientierungen von Objektstrukturen des Objekts (7) auf eine Abbildungsqualität des Objekts (7) bei der jeweiligen Ziel-Pupillenausleuchtung (ZP); und/oder - ein Bestimmen von Auswirkungen eines Aufbaus der Beleuchtungsoptik (4) zum Erreichen einer Gesamt-Pupillenausleuchtung (GP), die der Ziel-Pupillenausleuchtung (ZP) möglichst nahekommt; und/oder - ein Bestimmen von Auswirkungen eines Aufbaus einer abbildenden Optik (10) zum Abbilden eines Objektfeldes (5) in ein Bildfeld (11) auf eine Abbildungsqualität des Objekts (7) bei der jeweiligen Ziel-Pupillenausleuchtung (ZP); und/oder - ein Vorgeben einer maximalen Abweichung zwischen der Ziel-Pupillenausleuchtung (ZP) und der Gesamt-Pupillenausleuchtung (GP) hinsichtlich mindestens eines Belichtungsparameters; und/oder - ein Vorgeben einer maximalen Abweichung zwischen einer Soll-Feldausleuchtung und einer Ist-Feldausleuchtung des Objektfeldes (5) und/oder des Bildfeldes (11) hinsichtlich mindestens eines Belichtungsparameters; und/oder - eine maximale Anzahl der Beleuchtungs-Teilbündel, die zur Vorgabe einer jeweiligen Einzel-Pupillenausleuchtung (Pi) zum Einsatz kommt; und/oder - eine maximale Anzahl der Einzel-Pupillenausleuchtungen (Pi), die zur Erzeugung der Gesamt-Pupillenausleuchtung (GP) zum Einsatz kommt.Method according to one of the Claims 2 until 4 , characterized in that the definition (31) of the exposure boundary conditions includes: - determining effects of symmetries and/or orientations of object structures of the object (7) on an imaging quality of the object (7) at the respective target pupil illumination (ZP); and/or - determining effects of a structure of the illumination optics (4) for achieving a total pupil illumination (GP) that is as close as possible to the target pupil illumination (ZP); and/or - determining effects of a structure of an imaging optics (10) for imaging an object field (5) in an image field (11) on an imaging quality of the object (7) at the respective target pupil illumination (ZP); and/or - specifying a maximum deviation between the target pupil illumination (ZP) and the total pupil illumination (GP) with respect to at least one exposure parameter; and/or - specifying a maximum deviation between a desired field illumination and an actual field illumination of the object field (5) and/or the image field (11) with respect to at least one exposure parameter; and/or - a maximum number of illumination sub-beams that are used to specify a respective individual pupil illumination (Pi); and/or - a maximum number of individual pupil illuminations (Pi) that are used to generate the total pupil illumination (GP). Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass in die Definition der Merit-Fuktion (33) eingeht: - ein Bewerten eines Einflusses von Änderungen der Einzel-Pupillenausleuchtung (Pi) und/oder von Änderungen der Gesamt-Pupillenausleuchtung (GP) auf einen Abbildungsversatz im Bildfeld (11) einer abbildenden Optik (10) zum Abbilden des Objektfeldes (5).Method according to one of the Claims 2 until 5 , characterized in that the definition of the merit function (33) includes: - an evaluation of an influence of changes in the individual pupil illumination (P i ) and/or of changes in the total pupil illumination (GP) on an imaging offset in the image field (11) of an imaging optics (10) for imaging the object field (5). Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass das in das Bewerten des Einflusses eine Polynomentwicklung einer zur Pupillenausleuchtung vorgegebenen Intensitätsverteilung eingeht.procedure according to claim 6 , characterized in that the evaluation of the influence includes a polynomial expansion of an intensity distribution predetermined for pupil illumination. Verfahren zum Herstellen eines strukturierten Bauelements mittels einer Projektionsbelichtungsanlage (1) mit einer Lichtquelle (3), einer Beleuchtungsoptik (4) und einer abbildenden Optik (10) unter Einsatz eines Mehrfachbelichtungsverfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 7.Method for producing a structured component by means of a projection exposure system (1) with a light source (3), an illumination optics (4) and an imaging optics (10) using a multiple exposure method according to one of the Claims 1 until 7 . Verfahren nach Anspruch 8, unter Einsatz einer Beleuchtungsoptik (4) - mit einem Feldfacettenspiegel (20) mit einer Mehrzahl von Feldfacetten (21) zur Vergabe von Teilbündeln des Beleuchtungslichts (16), - mit einem Pupillenfacettenspiegel (22), angeordnet in einer Pupillenebene (25) der Beleuchtungsoptik (4), mit einer Mehrzahl von Pupillenfacetten (23) zur einander überlagernden Überführung der Teilbündel des Beleuchtungslichts (16) in das Objektfeld (5).procedure according to claim 8 , using an illumination optics (4) - with a field facet mirror (20) with a plurality of field facets (21) for the allocation of partial beams of the illumination light (16), - with a pupil facet mirror (22), arranged in a pupil plane (25) of the illumination optics (4), with a plurality of pupil facets (23) for the superimposed transfer of the partial beams of the illumination light (16) into the object field (5). Verfahren nach Anspruch 8 oder 9 unter Einsatz einer Beleuchtungsoptik (4) mit einem Feldfacettenspiegel (20) mit zwischen mindestens zwei Kipp-Positionen schaltbaren Feldfacetten (21).procedure according to claim 8 or 9 using an illumination optics (4) with a field facet mirror (20) with field facets (21) that can be switched between at least two tilting positions. Bauelement, hergestellt nach einem Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 10.Component manufactured by a process according to one of the Claims 8 until 10 .
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