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DE102024207222A1 - CONTROL DEVICE, OPTICAL SYSTEM AND LITHOGRAPHY SYSTEM - Google Patents

CONTROL DEVICE, OPTICAL SYSTEM AND LITHOGRAPHY SYSTEM Download PDF

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DE102024207222A1
DE102024207222A1 DE102024207222.2A DE102024207222A DE102024207222A1 DE 102024207222 A1 DE102024207222 A1 DE 102024207222A1 DE 102024207222 A DE102024207222 A DE 102024207222A DE 102024207222 A1 DE102024207222 A1 DE 102024207222A1
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DE
Germany
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interface
measuring device
coupled
actuator
switching amplifier
Prior art date
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Pending
Application number
DE102024207222.2A
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German (de)
Inventor
Kai Kunze
Ralf Kiesel
Sven Urban
Malte Hoffmann
Eugenia Blanke
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Carl Zeiss SMT GmbH
Original Assignee
Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
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Abstract

Ansteuervorrichtung (100) zum Ansteuern eines über eine erste Schnittstelle (Int1) und über eine zweite Schnittstelle (Int2) ansteuerbaren Aktuators (200), mit
einem mit der ersten Schnittstelle (Int1) gekoppelten ersten Schaltverstärker (110) mit zwei Schaltelementen (111, 112) und jeweils parallel geschalteter Diode (113, 114),
einem mit der zweiten Schnittstelle (Int2) gekoppelten zweiten Schaltverstärker (120) mit zwei Schaltelementen (121, 122) und jeweils parallel geschalteter Diode (123, 124),
einer mit dem ersten Schaltverstärker (110) und dem zweiten Schaltverstärker (120) über einen ersten Knoten (K1) gekoppelten Bereitstellungseinheit (130) zur Bereitstellung einer Versorgungsspannung (V2) für den ersten Schaltverstärker (110) und den zweiten Schaltverstärker (120), wobei zwischen dem ersten Knoten (K1) und der Bereitstellungseinheit (130) ein Schalter (140) zum Zuschalten der Bereitstellungseinheit (130) geschaltet ist,
einem zwischen dem Aktuator (200) und dem ersten Schaltverstärker (110) oder dem zweiten Schaltverstärker (120) gekoppelten Messwiderstand (R),
einer parallel zu dem Messwiderstand (R) angeordneten, mit einer Gleichspannung versorgten Messschaltung (150), und
einer mit dem ersten Knoten (K1) gekoppelten ersten Messeinrichtung (160), einer mit der ersten Schnittstelle (Int1) gekoppelten zweiten Messeinrichtung (170) und/oder einer mit der zweiten Schnittstelle (Int2) gekoppelten dritten Messeinrichtung (180), welche dazu eingerichtet sind, im geöffneten Zustand des Schalters (140) zumindest einen Zustand des Aktuators (200) mittels der die Messschaltung (150) versorgenden Gleichspannung zu ermitteln.

Figure DE102024207222A1_0000
Control device (100) for controlling an actuator (200) controllable via a first interface (Int1) and via a second interface (Int2), with
a first switching amplifier (110) coupled to the first interface (Int1) with two switching elements (111, 112) and a diode (113, 114) connected in parallel,
a second switching amplifier (120) coupled to the second interface (Int2) with two switching elements (121, 122) and a diode (123, 124) connected in parallel,
a supply unit (130) coupled to the first switching amplifier (110) and the second switching amplifier (120) via a first node (K1) for providing a supply voltage (V2) for the first switching amplifier (110) and the second switching amplifier (120), wherein a switch (140) for connecting the supply unit (130) is connected between the first node (K1) and the supply unit (130),
a measuring resistor (R) coupled between the actuator (200) and the first switching amplifier (110) or the second switching amplifier (120),
a measuring circuit (150) arranged in parallel with the measuring resistor (R) and supplied with a direct voltage, and
a first measuring device (160) coupled to the first node (K1), a second measuring device (170) coupled to the first interface (Int1) and/or a third measuring device (180) coupled to the second interface (Int2), which are configured to determine at least one state of the actuator (200) by means of the DC voltage supplying the measuring circuit (150) when the switch (140) is in the open state.
Figure DE102024207222A1_0000

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein optisches System, eine Lithographieanlage mit einem derartigen optischen System und ein Verfahren zum Herstellen eines derartigen optischen Systems.The present invention relates to an optical system, a lithography system with such an optical system and a method for producing such an optical system.

Die Mikrolithographie wird zur Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente, wie beispielsweise integrierter Schaltkreise, angewendet. Der Mikrolithographieprozess wird mit einer Lithographieanlage durchgeführt, welche ein Beleuchtungssystem und ein Projektionssystem aufweist. Das Bild einer mittels des Beleuchtungssystems beleuchteten Maske (Retikel) wird hierbei mittels des Projektionssystems auf ein mit einer lichtempfindlichen Schicht (Photoresist) beschichtetes und in der Bildebene des Projektionssystems angeordnetes Substrat, beispielsweise einen Siliziumwafer, projiziert, um die Maskenstruktur auf die lichtempfindliche Beschichtung des Substrats zu übertragen.Microlithography is used to manufacture microstructured components, such as integrated circuits. The microlithography process is carried out using a lithography system equipped with an illumination system and a projection system. The image of a mask (reticle) illuminated by the illumination system is projected by the projection system onto a substrate, such as a silicon wafer, coated with a light-sensitive layer (photoresist) and positioned in the image plane of the projection system. This transfers the mask structure to the light-sensitive coating of the substrate.

Getrieben durch das Streben nach immer kleineren Strukturen bei der Herstellung integrierter Schaltungen werden derzeit EUV-Lithographieanlagen entwickelt, welche Licht mit einer Wellenlänge im Bereich von 0,1 nm bis 30 nm, insbesondere 13,5 nm, verwenden. Da die meisten Materialien Licht dieser Wellenlänge absorbieren, müssen bei solchen EUV-Lithographieanlagen reflektierende Optiken, das heißt Spiegel, anstelle von - wie bisher - brechenden Optiken, das heißt Linsen, eingesetzt werden.Driven by the pursuit of ever smaller structures in the production of integrated circuits, EUV lithography systems are currently being developed that use light with a wavelength in the range of 0.1 nm to 30 nm, particularly 13.5 nm. Since most materials absorb light at this wavelength, such EUV lithography systems must use reflective optics, i.e., mirrors, instead of the previously used refractive optics, i.e., lenses.

Ansteuervorrichtung zum Ansteuern von Aktuatoren, die in Lithographieanlagen zum Aktuieren von optischen Elementen, wie beispielsweise von Spiegeln, verwendet werden, weisen eine Vielzahl von elektronischen Bauteilen auf. Wie bei allen elektronischen Bauteilen kann es auch in solchen Ansteuervorrichtungen vorkommen, dass elektronische Bauteile verschleißen und nicht mehr einwandfrei funktionieren. Weiterhin kann es auch zu Situationen kommen, in denen eine elektrisch leitende Verbindung, beispielsweise zu dem Aktuator selbst, defekt ist, oder sich die Verbindung des Aktuators zu solch einer leitenden Verbindung löst.Control devices for controlling actuators used in lithography systems to actuate optical elements, such as mirrors, comprise a large number of electronic components. As with all electronic components, electronic components in such control devices can wear out and no longer function properly. Furthermore, situations can arise in which an electrically conductive connection, for example, to the actuator itself, is defective, or the connection between the actuator and such a conductive connection becomes loose.

Vor diesem Hintergrund besteht eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung darin, eine verbesserte Ansteuervorrichtung zum Aktuieren eines optischen Elements eines optischen Systems einer Lithographieanlage bereitzustellen.Against this background, it is an object of the present invention to provide an improved control device for actuating an optical element of an optical system of a lithography system.

Demgemäß wird eine Ansteuervorrichtung zum Ansteuern eines über eine erste Schnittstelle und über eine zweite Schnittstelle ansteuerbaren Aktuators vorgeschlagen, mit
einem mit der ersten Schnittstelle gekoppelten ersten Schaltverstärker mit zwei Schaltelementen und jeweils parallel geschalteter Diode,
einem mit der zweiten Schnittstelle gekoppelten zweiten Schaltverstärker mit zwei Schaltelementen und jeweils parallel geschalteter Diode,
einer mit dem ersten Schaltverstärker und dem zweiten Schaltverstärker über einen ersten Knoten gekoppelten Bereitstellungseinheit zur Bereitstellung einer Versorgungsspannung für den ersten Schaltverstärker und den zweiten Schaltverstärker, wobei zwischen dem ersten Knoten und der Bereitstellungseinheit ein Schalter zum Zuschalten der Bereitstellungseinheit geschaltet ist,
einem zwischen dem Aktuator und dem ersten Schaltverstärker oder dem zweiten Schaltverstärker gekoppelten Messwiderstand,
einer parallel zu dem Messwiderstand angeordneten, mit einer Gleichspannung versorgten Messschaltung, und
einer mit dem ersten Knoten gekoppelten ersten Messeinrichtung, einer mit der ersten Schnittstelle gekoppelten zweiten Messeinrichtung und/oder einer mit der zweiten Schnittstelle gekoppelten dritten Messeinrichtung, welche dazu eingerichtet sind, im geöffneten Zustand des Schalters zumindest einen Zustand
des Aktuators mittels der die Messschaltung versorgenden Gleichspannung zu ermitteln.
Accordingly, a control device for controlling an actuator controllable via a first interface and via a second interface is proposed, comprising
a first switching amplifier coupled to the first interface with two switching elements and a diode connected in parallel,
a second switching amplifier coupled to the second interface with two switching elements and a diode connected in parallel,
a supply unit coupled to the first switching amplifier and the second switching amplifier via a first node for providing a supply voltage for the first switching amplifier and the second switching amplifier, wherein a switch for connecting the supply unit is connected between the first node and the supply unit,
a measuring resistor coupled between the actuator and the first switching amplifier or the second switching amplifier,
a measuring circuit arranged in parallel with the measuring resistor and supplied with a DC voltage, and
a first measuring device coupled to the first node, a second measuring device coupled to the first interface and/or a third measuring device coupled to the second interface, which are configured to measure at least one state in the open state of the switch
of the actuator using the DC voltage supplying the measuring circuit.

Die Bereitstellungseinheit der Ansteuervorrichtung ist im Betrieb der Ansteuervorrichtung dazu eingerichtet, eine hohe Spannung, zum Beispiel 50 V, bereitzustellen. Da ein Schalter zwischen dem ersten Knoten und der Bereitstellungseinheit vorgesehen ist, kann sichergestellt werden, dass die Bereitstellungseinheit keine Spannung in die Ansteuervorrichtung einspeist. Anstelle der Bereitstellungseinheit ist die Messschaltung, die mit einer Gleichspannung, zum Beispiel 5 V, versorgt wird, dazu eingerichtet, die Ansteuervorrichtung mit einer Spannung zu versorgen, wobei die Spannung, die von der Ansteuervorrichtung bereitgestellt wird, kleiner ist als die Spannung, die im Betrieb von der Ansteuervorrichtung bereitgestellt wird.The supply unit of the control device is configured to supply a high voltage, for example, 50 V, during operation of the control device. Since a switch is provided between the first node and the supply unit, it can be ensured that the supply unit does not feed any voltage into the control device. Instead of the supply unit, the measuring circuit, which is supplied with a direct voltage, for example, 5 V, is configured to supply the control device with a voltage, wherein the voltage provided by the control device is lower than the voltage provided by the control device during operation.

Durch die Verwendung der geringeren Spannung der Messschaltung können die elektronischen Bauteile und insbesondere ein Zustand des Aktuators in der Ansteuervorrichtung überprüft werden, ohne bei einer Fehlfunktion eines elektronischen Bauteils andere elektronische Bauteile zu beschädigen.By using the lower voltage of the measuring circuit, the electronic components and in particular the condition of the actuator in the control device can be checked without damaging other electronic components in the event of a malfunction of one electronic component.

Die in der Ansteuervorrichtung integrierte, zumindest eine Messeinrichtung ist insbesondere dahingehend vorteilhaft, dass kein externes Messgerät zur Überprüfung der Ansteuervorrichtung verwendet werden muss. Dies vereinfacht die Überprüfung der Ansteuervorrichtung. Weiterhin können durch die Verwendung von zumindest zwei Messeinrichtungen Messgrößen an verschiedenen Stellen in der Ansteuervorrichtung gemessen werden und so auch eine Relation von Messgrößen betrachtet werden.The at least one measuring device integrated in the control device is particularly advantageous in that no external measuring device is required to test the control device. This simplifies the testing of the control device. Furthermore, by using at least two measuring devices, measured variables can be measured at different points in the control device and thus a relationship between measured variables can be considered.

Insbesondere kann durch die vorliegende Ansteuervorrichtung ein Zustand eines Aktuators ermittelt werden. Zustände des Aktuators sind beispielsweise „angeschlossen“, „nicht angeschlossen“, „kurzgeschlossen“, „mit Masse verbunden“. In particular, the present control device can determine the state of an actuator. Actuator states include, for example, "connected," "not connected," "short-circuited," and "grounded."

Durch das Ermitteln eines Zustands des Aktuators kann festgestellt werden, ob die Ansteuervorrichtung einwandfrei funktioniert und eingesetzt werden kann, oder ob die Ansteuervorrichtung repariert werden muss.By determining the status of the actuator, it can be determined whether the control device is functioning properly and can be used, or whether the control device needs to be repaired.

Gemäß einer Ausführungsform ist jeder der Schaltverstärker als eine halbe H-Brücke ausgebildet und/oder die Schaltelemente sind Transistoren.According to one embodiment, each of the switching amplifiers is designed as a half H-bridge and/or the switching elements are transistors.

Eine halbe H-Brücke entspricht einer Hälfte einer H-Brückenschaltung. Beispielsweise umfasst diese zwei Schaltelemente, die als Transistoren ausgebildet sein können. Die Schaltelemente werden dabei im Betrieb der Ansteuervorrichtung vorzugsweise wechselseitig geschaltet, so dass jeweils nur ein Schaltelement eingeschaltet ist. Die Schaltelemente werden dabei insbesondere in Abhängigkeit eines Pulsweitenmodulationssignals einer Modulationsvorrichtung geschaltet.A half H-bridge corresponds to one half of an H-bridge circuit. For example, this circuit comprises two switching elements, which can be implemented as transistors. The switching elements are preferably switched alternately during operation of the control device, so that only one switching element is switched on at a time. The switching elements are switched, in particular, depending on a pulse-width modulation signal from a modulation device.

Vorzugsweise sind die Schaltelemente Transistoren, wobei bevorzugt Feldeffekttransistoren, insbesondere MOSFETs, als Schaltelemente verwendet werden.Preferably, the switching elements are transistors, with field-effect transistors, in particular MOSFETs, preferably being used as switching elements.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist jeweils zwischen dem ersten Schaltverstärker und der ersten Schnittstelle und zwischen dem zweiten Schaltverstärker und der zweiten Schnittstelle ein Filter gekoppelt.According to a further embodiment, a filter is coupled between the first switching amplifier and the first interface and between the second switching amplifier and the second interface.

Der Filter ist insbesondere ein Tiefpass-Filter, welcher das durch den Schaltverstärker verstärkte Signal zeitlich glättet. Vorzugsweise entspricht das gefilterte Signal einem zeitlichen Mittelwert des verstärkten Signals.The filter is, in particular, a low-pass filter that temporally smooths the signal amplified by the switching amplifier. Preferably, the filtered signal corresponds to a temporal average of the amplified signal.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist der Filter ein Tiefpassfilter 2. Ordnung.According to a further embodiment, the filter is a 2nd order low-pass filter.

Vorzugsweise ist der Filter wenigstens als ein Filter zweiter Ordnung ausgebildet. Insbesondere ist ein Eingangsknoten des Filters mit einem Mittelabgriff der halben H-Brücke gekoppelt und ein Ausgangsknoten des Filters ist mit dem Aktuator gekoppelt, wobei zwischen dem Eingangsknoten und dem Ausgangsknoten des Filters eine Serienschaltung aus einem Widerstand und einer Spule gekoppelt ist, und wobei zwischen dem Ausgangsknoten und Masse eine Serienschaltung eines Widerstandes und eines Kondensators gekoppelt ist.Preferably, the filter is configured at least as a second-order filter. In particular, an input node of the filter is coupled to a center tap of the half H-bridge, and an output node of the filter is coupled to the actuator. A series circuit comprising a resistor and a coil is coupled between the input node and the output node of the filter, and a series circuit comprising a resistor and a capacitor is coupled between the output node and ground.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist zumindest eine Manipulationseinrichtung mit zumindest einem Schaltverstärker gekoppelt und die Manipulationseinrichtung ist dazu eingerichtet, einen Schaltzustand zumindest eines Schaltelements des Schaltverstärkers in einen leitenden oder nicht-leitenden Zustand zu ändern.According to a further embodiment, at least one manipulation device is coupled to at least one switching amplifier and the manipulation device is configured to change a switching state of at least one switching element of the switching amplifier into a conductive or non-conductive state.

Durch das Ändern des Schaltzustands des Schaltelements lässt sich eine Funktion des Schaltelements in dem Zustand des geöffneten Schalters überprüfen.By changing the switching state of the switching element, the function of the switching element in the state of the open switch can be checked.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist die Messschaltung dazu eingerichtet, im geöffneten Zustand des Schalters einen ersten Spannungswert, insbesondere 4,7 V, bereitzustellen.According to a further embodiment, the measuring circuit is configured to provide a first voltage value, in particular 4.7 V, in the open state of the switch.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform sind die parallel geschalteten Dioden Freilaufdioden, die jeweils eine Freilaufspannung eines zweiten Spannungswerts, insbesondere 0,7 V, aufweisen.According to a further embodiment, the diodes connected in parallel are freewheeling diodes, each having a freewheeling voltage of a second voltage value, in particular 0.7 V.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform liegt im geöffneten Zustand des Schalters und wenn der Aktuator an der ersten Schnittstelle und an der zweiten Schnittstelle angeschlossen ist, jeweils an der ersten Messeinrichtung, an der zweiten Messeinrichtung und/oder an der dritten Messeinrichtung ein, für den Zustand des mit der ersten Schnittstelle und mit der zweiten Schnittstelle verbundenen Aktuators indikativer Spannungswert an.According to a further embodiment, when the switch is in the open state and when the actuator is connected to the first interface and to the second interface, a voltage value indicative of the state of the actuator connected to the first interface and to the second interface is present at the first measuring device, the second measuring device and/or the third measuring device.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform liegt im geöffneten Zustand des Schalters und wenn der Aktuator nicht an der ersten und an der zweiten Schnittstelle angeschlossen ist, jeweils an der ersten Messeinrichtung, an der zweiten Messeinrichtung und/oder an der dritten Messeinrichtung ein, für den Zustand des nicht mit der ersten Schnittstelle und nicht mit der zweiten Schnittstelle verbundenen Aktuators indikativer Spannungswert an.According to a further embodiment, when the switch is in the open state and the actuator is not connected to the first and second interfaces, a voltage value indicative of the state of the actuator not connected to the first interface and not connected to the second interface is present at the first measuring device, the second measuring device and/or the third measuring device.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform liegt im geöffneten Zustand des Schalters und wenn die erste Schnittstelle mit der zweiten Schnittstelle leitend verbunden ist, jeweils an der ersten Messeinrichtung, an der zweiten Messeinrichtung und/oder an der dritten Messeinrichtung ein, für den Zustand einer leitenden Verbindung zwischen der ersten Schnittstelle und der zweiten Schnittstelle indikativer Spannungswert an.According to a further embodiment, when the switch is in the open state and when the first interface is conductively connected to the second interface, a voltage value indicative of the state of a conductive connection between the first interface and the second interface is present at the first measuring device, the second measuring device and/or the third measuring device.

Eine leitende Verbindung zwischen der ersten Schnittstelle und der zweiten Schnittstelle entspricht einem „kurzgeschlossenen“ Zustand des Aktuators.A conductive connection between the first interface and the second interface corresponds to a “short-circuited” state of the actuator.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform liegt im geöffneten Zustand des Schalters und wenn die erste Schnittstelle oder die zweite Schnittstelle leitend mit Masse verbunden ist, an der ersten Messeinrichtung, an der zweiten Messeinrichtung und/oder an der dritten Messeinrichtung ein dritter Spannungswert, insbesondere 0 V, an.According to a further embodiment, in the open state of the switch and when the first interface or the second interface is conductively connected to ground, a third voltage value, in particular 0 V, is present at the first measuring device, at the second measuring device and/or at the third measuring device.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform liegt im geöffneten Zustand des Schalters und wenn die Manipulationseinrichtung zumindest einen Schaltzustand zumindest eines der Schaltelemente ändert, jeweils an der ersten Messeinrichtung, der zweiten Messeinrichtung und/oder an der dritten Messeinrichtung ein Spannungswert, der insbesondere verschieden von dem ersten Spannungswert ist, an.According to a further embodiment, in the open state of the switch and when the manipulation device changes at least one switching state of at least one of the switching elements, a voltage value, which is in particular different from the first voltage value, is present at the first measuring device, the second measuring device and/or the third measuring device.

Gemäß einem zweiten Aspekt wird ein optisches System mit einer Anzahl an aktuierbaren optischen Elementen vorgeschlagen. Jedem der Anzahl der aktuierbaren optischen Elemente ist ein Aktuator zugeordnet und jedem Aktuator ist eine Ansteuervorrichtung zum Ansteuern des Aktuators gemäß dem ersten Aspekt oder einer der Ausführungsformen des ersten Aspekts zugeordnet. Weiterhin umfasst ein jeweiliger der Aktuatoren eine kapazitive und/oder eine induktive Last.According to a second aspect, an optical system with a number of actuatable optical elements is proposed. Each of the number of actuatable optical elements is assigned an actuator, and each actuator is assigned a control device for controlling the actuator according to the first aspect or one of the embodiments of the first aspect. Furthermore, each of the actuators comprises a capacitive and/or an inductive load.

Das optische System ist bevorzugt eine Projektionsoptik der Projektionsbelichtungsanlage. Das optische System kann jedoch auch ein Beleuchtungssystem sein. Die Projektionsbelichtungsanlage kann eine EUV-Lithographieanlage sein. EUV steht für „Extreme Ultraviolet“ und bezeichnet eine Wellenlänge des Arbeitslichts zwischen 0,1 nm und 30 nm. Die Projektionsbelichtungsanlage kann auch eine DUV-Lithographieanlage sein. DUV steht für „Deep Ultraviolet“ und bezeichnet eine Wellenlänge des Arbeitslichts zwischen 30 nm und 250 nm.The optical system is preferably a projection optics system of the projection exposure system. However, the optical system can also be an illumination system. The projection exposure system can be an EUV lithography system. EUV stands for "Extreme Ultraviolet" and refers to a wavelength of the working light between 0.1 nm and 30 nm. The projection exposure system can also be a DUV lithography system. DUV stands for "Deep Ultraviolet" and refers to a wavelength of the working light between 30 nm and 250 nm.

Das optische System umfasst insbesondere ein Mikrospiegelarray und/oder ein Mikrolinsenarray mit einer Vielzahl an unabhängig voneinander aktuierbaren optischen Elementen.The optical system comprises in particular a micromirror array and/or a microlens array with a plurality of independently actuatable optical elements.

Gemäß einem dritten Aspekt wird eine Lithographieanlage mit einem optischen System gemäß dem zweiten Aspekt oder einer Ausführungsform des zweiten Aspekts vorgeschlagen.According to a third aspect, a lithography system with an optical system according to the second aspect or an embodiment of the second aspect is proposed.

Eine Lithographieanlage umfasst beispielsweise ein Beleuchtungssystem und ein Abbildungssystem. Das Beleuchtungssystem umfasst insbesondere eine Lichtquelle und eine Strahlformungsoptik. Das Abbildungssystem umfasst insbesondere eine abbildende Optik zum Abbilden der Maske auf das Substrat.A lithography system, for example, comprises an illumination system and an imaging system. The illumination system, in particular, comprises a light source and beam-shaping optics. The imaging system, in particular, comprises imaging optics for imaging the mask onto the substrate.

Das optische System kann sowohl in dem Beleuchtungssystem, in der Strahlformungsoptik, als auch in dem Abbildungssystem eingesetzt werden.The optical system can be used in the illumination system, in the beam shaping optics, as well as in the imaging system.

Gemäß einem vierten Aspekt wird ein Verfahren zum Ermitteln eines Zustands einer Ansteuervorrichtung vorgeschlagen. Das Verfahren zum Ermitteln eines Zustands einer Ansteuervorrichtung zum Ansteuern eines über eine erste Schnittstelle und über eine zweite Schnittstelle ansteuerbaren Aktuators, wobei die Ansteuervorrichtung einen mit der ersten Schnittstelle gekoppelten ersten Schaltverstärker mit zwei Schaltelementen und jeweils parallel geschalteter Diode, einen mit der zweiten Schnittstelle gekoppelten zweiten Schaltverstärker mit zwei Schaltelementen und jeweils parallel geschalteter Diode, eine mit dem ersten Schaltverstärker und dem zweiten Schaltverstärker über einen ersten Knoten gekoppelte Bereitstellungseinheit zur Bereitstellung einer Versorgungsspannung für den ersten Schaltverstärker und den zweiten Schaltverstärker, wobei zwischen dem ersten Knoten und der Bereitstellungseinheit ein Schalter zum Zuschalten der Bereitstellungseinheit geschaltet ist, einen zwischen dem Aktuator und dem ersten Schaltverstärker oder dem zweiten Schaltverstärker gekoppelten Messwiderstand, und eine parallel zu dem Messwiderstand angeordnete, mit einer Gleichspannung versorgten Mess-schaltung umfasst, weist die folgenden Schritte auf:According to a fourth aspect, a method for determining a state of a control device is proposed. The method for determining a state of a control device for controlling an actuator controllable via a first interface and a second interface, wherein the control device comprises a first switching amplifier coupled to the first interface and having two switching elements and a diode connected in parallel with each other, a second switching amplifier coupled to the second interface and having two switching elements and a diode connected in parallel with each other, a supply unit coupled to the first switching amplifier and the second switching amplifier via a first node for providing a supply voltage for the first switching amplifier and the second switching amplifier, wherein a switch for connecting the supply unit is connected between the first node and the supply unit, a measuring resistor coupled between the actuator and the first switching amplifier or the second switching amplifier, and a measuring circuit arranged in parallel with the measuring resistor and supplied with a DC voltage, comprises the following steps:

Öffnen des Schalters, dass der erste Knoten von der Bereitstellungseinheit getrennt ist, und
Ermitteln, im geöffneten Zustand des Schalters, zumindest eines Zustands des Aktuators mittels der die Messschaltung versorgenden Gleichspannung unter Verwendung einer mit dem ersten Knoten gekoppelten Messeinrichtung, einer mit der ersten Schnittstelle gekoppelten zweiten Messeinrichtung und/oder einer mit der zweiten Schnittstelle gekoppelten dritten Messeinrichtung.
Opening the switch that the first node is disconnected from the deployment unit, and
Determining, in the open state of the switch, at least one state of the actuator by means of the DC voltage supplying the measuring circuit using a measuring device coupled to the first node, a second measuring device coupled to the first interface and/or a third measuring device coupled to the second interface.

„Ein“ ist vorliegend nicht zwingend als beschränkend auf genau ein Element zu verstehen. Vielmehr können auch mehrere Elemente, wie beispielsweise zwei, drei oder mehr, vorgesehen sein. Auch jedes andere hier verwendete Zählwort ist nicht dahingehend zu verstehen, dass eine Beschränkung auf genau die genannte Anzahl von Elementen gegeben ist. Vielmehr sind zahlenmäßige Abweichungen nach oben und nach unten möglich, soweit nichts Gegenteiliges angegeben ist.In this case, "one" is not necessarily limited to exactly one element. Rather, multiple elements, such as two, three, or more, may be included. Any other counting term used here should also not be understood as implying a limitation to the exact number of elements stated. Rather, numerical deviations, both upward and downward, are possible unless otherwise stated.

Die für den ersten Aspekt beschriebenen Ausführungsformen und Merkmale gelten für den zweiten, dritten und vierten Aspekt entsprechend und umgekehrt.The embodiments and features described for the first aspect apply accordingly to the second, third and fourth aspects and vice versa.

Weitere mögliche Implementierungen der Erfindung umfassen auch nicht explizit genannte Kombinationen von zuvor oder im Folgenden bezüglich der Ausführungsbeispiele beschriebenen Merkmalen oder Ausführungsformen. Dabei wird der Fachmann auch Einzelaspekte als Verbesserungen oder Ergänzungen zu der jeweiligen Grundform der Erfindung hinzufügen.Further possible implementations of the invention also include combinations not explicitly mentioned above or below. The features or embodiments described in the exemplary embodiments are described below. The person skilled in the art will also add individual aspects as improvements or additions to the respective basic form of the invention.

Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen und Aspekte der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche sowie der im Folgenden beschriebenen Ausführungsbeispiele der Erfindung. Im Weiteren wird die Erfindung anhand von bevorzugten Ausführungsformen unter Bezugnahme auf die beigelegten Figuren näher erläutert.

  • 1 zeigt einen schematischen Meridionalschnitt einer Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Projektionslithographie;
  • 2 zeigt eine schematische Darstellung einer Ausführungsform eines optischen Systems;
  • 3 zeigt eine schematische Darstellung einer Ansteuervorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform;
  • 4 zeigt eine schematische Darstellung einer Ansteuervorrichtung gemäß einer weiteren Ausführungsform; und
  • 5 zeigt eine schematische Darstellung eines Verfahrens zum Ermitteln eines Zustands einer Ansteuervorrichtung gemäß einer Ausführungsform.
Further advantageous embodiments and aspects of the invention are the subject of the dependent claims and the exemplary embodiments of the invention described below. The invention will be explained in more detail below using preferred embodiments with reference to the accompanying figures.
  • 1 shows a schematic meridional section of a projection exposure system for EUV projection lithography;
  • 2 shows a schematic representation of an embodiment of an optical system;
  • 3 shows a schematic representation of a control device according to a first embodiment;
  • 4 shows a schematic representation of a control device according to a further embodiment; and
  • 5 shows a schematic representation of a method for determining a state of a control device according to an embodiment.

In den Figuren sind gleiche oder funktionsgleiche Elemente mit denselben Bezugszeichen versehen worden, soweit nichts Gegenteiliges angegeben ist. Ferner sollte beachtet werden, dass die Darstellungen in den Figuren nicht notwendigerweise maßstabsgerecht sind.In the figures, identical or functionally equivalent elements are provided with the same reference numerals unless otherwise stated. Furthermore, it should be noted that the representations in the figures are not necessarily to scale.

1 zeigt eine Ausführungsform einer Projektionsbelichtungsanlage 1 (Lithographieanlage), insbesondere einer EUV-Lithographieanlage. Eine Ausführung eines Beleuchtungssystems 2 der Projektionsbelichtungsanlage 1 hat neben einer Licht- beziehungsweise Strahlungsquelle 3 eine Beleuchtungsoptik 4 zur Beleuchtung eines Objektfeldes 5 in einer Objektebene 6. Bei einer alternativen Ausführung kann die Lichtquelle 3 auch als ein zum sonstigen Beleuchtungssystem 2 separates Modul bereitgestellt sein. In diesem Fall umfasst das Beleuchtungssystem 2 die Lichtquelle 3 nicht. 1 shows an embodiment of a projection exposure system 1 (lithography system), in particular an EUV lithography system. One embodiment of an illumination system 2 of the projection exposure system 1 has, in addition to a light or radiation source 3, an illumination optics 4 for illuminating an object field 5 in an object plane 6. In an alternative embodiment, the light source 3 can also be provided as a separate module from the remaining illumination system 2. In this case, the illumination system 2 does not include the light source 3.

Belichtet wird ein im Objektfeld 5 angeordnetes Retikel 7. Das Retikel 7 ist von einem Retikelhalter 8 gehalten. Der Retikelhalter 8 ist über einen Retikelverlagerungsantrieb 9, insbesondere in einer Scanrichtung, verlagerbar.A reticle 7 arranged in the object field 5 is exposed. The reticle 7 is held by a reticle holder 8. The reticle holder 8 can be displaced via a reticle displacement drive 9, in particular in a scanning direction.

In der 1 ist zur Erläuterung ein kartesisches Koordinatensystem mit einer x-Richtung x, einer y-Richtung y und einer z-Richtung z eingezeichnet. Die x-Richtung x verläuft senkrecht in die Zeichenebene hinein. Die y-Richtung y verläuft horizontal und die z-Richtung z verläuft vertikal. Die Scanrichtung verläuft in der 1 längs der y-Richtung y. Die z-Richtung z verläuft senkrecht zur Objektebene 6.In the 1 For explanation purposes, a Cartesian coordinate system is shown with an x-direction x, a y-direction y and a z-direction z. The x-direction x runs perpendicular to the plane of the drawing. The y-direction y runs horizontally and the z-direction z runs vertically. The scanning direction runs in the 1 along the y-direction y. The z-direction z runs perpendicular to the object plane 6.

Die Projektionsbelichtungsanlage 1 umfasst eine Projektionsoptik 10. Die Projektionsoptik 10 dient zur Abbildung des Objektfeldes 5 in ein Bildfeld 11 in einer Bildebene 12. Die Bildebene 12 verläuft parallel zur Objektebene 6. Alternativ ist auch ein von 0° verschiedener Winkel zwischen der Objektebene 6 und der Bildebene 12 möglich.The projection exposure system 1 comprises a projection optics 10. The projection optics 10 serves to image the object field 5 into an image field 11 in an image plane 12. The image plane 12 runs parallel to the object plane 6. Alternatively, an angle other than 0° between the object plane 6 and the image plane 12 is also possible.

Abgebildet wird eine Struktur auf dem Retikel 7 auf eine lichtempfindliche Schicht eines im Bereich des Bildfeldes 11 in der Bildebene 12 angeordneten Wafers 13. Der Wafer 13 wird von einem Waferhalter 14 gehalten. Der Waferhalter 14 ist über einen Waferverlagerungsantrieb 15 insbesondere längs der y-Richtung y verlagerbar. Die Verlagerung einerseits des Retikels 7 über den Retikelverlagerungsantrieb 9 und andererseits des Wafers 13 über den Waferverlagerungsantrieb 15 kann synchronisiert zueinander erfolgen.A structure on the reticle 7 is imaged onto a light-sensitive layer of a wafer 13 arranged in the image plane 12 in the region of the image field 11. The wafer 13 is held by a wafer holder 14. The wafer holder 14 can be displaced, in particular along the y-direction y, via a wafer displacement drive 15. The displacement of the reticle 7, on the one hand, via the reticle displacement drive 9, and the displacement of the wafer 13, on the other hand, via the wafer displacement drive 15, can be synchronized with each other.

Bei der Lichtquelle 3 handelt es sich um eine EUV-Strahlungsquelle. Die Lichtquelle 3 emittiert insbesondere EUV-Strahlung 16, welche im Folgenden auch als Nutzstrahlung, Beleuchtungsstrahlung oder Beleuchtungslicht bezeichnet wird. Die Nutzstrahlung 16 hat insbesondere eine Wellenlänge im Bereich zwischen 5 nm und 30 nm. Bei der Lichtquelle 3 kann es sich um eine Plasmaquelle handeln, zum Beispiel um eine LPP-Quelle (Engl.: Laser Produced Plasma, mit Hilfe eines Lasers erzeugtes Plasma) oder um eine DPP-Quelle (Engl.: Gas Discharged Produced Plasma, mittels Gasentladung erzeugtes Plasma). Es kann sich auch um eine synchrotronbasierte Strahlungsquelle handeln. Bei der Lichtquelle 3 kann es sich um einen Freie-Elektronen-Laser (Engl.: Free-Electron-Laser, FEL) handeln.The light source 3 is an EUV radiation source. The light source 3 emits, in particular, EUV radiation 16, which is also referred to below as useful radiation, illumination radiation, or illumination light. The useful radiation 16 has, in particular, a wavelength in the range between 5 nm and 30 nm. The light source 3 can be a plasma source, for example an LPP source (Laser Produced Plasma) or a DPP source (Gas Discharged Produced Plasma). It can also be a synchrotron-based radiation source. The light source 3 can be a free-electron laser (FEL).

Die Beleuchtungsstrahlung 16, die von der Lichtquelle 3 ausgeht, wird von einem Kollektor 17 gebündelt. Bei dem Kollektor 17 kann es sich um einen Kollektor mit einer oder mit mehreren ellipsoidalen und/oder hyperboloiden Reflexionsflächen handeln. Die mindestens eine Reflexionsfläche des Kollektors 17 kann im streifenden Einfall (Engl.: Grazing Incidence, GI), also mit Einfallswinkeln größer als 45°, oder im normalen Einfall (Engl.: Normal Incidence, NI), also mit Einfallwinkeln kleiner als 45°, mit der Beleuchtungsstrahlung 16 beaufschlagt werden. Der Kollektor 17 kann einerseits zur Optimierung seiner Reflektivität für die Nutzstrahlung und andererseits zur Unterdrückung von Falschlicht strukturiert und/oder beschichtet sein.The illumination radiation 16 emanating from the light source 3 is focused by a collector 17. The collector 17 can be a collector with one or more ellipsoidal and/or hyperboloidal reflection surfaces. The at least one reflection surface of the collector 17 can be exposed to the illumination radiation 16 at grazing incidence (GI), i.e., at angles of incidence greater than 45°, or at normal incidence (NI), i.e., at angles of incidence less than 45°. The collector 17 can be structured and/or coated, on the one hand, to optimize its reflectivity for the useful radiation and, on the other hand, to suppress stray light.

Nach dem Kollektor 17 propagiert die Beleuchtungsstrahlung 16 durch einen Zwischenfokus in einer Zwischenfokusebene 18. Die Zwischenfokusebene 18 kann eine Trennung zwischen einem Strahlungsquellenmodul, aufweisend die Lichtquelle 3 und den Kollektor 17, und der Beleuchtungsoptik 4 darstellen.After the collector 17, the illumination radiation 16 propagates through an intermediate focus in an intermediate focal plane 18. The intermediate focal plane 18 can represent a separation between a radiation source module, comprising the light source 3 and the collector 17, and the illumination optics 4.

Die Beleuchtungsoptik 4 umfasst einen Umlenkspiegel 19 und diesem im Strahlengang nachgeordnet einen ersten Facettenspiegel 20. Bei dem Umlenkspiegel 19 kann es sich um einen planen Umlenkspiegel oder alternativ um einen Spiegel mit einer über die reine Umlenkungswirkung hinaus bündelbeeinflussenden Wirkung handeln. Alternativ oder zusätzlich kann der Umlenkspiegel 19 als Spektralfilter ausgeführt sein, der eine Nutzlichtwellenlänge der Beleuchtungsstrahlung 16 von Falschlicht einer hiervon abweichenden Wellenlänge trennt. Sofern der erste Facettenspiegel 20 in einer Ebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet ist, die zur Objektebene 6 als Feldebene optisch konjugiert ist, wird dieser auch als Feldfacettenspiegel bezeichnet. Der erste Facettenspiegel 20 umfasst eine Vielzahl von einzelnen ersten Facetten 21, welche auch als Feldfacetten bezeichnet werden können. Von diesen ersten Facetten 21 sind in der 1 nur beispielhaft einige dargestellt.The illumination optics 4 comprises a deflecting mirror 19 and, downstream of this in the beam path, a first facet mirror 20. The deflecting mirror 19 can be a flat deflecting mirror or, alternatively, a mirror with a beam-influencing effect beyond the pure deflection effect. Alternatively or additionally, the deflecting mirror 19 can be designed as a spectral filter that separates a useful light wavelength of the illumination radiation 16 from stray light of a different wavelength. If the first facet mirror 20 is arranged in a plane of the illumination optics 4 that is optically conjugate to the object plane 6 as the field plane, it is also referred to as a field facet mirror. The first facet mirror 20 comprises a plurality of individual first facets 21, which can also be referred to as field facets. Of these first facets 21, 1 only a few examples are shown.

Die ersten Facetten 21 können als makroskopische Facetten ausgeführt sein, insbesondere als rechteckige Facetten oder als Facetten mit bogenförmiger oder teilkreisförmiger Randkontur. Die ersten Facetten 21 können als plane Facetten oder alternativ als konvex oder konkav gekrümmte Facetten ausgeführt sein.The first facets 21 can be designed as macroscopic facets, in particular as rectangular facets or as facets with an arcuate or partially circular edge contour. The first facets 21 can be designed as flat facets or, alternatively, as convexly or concavely curved facets.

Wie beispielsweise aus der DE 10 2008 009 600 A1 bekannt ist, können die ersten Facetten 21 selbst jeweils auch aus einer Vielzahl von Einzelspiegeln, insbesondere einer Vielzahl von Mikrospiegeln, zusammengesetzt sein. Der erste Facettenspiegel 20 kann insbesondere als mikroelektromechanisches System (MEMS-System) ausgebildet sein. Für Details wird auf die DE 10 2008 009 600 A1 verwiesen.As for example from the DE 10 2008 009 600 A1 As is known, the first facets 21 themselves can also be composed of a plurality of individual mirrors, in particular a plurality of micromirrors. The first facet mirror 20 can in particular be designed as a microelectromechanical system (MEMS system). For details, reference is made to DE 10 2008 009 600 A1 referred to.

Zwischen dem Kollektor 17 und dem Umlenkspiegel 19 verläuft die Beleuchtungsstrahlung 16 horizontal, also längs der y-Richtung y.Between the collector 17 and the deflecting mirror 19, the illumination radiation 16 runs horizontally, i.e. along the y-direction y.

Im Strahlengang der Beleuchtungsoptik 4 ist dem ersten Facettenspiegel 20 nachgeordnet ein zweiter Facettenspiegel 22. Sofern der zweite Facettenspiegel 22 in einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet ist, wird dieser auch als Pupillenfacettenspiegel bezeichnet. Der zweite Facettenspiegel 22 kann auch beabstandet zu einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet sein. In diesem Fall wird die Kombination aus dem ersten Facettenspiegel 20 und dem zweiten Facettenspiegel 22 auch als spekularer Reflektor bezeichnet. Spekulare Reflektoren sind bekannt aus der US 2006/0132747 A1 , der EP 1 614 008 B1 und der US 6,573,978 .In the beam path of the illumination optics 4, a second facet mirror 22 is arranged downstream of the first facet mirror 20. If the second facet mirror 22 is arranged in a pupil plane of the illumination optics 4, it is also referred to as a pupil facet mirror. The second facet mirror 22 can also be arranged at a distance from a pupil plane of the illumination optics 4. In this case, the combination of the first facet mirror 20 and the second facet mirror 22 is also referred to as a specular reflector. Specular reflectors are known from US 2006/0132747 A1 , the EP 1 614 008 B1 and the US 6,573,978 .

Der zweite Facettenspiegel 22 umfasst eine Mehrzahl von zweiten Facetten 23. Die zweiten Facetten 23 werden im Falle eines Pupillenfacettenspiegels auch als Pupillenfacetten bezeichnet.The second facet mirror 22 comprises a plurality of second facets 23. In the case of a pupil facet mirror, the second facets 23 are also referred to as pupil facets.

Bei den zweiten Facetten 23 kann es sich ebenfalls um makroskopische Facetten, die beispielsweise rund, rechteckig oder auch hexagonal berandet sein können, oder alternativ um aus Mikrospiegeln zusammengesetzte Facetten handeln. Diesbezüglich wird ebenfalls auf die DE 10 2008 009 600 A1 verwiesen.The second facets 23 can also be macroscopic facets, which can be round, rectangular or hexagonal, or alternatively facets composed of micromirrors. In this regard, reference is also made to the DE 10 2008 009 600 A1 referred to.

Die zweiten Facetten 23 können plane oder alternativ konvex oder konkav gekrümmte Reflexionsflächen aufweisen.The second facets 23 may have planar or alternatively convex or concave curved reflection surfaces.

Die Beleuchtungsoptik 4 bildet somit ein doppelt facettiertes System. Dieses grundlegende Prinzip wird auch als Wabenkondensor (Engl.: Fly's Eye Integrator) bezeichnet.The illumination optics 4 thus form a double-faceted system. This basic principle is also known as a fly's-eye integrator.

Es kann vorteilhaft sein, den zweiten Facettenspiegel 22 nicht exakt in einer Ebene, welche zu einer Pupillenebene der Projektionsoptik 10 optisch konjugiert ist, anzuordnen. Insbesondere kann der zweite Facettenspiegel 22 gegenüber einer Pupillenebene der Projektionsoptik 10 verkippt angeordnet sein, wie es zum Beispiel in der DE 10 2017 220 586 A1 beschrieben ist.It may be advantageous not to arrange the second facet mirror 22 exactly in a plane that is optically conjugate to a pupil plane of the projection optics 10. In particular, the second facet mirror 22 may be arranged tilted relative to a pupil plane of the projection optics 10, as is shown, for example, in the DE 10 2017 220 586 A1 described.

Mit Hilfe des zweiten Facettenspiegels 22 werden die einzelnen ersten Facetten 21 in das Objektfeld 5 abgebildet. Der zweite Facettenspiegel 22 ist der letzte bündelformende oder auch tatsächlich der letzte Spiegel für die Beleuchtungsstrahlung 16 im Strahlengang vor dem Objektfeld 5.With the help of the second facet mirror 22, the individual first facets 21 are imaged into the object field 5. The second facet mirror 22 is the last bundle-forming mirror or actually the last mirror for the illumination radiation 16 in the beam path before the object field 5.

Bei einer weiteren, nicht dargestellten Ausführung der Beleuchtungsoptik 4 kann im Strahlengang zwischen dem zweiten Facettenspiegel 22 und dem Objektfeld 5 eine Übertragungsoptik angeordnet sein, die insbesondere zur Abbildung der ersten Facetten 21 in das Objektfeld 5 beiträgt. Die Übertragungsoptik kann genau einen Spiegel, alternativ aber auch zwei oder mehr Spiegel aufweisen, welche hintereinander im Strahlengang der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet sind. Die Übertragungsoptik kann insbesondere einen oder zwei Spiegel für senkrechten Einfall (NI-Spiegel, Normal Incidence Spiegel) und/oder einen oder zwei Spiegel für streifenden Einfall (GI-Spiegel, Grazing Incidence Spiegel) umfassen.In a further embodiment of the illumination optics 4 (not shown), a transmission optics can be arranged in the beam path between the second facet mirror 22 and the object field 5, which transmission optics contributes in particular to the imaging of the first facets 21 into the object field 5. The transmission optics can have exactly one mirror, but alternatively also two or more mirrors, which are arranged one behind the other in the beam path of the illumination optics 4. The transmission optics can in particular comprise one or two mirrors for normal incidence (NI mirrors, normal incidence mirrors) and/or one or two mirrors for grazing incidence (GI mirrors, grazing incidence mirrors).

Die Beleuchtungsoptik 4 hat bei der Ausführung, die in der 1 gezeigt ist, nach dem Kollektor 17 genau drei Spiegel, nämlich den Umlenkspiegel 19, den ersten Facettenspiegel 20 und den zweiten Facettenspiegel 22.The illumination optics 4 has in the version shown in the 1 As shown, after the collector 17 there are exactly three mirrors, namely the deflection mirror 19, the first facet mirror 20 and the second facet mirror 22.

Bei einer weiteren Ausführung der Beleuchtungsoptik 4 kann der Umlenkspiegel 19 auch entfallen, so dass die Beleuchtungsoptik 4 nach dem Kollektor 17 dann genau zwei Spiegel aufweisen kann, nämlich den ersten Facettenspiegel 20 und den zweiten Facettenspiegel 22.In a further embodiment of the illumination optics 4, the deflection mirror 19 can also be omitted, so that the illumination optics 4 can then have exactly two mirrors after the collector 17, namely the first facet mirror 20 and the second facet mirror 22.

Die Abbildung der ersten Facetten 21 mittels der zweiten Facetten 23 beziehungsweise mit den zweiten Facetten 23 und einer Übertragungsoptik in die Objektebene 6 ist regelmäßig nur eine näherungsweise Abbildung.The imaging of the first facets 21 by means of the second facets 23 or with the second facets 23 and a transmission optics into the object plane 6 is usually only an approximate imaging.

Die Projektionsoptik 10 umfasst eine Mehrzahl von Spiegeln Mi, welche gemäß ihrer Anordnung im Strahlengang der Projektionsbelichtungsanlage 1 durchnummeriert sind.The projection optics 10 comprises a plurality of mirrors Mi, which are numbered according to their arrangement in the beam path of the projection exposure system 1.

Bei dem in der 1 dargestellten Beispiel umfasst die Projektionsoptik 10 sechs Spiegel M1 bis M6. Alternativen mit vier, acht, zehn, zwölf oder einer anderen Anzahl an Spiegeln Mi sind ebenso möglich. Bei der Projektionsoptik 10 handelt es sich um eine doppelt obskurierte Optik. Der vorletzte Spiegel M5 und der letzte Spiegel M6 haben jeweils eine Durchtrittsöffnung für die Beleuchtungsstrahlung 16. Die Projektionsoptik 10 hat eine bildseitige numerische Apertur, die größer ist als 0,5 und die auch größer sein kann als 0,6 und die beispielsweise 0,7 oder 0,75 betragen kann.In the 1 In the example shown, the projection optics 10 comprises six mirrors M1 to M6. Alternatives with four, eight, ten, twelve, or a different number of mirrors M1 are also possible. The projection optics 10 is a doubly obscured optic. The penultimate mirror M5 and the last mirror M6 each have a passage opening for the illumination radiation 16. The projection optics 10 has an image-side numerical aperture that is greater than 0.5 and can also be greater than 0.6, for example, 0.7 or 0.75.

Reflexionsflächen der Spiegel Mi können als Freiformflächen ohne Rotationssymmetrieachse ausgeführt sein. Alternativ können die Reflexionsflächen der Spiegel Mi als asphärische Flächen mit genau einer Rotationssymmetrieachse der Reflexionsflächenform gestaltet sein. Die Spiegel Mi können, genauso wie die Spiegel der Beleuchtungsoptik 4, hochreflektierende Beschichtungen für die Beleuchtungsstrahlung 16 aufweisen. Diese Beschichtungen können als Multilayer-Beschichtungen, insbesondere mit alternierenden Lagen aus Molybdän und Silizium, gestaltet sein.Reflection surfaces of the mirrors Mi can be designed as freeform surfaces without a rotational symmetry axis. Alternatively, the reflection surfaces of the mirrors Mi can be designed as aspherical surfaces with exactly one rotational symmetry axis of the reflection surface shape. The mirrors Mi, like the mirrors of the illumination optics 4, can have highly reflective coatings for the illumination radiation 16. These coatings can be designed as multilayer coatings, in particular with alternating layers of molybdenum and silicon.

Die Projektionsoptik 10 hat einen großen Objekt-Bildversatz in der y-Richtung y zwischen einer y-Koordinate eines Zentrums des Objektfeldes 5 und einer y-Koordinate des Zentrums des Bildfeldes 11. Dieser Objekt-Bild-Versatz in der y-Richtung y kann in etwa so groß sein wie ein z-Abstand zwischen der Objektebene 6 und der Bildebene 12.The projection optics 10 has a large object-image offset in the y-direction y between a y-coordinate of a center of the object field 5 and a y-coordinate of the center of the image field 11. This object-image offset in the y-direction y can be approximately as large as a z-distance between the object plane 6 and the image plane 12.

Die Projektionsoptik 10 kann insbesondere anamorphotisch ausgebildet sein. Sie weist insbesondere unterschiedliche Abbildungsmaßstäbe Bx, By in x- und y-Richtung x, y auf. Die beiden Abbildungsmaßstäbe Bx, By der Projektionsoptik 10 liegen bevorzugt bei (Bx, By) = (+/- 0,25, +/- 0,125). Ein positiver Abbildungsmaßstab β bedeutet eine Abbildung ohne Bildumkehr. Ein negatives Vorzeichen für den Abbildungsmaßstab B bedeutet eine Abbildung mit Bildumkehr.The projection optics 10 can, in particular, be anamorphic. It has, in particular, different imaging scales Bx, By in the x and y directions x, y. The two imaging scales Bx, By of the projection optics 10 are preferably (Bx, By) = (+/- 0.25, +/- 0.125). A positive imaging scale β means imaging without image inversion. A negative sign for the imaging scale B means imaging with image inversion.

Die Projektionsoptik 10 führt somit in x-Richtung x, das heißt in Richtung senkrecht zur Scanrichtung, zu einer Verkleinerung im Verhältnis 4:1.The projection optics 10 thus leads to a reduction in the ratio 4:1 in the x-direction x, i.e. in the direction perpendicular to the scanning direction.

Die Projektionsoptik 10 führt in y-Richtung y, das heißt in Scanrichtung, zu einer Verkleinerung von 8:1.The projection optics 10 leads to a reduction of 8:1 in the y-direction y, i.e. in the scanning direction.

Andere Abbildungsmaßstäbe sind ebenso möglich. Auch vorzeichengleiche und absolut gleiche Abbildungsmaßstäbe in x- und y-Richtung x, y, zum Beispiel mit Absolutwerten von 0,125 oder von 0,25, sind möglich.Other magnifications are also possible. Magnifications with the same sign and absolutely identical in the x and y directions (x, y), for example, with absolute values of 0.125 or 0.25, are also possible.

Die Anzahl von Zwischenbildebenen in der x- und in der y-Richtung x, y im Strahlengang zwischen dem Objektfeld 5 und dem Bildfeld 11 kann gleich sein oder kann, je nach Ausführung der Projektionsoptik 10, unterschiedlich sein. Beispiele für Projektionsoptiken mit unterschiedlichen Anzahlen derartiger Zwischenbilder in x- und y-Richtung x, y sind bekannt aus der US 2018/0074303 A1 .The number of intermediate image planes in the x- and y-directions x, y in the beam path between the object field 5 and the image field 11 can be the same or can be different, depending on the design of the projection optics 10. Examples of projection optics with different numbers of such intermediate images in the x- and y-directions x, y are known from US 2018/0074303 A1 .

Jeweils eine der zweiten Facetten 23 ist genau einer der ersten Facetten 21 zur Ausbildung jeweils eines Beleuchtungskanals zur Ausleuchtung des Objektfeldes 5 zugeordnet. Es kann sich hierdurch insbesondere eine Beleuchtung nach dem Köhlerschen Prinzip ergeben. Das Fernfeld wird mit Hilfe der ersten Facetten 21 in eine Vielzahl an Objektfeldern 5 zerlegt. Die ersten Facetten 21 erzeugen eine Mehrzahl von Bildern des Zwischenfokus auf den diesen jeweils zugeordneten zweiten Facetten 23.Each of the second facets 23 is assigned to exactly one of the first facets 21 to form a respective illumination channel for illuminating the object field 5. This can, in particular, result in illumination according to the Köhler principle. The far field is divided into a plurality of object fields 5 using the first facets 21. The first facets 21 generate a plurality of images of the intermediate focus on the second facets 23 assigned to them.

Die ersten Facetten 21 werden jeweils von einer zugeordneten zweiten Facette 23 einander überlagernd zur Ausleuchtung des Objektfeldes 5 auf das Retikel 7 abgebildet. Die Ausleuchtung des Objektfeldes 5 ist insbesondere möglichst homogen. Sie weist vorzugsweise einen Uniformitätsfehler von weniger als 2 % auf. Die Felduniformität kann über die Überlagerung unterschiedlicher Beleuchtungskanäle erreicht werden.The first facets 21 are each imaged onto the reticle 7 by an associated second facet 23, superimposed on one another, to illuminate the object field 5. The illumination of the object field 5 is, in particular, as homogeneous as possible. It preferably has a uniformity error of less than 2%. Field uniformity can be achieved by superimposing different illumination channels.

Durch eine Anordnung der zweiten Facetten 23 kann geometrisch die Ausleuchtung der Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 definiert werden. Durch Auswahl der Beleuchtungskanäle, insbesondere der Teilmenge der zweiten Facetten 23, die Licht führen, kann die Intensitätsverteilung in der Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 eingestellt werden. Diese Intensitätsverteilung wird auch als Beleuchtungssetting oder Beleuchtungspupillenfüllung bezeichnet.By arranging the second facets 23, the illumination of the entrance pupil of the projection optics 10 can be geometrically defined. By selecting the illumination channels, in particular the subset of the second facets 23 that guide light, the intensity distribution in the exit pupil of the projection optics 10. This intensity distribution is also referred to as illumination setting or illumination pupil filling.

Eine ebenfalls bevorzugte Pupillenuniformität im Bereich definiert ausgeleuchteter Abschnitte einer Beleuchtungspupille der Beleuchtungsoptik 4 kann durch eine Umverteilung der Beleuchtungskanäle erreicht werden.A likewise preferred pupil uniformity in the area of defined illuminated sections of an illumination pupil of the illumination optics 4 can be achieved by redistributing the illumination channels.

Im Folgenden werden weitere Aspekte und Details der Ausleuchtung des Objektfeldes 5 sowie insbesondere der Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 beschrieben.Further aspects and details of the illumination of the object field 5 and in particular of the entrance pupil of the projection optics 10 are described below.

Die Projektionsoptik 10 kann insbesondere eine homozentrische Eintrittspupille aufweisen. Diese kann zugänglich sein. Sie kann auch unzugänglich sein.The projection optics 10 can, in particular, have a homocentric entrance pupil. This can be accessible. It can also be inaccessible.

Die Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 lässt sich regelmäßig mit dem zweiten Facettenspiegel 22 nicht exakt ausleuchten. Bei einer Abbildung der Projektionsoptik 10, welche das Zentrum des zweiten Facettenspiegels 22 telezentrisch auf den Wafer 13 abbildet, schneiden sich die Aperturstrahlen oftmals nicht in einem einzigen Punkt. Es lässt sich jedoch eine Fläche finden, in welcher der paarweise bestimmte Abstand der Aperturstrahlen minimal wird. Diese Fläche stellt die Eintrittspupille oder eine zu ihr konjugierte Fläche im Ortsraum dar. Insbesondere zeigt diese Fläche eine endliche Krümmung.The entrance pupil of the projection optics 10 cannot usually be precisely illuminated with the second facet mirror 22. When the projection optics 10 images the center of the second facet mirror 22 telecentrically onto the wafer 13, the aperture rays often do not intersect at a single point. However, a surface can be found in which the pairwise determined distance of the aperture rays is minimized. This surface represents the entrance pupil or a surface conjugate to it in spatial space. In particular, this surface exhibits a finite curvature.

Es kann sein, dass die Projektionsoptik 10 unterschiedliche Lagen der Eintrittspupille für den tangentialen und für den sagittalen Strahlengang aufweist. In diesem Fall sollte ein abbildendes Element, insbesondere ein optisches Bauelement der Übertragungsoptik, zwischen dem zweiten Facettenspiegel 22 und dem Retikel 7 bereitgestellt werden. Mit Hilfe dieses optischen Elements kann die unterschiedliche Lage der tangentialen Eintrittspupille und der sagittalen Eintrittspupille berücksichtigt werden.It is possible that the projection optics 10 have different entrance pupil positions for the tangential and sagittal beam paths. In this case, an imaging element, in particular an optical component of the transmission optics, should be provided between the second facet mirror 22 and the reticle 7. With the help of this optical element, the different positions of the tangential entrance pupil and the sagittal entrance pupil can be taken into account.

Bei der in der 1 dargestellten Anordnung der Komponenten der Beleuchtungsoptik 4 ist der zweite Facettenspiegel 22 in einer zur Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 konjugierten Fläche angeordnet. Der erste Facettenspiegel 20 ist verkippt zur Objektebene 6 angeordnet. Der erste Facettenspiegel 20 ist verkippt zu einer Anordnungsebene angeordnet, die vom Umlenkspiegel 19 definiert ist. Der erste Facettenspiegel 20 ist verkippt zu einer Anordnungsebene angeordnet, die vom zweiten Facettenspiegel 22 definiert ist.At the 1 In the illustrated arrangement of the components of the illumination optics 4, the second facet mirror 22 is arranged in a surface conjugate to the entrance pupil of the projection optics 10. The first facet mirror 20 is arranged tilted relative to the object plane 6. The first facet mirror 20 is arranged tilted relative to an arrangement plane defined by the deflection mirror 19. The first facet mirror 20 is arranged tilted relative to an arrangement plane defined by the second facet mirror 22.

2 zeigt eine schematische Darstellung einer Ausführungsform eines optischen Systems 300 für eine Lithographieanlage oder Projektionsbelichtungsanlage 1, wie sie beispielsweise in 1 gezeigt ist. Außerdem kann das optische System 300 der 2 beispielweise auch in einer DUV-Lithographieanlage eingesetzt werden. 2 shows a schematic representation of an embodiment of an optical system 300 for a lithography system or projection exposure system 1, as described, for example, in 1 In addition, the optical system 300 of the 2 for example, can also be used in a DUV lithography system.

Das optische System 300 der 2 hat eine Mehrzahl an aktuierbaren optischen Elementen 310. Das optische System 300 ist hier als ein Mikrospiegelarray ausgebildet, wobei die optischen Elemente 310 Mikrospiegel sind. Jeder Mikrospiegel 310 ist mittels eines zugeordneten Aktuators 200 aktuierbar. Beispielsweise kann ein jeweiliger Mikrospiegel 310 mittels des zugeordneten Aktuators 200 um zwei Achsen verkippt werden und/oder in einer, zwei oder drei Raumachsen verschoben werden. Aus Gründen der Übersicht sind die Bezugszeichen nur der obersten Reihe dieser Elemente eingezeichnet.The optical system 300 of the 2 has a plurality of actuatable optical elements 310. The optical system 300 is embodied here as a micromirror array, wherein the optical elements 310 are micromirrors. Each micromirror 310 can be actuated by means of an associated actuator 200. For example, a respective micromirror 310 can be tilted about two axes and/or displaced in one, two, or three spatial axes by means of the associated actuator 200. For reasons of clarity, the reference numerals are shown only for the top row of these elements.

Die Ansteuervorrichtung 100, 100' steuert den jeweiligen Aktuator 200 beispielsweise mit einer Ansteuerspannung V3 an. Damit wird eine Position des jeweiligen Mikrospiegels 310 eingestellt. Die Ansteuervorrichtung 100, 100' wird dabei mit einer hohen Spannung V1, zum Beispiel 50 V, von einer Bereitstellungseinheit 130 versorgt.The control device 100, 100' controls the respective actuator 200, for example, with a control voltage V3. This adjusts a position of the respective micromirror 310. The control device 100, 100' is supplied with a high voltage V1, for example, 50 V, from a supply unit 130.

Die Ansteuervorrichtung 100, 100' ist insbesondere unter Bezugnahme auf die 3 und 4 beschrieben.The control device 100, 100' is particularly described with reference to the 3 and 4 described.

3 zeigt eine erste Ausführungsform einer Ansteuervorrichtung 100 zum Ansteuern eines Aktuators 200. 3 shows a first embodiment of a control device 100 for controlling an actuator 200.

Der Aktuator 200 in der Ansteuervorrichtung 100 ist über eine erste Schnittstelle Int1 und eine zweite Schnittstelle Int2 ansteuerbar. Ein Messwiderstand R ist mit der ersten Schnittstelle Int1 gekoppelt und parallel zu dem Messwiderstand R ist eine Messschaltung 150 angeordnet. Die Messschaltung 150 stellt eine Gleichspannung als Versorgungsspannung V2 bereit. Weiterhin sind ein erster Schaltverstärker 110 und ein Filter 190 über den Messwiderstand R an die erste Schnittstelle Int1 gekoppelt. Vorliegend hat die Versorgungsspannung V2 einen ersten Spannungswert von 4,7 V.The actuator 200 in the control device 100 can be controlled via a first interface Int1 and a second interface Int2. A measuring resistor R is coupled to the first interface Int1, and a measuring circuit 150 is arranged in parallel with the measuring resistor R. The measuring circuit 150 provides a DC voltage as the supply voltage V2. Furthermore, a first switching amplifier 110 and a filter 190 are coupled to the first interface Int1 via the measuring resistor R. In this case, the supply voltage V2 has a first voltage value of 4.7 V.

An die zweite Schnittstelle Int2 sind ein Filter 190' und ein zweiter Schaltverstärker 120 gekoppelt. Über einen ersten Knoten K1 ist eine Bereitstellungseinheit 130 mit dem ersten Schaltverstärker 110 und dem zweiten Schaltverstärker 120 gekoppelt.A filter 190' and a second switching amplifier 120 are coupled to the second interface Int2. A provision unit 130 is coupled to the first switching amplifier 110 and the second switching amplifier 120 via a first node K1.

Eine erste Messeinrichtung 160 ist zwischen dem ersten Knoten K1 und dem zweiten Schaltverstärker 120 angeordnet, eine zweite Messeinrichtung 170 ist zwischen dem Messwiderstand R und dem Filter 190 angeordnet und eine dritte Messeinrichtung 180 ist zwischen der zweiten Schnittstelle Int2 und dem Filter 190' angeordnet.A first measuring device 160 is arranged between the first node K1 and the second switching amplifier 120, a second measuring device 170 is arranged between the measuring resistor R and the filter 190 and a third measuring device Device 180 is arranged between the second interface Int2 and the filter 190'.

Die in der 3 dargestellten Schaltverstärker 110, 120 sind jeweils als eine halbe H-Brücke ausgebildet und weisen jeweils zwei Schaltelemente 111, 112, 121, 122 auf. Die Schaltelemente 111, 112, 121, 122 sind Transistoren und insbesondere als MOSFETs ausgebildet. Alternativ können die Transistoren auch als n-Kanal MOSFETs, p-Kanal MOSFETs, Silizium MOSFETs, GaN FETs, IGBTs und/oder bipolare Transistoren ausgebildet sein.The 3 The switching amplifiers 110, 120 shown are each designed as half an H-bridge and each have two switching elements 111, 112, 121, 122. The switching elements 111, 112, 121, 122 are transistors and in particular MOSFETs. Alternatively, the transistors can also be designed as n-channel MOSFETs, p-channel MOSFETs, silicon MOSFETs, GaN FETs, IGBTs, and/or bipolar transistors.

Parallel zu jedem der Schaltelemente 111, 112, 121, 122 ist jeweils eine Diode 113, 114, 123, 124 angeordnet. Jede der Dioden 113, 114, 123, 124 ist jeweils als Freilaufdiode ausgebildet und weist als spezifische Freilaufspannung einen zweiten Spannungswert auf. Vorliegend beträgt der zweite Spannungswert 0,7 V.A diode 113, 114, 123, 124 is arranged in parallel with each of the switching elements 111, 112, 121, 122. Each of the diodes 113, 114, 123, 124 is designed as a freewheeling diode and has a second voltage value as a specific freewheeling voltage. In this case, the second voltage value is 0.7 V.

Die Schaltverstärker 110, 120 werden jeweils von einer Steuereinheit 200 angesteuert. Die Steuereinheit 200 ist dazu eingerichtet, die Kondensatoren 111, 112, 121, 122 mittels eines Modulationssignals anzusteuern.The switching amplifiers 110, 120 are each controlled by a control unit 200. The control unit 200 is configured to control the capacitors 111, 112, 121, 122 using a modulation signal.

Die beiden Filter 190, 190' der in 3 dargestellten Ansteuervorrichtung 100 sind als Tiefpassfilter zweiter Ordnung ausgebildet und weisen jeweils eine Induktivität, eine Kapazität und zwei Widerstände auf. Insbesondere ist die Induktivität, beispielsweise eine Spule, zu dem Aktuator 200 in Reihe gekoppelt. Weiterhin ist der erste Widerstand ebenfalls in Reihe zu dem Aktuator 200 gekoppelt, die Kapazität und der zweite Widerstand sind parallel zu dem Aktuator 200 gekoppelt.The two filters 190, 190' of the 3 The control device 100 shown is designed as a second-order low-pass filter and each has an inductance, a capacitance, and two resistors. In particular, the inductance, for example a coil, is coupled in series to the actuator 200. Furthermore, the first resistor is also coupled in series to the actuator 200, and the capacitance and the second resistor are coupled in parallel to the actuator 200.

Es sei angemerkt, dass anstelle des Erdpotentials GND ein beliebiges, durch eine Spannungsquelle bereitgestelltes Potential als Masse dienen kann.It should be noted that instead of the ground potential GND, any potential provided by a voltage source can serve as ground.

Um einen Zustand der Ansteuervorrichtung 100, und insbesondere einen Zustand des Aktuators 200 zu bestimmen, wird in einem ersten Schritt der Schalter 140 geöffnet, der zwischen der Bereitstellungseinheit 130 und dem ersten Knoten K1 geschaltet ist. Dadurch wird sichergestellt, dass nicht die hohe Spannung V1 der Bereitstellungseinheit 130 an der Ansteuervorrichtung 100 anliegt.To determine a state of the control device 100, and in particular a state of the actuator 200, in a first step, the switch 140 connected between the supply unit 130 and the first node K1 is opened. This ensures that the high voltage V1 of the supply unit 130 is not applied to the control device 100.

Die Messschaltung 150 stellt, bei geöffnetem Schalter 140, eine erste Spannung bereit. Vorliegend beträgt die erste Spannung 4,7 V.When switch 140 is open, measuring circuit 150 provides a first voltage. In this case, the first voltage is 4.7 V.

Mittels der Ansteuervorrichtung 100 können zumindest vier Zustände des Aktuators 200 ermittelt werden.By means of the control device 100, at least four states of the actuator 200 can be determined.

Ist der Aktuator 200 mit der ersten Schnittstelle Int1 und der zweiten Schnittstelle Int2 verbunden, so liegt an der ersten Messeinrichtung 160 eine Spannung von 3,3 V an. An der zweiten Messeinrichtung 170 liegt eine Spannung von 4,7 V an, und an der dritten Messeinrichtung 180 liegt eine Spannung an, die von 4,7 V verschieden ist und insbesondere durch den Widerstand, den der Aktuator 200 darstellt, bestimmt wird. Durch diese Verteilung der Spannungswerte über die erste Messeinrichtung 160, die zweite Messeinrichtung 170 und die dritte Messeinrichtung 180 lässt sich der Zustand „angeschlossen“ des Aktuators 200 ableiten.If the actuator 200 is connected to the first interface Int1 and the second interface Int2, a voltage of 3.3 V is present at the first measuring device 160. A voltage of 4.7 V is present at the second measuring device 170, and a voltage different from 4.7 V is present at the third measuring device 180 and is determined in particular by the resistance represented by the actuator 200. This distribution of the voltage values across the first measuring device 160, the second measuring device 170, and the third measuring device 180 allows the "connected" state of the actuator 200 to be derived.

Ist der Aktuator 200 nicht mit der ersten Schnittstelle Int1 und nicht mit der zweiten Schnittstelle Int2 verbunden, so liegt an der ersten Messeinrichtung 160 eine Spannung von 4 V an. An der zweiten Messeinrichtung 170 liegt eine Spannung von 4,7 V an und an der dritten Messeinrichtung 180 liegt eine Spannung von 0 V an. Durch diese Verteilung der Spannungswerte über die erste Messeinrichtung 160, die zweite Messeinrichtung 170 und die dritte Messeinrichtung 180 lässt sich der Zustand „nicht angeschlossen“ des Aktuators 200 ableiten.If the actuator 200 is not connected to the first interface Int1 and not to the second interface Int2, a voltage of 4 V is present at the first measuring device 160. A voltage of 4.7 V is present at the second measuring device 170, and a voltage of 0 V is present at the third measuring device 180. This distribution of the voltage values across the first measuring device 160, the second measuring device 170, and the third measuring device 180 allows the "not connected" state of the actuator 200 to be determined.

Ist die erste Schnittstelle Int1 leitend mit der zweiten Schnittstelle Int2 verbunden, so liegt an der ersten Messeinrichtung 160 eine Spannung von 3,3 V an. An der zweiten Messeinrichtung 170 und an der dritten Messeinrichtung 180 liegt jeweils eine Spannung von 4,7 V an. Durch diese Verteilung der Spannungswerte über die erste Messeinrichtung 160, die zweite Messeinrichtung 170 und die dritte Messeinrichtung 180 lässt sich der Zustand „kurzgeschlossen“ des Aktuators 200 ableiten.If the first interface Int1 is conductively connected to the second interface Int2, a voltage of 3.3 V is applied to the first measuring device 160. A voltage of 4.7 V is applied to the second measuring device 170 and the third measuring device 180. This distribution of the voltage values across the first measuring device 160, the second measuring device 170, and the third measuring device 180 allows the "short-circuited" state of the actuator 200 to be determined.

Ist die erste Schnittstelle Int1 oder die zweite Schnittstelle Int2 mit Masse GND verbunden, so liegt an der ersten Messeinrichtung 160, an der zweiten Messeinrichtung 170 und an der dritten Messeinrichtung 180 ein dritter Spannungswert an. Vorliegend ist der dritte Spannungswert 0 V.If the first interface Int1 or the second interface Int2 is connected to ground GND, a third voltage value is present at the first measuring device 160, the second measuring device 170, and the third measuring device 180. In this case, the third voltage value is 0 V.

4 zeigt eine zweite Ausführungsform einer Ansteuervorrichtung 100'. Die in 4 dargestellte Ansteuervorrichtung 100' unterscheidet sich von der Ansteuervorrichtung 100 aus 3 dahingehend, dass der Messwiderstand R an die zweite Schnittstelle Int2 gekoppelt ist. Dadurch ist nun auch die Messschaltung 150 an die zweite Schnittstelle Int2 gekoppelt. 4 shows a second embodiment of a control device 100'. The 4 The control device 100' shown differs from the control device 100 of 3 in that the measuring resistor R is coupled to the second interface Int2. As a result, the measuring circuit 150 is now also coupled to the second interface Int2.

Durch die in der 4 dargestellte Ansteuervorrichtung 100' können, wie auch mit der Ansteuervorrichtung 100, zumindest vier Zustände des Aktuators 200 ermittelt werden. Jedoch ergeben sich andere Verteilungen der Spannungen an der ersten Messeinrichtung 160, an der zweiten Messeinrichtung 170 und an der dritten Messeinrichtung 180.Through the 4 With the illustrated control device 100', as with the control device 100, at least four states of the actuator 200 can be determined. However, different voltage distributions result at the first measuring device 160, the second measuring device 170, and the third measuring device 180.

Ist der Aktuator 200 mit der ersten Schnittstelle Int1 und der zweiten Schnittstelle Int2 verbunden, so liegt an der ersten Messeinrichtung 160 eine Spannung von 3,3 V an. An der dritten Messeinrichtung 180 liegt eine Spannung von 4,7 V an, und an der zweiten Messeinrichtung 170 liegt eine Spannung an, die von 4,7 V verschieden ist und die insbesondere durch den Widerstand, den der Aktuator 200 darstellt, bestimmt wird. Durch diese Verteilung der Spannungswerte über die erste Messeinrichtung 160, die zweite Messeinrichtung 170 und die dritte Messeinrichtung 180 lässt sich der Zustand „angeschlossen“ des Aktuators 200 ableiten.If the actuator 200 is connected to the first interface Int1 and the second interface Int2, a voltage of 3.3 V is present at the first measuring device 160. A voltage of 4.7 V is present at the third measuring device 180, and a voltage different from 4.7 V is present at the second measuring device 170, which is determined in particular by the resistance represented by the actuator 200. This distribution of the voltage values across the first measuring device 160, the second measuring device 170, and the third measuring device 180 allows the "connected" state of the actuator 200 to be derived.

Ist der Aktuator 200 nicht mit der ersten Schnittstelle Int1 und nicht mit der zweiten Schnittstelle Int2 verbunden, so liegt an der ersten Messeinrichtung 160 eine Spannung von 4 V an. An der zweiten Messeinrichtung 170 liegt eine Spannung von 0 V an und an der dritten Messeinrichtung 180 liegt eine Spannung von 4,7 V an. Durch diese Verteilung der Spannungswerte über die erste Messeinrichtung 160, die zweite Messeinrichtung 170 und die dritte Messeinrichtung 180 lässt sich der Zustand „nicht angeschlossen“ des Aktuators 200 ableiten.If the actuator 200 is not connected to the first interface Int1 and not to the second interface Int2, a voltage of 4 V is present at the first measuring device 160. A voltage of 0 V is present at the second measuring device 170, and a voltage of 4.7 V is present at the third measuring device 180. This distribution of the voltage values across the first measuring device 160, the second measuring device 170, and the third measuring device 180 allows the "not connected" state of the actuator 200 to be determined.

Ist die erste Schnittstelle Int1 leitend mit der zweiten Schnittstelle Int2 verbunden, so liegt an der ersten Messeinrichtung 160 eine Spannung von 3,3 V an. An der zweiten Messeinrichtung 170 und an der dritten Messeinrichtung 180 liegt jeweils eine Spannung von 4,7 V an. Durch diese Verteilung der Spannungswerte über die erste Messeinrichtung 160, die zweite Messeinrichtung 170 und die dritte Messeinrichtung 180 lässt sich der Zustand „kurzgeschlossen“ des Aktuators 200 ableiten.If the first interface Int1 is conductively connected to the second interface Int2, a voltage of 3.3 V is applied to the first measuring device 160. A voltage of 4.7 V is applied to the second measuring device 170 and the third measuring device 180. This distribution of the voltage values across the first measuring device 160, the second measuring device 170, and the third measuring device 180 allows the "short-circuited" state of the actuator 200 to be determined.

Ist die erste Schnittstelle Int1 oder die zweite Schnittstelle Int2 mit Masse GND verbunden, so liegt an der ersten Messeinrichtung 160, an der zweiten Messeinrichtung 170 und an der dritten Messeinrichtung 180 ein dritter Spannungswert an. Vorliegend ist der dritte Spannungswert 0 V.If the first interface Int1 or the second interface Int2 is connected to ground GND, a third voltage value is present at the first measuring device 160, the second measuring device 170, and the third measuring device 180. In this case, the third voltage value is 0 V.

Ein weiterer Unterschied zur Ansteuervorrichtung 100 aus 3 liegt drin, dass an den zweiten Schaltverstärker 120 eine Manipulationseinrichtung 210 gekoppelt ist. Insbesondere ist die Manipulationseinrichtung 210 mit dem Schaltelement 121 und dem Schaltelement 122 des zweiten Schaltverstärkers 120 gekoppelt.Another difference to the control device 100 from 3 This involves a manipulation device 210 being coupled to the second switching amplifier 120. In particular, the manipulation device 210 is coupled to the switching element 121 and the switching element 122 of the second switching amplifier 120.

Die Manipulationseinrichtung 210 ist dazu eingerichtet, den Schaltzustand der Schaltelemente 121, 122 in einen leitenden oder einen nicht-leitenden Zustand zu ändern.The manipulation device 210 is configured to change the switching state of the switching elements 121, 122 into a conductive or a non-conductive state.

Zusätzlich zu der Bestimmung des Zustands des Aktuators 200, die in der Ansteuervorrichtung 100' aus 4 wie oben beschrieben durchgeführt werden kann, kann mittels der Manipulationseinrichtung 210 eine Funktion der Schaltelemente 121, 122 überprüft werden. Die Überprüfung der Schaltelemente 121, 122 wird im Folgenden beschrieben.In addition to the determination of the state of the actuator 200, which is carried out in the control device 100' 4 As described above, the function of the switching elements 121, 122 can be checked by means of the manipulation device 210. The check of the switching elements 121, 122 is described below.

Der Schalter 140, der die Bereitstellungseinheit 130 mit dem ersten Knoten K1 koppelt, ist, wie auch beim Ermitteln des Zustands des Aktuators 200, geöffnet, so dass die Verbindung zu der Bereitstellungseinheit 130 unterbrochen ist. Die Messschaltung 150, die eine Gleichspannung als Versorgungsspannung V2 bereitstellt, ist, wie auch in Bezug auf die Ansteuervorrichtung 100 aus 3 beschrieben, über den Messwiderstand R mit der zweiten Schnittstelle Int2 verbunden.The switch 140, which couples the supply unit 130 to the first node K1, is open, as is the case when determining the state of the actuator 200, so that the connection to the supply unit 130 is interrupted. The measuring circuit 150, which provides a DC voltage as supply voltage V2, is, as is the case with respect to the control device 100 of 3 described, connected to the second interface Int2 via the measuring resistor R.

Die erste Messeinrichtung 160, die zweite Messeinrichtung 170 und die dritte Messeinrichtung 180 der Ansteuervorrichtung 100' und der Ansteuervorrichtung 100 aus 3 sind identisch angeordnet.The first measuring device 160, the second measuring device 170 and the third measuring device 180 of the control device 100' and the control device 100 from 3 are arranged identically.

Sind die Schaltelemente 121, 122 nun geschlossen und wird durch die Manipulationseinrichtung 210 deren Schaltzustand nicht geändert, so liegt an der ersten Messeinrichtung 160, an der zweiten Messeinrichtung 170 und an der dritten Messeinrichtung 180 ein Spannungswert an. Unter der Annahme, dass der Aktuator 200 an der ersten Schnittstelle Int1 und an der zweiten Schnittstelle Int2 angeschlossen ist, liegt an der ersten Messeinrichtung 160 eine Spannung von 3,3 V an, an der dritten Messeinrichtung 180 liegt eine Spannung von 4,7 V an, und an der zweiten Messeinrichtung 170 liegt eine Spannung an, die von 4,7 V verschieden ist und die insbesondere durch den Widerstand, den der Aktuator 200 darstellt, bestimmt wird.If the switching elements 121, 122 are now closed and their switching state is not changed by the manipulation device 210, a voltage value is present at the first measuring device 160, the second measuring device 170, and the third measuring device 180. Assuming that the actuator 200 is connected to the first interface Int1 and the second interface Int2, a voltage of 3.3 V is present at the first measuring device 160, a voltage of 4.7 V is present at the third measuring device 180, and a voltage different from 4.7 V is present at the second measuring device 170 and is determined in particular by the resistance represented by the actuator 200.

Ändert nun die Manipulationseinrichtung 210 den Schaltzustand des Schaltelements 121 in einen geschlossenen Zustand, so ändert sich jeweils auch die Spannung, die an der ersten Messeinrichtung 160, an der zweiten Messeinrichtung 170 und an der dritten Messeinrichtung 180 anliegt. Dies wird dadurch verursacht, dass der zu der Spannung proportionale Strom nun den Weg über das geschlossene Schaltelement 121 wählt und nicht mehr über die Diode 123, die eine Freilaufspannung von 0,7 V aufweist.If the manipulation device 210 now changes the switching state of the switching element 121 to a closed state, the voltage applied to the first measuring device 160, the second measuring device 170, and the third measuring device 180 also changes. This is caused by the current proportional to the voltage now choosing the path via the closed switching element 121 and no longer via the diode 123, which has a freewheeling voltage of 0.7 V.

Ändert sich trotz der Änderung des Schaltzustand des Schaltelements 121 die jeweils an der ersten Messeinrichtung 160, an der zweiten Messeinrichtung 170 und an der dritten Messeinrichtung 180 anliegende Spannung nicht, wählt der zu der Spannung proportionale Strom den Weg über die Diode 123 und nicht über das geschlossene Schaltelement 121. Demgemäß ist der Widerstand über das Schaltelement 121 größer als über die Diode 123, so dass sich daraus schließen lässt, dass das Schaltelement 121 beschädigt ist.If, despite the change in the switching state of the switching element 121, the voltage applied to the first measuring device 160, the second measuring device 170 and the third measuring device 180 does not change, the current proportional to the voltage chooses the path via the diode 123 and not via the closed switching element 121. Accordingly, the resistance across the switching element 121 is greater than across the diode 123, so that it can be concluded that the switching element 121 is damaged.

Der Zustand des Schaltelements 122 lässt sich auf analoge Weise überprüfen.The state of the switching element 122 can be checked in an analogous manner.

In alternativen Ausführungsformen ist die Manipulationseinrichtung 210 mit dem ersten Schaltverstärker 110 und/oder mit dem zweiten Schaltverstärker 120 gekoppelt.In alternative embodiments, the manipulation device 210 is coupled to the first switching amplifier 110 and/or to the second switching amplifier 120.

Die Ausführungsformen des Verfahrens nach 5 umfassen das Öffnen S1 des Schalters 140, dass der erste Knoten K1 von der Bereitstellungseinheit 130 getrennt ist, und anschließend, im geöffneten Zustand des Schalters 140 ein Ermitteln S2, zumindest eines Zustands des Aktuators 200 mittels der die Messschaltung 150 versorgenden Gleichspannung unter Verwendung einer mit dem ersten Knoten K1 gekoppelten ersten Messeinrichtung 160, einer mit der ersten Schnittstelle Int1 gekoppelten zweiten Messeinrichtung 170 und/oder einer mit der zweiten Schnittstelle Int2 gekoppelten dritten Messeinrichtung 180.The embodiments of the method according to 5 include opening S1 of the switch 140 so that the first node K1 is disconnected from the provision unit 130, and then, in the open state of the switch 140, determining S2 at least one state of the actuator 200 by means of the DC voltage supplying the measuring circuit 150 using a first measuring device 160 coupled to the first node K1, a second measuring device 170 coupled to the first interface Int1 and/or a third measuring device 180 coupled to the second interface Int2.

Wie schon unter Bezugnahme auf die 3 und 4 ausgeführt, wird die Bereitstellungseinheit 130 durch das Öffnen des Schalters 140 von dem ersten Knoten K1 abgetrennt. Anschließend kann, mittels der Gleichspannung V2, die die Messschaltung 150 bereitstellt, an der ersten Messeinrichtung 160, an der zweiten Messeinrichtung 170 und/oder an der dritten Messeinrichtung 180 eine anliegende Spannung ermittelt werden. Mittels der jeweils an der ersten Messeinrichtung 160, an der zweiten Messeinrichtung 170 und/oder an der dritten Messeinrichtung 180 anliegenden Spannung kann ein Zustand des Aktors 200 bestimmt werden.As already mentioned with reference to the 3 and 4 executed, the provision unit 130 is disconnected from the first node K1 by opening the switch 140. Subsequently, using the DC voltage V2 provided by the measuring circuit 150, a voltage applied to the first measuring device 160, the second measuring device 170, and/or the third measuring device 180 can be determined. A state of the actuator 200 can be determined using the voltage applied to the first measuring device 160, the second measuring device 170, and/or the third measuring device 180.

Obwohl die vorliegende Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen beschrieben wurde, ist sie vielfältig modifizierbar.Although the present invention has been described using exemplary embodiments, it can be modified in many ways.

BEZUGSZEICHENLISTELIST OF REFERENCE SYMBOLS

11
ProjektionsbelichtungsanlageProjection exposure system
22
Beleuchtungssystemlighting system
33
Lichtquellelight source
44
BeleuchtungsoptikLighting optics
55
ObjektfeldObject field
66
ObjektebeneObject level
77
RetikelReticle
88
RetikelhalterReticle holder
99
RetikelverlagerungsantriebReticle displacement drive
1010
ProjektionsoptikProjection optics
1111
BildfeldImage field
1212
BildebeneImage plane
1313
Waferwafer
1414
WaferhalterWafer holder
1515
WaferverlagerungsantriebWafer relocation drive
1616
BeleuchtungsstrahlungIllumination radiation
1717
Kollektorcollector
1818
ZwischenfokusebeneIntermediate focal plane
1919
UmlenkspiegelDeflecting mirror
2020
erster Facettenspiegelfirst faceted mirror
2121
erste Facettefirst facet
2222
zweiter Facettenspiegelsecond facet mirror
2323
zweite Facettesecond facet
100, 100'100, 100'
AnsteuervorrichtungControl device
110110
erster Schaltverstärkerfirst switching amplifier
111111
Schaltelementswitching element
112112
Schaltelementswitching element
113113
Diodediode
114114
Diodediode
120120
zweiter Schaltverstärkersecond switching amplifier
121121
Schaltelementswitching element
122122
Schaltelementswitching element
123123
Diodediode
124124
Diodediode
130130
BereitstellungseinheitProvisioning unit
140140
SchalterSwitch
150150
MessschaltungMeasuring circuit
160160
erste Messeinrichtungfirst measuring device
170170
zweite Messeinrichtungsecond measuring device
180180
dritte Messeinrichtungthird measuring device
190, 190'190, 190'
Filterfilter
200200
AktuatorActuator
210210
ManipulationseinrichtungManipulation device
220220
SteuereinheitControl unit
300300
optisches Systemoptical system
310310
optisches Elementoptical element
V1V1
SpannungTension
V2V2
VersorgungsspannungSupply voltage
V3V3
AnsteuerspannungControl voltage
GNDGND
Massemass
K1K1
erster Knotenfirst node
Int1Int1
erste Schnittstellefirst interface
Int2Int2
zweite Schnittstellesecond interface
RR
Messwiderstandmeasuring resistor
M1M1
SpiegelMirror
M2M2
SpiegelMirror
M3M3
SpiegelMirror
M4M4
SpiegelMirror
M5M5
SpiegelMirror
M6M6
SpiegelMirror
S1, S2S1, S2
VerfahrensschritteProcedural steps

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNGQUOTES CONTAINED IN THE DESCRIPTION

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Claims (15)

Ansteuervorrichtung (100) zum Ansteuern eines über eine erste Schnittstelle (Int1) und über eine zweite Schnittstelle (Int2) ansteuerbaren Aktuators (200), mit einem mit der ersten Schnittstelle (Int1) gekoppelten ersten Schaltverstärker (110) mit zwei Schaltelementen (111, 112) und jeweils parallel geschalteter Diode (113, 114), einem mit der zweiten Schnittstelle (Int2) gekoppelten zweiten Schaltverstärker (120) mit zwei Schaltelementen (121, 122) und jeweils parallel geschalteter Diode (123, 124), einer mit dem ersten Schaltverstärker (110) und dem zweiten Schaltverstärker (120) über einen ersten Knoten (K1) gekoppelten Bereitstellungseinheit (130) zur Bereitstellung einer Versorgungsspannung (V2) für den ersten Schaltverstärker (110) und den zweiten Schaltverstärker (120), wobei zwischen dem ersten Knoten (K1) und der Bereitstellungseinheit (130) ein Schalter (140) zum Zuschalten der Bereitstellungseinheit (130) geschaltet ist, einem zwischen dem Aktuator (200) und dem ersten Schaltverstärker (110) oder dem zweiten Schaltverstärker (120) gekoppelten Messwiderstand (R), einer parallel zu dem Messwiderstand (R) angeordneten, mit einer Gleichspannung versorgten Messschaltung (150), und einer mit dem ersten Knoten (K1) gekoppelten ersten Messeinrichtung (160), einer mit der ersten Schnittstelle (Intl) gekoppelten zweiten Messeinrichtung (170) und/oder einer mit der zweiten Schnittstelle (Int2) gekoppelten dritten Messeinrichtung (180), welche dazu eingerichtet sind, im geöffneten Zustand des Schalters (140) zumindest einen Zustand des Aktuators (200) mittels der die Messschaltung (150) versorgenden Gleichspannung zu ermitteln.A control device (100) for controlling an actuator (200) controllable via a first interface (Int1) and a second interface (Int2), comprising: a first switching amplifier (110) coupled to the first interface (Int1) and having two switching elements (111, 112) and a diode (113, 114) connected in parallel with each other; a second switching amplifier (120) coupled to the second interface (Int2) and having two switching elements (121, 122) and a diode (123, 124) connected in parallel with each other; a supply unit (130) coupled to the first switching amplifier (110) and the second switching amplifier (120) via a first node (K1) for providing a supply voltage (V2) for the first switching amplifier (110) and the second switching amplifier (120), wherein a switch is connected between the first node (K1) and the supply unit (130) (140) for connecting the supply unit (130), a measuring resistor (R) coupled between the actuator (200) and the first switching amplifier (110) or the second switching amplifier (120), a measuring circuit (150) arranged in parallel with the measuring resistor (R) and supplied with a DC voltage, and a first measuring device (160) coupled to the first node (K1), a second measuring device (170) coupled to the first interface (Int1), and/or a third measuring device (180) coupled to the second interface (Int2), which are configured to determine at least one state of the actuator (200) using the DC voltage supplying the measuring circuit (150) when the switch (140) is in the open state. Ansteuervorrichtung (100) nach Anspruch 1, wobei jeder der Schaltverstärker (110, 120) als eine halbe H-Brücke ausgebildet ist und/oder die Schaltelemente (111, 112, 121, 122) Transistoren sind.Control device (100) according to Claim 1 , wherein each of the switching amplifiers (110, 120) is designed as a half H-bridge and/or the switching elements (111, 112, 121, 122) are transistors. Ansteuervorrichtung (100) nach Anspruch 1 oder 2, wobei jeweils zwischen dem ersten Schaltverstärker (110) und der ersten Schnittstelle (Intl) und zwischen dem zweiten Schaltverstärker (120) und der zweiten Schnittstelle (Int2) ein Filter (190, 190') gekoppelt ist.Control device (100) according to Claim 1 or 2 , wherein a filter (190, 190') is coupled between the first switching amplifier (110) and the first interface (Intl) and between the second switching amplifier (120) and the second interface (Int2). Ansteuervorrichtung (100) nach Anspruch 3, wobei der Filter (190, 190') ein Tiefpassfilter 2. Ordnung ist.Control device (100) according to Claim 3 , where the filter (190, 190') is a 2nd order low-pass filter. Ansteuervorrichtung (100) nach einem der Ansprüche 1-4, wobei zumindest eine Manipulationseinrichtung (210) mit zumindest einem Schaltverstärker (110, 120) gekoppelt ist und die Manipulationseinrichtung (210) dazu eingerichtet ist, einen Schaltzustand zumindest eines Schaltelements (111, 112, 121, 122) des Schaltverstärkers (110, 120) in einen leitenden oder nicht-leitenden Zustand zu ändern.Control device (100) according to one of the Claims 1 - 4 , wherein at least one manipulation device (210) is coupled to at least one switching amplifier (110, 120) and the manipulation device (210) is configured to change a switching state of at least one switching element (111, 112, 121, 122) of the switching amplifier (110, 120) into a conductive or non-conductive state. Ansteuervorrichtung (100) nach einem der Ansprüche 1-5, wobei die Messschaltung (150) dazu eingerichtet ist, im geöffneten Zustand des Schalters (140) einen ersten Spannungswert, insbesondere 4,7 V, bereitzustellen.Control device (100) according to one of the Claims 1 - 5 , wherein the measuring circuit (150) is configured to provide a first voltage value, in particular 4.7 V, in the open state of the switch (140). Ansteuervorrichtung (100) nach einem der Ansprüche 1-6, wobei die parallel geschalteten Dioden (113, 114, 123, 124) Freilaufdioden sind, die jeweils eine Freilaufspannung eines zweiten Spannungswerts, insbesondere 0,7 V, aufweisen.Control device (100) according to one of the Claims 1 - 6 , wherein the parallel-connected diodes (113, 114, 123, 124) are freewheeling diodes, each having a freewheeling voltage of a second voltage value, in particular 0.7 V. Ansteuervorrichtung (100) nach einem der Ansprüche 1-7, wobei im geöffneten Zustand des Schalters (140) und wenn der Aktuator (200) an der ersten Schnittstelle (Int1) und an der zweiten Schnittstelle (Int2) angeschlossen ist, jeweils an der ersten Messeinrichtung (160), an der zweiten Messeinrichtung (170) und/oder an der dritten Messeinrichtung (180) ein, für den Zustand des mit der ersten Schnittstelle (Int1) und mit der zweiten Schnittstelle (Int2) verbundenen Aktuators (200), indikativer Spannungswert anliegt.Control device (100) according to one of the Claims 1 - 7 , wherein in the open state of the switch (140) and when the actuator (200) is connected to the first interface (Int1) and to the second interface (Int2), a voltage value indicative of the state of the actuator (200) connected to the first interface (Int1) and to the second interface (Int2) is present at the first measuring device (160), at the second measuring device (170) and/or at the third measuring device (180). Ansteuervorrichtung (100) nach einem der Ansprüche 1-7, wobei im geöffneten Zustand des Schalters (140) und wenn der Aktuator (200) nicht an der ersten Schnittstelle (Int1) und nicht an der zweiten Schnittstelle (Int2) angeschlossen ist, jeweils an der ersten Messeinrichtung (160), an der zweiten Messeinrichtung (170) und/oder an der dritten Messeinrichtung (180) ein, für den Zustand des nicht mit der ersten Schnittstelle (Intl) und nicht mit der zweiten Schnittstelle (Int2) verbundenen Aktuators (200), indikativer Spannungswert anliegt.Control device (100) according to one of the Claims 1 - 7 , wherein in the open state of the switch (140) and when the actuator (200) is not connected to the first interface (Int1) and not to the second interface (Int2), a voltage value indicative of the state of the actuator (200) not connected to the first interface (Intl) and not to the second interface (Int2) is present at the first measuring device (160), the second measuring device (170) and/or the third measuring device (180). Ansteuervorrichtung (100) nach einem der Ansprüche 1-7, wobei im geöffneten Zustand des Schalters (140) und wenn die erste Schnittstelle (Intl) mit der zweiten Schnittstelle (Int2) leitend verbunden ist, jeweils an der ersten Messeinrichtung (160), an der zweiten Messeinrichtung (170) und/oder an der dritten Messeinrichtung (180) ein, für den Zustand einer leitenden Verbindung zwischen der ersten Schnittstelle (Intl) und der zweiten Schnittstelle (Int2), indikativer Spannungswert anliegt.Control device (100) according to one of the Claims 1 - 7 , wherein in the open state of the switch (140) and when the first interface (Intl) is conductively connected to the second interface (Int2), a voltage value indicative of the state of a conductive connection between the first interface (Intl) and the second interface (Int2) is present at the first measuring device (160), at the second measuring device (170) and/or at the third measuring device (180). Ansteuervorrichtung (100) nach einem der Ansprüche 1-7, wobei im geöffneten Zustand des Schalters (140) und wenn die erste Schnittstelle (Intl) oder die zweite Schnittstelle (Int2) leitend mit Masse (GND) verbunden ist, an der ersten Messeinrichtung (160), an der zweiten Messeinrichtung (170) und/oder an der dritten Messeinrichtung (180) ein dritter Spannungswert, insbesondere 0 V, anliegt.Control device (100) according to one of the Claims 1 - 7 , wherein in the open state of the switch (140) and when the first interface (Intl) or the second interface (Int2) is conductively connected to ground (GND), at the first measuring device (160), at the second measuring device (170) and/or a third voltage value, in particular 0 V, is present at the third measuring device (180). Ansteuervorrichtung nach einem der Ansprüche 1-7, wobei im geöffneten Zustand des Schalters (140) und wenn die Manipulationseinrichtung (210) zumindest einen Schaltzustand zumindest eines der Schaltelemente (111, 112, 121, 122) ändert, jeweils an der ersten Messeinrichtung (160), an der zweiten Messeinrichtung (170) und/oder an der dritten Messeinrichtung (180) ein Spannungswert, der insbesondere verschieden von dem ersten Spannungswert ist, anliegt.Control device according to one of the Claims 1 - 7 , wherein in the open state of the switch (140) and when the manipulation device (210) changes at least one switching state of at least one of the switching elements (111, 112, 121, 122), a voltage value, which is in particular different from the first voltage value, is applied to the first measuring device (160), the second measuring device (170) and/or the third measuring device (180). Optisches System (300) mit einer Anzahl an aktuierbaren optischen Elementen (310), wobei jedem der Anzahl der aktuierbaren optischen Elemente (310) ein Aktuator (200) zugeordnet ist, wobei jedem Aktuator (200) eine Ansteuervorrichtung (100) zum Ansteuern des Aktuators (200) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 12 zugeordnet ist.Optical system (300) with a number of actuatable optical elements (310), wherein each of the number of actuatable optical elements (310) is assigned an actuator (200), wherein each actuator (200) has a control device (100) for controlling the actuator (200) according to one of the Claims 1 until 12 is assigned. Lithographieanlage umfassend ein optisches System (300) gemäß Anspruch 13.Lithography system comprising an optical system (300) according to Claim 13 . Verfahren zum Ermitteln eines Zustands einer Ansteuervorrichtung (100) zum Ansteuern eines über eine erste Schnittstelle (Intl) und über eine zweite Schnittstelle (Int2) ansteuerbaren Aktuators (200), wobei die Ansteuervorrichtung (100) einen mit der ersten Schnittstelle (Int1) gekoppelten ersten Schaltverstärker (110) mit zwei Schaltelementen (111, 112) und jeweils parallel geschalteter Diode (113, 114), einen mit der zweiten Schnittstelle (Int2) gekoppelten zweiten Schaltverstärker (120) mit zwei Schaltelementen (121, 122) und jeweils parallel geschalteter Diode (123, 124), eine mit dem ersten Schaltverstärker (110) und dem zweiten Schaltverstärker (120) über einen ersten Knoten (K1) gekoppelte Bereitstellungseinheit (130) zur Bereitstellung einer Versorgungsspannung (V2) für den ersten Schaltverstärker (110) und den zweiten Schaltverstärker (120), wobei zwischen dem ersten Knoten (K1) und der Bereitstellungseinheit (130) ein Schalter (140) zum Zuschalten der Bereitstellungseinheit (130) geschaltet ist, einen zwischen dem Aktuator (200) und dem ersten Schaltverstärker (110) oder dem zweiten Schaltverstärker (120) gekoppelten Messwiderstand (R), und eine parallel zu dem Messwiderstand (R) angeordnete, mit einer Gleichspannung versorgten Messschaltung (150) umfasst, aufweisend: Öffnen (S1) des Schalters (140), dass der erste Knoten (K1) von der Bereitstellungseinheit (130) getrennt ist, und Ermitteln (S2), im geöffneten Zustand des Schalters (140), zumindest eines Zustands des Aktuators (200) mittels der die Messschaltung (150) versorgenden Gleichspannung unter Verwendung einer mit dem ersten Knoten (K1) gekoppelten ersten Messeinrichtung (160), einer mit der ersten Schnittstelle (Int1) gekoppelten zweiten Messeinrichtung (170) und/oder einer mit der zweiten Schnittstelle (Int2) gekoppelten dritten Messeinrichtung (180).Method for determining a state of a control device (100) for controlling an actuator (200) controllable via a first interface (Intl) and via a second interface (Int2), wherein the control device (100) comprises a first switching amplifier (110) coupled to the first interface (Int1) with two switching elements (111, 112) and a diode (113, 114) connected in parallel, a second switching amplifier (120) coupled to the second interface (Int2) with two switching elements (121, 122) and a diode (123, 124) connected in parallel, a supply unit (130) coupled to the first switching amplifier (110) and the second switching amplifier (120) via a first node (K1) for providing a supply voltage (V2) for the first switching amplifier (110) and the second switching amplifier (120), wherein between the first node (K1) and the provision unit (130), a switch (140) for connecting the provision unit (130) is connected, a measuring resistor (R) coupled between the actuator (200) and the first switching amplifier (110) or the second switching amplifier (120), and a measuring circuit (150) arranged in parallel with the measuring resistor (R) and supplied with a DC voltage, comprising: opening (S1) the switch (140) so that the first node (K1) is disconnected from the provision unit (130), and determining (S2), in the open state of the switch (140), at least one state of the actuator (200) by means of the DC voltage supplying the measuring circuit (150) using a first measuring device (160) coupled to the first node (K1), a second measuring device (170) coupled to the first interface (Int1), and/or a second measuring device (170) coupled to the second interface (Int2) coupled third measuring device (180).
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