[go: up one dir, main page]

DE102024205635A1 - OPTICAL SYSTEM AND LITHOGRAPHY SYSTEM WITH AN OPTICAL SYSTEM - Google Patents

OPTICAL SYSTEM AND LITHOGRAPHY SYSTEM WITH AN OPTICAL SYSTEM Download PDF

Info

Publication number
DE102024205635A1
DE102024205635A1 DE102024205635.9A DE102024205635A DE102024205635A1 DE 102024205635 A1 DE102024205635 A1 DE 102024205635A1 DE 102024205635 A DE102024205635 A DE 102024205635A DE 102024205635 A1 DE102024205635 A1 DE 102024205635A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
optical system
conductor
flexible region
circuit board
magnetic field
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE102024205635.9A
Other languages
German (de)
Inventor
Alexandre Kemp
Thomas Niermann
Juergen Klooss
Klaus Thurner
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Carl Zeiss SMT GmbH
Original Assignee
Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Carl Zeiss SMT GmbH filed Critical Carl Zeiss SMT GmbH
Priority to DE102024205635.9A priority Critical patent/DE102024205635A1/en
Publication of DE102024205635A1 publication Critical patent/DE102024205635A1/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/028Electrodynamic magnetometers
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/16Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
    • H05K1/165Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor incorporating printed inductors

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

Ein optisches System (100) für eine Lithographieanlage (1), mit einer aus einem Verbundmaterial gebildeten Leiterplatte (200), welche einen biegsamen Bereich (211) aufweist, wobei die Leiterplatte (200) eine Leiterschleife (220) zum Erfassen eines auf den biegsamen Bereich (211) wirkenden Magnetfelds (By, Bz) aufweist.

Figure DE102024205635A1_0000
An optical system (100) for a lithography system (1), comprising a circuit board (200) formed from a composite material, which circuit board has a flexible region (211), wherein the circuit board (200) has a conductor loop (220) for detecting a magnetic field (B y , B z ) acting on the flexible region (211).
Figure DE102024205635A1_0000

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein optisches System und eine Lithographieanlage mit einem derartigen optischen System.The present invention relates to an optical system and a lithography system comprising such an optical system.

Die Mikrolithographie wird zur Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente, wie beispielsweise integrierter Schaltkreise, angewendet. Der Mikrolithographieprozess wird mit einer Lithographieanlage durchgeführt, welche ein Beleuchtungssystem und ein Projektionssystem aufweist. Das Bild einer mittels des Beleuchtungssystems beleuchteten Maske (Retikel) wird hierbei mittels des Projektionssystems auf ein mit einer lichtempfindlichen Schicht (Photoresist) beschichtetes und in der Bildebene des Projektionssystems angeordnetes Substrat, beispielsweise einen Siliziumwafer, projiziert, um die Maskenstruktur auf die lichtempfindliche Beschichtung des Substrats zu übertragen.Microlithography is used to manufacture microstructured components, such as integrated circuits. The microlithography process is carried out using a lithography system equipped with an illumination system and a projection system. The image of a mask (reticle) illuminated by the illumination system is projected by the projection system onto a substrate, such as a silicon wafer, coated with a light-sensitive layer (photoresist) and arranged in the image plane of the projection system in order to transfer the mask structure to the light-sensitive coating of the substrate.

Getrieben durch das Streben nach immer kleineren Strukturen bei der Herstellung integrierter Schaltungen werden derzeit EUV-Lithographieanlagen entwickelt, welche Licht mit einer Wellenlänge im Bereich von 0,1 nm bis 30 nm, insbesondere 13,5 nm, verwenden. Da die meisten Materialien Licht dieser Wellenlänge absorbieren, müssen bei solchen EUV-Lithographieanlagen reflektierende Optiken, das heißt Spiegel, anstelle von - wie bisher - brechenden Optiken, das heißt Linsen, eingesetzt werden.Driven by the pursuit of ever smaller structures in the production of integrated circuits, EUV lithography systems are currently being developed that use light with a wavelength in the range of 0.1 nm to 30 nm, particularly 13.5 nm. Since most materials absorb light at this wavelength, such EUV lithography systems must use reflective optics, i.e., mirrors, instead of the previously used refractive optics, i.e., lenses.

In Lithographieanlagen ist eine Vielzahl von Aktor-/Sensor-Einrichtungen, wie Sensoren und Aktuatoren, verbaut. Im Allgemeinen ist eine Aktor-/Sensor-Einrichtung dazu geeignet, ein der Aktor-/Sensor-Einrichtung zugeordnetes optisches Element, wie beispielsweise einen Spiegel, zu verlagern und/oder einen Parameter des zugeordneten optischen Elements, wie eine Position des zugeordneten optischen Elements oder eine Temperatur des zugeordneten optischen Elements, zu erfassen. Zur Ansteuerung und Auswertung ist eine solche Aktor-/ Sensoreinrichtung mit einem Elektronikbauteil, insbesondere mit einer integrierten Schaltung (IC; Integrated Circuit) elektrisch zu verbinden. Hierzu werden insbesondere flexible Leiterplatten, auch flexible Leiterkarten oder Flex-PCB genannt, eingesetzt. Hierbei offenbart beispielsweise die internationale Patentanmeldung PCT/ EP2023/070433 ein optisches System für eine Lithographieanlage mit einer aus einem Verbundmaterial gebildeten Leiterplatte mit einem biegsamen oder flexiblen Bereich.A variety of actuator/sensor devices, such as sensors and actuators, are installed in lithography systems. In general, an actuator/sensor device is suitable for displacing an optical element associated with the actuator/sensor device, such as a mirror, and/or detecting a parameter of the associated optical element, such as a position of the associated optical element or a temperature of the associated optical element. For control and evaluation, such an actuator/sensor device must be electrically connected to an electronic component, in particular to an integrated circuit (IC). Flexible printed circuit boards, also called flexible printed circuit cards or flex PCBs, are used for this purpose. For example, the international patent application PCT/ EP2023/070433 an optical system for a lithography system having a printed circuit board formed from a composite material with a pliable or flexible region.

Allerdings ist es möglich, dass innerhalb des optischen Systems der Lithographieanlage magnetische Felder auf die Leiterkarte wirken, in der Leiterkarte eine Spannung induzieren und damit Fehler bei der Übertragung der Signale durch die Leiterkarte nachteiligerweise verursachen. Herkömmlicherweise können Magnetfelder durch eine Abschirmung derart abgeschirmt werden, dass sie keine Fehler oder kaum Fehler auf der Leiterkarte verursachen. Allerdings benötigen solche Abschirmungen Platz, welcher in optischen Systemen von Lithographieanlagen oftmals nicht ausreichend zur Verfügung steht. Außerdem sind mit der Verwendung von Abschirmungen auch ein erhöhter Designaufwand und ein erhöhter Kostenaufwand nachteiligerweise verbunden.However, it is possible that magnetic fields within the optical system of the lithography system may act on the circuit board, inducing a voltage in the circuit board and thus detrimentally causing errors in the signal transmission through the circuit board. Conventionally, magnetic fields can be shielded by shielding in such a way that they cause no or hardly any errors on the circuit board. However, such shields require space, which is often insufficient in the optical systems of lithography systems. Furthermore, the use of shields also disadvantageously involves increased design effort and increased costs.

Vor diesem Hintergrund besteht eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung darin, ein verbessertes optisches System bereitzustellen.Against this background, it is an object of the present invention to provide an improved optical system.

Gemäß einem ersten Aspekt wird ein optisches System für eine Lithographieanlage vorgeschlagen, welches eine aus einem Verbundmaterial gebildete Leiterplatte aufweist, welche einen biegsamen Bereich aufweist, wobei die Leiterplatte eine Leiterschleife zum Erfassen eines auf den biegsamen Bereich wirkenden Magnetfelds aufweist.According to a first aspect, an optical system for a lithography system is proposed, which comprises a circuit board formed from a composite material and having a flexible region, wherein the circuit board has a conductor loop for detecting a magnetic field acting on the flexible region.

Durch den Einsatz der Leiterschleife zum Erfassen eines auf den biegsamen Bereich der Leiterplatte wirkenden Magnetfelds kann ein mit der Leiterschleife koppelbares Voltmeter die durch das auf den biegsamen Bereich der Leiterplatte wirkende Magnetfeld, insbesondere durch den durch die Leiterschleife hindurchtretenden Magnetfluss, induzierte elektrische Spannung messen, und in Abhängigkeit der gemessenen induzierten elektrischen Spannung kann eine Magnetfeldänderung, insbesondere eine mittlere Magnetfeldänderung, in dem biegsamen Bereich der Leiterplatte ermittelt werden. Die ermittelte Magnetfeldänderung kann vorteilhafterweise dazu verwendet werden, um einen durch das Magnetfeld verursachten magnetischen Fehler zu kompensieren. Vorliegend können also durch das Magnetfeld verursachte magnetische Fehler kompensiert werden, ohne eine herkömmliche Abschirmung einzusetzen. Damit wird der Platzbedarf der vorliegenden Leiterplatte vorteilhafterweise verringert, was innerhalb von optischen Systemen in einer Lithographieanlage besondere Vorteile hat.By using the conductor loop to detect a magnetic field acting on the flexible region of the circuit board, a voltmeter that can be coupled to the conductor loop can measure the electrical voltage induced by the magnetic field acting on the flexible region of the circuit board, in particular by the magnetic flux passing through the conductor loop. Depending on the measured induced electrical voltage, a magnetic field change, in particular an average magnetic field change, in the flexible region of the circuit board can be determined. The determined magnetic field change can advantageously be used to compensate for a magnetic error caused by the magnetic field. In this case, magnetic errors caused by the magnetic field can therefore be compensated without the use of conventional shielding. This advantageously reduces the space required by the circuit board, which has particular advantages within optical systems in a lithography system.

Die Leiterplatte kann vorliegend auch als Leiterkarte bezeichnet werden. Insbesondere weist die Leiterplatte zwei starre Bereiche auf, zwischen welchen der biegsame Bereich angeordnet ist. Der biegsame Bereich der Leiterplatte kann auch als flexibler Bereich bezeichnet werden.In this case, the printed circuit board can also be referred to as a printed circuit card. In particular, the printed circuit board has two rigid areas, between which the flexible area is arranged. The flexible area of the printed circuit board can also be referred to as the flexible area.

Durch die Verwendung des biegsamen Bereichs der Leiterplatte wird die Flexibilität beim Einbau der Leiterplatte in der Lithographieanlage deutlich erhöht. Dies ist von besonderem Vorteil im Lichte der vorherrschenden Bauraumbeschränkungen in der Lithographieanlage. Auch können damit Leiterplatten im gebogenen Zustand in der Lithographieanlage verbaut werden. Hierdurch können vorteilhafterweise mögliche Störungen auf in der Leiterplatte integrierte Bauteile oder Elektronikbauteile vermindert bzw. verhindert werden. Solche möglichen Störungen umfassen Umwelteinflüsse und/oder Störungen durch erzeugte Wärme, Kälte, mechanische Störungen und elektromagnetische Störungen.By using the flexible area of the circuit board, the flexibility during installation of the circuit board in the lithography system is significantly increased. This is particularly advantageous in light of the prevailing space limitations in the lithography system. Printed circuit boards are installed in the lithography system in a bent state. This advantageously reduces or prevents potential interference with components or electronic components integrated into the printed circuit board. Such potential interference includes environmental influences and/or interference caused by generated heat, cold, mechanical interference, and electromagnetic interference.

Aufgrund der Flexibilität der biegsamen Leiterplatte ist es in Applikationen möglich, die Länge notwendiger elektrischer Leitungen zur Verbindung der in dem Gehäuse der Leiterplatte vorgesehenen Bauteile und anderer Bauelemente, z. B. Aktor-/Sensoreinrichtungen, zu minimieren. Eine solche Minimierung der Länge der elektrischen Leitungen reduziert auch Signallauflängen und reduziert damit den Einfluss möglicher Störungen bei der Datenübertragung und der Ansteuerung.Due to the flexibility of the flexible circuit board, it is possible to minimize the length of the electrical wires required to connect the components housed in the circuit board housing and other components, such as actuator/sensor devices. Such a minimization of the length of the electrical wires also reduces signal run lengths, thus reducing the impact of potential interference during data transmission and control.

Das optische System ist bevorzugt eine Projektionsoptik der Lithographieanlage oder Projektionsbelichtungsanlage. Das optische System kann jedoch auch ein Beleuchtungssystem sein. Die Projektionsbelichtungsanlage kann eine EUV-Lithographieanlage sein. EUV steht für „Extreme Ultraviolet“ und bezeichnet eine Wellenlänge des Arbeitslichts zwischen 0,1 nm und 30 nm. Die Projektionsbelichtungsanlage kann auch eine DUV-Lithographieanlage sein. DUV steht für „Deep Ultraviolet“ und bezeichnet eine Wellenlänge des Arbeitslichts zwischen 30 nm und 465 nm.The optical system is preferably a projection optics system of the lithography system or projection exposure system. However, the optical system can also be an illumination system. The projection exposure system can be an EUV lithography system. EUV stands for "Extreme Ultraviolet" and refers to a wavelength of the working light between 0.1 nm and 30 nm. The projection exposure system can also be a DUV lithography system. DUV stands for "Deep Ultraviolet" and refers to a wavelength of the working light between 30 nm and 465 nm.

Gemäß einer Ausführungsform weist die Leiterplatte eine Mehrzahl N von das Verbundmaterial ausbildenden, parallel angeordneten Lagen umfassend zwei außenliegende Lagen und N-2 zwischen den beiden außenliegenden Lagen angeordnete innenliegende Lagen auf, mit N ≥ 3. Dabei sind die N-2 innenliegenden Lagen durch eine alternierende Folge von Leiterschichten und Isolatorschichten gebildet. Die jeweilige Lage kann selbst durch mehrere Lagen gebildet sein.According to one embodiment, the printed circuit board comprises a plurality N of parallel layers forming the composite material, comprising two outer layers and N-2 inner layers arranged between the two outer layers, with N ≥ 3. The N-2 inner layers are formed by an alternating sequence of conductor layers and insulator layers. The respective layer can itself be formed by multiple layers.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform sind die N-2 innenliegenden Lagen durch eine alternierende Folge von Metallschichten oder Metallstrukturen und Isolatorschichten gebildet. Die Metallschichten sind beispielsweise aus Kupfer gebildet. Die Isolatorschichten sind beispielsweise aus einem Glasfasersubstrat oder aus einem Epoxidharz gebildet. Gemäß einer weiteren Ausführungsform sind die außenliegenden Lagen als zur Wärmespreizung geeignete Metallschichten ausgebildet. Die jeweilige außenliegende Lage oder Schicht kann auch als Isolationsschicht, bevorzugt als ausgasungsfeste Plastikfolie, oder als ein Lack ausgebildet sein.According to a further embodiment, the N-2 inner layers are formed by an alternating sequence of metal layers or metal structures and insulator layers. The metal layers are formed, for example, from copper. The insulator layers are formed, for example, from a glass fiber substrate or an epoxy resin. According to a further embodiment, the outer layers are formed as metal layers suitable for heat spreading. The respective outer layer or layer can also be formed as an insulation layer, preferably as an outgassing-resistant plastic film, or as a varnish.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist die Leiterschleife derart in dem biegsamen Bereich angeordnet, dass sie zum Erfassen eines zu der Breite des biegsamen Bereichs parallelen Magnetfelds geeignet ist. Simulationen der Anmelderin zeigen eine deutlich höhere Empfindlichkeit zwischen den über die Leiterkarte übertragenen Signalen und Magnetfeldern, die parallel zur Breite des flexiblen oder biegsamen Bereich der Leiterplatte verlaufen. Folglich ist es in Ausführungsformen vorteilhaft, die Leiterschleife derart in der Leiterplatte anzuordnen, dass sie solche parallel zu der Breite des biegsamen Bereichs verlaufende Magnetfelder erfassen kann.According to a further embodiment, the conductor loop is arranged in the flexible region such that it is suitable for detecting a magnetic field parallel to the width of the flexible region. Simulations by the applicant show a significantly higher sensitivity between the signals transmitted via the circuit board and magnetic fields that run parallel to the width of the flexible or bendable region of the circuit board. Consequently, in embodiments, it is advantageous to arrange the conductor loop in the circuit board such that it can detect such magnetic fields running parallel to the width of the flexible region.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist die Leiterschleife durch eine erste Leiterschicht der N-2 innenliegenden Lagen, durch eine zweite Leiterschicht der N-2 innenliegenden Lagen und einen die erste Leiterschicht und die zweite Leiterschicht verbindenden Leiter gebildet.According to a further embodiment, the conductor loop is formed by a first conductor layer of the N-2 inner layers, by a second conductor layer of the N-2 inner layers and by a conductor connecting the first conductor layer and the second conductor layer.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform sind die erste Leiterschicht und die zweite Leiterschicht zwei benachbarte Leiterschichten der N-2 innenliegenden Lagen. Diese sind bevorzugt im äußeren Bereich des Stapels aus den N-2 innenliegenden Lagen angeordnet.According to a further embodiment, the first conductor layer and the second conductor layer are two adjacent conductor layers of the N-2 inner layers. These are preferably arranged in the outer region of the stack of the N-2 inner layers.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform verbindet der Leiter ein erstes Ende der ersten Leiterschicht und ein dem ersten Ende in dem Stapel der N-2 innenliegenden Lagen gegenüberliegendes erstes Ende der zweiten Leiterschicht. Der Leiter ist vorzugsweise senkrecht zu der ersten Leiterschicht und der zweiten Leiterschicht angeordnet.According to a further embodiment, the conductor connects a first end of the first conductor layer and a first end of the second conductor layer opposite the first end in the stack of N-2 inner layers. The conductor is preferably arranged perpendicular to the first conductor layer and the second conductor layer.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist ein Voltmeter mit der Leiterschleife gekoppelt, welches dazu eingerichtet ist, eine durch das auf den biegsamen Bereich der Leiterplatte wirkende Magnetfeld induzierte elektrische Spannung zu messen.According to a further embodiment, a voltmeter is coupled to the conductor loop, which is configured to measure an electrical voltage induced by the magnetic field acting on the flexible region of the circuit board.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist der biegsame Bereich eine Anzahl M von Schlitzen zur Erhöhung der Biegsamkeit des biegsamen Bereichs auf, mit M ≥ 1. Dabei wird der biegsame Bereich durch die M Schlitze in eine Mehrzahl M+1 von Fingern unterteilt.According to a further embodiment, the flexible region has a number M of slots for increasing the flexibility of the flexible region, with M ≥ 1. The flexible region is divided by the M slots into a plurality M+1 of fingers.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist jeder der M+1 Finger eine jeweilige Leiterschleife zum Erfassen des auf den biegsamen Bereich wirkenden Magnetfelds auf. Je kleiner die von der Leiterschleife umschlossene Fläche ist, desto kleiner ist der magnetische Fluss und damit die gemessene induzierte Spannung. Bei sehr kleinen Flächen und damit sehr kleinen induzierten Spannungen wird der relative Fehler größer. Um den relativen Fehler zu verringern, wird vorzugsweise in jedem Finger eine Leiterschleife verbaut, und die Leiterschleifen werden vorzugsweise in Reihe geschaltet, so dass sich die Gesamtfläche vergrößert.According to a further embodiment, each of the M+1 fingers has a respective conductor loop for detecting the magnetic field acting on the flexible region. The smaller the area enclosed by the conductor loop, the smaller the magnetic flux and thus the measured induced voltage. For very small areas and thus very small induced voltages, the relative error becomes larger. To reduce the relative error, a conductor loop is preferably installed in each finger. and the conductor loops are preferably connected in series, so that the total area is increased.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform sind die M+1 Leiterschleifen der M+1 Finger mit einem Voltmeter gekoppelt. Das Voltmeter ist dazu eingerichtet, die in den Leiterschleifen durch das auf den biegsamen Bereich wirkende Magnetfeld induzierten elektrischen Spannungen zu messen.According to a further embodiment, the M+1 conductor loops of the M+1 fingers are coupled to a voltmeter. The voltmeter is configured to measure the electrical voltages induced in the conductor loops by the magnetic field acting on the flexible region.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist jede der M+1 Leiterschleifen der M+1 Finger mit einem jeweiligen Voltmeter gekoppelt, wobei das jeweilige Voltmeter dazu eingerichtet ist, die in der zugeordneten Leiterschleife durch das auf den biegsamen Bereich wirkende Magnetfeld induzierte elektrische Spannung zu messen. Basierend auf separaten Messungen des magnetischen Flusses durch induzierte Spannungen in den Leiterschleifen und anschließender software-basierter Kompensation durch eine Recheneinheit kann eine Verringerung von Fehlern durch äußere Einflüsse erreicht werden.According to a further embodiment, each of the M+1 conductor loops of the M+1 fingers is coupled to a respective voltmeter, wherein the respective voltmeter is configured to measure the electrical voltage induced in the associated conductor loop by the magnetic field acting on the flexible region. Based on separate measurements of the magnetic flux by induced voltages in the conductor loops and subsequent software-based compensation by a computing unit, a reduction of errors due to external influences can be achieved.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform umfasst das optische System eine Mehrzahl X von einer aus einem Verbundmaterial gebildeten Leiterplatten, mit X ≥ 2. Dabei weist die jeweilige Leiterplatte einen biegsamen Bereich auf, welcher eine Leiterschleife zum Erfassen eines auf den biegsamen Bereich wirkenden Magnetfelds aufweist. Die X Leiterschleifen der X Leiterplatten sind mittels Leiter miteinander verbunden.According to a further embodiment, the optical system comprises a plurality X of printed circuit boards formed from a composite material, with X ≥ 2. Each printed circuit board has a flexible region with a conductor loop for detecting a magnetic field acting on the flexible region. The X conductor loops of the X printed circuit boards are connected to one another by conductors.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform hat die Leiterplatte einen ersten starren Bereich und einen zweiten starren Bereich. Dabei ist der biegsame Bereich zwischen dem ersten starren Bereich und dem zweiten starren Bereich angeordnet, wobei die Leiterschleife derart in dem biegsamen Bereich angeordnet ist, dass sie zum Erfassen eines zu der Breite des biegsamen Bereichs senkrechten Magnetfelds geeignet ist. Insbesondere ist dabei die Leiterschleife vorzugsweise über die gesamte Breite des biegsamen Bereichs verlegt, um die bei der Ermittlung des Magnetfelds genutzte Fläche zu maximieren. Der Grund hierfür liegt darin, dass für sehr kleine Bereiche und damit sehr kleine induzierte Spannungen der relative Fehler größer wird, was vorliegend durch die Verlegung der Leiterschleife über die gesamte Breite des biegsamen Bereichs vorteilhafterweise verringert wird.According to a further embodiment, the circuit board has a first rigid region and a second rigid region. The flexible region is arranged between the first rigid region and the second rigid region, wherein the conductor loop is arranged in the flexible region such that it is suitable for detecting a magnetic field perpendicular to the width of the flexible region. In particular, the conductor loop is preferably laid across the entire width of the flexible region in order to maximize the area used in determining the magnetic field. The reason for this is that for very small regions and thus very small induced voltages, the relative error becomes larger, which is advantageously reduced in the present case by laying the conductor loop across the entire width of the flexible region.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist das optische System ein Vakuumgehäuse auf, in welchem die Leiterplatte angeordnet ist.According to a further embodiment, the optical system comprises a vacuum housing in which the circuit board is arranged.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist das Vakuumgehäuse derart ausgelegt, dass in seinem Innenraum ein Druck von 1013,25 hPa bis 10-3 hPa herrscht. Dieser Druckbereich kann als Normaldruck bis Feinvakuum bezeichnet werden. According to a further embodiment, the vacuum housing is designed such that a pressure of 1013.25 hPa to 10 -3 hPa prevails in its interior. This pressure range can be referred to as normal pressure to fine vacuum.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist das Vakuumgehäuse derart ausgelegt, dass in seinem Innenraum ein Druck von 10-3 bis 10-8 hPa herrscht. Dieser Druckbereich kann als Feinvakuum bis Hochvakuum bezeichnet werden.According to a further embodiment, the vacuum housing is designed such that a pressure of 10 -3 to 10 -8 hPa prevails in its interior. This pressure range can be referred to as a fine vacuum to high vacuum.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist das Vakuumgehäuse derart ausgelegt, dass in seinem Innenraum ein Druck von 10-8 bis 10-11 hPa herrscht. Dieser Druckbereich kann als Hochvakuum bis extremes hohes Vakuum bezeichnet werden.According to a further embodiment, the vacuum housing is designed such that a pressure of 10 -8 to 10 -11 hPa prevails in its interior. This pressure range can be referred to as high vacuum to extremely high vacuum.

In Ausführungsformen kann in einem Innenbereich der Leiterplatte ein vakuumdichtes Gehäuse durch das Verbundmaterial gebildet sein, in welchem eine Anzahl von aktiven und/oder passiven Bauteilen angeordnet ist.In embodiments, a vacuum-tight housing in an interior region of the circuit board can be formed by the composite material, in which a number of active and/or passive components are arranged.

Die aktiven und/oder passiven Bauteile können auch als aktive und/oder passive Bauelemente, siliziumbasierte Elemente, elektronische Bauteile oder Elektronikbauteile bezeichnet werden. In Ausführungsformen umfasst die Anzahl aktiver und/oder passiver Bauteile eine integrierte Schaltung, einen Prozessor, einen Mikroprozessor, einen FPGA, einen Analog-Digital-Wandler, einen Digital-Analog-Wandler, einen Transistor, insbesondere einen MOSFET, ein siliziumbasiertes Bauelement, einen Kondensator, einen Widerstand und/oder eine Induktivität.The active and/or passive components may also be referred to as active and/or passive components, silicon-based elements, electronic components, or electronic components. In embodiments, the number of active and/or passive components includes an integrated circuit, a processor, a microprocessor, an FPGA, an analog-to-digital converter, a digital-to-analog converter, a transistor, in particular a MOSFET, a silicon-based component, a capacitor, a resistor, and/or an inductor.

Durch Einbetten des vakuumdichten Gehäuses im Innenbereich der Leiterplatte können die aktiven und/oder passiven Bauteile ohne den Einfluss des anliegenden/umliegenden Vakuums auch im Vakuumgehäuse des optischen Systems untergebracht werden. Dabei bildet das Verbundmaterial der Leiterplatte das vakuumdichte Gehäuse aus, welches die Anzahl von aktiven und/oder passiven Bauelementen insbesondere vollständig und luftleer oder in einer kontrollierten Atmosphäre umhüllt.By embedding the vacuum-tight housing inside the circuit board, the active and/or passive components can be housed in the vacuum housing of the optical system without the influence of the adjacent/surrounding vacuum. The composite material of the circuit board forms the vacuum-tight housing, which completely encloses the active and/or passive components, either in a vacuum or in a controlled atmosphere.

Dadurch, dass vorliegend elektronische Logik basierend auf den aktiven und/oder passiven Bauteilen auf engstem Bauraum und lokal nahe an den optischen Elementen der Lithographieanlage im Vakuumgehäuse verbaut werden kann, können elektrische Signale lokal nah weiterverarbeitet werden. Die hierdurch gewonnene Reduzierung notwendiger Signallauflängen und Signalschnittstellen in und aus dem System heraus hat Vorteile in Bezug auf den notwendigen Energieeintrag und das Signal-Rausch-Verhältnis. Des Weiteren können in Applikationen elektrisch gewandelte Signale mit den in der Leiterplatte eingebetteten Bauteilen für lange Übertragungsstrecken im Vakuumbereich bereitgestellt werden. Ferner werden vorteilhaft durch die vorgeschlagene Leiterplatte mit dem integrierten vakuumdichten Gehäuse für Elektronikbauteile keine zusätzlichen mechanischen Trennelemente zwischen Vakuum und Nicht-Vakuum benötigt, insbesondere herkömmlich notwendige Metallgehäuse fallen weg.Because electronic logic based on active and/or passive components can be installed in the vacuum housing in the smallest possible space and close to the optical elements of the lithography system, electrical signals can be further processed locally. The resulting reduction in the required signal path lengths and signal interfaces in and out of the system has advantages in terms of the required energy input and the signal-to-noise ratio. Furthermore, in applications, electrically converted signals can be provided for long transmission distances in the vacuum range using the components embedded in the circuit board. Furthermore, the proposed circuit board with the integrated vacuum-tight housing for electronic components advantageously eliminates the need for additional mechanical separating elements between vacuum and non-vacuum, in particular, the conventionally required metal housings.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist der biegsame Bereich der Leiterplatte in einem gebogenen Zustand in dem optischen System angeordnet, insbesondere verbaut. Ein solcher gebogener Zustand bringt in Applikationen bauraumspezifische Vorteile. Ferner können durch den gebogenen Zustand vorteilhafterweise mögliche Störungen auf eine mit der integrierten Schaltung verbundene Aktor-/Sensor-Einrichtung vermindert bzw. verhindert werden.According to a further embodiment, the flexible region of the circuit board is arranged, in particular installed, in a bent state in the optical system. Such a bent state provides space-specific advantages in applications. Furthermore, the bent state can advantageously reduce or prevent potential interference with an actuator/sensor device connected to the integrated circuit.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform umfasst das optische System eine Anzahl von Aktor-/Sensor-Einrichtungen, welche mit der Leiterplatte elektrisch verbunden sind. Die jeweilige Aktor-/Sensor-Einrichtung ist beispielsweise ein Aktuator (oder Aktor) zum Aktuieren eines optischen Elements, ein Sensor zum Sensieren eines optischen Elements oder einer Umgebung in dem optischen System oder eine Aktor- und Sensor-Einrichtung zum Aktuieren und Sensieren in dem optischen System. Der Sensor ist beispielsweise ein Temperatursensor. Der Aktuator ist vorzugsweise ein den elektrostriktiven Effekt einsetzender Aktuator oder ein den piezoelektrischen Effekt einsetzender Aktuator, beispielsweise ein PMN-Aktuator (PMN; Blei-Magnesium-Niobate) oder ein PZT-Aktuator (PZT; Blei-Zirkonat-Titanate). Der Aktuator ist insbesondere dazu eingerichtet, ein optisches Element des optischen Systems zu aktuieren. Beispiele für ein solches optisches Element umfassen Linsen, Spiegel und adaptive Spiegel.According to a further embodiment, the optical system comprises a number of actuator/sensor devices that are electrically connected to the circuit board. The respective actuator/sensor device is, for example, an actuator (or actuator) for actuating an optical element, a sensor for sensing an optical element or an environment in the optical system, or an actuator and sensor device for actuating and sensing in the optical system. The sensor is, for example, a temperature sensor. The actuator is preferably an actuator using the electrostrictive effect or an actuator using the piezoelectric effect, for example a PMN actuator (PMN; lead magnesium niobate) or a PZT actuator (PZT; lead zirconate titanate). The actuator is, in particular, configured to actuate an optical element of the optical system. Examples of such an optical element include lenses, mirrors, and adaptive mirrors.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist das optische System als eine Beleuchtungsoptik oder als eine Projektionsoptik einer Lithographieanlage ausgebildet.According to a further embodiment, the optical system is designed as an illumination optics or as a projection optics of a lithography system.

Gemäß einem zweiten Aspekt wird eine Lithographieanlage vorgeschlagen, welche ein optisches System gemäß dem ersten Aspekt oder gemäß einer der Ausführungsformen des ersten Aspekts aufweist.According to a second aspect, a lithography system is proposed which has an optical system according to the first aspect or according to one of the embodiments of the first aspect.

„Ein“ ist vorliegend nicht zwingend als beschränkend auf genau ein Element zu verstehen. Vielmehr können auch mehrere Elemente, wie beispielsweise zwei, drei oder mehr, vorgesehen sein. Auch jedes andere hier verwendete Zählwort ist nicht dahingehend zu verstehen, dass eine Beschränkung auf genau die genannte Anzahl von Elementen gegeben ist. Vielmehr sind zahlenmäßige Abweichungen nach oben und nach unten möglich, soweit nichts Gegenteiliges angegeben ist.In this case, "one" is not necessarily limited to exactly one element. Rather, multiple elements, such as two, three, or more, may also be included. Any other counting term used here should also not be understood as implying a limitation to the exact number of elements stated. Rather, numerical deviations, both upward and downward, are possible unless otherwise stated.

Weitere mögliche Implementierungen der Erfindung umfassen auch nicht explizit genannte Kombinationen von zuvor oder im Folgenden bezüglich der Ausführungsbeispiele beschriebenen Merkmalen oder Ausführungsformen. Dabei wird der Fachmann auch Einzelaspekte als Verbesserungen oder Ergänzungen zu der jeweiligen Grundform der Erfindung hinzufügen.Further possible implementations of the invention also include combinations of features or embodiments described above or below with respect to the exemplary embodiments that are not explicitly mentioned. In this case, the person skilled in the art will also add individual aspects as improvements or additions to the respective basic form of the invention.

Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen und Aspekte der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche sowie der im Folgenden beschriebenen Ausführungsbeispiele der Erfindung. Im Weiteren wird die Erfindung anhand von bevorzugten Ausführungsformen unter Bezugnahme auf die beigelegten Figuren näher erläutert.

  • 1 zeigt einen schematischen Meridionalschnitt einer Projektionsbelichtungsanlage für eine EUV-Projektionslithographie;
  • 2A zeigt eine schematische Schnittansicht einer ersten Ausführungsform einer Leiterplatte eines optischen Systems;
  • 2B zeigt eine zu der 2A orthogonale schematische Schnittansicht der ersten Ausführungsform der Leiterplatte;
  • 3A zeigt eine schematische Schnittansicht einer zweiten Ausführungsform einer Leiterplatte eines optischen Systems;
  • 3B zeigt eine zu der 3A orthogonale schematische Schnittansicht der zweiten Ausführungsform der Leiterplatte;
  • 4A zeigt eine schematische Schnittansicht einer dritten Ausführungsform einer Leiterplatte eines optischen Systems;
  • 4B zeigt eine zu der 4A orthogonale schematische Schnittansicht der dritten Ausführungsform der Leiterplatte;
  • 5 zeigt eine schematische Schnittansicht einer vierten Ausführungsform einer Leiterplatte eines optischen Systems; und
  • 6 zeigt eine schematische Schnittansicht einer Ausführungsform eines optischen Systems mit einer Mehrzahl von Leiterplatten.
Further advantageous embodiments and aspects of the invention are the subject of the dependent claims and the exemplary embodiments of the invention described below. The invention will be explained in more detail below using preferred embodiments with reference to the accompanying figures.
  • 1 shows a schematic meridional section of a projection exposure system for EUV projection lithography;
  • 2A shows a schematic sectional view of a first embodiment of a circuit board of an optical system;
  • 2B shows one to the 2A orthogonal schematic sectional view of the first embodiment of the printed circuit board;
  • 3A shows a schematic sectional view of a second embodiment of a circuit board of an optical system;
  • 3B shows one to the 3A orthogonal schematic sectional view of the second embodiment of the printed circuit board;
  • 4A shows a schematic sectional view of a third embodiment of a circuit board of an optical system;
  • 4B shows one to the 4A orthogonal schematic sectional view of the third embodiment of the printed circuit board;
  • 5 shows a schematic sectional view of a fourth embodiment of a circuit board of an optical system; and
  • 6 shows a schematic sectional view of an embodiment of an optical system with a plurality of circuit boards.

In den Figuren sind gleiche oder funktionsgleiche Elemente mit denselben Bezugszeichen versehen worden, soweit nichts Gegenteiliges angegeben ist. Ferner sollte beachtet werden, dass die Darstellungen in den Figuren nicht notwendigerweise maßstabsgerecht sind.In the figures, identical or functionally equivalent elements are provided with the same reference numerals unless otherwise stated. Furthermore, it should be noted that the representations in the figures are not necessarily to scale.

1 zeigt eine Ausführungsform einer Projektionsbelichtungsanlage 1 (Lithographieanlage), insbesondere einer EUV-Lithographieanlage. Eine Ausführung eines Beleuchtungssystems 2 der Projektionsbelichtungsanlage 1 hat neben einer Licht- beziehungsweise Strahlungsquelle 3 eine Beleuchtungsoptik 4 zur Beleuchtung eines Objektfeldes 5 in einer Objektebene 6. Bei einer alternativen Ausführung kann die Lichtquelle 3 auch als ein zum sonstigen Beleuchtungssystem 2 separates Modul bereitgestellt sein. In diesem Fall umfasst das Beleuchtungssystem 2 die Lichtquelle 3 nicht. 1 shows an embodiment of a projection exposure system 1 (lithography system), in particular, an EUV lithography system. One embodiment of an illumination system 2 of the projection exposure system 1 has, in addition to a light or radiation source 3, an illumination optics 4 for illuminating an object field 5 in an object plane 6. In an alternative embodiment, the light source 3 can also be provided as a separate module from the remaining illumination system 2. In this case, the illumination system 2 does not include the light source 3.

Belichtet wird ein im Objektfeld 5 angeordnetes Retikel 7. Das Retikel 7 ist von einem Retikelhalter 8 gehalten. Der Retikelhalter 8 ist über einen Retikelverlagerungsantrieb 9, insbesondere in einer Scanrichtung, verlagerbar.A reticle 7 arranged in the object field 5 is exposed. The reticle 7 is held by a reticle holder 8. The reticle holder 8 can be displaced via a reticle displacement drive 9, in particular in a scanning direction.

In der 1 ist zur Erläuterung ein kartesisches Koordinatensystem mit einer x-Richtung x, einer y-Richtung y und einer z-Richtung z eingezeichnet. Die x-Richtung x verläuft senkrecht in die Zeichenebene hinein. Die y-Richtung y verläuft horizontal und die z-Richtung z verläuft vertikal. Die Scanrichtung verläuft in der 1 längs der y-Richtung y. Die z-Richtung z verläuft senkrecht zur Objektebene 6.In the 1 For explanation purposes, a Cartesian coordinate system is shown with an x-direction x, a y-direction y and a z-direction z. The x-direction x runs perpendicular to the plane of the drawing. The y-direction y runs horizontally and the z-direction z runs vertically. The scanning direction runs in the 1 along the y-direction y. The z-direction z runs perpendicular to the object plane 6.

Die Projektionsbelichtungsanlage 1 umfasst eine Projektionsoptik 10. Die Projektionsoptik 10 dient zur Abbildung des Objektfeldes 5 in ein Bildfeld 11 in einer Bildebene 12. Die Bildebene 12 verläuft parallel zur Objektebene 6. Alternativ ist auch ein von 0° verschiedener Winkel zwischen der Objektebene 6 und der Bildebene 12 möglich.The projection exposure system 1 comprises a projection optics 10. The projection optics 10 serves to image the object field 5 into an image field 11 in an image plane 12. The image plane 12 runs parallel to the object plane 6. Alternatively, an angle other than 0° between the object plane 6 and the image plane 12 is also possible.

Abgebildet wird eine Struktur auf dem Retikel 7 auf eine lichtempfindliche Schicht eines im Bereich des Bildfeldes 11 in der Bildebene 12 angeordneten Wafers 13. Der Wafer 13 wird von einem Waferhalter 14 gehalten. Der Waferhalter 14 ist über einen Waferverlagerungsantrieb 15 insbesondere längs der y-Richtung y verlagerbar. Die Verlagerung einerseits des Retikels 7 über den Retikelverlagerungsantrieb 9 und andererseits des Wafers 13 über den Waferverlagerungsantrieb 15 kann synchronisiert zueinander erfolgen.A structure on the reticle 7 is imaged onto a light-sensitive layer of a wafer 13 arranged in the image plane 12 in the region of the image field 11. The wafer 13 is held by a wafer holder 14. The wafer holder 14 can be displaced, in particular along the y-direction y, via a wafer displacement drive 15. The displacement of the reticle 7, on the one hand, via the reticle displacement drive 9, and the displacement of the wafer 13, on the other hand, via the wafer displacement drive 15, can be synchronized with each other.

Bei der Lichtquelle 3 handelt es sich um eine EUV-Strahlungsquelle. Die Lichtquelle 3 emittiert insbesondere EUV-Strahlung 16, welche im Folgenden auch als Nutzstrahlung, Beleuchtungsstrahlung oder Beleuchtungslicht bezeichnet wird. Die Nutzstrahlung 16 hat insbesondere eine Wellenlänge im Bereich zwischen 5 nm und 30 nm. Bei der Lichtquelle 3 kann es sich um eine Plasmaquelle handeln, zum Beispiel um eine LPP-Quelle (Engl.: Laser Produced Plasma, mit Hilfe eines Lasers erzeugtes Plasma) oder um eine DPP-Quelle (Engl.: Gas Discharged Produced Plasma, mittels Gasentladung erzeugtes Plasma). Es kann sich auch um eine synchrotronbasierte Strahlungsquelle handeln. Bei der Lichtquelle 3 kann es sich um einen Freie-Elektronen-Laser (Engl.: Free-Electron-Laser, FEL) handeln.The light source 3 is an EUV radiation source. The light source 3 emits, in particular, EUV radiation 16, which is also referred to below as useful radiation, illumination radiation, or illumination light. The useful radiation 16 has, in particular, a wavelength in the range between 5 nm and 30 nm. The light source 3 can be a plasma source, for example an LPP source (Laser Produced Plasma) or a DPP source (Gas Discharged Produced Plasma). It can also be a synchrotron-based radiation source. The light source 3 can be a free-electron laser (FEL).

Die Beleuchtungsstrahlung 16, die von der Lichtquelle 3 ausgeht, wird von einem Kollektor 17 gebündelt. Bei dem Kollektor 17 kann es sich um einen Kollektor mit einer oder mit mehreren ellipsoidalen und/oder hyperboloiden Reflexionsflächen handeln. Die mindestens eine Reflexionsfläche des Kollektors 17 kann im streifenden Einfall (Engl.: Grazing Incidence, GI), also mit Einfallswinkeln größer als 45°, oder im normalen Einfall (Engl.: Normal Incidence, NI), also mit Einfallwinkeln kleiner als 45°, mit der Beleuchtungsstrahlung 16 beaufschlagt werden. Der Kollektor 17 kann einerseits zur Optimierung seiner Reflektivität für die Nutzstrahlung und andererseits zur Unterdrückung von Falschlicht strukturiert und/oder beschichtet sein.The illumination radiation 16 emanating from the light source 3 is focused by a collector 17. The collector 17 can be a collector with one or more ellipsoidal and/or hyperboloidal reflection surfaces. The at least one reflection surface of the collector 17 can be exposed to the illumination radiation 16 at grazing incidence (GI), i.e., at angles of incidence greater than 45°, or at normal incidence (NI), i.e., at angles of incidence less than 45°. The collector 17 can be structured and/or coated, on the one hand, to optimize its reflectivity for the useful radiation and, on the other hand, to suppress stray light.

Nach dem Kollektor 17 propagiert die Beleuchtungsstrahlung 16 durch einen Zwischenfokus in einer Zwischenfokusebene 18. Die Zwischenfokusebene 18 kann eine Trennung zwischen einem Strahlungsquellenmodul, aufweisend die Lichtquelle 3 und den Kollektor 17, und der Beleuchtungsoptik 4 darstellen.After the collector 17, the illumination radiation 16 propagates through an intermediate focus in an intermediate focal plane 18. The intermediate focal plane 18 can represent a separation between a radiation source module, comprising the light source 3 and the collector 17, and the illumination optics 4.

Die Beleuchtungsoptik 4 umfasst einen Umlenkspiegel 19 und diesem im Strahlengang nachgeordnet einen ersten Facettenspiegel 20. Bei dem Umlenkspiegel 19 kann es sich um einen planen Umlenkspiegel oder alternativ um einen Spiegel mit einer über die reine Umlenkungswirkung hinaus bündelbeeinflussenden Wirkung handeln. Alternativ oder zusätzlich kann der Umlenkspiegel 19 als Spektralfilter ausgeführt sein, der eine Nutzlichtwellenlänge der Beleuchtungsstrahlung 16 von Falschlicht einer hiervon abweichenden Wellenlänge trennt. Sofern der erste Facettenspiegel 20 in einer Ebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet ist, die zur Objektebene 6 als Feldebene optisch konjugiert ist, wird dieser auch als Feldfacettenspiegel bezeichnet. Der erste Facettenspiegel 20 umfasst eine Vielzahl von einzelnen ersten Facetten 21, welche auch als Feldfacetten bezeichnet werden können. Von diesen ersten Facetten 21 sind in der 1 nur beispielhaft einige dargestellt.The illumination optics 4 comprises a deflecting mirror 19 and, downstream of this in the beam path, a first facet mirror 20. The deflecting mirror 19 can be a flat deflecting mirror or, alternatively, a mirror with a beam-influencing effect beyond the pure deflection effect. Alternatively or additionally, the deflecting mirror 19 can be designed as a spectral filter that separates a useful light wavelength of the illumination radiation 16 from stray light of a different wavelength. If the first facet mirror 20 is arranged in a plane of the illumination optics 4 that is optically conjugated to the object plane 6 as the field plane, it is also referred to as a field facet mirror. The first facet mirror 20 comprises a plurality of individual first facets 21, which can also be referred to as field facets. Of these first facets 21, 1 only a few examples are shown.

Die ersten Facetten 21 können als makroskopische Facetten ausgeführt sein, insbesondere als rechteckige Facetten oder als Facetten mit bogenförmiger oder teilkreisförmiger Randkontur. Die ersten Facetten 21 können als plane Facetten oder alternativ als konvex oder konkav gekrümmte Facetten ausgeführt sein.The first facets 21 can be designed as macroscopic facets, in particular as rectangular facets or as facets with an arcuate or partially circular edge contour. The first facets 21 can be designed as flat facets or, alternatively, as convexly or concavely curved facets.

Wie beispielsweise aus der DE 10 2008 009 600 A1 bekannt ist, können die ersten Facetten 21 selbst jeweils auch aus einer Vielzahl von Einzelspiegeln, insbesondere einer Vielzahl von Mikrospiegeln, zusammengesetzt sein. Der erste Facettenspiegel 20 kann insbesondere als mikroelektromechanisches System (MEMS-System) ausgebildet sein. Für Details wird auf die DE 10 2008 009 600 A1 verwiesen.As for example from the DE 10 2008 009 600 A1 is known, the first The first facet mirror 20 can be designed in particular as a microelectromechanical system (MEMS system). For details, refer to the DE 10 2008 009 600 A1 referred to.

Zwischen dem Kollektor 17 und dem Umlenkspiegel 19 verläuft die Beleuchtungsstrahlung 16 horizontal, also längs der y-Richtung y.Between the collector 17 and the deflecting mirror 19, the illumination radiation 16 runs horizontally, i.e. along the y-direction y.

Im Strahlengang der Beleuchtungsoptik 4 ist dem ersten Facettenspiegel 20 nachgeordnet ein zweiter Facettenspiegel 22. Sofern der zweite Facettenspiegel 22 in einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet ist, wird dieser auch als Pupillenfacettenspiegel bezeichnet. Der zweite Facettenspiegel 22 kann auch beabstandet zu einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet sein. In diesem Fall wird die Kombination aus dem ersten Facettenspiegel 20 und dem zweiten Facettenspiegel 22 auch als spekularer Reflektor bezeichnet. Spekulare Reflektoren sind bekannt aus der US 2006/0132747 A1 , der EP 1 614 008 B1 und der US 6,573,978 .In the beam path of the illumination optics 4, a second facet mirror 22 is arranged downstream of the first facet mirror 20. If the second facet mirror 22 is arranged in a pupil plane of the illumination optics 4, it is also referred to as a pupil facet mirror. The second facet mirror 22 can also be arranged at a distance from a pupil plane of the illumination optics 4. In this case, the combination of the first facet mirror 20 and the second facet mirror 22 is also referred to as a specular reflector. Specular reflectors are known from US 2006/0132747 A1 , the EP 1 614 008 B1 and the US 6,573,978 .

Der zweite Facettenspiegel 22 umfasst eine Mehrzahl von zweiten Facetten 23. Die zweiten Facetten 23 werden im Falle eines Pupillenfacettenspiegels auch als Pupillenfacetten bezeichnet.The second facet mirror 22 comprises a plurality of second facets 23. In the case of a pupil facet mirror, the second facets 23 are also referred to as pupil facets.

Bei den zweiten Facetten 23 kann es sich ebenfalls um makroskopische Facetten, die beispielsweise rund, rechteckig oder auch hexagonal berandet sein können, oder alternativ um aus Mikrospiegeln zusammengesetzte Facetten handeln. Diesbezüglich wird ebenfalls auf die DE 10 2008 009 600 A1 verwiesen.The second facets 23 can also be macroscopic facets, which can be round, rectangular or hexagonal, or alternatively facets composed of micromirrors. In this regard, reference is also made to the DE 10 2008 009 600 A1 referred to.

Die zweiten Facetten 23 können plane oder alternativ konvex oder konkav gekrümmte Reflexionsflächen aufweisen.The second facets 23 may have planar or alternatively convex or concave curved reflection surfaces.

Die Beleuchtungsoptik 4 bildet somit ein doppelt facettiertes System. Dieses grundlegende Prinzip wird auch als Wabenkondensor (Engl.: Fly's Eye Integrator) bezeichnet.The illumination optics 4 thus form a double-faceted system. This basic principle is also known as a fly's-eye integrator.

Es kann vorteilhaft sein, den zweiten Facettenspiegel 22 nicht exakt in einer Ebene, welche zu einer Pupillenebene der Projektionsoptik 10 optisch konjugiert ist, anzuordnen. Insbesondere kann der zweite Facettenspiegel 22 gegenüber einer Pupillenebene der Projektionsoptik 10 verkippt angeordnet sein, wie es zum Beispiel in der DE 10 2017 220 586 A1 beschrieben ist.It may be advantageous not to arrange the second facet mirror 22 exactly in a plane that is optically conjugate to a pupil plane of the projection optics 10. In particular, the second facet mirror 22 may be arranged tilted relative to a pupil plane of the projection optics 10, as is shown, for example, in the DE 10 2017 220 586 A1 described.

Mit Hilfe des zweiten Facettenspiegels 22 werden die einzelnen ersten Facetten 21 in das Objektfeld 5 abgebildet. Der zweite Facettenspiegel 22 ist der letzte bündelformende oder auch tatsächlich der letzte Spiegel für die Beleuchtungsstrahlung 16 im Strahlengang vor dem Objektfeld 5.With the help of the second facet mirror 22, the individual first facets 21 are imaged into the object field 5. The second facet mirror 22 is the last bundle-forming mirror or actually the last mirror for the illumination radiation 16 in the beam path before the object field 5.

Bei einer weiteren, nicht dargestellten Ausführung der Beleuchtungsoptik 4 kann im Strahlengang zwischen dem zweiten Facettenspiegel 22 und dem Objektfeld 5 eine Übertragungsoptik angeordnet sein, die insbesondere zur Abbildung der ersten Facetten 21 in das Objektfeld 5 beiträgt. Die Übertragungsoptik kann genau einen Spiegel, alternativ aber auch zwei oder mehr Spiegel aufweisen, welche hintereinander im Strahlengang der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet sind. Die Übertragungsoptik kann insbesondere einen oder zwei Spiegel für senkrechten Einfall (NI-Spiegel, Normal Incidence Spiegel) und/oder einen oder zwei Spiegel für streifenden Einfall (GI-Spiegel, Grazing Incidence Spiegel) umfassen.In a further embodiment of the illumination optics 4 (not shown), a transmission optics can be arranged in the beam path between the second facet mirror 22 and the object field 5, which transmission optics contributes in particular to the imaging of the first facets 21 into the object field 5. The transmission optics can have exactly one mirror, but alternatively also two or more mirrors, which are arranged one behind the other in the beam path of the illumination optics 4. The transmission optics can in particular comprise one or two mirrors for normal incidence (NI mirrors, normal incidence mirrors) and/or one or two mirrors for grazing incidence (GI mirrors, grazing incidence mirrors).

Die Beleuchtungsoptik 4 hat bei der Ausführung, die in der 1 gezeigt ist, nach dem Kollektor 17 genau drei Spiegel, nämlich den Umlenkspiegel 19, den ersten Facettenspiegel 20 und den zweiten Facettenspiegel 22.The illumination optics 4 has in the version shown in the 1 As shown, after the collector 17 there are exactly three mirrors, namely the deflection mirror 19, the first facet mirror 20 and the second facet mirror 22.

Bei einer weiteren Ausführung der Beleuchtungsoptik 4 kann der Umlenkspiegel 19 auch entfallen, so dass die Beleuchtungsoptik 4 nach dem Kollektor 17 dann genau zwei Spiegel aufweisen kann, nämlich den ersten Facettenspiegel 20 und den zweiten Facettenspiegel 22.In a further embodiment of the illumination optics 4, the deflection mirror 19 can also be omitted, so that the illumination optics 4 can then have exactly two mirrors after the collector 17, namely the first facet mirror 20 and the second facet mirror 22.

Die Abbildung der ersten Facetten 21 mittels der zweiten Facetten 23 beziehungsweise mit den zweiten Facetten 23 und einer Übertragungsoptik in die Objektebene 6 ist regelmäßig nur eine näherungsweise Abbildung.The imaging of the first facets 21 by means of the second facets 23 or with the second facets 23 and a transmission optics into the object plane 6 is usually only an approximate imaging.

Die Projektionsoptik 10 umfasst eine Mehrzahl von Spiegeln Mi, welche gemäß ihrer Anordnung im Strahlengang der Projektionsbelichtungsanlage 1 durchnummeriert sind.The projection optics 10 comprises a plurality of mirrors Mi, which are numbered according to their arrangement in the beam path of the projection exposure system 1.

Bei dem in der 1 dargestellten Beispiel umfasst die Projektionsoptik 10 sechs Spiegel M1 bis M6. Alternativen mit vier, acht, zehn, zwölf oder einer anderen Anzahl an Spiegeln Mi sind ebenso möglich. Bei der Projektionsoptik 10 handelt es sich um eine doppelt obskurierte Optik. Der vorletzte Spiegel M5 und der letzte Spiegel M6 haben jeweils eine Durchtrittsöffnung für die Beleuchtungsstrahlung 16. Die Projektionsoptik 10 hat eine bildseitige numerische Apertur, die größer ist als 0,5 und die auch größer sein kann als 0,6 und die beispielsweise 0,7 oder 0,75 betragen kann.In the 1 In the example shown, the projection optics 10 comprises six mirrors M1 to M6. Alternatives with four, eight, ten, twelve, or a different number of mirrors M1 are also possible. The projection optics 10 is a doubly obscured optic. The penultimate mirror M5 and the last mirror M6 each have a passage opening for the illumination radiation 16. The projection optics 10 has an image-side numerical aperture that is greater than 0.5 and can also be greater than 0.6, for example, 0.7 or 0.75.

Reflexionsflächen der Spiegel Mi können als Freiformflächen ohne Rotationssymmetrieachse ausgeführt sein. Alternativ können die Reflexionsflächen der Spiegel Mi als asphärische Flächen mit genau einer Rotationssymmetrieachse der Reflexionsflächenform gestaltet sein. Die Spiegel Mi können, genauso wie die Spiegel der Beleuchtungsoptik 4, hochreflektierende Beschichtungen für die Beleuchtungsstrahlung 16 aufweisen. Diese Beschichtungen können als Multilayer-Beschichtungen, insbesondere mit alternierenden Lagen aus Molybdän und Silizium, gestaltet sein.Reflecting surfaces of the mirrors Mi can be designed as free-form surfaces without rotational symmetry axis Alternatively, the reflection surfaces of the mirrors Mi can be designed as aspherical surfaces with exactly one axis of rotational symmetry of the reflection surface shape. The mirrors Mi, like the mirrors of the illumination optics 4, can have highly reflective coatings for the illumination radiation 16. These coatings can be designed as multilayer coatings, in particular with alternating layers of molybdenum and silicon.

Die Projektionsoptik 10 hat einen großen Objekt-Bildversatz in der y-Richtung y zwischen einer y-Koordinate eines Zentrums des Objektfeldes 5 und einer y-Koordinate des Zentrums des Bildfeldes 11. Dieser Objekt-Bild-Versatz in der y-Richtung y kann in etwa so groß sein wie ein z-Abstand zwischen der Objektebene 6 und der Bildebene 12.The projection optics 10 has a large object-image offset in the y-direction y between a y-coordinate of a center of the object field 5 and a y-coordinate of the center of the image field 11. This object-image offset in the y-direction y can be approximately as large as a z-distance between the object plane 6 and the image plane 12.

Die Projektionsoptik 10 kann insbesondere anamorphotisch ausgebildet sein. Sie weist insbesondere unterschiedliche Abbildungsmaßstäbe βx, βy in x- und y-Richtung x, y auf. Die beiden Abbildungsmaßstäbe βx, βy der Projektionsoptik 10 liegen bevorzugt bei (βx, βy) = (+/- 0,25, /+- 0,125). Ein positiver Abbildungsmaßstab β bedeutet eine Abbildung ohne Bildumkehr. Ein negatives Vorzeichen für den Abbildungsmaßstab β bedeutet eine Abbildung mit Bildumkehr.The projection optics 10 can, in particular, be anamorphic. It has, in particular, different magnifications βx, βy in the x and y directions x, y. The two magnifications βx, βy of the projection optics 10 are preferably (βx, βy) = (+/- 0.25, /+- 0.125). A positive magnification β means imaging without image inversion. A negative sign for the magnification β means imaging with image inversion.

Die Projektionsoptik 10 führt somit in x-Richtung x, das heißt in Richtung senkrecht zur Scanrichtung, zu einer Verkleinerung im Verhältnis 4:1.The projection optics 10 thus leads to a reduction in the ratio 4:1 in the x-direction x, i.e. in the direction perpendicular to the scanning direction.

Die Projektionsoptik 10 führt in y-Richtung y, das heißt in Scanrichtung, zu einer Verkleinerung von 8:1.The projection optics 10 leads to a reduction of 8:1 in the y-direction y, i.e. in the scanning direction.

Andere Abbildungsmaßstäbe sind ebenso möglich. Auch vorzeichengleiche und absolut gleiche Abbildungsmaßstäbe in x- und y-Richtung x, y, zum Beispiel mit Absolutwerten von 0,125 oder von 0,25, sind möglich.Other magnifications are also possible. Magnifications with the same sign and absolutely identical in the x and y directions (x, y), for example, with absolute values of 0.125 or 0.25, are also possible.

Die Anzahl von Zwischenbildebenen in der x- und in der y-Richtung x, y im Strahlengang zwischen dem Objektfeld 5 und dem Bildfeld 11 kann gleich sein oder kann, je nach Ausführung der Projektionsoptik 10, unterschiedlich sein. Beispiele für Projektionsoptiken mit unterschiedlichen Anzahlen derartiger Zwischenbilder in x- und y-Richtung x, y sind bekannt aus der US 2018/0074303 A1 . The number of intermediate image planes in the x- and y-directions x, y in the beam path between the object field 5 and the image field 11 can be the same or can be different, depending on the design of the projection optics 10. Examples of projection optics with different numbers of such intermediate images in the x- and y-directions x, y are known from US 2018/0074303 A1 .

Jeweils eine der zweiten Facetten 23 ist genau einer der ersten Facetten 21 zur Ausbildung jeweils eines Beleuchtungskanals zur Ausleuchtung des Objektfeldes 5 zugeordnet. Es kann sich hierdurch insbesondere eine Beleuchtung nach dem Köhlerschen Prinzip ergeben. Das Fernfeld wird mit Hilfe der ersten Facetten 21 in eine Vielzahl an Objektfeldern 5 zerlegt. Die ersten Facetten 21 erzeugen eine Mehrzahl von Bildern des Zwischenfokus auf den diesen jeweils zugeordneten zweiten Facetten 23.Each of the second facets 23 is assigned to exactly one of the first facets 21 to form a respective illumination channel for illuminating the object field 5. This can, in particular, result in illumination according to the Köhler principle. The far field is divided into a plurality of object fields 5 using the first facets 21. The first facets 21 generate a plurality of images of the intermediate focus on the second facets 23 assigned to them.

Die ersten Facetten 21 werden jeweils von einer zugeordneten zweiten Facette 23 einander überlagernd zur Ausleuchtung des Objektfeldes 5 auf das Retikel 7 abgebildet. Die Ausleuchtung des Objektfeldes 5 ist insbesondere möglichst homogen. Sie weist vorzugsweise einen Uniformitätsfehler von weniger als 2 % auf. Die Felduniformität kann über die Überlagerung unterschiedlicher Beleuchtungskanäle erreicht werden.The first facets 21 are each imaged onto the reticle 7 by an associated second facet 23, superimposed on one another, to illuminate the object field 5. The illumination of the object field 5 is, in particular, as homogeneous as possible. It preferably has a uniformity error of less than 2%. Field uniformity can be achieved by superimposing different illumination channels.

Durch eine Anordnung der zweiten Facetten 23 kann geometrisch die Ausleuchtung der Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 definiert werden. Durch Auswahl der Beleuchtungskanäle, insbesondere der Teilmenge der zweiten Facetten 23, die Licht führen, kann die Intensitätsverteilung in der Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 eingestellt werden. Diese Intensitätsverteilung wird auch als Beleuchtungssetting oder Beleuchtungspupillenfüllung bezeichnet.By arranging the second facets 23, the illumination of the entrance pupil of the projection optics 10 can be geometrically defined. By selecting the illumination channels, in particular the subset of the second facets 23 that guide light, the intensity distribution in the entrance pupil of the projection optics 10 can be adjusted. This intensity distribution is also referred to as the illumination setting or illumination pupil fill.

Eine ebenfalls bevorzugte Pupillenuniformität im Bereich definiert ausgeleuchteter Abschnitte einer Beleuchtungspupille der Beleuchtungsoptik 4 kann durch eine Umverteilung der Beleuchtungskanäle erreicht werden.A likewise preferred pupil uniformity in the area of defined illuminated sections of an illumination pupil of the illumination optics 4 can be achieved by redistributing the illumination channels.

Im Folgenden werden weitere Aspekte und Details der Ausleuchtung des Objektfeldes 5 sowie insbesondere der Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 beschrieben.Further aspects and details of the illumination of the object field 5 and in particular of the entrance pupil of the projection optics 10 are described below.

Die Projektionsoptik 10 kann insbesondere eine homozentrische Eintrittspupille aufweisen. Diese kann zugänglich sein. Sie kann auch unzugänglich sein.The projection optics 10 can, in particular, have a homocentric entrance pupil. This can be accessible. It can also be inaccessible.

Die Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 lässt sich regelmäßig mit dem zweiten Facettenspiegel 22 nicht exakt ausleuchten. Bei einer Abbildung der Projektionsoptik 10, welche das Zentrum des zweiten Facettenspiegels 22 telezentrisch auf den Wafer 13 abbildet, schneiden sich die Aperturstrahlen oftmals nicht in einem einzigen Punkt. Es lässt sich jedoch eine Fläche finden, in welcher der paarweise bestimmte Abstand der Aperturstrahlen minimal wird. Diese Fläche stellt die Eintrittspupille oder eine zu ihr konjugierte Fläche im Ortsraum dar. Insbesondere zeigt diese Fläche eine endliche Krümmung.The entrance pupil of the projection optics 10 cannot usually be precisely illuminated with the second facet mirror 22. When the projection optics 10 images the center of the second facet mirror 22 telecentrically onto the wafer 13, the aperture rays often do not intersect at a single point. However, a surface can be found in which the pairwise determined distance of the aperture rays is minimized. This surface represents the entrance pupil or a surface conjugate to it in spatial space. In particular, this surface exhibits a finite curvature.

Es kann sein, dass die Projektionsoptik 10 unterschiedliche Lagen der Eintrittspupille für den tangentialen und für den sagittalen Strahlengang aufweist. In diesem Fall sollte ein abbildendes Element, insbesondere ein optisches Bauelement der Übertragungsoptik, zwischen dem zweiten Facettenspiegel 22 und dem Retikel 7 bereitgestellt werden. Mit Hilfe dieses optischen Elements kann die unterschiedliche Lage der tangentialen Eintrittspupille und der sagittalen Eintrittspupille berücksichtigt werden.The projection optics may have 10 different entrance pupil positions for the tangential and sagittal beam paths. In this case, an imaging element ment, in particular an optical component of the transmission optics, between the second facet mirror 22 and the reticle 7. With the help of this optical element, the different positions of the tangential entrance pupil and the sagittal entrance pupil can be taken into account.

Bei der in der 1 dargestellten Anordnung der Komponenten der Beleuchtungsoptik 4 ist der zweite Facettenspiegel 22 in einer zur Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 konjugierten Fläche angeordnet. Der erste Facettenspiegel 20 ist verkippt zur Objektebene 6 angeordnet. Der erste Facettenspiegel 20 ist verkippt zu einer Anordnungsebene angeordnet, die vom Umlenkspiegel 19 definiert ist. Der erste Facettenspiegel 20 ist verkippt zu einer Anordnungsebene angeordnet, die vom zweiten Facettenspiegel 22 definiert ist.At the 1 In the illustrated arrangement of the components of the illumination optics 4, the second facet mirror 22 is arranged in a surface conjugate to the entrance pupil of the projection optics 10. The first facet mirror 20 is arranged tilted relative to the object plane 6. The first facet mirror 20 is arranged tilted relative to an arrangement plane defined by the deflection mirror 19. The first facet mirror 20 is arranged tilted relative to an arrangement plane defined by the second facet mirror 22.

2A zeigt eine schematische Schnittansicht einer ersten Ausführungsform einer Leiterplatte 200 eines optischen Systems 4, 10 für eine Lithographieanlage oder Projektionsbelichtungsanlage 1, wie sie beispielsweise in 1 gezeigt ist. Außerdem kann das optische System beispielweise auch in einer DUV-Lithographieanlage eingesetzt werden. Außerdem zeigt die 2B hierzu eine zu der 2A orthogonale schematische Schnittansicht der ersten Ausführungsform der Leiterplatte 200. 2A shows a schematic sectional view of a first embodiment of a circuit board 200 of an optical system 4, 10 for a lithography system or projection exposure system 1, as shown for example in 1 is shown. In addition, the optical system can also be used in a DUV lithography system, for example. In addition, the 2B for this purpose one to the 2A orthogonal schematic sectional view of the first embodiment of the circuit board 200.

Gemäß der 2A und 2B hat die Leiterplatte 200 einen biegsamen Bereich 211, welcher zwischen einem ersten starren Bereich 212 und einem zweiten starren Bereich 213 angeordnet ist. Der erste starre Bereich 212 und der zweite starre Bereich 213 sind beispielsweise jeweils als ein Steckverbinder ausgebildet. Der biegsame Bereich 211 bildet vorzugsweise einen flexiblen Teil zwischen den Steckverbindern 212, 213. Da die Leiterplatte 200 einen biegsamen Bereich 211 aufweist, der insbesondere deutlich länger ist als die starren Bereiche 212, 213 ist, kann die Leiterplatte 200 auch als Flex-PCB bezeichnet werden.According to the 2A and 2B The printed circuit board 200 has a flexible region 211, which is arranged between a first rigid region 212 and a second rigid region 213. The first rigid region 212 and the second rigid region 213 are each designed, for example, as a connector. The flexible region 211 preferably forms a flexible part between the connectors 212, 213. Since the printed circuit board 200 has a flexible region 211, which is in particular significantly longer than the rigid regions 212, 213, the printed circuit board 200 can also be referred to as a flex PCB.

Wie die 2A und 2B ferner zeigen, hat die Leiterplatte 200 eine Leiterschleife 220 zum Erfassen eines auf den biegsamen Bereich 211 wirkenden Magnetfelds By. Die Leiterplatte 200 ist aus einem Verbundmaterial gebildet. Vorzugsweise hat die Leiterplatte 200 eine Mehrzahl N von das Verbundmaterial ausbildenden, parallel angeordneten Lagen, mit N ≥ 3. Die parallel angeordneten Lagen umfassen zwei außenliegende Lagen und N-2 zwischen den beiden außenliegenden Lagen angeordnete innenliegende Lagen, wobei die N-2 innenliegenden Lagen durch eine alternierende Folge von Leiterschichten und Isolatorschichten gebildet sind.As the 2A and 2B As further shown, the circuit board 200 has a conductor loop 220 for detecting a magnetic field B y acting on the flexible region 211. The circuit board 200 is formed from a composite material. Preferably, the circuit board 200 has a plurality N of parallel layers forming the composite material, with N ≥ 3. The parallel layers comprise two outer layers and N-2 inner layers arranged between the two outer layers, wherein the N-2 inner layers are formed by an alternating sequence of conductor layers and insulator layers.

Wie die 2A und 2B ferner zeigen, ist die Leiterschleife 220 mit einem Voltmeter V gekoppelt. Das Voltmeter V ist dazu eingerichtet, eine durch das auf den biegsamen Bereich 211 der Leiterplatte 200 wirkende Magnetfeld By induzierte elektrische Spannung zu messen.As the 2A and 2B further show, the conductor loop 220 is coupled to a voltmeter V. The voltmeter V is configured to measure an electrical voltage induced by the magnetic field B y acting on the flexible region 211 of the circuit board 200.

Ferner umfasst das optische System 4,10 eine Recheneinheit (nicht gezeigt). Die Recheneinheit ist dazu eingerichtet, eine Magnetfeldänderung, insbesondere eine mittlere Magnetfeldänderung, in Abhängigkeit der gemessenen induzierten elektrischen Spannung zu ermitteln. Die ermittelte Magnetfeldänderung kann vorteilhafterweise dazu verwendet werden, um einen durch das Magnetfeld By verursachten magnetischen Fehler zu kompensieren.Furthermore, the optical system 4, 10 comprises a computing unit (not shown). The computing unit is configured to determine a magnetic field change, in particular an average magnetic field change, as a function of the measured induced electrical voltage. The determined magnetic field change can advantageously be used to compensate for a magnetic error caused by the magnetic field By .

In dem Ausführungsbeispiel der 2A und 2B ist die Leiterschleife 220 derart in dem biegsamen Bereich 211 angeordnet, dass sie zum Erfassen eines zu der Breite des biegsamen Bereichs 211 parallelen Magnetfelds By geeignet ist. Hierbei haben Simulationen der Anmelderin eine deutlich höhere Empfindlichkeit zwischen über die Leiterplatte 200 übertragenen Signalen und Magnetfeldern (By) gezeigt, welche parallel zur Breite des biegsamen Bereichs 211 verlaufen, als zu in anderen Richtungen verlaufenden Magnetfeldern.In the embodiment of the 2A and 2B The conductor loop 220 is arranged in the flexible region 211 such that it is suitable for detecting a magnetic field B y parallel to the width of the flexible region 211. Simulations by the applicant have shown a significantly higher sensitivity between signals transmitted via the circuit board 200 and magnetic fields (B y ) that run parallel to the width of the flexible region 211 than to magnetic fields running in other directions.

Beispielsweise ist die Leiterschleife 220 durch eine erste Leiterschleife 221 (siehe 2B) der N-2 innenliegenden Lagen, durch eine zweite Leiterschicht 222 (siehe 2B) der N-2 innenliegenden Lagen und einen die erste Leiterschicht 221 und die zweite Leiterschicht 222 verbindenden Leiter 223 gebildet. Mit anderen Worten können zwei übereinanderliegende Leiterbahnen der Flex-PCB 200 auf einer Seite über den Steckverbinder 212 kurzgeschlossen werden, um die Leiterschleife 220 zu bilden. Auf der anderen Seite kann die Spannung, welche in der Leiterschleife 220 induziert wird, mittels des angeschlossenen Voltmeters V gemessen werden.For example, the conductor loop 220 is connected by a first conductor loop 221 (see 2B) the N-2 inner layers, by a second conductor layer 222 (see 2B) of the N-2 inner layers and a conductor 223 connecting the first conductor layer 221 and the second conductor layer 222. In other words, two superimposed conductor tracks of the flex PCB 200 can be short-circuited on one side via the connector 212 to form the conductor loop 220. On the other side, the voltage induced in the conductor loop 220 can be measured using the connected voltmeter V.

Wie die 2A und 2B hierzu zeigen, können die erste Leiterschicht 221 und die zweite Leiterschicht 222 zwei benachbarten Leiterschichten der N-2 innenliegenden Lagen sein, welche bevorzugt im äußeren Bereich des Stapels aus den N-2 innenliegenden Lagen angeordnet sind. Dabei verbindet der Leiter 223 ein erstes Ende der ersten Leiterschicht 221 und ein dem ersten Ende in dem Stapel der N-2 innenliegenden Lagen gegenüberliegendes erstes Ende der zweiten Schicht 222 miteinander. Der Leiter 223 ist insbesondere senkrecht zu der ersten Leiterschicht 221 und der zweiten Leiterschicht 222 angeordnet.As the 2A and 2B As shown in the drawings, the first conductor layer 221 and the second conductor layer 222 can be two adjacent conductor layers of the N-2 inner layers, which are preferably arranged in the outer region of the stack of the N-2 inner layers. In this case, the conductor 223 connects a first end of the first conductor layer 221 and a first end of the second layer 222 opposite the first end in the stack of the N-2 inner layers. The conductor 223 is arranged, in particular, perpendicular to the first conductor layer 221 and the second conductor layer 222.

Wie die 2A ferner zeigt, weist der biegsame Bereich 211 eine Anzahl M von Schlitzen 231-235 zur Erhöhung der Biegsamkeit des biegsamen Bereichs 211 auf. Ohne Einschränkung der Allgemeinheit ist M = 5 in 2A. Durch die M Schlitze 231-235 wird der biegsame Bereich 211 in eine Mehrzahl M+1 von Fingern 241-246 unterteilt. Aus Gründen der Übersichtlichkeit sind in den weiteren Figuren die Finger nicht mehr mit den Bezugszeichen 241-246 versehen.As the 2A further shows, the flexible area 211 has a number M of slots 231-235 to increase the flexibility of the flexible men area 211. Without loss of generality, M = 5 in 2A The M slots 231-235 divide the flexible region 211 into a plurality of M+1 fingers 241-246. For reasons of clarity, the fingers are no longer provided with the reference numerals 241-246 in the subsequent figures.

Des Weiteren zeigt die 3A eine schematische Schnittansicht einer zweiten Ausführungsform einer Leiterplatte 200 eines optischen Systems 4,10, wobei die 3B eine zu der 3A orthogonale schematische Schnittansicht der zweiten Ausführungsform der Leiterplatte 200 zeigt. Die zweite Ausführungsform der Leiterplatte 200 nach den 3A und 3B unterscheidet sich von der ersten Ausführungsform nach den 2A und 2B insbesondere dahingehend, dass jeder der M+1 Finger 241-246 des biegsamen Bereichs 211 eine jeweilige Leiterschleife 220 zum Erfassen des auf den biegsamen Bereich 211 wirkenden Magnetfelds By umfasst. Ohne Einschränkung der Allgemeinheit ist M - wie in der 2A - auch in der 3A gleich 5. Damit hat der biegsame Bereich 211 der 3A fünf Schlitze 231-235 und sechs Finger. Dabei sind die sechs Leiterschleifen 220 der sechs Finger der 3A und 3B mit einem Voltmeter V gekoppelt. Das Voltmeter V ist dazu eingerichtet, die durch das in den Leiterschleifen 220 der sechs Finger auf den biegsamen Bereich 211 wirkende Magnetfeld By induzierten elektrischen Spannungen zu messen. In Abhängigkeit der gemessenen induzierten elektrischen Spannungen kann eine nicht dargestellte Recheneinheit eine Magnetfeldänderung, insbesondere eine mittlere Magnetfeldänderung, ermitteln. Die ermittelte Magnetfeldänderung kann vorteilhafterweise dazu verwendet werden, um einen durch das Magnetfeld By verursachten magnetischen Fehler zu kompensieren.Furthermore, the 3A a schematic sectional view of a second embodiment of a circuit board 200 of an optical system 4,10, wherein the 3B one to the 3A orthogonal schematic sectional view of the second embodiment of the printed circuit board 200. The second embodiment of the printed circuit board 200 according to the 3A and 3B differs from the first embodiment according to the 2A and 2B in particular in that each of the M+1 fingers 241-246 of the flexible region 211 comprises a respective conductor loop 220 for detecting the magnetic field B y acting on the flexible region 211. Without loss of generality, M - as in the 2A - also in the 3A equal to 5. Thus, the flexible area 211 of the 3A five slots 231-235 and six fingers. The six conductor loops 220 of the six fingers of the 3A and 3B coupled to a voltmeter V. The voltmeter V is configured to measure the electrical voltages induced by the magnetic field B y acting on the flexible region 211 in the conductor loops 220 of the six fingers. Depending on the measured induced electrical voltages, a computing unit (not shown) can determine a magnetic field change, in particular an average magnetic field change. The determined magnetic field change can advantageously be used to compensate for a magnetic error caused by the magnetic field B y .

Des Weiteren zeigt die 4A eine schematische Ansicht einer dritten Ausführungsform der Leiterplatte 200 eines optischen Systems 4, 10, wobei hierbei die 4B eine zu der 4A orthogonale schematische Schnittansicht der dritten Ausführungsform der Leiterplatte 200 zeigt. Die dritte Ausführungsform nach den 4A und 4B basiert auf der zweiten Ausführungsform nach den 3A und 3B und unterscheidet sich von dieser dadurch, dass jede der M+1 Leiterschleifen 220 mit einem jeweiligen Voltmeter V gekoppelt ist. Hierbei ist das jeweilige Voltmeter V dazu eingerichtet, die in der zugeordneten Leiterschleife 220 durch das auf den biegsamen Bereich 211 wirkende Magnetfeld By induzierte elektrische Spannung zu messen. Eine nicht dargestellte Recheneinheit kann dann die von den M+1 Voltmetern V bereitgestellten induzierten elektrischen Spannungen verwenden, um eine Magnetfeldänderung in dem biegsamen Bereich 211 zu ermitteln. Die ermittelte Magnetfeldänderung kann wiederum vorteilhafterweise dazu verwendet werden, um einen durch das Magnetfeld By verursachten magnetischen Fehler zu kompensieren.Furthermore, the 4A a schematic view of a third embodiment of the circuit board 200 of an optical system 4, 10, wherein the 4B one to the 4A orthogonal schematic sectional view of the third embodiment of the printed circuit board 200. The third embodiment according to the 4A and 4B is based on the second embodiment according to the 3A and 3B and differs from this in that each of the M+1 conductor loops 220 is coupled to a respective voltmeter V. Here, the respective voltmeter V is configured to measure the electrical voltage induced in the associated conductor loop 220 by the magnetic field B y acting on the flexible region 211. A computing unit (not shown) can then use the induced electrical voltages provided by the M+1 voltmeters V to determine a magnetic field change in the flexible region 211. The determined magnetic field change can in turn advantageously be used to compensate for a magnetic error caused by the magnetic field B y .

Die 5 zeigt eine schematische Schnittansicht einer vierten Ausführungsform einer Leiterplatte 200 eines optischen Systems 4, 10. In dem Beispiel der 5 ist das Magnetfeld Bz senkrecht zu der Breite des biegsamen Bereichs 211. Die Leiterschleife 220 ist gemäß 5 derart in dem biegsamen Bereich 211 angeordnet, dass sie zum Erfassen des zu der Breite des biegsamen Bereichs 211 senkrechten Magnetfelds Bz geeignet ist. Insbesondere ist dabei die Leiterschleife 220 vorzugsweise über die gesamte Breite des biegsamen Bereichs 211 verlegt, um die bei der Ermittlung des Magnetfeldes Bz genutzte Fläche zu maximieren. Der Grund hierfür liegt darin, dass für sehr kleine Bereiche und damit sehr kleine induzierte Spannungen der relative Fehler, insbesondere der Messfehler der Spannung, größer wird, was vorliegend durch die Verlegung der Leiterschleife 220, wie in 5 gezeigt, vorteilhafterweise verhindert wird.The 5 shows a schematic sectional view of a fourth embodiment of a circuit board 200 of an optical system 4, 10. In the example of 5 the magnetic field B z is perpendicular to the width of the flexible region 211. The conductor loop 220 is according to 5 arranged in the flexible region 211 such that it is suitable for detecting the magnetic field B z perpendicular to the width of the flexible region 211. In particular, the conductor loop 220 is preferably laid across the entire width of the flexible region 211 in order to maximize the area used in determining the magnetic field B z . The reason for this is that for very small regions and thus very small induced voltages, the relative error, in particular the measurement error of the voltage, becomes larger, which in the present case is achieved by laying the conductor loop 220 as in 5 shown, is advantageously prevented.

Des Weiteren zeigt 6 eine schematische Schnittansicht einer Ausführungsform eines optischen Systems 4, 10 mit einer Mehrzahl von Leiterplatten 200. Ohne Einschränkung der Allgemeinheit zeigt die 6 zwei Leiterplatten 200. Die jeweilige Leiterplatte 200 in der 6 ist gemäß der ersten Ausführungsform nach den 2A und 2B ausgebildet. Alternativ kann die jeweilige Leiterplatte 200 auch gemäß der zweiten Ausführungsform nach den 3A und 3B oder der dritten Ausführungsform nach den 4A und 4B oder der vierten Ausführungsform nach 5 ausgebildet sein.Furthermore, 6 a schematic sectional view of an embodiment of an optical system 4, 10 with a plurality of circuit boards 200. Without limiting the generality, the 6 two printed circuit boards 200. The respective printed circuit board 200 in the 6 is according to the first embodiment according to the 2A and 2B Alternatively, the respective circuit board 200 can also be designed according to the second embodiment according to the 3A and 3B or the third embodiment according to the 4A and 4B or the fourth embodiment according to 5 be trained.

Wie die 6 zeigt, sind die einzelnen Leiterschleifen 220 der mehreren Leiterplatten 200 mittels Leiter 251, 252 verbunden. Hierbei kann die induzierte Spannung einer Mehrzahl von Leiterplatten 200 durch die vorliegende Serienschaltung der 6 mittels eines einzigen Voltmeters V gemessen werden und, wie oben dargestellt, kompensiert werden.As the 6 shows, the individual conductor loops 220 of the plurality of circuit boards 200 are connected by means of conductors 251, 252. Here, the induced voltage of a plurality of circuit boards 200 can be determined by the present series connection of the 6 be measured using a single voltmeter V and compensated as shown above.

Obwohl die vorliegende Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen beschrieben wurde, ist sie vielfältig modifizierbar.Although the present invention has been described using exemplary embodiments, it can be modified in many ways.

BEZUGSZEICHENLISTELIST OF REFERENCE SYMBOLS

11
ProjektionsbelichtungsanlageProjection exposure system
22
Beleuchtungssystemlighting system
33
Lichtquellelight source
44
BeleuchtungsoptikLighting optics
55
ObjektfeldObject field
66
ObjektebeneObject level
77
RetikelReticle
88
RetikelhalterReticle holder
99
RetikelverlagerungsantriebReticle displacement drive
1010
ProjektionsoptikProjection optics
1111
BildfeldImage field
1212
BildebeneImage plane
1313
Waferwafers
1414
WaferhalterWafer holder
1515
WaferverlagerungsantriebWafer relocation drive
1616
BeleuchtungsstrahlungIllumination radiation
1717
Kollektorcollector
1818
ZwischenfokusebeneIntermediate focal plane
1919
UmlenkspiegelDeflecting mirror
2020
erster Facettenspiegelfirst faceted mirror
2121
erste Facettefirst facet
2222
zweiter Facettenspiegelsecond facet mirror
2323
zweite Facettesecond facet
100100
optisches Systemoptical system
200200
Leiterplattecircuit board
211211
biegsamer Bereich der Leiterplatteflexible area of the circuit board
212212
starrer Bereich der Leiterplatterigid area of the circuit board
213213
starrer Bereich der Leiterplatterigid area of the circuit board
220220
LeiterschleifeConductor loop
221221
erste Leiterschichtfirst conductor layer
222222
zweite Leiterschichtsecond conductor layer
223223
LeiterDirector
231231
Schlitzslot
232232
Schlitzslot
233233
Schlitzslot
234234
Schlitzslot
235235
Schlitzslot
241241
Fingerfinger
242242
Fingerfinger
243243
Fingerfinger
244244
Fingerfinger
245245
Fingerfinger
246246
Fingerfinger
251251
LeiterDirector
252252
LeiterDirector
ByBy
Magnetfeld (parallel zu der Breite des biegsamen Bereichs)Magnetic field (parallel to the width of the flexible area)
BzBz
Magnetfeld (senkrecht zu der Breite des biegsamen Bereichs)Magnetic field (perpendicular to the width of the flexible area)
M1M1
SpiegelMirror
M2M2
SpiegelMirror
M3M3
SpiegelMirror
M4M4
SpiegelMirror
M5M5
SpiegelMirror
M6M6
SpiegelMirror
VV
VoltmeterVoltmeter

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNGQUOTES CONTAINED IN THE DESCRIPTION

Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.This list of documents submitted by the applicant was generated automatically and is included solely for the convenience of the reader. This list is not part of the German patent or utility model application. The DPMA assumes no liability for any errors or omissions.

Zitierte PatentliteraturCited patent literature

  • EP 2023/070433 [0004]EP 2023/070433 [0004]
  • DE 10 2008 009 600 A1 [0052, 0056]DE 10 2008 009 600 A1 [0052, 0056]
  • US 2006/0132747 A1 [0054]US 2006/0132747 A1 [0054]
  • EP 1 614 008 B1 [0054]EP 1 614 008 B1 [0054]
  • US 6,573,978 [0054]US 6,573,978 [0054]
  • DE 10 2017 220 586 A1 [0059]DE 10 2017 220 586 A1 [0059]
  • US 2018/0074303 A1 [0073]US 2018/0074303 A1 [0073]

Claims (15)

Optisches System (4, 10) für eine Lithographieanlage (1), mit einer aus einem Verbundmaterial gebildeten Leiterplatte (200), welche einen biegsamen Bereich (211) aufweist, wobei die Leiterplatte (200) eine Leiterschleife (220) zum Erfassen eines auf den biegsamen Bereich (211) wirkenden Magnetfelds (By, Bz) aufweist.Optical system (4, 10) for a lithography system (1), comprising a circuit board (200) formed from a composite material, which circuit board has a flexible region (211), wherein the circuit board (200) has a conductor loop (220) for detecting a magnetic field (B y , B z ) acting on the flexible region (211). Optisches System nach Anspruch 1, wobei die Leiterplatte (200) eine Mehrzahl N von das Verbundmaterial ausbildenden, parallel angeordneten Lagen umfassend zwei außenliegende Lagen und N-2 zwischen den beiden außenliegenden Lagen angeordnete innenliegende Lagen aufweist, wobei die N-2 innenliegenden Lagen durch eine alternierende Folge von Leiterschichten und Isolatorschichten gebildet sind, mit N ≥ 3.Optical system according to Claim 1 , wherein the printed circuit board (200) has a plurality N of parallel arranged layers forming the composite material, comprising two outer layers and N-2 inner layers arranged between the two outer layers, wherein the N-2 inner layers are formed by an alternating sequence of conductor layers and insulator layers, with N ≥ 3. Optisches System nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Leiterschleife (220) derart in dem biegsamen Bereich (211) angeordnet ist, dass sie zum Erfassen eines zu der Breite des biegsamen Bereichs (211) parallelen Magnetfelds (By) geeignet ist.Optical system according to Claim 1 or 2 , wherein the conductor loop (220) is arranged in the flexible region (211) in such a way that it is suitable for detecting a magnetic field (B y ) parallel to the width of the flexible region (211). Optisches System nach Anspruch 2 oder 3, wobei die Leiterschleife (220) durch eine erste Leiterschicht (221) der N-2 innenliegenden Lagen, durch eine zweite Leiterschicht (222) der N-2 innenliegenden Lagen und einen die erste Leiterschicht (221) und die zweite Leiterschicht (222) verbindenden Leiter (223) gebildet ist.Optical system according to Claim 2 or 3 , wherein the conductor loop (220) is formed by a first conductor layer (221) of the N-2 inner layers, by a second conductor layer (222) of the N-2 inner layers and a conductor (223) connecting the first conductor layer (221) and the second conductor layer (222). Optisches System nach Anspruch 4, wobei die erste Leiterschicht (221) und die zweite Leiterschicht (222) zwei benachbarte Leiterschichten der N-2 innenliegenden Lagen sind, welche bevorzugt im äußeren Bereich des Stapels aus den N-2 innenliegenden Lagen angeordnet sind.Optical system according to Claim 4 , wherein the first conductor layer (221) and the second conductor layer (222) are two adjacent conductor layers of the N-2 inner layers, which are preferably arranged in the outer region of the stack of the N-2 inner layers. Optisches System nach Anspruch 4 oder 5, wobei der Leiter (223) ein erstes Ende der ersten Leiterschicht (221) und ein dem ersten Ende in dem Stapel der N-2 innenliegenden Lagen gegenüberliegendes erstes Ende der zweiten Leiterschicht (222) verbindet und senkrecht zu der ersten Leiterschicht (221) und der zweiten Leiterschicht (222) angeordnet ist.Optical system according to Claim 4 or 5 , wherein the conductor (223) connects a first end of the first conductor layer (221) and a first end of the second conductor layer (222) opposite the first end in the stack of N-2 inner layers and is arranged perpendicular to the first conductor layer (221) and the second conductor layer (222). Optisches System nach einem der Ansprüche 4 bis 6, wobei ein Voltmeter (V) mit der Leiterschleife (220) gekoppelt ist, welches dazu eingerichtet ist, eine durch das auf den biegsamen Bereich (211) der Leiterplatte (200) wirkende Magnetfeld (By, Bz) induzierte elektrische Spannung zu messen.Optical system according to one of the Claims 4 until 6 , wherein a voltmeter (V) is coupled to the conductor loop (220), which is designed to measure an electrical voltage induced by the magnetic field (B y , B z ) acting on the flexible region (211) of the circuit board (200). Optisches System nach Anspruch 1 bis 3, wobei der biegsame Bereich (211) eine Anzahl M von Schlitzen (231-235) zur Erhöhung der Biegsamkeit des biegsamen Bereichs (211) aufweist, wobei der biegsame Bereich (211) durch die M Schlitze (231-235) in eine Mehrzahl M+1 von Fingern (241-246) unterteilt ist, mit M ≥ 1.Optical system according to Claim 1 until 3 , wherein the flexible region (211) has a number M of slots (231-235) for increasing the flexibility of the flexible region (211), wherein the flexible region (211) is divided by the M slots (231-235) into a plurality M+1 of fingers (241-246), with M ≥ 1. Optisches System nach Anspruch 8, wobei jeder der M+1 Finger (241-246) eine jeweilige Leiterschleife (220) zum Erfassen des auf den biegsamen Bereich (211) wirkenden Magnetfelds (By) umfasst.Optical system according to Claim 8 wherein each of the M+1 fingers (241-246) comprises a respective conductor loop (220) for detecting the magnetic field (B y ) acting on the flexible region (211). Optisches System nach Anspruch 9, wobei die M+1 Leiterschleifen (220) der M+1 Finger (241-246) mit einem Voltmeter (V) gekoppelt sind, welches dazu eingerichtet ist, die in den Leiterschleifen (220) durch das auf den biegsamen Bereich (211) wirkende Magnetfeld (By) induzierten elektrischen Spannungen zu messen.Optical system according to Claim 9 , wherein the M+1 conductor loops (220) of the M+1 fingers (241-246) are coupled to a voltmeter (V) which is designed to measure the electrical voltages induced in the conductor loops (220) by the magnetic field (B y ) acting on the flexible region (211). Optisches System nach Anspruch 9, wobei jede der M+1 Leiterschleifen (220) der M+1 Finger (241-246) mit einem jeweiligen Voltmeter (V) gekoppelt ist, wobei das jeweilige Voltmeter (V) dazu eingerichtet ist, die in der zugeordneten Leiterschleife (220) durch das auf den biegsamen Bereich (211) wirkende Magnetfeld (By) induzierte elektrische Spannung zu messen.Optical system according to Claim 9 , wherein each of the M+1 conductor loops (220) of the M+1 fingers (241-246) is coupled to a respective voltmeter (V), wherein the respective voltmeter (V) is arranged to measure the electrical voltage induced in the associated conductor loop (220) by the magnetic field (B y ) acting on the flexible region (211). Optisches System nach einem der Ansprüche 1 bis 11, wobei das optische System (100) eine Mehrzahl X von einer aus einem Verbundmaterial gebildeten Leiterplatten (200) umfasst, mit X ≥ 2, wobei die jeweilige Leiterplatte (200) einen biegsamen Bereich (211) aufweist, welcher eine Leiterschleife (220) zum Erfassen eines auf den biegsamen Bereich (211) wirkenden Magnetfelds (By) aufweist, wobei die X Leiterschleifen (220) der X Leiterplatten (200) mittels Leiter (251, 252) miteinander verbunden sind.Optical system according to one of the Claims 1 until 11 , wherein the optical system (100) comprises a plurality X of printed circuit boards (200) formed from a composite material, with X ≥ 2, wherein the respective printed circuit board (200) has a flexible region (211) which has a conductor loop (220) for detecting a magnetic field (B y ) acting on the flexible region (211), wherein the X conductor loops (220) of the X printed circuit boards (200) are connected to one another by means of conductors (251, 252). Optisches System nach Anspruch 1 oder 2, die Leiterplatte (200) einen ersten starren Bereich (212) und einen zweiten starren Bereich (213) aufweist, wobei der biegsame Bereich (211) zwischen dem ersten starren Bereich (212) und dem zweiten starren Bereich (213) angeordnet ist, wobei die Leiterschleife (220) derart in dem biegsamen Bereich (211) angeordnet ist, dass sie zum Erfassen eines zu der Breite des biegsamen Bereichs (211) senkrechten Magnetfelds (Bz) geeignet ist.Optical system according to Claim 1 or 2 , the circuit board (200) has a first rigid region (212) and a second rigid region (213), wherein the flexible region (211) is arranged between the first rigid region (212) and the second rigid region (213), wherein the conductor loop (220) is arranged in the flexible region (211) in such a way that it is suitable for detecting a magnetic field (B z ) perpendicular to the width of the flexible region (211). Optisches System nach einem der Ansprüche 1 bis 13, wobei das optische System (100) als eine Beleuchtungsoptik (4) oder als eine Projektionsoptik (10) einer Lithographieanlage (1) ausgebildet ist.Optical system according to one of the Claims 1 until 13 , wherein the optical system (100) is designed as an illumination optics (4) or as a projection optics (10) of a lithography system (1). Lithographieanlage (1) mit einem optischen System (100) nach einem der Ansprüche 1 bis 14.Lithography system (1) with an optical system (100) according to one of the Claims 1 until 14 .
DE102024205635.9A 2024-06-19 2024-06-19 OPTICAL SYSTEM AND LITHOGRAPHY SYSTEM WITH AN OPTICAL SYSTEM Withdrawn DE102024205635A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102024205635.9A DE102024205635A1 (en) 2024-06-19 2024-06-19 OPTICAL SYSTEM AND LITHOGRAPHY SYSTEM WITH AN OPTICAL SYSTEM

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102024205635.9A DE102024205635A1 (en) 2024-06-19 2024-06-19 OPTICAL SYSTEM AND LITHOGRAPHY SYSTEM WITH AN OPTICAL SYSTEM

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102024205635A1 true DE102024205635A1 (en) 2025-05-15

Family

ID=95481536

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102024205635.9A Withdrawn DE102024205635A1 (en) 2024-06-19 2024-06-19 OPTICAL SYSTEM AND LITHOGRAPHY SYSTEM WITH AN OPTICAL SYSTEM

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE102024205635A1 (en)

Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000055994A (en) * 1998-08-03 2000-02-25 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Magnetic field detection device
JP2000147034A (en) * 1998-11-12 2000-05-26 Ricoh Co Ltd Close fixed magnetic field probe
US6573978B1 (en) * 1999-01-26 2003-06-03 Mcguire, Jr. James P. EUV condenser with non-imaging optics
DE10212784A1 (en) * 2002-03-22 2003-10-02 Hella Kg Hueck & Co Mechanical link for sensor to current conductor in car, contg. sensor of SMD component type on flexible, or rigid-flexible circuit board for connection to electronic circuit board
US20060132747A1 (en) * 2003-04-17 2006-06-22 Carl Zeiss Smt Ag Optical element for an illumination system
US20070216408A1 (en) * 2004-03-31 2007-09-20 Noriaki Ando Magnetic Field Sensor
DE102008009600A1 (en) * 2008-02-15 2009-08-20 Carl Zeiss Smt Ag Facet mirror e.g. field facet mirror, for use as bundle-guiding optical component in illumination optics of projection exposure apparatus, has single mirror tiltable by actuators, where object field sections are smaller than object field
US20120236579A1 (en) * 2011-03-16 2012-09-20 Kabushiki Kaisha Toshiba Flexible wiring module and flexible wiring device
DE102012202167A1 (en) * 2012-02-14 2013-08-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Device for magnetic-field-compensated positioning of a component
US20170287617A1 (en) * 2016-03-31 2017-10-05 Kinsus Interconnect Technology Corp. Buildup board structure
US20180074303A1 (en) * 2015-04-14 2018-03-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Imaging optical unit and projection exposure unit including same
DE102016226079A1 (en) * 2016-12-22 2018-06-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Method for positioning a component of an optical system
DE102017220586A1 (en) * 2017-11-17 2019-05-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Pupil facet mirror, illumination optics and optical system for a projection exposure apparatus
WO2024023010A1 (en) * 2022-07-25 2024-02-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical system, lithography machine having an optical system, and method for producing an optical system

Patent Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000055994A (en) * 1998-08-03 2000-02-25 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Magnetic field detection device
JP2000147034A (en) * 1998-11-12 2000-05-26 Ricoh Co Ltd Close fixed magnetic field probe
US6573978B1 (en) * 1999-01-26 2003-06-03 Mcguire, Jr. James P. EUV condenser with non-imaging optics
DE10212784A1 (en) * 2002-03-22 2003-10-02 Hella Kg Hueck & Co Mechanical link for sensor to current conductor in car, contg. sensor of SMD component type on flexible, or rigid-flexible circuit board for connection to electronic circuit board
EP1614008B1 (en) * 2003-04-17 2009-12-02 Carl Zeiss SMT AG Optical element for a lighting system
US20060132747A1 (en) * 2003-04-17 2006-06-22 Carl Zeiss Smt Ag Optical element for an illumination system
US20070216408A1 (en) * 2004-03-31 2007-09-20 Noriaki Ando Magnetic Field Sensor
DE102008009600A1 (en) * 2008-02-15 2009-08-20 Carl Zeiss Smt Ag Facet mirror e.g. field facet mirror, for use as bundle-guiding optical component in illumination optics of projection exposure apparatus, has single mirror tiltable by actuators, where object field sections are smaller than object field
US20120236579A1 (en) * 2011-03-16 2012-09-20 Kabushiki Kaisha Toshiba Flexible wiring module and flexible wiring device
DE102012202167A1 (en) * 2012-02-14 2013-08-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Device for magnetic-field-compensated positioning of a component
US20180074303A1 (en) * 2015-04-14 2018-03-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Imaging optical unit and projection exposure unit including same
US20170287617A1 (en) * 2016-03-31 2017-10-05 Kinsus Interconnect Technology Corp. Buildup board structure
DE102016226079A1 (en) * 2016-12-22 2018-06-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Method for positioning a component of an optical system
DE102017220586A1 (en) * 2017-11-17 2019-05-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Pupil facet mirror, illumination optics and optical system for a projection exposure apparatus
WO2024023010A1 (en) * 2022-07-25 2024-02-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical system, lithography machine having an optical system, and method for producing an optical system

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69813126T2 (en) Four-mirror projection optics for extreme UV
EP1035445B1 (en) Microlithographic reduction objective and projection exposure apparatus
DE102018207277A1 (en) Lithographic mask, optical system for transferring original structural sections of the lithographic mask and projection optics for imaging an object field in which at least one original structural section of a lithographic mask can be arranged
WO2024023010A1 (en) Optical system, lithography machine having an optical system, and method for producing an optical system
DE102022210356A1 (en) OPTICAL SYSTEM, LITHOGRAPHY PLANT WITH AN OPTICAL SYSTEM AND METHOD FOR MANUFACTURING AN OPTICAL SYSTEM
EP1178356B1 (en) 6 mirror microlithography projection system
DE102023200212A1 (en) Projection exposure system and method for manipulating vibrations
DE102009047179B4 (en) Projektionsobjetiv
DE102022203881A1 (en) CIRCUIT BOARD FOR AN OPTICAL SYSTEM, OPTICAL SYSTEM, LITHOGRAPHY EQUIPMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING A CIRCUIT BOARD FOR AN OPTICAL SYSTEM
DE102021202769A1 (en) Optical assembly and method for its manufacture, method for deforming an optical element and projection exposure system
WO2024194297A1 (en) Control device, optical system, lithography installation and method
WO2024213622A1 (en) Mems mirror, micromirror array and illumination system for a lithography system, lithography system, and method for producing a lithography system
WO2025002760A1 (en) Optical system and lithography system
WO2024213632A1 (en) Lithography apparatus and method for operating a lithography apparatus
DE102024205635A1 (en) OPTICAL SYSTEM AND LITHOGRAPHY SYSTEM WITH AN OPTICAL SYSTEM
DE102024200608A1 (en) PROJECTION OPTICS AND PROJECTION EXPOSURE SYSTEM
WO2024110635A1 (en) Optical system, lithography apparatus comprising an optical system, and arrangement comprising an optical system
DE102016207487A1 (en) Microlithographic projection exposure machine
WO2023186960A1 (en) Control device, optical system, lithography installation and method
DE102022203255A1 (en) CONTROL DEVICE, OPTICAL SYSTEM AND LITHOGRAPHY SYSTEM
DE102023201859A1 (en) OPTICAL ASSEMBLY, OPTICAL SYSTEM AND PROJECTION EXPOSURE SYSTEM
DE102023203338A1 (en) LITHOGRAPHY SYSTEM AND METHOD FOR OPERATING A LITHOGRAPHY SYSTEM
DE102022212136A1 (en) Process for determining image errors in high-resolution imaging systems using wavefront measurement
DE102022116695A1 (en) Base body for an optical element and method for producing a base body for an optical element and projection exposure system
DE102021212394A1 (en) OPTICAL SYSTEM, LITHOGRAPHY EQUIPMENT AND PROCESS

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R230 Request for early publication
R120 Application withdrawn or ip right abandoned