DE102012208064A1 - Illumination optics for EUV projection lithography - Google Patents
Illumination optics for EUV projection lithography Download PDFInfo
- Publication number
- DE102012208064A1 DE102012208064A1 DE102012208064A DE102012208064A DE102012208064A1 DE 102012208064 A1 DE102012208064 A1 DE 102012208064A1 DE 102012208064 A DE102012208064 A DE 102012208064A DE 102012208064 A DE102012208064 A DE 102012208064A DE 102012208064 A1 DE102012208064 A1 DE 102012208064A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- mirror
- individual
- illumination
- facet
- groups
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
- 238000005286 illumination Methods 0.000 title claims abstract description 108
- 238000001459 lithography Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 2
- 238000013507 mapping Methods 0.000 claims 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 abstract description 8
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 30
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 14
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 9
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 2
- BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N (2r,3r,4s,5r)-2-[6-[[2-(3,5-dimethoxyphenyl)-2-(2-methylphenyl)ethyl]amino]purin-9-yl]-5-(hydroxymethyl)oxolane-3,4-diol Chemical compound COC1=CC(OC)=CC(C(CNC=2C=3N=CN(C=3N=CN=2)[C@H]2[C@@H]([C@H](O)[C@@H](CO)O2)O)C=2C(=CC=CC=2)C)=C1 BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 1
- 238000001393 microlithography Methods 0.000 description 1
- 238000009304 pastoral farming Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
- G03F7/70116—Off-axis setting using a programmable means, e.g. liquid crystal display [LCD], digital micromirror device [DMD] or pupil facets
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
- G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
- G02B26/0816—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
- G02B26/0833—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/08—Mirrors
- G02B5/0891—Ultraviolet [UV] mirrors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70075—Homogenization of illumination intensity in the mask plane by using an integrator, e.g. fly's eye lens, facet mirror or glass rod, by using a diffusing optical element or by beam deflection
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70083—Non-homogeneous intensity distribution in the mask plane
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/702—Reflective illumination, i.e. reflective optical elements other than folding mirrors, e.g. extreme ultraviolet [EUV] illumination systems
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Microscoopes, Condenser (AREA)
- Lenses (AREA)
Abstract
Eine Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithographie dient zur Führung von Beleuchtungslicht hin zu einem Objektfeld, in dem eine Lithographiemaske anordenbar ist. Die Beleuchtungsoptik hat einen ersten Facettenspiegel (36), der eine Vielzahl von zwischen mindestens zwei Kippstellungen schaltbaren Einzelspiegeln (26) aufweist. Letztere stellen Einzelspiegel-Ausleuchtungskanäle (35a) zur Führung von Beleuchtungslicht-Teilbündeln hin zum Objektfeld (5) bereit. Ein zweiter Facettenspiegel (20) der Beleuchtungsoptik ist dem ersten Facettenspiegel (36) im Strahlengang des Beleuchtungslichts (16) nachgeordnet. Der zweite Facettenspiegel (20) weist eine Mehrzahl von Facetten (34) auf, die jeweils zur Abbildung einer Gruppe (24a) der Einzelspiegel (26) des ersten Facettenspiegels (36) in das Objektfeld (5) über einen Gruppenspiegel-Ausleuchtungskanal (35) beitragen. Die Bilder der Gruppen (24a) überlagern einander im Objektfeld (5). Zumindest einige der Einzelspiegel (260) gehören mindestens zwei Verschiedenen der Einzelspiegel-Gruppen (24a2, 24a3), die jeweils über einen eigenen Gruppenspiegel-Ausleuchtungskanal (352, 353) einer eigenen zweiten Facette (342, 343) zugeordnet sind.An illumination optics for the EUV projection lithography serves to guide illumination light toward an object field in which a lithography mask can be arranged. The illumination optics has a first facet mirror (36) which has a multiplicity of individual mirrors (26) which can be switched between at least two tilt positions. The latter provide single-mirror illumination channels (35a) for guiding illumination light sub-beams toward the object field (5). A second facet mirror (20) of the illumination optics is arranged downstream of the first facet mirror (36) in the beam path of the illumination light (16). The second facet mirror (20) has a plurality of facets (34) each for imaging a group (24a) of the individual mirrors (26) of the first facet mirror (36) into the object field (5) via a group mirror illumination channel (35). contribute. The images of the groups (24a) overlap each other in the object field (5). At least some of the individual mirrors (260) include at least two different ones of the individual-mirror groups (24a2, 24a3), each of which is assigned its own second-mirror facet (342, 343) via its own group-mirror illumination channel (352, 353).
Description
Die Erfindung betrifft eine Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithographie zur Führung von Beleuchtungslicht hin zu einem Objektfeld, in dem eine Lithographiemaske anordenbar ist. Ferner betrifft die Erfindung ein Beleuchtungssystem mit einer derartigen Beleuchtungsoptik und einer Projektionsoptik zur Abbildung des Objektfeldes in ein Bildfeld. Weiterhin betrifft die Erfindung eine Projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen Beleuchtungssystem, ein Verfahren zur Herstellung eines mikro- beziehungsweise nanostrukturierten Bauteils, insbesondere eines Halbleiterchips, mit Hilfe einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage und ein derart hergestelltes mikro- beziehungsweise nanostrukturiertes Bauteil. The invention relates to an illumination optics for EUV projection lithography for guiding illumination light toward an object field in which a lithography mask can be arranged. Furthermore, the invention relates to a lighting system with such illumination optics and projection optics for imaging the object field in an image field. Furthermore, the invention relates to a projection exposure apparatus having such an illumination system, a method for producing a microstructured or nanostructured component, in particular a semiconductor chip, with the aid of such a projection exposure apparatus and a microstructured or nanostructured component produced in this way.
Eine Beleuchtungsoptik der eingangs genannten Art ist bekannt aus der
Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Beleuchtungsoptik der eingangs genannten Art derart weiterzubilden, dass eine Flexibilität bei der Einstellung verschiedener Beleuchtungsgeometrien beziehungsweise Beleuchtungssettings erhöht ist. It is an object of the present invention to further develop an illumination optics of the type mentioned at the outset in such a way that flexibility in setting different illumination geometries or illumination settings is increased.
Diese Aufgabe ist erfindungsgemäß gelöst durch eine Beleuchtungsoptik mit den im Anspruch 1 angegebenen Merkmalen. This object is achieved by an illumination optical system with the features specified in claim 1.
Die Erfindung löst sich von der Vorgabe einer festen Zuordnung aller Einzelspiegel des ersten Facettenspiegels zu bestimmten Einzelspiegel-Gruppen, wobei jeder Einzelspiegel nur genau einer Einzelspiegel-Gruppe zugeordnet ist. Bei der erfindungsgemäßen Beleuchtungsoptik kann über die Verkippung der Einzelspiegel nicht nur ein Wechsel zwischen über die Einzelspiegel-Ausleuchtungskanäle zugeordneten zweiten Facetten erfolgen, sondern es kann auch ein Wechsel der Gruppen-Zuordnung der Einzelspiegel zu jeweils einer Einzelspiegel-Gruppe erfolgen, die mindestens einer zweiten Facette über mindestens einen Gruppen-Ausleuchtungskanal zugeordnet ist. Ein und dieselbe Einzelspiegel-Gruppe kann je nach Kippstellung der Einzelspiegel verschiedenen zweiten Facetten über jeweils einen Gruppen-Ausleuchtungskanal zugeordnet sein. Dadurch, dass zumindest einige der Einzelspiegel zu mindestens zwei verschiedenen Einzelspiegel-Gruppen gehören können, kann bei gegebener Anzahl der Einzelspiegel des ersten Facettenspiegels eine viel größere Anzahl von Einzelspiegel-Gruppen gebildet werden, die jeweils über einen eigenen Gruppenspiegel-Ausleuchtungskanal einer eigenen zweiten Facette zugeordnet sind, als dies bei der Gruppen-Zuordnung nach dem Stand der Technik möglich war. Mit einem ersten Facettenspiegel mit einer gegebenen Anzahl von Einzelspiegeln kann daher eine viel größere Anzahl von zweiten Facetten über jeweilige Gruppenspiegel-Ausleuchtungskanäle ausgeleuchtet werden. Entsprechend erhöht sich die Anzahl der prinzipiell durch die Abbildung der Einzelspiegel-Gruppen über die Facetten des zweiten Facettenspiegels in das Beleuchtungsfeld erreichbaren Beleuchtungswinkelverteilungen und damit der erreichbaren Beleuchtungsgeometrien beziehungsweise Beleuchtungssettings. Umgekehrt kann eine gegebene Anzahl von geforderten Beleuchtungswinkelverteilungen mit einem ersten Facettenspiegel mit einer geringeren Anzahl von Einzelspiegeln erreicht werden. Die Facetten des zweiten Facettenspiegels können alleine oder zusammenwirkend mit Folgekomponenten der Beleuchtungsoptik zur Abbildung der jeweiligen Einzelspiegel-Gruppe des ersten Facettenspiegels in das Beleuchtungsfeld beitragen. Ein Gruppenspiegel-Ausleuchtungskanal ist die Gesamtheit aller Einzelspiegel-Ausleuchtungskanäle einer Einzelspiegel-Gruppe, die sich aufgrund der Abbildung über die zugehörige Facette des zweiten Facettenspiegels zur Beleuchtung des gesamten Beleuchtungsfeldes ergänzen. Eine Einzelspiegel-Gruppe kann als Urbild eines Beleuchtungsfeldes aufgefasst werden, in dem das Objektfeld angeordnet ist oder das mit dem Objektfeld zusammenfällt. Diese Urbilder haben jeweils im Wesentlichen das gleiche Aspektverhältnis. Auch die Einzelspiegel-Gruppen haben jeweils im Wesentlichen das gleiche Aspektverhältnis. Unterschiede im Aspektverhältnis, die aufgrund von Detailänderungen bei der Abbildung der jeweiligen Einzelspiegel-Gruppe in das Objektfeld aufgrund einer Änderung der Strahlgeometrie je nach der Kippstellung der Einzelspiegel auftreten, bleiben hierbei unberücksichtigt. Die Beleuchtung des Beleuchtungsfeldes stellt dann eine Überlagerung beziehungsweise Superposition der Urbilder im Beleuchtungsfeld dar, wobei die Urbilder jedenfalls im Objektfeld zusammenfallen. Verschiedene Einzelspiegel-Gruppen sind Einzelspiegel-Gruppen, die nicht aus den gleichen Einzelspiegeln zusammengesetzt sind. Bei verschiedenen Einzelspiegel-Gruppen gibt es also immer mindestens einen Einzelspiegel, der nicht beiden Einzelspiegel-Gruppen gleichzeitig zugehört. Ein und dieselbe Einzelspiegel-Gruppe kann, wie oben bereits erwähnt, je nach Kippstellung verschiedenen zweiten Facetten zugeordnet sein. Die Zuordnung der Einzelspiegel zur jeweiligen Einzelspiegel-Gruppe und die Zuordnung der jeweiligen Einzelspiegel-Gruppen zur jeweiligen zweiten Facette erfolgt durch Vorgabe der entsprechenden Stellung bzw. Schaltstellung der zu der jeweils ausgebildeten Einzelspiegel-Gruppe gehörenden Einzelspiegel.The invention is based on the specification of a fixed assignment of all individual mirrors of the first facet mirror to specific individual mirror groups, wherein each individual mirror is assigned to exactly one single mirror group. In the case of the illumination optics according to the invention, not only a change between the second facets assigned via the individual mirror illumination channels can take place via the tilting of the individual mirrors, but a change in the group assignment of the individual mirrors to one individual mirror group can also take place, the at least one second facet is assigned via at least one group illumination channel. Depending on the tilting position of the individual mirrors, one and the same individual mirror group can be assigned to different second facets via a respective group illumination channel. By virtue of the fact that at least some of the individual mirrors can belong to at least two different individual-mirror groups, given a given number of individual mirrors of the first facet mirror, a much greater number of individual-mirror groups can be formed, each of which is assigned its own second facet via its own group-mirror illumination channel are, as was possible in the group assignment according to the prior art. Thus, with a first facet mirror having a given number of individual mirrors, a much larger number of second facets can be illuminated via respective group mirror illumination channels. Correspondingly, the number of illumination angle distributions achievable, in principle, by the imaging of the individual mirror groups via the facets of the second facet mirror into the illumination field, and thus of the achievable illumination geometries or illumination settings, is increased. Conversely, a given number of required illumination angle distributions may be achieved with a first facet mirror having a smaller number of individual mirrors. The facets of the second facet mirror may contribute alone or in cooperation with follow-on components of the illumination optics for imaging the respective individual mirror group of the first facet mirror into the illumination field. A group mirror illumination channel is the entirety of all individual mirror illumination channels of a single mirror group, which complement each other due to the image via the associated facet of the second facet mirror for illuminating the entire illumination field. An individual mirror group can be understood as a prototype of an illumination field in which the object field is arranged or which coincides with the object field. These archetypes each have essentially the same aspect ratio. The individual mirror groups also each have essentially the same aspect ratio. Differences in the aspect ratio, which occur due to changes in detail in the image of the respective individual mirror group in the object field due to a change in the beam geometry depending on the tilt position of the individual mirrors remain disregarded. The illumination of the illumination field then represents a superimposition or superposition of the original images in the illumination field, wherein the original images in any case coincide in the object field. Different single-mirror groups are single-mirror groups that are not composed of the same individual mirrors. In the case of different single-mirror groups, there is always at least one individual mirror that does not listen to both individual-mirror groups at the same time. One and the same individual mirror group can, as already mentioned above, be assigned to different second facets depending on the tilted position. The assignment of the individual mirror to the respective individual mirror group and the assignment of the respective individual mirror groups to the respective second facet takes place by presetting the corresponding position or switching position of the individual mirror belonging to the respective trained individual mirror.
Eine Zuordnung der Einzelspiegel nach Anspruch 2 führt zu einer besonders großen Beleuchtungsflexibilität. An assignment of the individual mirrors according to
Eine Zuordnung nach Anspruch 3 vermeidet, dass die jeweiligen Einzelspiegel zu viele verschiedene Kippstellungen einnehmen müssen, um die jeweilige Gruppen-Zuordnung zu erreichen. Entsprechendes gilt für die Zuordnung nach Anspruch 4. An assignment according to
Bei der Zuordnung nach Anspruch 5 überlappen jeweils maximal zwei der Einzelspiegel-Gruppen, die jeweils über einen eigenen Gruppenspiegel-Ausleuchtungskanal einer eigenen zweiten Facette zugeordnet sind. Auch dies trägt dazu bei, die Anforderungen an eine Kipp-Verstellung der Einzelspiegel moderat zu halten. In the case of the assignment according to
Ein Überlapp nach Anspruch 6 hat sich für die Praxis als geeignet herausgestellt. Der Überlappbereich kann insbesondere ganze Zeilen oder Spalten von Einzelspiegeln umfassen. An overlap according to
Auch eine Zuordnung nach Anspruch 7 hält die Anforderungen an eine Verkippbarkeit der Einzelspiegel moderat. An assignment according to
Die Vorteile eines Beleuchtungssystems nach Anspruch 8, einer Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 9, eines Herstellungsverfahrens nach Anspruch 11 und eines Bauteils nach Anspruch 12 entsprechen denen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die erfindungsgemäße Beleuchtungsoptik bereits erläutert wurden. Bei einer Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 10 können Einzelspiegel zum Einsatz kommen, die im Wesentlichen um eine Achse verkippbar ausgeführt sind. Grundsätzlich ist es auch möglich, dass mindestens zwei der Einzelspiegel-Gruppen in einer Dimension quer zur Verlagerungsrichtung überlappen. Auch ein Überlapp von mindestens zwei der Einzelspiegel-Gruppen gleichzeitig längs und quer zur Verlagerungsrichtung ist möglich. The advantages of a lighting system according to claim 8, a projection exposure apparatus according to
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigen:Embodiments of the invention will be explained in more detail with reference to the drawing. Show it:
Bei der Strahlungsquelle
Die EUV-Strahlung
Nach dem Feldfacettenspiegel
Zur Erleichterung der Beschreibung von Lagebeziehungen ist in der
Eine Einzelspiegel-Spalte
Zur Erleichterung der Beschreibung von Lagebeziehungen ist in der
Die y-Richtung des globalen Koordinatensystems nach
In x-Richtung hat die Reflexionsfläche
Je nach Ausführung des Feldfacettenspiegels
Jeder der Einzelspiegel
Die Aktuatoren
Jeder der Einzelspiegel
Zusätzlich ist mittels der Aktuatoren
Entsprechende Formgestaltungen, wie vorstehend unter Bezugnahme auf die
Durch die individuelle Ansteuerung der Aktuatoren
Jeweils eine der Einzelspiegel-Gruppen
Durch entsprechende Zusammenfassung der Ansteuerungen durch die Steuereinrichtung
Innerhalb jeder der Einzelspiegel-Gruppen
Bei der Gruppierung nach
Bei der Zuordnung nach
Die beiden unterschiedlichen Zuordnungen der Einzelspiegel-Gruppen
Die Einzelspiegel
Bei der Ausführung nach den
Bei der Ausführung nach den
Eine alternative Ausgestaltung einer Gruppierungs-Zuordnung bei Einsatz einer Variante eines Feldfacettenspiegels
Der Feldfacettenspiegel
Dargestellt ist in der
In der
Beispielhaft ist in der
Beispielhaft sind in der
Auch bei der Ausführung nach
Die Einzelspiegel
Mit Hilfe der Projektionsbelichtungsanlage
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG QUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION
Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.This list of the documents listed by the applicant has been generated automatically and is included solely for the better information of the reader. The list is not part of the German patent or utility model application. The DPMA assumes no liability for any errors or omissions.
Zitierte PatentliteraturCited patent literature
- US 2011/0001947 A1 [0002] US 2011/0001947 A1 [0002]
- US 6859515 B2 [0021] US Pat. No. 685,951 B2 [0021]
- EP 1225481 A [0021] EP 1225481A [0021]
- WO 2009/100856 A1 [0025] WO 2009/100856 A1 [0025]
- US 6438199 B1 [0040] US 6438199 B1 [0040]
- US 6658084 B2 [0040] US 6658084 B2 [0040]
Claims (12)
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102012208064A DE102012208064A1 (en) | 2012-05-15 | 2012-05-15 | Illumination optics for EUV projection lithography |
JP2015511982A JP6332758B2 (en) | 2012-05-15 | 2013-04-30 | Illumination optical unit for EUV projection lithography |
PCT/EP2013/059016 WO2013171071A1 (en) | 2012-05-15 | 2013-04-30 | Illumination optical unit for euv projection lithography |
US14/517,139 US10126658B2 (en) | 2012-05-15 | 2014-10-17 | Illumination optical unit for EUV projection lithography |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102012208064A DE102012208064A1 (en) | 2012-05-15 | 2012-05-15 | Illumination optics for EUV projection lithography |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102012208064A1 true DE102012208064A1 (en) | 2013-11-21 |
Family
ID=49510925
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102012208064A Ceased DE102012208064A1 (en) | 2012-05-15 | 2012-05-15 | Illumination optics for EUV projection lithography |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10126658B2 (en) |
JP (1) | JP6332758B2 (en) |
DE (1) | DE102012208064A1 (en) |
WO (1) | WO2013171071A1 (en) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102014217611A1 (en) * | 2014-09-03 | 2016-03-03 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Illumination optics for projection lithography |
WO2016078818A1 (en) * | 2014-11-18 | 2016-05-26 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optical subsystem for projection lithography and illumination optical unit for projection lithography |
DE102017217266A1 (en) * | 2017-09-28 | 2019-03-28 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Method for determining properties of an EUV source |
DE102021202768A1 (en) * | 2021-03-22 | 2022-09-22 | Carl Zeiss Smt Gmbh | FACETING SYSTEM AND LITHOGRAPHY PLANT |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1225481A2 (en) | 2001-01-23 | 2002-07-24 | Carl Zeiss Semiconductor Manufacturing Technologies Ag | Collector for an illumination system with wavelength of 193 nm |
US6438199B1 (en) | 1998-05-05 | 2002-08-20 | Carl-Zeiss-Stiftung | Illumination system particularly for microlithography |
US6658084B2 (en) | 2000-10-27 | 2003-12-02 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system with variable adjustment of the illumination |
US6859515B2 (en) | 1998-05-05 | 2005-02-22 | Carl-Zeiss-Stiftung Trading | Illumination system, particularly for EUV lithography |
DE102008009600A1 (en) * | 2008-02-15 | 2009-08-20 | Carl Zeiss Smt Ag | Facet mirror e.g. field facet mirror, for use as bundle-guiding optical component in illumination optics of projection exposure apparatus, has single mirror tiltable by actuators, where object field sections are smaller than object field |
WO2009100856A1 (en) | 2008-02-15 | 2009-08-20 | Carl Zeiss Smt Ag | Facet mirror for use in a projection exposure apparatus for microlithography |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1273871C (en) * | 2002-03-18 | 2006-09-06 | Asml荷兰有限公司 | Method for manufacturing photoetching apparatus and device |
DE102006020734A1 (en) | 2006-05-04 | 2007-11-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system for the EUV lithography and first and second optical element for use in such a lighting system |
WO2007138805A1 (en) * | 2006-05-25 | 2007-12-06 | Nikon Corporation | Illuminating optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
DE102008049586A1 (en) | 2008-09-30 | 2010-04-08 | Carl Zeiss Smt Ag | Field facet mirror for use in illumination optics of a projection exposure apparatus for EUV microlithography |
DE102009030501A1 (en) * | 2009-06-24 | 2011-01-05 | Carl Zeiss Smt Ag | Imaging optics for imaging an object field in an image field and illumination optics for illuminating an object field |
DE102011004615A1 (en) | 2010-03-17 | 2011-09-22 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Illumination optics for projection lithography |
DE102011076145B4 (en) * | 2011-05-19 | 2013-04-11 | Carl Zeiss Smt Gmbh | A method for assigning a pupil facet of a pupil facet mirror of an illumination optical unit of a projection exposure apparatus to a field facet of a field facet mirror of the illumination optics |
-
2012
- 2012-05-15 DE DE102012208064A patent/DE102012208064A1/en not_active Ceased
-
2013
- 2013-04-30 JP JP2015511982A patent/JP6332758B2/en active Active
- 2013-04-30 WO PCT/EP2013/059016 patent/WO2013171071A1/en active Application Filing
-
2014
- 2014-10-17 US US14/517,139 patent/US10126658B2/en active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6438199B1 (en) | 1998-05-05 | 2002-08-20 | Carl-Zeiss-Stiftung | Illumination system particularly for microlithography |
US6859515B2 (en) | 1998-05-05 | 2005-02-22 | Carl-Zeiss-Stiftung Trading | Illumination system, particularly for EUV lithography |
US6658084B2 (en) | 2000-10-27 | 2003-12-02 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system with variable adjustment of the illumination |
EP1225481A2 (en) | 2001-01-23 | 2002-07-24 | Carl Zeiss Semiconductor Manufacturing Technologies Ag | Collector for an illumination system with wavelength of 193 nm |
DE102008009600A1 (en) * | 2008-02-15 | 2009-08-20 | Carl Zeiss Smt Ag | Facet mirror e.g. field facet mirror, for use as bundle-guiding optical component in illumination optics of projection exposure apparatus, has single mirror tiltable by actuators, where object field sections are smaller than object field |
WO2009100856A1 (en) | 2008-02-15 | 2009-08-20 | Carl Zeiss Smt Ag | Facet mirror for use in a projection exposure apparatus for microlithography |
US20110001947A1 (en) | 2008-02-15 | 2011-01-06 | Carl Zeiss Smt Ag | Facet mirror for use in a projection exposure apparatus for microlithography |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2015517733A (en) | 2015-06-22 |
WO2013171071A1 (en) | 2013-11-21 |
US20150036115A1 (en) | 2015-02-05 |
US10126658B2 (en) | 2018-11-13 |
JP6332758B2 (en) | 2018-05-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE102011003928B4 (en) | Illumination optics for projection lithography | |
DE102012204273B4 (en) | Illumination optics for EUV projection lithography | |
DE102008009600A1 (en) | Facet mirror e.g. field facet mirror, for use as bundle-guiding optical component in illumination optics of projection exposure apparatus, has single mirror tiltable by actuators, where object field sections are smaller than object field | |
DE102009045694B4 (en) | Illumination optics for microlithography and illumination system and projection exposure apparatus with such illumination optics | |
EP2382510B1 (en) | Illumination system for microlithography | |
DE102012205886A1 (en) | Illumination intensity correction device for specifying an illumination intensity over an illumination field of a lithographic projection exposure apparatus | |
DE102012207866A1 (en) | Assembly for a projection exposure machine for EUV projection lithography | |
DE102012209132A1 (en) | Illumination optics for projection lithography | |
DE102011082065A1 (en) | Field facet-mirror array for microlithography manufacturing of microchip, has total reflecting surface with two regions displaced against each other and forming diffraction structure for diffraction of radiation in preset wavelength range | |
DE102012213937A1 (en) | Mirror exchange array of set structure for illumination optics used in e.g. scanner for performing microlithography, has single mirrors of mirror exchange array unit that are set with high reflecting coating portion | |
EP4179388A1 (en) | Optical illumination system for guiding euv radiation | |
DE102012208016A1 (en) | Illumination lens for lighting system of scanner to manufacture e.g. memory chips, has optical component for guiding light to field, where lens is formed such that beam tufts are overlaid for coinciding edges of beam tufts in sections | |
WO2019149462A1 (en) | Illumination optic for projection lithography | |
DE102012208064A1 (en) | Illumination optics for EUV projection lithography | |
DE102012201235B4 (en) | Method for setting a lighting geometry for a lighting optics for EUV projection lithography | |
DE102013217269A1 (en) | Micromirror array | |
DE102015208514A1 (en) | Facet mirror for EUV projection lithography and illumination optics with such a facet mirror | |
DE102018214223A1 (en) | Pupil facet mirror | |
DE102015209175A1 (en) | Pupil facet mirror | |
DE102011006003A1 (en) | Illumination optics for use in extreme UV-projection exposure system to illuminate illuminating field in reticle plane for manufacturing microstructured component, has aperture diaphragm adapting main beam direction relative to field | |
DE102020200371A1 (en) | Facet mirror for an illumination optics for projection lithography | |
DE102015224597A1 (en) | Field facet mirror for EUV projection lithography | |
DE102023209709A1 (en) | Facet mirror for an illumination optics for projection lithography, suitable for use as a second facet mirror | |
DE102015200531A1 (en) | Optical module | |
DE102013218749A1 (en) | Illumination system and illumination optics for EUV projection lithography |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R012 | Request for examination validly filed | ||
R002 | Refusal decision in examination/registration proceedings | ||
R003 | Refusal decision now final |