[go: up one dir, main page]

DE102011085023B4 - Bauelement und Verfahren zum Betrieb eines Bauelements - Google Patents

Bauelement und Verfahren zum Betrieb eines Bauelements Download PDF

Info

Publication number
DE102011085023B4
DE102011085023B4 DE102011085023.6A DE102011085023A DE102011085023B4 DE 102011085023 B4 DE102011085023 B4 DE 102011085023B4 DE 102011085023 A DE102011085023 A DE 102011085023A DE 102011085023 B4 DE102011085023 B4 DE 102011085023B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
seismic mass
stop
substrate
component
main extension
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
DE102011085023.6A
Other languages
English (en)
Other versions
DE102011085023A1 (de
Inventor
Odd-Axel Pruetz
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Robert Bosch GmbH
Original Assignee
Robert Bosch GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Robert Bosch GmbH filed Critical Robert Bosch GmbH
Priority to DE102011085023.6A priority Critical patent/DE102011085023B4/de
Publication of DE102011085023A1 publication Critical patent/DE102011085023A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102011085023B4 publication Critical patent/DE102011085023B4/de
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01CMEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
    • G01C19/00Gyroscopes; Turn-sensitive devices using vibrating masses; Turn-sensitive devices without moving masses; Measuring angular rate using gyroscopic effects
    • G01C19/56Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces
    • G01C19/5642Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces using vibrating bars or beams
    • G01C19/5663Manufacturing; Trimming; Mounting; Housings
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B3/00Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
    • B81B3/0035Constitution or structural means for controlling the movement of the flexible or deformable elements
    • B81B3/0051For defining the movement, i.e. structures that guide or limit the movement of an element
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01PMEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P15/125Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by capacitive pick-up
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/02Sensors
    • B81B2201/0228Inertial sensors
    • B81B2201/0242Gyroscopes
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01PMEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P2015/0862Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with particular means being integrated into a MEMS accelerometer structure for providing particular additional functionalities to those of a spring mass system
    • G01P2015/0871Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with particular means being integrated into a MEMS accelerometer structure for providing particular additional functionalities to those of a spring mass system using stopper structures for limiting the travel of the seismic mass

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Remote Sensing (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Gyroscopes (AREA)
  • Micromachines (AREA)

Abstract

Bauelement (1) aufweisend ein Substrat (2) und eine seismische Masse (3), wobei die seismische Masse (3) relativ zum Substrat (2) auslenkbar ausgebildet ist, wobei das Bauelement (1) einen Anschlag (5) zur Begrenzung einer maximalen Auslenkung der seismischen Masse (3) senkrecht zur Haupterstreckungsebene (100) aufweist und wobei die seismische Masse (3) senkrecht zur Haupterstreckungsebene (100) zwischen dem Substrat (2) und dem Anschlag (5) angeordnet ist, wobei das Bauelement (1) eine Elektrodenanordnung (4) aus Festelektroden (10) und entsprechenden Gegenelektroden (11) der seismischen Masse (3) aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass der Anschlag (5) die Elektrodenanordnung (4) senkrecht zur Haupterstreckungsebene (100) vollständig überdeckt und der Anschlag (5) ferner zur Unterdrückung von auf die seismische Masse (3) senkrecht zur Haupterstreckungsebene (100) wirkenden Levitationskräften konfiguriert ist.

Description

  • Stand der Technik
  • Die Erfindung geht aus von einem Bauelement nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
  • Solche Bauelemente sind allgemein bekannt. Beispielsweise ist aus der Druckschrift WO 2010 / 034 554 A1 ein z-Sensor bekannt, bei welchem mittels einer gegenüber einem Substrat des Sensors auslenkbaren Wippenstruktur eine Beschleunigung in z-Richtung, also senkrecht zu einer Haupterstreckungsebene des Substrats, detektierbar ist. Zur Vermeidung von Beschädigungen des Sensors wird mittels Anschlägen die Auslenkung der Wippenstruktur auf eine maximal mögliche Auslenkung begrenzt.
  • Ferner ist aus der Druckschrift DE 10 2008 054 749 A1 ein Drehratensensor mit zwei Coriolis-Elementen bekannt, welche mittels einer Kammelektrodenstruktur zu gegenphasigen Schwingungen relativ zum Substrat entlang einer Schwingungsrichtung anregbar sind. Wenn eine Drehrate um eine zur Schwingungsrichtung senkrechte Drehachse anliegt, wirken auf die Coriolis-Elemente Coriolis-Kräfte entlang einer sowohl zur Schwingungsrichtung, als auch zur Drehachse senkrechten Auslenkungsrichtung, so dass die Coriolis-Elemente entlang der Auslenkungsrichtung ausgelenkt werden. Eine Vermessung und differentielle Auswertung dieser Auslenkungsbewegungen ermöglicht somit eine qualitative Bestimmung der auf den Drehratensensor wirkenden Drehrate. Die Kammelektrodenstruktur übt auf die Coriolis-Elemente jedoch nicht nur eine Anregungskraft parallel zur Schwingungsrichtung, sondern zusätzlich auch als Levitationskräfte bezeichnete Kräfte entlang einer zur Substratebene senkrechten Richtung aus, welche den zu vermessenden Coriolis-Kräften überlagert ist und zu einer Verfäl-schung des Sensorsignals, beispielsweise in Form eines Offsets, erhöhtem Rauschen oder temperaturbedingten nichtlinearen Effekten, führen. Zur zumindest teilweisen Kompensation dieser ungewollten Levitationskräfte schlägt die Druckschrift DE 10 2008 054 749 A1 vor, eine entsprechend beschaltete Kompensationselektrode zwischen dem Coriolis-Element und dem Substrat vorzusehen. Die Druckschrift US 2010/0058865 A1 zeigt einen mikromechanischen z-Beschleunigungssensor mit einem Substrat, einer seismischen Masse und einem Anschlag zur Begrenzung einer maximalen Auslenkung der seismischen Masse sowie Levitationskompensation. Die Druckschrift DE 10 2009 000 407 A1 offenbart einen mikromechanischen z-Beschleunigungssensor mit Anschlagelektroden. Die Druckschrift DE 100 38 099 A1 offenbart einen mikromechanischen z-Beschleunigungssensor mit einem Kappenanschlag mit einstellbarem Abstand. Die Druckschrift JP H09-318656 A offenbart einen weiteren mikromechanischen z-Beschleunigungssensor mit Anschlag. Die Druckschrift US 2004/0112133 A1 ) offenbart ein weiteres mikromechanisches Bauelement mit seismischer Masse und ein zugehöriges Betriebsverfahren.
  • Offenbarung der Erfindung
  • Das erfindungsgemäße Bauelement und das erfindungsgemäße Verfahren zum Betrieb eines Bauelements gemäß den nebengeordneten Ansprüchen haben gegenüber dem Stand der Technik den Vorteil, dass in einfacher Weise mit nur dem einem Anschlag sowohl eine Begrenzung der maximalen Auslenkung der seismischen Masse, als auch eine zumindest teilweise Kompensation der Levitationskräfte erzielt wird. Der Anschlag ist hierzu derart ausgebildet, dass sich zwischen dem Anschlag und der seismischen Masse eine elektrostatische Wechselwirkung zur Unterdrückung der Levitationskraft und somit auch zur Unterdrückung einer Levitationsbewegung ausbildet. Der Anschlag ist somit nicht nur zur Begrenzung der maximalen Auslenkung durch einen mechanischen Kontakt zwischen einer Anschlagsfläche des Anschlags und der seismischen Masse ausgebildet ist, sondern darüber hinaus auch noch zur Erzeugung der elektrostatischen Wechselwirkung zwischen der Anschlagsfläche und der seismischen Masse ausgebildet und konfiguriert, um mittels der elektrostatischen Wechselwirkung die Levitationsbewegung zu unterdrücken. Aufgrund der Integration beider Funktionalitäten in einem einzigen Anschlag wird im Vergleich zum Stand der Technik zudem Bauraum eingespart, wodurch sich die Kosten des Bauelements reduzieren und die Designfreiheit beim Design des Bauelements zunimmt. Denkbar ist auch, dass das Bauelement eine Mehrzahl von Anschlägen aufweist. Der Begriff Levitationskraft umfasst im Sinne der vorliegenden Erfindung insbesondere sämtliche durch Levitationswirkungen auf die seismische Masse hervorgerufene Störungen. Das erfindungsgemäße Bauelement umfasst vorzugsweise einen Drehratensensor, wobei die seismische Masse zu einer Schwingung anregbar ist. Alternativ wäre aber auch denkbar, dass das erfindungsgemäße Bauelement eine Antriebsstruktur für andere Bauteile, beispielsweise einen bewegbaren Mikrospiegel oder dergleichen, umfasst. Das Bauelement ist insbesondere ein MEMS-Bauelement (Micro Electro Mechanic System), welches in einem Halbleiterherstellungsprozess und vorzugsweise in einem Silizium-Oberflächen-Mikromechanik-Prozess gefertigt ist. Das Substrat umfasst vorzugsweise ein Halbleitermaterial, insbesondere Silizium, welches zur Ausbildung der seismischen Masse entsprechend strukturiert wird. Die Strukturierung erfolgt dabei vorzugsweise im Rahmen eine Lithographie-, Ätz-, Abscheide- und/oder Bondverfahrens.
  • Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung sind den Unteransprüchen, sowie der Beschreibung unter Bezugnahme auf die Zeichnungen entnehmbar.
  • Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform ist vorgesehen, dass entlang einer zur Haupterstreckungsebene senkrechten Richtung ein erster Abstand zwischen der seismischen Masse und dem Anschlag im Wesentlichen gleich einem zweiten Abstand zwischen dem Substrat und der seismischen Masse ist. In vorteilhafter Weise wird somit sichergestellt, dass die elektrostatische Wechselwirkung zwischen dem Anschlag und der seismischen Masse im Wesentlichen gleich einer elektrostatischen Wechselwirkung zwischen der seismischen Masse und dem Substrat ist und somit eine effiziente Unterdrückung der Levitationsbewegungen erzielt wird. Insbesondere wird somit ein entlang einer zur Haupterstreckungsebene senkrechten Richtung möglichst symmetrischer Aufbau des Bauelements im Bereich des Anschlags erreicht, so dass sich die elektrostatische Wechselwirkung zwischen dem Anschlag und der seismischen Masse und die elektrostatische Wechselwirkung zwischen der seismischen Masse und dem Substrat gegenseitig im Wesentlichen kompensieren. Eine Störung eines Ausgangssignals des Sensors aufgrund von Levitationsbewegungen wird hierdurch wirksam vermieden.
  • Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform ist vorgesehen, dass der Anschlag elektrisch leitfähig mit dem Substrat verbunden ist. In vorteilhafter Weise wird durch eine elektrisch leitfähige Verbindung zwischen dem Anschlag und dem Substrat sichergestellt, dass der Anschlag und das Substrat stets auf dem gleichen elektrischen Potential liegen. Insbesondere ist somit eine erste Potentialdifferenz zwischen dem Anschlag und der seismischen Masse gleich einer zweiten Potentialdifferenz zwischen der seismischen Masse und dem Substrat. Wenn der erste und zweite Abstand im Wesentlichen gleich groß sind und die erste und zweite Potentialdifferenz im Wesentlichen gleich groß sind, wird gewährleistet, dass die elektrostatische Wechselwirkung zwischen dem Anschlag und der seismischen Masse im Wesentlichen gleich der elektrostatischen Wechselwirkung zwischen der seismischen Masse und dem Substrat ist. Vorteilhafterweise wird somit keine aus dem Stand der Technik bekannte aktive Ansteuerung von Kompensationselektroden benötigt. Das erfindungsgemäße Bauelement ist somit vergleichsweise einfach, kostengünstig und bauraumkompakt realisierbar.
  • Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform ist vorgesehen, dass der Anschlag Teil eines Verkappungselements zur Verkappung des Bauelements ist, wobei das Verkappungselement vorzugsweise eutektisch mit dem Substrat verbunden ist. Bei den aus dem Stand der Technik bekannten auf einem Sensorwafer realisierten mikromechanischen Beschleunigungs- oder Drehratensensoren sind Anschläge zur Begrenzung der maximalen Auslenkung senkrecht zum Substrat üblicherweise in einem Kappenwafer ausgebildet, welcher über eine Sealglas-Verbindung mit dem Sensorwafer verbunden ist. Eine Sealglas-Verbindung hat den Nachteil, dass der Abstand zwischen dem Kappenwafer und dem Sensorwafer stets deutlich größer als der Abstand zwischen der seismischen Masse und dem Substrat des Sensorwafers ist. In vorteilhafter Weise wird durch die Verwendung eines eutektisch an das Substrat angebundenen Verkappungselements ermöglicht, dass der erste und zweite Abstand im Wesentlichen gleich groß sind und somit von dem Anschlag überhaupt eine die Levitationskraft unterdrückende Funktion ausgeht. Der Begriff eutektische Verbindung (auch als „eutektisch gebondet“ bezeichnet) umfasst im Sinne der vorliegenden Erfindung insbesondere eine Verbindung zwischen dem Verkappungselement und dem Substrat, welcher durch eine eutektische Legierung wie zum Beispiel Si-Au oder Ge-Al hergestellt ist. Das Substrat und das Verkappungselement sind dabei vorzugsweise auf Silizium-Basis gefertigt.
  • Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass das Bauelement eine Elektrodenanordnung aus Festelektroden und entsprechenden Gegenelektroden der seismischen Masse aufweist, wobei der Anschlag die Elektrodenstruktur senkrecht zur Haupterstreckungsebene vorzugsweise vollständig überdeckt. Die Elektrodenstruktur ist senkrecht zur Haupterstreckungsebene somit zwischen dem Anschlag und dem Substrat angeordnet. In vorteilhafter Weise werden durch die vollständige Überdeckung der Elektrodenanordnung durch den Anschlag jegliche von der Elektrodenanordnung ausgehenden Levitationskräfte möglichst effizient kompensiert, da gewährleistet ist, dass die elektrostatische Wechselwirkung zwischen dem Anschlag und der seismischen Masse im Wesentlichen gleich der elektrostatischen Wechselwirkung zwischen der seismischen Masse und dem Substrat ist.
  • Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform ist vorgesehen, dass die Elektrodenanordnung eine Antriebsstruktur zum Bewegen der seismischen Masse relativ zum Substrat parallel zur Haupterstreckungsebene entlang einer Bewegungsrichtung vorgesehen ist und/oder wobei die Festelektroden und die Gegenelektroden als parallel zur Bewegungsrichtung ineinandergreifende Kammelektrodenstrukturen ausgebildet sind. In vorteilhafter Weise wird somit eine effiziente Anregung der seismischen Masse realisiert, ohne dass es zu einer erhöhten Levitationsbewegung kommt. Ferner werden die Streufelder auf beiden Seiten der Elektrodenstruktur, d.h. zwischen der Elektrodenstruktur und dem Anschlag und zwischen der Elektrodenstruktur und dem Substrat, in gleicher Weise gebündelt, so dass im Vergleich zum Stand der Technik eine effizientere Antriebswirkung bei gleichbleibender Antriebsspannung erzielt werden.
  • Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform ist vorgesehen, dass entlang einer zur Haupterstreckungsebene senkrechten Richtung ein weiterer erster Abstand zwischen der Elektrodenstruktur und dem Anschlag im Wesentlichen gleich einem weiteren zweiten Abstand zwischen dem Substrat und der der Elektrodenstruktur ist. Auf diese Weise wird sichergestellt, dass zur Levitationsunterdrückung zumindest im Bereich der Elektrodenstruktur ein symmetrischer Aufbau entlang einer zur Haupterstreckungsebene senkrechten Richtung erzielt wird.
  • Ein weiterer Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zum Betrieb eines Bauelements, wobei die seismische Masse des Bauelements mittels der Elektrodenstruktur zu einer Schwingung relativ zum Substrat angeregt wird, wobei mittels des Anschlags eine maximale Auslenkung der seismischen Masse senkrecht zur Haupterstreckungsebene begrenzt wird und wobei mittels des Anschlags ferner auf die seismische Masse senkrecht zur Haupterstreckungsebene wirkenden Levitationskräfte unterdrückt werden. In vorteilhafter Weise wird somit gleichzeitig eine Begrenzung der maximalen Auslenkung der seismischen Masse, wodurch eine Beschädigung des Bauelements beispielsweise aufgrund hoher Beschleunigungen verhindert wird, und eine Unterdrückung der Levitationskräfte, wodurch die Qualität des Ausgangssignals des Sensors verbessert wird, erzielt.
  • Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform ist vorgesehen, dass der Anschlag und das Substrat zur Unterdrückung der Levitationskräfte derart beschaltet werden, dass eine elektrostatische Wechselwirkung zwischen dem Anschlag und der seismischen Masse eine elektrostatische Wechselwirkung zwischen der seismischen Masse und dem Substrat im Wesentlichen gerade kompensiert, so dass eine wirksame Unterdrückung der Levitationskräfte realisiert wird, ohne dass es hierfür einer vergleichsweise aufwändigen aktiven Steuerung bedarf.
  • Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform ist vorgesehen, dass der Anschlag und das Substrat auf das im Wesentlichen gleiche elektrische Potential geschaltet werden. Auf diese Weise wird sichergestellt, dass zur Levitationsunterdrückung die elektrostatische Wechselwirkung zwischen dem Anschlag und der seismischen Masse und die elektrostatische Wechselwirkung zwischen der seismischen Masse und dem Substrat im Wesentlichen gleich groß sind und sich gegenseitig zumindest teilweise kompensieren.
  • Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert.
  • Figurenliste
  • Es zeigen
    • 1a, 1b und 1c schematische Ansichten eines Bauelements gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung,
    • 2 eine schematische Seitenansicht eines Bauelements gemäß dem Stand der Technik und
    • 3 eine schematische Seitenansicht eines Bauelements nebst Streufeldern gemäß der beispielhaften ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • Ausführungsformen der Erfindung
  • In den verschiedenen Figuren sind gleiche Teile stets mit den gleichen Bezugszeichen versehen und werden daher in der Regel auch jeweils nur einmal benannt bzw. erwähnt.
  • In den 1a, 1b und 1c sind schematische Ansichten eines Bauelements 1 gemäß einer beispielhaften ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dargestellt. In der 1a ist dabei eine Aufsichtsdarstellung auf das Bauelement 1 illustriert, während in der 1b eine erste Schnittbildansicht des Bauelements 1 entlang einer in 1a illustrierten ersten Schnittlinie 20 und in 1c eine zweite Schnittbildansicht des Bauelements 1 entlang einer in 1a illustrierten zweiten Schnittlinie 21 dargestellt sind. Das Bauelement 1 umfasst ein Substrat 2, welches eine Haupterstreckungsebene 100 aufweist. Das Substrat 2 ist insbesondere ein Siliziumsubstrat. Das Bauelement 1 weist ferner eine seismische Masse 3 auf, welche gegenüber dem Substrat 3 beweglich aufgehängt ist. Die seismische Masse 3 ist mittels einer Festelektroden 10 und Gegenelektroden 11 umfassenden Elektrodenstruktur 4 zu einer Schwingung relativ zum Substrat 2 entlang einer zur Haupterstreckungsebene 100 parallelen Schwingungsrichtung 102 anregbar.
  • Das Bauelement 1 weist ferner einen Anschlag 5 auf, um eine Beschädigung der seismischen Masse 3, der Gegenelektroden 11 oder der elastischen Aufhängung der seismischen Masse 3 am Substrat 2 (nicht dargestellt) infolge einer zu großen Auslenkung der seismischen Masse 3 entlang einer zur Haupterstreckungsebene 100 senkrechten Richtung 101 zu verhindern. Der Anschlag 5 ist derart angeordnet, dass die Elektrodenstruktur 4 entlang der senkrechten Richtung 101 zwischen dem Anschlag 5 und dem Substrat 2 angeordnet ist. Die maximal mögliche Bewegung der seismischen Masse 3 bzw. der Gegenelektroden 11 in Richtung des Anschlags 5 wird durch den Anschlag 5 somit begrenzt. Denkbar ist beispielsweise, dass ein elektronisches Gerät, in welches das Bauelement 1 verbaut ist, von einem Benutzer versehentlich fallengelassen wird und anschließend auf einen harten Boden aufschlägt, wirkt eine hohe Beschleunigung auf das Bauelement 1 und die seismische Masse 3 wird infolge von Trägheitskräften ausgelenkt. Ein mechanischer Kontakt zwischen dem Anschlag 5 und der seismischen Masse 3 verhindert in einem solchen Fall eine Überauslenkung der seismischen Masse 3 und hieraus resultierende Beschädigungen des Bauelements 1.
  • Die seismische Masse 3 weist eine Mehrzahl der Gegenelektroden 11 auf, welche in Form von Fingerelektroden ausgebildet sind und eine Kammelektrodenstruktur bilden. Das Bauelement 1 weist ferner eine Mehrzahl der korrespondierenden Festelektroden 10 auf, welche über ein gemeinsames Befestigungselement 8 am Substrat 2 fest angebunden sind. Analog zu den Gegenelektroden 11 sind die Festelektroden 10 ebenfalls in Form von Fingerelektroden 10 ausgebildet und bilden eine weitere Kammelektrodenstruktur. Die beiden Kammelektrodenstrukturen bilden einen elektrostatischen Kammantrieb und greifen entlang der Bewegungsrichtung 102 derart ineinander, dass - abgesehen vom Randbereich der Elektrodenanordnung - immer genau eine Gegenelektrode 11 senkrecht zur Bewegungsrichtung 102 zwischen zwei Festelektroden 10 angeordnet ist, wobei die Gegenelektroden 11 und Festelektroden 10 sich im Wesentlichen parallel zur Bewegungsrichtung 102 erstrecken. Zur Anregung der seismischen Masse 3 zu einer Schwingung entlang der Schwingungsrichtung 102 wird zwischen den Festelektroden 10 und den Gegenelektroden 11 eine Wechselspannung angelegt, wodurch eine sich periodisch ändernde elektrostatische Kraftwirkung entlang der Schwingungsrichtung 102 von den Festelektroden 10 auf die Gegenelektroden 11 und somit auf die seismische Masse 3 ausgeübt wird. Die Frequenz der Wechselspannung wird dabei insbesondere auf die mechanische Resonanzfrequenz des Bauelements, d.h. insbesondere der Feder-Masse-Beziehung der seismischen Masse 3, angepasst.
  • Neben der oben beschriebenen Anregung der Schwingung entlang der Schwingungsrichtung 102 entsteht durch Anlegen einer Wechselspannung an die Kammantriebe bei den aus dem Stand der Technik bekannten Bauelementen 1 ferner eine senkrecht zur Haupterstreckungsebene 100 wirkende Kraft, welche typischerweise als Levitationskraft bezeichnet wird, und aus unterschiedlich ausgebildeten elektrischen Feldlinien oberhalb und unterhalb der seismischen Masse 3 resultiert. Eine solche Levitationskraft führt zu ungewünschten Levitationsbewegungen der seismischen Masse 3 parallel zur senkrechten Richtung 101. Bei dem in 1a, 1b und 1c dargestellten erfindungsgemäßen Bauelement 1 ist der Anschlag 5 ferner zur Unterdrückung der auf die seismische Masse 3 entlang der senkrechten Richtung 101 wirkenden Levitationskräfte ausgebildet und konfiguriert. Der Anschlag ist hierzu derart ausgebildet, dass sich zwischen dem Anschlag und der seismischen Masse eine elektrostatische Wechselwirkung zur Unterdrückung der Levitationsbewegung ausbildet, welche einer elektrostatischen Wechselwirkung zwischen dem Substrat und der seismischen Masse im Wesentlichen gleich groß und entgegengesetzt ist. Der Anschlag 5 ist hierzu derart angeordnet, dass ein weiterer erster Abstand 6 zwischen dem Anschlag 5 und der Gegenelektroden 11 entlang der senkrechten Richtung 101 im Wesentlichen gleich einem weiteren zweiten Abstand 7 zwischen den Gegenelektroden 11 und dem Substrat 2 entlang der senkrechten Richtung 101 ist. Ferner liegen der Anschlag 5 und das Substrat 2 insbesondere auf dem gleichen elektrischen Potential, so dass zwischen dem Anschlag 5 und der Elektrodenstruktur 4 und zwischen dem Substrat 2 und der Elektrodenstruktur 4 gleiche Kräfte entlang der senkrechten Richtung 101 wirken, welche sich gegenseitig kompensieren und somit die Levitationskräfte und die Levitationsbewegung unterdrückt werden. Der Anschlag 5 und das Substrat 2 sind vorzugsweise elektrisch leitfähig miteinander verbunden. Ferner ist der Anschlag 5 entlang der Haupterstreckungsebene 100 derart dimensioniert, dass die gesamte Elektrodenstruktur 4 entlang der senkrechten Richtung 101 von dem Anschlag 5 überdeckt ist. Vorzugsweise ist der Anschlag 5 größer als die Elektrodenstruktur 4 ausgebildet, so dass die Elektrodenstruktur 4 auch bei einer leichten Verschiebung des Anschlags 5 entlang der Haupterstreckungsebene 100 während der Herstellung des Bauelements 1 (Justage-Versatz) noch vollständig überdeckt ist. Hierdurch werden die Herstellungstoleranzen erhöht. Die Gleichheit von weiterem ersten und weiterem zweiten Abstand 6, 7 wird insbesondere dadurch erzielt, dass der Anschlag 5 als Teil eines Verkappungselements (nicht abgebildet) ausgebildet ist, welches eutektisch mit dem Substrat 2 verbunden ist. Auf diese Weise ist ein genügend kleiner weiterer erster Abstand 6 zu erzielen, wodurch die Levitationskompensation realisierbar ist.
  • Das vorliegende Bauelement 1 umfasst vorzugsweise einen Teil eines Drehratensensors, wobei mittels der Elektrodenstruktur 4 ein als seismische Masse 3 ausgebildetes Coriolis-Element zur Schwingung angeregt wird, so dass beim Vorliegen einer Drehrate eine Coriolis-Kraft senkrecht zur Bewegungsrichtung 102 und senkrecht zur Drehrate auf die seismische Masse 3 wirkt.
  • In 2 eine schematische Seitenansicht eines Bauelements gemäß dem Stand der Technik dargestellt. In 2 sind zur Veranschaulichung elektrische Streufelder 12 oberhalb und unterhalb einer mit der in 1 gezeigten Elektrodenstruktur 4 vergleichbaren Elektrodenstruktur 4` gezeigt, wobei die Streufelder 12 durch Anlegen der Wechselspannung zwischen den Gegenelektroden 11 und den Festelektroden 10 entstehen. Oberhalb der Elektrodenstruktur 4', d.h. auf einer dem Substrat 2' abgewandten Seite der Elektrodenstruktur 4', weisen die Streufelder 12 einen anderen Verlauf als unterhalb der Elektrodenstruktur 4', d.h. zwischen dem Substrat 2` und der Elektrodenstruktur 4`, auf, da unterhalb der Elektrodenstruktur 4` das Substrat 2 in unmittelbarer Nähe zur Elektrodenstruktur 4` angeordnet ist. Aufgrund dieser ungleichen Streufelder wirkt eine resultierende Kraftkomponente in Form der Levitationskraft 9 auf die Elektrodenstruktur 4', wodurch die beweglichen Gegenelektroden 11` der seismischen Masse entlang der senkrechten Richtung 101 ausgelenkt werden.
  • In 3 ist eine schematische Seitenansicht gemäß der beispielhaften ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dargestellt. Die 3 ist dabei im Wesentlichen der 1c identisch, wobei zusätzlich - ähnlich wie bei 2 - Streufelder 12 eingezeichnet sind, um die Symmetrie der Streufelder 12 bei dem erfindungsgemäßen Bauelement 1 zu veranschaulichen. Da der weitere erste und der weitere zweite Abstand 6, 7 gleich groß ist und der Anschlag 5 und das Substrat 2 auf das gleiche elektrische Potential beschaltet werden, sind die Streufelder 12 zwischen dem Anschlag 5 und der Elektrodenstruktur 4 und die Streufelder 12 zwischen der Elektrodenstruktur 4 und dem Substrat 2 im Wesentlich gleichartig ausgebildet, so dass keine resultierende Kraftkomponente entlang der senkrechten Richtung 101 auf die Elektrodenstruktur 4 wirkt. Eine Levitationsbewegung der seismischen Masse 3 wird verhindert.

Claims (9)

  1. Bauelement (1) aufweisend ein Substrat (2) und eine seismische Masse (3), wobei die seismische Masse (3) relativ zum Substrat (2) auslenkbar ausgebildet ist, wobei das Bauelement (1) einen Anschlag (5) zur Begrenzung einer maximalen Auslenkung der seismischen Masse (3) senkrecht zur Haupterstreckungsebene (100) aufweist und wobei die seismische Masse (3) senkrecht zur Haupterstreckungsebene (100) zwischen dem Substrat (2) und dem Anschlag (5) angeordnet ist, wobei das Bauelement (1) eine Elektrodenanordnung (4) aus Festelektroden (10) und entsprechenden Gegenelektroden (11) der seismischen Masse (3) aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass der Anschlag (5) die Elektrodenanordnung (4) senkrecht zur Haupterstreckungsebene (100) vollständig überdeckt und der Anschlag (5) ferner zur Unterdrückung von auf die seismische Masse (3) senkrecht zur Haupterstreckungsebene (100) wirkenden Levitationskräften konfiguriert ist.
  2. Bauelement (1) nach Anspruch 1, wobei der Anschlag (5) elektrisch leitfähig mit dem Substrat (2) verbunden ist.
  3. Bauelement (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei entlang einer zur Haupterstreckungsebene (100) senkrechten Richtung (101) ein erster Abstand zwischen der seismischen Masse (3) und dem Anschlag (5) im Wesentlichen gleich einem zweiten Abstand zwischen dem Substrat (2) und der seismischen Masse (3) ist.
  4. Bauelement (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Anschlag (5) Teil eines Verkappungselements zur Verkappung des Bauelements (1) ist, wobei das Verkappungselement vorzugsweise eutektisch mit dem Substrat (2) verbunden ist.
  5. Bauelement (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Elektrodenanordnung (5) eine Antriebsstruktur zum Anregen der seismischen Masse (3) zu einer Schwingung relativ zum Substrat (2) entlang einer zur Haupterstreckungsebene (100) parallelen Schwingungsrichtung (102) vorgesehen ist und/oder wobei die Festelektroden (10) und die Gegenelektroden (11) als parallel zur Schwingungsrichtung (102) ineinandergreifende Kammelektrodenstrukturen ausgebildet sind.
  6. Bauelement (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei entlang einer zur Haupterstreckungsebene (100) senkrechten Richtung (101) ein weiterer erster Abstand (6) zwischen der Elektrodenstruktur (4) und dem Anschlag (5) im Wesentlichen gleich einem weiteren zweiten Abstand (7) zwischen dem Substrat (2) und der der Elektrodenstruktur (4) ist.
  7. Verfahren zum Betrieb eines Bauelements (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die seismische Masse (3) des Bauelements (1) mittels der Elektrodenstruktur (4) zu einer Schwingung relativ zum Substrat (2) angeregt wird, wobei mittels des Anschlags (5) eine maximale Auslenkung der seismischen Masse (3) senkrecht zur Haupterstreckungsebene (100) begrenzt wird und wobei mittels des Anschlags (5) auf die seismischen Masse (3) senkrecht zur Haupterstreckungsebene (100) wirkende Levitationskräfte unterdrückt werden.
  8. Verfahren nach Anspruch 7, wobei der Anschlag (5) und das Substrat (2) zur Unterdrückung der Levitationskräfte derart beschaltet werden, dass eine elektrostatische Wechselwirkung zwischen dem Anschlag (5) und der seismischen Masse (3) eine elektrostatische Wechselwirkung zwischen der seismischen Masse (3) und dem Substrat (2) im Wesentlichen gerade kompensiert.
  9. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 oder 8, wobei der Anschlag (5) und das Substrat (2) auf das im Wesentlichen gleiche elektrische Potential geschaltet werden.
DE102011085023.6A 2011-10-21 2011-10-21 Bauelement und Verfahren zum Betrieb eines Bauelements Active DE102011085023B4 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102011085023.6A DE102011085023B4 (de) 2011-10-21 2011-10-21 Bauelement und Verfahren zum Betrieb eines Bauelements

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102011085023.6A DE102011085023B4 (de) 2011-10-21 2011-10-21 Bauelement und Verfahren zum Betrieb eines Bauelements

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102011085023A1 DE102011085023A1 (de) 2013-04-25
DE102011085023B4 true DE102011085023B4 (de) 2020-07-09

Family

ID=48051142

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102011085023.6A Active DE102011085023B4 (de) 2011-10-21 2011-10-21 Bauelement und Verfahren zum Betrieb eines Bauelements

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE102011085023B4 (de)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103292798A (zh) * 2013-05-22 2013-09-11 同济大学 一种抗高强度冲击的音叉式微机械陀螺

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09318656A (ja) 1996-05-31 1997-12-12 Hitachi Ltd 静電容量式加速度センサ
DE10038099A1 (de) 2000-08-04 2002-02-21 Bosch Gmbh Robert Mikromechanisches Bauelement
US20040112133A1 (en) 2002-12-16 2004-06-17 Glenn Max C. Methods and systems for decelerating proof mass movements within mems structures
US20100058865A1 (en) 2008-09-05 2010-03-11 Analog Devices, Inc. MEMS Sensor with Movable Z-Axis Sensing Element
WO2010034554A1 (de) 2008-09-25 2010-04-01 Robert Bosch Gmbh Sensor und verfahren zur herstellung eines sensors
DE102008054749A1 (de) 2008-12-16 2010-06-17 Robert Bosch Gmbh Drehratensensor und Verfahren zum Betrieb eines Drehratensensors
DE102009000407A1 (de) 2009-01-26 2010-07-29 Robert Bosch Gmbh Sensorvorrichtung und Herstellungsverfahren für eine Sensorvorrichtung

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09318656A (ja) 1996-05-31 1997-12-12 Hitachi Ltd 静電容量式加速度センサ
DE10038099A1 (de) 2000-08-04 2002-02-21 Bosch Gmbh Robert Mikromechanisches Bauelement
US20040112133A1 (en) 2002-12-16 2004-06-17 Glenn Max C. Methods and systems for decelerating proof mass movements within mems structures
US20100058865A1 (en) 2008-09-05 2010-03-11 Analog Devices, Inc. MEMS Sensor with Movable Z-Axis Sensing Element
WO2010034554A1 (de) 2008-09-25 2010-04-01 Robert Bosch Gmbh Sensor und verfahren zur herstellung eines sensors
DE102008054749A1 (de) 2008-12-16 2010-06-17 Robert Bosch Gmbh Drehratensensor und Verfahren zum Betrieb eines Drehratensensors
DE102009000407A1 (de) 2009-01-26 2010-07-29 Robert Bosch Gmbh Sensorvorrichtung und Herstellungsverfahren für eine Sensorvorrichtung

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP H09-318656 A *

Also Published As

Publication number Publication date
DE102011085023A1 (de) 2013-04-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102009000167B4 (de) Sensoranordnung
DE102010039069B4 (de) Beschleunigungssensor mit einer Dämpfungseinrichtung
DE102012200929B4 (de) Mikromechanische Struktur und Verfahren zur Herstellung einer mikromechanischen Struktur
DE102012208032B4 (de) Hybrid integriertes Bauteil mit MEMS-Bauelement und ASIC-Bauelement
DE102011083487B4 (de) Beschleunigungssensor und Verfahren zum Betrieb eines Beschleunigungssensors
DE102009000606B4 (de) Mikromechanische Struktur
DE10107327B4 (de) Zur Verhinderung einer unnötigen Oszillation geeigneter Winkelgeschwindigkeitssensor
DE102013208825B4 (de) Mikrostrukturbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Mikrostrukturbauelements
DE102009047018B4 (de) Verfahren zum Abgleich eines Beschleunigungssensors und Beschleunigungssensor
DE10135437B4 (de) Sensor für dynamische Grössen, der bewegliche und feste Elektroden mit hoher Steifigkeit aufweist
DE102008044053A1 (de) Quadraturkompensation für einen Drehratensensor
DE102009045391A1 (de) Mikromechanische Struktur und Verfahren zur Herstellung einer mikromechanischen Struktur
DE102013216898B4 (de) Mikromechanisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Bauelements
WO2009056420A2 (de) Mikromechanisches system
DE102014215038A1 (de) Mikromechanischer Sensor und Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Sensors
DE102014202923A1 (de) Sensor und Verfahren zur Herstellung eines Sensors
DE102013216901A1 (de) Mikromechanisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Bauelements
DE102013208688A1 (de) Sensiereinrichtung für eine mikromechanische Sensorvorrichtung
DE102009045420B4 (de) Drehratensensor, Drehratensensoranordnung und Verfahren zum Betrieb eines Drehratensensors
DE102008054749A1 (de) Drehratensensor und Verfahren zum Betrieb eines Drehratensensors
DE102013212118B4 (de) Sensorsystem mit zwei Inertialsensoren
DE102011085023B4 (de) Bauelement und Verfahren zum Betrieb eines Bauelements
DE102020210121A1 (de) Mikromechanisches System, Verfahren zum Betreiben eines mikromechanischen Systems
DE102011080982B4 (de) Sensoranordnung
DE102006003562A1 (de) Beschleunigungssensor

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R016 Response to examination communication
R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division
R020 Patent grant now final