Technisches GebietTechnical area
Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung schaffen eine Schaltung, wie sie beispielsweise in einem HF-Leistungsverstärker verwendet werden kann. Weitere Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung schaffen einen Leistungsverstärker.Embodiments of the present invention provide a circuit such as may be used in an RF power amplifier. Further embodiments of the present invention provide a power amplifier.
Hintergrund der ErfindungBackground of the invention
Der Entwicklungstrend in der integrierten Schaltungstechnik geht in Richtung immer höhere Integration um Kosteneinsparungen zu erzielen. Auf dem Gebiet der integrierten Schaltungen für die drahtlose Kommunikation bedeutet dies das Zusammenfassen möglichst vieler Funktionen/Funktionsblöcke der HF-Sender-/Empfängerkette und des sogenannten RF Frontend zu einem Single Chip Radio (Einzelchipfunksender und Empfänger). Für die Integration des HF-Leistungsverstärkers sind Schaltungstechniken vorteilhaft, die kompatibel mit Standard CMOS Technologien sind. Hier hat sich die gestapelte Kaskode genannte Anordnung (siehe DE 102009005120.1 ) als besonders vorteilhaft gegenüber vormals bekannten Lösungsansätzen (wie sie beispielsweise in Ezzedine, e.a., „HIGH-VOLTAGE FET AMPLIFIERS FOR SATELLITE AND PHASED-ARRAY APPLICATIONS“; Ezzedine, e.a., „High Power High Impedance Microwave Devices for Power Applications“, U.S. Pat. 6137367 ; Ezzedine, e.a., „CMOS PA for Wireless Applications“; Wu, e.a., „A 900-MHz 29.5-dBm 0.13-um CMOS HiVP Power Amplifier“; und Pompromlikit, e.a., „ A Watt-Level Stacked-FET Linear Power Amplifier in Silicon-on-Insulator CMOS“ gezeigt sind) herausgestellt. Die Vorteile dieser gestapelten Kaskode sind: hohe Spannungsfestigkeit, hohe Effizienz, hohe Leistungsverstärkung und, da keine zusätzlichen induktiven Elemente nötig sind, ein geringer Flächenaufwand. Ein wesentliches Problem dieser Schaltungstechnik ist die potenzielle Instabilität, vor allem bei höheren Frequenzen.The development trend in integrated circuit technology is towards ever higher integration to achieve cost savings. In the field of integrated circuits for wireless communication, this means combining as many functions / functional blocks of the RF transmitter / receiver chain and the so-called RF front-end to a single chip radio (single-chip radio transmitter and receiver). For the integration of the RF power amplifier circuit techniques are advantageous, which are compatible with standard CMOS technologies. Here is the stacked cascode called arrangement (see DE 102009005120.1 ) as particularly advantageous over previously known approaches (as described, for example, in Ezzedine, ea, "HIGH-VOLTAGE FET AMPLIFIERS FOR SATELLITE AND PHASED ARRAY APPLICATIONS"; Ezzedine, ea, "High Power High Impedance Microwave Devices for Power Applications"); US Pat. 6,137,677 ; Ezzedine, ea, "CMOS PA for Wireless Applications"; Wu, ea, "A 900-MHz 29.5-dBm 0.13-um CMOS HiVP Power Amplifier"; and Pompromlikit, ea, "A Watt-Level Stacked-FET Linear Power Amplifier Shown in Silicon-on-Insulator CMOS"). The advantages of this stacked cascode are: high dielectric strength, high efficiency, high power amplification and, since no additional inductive elements are necessary, a low space requirement. A major problem with this circuit technique is the potential instability, especially at higher frequencies.
Die US 6,137,367 zeigt einen Leistungsverstärker mit einer Mehrzahl von Transistoren.The US 6,137,367 shows a power amplifier with a plurality of transistors.
Die US 2009/0 184 769 A1 zeigt einen Ultrabreitbandsignal-Verstärkungsschaltkreis.The US 2009/0 184 769 A1 shows an ultrabroadband signal amplifying circuit.
Die US 2006/0 119 435 A1 zeigt einen Leistungsverstärker mit einer Dreifachkaskode.The US 2006/0 119 435 A1 shows a power amplifier with a triple cascode.
Die DE 10 2009 005 120 A1 zeigt einen elektronischen Schaltkreis mit zwei in Serie gekoppelten Transistoren.The DE 10 2009 005 120 A1 shows an electronic circuit with two series-coupled transistors.
Die US 2002/0 175 761 A1 zeigt einen elektronischen Schaltkreis mit einem Spannungspuffer und ∼folger mit einem Ausgang, einem Quellenfolger und einer Stromregelschleife, wobei die Stromregelschleife an den Quellenfolger und den Ausgang koppelt.The US 2002/0175761 A1 shows an electronic circuit having a voltage buffer and follower with an output, a source follower, and a current loop, the current loop coupling to the source follower and the output.
Zusammenfassung der Erfindung Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung schaffen eine Schaltung mit einem ersten Transistor und einem zweiten Transistor. Der erste Transistor und der zweite Transistor sind zu einer Kaskode verschaltet. Ferner weist die Schaltung eine Blockkapazität auf, die zwischen einen Steueranschluss des zweiten Transistors und einen Quellenanschluss des ersten Transistors geschaltet ist. Ferner weist die Schaltung ein Rückkoppelelement auf, welches zwischen einen Senkenanschluss des zweiten Transistors und einen Steueranschluss des ersten Transistors geschaltet ist. Ferner weist die Schaltung einen Signaleingang und einen Signalausgang auf, wobei die Kaskode zwischen den Signaleingang und den Signalausgang geschaltet ist.Summary of the Invention Embodiments of the present invention provide a circuit having a first transistor and a second transistor. The first transistor and the second transistor are connected in a cascode. Furthermore, the circuit has a blocking capacitance, which is connected between a control terminal of the second transistor and a source terminal of the first transistor. Furthermore, the circuit has a feedback element, which is connected between a drain terminal of the second transistor and a control terminal of the first transistor. Furthermore, the circuit has a signal input and a signal output, wherein the cascode is connected between the signal input and the signal output.
Figurenlistelist of figures
Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden anhand der beiliegenden Figuren detailliert beschrieben. Es zeigen:
- 1a ein Ersatzschaltbild einer Schaltung gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;
- 1b ein Ersatzschaltbild einer Schaltungsanordnung gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;
- 2 ein Ersatzschaltbild einer Schaltung mit einer gestapelten Kaskode gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;
- 3a-3g Schaltbilder von Schaltungen gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung mit unterschiedlichen Implementierungen für ein Rückkoppelelement;
- 4a ein Schaltbild einer konventionellen Schaltung mit einer gestapelten Kaskode;
- 4b die Auswirkung einer Veränderung der Ausgangsspannung bei der in 4a gezeigten konventionellen Kaskodenschaltung; und
- 4c ein allgemeines Schaltbild einer konventionellen gestapelten Kaskodenanordnung.
Embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Show it: - 1a an equivalent circuit of a circuit according to an embodiment of the present invention;
- 1b an equivalent circuit diagram of a circuit arrangement according to an embodiment of the present invention;
- 2 an equivalent circuit diagram of a circuit with a stacked cascode according to an embodiment of the present invention;
- 3a-3g Circuit diagrams of circuits according to various embodiments of the present invention having different implementations for a feedback element;
- 4a a circuit diagram of a conventional circuit with a stacked cascode;
- 4b the effect of a change in the output voltage at the in 4a shown conventional cascode circuit; and
- 4c a general circuit diagram of a conventional stacked cascode arrangement.
Detaillierte Beschreibung von Ausführungsbeispielen der vorliegenden ErfindungDetailed description of embodiments of the present invention
Bevor im Folgenden Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung anhand der beiliegenden Figuren detailliert beschrieben werden, wird darauf hingewiesen, dass gleiche Elemente oder Elemente mit gleicher Funktion mit denselben Bezugszeichen versehen sind und dass auf eine wiederholte Beschreibung für Elemente, welche mit den gleichen Bezugszeichen versehen sind, verzichtet wird. Beschreibungen von Elementen mit den gleichen Bezugszeichen sind daher untereinander austauschbar.Before describing in detail embodiments of the present invention with reference to the accompanying figures, it is pointed out that the same elements or elements with the same function are provided with the same reference numerals and that a repeated Description for elements which are provided with the same reference numerals, is omitted. Descriptions of elements with the same reference numerals are therefore interchangeable.
Wie im einleitenden Teil dieser Anmeldung bereits erläutert wurde, liegt ein wesentliches Problem der gestapelten Kaskode in der potenziellen Instabilität, vor allem bei höheren Frequenzen. Diese potenzielle Instabilität wird durch eine Mitkoppelschleife in der gestapelten Kaskode erzeugt. Diese Mitkopplung soll im Folgenden anhand der 4a und 4b erläutert werden.As already explained in the introductory part of this application, a major problem of the stacked cascode lies in the potential instability, especially at higher frequencies. This potential instability is created by a feed-forward loop in the stacked cascode. This co-coupling will be described below with reference to 4a and 4b be explained.
4a zeigt eine Schaltung einer konventionellen Kaskodenanordnung mit einer gestapelten Kaskode, gebildet aus vier Transistoren M1, M2, M3, M4. Die gestapelte Kaskode besteht dabei aus einer unteren Einzelkaskode, gebildet durch die Transistoren M1, M2 und einer oberen Einzelkaskode oder Kaskodenschaltung, gebildet durch die Transistoren M3, M4. Diese in 4a gezeigte Schaltung wird in Leuschner, e.a., „A 31-dBm, High Ruggedness Power Amplifier in 65-nm Standard CMOS with High-Efficiency Stacked-Cascode Stages“ detailliert beschrieben. Zusätzlich ist in 4a die parasitäre Kapazität Cgd4 zwischen einem Drainanschluss des Transistors M4 und einem Gateanschluss des Transistors M4 eingezeichnet. 4a shows a circuit of a conventional cascode arrangement with a stacked cascode formed of four transistors M1 . M2 . M3 . M4 , The stacked cascode consists of a lower single cascode, formed by the transistors M1 . M2 and an upper single cascode or cascode circuit formed by the transistors M3 . M4 , This in 4a The circuit shown in detail is described in Leuschner, ea, "A 31-dBm, High Ruggedness Power Amplifier in 65-nm Standard CMOS with High-Efficiency Stacked-Cascode Stages". Additionally is in 4a the parasitic capacity C gd4 between a drain of the transistor M4 and a gate of the transistor M4 located.
Durch eine Mitkoppelschleife, erzeugt durch die Gate-Drain-Kapazität Cgd4 des Transistors M4 in Gateschaltung in der oberen Kaskodenschaltung (bzw. in den oberen Kaskodenschaltungen - im Falle mehrerer gestapelter Kaskoden) ergibt sich bei höheren Frequenzen eine Ausgangsimpedanz mit negativem Realteil bei passivem Abschluss am Eingang. Diese Mitkopplung wird im Folgenden anhand von 4a und 4b näher erläutert.Through a coupling loop, generated by the gate-drain capacitance C gd4 of the transistor M4 in gate circuit in the upper cascode circuit (or in the upper cascode circuits - in the case of several stacked cascodes) results at higher frequencies an output impedance with a negative real part at passive termination at the input. This positive feedback is described below with reference to 4a and 4b explained in more detail.
Wird die Ausgangsspannung uaus geändert, so überträgt sich diese Änderung durch die kapazitive Kopplung über die Gate-Drain-Kapazität Cgd4 des Transistors M4 auf die Gatespannung ug4 am Gateknoten des Transistors M4 (I in 4a). Da die Blockkapazität CB zwischen dem Gateanschluss des Transistors M4 und dem Sourceanschluss des Transistors M3 sehr groß ist, entsteht an der Sourcespannung us3 am Sourceanschluss des Transistors M3 dieselbe Spannungsänderung (II). Dies wiederum bewirkt eine Änderung der Gatesourcespannung ugs3 des Transistors M3, jedoch um etwa 180° in der Phase gedreht (vgl. 4b). Entsprechend ist auch der Strom iD durch die Transistoren M3 und M4 nicht in Phase mit der Ausgangsspannung uaus , d.h. eine Erhöhung der Spannung uaus bewirkt eine Reduktion dieses Stroms iD (und umgekehrt). Die Ausgangsimpedanz hat somit einen negativen Realteil bzw. einen Reflexionsfaktor mit einem Betrag größer 1.Will the output voltage u out changed, this change is transferred through the capacitive coupling via the gate-drain capacitance C gd4 of the transistor M4 on the gate voltage u g4 at the gate node of the transistor M4 (I in 4a) , Because the block capacity C B between the gate of the transistor M4 and the source of the transistor M3 is very large, arises at the source voltage u s3 at the source of the transistor M3 same voltage change (II). This in turn causes a change in the gate source voltage u gs3 of the transistor M3 , but rotated about 180 ° in phase (see. 4b) , The current is also corresponding i d through the transistors M3 and M4 not in phase with the output voltage u out ie an increase in the voltage u out causes a reduction of this current i d (and vice versa). The output impedance thus has a negative real part or a reflection factor with an amount greater than 1.
Auch weitere parasitäre Kapazitäten, wie z.B. die Drain-Source-Kapazitäten der Transistoren M3 und M4 können über den beschriebenen Mechanismus zu instabilem Verhalten führen.Also other parasitic capacitances, such as the drain-source capacitances of the transistors M3 and M4 can lead to unstable behavior via the described mechanism.
4a stellt nur einen der möglichen Fälle dar, in der sich eine Kaskodenschaltung (hier gebildet durch die Transistoren M3, M4) in Serie zu einem anderen Schaltungsteil (wobei Letztere aktiv oder auch passiv sein kann) befindet. In jeder Situation, in der eine derartige Verschaltung auftritt, kann es zu der oben beschriebenen Instabilität kommen. 4c zeigt daher den allgemeinen Fall einer solchen Anordnung mit der oberen Kaskodenschaltung, gebildet durch die Transistoren M4, M3 und einem an dem Sourceanschluss des Transistors M3 angeschlossenen unteren Schaltungsteil. Je nach Ausprägung des unteren Schaltungsteils kann der Eingang der in dieser Form gebildeten Verstärkerstufe ein Teil des unteren Schaltungsteils selbst (IN1) sein oder am Sourceknoten des Transistors M3 (IN2) sein. 4a represents only one of the possible cases in which a cascode circuit (formed here by the transistors M3 . M4 ) in series with another circuit part (the latter being active or passive). In any situation where such an interconnection occurs, the instability described above can occur. 4c shows therefore the general case of such an arrangement with the upper cascode circuit formed by the transistors M4 . M3 and one at the source of the transistor M3 connected lower circuit part. Depending on the nature of the lower circuit part, the input of the amplifier stage formed in this form may be a part of the lower circuit part itself ( IN1 ) or at the source node of the transistor M3 ( IN 2 ) his.
Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung lösen dieses Problem der Instabilität, wie im Folgenden beschrieben wird.Embodiments of the present invention solve this problem of instability as described below.
1a zeigt eine (Kaskoden-) Schaltung 100 oder Kaskodenanordnung 100 gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Die Schaltung 100 weist einen ersten Transistor 102 (entspricht bspw. dem Transistor M3 aus 4a) und einen zweiten Transistor 104 (entspricht bspw. dem Transistor M4 aus 4a) auf. Der erste Transistor 102 und der zweite Transistor 104 sind zu einer Kaskode 106 verschaltet. Der erste Transistor 102 weist einen Senkenanschluss 102a, einen Steueranschluss 102b und einen Quellenanschluss 102c auf. Der zweite Transistor 104 weist einen Senkenanschluss 104a, einen Steueranschluss 104b und einen Quellenanschluss 104c auf. Die Kaskode 106 wird gebildet dadurch, dass der Senkenanschluss 102a des ersten Transistors 102 mit dem Quellenanschluss 104c des zweiten Transistors 104 verschaltet (beispielsweise verbunden) ist. Ferner weist die Schaltung 100 einen Signaleingang und einen Signalausgang auf, zwischen welche die Kaskode 106 geschaltet ist. Bei dem in 1a gezeigten Ausführungsbeispiel wird der Signaleingang der Schaltung 100 durch den Quellenanschluss 102c des ersten Transistors 102 gebildet und der Signalausgang durch den Senkenanschluss 104a des zweiten Transistors 104 gebildet. 1a shows a (cascode) circuit 100 or cascode arrangement 100 according to an embodiment of the present invention. The circuit 100 has a first transistor 102 (corresponds, for example, the transistor M3 out 4a) and a second transistor 104 (corresponds, for example, the transistor M4 out 4a) on. The first transistor 102 and the second transistor 104 are a cascode 106 connected. The first transistor 102 has a drain port 102 , a control terminal 102b and a source connection 102c on. The second transistor 104 has a drain port 104a , a control terminal 104b and a source connection 104c on. The cascode 106 is formed by the sink connection 102 of the first transistor 102 with the source connection 104c of the second transistor 104 interconnected (for example, connected) is. Furthermore, the circuit has 100 a signal input and a signal output, between which the cascode 106 is switched. At the in 1a the embodiment shown, the signal input of the circuit 100 through the source connection 102c of the first transistor 102 formed and the signal output through the drain connection 104a of the second transistor 104 educated.
Transistoren bei der Schaltung 100 und den folgenden Ausführungsbeispielen können beispielsweise MOSFET, MESFET, BJT, HBT, HEMT, Bipolar, N-Typ oder P-Typ -Transistoren sein.Transistors in the circuit 100 and the following embodiments may be, for example, MOSFET, MESFET, BJT, HBT, HEMT, bipolar, N-type, or P-type transistors.
Ferner kann ein Quellenanschluss eines Transistors beispielsweise ein Sourceanschluss oder ein Emitteranschluss des Transistors sein, ein Senkenanschluss kann beispielsweise ein Drainanschluss oder ein Kollektoranschluss des Transistors sein und ein Steueranschluss kann beispielsweise ein Gateanschluss oder ein Basisanschluss des Transistors sein. Ein Haupttransistorstrom eines Transistors fließt dann typischerweise von dem Quellenanschluss zu dem Senkenanschluss bzw. umgekehrt.Further, a source terminal of a transistor may be, for example, a source terminal or an emitter terminal of the transistor A drain terminal may be, for example, a drain terminal or a collector terminal of the transistor, and a control terminal may be, for example, a gate terminal or a base terminal of the transistor. A main transistor current of a transistor then typically flows from the source terminal to the drain terminal and vice versa.
Die Schaltung 100 weist ferner eine Blockkapazität 108 (bspw. vergleichbar mit der Blockkapazität CB in 4a) auf. Die Blockkapazität 108 ist zwischen den Steueranschluss 104b des zweiten Transistors 104 und den Quellenanschluss 102c des ersten Transistors 102 geschaltet.The circuit 100 also has a blocking capacity 108 (eg comparable to the block capacity C B in 4a) on. The block capacity 108 is between the control terminal 104b of the second transistor 104 and the source connection 102c of the first transistor 102 connected.
Ferner weist die Schaltung 100 ein Rückkoppelelement 114 (bzw. eine Rückkoppelanordnung 114) auf. Das Rückkoppelelement 114 ist zwischen den Senkenanschluss 104a des zweiten Transistors 104 und den Steueranschluss 102b des ersten Transistors 102 geschaltet.Furthermore, the circuit has 100 a feedback element 114 (or a feedback arrangement 114 ) on. The feedback element 114 is between the drain connection 104a of the second transistor 104 and the control terminal 102b of the first transistor 102 connected.
Durch die Schaltung des Rückkoppelelements 114 zwischen den Senkenanschluss 104a des ersten Transistors 104 und den Steueranschluss 102b des zweiten Transistors 102 können die im Vorherigen erläuterten Instabilitäten vermieden oder zumindest gedämpft werden. Es wurde herausgefunden, dass, da eine positive/negative Spannungsänderung der Ausgangsspannung uaus eine entsprechende Änderung der (Source) Spannung us3 an dem Quellenanschluss 102c des zweiten Transistors 102 hervorruft und ferner somit eine um 180° verschobene Änderung der (Gate-Source-) Spannung uGS3 zwischen dem Steueranschluss 102b und dem Quellenanschluss 102c des zweiten Transistors 102 hervorruft, zur Kompensation dieses Effektes die (Gate) Spannung uG3 an dem Steueranschluss 102b des zweiten Transistors 102 (mindestens) im gleichen Maße geändert werden kann wie die Spannung uS3 an dem Quellenanschluss 102c des zweiten Transistors 102. Dies wird bei der in 1a gezeigten Schaltung 100 durch das Rückkoppelelement 114 (beispielsweise aufweisend ein Rückkoppelnetzwerk oder gebildet durch eine Rückkoppelnetzwerk) zwischen dem Senkenanschluss 104a (beispielsweise Drain 104a) des zweiten Transistors 104 und dem Steueranschluss 102b (beispielsweise Gate 102b) des ersten Transistors 102 erreicht. Der Senkenanschluss 104a des zweiten Transistors 104 kann, wie bereist erwähnt, beispielsweise einen Signalausgang oder einen Ausgangsanschluss der Schaltung 100 bilden.By the circuit of the feedback element 114 between the drain connection 104a of the first transistor 104 and the control terminal 102b of the second transistor 102 The instabilities explained above can be avoided or at least dampened. It has been found that there is a positive / negative voltage change of the output voltage u out a corresponding change of the (source) voltage u s3 at the source connection 102c of the second transistor 102 causes and thus further shifted by 180 ° change of the (gate-source) voltage u GS3 between the control terminal 102b and the source connection 102c of the second transistor 102 causes, to compensate for this effect, the (gate) voltage u G3 at the control terminal 102b of the second transistor 102 (at least) can be changed to the same extent as the voltage u S3 at the source connection 102c of the second transistor 102 , This will be at the in 1a shown circuit 100 through the feedback element 114 (For example, having a feedback network or formed by a feedback network) between the drain port 104a (for example drain 104a) of the second transistor 104 and the control terminal 102b (for example gate 102b) of the first transistor 102 reached. The drain connection 104a of the second transistor 104 can, as already mentioned, for example, a signal output or an output terminal of the circuit 100 form.
Ferner kann, wie bereits erwähnt, der Quellenanschluss 102c des ersten Transistors 102 einen Signaleingang oder Eingangsanschluss der Schaltung 100 bilden.Furthermore, as already mentioned, the source connection 102c of the first transistor 102 a signal input or input terminal of the circuit 100 form.
Wie bereits im Vorherigen erläutert, kann die Kaskode 106 bzw. die Schaltung 100 sich in Serie zu einem weiteren Schaltungsteil oder einer weiteren Schaltung befinden. Dies ist schematisch in 1b gezeigt.As explained in the previous section, the cascode can 106 or the circuit 100 are in series with another circuit part or another circuit. This is schematically in 1b shown.
1b zeigt eine Schaltungsanordnung 117 die die Schaltung 100 und eine weitere Schaltung 115 aufweist. Die weitere Schaltung 115 ist zwischen einen Signaleingang 118 der Schaltungsanordnung 117 und den Signaleingang 102c der Kaskode 106 bzw. der Schaltung 100 geschaltet. Die weitere Schaltung 115 kann beispielsweise passive und/oder aktive Bauelement aufweisen. Optional kann die weitere Schaltung 115 geerdet sein, beispielsweise kann die weitere Schaltung 115, wie in 1b, gezeigt mit einem Masseanschluss verbunden sein. Beispielsweise kann die weitere Schaltung 115 eine weitere Kaskode aufweisen, welche beispielsweise zu der Kaskode 106 in Serie hinzu geschaltet ist um so eine gestapelte Schaltung bzw. gestapelte Kaskode zu erhalten. 1b shows a circuit arrangement 117 the the circuit 100 and another circuit 115 having. The further circuit 115 is between a signal input 118 the circuit arrangement 117 and the signal input 102c the cascode 106 or the circuit 100 connected. The further circuit 115 For example, it may have passive and / or active components. Optionally, the further circuit 115 grounded, for example, the other circuit 115 , as in 1b , shown connected to a ground terminal. For example, the further circuit 115 have a further cascode which, for example, to the cascode 106 is added in series so as to obtain a stacked circuit or stacked cascode.
Solch eine Kaskodenanordnung oder Schaltung 200 ist in 2 gezeigt. Die Schaltung 200 unterscheidet sich von der Schaltung 100 dadurch, dass sie einen dritten Transistor 202 und einen vierten Transistor 204 aufweist, die zu einer weiteren Kaskode 206 verschaltet sind. Die Kaskode 106 und die weitere Kaskode 206 sind gestapelt, derart, dass der Quellenanschluss 102c des ersten Transistors 102 mit einem Senkenanschluss 204a des vierten Transistors 204 verbunden ist. Ein Eingangsanschluss oder Signaleingang der Schaltung 200 kann dann beispielsweise durch einen Steueranschluss 202b des dritten Transistors 202 gebildet sein. Der Signaleingang 202b der Schaltung 200 kann beispielsweise gleich dem Signaleingang 118 der weiteren Schaltung 115 der Schaltungsanordnung 117 aus 1b sein und die weitere Schaltung kann durch die weitere Kaskode 206 gebildet sein.Such a cascode arrangement or circuit 200 is in 2 shown. The circuit 200 is different from the circuit 100 in that they have a third transistor 202 and a fourth transistor 204 that leads to another cascode 206 are interconnected. The cascode 106 and the further cascode 206 are stacked, such that the source connection 102c of the first transistor 102 with a drain connection 204a of the fourth transistor 204 connected is. An input terminal or signal input of the circuit 200 can then, for example, by a control terminal 202b of the third transistor 202 be formed. The signal input 202b the circuit 200 can be equal to the signal input, for example 118 the further circuit 115 the circuit arrangement 117 out 1b be and the further circuit can through the further cascode 206 be formed.
Ferner weist die Schaltung 200 einen ersten Abblockkondensator 210 auf, welcher zwischen einem Versorgungspotenzialanschluss 212 (beispielsweise einen Masseanschluss) der Schaltung 200 und den Steueranschluss 102b des ersten Transistors 102 geschaltet ist.Furthermore, the circuit has 200 a first blocking capacitor 210 on which between a supply potential connection 212 (For example, a ground terminal) of the circuit 200 and the control terminal 102b of the first transistor 102 is switched.
Ferner weist die Schaltung 200 einen zweiten Abblockkondensator 216 auf, welcher zwischen einen Steueranschluss 204b des vierten Transistors 204 und den Versorgungspotenzialanschluss 212 geschaltet ist.Furthermore, the circuit has 200 a second blocking capacitor 216 on which between a control terminal 204b of the fourth transistor 204 and the supply potential connection 212 is switched.
Ein Quellenanschluss 202c des dritten Transistors 202 ist mit dem Versorgungspotenzialanschluss 212 verbunden. Ferner sind ein Substratanschluss 202d des dritten Transistors 202 sowie ein Substratanschluss 204d des vierten Transistors 204 mit dem Quellenanschluss 202c des dritten Transistors 202 und dem Versorgungspotenzialanschluss 212 der Schaltung 200 verbunden. Wie auch schon bei der Kaskode 106 wird die weitere Kaskode 206 dadurch gebildet, dass ein Senkenanschluss 202a des dritten Transistors 202 mit einem Quellenanschluss 204c des vierten Transistors 204 verbunden ist. Ferner sind ein Substratanschluss 102d des ersten Transistors 102 und ein Substratanschluss 104d des zweiten Transistors 104 mit dem Quellenanschluss 102c des ersten Transistors 102 verbunden.A source connection 202c of the third transistor 202 is with the supply potential connection 212 connected. Further, a substrate terminal 202d of the third transistor 202 as well as a substrate connection 204d of the fourth transistor 204 with the source connection 202c of the third transistor 202 and the supply potential connection 212 the circuit 200 connected. As with the cascode 106 becomes the further cascode 206 formed by a drain connection 202a of the third transistor 202 with a source connection 204c of the fourth transistor 204 connected is. Further, a substrate terminal 102d of the first transistor 102 and a substrate connection 104d of the second transistor 104 with the source connection 102c of the first transistor 102 connected.
Die in 2 und den folgenden Figuren gezeigten Verbindungen der Substratanschlüsse der Transistoren können bei der Verwendung anderer Transistortechnologien als der gezeigten MOS-Technologie für die Transistoren nicht zwangsweise nötig sein bzw. können bei diesen anderen Technologien die Transistoren gar keine Substratanschlüsse aufweisen.In the 2 and in the following figures, connections of the substrate terminals of the transistors may not necessarily be necessary in the use of transistor technologies other than the MOS technology shown for the transistors, or in these other technologies, the transistors may have no substrate terminals at all.
Das Rückkoppelelement 114 bietet eine einfache flächeneffiziente Methode zur Stabilisierung der in 2 gezeigten gestapelten Kaskodenschaltung (gebildet durch die Kaskode 106 und die weitere Kaskode 206) und deren vielfältige Ausführungsmöglichkeiten. Durch das Einfügen eines zusätzlichen Rückkoppelpfades (des Rückkoppelelements 114) an geeigneter Stelle (zwischen dem Senkenanschluss 104a des ersten Transistors 104 und dem Steueranschluss 102b des zweiten Transistors 102) ist es möglich die durch parasitäre Kapazitäten hervorgerufene Mitkopplung zu kompensieren. Das hier beschriebene Konzept eignet sich zur Stabilisierung jeglicher Ausführungsformen der gestapelten Kaskode, unabhängig vom gewählten Transistortyp (N-/P-Typ, MOS-/MESFET, BJT, HBT, HEMT, Bipolar, etc.) und der Anzahl der gestapelten Transistoren/Kaskoden.The feedback element 114 provides a simple space efficient method for stabilizing the in 2 shown stacked cascode circuit (formed by the cascode 106 and the further cascode 206 ) and their diverse execution options. By inserting an additional feedback path (of the feedback element 114 ) at a suitable location (between the drain connection 104a of the first transistor 104 and the control terminal 102b of the second transistor 102 ) it is possible to compensate for the positive feedback caused by parasitic capacitances. The concept described here is suitable for stabilizing any embodiments of the stacked cascode, regardless of the type of transistor selected (N / P type, MOS / MESFET, BJT, HBT, HEMT, bipolar, etc.) and the number of stacked transistors / cascodes ,
Da die durch die Gate-Drain-Kapazität Cgd4 hervorgerufene Mitkopplung bei höheren Frequenzen stärker wird, ist diese Stabilisierungsmethode mit Hilfe des Rückkopplungselements 114 unerlässlich für den Einsatz der gestapelten Kaskode bei höheren Betriebsfrequenzen. Weitere Ausführungsmöglichkeiten dieser Stabilisierungsmethode bzw. des Rückkoppelelements 114 werden im Folgenden anhand der 3a bis 3g gezeigt.Because of the gate-drain capacitance C gd4 This coupling method becomes stronger at higher frequencies, this stabilization method is by means of the feedback element 114 essential for using the stacked cascode at higher operating frequencies. Further embodiments of this stabilization method or the feedback element 114 will be described below on the basis of 3a to 3g shown.
Die im Folgenden beschriebenen Ausführungsbeispiele basieren auf dem in 2 beschriebenen Prinzip, verwenden jedoch verschiedene Rückkoppelelemente (bzw. Rückkoppelnetzwerke), was zu unterschiedlichen Eigenschaften der gesamten Schaltung führt. Die folgenden Schaltungen weisen jeweils die gestapelte Kaskode aus der Kaskode 106 und der weiteren Kaskode 206 auf. Wie jedoch bereits beschrieben, kann bei weiteren Ausführungsbeispielen anstatt der weiteren Kaskode 206 auch ein anderes Schaltungsteil eingesetzt werden. Das Rückkoppelelement 114 kann dabei in Abhängigkeit von dem Schaltungsteil (welches an den Quellenanschluss 102c des ersten Transistors 102 angeschlossen wird) gewählt werden.The embodiments described below are based on the in 2 described principle, however, use different feedback elements (or feedback networks), resulting in different properties of the entire circuit. The following circuits each comprise the stacked cascode from the cascode 106 and the other cascode 206 on. However, as already described, in further embodiments, instead of the further cascode 206 also another circuit part can be used. The feedback element 114 can in dependence on the circuit part (which to the source terminal 102c of the first transistor 102 connected).
Um die Übersichtlichkeit zu erhöhen, sind im Folgenden in den Zeichnungen jeweils nicht alle Bezugszeichen eingezeichnet.In order to increase the clarity, not all reference numerals are shown below in the drawings.
3a zeigt eine erste Möglichkeit der Implementierung des Rückkoppelelements 114 als einen Rückkoppelkondensator 302 (bzw. eine Rückkoppelkapazität 302), welcher zwischen den Senkenanschluss 104a des zweiten Transistors 104 und den Steueranschluss 102b des ersten Transistors 102 geschaltet ist. Das Rückkoppelelement 114 kann beispielsweise vollständig durch diesen Rückkoppelkondensator 302 gebildet sein. Da der zu kompensierende Effekt seine Ursache in der Gate-Drain-Kapazität hat, kann als Koppelnetzwerk bzw. als Rückkoppelelement 114 ebenfalls der Rückkoppelkondensator 302 eingesetzt werden. Eine Kapazität (CR ) des Rückkoppelkondensators 302 wird größer als die Gate-Drain-Kapazität Cgd4 zwischen dem Senkenanschluss 104a und dem Steueranschluss 104b des ersten Transistors 104 gewählt, um den Einfluss der Kapazitäten des ersten Transistors 102 und weiterer parasitärer Kapazitäten Rechnung zu tragen. 3a shows a first way of implementing the feedback element 114 as a feedback capacitor 302 (or a feedback capacity 302 ), which between the drain connection 104a of the second transistor 104 and the control terminal 102b of the first transistor 102 is switched. The feedback element 114 for example, completely through this feedback capacitor 302 be formed. Since the effect to be compensated has its cause in the gate-drain capacitance, it can act as a coupling network or as a feedback element 114 also the feedback capacitor 302 be used. A capacity ( C R ) of the feedback capacitor 302 becomes larger than the gate-drain capacitance C gd4 between the drain connection 104a and the control terminal 104b of the first transistor 104 chosen to influence the capacitance of the first transistor 102 and other parasitic capacities.
Zusammenfassend zeigt 3a eine Realisierung des Rückkoppelelements 114 mit dem Rückkoppelkondensator 302, wobei ein erster Anschluss des Rückkoppelkondensators 302 mit dem Senkenanschluss 104a des ersten Transistors 104 verbunden ist und ein zweiter Anschluss des Rückkoppelkondensators 302 mit dem Steueranschluss 102b des zweiten Transistors 102 verbunden ist.In summary shows 3a an implementation of the feedback element 114 with the feedback capacitor 302 , wherein a first terminal of the feedback capacitor 302 with the drain connection 104a of the first transistor 104 is connected and a second terminal of the feedback capacitor 302 with the control terminal 102b of the second transistor 102 connected is.
Die in 3b gezeigte Implementierung des Rückkoppelelements 114 nutzt lediglich ein Rückkoppelwiderstandselement 304 (bzw. einen Rückkoppelwiderstand 304) zur Rückkopplung. Diese einfache Stabilisierung führt zu einem besonders kompakten Layout. Das Rückkoppelwiderstandselement 304 ist zwischen den Senkenanschluss 104a des ersten Transistors 104 und den Steueranschluss 102b des zweiten Transistors 102 geschaltet. Gemäß einigen Ausführungsbeispielen kann, wie in 3b gezeigt, das Rückkoppelelement 114 ausschließlich durch das Rückkoppelwiderstandselement 304 gebildet sein. Ein erster Anschluss des Rückkoppelwiderstandselements 304 kann mit dem Senkenanschluss 104a des zweiten Transistors 104 verbunden sein und ein zweiter Anschluss des Rückkoppelwiderstandselements 304 kann mit dem Steueranschluss 102b des ersten Transistors 102 verbunden sein.In the 3b shown implementation of the feedback element 114 uses only one feedback resistor element 304 (or a feedback resistor 304 ) for feedback. This simple stabilization leads to a particularly compact layout. The feedback resistor element 304 is between the drain connection 104a of the first transistor 104 and the control terminal 102b of the second transistor 102 connected. According to some embodiments, as in 3b shown, the feedback element 114 exclusively by the feedback resistor element 304 be formed. A first terminal of the feedback resistor element 304 can with the drain connection 104a of the second transistor 104 be connected and a second terminal of the feedback resistor element 304 can with the control terminal 102b of the first transistor 102 be connected.
In der in 3c gezeigten Schaltung 200 ist die Stabilisierung durch ein RC Glied (gebildet durch eine Reihenschaltung aus dem Rückkoppelkondensator 302 und dem Rückkoppelwiderstandselement 304) realisiert. Im Gegensatz zur rein kapazitiven Stabilisierung (wie sie in 3a gezeigt wurde), wird durch das zusätzliche Rückkoppelwiderstandselement 304 der Leitwert des Rückkoppelnetzwerks (des Rückkoppelelements 114) bei hohen Frequenzen begrenzt. Die Harmonischen werden so weniger stark gegengekoppelt, wodurch sich ein verbessertes Schaltverhalten der stabilisierten PA-Stufe (PA-Power Amplifier-Leistungsverstärker) und somit höherer Effizienz ergibt. In the in 3c shown circuit 200 is the stabilization by an RC element (formed by a series circuit of the feedback capacitor 302 and the feedback resistor element 304 ) realized. In contrast to purely capacitive stabilization (as in 3a has been shown), by the additional feedback resistor element 304 the conductance of the feedback network (the feedback element 114 ) at high frequencies. The harmonics are thus less negative feedback, resulting in an improved switching behavior of the stabilized PA stage (PA Power Amplifier power amplifier) and thus higher efficiency.
Zusammenfassend ist bei der in 3c gezeigten Schaltung 200 das Rückkoppelelement 114 (vollständig) durch die RC Serienschaltung aus dem Rückkoppelwiderstandselement 304 und dem Rückkoppelkondensator 302 gebildet. Ein erster Anschluss der RC Serienschaltung kann dabei mit dem Senkenanschluss 104a des ersten Transistors 104 verbunden sein und ein zweiter Anschluss der RC Serienschaltung kann mit dem Steueranschluss 102b des zweiten Transistors 102 verbunden sein.In summary, at the in 3c shown circuit 200 the feedback element 114 (Completely) by the RC series circuit of the feedback resistor element 304 and the feedback capacitor 302 educated. A first connection of the RC series circuit can be connected to the drain connection 104a of the first transistor 104 be connected and a second terminal of the RC series circuit can be connected to the control terminal 102b of the second transistor 102 be connected.
3d zeigt eine Implementierung des Rückkoppelelements 114 durch einen Serienresonanzkreis, gebildet aus dem Rückkoppelkondensator 302 und einer Rückkoppelinduktivität 306, die in Reihe miteinander verschaltet sind. 3d shows an implementation of the feedback element 114 by a series resonant circuit formed from the feedback capacitor 302 and a feedback inductance 306 , which are interconnected in series.
Ein erster Anschluss des Serienresonanzkreises kann dabei mit dem Senkenanschluss 104a des zweiten Transistors 104 verbunden sein und ein zweiter Anschluss des Serienresonanzkreises kann mit dem Steueranschluss 102b des ersten Transistors 102 verbunden sein.A first connection of the series resonant circuit can be connected to the drain connection 104a of the second transistor 104 be connected and a second terminal of the series resonant circuit may be connected to the control terminal 102b of the first transistor 102 be connected.
3e zeigt eine Implementierung des Rückkoppelelements 114 mit einem gedämpften Serienresonanzkreis, gebildet durch eine Serienschaltung aus dem Rückkoppelkondensator 302, der Rückkoppelinduktivität 306 und dem Rückkoppelwiderstandselement 304. 3e shows an implementation of the feedback element 114 with a damped series resonant circuit formed by a series circuit of the feedback capacitor 302 , the feedback inductance 306 and the feedback resistor element 304 ,
Ein erster Anschluss des gedämpften Serienresonanzkreises kann mit dem Senkenanschluss 104a des zweiten Transistors 104 verbunden sein. Ein zweiter Anschluss des gedämpften Serienresonanzkreises kann mit dem Steueranschluss 102b des ersten Transistors 102 verbunden sein.A first terminal of the damped series resonant circuit may be connected to the drain terminal 104a of the second transistor 104 be connected. A second terminal of the damped series resonant circuit may be connected to the control terminal 102b of the first transistor 102 be connected.
Die in den 3d und 3e gezeigten Implementierungen des Rückkoppelelements 114 mit einem Serienresonanzkreis (3d) bzw. einem gedämpften Serienresonanzkreis (3e) ermöglichen eine noch stärkere Kontrolle über Amplituden und Phasengang des Rückkoppelnetzwerks bzw. des Rückkoppelelements 114 mit entsprechendem Potenzial zur höherer Effizient der PA-Stufe. Eine solche Schaltung ist prinzipbedingt schmalbandig.The in the 3d and 3e shown implementations of the feedback element 114 with a series resonant circuit ( 3d) or a damped series resonant circuit ( 3e) allow even greater control over the amplitude and phase response of the feedback network or the feedback element 114 with corresponding potential for higher efficiency of the PA stage. Such a circuit is inherently narrow band.
Ferner sind auch mehrkreisige Filter als Rückkoppelnetzwerk oder Rückkoppelelement 114 denkbar. Diese bieten die Möglichkeit einer breitbandigen Stabilisierung bei gleichzeitig besserer Kontrolle der Rückkoppelimpedanz bei den Harmonischen und somit bessere Effizienz.Furthermore, multi-circuit filters as a feedback network or feedback element 114 conceivable. These offer the possibility of a broadband stabilization with better control of the feedback impedance at the harmonics and thus better efficiency.
Eine besondere Bedeutung spielt die Möglichkeit, in CMOS Technologien durch den Einsatz von MOSFETs als Schalter konfigurierbare Schaltungen zu entwerfen. Entsprechende Konzepte lassen sich auch bei Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung zur Schaltungsstabilisierung realisieren. Auf diese Weise lasse sich die Schaltungseigenschaften adaptiv den jeweiligen Betriebsbedingungen anpassen.Of particular importance is the ability to design switchable circuits in CMOS technologies through the use of MOSFETs as switches. Corresponding concepts can also be realized in embodiments of the present invention for circuit stabilization. In this way, the circuit properties can adaptively adapt to the respective operating conditions.
3f zeigt ein allgemeines Schaltbild einer solchen rekonfigurierbaren Stabilisierung. Dabei kann das Rückkoppelelement 114 ein rekonfigurierbares Rückkoppelnetzwerk aufweisen. Dieses rekonfigurierbare Rückkoppelnetzwerk kann eine Mehrzahl (N) von Serienschaltern 308 aufweisen. Ferner kann das rekonfigurierbare Rückkoppelnetzwerk eine Mehrzahl von Impedanzelementen 310 (ZR(f)) aufweisen. Die Serienschalter 308 und die Impedanzelemente 310 können dabei zwischen den Senkenanschluss 104a des zweiten Transistors 104 und den Steueranschluss 102b des ersten Transistors 102 geschaltet sein. Beispielsweise kann ein Impedanzelement aus der Mehrzahl der Impedanzelemente 310 mit einem Serienschalter aus der Mehrzahl von Serienschaltern 308 verbunden sein, um in einem niederimpedanten Zustand des Serienschalters den Senkenanschluss 104a des zweiten Transistors 104 mit dem Steueranschluss 102b des ersten Transistors 102 durch das Impedanzelement leitfähig zu koppeln. Da die Schaltung 200 typischerweise zur Verstärkung von Wechselspannungssignalen genutzt wird kann eine solche leitfähige Kopplung auch stattfinden, wenn das Impedanzelement einen in Serie (zwischen den Senkenanschluss 104a des zweiten Transistors 104 und den Steueranschluss 102b des ersten Transistors 102) geschalteten Kondensator (beispielsweise den Rückkoppelkondensator 302) aufweist. 3f shows a general circuit diagram of such a reconfigurable stabilization. In this case, the feedback element 114 have a reconfigurable feedback network. This reconfigurable feedback network may include a plurality (N) of series switches 308 respectively. Furthermore, the reconfigurable feedback network may include a plurality of impedance elements 310 (Z R (f)). The series switches 308 and the impedance elements 310 can between the drain connection 104a of the second transistor 104 and the control terminal 102b of the first transistor 102 be switched. For example, an impedance element of the plurality of impedance elements 310 with a series switch of the plurality of series switches 308 be connected to the drain port in a low-impedance state of the series switch 104a of the second transistor 104 with the control terminal 102b of the first transistor 102 to conductively couple through the impedance element. Because the circuit 200 is typically used to amplify AC signals, such a conductive coupling also take place when the impedance element in series (between the drain terminal 104a of the second transistor 104 and the control terminal 102b of the first transistor 102 ) switched capacitor (for example, the feedback capacitor 302 ) having.
Ferner kann das rekonfigurierbare Rückkoppelnetzwerk eine Mehrzahl (M) von Parallelschaltern 312 aufweisen. Die Parallelschalter 312 können dabei zwischen die Mehrzahl von Impedanzelementen 310 und den Versorgungspotenzialanschluss 212 (beispielsweise Masseanschluss oder Versorgungsspannungsanschluss der Schaltung 200) geschaltet sein. Beispielsweise kann ein Impedanzelement aus der Mehrzahl von Impedanzelementen 310 mit einem Parallelschalter aus der Mehrzahl von Parallelschaltern 312 verbunden sein. Mit anderen Worten kann ein passives Rückkoppelnetzwerk (gebildet durch die Impedanzelemente 310), hier dargestellt durch ZR (f), über N Serienschalter 308 und M Parallelschalter 312 nach Masse, entsprechend der Schalterstellung in seinen Eigenschaften und seiner Koppelwirkung zwischen dem Ausgangsknoten 104a (uaus ) und dem Steueranschluss 102b (Gate) des ersten Transistors 102 verändert werden.Further, the reconfigurable feedback network may include a plurality (M) of parallel switches 312 respectively. The parallel switch 312 can between the plurality of impedance elements 310 and the supply potential connection 212 (For example, ground connection or supply voltage connection of the circuit 200 ). For example, an impedance element of the plurality of impedance elements 310 with a parallel switch of the plurality of parallel switches 312 be connected. In other words, a passive feedback network (formed by the impedance elements 310 ), shown here by Z R (f), via N series switch 308 and M parallel switch 312 according to the switch position in its properties and its coupling effect between the output node 104a ( u out ) and the control terminal 102b (Gate) of the first transistor 102 to be changed.
Eine mögliche Implementierung ist in 3g am Beispiel eines rekonfigurierbaren RC Stabilisierungsnetzwerks gezeigt. Das in 3g gezeigte rekonfigurierbaren RC Stabilisierungsnetzwerk (welches das Rückkoppelelement 114 bildet) weist den Rückkoppelkondensator 302 auf, welche in Serie mit einer Mehrzahl von parallel geschalteten Rückkoppelwiderstandselementen 304 geschaltet ist. Ferner weist das rekonfigurierbaren RC Stabilisierungsnetzwerk eine Mehrzahl von Serienschaltern 308 (beispielsweise gebildet durch Eintransistorschalter oder Tramission Gates - Übertragungsgatter) auf, welche zwischen die Mehrzahl von Rückkoppelwiderstandselementen 304 und den Steueranschluss 102b des ersten Transistors 102 geschaltet sind.One possible implementation is in 3g shown using the example of a reconfigurable RC stabilization network. This in 3g shown reconfigurable RC stabilization network (which the feedback element 114 forms) has the feedback capacitor 302 which in series with a plurality of feedback resistor elements connected in parallel 304 is switched. Furthermore, the reconfigurable RC stabilization network has a plurality of series switches 308 (For example, formed by one-transistor switch or tramission gates - transmission gate), which between the plurality of feedback resistor elements 304 and the control terminal 102b of the first transistor 102 are switched.
Ein Rückkoppelwiderstandselement 304 bildet daher zusammen mit einem, mit dem Rückkoppelwiderstandselement 304 in Serie geschalteten, Serienschalter 308 ein schaltbares Rückkoppelwiderstandselement.A feedback resistor element 304 therefore forms together with one, with the feedback resistor element 304 connected in series, series switch 308 a switchable feedback resistor element.
Gemäß weiteren Ausführungsbeispielen können die Serienschalter 308 auch vor die Rückkoppelwiderstandselemente 304 geschaltet sein, also beispielsweise so, dass die Serienschalter 308 zwischen den Rückkoppelkondensator 302 und die Rückkoppelwiderstandselemente 304 geschaltet sind. Durch die in 3g gezeigte Verschaltung kann das RC Stabilisierungsnetzwerk an verschiedene Anforderungen angepasst werden, indem die verschiedenen Rückkoppelwiderstandselemente 304 zu- oder abgeschaltet werden können.According to further embodiments, the series switches 308 also before the feedback resistor elements 304 be switched, so for example so that the series switch 308 between the feedback capacitor 302 and the feedback resistor elements 304 are switched. By the in 3g The RC stabilization network can be adapted to different requirements by using the different feedback resistor elements 304 can be switched on or off.
Gemäß weiteren Ausführungsbeispielen können die Rückkoppelwiderstandselemente 304 voneinander verschiedene Widerstandswerte aufweisen.According to further embodiments, the feedback resistor elements 304 have different resistance values from each other.
Gemäß weiteren Ausführungsbeispielen lässt sich auch ein Transistor als steuerbarer arbeitspunktabhängiger Widerstand in das Stabilisierungsnetzwerk (das Rückkoppelelement 114) einbringen. Mit anderen Worten kann bei Schaltungen gemäß weiteren Ausführungsbeispielen auch ein Transistor als steuerbarer arbeitspunktabhängiger Rückkoppelwiderstand als Bestandteil des Rückkoppelelements 114 verwendet werden.According to further embodiments, a transistor can also be used as a controllable operating-point-dependent resistance in the stabilization network (the feedback element 114 ). In other words, in circuits according to further embodiments, a transistor as a controllable operating point-dependent feedback resistor as part of the feedback element 114 be used.
Ferner können die Impedanzelemente 310 auch komplexe Werte aufweisen. So kann ein Impedanzelement aus der Mehrzahl von Impedanzelementen 310 beispielsweise eine oder mehrere Rückkoppelkapazitäten und/oder eine oder mehrere Rückkoppelinduktivitäten und/oder einen oder mehrere Rückkoppelwiderstände aufweisen.Furthermore, the impedance elements can 310 also have complex values. Thus, an impedance element of the plurality of impedance elements 310 For example, one or more feedback capacitances and / or one or more feedback inductances and / or one or more feedback resistors.
Zusammenfassend ermöglichen Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung eine Schaltung, beispielsweise für einen Hochfrequenzleistungsverstärker mit einem stabilen Verhalten.In summary, embodiments of the present invention enable a circuit, for example, for a high frequency power amplifier with a stable behavior.
Weitere Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung schaffen einen Leistungsverstärker mit einer Kaskodenschaltung gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung (beispielsweise mit der Kaskodenschaltung 100 oder der Kaskodenschaltung 200).Further embodiments of the present invention provide a power amplifier with a cascode circuit according to an embodiment of the present invention (for example, with the cascode circuit 100 or the cascode circuit 200 ).
Obwohl manche Aspekte im Zusammenhang mit einer Vorrichtung beschrieben wurden, versteht es sich, dass diese Aspekte auch eine Beschreibung des entsprechenden Verfahrens darstellen, sodass ein Block oder ein Bauelement einer Vorrichtung auch als ein entsprechender Verfahrensschritt oder als ein Merkmal eines Verfahrensschrittes zu verstehen ist. Analog dazu stellen Aspekte, die im Zusammenhang mit einem oder als ein Verfahrensschritt beschrieben wurden, auch eine Beschreibung eines entsprechenden Blocks oder Details oder Merkmals einer entsprechenden Vorrichtung dar.Although some aspects have been described in the context of a device, it will be understood that these aspects also constitute a description of the corresponding method, so that a block or a component of a device is also to be understood as a corresponding method step or as a feature of a method step. Similarly, aspects described in connection with or as a method step also represent a description of a corresponding block or detail or feature of a corresponding device.
Die oben beschriebenen Ausführungsbeispiele stellen lediglich eine Veranschaulichung der Prinzipien der vorliegenden Erfindung dar. Es versteht sich, dass Modifikationen und Variationen der hierin beschriebenen Anordnungen und Einzelheiten anderen Fachleuten einleuchten werden. Deshalb ist beabsichtigt, dass die Erfindung lediglich durch den Schutzumfang der nachstehenden Patentansprüche und nicht durch die spezifischen Einzelheiten, die anhand der Beschreibung und der Erläuterung der Ausführungsbeispiele hierin präsentiert wurden, beschränkt sei.The embodiments described above are merely illustrative of the principles of the present invention. It will be understood that modifications and variations of the arrangements and details described herein will be apparent to others of ordinary skill in the art. Therefore, it is intended that the invention be limited only by the scope of the appended claims and not by the specific details presented in the description and explanation of the embodiments herein.