DE102024205635A1 - OPTICAL SYSTEM AND LITHOGRAPHY SYSTEM WITH AN OPTICAL SYSTEM - Google Patents
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Abstract
Ein optisches System (100) für eine Lithographieanlage (1), mit einer aus einem Verbundmaterial gebildeten Leiterplatte (200), welche einen biegsamen Bereich (211) aufweist, wobei die Leiterplatte (200) eine Leiterschleife (220) zum Erfassen eines auf den biegsamen Bereich (211) wirkenden Magnetfelds (By, Bz) aufweist. An optical system (100) for a lithography system (1), comprising a circuit board (200) formed from a composite material, which circuit board has a flexible region (211), wherein the circuit board (200) has a conductor loop (220) for detecting a magnetic field (B y , B z ) acting on the flexible region (211).
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft ein optisches System und eine Lithographieanlage mit einem derartigen optischen System.The present invention relates to an optical system and a lithography system comprising such an optical system.
Die Mikrolithographie wird zur Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente, wie beispielsweise integrierter Schaltkreise, angewendet. Der Mikrolithographieprozess wird mit einer Lithographieanlage durchgeführt, welche ein Beleuchtungssystem und ein Projektionssystem aufweist. Das Bild einer mittels des Beleuchtungssystems beleuchteten Maske (Retikel) wird hierbei mittels des Projektionssystems auf ein mit einer lichtempfindlichen Schicht (Photoresist) beschichtetes und in der Bildebene des Projektionssystems angeordnetes Substrat, beispielsweise einen Siliziumwafer, projiziert, um die Maskenstruktur auf die lichtempfindliche Beschichtung des Substrats zu übertragen.Microlithography is used to manufacture microstructured components, such as integrated circuits. The microlithography process is carried out using a lithography system equipped with an illumination system and a projection system. The image of a mask (reticle) illuminated by the illumination system is projected by the projection system onto a substrate, such as a silicon wafer, coated with a light-sensitive layer (photoresist) and arranged in the image plane of the projection system in order to transfer the mask structure to the light-sensitive coating of the substrate.
Getrieben durch das Streben nach immer kleineren Strukturen bei der Herstellung integrierter Schaltungen werden derzeit EUV-Lithographieanlagen entwickelt, welche Licht mit einer Wellenlänge im Bereich von 0,1 nm bis 30 nm, insbesondere 13,5 nm, verwenden. Da die meisten Materialien Licht dieser Wellenlänge absorbieren, müssen bei solchen EUV-Lithographieanlagen reflektierende Optiken, das heißt Spiegel, anstelle von - wie bisher - brechenden Optiken, das heißt Linsen, eingesetzt werden.Driven by the pursuit of ever smaller structures in the production of integrated circuits, EUV lithography systems are currently being developed that use light with a wavelength in the range of 0.1 nm to 30 nm, particularly 13.5 nm. Since most materials absorb light at this wavelength, such EUV lithography systems must use reflective optics, i.e., mirrors, instead of the previously used refractive optics, i.e., lenses.
In Lithographieanlagen ist eine Vielzahl von Aktor-/Sensor-Einrichtungen, wie Sensoren und Aktuatoren, verbaut. Im Allgemeinen ist eine Aktor-/Sensor-Einrichtung dazu geeignet, ein der Aktor-/Sensor-Einrichtung zugeordnetes optisches Element, wie beispielsweise einen Spiegel, zu verlagern und/oder einen Parameter des zugeordneten optischen Elements, wie eine Position des zugeordneten optischen Elements oder eine Temperatur des zugeordneten optischen Elements, zu erfassen. Zur Ansteuerung und Auswertung ist eine solche Aktor-/ Sensoreinrichtung mit einem Elektronikbauteil, insbesondere mit einer integrierten Schaltung (IC; Integrated Circuit) elektrisch zu verbinden. Hierzu werden insbesondere flexible Leiterplatten, auch flexible Leiterkarten oder Flex-PCB genannt, eingesetzt. Hierbei offenbart beispielsweise die internationale Patentanmeldung PCT/
Allerdings ist es möglich, dass innerhalb des optischen Systems der Lithographieanlage magnetische Felder auf die Leiterkarte wirken, in der Leiterkarte eine Spannung induzieren und damit Fehler bei der Übertragung der Signale durch die Leiterkarte nachteiligerweise verursachen. Herkömmlicherweise können Magnetfelder durch eine Abschirmung derart abgeschirmt werden, dass sie keine Fehler oder kaum Fehler auf der Leiterkarte verursachen. Allerdings benötigen solche Abschirmungen Platz, welcher in optischen Systemen von Lithographieanlagen oftmals nicht ausreichend zur Verfügung steht. Außerdem sind mit der Verwendung von Abschirmungen auch ein erhöhter Designaufwand und ein erhöhter Kostenaufwand nachteiligerweise verbunden.However, it is possible that magnetic fields within the optical system of the lithography system may act on the circuit board, inducing a voltage in the circuit board and thus detrimentally causing errors in the signal transmission through the circuit board. Conventionally, magnetic fields can be shielded by shielding in such a way that they cause no or hardly any errors on the circuit board. However, such shields require space, which is often insufficient in the optical systems of lithography systems. Furthermore, the use of shields also disadvantageously involves increased design effort and increased costs.
Vor diesem Hintergrund besteht eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung darin, ein verbessertes optisches System bereitzustellen.Against this background, it is an object of the present invention to provide an improved optical system.
Gemäß einem ersten Aspekt wird ein optisches System für eine Lithographieanlage vorgeschlagen, welches eine aus einem Verbundmaterial gebildete Leiterplatte aufweist, welche einen biegsamen Bereich aufweist, wobei die Leiterplatte eine Leiterschleife zum Erfassen eines auf den biegsamen Bereich wirkenden Magnetfelds aufweist.According to a first aspect, an optical system for a lithography system is proposed, which comprises a circuit board formed from a composite material and having a flexible region, wherein the circuit board has a conductor loop for detecting a magnetic field acting on the flexible region.
Durch den Einsatz der Leiterschleife zum Erfassen eines auf den biegsamen Bereich der Leiterplatte wirkenden Magnetfelds kann ein mit der Leiterschleife koppelbares Voltmeter die durch das auf den biegsamen Bereich der Leiterplatte wirkende Magnetfeld, insbesondere durch den durch die Leiterschleife hindurchtretenden Magnetfluss, induzierte elektrische Spannung messen, und in Abhängigkeit der gemessenen induzierten elektrischen Spannung kann eine Magnetfeldänderung, insbesondere eine mittlere Magnetfeldänderung, in dem biegsamen Bereich der Leiterplatte ermittelt werden. Die ermittelte Magnetfeldänderung kann vorteilhafterweise dazu verwendet werden, um einen durch das Magnetfeld verursachten magnetischen Fehler zu kompensieren. Vorliegend können also durch das Magnetfeld verursachte magnetische Fehler kompensiert werden, ohne eine herkömmliche Abschirmung einzusetzen. Damit wird der Platzbedarf der vorliegenden Leiterplatte vorteilhafterweise verringert, was innerhalb von optischen Systemen in einer Lithographieanlage besondere Vorteile hat.By using the conductor loop to detect a magnetic field acting on the flexible region of the circuit board, a voltmeter that can be coupled to the conductor loop can measure the electrical voltage induced by the magnetic field acting on the flexible region of the circuit board, in particular by the magnetic flux passing through the conductor loop. Depending on the measured induced electrical voltage, a magnetic field change, in particular an average magnetic field change, in the flexible region of the circuit board can be determined. The determined magnetic field change can advantageously be used to compensate for a magnetic error caused by the magnetic field. In this case, magnetic errors caused by the magnetic field can therefore be compensated without the use of conventional shielding. This advantageously reduces the space required by the circuit board, which has particular advantages within optical systems in a lithography system.
Die Leiterplatte kann vorliegend auch als Leiterkarte bezeichnet werden. Insbesondere weist die Leiterplatte zwei starre Bereiche auf, zwischen welchen der biegsame Bereich angeordnet ist. Der biegsame Bereich der Leiterplatte kann auch als flexibler Bereich bezeichnet werden.In this case, the printed circuit board can also be referred to as a printed circuit card. In particular, the printed circuit board has two rigid areas, between which the flexible area is arranged. The flexible area of the printed circuit board can also be referred to as the flexible area.
Durch die Verwendung des biegsamen Bereichs der Leiterplatte wird die Flexibilität beim Einbau der Leiterplatte in der Lithographieanlage deutlich erhöht. Dies ist von besonderem Vorteil im Lichte der vorherrschenden Bauraumbeschränkungen in der Lithographieanlage. Auch können damit Leiterplatten im gebogenen Zustand in der Lithographieanlage verbaut werden. Hierdurch können vorteilhafterweise mögliche Störungen auf in der Leiterplatte integrierte Bauteile oder Elektronikbauteile vermindert bzw. verhindert werden. Solche möglichen Störungen umfassen Umwelteinflüsse und/oder Störungen durch erzeugte Wärme, Kälte, mechanische Störungen und elektromagnetische Störungen.By using the flexible area of the circuit board, the flexibility during installation of the circuit board in the lithography system is significantly increased. This is particularly advantageous in light of the prevailing space limitations in the lithography system. Printed circuit boards are installed in the lithography system in a bent state. This advantageously reduces or prevents potential interference with components or electronic components integrated into the printed circuit board. Such potential interference includes environmental influences and/or interference caused by generated heat, cold, mechanical interference, and electromagnetic interference.
Aufgrund der Flexibilität der biegsamen Leiterplatte ist es in Applikationen möglich, die Länge notwendiger elektrischer Leitungen zur Verbindung der in dem Gehäuse der Leiterplatte vorgesehenen Bauteile und anderer Bauelemente, z. B. Aktor-/Sensoreinrichtungen, zu minimieren. Eine solche Minimierung der Länge der elektrischen Leitungen reduziert auch Signallauflängen und reduziert damit den Einfluss möglicher Störungen bei der Datenübertragung und der Ansteuerung.Due to the flexibility of the flexible circuit board, it is possible to minimize the length of the electrical wires required to connect the components housed in the circuit board housing and other components, such as actuator/sensor devices. Such a minimization of the length of the electrical wires also reduces signal run lengths, thus reducing the impact of potential interference during data transmission and control.
Das optische System ist bevorzugt eine Projektionsoptik der Lithographieanlage oder Projektionsbelichtungsanlage. Das optische System kann jedoch auch ein Beleuchtungssystem sein. Die Projektionsbelichtungsanlage kann eine EUV-Lithographieanlage sein. EUV steht für „Extreme Ultraviolet“ und bezeichnet eine Wellenlänge des Arbeitslichts zwischen 0,1 nm und 30 nm. Die Projektionsbelichtungsanlage kann auch eine DUV-Lithographieanlage sein. DUV steht für „Deep Ultraviolet“ und bezeichnet eine Wellenlänge des Arbeitslichts zwischen 30 nm und 465 nm.The optical system is preferably a projection optics system of the lithography system or projection exposure system. However, the optical system can also be an illumination system. The projection exposure system can be an EUV lithography system. EUV stands for "Extreme Ultraviolet" and refers to a wavelength of the working light between 0.1 nm and 30 nm. The projection exposure system can also be a DUV lithography system. DUV stands for "Deep Ultraviolet" and refers to a wavelength of the working light between 30 nm and 465 nm.
Gemäß einer Ausführungsform weist die Leiterplatte eine Mehrzahl N von das Verbundmaterial ausbildenden, parallel angeordneten Lagen umfassend zwei außenliegende Lagen und N-2 zwischen den beiden außenliegenden Lagen angeordnete innenliegende Lagen auf, mit N ≥ 3. Dabei sind die N-2 innenliegenden Lagen durch eine alternierende Folge von Leiterschichten und Isolatorschichten gebildet. Die jeweilige Lage kann selbst durch mehrere Lagen gebildet sein.According to one embodiment, the printed circuit board comprises a plurality N of parallel layers forming the composite material, comprising two outer layers and N-2 inner layers arranged between the two outer layers, with N ≥ 3. The N-2 inner layers are formed by an alternating sequence of conductor layers and insulator layers. The respective layer can itself be formed by multiple layers.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform sind die N-2 innenliegenden Lagen durch eine alternierende Folge von Metallschichten oder Metallstrukturen und Isolatorschichten gebildet. Die Metallschichten sind beispielsweise aus Kupfer gebildet. Die Isolatorschichten sind beispielsweise aus einem Glasfasersubstrat oder aus einem Epoxidharz gebildet. Gemäß einer weiteren Ausführungsform sind die außenliegenden Lagen als zur Wärmespreizung geeignete Metallschichten ausgebildet. Die jeweilige außenliegende Lage oder Schicht kann auch als Isolationsschicht, bevorzugt als ausgasungsfeste Plastikfolie, oder als ein Lack ausgebildet sein.According to a further embodiment, the N-2 inner layers are formed by an alternating sequence of metal layers or metal structures and insulator layers. The metal layers are formed, for example, from copper. The insulator layers are formed, for example, from a glass fiber substrate or an epoxy resin. According to a further embodiment, the outer layers are formed as metal layers suitable for heat spreading. The respective outer layer or layer can also be formed as an insulation layer, preferably as an outgassing-resistant plastic film, or as a varnish.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist die Leiterschleife derart in dem biegsamen Bereich angeordnet, dass sie zum Erfassen eines zu der Breite des biegsamen Bereichs parallelen Magnetfelds geeignet ist. Simulationen der Anmelderin zeigen eine deutlich höhere Empfindlichkeit zwischen den über die Leiterkarte übertragenen Signalen und Magnetfeldern, die parallel zur Breite des flexiblen oder biegsamen Bereich der Leiterplatte verlaufen. Folglich ist es in Ausführungsformen vorteilhaft, die Leiterschleife derart in der Leiterplatte anzuordnen, dass sie solche parallel zu der Breite des biegsamen Bereichs verlaufende Magnetfelder erfassen kann.According to a further embodiment, the conductor loop is arranged in the flexible region such that it is suitable for detecting a magnetic field parallel to the width of the flexible region. Simulations by the applicant show a significantly higher sensitivity between the signals transmitted via the circuit board and magnetic fields that run parallel to the width of the flexible or bendable region of the circuit board. Consequently, in embodiments, it is advantageous to arrange the conductor loop in the circuit board such that it can detect such magnetic fields running parallel to the width of the flexible region.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist die Leiterschleife durch eine erste Leiterschicht der N-2 innenliegenden Lagen, durch eine zweite Leiterschicht der N-2 innenliegenden Lagen und einen die erste Leiterschicht und die zweite Leiterschicht verbindenden Leiter gebildet.According to a further embodiment, the conductor loop is formed by a first conductor layer of the N-2 inner layers, by a second conductor layer of the N-2 inner layers and by a conductor connecting the first conductor layer and the second conductor layer.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform sind die erste Leiterschicht und die zweite Leiterschicht zwei benachbarte Leiterschichten der N-2 innenliegenden Lagen. Diese sind bevorzugt im äußeren Bereich des Stapels aus den N-2 innenliegenden Lagen angeordnet.According to a further embodiment, the first conductor layer and the second conductor layer are two adjacent conductor layers of the N-2 inner layers. These are preferably arranged in the outer region of the stack of the N-2 inner layers.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform verbindet der Leiter ein erstes Ende der ersten Leiterschicht und ein dem ersten Ende in dem Stapel der N-2 innenliegenden Lagen gegenüberliegendes erstes Ende der zweiten Leiterschicht. Der Leiter ist vorzugsweise senkrecht zu der ersten Leiterschicht und der zweiten Leiterschicht angeordnet.According to a further embodiment, the conductor connects a first end of the first conductor layer and a first end of the second conductor layer opposite the first end in the stack of N-2 inner layers. The conductor is preferably arranged perpendicular to the first conductor layer and the second conductor layer.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist ein Voltmeter mit der Leiterschleife gekoppelt, welches dazu eingerichtet ist, eine durch das auf den biegsamen Bereich der Leiterplatte wirkende Magnetfeld induzierte elektrische Spannung zu messen.According to a further embodiment, a voltmeter is coupled to the conductor loop, which is configured to measure an electrical voltage induced by the magnetic field acting on the flexible region of the circuit board.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist der biegsame Bereich eine Anzahl M von Schlitzen zur Erhöhung der Biegsamkeit des biegsamen Bereichs auf, mit M ≥ 1. Dabei wird der biegsame Bereich durch die M Schlitze in eine Mehrzahl M+1 von Fingern unterteilt.According to a further embodiment, the flexible region has a number M of slots for increasing the flexibility of the flexible region, with M ≥ 1. The flexible region is divided by the M slots into a plurality M+1 of fingers.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist jeder der M+1 Finger eine jeweilige Leiterschleife zum Erfassen des auf den biegsamen Bereich wirkenden Magnetfelds auf. Je kleiner die von der Leiterschleife umschlossene Fläche ist, desto kleiner ist der magnetische Fluss und damit die gemessene induzierte Spannung. Bei sehr kleinen Flächen und damit sehr kleinen induzierten Spannungen wird der relative Fehler größer. Um den relativen Fehler zu verringern, wird vorzugsweise in jedem Finger eine Leiterschleife verbaut, und die Leiterschleifen werden vorzugsweise in Reihe geschaltet, so dass sich die Gesamtfläche vergrößert.According to a further embodiment, each of the M+1 fingers has a respective conductor loop for detecting the magnetic field acting on the flexible region. The smaller the area enclosed by the conductor loop, the smaller the magnetic flux and thus the measured induced voltage. For very small areas and thus very small induced voltages, the relative error becomes larger. To reduce the relative error, a conductor loop is preferably installed in each finger. and the conductor loops are preferably connected in series, so that the total area is increased.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform sind die M+1 Leiterschleifen der M+1 Finger mit einem Voltmeter gekoppelt. Das Voltmeter ist dazu eingerichtet, die in den Leiterschleifen durch das auf den biegsamen Bereich wirkende Magnetfeld induzierten elektrischen Spannungen zu messen.According to a further embodiment, the M+1 conductor loops of the M+1 fingers are coupled to a voltmeter. The voltmeter is configured to measure the electrical voltages induced in the conductor loops by the magnetic field acting on the flexible region.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist jede der M+1 Leiterschleifen der M+1 Finger mit einem jeweiligen Voltmeter gekoppelt, wobei das jeweilige Voltmeter dazu eingerichtet ist, die in der zugeordneten Leiterschleife durch das auf den biegsamen Bereich wirkende Magnetfeld induzierte elektrische Spannung zu messen. Basierend auf separaten Messungen des magnetischen Flusses durch induzierte Spannungen in den Leiterschleifen und anschließender software-basierter Kompensation durch eine Recheneinheit kann eine Verringerung von Fehlern durch äußere Einflüsse erreicht werden.According to a further embodiment, each of the M+1 conductor loops of the M+1 fingers is coupled to a respective voltmeter, wherein the respective voltmeter is configured to measure the electrical voltage induced in the associated conductor loop by the magnetic field acting on the flexible region. Based on separate measurements of the magnetic flux by induced voltages in the conductor loops and subsequent software-based compensation by a computing unit, a reduction of errors due to external influences can be achieved.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform umfasst das optische System eine Mehrzahl X von einer aus einem Verbundmaterial gebildeten Leiterplatten, mit X ≥ 2. Dabei weist die jeweilige Leiterplatte einen biegsamen Bereich auf, welcher eine Leiterschleife zum Erfassen eines auf den biegsamen Bereich wirkenden Magnetfelds aufweist. Die X Leiterschleifen der X Leiterplatten sind mittels Leiter miteinander verbunden.According to a further embodiment, the optical system comprises a plurality X of printed circuit boards formed from a composite material, with X ≥ 2. Each printed circuit board has a flexible region with a conductor loop for detecting a magnetic field acting on the flexible region. The X conductor loops of the X printed circuit boards are connected to one another by conductors.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform hat die Leiterplatte einen ersten starren Bereich und einen zweiten starren Bereich. Dabei ist der biegsame Bereich zwischen dem ersten starren Bereich und dem zweiten starren Bereich angeordnet, wobei die Leiterschleife derart in dem biegsamen Bereich angeordnet ist, dass sie zum Erfassen eines zu der Breite des biegsamen Bereichs senkrechten Magnetfelds geeignet ist. Insbesondere ist dabei die Leiterschleife vorzugsweise über die gesamte Breite des biegsamen Bereichs verlegt, um die bei der Ermittlung des Magnetfelds genutzte Fläche zu maximieren. Der Grund hierfür liegt darin, dass für sehr kleine Bereiche und damit sehr kleine induzierte Spannungen der relative Fehler größer wird, was vorliegend durch die Verlegung der Leiterschleife über die gesamte Breite des biegsamen Bereichs vorteilhafterweise verringert wird.According to a further embodiment, the circuit board has a first rigid region and a second rigid region. The flexible region is arranged between the first rigid region and the second rigid region, wherein the conductor loop is arranged in the flexible region such that it is suitable for detecting a magnetic field perpendicular to the width of the flexible region. In particular, the conductor loop is preferably laid across the entire width of the flexible region in order to maximize the area used in determining the magnetic field. The reason for this is that for very small regions and thus very small induced voltages, the relative error becomes larger, which is advantageously reduced in the present case by laying the conductor loop across the entire width of the flexible region.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist das optische System ein Vakuumgehäuse auf, in welchem die Leiterplatte angeordnet ist.According to a further embodiment, the optical system comprises a vacuum housing in which the circuit board is arranged.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist das Vakuumgehäuse derart ausgelegt, dass in seinem Innenraum ein Druck von 1013,25 hPa bis 10-3 hPa herrscht. Dieser Druckbereich kann als Normaldruck bis Feinvakuum bezeichnet werden. According to a further embodiment, the vacuum housing is designed such that a pressure of 1013.25 hPa to 10 -3 hPa prevails in its interior. This pressure range can be referred to as normal pressure to fine vacuum.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist das Vakuumgehäuse derart ausgelegt, dass in seinem Innenraum ein Druck von 10-3 bis 10-8 hPa herrscht. Dieser Druckbereich kann als Feinvakuum bis Hochvakuum bezeichnet werden.According to a further embodiment, the vacuum housing is designed such that a pressure of 10 -3 to 10 -8 hPa prevails in its interior. This pressure range can be referred to as a fine vacuum to high vacuum.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist das Vakuumgehäuse derart ausgelegt, dass in seinem Innenraum ein Druck von 10-8 bis 10-11 hPa herrscht. Dieser Druckbereich kann als Hochvakuum bis extremes hohes Vakuum bezeichnet werden.According to a further embodiment, the vacuum housing is designed such that a pressure of 10 -8 to 10 -11 hPa prevails in its interior. This pressure range can be referred to as high vacuum to extremely high vacuum.
In Ausführungsformen kann in einem Innenbereich der Leiterplatte ein vakuumdichtes Gehäuse durch das Verbundmaterial gebildet sein, in welchem eine Anzahl von aktiven und/oder passiven Bauteilen angeordnet ist.In embodiments, a vacuum-tight housing in an interior region of the circuit board can be formed by the composite material, in which a number of active and/or passive components are arranged.
Die aktiven und/oder passiven Bauteile können auch als aktive und/oder passive Bauelemente, siliziumbasierte Elemente, elektronische Bauteile oder Elektronikbauteile bezeichnet werden. In Ausführungsformen umfasst die Anzahl aktiver und/oder passiver Bauteile eine integrierte Schaltung, einen Prozessor, einen Mikroprozessor, einen FPGA, einen Analog-Digital-Wandler, einen Digital-Analog-Wandler, einen Transistor, insbesondere einen MOSFET, ein siliziumbasiertes Bauelement, einen Kondensator, einen Widerstand und/oder eine Induktivität.The active and/or passive components may also be referred to as active and/or passive components, silicon-based elements, electronic components, or electronic components. In embodiments, the number of active and/or passive components includes an integrated circuit, a processor, a microprocessor, an FPGA, an analog-to-digital converter, a digital-to-analog converter, a transistor, in particular a MOSFET, a silicon-based component, a capacitor, a resistor, and/or an inductor.
Durch Einbetten des vakuumdichten Gehäuses im Innenbereich der Leiterplatte können die aktiven und/oder passiven Bauteile ohne den Einfluss des anliegenden/umliegenden Vakuums auch im Vakuumgehäuse des optischen Systems untergebracht werden. Dabei bildet das Verbundmaterial der Leiterplatte das vakuumdichte Gehäuse aus, welches die Anzahl von aktiven und/oder passiven Bauelementen insbesondere vollständig und luftleer oder in einer kontrollierten Atmosphäre umhüllt.By embedding the vacuum-tight housing inside the circuit board, the active and/or passive components can be housed in the vacuum housing of the optical system without the influence of the adjacent/surrounding vacuum. The composite material of the circuit board forms the vacuum-tight housing, which completely encloses the active and/or passive components, either in a vacuum or in a controlled atmosphere.
Dadurch, dass vorliegend elektronische Logik basierend auf den aktiven und/oder passiven Bauteilen auf engstem Bauraum und lokal nahe an den optischen Elementen der Lithographieanlage im Vakuumgehäuse verbaut werden kann, können elektrische Signale lokal nah weiterverarbeitet werden. Die hierdurch gewonnene Reduzierung notwendiger Signallauflängen und Signalschnittstellen in und aus dem System heraus hat Vorteile in Bezug auf den notwendigen Energieeintrag und das Signal-Rausch-Verhältnis. Des Weiteren können in Applikationen elektrisch gewandelte Signale mit den in der Leiterplatte eingebetteten Bauteilen für lange Übertragungsstrecken im Vakuumbereich bereitgestellt werden. Ferner werden vorteilhaft durch die vorgeschlagene Leiterplatte mit dem integrierten vakuumdichten Gehäuse für Elektronikbauteile keine zusätzlichen mechanischen Trennelemente zwischen Vakuum und Nicht-Vakuum benötigt, insbesondere herkömmlich notwendige Metallgehäuse fallen weg.Because electronic logic based on active and/or passive components can be installed in the vacuum housing in the smallest possible space and close to the optical elements of the lithography system, electrical signals can be further processed locally. The resulting reduction in the required signal path lengths and signal interfaces in and out of the system has advantages in terms of the required energy input and the signal-to-noise ratio. Furthermore, in applications, electrically converted signals can be provided for long transmission distances in the vacuum range using the components embedded in the circuit board. Furthermore, the proposed circuit board with the integrated vacuum-tight housing for electronic components advantageously eliminates the need for additional mechanical separating elements between vacuum and non-vacuum, in particular, the conventionally required metal housings.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist der biegsame Bereich der Leiterplatte in einem gebogenen Zustand in dem optischen System angeordnet, insbesondere verbaut. Ein solcher gebogener Zustand bringt in Applikationen bauraumspezifische Vorteile. Ferner können durch den gebogenen Zustand vorteilhafterweise mögliche Störungen auf eine mit der integrierten Schaltung verbundene Aktor-/Sensor-Einrichtung vermindert bzw. verhindert werden.According to a further embodiment, the flexible region of the circuit board is arranged, in particular installed, in a bent state in the optical system. Such a bent state provides space-specific advantages in applications. Furthermore, the bent state can advantageously reduce or prevent potential interference with an actuator/sensor device connected to the integrated circuit.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform umfasst das optische System eine Anzahl von Aktor-/Sensor-Einrichtungen, welche mit der Leiterplatte elektrisch verbunden sind. Die jeweilige Aktor-/Sensor-Einrichtung ist beispielsweise ein Aktuator (oder Aktor) zum Aktuieren eines optischen Elements, ein Sensor zum Sensieren eines optischen Elements oder einer Umgebung in dem optischen System oder eine Aktor- und Sensor-Einrichtung zum Aktuieren und Sensieren in dem optischen System. Der Sensor ist beispielsweise ein Temperatursensor. Der Aktuator ist vorzugsweise ein den elektrostriktiven Effekt einsetzender Aktuator oder ein den piezoelektrischen Effekt einsetzender Aktuator, beispielsweise ein PMN-Aktuator (PMN; Blei-Magnesium-Niobate) oder ein PZT-Aktuator (PZT; Blei-Zirkonat-Titanate). Der Aktuator ist insbesondere dazu eingerichtet, ein optisches Element des optischen Systems zu aktuieren. Beispiele für ein solches optisches Element umfassen Linsen, Spiegel und adaptive Spiegel.According to a further embodiment, the optical system comprises a number of actuator/sensor devices that are electrically connected to the circuit board. The respective actuator/sensor device is, for example, an actuator (or actuator) for actuating an optical element, a sensor for sensing an optical element or an environment in the optical system, or an actuator and sensor device for actuating and sensing in the optical system. The sensor is, for example, a temperature sensor. The actuator is preferably an actuator using the electrostrictive effect or an actuator using the piezoelectric effect, for example a PMN actuator (PMN; lead magnesium niobate) or a PZT actuator (PZT; lead zirconate titanate). The actuator is, in particular, configured to actuate an optical element of the optical system. Examples of such an optical element include lenses, mirrors, and adaptive mirrors.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist das optische System als eine Beleuchtungsoptik oder als eine Projektionsoptik einer Lithographieanlage ausgebildet.According to a further embodiment, the optical system is designed as an illumination optics or as a projection optics of a lithography system.
Gemäß einem zweiten Aspekt wird eine Lithographieanlage vorgeschlagen, welche ein optisches System gemäß dem ersten Aspekt oder gemäß einer der Ausführungsformen des ersten Aspekts aufweist.According to a second aspect, a lithography system is proposed which has an optical system according to the first aspect or according to one of the embodiments of the first aspect.
„Ein“ ist vorliegend nicht zwingend als beschränkend auf genau ein Element zu verstehen. Vielmehr können auch mehrere Elemente, wie beispielsweise zwei, drei oder mehr, vorgesehen sein. Auch jedes andere hier verwendete Zählwort ist nicht dahingehend zu verstehen, dass eine Beschränkung auf genau die genannte Anzahl von Elementen gegeben ist. Vielmehr sind zahlenmäßige Abweichungen nach oben und nach unten möglich, soweit nichts Gegenteiliges angegeben ist.In this case, "one" is not necessarily limited to exactly one element. Rather, multiple elements, such as two, three, or more, may also be included. Any other counting term used here should also not be understood as implying a limitation to the exact number of elements stated. Rather, numerical deviations, both upward and downward, are possible unless otherwise stated.
Weitere mögliche Implementierungen der Erfindung umfassen auch nicht explizit genannte Kombinationen von zuvor oder im Folgenden bezüglich der Ausführungsbeispiele beschriebenen Merkmalen oder Ausführungsformen. Dabei wird der Fachmann auch Einzelaspekte als Verbesserungen oder Ergänzungen zu der jeweiligen Grundform der Erfindung hinzufügen.Further possible implementations of the invention also include combinations of features or embodiments described above or below with respect to the exemplary embodiments that are not explicitly mentioned. In this case, the person skilled in the art will also add individual aspects as improvements or additions to the respective basic form of the invention.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen und Aspekte der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche sowie der im Folgenden beschriebenen Ausführungsbeispiele der Erfindung. Im Weiteren wird die Erfindung anhand von bevorzugten Ausführungsformen unter Bezugnahme auf die beigelegten Figuren näher erläutert.
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1 zeigt einen schematischen Meridionalschnitt einer Projektionsbelichtungsanlage für eine EUV-Projektionslithographie; -
2A zeigt eine schematische Schnittansicht einer ersten Ausführungsform einer Leiterplatte eines optischen Systems; -
2B zeigt eine zu der2A orthogonale schematische Schnittansicht der ersten Ausführungsform der Leiterplatte; -
3A zeigt eine schematische Schnittansicht einer zweiten Ausführungsform einer Leiterplatte eines optischen Systems; -
3B zeigt eine zu der3A orthogonale schematische Schnittansicht der zweiten Ausführungsform der Leiterplatte; -
4A zeigt eine schematische Schnittansicht einer dritten Ausführungsform einer Leiterplatte eines optischen Systems; -
4B zeigt eine zu der4A orthogonale schematische Schnittansicht der dritten Ausführungsform der Leiterplatte; -
5 zeigt eine schematische Schnittansicht einer vierten Ausführungsform einer Leiterplatte eines optischen Systems; und -
6 zeigt eine schematische Schnittansicht einer Ausführungsform eines optischen Systems mit einer Mehrzahl von Leiterplatten.
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1 shows a schematic meridional section of a projection exposure system for EUV projection lithography; -
2A shows a schematic sectional view of a first embodiment of a circuit board of an optical system; -
2B shows one to the2A orthogonal schematic sectional view of the first embodiment of the printed circuit board; -
3A shows a schematic sectional view of a second embodiment of a circuit board of an optical system; -
3B shows one to the3A orthogonal schematic sectional view of the second embodiment of the printed circuit board; -
4A shows a schematic sectional view of a third embodiment of a circuit board of an optical system; -
4B shows one to the4A orthogonal schematic sectional view of the third embodiment of the printed circuit board; -
5 shows a schematic sectional view of a fourth embodiment of a circuit board of an optical system; and -
6 shows a schematic sectional view of an embodiment of an optical system with a plurality of circuit boards.
In den Figuren sind gleiche oder funktionsgleiche Elemente mit denselben Bezugszeichen versehen worden, soweit nichts Gegenteiliges angegeben ist. Ferner sollte beachtet werden, dass die Darstellungen in den Figuren nicht notwendigerweise maßstabsgerecht sind.In the figures, identical or functionally equivalent elements are provided with the same reference numerals unless otherwise stated. Furthermore, it should be noted that the representations in the figures are not necessarily to scale.
Belichtet wird ein im Objektfeld 5 angeordnetes Retikel 7. Das Retikel 7 ist von einem Retikelhalter 8 gehalten. Der Retikelhalter 8 ist über einen Retikelverlagerungsantrieb 9, insbesondere in einer Scanrichtung, verlagerbar.A reticle 7 arranged in the
In der
Die Projektionsbelichtungsanlage 1 umfasst eine Projektionsoptik 10. Die Projektionsoptik 10 dient zur Abbildung des Objektfeldes 5 in ein Bildfeld 11 in einer Bildebene 12. Die Bildebene 12 verläuft parallel zur Objektebene 6. Alternativ ist auch ein von 0° verschiedener Winkel zwischen der Objektebene 6 und der Bildebene 12 möglich.The
Abgebildet wird eine Struktur auf dem Retikel 7 auf eine lichtempfindliche Schicht eines im Bereich des Bildfeldes 11 in der Bildebene 12 angeordneten Wafers 13. Der Wafer 13 wird von einem Waferhalter 14 gehalten. Der Waferhalter 14 ist über einen Waferverlagerungsantrieb 15 insbesondere längs der y-Richtung y verlagerbar. Die Verlagerung einerseits des Retikels 7 über den Retikelverlagerungsantrieb 9 und andererseits des Wafers 13 über den Waferverlagerungsantrieb 15 kann synchronisiert zueinander erfolgen.A structure on the reticle 7 is imaged onto a light-sensitive layer of a
Bei der Lichtquelle 3 handelt es sich um eine EUV-Strahlungsquelle. Die Lichtquelle 3 emittiert insbesondere EUV-Strahlung 16, welche im Folgenden auch als Nutzstrahlung, Beleuchtungsstrahlung oder Beleuchtungslicht bezeichnet wird. Die Nutzstrahlung 16 hat insbesondere eine Wellenlänge im Bereich zwischen 5 nm und 30 nm. Bei der Lichtquelle 3 kann es sich um eine Plasmaquelle handeln, zum Beispiel um eine LPP-Quelle (Engl.: Laser Produced Plasma, mit Hilfe eines Lasers erzeugtes Plasma) oder um eine DPP-Quelle (Engl.: Gas Discharged Produced Plasma, mittels Gasentladung erzeugtes Plasma). Es kann sich auch um eine synchrotronbasierte Strahlungsquelle handeln. Bei der Lichtquelle 3 kann es sich um einen Freie-Elektronen-Laser (Engl.: Free-Electron-Laser, FEL) handeln.The
Die Beleuchtungsstrahlung 16, die von der Lichtquelle 3 ausgeht, wird von einem Kollektor 17 gebündelt. Bei dem Kollektor 17 kann es sich um einen Kollektor mit einer oder mit mehreren ellipsoidalen und/oder hyperboloiden Reflexionsflächen handeln. Die mindestens eine Reflexionsfläche des Kollektors 17 kann im streifenden Einfall (Engl.: Grazing Incidence, GI), also mit Einfallswinkeln größer als 45°, oder im normalen Einfall (Engl.: Normal Incidence, NI), also mit Einfallwinkeln kleiner als 45°, mit der Beleuchtungsstrahlung 16 beaufschlagt werden. Der Kollektor 17 kann einerseits zur Optimierung seiner Reflektivität für die Nutzstrahlung und andererseits zur Unterdrückung von Falschlicht strukturiert und/oder beschichtet sein.The
Nach dem Kollektor 17 propagiert die Beleuchtungsstrahlung 16 durch einen Zwischenfokus in einer Zwischenfokusebene 18. Die Zwischenfokusebene 18 kann eine Trennung zwischen einem Strahlungsquellenmodul, aufweisend die Lichtquelle 3 und den Kollektor 17, und der Beleuchtungsoptik 4 darstellen.After the
Die Beleuchtungsoptik 4 umfasst einen Umlenkspiegel 19 und diesem im Strahlengang nachgeordnet einen ersten Facettenspiegel 20. Bei dem Umlenkspiegel 19 kann es sich um einen planen Umlenkspiegel oder alternativ um einen Spiegel mit einer über die reine Umlenkungswirkung hinaus bündelbeeinflussenden Wirkung handeln. Alternativ oder zusätzlich kann der Umlenkspiegel 19 als Spektralfilter ausgeführt sein, der eine Nutzlichtwellenlänge der Beleuchtungsstrahlung 16 von Falschlicht einer hiervon abweichenden Wellenlänge trennt. Sofern der erste Facettenspiegel 20 in einer Ebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet ist, die zur Objektebene 6 als Feldebene optisch konjugiert ist, wird dieser auch als Feldfacettenspiegel bezeichnet. Der erste Facettenspiegel 20 umfasst eine Vielzahl von einzelnen ersten Facetten 21, welche auch als Feldfacetten bezeichnet werden können. Von diesen ersten Facetten 21 sind in der
Die ersten Facetten 21 können als makroskopische Facetten ausgeführt sein, insbesondere als rechteckige Facetten oder als Facetten mit bogenförmiger oder teilkreisförmiger Randkontur. Die ersten Facetten 21 können als plane Facetten oder alternativ als konvex oder konkav gekrümmte Facetten ausgeführt sein.The first facets 21 can be designed as macroscopic facets, in particular as rectangular facets or as facets with an arcuate or partially circular edge contour. The first facets 21 can be designed as flat facets or, alternatively, as convexly or concavely curved facets.
Wie beispielsweise aus der
Zwischen dem Kollektor 17 und dem Umlenkspiegel 19 verläuft die Beleuchtungsstrahlung 16 horizontal, also längs der y-Richtung y.Between the
Im Strahlengang der Beleuchtungsoptik 4 ist dem ersten Facettenspiegel 20 nachgeordnet ein zweiter Facettenspiegel 22. Sofern der zweite Facettenspiegel 22 in einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet ist, wird dieser auch als Pupillenfacettenspiegel bezeichnet. Der zweite Facettenspiegel 22 kann auch beabstandet zu einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet sein. In diesem Fall wird die Kombination aus dem ersten Facettenspiegel 20 und dem zweiten Facettenspiegel 22 auch als spekularer Reflektor bezeichnet. Spekulare Reflektoren sind bekannt aus der
Der zweite Facettenspiegel 22 umfasst eine Mehrzahl von zweiten Facetten 23. Die zweiten Facetten 23 werden im Falle eines Pupillenfacettenspiegels auch als Pupillenfacetten bezeichnet.The
Bei den zweiten Facetten 23 kann es sich ebenfalls um makroskopische Facetten, die beispielsweise rund, rechteckig oder auch hexagonal berandet sein können, oder alternativ um aus Mikrospiegeln zusammengesetzte Facetten handeln. Diesbezüglich wird ebenfalls auf die
Die zweiten Facetten 23 können plane oder alternativ konvex oder konkav gekrümmte Reflexionsflächen aufweisen.The
Die Beleuchtungsoptik 4 bildet somit ein doppelt facettiertes System. Dieses grundlegende Prinzip wird auch als Wabenkondensor (Engl.: Fly's Eye Integrator) bezeichnet.The illumination optics 4 thus form a double-faceted system. This basic principle is also known as a fly's-eye integrator.
Es kann vorteilhaft sein, den zweiten Facettenspiegel 22 nicht exakt in einer Ebene, welche zu einer Pupillenebene der Projektionsoptik 10 optisch konjugiert ist, anzuordnen. Insbesondere kann der zweite Facettenspiegel 22 gegenüber einer Pupillenebene der Projektionsoptik 10 verkippt angeordnet sein, wie es zum Beispiel in der
Mit Hilfe des zweiten Facettenspiegels 22 werden die einzelnen ersten Facetten 21 in das Objektfeld 5 abgebildet. Der zweite Facettenspiegel 22 ist der letzte bündelformende oder auch tatsächlich der letzte Spiegel für die Beleuchtungsstrahlung 16 im Strahlengang vor dem Objektfeld 5.With the help of the
Bei einer weiteren, nicht dargestellten Ausführung der Beleuchtungsoptik 4 kann im Strahlengang zwischen dem zweiten Facettenspiegel 22 und dem Objektfeld 5 eine Übertragungsoptik angeordnet sein, die insbesondere zur Abbildung der ersten Facetten 21 in das Objektfeld 5 beiträgt. Die Übertragungsoptik kann genau einen Spiegel, alternativ aber auch zwei oder mehr Spiegel aufweisen, welche hintereinander im Strahlengang der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet sind. Die Übertragungsoptik kann insbesondere einen oder zwei Spiegel für senkrechten Einfall (NI-Spiegel, Normal Incidence Spiegel) und/oder einen oder zwei Spiegel für streifenden Einfall (GI-Spiegel, Grazing Incidence Spiegel) umfassen.In a further embodiment of the illumination optics 4 (not shown), a transmission optics can be arranged in the beam path between the
Die Beleuchtungsoptik 4 hat bei der Ausführung, die in der
Bei einer weiteren Ausführung der Beleuchtungsoptik 4 kann der Umlenkspiegel 19 auch entfallen, so dass die Beleuchtungsoptik 4 nach dem Kollektor 17 dann genau zwei Spiegel aufweisen kann, nämlich den ersten Facettenspiegel 20 und den zweiten Facettenspiegel 22.In a further embodiment of the illumination optics 4, the
Die Abbildung der ersten Facetten 21 mittels der zweiten Facetten 23 beziehungsweise mit den zweiten Facetten 23 und einer Übertragungsoptik in die Objektebene 6 ist regelmäßig nur eine näherungsweise Abbildung.The imaging of the first facets 21 by means of the
Die Projektionsoptik 10 umfasst eine Mehrzahl von Spiegeln Mi, welche gemäß ihrer Anordnung im Strahlengang der Projektionsbelichtungsanlage 1 durchnummeriert sind.The
Bei dem in der
Reflexionsflächen der Spiegel Mi können als Freiformflächen ohne Rotationssymmetrieachse ausgeführt sein. Alternativ können die Reflexionsflächen der Spiegel Mi als asphärische Flächen mit genau einer Rotationssymmetrieachse der Reflexionsflächenform gestaltet sein. Die Spiegel Mi können, genauso wie die Spiegel der Beleuchtungsoptik 4, hochreflektierende Beschichtungen für die Beleuchtungsstrahlung 16 aufweisen. Diese Beschichtungen können als Multilayer-Beschichtungen, insbesondere mit alternierenden Lagen aus Molybdän und Silizium, gestaltet sein.Reflecting surfaces of the mirrors Mi can be designed as free-form surfaces without rotational symmetry axis Alternatively, the reflection surfaces of the mirrors Mi can be designed as aspherical surfaces with exactly one axis of rotational symmetry of the reflection surface shape. The mirrors Mi, like the mirrors of the illumination optics 4, can have highly reflective coatings for the
Die Projektionsoptik 10 hat einen großen Objekt-Bildversatz in der y-Richtung y zwischen einer y-Koordinate eines Zentrums des Objektfeldes 5 und einer y-Koordinate des Zentrums des Bildfeldes 11. Dieser Objekt-Bild-Versatz in der y-Richtung y kann in etwa so groß sein wie ein z-Abstand zwischen der Objektebene 6 und der Bildebene 12.The
Die Projektionsoptik 10 kann insbesondere anamorphotisch ausgebildet sein. Sie weist insbesondere unterschiedliche Abbildungsmaßstäbe βx, βy in x- und y-Richtung x, y auf. Die beiden Abbildungsmaßstäbe βx, βy der Projektionsoptik 10 liegen bevorzugt bei (βx, βy) = (+/- 0,25, /+- 0,125). Ein positiver Abbildungsmaßstab β bedeutet eine Abbildung ohne Bildumkehr. Ein negatives Vorzeichen für den Abbildungsmaßstab β bedeutet eine Abbildung mit Bildumkehr.The
Die Projektionsoptik 10 führt somit in x-Richtung x, das heißt in Richtung senkrecht zur Scanrichtung, zu einer Verkleinerung im Verhältnis 4:1.The
Die Projektionsoptik 10 führt in y-Richtung y, das heißt in Scanrichtung, zu einer Verkleinerung von 8:1.The
Andere Abbildungsmaßstäbe sind ebenso möglich. Auch vorzeichengleiche und absolut gleiche Abbildungsmaßstäbe in x- und y-Richtung x, y, zum Beispiel mit Absolutwerten von 0,125 oder von 0,25, sind möglich.Other magnifications are also possible. Magnifications with the same sign and absolutely identical in the x and y directions (x, y), for example, with absolute values of 0.125 or 0.25, are also possible.
Die Anzahl von Zwischenbildebenen in der x- und in der y-Richtung x, y im Strahlengang zwischen dem Objektfeld 5 und dem Bildfeld 11 kann gleich sein oder kann, je nach Ausführung der Projektionsoptik 10, unterschiedlich sein. Beispiele für Projektionsoptiken mit unterschiedlichen Anzahlen derartiger Zwischenbilder in x- und y-Richtung x, y sind bekannt aus der
Jeweils eine der zweiten Facetten 23 ist genau einer der ersten Facetten 21 zur Ausbildung jeweils eines Beleuchtungskanals zur Ausleuchtung des Objektfeldes 5 zugeordnet. Es kann sich hierdurch insbesondere eine Beleuchtung nach dem Köhlerschen Prinzip ergeben. Das Fernfeld wird mit Hilfe der ersten Facetten 21 in eine Vielzahl an Objektfeldern 5 zerlegt. Die ersten Facetten 21 erzeugen eine Mehrzahl von Bildern des Zwischenfokus auf den diesen jeweils zugeordneten zweiten Facetten 23.Each of the
Die ersten Facetten 21 werden jeweils von einer zugeordneten zweiten Facette 23 einander überlagernd zur Ausleuchtung des Objektfeldes 5 auf das Retikel 7 abgebildet. Die Ausleuchtung des Objektfeldes 5 ist insbesondere möglichst homogen. Sie weist vorzugsweise einen Uniformitätsfehler von weniger als 2 % auf. Die Felduniformität kann über die Überlagerung unterschiedlicher Beleuchtungskanäle erreicht werden.The first facets 21 are each imaged onto the reticle 7 by an associated
Durch eine Anordnung der zweiten Facetten 23 kann geometrisch die Ausleuchtung der Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 definiert werden. Durch Auswahl der Beleuchtungskanäle, insbesondere der Teilmenge der zweiten Facetten 23, die Licht führen, kann die Intensitätsverteilung in der Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 eingestellt werden. Diese Intensitätsverteilung wird auch als Beleuchtungssetting oder Beleuchtungspupillenfüllung bezeichnet.By arranging the
Eine ebenfalls bevorzugte Pupillenuniformität im Bereich definiert ausgeleuchteter Abschnitte einer Beleuchtungspupille der Beleuchtungsoptik 4 kann durch eine Umverteilung der Beleuchtungskanäle erreicht werden.A likewise preferred pupil uniformity in the area of defined illuminated sections of an illumination pupil of the illumination optics 4 can be achieved by redistributing the illumination channels.
Im Folgenden werden weitere Aspekte und Details der Ausleuchtung des Objektfeldes 5 sowie insbesondere der Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 beschrieben.Further aspects and details of the illumination of the
Die Projektionsoptik 10 kann insbesondere eine homozentrische Eintrittspupille aufweisen. Diese kann zugänglich sein. Sie kann auch unzugänglich sein.The
Die Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 lässt sich regelmäßig mit dem zweiten Facettenspiegel 22 nicht exakt ausleuchten. Bei einer Abbildung der Projektionsoptik 10, welche das Zentrum des zweiten Facettenspiegels 22 telezentrisch auf den Wafer 13 abbildet, schneiden sich die Aperturstrahlen oftmals nicht in einem einzigen Punkt. Es lässt sich jedoch eine Fläche finden, in welcher der paarweise bestimmte Abstand der Aperturstrahlen minimal wird. Diese Fläche stellt die Eintrittspupille oder eine zu ihr konjugierte Fläche im Ortsraum dar. Insbesondere zeigt diese Fläche eine endliche Krümmung.The entrance pupil of the
Es kann sein, dass die Projektionsoptik 10 unterschiedliche Lagen der Eintrittspupille für den tangentialen und für den sagittalen Strahlengang aufweist. In diesem Fall sollte ein abbildendes Element, insbesondere ein optisches Bauelement der Übertragungsoptik, zwischen dem zweiten Facettenspiegel 22 und dem Retikel 7 bereitgestellt werden. Mit Hilfe dieses optischen Elements kann die unterschiedliche Lage der tangentialen Eintrittspupille und der sagittalen Eintrittspupille berücksichtigt werden.The projection optics may have 10 different entrance pupil positions for the tangential and sagittal beam paths. In this case, an imaging element ment, in particular an optical component of the transmission optics, between the
Bei der in der
Gemäß der
Wie die
Wie die
Ferner umfasst das optische System 4,10 eine Recheneinheit (nicht gezeigt). Die Recheneinheit ist dazu eingerichtet, eine Magnetfeldänderung, insbesondere eine mittlere Magnetfeldänderung, in Abhängigkeit der gemessenen induzierten elektrischen Spannung zu ermitteln. Die ermittelte Magnetfeldänderung kann vorteilhafterweise dazu verwendet werden, um einen durch das Magnetfeld By verursachten magnetischen Fehler zu kompensieren.Furthermore, the
In dem Ausführungsbeispiel der
Beispielsweise ist die Leiterschleife 220 durch eine erste Leiterschleife 221 (siehe
Wie die
Wie die
Des Weiteren zeigt die
Des Weiteren zeigt die
Die
Des Weiteren zeigt
Wie die
Obwohl die vorliegende Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen beschrieben wurde, ist sie vielfältig modifizierbar.Although the present invention has been described using exemplary embodiments, it can be modified in many ways.
BEZUGSZEICHENLISTELIST OF REFERENCE SYMBOLS
- 11
- ProjektionsbelichtungsanlageProjection exposure system
- 22
- Beleuchtungssystemlighting system
- 33
- Lichtquellelight source
- 44
- BeleuchtungsoptikLighting optics
- 55
- ObjektfeldObject field
- 66
- ObjektebeneObject level
- 77
- RetikelReticle
- 88
- RetikelhalterReticle holder
- 99
- RetikelverlagerungsantriebReticle displacement drive
- 1010
- ProjektionsoptikProjection optics
- 1111
- BildfeldImage field
- 1212
- BildebeneImage plane
- 1313
- Waferwafers
- 1414
- WaferhalterWafer holder
- 1515
- WaferverlagerungsantriebWafer relocation drive
- 1616
- BeleuchtungsstrahlungIllumination radiation
- 1717
- Kollektorcollector
- 1818
- ZwischenfokusebeneIntermediate focal plane
- 1919
- UmlenkspiegelDeflecting mirror
- 2020
- erster Facettenspiegelfirst faceted mirror
- 2121
- erste Facettefirst facet
- 2222
- zweiter Facettenspiegelsecond facet mirror
- 2323
- zweite Facettesecond facet
- 100100
- optisches Systemoptical system
- 200200
- Leiterplattecircuit board
- 211211
- biegsamer Bereich der Leiterplatteflexible area of the circuit board
- 212212
- starrer Bereich der Leiterplatterigid area of the circuit board
- 213213
- starrer Bereich der Leiterplatterigid area of the circuit board
- 220220
- LeiterschleifeConductor loop
- 221221
- erste Leiterschichtfirst conductor layer
- 222222
- zweite Leiterschichtsecond conductor layer
- 223223
- LeiterDirector
- 231231
- Schlitzslot
- 232232
- Schlitzslot
- 233233
- Schlitzslot
- 234234
- Schlitzslot
- 235235
- Schlitzslot
- 241241
- Fingerfinger
- 242242
- Fingerfinger
- 243243
- Fingerfinger
- 244244
- Fingerfinger
- 245245
- Fingerfinger
- 246246
- Fingerfinger
- 251251
- LeiterDirector
- 252252
- LeiterDirector
- ByBy
- Magnetfeld (parallel zu der Breite des biegsamen Bereichs)Magnetic field (parallel to the width of the flexible area)
- BzBz
- Magnetfeld (senkrecht zu der Breite des biegsamen Bereichs)Magnetic field (perpendicular to the width of the flexible area)
- M1M1
- SpiegelMirror
- M2M2
- SpiegelMirror
- M3M3
- SpiegelMirror
- M4M4
- SpiegelMirror
- M5M5
- SpiegelMirror
- M6M6
- SpiegelMirror
- VV
- VoltmeterVoltmeter
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNGQUOTES CONTAINED IN THE DESCRIPTION
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Zitierte PatentliteraturCited patent literature
- EP 2023/070433 [0004]EP 2023/070433 [0004]
-
DE 10 2008 009 600 A1 [0052, 0056]
DE 10 2008 009 600 A1 [0052, 0056] - US 2006/0132747 A1 [0054]US 2006/0132747 A1 [0054]
-
EP 1 614 008 B1 [0054]
EP 1 614 008 B1 [0054] - US 6,573,978 [0054]US 6,573,978 [0054]
-
DE 10 2017 220 586 A1 [0059]
DE 10 2017 220 586 A1 [0059] - US 2018/0074303 A1 [0073]US 2018/0074303 A1 [0073]
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Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102024205635.9A DE102024205635A1 (en) | 2024-06-19 | 2024-06-19 | OPTICAL SYSTEM AND LITHOGRAPHY SYSTEM WITH AN OPTICAL SYSTEM |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102024205635A1 true DE102024205635A1 (en) | 2025-05-15 |
Family
ID=95481536
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---|---|---|---|
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Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE102024205635A1 (en) |
Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000055994A (en) * | 1998-08-03 | 2000-02-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Magnetic field detection device |
JP2000147034A (en) * | 1998-11-12 | 2000-05-26 | Ricoh Co Ltd | Close fixed magnetic field probe |
US6573978B1 (en) * | 1999-01-26 | 2003-06-03 | Mcguire, Jr. James P. | EUV condenser with non-imaging optics |
DE10212784A1 (en) * | 2002-03-22 | 2003-10-02 | Hella Kg Hueck & Co | Mechanical link for sensor to current conductor in car, contg. sensor of SMD component type on flexible, or rigid-flexible circuit board for connection to electronic circuit board |
US20060132747A1 (en) * | 2003-04-17 | 2006-06-22 | Carl Zeiss Smt Ag | Optical element for an illumination system |
US20070216408A1 (en) * | 2004-03-31 | 2007-09-20 | Noriaki Ando | Magnetic Field Sensor |
DE102008009600A1 (en) * | 2008-02-15 | 2009-08-20 | Carl Zeiss Smt Ag | Facet mirror e.g. field facet mirror, for use as bundle-guiding optical component in illumination optics of projection exposure apparatus, has single mirror tiltable by actuators, where object field sections are smaller than object field |
US20120236579A1 (en) * | 2011-03-16 | 2012-09-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Flexible wiring module and flexible wiring device |
DE102012202167A1 (en) * | 2012-02-14 | 2013-08-14 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Device for magnetic-field-compensated positioning of a component |
US20170287617A1 (en) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | Kinsus Interconnect Technology Corp. | Buildup board structure |
US20180074303A1 (en) * | 2015-04-14 | 2018-03-15 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Imaging optical unit and projection exposure unit including same |
DE102016226079A1 (en) * | 2016-12-22 | 2018-06-28 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Method for positioning a component of an optical system |
DE102017220586A1 (en) * | 2017-11-17 | 2019-05-23 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Pupil facet mirror, illumination optics and optical system for a projection exposure apparatus |
WO2024023010A1 (en) * | 2022-07-25 | 2024-02-01 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optical system, lithography machine having an optical system, and method for producing an optical system |
-
2024
- 2024-06-19 DE DE102024205635.9A patent/DE102024205635A1/en not_active Withdrawn
Patent Citations (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000055994A (en) * | 1998-08-03 | 2000-02-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Magnetic field detection device |
JP2000147034A (en) * | 1998-11-12 | 2000-05-26 | Ricoh Co Ltd | Close fixed magnetic field probe |
US6573978B1 (en) * | 1999-01-26 | 2003-06-03 | Mcguire, Jr. James P. | EUV condenser with non-imaging optics |
DE10212784A1 (en) * | 2002-03-22 | 2003-10-02 | Hella Kg Hueck & Co | Mechanical link for sensor to current conductor in car, contg. sensor of SMD component type on flexible, or rigid-flexible circuit board for connection to electronic circuit board |
EP1614008B1 (en) * | 2003-04-17 | 2009-12-02 | Carl Zeiss SMT AG | Optical element for a lighting system |
US20060132747A1 (en) * | 2003-04-17 | 2006-06-22 | Carl Zeiss Smt Ag | Optical element for an illumination system |
US20070216408A1 (en) * | 2004-03-31 | 2007-09-20 | Noriaki Ando | Magnetic Field Sensor |
DE102008009600A1 (en) * | 2008-02-15 | 2009-08-20 | Carl Zeiss Smt Ag | Facet mirror e.g. field facet mirror, for use as bundle-guiding optical component in illumination optics of projection exposure apparatus, has single mirror tiltable by actuators, where object field sections are smaller than object field |
US20120236579A1 (en) * | 2011-03-16 | 2012-09-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Flexible wiring module and flexible wiring device |
DE102012202167A1 (en) * | 2012-02-14 | 2013-08-14 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Device for magnetic-field-compensated positioning of a component |
US20180074303A1 (en) * | 2015-04-14 | 2018-03-15 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Imaging optical unit and projection exposure unit including same |
US20170287617A1 (en) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | Kinsus Interconnect Technology Corp. | Buildup board structure |
DE102016226079A1 (en) * | 2016-12-22 | 2018-06-28 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Method for positioning a component of an optical system |
DE102017220586A1 (en) * | 2017-11-17 | 2019-05-23 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Pupil facet mirror, illumination optics and optical system for a projection exposure apparatus |
WO2024023010A1 (en) * | 2022-07-25 | 2024-02-01 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optical system, lithography machine having an optical system, and method for producing an optical system |
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