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DE102023203688A1 - Micromechanical device - Google Patents

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DE102023203688A1
DE102023203688A1 DE102023203688.6A DE102023203688A DE102023203688A1 DE 102023203688 A1 DE102023203688 A1 DE 102023203688A1 DE 102023203688 A DE102023203688 A DE 102023203688A DE 102023203688 A1 DE102023203688 A1 DE 102023203688A1
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DE
Germany
Prior art keywords
region
anchor
substrate
micromechanical
functional layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE102023203688.6A
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German (de)
Inventor
Zsombor Cseke
Jochen Reinmuth
Maria Gruz Varona
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Robert Bosch GmbH
Original Assignee
Robert Bosch GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Robert Bosch GmbH filed Critical Robert Bosch GmbH
Priority to DE102023203688.6A priority Critical patent/DE102023203688A1/en
Publication of DE102023203688A1 publication Critical patent/DE102023203688A1/en
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Abstract

Die Erfindung geht aus von einer mikromechanischen Vorrichtung mit einem Substrat (100), mit einer Verankerung (200) und mit einer mikromechanischen Struktur (400, 400', 400'', 400'''), wobei die Verankerung auf dem Substrat angeordnet und befestigt ist, wobei die mikromechanische Struktur über dem Substrat angeordnet und an der Verankerung befestigt ist.Der Kern der Erfindung besteht darin, dass die Verankerung einen ersten Bereich (210) aufweist, welcher mit dem Substrat verbunden ist, einen zweiten Bereich (220) aufweist, welcher mit dem ersten Bereich und wenigstens mit einem Teil (400', 400'', 400''') der mikromechanischen Struktur verbunden ist und der erste Bereich vom zweiten Bereich elektrisch isoliert ist.The invention is based on a micromechanical device with a substrate (100), with an anchor (200) and with a micromechanical structure (400, 400', 400'', 400'''), wherein the anchor is arranged and fastened on the substrate, wherein the micromechanical structure is arranged above the substrate and fastened to the anchor.The core of the invention is that the anchor has a first region (210) which is connected to the substrate, has a second region (220) which is connected to the first region and to at least a part (400', 400'', 400''') of the micromechanical structure and the first region is electrically insulated from the second region.

Description

Stand der TechnikState of the art

Die Erfindung geht aus von einer mikromechanischen Vorrichtung mit einem Substrat, mit einer Verankerung und mit einer mikromechanischen Struktur, wobei die Verankerung auf dem Substrat angeordnet und befestigt ist, wobei die mikromechanische Struktur über dem Substrat angeordnet und an der Verankerung befestigt ist.The invention is based on a micromechanical device with a substrate, with an anchor and with a micromechanical structure, wherein the anchor is arranged and fastened on the substrate, wherein the micromechanical structure is arranged above the substrate and fastened to the anchor.

Solche oberflächen-mikromechanischen Vorrichtungen sind im Stand der Technik vielfach bekannt. Ein Problem mikromechanischer Vorrichtungen, insbesondere von Sensoren, wie Beschleunigungssensoren, Drehratensensoren und Inertialsensoren allgemein ist der Signal-Offset und die Offset-Stabilität. Intrinsische und von außen induzierte mechanische Spannungen verformen die mikromechanische Vorrichtung und verändern so den Offset. Um diesen Effekt zu minimieren, werden Designs mit möglichst zentral und eng beieinanderliegenden Verankerungen für mikromechanische Strukturen gewählt. Ein typisches Design für einen kapazitiven Beschleunigungssensor weist drei Verankerungen für die drei elektrisch getrennten Hauptteile des Sensors auf, nämlich die seismische Masse, die erste Festelektrode und die zweite Festelektrode. Die drei Hauptteile sind mittels Leiterbahnen über die jeweilige Verankerung mit unterschiedlichen elektrischen Potentialen verbunden. Die drei Verankerungen müssen deshalb separat ausgeführt sein. Sie dürfen sich nicht berühren, sonst kommt es zu einem elektrischen Kurzschluss. Auch wenn die Verankerungen eng beieinanderliegen, kommt es zu veränderlichen Offset Bedingungen (1 A-C).Such surface micromechanical devices are widely known in the state of the art. A problem with micromechanical devices, in particular sensors such as acceleration sensors, yaw rate sensors and inertial sensors in general, is the signal offset and offset stability. Intrinsic and externally induced mechanical stresses deform the micromechanical device and thus change the offset. In order to minimize this effect, designs with anchors for micromechanical structures that are as central and close to each other as possible are chosen. A typical design for a capacitive acceleration sensor has three anchors for the three electrically separate main parts of the sensor, namely the seismic mass, the first fixed electrode and the second fixed electrode. The three main parts are connected to different electrical potentials via conductor tracks via the respective anchor. The three anchors must therefore be designed separately. They must not touch each other, otherwise an electrical short circuit will occur. Even if the anchors are close to each other, variable offset conditions occur ( 1 AC ).

Aufgabe der Erfindungtask of the invention

Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, eine mikromechanische Vorrichtung mit stabilen Offset Eigenschaften zu schaffen.The object of the invention is to create a micromechanical device with stable offset properties.

Kern und Vorteile der ErfindungCore and advantages of the invention

Der Kern der Erfindung besteht darin, dass die Verankerung einen ersten Bereich aufweist, welcher mit dem Substrat verbunden ist, einen zweiten Bereich aufweist, welcher mit dem ersten Bereich und wenigstens mit einem Teil der mikromechanischen Struktur verbunden ist und der erste Bereich vom zweiten Bereich elektrisch isoliert ist.The core of the invention is that the anchor has a first region which is connected to the substrate, a second region which is connected to the first region and to at least part of the micromechanical structure, and the first region is electrically insulated from the second region.

Eine vorteilhafte Ausgestaltung der Erfindung sieht vor, dass der erste Bereich vom zweiten Bereich durch einen Graben getrennt ist, welcher mit einem dielektrischen Material gefüllt ist. vorteilhaft kann durch den gefüllten Graben die Verankerung lateral in elektrisch isolierte und mechanisch verbundenen Bereiche unterteilt werden.An advantageous embodiment of the invention provides that the first region is separated from the second region by a trench which is filled with a dielectric material. The anchoring can advantageously be divided laterally into electrically isolated and mechanically connected regions by the filled trench.

Besonders vorteilhaft ist, dass der erste Bereich und der zweite Bereich aus Silizium sind und das dielektrische Material Silizium-reiches Nitrid ist. Vorteilhaft lassen sich mit dielektrischem SiRiN verschiedene Bereiche der Verankerung mechanisch aneinander befestigen, wobei durch den Siliziumanteil auch noch die intrinsische mechanische Spannung eingestellt werden kann.It is particularly advantageous that the first region and the second region are made of silicon and the dielectric material is silicon-rich nitride. Dielectric SiRiN can be used to mechanically attach different areas of the anchor to one another, whereby the intrinsic mechanical stress can also be adjusted using the silicon content.

Eine vorteilhafte Ausgestaltung der Erfindung sieht vor, dass der erste Bereich mit einer ersten Leiterbahn und der zweite Bereich mit einer zweiten Leiterbahn elektrisch leitend verbunden ist. Vorteilhaft können die Bereiche so mit verschiedenen elektrischen Potentialen verbunden sein.An advantageous embodiment of the invention provides that the first region is electrically connected to a first conductor track and the second region is electrically connected to a second conductor track. The regions can thus advantageously be connected to different electrical potentials.

Besonders vorteilhaft ist, dass eine weitere Verankerung auf dem Substrat angeordnet und befestigt ist und die weitere Verankerung mit dem zweiten Bereich mittels einer Feder elektrisch leitend verbunden ist. Vorteilhaft lässt sich mit dieser weiteren Verankerung der zweite Bereich mit einem elektrischen Potential verbinden, wobei die Verbindung mechanisch weitgehend entkoppelt ist und keinen Einfluss auf die Offset-Stabilität ausübt.It is particularly advantageous that a further anchor is arranged and fastened on the substrate and the further anchor is electrically connected to the second region by means of a spring. This further anchor can advantageously be used to connect the second region to an electrical potential, whereby the connection is largely mechanically decoupled and has no influence on the offset stability.

Eine vorteilhafte Ausgestaltung der Erfindung sieht vor, dass die Verankerung einen dritten Bereich aufweist, welcher vom zweiten Bereich elektrisch isoliert ist. Besonders vorteilhaft ist, dass der dritte Bereich vom zweiten Bereich oder auch vom ersten Bereich durch einen weiteren Graben getrennt ist, welcher mit einem dielektrischen Material gefüllt ist. Vorteilhaft lassen sich so weitere lateral galvanisch getrennte Bereiche der Verankerung definieren, insbesondere um drei Bereiche mit getrennten elektrischen Potentialen auf einer einzigen Verankerung zu schaffen und somit drei Teile der mikromechanischen Struktur an einer gemeinsamen Verankerung mechanisch befestigen und mit separaten elektrischen Potentialen kontaktieren zu können.An advantageous embodiment of the invention provides that the anchor has a third region which is electrically insulated from the second region. It is particularly advantageous that the third region is separated from the second region or from the first region by a further trench which is filled with a dielectric material. This advantageously allows further laterally galvanically isolated regions of the anchor to be defined, in particular in order to create three regions with separate electrical potentials on a single anchor and thus to be able to mechanically fasten three parts of the micromechanical structure to a common anchor and to contact them with separate electrical potentials.

Eine vorteilhafte Ausgestaltung der Erfindung sieht vor, dass die Feder zwischen dem Substrat und der mechanischen Struktur angeordnet ist. Vorteilhaft wird durch diese Anordnung die Grundfläche der mikromechanischen Vorrichtung klein gehalten.An advantageous embodiment of the invention provides that the spring is arranged between the substrate and the mechanical structure. This arrangement advantageously keeps the base area of the micromechanical device small.

Besonders vorteilhaft ist, dass über dem Substrat eine dünne Funktionsschicht und über der dünnen Funktionsschicht eine dicke Funktionsschicht angeordnet ist, dass die dünne Funktionsschicht eine Dicke aufweist, die weniger als ein Drittel der Dicke der dicken Funktionsschicht beträgt und dass die Feder in der dünnen Funktionsschicht ausgebildet ist. Vorteilhaft ist die Feder dadurch sehr flexibel ausgestaltet.It is particularly advantageous that a thin functional layer is arranged above the substrate and a thick functional layer is arranged above the thin functional layer, that the thin functional layer has a thickness which is less than one third of the thickness of the thick functional layer and that the spring in the thin functional layer consists of This advantageously makes the spring very flexible.

Zeichnungdrawing

Die 1 A, B, C zeigen schematisch eine mikromechanische Vorrichtung mit einem Substrat, mit einer Verankerung und mit einer mikromechanischen Struktur im Stand der Technik mit durch Verformungen induziertem veränderlichem Offset.

  • 1 D zeigt schematisch eine erfindungsgemäße mikromechanische Vorrichtung mit stabilem Offset.
  • 2 A zeigt schematisch den Anschluss verschiedener mechanisch getrennter Verankerungen einer mikromechanischen Vorrichtung an unterschiedliche elektrische Potentiale im Stand der Technik.
  • 2 B zeigt schematisch den Anschluss eines ersten Bereichs und eines zweiten Bereichs einer Verankerung einer erfindungsgemäßen mikromechanischen Vorrichtung an unterschiedliche elektrische Potentiale.
  • 3 zeigt schematisch eine erfindungsgemäße mikromechanische Vorrichtung mit einer mikromechanischen Struktur in einer ersten Funktionsebene und einer Feder zum elektrischen Anschluss eines zweiten Bereichs einer Verankerung in einer zweiten Funktionsebene über einem Substrat.
  • 4 zeigt schematisch eine erfindungsgemäße mikromechanische Vorrichtung mit einer mikromechanischen Struktur mit einer ersten Festelektrode an einem zweiten Bereich und einer zweiten Festelektrode an einem dritten Bereich einer Verankerung.
The 1 A , B, C schematically show a micromechanical device with a substrate, with an anchor and with a micromechanical structure in the prior art with variable offset induced by deformations.
  • 1 D shows schematically a micromechanical device according to the invention with stable offset.
  • 2 A shows schematically the connection of different mechanically separated anchors of a micromechanical device to different electrical potentials in the state of the art.
  • 2 B shows schematically the connection of a first region and a second region of an anchoring of a micromechanical device according to the invention to different electrical potentials.
  • 3 shows schematically a micromechanical device according to the invention with a micromechanical structure in a first functional level and a spring for electrically connecting a second region of an anchor in a second functional level above a substrate.
  • 4 shows schematically a micromechanical device according to the invention with a micromechanical structure with a first fixed electrode at a second region and a second fixed electrode at a third region of an anchor.

BeschreibungDescription

Die 1 A, B, C zeigen schematisch einen Beschleunigungssensor mit einem Substrat, mit einer Verankerung und mit einer mikromechanischen Struktur im Stand der Technik mit durch Verformungen induziertem veränderlichem Offset.The 1 A , B, C schematically show an acceleration sensor with a substrate, with an anchor and with a micromechanical structure in the state of the art with variable offset induced by deformations.

1 A zeigt dabei eine mikromechanische Vorrichtung mit einem Substrat 100, mit einer ersten Verankerung 200 und mit einem ersten Teil einer mikromechanischen Struktur 400, einer beweglichen seismischen Masse 400'. Die erste Verankerung ist auf dem Substrat angeordnet und befestigt. Die seismische Masse 400' ist beweglich über dem Substrat angeordnet und an der ersten Verankerung befestigt. Daneben ist noch eine zweite Verankerung 200' mit einem zweiten Teil der mikromechanischen Struktur, einer ersten Festelektrode 400'' auf dem Substrat angeordnet, sowie eine dritte Verankerung 200'' mit einem dritten Teil der mikromechanischen Struktur, einer zweiten Festelektrode 400'''. Unter der ersten Festelektrode ist auf dem Substrat eine erste Bodenelektrode 101 und unter der zweiten Festelektrode ist auf dem Substrat eine zweite Bodenelektrode 102 angeordnet. Eine Festelektrode, eine Bodenelektrode und die bewegliche mikromechanische Struktur 400' dazwischen bilden jeweils einen Differentialkondensator als Messkapazität für den dargestellten kapazitiven Beschleunigungssensor. Dazu ist die bewegliche Struktur 400' aus einer oberen dicken Funktionsschicht 401 und einer unteren dünnen Funktionsschicht 402 aufgebaut. Die dicke Funktionsschicht bildet eine große seismische Masse, und die dünne Funktionsschicht bildet eine Kondensatorplatte, welche zwischen der Festelektrode und der Bodenelektrode angeordnet ist. C1 und C2 symbolisieren unterschiedliche Ladungen auf den Elektroden. Die dargestellte Vorrichtung weist drei Verankerungen 200, 200', 200'' mit drei verschiedenen elektrischen Potentialen auf. 1 A shows a micromechanical device with a substrate 100, with a first anchor 200 and with a first part of a micromechanical structure 400, a movable seismic mass 400'. The first anchor is arranged and fastened on the substrate. The seismic mass 400' is movably arranged above the substrate and fastened to the first anchor. In addition, a second anchor 200' with a second part of the micromechanical structure, a first fixed electrode 400'', is arranged on the substrate, as well as a third anchor 200'' with a third part of the micromechanical structure, a second fixed electrode 400'''. A first bottom electrode 101 is arranged on the substrate below the first fixed electrode and a second bottom electrode 102 is arranged on the substrate below the second fixed electrode. A fixed electrode, a bottom electrode and the movable micromechanical structure 400' in between each form a differential capacitor as a measuring capacitance for the capacitive acceleration sensor shown. For this purpose, the movable structure 400' is made up of an upper thick functional layer 401 and a lower thin functional layer 402. The thick functional layer forms a large seismic mass and the thin functional layer forms a capacitor plate which is arranged between the fixed electrode and the bottom electrode. C1 and C2 symbolize different charges on the electrodes. The device shown has three anchors 200, 200', 200'' with three different electrical potentials.

1 B zeigt den Beschleunigungssensor aus 1 A bei einer Verformung des Substrats 100. Infolge der Verformung verändern die drei Verankerungen 200, 200', 200'' und somit die drei Teile der mikromechanischen Struktur 400', 400'', 400''' sowie die Bodenelektroden 101, 102 ihre Lage. Das Nullsignal des Beschleunigungssensors, also der Offset ändert sich dadurch ebenfalls. Das Substrat nimmt einen Zustand der Verformung an, der durch die stark gekrümmte Linie unten angezeigt wird. Die Bauteile des Sensors bewegen sich wie starre Körper. Diese Eigenschaft ist speziell für Beschleunigungsmessstrukturen, die nur mit kleinen Ankern mit dem Substrat verbunden sind. Da sich die Elektrodenflächen im Vergleich zueinander bewegen, ändern sich die Ausgangskapazitäten und verursachen so einen Offset. Dies wird durch die im Vergleich zu 1 A geänderten Ladungen C1 und C'' symbolisiert. 1 B shows the acceleration sensor 1 A when the substrate 100 is deformed. As a result of the deformation, the three anchors 200, 200', 200'' and thus the three parts of the micromechanical structure 400', 400'', 400''' as well as the bottom electrodes 101, 102 change their position. The zero signal of the acceleration sensor, i.e. the offset, also changes as a result. The substrate assumes a state of deformation, which is indicated by the strongly curved line below. The components of the sensor move like rigid bodies. This property is special for acceleration measuring structures that are only connected to the substrate with small anchors. Since the electrode surfaces move in comparison to each other, the output capacitances change and thus cause an offset. This is caused by the 1 A changed charges C1 and C''.

1 C zeigt den Beschleunigungssensor aus 1 B, wobei die Bodenelektroden weggelassen sind. Hier bilden die beiden Festelektroden 400'', 400''' mit der beweglichen Struktur 400' einen Differentialkondensator als Messkapazität. Der Verzicht auf Bodenelektroden schließt eine Quelle für die Änderung des Offsets aus, jedoch ändert sich immer noch die Lage der mikromechanischen Strukturen 400', 400'', 400''' also der seismischen Masse und der Festelektroden zueinander, weil die drei Verankerungen 200, 200', 200'' auf dem Substrat räumlich getrennt angeordnet sind. 1 C shows the acceleration sensor 1 B , whereby the bottom electrodes are omitted. Here, the two fixed electrodes 400'', 400''' with the movable structure 400' form a differential capacitor as a measuring capacitance. The omission of bottom electrodes excludes a source for the change in the offset, but the position of the micromechanical structures 400', 400'', 400''', i.e. the seismic mass and the fixed electrodes, still changes relative to one another because the three anchors 200, 200', 200'' are arranged spatially separated on the substrate.

1 D zeigt eine erfindungsgemäße mikromechanische Vorrichtung mit stabilem Offset. Die Vorrichtung weist im Unterschied zu dem in 1 C gezeigten Beschleunigungssensor eine einzige Verankerung 200 auf. Die Verankerung weist einen ersten Bereich 210 auf, welcher mit dem Substrat 100 verbunden ist und einen zweiten Bereich 220, welcher mit dem zweiten Teil der mikromechanischen Struktur, der ersten Festelektrode 400'' verbunden ist, wobei der erste Bereich vom zweiten Bereich elektrisch isoliert ist. Der erste Bereich ist dazu vom zweiten Bereich durch einen Graben 300 getrennt, welcher mit einem dielektrischen Material 310 gefüllt ist. Die Verankerung weist auch einen dritten Bereich 230 auf, welcher mit dem dritten Teil der mikromechanischen Struktur, der zweiten Festelektrode 400''' verbunden ist und der vom zweiten Bereich und vom ersten Bereich elektrisch isoliert ist. Der erste Bereich ist dazu vom dritten Bereich durch einen weiteren Graben 300' getrennt, welcher mit einem dielektrischen Material 310 gefüllt ist. Der erste Bereich ist außerdem noch mit dem ersten Teil der mikromechanischen Struktur, nämlich der seismischen Masse 400' verbunden. Alle drei Teile der mikromechanischen Struktur sind mit demselben Anker am Substrat befestigt. Im Fall einer Verformung des Substrats bewegen sie sich für alle möglichen Substratverformungen zusammen. Dadurch kann der durch Verformung induzierte Offset bestmöglich beseitigt werden. 1 D shows a micromechanical device according to the invention with a stable offset. The device has, in contrast to the device in 1 C shown acceleration sensor has a single anchor 200. The anchor has a first region 210 which is connected to the substrate 100 and a second region 220 which is connected to the second part of the micromechanical structure, the first fixed electrode 400'', the first region being electrically insulated from the second region. For this purpose, the first region is separated from the second region by a trench 300 which is filled with a dielectric material 310. The anchor also has a third region 230 which is connected to the third part of the micromechanical structure, the second fixed electrode 400''', and which is electrically insulated from the second region and the first region. For this purpose, the first region is separated from the third region by a further trench 300' which is filled with a dielectric material 310. The first region is also connected to the first part of the micromechanical structure, namely the seismic mass 400'. All three parts of the micromechanical structure are attached to the substrate with the same anchor. In the event of a deformation of the substrate, they move together for all possible substrate deformations. This allows the offset induced by deformation to be eliminated as best as possible.

2 A zeigt schematisch den Anschluss verschiedener mechanisch getrennter Verankerungen einer mikromechanischen Vorrichtung an unterschiedliche elektrische Potentiale im Stand der Technik. Auf einem Substrat 100 ist eine erste Verankerung 200 angeordnet, welche einen ersten Teil der mikromechanischen Struktur wie beispielsweise eine seismische Masse trägt (nicht dargestellt). Die erste Verankerung ist elektrisch leitend mit einer ersten Leiterbahn 510 verbunden. Weiter ist auf dem Substrat eine zweite Verankerung 200' angeordnet, welche einen zweiten Teil der mikromechanischen Struktur 400'', hier eine Festelektrode trägt. Die zweite Verankerung ist elektrisch leitend mit einer zweiten Leiterbahn 520 verbunden. 2 A shows schematically the connection of various mechanically separated anchors of a micromechanical device to different electrical potentials in the prior art. A first anchor 200 is arranged on a substrate 100, which carries a first part of the micromechanical structure such as a seismic mass (not shown). The first anchor is electrically conductively connected to a first conductor track 510. Furthermore, a second anchor 200' is arranged on the substrate, which carries a second part of the micromechanical structure 400'', here a fixed electrode. The second anchor is electrically conductively connected to a second conductor track 520.

2 B zeigt schematisch den Anschluss eines ersten Bereichs 210 und eines zweiten Bereichs 220 einer Verankerung 200 einer erfindungsgemäßen mikromechanischen Vorrichtung an unterschiedliche elektrische Potentiale. Auf einem Substrat 100 ist eine Verankerung 200 angeordnet, welche einen ersten Bereich 210 und einen zweiten Bereich 220 aufweist, wobei der erste Bereich mit dem Substrat verbunden ist und der zweite Bereich mit dem ersten Bereich verbunden ist. Der erste und zweite Bereich sind mechanisch miteinander verbunden und elektrisch voneinander isoliert, indem dazwischen ein Graben 300 angeordnet ist, welcher mit einem dielektrischen Material 310, hier Silizium-reiches Nitrid (SiRiN) gefüllt ist. Der erste Bereich ist mit einem ersten Teil der mikromechanischen Struktur (nicht dargestellt) und mit einer ersten Leiterbahn 510 elektrisch leitend verbunden. Der zweite Bereich ist mit einem zweiten Teil der mikromechanischen Struktur 400'', der Festelektrode und mit einer zweiten Leiterbahn 520 über eine weitere Verankerung 250 mittels einer Feder 600 verbunden. Diese Feder hat eine sehr geringe Steifigkeit, wodurch die Verbindung zur Übertragung mechanischer Kräfte nicht wirksam wird. Mechanische Spannungen von der weiteren Verankerung 250 werden nicht oder nicht wesentlich auf die Festelektrode 400'' übertragen, weil die Feder im Wesentlichen alle Verformungen aufnimmt. Insbesondere soll die Feder dazu mindestens einen Faktor 3 weicher und vorzugsweise weicher als ein Faktor 15 gegenüber der Steifigkeit der mechanischen Verbindung über das dielektrische Material 310 zwischen dem ersten Bereich 210 und dem zweiten Bereich 220 der Verankerung 200. 2 B shows schematically the connection of a first region 210 and a second region 220 of an anchor 200 of a micromechanical device according to the invention to different electrical potentials. An anchor 200 is arranged on a substrate 100, which has a first region 210 and a second region 220, the first region being connected to the substrate and the second region being connected to the first region. The first and second regions are mechanically connected to one another and electrically insulated from one another by arranging a trench 300 between them, which is filled with a dielectric material 310, here silicon-rich nitride (SiRiN). The first region is electrically connected to a first part of the micromechanical structure (not shown) and to a first conductor track 510. The second region is connected to a second part of the micromechanical structure 400'', the fixed electrode and to a second conductor track 520 via a further anchor 250 by means of a spring 600. This spring has a very low stiffness, which means that the connection is not effective for transmitting mechanical forces. Mechanical stresses from the further anchor 250 are not or not significantly transmitted to the fixed electrode 400'' because the spring absorbs essentially all deformations. In particular, the spring should be at least a factor of 3 softer and preferably softer than a factor of 15 compared to the stiffness of the mechanical connection via the dielectric material 310 between the first region 210 and the second region 220 of the anchor 200.

3 zeigt schematisch eine erfindungsgemäße mikromechanische Vorrichtung mit einer mikromechanischen Struktur in einer ersten Funktionsebene und einer Feder zum elektrischen Anschluss eines zweiten Bereichs einer Verankerung in einer zweiten Funktionsebene über einem Substrat. Auf dem Substrat 100 ist eine Verankerung 200 angeordnet und befestigt. Die Verankerung weist einen ersten Bereich 210, einen zweiten Bereich 220 und einen dritten Bereich 230 auf, wobei diese Bereiche durch einen Graben 300 und einen weiteren Graben 300' elektrisch voneinander isoliert und mechanisch miteinander verbunden sind, indem die Gräben mit einem dielektrischen Material 310, hier Silizium-reiches Nitrid (SiRiN) gefüllt sind. Die erste Festelektrode 400'' und die zweite Festelektrode 400''' sind dadurch voneinander und von der seismischen Masse 400' elektrisch isoliert an der Verankerung befestigt. Der erste Teil der mikromechanischen Struktur, die seismische Masse 400' ist in einer oberen, dicken Funktionsschicht 401 und einer darunter angeordneten dünnen Funktionsschicht 402 ausgebildet. Ebenso sind der zweite Teil der mikromechanischen Struktur, also die erste Festelektrode 400'' und der dritte Teil der mikromechanischen Struktur, also die zweite Festelektrode 400''' in der oberen dicken Funktionsschicht 401 und der dünnen Funktionsschicht 402 ausgebildet. Die dicke Funktionsschicht ist aus epitaktischem Polysilizium. Die dünne Funktionsschicht ist aus Polysilizium. In der dünnen Funktionsschicht 402 sind auch zwei Federn 600 ausgebildet, die jeweils an einem Ende mit einem Teil der mikromechanischen Struktur 400'', 400''' verbunden sind und an einem anderen Ende mittels einer weiteren Verankerung 250 an dem Substrat 100 befestigt sind. Über die weiteren Verankerungen 250 und die Federn 600 sind die erste Festelektrode 400'' und die zweite Festelektrode 400''' an unterschiedliche elektrische Potentiale angebunden wie unter 2 B beschrieben.
Die Federn 600 sind in der dünnen Funktionsschicht 402 gebildet, welche vorzugsweise mindestens 3-mal dünner ausgeführt ist als die dicke Funktionsschicht 401. Dadurch ist es möglich, eine Feder zu erzeugen, die in alle Richtungen sehr weich ist, aber dennoch eine gute Leitfähigkeit besitzt. Die Steifigkeit der Feder in einer Richtung z senkrecht zur Haupterstreckungsebene (x,y) der Schicht ist abhängig von der dritten Potenz der Schichtdicke, während die Leitfähigkeit sich linear zur Größe der Schichtdicke verhält. Daher ist es möglich, eine mechanisch schwache, aber elektrisch gut leitfähige Feder zu erzeugen, indem eine dünne Federschicht und etwas breitere Federn verwendet werden. Normalerweise benötigen breite und weiche Federn viel Platz, aber in diesem speziellen Fall können die Federn ganz oder teilweise unterhalb der dicken Funktionsschicht 401, insbesondere unterhalb der mikromechanischen Struktur 400 angeordnet werden, so dass eine Vergrößerung des mikromechanischen Chips insgesamt vermieden oder auf eine sehr kleine zusätzliche Fläche reduziert werden kann. Die Federn 600 sind also in einem Bereich ausgebildet, der zwischen dem Substrat 100 und der mikromechanischen Struktur 400 liegt.
3 shows schematically a micromechanical device according to the invention with a micromechanical structure in a first functional level and a spring for electrically connecting a second region of an anchor in a second functional level above a substrate. An anchor 200 is arranged and fastened on the substrate 100. The anchor has a first region 210, a second region 220 and a third region 230, wherein these regions are electrically insulated from one another by a trench 300 and a further trench 300' and mechanically connected to one another by filling the trenches with a dielectric material 310, here silicon-rich nitride (SiRiN). The first fixed electrode 400'' and the second fixed electrode 400''' are thus attached to the anchor in an electrically insulated manner from one another and from the seismic mass 400'. The first part of the micromechanical structure, the seismic mass 400', is formed in an upper, thick functional layer 401 and a thin functional layer 402 arranged underneath. Likewise, the second part of the micromechanical structure, i.e. the first fixed electrode 400'', and the third part of the micromechanical structure, i.e. the second fixed electrode 400''', are formed in the upper thick functional layer 401 and the thin functional layer 402. The thick functional layer is made of epitaxial polysilicon. The thin functional layer is made of polysilicon. Two springs 600 are also formed in the thin functional layer 402, each of which is connected at one end to a part of the micromechanical structure 400'', 400''' and is attached to the substrate 100 at another end by means of a further anchor 250. Via the further anchors 250 and the springs 600, the first fixed electrode 400'' and the second fixed electrode 400''' are connected to different electrical potentials as described under 2 B described.
The springs 600 are formed in the thin functional layer 402, which is preferably at least 3 times thinner than the thick functional layer 401. This makes it possible to produce a spring that is very soft in all directions, but still has good conductivity. The stiffness of the spring in a direction z perpendicular to the main extension plane (x,y) of the layer depends on the cube of the layer thickness, while the conductivity is linear to the size of the layer thickness. It is therefore possible to produce a mechanically weak but electrically highly conductive spring by using a thin spring layer and slightly wider springs. Normally, wide and soft springs require a lot of space, but in this special case, the springs can be arranged entirely or partially below the thick functional layer 401, in particular below the micromechanical structure 400, so that an enlargement of the micromechanical chip can be avoided overall or reduced to a very small additional area. The springs 600 are thus formed in an area that lies between the substrate 100 and the micromechanical structure 400.

Die oben beschriebenen Ausführungsbeispiele betreffen out-of plane oder z-Beschleunigungssensoren, also Sensoren, deren seismische Masse senkrecht zur Hauptebene (x, y) des darunterliegenden Substrats auslenkbar ist. Die Erfindung kann jedoch auch bei in-plane oder x, y Beschleunigungssensoren Anwendung finden, wie im folgenden Beispiel beschrieben ist.The embodiments described above relate to out-of-plane or z-acceleration sensors, i.e. sensors whose seismic mass can be deflected perpendicular to the main plane (x, y) of the underlying substrate. However, the invention can also be used for in-plane or x, y acceleration sensors, as described in the following example.

4 zeigt schematisch eine erfindungsgemäße mikromechanische Vorrichtung mit einer mikromechanischen Struktur mit einer ersten Festelektrode an einem zweiten Bereich und einer zweiten Festelektrode an einem dritten Bereich einer Verankerung. Auf einem Substrat 100 ist zentral eine Verankerung 200 angeordnet. 4 shows schematically a micromechanical device according to the invention with a micromechanical structure with a first fixed electrode on a second region and a second fixed electrode on a third region of an anchor. An anchor 200 is arranged centrally on a substrate 100.

Die Verankerung weist einen ersten Bereich 210 und auf einer ersten Seite einen zweiten Bereich 220 und einen dritten Bereich 230 auf, wobei diese Bereiche durch einen Graben 300 und einen weiteren Graben 300' elektrisch voneinander isoliert und mechanisch miteinander verbunden sind, indem die Gräben mit einem dielektrischen Material 310, nämlich Silizium-reiches Nitrid (SiRiN) gefüllt sind. Die Verankerung ist im ersten Bereich 210 am Substrat befestigt. Diese Anordnung findet sich auch auf einer gegenüberliegenden zweiten Seite des ersten Bereichs.The anchor has a first region 210 and on a first side a second region 220 and a third region 230, wherein these regions are electrically insulated from one another by a trench 300 and a further trench 300' and mechanically connected to one another by filling the trenches with a dielectric material 310, namely silicon-rich nitride (SiRiN). The anchor is attached to the substrate in the first region 210. This arrangement is also found on an opposite second side of the first region.

Der erste Bereich 210 ist auch mit einem ersten Teil einer mikromechanischen Struktur 400, einer seismischen Masse verbunden. Diese ist jedoch in der Figur aus Gründen der Übersichtlichkeit nicht dargestellt.The first region 210 is also connected to a first part of a micromechanical structure 400, a seismic mass. However, this is not shown in the figure for reasons of clarity.

Der zweite Bereich 220 ist jeweils mit einer ersten Festelektrode 400'' verbunden. Erste Elektrodenfinger 410 der ersten Festelektrode werden von einer darunterliegenden Platte 700 gehalten, die aus einer Zwischenschicht gebildet ist. Diese Platte wird von Balken 710 gehalten, die mit dem zweiten Bereich 220 der Verankerung 200 verbunden und befestigt sind. Der elektrische Anschluss der Elektroden erfolgt analog wie oben zu den 2 B und 3 beschrieben ist.The second region 220 is connected to a first fixed electrode 400''. First electrode fingers 410 of the first fixed electrode are held by an underlying plate 700, which is formed from an intermediate layer. This plate is held by beams 710, which are connected and fixed to the second region 220 of the anchor 200. The electrical connection of the electrodes is analogous to the above for the 2 B and 3 described.

Der dritte Bereich 230 ist jeweils mit einer zweiten Festelektrode 400''' verbunden. Sie hat die Gestalt eines Kamms und weist zweite Elektrodenfinger 420 auf.The third region 230 is connected to a second fixed electrode 400'''. It has the shape of a comb and has second electrode fingers 420.

Die erste Festelektrode 400'' und die zweite Festelektrode 400''' sind durch die SiRiN gefüllten Gräben 300, 300' voneinander und von der seismischen Masse elektrisch isoliert an der Verankerung 200 befestigt.The first fixed electrode 400'' and the second fixed electrode 400''' are attached to the anchor 200 in an electrically insulated manner from each other and from the seismic mass by the SiRiN filled trenches 300, 300'.

Bezugszeichenlistelist of reference symbols

100100
Substratsubstrate
101101
erste Bodenelektrodefirst ground electrode
102102
zweite Bodenelektrodesecond bottom electrode
200200
Verankerunganchoring
210210
erster Bereichfirst area
220220
zweiter Bereichsecond area
230230
dritter Bereichthird area
250250
weitere Verankerungfurther anchoring
300300
GrabenDig
300'300'
weiterer Grabenfurther trench
310310
dielektrisches Materialdielectric material
400400
mikromechanische Strukturmicromechanical structure
400'400'
bewegliche Struktur, seismische Massemoving structure, seismic mass
400''400''
erste Festelektrodefirst fixed electrode
400'''400'''
zweite Festelektrodesecond fixed electrode
401401
dicke Funktionsschichtthick functional layer
402402
dünne Funktionsschichtthin functional layer
410410
erste Elektrodenfingerfirst electrode fingers
420420
zweite Elektrodenfingersecond electrode finger
510510
erste Leiterbahnfirst conductor track
520520
zweite Leiterbahnsecond conductor track
600600
FederFeather
700700
Platteplate
710710
Balkenbeam

Claims (9)

Mikromechanische Vorrichtung mit einem Substrat (100), mit einer Verankerung (200) und mit einer mikromechanischen Struktur (400, 400', 400'', 400'''), wobei die Verankerung auf dem Substrat angeordnet und befestigt ist, wobei die mikromechanische Struktur über dem Substrat angeordnet und an der Verankerung befestigt ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Verankerung einen ersten Bereich (210) aufweist, welcher mit dem Substrat verbunden ist, einen zweiten Bereich (220) aufweist, welcher mit dem ersten Bereich und wenigstens mit einem Teil (400', 400'', 400''') der mikromechanischen Struktur verbunden ist und der erste Bereich vom zweiten Bereich elektrisch isoliert ist.Micromechanical device with a substrate (100), with an anchor (200) and with a micromechanical structure (400, 400', 400'', 400'''), wherein the anchor is arranged and fastened on the substrate, wherein the micromechanical structure is arranged above the substrate and fastened to the anchor, characterized in that the anchor has a first region (210) which is connected to the substrate, has a second region (220) which is connected to the first region and to at least a part (400', 400'', 400''') of the micromechanical structure and the first region is electrically insulated from the second region. Mikromechanische Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Bereich (210) vom zweiten Bereich (220) durch einen Graben (300) getrennt ist, welcher mit einem dielektrischen Material (310) gefüllt ist.Micromechanical device according to claim 1 , characterized in that the first region (210) is separated from the second region (220) by a trench (300) which is filled with a dielectric material (310). Mikromechanische Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Bereich (210) und der zweite Bereich (220) aus Silizium sind und das dielektrische Material (310) Silizium-reiches Nitrid ist.Micromechanical device according to claim 2 , characterized in that the first region (210) and the second region (220) are made of silicon and the dielectric material (310) is silicon-rich nitride. Mikromechanische Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Bereich (210) mit einer ersten Leiterbahn (510) und der zweite Bereich (220) mit einer zweiten Leiterbahn (520) elektrisch leitend verbunden ist.Micromechanical device according to one of the Claims 1 until 3 , characterized in that the first region (210) is electrically connected to a first conductor track (510) and the second region (220) is electrically connected to a second conductor track (520). Mikromechanische Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass eine weitere Verankerung (250) auf dem Substrat (100) angeordnet und befestigt ist, die weitere Verankerung mit der zweiten Leiterbahn (520) elektrisch leitend verbunden ist und die weitere Verankerung mit dem zweiten Bereich (220) mittels einer Feder (600) elektrisch leitend verbunden ist.Micromechanical device according to claim 4 , characterized in that a further anchor (250) is arranged and fastened on the substrate (100), the further anchor is electrically conductively connected to the second conductor track (520) and the further anchor is electrically conductively connected to the second region (220) by means of a spring (600). Mikromechanische Vorrichtung nach einem der Ansprüche 2 bis 5, dadurch gekennzeichnet, die Verankerung (200) einen dritten Bereich (230) aufweist, welcher vom zweiten Bereich (220) elektrisch isoliert ist.Micromechanical device according to one of the Claims 2 until 5 , characterized in that the anchor (200) has a third region (230) which is electrically insulated from the second region (220). Mikromechanische Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass der dritte Bereich (230) vom zweiten Bereich (220) und/oder vom ersten Bereich (210) durch einen weiteren Graben (300') getrennt ist, welcher mit einem dielektrischen Material (310) gefüllt ist.Micromechanical device according to claim 6 , characterized in that the third region (230) is separated from the second region (220) and/or from the first region (210) by a further trench (300') which is filled with a dielectric material (310). Mikromechanische Vorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Feder (600) zwischen dem Substrat (100) und der mikromechanischen Struktur (400) angeordnet ist.Micromechanical device according to claim 5 , characterized in that the spring (600) is arranged between the substrate (100) and the micromechanical structure (400). Mikromechanische Vorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass über dem Substrat (100) eine dünne Funktionsschicht (402) und über der dünnen Funktionsschicht eine dicke Funktionsschicht (401) angeordnet ist, dass die dünne Funktionsschicht eine Dicke aufweist, die weniger als ein Drittel der Dicke der dicken Funktionsschicht beträgt und dass die Feder (600) in der dünnen Funktionsschicht ausgebildet ist.Micromechanical device according to claim 8 , characterized in that a thin functional layer (402) is arranged above the substrate (100) and a thick functional layer (401) is arranged above the thin functional layer, that the thin functional layer has a thickness which is less than one third of the thickness of the thick functional layer and that the spring (600) is formed in the thin functional layer.
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