DE102020204406B4

DE102020204406B4 - Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung

Info

Publication number: DE102020204406B4
Application number: DE102020204406.6A
Authority: DE
Inventors: Hiroyuki MASUMOTO
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2019-04-12
Filing date: 2020-04-06
Publication date: 2025-08-28
Anticipated expiration: 2040-04-07
Also published as: US20200328178A1; DE102020204406A1; JP2020174156A; US11532590B2; CN111816633A; CN111816633B; JP7195208B2

Abstract

Halbleitervorrichtung, aufweisend:
ein Isolierungssubstrat (5), das eine Schaltungsstruktur (8) enthält;
Halbleiterchips (10, 11), die auf der Schaltungsstruktur (8) montiert sind;
einen Draht (14, 24), der zwischen den Halbleiterchips (10, 11) und zwischen zumindest einem Halbleiterchip (11) und der Schaltungsstruktur (8) verbindet; und
einen Leiter (20, 21, 22), der mit dem Draht (14, 24) integral ausgebildet ist, wobei
der Leiter (21, 22) ein auf dem Draht (14) ausgebildetes leitfähiges Material (15) und ein am Draht (14) befestigtes, plattenförmiges leitfähiges Material (16, 17) umfasst, wobei das leitfähige Material (15) zwischen dem plattenförmigen leitfähigen Material (16, 17) und dem Draht (14) angeordnet ist, und
eine Vielzahl von Paaren der Halbleiterchips (10, 11) parallel verbunden ist und ein Leiter (21) die Vielzahl von Paaren der Halbleiterchips (10, 11) verbindet.

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNG
Gebiet der Erfindung
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Halbleitervorrichtung, die für beliebige Situationen wie etwa eine Leistungserzeugung, Leistungsübertragung und effiziente Nutzung und Rückgewinnung von Energie verwendet wird.
Beschreibung der Hintergrundtechnik
In den meisten Leistungs-Halbleitervorrichtungen wird ein aus Al, Cu oder dergleichen bestehender Draht für eine Verbindung eines Halbleiterchips und einer Schaltungsstruktur und eine Verbindung einer Vielzahl von Halbleiterchips verwendet. Wenn jedoch die Halbleitervorrichtung verkleinert wird, wird die Anzahl an Drähten reduziert, was eine Zunahme der Stromdichte pro Draht und eine übermäßige Wärmeerzeugung von den Drähten zur Folge hat.
Die JP 2009 - 027 041 A offenbart zum Beispiel ein Verfahren zum Unterdrücken einer Stromdichte einer Verdrahtung. Ein in der JP 2009 - 027 041 A beschriebenes Verdrahtungsverfahren ist ein Verfahren, das angewendet wird, wenn eine Vielzahl gestapelter Halbleiterchips miteinander verdrahtet wird. In diesem Verfahren wird auf einer seitlichen Oberfläche jedes der Vielzahl von Halbleiterchips ein Golddraht ausgebildet, und die Vielzahl von Halbleiterchips wird mit einer leitfähigen Paste miteinander verbunden.
Wenn jedoch das in der JP 2009 - 027 041 A beschriebene Verfahren für eine Leistungs-Halbleitervorrichtung verwendet wird, in der ein Strom von einigen zehn Ampere bis einige hundert Ampere fließt, werden eine Verbindung eines Halbleiterchips und einer Schaltungsstruktur und eine Verbindung einer Vielzahl von Halbleiterchips nur mit einer leitfähigen Paste hergestellt, was eine Zunahme einer Impedanz der Verbindung des Halbleiterchips und der Schaltungsstruktur und eine Zunahme der Impedanz der Verbindung der Vielzahl von Halbleiterchips zur Folge hat. Überdies besteht eine Möglichkeit einer Trennung aufgrund einer schlechten Ausformung der ausgebildeten leitfähigen Paste oder eines schlechten Kontakts der ausgebildeten leitfähigen Paste mit einem Leiter, das heißt, einer schlechten Benetzung oder dergleichen, und infolgedessen verschlechtern sich die Charakteristiken eines Produkts, was wiederum leicht einen Mangel in der Produktqualität auftreten lässt.
WO 2019 / 044 748 A1 offenbart Gates einer Vielzahl von Halbleiterschaltelementen, welche mittels Drähten elektrisch mit einem gemeinsamen Gate-Steuermuster verbunden sind; und offenbart Sources der Vielzahl von Halbleiterschaltelemente, welche elektrisch mit einem gemeinsamen Source-Steuermuster mittels Drähten verbunden sind.
US 2010 / 0 308 457 A1 offenbart eine Halbleitervorrichtung, die einen ersten Elektrodenanschluss, einen zweiten Elektrodenanschluss und mindestens zwei Drähte umfasst, die den ersten und den zweiten Elektrodenanschluss verbinden. Mindestens zwei Drähte sind elektrisch miteinander verbunden, indem ein leitender Klebstoff in einer Erstreckungsrichtung der Drähte verwendet wird. Der erste Elektrodenanschluss ist ein Anschluss einer externen Leitungselektrode. Der zweite Elektrodenanschluss ist ein Anschluss einer Source-Elektrode eines MOSFET.
JP 2000 - 243 778 A offenbart das Bereitstellen einer Struktur einer Halbleitervorrichtung, bei der Au-Drähte mit einem Elektrodenpad auf einem Halbleiterelement verbunden werden, das auf einem Substrat ausgebildet ist. Die Drähte sind an ihrem anderen Ende mit einem Verdrahtungsteil gleichen Potentials verbunden, das auf dem Substrat ausgebildet ist. Zwischen den Drähten ist ein leitfähiger Film aus Au ausgebildet. Ein Isolierfilm aus Polyimid wird auf dem Halbleiterelement gebildet, während er an die Elektrodenanschlussfläche angrenzt, und ein Isolierfilm aus SiO2 wird auf dem Substrat gebildet.
DE 11 2017 007 430 T5 beschreibt ein Halbleitermodul, welches ein Substrat, ein Halbleiterelement und einen Draht aufweist. Das Halbleiterelement ist mit dem Substrat verbunden und weist eine Oberflächenelektrode auf. Beide Enden des Drahtes sind mit dem Substrat so verbunden, dass der Draht über die Oberflächenelektrode des Halbleiterelement läuft. Der Draht ist elektrisch mit der Oberflächenelektrode verbunden.
DE 10 2012 208 251 A1 beschreibt eine elektrische Kontaktierung zwischen zwei Kontaktflächen. Die elektrische Kontaktierung ist bandförmig ausgeführt und als Sandwichaufbau beschaffen.
DE 10 2005 028 951 A1 beschreibt eine elektrische Verbindungsanordnung zwischen einer Halbleiterschaltungsanordnung und einer externen Kontakteinrichtung sowie ein Verfahren zur Herstellung der Verbindungsanordnung. Darin wird auf einem Kontaktanschluss und/oder den Kontakten und dem Draht eine metallische Schicht abgeschieden.
ZUSAMMENFASSUNG
Es ist daher eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Technik bereitzustellen, die eine Verkleinerung einer Halbleitervorrichtung ohne Beeinträchtigung der Zuverlässigkeit ermöglicht.
Die Lösung dieser Aufgabe erfolgt durch die Merkmale der unabhängigen Ansprüche. Die Unteransprüche haben vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung zum Inhalt.
Eine Halbleitervorrichtung gemäß einem Aspekt der Erfindung umfasst ein Isolierungssubstrat, eine Vielzahl von Halbleiterchips, einen Draht und einen Leiter. Das Isolierungssubstrat enthält eine Schaltungsstruktur. Halbleiterchips sind auf der Schaltungsstruktur montiert. Der Draht verbindet zwischen den Halbleiterchips und zwischen dem Halbleiterchip und der Schaltungsstruktur. Der Leiter ist integral mit dem Draht ausgebildet.
Da zusätzlich zum Draht der Leiter zwischen den Halbleiterchips und zwischen dem Halbleiterchip und der Schaltungsstruktur verbindet, ist es möglich, eine Stromdichte pro Draht zu reduzieren, und folglich ist es möglich, die Anzahl an Drähten zu reduzieren.
Da der Leiter zusätzlich zum Draht verbunden ist, ist es möglich, nicht nur eine Impedanz einer Verdrahtung für eine Verbindung zwischen den Halbleiterchips und zwischen dem Halbleiterchip und der Schaltungsstruktur, sondern auch eine Wahrscheinlichkeit einer Trennung zu reduzieren. Wie oben beschrieben wurde, ist es möglich, die Halbleitervorrichtung ohne Beeinträchtigung einer Zuverlässigkeit zu verkleinern.
Diese und andere Aufgaben, Merkmale, Aspekte und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden aus der folgenden detaillierten Beschreibung der vorliegenden Erfindung ersichtlicher werden, wenn sie in Verbindung mit den beiliegenden Zeichnungen vorgenommen wird.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN

1 ist eine Querschnittsansicht einer Halbleitervorrichtung gemäß einem ersten Beispiel;
2 ist eine Querschnittsansicht von in der Halbleitervorrichtung enthaltenen Halbleiterchips und Umgebungen der Halbleiterchips;
3 ist eine Draufsicht der Halbleiterchips und der Umgebungen der Halbleiterchips;
4 ist eine Querschnittsansicht von in einer Halbleitervorrichtung gemäß einem zweiten Beispiel enthaltenen Halbleiterchips und Umgebungen der Halbleiterchips;
5 ist eine Draufsicht der Halbleiterchips und der Umgebungen der Halbleiterchips;
6A und 6B sind Querschnittsansichten einer Halbleitervorrichtung gemäß einem dritten Beispiel, um ein Verfahren zum Herstellen der Halbleitervorrichtung zu beschreiben;
7 ist eine Draufsicht von in der Halbleitervorrichtung gemäß dem dritten Beispiel enthaltenen Halbleiterchips und Umgebungen der Halbleiterchips;
8 ist eine Draufsicht von in einer Halbleitervorrichtung gemäß einem vierten Beispiel enthaltenen Halbleiterchips und Umgebungen der Halbleiterchips;
9 ist eine Draufsicht von in einer Halbleitervorrichtung gemäß einem fünften Beispiel enthaltenen Halbleiterchips und Umgebungen der Halbleiterchips;
10 ist eine Draufsicht von in einer Halbleitervorrichtung gemäß einem sechsten Beispiel enthaltenen Halbleiterchips und Umgebungen der Halbleiterchips;
11 ist eine Draufsicht der Halbleiterchips und der Umgebungen der Halbleiterchips ohne vorgesehenen Leiter;
12 ist eine Draufsicht von in einer Halbleitervorrichtung gemäß einem siebten Beispiel enthaltenen Halbleiterchips und Umgebungen der Halbleiterchips;
13 ist eine Draufsicht von in einer Halbleitervorrichtung gemäß einem achten Beispiel enthaltenen Halbleiterchips und Umgebungen der Halbleiterchips;
14A und 14B sind Draufsichten einer Halbleitervorrichtung gemäß einem neunten Beispiel, um ein Verfahren zum Herstellen der Halbleitervorrichtung zu beschreiben; und
15 ist eine Draufsicht von in einer Halbleitervorrichtung gemäß einem zehnten Beispiel enthaltenen Halbleiterchips und Umgebungen der Halbleiterchips.

BESCHREIBUNG DER BEISPIELE
<Erstes Beispiel>
Unter Bezugnahme auf die Zeichnungen wird im Folgenden ein erstes Beispiel beschrieben. 1 ist eine Querschnittsansicht einer Halbleitervorrichtung gemäß dem ersten Beispiel. 2 ist eine Querschnittsansicht von in der Halbleitervorrichtung enthaltenen Halbleiterchips und Umgebungen der Halbleiterchips, konkret eine vergrößerte Ansicht eines von einer gestrichelten Linie in 1 umgebenen Teilbereichs. 3 ist eine Draufsicht der Halbleiterchips und der Umgebungen der Halbleiterchips.
Wie in 1 gezeigt ist, ist die Halbleitervorrichtung ein Leistungsmodul und umfasst ein Gehäuse 1, eine Basisplatte 4, ein Isolierungssubstrat 5, Halbleiterchips 10, 11, einen Draht 14, ein leitfähiges Material 15, das als ein Leiter 20 dient, einen Signalanschluss 2, eine Elektrode 3, ein Gel 12 und eine Abdeckung 13.
Das Gehäuse 1 umfasst einen peripheren Wandteilbereich 1a mit einer rechtwinkligen Rahmenform in Draufsicht, der die Basisplatte 4, das Isolierungssubstrat 5, die Halbleiterchips 10, 11, den Draht 14 und das leitfähige Material 15 umgibt. Die Basisplatte 4 besteht aus Metall wie etwa Cu und ist in Draufsicht in einer rechtwinkligen Form ausgebildet. Die Basisplatte 4 ist an einer Bodenfläche des Gehäuses 1 so befestigt, um zu ermöglichen, dass eine obere Oberfläche des Isolierungssubstrats 5 teilweise freigelegt ist.
Das Isolierungssubstrat 5 ist an einer oberen Oberfläche der Basisplatte 4 mit einem Lot 9 befestigt und umfasst eine Keramikplatte 7, eine Schaltungsstruktur 8 und eine Metallstruktur 6. Die Schaltungsstruktur 8 ist auf einer oberen Oberfläche der Keramikplatte 7 ausgebildet, und die Metallstruktur 6 ist auf einer unteren Oberfläche der Keramikplatte 7 ausgebildet.
Die Halbleiterchips 10, 11 sind jeweils aus einem Halbleiter mit breiter Bandlücke wie etwa SiC gebildet und sind auf einer oberen Oberfläche der Schaltungsstruktur 8 mit dem zwischen den Halbleiterchips 10, 11 und der oberen Oberfläche der Schaltungsstruktur 8 angeordneten Lot 9 montiert. Der Halbleiterchip 10 ist beispielsweise ein Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT), und der Halbleiterchip 11 ist beispielsweise eine Diode.
Der Signalanschluss 2 und die Elektrode 3 sind am peripheren Wandteilbereich 1a des Gehäuses 1 angebracht. Der Draht 14 verbindet zwischen dem Halbleiterchip 10 und dem Signaldraht 2, zwischen den Halbleiterchips 10, 11, zwischen dem Halbleiterchip 11 und der Schaltungsstruktur 8 und zwischen dem Halbleiterchip 11 und der Elektrode 3.
Das Gel 12 füllt ein Inneres des Gehäuses 1, um zu bewirken, dass ein Teil der oberen Oberfläche der Basisplatte 4, das Isolierungssubstrat 5, die Halbleiterchips 10, 11, der Draht 14 und das leitfähige Material 15 im Gel 12 eingekapselt sind. Die Abdeckung 13 ist an einem inneren peripheren Teilbereich eines oberen Endteilbereichs des peripheren Wandteilbereichs 1a des Gehäuses 1 angebracht.
Als Nächstes wird eine Beschreibung des leitfähigen Materials 15 gegeben. Wie in 2 und 3 gezeigt ist, ist das leitfähige Material 15 mit einer Vielzahl von Drähten 14 entlang den oberen Seiten in einer longitudinalen Richtung der Vielzahl von Drähten 14 integral ausgebildet, die zwischen den Halbleiterchips 10, 11 und zwischen dem Halbleiterchip 11 und der Schaltungsstruktur 8 verbinden. Das leitfähige Material 15 hat hierin einen niedrigeren linearen Ausdehnungskoeffizienten als die Drähte 14, was es möglich macht, eine Ausdehnung und Kontraktion der Drähte 14 zu unterdrücken, während die Halbleiterchips 10, 11 in Betrieb sind.
Als Nächstes wird eine Beschreibung eines Verfahrens zum Ausbilden des leitfähigen Materials 15 gegeben. Zunächst wird nach einem Bonden der Vielzahl von Drähten 14 mit einem Spender oder dergleichen eine leitfähige Paste auf obere Seiten in der longitudinalen Richtung der Drähte 14 aufgebracht. Dann wird beispielsweise die leitfähige Paste mittels einer Wärmebehandlung zum leitfähigen Material 15 ausgehärtet. Dies bewirkt, dass das leitfähige Material 15 die Vielzahl von Drähten 14 elektrisch verbindet.
Man beachte, dass, wenn Aluminiumdrähte für die Drähte 14 verwendet werden, eine Benetzbarkeit mit der leitfähigen Paste nicht gewahrt werden kann. Daher ist es vorzuziehen, einen Aluminiumdraht zu verwenden, der eine aus Al bestehende Basis und eine aus Ni oder Cu bestehende Beschichtung umfasst, wobei die Beschichtung um die Basis gelegt bzw. angebracht ist.
Eine Auswahl einer Kombination mit guter Benetzbarkeit (zum Beispiel eine Kombination einer aus Cu oder Au bestehenden Chipoberfläche und einer aus Lot bestehenden leitfähigen Paste) für ein Metall auf den Oberflächen der Halbleiterchips 10, 11 und die leitfähige Paste ermöglicht, dass die leitfähige Paste auf Umgebungen eines Verbindungsteilbereichs aufgebracht wird, wo die Halbleiterchips 10, 11 mit den Drähten 14 verbunden sind.
Wie oben beschrieben wurde, umfasst die Halbleitervorrichtung gemäß dem ersten Beispiel das die Schaltungsstruktur 8 enthaltende Isolierungssubstrat 5, die Vielzahl von Halbleiterchips 10, 11, die auf der Schaltungsstruktur 8 montiert sind, und die Drähte 14, die zwischen den Halbleiterchips 10, 11 und zwischen den Halbleiterchips 11 und der Schaltungsstruktur 8 verbinden, und den mit den Drähten 14 integral ausgebildeten Leiter 20.
Da das als der Leiter 20 dienende leitfähige Material 15 zusätzlich zu den Drähten 14 zwischen den Halbleiterchips 10, 11 verbindet und zwischen dem Halbleiterchip 11 und der Schaltungsstruktur 8 verbindet, ist es möglich, eine Stromdichte pro Draht zu reduzieren, und somit ist es möglich, die Anzahl an Drähten 14 zu reduzieren.
Da das leitfähige Material 15 zusätzlich zu den Drähten 14 verbunden ist, ist es möglich, eine Impedanz der Verbindung zwischen den Halbleiterchips 10, 11 und eine Impedanz der Verbindung zwischen dem Halbleiterchip 11 und der Schaltungsstruktur 8 zu reduzieren, und dies wiederum macht es möglich, die Wahrscheinlichkeit einer Trennung zu reduzieren. Wie oben beschrieben wurde, ist es möglich, die Halbleitervorrichtung ohne Beeinträchtigung einer Zuverlässigkeit zu verkleinern.
Da die Stromdichte sogar mit einer geringen Anzahl an Drähten 14 niedrig gehalten werden kann, ist es weiter möglich, einen Freiheitsgrad beim Entwurf der Halbleitervorrichtung zu erhöhen.
Da der Leiter 20 gebildet wird, indem die leitfähige Paste auf die Drähte 14 aufgebracht und ausgehärtet wird, ist es möglich, den Leiter 20 auf den Drähten 14 leicht auszubilden.
Wenn das leitfähige Material 15 auch nahe dem Verbindungsteilbereich ausgebildet wird, wo die Halbleiterchips 10, 11 mit dem Draht 14 verbunden sind, wird eine von den Halbleiterchips 10, 11 erzeugte Wärme durch das leitfähige Material 15 unmittelbar abgeleitet, und folglich ist es möglich, einen Effekt einer Unterdrückung einer Temperaturerhöhung unmittelbar nach der Wärmeerzeugung zu erzielen. Ferner ist es möglich, eine Leistungszyklus-(P/C)-Charakteristik im Hinblick auf die Zuverlässigkeit der Halbleitervorrichtung zu erhöhen.
Während die Halbleiterchips 10, 11 in Betrieb sind (wenn eine Temperaturänderung auftritt), wird auf jeweilige Grenzflächen der Halbleiterchips 10, 11 eine Spannung beaufschlagt; wenn aber das leitfähige Material 15 einen niedrigeren linearen Ausdehnungskoeffizienten als die Drähte 14 aufweist, ist es möglich, eine Ausdehnung und Kontraktion der Drähte 14 zu unterdrücken, während die Halbleiterchips 10, 11 in Betrieb sind, was ermöglicht, eine mechanische Spannung zu unterdrücken, die auf die Grenzflächen zwischen den Halbleiterchips 10, 11 und den Drähten 14 angewendet wird, und wiederum ermöglicht, die P/C-Charakteristik weiter zu verbessern.
<Zweites Beispiel>
Als Nächstes wird eine Halbleitervorrichtung gemäß einem zweiten Beispiel beschrieben. 4 ist eine Querschnittsansicht der in der Halbleitervorrichtung gemäß dem zweiten Beispiel enthaltenen Halbleiterchips 10, 11 und Umgebungen der Halbleiterchips 10, 11. 5 ist eine Draufsicht der Halbleiterchips 10, 11 und der Umgebungen der Halbleiterchips 10, 11. Man beachte, dass in dem zweiten Beispiel die gleichen Komponenten, wie sie in dem ersten Beispiel beschrieben wurden, mit den gleichen Bezugsziffern bezeichnet sind und somit keine Beschreibung der Komponenten gegeben wird.
Wie in 4 und 5 gezeigt ist, enthält in dem zweiten Beispiel die Halbleitervorrichtung statt der Drähte 14 Flachdrähte 24. Die Flachdrähte 24 bestehen jeweils aus einem Verbundmaterial, das aus ungleichen Metallen wie etwa Al und Cu, die verbunden sind, besteht.
Das als der Leiter 20 dienende leitfähige Material 15 ist mit den Flachdrähten 24 entlang den oberen Seiten in einer longitudinalen Richtung der Flachdrähte 24, die zwischen den Halbleiterchips 10, 11 und zwischen dem Halbleiterchip 11 und der Schaltungsstruktur 8 verbinden, integral ausgebildet. Ein Verfahren zum Ausbilden des leitfähigen Materials 15 auf den Flachdrähten 24 ist das gleiche wie das Verfahren des ersten Beispiels, und somit wird keine Beschreibung des Verfahrens gegeben.
Wie oben beschrieben wurde, kann, da die Flachdrähte 24 in der Halbleitervorrichtung gemäß dem zweiten Beispiel genutzt werden, der gleiche Effekt wie in dem ersten Beispiel erzielt werden.
<Drittes Beispiel>
Als Nächstes wird eine Halbleitervorrichtung gemäß einem dritten Beispiel beschrieben. 6 ist eine Querschnittsansicht einer Halbleitervorrichtung gemäß dem dritten Beispiel, um ein Verfahren zum Herstellen der Halbleitervorrichtung zu beschreiben. Konkret ist 6A eine Querschnittsansicht, die einen Prozess zum Aufbringen einer leitfähigen Paste 15a auf die Drähte 14 zeigt, die mit den Halbleiterchips 10, 11 und der Schaltungsstruktur 8 verbunden sind. 6B ist eine Querschnittsansicht, die einen Prozess zum Ausbilden des Leiters 21 auf den mit den Halbleiterchips 10, 11 und der Schaltungsstruktur 8 verbundenen Drähten 14 zeigt. 7 ist eine Draufsicht der in der Halbleitervorrichtung gemäß dem dritten Beispiel enthaltenen Halbleiterchips 10, 11 und der Umgebungen der Halbleiterchips 10, 11. Man beachte, dass in dem dritten Beispiel die gleichen Komponenten, wie sie in den ersten und zweiten Beispielen beschrieben wurden, mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet sind und folglich keine Beschreibung der Komponenten gegeben wird.
Wie in 6A, 6B und 7 gezeigt ist, umfasst in dem dritten Beispiel der Leiter 21 das auf den Drähten 14 ausgebildete leitfähige Material 15 und ein an den Drähten 14 befestigtes, plattenförmiges leitfähiges Material 16, wobei das leitfähige Material 15 zwischen dem plattenförmigen Material 16 und den Drähten 14 angeordnet ist.
Der Leiter 21 ist mit den Drähten 14, die zwischen den Halbleiterchips 10, 11 und zwischen dem Halbleiterchip 11 und der Schaltungsstruktur 8 verbinden, integral ausgebildet. Konkret ist das leitfähige Material 15 auf Teilen der Drähte 14 ausgebildet, die die Halbleiterchips 10, 11 verbinden und den Halbleiterchip 11 und die Schaltungsstruktur 8 verbinden, wobei die Teile der Drähte 14 auf den Halbleiterchips 10, 11 und der Schaltungsstruktur 8 gelegen sind. Das plattenförmige leitfähige Material 16 ist auf einer Vielzahl von leitfähigen Materialien 15 platziert und an der Vielzahl von Drähten 14 befestigt, wobei die Vielzahl leitfähiger Materialien 15 zwischen dem plattenförmigen Material 16 und der Vielzahl von Drähten 14 angeordnet ist.
Als Nächstes wird ein Verfahren zum Ausbilden des Leiters 21 beschrieben. Zunächst wird, wie in 6A gezeigt ist, nach einem Bonden der Vielzahl von Drähten 14, die zwischen den Halbleiterchips 10, 11 und zwischen dem Halbleiterchip 11 und der Schaltungsstruktur 8 verbinden, die leitfähige Paste 15a mit einem Spender 50 auf die Teile der Drähte 14 aufgebracht, die auf den Halbleiterchips 10, 11 und der Schaltungsstruktur 8 gelegen sind. Als Nächstes wird, wie in 6B gezeigt ist, das plattenförmige leitfähige Material 16 auf den Drähten 14 platziert, wobei die leitfähige Paste 15a zwischen dem plattenförmigen Material 16 und den Drähten 14 angeordnet ist. Dann wird die leitfähige Paste 15a mittels beispielsweise einer Wärmebehandlung ausgehärtet, um zu bewirken, dass das plattenförmige leitfähige Material 16 an der Vielzahl von Drähten 14 befestigt wird, wobei das leitfähige Material 15 zwischen dem plattenförmigen leitfähigen Material 16 und der Vielzahl von Drähten 14 angeordnet ist, wobei sich die leitfähige Paste 15a in den Leiter 21 wandelt. Dies bewirkt eine elektrische Verbindung des Leiters 21 mit der Vielzahl von Drähten 14. Man beachte, dass die Halbleitervorrichtung gemäß dem dritten Beispiel ferner den in den ersten und zweiten Beispielen beschriebenen Leiter 20 enthalten kann.
Wie oben beschrieben wurde, umfasst in der Halbleitervorrichtung gemäß dem dritten Beispiel der Leiter 21 das auf den Drähten 14 ausgebildete leitfähige Material 15 und das an den Drähten 14 befestigte, plattenförmige leitfähige Material 16, wobei das leitfähige Material 15 zwischen dem plattenförmigen leitfähigen Material 16 und den Drähten 14 angeordnet ist. Dies macht es möglich, den gleichen Effekt wie in dem ersten Beispiel zu erzielen. Man beachte, dass die Verwendung eines dicken plattenförmigen leitfähigen Materials, das als das plattenförmige leitfähige Material 16 dient, einen Effekt einer Reduzierung der Stromdichte, während die Halbleiterchips 10, 11 in Betrieb sind, erhöhen wird.
Da der Leiter 21 gebildet wird, indem die leitfähige Paste 15a auf die Drähte 14 aufgebracht wird, das plattenförmige leitfähige Material 16 auf den Drähten 14 platziert wird, wobei die leitfähige Paste 15a zwischen dem plattenförmigen leitfähigen Material 16 und dem Draht 14 angeordnet ist, und die leitfähige Paste 15a ausgehärtet wird, ist es möglich, den Leiter 21 auf den Drähten 14 leicht auszubilden.
<Viertes Beispiel>
Als Nächstes wird eine Halbleitervorrichtung gemäß einem vierten Beispiel beschrieben. 8 ist eine Draufsicht der in der Halbleitervorrichtung gemäß dem vierten Beispiel enthaltenen Halbleiterchips 10, 11 und der Umgebungen der Halbleiterchips 10, 11. Man beachte, dass in dem vierten Beispiel die gleichen Komponenten, wie sie in den ersten bis dritten Beispielen beschrieben sind, mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet sind und somit keine Beschreibung der Komponenten gegeben wird.
Wie in 8 gezeigt ist, ist in dem vierten Beispiel ein Leiter 21 mit der Vielzahl parallel verbundener Halbleiterchips 10, 11 verbunden. Konkret sind drei Paare der Halbleiterchips 10, 11 parallel verbunden, und ein Leiter 21 ist mit den drei Paaren der Halbleiterchips 10, 11 und der Schaltungsstruktur 8 verbunden. Man beachte, dass ein Verfahren zum Ausbilden des Leiters 21 auf den Drähten 14 das gleiche wie das Verfahren in dem dritten Beispiel ist und somit keine Beschreibung des Verfahrens gegeben wird.
Wie oben beschrieben wurde, kann in der Halbleitervorrichtung gemäß dem vierten Beispiel, da eine Vielzahl von Paaren der Halbleiterchips 10, 11 parallel verbunden ist und die Vielzahl von Paaren der Halbleiterchips 10, 11 durch einen Leiter 21 miteinander verbunden ist, der gleiche Effekt wie in dem dritten Beispiel erzielt werden.
<Fünftes Beispiel>
Als Nächstes wird eine Halbleitervorrichtung gemäß einem fünften Beispiel beschrieben. 9 ist eine Draufsicht der in der Halbleitervorrichtung gemäß dem fünften Beispiel enthaltenen Halbleiterchips 10, 11 und der Umgebungen der Halbleiterchips 10, 11. Man beachte, dass in dem fünften Beispiel die gleichen Komponenten, wie sie in den ersten bis vierten Beispielen beschrieben sind, mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet sind und somit keine Beschreibung der Komponenten gegeben wird.
Wie in 9 gezeigt ist, ist in dem fünften Beispiel ein Leiter mit je einem der Vielzahl von Paaren der Vielzahl von Halbleiterchips 10, 11, die parallel verbunden sind, verbunden. Konkret sind drei Paare von Halbleiterchips 10, 11 parallel verbunden, und drei Leiter 21 sind jeweils mit einem entsprechenden der drei Paare von Halbleiterchips 10, 11 und der Schaltungsstruktur 8 verbunden. Man beachte, dass ein Verfahren zum Ausbilden der Leiter 21 auf den Drähten 14 das gleiche wie das Verfahren in dem dritten Beispiel ist und somit keine Beschreibung des Verfahrens gegeben wird.
Wie oben beschrieben wurde, kann in der Halbleitervorrichtung gemäß dem fünften Beispiel, da die Leiter 21 jeweils mit einem entsprechenden der Vielzahl von Paaren der Halbleiterchips 10, 11, die parallel verbunden sind, verbunden sind, der gleiche Effekt wie in dem dritten Beispiel erzielt werden.
<Sechstes Beispiel>
Als Nächstes wird eine Halbleitervorrichtung gemäß einem sechsten Beispiel beschrieben. 10 ist eine Draufsicht der in der Halbleitervorrichtung gemäß dem sechsten Beispiel enthaltenen Halbleiterchips 10, 11 und der Umgebungen der Halbleiterchips 10, 11. 11 ist eine Draufsicht der Halbleiterchips 10, 11 und der Umgebungen der Halbleiterchips 10, 11, wobei kein Leiter 22 vorgesehen ist. Man beachte, dass in dem sechsten Beispiel die gleichen Komponenten, wie sie in den ersten bis fünften Beispielen beschrieben wurden, mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet sind und somit keine Beschreibung der Komponenten gegeben wird.
Wie in 10 gezeigt ist, sind in dem sechsten Beispiel Drähte 14, die zwischen einander benachbarten Halbleiterchips 10 und zwischen einander benachbarten Halbleiterchips 11 unter der Vielzahl von Paaren der Halbleiterchips 10, 11, die parallel verbunden sind, gelegen sind, durch den Leiter 22 miteinander elektrisch verbunden. Konkret ist der Leiter 22 mit dem Draht 14, der auf einem Halbleiterchip 10, 11 auf der Seite des anderen Halbleiterchips 10, 11 gelegen ist, und dem Draht 14, der auf dem anderen Halbleiterchip 10, 11 auf der Seite des einen Halbleiterchips 10, 11 gelegen ist, in benachbarten Halbleiterchips 10 und benachbarten Halbleiterchips 11 integral ausgebildet. Der Leiter 22 umfasst das leitfähige Material 15 (siehe 6) und ein plattenförmiges leitfähiges Material 17.
Um ein Überschwingen ohne einen vorgesehenen Leiter 22, wie in 11 gezeigt, zu unterdrücken, verbindet ein Draht 14a zur Unterdrückung eines Überschwingens drei Paare parallel verbundener Halbleiterchips 10. Jedoch ist es notwendig, einen Raum sicherzustellen, wo der Draht 14a zur Unterdrückung eines Überschwingens verbunden wird, was es schwierig macht, die Halbleitervorrichtung zu verkleinern.
Im Gegensatz dazu ist in der Halbleitervorrichtung gemäß dem sechsten Beispiel der Leiter 22 mit dem Draht 14, der in einem Halbleiterchip 10, 11 auf der Seite des anderen Halbleiterchips 10, 11 gelegen ist, und dem Draht 14, der im anderen Halbleiterchip 10, 11 auf der Seite des einen Halbleiterchips 10, 11 gelegen ist, in benachbarten Halbleiterchips 10, 11 integral ausgebildet.
Dies eliminiert den Bedarf an dem Raum, wo der Draht 14a zur Unterdrückung eines Überschwingens verbunden wird. Dies wiederum macht es möglich, die Halbleitervorrichtung zu verkleinern, selbst wenn Maßnahmen gegen Überschwingen ergriffen werden.
<Siebtes Beispiel>
Als Nächstes wird eine Halbleitervorrichtung gemäß einem siebten Beispiel beschrieben. 12 ist eine Draufsicht der in der Halbleitervorrichtung gemäß dem siebten Beispiel enthaltenen Halbleiterchips 10, 11 und der Umgebungen der Halbleiterchips 10, 11. Man beachte, dass in dem siebten Beispiel die gleichen Komponenten, wie sie in den ersten bis sechsten Beispielen beschrieben wurden, mit den gleichen Bezugsziffern bezeichnet sind und somit keine Beschreibung der Komponenten gegeben wird.
Wie in 12 gezeigt ist, entspricht das siebte Beispiel einer Kombination des fünften Beispiels und des sechsten Beispiels. Das heißt, in dem siebten Beispiel sind die Leiter 21 jeweils mit einem entsprechenden der Vielzahl von Paaren der Halbleiterchips 10, 11, die parallel verbunden sind, verbunden, und die Drähte 14, die zwischen einander benachbarten Halbleiterchips 10 und zwischen einander benachbarten Halbleiterchips 11 unter der Vielzahl von Paaren der Halbleiterchips 10, 11, parallel verbunden sind, gelegen sind, durch die Leiter 22 miteinander elektrisch verbunden.
Wie oben beschrieben wurde, ist es, da die Halbleitervorrichtung gemäß dem siebten Beispiel die obige Konfiguration aufweist, möglich, sowohl den Effekt des fünften Beispiels als auch den Effekt des sechsten Beispiels zu erzielen.
<Achtes Beispiel>
Als Nächstes wird eine Halbleitervorrichtung gemäß einem achten Beispiel beschrieben.
13 ist eine Draufsicht der in der Halbleitervorrichtung gemäß dem achten Beispiel enthaltenen Halbleiterchips 10, 11 und der Umgebungen der Halbleiterchips 10, 11. Man beachte, dass in dem achten Beispiel die gleichen Komponenten, wie sie in den ersten bis siebten Beispielen beschrieben wurden, mit den gleichen Bezugsziffern bezeichnet sind und somit keine Beschreibung der Komponenten gegeben wird.
Wie in 13 gezeigt ist, ist in dem achten Beispiel die Vielzahl von Drähten 14 durchgehend und unter einem Winkel zueinander angeordnet, und der Leiter 21 ist mit der Vielzahl von Drähten 14 entlang der longitudinalen Richtung der Vielzahl durchgehend angeordneter Drähte 14 integral ausgebildet.
Wenn die Drähte 14 mit den Halbleiterchips 10, 11 und der Schaltungsstruktur 8 verbunden werden, kann es notwendig sein, einen Winkel θ auszubilden. Wenn die Drähte 14 unter einem Winkel zueinander verbunden werden, um einen Kontakt zwischen den Drähten 14 und einem Drahtbonding-Werkzeug zu vermeiden, nimmt verglichen mit einer Konfiguration, in der kein Winkel ausgebildet wird, die Anzahl an Drähten 14 tendenziell ab, was die Stromdichte der Drähte 14 erhöhen kann.
Im Gegensatz dazu umfasst in der Halbleitervorrichtung gemäß dem achten Beispiel der Draht 14 eine Vielzahl von Drähten 14, und die Vielzahl von Drähten 14 ist durchgehend und unter einem Winkel zueinander angeordnet, und der Leiter 21 ist mit der Vielzahl von Drähten 14 entlang der longitudinalen Richtung der Vielzahl durchgehend angeordneter Drähte 14 integral ausgebildet. Da der gleiche Effekt wie in dem ersten Beispiel erzielt werden kann, kann die Stromdichte selbst mit einer geringen Anzahl an Drähten 14 niedrig gehalten werden.
<Neuntes Beispiel>
Als Nächstes wird eine Halbleitervorrichtung gemäß einem neunten Beispiel beschrieben. 14A und 14B sind Querschnittsansichten einer Halbleitervorrichtung gemäß dem neunten Beispiel, um ein Verfahren zum Herstellen der Halbleitervorrichtung zu beschreiben. Konkret ist 14A eine Draufsicht, die einen Zustand zeigt, bevor das plattenförmige leitfähige Material 16 den Halbleiterchip 11 und die Schaltungsstruktur 8 verbindet. 14B ist eine Draufsicht, die einen Zustand zeigt, nachdem das plattenförmige leitfähige Material 16 den Halbleiterchip 11 und die Schaltungsstruktur 8 verbindet. Man beachte, dass in dem neunten Beispiel die gleichen Komponenten, wie sie in den ersten bis achten Beispielen beschrieben wurden, mit den gleichen Bezugsziffern bezeichnet sind und somit keine Beschreibung der Komponenten gegeben wird.
Wie in 14B gezeigt ist, sind in dem neunten Beispiel der Halbleiterchip 11 und die Schaltungsstruktur 8 durch das plattenförmige leitfähige Material 16 statt den Draht 14 verbunden.
Die Halbleitervorrichtung umfasst das die Schaltungsstruktur 8 enthaltende Isolierungssubstrat 5, die Vielzahl von Halbleiterchips 10, 11, die auf der Schaltungsstruktur 8 montiert sind, und das plattenförmige leitfähige Material 16, das zwischen dem Halbleiterchip 11 und der Schaltungsstruktur 8 verbindet.
Als Nächstes wird ein Verfahren zum Verbinden des plattenförmigen leitfähigen Materials 16 beschrieben. Wie in 14A gezeigt ist, wird zuerst nach einem Bonden der Vielzahl von Drähten 14 der Leiter 21 in der gleichen Weise wie in dem dritten Beispiel zwischen den Halbleiterchips 10, 11 ausgebildet. Wie in 14B gezeigt ist, wird als Nächstes nach einem Aufbringen der leitfähigen Paste auf den Verbindungsteilbereich, wo dazwischen der Halbleiterchip 11 und die Schaltungsstruktur 8 miteinander verbunden sind, das plattenförmige leitfähige Material 16 auf dem Verbindungsteilbereich platziert, wobei die leitfähige Paste zwischen dem plattenförmigen leitfähigen Material 16 und dem Verbindungsteilbereich angeordnet ist. Als Nächstes wird beispielsweise die leitfähige Paste durch zum Beispiel eine Wärmebehandlung ausgehärtet, wodurch das plattenförmige leitfähige Material 16 mit dem Halbleiterchip 11 und der Schaltungsstruktur 8 verbunden wird.
Man beachte, dass anstelle des mit den Drähten 14 integral ausgebildeten Leiters 21 die Halbleiterchips 10, 11 durch den mit den Drähten 14 integral ausgebildeten Leiter 20 verbunden werden können. Weiter können die Halbleiterchips 10, 11 durch das plattenförmige leitfähige Material 16 statt den mit den Drähten 14 integral ausgebildeten Leiter 21 verbunden werden. Ferner können der Halbleiterchip 11 und die Schaltungsstruktur 8 durch den Leiter 20 oder den Leiter 21, der mit den Drähten 14 integral ausgebildet ist, verbunden werden, und die Halbleiterchips 10, 11 können durch das plattenförmige leitfähige Material 16 verbunden werden.
Wie oben beschrieben wurde, umfasst die Halbleitervorrichtung gemäß dem neunten Beispiel das die Schaltungsstruktur 8 enthaltende Isolierungssubstrat 5, die Vielzahl von auf der Schaltungsstruktur 8 montierten Halbleiterchips 10, 11 und das plattenförmige leitfähige Material 16, das die Vielzahl von Halbleiterchips 10, 11 verbindet und den Halbleiterchip 11 und die Schaltungsstruktur 8 verbindet.
Dies macht es möglich, den gleichen Effekt wie in dem ersten Beispiel zu erzielen. Da eine Verdrahtung in einem Layout, das die Verdrahtung unter Verwendung der Drähte 14 erschwert, angeordnet werden kann, ist es insbesondere möglich, den Freiheitsgrad beim Entwurf der Halbleitervorrichtung weiter zu erhöhen und die Halbleitervorrichtung zu verkleinern.
Das plattenförmige leitfähige Material 16 wird verbunden, indem die leitfähige Paste auf den Verbindungsteilbereich, wo dazwischen die Halbleiterchips 10, 11 miteinander verbunden sind, und den Verbindungsteilbereich, wo dazwischen der Halbleiterchip 11 und die Schaltungsstruktur 8 miteinander verbunden sind, aufgebracht wird, das plattenförmige leitfähige Material 16 auf den Verbindungsteilbereichen platziert wird, wobei die leitfähige Paste zwischen dem plattenförmigen leitfähigen Material 16 und den Verbindungsteilbereichen angeordnet ist, und die leitfähige Paste ausgehärtet wird. Das plattenförmige leitfähige Material 16 kann daher leicht mit dem Verbindungsteilbereich, wo dazwischen die Halbleiterchips 10, 11 miteinander verbunden sind, und dem Verbindungsteilbereich, wo dazwischen der Halbleiterchip 11 und die Schaltungsstruktur 8 miteinander verbunden sind, verbunden werden.
Ferner sind die Drähte 14, die zwischen den Halbleiterchips 10, 11 und zwischen dem Halbleiterchip 11 und der Schaltungsstruktur 8 verbinden, und der Leiter 20 oder der Leiter 21, der mit den Drähten 14 integral ausgebildet ist, vorgesehen. Daher erhöht eine Bereitstellung sowohl des plattenförmigen leitfähigen Materials 16 als auch des Leiters 20 oder des Leiters 21 weiter den Freiheitsgrad beim Entwurf der Halbleitervorrichtung.
<Zehntes Beispiel >
Als Nächstes wird eine Halbleitervorrichtung gemäß einem zehnten Beispiel beschrieben. 15 ist eine Draufsicht der in der Halbleitervorrichtung gemäß dem zehnten Beispiel enthaltenen Halbleiterchips 10, 11 und der Umgebungen der Halbleiterchips 10, 11. Man beachte, dass in dem zehnten Beispiel die gleichen Komponenten, wie sie in den ersten bis neunten Beispielen beschrieben wurden, mit den gleichen Bezugsziffern bezeichnet sind und somit keine Beschreibung der Komponenten gegeben wird.
Wie in 15 gezeigt ist, ist in dem zehnten Beispiel ein plattenförmiges leitfähiges Material 16 mit den parallel verbundenen Halbleiterchips 10, 11 verbunden. Konkret sind drei Paare Halbleiterchips 10, 11 parallel verbunden, und ein plattenförmiges leitfähiges Material 16 ist mit den drei Paaren Halbleiterchips 10, 11 und der Schaltungsstruktur 8 verbunden. Man beachte, dass ein Verfahren zum Verbinden des plattenförmigen Materials 16 das gleiche wie das Verfahren in dem neunten Beispiel ist und folglich keine Beschreibung des Verfahrens gegeben wird.
Ferner kann wie in dem neunten Beispiel beispielsweise zwischen zwei Paaren der Halbleiterchips 10, 11, die der Schaltungsstruktur 8 benachbart angeordnet sind, und zwischen den Halbleiterchips 10, 11 und der Schaltungsstruktur 8 durch ein plattenförmiges leitfähiges Material 16 eine Verbindung ausgebildet werden, und zwischen dem verbleibenden Paar der Halbleiterchips 10, 11 kann durch den Leiter 20 oder den Leiter 21, der mit den Drähten 14 integral ausgebildet ist, eine Verbindung ausgebildet werden. Das heißt, ein plattenförmiges leitfähiges Material 16 und der Leiter 20 oder der Leiter 21 können gemeinsam vorhanden sein.
Wie oben beschrieben wurde, ist in der Halbleitervorrichtung gemäß dem zehnten Beispiel die Vielzahl von Paaren der Halbleiterchips 10, 11 parallel verbunden und ist zwischen der Vielzahl von Paaren der Halbleiterchips 10, 11 und zwischen den Halbleiterchips 10, 11 und der Schaltungsstruktur 8 durch ein plattenförmiges leitfähiges Material 16 eine Verbindung ausgebildet.
Die zwischen den Halbleiterchips 10, 11 und zwischen den Halbleiterchips 10, 11 und der Schaltungsstruktur 8 verbindenden Drähte 14 und der Leiter 20 oder der Leiter 21, der mit den Drähten 14 integral ausgebildet ist, sind ferner vorgesehen. Nach dem Obigen kann der gleiche Effekt wie in dem neunten Beispiel erzielt werden.
Man beachte, dass die vorliegende Erfindung mittels einer beliebigen Kombination der Beispiele innerhalb des Umfangs der vorliegenden Erfindung implementiert werden kann.

Claims

Halbleitervorrichtung, aufweisend: ein Isolierungssubstrat (5), das eine Schaltungsstruktur (8) enthält; Halbleiterchips (10, 11), die auf der Schaltungsstruktur (8) montiert sind; einen Draht (14, 24), der zwischen den Halbleiterchips (10, 11) und zwischen zumindest einem Halbleiterchip (11) und der Schaltungsstruktur (8) verbindet; und einen Leiter (20, 21, 22), der mit dem Draht (14, 24) integral ausgebildet ist, wobei der Leiter (21, 22) ein auf dem Draht (14) ausgebildetes leitfähiges Material (15) und ein am Draht (14) befestigtes, plattenförmiges leitfähiges Material (16, 17) umfasst, wobei das leitfähige Material (15) zwischen dem plattenförmigen leitfähigen Material (16, 17) und dem Draht (14) angeordnet ist, und eine Vielzahl von Paaren der Halbleiterchips (10, 11) parallel verbunden ist und ein Leiter (21) die Vielzahl von Paaren der Halbleiterchips (10, 11) verbindet.
Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei der Leiter (20, 21, 22) ferner nahe einem Verbindungsteilbereich ausgebildet ist, wo der Halbleiterchip (11) mit dem Draht (14) verbunden ist.
Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei der Leiter (20, 21, 22) einen niedrigeren linearen Ausdehnungskoeffizienten als der Draht (14) aufweist.
Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei der Draht (14) eine aus Al geschaffene Basis und eine aus Ni oder Cu geschaffene Beschichtung aufweist, wobei die Beschichtung um die Basis angebracht ist.
Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei der Draht (24) ein Flachdraht (24) ist.
Halbleitervorrichtung, aufweisend: ein Isolierungssubstrat (5), das eine Schaltungsstruktur (8) enthält; Halbleiterchips (10, 11), die auf der Schaltungsstruktur (8) montiert sind; Drähte (14, 24), die zwischen den Halbleiterchips (10, 11) und zwischen zumindest einem Halbleiterchip (11) und der Schaltungsstruktur (8) verbinden; und einen Leiter (20, 21, 22), der mit den Drähten (14, 24) integral ausgebildet ist, wobei der Leiter (22) mit dem Draht (14), der auf einem Halbleiterchip (10, 11) auf der Seite des anderen Halbleiterchips (10, 11) gelegen ist, und dem Draht (14), der auf dem anderen Halbleiterchip (10, 11) auf der Seite des einen Halbleiterchips (10, 11) gelegen ist, in benachbarten Halbleiterchips (10, 11) integral ausgebildet ist, und der Leiter (22) ein auf dem Draht (14) ausgebildetes leitfähiges Material (15) und ein am Draht (14) befestigtes, plattenförmiges leitfähiges Material (17) umfasst, wobei das leitfähige Material (15) zwischen dem plattenförmigen leitfähigen Material (17) und dem Draht (14) angeordnet ist.
Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei der Draht (14) eine Vielzahl von Drähten (14) aufweist, die Vielzahl von Drähten (14) durchgehend und unter einem Winkel zueinander angeordnet ist, und der Leiter (21) mit der Vielzahl von Drähten (14) entlang einer longitudinalen Richtung der Vielzahl von durchgehend angeordneten Drähten (14) integral ausgebildet ist.
Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei die Halbleiterchips (10, 11) jeweils aus einem Halbleiter mit breiter Bandlücke gebildet sind.
Verfahren zum Herstellen der Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei der Leiter (21, 22) gebildet wird, indem eine leitfähige Paste auf den Draht (14) aufgebracht wird, das plattenförmige leitfähige Material (16, 17) auf dem Draht (14) platziert wird, wobei die leitfähige Paste zwischen dem plattenförmigen Material (16, 17) und dem Draht (14) angeordnet ist, und die leitfähige Paste ausgehärtet wird.