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Diese Anmeldung beansprucht die Priorität und den Nutzen der
koreanischen Patentanmeldungen Nr. 10-2010-0069960 , die am 20. Juli 2010 beim koreanischen Amt für geistiges Eigentum eingereicht wurde, und
Nr. 10-2010-0094611 , die am 29. September 2010 beim koreanischen Amt für geistiges Eigentum eingereicht wurde, und deren gesamter Inhalt hierin durch Bezugnahme aufgenommen wird.
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Hintergrund der Erfindung
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Gebiet der Erfindung
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Ausführungsbeispiele der Erfindung beziehen sich auf eine Solarzelle und ein Verfahren zur Herstellung derselben.
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Beschreibung des Stands der Technik
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Da erwartet wird, dass sich bestehende Energiequellen wie Erdöl und Kohle erschöpfen, steigt in letzter Zeit das Interesse an alternativen Energiequellen für den Ersatz der bestehenden Energiequellen. Unter den alternativen Energiequellen haben sich Solarzellen zur Erzeugung elektrischer Energie aus Sonnenenergie besonders hervorgehoben, weil die Solarzellen elektrische Energie aus einer ergiebigen Energiequelle ableiten und keine Umweltverschmutzung verursachen.
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Die Solarzellen werden, auf der Grundlage der verwendeten Materialien, eingeteilt in eine kristalline Silizium-Solarzelle, eine amorphe Silizium-Solarzelle und eine Gemisch-Solarzelle. Die kristallinen Silizium-Solarzellen werden weiter in eine Einkristall-Silizium-Solarzelle und eine polykristalline Silizium-Solarzelle eingeteilt.
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Da die Einkristall-Silizium-Solarzelle ein Substrat von guter Qualität hat, ist es einfach, mit der Einkristall-Silizium-Solarzelle einen hohen Wirkungsgrad zu erzielen. Allerdings erhöhen sich die Herstellungskosten der Einkristall-Silizium-Solarzelle, wenn man das Substrat von guter Qualität verwendet. Andererseits, da ein Substrat der polykristallinen Silizium-Solarzelle in der Qualität schlechter als das Substrat der Einkristall-Silizium-Solarzelle ist, ist es schwieriger, den hohen Wirkungsgrad mit der polykristallinen Silizium-Solarzelle als mit der Einkristall-Silizium-Solarzellen zu erreichen. Da jedoch die Qualität des Substrates und die Verfahrenstechnik der polykristallinen Silizium-Solarzelle erheblich verbessert worden sind, hat sich der Wirkungsgrad der polykristallinen Silizium-Solarzellen in jüngster Zeit erhöht.
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Beispiele für Verfahren zum Erreichen des hohen Wirkungsgrads mit der polykristallinen Silizium-Solarzellen umfassen ein Verfahren zur Bildung von unebenen Teilbereichen auf einer lichtempfangenden Oberfläche des Substrats, um eine Reflexion von auf die lichtempfangende Oberfläche einfallendem Licht zu reduzieren.
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Zusammenfassung der Erfindung
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Ausführungsbeispiele der Erfindung stellen eine Solarzelle mit verbessertem Wirkungsgrad bereit.
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Ausführungsbeispiele der Erfindung stellen ebenfalls ein Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle bereit, das in der Lage ist, die Fertigungszeit zu verringern.
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Unter einem Gesichtspunkt gibt es eine Solarzelle umfassend ein Substrat, eine an einer Einfallsfläche des Substrats gebildete Emitter-Schicht, ein mit der Emitter-Schicht verbundenes erstes Elektroden-Teil und eine strukturierten Oberfläche, die an der Einfallsfläche des Substrats angeordnet ist, an welcher die Emitter-Schicht gebildet ist, mit einer Vielzahl von Vertiefungen, wobei eine Oberfläche eines Bereichs des Substrats, auf welchem das erste Elektroden-Teil gebildet ist, eine ebene Fläche, die nicht die Vertiefung umfasst, ist.
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Die strukturierte Oberfläche umfasst eine Vielzahl von Vertiefungen mit einer Halbkreis-Querschnittsform, von denen jede einen Durchmesser von gleich oder kleiner als ungefähr 10 μm hat.
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Das erste Elektroden-Teil umfasst eine Vielzahl von ersten Elektroden, eine Vielzahl von ersten Elektrodenstromabnehmern, welche die Vielzahl der ersten Elektroden kreuzen, oder beides. Die Vielzahl von ersten Elektroden, die Vielzahl von ersten Elektrodenstromabnehmern, oder beide, sind auf der flachen Oberfläche gebildet.
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Die Solarzelle kann weiterhin eine auf der Emitter-Schicht angeordnete Anti-Reflexionsschicht und ein zweites auf einer Oberfläche gegenüber der Einfallsfläche des Substrats angeordnetes Elektroden-Teil umfassen.
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Unter einem weiteren Gesichtspunkt gibt es ein Verfahren zum Herstellen einer Solarzelle einschließlich Bereitstellen eines Substrats, Anordnen einer Maske mit einer Vielzahl von Lochmustern auf dem Substrat, Strahlen eines linearen Laserstrahls auf eine Einfallsfläche des Substrats unter Verwendung der Maske und Bilden einer Vielzahl von Vertiefungen auf der Einfallsfläche des Substrats, um dadurch eine strukturierte Oberfläche zu bilden, die der Vielzahl der Lochmuster entspricht, Bilden einer Emitter-Schicht auf dem Substrat, Bilden einer Anti-Reflexionsschicht auf der Emitter-Schicht, Bilden eines ersten Elektroden-Teils, das durch die Anti-Reflexionsschicht führt und mit der Emitter-Schicht verbunden ist, und Bilden eines zweiten Elektroden-Teils auf einer Rückseite des Substrates.
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Das Bilden der Emitter-Schicht kann vor dem Bilden der strukturierten Oberfläche oder nach dem Bilden der strukturierten Oberfläche durchgeführt werden.
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Das Bilden der Emitter-Schicht umfasst eine Auftragung einer Verunreinigungen enthaltenden Paste oder einer Verunreinigungen enthaltenden Lösung auf die Einfallsfläche des Substrats, um eine Verunreinigungsschicht zu bilden, oder eine Durchführung eines Ionenimplantationsverfahrens, um Verunreinigungen in die einfallende Oberfläche des Substrats zu injizieren. Ein Aktivierungsverfahren zum Verbreiten der Verunreinigungen aus der Beschichtung auf das Substrat kann gleichzeitig mit dem Strahlen des linearen Laserstrahls durchgeführt werden.
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Um gleichzeitig das Aktivierurigsverfahren der Verunreinigungen und das Verfahren zur Bestrahlung mit dem linearen Laserstrahl durchführen zu können, kann die Maske einen durchlässigen Bereich, in welchem die Vielzahl von Lochmustern gebildet ist, und einen halbdurchlässigen Bereich, in welchem ein halbdurchlässiges Muster zum Verringern der Intensität des linearen Laserstrahl gebildet ist, umfassen. Der lineare Laserstrahl kann eine Linienbreite haben, die gleichzeitig die Vielzahl von Lochmustern und das halbdurchlässige Muster bestrahlt.
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Das Bilden der strukturierten Oberfläche umfasst, vor dem Bestrahlen mit dem linearen Laserstrahl, ein Übertragen des Substrates um eine Breite des durchlässigen Bereiches, um die relative Lage zwischen der Maske und dem Substrat einzustellen.
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Der lineare Laserstrahl kann einen Excimer-Laser mit einer Wellenlänge von gleich oder kleiner als etwa 500 nm verwenden. Die Linienbreite des linearen Laserstrahl kann größer sein als eine Breite von jedem Lochmuster.
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Das Bilden der strukturierten Oberfläche kann auch ein Übertragen des Substrats umfassen, um die relative Lage zwischen der Maske und dem Substrat einzustellen.
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Ein- und Ausschalt-Vorgänge des linearen Laserstrahls können gesteuert werden, um die Oberfläche eines Bereichs des Substrats, auf dem das erste Elektroden-Teil zu bilden ist, als eine ebene Oberfläche zu bilden.
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Alternativ kann die Maske ein Lichtabschirmungsmuster an einem Ort umfassen, die einem Bereich entspricht, an dem das erste Elektroden-Teil gebildet wird, und die Oberfläche des Bereichs des Substrats, auf dem das erste Elektroden-Teil zu bilden ist, kann unter Verwendung des Lichtabschirmungsmusters als eine ebene Oberfläche gebildet werden.
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Entsprechend den oben beschriebenen Eigenschaften, kann eine Vielzahl von Vertiefungen unter Verwendung eines linearen Laserstrahls mit einer konstanten Linienbreite gleichzeitig gebildet werden.
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In dem Ausführungsbeispiel der Erfindung kann die Größe der Vertiefung auf gleich oder kleiner als etwa 10 μm verringert werden, gegenüber dem Stand der Technik, der ein Maskenmuster mit einem Spot-Laser bildet und dann ein Ätzverfahren unter Verwendung des Maskenmusters durchführt, wobei Vertiefungen gebildet werden. So kann eine große Anzahl von Vertiefungen gebildet werden und eine Lichtreflexion der strukturierten Oberfläche kann effizient durch die Vertiefungen reduziert werden.
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Eine Verringerung der Gleichmäßigkeit der Vertiefungsmuster, die sich aus Puls-zu-Puls Schwankung des Laserstrahls ergibt, kann unterdrückt werden, und die Fertigungszeit kann verringert werden.
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Darüber hinaus kann die Fertigungszeit weiter verringert werden, weil die strukturierte Oberfläche und die Emitter-Schicht gleichzeitig gebildet werden können.
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Des Weiteren kann eine Erhöhung eines Kontaktwiderstands zwischen Metall und Silizium vermieden oder verringert werden, weil die Oberfläche der Emitter-Schicht, auf der das erste Elektroden-Teil gebildet ist, im Wesentlichen gleichmäßig ausgebildet ist. Da die Ein- und Ausschalt-Vorgänge des linearen Laserstrahl gesteuert werden, kann ein Anteil des linearen Laserstrahls verringert werden.
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Kurze Beschreibung der Zeichnungen
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Die begleitenden Zeichnungen, die eingefügt sind, um ein tiefergehendes Verständnis der Erfindung zu unterstützen, werden aufgenommen in und stellen ein Teil dieser Patentschrift dar, veranschaulichen Ausführungsbeispiele der Erfindung und dienen zusammen mit der Beschreibung dazu, die Grundlagen der Erfindung zu erklären. Zu den Zeichnungen:
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1 ist eine perspektivische Teilansicht einer Solarzelle gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung;
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2 ist eine Querschnittsdarstellung entlang der Linien II-II aus 1;
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3 bis 7 sind partielle Draufsichten, welche verschiedene Anordnungen einer strukturierten Oberfläche eines Substrats darstellen;
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8 ist eine partielle Draufsicht einer zum Bilden einer strukturierten Oberfläche verwendeten Maske;
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9 ist eine partielle Draufsicht einer zum Bilden einer strukturierten Oberfläche verwendeten Maske und einer Emitter-Schicht;
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10 zeigt eine Vorrichtung zum Herstellen von Solarzellen gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung;
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11 veranschaulicht ein Verfahren zum Bilden einer strukturierten Oberfläche unter Verwendung einer in 8 gezeigten Maske; und
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12 veranschaulicht ein Verfahren zum Bilden einer strukturierten Oberfläche und einer Emitter-Schicht unter Verwendung einer in 9 gezeigten Maske.
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Detaillierte Beschreibung der Ausführungsbeispiele
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Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen, in welchen Ausführungsbeispiele der Erfindung dargestellt sind, eingehender beschrieben werden. Diese Erfindung kann jedoch in vielen unterschiedlichen Formen ausgeführt werden und sollte nicht als auf die hier dargestellten Ausführungen begrenzt ausgelegt werden.
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In den Zeichnungen ist die Dicke der Schichten, Filme, Platten, Bereiche, usw., zum Zwecke der Klarheit übertrieben dargestellt. Gleiche Bezugszeichen bezeichnen gleiche Elemente in der ganzen Beschreibung. Es versteht sich, dass, wenn ein Element wie eine Schicht, Film, Bereich oder Substrat als „auf einem anderen Element bezeichnet wird, dieses unmittelbar auf dem anderen Element sein kann oder Zwischenelemente ebenfalls vorhanden sein können. Im Gegensatz dazu sind, wenn ein Element als ”unmittelbar auf” einem anderen Element bezeichnet wird, keine anderen Zwischenelemente vorhanden. Darüber hinaus wird davon ausgegangen, dass, wenn ein Element wie eine Schicht, Film, Bereich oder Substrat als ”vollständig” auf einem anderen Element bezeichnet wird, dieses auf der gesamten Oberfläche des anderen Elements sein kann und nicht auf einem Teil einer Kante des anderen Elements sein darf.
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Eine Solarzelle gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung wird unter Bezugnahme auf die 1 und 2 ausführlich beschrieben.
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1 ist eine perspektivische Teilansicht einer Solarzelle gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung. 2 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linien II-II aus 1.
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Wie in den 1 und 2 dargestellt, umfasst eine Solarzelle gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung ein Substrat 10, eine an einer Stirnfläche (nachfolgend als „eine lichtempfangende Fläche” bezeichnet) des Substrats 10 angeordnete Emitter-Schicht 20, auf welche Licht einfällt, eine an der Emitter-Schicht 20 angeordnete Anti-Reflexionsschicht 30, elektrisch mit dem Emitter-Schicht 20 verbundene erste Elektroden-Teile 40 und 50, auf einer Rückseite gegenüber der Stirnfläche des Substrats 10 angeordnete zweite Elektroden-Teile 60 und 70 und eine an der Rückseite des Substrats 10 angeordnete Rückseitenfeld-Schicht 80 (BSF, Back Surface Field).
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Die ersten Elektroden-Teile 40 und 50 umfassen eine Vielzahl von auf der Stirnfläche des Substrats 10 angeordneten ersten Elektroden 40 und eine Vielzahl von elektrisch und physikalisch mit der Vielzahl von ersten Elektroden 40 verbundenen ersten Elektroden-Stromabnehmern 50. Ferner umfassen die zweiten Elektrode-Teile 60 und 70 eine auf der Rückseite des Substrats 10 angeordnete zweite Elektrode 60 und einen elektrisch und physikalisch mit der zweiten Elektrode 60 verbundenen zweiten Elektroden-Stromabnehmer 70.
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Das Substrat 10 ist ein Halbleiter-Substrat, das aus Silizium vom ersten leitenden Typ gebildet ist, zum Beispiel aus p-Typ Silizium, aber nicht notwendigerweise. Silizium, das im Substrat 10 verwendet wird, kann Einkristall-Silizium, polykristallines Silizium oder amorphes Silizium sein. Wenn das Substrat 10 von einem p-Typ ist, kann das Substrat 10 Verunreinigungen von einem Gruppe III-Element wie zum Beispiel Bor (B), Gallium (Ga) und Indium (In) enthalten. Alternativ kann das Substrat 10 aus einem n-Typ sein und/oder aus anderen Halbleitermaterialien als Silizium gebildet sein. Wenn das Substrat 10 vom n-Typ ist, kann das Substrat 10 Verunreinigungen von einem Gruppe V-Element wie zum Beispiel Phosphor (P), Arsen (As) und Antimon (Sb) enthalten.
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Wie in 11 dargestellt, umfasst das Substrat 10 einen ersten Bereich A1 und einen zweiten Bereich A2. Der zweite Bereich A2 zeigt eine Ausgestaltungsbereich der ersten Elektroden-Teile 40 und 50, und der erste Bereich A1 zeigt einen Bereich, der den zweiten Bereich A2 aus dem gesamten Bereich des Substrats 10 ausschließt. In Ausführungsbeispielen der Erfindung sind Teile der ersten Fläche A1 diskontinuierlich, während Teile des zweiten Bereichs A2 kontinuierlich sind. Die diskontinuierlichen Teile der ersten Fläche A1 kann die gleiche Form haben, während die Anteile des zweiten Bereichs verschiedene Formen haben können. Die Teile der ersten Fläche sind geteilt oder abgegrenzt durch den zweiten Bereich A2.
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In dem Ausführungsbeispiel der Erfindung hat der erste Bereich A1 des Substrats 10 eine strukturierte Oberfläche 12, um eine Reflexion von auf die lichtempfangende Oberfläche des Substrats 10 einfallenden Lichts zu reduzieren. Die strukturierte Oberfläche 12 kann eine Wabenstruktur aufweisen, in welcher eine Vielzahl von Vertiefungen an der Oberfläche des Substrats 10 ausgebildet sind. Jede der Vielzahl von Vertiefungen kann eine Halbkreis-Querschnittsform haben, und die Größe, d. h. ein Durchmesser von jeder Vertiefung ist gleich oder kleiner als etwa 10 μm. In Ausführungsbeispielen der Erfindung kann eine Form der Vielzahl von Vertiefungen eine Halbkugel oder ein Krater sein. Andere Formen sind möglich, darunter elf Polyeder, und andere wie zum Beispiel ein Zylinder.
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3 bis 7 sind Teil-Draufsichten, die verschiedene Anordnungen der strukturierten Oberfläche 12 des Substrats 10 darstellen.
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Wie in 3 gezeigt, ist eine Vielzahl von Vertiefungen 14a, welche die strukturierte Oberfläche 12 bilden, in einer Vielzahl von Spalten ..., Rn, Rn+1, Rn+2, Rn+3, Rn+4, ... angeordnet.
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Die in jeder Spalte angeordneten Vertiefungen 14a können im Wesentlichen die gleiche Größe haben. Alle der Vielzahl von Vertiefungen 14a, die in der Vielzahl von Spalten angeordnet sind, können im Wesentlichen die gleiche Größe haben. Die in einer Spalte angeordneten Vertiefungen 14a und die in einer anderen Spalte neben dieser einen Spalte gelegenen Vertiefungen 14a sind parallel zueinander in einer Zeilen-Richtung X-X' angeordnet. In diesem Fall können die Vertiefungen 14a in der Spalten-Richtung (einer ersten Richtung) senkrecht zu den Vertiefungen in einer Zeilen-Richtung (einer zweiten Richtung) angeordnet sein.
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Wie in 4 gezeigt können alle der Vielzahl von Vertiefungen 14a, die in der Vielzahl von Spalten angeordnet sind, im Wesentlichen die gleiche Größe haben. Die in einer Spalte angeordneten Vertiefungen 14a und die in einer anderen Spalte neben dieser einen Spalte angeordneten Vertiefungen 14a sind nicht parallel zueinander in der Zeilen-Richtung X-X' angeordnet. In diesem Fall können die Vertiefungen 14a in der Spalten-Richtung (der ersten Richtung) in einem Winkel zu den Vertiefungen 14a in der Zeilen-Richtung, die geneigt (eine dritte Richtung) ist, angeordnet sein. Die geneigten Zeilen der Vertiefungen 14a können zueinander parallel sein. Ein Winkel zwischen mindestens einer der Spalten und mindestens einer der geneigten Zeilen kann etwa 30° bis 60° betragen.
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Wie in 5 gezeigt, haben die auf den jeweiligen Spalten angeordneten Vertiefungen im Wesentlichen die gleiche Größe. Andererseits, können die Größen der in einer Spalte aus der Vielzahl von Spalten angeordneten Vertiefungen von den Größen der in mindestens einer anderen Spalte angeordneten Vertiefungen verschieden sein.
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Zum Beispiel sind Größen von Vertiefungen 14b, die in einer mittleren Spalte von der in 5 gezeigten Vielzahl von Spalten angeordnet sind, größer als Größen von in einer anderen Spalte angeordneten Vertiefungen 14a. Die Anzahl der Spalten, in denen die größeren Vertiefungen 14b angeordnet sind, ist nicht begrenzt, und ein Anordnungsort der Spalten, in denen die größeren Vertiefungen 14b angeordnet sind, kann variieren. Entsprechend der in der 5 dargestellten Anordnung sind die in einer Spalte angeordneten Vertiefungen 14b und die in einer anderen Spalte neben der einen Spalte angeordneten Vertiefungen 14a nicht parallel zueinander in der Zeilen-Richtung X-X angeordnet. In diesem Fall können sich die Spalten mit allen Vertiefungen 14a und die Spalten mit allen größeren Vertiefungen 14b abwechseln.
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Wie in 6 gezeigt sind Vertiefungen mit mindestens zwei verschiedenen Größen in einer Spalte angeordnet. Zum Beispiel sind Größen von Vertiefungen 14b, die in einer zweiten Spalte und in zweiten und dritten Zeilen von oben angeordnet sind, größer als Größen von Vertiefungen 14a, die in der zweiten Spalte und anderen Zeilen als den zweiten und dritten Zeilen angeordnet sind. Die Zahl von größeren Vertiefungen 14b in einer Spalte ist nicht begrenzt. Ein Anordnungsort der größeren Vertiefungen 14b kann variieren.
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Wie in 7 gezeigt, wenn die Vielzahl von Vertiefungen, die in einer Spalte aus der Vielzahl von Spalten angeordnet sind, mindestens zwei verschiedenen Größen haben, können Größen von Vertiefungen, die in einem mittleren Abschnitt 10a des Substrats 10 in der einen Spalte angeordnet sind, sich von Größen von Vertiefungen unterscheiden, die in einem Randbereich 10b des Substrats 10 in der einen Spalte angeordnet sind.
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Zum Beispiel kann die Größe der in dem Mittelbereich 10a des Substrats 10 angeordneten Vertiefung größer als die Größe der in dem Kantenbereich 10b des Substrats 10 angeordneten Vertiefung sein. In diesem Fall können die Größen der Vertiefungen ansteigen, wenn die Orte der Vertiefungen von dem Kantenbereich 10b des Substrats 10 zu dem Mittelbereich 10a des Substrats 10 gehen. Ein solcher Anstieg der Größe der Vertiefung an verschiedenen Orten des Substrates kann stufenweise oder in einem oder mehreren Schritten erfolgen.
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Im Gegensatz dazu kann die Größe der in dem Kantenbereich 10b des Substrats 10 angeordneten Vertiefung größer als die Größe der in dem Mittelbereich 10a des Substrats 10 angeordneten Vertiefung sein. In diesem Fall können die Größen der Vertiefungen ansteigen, wenn die Orte der Vertiefungen von dem Mittelbereich 10a des Substrats 10 zum Kantenbereich Rand 10b des Substrats 10 gehen. Eine solcher Anstieg in der Größe der Vertiefung an verschiedenen Orten des Substrates kann stufenweise oder in einem oder mehreren Schritten erfolgen.
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3 bis 7 stellten nur die verschiedenen Beispiel-Anordnungen der strukturierten Oberfläche 12 dar. Allerdings sind die Ausführungsbeispiele der Erfindung nicht darauf beschränkt, und verschiedene Anordnungen können für die strukturierte Oberfläche 12 verwendet werden. Zum Beispiel kann die Vielzahl von Vertiefungen in der Vielzahl von Spalten angeordnet sein oder kann nicht gleichförmig angeordnet sein.
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Genauer ausgedrückt können, wenn die Vielzahl von Vertiefungen in der Vielzahl von Spalten angeordnet sind, die in einer Spalte aus der Vielzahl von Spalten angeordneten Vertiefungen im Wesentlichen die gleiche Größe haben, oder sie können mindestens zwei verschiedene Größen haben.
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Wenn die in der einen Spalte angeordneten Vertiefungen im Wesentlichen die gleiche Größe haben, können die Größen der in der einen Spalte angeordneten Vertiefungen im Wesentlichen gleich oder verschieden von den Größen der in mindestens einer anderen Spalte angeordneten Vertiefungen sein.
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Wenn die Größen der in der einen Spalte angeordneten Vertiefungen verschieden von den Größen der in der anderen Spalte angeordneten Vertiefungen sind, können die in der einen Spalte angeordneten Vertiefungen und die in der anderen Spalte angeordneten Vertiefungen nicht parallel zueinander in der Zeilen-Richtung sein.
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Wenn alle der in der Vielzahl von Spalten angeordneten Vielzahl von Vertiefungen im Wesentlichen die gleiche Größe haben, können die in einer Spalte angeordneten Vertiefungen und die in einer anderen Spalte neben der einen Spalte angeordneten Vertiefungen parallel zueinander in der Zeilen-Richtung angeordnet sein oder können nicht parallel zueinander in der Zeilen-Richtung angeordnet sein.
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Wenn die in einer Spalte der Vielzahl von Spalten angeordneten Vertiefungen mindestens zwei verschiedenen Größen haben, können die Größen der Vertiefungen, die in einem Mittelbereich des Substrats in der einen Spalte angeordnet sind, verschieden von den Größen der Vertiefungen sein, die in einem Kantenbereich des Substrats in der einen Spalte angeordnet sind.
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Zum Beispiel kann die Größe der in dem Mittelbereich des Substrats angeordneten Vertiefung größer sein als die Größe der in dem Kantenbereich des Substrats angeordneten Vertiefung. In diesem Fall können die Größen der Vertiefungen steigen, wenn die Orte der Vertiefungen von dem Kantenbereich des Substrats zu dem Mittelbereich des Substrates gehen. Ein solcher Anstieg in der Größe der Vertiefung an verschiedenen Orten des Substrates kann stufenweise oder in einem oder mehreren Schritten erfolgen.
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Im Gegensatz dazu kann die Größe der in dem Kantenbereich des Substrates angeordneten Vertiefung größer sein als die Größe der in dem Mittelbereich des Substrats angeordneten Vertiefung sein. In diesem Fall können die Größen der Vertiefungen ansteigen, wenn die Vertiefungen aus dem Mittelbereich des Substrates zu dem Kantenbereich des Substrats gehen. Ein solcher Anstieg in der Größe der Vertiefung an verschiedenen Orten des Substrates kann stufenweise oder in einem oder mehreren Schritten erfolgen.
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Wenn die Vielzahl von Vertiefungen ungleichförmig angeordnet sind, kann die Vielzahl von Vertiefungen im Wesentlichen die gleiche Größe oder mindestens zwei verschiedene Größen haben.
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Die Emitter-Schicht 20 ist in dem ersten Bereich A1 und dem zweiten Bereich A2 des Substrats 10 angeordnet.
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Die Emitter-Schicht 20 ist ein Bereich des Substrates 10, der mit Verunreinigungen von einem zweiten leitenden Typ (zum Beispiel einem n-Typ) gegenüber dem ersten leitenden Typ des Substrats 10 dotiert ist. Die Emitter-Schicht 20 bildet einen p-n Übergang zusammen mit dem Substrat 10. Da die Emitter-Schicht 20 durch die Diffusion der Verunreinigungen in das Substrat 10 gebildet ist, hat die auf der vorderen Oberfläche des Substrats 10 gebildete Emitter-Schicht 20 im Wesentlichen die gleiche Form wie die Oberfläche des Substrats 10. Eine untere Fläche der Emitter-Schicht 20 hat nämlich im Wesentlichen die gleichen Vertiefungen wie die strukturierte Oberfläche 12 in dem ersten Bereich A1 des Substrats 10 und ist in dem zweiten Bereich A2 des Substrats 10 im Wesentlichen flach.
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Eine Vielzahl von durch das auf das Substrat 10 einfallende Licht hergestellte Elektron-Loch-Paaren sind durch eine eingebaute Potentialdifferenz, die sich aus dem pn-Übergang zwischen dem Substrat 10 und der Emitter-Schicht 20 ergibt, in Elektronen und Löcher getrennt. Die abgetrennten Elektronen bewegen sich zum n-Typ Halbleiter, und die abgetrennten Löcher bewegen sich zum dem p-Typ Halbleiter. Wenn das Substrat 10 vom p-Typ ist und die Emitter-Schicht 20 vom n-Typ ist, bewegen sich die abgetrennten Löcher zu dem Substrat 10 und die abgetrennten Elektronen bewegen sich zu der Emitter-Schicht 120. Dementsprechend werden die Löcher zu wichtigen Trägern in dem Substrat 10, und die Elektronen werden zu wichtigen Trägern in der Emitter-Schicht 20.
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Da die Emitter-Schicht 20 den pn-Übergang zusammen mit dem Substrat 10 bildet, ist die Emitter-Schicht 20 vom p-Typ, wenn das Substrat 10 vom n-Typ ist. In diesem Fall bewegen sich die getrennten Elektronen zu dem n-Typ Substrat 10 und die getrennten Löcher bewegen sich zur p-Typ Emitter-Schicht 20.
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Wenn die Emitter-Schicht 20 vom n-Typ sein soll, kann die Emitter-Schicht 20 durch die Dotierung des Substrats 10 mit Verunreinigungen von einem Gruppe V Element wie zum Beispiel Phosphor (P), Arsen (As) und Antimon (Sb) gebildet werden. Im Gegensatz dazu kann, wenn die Emitter-Schicht 20 vom p-Typ sein soll, die Emitter-Schicht 20 durch die Dotierung des Substrats 10 mit Verunreinigungen von einem Gruppe III-Element wie zum Beispiel Bor (B), Gallium (Ga) und Indium (In) gebildet werden.
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Die Anti-Reflexionsschicht 30 auf der in den ersten Bereich A1 des Substrats angeordneten Emitter-Schicht 20 kann aus Siliziumnitrid (SiNx) und/oder Siliziumdioxid (SiO2) gebildet sein. Die Anti-Reflexionsschicht 30 verringert eine Reflexion von auf die Solarzelle einfallendem Licht und erhöht eine Selektivität von einem vorgegebenen Wellenlängenbereich des einfallenden Lichts, wodurch der Wirkungsgrad der Solarzelle erhöht wird.
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Das erste Elektrodenteil, umfassend die Vielzahl der ersten Elektroden 40 und die Vielzahl erster Elektroden-Stromabnehmer 50 ist in dem zweiten Bereich A2 des Substrats 10 angeordnet. Die Substratoberfläche in dem zweiten Bereich A2 ist im Wesentlichen flach.
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In dem Ausführungsbeispiel der Erfindung zeigt die im Wesentlichen ebene Oberfläche des Substrats 10 an, dass es keine Vertiefung auf der Oberfläche des Substrats 10 gibt. So kann jede Rauheit der im Wesentlichen ebenen Oberfläche des Substrats 10 vernachlässigbar sein.
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Wenn die Substratoberfläche in dem zweiten Bereich A2 im Wesentlichen flach ist, ist eine Kontaktfläche zwischen dem in dem zweiten Bereich A2 angeordneten ersten Elektroden-Teil und der Substratoberfläche in dem zweiten Bereich A2 im Wesentlichen flach. So kann eine Erhöhung eines Kontaktwiderstands zwischen Metall, welches das erste Elektroden-Teil bildet, und Silizium, welches das Substrat 10 bildet, verhindert oder verringert werden.
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Eine Breite des zweiten Bereichs A2 kann im Wesentlichen gleich einer Breite von dem ersten Elektroden-Teil sein, oder kann größer als die Breite des ersten Elektroden-Teils sein.
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Die Vielzahl von ersten Elektroden 40 sind auf der Emitter-Schicht 20 des zweiten Bereichs A2 angeordnet und sind elektrisch mit der Emitter-Schicht 20 verbunden. Ferner erstreckt sich die Vielzahl von ersten Elektroden 40 in eine feste Richtung in einem Zustand, in welchem die ersten Elektroden 40 voneinander beabstandet sind. Die ersten Elektroden 40 sammeln Träger (zum Beispiel Elektronen), die sich zu der Emitter-Schicht 20 bewegen, und geben die Träger zu einem externen Gerät aus.
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Die ersten Elektroden 40 können aus mindestens einem leitfähigen Material sein, das aus der Gruppe bestehend aus Silber (Ag), Nickel (Ni), Kupfer (Cu), Aluminium (Al), Zinn (Sn), Zink (Zn), Indium (In), Titan (Ti), Gold (Au), und einer Kombination davon, ausgewählt ist, gebildet sein. Andere leitfähige Materialien können für die ersten Elektroden 40 verwendet werden.
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Die Vielzahl von ersten Elektroden-Stromabnehmern 50 sind auf der Emitter-Schicht 20 des zweiten Bereichs A2 in einer Richtung, welche die ersten Elektroden 40 kreuzt, gebildet. Die ersten Elektroden-Stromabnehmer 50 sind elektrisch und physikalisch mit den ersten Elektroden 40 verbunden. Daher geben die ersten Elektroden-Stromabnehmer 50 von den ersten Elektroden 40 übertragene Träger (zum Beispiel Elektronen) an das externe Gerät aus.
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Die zweite Elektrode 60 ist auf der gesamten Rückseite des Substrats 10, mit Ausnahme einer Kante des Substrats 10, gebildet. Alternativ kann die zweite Elektrode 60 in einem Bereich ausschließlich eines Bildungsbereichs des zweiten Elektroden-Stromabnehmers 70 von der Rückseite des Substrats 10 gebildet sein. Die zweite Elektrode 60 enthält ein leitfähiges Material wie zum Beispiel Aluminium (A1) und ist elektrisch mit dem Substrat 10 verbunden. Ferner sammelt die zweite Elektrode 60 Träger (zum Beispiel Löcher), welche sich zu dem Substrat 10 bewegen, und gibt die Träger an das externe Gerät aus. Die zweite Elektrode 60 kann wenigstens ein leitfähiges Material, das aus der Gruppe bestehend aus Ni, Cu, Ag, Sn, Zn, In, Ti, Au, und einer Kombination davon, ausgewählt ist, zusätzlich zu Al enthalten. Andere leitfähige Materialien können für die zweite Elektrode 60 verwendet werden.
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Der zweite auf der Rückseite der zweiten Elektrode 60 angeordnete Elektroden-Stromabnehmer 70 ist in der gleichen Richtung wie die ersten Elektroden-Stromabnehmer 50 gebildet. Der zweite Elektroden-Stromabnehmer 70 gibt aus der zweiten Elektrode 60 übertragene Träger (zum Beispiel Löcher) an das externe Gerät aus.
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Wenn die zweite Elektrode 60 in dem Bereich ausschließlich des Bildungsbereichs des zweiten Elektroden-Stromabnehmers 70 von der Rückseite des Substrats 10 gebildet ist, kann der zweite Elektroden-Stromabnehmer 70 so gebildet sein, dass er mit der Rückseite des Substrates 10 in Verbindung steht.
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Die zwischen der zweiten Elektrode 60 und dem Substrat 10 angeordnete Rückseitenfeld-Schicht 80 ist ein Bereich (zum Beispiel ein p+-Typ Bereich), der stärker mit Verunreinigungen des gleichen leitfähigen Typs wie das Substrat 10 dotiert ist als das Substrat 10.
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Die Bewegung von Elektronen auf der Rückseite des Substrats 10 kann durch eine Potentialbarriere, die sich aus einer Differenz zwischen Verunreinigungskonzentrationen des Substrats 10 und der Rückseitenfeld-Schicht 80 ergibt, verhindert oder verringert werden. Daher kann eine Rekombination und/oder ein Verschwinden von Elektronen und Löchern auf der Rückseite des Substrats 10 verhindert oder verringert werden.
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Ein Verfahren zum Herstellen der Solarzelle nach dem Ausführungsbeispiel der Erfindung wird nachfolgend anhand der 8 bis 12 beschrieben.
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8 ist eine Teil-Draufsicht einer zum Bilden der strukturierten Oberfläche verwendete Maske. 9 ist eine Teil-Draufsicht einer Maske, die verwendet wird, um gleichzeitig die strukturierte Oberfläche und die Emitter-Schicht zu bilden. 10 zeigt eine Solarzellenherstellungsvorrichtung. 11 zeigt ein Verfahren zur Herstellung der strukturierten Oberfläche unter Verwendung der in 8 gezeigten Maske. 12 veranschaulicht ein Verfahren zur Bilden der strukturierten Oberfläche und der Emitter-Schicht unter Verwendung der in 9 gezeigten Maske.
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Wie in den 8, 10 und 11 dargestellt, hat eine Maske 110 gemäß dem Ausführungsbeispiel der Erfindung eine Vielzahl von Lochmustern 114 und ein Lichtabschirmungsmuster 116 in einem Schlitz 112. Die Vielzahl von Lochmustern 114 sind in einer Spalte angeordnet, und jedes Lochmuster 114 weist eine Größe (d. h. einen Durchmesser) von gleich oder kleiner als etwa 10 μm auf.
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In dem Ausführungsbeispiel der Erfindung durchläuft die Vielzahl von Lochmustern 114 ein Laserstrahl, und sie werden verwendet, um die Vielzahl von Vertiefungen 14 in dem ersten Bereich A1 des Substrats 10 zu bilden. Das Lichtabschirmungsmuster 116 schirmt den Laserstrahl ab und macht oder hält die Substratoberfläche des zweiten Bereich A2 im Wesentlichen flach.
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Die Maske 110 mit der oben beschriebenen Anordnung ist zwischen einem ersten Umlenkspiegel 220 und einem zweiten Umlenkspiegel 230 einer in 11 gezeigten Solarzellenherstellungsvorrichtung angeordnet.
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Ein aus einer Laserquelle 210 abgegebener Laserstrahl LB ist ein linearer Laserstrahl mit einer konstanten Linienbreite und ist auch ein Excimer-Laser mit einer Wellenlänge gleich oder kleiner als etwa 500 nm. Der Laserstrahl LB hat die gleiche Form oder eine ähnliche Form wie die Maske 110.
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Die Linienbreite des Laserstrahls LB kann größer sein als die Größe (d. h. der Durchmesser) des Lochmusters 114 und kann gleich oder kleiner als die Breite W des Schlitzes 112 sein. Zum Beispiel kann die Linienbreite des Laserstrahls LB mehrere μm bis ungefähr 20 μm sein. Die Linienbreite des Laserstrahls LB kann mit einem kurzen Strahlenachsen-Cutter angepasst werden.
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Es ist wünschenswert, aber nicht erforderlich, dass eine Länge des Laserstrahls LB gleich oder etwas kleiner als eine Länge des Substrats 10 oder eine Länge der Maske 110 ist. Die Länge des Laserstrahls LB kann mit einem auf der Maske 110 angeordneten Strahlen-Cutter angepasst werden.
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Die Maske 110 ist zwischen dem ersten Umlenkspiegel 220 und dem zweiten Umlenkspiegel 230 in einem Zustand angeordnet, in welchem eine Längsrichtung des Laserstrahls LB im Wesentlichen die gleiche wie eine Längsrichtung des Schlitzes 112 ist, so dass nur ein Teil des Laserstrahls LB durch die Lochmuster 114 der Maske gelangt. Die Maske 110 ist länglich angeordnet oder erstreckt sich in einer Zeilen-Richtung X-X des in 11 gezeigten Substrats 10.
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In der Solarzellenherstellungsvorrichturig mit der oben beschriebenen Anordnung wird ein Anteil des von der Laserquelle 210 ausgegebenen Laserstrahls LB von dem ersten Umlenkspiegel 220 reflektiert und gelangt durch die Lochmuster 114 der Maske 110. Der Anteil des Laserstrahls LB wird dann von dem zweiten Umlenkspiegel 230 und einem dritten Umlenkspiegel 240 reflektiert und fällt auf ein Substrat 10.
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So wird ein Teil der Oberfläche in dem ersten Bereich A1 des Substrats 10, auf weichem der Laserstrahl LB fällt, entfernt, wodurch eine Vielzahl von Vertiefungen mit jeweils einer Halbkreis-Querschnittsform (zum Beispiel die in den 3 bis 6 gezeigten Vertiefungen 14a und 14b) in dem ersten Bereich A1 gebildet werden. In diesem Fall, wie in 12 gezeigt, sind die Vertiefungen (zum Beispiel die in den 3 bis 6 gezeigten Vertiefungen 14a und 14b) auf der Oberfläche des Substrats 10 in einer Spalte in der gleichen Weise wie die Lochmuster 114 der Maske 110 angeordnet.
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Der Anteil des Laserstrahls LB, der auf das Lichtabschirmungsmuster 116 entlang dem Laserstrahl LB auf die Maske 110 gestrahlt wird, wird von dem Lichtabschirmungsmuster 116 abgeschirmt. So ist, wie in 11 gezeigt, da der Laserstrahl LB nicht auf einen Bereich, der mit den ersten Elektroden-Stromabnehmer 50 zu bilden ist, gestrahlt wird, die Substratoberfläche des zweiten Bereich A2 im Wesentlichen flach.
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Als nächstes wird, nachdem das Substrat 10 um eine vorgegebene Strecke in einer Pfeil-Richtung (d. h., einer Y-Achsen-Richtung) übertragen wird, das oben beschriebene Verfahren wiederholt durchgeführt. Daher sind die Vielzahl von Vertiefungen in dem ersten Bereich A1 des Substrats 10 gebildet, zum Beispiel in einer fortlaufenden Weise. Als ein Ergebnis wird eine strukturierte Oberfläche (zum Beispiel die in den 2 bis 6 dargestellte strukturierte Oberfläche 12) einschließlich der Vielzahl von Vertiefungen in dem ersten Bereich A1 des Substrats 10 vollendet.
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Wenn die strukturierte Oberfläche gebildet wird, während das Substrat 10 in der Pfeilrichtung übertragen wird, muss die strukturierte Oberfläche nicht in dem Bereich des Substrats 10 gebildet werden, auf weichem die ersten Elektroden 40 gebildet werden.
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Dazu werden in dem Ausführungsbeispiel der Erfindung Ein- und Ausschaltvorgänge des Laserstrahls LB gesteuert. Das Strukturierungsverfahren wird nämlich unmittelbar vor Erreichen des Bereichs des Substrats 10, der mit den ersten Elektroden 40 gebildet werden soll, durchgeführt, und dann wird der Laserstrahl LB für eine vorgegebene Zeit ausgeschaltet, wenn der Bereich des Substrats 10, der mit dem ersten Elektroden 40 gebildet werden soll, Bestrahlung durch den Laserstrahl LB erfahren würde. Nachdem eine vorgegebene Zeit verstrichen ist, wird der Laserstrahl LB wieder angeschaltet, um das Strukturierungsverfahren durchzuführen.
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Nach dem oben beschriebenen Verfahren schirmt das Lichtabschirmungsmuster 116 den Laserstrahl LB in einem Teil des zweiten Bereichs A2 ab, auf dem die ersten Elektroden-Stromabnehmer 50 gebildet werden, und somit wird die strukturierte Oberfläche nicht in dem Teil des zweiten Bereichs A2 gebildet, der mit den ersten Elektroden-Stromabnehmern zu bilden ist. Des Weiteren wird der Laserstrahl LB über einem Teil des zweiten Bereichs A2, der mit den ersten Elektroden 40 zu bilden ist, abgeschaltet, wenn der Laserstrahl auf den Teil des zweiten Bereich A2 gestrahlt würde, der mit den ersten Elektroden 40 zu bilden ist, und damit wird die strukturierte Oberfläche nicht in dem Teil des zweiten Bereichs A2 gebildet, der mit den ersten Elektroden 40 zu bilden ist.
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Ein Anteil des verwendeten Laserstrahls LB kann durch die Steuerung der Ein- und Ausschaltvorgänge des Laserstrahls LB verringert werden.
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Ferner kann der Anteil des mit den ersten Elektroden 40 zu bildenden zweiten Bereichs A2 unter Verwendung des Lichtabschirmungsmusters 116 gebildet werden.
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In 11 bezeichnet ein weißer Kreis die Vertiefung, die in einem früheren Verfahren gebildet worden ist, und ein schwarzer Kreis bezeichnet die Vertiefung, die in einem laufenden Verfahren gebildet wird.
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Nachdem die strukturierte Oberfläche in dem ersten Bereich A1 des Substrats 10 gebildet worden ist, wird eine Emitter-Schicht (zum Beispiel die in den 1 und 2 gezeigte Emitter-Schicht 20) gebildet.
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Die Emitter-Schicht kann durch Auftragen einer Verunreinigungen enthaltenden Paste oder einer Verunreinigungen enthaltenden Lösung auf die ersten und zweiten Bereiche des Substrats, um eine Verunreinigungsschicht zu bilden, und Durchführen thermischen Bearbeitens der Verunreinigungsschicht, um die Verunreinigungen in das Substrat zu diffundieren, gebildet werden.
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Alternativ kann die Emitter-Schicht gebildet werden, indem Verunreinigungen in das Substrat mittels eines Ionen-Implantationsverfahrens injiziert werden.
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Alternativ kann die Emitter-Schicht, bevor die strukturierte Oberfläche gebildet wird, unter Verwendung mindestens eines der oben beschriebenen Verfahren gebildet werden.
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Ein weiteres Verfahren zum Herstellen der Solarzelle gemäß dem Ausführungsbeispiel der Erfindung wird nachfolgend mit Bezug auf die 9, 11 und 12 beschrieben.
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In einer in 9 gezeigten Maske 130 ist ein Schlitz 132 in einen durchlässige Bereich A3 und einen halbdurchlässigen Bereich A4 geteilt, eine Vielzahl von Lochmustern 134 ist in dem durchlässigen Bereich A3 gebildet, und ein halbdurchlässiges Muster 136 ist in dem halbdurchlässigen Bereich A4 gebildet. Dementsprechend umfasst der Schlitz 132 die Lochmuster 134 und das halbdurchlässige Muster 136.
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Das halbdurchlässige Muster 136 ist ein Muster zum Verringern der Intensität des Laserstrahls LB auf etwa 30% bis 50%, um dadurch Verunreinigungen einer Verunreinigungsschicht zu aktivieren. Es ist wünschenswert, aber nicht erforderlich, dass das halbdurchlässige Muster 136 im Wesentlichen die gleiche Größe wie die durchlässige Fläche A3 hat.
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Es ist wünschenswert, aber nicht erforderlich, dass eine Linienbreite des Laserstrahls LB größer als eine Größe ist, die es ermöglicht, gleichzeitig den Laserstrahl LB auf die Lochmuster 134 und das halbdurchlässige Muster 136 zu strahlen, und gleich oder kleiner als eine Breite des Schlitzes 132 ist. In anderen Ausführungsbeispielen der Erfindung kann die Linienbreite des Laserstrahls LB gleich oder kleiner sein als eine Breite von mindestens einem der durchlässigen Bereiche A3 und des halbdurchlässigen Bereichs A4. Eine Breite des durchlässigen Bereich A3 kann gleich oder kleiner als eine Breite des halbdurchlässigen Bereichs A4 sein.
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In dem Ausführungsbeispiel der Erfindung wird ein Verfahren zum Bilden der strukturierten Oberfläche in einem Zustand durchgeführt, in welchem eine Verunreinigungsschicht 22 zum Bilden der Emitter-Schicht (zum Beispiel der in den 1 und 2 gezeigten Emitter-Schicht 20) zuvor auf der Oberfläche des Substrats 10 beschichtet war.
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Genauer ausgedrückt werden Vertiefungen einer ersten Spalte an der Oberfläche des Substrats 10 durch den Laserstrahl LB gebildet, der von dem ersten Umlenkspiegel 220 reflektiert wird und durch die Lochmuster 134 gelangt.
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Als nächstes wird das Substrat 10 um eine Breite des durchlässigen Bereichs A3 in Pfeil-(d. h., der X-Achsen-Richtung) übertragen, und dann wird der Laserstrahl LB wieder auf das Substrat 10 gestrahlt.
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Wenn der Laserstrahl LB gestrahlt wird, wird der durch das halbdurchlässige Muster 136 gelangende Laserstrahl LB auf einen der ersten Spalte entsprechenden Bereich des Substrats 10 gestrahlt. Daher werden die Verunreinigungen der Verunreinigungsschicht 22, die im Bereich der ersten Spalte aufgetragen ist, aktiviert: und in das Substrat 10 diffundiert. Somit wird die Emitter-Schicht im Bereich der ersten Spalte gebildet. Es ist eine Selbstverständlichkeit, dass die Vielzahl von Vertiefungen bereits in dem Bereich der ersten Spalte in einem früheren Verfahren gebildet worden sind.
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Als nächstes werden Vertiefungen einer zweiten Spalte durch den durch die Lochmuster 134 gelangenden Laserstrahl LB gebildet.
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Wie oben beschrieben, wird die strukturierte Oberfläche 12 an der Oberfläche des Substrats 10 durch wiederholtes Ausführen des Übertragungsvorgangs des Substrats 10 und des Bestrahlungs-Vorgangs des Laserstrahls LB gebildet, und die Emitter-Schicht 20 innerhalb des Substrats 10 wird unter der strukturierten Oberfläche 12 gebildet.
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Da die in dem Herstellungsverfahren gemäß dem Ausführungsbeispiel der Erfindung verwendete Maske 130 nicht das Lichtabschirmungsmuster hat, kann die strukturierte Oberfläche in dem zweiten Bereich des Substrats gebildet werden, wenn die strukturierte Oberfläche unter Verwendung der in 9 gezeigten Maske 130 gebildet wird.
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Wenn jedoch das Lichtabschirmungsmuster in dem durchlässigen Bereich A3 der in 9 gezeigten Maske 130 gebildet wird, kann die strukturierte Oberfläche nur auf der Substratoberfläche des ersten Bereichs gebildet werden, während der Strukturierungsvorgang und der Aktivierungsvorgang der Verunreinigungen gleichzeitig ausgeführt werden.
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In Ausführungsbeispielen der Erfindung, beziehen sich Verweise auf eine ebene Fläche auf eine Fläche, die absichtlich ohne die Vertiefungen 14, 14a und/oder 14b ist. Darüber hinaus können die Vertiefungen 14, 14a und/oder 14b in Bereichen des Substrats 10, auf denen die Vertiefungen 14, 14a und/oder 14b gebildet sind, in einem vorgegebenen Muster oder Mustern angeordnet sein.
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Obwohl Ausführungsbeispiele mit Bezug auf eine Anzahl von beispielhaften Ausführungsformen beschrieben worden sind, versteht es sich, dass zahlreiche andere Modifikationen und Ausführungsbeispiele von Fachleuten umgesetzt werden können, die in den Schutzbereich der Grundlagen dieser Offenbarung fallen werden. Insbesondere sind verschiedene Änderungen und Modifikationen an den Bauteilen und/oder Anordnungen der Einzelteile innerhalb des Umfangs der Offenbarung, der Zeichnungen und der beigefügten Ansprüche möglich. Zusätzlich zu Änderungen und Modifikationen an den Bauteilen und/oder Anordnungen werden für Fachleute auch alternative Nutzungsmöglichkeiten offensichtlich sein.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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- KR 10-2010-0069960 [0001]
- JP 10-2010-0094611 [0001]