DE102024204997A1 - Microelectromechanical component - Google Patents
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Abstract
Die Erfindung betrifft ein mikroelektromechanisches Bauelement, aufweisend einen Schichtstapel mit einer Mehrzahl an in einer Schichtfolgerichtung angeordneten Schichten. Ein bewegliches Element ist in einer ersten Schicht des Schichtstapels gebildet. Ein feststehendes Element ist zumindest teilweise in einer zweiten Schicht des Schichtstapels gebildet. Das mikroelektromechanische Bauelement weist ferner ein Kondensatorelement auf. Das Kondensatorelement weist eine erste und eine zweite Kondensatorstruktur auf. Die erste Kondensatorstruktur ist mit dem beweglichen Element und die zweite Kondensatorstruktur mit dem feststehenden Element mechanisch verbunden. Das bewegliche Element weist eine Membranstruktur auf, die sich in einer ersten und in einer zweiten Erstreckungsrichtung erstreckt. Diese stehen in einem Winkel zueinander. Die erste Kondensatorstruktur weist zumindest ein erstes Elektrodenelement auf. Das erste Elektrodenelement erstreckt sich in der ersten und in einer dritten Erstreckungsrichtung. Die dritte Erstreckungsrichtung steht in einem Winkel zur ersten Erstreckungsrichtung und zur zweiten Erstreckungsrichtung. Die erste Kondensatorstruktur überragt die Membranstruktur in der dritten Erstreckungsrichtung zumindest teilweise.
The invention relates to a microelectromechanical component comprising a stack of layers with a plurality of layers arranged in a layer sequence direction. A movable element is formed in a first layer of the stack. A stationary element is formed at least partially in a second layer of the stack. The microelectromechanical component further comprises a capacitor element. The capacitor element has a first and a second capacitor structure. The first capacitor structure is mechanically connected to the movable element, and the second capacitor structure is mechanically connected to the stationary element. The movable element has a membrane structure extending in a first and a second direction. These directions are at an angle to each other. The first capacitor structure has at least one first electrode element. The first electrode element extends in the first and a third direction. The third direction is at an angle to both the first and second directions. The first capacitor structure projects at least partially beyond the membrane structure in the third direction.
Description
Die Erfindung betrifft ein mikroelektromechanisches Bauelement.The invention relates to a microelectromechanical component.
Aus dem Stand der Technik sind mikroelektromechanische Bauelemente bekannt. Diese können beispielsweise als mikroelektromechanischer Lautsprecher oder als mikroelektromechanisches Mikrophon ausgestaltet sein. In solchen Bauelementen kann eine bewegliche Membran vorgesehen sein, die entweder angetrieben wird und so einen Schall erzeugen kann oder die sich durch einen auftreffenden Schall bewegt und diese Bewegung als Signal ausgelesen werden kann. Die Membran kann als planare Struktur ausgeführt sein, wobei die Bewegung der Membran derart erfolgt, dass eine Verdrängung und/oder eine Kompression eines Fluids vertikal zur Membranebene erfolgt oder ein Schall vertikal zur Membranebene auftrifft. Um eine effektive Chipfläche zu erhöhen, kann vorgesehen sein, dass die Membran parallel zur Schallaustrittsrichtung oder Schallauftreffrichtung angeordnet ist und quer zur Schallaustrittsrichtung oder Schallauftreffrichtung beweglich ist. In der Druckschrift
Offenbarung der ErfindungDisclosure of the invention
Eine Aufgabe der Erfindung ist es, ein mikroelektromechanisches Bauelement anzugeben, bei dem einerseits ein möglichst großer Hub der Membran ermöglicht ist und bei dem eine für Audiozwecke gut geeignete Übertragungsfunktion erreicht wird. Diese Aufgabe wird mit dem Gegenstand des unabhängigen Patentanspruchs gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen sind in den abhängigen Patentansprüchen angegeben.One object of the invention is to provide a microelectromechanical component that, on the one hand, enables the largest possible diaphragm excursion and, on the other hand, achieves a transfer function well suited for audio purposes. This object is achieved by the subject matter of the independent claim. Advantageous embodiments are specified in the dependent claims.
Die Erfindung betrifft ein mikroelektromechanisches Bauelement, aufweisend einen Schichtstapel mit einer Mehrzahl an in einer Schichtfolgerichtung angeordneten Schichten. Ein bewegliches Element ist in einer ersten Schicht des Schichtstapels gebildet. Ein feststehendes Element ist zumindest teilweise in einer zweiten Schicht des Schichtstapels gebildet. Das mikroelektromechanische Bauelement weist ferner ein Kondensatorelement auf. Das Kondensatorelement weist eine erste Kondensatorstruktur und eine zweite Kondensatorstruktur auf. Die erste Kondensatorstruktur ist mit dem beweglichen Element mechanisch verbunden. Die zweite Kondensatorstruktur ist mit dem feststehenden Element mechanisch verbunden. Das bewegliche Element weist eine Membranstruktur auf, die sich in einer ersten Erstreckungsrichtung und in einer zweiten Erstreckungsrichtung erstreckt. Die erste Erstreckungsrichtung und die zweite Erstreckungsrichtung stehen in einem Winkel zueinander und sind insbesondere senkrecht zueinander angeordnet. Die erste Kondensatorstruktur weist zumindest ein erstes Elektrodenelement auf. Das erste Elektrodenelement erstreckt sich in der ersten Erstreckungsrichtung und in einer dritten Erstreckungsrichtung. Die dritte Erstreckungsrichtung steht jeweils in einem Winkel zur ersten Erstreckungsrichtung und zur zweiten Erstreckungsrichtung, und ist insbesondere jeweils senkrecht zur ersten Erstreckungsrichtung und zur zweiten Erstreckungsrichtung. Die erste Kondensatorstruktur überragt die Membranstruktur in der dritten Erstreckungsrichtung zumindest teilweise.The invention relates to a microelectromechanical component comprising a stack of layers with a plurality of layers arranged in a layer sequence direction. A movable element is formed in a first layer of the stack. A stationary element is formed at least partially in a second layer of the stack. The microelectromechanical component further comprises a capacitor element. The capacitor element has a first capacitor structure and a second capacitor structure. The first capacitor structure is mechanically connected to the movable element. The second capacitor structure is mechanically connected to the stationary element. The movable element has a membrane structure extending in a first direction and in a second direction. The first direction and the second direction are at an angle to each other and are, in particular, arranged perpendicular to each other. The first capacitor structure comprises at least one first electrode element. The first electrode element extends in the first direction and in a third direction. The third extension direction is at an angle to both the first and second extension directions, and in particular, is perpendicular to both the first and second extension directions. The first capacitor structure extends at least partially beyond the membrane structure in the third extension direction.
Die Schichten können insbesondere mikromechanische Schichten und/oder mikroelektromechanische Schichten sein. Die zweite Erstreckungsrichtung kann insbesondere parallel zur Schichtfolgerichtung sein. In der zweiten Erstreckungsrichtung kann die Membranstruktur insbesondere eine Höhe zwischen 100 Mikrometer und einem Millimeter aufweisen, insbesondere zwischen 100 Mikrometer und 500 Mikrometer. Eine Breite der Membranstruktur in der ersten Erstreckungsrichtung kann ebenfalls zwischen 100 Mikrometer und einem Millimeter liegen, insbesondere zwischen 100 Mikrometer und 500 Mikrometer. Die Kondensatorstruktur kann als Antriebsstruktur oder als Auslesestruktur dienen. Wenn die Kondensatorstruktur als Antriebsstruktur dient, kann eine Spannung an die Kondensatorelemente angelegt werden und dadurch eine Bewegung der Membranstruktur erzeigt werden. Wenn die Kondensatorstruktur als Auslesestruktur dient, kann eine Bewegung der Membranstruktur über die Kondensatorelemente ausgelesen werden. Ferner kann eine dritte Schicht mit einem weiterem Kondensatorelement vorgesehen sein, wobei das weitere Kondensatorelement eine weitere erste Kondensatorstruktur, die mit dem beweglichen Element mechanisch verbunden ist, und eine weitere zweite Kondensatorstruktur, die mit dem feststehenden Element mechanisch verbunden ist, aufweist.The layers can be, in particular, micromechanical layers and/or microelectromechanical layers. The second extension direction can be, in particular, parallel to the layer sequence direction. In the second extension direction, the membrane structure can, in particular, have a height between 100 micrometers and one millimeter, especially between 100 micrometers and 500 micrometers. The width of the membrane structure in the first extension direction can also be between 100 micrometers and one millimeter, especially between 100 micrometers and 500 micrometers. The capacitor structure can serve as a drive structure or as a readout structure. If the capacitor structure serves as a drive structure, a voltage can be applied to the capacitor elements, thereby generating movement of the membrane structure. If the capacitor structure serves as a readout structure, movement of the membrane structure can be read out via the capacitor elements. Furthermore, a third layer with another capacitor element can be provided, wherein the further capacitor element has another first capacitor structure mechanically connected to the moving element and another second capacitor structure mechanically connected to the stationary element.
Ein solches mikroelektromechanisches Bauelement kann insbesondere einen hohen und konstanten Schalldruckpegel im hörbaren Frequenzbereich zwischen 20 Hertz und 20 Kilohertz aufweisen. Gleichzeitig oder alternativ kann eine hohe Linearität erreicht werden, also dass die Auslenkung der Membranstruktur linear zur angelegten Spannung beziehungsweise zum ausgelesenen Signal ist.Such a microelectromechanical component can, in particular, exhibit a high and constant sound pressure level in the audible frequency range between 20 Hertz and 20 Kilohertz. Simultaneously or alternatively, high linearity can be achieved, meaning that the deflection of the diaphragm structure is linear to the applied voltage or the read-out signal.
In einer Ausführungsform des mikroelektromechanischen Bauelements weist dieses ferner ein erstes Rippenelement auf. Das erste Rippenelement stützt die erste Kondensatorstruktur gegen die Membranstruktur ab. Durch das erste Rippenelement kann die Stabilität der ersten Kondensatorstruktur und/oder der Membranstruktur erhöht sein, so dass das bewegliche Element insgesamt stabiler ausgestaltet ist und im Betrieb größere mechanische Belastungen aushält. Ist die dritte Schicht mit dem zweiten Kondensatorelement vorgesehen, kann das erste Rippenelement ferner zusätzlich die weitere erste Kondensatorstruktur abstützen.In one embodiment of the microelectromechanical component, it further comprises a first rib element. The first rib element supports the first capacitor structure against the membrane structure. The first rib element can increase the stability of the first capacitor structure and/or the membrane structure, so that The moving element is designed to be more stable overall and can withstand greater mechanical loads during operation. If the third layer includes the second capacitor element, the first rib element can also additionally support the first capacitor structure.
In einer Ausführungsform des mikroelektromechanischen Bauelements erstreckt sich das erste Rippenelement in der zweiten Erstreckungsrichtung über mindestens 50 Prozent der Membranstruktur. Insbesondere erstreckt sich das erste Rippenelement in der zweiten Erstreckungsrichtung vollständig über die Membranstruktur.In one embodiment of the microelectromechanical device, the first rib element extends over at least 50 percent of the membrane structure in the second direction of extension. In particular, the first rib element extends completely over the membrane structure in the second direction of extension.
Es kann vorgesehen sein, dass das erste Rippenelement in der ersten Erstreckungsrichtung eine Breite zwischen einem Mikrometer und fünf Millimeter, bevorzugt zwischen fünf Mikrometer und einem Millimeter, aufweist. Eine Tiefe des ersten Rippenelements in der dritten Erstreckungsrichtung kann zwischen einem Mikrometer und fünf Millimeter, bevorzugt zwischen fünf Mikrometer und einem Millimeter, betragen.The first rib element may have a width between one micrometer and five millimeters, preferably between five micrometers and one millimeter, in the first extension direction. The depth of the first rib element in the third extension direction may be between one micrometer and five millimeters, preferably between five micrometers and one millimeter.
In einer Ausführungsform des mikroelektromechanischen Bauelements weist das erste Rippenelement auf einer der Membranstruktur abgewandten Seite eine Krümmung auf. Durch die Krümmung kann beispielsweise das Verhalten der Membranstruktur hinsichtlich des Schalldrucks und/oder der Linearität beeinflusst werden.In one embodiment of the microelectromechanical component, the first rib element has a curvature on a side facing away from the membrane structure. This curvature can, for example, influence the behavior of the membrane structure with regard to sound pressure and/or linearity.
In einer Ausführungsform des mikroelektromechanischen Bauelements weist das erste Rippenelement zumindest in einem Teilbereich auf einer der Membranstruktur abgewandten Seite eine schräge Kontur auf. Die schräge Kontur kann insbesondere Schräg zur Ebene der Membranstruktur sein. Die schräge Kontur kann insbesondere der Abstützung der ersten Kondensatorstruktur dienen. Ist die dritte Schicht mit dem zweiten Kondensatorelement vorgesehen, kann das erste Rippenelement zumindest in zwei Teilbereichen auf einer der Membranstruktur abgewandten Seite eine schräge Kontur aufweisen, wobei die schräge Kontur in beiden Teilbereichen der Abstützung der ersten Kondensatorstruktur und/oder der Abstützung der weiteren ersten Kondensatorstruktur dienen kann.In one embodiment of the microelectromechanical component, the first rib element has an inclined contour at least in a partial area on a side facing away from the membrane structure. The inclined contour can, in particular, be inclined to the plane of the membrane structure. The inclined contour can, in particular, serve to support the first capacitor structure. If the third layer with the second capacitor element is provided, the first rib element can have an inclined contour at least in two partial areas on a side facing away from the membrane structure, wherein the inclined contour in both partial areas can serve to support the first capacitor structure and/or the second first capacitor structure.
In einer Ausführungsform des mikroelektromechanischen Bauelements ist das erste Rippenelement senkrecht zur Membranstruktur angeordnet.In one embodiment of the microelectromechanical component, the first rib element is arranged perpendicular to the membrane structure.
In einer Ausführungsform des mikroelektromechanischen Bauelements weist dieses ferner ein zweites Rippenelement auf. Das erste Rippenelement und das zweite Rippenelement sind auf derselben Seite der Membranstruktur angeordnet. Das zweite Rippenelement kann insbesondere analog zum ersten Rippenelement aufgebaut sein.In one embodiment of the microelectromechanical component, it further comprises a second rib element. The first rib element and the second rib element are arranged on the same side of the membrane structure. The second rib element can, in particular, be constructed analogously to the first rib element.
In einer Ausführungsform des mikroelektromechanischen Bauelements weist dieses ferner ein weiteres erstes Rippenelement auf. Das weitere erste Rippenelement und das erste Rippenelement sind auf unterschiedlichen Seiten der Membranstruktur angeordnet. Das erste Rippenelement und das weitere erste Rippenelement können dabei insbesondere direkt gegenüberliegend angeordnet sein. Alternativ können das erste Rippenelement und das weitere erste Rippenelement bezogen auf die erste Erstreckungsrichtung versetzt zueinander angeordnet sein. In one embodiment of the microelectromechanical device, it further comprises a second first rib element. The second first rib element and the first rib element are arranged on opposite sides of the membrane structure. The first rib element and the second first rib element can, in particular, be arranged directly opposite each other. Alternatively, the first rib element and the second first rib element can be arranged offset from each other with respect to the first direction of extension.
In einer Ausführungsform des mikroelektromechanischen Bauelements weist dieses ferner ein weiteres zweites Rippenelement auf. Das weitere erste Rippenelement und das weitere zweite Rippenelement sind auf derselben Seite der Membranstruktur angeordnet. Ist auch das zweite Rippenelement vorhanden, können das zweite Rippenelement und das weitere zweite Rippenelement direkt gegenüberliegend angeordnet sein. Alternativ können das zweite Rippenelement und das weitere zweite Rippenelement bezogen auf die erste Erstreckungsrichtung versetzt zueinander angeordnet sein.In one embodiment of the microelectromechanical device, it further comprises a second rib element. The first rib element and the second rib element are arranged on the same side of the membrane structure. If the second rib element is also present, it can be arranged directly opposite each other. Alternatively, the second rib element and the second rib element can be offset from each other with respect to the first direction of extension.
In einer Ausführungsform des mikroelektromechanischen Bauelements weist die erste Kondensatorstruktur eine bezogen auf die dritte Erstreckungsrichtung gekrümmte Außenkontur auf. Dies kann insbesondere bedeuten, dass die Außenkontur bezogen auf die dritte Erstreckungsrichtung unterschiedliche Abstände zur Membranstruktur aufweist.In one embodiment of the microelectromechanical component, the first capacitor structure has an outer contour that is curved with respect to the third direction of extension. This can, in particular, mean that the outer contour has different distances to the membrane structure with respect to the third direction of extension.
In einer Ausführungsform des mikroelektromechanischen Bauelements ist die Außenkontur derart gekrümmt, dass die Außenkontur der ersten Kondensatorstruktur in einem ersten Bereich einen maximalen Abstand zur Membranstruktur aufweist. Dadurch kann insbesondere die Linearität verbessert werden.In one embodiment of the microelectromechanical component, the outer contour is curved such that the outer contour of the first capacitor structure has a maximum distance to the membrane structure in a first region. This particularly improves linearity.
In einer Ausführungsform des mikroelektromechanischen Bauelements ist die Außenkontur derart gekrümmt, dass die Außenkontur der ersten Kondensatorstruktur in einem zweiten Bereich einen Abstand zur Membranstruktur aufweist, der dem Abstand im ersten Bereich entspricht und wobei in einem dritten Bereich zwischen dem ersten Bereich und dem zweiten Bereich ein Abstand der Außenkontur der ersten Kondensatorstruktur zur Membranstruktur kleiner ist als im ersten Bereich beziehungsweise zweiten Bereich. Der erste Bereich und der zweite Bereich können dabei insbesondere an einer Stelle sein, an der die Membranstruktur bei maximaler Auslenkung einen Wendepunkt einer Membrankrümmung aufweist und der dritte Bereich an einer Stelle sein, da der die maximale Auslenkung der Membranstruktur vorliegt. Gegebenenfalls vorhandene Rippenelemente können dabei insbesondere im ersten Bereich und im zweiten Bereich, aber auch im dritten Bereich angeordnet sein.In one embodiment of the microelectromechanical device, the outer contour is curved such that, in a second region, the outer contour of the first capacitor structure has a distance from the membrane structure that corresponds to the distance in the first region, and in a third region between the first region and the second region, the distance between the outer contour of the first capacitor structure and the membrane structure is smaller than in the first region or the second region, respectively. The first region and the second region can, in particular, be located at a point where the membrane structure has an inflection point of its curvature at maximum deflection. The membrane structure must be at a point where it experiences maximum deflection. Any existing rib elements can be located in the first and second regions, but also in the third region.
In einer Ausführungsform des mikroelektromechanischen Bauelements weist die erste Kondensatorstruktur zumindest zwei erste Kondensatorbereiche auf. Die erste Kondensatorstruktur ist zwischen den ersten Kondensatorbereichen unterbrochen. Durch die Unterbrechung kann eine Verbesserung der Linearität und des Schalldrucks erreicht werden.In one embodiment of the microelectromechanical component, the first capacitor structure has at least two first capacitor regions. The first capacitor structure is interrupted between the first capacitor regions. This interruption improves linearity and sound pressure.
In einer Ausführungsform des mikroelektromechanischen Bauelements weist die Membranstruktur ein erstes Material auf. Die erste Kondensatorstruktur weist ein zweites Material auf. Das erste Material und das zweite Material können insbesondere unterschiedlich sein.In one embodiment of the microelectromechanical device, the membrane structure comprises a first material. The first capacitor structure comprises a second material. The first material and the second material can, in particular, be different.
In einer Ausführungsform des mikroelektromechanischen Bauelements weist das bewegliche Element zwischen der Membranstruktur und der ersten Kondensatorstruktur eine Verjüngung auf.In one embodiment of the microelectromechanical component, the movable element between the membrane structure and the first capacitor structure has a taper.
In einer Ausführungsform des mikroelektromechanischen Bauelements ist die Membranstruktur bezogen auf die erste Erstreckungsrichtung einseitig oder beidseitig mit dem feststehenden Element verbunden.In one embodiment of the microelectromechanical component, the membrane structure is connected to the stationary element on one or both sides with respect to the first extension direction.
In einer Ausführungsform des mikroelektromechanischen Bauelements ist die erste Kondensatorstruktur symmetrisch zur Membranstruktur angeordnet. Eine gegebenenfalls vorhandene weitere erste Kondensatorstruktur kann ebenfalls symmetrisch zur Membranstruktur angeordnet sein.In one embodiment of the microelectromechanical device, the first capacitor structure is arranged symmetrically to the membrane structure. Any further first capacitor structure that may be present can also be arranged symmetrically to the membrane structure.
In einer Ausführungsform des mikroelektromechanischen Bauelements ist die erste Kondensatorstruktur asymmetrisch zur Membranstruktur angeordnet. Eine gegebenenfalls vorhandene weitere erste Kondensatorstruktur kann ebenfalls asymmetrisch zur Membranstruktur angeordnet sein. Dabei können die erste Kondensatorstruktur und die weitere erste Kondensatorstruktur bezogen auf die dritte Erstreckungsrichtung übereinanderliegend angeordnet sein oder bezogen auf die dritte Erstreckungsrichtung versetzt zueinander angeordnet sein, insbesondere derart, dass durch den Versatz die Membranstruktur mittig zwischen der ersten Kondensatorstruktur und der weiteren ersten Kondensatorstruktur angeordnet ist.In one embodiment of the microelectromechanical component, the first capacitor structure is arranged asymmetrically to the membrane structure. Any further first capacitor structure that may be present can also be arranged asymmetrically to the membrane structure. The first capacitor structure and the further first capacitor structure can be arranged one above the other with respect to the third direction of extension, or they can be offset from each other with respect to the third direction of extension, in particular such that the offset positions the membrane structure centrally between the first capacitor structure and the further first capacitor structure.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden anhand der folgenden Zeichnungen erläutert. In der schematischen Zeichnung zeigen:
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1 einen Querschnitt durch ein mikroelektromechanisches Bauelement; -
2 eine Draufsicht auf ein bewegliches Element des mikroelektromechanischen Bauelements der1 ; -
3 einen Querschnitt durch ein weiteres bewegliches Element eines weiteren mikroelektromechanischen Bauelements; -
4 einen weiteren Querschnitt des weiteren beweglichen Elements der3 ; -
5 einen Querschnitt durch ein weiteres bewegliches Element eines weiteren mikroelektromechanischen Bauelements; -
6 einen Querschnitt durch ein weiteres bewegliches Element eines weiteren mikroelektromechanischen Bauelements; -
7 einen Querschnitt durch ein weiteres bewegliches Element eines weiteren mikroelektromechanischen Bauelements; -
8 einen Querschnitt durch ein weiteres bewegliches Element eines weiteren mikroelektromechanischen Bauelements; -
9 einen Querschnitt durch ein weiteres bewegliches Element eines weiteren mikroelektromechanischen Bauelements; -
10 einen Querschnitt durch ein weiteres bewegliches Element eines weiteren mikroelektromechanischen Bauelements; -
11 einen Querschnitt durch ein weiteres bewegliches Element eines weiteren mikroelektromechanischen Bauelements; -
12 einen Querschnitt durch ein weiteres bewegliches Element eines weiteren mikroelektromechanischen Bauelements; -
13 einen Querschnitt durch ein weiteres bewegliches Element eines weiteren mikroelektromechanischen Bauelements; -
14 einen Querschnitt durch ein weiteres bewegliches Element eines weiteren mikroelektromechanischen Bauelements; -
15 einen Querschnitt durch ein weiteres bewegliches Element eines weiteren mikroelektromechanischen Bauelements; -
16 einen Querschnitt durch ein weiteres bewegliches Element eines weiteren mikroelektromechanischen Bauelements; -
17 einen Querschnitt durch ein weiteres bewegliches Element eines weiteren mikroelektromechanischen Bauelements; -
18 einen Querschnitt durch ein weiteres bewegliches Element eines weiteren mikroelektromechanischen Bauelements; -
19 einen Querschnitt durch ein weiteres bewegliches Element eines weiteren mikroelektromechanischen Bauelements; -
20 einen Querschnitt durch einen Ausschnitt eines weiteren beweglichen Elements eines weiteren mikroelektromechanischen Bauelements; und -
21 einen Querschnitt durch einen Ausschnitt eines weiteren beweglichen Elements eines weiteren mikroelektromechanischen Bauelements.
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1 a cross-section through a microelectromechanical component; -
2 a top view of a moving element of the microelectromechanical component of the1 ; -
3 a cross-section through another movable element of another microelectromechanical component; -
4 a further cross-section of the further movable element of the3 ; -
5 a cross-section through another movable element of another microelectromechanical component; -
6 a cross-section through another movable element of another microelectromechanical component; -
7 a cross-section through another movable element of another microelectromechanical component; -
8 a cross-section through another movable element of another microelectromechanical component; -
9 a cross-section through another movable element of another microelectromechanical component; -
10 a cross-section through another movable element of another microelectromechanical component; -
11 a cross-section through another movable element of another microelectromechanical component; -
12 a cross-section through another movable element of another microelectromechanical component; -
13 a cross-section through another movable element of another microelectromechanical component; -
14 a cross-section through another movable element of another microelectromechanical component; -
15 a cross-section through another movable element of another microelectromechanical component; -
16 a cross-section through another movable element of another microelectromechanical component; -
17 a cross-section through another movable element of another microelectromechanical component; -
18 a cross-section through another movable element of another microelectromechanical component; -
19 a cross-section through another movable element of another microelectromechanical component; -
20 a cross-section through a section of another movable element of another microelectromechanical component; and -
21 a cross-section through a section of another movable element of another microelectromechanical component.
Im Folgenden sind anhand der
In einem Ausführungsbeispiel weist die zweite Kondensatorstruktur 122 zumindest ein zweites Elektrodenelement 124 auf, wobei in
In einem Ausführungsbeispiel ist eine dritte Schicht 116 mit einem weiterem Kondensatorelement 125 vorgesehen, wobei das weitere Kondensatorelement 125 eine weitere erste Kondensatorstruktur 126, die mit dem beweglichen Element 114 mechanisch verbunden ist, und eine weitere zweite Kondensatorstruktur 127, die mit dem feststehenden Element 115 mechanisch verbunden ist, aufweist. Im Ausführungsbeispiel der
Die Schichten 112, 113, 116 können insbesondere mikromechanische Schichten 112, 113, 116 und/oder mikroelektromechanische Schichten 112, 113, 116 sein. Die zweite Erstreckungsrichtung 102 kann insbesondere parallel zur Schichtfolgerichtung 111 sein. Die zweite Schicht 113 und die dritte Schicht 116 können insbesondere bezogen auf die Schichtfolgerichtung 111 auf gegenüberliegenden Seiten der ersten Schicht 112 angeordnet sein. In der zweiten Erstreckungsrichtung 102 kann die Membranstruktur 140 insbesondere eine Höhe zwischen 100 Mikrometer und einem Millimeter aufweisen, insbesondere zwischen 100 Mikrometer und 500 Mikrometer.The layers 112, 113, 116 can be, in particular, micromechanical layers 112, 113, 116 and/or microelectromechanical layers 112, 113, 116. The second extension direction 102 can, in particular, be parallel to the layer sequence direction 111. The second layer 113 and the third layer 116 can, in particular, be arranged on opposite sides of the first layer 112 with respect to the layer sequence direction 111. In the second extension direction 102, the membrane structure 140 can, in particular, have a height between 100 micrometers and one millimeter, especially between 100 micrometers and 500 micrometers.
Ein solches mikroelektromechanisches Bauelement 100 kann insbesondere einen hohen und konstanten Schalldruckpegel im hörbaren Frequenzbereich zwischen 20 Hertz und 20 Kilohertz aufweisen. Gleichzeitig oder alternativ kann eine hohe Linearität erreicht werden, also dass die Auslenkung der Membranstruktur 140 linear zur angelegten Spannung beziehungsweise zum ausgelesenen Signal ist.Such a microelectromechanical component 100 can, in particular, exhibit a high and constant sound pressure level in the audible frequency range between 20 Hertz and 20 Kilohertz. Simultaneously or alternatively, high linearity can be achieved, meaning that the deflection of the diaphragm structure 140 is linear to the applied voltage or the read-out signal.
In einem Ausführungsbeispiel ist die Membranstruktur 140, wie in
Bei den im Folgenden erläuterten Ausführungsbeispielen wird das feststehende Element 115 gegebenenfalls nicht mehr dargestellt, wenn sich Änderungen zum bereits beschriebenen mikroelektromechanischen Bauelement 100 ausschließlich auf Änderungen am beweglichen Element 114 beziehen.In the embodiments described below, the stationary element 115 may no longer be shown if changes to the microelectromechanical component 100 already described relate exclusively to changes to the movable element 114.
Es kann ferner vorgesehen sein, wie in
In einem Ausführungsbeispiel des mikroelektromechanischen Bauelements 100 ist das erste Rippenelement 150 (und gegebenenfalls auch das optionale weitere erste Rippenelement 151), wie in den
Durch die Krümmung 152 kann beispielsweise das Verhalten der Membranstruktur 140 hinsichtlich des Schalldrucks und/oder der Linearität beeinflusst werden. Die Krümmung 152 ist dabei bezogen auf die zweite Erstreckungsrichtung symmetrisch, alternativ sind aber auch asymmetrische Ausgestaltungen der Krümmung 152 möglich.The curvature 152 can, for example, influence the behavior of the membrane structure 140 with regard to sound pressure and/or linearity. The curvature 152 is symmetrical with respect to the second direction of extension; however, asymmetrical configurations of the curvature 152 are also possible.
Die in den
Ebenfalls in
Sämtliche Rippenelemente 150, 151, 154, 155 können identisch aufgebaut sein. Dabei können die Rippenelemente 150, 151, 154, 155 insbesondere die in den
In einem Ausführungsbeispiel des mikroelektromechanischen Bauelements 100 ist die Außenkontur 131 derart gekrümmt, dass die Außenkontur 131 der ersten Kondensatorstruktur 121 in einem ersten Bereich 132 einen maximalen Abstand zur Membranstruktur 140 aufweist. Dadurch kann insbesondere die Linearität verbessert werden.In one embodiment of the microelectromechanical component 100, the outer contour 131 is curved such that the outer contour 131 of the first capacitor structure 121 has a maximum distance to the membrane structure 140 in a first region 132. This allows the linearity to be improved in particular.
In
Insbesondere kann vorgesehen sein, dass die ersten Rippenelemente 150, 151 an der Stelle der Membranstruktur angeordnet sind, an der die Außenkontur 131 einen maximalen Abstand von der Membranstruktur 140 aufweist, während die zweiten Rippenelemente 154, 155 an der Stelle der Membranstruktur 140 angeordnet sind, an der eine Krümmung der Außenkontur 132 minimal ist.In particular, it can be provided that the first rib elements 150, 151 are arranged at the location of the membrane structure where the outer contour 131 has a maximum distance from the membrane structure 140, while the second rib elements 154, 155 are arranged at the location of the membrane structure 140 where the curvature of the outer contour 132 is minimal.
In einem Ausführungsbeispiel des mikroelektromechanischen Bauelements 100 ist die Außenkontur 131 derart gekrümmt, dass die Außenkontur 131 der ersten Kondensatorstruktur 121 in einem ersten Bereich 132 einen maximalen Abstand zur Membranstruktur 140 aufweist. Dadurch kann insbesondere die Linearität verbessert werden.In one embodiment of the microelectromechanical component 100, the outer contour 131 is curved such that the outer contour 131 of the first capacitor structure 121 has a maximum distance to the membrane structure 140 in a first region 132. This allows the linearity to be improved in particular.
In
Gegensatz zum Ausführungsbeispiel der
In einem Ausführungsbeispiel des mikroelektromechanischen Bauelements 100 ist die Außenkontur 131 derart gekrümmt, dass die Außenkontur 131 der ersten Kondensatorstruktur 121 in einem ersten Bereich 132 und im zweiten Bereich 133 einen maximalen Abstand zur Membranstruktur 140 aufweist. Dadurch kann insbesondere die Linearität verbessert werden.In one embodiment of the microelectromechanical component 100, the outer contour 131 is curved such that the outer contour 131 of the first capacitor structure 121 has a maximum distance to the membrane structure 140 in a first region 132 and in a second region 133. This allows the linearity to be improved in particular.
Optional in
In den in den
In den Ausführungsbeispielen der
Im Ausführungsbeispiel der
Die in den
In den in den
Optional können wieder die bereits beschriebenen ersten Rippenelemente 150, 151 vorgesehen sein, die im Ausführungsbeispiel der
Optional können wieder die bereits beschriebenen ersten Rippenelemente 150, 151 vorgesehen sein, die im Ausführungsbeispiel der
In den Ausführungsbeispielen der
Die erste Kondensatorstruktur 121 und die weitere erste Kondensatorstruktur 126 können bezogen auf die dritte Erstreckungsrichtung 103 übereinanderliegend angeordnet sein. Insbesondere können die erste Kondensatorstruktur 121 und die weitere erste Kondensatorstruktur 126 bezogen auf die zweite Erstreckungsrichtung 102 fluchtend angeordnet sein.The first capacitor structure 121 and the further first capacitor structure 126 can be arranged one above the other with respect to the third extension direction 103. In particular, the first capacitor structure 121 and the further first capacitor structure 126 can be arranged in alignment with respect to the second extension direction 102.
In einem Ausführungsbeispiel des mikroelektromechanischen Bauelements 100 weist das bewegliche Element 114 zwischen der Membranstruktur 140 und der ersten Kondensatorstruktur 121 eine Verjüngung 141 auf, wie in
Obwohl die Erfindung im Detail durch die bevorzugten Ausführungsbeispiele beschrieben wurde, ist die Erfindung nicht auf die offenbarten Beispiele eingeschränkt und andere Variationen hieraus können vom Fachmann abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen.Although the invention has been described in detail by means of the preferred embodiments, the invention is not limited to the disclosed examples and other variations can be derived from them by a person skilled in the art without leaving the scope of protection of the invention.
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Zitierte PatentliteraturCited patent literature
- WO 2022 117 197 A1 [0002]WO 2022 117 197 A1 [0002]
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
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