DE102021203911A1

DE102021203911A1 - Verfahren zum bearbeiten eines substrats und ein system zum bearbeiten eines substrats

Info

Publication number: DE102021203911A1
Application number: DE102021203911.1A
Authority: DE
Inventors: Karl Heinz Priewasser; Naoko Yamamoto
Original assignee: Disco Corp
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2021-04-20
Filing date: 2021-04-20
Publication date: 2022-10-20
Also published as: KR20220144780A; US12472581B2; TWI872331B; CN115223879A; US20220331899A1; JP7354340B2; TW202307947A; JP2022165921A; CN115223879B; KR102778884B1; MY206322A

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bearbeiten eines Substrats (2), das eine erste Seite (4) und eine der ersten Seite (4) gegenüberliegende zweite Seite (14) aufweist. Das Verfahren umfasst ein Anbringen einer Schutzfolie (16) an der ersten Seite (4) des Substrats (2) und nach dem Anbringen der Schutzfolie (16) an der ersten Seite (4) des Substrats (2) ein Bearbeiten des Substrats (2) von der zweiten Seite (14) des Substrats (2) aus. Nach dem Bearbeiten des Substrats (2) von der zweiten Seite (14) des Substrats (2) aus wird die zweite Seite (14) des Substrats (2) von der zweiten Seite (14) des Substrats (2) aus auf Defekte überprüft. Nach dem Überprüfen der zweiten Seite (14) des Substrats (2) auf Defekte, wird eine Stützfolie (34) an der zweiten Seite (14) des Substrats (2) angebracht. Ferner umfasst das Verfahren ein Entfernen der Schutzfolie (16) von der ersten Seite (4) des Substrats (2) und nach dem Entfernen der Schutzfolie (16) von der ersten Seite (4) des Substrats (2) ein Überprüfen der ersten Seite (4) des Substrats (2) von der ersten Seite (4) des Substrats (2) aus auf Defekte. Die Erfindung betrifft ferner ein Substratbearbeitungssystem zum Ausführen dieses Verfahrens.

Description

TECHNISCHES GEBIET
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bearbeiten eines Substrats, wie zum Beispiel eines Wafers, das eine erste Seite und eine der ersten Seite gegenüberliegende zweite Seite aufweist. Ferner betrifft die vorliegende Erfindung ein System zum Ausführen dieses Verfahrens.
TECHNISCHER HINTERGRUND
Die Bearbeitung eines Substrats, wie zum Beispiel eines Wafers, muss häufig mit einem hohen Grad an Genauigkeit, Effizienz und Zuverlässigkeit ausgeführt werden. Zum Beispiel wird bei einem Bauelementfertigungsvorgang, wie zum Beispiel zum Herstellen von Halbleiterbauelementen, ein Substrat, wie zum Beispiel ein Wafer, der einen Bauelementbereich mit mehreren Bauelementen aufweist, die üblicherweise durch mehrere Trennlinien aufgeteilt sind, in einzelne Bausteine oder Chips geteilt. Dieser Fertigungsvorgang umfasst im Allgemeinen einen Schleifschritt zum Einstellen der Substratdicke und einen Schneidschritt mit einem Schneiden des Substrats entlang der Trennlinien, um die einzelnen Bausteine oder Chips zu erhalten. Der Schleifschritt wird von einer hinteren Seite des Substrats ausgeführt, die einer Substratvorderseite gegenüberliegt, an welcher der Bauelementbereich ausgebildet ist. Darüber hinaus können auch andere Bearbeitungsschritte, wie zum Beispiel ein Polieren und/oder ein Ätzen, an der hinteren Seite des Substrats ausgeführt werden. Das Substrat kann entlang der Trennlinien von dessen vorderen Seite oder dessen hinteren Seite aus geschnitten werden. Um eine hohe Qualität der sich ergebenden Bausteine oder Chips sicherzustellen, müssen die Bearbeitungsschritte auf eine präzise und zuverlässige Weise ausgeführt werden.
Beim Bearbeiten eines Substrats wie zum Beispiel während eines Teilens, zum Beispiel Schneidens, des Substrats, können Defekte auftreten, welche die Qualität des geteilten Substrats beeinflussen können, insbesondere in dem Fall eines Teilens des Substrats in Bausteine oder Chips. Solche möglichen Defekte können Abplatzungen an der vorderen Seite, Abplatzungen an der hinteren Seite, eine Delamination von Schichten, die an oder in dem Substratmaterial ausgebildet sind, Risse, ungerade Schnittlinien (Mäander), Grate, Whisker, Partikel, Verunreinigungen, Chip-Versetzungen, Chip-Größenunterschiede und ungetrennte Chips (das heißt, Chips, die nicht vollständig voneinander getrennt worden sind) umfassen. Dieses Problem ist insbesondere in dem Fall von High-End-Bauelementen vorhanden, die besondere Qualitätsstandards erfüllen müssen.
Um das oben erkannte Problem anzugehen, wird bei einigen üblichen Bearbeitungsverfahren das Substrat nach der Bearbeitung auf Defekte überprüft. So eine Überprüfung auf Defekte, wie zum Beispiel ein Überprüfen, ob die Größe einer Abplatzung innerhalb eines akzeptierbaren Bereichs ist, kann außerhalb oder innerhalb der verwendeten Bearbeitungsausrüstung ausgeführt werden. Zum Beispiel kann eine in der Bearbeitungsausrüstung installierte Kamera zu diesem Zweck verwendet werden.
Jedoch lässt diese übliche Herangehensweise nur zu, dass Defekte auf einer Seite des Substrats erkannt werden. Insbesondere wenn eine vordere Seite des Substrats exponiert ist, ist nur eine Überprüfung der vorderen Seite möglich, während, wenn eine hintere Seite des Substrats exponiert ist, nur eine Überprüfung der hinteren Seite möglich ist. Folglich gibt es das Problem, dass Defekte nicht mit einem hohen Grad an Genauigkeit und Zuverlässigkeit erfasst werden können, was zum Beispiel insbesondere in dem Fall von High-End-Bauelementen wichtig ist. Es kann auch schwierig sein, zu verfolgen, wo und wann die Defekte während der Bearbeitung auftreten.
Folglich verbleibt ein Bedarf an einem effizienten Verfahren zum Bearbeiten eines Substrats und einem effizienten Substratbearbeitungssystem, welches ermöglicht, Defekte in dem Substrat genau und zuverlässig zu erkennen.
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
Dementsprechend ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein effizientes Verfahren zum Bearbeiten eines Substrats bereitzustellen, das es ermöglicht, Defekte in dem Substrat auf genaue und zuverlässige Weise zu erkennen. Ferner ist die Erfindung darauf gerichtet, ein Substratbearbeitungssystem zum Ausführen dieses Verfahrens anzubieten. Diese Ziele werden durch ein Substratbearbeitungsverfahren mit den technischen Merkmalen nach Anspruch 1 und durch ein Substratbearbeitungssystem mit den technischen Merkmalen nach Anspruch 16 erreicht. Bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung folgen aus den abhängigen Ansprüchen.
Die Erfindung stellt ein Verfahren zum Bearbeiten eines Substrats bereit, wobei das Substrat eine erste Seite oder Fläche und eine der ersten Seite oder Fläche gegenüberliegende zweite Seite oder Fläche aufweist. Das Verfahren umfasst ein Anbringen einer Schutzfolie an der ersten Seite des Substrats, nach dem Anbringen der Schutzfolie an der ersten Seite des Substrats, einem Bearbeiten des Substrats von der zweiten Seite des Substrats aus und, nach dem Bearbeiten des Substrats von der zweiten Seite des Substrats aus, ein Überprüfen der zweiten Seite des Substrats von der zweiten Seite des Substrats aus auf Defekte. Ferner umfasst das Verfahren nach dem Überprüfen der zweiten Seite des Substrats auf Defekte ein Anbringen einer Stützfolie an der zweiten Seite des Substrats, ein Entfernen der Schutzfolie von der ersten Seite des Substrats und, nach dem Entfernen der Schutzfolie von der ersten Seite des Substrats, ein Überprüfen der ersten Seite des Substrats von der ersten Seite des Substrats aus auf Defekte.
Bei dem Verfahren der Erfindung wird das Substrat nach der Bearbeitung von beiden Seiten, das heißt von dessen erster Seite und von dessen zweiter Seite aus, auf Defekte überprüft. Folglich können jegliche Defekte in dem Substrat, die durch die Bearbeitung verursacht werden, auf genaue und zuverlässige Weise erkannt werden. Da eine Defektinformation für beide Seiten des Substrats erhalten wird, kann die Beschaffenheit eines Defekts oder von Defekten genauer bestimmt werden. Dies verbessert auch die Verfolgbarkeit der Defekte und ermöglicht eine genauere und zuverlässigere Beurteilung, wo und wann die Defekte während der Bearbeitung aufgetreten sind.
Die erste Seite des Substrats wird von der ersten Seite des Substrats aus auf Defekte überprüft, nachdem die Schutzfolie von der ersten Seite des Substrats entfernt worden ist. Auf diese Weise werden die Genauigkeit, Zuverlässigkeit und Effizienz der Defektüberprüfung weiter verbessert. Insbesondere beim Entfernen der Schutzfolie von der ersten Seite des Substrats können auch Abplatzungen oder Rückstände, die während der Bearbeitung von dem Substrat getrennt worden sind, jedoch aufgrund des Vorliegens der Schutzfolie an dem Substrat verbleiben, entfernt werden. Dies ermöglicht die Erfassung von Defekten in dem Substrat, die vor dem Entfernen der Schutzfolie möglicherweise nicht erkennbar sind.
Daher stellt die vorliegende Erfindung ein effizientes Verfahren zum Bearbeiten eines Substrats bereit, das ermöglicht, Defekte in dem Substrat genau und zuverlässig zu erkennen.
Die erste Seite des Substrats kann eine vordere Seite oder eine hintere Seite des Substrats sein. Die zweite Seite des Substrats kann eine vordere Seite oder eine hintere Seite des Substrats sein.
Die erste Seite oder Fläche des Substrats und die zweite Seite oder Fläche des Substrats können im Wesentlichen parallel zueinander sein.
Mögliche beim Überprüfen der ersten und zweiten Seite des Substrats zu erkennende Defekte schließen zum Beispiel Abplatzungen an der vorderen Seite, Abplatzungen an der hinteren Seite, eine Delamination von Schichten, die an oder in dem Substratmaterial ausgebildet sind, Risse, ungerade Schnittlinien (Mäander), Grate, Whisker, Partikel, Verunreinigungen, Chip-Versetzungen, Chip-Größenunterschiede und ungetrennte Chips (das heißt, Chips oder Bausteine, die nicht vollständig voneinander getrennt worden sind) ein.
Das Substrat kann zum Beispiel aus einem Halbleiter, Glas, Saphir (Al₂O₃), einer Keramik, wie zum Beispiel einer Aluminiumoxidkeramik, Quarz, Zirkonium, PZT (Bleizirkonattitanat), einem Polycarbonat, einem optischen Kristallmaterial oder Ähnlichem hergestellt sein.
Insbesondere kann das Substrat zum Beispiel aus Siliziumkarbid (SiC), Silizium (Si), Galliumarsenid (GaAs), Galliumnitrid (GaN), Galliumphosphid (GaP), Indiumarsenid (InAs), Indiumphosphid (InP), Siliziumnitrid (SiN), Lithiumtantalat (LT), Lithiumniobat (LN), Aluminiumnitrid (AlN), Siliziumoxid (Si02) oder Ähnlichem bestehen.
Das Substrat kann ein Einkristallsubstrat, ein Glassubstrat, ein Verbindungssubstrat, wie zum Beispiel ein Verbundhalbleitersubstrat, zum Beispiel ein SiC-, SiN-, GaN- oder GaAs-Substrat, oder ein polykristallines Substrat, wie zum Beispiel ein Keramiksubstrat, sein.
Das Substrat kann ein Wafer sein. Zum Beispiel kann das Substrat ein als halbleitergroßer Wafer sein. Hierin bezieht sich der Begriff „halbleitergroßer Wafer“ auf einen Wafer mit den Abmessungen (standardisierten Abmessungen) insbesondere dem Durchmesser (standardisiertem Durchmesser), das heißt äußerem Durchmesser eines Halbleiterwafers. Die Abmessungen, insbesondere die Durchmesser, das heißt äußeren Durchmesser, von Halbleiterwafern sind in den SEMI-Normen definiert. Zum Beispiel sind die Abmessungen von polierten Einkristall-Siliziumwafern (Si-Wafern) in den SEMI-Normen M1 und M76 definiert. Die halbleitergroßen Wafer können ein 3-Inch, 4-Inch, 5-Inch, 6-Inch, 8-Inch, 12-Inch oder 18-Inch Wafer sein.
Das Substrat kann ein Halbleiterwafer sein. Zum Beispiel kann das Substrat aus jedem der oben angegeben Halbleitermaterialien hergestellt sein.
Das Substrat, wie zum Beispiel ein Wafer, kann aus einem einzelnen Material oder aus einer Kombination unterschiedlicher Materialien, wie zum Beispiel aus zwei oder mehreren der oben angegebenen Materialien, hergestellt sein. Zum Beispiel kann das Substrat ein Si-Glas-Verbundwafer sein, in dem ein aus Si hergestelltes Waferelement mit einem Waferelement verbunden ist, das aus Glas hergestellt ist.
Eine Metallschicht oder eine Metallbeschichtung kann an der ersten Seite oder der zweiten Seite des Substrats, insbesondere an der gesamten ersten Seite oder der gesamten zweiten Seite des Substrats, vorliegen. Eine Metallschicht oder eine Metallbeschichtung kann an einer hinteren Seite des Substrats, insbesondere an der gesamten hinteren Seite des Substrats, vorliegen.
Das Substrat kann jegliche Form aufweisen. In Draufsicht kann das Substrat zum Beispiel eine Kreisform, eine ovale Form, eine elliptische Form oder eine Polygonform, wie zum Beispiel eine rechtwinklige Form oder eine quadratische Form, aufweisen.
Das Verfahren der Erfindung kann ferner vor einem Entfernen der Schutzfolie von der ersten Seite des Substrats ein Überprüfen der ersten Seite des Substrats durch die Schutzfolie hindurch auf Defekte umfassen. In diesem Fall umfasst das Verfahren zwei Schritte eines Überprüfens der ersten Seite des Substrats von der ersten Seite des Substrats aus auf Defekte, einen vor und einen nach dem Entfernen der Schutzfolie von der ersten Seite des Substrats. Folglich können die Genauigkeit und Zuverlässigkeit der Erfassung von Defekten weiter verbessert werden. Insbesondere die Kombination dieser zwei Überprüfungsschritte ermöglicht es, die Beschaffenheit eines erkannten beliebigen Defekts oder beliebiger Defekte noch präziser zu bestimmen.
Ein Überprüfen der ersten Seite des Substrats durch die Schutzfolie hindurch auf Defekte vor einem Entfernen der Schutzfolie von der ersten Seite des Substrats ermöglicht ferner ein Überprüfen der ersten Substratseite direkt nach dem Bearbeiten des Substrats von der zweiten Seite des Substrats aus. Folglich wird die Position des Substrats, insbesondere die Positionen getrennter Elemente, die durch Teilen des Substrats erhalten werden, präzise beibehalten. Zum Beispiel kann kein möglicher Versatz oder Bewegung des Substrats oder der getrennten Elemente, die durch Teilen des Substrats erhalten werden, durch Entfernen der Schutzfolie von der ersten Seite des Substrats aufgetreten sein, da dieser Schutzfolie-Entfernungsschritt zu einem späteren Zeitpunkt des Verfahrens ausgeführt wird. Ferner kann der Einfluss jeglicher Änderung bei den Eigenschaften der Schutzfolie, wie zum Beispiel ein Schrumpfen oder eine Lockerung der Schutzfolie, bei einer nachfolgenden Bearbeitung und/oder nachfolgenden Handhabungsschritten auf den Überprüfungsvorgang minimiert oder sogar eliminiert werden. Auch der Schritt oder die Schritte eines Erhaltens und/oder Korrelierens von Positionsinformation, was nachfolgend im Detail erläutert werden wird, kann auf eine besonders genaue und zuverlässige Weise ausgeführt werden.
Darüber hinaus kann durch Überprüfen der ersten Seite des Substrats durch die Schutzfolie hindurch auf Defekte vor einem Entfernen der Schutzfolie von der ersten Seite des Substrats die erste Substratseite auf eine besonders sichere und zuverlässige Weise überprüft werden. Insbesondere während dieses Überprüfungsvorgangs wird die erste Seite des Substrats sicher vor einer Verunreinigung, wie zum Beispiel Staub oder Rückständen, durch die Schutzfolie geschützt.
Zum Beispiel kann die erste Seite des Substrats über Strahlung, wie zum Beispiel sichtbares Licht, das durch die Schutzfolie übertragen wird, das heißt, für das die Schutzfolie transparent ist, durch die Schutzfolie hindurch auf Defekte überprüft werden. Zum Beispiel kann eine Kamera für diesen Zweck verwendet werden.
Ein Überprüfen der ersten Seite des Substrats durch die Schutzfolie hindurch auf Defekte kann vor einem Anbringen der Stützfolie an der zweiten Seite des Substrats ausgeführt werden. Ein Überprüfen der ersten Seite des Substrats durch die Schutzfolie hindurch auf Defekte kann nach dem Anbringen der Stützfolie an der zweiten Seite des Substrats ausgeführt werden.
Das Substrat kann an der ersten Seite einen Bauelementbereich mit mehreren Bauelementen aufweisen. Die erste Seite des Substrats kann die vordere Seite des Substrats sein.
Die Bauelemente im Gerätebereich können zum Beispiel Halbleiterbauelemente, Leistungsbauelemente, optische Bauelemente, medizinische Bauelemente, elektrische Komponenten, MEMS-Bauelemente oder Kombinationen davon sein. Die Bauelemente können zum Beispiel Transistoren, wie MOSFETs oder Insulated-Gate-Bipolar-Transistoren (IGBTs), oder Dioden, zum Beispiel Schottky-Barrier-Dioden, umfassen oder sein.
Das Substrat kann ferner zum Beispiel auf der ersten Seite einen Umfangsrandbereich ohne Bauelemente aufweisen, der um den Bauelementbereich ausgebildet ist.
Das Substrat kann auf der zweiten Seite einen strukturierten Bereich, zum Beispiel mit Bauelementen, wie zum Beispiel die oben beschriebenen, und/oder elektrische Verbindungen aufweisen, zum Beispiel wenn das Substrat ein Through Silicon Wire-Wafer (TSV-Wafer) ist. Die zweite Seite des Substrats kann die hintere Seite des Substrats sein.
Wenn durch Überprüfen der zweiten Seite des Substrats von der zweiten Seite des Substrats aus auf Defekte ein Defekt oder Defekte erkannt wird bzw. werden, kann das Verfahren ferner ein Bestimmen einer Position oder Positionen des erkannten Defekts oder der erkannten Defekte umfassen, um dadurch eine erste Positionsinformation zu erhalten. Die erste Positionsinformation ist eine Information, welche die Position jeden Defekts an der zweiten Seite des Substrats angibt. Die Position jeden Defekts kann in einem Koordinatensystem des Substrats, wie zum Beispiel in Bezug auf Trennlinien und/oder an dem Substrat ausgebildeten Bauelementen und/oder in Bezug auf ein anderes Element oder andere Elemente des Substrats definiert sein. Das Element oder die Elemente des Substrats kann eine oder mehrere Referenzmarkierungen des Substrats, eine Ausrichtungsmarkierung des Substrats, eine Kante des Substrats, eine Kerbe des Substrats, wie zum Beispiel eine Waferkerbe, eine Ausrichtungsebene des Substrats und ein Mittelpunkt des Substrats sein oder umfassen. Die Position eines jeden Defekts kann in Bezug auf ein Element, wie zum Beispiel ein Mittelpunkt, oder Elemente eines Stützmittels, welches das Substrat unterstützt, wie zum Beispiel ein Spanntisch, und/oder in Bezug auf einen Dichtring oder Dichtringe und/oder in Bezug auf einen Schutzring oder Schutzringe definiert sein.
Beim Überprüfen der zweiten Seite des Substrats von der zweiten Seite des Substrats aus auf Defekte kann die folgende Information erhalten werden: ein Abstand oder Abstände des Defekts oder der Defekte von einem Element oder Elementen des Substrats, wie zum Beispiel einer Referenzmarkierung des Substrats, einer Ausrichtungsmarkierung des Substrats, einer Kante des Substrats, einer Kerbe des Substrats, wie zum Beispiel einer Waferkerbe, einer Ausrichtungsebene des Substrats und/oder einem Mittelpunkt des Substrats; und/oder ein Abstand oder Abstände des Defekts oder der Defekte von einem Element, wie zum Beispiel einem Mittelpunkt, oder Elementen eines das Substrat unterstützenden Stützmittels, wie zum Beispiel ein Spanntisch; und/oder eine Größe oder Größen des Defekts oder der Defekte; und/oder ein Abstand oder Abstände des Defekts oder der Defekte von einem Dichtring oder Dichtringen; und/oder ein Abstands oder Abstände des Defekts oder der Defekte von einem Schutzring oder Schutzringen. Diese Information kann für die oder als erste Positionsinformation verwendet werden.
Wenn ein Defekt oder Defekte durch Überprüfen der ersten Seite des Substrats von der ersten Seite des Substrats aus auf Defekte erkannt wird bzw. werden, nachdem die Schutzfolie von der ersten Seite des Substrats entfernt worden ist, kann das Verfahren ferner ein Bestimmen einer Position oder Positionen des erkannten Defekts oder der erkannten Defekte umfassen, um dadurch eine zweite Positionsinformation zu erhalten. Die zweite Positionsinformation ist eine Information, welche die Position jeden Defekts an der ersten Seite des Substrats angibt. Die Position jeden Defekts kann in einem Koordinatensystem des Substrats, zum Beispiel in Bezug auf Trennlinien und/oder Bauelemente, die an dem Substrat ausgebildet sind, und/oder in Bezug auf ein anderes Element oder Elemente des Substrats definiert sein. Das Element oder die Elemente des Substrats kann ein oder mehrere Referenzmarkierungen des Substrats, eine Ausrichtungsmarkierung des Substrats, eine Kante des Substrats, eine Kerbe des Substrats, wie zum Beispiel eine Waferkerbe, eine Ausrichtungsebene des Substrats und ein Mittelpunkt des Substrats sein oder umfassen. Die Position jeden Defekts kann in Bezug auf ein Element, wie zum Beispiel einen Mittelpunkt, oder Elemente eines das Substrat unterstützenden Stützmittels, wie zum Beispiel einen Spanntisch, und/oder in Bezug auf einen Dichtring oder Dichtringe und/oder in Bezug auf einen Schutzring oder Schutzringe definiert sein.
Beim Überprüfen der ersten Seite des Substrats von der ersten Seite des Substrats aus auf Defekte, nachdem die Schutzfolie von der ersten Seite des Substrats entfernt worden ist, kann die folgende Information erhalten werden: ein Abstand oder Abstände des Defekts oder der Defekte von einem Element oder Elementen des Substrats, wie zum Beispiel einer Referenzmarkierung des Substrats, einer Ausrichtungsmarkierung des Substrats, einer Kante des Substrats, einer Kerbe des Substrats, wie zum Beispiel einer Waferkerbe, einer Ausrichtungsebene des Substrats und/oder einem Mittelpunkt des Substrats; und/oder ein Abstand oder Abstände des Defekts oder der Defekte von einem Element, wie zum Beispiel einem Mittelpunkt, oder von Elementen eines das Substrat unterstützenden Stützmittels, wie zum Beispiel einem Spanntisch; und/oder eine Größe oder Größen des Defekts oder der Defekte; und/oder ein Abstand oder Abstände des Defekts oder der Defekte von einem Dichtring oder Dichtringen; und/oder ein Abstand oder Abstände des Defekts oder der Defekte von einem Schutzring oder Schutzringen. Diese Information kann für die oder als zweite Positionsinformation verwendet werden.
Die erste und/oder zweite Positionsinformation lässt eine besonders gute Verfolgbarkeit von Defekten zu, und ermöglicht eine noch genauere und zuverlässigere Beurteilung, wo und wann die Defekte während einer Bearbeitung aufgetreten sind. Zum Beispiel kann die erste und/oder zweite Positionsinformation beispielsweise bei Schritten einer weiteren Bearbeitung, Handhabung und/oder eines Transports verwendet werden. Insbesondere wenn das Substrat während des Schritts eines Bearbeitens des Substrats von der zweiten Seite des Substrats aus oder während eines nachfolgenden Schritts in mehrere getrennte Elemente, wie zum Beispiel Bausteine oder Chips, geteilt wird, kann durch Rückgriff auf die erste und/oder zweite Positionsinformation, insbesondere durch Rückgriff auf die erste und zweite Positionsinformation, sichergestellt werden, dass defekte Elemente, wie zum Beispiel defekte Bausteine oder Chips, zuverlässig aussortiert werden. Da die Position jeden Defekts an der zweiten und ersten Seite des Substrats in der ersten bzw. zweiten Positionsinformation angegeben ist, können solche defekten Elemente, wie zum Beispiel defekte Bausteine oder Chips, auf eine besonders genaue und effiziente Weise erkannt und verfolgt werden. Die erste und/oder zweite Positionsinformation kann mit einer Information über die Position besonderer Abschnitte oder Bereiche des Substrats korreliert werden, wie zum Beispiel Abschnitte oder Bereiche, in denen Bauelemente, elektrische Verbindungen oder Ähnliches ausgebildet sind. Insbesondere kann die erste und/oder zweite Positionsinformation mit einer Information über die Position jeden Elements korreliert werden, das durch Teilen des Substrats in das Substrat zu erhalten ist. Auf diese Weise können defekte Elemente besonders zuverlässig erkannt und verfolgt werden. Die Position jedes konkreten Abschnitts oder Bereichs des Substrats, insbesondere die Position jeden Elements, das durch Teilen des Substrats in dem Substrat zu erhalten ist, kann in einem Koordinatensystem des Substrats, wie zum Beispiel in Bezug auf Trennlinien und/oder an dem Substrat ausgebildete Bauelemente und/oder in Bezug auf ein anderes Element oder Elemente des Substrats, definiert sein. Das Element oder die Elemente des Substrats können eine oder mehrere Referenzmarkierungen des Substrats, eine Ausrichtungsmarkierung des Substrats, eine Kante des Substrats, eine Kerbe des Substrats, wie zum Beispiel eine Waferkerbe, eine Ausrichtungsebene des Substrats und einen Mittelpunkt des Substrats umfassen. Die Position jedes konkreten Abschnitts oder Bereichs des Substrats, insbesondere die Position jeden Elements, das durch Teilen des Substrats zu erhalten ist, kann in Bezug auf ein Element, wie zum Beispiel einen Mittelpunkt, oder Elemente eines das Substrat unterstützenden Stützmittels, wie zum Beispiel einen Spanntisch, und/oder in Bezug auf einen Dichtring oder Dichtringe und/oder in Bezug auf einen Schutzring oder Schutzringe definiert sein.
Somit können defekte Elemente durch Überprüfen des Substrats anstelle eines einzelnen Überprüfens jeden Elements erkannt und verfolgt werden, sodass die Effizienz des Verfahrens weiter verbessert wird.
Ein Bestimmen der Position jeden Defekts an der ersten und zweiten Seite des Substrats und ein Verwenden der ersten und/oder der zweiten Positionsinformation in nachfolgenden Bearbeitungs-, Handhabungs- und/oder Transportschritten kann durch Datenverarbeitungsausrüstung, wie zum Beispiel unter Verwendung von Software, eines Datenkommunikationsaufbaus und/oder einer Steuerungsfunktion, die für diesen Zweck eingerichtet ist, ausgeführt werden. Insbesondere kann so eine Ausrüstung zum Erkennen und/oder Verfolgen defekter Elemente, wie zum Beispiel defekter Bausteine oder Chips, verwendet werden.
Wenn das Verfahren einen Schritt mit einem Überprüfen der ersten Seite des Substrats durch die Schutzfolie auf Defekte vor einem Entfernen der Schutzfolie von der ersten Seite des Substrats umfasst, kann das Verfahren ferner ein Bestimmen einer Position oder Positionen des erkannten Defekts oder der erkannten Defekte umfassen, wenn ein Defekt oder Defekte durch Überprüfen der ersten Seite des Substrats durch die Schutzfolie hindurch auf Defekte erkannt wird bzw. werden, um dadurch eine dritte Positionsinformation zu erhalten. Die dritte Positionsinformation ist eine Information, welche die Position jeden Defekts an der ersten Seite des Substrats angibt. Die Position jeden Defekts kann in einem Koordinatensystem des Substrats, wie zum Beispiel in Bezug auf Trennlinien und/oder an dem Substrat ausgebildete Bauelemente und/oder in Bezug auf ein anderes Element oder Elemente des Substrats definiert sein. Das Element oder die Elemente des Substrats können eine oder mehrere Referenzmarkierungen des Substrats, eine Ausrichtungsmarkierung des Substrats, eine Kante des Substrats, eine Kerbe des Substrats, wie zum Beispiel eine Waferkerbe, eine Ausrichtungsebene des Substrats und einen Mittelpunkt des Substrats umfassen oder sein. Die Position jeden Defekts kann in Bezug auf ein Element, wie zum Beispiel einen Mittelpunkt, oder Elemente eines das Substrat unterstützenden Stützmittels, wie zum Beispiel einen Spanntisch, und/oder in Bezug auf einen Dichtring oder Dichtringe und/oder in Bezug auf einen Schutzring oder Schutzringe definiert sein.
Beim Überprüfen der ersten Seite des Substrats durch die Schutzfolie hindurch auf Defekte vor einem Entfernen der Schutzfolie von der ersten Seite des Substrats kann die folgende Information erhalten werden: ein Abstand oder Abstände des Defekts oder der Defekte von einem Element oder Elementen des Substrats, wie zum Beispiel einer Referenzmarkierung des Substrats, einer Ausrichtungsmarkierung des Substrats, einer Kante des Substrats, einer Kerbe des Substrats, wie zum Beispiel einer Waferkerbe, einer Ausrichtungsebene des Substrats und/oder einem Mittelpunkt des Substrats; und/oder ein Abstand oder Abstände des Defekts oder der Defekte von einem Element, wie zum Beispiel einem Mittelpunkt, oder Elementen eines das Substrat unterstützenden Stützmittels, wie zum Beispiel einem Spanntisch; und/oder eine Größe oder Größen des Defekts oder der Defekte; und/oder ein Abstand oder Abstände des Defekts oder der Defekte von einem Dichtring oder Dichtringen; und/oder ein Abstands oder Abstände des Defekts oder der Defekte von einem Schutzring oder Schutzringen. Diese Information kann für die oder als dritte Positionsinformation verwendet werden
Zum Beispiel lässt ein Vergleich zwischen der zweiten und dritten Positionsinformation zu, die Beschaffenheit jeglichen erkannten Defekts oder jeglicher erkannter Defekte sogar noch genauer zu bestimmen.
Ferner kann die dritte Positionsinformation zum Beispiel bei weiteren Bearbeitungs-, Handhabungs-, und/oder Transportschritten, insbesondere zum Erkennen und Verfolgen defekter Elemente, verwendet werden.
Das Verfahren kann ferner ein Korrelieren der ersten Positionsinformation mit der zweiten Positionsinformation umfassen.
Durch Korrelieren der ersten Positionsinformation mit der zweiten Positionsinformation kann die Beschaffenheit jeglichen erkannten Defekts oder jeglicher erkannten Defekte mit einem noch höheren Grad an Präzision bestimmt werden. Auch die Effizienz und Zuverlässigkeit eines Erkennens und Verfolgens defekter Abschnitte, insbesondere defekter Elemente, des Substrats kann weiter verbessert werden. Zum Beispiel kann die erste und zweite Positionsinformation miteinander und mit einer Information über die Position jeden Abschnitts des Substrats, wie zum Beispiel jedes durch Teilen des Substrats zu erhaltenden Elements, in dem Substrat korreliert werden.
Das Verfahren kann ein Korrelieren der ersten Positionsinformation mit der zweiten Positionsinformation und/oder mit der dritten Positionsinformation umfassen.
Ein Korrelieren der ersten Positionsinformation mit der zweiten Positionsinformation und/oder mit der dritten Positionsinformation kann durch Datenverarbeitungsausrüstung, wie zum Beispiel die oben beschriebene, ausgeführt werden.
Bei dem Verfahren der Erfindung kann ein Überprüfen der zweiten Seite des Substrats von der zweiten Seite des Substrats aus auf Defekte unter Verwendung eines Überprüfungsmittels ausgeführt werden. Das Überprüfungsmittel kann auch zum Überprüfen der ersten Seite des Substrats von der ersten Seite des Substrats aus auf Defekte verwendet werden. In diesem Fall wird ein einziges Überprüfungsmittel zum Überprüfen der ersten und zweiten Seite des Substrats verwendet. Auf diese Weise kann das Verfahren auf eine besonders einfache und kosteneffiziente Weise ausgeführt werden.
Das Überprüfungsmittel kann auch zum Überprüfen der ersten Seite des Substrats durch die Schutzfolie hindurch auf Defekte verwendet werden. In diesem Fall wird ein einziges Überprüfungsmittel für alle drei Überprüfungsschritte verwendet, was das Verfahren sogar noch einfacher und effizienter macht.
Das Überprüfungsmittel kann an oder in einer Bearbeitungsausrüstung oder einem Bearbeitungsmittel angeordnet sein, das zum Bearbeiten des Substrats von der zweiten Seite des Substrats aus verwendet wird. Das Überprüfungsmittel kann einen Teil so einer Bearbeitungsausrüstung oder eines Bearbeitungsmittels ausbilden. In diesem Fall kann das Verfahren auf eine besonders effiziente Weise ausgeführt werden.
Alternativ kann das Überprüfungsmittel außerhalb der Bearbeitungsausrüstung oder des Bearbeitungsmittels angeordnet sein. Zum Beispiel kann das Überprüfungsmittel in einer getrennten Überprüfungsausrüstung, wie zum Beispiel einer optischen Überprüfungsausrüstung, angeordnet sein.
Das Überprüfungsmittel kann zum Beispiel eine Kamera sein, wie zum Beispiel eine Mikroskopkamera für eine optische Überprüfung.
Alternativ kann ein erstes Überprüfungsmittel zum Überprüfen der zweiten Seite des Substrats von der zweiten Seite des Substrats aus auf Defekte verwendet werden, und ein anderes zweites Überprüfungsmittel kann zum Überprüfen der ersten Seite des Substrats von der ersten Seite des Substrats aus auf Defekte verwendet werden. Das zweite Überprüfungsmittel oder ein anderes drittes Überprüfungsmittel kann zum Überprüfen der ersten Seite des Substrats durch die Schutzfolie hindurch auf Defekte verwendet werden.
Ein, zwei oder sämtliche des ersten bis dritten Überprüfungsmittels kann an oder in der Bearbeitungsausrüstung oder dem Bearbeitungsmittel angeordnet sein, das zum Bearbeiten des Substrats von der zweiten Seite des Substrats aus verwendet wird. Ein, zwei oder sämtliche des ersten bis dritten Überprüfungsmittels kann einen Teil so einer Bearbeitungsausrüstung oder eines Bearbeitungsmittels sein.
Ein, zwei oder sämtliche des ersten bis dritten Überprüfungsmittels kann außerhalb der Überprüfungsausrüstung oder des Überprüfungsmittels angeordnet sein. Zum Beispiel kann ein, zwei oder sämtliche des ersten bis dritten Überprüfungsmittels in einer getrennten Überprüfungsausrüstung, wie zum Beispiel einer optischen Überprüfungsausrüstung, angeordnet sein. Sämtliche des ersten bis dritten Überprüfungsmittels kann in der gleichen Überprüfungsausrüstung angeordnet sein. Jedes des ersten bis dritten Überprüfungsmittels kann in einer anderen getrennten Überprüfungsausrüstung angeordnet sein.
Das erste Überprüfungsmittel kann zum Beispiel eine Kamera sein, wie zum Beispiel eine Mikroskopkamera für eine optische Überprüfung. Das zweite Überprüfungsmittel kann zum Beispiel eine Kamera sein, wie zum Beispiel eine Mikroskopkamera für eine optische Überprüfung. Das dritte Überprüfungsmittel kann zum Beispiel eine Kamera sein, wie zum Beispiel eine Mikroskopkamera für eine optische Überprüfung.
Die Stützfolie kann aus einem einzigen Material, insbesondere einem einzigen homogenen Material, hergestellt sein. Die Stützfolie kann zum Beispiel eine Schicht oder eine Folie sein.
Die Stützfolie kann aus einem Kunststoffmaterial, wie zum Beispiel einem Polymer hergestellt sein. Zum Beispiel kann die Stützfolie aus einem Polyolefin, wie zum Beispiel Polyethylen (PE), Polypropylen (PP) oder Polybutylen (PB), hergestellt sein.
Die Stützfolie kann eine Dicke in einem Bereich von 5 bis 500 µm, vorzugsweise 5 bis 200 µm, noch bevorzugter 8 bis 100 µm, noch weiter bevorzugt 10 bis 80 µm und am meisten bevorzugt 12 bis 50 µm aufweisen. Insbesondere weist die Stützfolie vorzugsweise eine Dicke in einem Bereich von 80 bis 250 µm auf.
Die Stützfolie kann eine beliebige Form aufweisen. In einer Draufsicht auf diesen kann die Stützfolie zum Beispiel eine Kreisform, eine ovale Form, eine elliptische Form oder eine Polygonform, wie zum Beispiel eine rechtwinklige Form oder eine quadratische Form, aufweisen.
Die Stützfolie kann mit einem Haftmittel an der zweiten Seite des Substrats angebracht sein. Das Haftmittel kann an einer gesamten vorderen Fläche der Stützfolie vorliegen, die mit der zweiten Seite des Substrats in Kontakt kommt. Zum Beispiel kann die Stützfolie ein UV-härtbares Haftband sein.
Alternativ kann die Stützfolie an der zweiten Seite des Substrats angebracht werden, sodass zumindest ein mittiger Bereich der vorderen Fläche der Stützfolie mit der zweiten Seite des Substrats direkt in Kontakt ist, sodass zwischen dem zumindest mittigen Bereich der vorderen Fläche der Stützfolie und der zweiten Seite des Substrats kein Haftmittel vorliegt.
Durch Anbringen der Stützfolie an der zweiten Seite des Substrats, sodass zumindest der mittige Bereich der vorderen Fläche der Stützfolie mit der zweiten Seite des Substrats in direktem Kontakt ist, kann das Risiko einer möglichen Verunreinigung oder Beschädigung des Substrats, zum Beispiel aufgrund einer Haftkraft einer Haftschicht oder Haftmittelrückständen an dem Substrat, deutlich vermindert oder sogar beseitigt werden.
Die Stützfolie kann so an der zweiten Seite des Substrats angebracht sein, dass in dem gesamten Bereich, in dem die vordere Fläche der Stützfolie mit der zweiten Seite des Substrats in Kontakt ist, die vordere Fläche der Stützfolie mit der zweiten Seite des Substrats in direktem Kontakt ist. Folglich ist zwischen der vorderen Fläche der Stützfolie und der zweiten Seite des Substrats kein Material, insbesondere kein Haftmittel, vorhanden.
Auf diese Weise kann das Risiko einer möglichen Verunreinigung oder Beschädigung des Substrats, zum Beispiel aufgrund einer Haftkraft einer Haftschicht oder Haftmittelrückständen an dem Substrat, zuverlässig beseitigt werden.
Die gesamte vordere Fläche der Stützfolie kann frei von Haftmittel sein.
Ein Haftmittel, wie zum Beispiel eine Haftschicht, kann nur in einem Umfangsbereich der vorderen Fläche der Stützfolie vorgesehen sein. Der Umfangsbereich der vorderen Fläche der Stützfolie kann so angeordnet sein, dass er den mittigen Bereich der vorderen Fläche der Stützfolie umgibt.
Die vordere Fläche der Stützfolie kann an der zweiten Seite des Substrats angebracht sein, sodass die Haftschicht nur mit einem Umfangsabschnitt der zweiten Seite des Substrats in Kontakt kommt. Der Umfangsabschnitt der zweiten Seite des Substrats kann ein Umfangsrandbereich des Substrats sein oder mit diesem korrespondieren.
Durch Verwenden so einer Haftschicht kann das Anbringen der Stützfolie an dem Substrat weiter verbessert werden. Da die Haftschicht nur in dem Umfangsbereich der vorderen Fläche der Stützfolie vorgesehen ist, wird darüber hinaus der Bereich, in dem die Stützfolie und das Substrat durch die Haftschicht aneinander angebracht sind, verglichen mit einem Fall deutlich reduziert, in dem eine Haftschicht an der gesamten vorderen Fläche der Stützfolie vorgesehen ist. Folglich kann die Stützfolie einfacher von dem Substrat aufgenommen werden, und das Risiko einer Beschädigung des Substrats wird erheblich reduziert.
Ein Anbringen der Stützfolie an der zweiten Seite des Substrats kann ein Aufbringen eines äußeren Impulses auf die Stützfolie umfassen oder daraus bestehen. Durch Aufbringen des äußeren Impulses wird eine Montagekraft zwischen der Stützfolie und dem Substrat erzeugt, was die Stützfolie an dem Substrat an ihrer Position hält. Folglich ist kein zusätzliches Haftmaterial für ein Anbringen der Stützfolie an der zweiten Seite des Substrats notwendig.
Insbesondere durch Aufbringen des äußeren Impulses auf die Stützfolie kann ein Formschluss, wie zum Beispiel eine formschlüssige Verbindung, und/oder ein Stoffschluss, wie zum Beispiel eine stoffschlüssige Verbindung, zwischen der Stützfolie und dem Substrat ausgebildet werden. Die Begriffe „Stoffschluss“ und „stoffschlüssige Verbindung“ definieren ein Anbringen oder eine Verbindung zwischen der Stützfolie und dem Substrat aufgrund atomarer und/oder molekularer Kräfte, die zwischen diesen zwei Komponenten wirken.
Der Begriff „stoffschlüssige Verbindung“ betrifft das Vorhandensein dieser atomaren und/oder molekularen Kräfte, die so wirken, dass sie die Stützfolie an dem Substrat anbringen oder daran haften lassen, und implizieren nicht das Vorhandensein eines zusätzlichen Haftmittels zwischen der Stützfolie und dem Substrat. Stattdessen ist bei der oben im Detail ausgeführten Ausführung zumindest der mittige Bereich der vorderen Fläche der Stützfolie mit der zweiten Seite des Substrats in direktem Kontakt.
Ein Aufbringen des äußeren Impulses auf die Stützfolie kann ein Aufwärmen der Stützfolie und/oder ein Kühlen der Stützfolie und/oder ein Aufbringen eines Vakuums auf die Stützfolie und/oder ein Bestrahlen der Stützfolie mit einer Strahlung, wie zum Beispiel Licht, zum Beispiel durch Verwendung eines Laserstrahls, umfassen oder daraus bestehen.
Der äußere Impuls kann eine chemische Verbindung und/oder eine Elektronen- oder Plasmabestrahlung und/oder eine mechanische Behandlung, wie zum Beispiel ein Aufbringen von Druck, Reibung oder Ultraschall, und/oder statische Elektrizität umfassen oder sein.
Es kann eine Dämpferschicht an einer hinteren Fläche der Stützfolie, die dessen vorderer Fläche gegenüberliegt, angebracht sein. Eine vordere Fläche der Dämpferschicht kann an der hinteren Fläche der Stützfolie angebracht sein.
Diese Herangehensweise ist besonders vorteilhaft, wenn Vorsprünge, Erhebungen, Aussparungen und/oder Gräben, wie zum Beispiel eine Oberflächenunebenheit oder -rauigkeit, Höcker, optische Elemente, zum Beispiel optische Linsen, andere Strukturen oder Ähnliches, entlang der Dickenrichtung des Substrats von der zweiten Seite des Substrats aus hervorstehen, sich von dort erstrecken, oder erheben. In diesem Fall definieren die Vorsprünge oder Erhebungen eine Flächenstruktur oder Topografie der jeweiligen Substratseite, was diese Seite uneben macht. Wenn die Dämpferschicht an der hinteren Fläche der Stützfolie angebracht ist, können solche Vorsprünge und/oder Aussparungen in der Dämpferschicht eingebettet sein. Durch Einbetten der Vorsprünge in der Dämpferschicht werden die Vorsprünge, wie zum Beispiel optische Elemente oder andere Strukturen, zuverlässig vor Schäden geschützt.
Das Material der Dämpferschicht ist nicht besonders beschränkt. Insbesondere kann die Dämpferschicht aus einer beliebigen Materialart ausgebildet sein, die es ermöglicht, Vorsprünge, die entlang der Dickenrichtung des Substrats vorstehen, darin einzubetten. Zum Beispiel kann die Dämpferschicht aus einem Harz, einem Haftmittel, einem Gel oder Ähnlichem ausgebildet sein.
Die Dämpferschicht kann durch einen äußeren Impuls, wie zum Beispiel UV-Strahlung, Wärme, ein elektrisches Feld und/oder einen chemischen Stoff härtbar sein. In diesem Fall härtet die Dämpferschicht zumindest bis zu einem gewissen Grad auf eine Anwendung des äußeren Impulses auf diese aus. Zum Beispiel kann die Dämpferschicht aus einem härtbaren Harz, einem härtbaren Haftmittel, einem härtbaren Gel oder Ähnlichem ausgebildet sein.
Die Dämpferschicht kann eingerichtet sein, um nach ihrem Härten ein Grad Kompressionsfähigkeit, Elastizität und/oder Flexibilität zu zeigen, das heißt nach dem Härten komprimierbar, elastisch und/oder flexibel zu sein. Zum Beispiel kann die Dämpferschicht so sein, dass sie durch das Härten in einen kautschukähnlichen Zustand gebracht wird. Alternativ kann die Dämpferschicht eingerichtet sein, sodass sie nach dem Härten einen steifen, harten Zustand erreicht.
Bevorzugte Beispiele von UV-härtbaren Harzen für eine Verwendung als Dämpferschicht bei den Verfahren der Erfindung sind ResiFlat der DISCO Corporation und TEMPLOC von DENKA.
Das Verfahren kann ferner ein Aufbringen des äußeren Impulses auf die Dämpferschicht umfassen, um die Dämpferschicht zu härten.
Die Dämpferschicht kann eine Dicke in einem Bereich von 10 bis 300 µm, vorzugsweise 20 bis 250 µm und noch bevorzugter 50 bis 200 µm aufweisen.
Eine Basisschicht kann an einer hinteren Fläche der Dämpferschicht, die dessen vorderen Fläche gegenüberliegt, welche an der Stützfolie angebracht ist, angebracht sein.
Das Material der Basisschicht ist nicht besonders beschränkt. Die Basisschicht kann aus einem weichen oder nachgiebigen Material, wie zum Beispiel einem Polymermaterial, zum Beispiel Polyvinylchlorid (PVC), Ethylenvinylacetat (EVA) oder ein Polyolefin, hergestellt sein.
Alternativ kann die Basisschicht aus einem steifen oder harten Material hergestellt sein, wie zum Beispiel Polyethylenterephthalat (PET) und/oder Silizium und/oder Glas und/oder rostfreien Stahl (SUS).
Wenn die Basisschicht zum Beispiel aus Polyethylenterephthalat (PET) oder Glas hergestellt ist und die Dämpferschicht durch einen äußeren Impuls härtbar ist, kann die Dämpferschicht mit einer Strahlung gehärtet werden, die durch Polyethylenterephthalat (PET) oder Glas übertragbar ist, wie zum Beispiel UV-Strahlung. Wenn die Basisschicht aus Silizium oder rostfreiem Stahl (SUS) hergestellt ist, wird eine kosteneffizientes Basisschciht bereitgestellt.
Die Basisschicht kann auch aus einer Kombination der oben aufgeführten Materialien ausgebildet sein.
Die Basisschicht kann eine Dicke in einem Bereich von 30 bis 1500 µm, vorzugsweise 40 bis 1200 µm und noch bevorzugter 50 bis 1000 µm aufweisen.
Die Schutzfolie ist eingerichtet, um die erste Seite des Substrats zu schützen, insbesondere während einer Bearbeitung des Substrats von der zweiten Seite des Substrats aus.
Die Schutzfolie kann aus einem einzigen Material, insbesondere einem einzigen homogenen Material, hergestellt sein. Die Schutzfolie kann zum Beispiel eine Schicht oder eine Folie sein.
Die Schutzfolie kann aus einem Kunststoffmaterial hergestellt sein, wie zum Beispiel einem Polymer. Zum Beispiel kann die Schutzfolie aus einem Polyolefin hergestellt sein, wie zum Beispiel Polyethylen (PE), Polypropylen (PP) oder Polybutylen (PB).
Die Schutzfolie kann eine Dicke in einem Bereich von 5 bis 500 µm, vorzugsweise 5 bis 200 µm, noch bevorzugter 8 bis 100 µm, noch weiter bevorzugt 10 bis 80 µm und am meisten bevorzugt 12 bis 50 µm aufweisen. Besonders bevorzugt weist die Schutzfolie eine Dicke in einem Bereich von 80 bis 150 µm auf.
Die Schutzfolie kann eine beliebige Form aufweisen. In einer Draufsicht auf diesen kann die Schutzfolie zum Beispiel eine Kreisform, eine ovale Form, eine elliptische Form oder eine Polygonform, wie zum Beispiel eine rechtwinklige Form oder eine quadratische Form, aufweisen.
Die Schutzfolie kann mit einem Haftmittel an der ersten Seite des Substrats angebracht sein. Das Haftmittel kann auf einer gesamten vorderen Fläche der Schutzfolie vorhanden sein, die mit der ersten Seite des Substrats in Kontakt kommt. Zum Beispiel kann die Schutzfolie ein durch UV härtbares Haftband sein.
Alternativ kann die Schutzfolie an der ersten Seite des Substrats angebracht werden, sodass zumindest ein mittiger Bereich der vorderen Fläche der Schutzfolie mit der ersten Seite des Substrats in direktem Kontakt ist, sodass zwischen zumindest dem mittigen Bereich der vorderen Fläche der Schutzfolie und der ersten Seite des Substrats kein Haftmittel vorliegt.
Durch Anbringen der Schutzfolie an der ersten Seite des Substrats, sodass zumindest der mittige Bereich der vorderen Fläche der Schutzfolie mit der ersten Seite des Substrats in direktem Kontakt ist, kann das Risiko einer möglichen Verunreinigung oder einer Beschädigung des Substrats, zum Beispiel aufgrund einer Haftkraft einer Haftschicht oder Haftmittelrückständen an dem Substrat, deutlich vermindert oder sogar eliminiert werden.
Die Schutzfolie kann an der ersten Seite des Substrats angebracht werden, sodass in dem gesamten Bereich, wo die vordere Fläche der Schutzfolie mit der ersten Seite des Substrats in Kontakt ist, die vordere Fläche der Schutzfolie in direktem Kontakt mit der ersten Seite des Substrats ist. Folglich ist kein Material, insbesondere kein Haftmittel, zwischen der vorderen Fläche der Schutzfolie und der ersten Seite des Substrats vorhanden.
Auf diese Weise kann das Risiko einer möglichen Verunreinigung oder Beschädigung des Substrats, wie zum Beispiel aufgrund einer Haftkraft einer Haftschicht oder Haftmittelrückständen an dem Substrat, zuverlässig ausgeschlossen werden.
Die gesamte vordere Fläche der Schutzfolie kann haftmittelfrei sein.
Ein Anbringen der Schutzfolie an der ersten Seite des Substrats, sodass zumindest der mittige Bereich der vorderen Fläche der Schutzfolie mit der ersten Seite des Substrats in direktem Kontakt ist, erleichtert ferner den Schritt einer Überprüfung der ersten Seite des Substrats durch die Schutzfolie hindurch auf Defekte. Insbesondere da ein Haftmittel zwischen zumindest dem mittigen Bereich der vorderen Fläche der Schutzfolie und der ersten Seite des Substrats vorhanden ist, kann diese Überprüfung auf eine besonders effiziente und zuverlässige Weise ausgeführt werden. Wenn zum Beispiel die erste Seite des Substrats durch die Schutzfolie hindurch über Strahlung, wie zum Beispiel sichtbares Licht, das durch die Schutzfolie übertragen wird, auf Defekte überprüft wird, wird die Strahlung zumindest in dem mittigen Bereich der vorderen Fläche der Schutzfolie nicht durch eine Haftschicht reflektiert, absorbiert oder gestreut.
Ein Haftmittel, wie zum Beispiel eine Haftschicht, kann nur in einem Umfangsbereich der vorderen Fläche der Schutzfolie vorgesehen sein. Der Umfangsbereich der vorderen Fläche der Schutzfolie kann so angeordnet sein, dass er den mittigen Bereich der vorderen Fläche der Schutzfolie umgibt.
Die vordere Fläche der Schutzfolie kann so an der ersten Seite des Substrats angebracht werden, dass die Haftschicht nur mit einem Umfangsabschnitt der ersten Seite des Substrats in Kontakt kommt. Der Umfangsabschnitt der ersten Seite des Substrats kann ein Umfangsrandbereich des Substrats sein oder damit korrespondieren.
Durch Verwendung so einer Haftschicht kann das Anbringen der Schutzfolie an dem Substrat weiter verbessert werden. Da die Haftschicht nur in dem Umfangsbereich der vorderen Fläche der Schutzfolie vorgesehen ist, ist der Bereich, in dem die Schutzfolie und das Substrat durch die Haftschicht aneinander angebracht sind, verglichen mit einem Fall deutlich reduziert, bei dem eine Haftschicht an der gesamten vorderen Fläche der Schutzfolie vorgesehen ist. Folglich kann die Schutzfolie einfacher von dem Substrat aufgenommen werden, und das Risiko einer Beschädigung des Substrats wird deutlich reduziert.
Ein Anbringen der Schutzfolie an der ersten Seite des Substrats kann ein Aufbringen auf die Schutzfolie umfassen oder daraus bestehen. Durch Aufbringen des äußeren Impulses wird eine Anbringkraft zwischen der Schutzfolie und dem Substrat erzeugt, welche die Schutzfolie an dem Substrat an ihrer Position hält. Folglich ist kein zusätzliches Haftmaterial zum Anbringen der Schutzfolie an der ersten Seite des Substrats notwendig.
Insbesondere durch Aufbringen des äußeren Impulses auf die Schutzfolie kann ein Formschluss, wie zum Beispiel eine formschlüssige Verbindung, und/oder ein Stoffschluss, wie zum Beispiel eine stoffschlüssige Verbindung, zwischen der Schutzfolie und dem Substrat ausgebildet werden.
Ein Aufbringen des äußeren Impulses auf die Schutzfolie kann ein Erwärmen der Schutzfolie und/oder Kühlen der Schutzfolie und/oder Aufbringen eines Vakuums auf die Schutzfolie und/oder ein Bestrahlen der Schutzfolie mit Strahlung, wie zum Beispiel Licht, zum Beispiel durch Verwendung eines Laserstrahls, umfassen oder daraus bestehen.
Der äußere Impuls kann eine chemische Verbindung und/oder eine Elektronen- oder Plasmastrahlung und/oder eine mechanische Behandlung, wie zum Beispiel Druck, Reibung oder Aufbringen von Ultraschall, und/oder statische Elektrizität, umfassen oder sein.
Eine Dämpferschicht kann an einer hinteren Fläche der Schutzfolie angebracht sein, die dessen vorderen Fläche gegenüberliegt. Eine vordere Fläche der Dämpferschicht kann an der hinteren Fläche der Schutzfolie angebracht sein. Die Dämpferschicht kann die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Charakteristiken aufweisen.
Insbesondere kann die Dämpferschicht durch einen äußeren Impuls, wie zum Beispiel UV-Strahlung, Wärme, ein elektrisches Feld und/oder einen chemischen Stoff härtbar sein. Das Verfahren kann ferner ein Aufbringen des äußeren Impulses auf die Dämpferschicht umfassen, um die Dämpferschicht zu härten.
Eine Basisschicht kann an einer hinteren Fläche der Dämpferschicht, die dessen vorderen Fläche gegenüberliegt, welche an der Schutzfolie angebracht ist, angebracht werden. Die Basisschicht kann die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Charakteristika aufweisen.
Ein Bearbeiten des Substrats von der zweiten Seite des Substrats aus kann ein Teilen des Substrats in mehrere getrennte Elemente von der zweiten Seite des Substrats aus umfassen oder daraus bestehen. Die getrennten Elemente können zum Beispiel Bausteine oder Chips sein.
In diesem Fall kann das Verfahren nach dem Anbringen der Schutzfolie an der ersten Seite des Substrats ein Teilen des Substrats in die mehreren getrennten Elemente von der zweiten Seite des Substrats aus, nach dem Teilen des Substrats in die mehreren getrennten Elemente ein Überprüfen der zweiten Seite des geteilten Substrats von der zweiten Seite des geteilten Substrats aus auf Defekte und nach dem Überprüfen der zweiten Seite des geteilten Substrats auf Defekte ein Anbringen der Stützfolie an der zweiten Seite des geteilten Substrats umfassen. Ferner kann das Verfahren ein Entfernen der Schutzfolie von der ersten Seite des geteilten Substrats und nach dem Entfernen der Schutzfolie von der ersten Seite des geteilten Substrats, ein Überprüfen der ersten Seite des geteilten Substrats von der ersten Seite des geteilten Substrats aus auf Defekte umfassen.
Mit dem Verfahren der vorliegenden Erfindung können defekte Elemente, wie zum Beispiel defekte Bausteine oder Chips, auf effiziente und zuverlässige Weise durch Überprüfen des Substrats, das heißt des geteilten Substrats, erkannt und verfolgt werden, anstatt jedes Element einzeln zu überprüfen.
Ein Bearbeiten des Substrats von der zweiten Seite des Substrats aus kann aus einem Schneiden des Substrats entlang einer Dickenrichtung des Substrats bestehen oder dieses umfassen. Die Dickenrichtung erstreckt sich von der zweiten Seite des Substrats in Richtung der ersten Seite des Substrats.
Ein Teilen des Substrats in die mehreren getrennten Elemente kann aus einem Schneiden des Substrats entlang der Dickenrichtung des Substrats bestehen oder dieses umfassen.
Das Substrat kann entlang seiner gesamten Dicke geschnitten werden, um das Substrat vollständig zu teilen, oder entlang nur eines Teils seiner Dicke geschnitten werden.
Eine oder mehrere Trennlinien können an der ersten Seite und/oder der zweiten Seite des Substrats ausgebildet werden. Wenn das Substrat auf der ersten Seite und/oder auf der zweiten Seite des Substrats einen Bauelementbereich mit mehreren Bauelementen aufweist, können die Bauelemente durch die eine oder mehreren Trennlinien unterteile werden. Vorzugsweise werden der Bauelementbereich und die eine oder mehreren Trennlinien an der ersten Seite des Substrats ausgebildet.
Ein Bearbeiten des Substrats von der zweiten Seite des Substrats aus kann aus einem Schneiden des Substrats entlang der einen oder mehreren Trennlinien bestehen oder dies umfassen.
Ein Teilen des Substrats in die mehreren getrennten Elemente kann aus einem Schneiden des Substrats entlang der einen oder mehreren Trennlinien bestehen oder dies umfassen.
Ein Schneiden des Substrats entlang der Dickenrichtung des Substrats kann ein mechanisches Schneiden des Substrats und/oder Laserschneiden des Substrats und/oder Plasmaschneiden des Substrats bestehen oder dies umfassen. Zum Beispiel kann das Substrat durch Klingenteilen oder Sägen mechanisch geschnitten werden.
Das Substrat kann in einem einzigen mechanischen Schneidschritt, einem einzigen Laserschneidschritt oder einem einzigen Plasmaschneidschritt geschnitten werden. Alternativ kann das Substrat durch eine Abfolge mechanischer Schneid- und/oder Laserschneid- und/oder Plasmaschneidschritte geschnitten werden.
Wenn der Bauelementbereich und die eine oder mehreren Trennlinien an der ersten Seite des Substrats ausgebildet werden und das Substrat von der ersten Substratseite aus zum Beispiel durch mechanisches Schneiden, wie zum Beispiel Klingenteilen oder Sägen, oder durch Laserschneiden entlang der einen oder mehreren Trennlinien geschnitten wird, kann die Qualität der Bauelemente in dem Bauelementbereich durch den Schneidvorgang beeinflusst werden. Dies trifft insbesondere zu, wenn das Substrat entlang seiner gesamten Dicke anstatt nur entlang eines Teils seiner Dicke geschnitten wird. Zum Beispiel können Probleme, wie zum Beispiel eine Abplatzung an der vorderen Seite und/oder hinteren Seite, eine Verunreinigung des Bauelementbereichs und eine Verminderung der Chip-Festigkeit der resultierenden Bausteine oder Chips auftreten, die durch Teilen des Substrats erhalten werden. Wenn der Bauelementbereich und die eine oder mehreren Trennlinien an der ersten Seite des Substrats, aber nicht an der zweiten Seite des Substrats ausgebildet werden, können diese Probleme zuverlässig durch Schneiden des Substrats entlang der einen oder mehreren Trennlinien von seiner zweiten Seite aus zuverlässig vermieden werden. Optional kann eine Metallschicht oder eine Metallbeschichtung an der zweiten Seite des Substrats, insbesondere an der gesamten zweiten Seite des Substrats, vorhanden sein.
Ein Laserschneiden kann zum Beispiel durch Ablationslaserschneiden und/oder durch Stealthlaserschneiden, das heißt, durch Ausbilden modifizierter Bereiche innerhalb des Substrats durch das Aufbringen eines Laserstrahls, wie weiter unten im Detail beschrieben wird, und/oder durch Ausbilden mehrere Lochbereiche in dem Substrat durch das Aufbringen eines Laserstrahls ausgeführt werden. Jeder dieser Lochbereiche kann aus einem modifizierten Bereich und einem Raum in dem modifizierten Bereich aufgebaut sein, der zu einer Fläche des Substrats hin offen ist.
Während eines Stealthlaser-Schneidvorgangs wird ein Laserstrahl mit einer Wellenlänge, die eine Transmission des Laserstrahls durch das Substrat zulässt, auf das Substrat aufgebracht. Folglich ist das Substrat aus einem Material hergestellt, das für den Laserstrahl transparent ist. Der Laserstrahl wird zumindest bei mehreren Positionen auf das Substrat aufgebracht, um mehrere modifizierte Bereiche in dem Substrat, zum Beispiel innerhalb oder der Masse des Substrats, auszubilden. Insbesondere kann der Laserstrahl zumindest bei mehreren Positionen entlang zumindest einer Trennlinie auf das Substrat aufgebracht werden, um in dem Substrat mehrere modifizierte Bereiche entlang der mindestens einen Trennlinie auszubilden.
Der Laserstrahl kann ein gepulster Laserstrahl sein. Der gepulste Laserstrahl kann eine Pulsbreite von zum Beispiel in einem Bereich von 1 fs bis 1000 ns aufweisen.
Die modifizierten Bereiche sind Bereiche des Substrats, die durch das Aufbringen des Laserstrahls modifiziert worden sind. Die modifizierten Bereiche können Bereiche des Substrats sein, in denen die Struktur des Substratmaterials modifiziert worden ist. Die modifizierten Bereiche können Bereiche des Substrats sein, in denen das Substrat beschädigt worden ist. Die modifizierten Bereiche können amorphe Bereiche oder Bereiche umfassen, in denen Risse ausgebildet sind, oder können amorphe Bereiche oder Bereiche sein, in denen Risse ausgebildet sind.
Durch Ausbilden dieser modifizierten Bereiche wird die Festigkeit des Substrats in dessen Bereichen, wo die modifizierten Bereiche ausgebildet sind, vermindert. Folglich wird das Teilen des Substrats, zum Beispiel entlang der mindestens einen Trennlinie, wo die mehreren modifizierten Bereiche ausgebildet worden sind, stark vereinfacht.
Das Substrat kann bei dem Stealthlaser-Schneidvorgang vollständig geteilt werden, zum Beispiel wenn sich Risse in dem Substrat von den modifizierten Bereichen zu der ersten und zweiten Seite des Substrats erstrecken. Wenn das Substrat bei dem Stealthlaser-Schneidvorgang nicht vollständig geteilt wird, kann das Verfahren ferner ein vollständiges Teilen des Substrats umfassen, indem zum Beispiel eine äußere Kraft auf dieses aufgebracht wird. Zum Beispiel kann eine äußere Kraft durch radiales Aufweiten der Stützfolie, das heißt durch Verwendung der Stützfolie als Aufweitband, wie zum Beispiel mittels einer Aufweittrommel, auf das Substrat aufgebracht werden. Alternativ kann eine äußere Kraft durch Aufweiten der Stützfolie, zum Beispiel unter Verwendung von ausfahrenden Stangen, auf das Substrat aufgebracht werden. Zum Beispiel kann die Aufweitvorrichtung zum Aufweiten der Stützfolie verwendet werden, die in DE 10 2018 207 498 A1 beschrieben wird. Auch in diesem Fall kann die Stützfolie als Aufweitband verwendet werden. Vor dem Aufweiten der Stützfolie kann ein zusätzlicher Brechschritt ausgeführt werden, um das Substrat entlang der Bereiche zu brechen, wo die modifizierten Bereiche ausgebildet sind.
Wenn das Substrat während des Stealthlaser-Schneidvorgangs vollständig geteilt worden ist, kann die Stützfolie aufgeweitet, zum Beispiel radial aufgeweitet, werden, um den Abstand zwischen benachbarten getrennten Elementen, wie zum Beispiel Bausteine oder Chips, zu erhöhen. Auf diese Weise kann das Risiko einer Beschädigung dieser Elemente beim Aufnehmen von der Stützfolie während eines nachfolgenden Schritts deutlich vermindert werden.
Vor einem Anbringen der Schutzfolie an der ersten Seite des Substrats kann das Substrat von der ersten Seite aus entlang eines Teils seiner Dicke geschnitten werden. Auf diese Weise kann eine Schicht oder Schichten, die an der ersten Seite ausgebildet ist, wie zum Beispiel eine Niedrigk-Schicht oder eine Metallschicht, in den Bereichen entfernt werden, wo das Substrat getrennt werden soll. Zum Beispiel kann das Substrat entlang eines Teils seiner Dicke entlang einer oder mehrerer Trennlinien geschnitten werden. Das Substrat kann durch mechanisches Schneiden, zum Beispiel unter Verwendung einer Klinge oder einer Säge und/oder durch Laserschneiden oder Lasergrooving, entlang eines Teils seiner Dicke geschnitten werden.
Vor oder nach dem Anbringen der Schutzfolie an der ersten Seite des Substrats kann ein Stealthlaser-Schneidvorgang von der ersten Seite des Substrats aus an dem Substrat ausgeführt werden. Zum Beispiel kann der Stealthlaser-Schneidvorgang entlang einer oder mehrerer Trennlinien ausgeführt werden. Ein Ausführen des Stealthlaser-Schneidvorgangs an dem Substrat von der ersten Seite des Substrats aus ist in dem Fall schmaler Trennlinien, wie zum Beispiel Trennlinien mit Breiten von 20 µm oder weniger, besonders vorteilhaft.
Wenn der Stealthlaser-Schneidvorgang nach einem Anbringen der Schutzfolie an der ersten Seite des Substrats ausgeführt wird, wird der Laserstrahl durch die Schutzfolie hindurch auf das Substrat aufgebracht. In diesem Fall wird die Wellenlänge des Laserstrahls so gewählt, dass der Laserstrahl durch die Schutzfolie hindurch übertragen wird, das heißt, sodass die Schutzfolie für den Laserstrahl transparent ist.
Das Verfahren der Erfindung kann ferner nach einem Überprüfen der ersten Seite des Substrats, insbesondere des geteilten Substrats, von der ersten Seite des Substrats aus auf Defekte, ein Aufnehmen der getrennten Elemente, das heißt der durch Teilen des Substrats erhaltenen getrennten Elemente, von der Stützfolie umfassen. Die getrennten Elemente können zum Beispiel Bausteine oder Chips sein. Jedes getrennte Element, insbesondere jeder Baustein oder Chip, kann ein oder mehrere Bauelemente der in dem Bauelementbereich ausgebildeten Bauelemente, wenn vorhanden, aufweisen.
Die getrennten Elemente werden somit von der Stützfolie aufgenommen, nachdem die erste Seite des Substrats von der ersten Seite des Substrats aus auf Defekte hin überprüft worden ist. Folglich können durch Überprüfen des Substrats, insbesondere durch Zurückgreifen auf eine Information über die Position jedes Elements in dem Substrat anstelle durch ein einzelnes Überprüfen jeden Elements, defekte Elemente erkannt und verfolgt werden. Folglich kann das Verfahren mit einem besonders hohen Grad an Effizienz ausgeführt werden.
Durch Entfernen der Schutzfolie von der ersten Seite des Substrats, insbesondere des geteilten Substrats, können auch Partikel, wie zum Beispiel Abplatzungen oder Rückstände, die während einer Bearbeitung von dem Substrat, insbesondere eines Teilens, getrennt worden sind, jedoch aufgrund des Vorhandenseins der Schutzfolie an dem Substrat verbleiben, entfernt werden. Insbesondere diese Partikel können zum Beispiel aufgrund des Vorliegens eines Haftmittels an der Schutzfolie oder aufgrund einer Materialbindung zwischen Partikeln und Schutzfolie an der Schutzfolie haften, sodass sie zusammen mit der Schutzfolie von dem Substrat entfernt werden.
Die getrennten Elemente werden nach dem Entfernen der Schutzfolie von der ersten Seite des Substrats von der Schutzfolie aufgenommen. Folglich wird die Menge an Partikeln, die an den getrennten Elementen vorliegen, wenn sie aufgenommen werden, stark vermindert. Die getrennten Elemente können sogar im Wesentlichen frei von solchen Partikeln sein. Daher werden getrennte Elemente mit einer hohen Qualität erhalten und eine weitere Bearbeitung, Handhabung und/oder ein Transport der getrennten Elemente kann deutlich effizienter gemacht werden. Zum Beispiel können die getrennten Elemente, wie zum Beispiel Bausteine oder Chips, direkt nachdem sie von der Stützfolie aufgenommen worden sind, verwendet werden, zum Beispiel zu Halbleitergehäuseeinrichtungen zusammengesetzt werden, oder in elektronischer Ausrüstung eingebaut werden.
Ein Bearbeiten des Substrats von der zweiten Seite des Substrats aus kann aus einem Verdünnen des Substrats bestehen oder dies umfassen, um die Dicke des Substrats zu vermindern. Ein Verdünnen des Substrats kann vor und/oder nach dem Teilen des Substrats in mehrere getrennte Elemente von der zweiten Seite des Substrats aus ausgeführt werden.
Ein Verdünnen des Substrats kann ein Schleifen des Substrats von der zweiten Seite des Substrats aus und/oder ein Polieren des Substrats von der zweiten Seite des Substrats aus und/oder ein Ätzen des Substrats von der zweiten Seite des Substrats aus umfassen oder daraus bestehen.
Die Erfindung stellt ferner ein System zum Bearbeiten eines Substrats bereit, wobei das Substrat eine erste Seite und eine der ersten Seite gegenüberliegende zweite Seite aufweist. Das System umfasst ein Anbringmittel, das eingerichtet ist, eine Schutzfolie an der ersten Seite des Substrats anzubringen, ein Bearbeitungsmittel, das eingerichtet ist, nach dem Anbringen der Schutzfolie an der ersten Seite des Substrats das Substrat von der zweiten Seite des Substrats aus zu bearbeiten, und ein Überprüfungsmittel, das eingerichtet ist, nach dem Bearbeiten des Substrats von der zweiten Seite des Substrats aus, die zweite Seite des Substrats von der zweiten Seite des Substrats aus auf Defekte zu überprüfen. Das System umfasst ferner ein Anbringmittel, das eingerichtet ist, nach dem Überprüfen der zweiten Seite des Substrats auf Defekte, eine Stützfolie an der zweiten Seite des Substrats anzubringen, ein Schutzfolie-Entfernungsmittel, das eingerichtet ist, die Schutzfolie von der ersten Seite des Substrats zu entfernen, und ein Überprüfungsmittel, das eingerichtet ist, nach dem Entfernen der Schutzfolie von der ersten Seite des Substrats, die erste Seite des Substrats von der ersten Seite des Substrats aus auf Defekte zu überprüfen.
Das Substratbearbeitungssystem der Erfindung ist ein System, das zum Ausführen des Substratbearbeitungsverfahrens der Erfindung eingerichtet ist. Das Substratbearbeitungssystem stellt somit die technischen Effekte und Vorteile bereit, die bereits oben für das Substratbearbeitungsverfahren im Detail beschrieben worden sind.
Die oben für das Substratbearbeitungsverfahren beschriebenen Merkmale der Erfindung treffen auch auf das Substratbearbeitungssystem der Erfindung zu.
Insbesondere können das Substrat, die Schutzfolie und die Stützfolie der gleiche wie der oben beschriebene sein. Die Schutzfolie und/oder die Stützfolie können, wie oben beschrieben worden ist, eine Dämpferschicht oder eine Dämpferschicht und eine daran angebrachte Basisschicht aufweisen.
Das Substratbearbeitungssystem kann eine Steuerung zum Steuern des Systems, insbesondere zum Steuern der Komponenten des Systems, aufweisen. Die Steuerung kann mehrere Steuerungseinheiten, wie zum Beispiel Steuerungseinheiten zum Steuern unterschiedlicher Komponenten des Systems, aufweisen. Die Steuerungseinheiten können getrennte oder einzelne Steuerungseinheiten sein.
Die Steuerung kann eingerichtet sein, das Substratbearbeitungssystem zu steuern, um das Substratbearbeitungsverfahren der Erfindung auszuführen.
Die Steuerung kann eingerichtet sein, das Anbringmittel zu steuern, um die Schutzfolie an der ersten Seite des Substrats anzubringen. Die Steuerung kann eingerichtet sein, nach dem Anbringen der Schutzfolie an der ersten Seite des Substrats das Bearbeitungsmittel zu steuern, um das Substrat von der zweiten Seite des Substrats aus zu bearbeiten. Die Steuerung kann eingerichtet sein, nach dem Bearbeiten des Substrats von der zweiten Seite des Substrats aus auf Defekte das Überprüfungsmittel zu steuern, um die zweite Seite des Substrats von der zweiten Seite des Substrats aus zu überprüfen. Die Steuerung kann eingerichtet sein, nach dem Überprüfen der zweiten Seite des Substrats aus auf Defekte das Anbringmittel zu steuern, um die Stützfolie an der zweiten Seite des Substrats anzubringen. Die Steuerung kann eingerichtet sein, das Schutzfolie-Entfernungsmittel zu steuern, um die Schutzfolie von der ersten Seite des Substrats zu entfernen. Die Steuerung kann eingerichtet sein, nach dem Entfernen der Schutzfolie von der ersten Seite des Substrats, das Überprüfungsmittel zu steuern, um die erste Seite des Substrats von der ersten Seite des Substrats aus auf Defekte zu überprüfen.
Das Substratbearbeitungssystem der Erfindung kann aus einer einzigen Vorrichtung oder Maschine bestehen oder diese umfassen. Alternativ kann das Substratbearbeitungssystem der Erfindung aus mehreren Vorrichtungen oder Maschinen, wie zum Beispiel mehreren getrennten oder einzelnen Vorrichtungen oder Maschinen, bestehen oder diese aufweisen. Diese Vorrichtungen oder Maschinen können angeordnet, wie zum Beispiel miteinander verbunden sein, um ein In-Line-System auszubilden. Eine, einige oder sämtliche Vorrichtungen oder Maschinen können eingerichtet sein, einen Schritt oder mehrere Schritte des Substratbearbeitungsverfahrens der Erfindung auszuführen.
Das Substratbearbeitungssystem kann ferner ein Positionsbestimmungsmittel aufweisen, das eingerichtet ist, eine Position oder Positionen eines erkannten Defekts oder erkannter Defekte zu bestimmen, um dadurch die erste Positionsinformation zu erhalten, wenn ein Defekt oder Defekte durch Überprüfen der zweiten Seite des Substrats von der zweiten Seite des Substrats aus auf Defekte erkannt wird bzw. werden. Die Steuerung kann eingerichtet sein, das Positionsbestimmungsmittel zu steuern, um eine Position oder Positionen eines erkannten Defekts oder erkannter Defekte zu bestimmen, um dadurch die erste Positionsinformation zu erhalten, wenn ein Defekt oder Defekte durch Überprüfen der zweiten Seite des Substrats von der zweiten Seite des Substrats aus auf Defekte erkannt wird bzw. werden. Die erste Positionsinformation ist eine Information, welche die Position jeden Defekts auf der zweiten Seite des Substrats bestimmt. Die Position jeden Defekts kann in einem Koordinatensystem des Substrats definiert sein, wie zum Beispiel in Bezug auf Trennlinien und/oder an dem Substrat ausgebildete Bauelemente und/oder in Bezug auf ein anderes Element oder Elemente des Substrats. Das Element oder die Elemente des Substrats können eine Referenzmarkierung des Substrats, eine Ausrichtungsmarkierung des Substrats, eine Kante des Substrats, eine Kerbe des Substrats, wie zum Beispiel eine Waferkerbe, eine Ausrichtungsebene des Substrats und/oder einen Mittelpunkt des Substrats aufweisen. Die Position jeden Defekts kann in Bezug auf ein Element, wie zum Beispiel ein Mittelpunkt, oder Elemente eines Stützmittels, welches das Substrat unterstützt, wie zum Beispiel ein Spanntisch, und/oder in Bezug auf ein Dichtring oder Dichtringe und/oder in Bezug auf einen Schutzring oder Schutzringe definiert sein.
Die erste Positionsinformation kann aus der folgenden Information bestehen oder diese aufweisen: einen Abstand oder Abstände des Defekts oder der Defekte von einem Element oder Elementen des Substrats, wie zum Beispiel einer Referenzmarkierung des Substrats, einer Ausrichtungsmarkierung des Substrats, einer Kante des Substrats, einer Kerbe des Substrats, wie zum Beispiel einer Waferkerbe, einer Ausrichtungsebene des Substrats und/oder eines Mittelpunkts des Substrats; und/oder ein Abstand oder Abstände des Defekts oder der Defekte von einem Element, wie zum Beispiel einem Mittelpunkt, oder Elementen eines das Substrat unterstützenden Stützmittels, wie zum Beispiel ein Spanntisch; und/oder eine Größe oder Größen des Defekts oder der Defekte; und/oder ein Abstand oder Abstände des Defekts oder der Defekte von einem Dichtring oder Dichtringen; und/oder ein Abstand oder Abstände des Defekts oder Defekte von einem Schutzring oder Schutzringen.
Das Positionsbestimmungsmittel kann aus einer Datenverarbeitungsausrüstung bestehen oder diese aufweisen, die zum Beispiel Software, einen Datenkommunikationsaufbau und/oder eine Steuerungsfunktion aufweist.
Das Substratbearbeitungssystem kann ferner ein Positionsbestimmungsmittel aufweisen, das eingerichtet ist, nach dem Entfernen der Schutzfolie von der ersten Seite des Substrats eine Position oder Positionen eines erkannten Defekts oder erkannter Defekte zu bestimmen, um dadurch eine zweite Positionsinformation zu erhalten, wenn ein Defekt oder Defekte durch Überprüfen der ersten Seite des Substrats von der ersten Seite des Substrats aus auf Defekte erkannt wird bzw. werden. Die Steuerung kann eingerichtet sein, nach dem Entfernen der Schutzfolie von der ersten Seite des Substrats, das Positionsbestimmungsmittel zu steuern, um eine Position oder Positionen eines erkannten Defekts oder erkannter Defekte zu bestimmen, um dadurch eine zweite Positionsinformation zu erhalten, wenn ein Defekt oder Defekte durch Überprüfen der ersten Seite des Substrats von der ersten Seite des Substrats aus auf Defekte erkannt wird bzw. werden. Die zweite Positionsinformation ist eine Information, welche die Position jeden Defekts an der ersten Seite des Substrats angibt. Die Position jeden Defekts kann in einem Koordinatensystem des Substrats definiert sein, wie zum Beispiel in Bezug auf Trennlinien und/oder Bauelemente, die an dem Substrat ausgebildet sind, und/oder in Bezug auf ein anderes Element oder Elemente des Substrats. Das Element oder die Elemente des Substrats können eine Referenzmarkierung des Substrats, eine Ausrichtungsmarkierung des Substrats, eine Kante des Substrats, eine Kerbe des Substrats, wie zum Beispiel eine Waferkerbe, eine Ausrichtungsebene des Substrats und/oder ein Mittelpunkt des Substrats sein, oder diese aufweisen. Die Position jeden Defekts kann in Bezug auf ein Element definiert sein, wie zum Beispiel ein Mittelpunkt, oder Elemente eines das Substrat unterstützenden Stützmittels, wie zum Beispiel ein Spanntisch, und/oder in Bezug auf einen Dichtring oder Dichtringe und/oder in Bezug auf einen Schutzring oder Schutzringe.
Die zweite Positionsinformation kann aus der folgenden Information bestehen oder diese umfassen: einen Abstand oder Abstände des Defekts oder der Defekte von einem Element oder Elementen des Substrats, wie zum Beispiel eine Referenzmarkierung des Substrats, eine Ausrichtungsmarkierung des Substrats, eine Kante des Substrats, eine Kerbe des Substrats, wie zum Beispiel eine Waferkerbe, eine Ausrichtungsebene des Substrats und/oder ein Mittelpunkt des Substrats; und/oder ein Abstand oder Abstände des Defekts oder der Defekte von einem Element, wie zum Beispiel einem Mittelpunkt, oder Elemente eines das Substrat unterstützenden Stützmittels, wie zum Beispiel ein Spanntisch; und/oder eine Größe oder Größen des Defekts oder der Defekte; und/oder ein Abstand oder Abstände des Defekts oder der Defekte von einem Dichtring oder Dichtringen; und/oder einen Abstand oder Abstände des Defekts oder der Defekte von einem Schutzring oder Schutzringen.
Das Positionsbestimmungsmittel kann aus Datenverarbeitungsausrüstung bestehen oder diese aufweisen, die zum Beispiel Software, einen Datenkommunikationsaufbau und/oder eine Steuerungsfunktion aufweist.
Das Positionsbestimmungsmittel, das eingerichtet ist, die Position oder Positionen eines Defekts oder von Defekten an der zweiten Seite des Substrats zu bestimmen, und das Positionsbestimmungsmittel, das eingerichtet ist, die Position oder Positionen eines Defekts oder von Defekten an der ersten Seite des Substrats zu bestimmen, können das gleiche einzelne Positionsbestimmungsmittel sein. Alternativ kann ein erstes Positionsbestimmungsmittel zum Bestimmen der Position oder Positionen eines Defekts oder von Defekten an der zweiten Seite des Substrats verwendet werden, und ein anderes, zweites Positionsbestimmungsmittel kann zum Bestimmen der Position oder Positionen eines Defekts oder von Defekten an der ersten Seite des Substrats verwendet werden. Das erste Positionsbestimmungsmittel kann aus Datenverarbeitungsausrüstung bestehen oder diese umfassen, die zum Beispiel Software, einen Datenkommunikationsaufbau und/oder eine Steuerungsfunktion aufweist. Das zweite Positionsbestimmungsmittel kann aus Datenverarbeitungsausrüstung bestehen oder diese aufweisen, die zum Beispiel Software, einen Datenkommunikationsaufbau und/oder eine Steuerungsfunktion aufweist.
Die Steuerung kann eingerichtet sein, die erste und/oder zweite Positionsinformation mit einer Information über die Position bestimmter Abschnitte oder Bereiche des Substrats zu korrelieren, wie zum Beispiel Abschnitte oder Bereiche, in denen Bauelemente, elektrische Verbindungen oder Ähnliches ausgebildet sind. Insbesondere kann die Steuerung eingerichtet sein, die erste und/oder zweite Positionsinformation mit einer Information über die Position jeden Elements in dem Substrat zu korrelieren, das durch Teilen des Substrats erhalten wird.
Das Substratbearbeitungssystem kann ferner ein Überprüfungsmittel aufweisen, das eingerichtet ist, die erste Seite des Substrats vor einem Entfernen der Schutzfolie von der ersten Seite des Substrats aus durch die Schutzfolie hindurch auf Defekte zu überprüfen. Die Steuerung kann eingerichtet sein, das Überprüfungsmittel zu steuern, um die erste Seite des Substrats vor einem Entfernen der Schutzfolie von der ersten Seite des Substrats aus durch die Schutzfolie hindurch auf Defekte zu überprüfen.
Das Überprüfungsmittel kann eingerichtet sein, die erste Seite des Substrats vor einem Anbringen der Stützfolie an der zweiten Seite des Substrats durch die Schutzfolie hindurch auf Defekte zu überprüfen. Das Überprüfungsmittel kann eingerichtet sein, die erste Seite des Substrats nach einem Anbringen der Stützfolie an der zweiten Seite des Substrats durch die Schutzfolie hindurch auf Defekte zu überprüfen.
Die Steuerung kann eingerichtet sein, das Überprüfungsmittel zu steuern, um die erste Seite des Substrats vor einem Anbringen der Stützfolie an der zweiten Seite des Substrats durch die Schutzfolie auf Defekte zu überprüfen. Die Steuerung kann eingerichtet sein, das Überprüfungsmittel zu steuern, um die erste Seite des Substrats nach einem Anbringen der Stützfolie an der zweiten Seite des Substrats durch die Schutzfolie hindurch auf Defekte zu überprüfen.
Das Substratbearbeitungssystem kann ferner ein Positionsbestimmungsmittel aufweisen, das eingerichtet ist, eine Position oder Positionen eines erkannten Defekts oder erkannter Defekte zu bestimmen, um dadurch eine dritte Positionsinformation zu erhalten, wenn durch Überprüfen der ersten Seite des Substrats durch die Schutzfolie hindurch auf Defekte ein Defekt oder Defekte erkannt wird bzw. werden. Die Steuerung kann eingerichtet sein, das Positionsbestimmungsmittel zu steuern, um eine Position oder Positionen eines erkannten Defekts oder erkannter Defekte zu bestimmen, um dadurch eine dritte Positionsinformation zu erhalten, wenn ein Defekt oder Defekte durch Überprüfen der ersten Seite des Substrats durch die Schutzfolie hindurch auf Defekte erkannt wird bzw. werden. Die dritte Positionsinformation ist eine Information, welche die Position jeden Defekts an der ersten Seite des Substrats angibt. Die Position jeden Defekts kann in einem Koordinatensystem des Substrats definiert sein, wie zum Beispiel in Bezug auf Trennlinien und/oder Bauelemente, die an dem Substrat ausgebildet sind, und/oder in Bezug auf ein anderes Element oder Elemente des Substrats. Das Element oder die Elemente des Substrats kann bzw. können eine Referenzmarkierungen des Substrats, eine Ausrichtungsmarkierung des Substrats, eine Kante des Substrats, eine Kerbe des Substrats, wie zum Beispiel eine Waferkerbe, eine Ausrichtungsebene des Substrats und/oder einen Mittelpunkt des Substrats sein oder aufweisen. Die Position jeden Defekts kann in Bezug auf ein Element definiert sein, wie zum Beispiel ein Mittelpunkt oder Elemente eines das Substrat unterstützenden Stützmittels, wie zum Beispiel ein Spanntisch, und/oder in Bezug auf einen Dichtring oder Dichtringe und/oder in Bezug auf einen Schutzring oder Schutzringe.
Die dritte Positionsinformation kann aus der folgenden Information bestehen oder diese aufweisen: einen Abstand oder Abstände des Defekts oder der Defekte von einem Element oder Elementen des Substrats, wie zum Beispiel eine Referenzmarkierung des Substrats, eine Ausrichtungsmarkierung des Substrats, wie zum Beispiel eine Waferkerbe, eine Ausrichtungsebene des Substrats und/oder ein Mittelpunkt des Substrats; und/oder ein Abstand oder Abstände des Defekts oder der Defekte von einem Element, wie zum Beispiel einem Mittelpunkt, oder Elemente eines das Substrat unterstützenden Stützmittels, wie zum Beispiel ein Spanntisch; und/oder eine Größe oder Größen des Defekts oder der Defekte; und/oder ein Abstand oder Abstände des Defekts oder der Defekte von einem Dichtring oder Dichtringen; und/oder ein Abstand oder Abstände des Defekts oder der Defekte von einem Schutzring oder Schutzringen.
Das Positionsbestimmungsmittel kann aus Datenverarbeitungsausrüstung bestehen oder diese aufweisen, die zum Beispiel Software, einen Datenkommunikationsaufbau und/oder eine Steuerungsfunktion aufweist.
Das Positionsbestimmungsmittel, das eingerichtet ist, nach dem Entfernen der Schutzfolie von der ersten Seite des Substrats die Position oder Positionen eines an der ersten Seite des Substrats durch die Schutzfolie hindurch erkannten Defekts oder erkannter Defekte zu bestimmen, kann das gleiche einzelne Positionsbestimmungsmittel sein wie das Positionsbestimmungsmittel, das eingerichtet ist, die Position oder Positionen eines Defekts oder von Defekten an der zweiten Seite des Substrats zu bestimmen und/oder das Positionsbestimmungsmittel sein, das eingerichtet ist, die Position oder Positionen eines Defekts oder von Defekten an der ersten Seite des Substrats zu bestimmen. Alternativ kann ein anderes drittes Positionsbestimmungsmittel zum Bestimmen der Position oder Positionen eines an der ersten Seite des Substrats durch die Schutzfolie hindurch erkannten Defekts oder erkannter Defekte verwendet werden. Das dritte Positionsbestimmungsmittel kann aus Datenverarbeitungsausrüstung bestehen oder diese aufweisen, die zum Beispiel Software, einen Datenkommunikationsaufbau und/oder eine Steuerungsfunktion aufweist.
Die Steuerung kann eingerichtet sein, die erste Positionsinformation mit der zweiten Positionsinformation zu korrelieren. Die Steuerung kann eingerichtet sein, die erste Positionsinformation mit der zweiten Positionsinformation und/oder mit der dritten Positionsinformation zu korrelieren.
Das Überprüfungsmittel, das eingerichtet ist, die zweite Seite des Substrats zu überprüfen, und das Überprüfungsmittel, das eingerichtet ist, die erste Seite des Substrats zu überprüfen, nachdem die Schutzfolie von der ersten Seite des Substrats entfernt worden ist, kann das gleiche einzelne Überprüfungsmittel sein. Das Überprüfungsmittel, das eingerichtet ist, die erste Seite des Substrats vor einem Entfernen der Schutzfolie von der ersten Seite des Substrats aus durch die Schutzfolie hindurch auf Defekte zu überprüfen, kann das gleiche, einzelne Überprüfungsmittel wie das Überprüfungsmittel sein, das eingerichtet ist, die zweite Seite des Substrats zu überprüfen und/oder das Überprüfungsmittel sein, das eingerichtet ist, die erste Seite des Substrats zu überprüfen, nachdem die Schutzfolie von der ersten Seite des Substrats entfernt worden ist.
Das Überprüfungsmittel kann an oder in dem Bearbeitungsmittel angeordnet sein, das eingerichtet ist, das Substrat von der zweiten Seite des Substrats aus zu bearbeiten. Das Überprüfungsmittel kann einen Teil des Bearbeitungsmittels ausbilden.
Alternativ kann das Überprüfungsmittel außerhalb des Bearbeitungsmittels angeordnet sein. Zum Beispiel kann das Überprüfungsmittel in einer getrennten Überprüfungsausrüstung angeordnet sein, wie zum Beispiel einer optischen Überprüfungsausrüstung.
Das Überprüfungsmittel kann zum Beispiel eine Kamera sein, wie zum Beispiel eine Mikroskopkamera für eine optische Überprüfung.
Alternativ kann ein erstes Überprüfungsmittel zum Überprüfen der zweiten Seite des Substrats von der zweiten Seite des Substrats aus auf Defekte verwendet werden, und ein anderes, zweites Überprüfungsmittel kann zum Überprüfen der ersten Seite des Substrats von der ersten Seite des Substrats aus auf Defekte verwendet werden, nachdem die Schutzfolie von der ersten Seite des Substrats entfernt worden ist. Das zweite Überprüfungsmittel oder ein anderes drittes Überprüfungsmittel kann zum Überprüfen der ersten Seite des Substrats durch die Schutzfolie hindurch auf Defekte verwendet werden.
Eine, zwei oder sämtliche der ersten bis dritten Überprüfungsmittel kann an oder in dem Bearbeitungsmittel angeordnet sein, das eingerichtet ist, das Substrat von der zweiten Seite des Substrats aus zu bearbeiten. Ein, zwei oder sämtliche des ersten bis dritten Überprüfungsmittels kann einen Teil des Bearbeitungsmittels ausbilden.
Ein, zwei oder sämtliche des ersten bis dritten Überprüfungsmittels kann außerhalb des Bearbeitungsmittels angeordnet sein. Zum Beispiel kann ein, zwei oder sämtliche des ersten bis dritten Überprüfungsmittels in einer getrennten Überprüfungsausrüstung, wie zum Beispiel einer optischen Überprüfungsausrüstung, angeordnet sein. Sämtliche des ersten bis dritten Überprüfungsmittels kann in der gleichen, getrennten Überprüfungsausrüstung angeordnet sein. Jedes des ersten bis dritten Überprüfungsmittels kann in einer anderen, getrennten Überprüfungsausrüstung angeordnet sein.
Das erste Überprüfungsmittel kann zum Beispiel eine Kamera sein, wie zum Beispiel eine Mikroskopkamera für eine optische Überprüfung. Das zweite Überprüfungsmittel kann zum Beispiel eine Kamera sein, wie zum Beispiel eine Mikroskopkamera für eine optische Überprüfung. Das dritte Überprüfungsmittel kann zum Beispiel eine Kamera sein, wie zum Beispiel eine Mikroskopkamera für eine optische Überprüfung.
Das Anbringmittel kann eingerichtet sein, die Stützfolie an der zweiten Seite des Substrats anzubringen, sodass zumindest ein mittiger Bereich der vorderen Fläche der Stützfolie mit der zweiten Seite des Substrats in direktem Kontakt ist, sodass kein Haftmittel zwischen zumindest dem mittigen Bereich der vorderen Fläche der Stützfolie und der zweiten Seite des Substrats vorhanden ist. Die Steuerung kann eingerichtet sein, das Anbringmittel zu steuern, um die Stützfolie an der zweiten Seite des Substrats anzubringen, sodass zumindest der mittige Bereich der vorderen Fläche der Stützfolie mit der zweiten Seite des Substrats in direktem Kontakt ist, sodass kein Haftmittel zwischen zumindest dem mittigen Bereich der vorderen Fläche der Stützfolie und der zweiten Seite des Substrats vorhanden ist.
Das Anbringmittel kann eingerichtet sein, die Stützfolie an der zweiten Seite des Substrats anzubringen, sodass in dem gesamten Bereich, wo die vordere Fläche der Stützfolie mit der zweiten Seite des Substrats in Kontakt kommt, die vordere Fläche der Stützfolie mit der zweiten Seite des Substrats in direktem Kontakt ist. Die Steuerung kann eingerichtet sein, das Anbringmittel zu steuern, um die Stützfolie so an der zweiten Seite des Substrats anzubringen, dass in dem gesamten Bereich, wo die vordere Fläche der Stützfolie mit der zweiten Seite des Substrats in Kontakt kommt, die vordere Fläche der Stützfolie mit der zweiten Seite des Substrats in direktem Kontakt ist.
Ein Haftmittel, wie zum Beispiel eine Haftschicht, kann nur in einem Umfangsbereich der vorderen Fläche der Stützfolie vorgesehen sein. Der Umfangsbereich der vorderen Fläche der Stützfolie kann so angeordnet sein, dass er den mittigen Bereich der vorderen Fläche der Stützfolie umgibt.
Das Anbringmittel kann eingerichtet sein, die vordere Fläche der Stützfolie an der zweiten Seite des Substrats anzubringen, sodass das Haftmittel nur mit einem Umfangsabschnitt der zweiten Seite des Substrats in Kontakt kommt. Die Steuerung kann eingerichtet sein, das Anbringmittel zu steuern, um die vordere Fläche der Stützfolie so an der zweiten Seite des Substrats anzubringen, dass die Haftschicht nur mit einem Umfangsabschnitt der zweiten Seite des Substrats in Kontakt kommt. Der Umfangsabschnitt der zweiten Seite des Substrats kann ein Umfangsrandbereich des Substrats sein oder mit diesem korrespondieren.
Das Substratbearbeitungssystem, insbesondere das Anbringmittel, kann ein Aufbringmittel für einen äußeren Impuls aufweisen, das eingerichtet ist, einen äußeren Impuls auf die Stützfolie aufzubringen. Die Steuerung kann eingerichtet sein, das Aufbringmittel für einen äußeren Impuls zu steuern, um den äußeren Impuls auf die Stützfolie aufzubringen. Durch Aufbringen des äußeren Impulses wird eine Anbringkraft zwischen der Stützfolie und dem Substrat erzeugt, welche die Stützfolie an dem Substrat an ihrer Position hält. Der äußere Impuls kann wie oben beschrieben sein.
Das Aufbringmittel für einen äußeren Impuls kann aus einem Heizmittel, das eingerichtet ist, die Stützfolie aufzuwärmen, und/oder ein Kühlmittel, das eingerichtet ist, die Stützfolie zu kühlen, und/oder ein Vakuumaufbringmittel, das eingerichtet ist, ein Vakuum auf die Stützfolie aufzubringen, und/oder ein Bestrahlungsmittel sein, das eingerichtet ist, die Stützfolie mit einer Strahlung zu bestrahlen, wie zum Beispiel Licht, beispielsweise durch Verwendung eines Laserstrahls.
Das Anbringmittel kann eingerichtet sein, die Schutzfolie so an der ersten Seite des Substrats anzubringen, dass zumindest ein mittiger Bereich der vorderen Fläche der Schutzfolie mit der ersten Seite des Substrats in direktem Kontakt ist, sodass zwischen zumindest dem mittigen Bereich der vorderen Fläche der Schutzfolie und der ersten Seite des Substrats kein Haftmittel vorhanden ist. Die Steuerung kann eingerichtet sein, das Anbringmittel zu steuern, um die Schutzfolie so an der ersten Seite des Substrats anzubringen, dass zumindest der mittige Bereich der vorderen Fläche der Schutzfolie mit der ersten Seite des Substrats in direktem Kontakt ist, sodass zwischen zumindest dem mittigen Bereich der vorderen Fläche der Schutzfolie und der ersten Seite des Substrats kein Haftmittel vorhanden ist.
Das Anbringmittel kann eingerichtet sein, die Schutzfolie so an der ersten Seite des Substrats anzubringen, dass in dem gesamten Bereich, wo die vordere Fläche der Schutzfolie mit der ersten Seite des Substrats in Kontakt kommt, die vordere Fläche der Schutzfolie mit der ersten Seite des Substrats in direktem Kontakt ist. Die Steuerung kann eingerichtet sein, das Anbringmittel zu steuern, um die Schutzfolie so an der ersten Seite des Substrats anzubringen, dass in dem gesamten Bereich, wo die vordere Fläche der Schutzfolie mit der ersten Seite des Substrats in Kontakt kommt, die vordere Fläche der Schutzfolie mit der ersten Seite des Substrats in direktem Kontakt ist.
Ein Haftmittel, wie zum Beispiel eine Haftschicht, kann nur in einem Umfangsbereich der vorderen Fläche der Schutzfolie vorgesehen sein. Der Umfangsbereich der vorderen Fläche der Schutzfolie kann angeordnet sein, um den mittigen Bereich der vorderen Fläche der Schutzfolie zu umgeben.
Das Anbringmittel kann eingerichtet sein, die vordere Fläche der Schutzfolie so an der ersten Seite des Substrats anzubringen, dass die Haftschicht nur mit dem Umfangsabschnitt der ersten Seite des Substrats in Kontakt kommt. Die Steuerung kann eingerichtet sein, das Anbringmittel zu steuern, um die vordere Fläche der Schutzfolie so an der ersten Seite des Substrats anzubringen, dass die Haftschicht nur mit einem Umfangsabschnitt der ersten Seite des Substrats in Kontakt kommt. Der Umfangsabschnitt der ersten Seite des Substrats kann ein Umfangsrandbereich des Substrats sein oder damit korrespondieren.
Das Substratbearbeitungssystem, insbesondere das Anbringmittel, kann ein Aufbringmittel für einen äußeren Impuls aufweisen, das eingerichtet ist, einen äußeren Impuls auf die Schutzfolie aufzubringen. Die Steuerung kann eingerichtet sein, das Aufbringmittel für einen äußeren Impuls zu steuern, um den äußeren Impuls auf die Schutzfolie aufzubringen. Durch Aufbringen des äußeren Impulses wird zwischen der Schutzfolie und dem Substrat eine Anbringkraft erzeugt, welche die Schutzfolie an dem Substrat an deren Position hält. Der äußere Impuls kann wie oben beschrieben sein.
Das Aufbringmittel für einen äußeren Impuls kann aus einem Heizmittel, das eingerichtet ist, die Schutzfolie zu erwärmen, und oder einem Kühlmittel, das eingerichtet ist, die Schutzfolie zu kühlen und/oder einem Vakuumaufbringmittel, das eingerichtet ist, ein Vakuum auf die Schutzfolie aufzubringen und/oder einem Bestrahlungsmittel, das eingerichtet ist, die Schutzfolie mit Strahlung, wie zum Beispiel Licht, beispielsweise durch Verwendung eines Laserstrahls, zu bestrahlen, bestehen oder dieses aufweisen.
Das Anbringmittel, das eingerichtet ist, die Schutzfolie an der ersten Seite des Substrats anzubringen und das Anbringmittel, das eingerichtet ist, die Stützfolie an der zweiten Seite des Substrats anzubringen, kann das gleiche, einzelne Anbringmittel sein. Alternativ kann ein erstes Anbringmittel zum Anbringen der Schutzfolie an der ersten Seite des Substrats verwendet werden und ein anderes, zweites Anbringmittel kann zum Anbringen der Stützfolie an der zweiten Seite des Substrats verwendet werden.
Das Anbringmittel, das eingerichtet ist, die Schutzfolie an der ersten Seite des Substrats anzubringen, kann sich von dem Schutzfolie-Entfernungsmittel unterscheiden, das eingerichtet ist, die Schutzfolie von der ersten Seite des Substrats zu entfernen.
Das Anbringmittel, das eingerichtet ist, die Stützfolie an der zweiten Seite des Substrats anzubringen, und das Schutzfolie-Entfernungsmittel, das eingerichtet ist, die Schutzfolie von der ersten Seite des Substrats zu entfernen, kann das gleiche, einzelne Mittel sein. In diesem Fall wird das gleiche, einzelne Mittel zum Anbringen der Stützfolie an der zweiten Seite des Substrats und zum Entfernen der Schutzfolie von der ersten Seite des Substrats verwendet. Zum Beispiel kann das gleiche, einzelne Mittel aus einem Anbring- und Abziehsystem bestehen oder dieses aufweisen.
Das Aufbringmittel für einen äußeren Impuls, das eingerichtet ist, einen äußeren Impuls auf die Stützfolie aufzubringen, und das Aufbringmittel für einen äußeren Impuls, das eingerichtet ist, einen äußeren Impuls auf die Schutzfolie aufzubringen, kann das gleiche, einzelne Aufbringmittel für einen äußeren Impuls sein. Alternativ kann ein erstes Aufbringmittel für einen äußeren Impuls zum Aufbringen eines äußeren Impulses auf die Stützfolie verwendet werden und ein anderes, zweites Aufbringmittel für einen äußeren Impuls kann zum Aufbringen eines äußeren Impulses auf die Schutzfolie verwendet werden.
Das Bearbeitungsmittel kann aus einem Teilungsmittel bestehen oder dieses aufweisen, das eingerichtet ist, das Substrat von der zweiten Seite des Substrats aus in mehrere, getrennte Elemente zu teilen. Die Steuerung kann eingerichtet sein, das Teilungsmittel zu steuern, um das Substrat von der zweiten Seite des Substrats aus in mehrere getrennte Elemente zu teilen. Die getrennten Elemente können wie oben beschrieben sein.
Das Bearbeitungsmittel, insbesondere das Teilungsmittel, kann aus einem Schneidmittel bestehen oder dieses aufweisen, das eingerichtet ist, das Substrat entlang der Dickenrichtung des Substrats zu schneiden. Die Steuerung kann eingerichtet sein, das Schneidmittel zu steuern, um das Substrat entlang der Dickenrichtung des Substrats zu schneiden. Die Steuerung kann eingerichtet sein, das Schneidmittel zu steuern, um das Substrat entlang seiner gesamten Dicke zu schneiden, um dadurch das Substrat vollständig zu teilen, oder entlang nur eines Teils von dessen Dicke zu schneiden.
Das Schneidmittel kann aus einem mechanischen Schneidmittel und/oder einem Laserschneidmittel und/oder einem Plasmaschneidmittel bestehen oder dieses aufweisen. Zum Beispiel kann das mechanische Schneidmittel aus einer Klinge oder Säge bestehen oder diese aufweisen.
Das Laserschneidmittel kann eingerichtet sein, ein Laserschneiden auszuführen, zum Beispiel durch Ablationslaserschneiden und/oder durch Stealthlaserschneiden, das heißt, indem durch das Aufbringen eines Laserstrahls, wie es oben im Detail beschrieben worden ist, in dem Substrat modifizierte Bereiche ausgebildet werden, und/oder durch Ausbilden mehrerer Lochbereiche in dem Substrat durch das Aufbringen eines Laserstrahls. Zum Beispiel kann das Laserschneidmittel ein Stealthlaser-Schneidmittel sein.
Das Laserschneidmittel kann eingerichtet sein, einen gepulsten Laserstrahl zu emittieren. Der gepulste Laserstrahl kann eine Pulsbreite in einem Bereich von zum Beispiel 1 fs bis 1000 ns aufweisen.
Das Substratbearbeitungssystem kann ferner ein Aufbringmittel für eine äußere Kraft aufweisen, das eingerichtet ist, eine äußere Kraft auf das Substrat aufzubringen. Die Steuerung kann eingerichtet sein, das Aufbringmittel für eine äußere Kraft zu steuern, um eine äußere Kraft auf das Substrat aufzubringen. Das Aufbringmittel für eine äußere Kraft kann aus einem Aufweitmittel bestehen oder dieses aufweisen, das eingerichtet ist, die Stützfolie aufzuweiten, zum Beispiel radial aufzuweiten. Die Steuerung kann eingerichtet sein, das Aufweitmittel zu steuern, um die Stützfolie aufzuweiten.
Das Substratbearbeitungssystem kann ferner ein Brechmittel aufweisen, das eingerichtet ist, das Substrat zu brechen, insbesondere entlang von Bereichen des Substrats, wo modifizierte Bereiche ausgebildet sind. Die Steuerung kann eingerichtet sein, das Brechmittel zu steuern, um das Substrat zu brechen.
Das Substratbearbeitungssystem kann ferner ein Aufnahmemittel aufweisen, das eingerichtet ist, die getrennten Elemente von der Stützfolie aufzunehmen, nachdem die erste Seite des Substrats von der ersten Seite des Substrats aus auf Defekte überprüft worden ist. Die Steuerung kann eingerichtet sein, das Aufnahmemittel zu steuern, um nach dem Überprüfen der ersten Seite des Substrats von der ersten Seite des Substrats aus auf Defekte die getrennten Elemente von der Stützfolie aufzuheben.
Das Substratbearbeitungssystem kann ferner ein Substratverdünnungsmittel aufweisen, das eingerichtet ist, das Substrat zu verdünnen, um die Dicke des Substrats zu vermindern. Die Steuerung kann eingerichtet sein, das Substratverdünnungsmittel zu steuern, um das Substrat zu verdünnen. Das Substratverdünnungsmittel kann eingerichtet sein, das Substrat vor und/oder nach dem Teilen des Substrats in mehrere getrennte Elemente von der zweiten Seite des Substrats aus zu verdünnen. Die Steuerung kann eingerichtet sein, das Substratverdünnungsmittel zu steuern, um das Substrat vor und/oder nach dem Teilen des Substrats in mehrere getrennte Elemente von der zweiten Seite des Substrats aus zu verdünnen.
Das Substratverdünnungsmittel kann aus einem Schleifmittel, das eingerichtet ist, das Substrat von der zweiten Seite des Substrats aus zu schleifen, und/oder ein Poliermittel, das eingerichtet ist, das Substrat von der zweiten Seite des Substrats aus zu polieren, und/oder ein Ätzmittel, das eingerichtet ist, das Substrat von der zweiten Seite des Substrats aus zu ätzen, bestehen oder dieses aufweisen.
Figurenliste
Hiernach werden nicht beschränkende Beispiele der Erfindung unter Bezugnahme auf die Zeichnungen erläutert, in denen:

1 eine perspektivische Ansicht ist, die einen Wafer als ein durch Verfahren der vorliegenden Erfindung zu bearbeitendes Substrat zeigt;
2 eine Schnittansicht ist, die einen Schritt eines Anbringens einer Schutzfolie an einer ersten Seite des Wafers bei einem Verfahren in Übereinstimmung mit einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht;
3 eine Schnittansicht ist, die einen Schritt einer Bearbeitung des Wafers von einer zweiten Seite des Wafers aus bei dem Verfahren in Übereinstimmung mit der ersten Ausführungsform veranschaulicht;
4 eine Schnittansicht ist, die einen Schritt eines Überprüfens der zweiten Seite des Wafers von der zweiten Seite des Wafers aus auf Defekte bei dem Verfahren in Übereinstimmung mit der ersten Ausführungsform veranschaulicht;
5 eine Schnittansicht ist, einen Schritt eines Schneidens der Schutzfolie bei dem Verfahren in Übereinstimmung mit der ersten Ausführungsform veranschaulicht;
6 eine Schnittansicht ist, die einen Schritt eines Anbringens einer Stützfolie an der zweiten Seite des Wafers bei dem Verfahren in Übereinstimmung mit der ersten Ausführungsform veranschaulicht;
7 eine Schnittansicht ist, die einen Schritt eines Überprüfens der ersten Seite des Wafers durch die Schutzfolie hindurch auf Defekte bei dem Verfahren in Übereinstimmung mit der ersten Ausführungsform veranschaulicht;
8 eine Schnittansicht ist, die einen Schritt eines Überprüfens der ersten Seite des Wafers durch die Schutzfolie und durch einen transparenten Spanntisch hindurch auf Defekte bei einem Verfahren in Übereinstimmung mit einer Abwandlung der ersten Ausführungsform veranschaulicht;
9 eine Schnittansicht ist, die einen Schritt eines Entfernens der Schutzfolie von der ersten Seite des Wafers aus bei dem Verfahren in Übereinstimmung mit der ersten Ausführungsform veranschaulicht;
10 eine Schnittansicht ist, die einen Schritt eines Überprüfens der ersten Seite des Wafers von der ersten Seite des Wafers aus auf Defekte bei dem Verfahren in Übereinstimmung mit der ersten Ausführungsform veranschaulicht;
11 eine Schnittansicht ist, die einen Schritt eines Ausführens eines Stealthlaser-Schneidvorgangs an dem Wafer von der ersten Seite des Wafers aus bei einem Verfahren in Übereinstimmung mit einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht;
12 eine Schnittansicht ist, die einen Schritt eines Ausführens eines Stealthlaser-Schneidvorgangs an dem Wafer durch die Schutzfolie hindurch von der ersten Seite des Wafers aus bei einem Verfahren in Übereinstimmung mit einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht;
13 eine Schnittansicht ist, die einen Schritt eines Ausführens von einem Klingenschneidvorgang an dem Wafer von der zweiten Seite des Wafers aus bei einem Verfahren in Übereinstimmung mit einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht;
14 eine Schnittansicht ist, die einen Schritt eines Überprüfens der zweiten Seite des Wafers von der zweiten Seite des Wafers aus auf Defekte bei dem Verfahren in Übereinstimmung mit der vierten Ausführungsform veranschaulicht;
15 eine Schnittansicht ist, die einen Schritt eines Anbringens der Stützfolie an der zweiten Seite des Wafers bei dem Verfahren in Übereinstimmung mit der vierten Ausführungsform veranschaulicht;
16 eine Schnittansicht ist, die einen Schritt eines Ausführens von einem Stealthlaser-Schneidvorgang an dem Wafer durch die Schutzfolie hindurch von der ersten Seite des Wafers aus bei dem Verfahren in Übereinstimmung mit der vierten Ausführungsform veranschaulicht; und
17 eine Schnittansicht ist, die einen Schritt eines Aufbringens einer äußeren Kraft auf den Wafer durch radiales Aufweiten der Stützfolie bei dem Verfahren in Übereinstimmung mit der vierten Ausführungsform veranschaulicht.

AUSFÜHRLICHE ERLÄUTERUNG BEVORZUGTER AUSFÜHRUNGSFORMEN
Es werden nunmehr bevorzugte Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die begleitenden Zeichnungen beschrieben. Die bevorzugten Ausführungsformen betreffen Verfahren zum Bearbeiten eines Substrats und Substratbearbeitungssysteme zum Ausführen dieser Verfahren.
Bei der ersten bis vierten Ausführungsform wird das Bearbeitungsverfahren der Erfindung an einem Wafer 2 als Substrat ausgeführt (siehe 1). Der Wafer 2 kann zum Beispiel ein MEMS-Wafer sein, der an der Fläche einer ersten Seite 4, das heißt einer vorderen Seite von diesem, MEMS-Bauelemente ausgebildet aufweist. Jedoch ist der Wafer 2 nicht auf einen MEMS-Wafer beschränkt, sondern kann auch ein CMOS-Wafer sein, der CMOS-Bauelemente, vorzugsweise als Solid State Imaging Devices, aufweist, die an der ersten Seite 4 von diesem ausgebildet sind, oder ein Wafer mit anderen Arten von Bauelementen an der ersten Seite 4 sein.
Der Wafer 2 kann aus einem Halbleiter hergestellt sein, wie zum Beispiel Silizium (Si). So ein Siliziumwafer 2 kann Bauelemente, wie zum Beispiel ICs (Integrierte Schaltkreise) und LSIs (Large Scale Integrations) an einem Siliziumsubstrat aufweisen. Alternativ kann der Wafer 2 ein Optikbauelementwafer sein, der durch Ausbilden optischer Bauelemente, wie zum Beispiel LEDs (lichtemittierende Dioden), an einem anorganischen Materialsubstrat, zum Beispiel aus Keramik, Glas oder Saphir, eingerichtet ist. Der Wafer 2 ist nicht hierauf beschränkt und kann auf eine beliebige andere Weise ausgebildet werden. Darüber hinaus ist auch eine Kombination der oben beschriebenen beispielhaften Waferdesigns möglich.
Der Wafer 2 kann eine Dicke im Mikrometer-Bereich, vorzugsweise in einem Bereich von 30 bis 1000 µm, aufweisen.
Der Wafer 2 weist vorzugsweise eine Kreisform auf. Jedoch ist die Form des Wafers 2 nicht besonders beschränkt. Bei anderen Ausführungsformen kann der Wafer 2 zum Beispiel eine ovale Form, eine elliptische Form oder eine Polygonform, wie zum Beispiel eine rechtwinklige Form oder eine quadratische Form, aufweisen.
Der Wafer 2 ist mit mehreren sich kreuzenden Trennlinien 6, die auch Straßen genannt werden, versehen (siehe 1), die an dessen erster Seite 4 ausgebildet sind, wodurch der Wafer 2 in mehrere rechtwinklige Bereiche unterteilt wird, wo Bauelemente 8, wie die zuvor beschriebenen, respektive ausgebildet sind. Diese Bauelemente 8 sind in einem Bauelementbereich 10 des Wafers 2 ausgebildet. Im Fall eines kreisförmigen Wafers 2 ist dieser Bauelementbereich 10 vorzugsweise im Wesentlichen kreisförmig wie und konzentrisch zu dem äußeren Umfang des Wafers 2 angeordnet.
Der Bauelementbereich 10 wird, wie schematisch in 1 gezeigt, durch einen ringförmigen Umfangsrandbereich 12 umgeben. In diesem Umfangsrandbereich 12 sind keine Bauelemente ausgebildet. Der Umfangsrandbereich 12 ist vorzugsweise konzentrisch zu dem Bauelementbereich 10 und/oder dem äußeren Umfang des Wafers 2 angeordnet. Die radiale Erstreckung des Umfangsrandbereichs 12 kann im Millimeter-Bereich sein und erstreckt sich vorzugsweise von 1 bis 3 mm.
Der Wafer 2 weist ferner eine zweite Seite 14, das heißt eine Rückseite, auf, die der ersten Seite 4 gegenüberliegt (siehe 1).
Im Folgenden wird eine erste Ausführungsform der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die 1 bis 10 beschrieben.
Wie in 2 gezeigt, ist eine Schutzfolie 16 an der ersten Seite 4 des Wafers 2 angebracht. Die Schutzfolie 16 bedeckt die in dem Bauelementbereich 10 ausgebildeten Bauelemente 8 und schützt somit die Bauelemente 8 beispielsweise vor einer Verunreinigung und Beschädigung. Vor einem Anbringen der Schutzfolie 16 an der ersten Seite 4 des Wafers 2 kann der Wafer 2 optional von der ersten Seite 4 aus entlang eines Teils seiner Dicke, insbesondere entlang der Trennlinien 6, geschnitten werden. Die Dicke des Wafers 2 ist der Abstand zwischen der ersten Seite 4 und der zweiten Seite 14. Wenn eine Schicht oder Schichten an der ersten Seite 4 ausgebildet ist bzw. sind, wie zum Beispiel eine Niedrig-k-Schicht oder eine Metallschicht, kann die Schicht oder Schichten auf diese Weise in den Bereichen entfernt werden, wo der Wafer 2 insbesondere entlang der Trennlinien 6 getrennt werden soll. Zum Beispiel kann der Wafer 2 entlang eines Teils seiner Dicke durch mechanisches Schneiden, zum Beispiel unter Verwendung einer Klinge oder einer Säge, und/oder durch Laserschneiden oder Lasergrooving geschnitten werden.
Die Schutzfolie 16 kann aus einem Kunststoffmaterial, wie zum Beispiel einem Polymer, ausgebildet sein. Zum Beispiel kann die Schutzfolie 16 aus einem Polyolefin, wie zum Beispiel Polyethylen (PE), Polypropylen (PP) oder Polybutylen (PB) hergestellt sein. Die Schutzfolie 16 kann eine Dicke in einem Bereich von 5 bis 500 µm, vorzugsweise 5 bis 200 µm, noch bevorzugter 8 bis 100 µm, noch weiter bevorzugt 10 bis 80 µm und am bevorzugtesten 12 bis 50 µm aufweisen. Bei der vorliegenden Ausführungsform weist die Schutzfolie 16 in Draufsicht auf diesen im Wesentlichen eine Kreisform und einen Durchmesser auf, der größer ist als der Durchmesser des Wafers 2.
Die Schutzfolie 16 kann an der ersten Seite 4 des Wafers 2 mittels eines Haftmittels angebracht sein. Das Haftmittel kann an einer gesamten vorderen Fläche 18 der Schutzfolie 16 vorliegen, die mit der ersten Seite 4 des Wafers 2 in Kontakt kommt. Zum Beispiel kann die Schutzfolie 16 ein UV-härtbares Haftband sein. Alternativ kann die Schutzfolie 16 so an der Seite 4 des Wafers 2 angebracht werden, dass zumindest ein mittiger Bereich der vorderen Fläche 18 der Schutzfolie 16 mit der ersten Seite 4 des Wafers 2 in direktem Kontakt ist, sodass zwischen zumindest dem mittigen Bereich der vorderen Fläche 18 der Schutzfolie 16 und der ersten Seite 4 des Wafers 2 kein Haftmittel vorliegt. Die Schutzfolie 16 kann so an der ersten Seite 4 des Wafers 2 angebracht sein, dass in dem gesamten Bereich, wo die vordere Fläche 18 der Schutzfolie 16 mit der ersten Seite 4 des Wafers 2 in Kontakt ist, die vordere Fläche 18 der Schutzfolie 16 mit der ersten Seite 4 des Wafers 2 in direktem Kontakt ist. Die gesamte vordere Fläche 18 der Schutzfolie 16 kann haftmittelfrei sein.
Ein Haftmittel, wie zum Beispiel eine Haftschicht, kann nur in einem Umfangsbereich der vorderen Fläche 18 der Schutzfolie 16 vorgesehen sein, wie oben im Detail beschrieben worden ist. Der Umfangsbereich der vorderen Fläche 18 der Schutzfolie 16 kann so angeordnet sein, dass er den mittigen Bereich der vorderen Fläche 18 der Schutzfolie 16 umgibt.
Ein Umfangsabschnitt der Schutzfolie 16 ist an einem ringförmigen Rahmen 20 angebracht, sodass die Schutzfolie 16 eine mittige Öffnung des ringförmigen Rahmens 20, das heißt den Bereich bzw. die Fläche im Inneren des Innendurchmessers des ringförmigen Rahmens 20, verschließt. Der ringförmige Rahmen 20 erleichtert die Handhabung der Schutzfolie 16, insbesondere bei dem Vorgang eines Anbringens der Schutzfolie 16 an der ersten Seite 4 des Wafers 2.
Die Schutzfolie 16 wird durch ein erstes Anbringmittel, das einen Spanntisch 22 und einen Ringrahmenhalter 24 aufweist, an der ersten Seite 4 des Wafers 2 angebracht. Der Wafer 2 wird durch den Spanntisch 22 unterstützt, und der ringförmige Rahmen 20, an dem die Schutzfolie 16 angebracht ist, wird durch den Ringrahmenhalter 24 gehalten, sodass die Schutzfolie 16 zuverlässig und genau an der ersten Seite 4 des Wafers 2 angebracht werden kann. Zum Beispiel kann das erste Anbringmittel ein Bandlaminator oder ein Bandanbringeinrichtung sein. Eine Vakuumkammer, eine Druckrolle, eine Druckmembran, ein Druckstück oder -block oder eine Kombination dieser Elemente kann zum Aufbringen von Druck auf der Schutzfolie 16 verwendet werden, um die Schutzfolie 16 gegen die erste Seite 4 des Wafers 2 zu drücken. Das erste Anbringmittel bildet einen Teil eines Substratbearbeitungssystems in Übereinstimmung mit der vorliegenden Ausführungsform aus.
Ein Anbringen der Schutzfolie 16 an der ersten Seite 4 des Wafers 2 kann, wie oben beschrieben, ein Aufbringen eines äußeren Impulses auf die Schutzfolie 16 umfassen,. Zu diesem Zweck kann das erste Anbringmittel ferner ein Aufbringmittel für einen äußeren Impuls, wie zum Beispiel ein Heizmittel, ein Kühlmittel, ein Vakuumaufbringmittel und/oder ein Bestrahlungsmittel, aufweisen.
Nach dem Anbringen der Schutzfolie 16 an der ersten Seite 4 des Wafers 2 wird der Wafer 2, wie in 3 gezeigt, von der zweiten Seite 14 des Wafers 2 aus bearbeitet. Bei der vorliegenden Ausführungsform besteht eine Bearbeitung des Wafers 2 von der zweiten Seite 14 aus aus einem Schneiden des Wafers 2 entlang der Trennlinien 6 über die gesamte Dicke des Wafers 2. Folglich wird der Wafer 2 bei dem Schneidvorgang vollständig getrennt, wodurch mehrere getrennte Elemente in Form von Bausteinen oder Chips 26 erhalten werden. Jeder Baustein oder Chip 26 weist eines der in dem Bauelementbereich 10 ausgebildeten Bauelemente 8 auf.
Der Wafer 2 wird durch ein Schneidmittel 28 entlang der Trennlinien 6 getrennt (siehe 3). Bei der vorliegenden Ausführungsform ist das Schneidmittel 28 eine Schneidklinge, die eingerichtet ist, den Wafer 2 mechanisch zu schneiden. Das Schneidmittel 28 bildet einen Teil des Substratbearbeitungssystems in Übereinstimmung mit der vorliegenden Ausführungsform aus.
Alternativ kann der Wafer 2 durch Laserschneiden und/oder Plasmaschneiden entlang der Trennlinien 6 geschnitten werden, wie oben im Detail beschrieben worden ist. Auch kann eine Abfolge von Schritten mechanischen Schneidens und/oder Laserschneidens und/oder Plasmaschneidens angewandt werden.
Nach dem Teilen des Wafers 2 in mehrere Bausteine oder Chips 26, wird die zweite Seite 14 des geteilten Wafers 2, wie in 4 veranschaulicht, von der zweiten Seite 14 des geteilten Wafers 2 aus auf Defekte hin überprüft. Mögliche beim Überprüfen der zweiten Seite 14 des geteilten Wafers 2 zu erkennende Defekte schließt zum Beispiel Rückseitenabplatzungen, eine Delamination von an oder in dem Wafermaterial ausgebildeten Schichten, Risse, ungerade Schneidlinien (Mäander), Grate, Whisker, Partikel, Verunreinigungen, Chip-Versetzungen, das heißt ungewünschte Bewegungen der Bausteine oder Chips 26, und Größenunterschiede von Chips, die zum Beispiel durch einen ungewünschten Schrägschnitt oder einer Schnittbreitenänderung aufgrund einer Abnutzung der Schneidklinge verursacht werden, ein. Dieser Überprüfungsschritt ermöglicht es, Defekte in dem geteilten Wafer 2 zu erkennen, die von dem Schneidvorgang ausgehen.
Die zweite Seite 14 des geteilten Wafers 2 wird durch ein erstes Überprüfungsmittel 30 (siehe 4), insbesondere eine Kamera, wie zum Beispiel eine Mikroskopkamera für eine optische Überprüfung, von der zweiten Seite 14 aus auf Defekte hin überprüft. Das erste Überprüfungsmittel 30 bildet einen Teil des Substratbearbeitungssystems in Übereinstimmung mit der vorliegenden Ausführungsform aus.
Wenn ein Defekt oder Defekte durch Überprüfen der zweiten Seite 14 des Wafers 2 erkannt wird bzw. werden, wird bzw. werden eine Position oder Positionen des erkannten Defekts oder Defekte bestimmt, wodurch eine Positionsinformation erhalten wird. Das Substratbearbeitungssystem in Übereinstimmung mit der vorliegenden Ausführungsform kann ein Positionsbestimmungsmittel aufweisen, das eingerichtet ist, diesen Schritt auszuführen. Die erste Positionsinformation ist eine Information, welche die Position jeden Defekts an der zweiten Seite 14 des geteilten Wafers 2 angibt. Die Position jeden Defekts kann in einem Koordinatensystem des Wafers 2, wie zum Beispiel in Bezug auf die Trennlinien 6 und/oder die Bauelemente 8, definiert sein.
Die erste Positionsinformation kann mit einer Information über die Position jeden Bausteins oder Chips 26 in dem geteilten Wafer 2 korreliert werden, was, wie oben detailliert beschrieben, ermöglicht, defekte Bausteine oder Chips 26 auf eine besonders genaue und effiziente Weise zu erkennen und zu verfolgen, ohne jeden Baustein oder Chip 26 einzeln überprüfen zu müssen. Das Substratbearbeitungssystem in Übereinstimmung mit der vorliegenden Ausführungsform kann eine Steuerung aufweisen, die eingerichtet ist, diesen Schritt auszuführen. Die Position jeden Bausteins oder Chips 26 in dem Wafer 2 kann in einem Koordinatensystem des Wafers 2, zum Beispiel in Bezug auf die Trennlinien 6 und/oder die Bauelemente 8, definiert werden.
Das Verfahren der vorliegenden Ausführungsform umfasst, wie in 5 gezeigt, ferner den optionalen Schritt eines Schneidens der Schutzfolie 16 nach einem Überprüfen der zweiten Seite 14 des geteilten Wafers 2 von der zweiten Seite 14 des geteilten Wafers 2 aus auf Defekte. Die Schutzfolie 16 wird, wie durch einen gekrümmten Pfeil in 5 angedeutet, auf eine kreisförmige Weise entlang des äußeren Umfangs des geteilten Wafers 2 geschnitten. Ein Filmschneidmittel 32, wie zum Beispiel eine Schneidklinge, wird für diesen Schneidschritt verwendet. Das Filmschneidmittel 32 bildet einen Teil des Substratbearbeitungssystems in Übereinstimmung mit der vorliegenden Ausführungsform aus. Während des Schneidvorgangs wird der Wafer 2 durch den Spanntisch 22 des ersten Anbringmittels unterstützt, und der ringförmige Rahmen 20 wird durch den Ringrahmenhalter 24 des ersten Anbringmittels gehalten. Die geschnittene Schutzfolie 16 wird zum Beispiel in den 6 und 7 gezeigt.
Durch Schneiden der Schutzfolie 16 auf diese Weise wird der Durchmesser der Schutzfolie 16 vermindert, sodass die Schutzfolie 16 im Wesentlichen den gleichen Durchmesser wie der Wafer 2 aufweist, wodurch die weitere Handhabung der Kombination aus Schutzfolie 16 und Wafer 2 erleichtert wird.
Nach dem Schneiden der Schutzfolie 16 wird, wie in 6 gezeigt, eine Stützfolie 34 an der zweiten Seite 14 des geteilten Wafers 2 angebracht. Die Stützfolie 34 unterstützt den geteilten Wafer 2 und hält die Bausteine oder Chips 26, auch nachdem die Schutzfolie 16 von dem geteilten Wafer 2 entfernt worden ist, auf zuverlässige Weise an deren Positionen (siehe 9).
Die Stützfolie 34 kann aus einem Kunststoffmaterial, wie zum Beispiel einem Polymer, hergestellt sein. Zum Beispiel kann die Stützfolie 34 aus einem Polyolefin, wie zum Beispiel Polyethylen (PE), Polypropylen (PP) oder Polybutylen (PB) hergestellt sein. Die Stützfolie 34 kann eine Dicke in einem Bereich von 5 bis 500 µm, vorzugsweise 5 bis 200 µm, noch bevorzugter 8 bis 100 µm, noch weiter bevorzugt 10 bis 80 µm und am bevorzugtesten 12 bis 50 µm aufweisen. Bei der vorliegenden Ausführungsform weist die Stützfolie 34 in einer Draufsicht auf diese im Wesentlichen eine Kreisform und einen Durchmesser auf, der größer ist als der Durchmesser des Wafers 2.
Die Stützfolie 34 kann mit einem Haftmittel an der zweiten Seite 14 des geteilten Wafers 2 angebracht sein. Das Haftmittel kann an einer gesamten vorderen Fläche 36 der Stützfolie 34 vorliegen, die mit der zweiten Seite 14 des geteilten Wafers 2 in Kontakt kommt. Zum Beispiel kann die Stützfolie 34 ein UV-härtbares Haftband sein. Alternativ kann die Stützfolie 34 so an der zweiten Seite 14 des geteilten Wafers 2 angebracht sein, dass zumindest ein mittiger Bereich der vorderen Fläche 36 der Stützfolie 34 mit der zweiten Seite 14 des geteilten Wafers 2 in direktem Kontakt ist, sodass zwischen zumindest dem mittigen Bereich der vorderen Fläche 36 der Stützfolie 34 und der zweiten Seite 14 des geteilten Wafers 2 kein Haftmittel vorliegt. Die Stützfolie 34 kann an der zweiten Seite 14 des geteilten Wafers 2 angebracht sein, sodass in dem gesamten Bereich, in dem die vordere Fläche 36 der Stützfolie 34 mit der zweiten Seite 14 des geteilten Wafers 2 in Kontakt ist, die vordere Fläche 36 der Stützfolie 34 mit der zweiten Seite 14 des geteilten Wafers 2 in direktem Kontakt ist. Die gesamte vordere Fläche 36 der Stützfolie 34 kann haftmittelfrei sein.
Ein Haftmittel, zum Beispiel eine Haftschicht, kann, wie oben im Detail beschrieben worden ist, nur in einem Umfangsbereich der vorderen Fläche 36 der Stützfolie 34 vorgesehen sein. Der Umfangsbereich der vorderen Fläche 36 der Stützfolie 34 kann so angeordnet sein, dass er den mittigen Bereich der vorderen Fläche 36 der Stützfolie 34 umgibt.
Ein Umfangsabschnitt der Stützfolie 34 ist an einem ringförmigen Rahmen 38 angebracht, sodass die Stützfolie 34 eine mittige Öffnung des ringförmigen Rahmens 38, das heißt den Bereich im Inneren des inneren Durchmessers des ringförmigen Rahmens 38, verschließt. Der ringförmige Rahmen 38 erleichtert eine Handhabung der Stützfolie 34, insbesondere während des Vorgangs eines Anbringens der Stützfolie 34 an der zweiten Seite 14 des geteilten Wafers 2.
Die Stützfolie 34 wird durch ein zweites Anbringmittel an der zweiten Seite 14 des geteilten Wafers 2 angebracht, das einen Spanntisch 40 und einen Ringrahmenhalter 42 aufweist. Der geteilte Wafer 2 wird durch den Spanntisch 40 unterstützt, und der ringförmige Rahmen 38, an dem die Stützfolie 34 angebracht ist, wird durch den Ringrahmenhalter 42 gehalten, sodass die Stützfolie 34 auf zuverlässige und genaue Weise an der zweiten Seite 14 des geteilten Wafers 2 angebracht werden kann. Zum Beispiel kann das zweite Anbringmittel ein Bandlaminator oder eine Bandanbringeinrichtung sein. Eine Vakuumkammer, eine Druckrolle, eine Druckmembran, ein Druckstück oder -block oder eine Kombination aus diesen Elementen kann zum Aufbringen eines Drucks auf die Stützfolie 34 verwendet werden, um die Stützfolie 34 gegen die zweite Seite 14 des geteilten Wafers 2 zu drücken. Das zweite Anbringmittel bildet einen Teil des Substratbearbeitungssystems in Übereinstimmung mit der vorliegenden Ausführungsform aus.
Bei anderen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung kann das gleiche einzelne Anbringmittel als das erste Anbringmittel und das zweite Anbringmittel verwendet werden.
Ein Anbringen der Stützfolie 34 an der zweiten Seite 14 des geteilten Wafers 2 kann, wie oben im Detail beschrieben worden ist, ein Aufbringen eines äußeren Impulses auf die Stützfolie 34 umfassen. Aus diesem Grund kann das zweite Anbringmittel ferner ein Aufbringmittel für einen äußeren Impuls, wie zum Beispiel ein Heizmittel, ein Kühlmittel, ein Vakuumaufbringmittel und/oder ein Bestrahlungsmittel, aufweisen.
Nach dem Anbringen der Stützfolie 34 an der zweiten Seite 14 des geteilten Wafers 2 wird bei der vorliegenden Ausführungsform, wie in 7 gezeigt, ein optionaler Schritt mit einem Überprüfen der ersten Seite 4 des geteilten Wafers 2 durch die Schutzfolie 16 hindurch auf Defekte ausgeführt. Bei dem Überprüfen der ersten Seite 4 des geteilten Wafers 2 durch die Schutzfolie 16 hindurch zu erkennende möglichen Defekte schließen zum Beispiel eine Abplatzung an der vorderen Seite, eine Delamination von an dem oder in dem Wafermaterial ausgebildeten Schichten, Risse, ungerade Schnittlinien (Mäander), Grate, Whisker, Partikel, Verunreinigungen, Chip-Versetzungen, das heißt eine ungewünschte Bewegung der Bausteine oder Chips 26, und Chip-Größenunterschiede ein, die zum Beispiel durch einen ungewünschten Schrägschnitt oder eine Änderung der Schnittbreite aufgrund einer Abnutzung der Schneidklinge verursacht werden. Dieser Überprüfungsschritt lässt eine Erkennung weiterer Defekte in dem geteilten Wafer 2 zu, die von dem Schneidvorgang ausgehen.
Die erste Seite 4 des geteilten Wafers 2 wird durch ein zweites Überprüfungsmittel 44 (siehe 7), insbesondere eine Kamera, wie zum Beispiel eine Mikroskopkamera für eine optische Überprüfung, durch die Schutzfolie 16 hindurch auf Defekte hin überprüft. Die Schutzfolie 16 ist für sichtbares Licht transparent. Das zweite Überprüfungsmittel 44 bildet einen Teil des Substratbearbeitungssystems in Übereinstimmung mit der vorliegenden Ausführungsform aus. Bei anderen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung kann das gleiche einzelne Überprüfungsmittel als das erste Überprüfungsmittel 30 und das zweite Überprüfungsmittel 44 verwendet werden.
Wenn ein Defekt oder Defekte durch Überprüfen der ersten Seite 4 des geteilten Wafers 2 durch die Schutzfolie 16 hindurch erkannt wird bzw. werden, wird bzw. werden eine Position oder Positionen des erkannten Defekts oder Defekte bestimmt, wodurch eine dritte Positionsinformation erhalten wird. Das Substratbearbeitungssystem in Übereinstimmung mit der vorliegenden Ausführungsform kann ein Positionsbestimmungsmittel aufweisen, das eingerichtet ist, diesen Schritt auszuführen. Zu diesem Zweck kann das Positionsbestimmungsmittel, das eingerichtet ist, die erste Positionsinformation zu erhalten, oder ein anderes Positionsbestimmungsmittel verwendet werden. Die dritte Positionsinformation ist eine Information, welche die Position jeden Defekts an der ersten Seite 4 des geteilten Wafers 2 angibt. Die Position jeden Defekts kann in einem Koordinatensystem des Wafers 2 definiert sein, zum Beispiel in Bezug auf die Trennlinien 6 und/oder die Bauelemente 8.
Die dritte Positionsinformation kann mit einer Information über die Position jeden Bausteins oder Chips 26 in dem geteilten Wafer 2 korreliert werden, was ermöglicht, defekte Bausteine oder Chips 26 auf eine noch genauere und effizientere Weise zu erkennen und zu verfolgen, ohne jeden Baustein oder Chip 26 einzeln überprüfen zu müssen, wie oben im Detail beschrieben worden ist. Die Steuerung des Substratbearbeitungssystems in Übereinstimmung mit der vorliegenden Ausführungsform kann eingerichtet sein, diesen Schritt auszuführen.
Die dritte Positionsinformation kann, wie oben im Detail beschrieben, mit der ersten Positionsinformation korreliert werden. Die Steuerung des Substratbearbeitungssystems in Übereinstimmung mit der vorliegenden Ausführungsform kann eingerichtet sein, diesen Schritt auszuführen. Auf diese Weise kann die Eigenschaft eines beliebigen Defekts oder beliebiger Defekte mit einem besonders hohen Grad an Präzision bestimmt werden. Auch können die Effizienz und Zuverlässigkeit einer Erkennung und Verfolgung defekter Bausteine oder Chips 26 weiter verbessert werden.
8 veranschaulicht einen Schritt mit einem Überprüfen der ersten Seite 4 des geteilten Wafers 2 durch die Schutzfolie 16 hindurch auf Defekte bei einem Verfahren in Übereinstimmung mit einer Abwandlung der ersten Ausführungsform. Das Verfahren dieser Abwandlung unterscheidet sich dadurch von dem Verfahren der ersten Ausführungsform, dass der Schritt einer Überprüfung der ersten Seite 4 des geteilten Wafers 2 durch die Schutzfolie 16 hindurch auf Defekte vor dem Schritt eines Anbringens der Stützfolie 34 an der zweiten Seite 14 des Wafers 2 ausgeführt wird, dass der Schritt eines Schneidens der Schutzfolie 16 (siehe 5) weggelassen worden ist und dass die erste Seite 4 des geteilten Wafers 2 durch einen Spanntisch 46 hindurch, der für sichtbares Licht transparent ist, von unterhalb des Wafers 2 auf Defekte überprüft wird (anstelle von oberhalb des Wafers 2, wie in 7 für das Verfahren der ersten Ausführungsform gezeigt).
Bei dem in 8 veranschaulichten abgewandelten Verfahren wird die erste Seite 4 des geteilten Wafers 2 durch die Schutzfolie 16 auf Defekte überprüft, während der Wafer 2 über die Schutzfolie 16 durch den ringförmigen Rahmen 20 unterstützt wird. Ferner ruht der geteilte Wafer 2 auf dem Spanntisch 46. Die erste Seite 4 des geteilten Wafers 2 wird über das zweite Überprüfungsmittel 44 durch die Schutzfolie 16 und durch den transparenten Spanntisch 46 auf Defekte hin überprüft. Das zweite Überprüfungsmittel 44 ist, wie in 8 veranschaulicht, unterhalb des transparenten Spanntischs 46 angeordnet, sodass es die erste Seite 4 des geteilten Wafers 2 von unterhalb des Wafers 2 aus auf Defekte hin überprüfen kann. Eine dritte Positionsinformation kann auf dieselbe oben im Detail beschriebene Weise erhalten werden.
Ein Überprüfen der ersten Seite 4 des geteilten Wafers 2 mittels des zweiten Überprüfungsmittels 44 durch die Schutzfolie 16 und durch den transparenten Spanntisch 46 hindurch auf Defekte bietet den Vorteil, dass es zulässt, die auf Defekte zu überprüfende erste Seite 4 unmittelbar nach dem Teilen des Wafers 2 zuzulassen, ohne den Wafer 2 bewegen zu müssen, insbesondere ohne den Wafer 2 von dem Spanntisch 46 entfernen zu müssen. Folglich kann der Überprüfungsvorgang auf eine besonders genaue und zuverlässige Weise ausgeführt werden.
Wenn die zweite Seite 14 des geteilten Wafers 2 über das erste Überprüfungsmittel 30 von oberhalb des Wafers 2 (siehe 4) von der zweiten Seite 14 aus auf Defekte überprüft wird und die erste Seite 4 des geteilten Wafers 2 über das zweite Überprüfungsmittel 44 durch die Schutzfolie 16 und durch den transparenten Spanntisch 46 hindurch von unterhalb des Wafers 2 auf Defekte überprüft wird (siehe 8), können diese zwei Überprüfungsvorgänge ausgeführt werden, ohne den Wafer 2 bewegen zu müssen, insbesondere ohne den Wafer 2 von dem Spanntisch 46 entfernen zu müssen. Folglich können die Vorgänge eines Erhaltens und Korrelierens von Positionsinformation auf eine besonders genaue und zuverlässige Weise ausgeführt werden.
Alternativ kann, wie oben im Detail erläutert, das gleiche einzelne Überprüfungsmittel als das erste Überprüfungsmittel 30 und das zweite Überprüfungsmittel 44 verwendet werden.
Nach einem Überprüfen der ersten Seite 4 des geteilten Wafers 2 durch die Schutzfolie 16 und durch den transparenten Spanntisch 46 hindurch auf Defekte, wird die Stützfolie 34 bei dem abgewandelten Verfahren im Wesentlichen auf die gleiche Weise an der zweiten Seite 14 des geteilten Wafers 2 angebracht, wie sie oben bei dem Verfahren der ersten Ausführungsform im Detail erläutert worden ist. Auch die nachfolgenden Schritte, insbesondere jene eines Entfernens der Schutzfolie 16 von der ersten Seite 4 des geteilten Wafers 2 und dann eines Überprüfens der ersten Seite 4 des geteilten Wafers 2 von der ersten Seite 4 des geteilten Wafers 2 aus auf Defekte, sind im Wesentlichen die gleichen wie jene, die nachfolgend für das Verfahren der ersten Ausführungsform beschrieben worden sind.
Nach einem Überprüfen der ersten Seite 4 des geteilten Wafers 2 durch die Schutzfolie 16 hindurch auf Defekte bei dem Verfahren der ersten Ausführungsform und der Abwandlung der ersten Ausführungsform, wird die Schutzfolie 16, wie in 9 gezeigt, von der ersten Seite 4 des geteilten Wafers 2 entfernt, das heißt abgezogen.
Die Schutzfolie 16 wird durch ein Schutzfolie-Entfernungsmittel 48 von der ersten Seite 4 des geteilten Wafers 2 entfernt. Das Schutzfolie-Entfernungsmittel 48 ist eingerichtet, die Schutzfolie 16 bei einem Umfangsabschnitt der Schutzfolie 16 zu halten und diesen Abschnitt in einer Richtung entlang der ersten Seite 4 des geteilten Wafers 2 zu ziehen, wie durch einen Pfeil in 9 angedeutet wird, um die Schutzfolie 16 von der ersten Seite 4 des geteilten Wafers 2 zu entfernen. Das Schutzfolie-Entfernungsmittel 48 bildet einen Teil des Substratbearbeitungssystems in Übereinstimmung mit der vorliegenden Ausführungsform aus.
Durch Entfernen der Schutzfolie 16 von der ersten Seite 4 des geteilten Wafers 2 können auch Partikel, wie zum Beispiel Abplatzungen oder Rückstände, die während des Schneidvorgangs von dem Wafer 2 getrennt worden sind, jedoch aufgrund des Vorhandenseins der Schutzfolie 16 an dem Wafer 2 verblieben sind, entfernt werden. Insbesondere können diese Partikel aufgrund des Vorliegens eines Haftmittels an der Schutzfolie 16 oder aufgrund einer Materialbindung zwischen den Partikeln und der Schutzfolie 16 an der Schutzfolie 16 haften, sodass sie zusammen mit der Schutzfolie 16 von dem geteilten Wafer 2 entfernt werden. Folglich wird die Menge an Partikeln, die an den Bausteinen oder Chips 26 vorhanden sind, wenn sie von der Stützfolie 34 aufgenommen werden, stark vermindert. Die Bausteine oder Chips 26 können sogar im Wesentlichen frei von solchen Partikeln sein. Daher werden Bausteine oder Chips 26 mit einer hohen Qualität erhalten und eine weitere Bearbeitung, Handhabung und/oder ein Transport der Bausteine oder Chips 26 kann wesentlich effizienter gemacht werden. Zum Beispiel können die Bausteine oder Chips 26 direkt, nachdem sie von der Stützfolie 34 aufgenommen worden sind, verwendet werden, zum Beispiel zu Halbleitergehäusebauelementen zusammengesetzt oder in elektronische Ausrüstung eingebaut werden. Darüber hinaus können, wie im Folgenden im Detail erläutert wird, die Genauigkeit und Zuverlässigkeit der Überprüfung der ersten Seite 4 des geteilten Wafers 2 weiter verbessert werden.
Während und nach dem Schritt eines Entfernens der Schutzfolie 16 von der ersten Seite 4 des geteilten Wafers 2 werden die Bausteine oder Chips 26 auf zuverlässige Weise durch die Stützfolie 34 an ihren Positionen gehalten.
Nach dem Entfernen der Schutzfolie 16 von der ersten Seite 4 des geteilten Wafers 2 wird die erste Seite 4 des geteilten Wafers 2, wie in 10 gezeigt, von der ersten Seite 4 des geteilten Wafers 2 aus auf Defekte hin überprüft. Mögliche beim Überprüfen der ersten Seite 4 des geteilten Wafers 2 zu erkennende Defekte zum Beispiel Vorderseitenabplatzungen, eine Delamination von Schichten, die an oder in dem Wafermaterial ausgebildet sind, Risse, ungerade Schnittlinien (Mäander), Grate, Whisker, Partikel, Verunreinigungen, Chip-Versetzungen, das heißt eine ungewünschte Bewegung der Bausteine oder Chips 26, und Chip-Größenunterschiede ein, die zum Beispiel durch einen ungewünschten Schrägschnitt oder Schnittbreitenänderungen aufgrund einer Schneidklingenabnutzung verursacht werden. Dieser Überprüfungsschritt lässt eine Erkennung von Defekten in dem geteilten Wafer 2, die von dem Schneidvorgang ausgehen, mit einem noch höheren Grad an Genauigkeit zu. Wie oben im Detail erläutert worden ist, verursacht insbesondere ein Entfernen der Schutzfolie 16 von der ersten Seite 4 des geteilten Wafers 2 ein Entfernen von Partikeln, wie zum Beispiel Abplatzungen oder Rückstände, die während des Schneidvorgangs von dem Wafer 2 getrennt worden sind, oder ermöglicht es. Dies lässt ein Erfassen von Defekten in dem geteilten Wafer zu, die vor einem Entfernen der Schutzfolie 16 nicht hätten erkannt werden können.
Die erste Seite 4 des geteilten Wafers 2 wird durch ein drittes Überprüfungsmittel 50 (siehe 10), insbesondere eine Kamera, wie zum Beispiel eine Mikroskopkamera für eine optische Überprüfung, überprüft. Das dritte Überprüfungsmittel 50 bildet einen Teil des Substratbearbeitungssystems in Übereinstimmung mit der vorliegenden Ausführungsform aus. Bei anderen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung kann das gleiche einzelne Überprüfungsmittel als das erste Überprüfungsmittel 30, das zweite Überprüfungsmittel 44 und das dritte Überprüfungsmittel 50 verwendet werden. Das gleiche einzelne Überprüfungsmittel kann als das erste Überprüfungsmittel 30 und das dritte Überprüfungsmittel 50 verwendet werden.
Wenn ein Defekt oder Defekte durch Überprüfen der ersten Seite 4 des geteilten Wafers 2 erkannt wird bzw. werden, wird bzw. werden eine Position oder Positionen des erkannten Defekts oder Defekte bestimmt, wodurch eine zweite Positionsinformation erhalten wird. Das Substratbearbeitungssystem in Übereinstimmung mit der vorliegenden Ausführungsform kann ein Positionsbestimmungsmittel aufweisen, das eingerichtet ist, diesen Schritt auszuführen. Zu diesem Zweck können das Positionsbestimmungsmittel, das eingerichtet ist, die erste Positionsinformation zu erhalten, das Positionsbestimmungsmittel, das eingerichtet ist, die dritte Positionsinformation zu erhalten, oder ein anderes Positionsbestimmungsmittel verwendet werden. Die zweite Positionsinformation ist eine Information, welche die Position jeden Defekts an der ersten Seite 4 des geteilten Wafers 2 angibt. Die Position jeden Defekts kann in einem Koordinatensystem des Wafers 2 definiert sein, wie zum Beispiel in Bezug auf die Trennlinien 6 und/oder die Bauelemente 8.
Die zweite Positionsinformation kann mit einer Information über die Position jeden Bausteins oder Chips 26 in dem geteilten Wafer 2 korreliert werden, was zulässt, Bausteine oder Chips 26 auf eine sogar noch genauere und effizientere Weise zu erkennen und zu verfolgen, ohne jeden Baustein oder Chip 26 einzeln überprüfen zu müssen, wie oben im Detail beschrieben worden ist. Die Steuerung des Substratbearbeitungssystems in Übereinstimmung mit der vorliegenden Ausführungsform kann eingerichtet sein, diesen Schritt auszuführen.
Die zweite Positionsinformation kann, wie oben im Detail erläutert worden ist, mit der ersten und/oder dritten Positionsinformation korreliert werden. Die Steuerung des Substratbearbeitungssystems in Übereinstimmung mit der vorliegenden Ausführungsform kann eingerichtet sein, diesen Schritt auszuführen. Auf diese Weise kann die Beschaffenheit eines beliebigen erkannten Defekts oder beliebiger Defekte mit einem sogar noch höheren Grad an Präzision bestimmt werden. Auch die Effizienz und Zuverlässigkeit beim Erkennen und Verfolgen defekter Bausteine oder Chips 26 kann weiter verbessert werden.
Nach dem Überprüfen der ersten Seite 4 des geteilten Wafers 2 von der ersten Seite 4 aus auf Defekte, werden die Bausteine oder Chips 26 von der Stützfolie 34 aufgenommen. Da defekte Bausteine oder Chips 26 durch die Überprüfungsschritte, wie oben im Detail erläutert, zuverlässig und genau erkannt und verfolgt werden, können solche Bausteine oder Chips 26 auf effiziente Weise abgesondert und verworfen werden. Jene Bausteine oder Chips 26, bei denen keine Defekte erfasst worden sind, können, wie ebenfalls oben im Detail erläutert worden ist, direkt nachdem sie von der Stützfolie 34 aufgenommen worden sind, verwendet werden, zum Beispiel in einem Halbleitergehäusebauelement montiert oder in elektronischer Ausrüstung eingebaut werden.
Das Substratbearbeitungssystem in Übereinstimmung mit der vorliegenden Ausführungsform kann ferner ein Aufnehmemittel aufweisen, das eingerichtet ist, die Bausteine oder Chips 26 nach dem Überprüfen der ersten Seite 4 des geteilten Wafers 2 von der ersten Seite 4 aus auf Defekte von der Stützfolie 34 aus aufzunehmen.
Im Folgenden wird eine zweite Ausführungsform der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf 11 beschrieben.
Das Verfahren der zweiten Ausführungsform unterscheidet sich dadurch von dem Verfahren der ersten Ausführungsform, dass ein Stealthlaser-Schneidschritt ausgeführt wird, bevor die Schutzfolie 16 an der ersten Seite 4 des Wafers 2 angebracht wird, und dass der Wafer 2 bei dem Schneidschritt nicht entlang seiner gesamten Dicke geschnitten werden muss (siehe 3). Die verbleibenden Schritte des Verfahrens der ersten Ausführungsform werden bei dem Verfahren der zweiten Ausführungsform auf die gleiche Weise ausgeführt. Folglich wird eine sich wiederholende detaillierte Erläuterung hiervon weggelassen.
Insbesondere wird bei dem Verfahren der zweiten Ausführungsform, wie in 11 gezeigt, ein Stealthlaser-Schneidschritt von der ersten Seite 4 des Wafers 2 aus entlang der Trennlinien 6 ausgeführt, bevor die Schutzfolie 16 an der ersten Seite 4 angebracht wird. Bei diesem Schritt wird ein Laserstrahl LB mit einer Wellenlänge, welche eine Transmission des Laserstrahls LB durch den Wafer 2 zulässt, auf den Wafer 2 aufgebracht. Der Laserstrahl LB wird bei mehreren Positionen entlang der Trennlinien 6 auf den Wafer 2 aufgebracht, um in dem Wafer 2 entlang der Trennlinien 6 mehrere modifizierte Bereiche auszubilden. Durch Ausbilden dieser modifizierten Bereiche wird die Festigkeit des Wafers 2 in diesen Bereichen, wo die modifizierten Bereiche ausgebildet werden, vermindert. Folglich wird das Teilen des Wafers 2 entlang der Trennlinien 6 bei dem nachfolgenden Schneidschritt oder bei einem späteren Trennschritt stark erleichtert.
Der Laserstrahl LB kann ein gepulster Laserstrahl sein. Der gepulste Laserstrahl kann zum Beispiel eine Pulsbreite in einem Bereich von 1 fs bis 1000 ns aufweisen.
Der Laserstrahl LB wird durch ein Stealthlaser-Schneidmittel 52 auf den Wafer 2 aufgebracht (siehe 11). Das Stealthlaser-Schneidmittel 52 bildet einen Teil des Substratbearbeitungssystems in Übereinstimmung mit der vorliegenden Ausführungsform aus.
Bei dem Schritt eines Schneidens des Wafers 2 von dessen zweiten Seite 14 aus kann der Wafer 2 nur entlang eines Teils, zum Beispiel der Hälfte seiner Dicke, geschnitten werden. Für diesen Schneidschritt wird ein Schneidmittel 28 (siehe 3) in Form einer Schneidklinge verwendet, die eingerichtet ist, den Wafer 2 mechanisch zu schneiden. Eine mechanische Schneidlast, die durch das Schneidmittel 28 auf den Wafer 2 aufgebracht wird, kann dabei helfen, Risse in dem Wafer 2, die bei dem Stealthlaser-Schneidschritt erzeugt worden sind, zu der ersten Seite 4 des Wafers 2 auszubreiten, wodurch folglich der Wafer 2 vollständig in die getrennten Bausteine oder Chips 26 aufgeteilt wird.
Alternativ kann der Wafer 2 bei dem Schneidschritt entlang seiner gesamten Dicke geschnitten werden, zum Beispiel durch mechanisches Schneiden und/oder Laserschneiden und/oder Plasmaschneiden. In diesem Fall erleichtert das Vorliegen der modifizierten Bereiche entlang der Trennlinien 6 den Schneidvorgang aufgrund der lokalen Verminderung der Festigkeit des Wafers 2.
Bei dem Schritt einer Überprüfung der ersten Seite 4 des Wafers 2 durch die Schutzfolie 16 (siehe 7 und 8) hindurch auf Defekte und/oder bei dem Schritt eines Überprüfens der ersten Seite 4 des Wafers von der ersten Seite 4 des Wafers 2 aus auf Defekte nach dem Entfernen der Schutzfolie 16 (siehe 10) kann erkannt werden, ob Risse in dem Wafer 2, die bei dem Stealthlaser-Schneidschritt erzeugt worden sind, sich zu der ersten Seite 4 des Wafers 2 ausgebreitet haben.
Wenn bei einem oder beiden dieser Überprüfungsschritte festgestellt wird, dass sich solche Risse nicht zu der ersten Seite 4 des Wafers 2 ausgebreitet haben, oder dass der Wafer 2 nicht vollständig durch Rissausbreitung in getrennte Bausteine oder Chips 26 geteilt worden ist, kann ein Trennschritt ausgeführt werden, der auf eine Überprüfung der ersten Seite 4 des Wafers 2 von der ersten Seite 4 des Wafers 2 aus auf Defekte nach dem Entfernen der Schutzfolie 16 folgt. Bei diesem Trennschritt kann eine äußere Kraft auf den Wafer 2 aufgebracht werden, insbesondere durch Aufweiten, zum Beispiel radiales Aufweiten, der Stützfolie 34, das heißt durch Verwendung der Stützfolie 34 als Aufweitband. Auf diese Weise kann der Wafer 2 vollständig entlang der Trennlinien 6 in die getrennten Bausteine oder Chips 26 geteilt werden. So ein Schritt eines Aufweitens, insbesondere radialen Aufweitens, der Stützfolie 34 wird nachfolgend unter Bezugnahme auf 17 für das Verfahren der vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung detaillierter erläutert.
Wenn bei dem Schritt einer Überprüfung der ersten Seite 4 des Wafers 2 durch die Schutzfolie 16 hindurch auf Defekte erkannt wird, dass sich Risse nicht zu der ersten Seite 4 des Wafers 2 ausgebreitet haben, oder dass der Wafer 2 durch Rissausbreitung nicht vollständig in die getrennten Bausteine oder Chips 26 geteilt worden ist, kann der Trennschritt vor einer Überprüfung der ersten Seite 4 des Wafers 2 von der ersten Seite 4 des Wafers 2 aus auf Defekte nach dem Entfernen der Schutzfolie 16 ausgeführt werden. In diesem Fall können jegliche Defekte in dem Wafer 2, die durch den Trennschritt verursacht worden sind, in diesem letzten Überprüfungsschritt auf zuverlässige Weise ermittelt werden.
Vor dem Aufweiten der Stützfolie 34 kann optional an dem Wafer 2 ein Brechschritt ausgeführt werden, um den Wafer 2 entlang der Trennlinien 6 zu brechen.
Auch wenn der Wafer 2 während des Schneidvorgangs (siehe 3) vollständig in die Bausteine oder Chips 26 geteilt worden ist, kann ein Schritt eines Aufweitens, zum Beispiel radialen Aufweitens, der Stützfolie 34 vor oder nach einer Überprüfung der ersten Seite 4 des Wafers 2 von der ersten Seite 4 aus auf Defekte ausgeführt werden. Auf diese Weise können die getrennten Bausteine oder Chips 26 voneinander wegbewegt werden, womit der Abstand zwischen benachbarten Bausteine oder Chips 26 erhöht wird. Ein Erhöhen des Chip-zu-Chip-Abstands auf diese Weise stellt auf besonders zuverlässige Weise sicher, dass die Bausteine oder Chips 26 bei dem Schritt ihres Aufnehmens von der Stützfolie 34 nicht beschädigt werden.
Im Folgenden wird eine dritte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf 12 beschrieben.
Das Verfahren der dritten Ausführungsform unterscheidet sich von dem Verfahren der zweiten Ausführungsform nur in der Reihenfolge der Schritte eines Anbringens der Schutzfolie 16 an der ersten Seite 4 des Wafers 2 und eines Ausführens des Stealthlaser-Schneidschritts an dem Wafer 2. Die verbleibenden Schritte des Verfahrens der zweiten Ausführungsform werden bei dem Verfahren der dritten Ausführungsform auf die gleiche Weise ausgeführt. Folglich wird eine sich wiederholende detaillierte Erläuterung davon weggelassen.
Bei dem Verfahren der dritten Ausführungsform wird insbesondere die Schutzfolie 16 als erstes an der ersten Seite 4 des Wafers 2 angebracht (siehe 2). Nach diesem Anbringschritt, jedoch vor einem Schneiden des Wafers 2 von dessen zweiten Seite 14 aus (siehe 3), wird ein Stealthlaser-Schneidschritt von der ersten Seite 4 des Wafers 2 entlang der Trennlinien 6 im Wesentlichen auf die gleiche Weise wie bei dem Verfahren der zweiten Ausführungsform ausgeführt. Der einzige Unterschied ist, dass der Laserstrahl LB, wie in 12 gezeigt, durch die Schutzfolie 16 auf den Wafer 2 aufgebracht wird. Folglich ist die Wellenlänge des Laserstrahls LB so ausgewählt, dass der Laserstrahl LB durch die Schutzfolie 16 übertragen wird, das heißt, sodass die Schutzfolie 16 für den Laserstrahl LB transparent ist.
Im Folgenden wird eine vierte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die 13 bis 17 beschrieben.
Das Verfahren der vierten Ausführungsform unterscheidet sich dadurch von dem Verfahren der ersten Ausführungsform, dass der Wafer 2 bei dem Schneidschritt (siehe 3) nur von der zweiten Seite 14 aus entlang eines Teils seiner Dicke geschnitten wird, und dass ein Stealthlaser-Schneidschritt nach dem Anbringen der Stützfolie 34 an der zweiten Seite 14 des Wafers 2 an dem Wafer 2 ausgeführt wird. Die verbleibenden Schritte des Verfahrens der ersten Ausführungsform werden auf die gleiche Weise bei dem Verfahren der vierten Ausführungsform ausgeführt. Folglich wird eine sich wiederholende detaillierte Erläuterung hiervon weggelassen.
Insbesondere wird bei dem Verfahren der vierten Ausführungsform die Schutzfolie 16 an der ersten Seite 4 des Wafers 2 angebracht, wie für das Verfahren der ersten Ausführungsform beschrieben worden ist (siehe 2). Nachfolgend wird der Wafer 2 durch das Schneidmittel 28 von der zweiten Seite 14 des Wafers 2 aus entlang der Trennlinien 6 geschnitten. Bei diesem Schritt wird der Wafer 2 nur entlang eines Teils seiner Dicke geschnitten, sodass der Wafer 2 bei dem Schneidvorgang nicht vollständig geteilt wird. Stattdessen werden Schnittnuten 54 vorgesehen, die sich von der zweiten Seite 14 in Richtung der ersten Seite 4 des Wafers 2 erstrecken, die erste Seite 4 jedoch nicht erreichen.
Alternativ kann der Wafer 2 entlang der Trennlinien 6 durch Laserschneiden und/oder Plasmaschneiden, wie oben im Detail erläutert worden ist, entlang eines Teils seiner Dicke geschnitten werden. Auch eine Abfolge von Schritten mechanischen Schneidens und/oder Laserschneidens und/oder Plasmaschneidens kann angewandt werden.
Nach dem Schneiden des Wafers 2 entlang der Trennlinien 6 entlang eines Teils seiner Dicke, wird die zweite Seite 14 des teilweise geschnittenen Wafers 2 von der zweiten Seite 14 des Wafers 2 aus, wie in 14 gezeigt, durch das erste Überprüfungsmittel 30 auf Defekte hin überprüft. Dieser Überprüfungsschritt und die nachfolgenden Schritte eines Erhaltens einer ersten Positionsinformation und eines Korrelierens dieser Information mit einer Information über die Position von jedem Wafer 2 zu erhaltenden Bausteine oder Chips 26 in dem Wafer 2 werden auf die gleiche Weise ausgeführt, wie sie oben für das Verfahren der ersten Ausführungsform beschrieben worden ist.
Nach einem Überprüfen der zweiten Seite 14 des teilweise geschnittenen Wafers 2 von der zweiten Seite 14 des Wafers 2 aus auf Defekte, wird der optionale Schritt eines Schneidens der Schutzfolie 16 auf eine kreisförmige Weise entlang des äußeren Umfangs des Wafers 2 auf die gleiche Weise wie bei der ersten Ausführungsform ausgeführt (siehe 5). Nachfolgend wird die Stützfolie 34 durch das zweite Anbringmittel, das den Spanntisch 40 und den Ringrahmenhalter 42 aufweist, wie in 15 gezeigt, an der zweiten Seite 14 des teilweise geschnittenen Wafers 2 angebracht. Auch dieser letztgenannte Schritt wird auf die gleiche Weise ausgeführt, wie oben für das Verfahren der ersten Ausführungsform beschrieben (siehe auch 6).
Nach dem Anbringen der Stützfolie 34 an der zweiten Seite 14 des teilweise geschnittenen Wafers 2 wird ein Stealthlaser-Schneidschritt, wie in 16 gezeigt, von der ersten Seite 4 des Wafers 2 aus entlang der Trennlinien 6 durch die Schutzfolie 16 hindurch ausgeführt. Bei diesem Schritt, der im Wesentlichen auf die gleiche Weise ausgeführt wird, wie oben für das Verfahren der dritten Ausführungsform beschrieben (siehe auch 12) wird der Laserstrahl LB mit einer Wellenlänge, die eine Transmission des Laserstrahls LB durch die Schutzfolie 16 und durch den Wafer 2 zulässt, durch das Stealthlaser-Schneidmittel 52 auf den Wafer 2 aufgebracht. Der Laserstrahl LB wird bei mehreren Positionen entlang der Trennlinien 6 auf den Wafer 2 aufgebracht, wo die Schnittnuten 50 ausgebildet sind (siehe 13), um entlang der Trennlinien 6 mehrere modifizierte Bereiche in dem Wafer 2 auszubilden. Die modifizierten Bereiche werden in den verbleibenden Abschnitten des Wafers 2 entlang der Trennlinien 6 ausgebildet, die nicht während des Schneidschritts geschnitten worden sind, das heißt, die modifizierten Bereiche werden oberhalb der Schnittnuten 54 in der Richtung von der zweiten Seite 14 zu der ersten Seite 4 des Wafers 2 ausgebildet.
Durch Ausbilden dieser modifizierten Bereiche wird die Festigkeit der verbleibenden Abschnitte des Wafers 2 vermindert. Die Risse in dem Wafer 2, die bei dem Stealthlaser-Schneidschritt erzeugt werden, können sich zu der ersten Seite 4 des Wafers 2 und zu den Unterseiten oder Böden der Schnittnuten 50 ausbreiten, womit der Wafer 2 vollständig in die getrennten Bausteine oder Chips 26 geteilt wird (siehe 17). Alternativ kann der Wafer 2 während des Stealthlaser-Schneidvorgangs nicht vollständig geteilt werden.
Nach dem Ausführen des Stealthlaser-Schneidschritts von der ersten Seite 4 des Wafers 2 aus entlang der Trennlinien 6 durch die Schutzfolie 16 hindurch, wird die Schutzfolie 16 von der ersten Seite 4 des Wafers 2 auf dieselbe Weise entfernt, das heißt abgezogen, wie oben für das Verfahren der ersten Ausführungsform beschrieben worden ist (siehe 9) .
Nach dem Entfernen der Schutzfolie 16 von der ersten Seite 4 des Wafers 2, wird die erste Seite 4 des Wafers 2 von der ersten Seite 4 des Wafers 2 aus auf dieselbe Weise auf Defekte hin überprüft, wie für das Verfahren der ersten Ausführungsform beschrieben worden ist (siehe 10). Auch die nachfolgenden Schritte eines Erhaltens einer zweiten Positionsinformation und eines Korrelierens dieser Information mit der ersten Positionsinformation und mit einer Information über die Position von jedem aus dem Wafer 2 zu erhaltenden Baustein oder Chip 26 in dem Wafer werden auf die gleiche Weise ausgeführt, wie oben für das Verfahren der ersten Ausführungsform beschrieben worden ist.
Nach dem Entfernen der Schutzfolie 16 von der ersten Seite 4 des Wafers 2, wird, wie in 17 dargestellt, ein Trennschritt ausgeführt. Der Trennschritt kann vor oder nach dem Überprüfen der ersten Seite des Wafers 2 von der ersten Seite 4 des Wafers 2 aus auf Defekte ausgeführt werden. Bei diesem Trennschritt wird die Stützfolie 34 radial aufgeweitet, das heißt als ein Aufweitband verwendet. Wenn der Wafer 2 bei dem Stealthlaser-Schneidschritt nicht vollständig geteilt worden ist, bringt die radiale Aufweitung der Stützfolie 34 eine äußere Kraft auf den Wafer 2 auf, welche den Wafer 2 vollständig entlang der Trennlinien 6 in die Bausteine oder Chips 26 teilt (siehe 17). Wenn der Wafer 2 bei dem Stealthlaser-Schneidschritt vollständig geteilt worden ist, bewegt die radiale Aufweitung der Stützfolie 34 die getrennten Bausteine oder Chips 26 voneinander weg, womit der Abstand zwischen benachbarten Bausteinen oder Chips 26 erhöht wird. Ein Erhöhen des Chipzu-Chip-Abstands auf diese Weise stellt auf besonders zuverlässige Weise sicher, dass die Bausteine oder Chips 26 bei dem nachfolgenden Schritt ihres Aufnehmens von der Stützfolie 34 nicht beschädigt werden.
Wenn der Trennschritt nach dem Überprüfen der ersten Seite 4 des Wafers 2 von der ersten Seite 4 des Wafers 2 aus auf Defekte ausgeführt wird, kann in diesem Überprüfungsschritt erkannt werden, ob Risse in dem Wafer 2, die bei dem Stealthlaser-Schneidschritt erzeugt worden sind, sich zu der ersten Seite 4 des Wafers 2 ausgebreitet haben, wie oben für das Verfahren der zweiten Ausführungsform im Detail erläutert worden ist.
Wenn der Trennschritt vor dem Überprüfen der ersten Seite 4 des Wafers 2 von der ersten Seite 4 des Wafers 2 aus auf Defekte ausgeführt wird, können jegliche Defekte in dem Wafer 2, die durch den Trennschritt verursacht worden sein können, während dieses Überprüfungsschritts zuverlässig erkannt werden.
Die Stützfolie 34 wird durch ein Aufweitmittel radial aufgeweitet, das eine Aufweittrommel 56 aufweist (siehe 17). Bei dem Aufweitvorgang wird eine obere Kante der Aufweittrommel 56 mit einem Abschnitt der Stützfolie 34, der entlang des äußeren Umfangs des Wafers 2 angeordnet ist, von unterhalb der Stützfolie 34 in Kontakt gebracht. Nachfolgend werden die Aufweittrommel 56 und der ringförmige Rahmen 38, an dem die Stützfolie 34 angebracht ist, in der vertikalen Richtung, das heißt in der Richtung von der zweiten Seite 14 zu der ersten Seite 4 des Wafers 2, relativ zueinander bewegt. Insbesondere wird die Aufweittrommel 56 wie durch Pfeile in 17 angedeutet, nach oben bewegt und/oder wird der ringförmige Rahmen 38 nach unten bewegt. Auf diese Weise wird die Stützfolie 34 radial aufgeweitet. Das Aufweitmittel bildet einen Teil des Substratbearbeitungssystems in Übereinstimmung mit der vorliegenden Ausführungsform aus.
Bei anderen Ausführungsformen des Verfahrens und des Systems der vorliegenden Erfindung kann die Stützfolie 34 unter Verwendung eines anderen Aufweitmittels, wie zum Beispiel dem Einsatz sich erweiternder Stangen, aufgeweitet werden. Zum Beispiel kann die in DE 10 2018 207 498 A1 beschriebene Aufweitvorrichtung als Aufweitmittel zum Aufweiten der Stützfolie 34 verwendet werden.
Vor einem Aufweiten, wie zum Beispiel einem radialen Aufweiten, der Stützfolie 34, kann optional an dem Wafer 2 ein Brechschritt ausgeführt werden, um den Wafer 2 entlang der Trennlinien 6 zu brechen.
Nach dem Aufweiten der Stützfolie 34 werden die Bausteine oder Chips 26, wie oben für das Verfahren der ersten Ausführungsform beschrieben, von der Stützfolie 34 aufgenommen werden.
Das Verfahren der vierten Ausführungsform kann durch eine Änderung der Reihenfolge der Schritte des Ausführens des Stealthlaser-Schneidschritts von der ersten Seite 4 des Wafers 2 aus entlang der Trennlinien 6 und dem Entfernen der Schutzfolie 16 von der ersten Seite 4 des Wafers 2 abgewandelt werden. Insbesondere wird bei dem abgewandelten Verfahren die Schutzfolie 16 von der ersten Seite 4 des Wafers 2 entfernt, bevor der Stealthlaser-Schneidschritt von der ersten Seite 4 des Wafers 2 aus ausgeführt wird. Folglich wird der Laserstrahl LB auf die gleiche Weise, wie oben für das Verfahren der zweiten Ausführungsform beschrieben, direkt auf den Wafer 2 aufgebracht, das heißt, ohne durch die Schutzfolie 16 gelangen zu müssen (siehe 11). Die verbleibenden Schritte des abgewandelten Verfahrens sind die gleichen wie jene des Verfahrens in Übereinstimmung mit der vierten Ausführungsform.
Die Verfahren und Systeme in Übereinstimmung mit der ersten bis vierten Ausführungsform, die oben beschrieben worden sind, kann durch Verwendung einer Schutzfolie 16 und/oder einer Stützfolie 34 abgewandelt werden, die, wie oben im Detail erläutert worden ist, eine Dämpferschicht oder eine Dämpferschicht und eine Basisschicht an diesem angebracht aufweist.
Bei den Verfahren und Systemen in Übereinstimmung mit der ersten bis vierten Ausführungsform, die oben beschrieben worden sind, wird eine Bearbeitung an der Rückseite des Substrats, das heißt des Wafers 2, ausgeführt. Jedoch kann bei anderen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung das Substrat von der vorderen Seite des Substrats aus bearbeitet werden.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
Zitierte Patentliteratur

DE 102018207498 A1 [0127, 0281]

Claims

Verfahren zum Bearbeiten eines Substrats (2), wobei das Substrat (2) eine erste Seite (4) und eine der ersten Seite (4) gegenüberliegende zweite Seite (14) aufweist, wobei das Verfahren umfasst: Anbringen einer Schutzfolie (16) an der ersten Seite (4) des Substrats (2); nach dem Anbringen der Schutzfolie (16) an der ersten Seite (4) des Substrats (2), ein Bearbeiten des Substrats (2) von der zweiten Seite (14) des Substrats (2) aus; nach dem Bearbeiten des Substrats (2) von der zweiten Seite (14) des Substrats (2) aus, ein Überprüfen der zweiten Seite (14) des Substrats (2) von der zweiten Seite (14) des Substrats (2) aus auf Defekte; nach dem Überprüfen der zweiten Seite (14) des Substrats (2) auf Defekte, ein Anbringen einer Stützfolie (34) an der zweiten Seite (14) des Substrats (2); Entfernen der Schutzfolie (16) von der ersten Seite (4) des Substrats (2); und nach dem Entfernen der Schutzfolie (16) von der ersten Seite (4) des Substrats (2), ein Überprüfen der ersten Seite (4) des Substrats (2) von der ersten Seite (4) des Substrats (2) aus auf Defekte.
Verfahren nach Anspruch 1, ferner mit einem Überprüfen der ersten Seite (4) des Substrats (2) durch die Schutzfolie (16) hindurch auf Defekte vor einem Entfernen der Schutzfolie (16) von der ersten Seite (4) des Substrats (2).
Verfahren nach Anspruch 2, bei dem das Überprüfen der ersten Seite (4) des Substrats (2) durch die Schutzfolie (16) hindurch auf Defekte vor oder nach dem Anbringen der Stützfolie (34) an der zweiten Seite (14) des Substrats (2) ausgeführt wird.
Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem das Substrat (2) an der ersten Seite (4) einen Bauelementbereich (10) mit mehreren Bauelementen (8) aufweist.
Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, das ferner umfasst: wenn ein Defekt oder Defekte durch Überprüfen der zweiten Seite (14) des Substrats (2) von der zweiten Seite (14) des Substrats (2) aus auf Defekte erkannt wird bzw. werden, ein Bestimmen einer Position oder von Positionen des erkannten Defekts oder der erkannten Defekte, um dadurch eine erste Positionsinformation zu erhalten, und/oder wenn ein Defekt oder Defekte durch Überprüfen der ersten Seite (4) des Substrats (2) von der ersten Seite (4) des Substrats (2) aus auf Defekte erkannt wird bzw. werden, ein Bestimmen einer Position oder Bestimmen von Positionen des erkannten Defekts oder der erkannten Defekte, um dadurch eine zweite Positionsinformation zu erhalten.
Verfahren nach Anspruch 5, das ferner ein Korrelieren der ersten Positionsinformation mit der zweiten Positionsinformation umfasst.
Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem ein Überprüfen der zweiten Seite (14) des Substrats (2) von der zweiten Seite (14) des Substrats (2) aus auf Defekte unter Verwendung eines Überprüfungsmittels (30) ausgeführt wird, und das Überprüfungsmittel (30) auch für ein Überprüfen der ersten Seite (4) des Substrats (2) von der ersten Seite (4) des Substrats (2) aus auf Defekte verwendet wird.
Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem die Stützfolie (34) so an der zweiten Seite (14) des Substrats (2) angebracht wird, dass zumindest ein mittiger Bereich einer vorderen Fläche (36) der Stützfolie (34) mit der zweiten Seite (14) des Substrats (2) in direktem Kontakt ist, sodass zwischen zumindest dem mittigen Bereich der vorderen Fläche (36) der Stützfolie (34) und der zweiten Seite (14) des Substrats (2) kein Haftmittel vorliegt.
Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem das Substrat (2) ein Wafer, insbesondere ein Halbleiterwafer, ist.
Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem die Schutzfolie (16) so an der ersten Seite (4) des Substrats (2) angebracht wird, dass zumindest ein mittiger Bereich einer vorderen Fläche (18) der Schutzfolie (16) mit der ersten Seite (4) des Substrats (2) in direktem Kontakt ist, sodass zwischen zumindest dem mittigen Bereich der vorderen Fläche (18) der Schutzfolie (16) und der ersten Seite (4) des Substrats (2) kein Haftmittel vorliegt.
Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem die Bearbeitung des Substrats (2) von der zweiten Seite (14) des Substrats (2) aus einem Teilen des Substrats (2) von der zweiten Seite (14) des Substrats (2) aus in mehrere getrennte Elemente (26) umfasst oder daraus besteht.
Verfahren nach Anspruch 11, bei dem das Teilen des Substrats (2) in die mehreren getrennten Elemente (26) ein Schneiden des Substrats (2) entlang einer Dickenrichtung des Substrats (2) umfasst oder daraus besteht, wobei sich die Dickenrichtung von der zweiten Seite (14) des Substrats (2) zu der ersten Seite (4) des Substrats (2) erstreckt.
Verfahren nach Anspruch 12, bei dem das Schneiden des Substrats (2) entlang der Dickenrichtung des Substrats (2) ein mechanisches Schneiden des Substrats (2) und/oder ein Laserschneiden des Substrats (2) und/oder ein Plasmaschneiden des Substrats (2) umfasst oder daraus besteht.
Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 13, ferner mit einem Aufnehmen der getrennten Elemente (26) von der Stützfolie (34) nach dem Überprüfen der ersten Seite (4) des Substrats (2) von der ersten Seite (4) des Substrats (2) aus auf Defekte.
Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem das Bearbeiten des Substrats (2) von der zweiten Seite (14) des Substrats (2) aus ein Verdünnen des Substrats (2) umfasst oder daraus besteht, um die Dicke des Substrats (2) zu vermindern.
System zum Bearbeiten eines Substrats (2), wobei das Substrat (2) eine erste Seite (4) und eine der ersten Seite (4) gegenüberliegende zweite Seite (14) aufweist, wobei das System aufweist: ein Anbringmittel, das eingerichtet ist, eine Schutzfolie (16) an der ersten Seite (4) des Substrats (2) anzubringen; ein Bearbeitungsmittel (28), das eingerichtet ist, das Substrat (2) nach dem Anbringen der Schutzfolie (16) an der ersten Seite (4) des Substrats (2) von der zweiten Seite (14) des Substrats (2) aus zu bearbeiten; ein Überprüfungsmittel (30), das eingerichtet ist, nach dem Bearbeiten des Substrats (2) von der zweiten Seite (14) des Substrats (2) aus, die zweite Seite (14) des Substrats (2) von der zweiten Seite (14) des Substrats (2) aus auf Defekte zu überprüfen; ein Anbringmittel, das eingerichtet ist, nach dem Überprüfen der zweiten Seite (14) des Substrats (2) auf Defekte, an der zweiten Seite (14) des Substrats (2) eine Stützfolie (34) anzubringen; ein Schutzfolie-Entfernungsmittel (48), das eingerichtet ist, die Schutzfolie (16) von der ersten Seite (4) des Substrats (2) zu entfernen; und ein Überprüfungsmittel (50), das eingerichtet ist, nach dem Entfernen der Schutzfolie (16) von der ersten Seite (4) des Substrats (2) die erste Seite (4) des Substrats (2) von der ersten Seite (4) des Substrats (2) aus auf Defekte zu überprüfen.
System nach Anspruch 16, bei dem das Überprüfungsmittel (30), das eingerichtet ist, die zweite Seite (14) des Substrats (2) zu überprüfen, und das Überprüfungsmittel (50), das eingerichtet ist, die erste Seite (4) des Substrats (2) zu überprüfen, das gleiche einzelne Überprüfungsmittel ist.
System nach Anspruch 16 oder 17, bei dem das Anbringmittel, das eingerichtet ist, die Schutzfolie (16) an der ersten Seite (4) des Substrats (2) anzubringen, und das Anbringmittel, das eingerichtet ist, die Stützfolie (34) an der zweiten Seite (14) des Substrats (2) anzubringen, das gleiche einzelne Anbringmittel ist.