DE102011084276B4

DE102011084276B4 - Verkapselung für ein organisches elektronisches bauelement, ein organisches elektronisches bauelement mit der verkapselung und ein verfahren zur herstellung eines organischen elektronischen bauelements mit der verkapselung

Info

Publication number: DE102011084276B4
Application number: DE102011084276.4A
Authority: DE
Inventors: Richard Baisl; Doreen Fischer; Erwin Lang; Michael Popp; Tilman Schlenker; Evelyn Trummer
Original assignee: Osram Oled GmbH
Current assignee: Pictiva Displays International Ltd
Priority date: 2011-10-11
Filing date: 2011-10-11
Publication date: 2019-10-10
Anticipated expiration: 2031-10-12
Also published as: KR20140083019A; WO2013053805A1; US9601721B2; DE102011084276A1; CN103875090B; JP2014532271A; CN103875090A; US20140246665A1; KR102003087B1

Abstract

Verkapselung für ein organisches elektronisches Bauelement mit einer Schichtenfolge, die folgende Schichten umfasst:- mindestens eine Dünnschichtverkapselung (5), die auf der Schichtenfolge des organischen elektronischen Bauelements abgeschieden ist und eine Schichtdicke von 10 nm bis 500 nm aufweist,- zumindest eine erste Klebstoffschicht (3) angeordnet auf der mindestens einen Dünnschichtverkapselung (5), wobei die erste Klebstoffschicht (3) zumindest ein Gettermaterial umfasst und- eine Deckschicht (4) angeordnet auf der ersten Klebstoffschicht (3).

Description

Die Erfindung betrifft eine Verkapselung für ein organisches elektronisches Bauelement, ein organisches elektronisches Bauelement mit der Verkapselung und ein Verfahren zur Herstellung eines organischen elektronischen Bauelements mit der Verkapselung.
Organische elektronische Bauelemente, wie beispielsweise organische Leuchtdioden (OLEDs), sind außerordentlich empfindlich gegenüber Feuchtigkeit und Sauerstoff.
Zum Schutz gegen Feuchtigkeit und Sauerstoff sind Dünnschichtverkapselungen mit dünnen Schichten bekannt. Eine solche Dünnschichtverkapselung ist beispielsweise in der Anmeldung DE 10 2008 048 472 A1 beschrieben. Die Druckschrift DE 10 2009 036 968 A1 betrifft ein Verfahren zur Kapselung einer elektronischen Anordnung gegen Permeanten, bei dem eine Haftklebmasse auf Basis von säure- oder säureanhydridmodifizierten Vinylaromatenblockcopolymeren bereitgestellt wird und bei dem die Haftklebemasse auf und/oder um die zu kapselnden Bereiche der elektronischen Anordnung appliziert wird.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine verbesserte Verkapselung für ein organisches elektronisches Bauelement anzugeben, insbesondere soll die Verbesserung mittels einer verbesserten optischen Transmission einer Dünnschichtverkapselung erreicht werden. Weiterhin ist es Aufgabe der vorliegenden Anmeldung, ein organisches elektronisches Bauelement mit einer solchen Verkapselung und ein Verfahren zur Herstellung eines solchen organischen elektronischen Bauelements anzugeben.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch eine Verkapselung mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1, ein organisches elektronisches Bauelement umfassend die Verkapselung sowie durch ein Verfahren zur Herstellung eines organischen elektronischen Bauelements umfassend die Verkapselung gelöst.
Vorteilhafte Ausführungsformen sowie Weiterbildungen der vorliegenden Erfindung sind in den jeweils abhängigen Ansprüchen angegeben.
Gegenstand einer Ausführungsform der Erfindung ist eine Verkapselung für ein organisches elektronisches Bauelement mit einer Schichtenfolge, die folgende Schichten umfasst:

- mindestens eine Dünnschichtverkapselung, die auf der Schichtenfolge des organischen elektronischen Bauelements abgeschieden ist und eine Schichtdicke von 10 nm bis 500 nm aufweist,
- zumindest eine erste Klebstoffschicht angeordnet auf der mindestens einen Dünnschichtverkapselung, wobei die erste Klebstoffschicht zumindest ein Gettermaterial umfasst und
- eine Deckschicht angeordnet auf der ersten Klebstoffschicht.

Die Erfinder haben überraschenderweise festgestellt, dass durch die Verwendung einer Klebstoffschicht mit zumindest einem Gettermaterial einerseits eine gute Verklebung der Dünnschichtverkapselung mit der Deckschicht ermöglicht wird, andererseits aber durch diese Verkapselung auch eine erhöhte Lebensdauer von elektronischen Bauelementen ermöglicht wird, im Vergleich zu Bauelementen, deren Verkapselung mit einer Klebstoffschicht versehen ist, die kein Gettermaterial aufweist. Insbesondere kann die erste Klebstoffschicht mit zumindest einem Gettermaterial in Kombination mit der Dünnschichtverkapselung und der Deckschicht zu einer Verzögerung der Sauerstoff- und Wasserdiffusion führen und eventuelle Pinholes in der Dünnschichtverkapselung gut abdecken.
Dass eine erste Schicht oder ein erstes Element „auf“ oder „über“ einer zweiten Schicht oder einem zweiten Element oder auch „zwischen“ zwei weiteren Schichten oder Elementen angeordnet oder aufgebracht ist, kann dabei hier und im Folgenden bedeuten, dass die erste Schicht oder das erste Element unmittelbar in direktem mechanischen und/oder elektrischen Kontakt auf der zweiten Schicht oder dem zweiten Element beziehungsweise zu den zwei weiteren Schichten oder Elementen angeordnet ist. Weiterhin kann auch ein mittelbarer Kontakt bezeichnet sein, bei dem weitere Schichten und/oder Elemente zwischen der ersten Schicht oder dem ersten Element der zweiten Schicht oder dem zweiten Element beziehungsweise den zwei weiteren Schichten oder Elementen angeordnet ist.
Unter „Verkapselung“ wird vorliegend eine Vorrichtung verstanden, die dazu geeignet ist, eine Barriere gegenüber atmosphärischen Stoffen, insbesondere gegenüber Feuchtigkeit und Sauerstoff, zu bilden. Mit anderen Worten ist die Verkapselung derart ausgebildet, dass sie von atmosphärischen Stoffen wie Wasser oder Sauerstoff höchstens zu sehr geringen Anteilen durchdrungen werden kann bzw. die Luft- und Feuchtediffusion gegenüber bisherigen Verkapselungen deutlich verzögert wird.
Ein „Gettermaterial“ ist ein Material, welches von außen eindringende störende Substanzen wie beispielsweise Sauerstoff oder das Wasser der Luftfeuchtigkeit absorbiert oder adsorbiert mit der Folge, dass die erste Klebstoffschicht neben ihren klebenden Eigenschaften noch zusätzlich Sauerstoff- und/oder Feuchtigkeitsabweisende Eigenschaften aufweist.
Unter „Dünnschichtverkapselung“ wird vorliegend eine Verkapselung bezeichnet, die dazu geeignet ist, eine erste Barriere gegenüber atmosphärischen Stoffen, insbesondere gegenüber Feuchtigkeit und Sauerstoff, zu bilden. Durch die Dünnfilmverkapselung wird das organische elektronische Bauelement vorgekapselt. Das organische elektronische Bauelement besitzt durch die Dünnschichtverkapselung schon eine erste Grunddichtigkeit gegenüber Umwelteinflüssen. Gemäß einer Ausführungsform der Erfindung weist die Dünnschichtverkapselung nur „dünne Schichten“ mit einer Dicke kleiner oder gleich einige 100 nm auf.
Die mindestens eine Dünnschichtverkapselung wird beispielsweise durch chemische Gasphasenabscheidung („chemical vapour deposition“, CVD), physikalische Gasphasenabscheidung („physical vapour deposition“, PVD) und/oder Atomlagenabscheidung“ („atomic layer deposition“, ALD), wie zum Beispiel plasmaunterstützte Atomlagenabscheidung oder plasmalose Atomlagenabscheidung erzeugt. Eine chemische Gasphasenabscheidung („chemical vapour deposition“, CVD) und eine „Atomlagenabscheidung“ („atomic layer deposition“, ALD) kann vorliegend ein Verfahren, wie in DE 10 2008 031 405 A1 beschrieben, bezeichnen.
Eine physikalische Gasphasenabscheidung kann vorliegend ein Verfahren bezeichnen, bei dem auf einer Oberfläche eines bereit gestellten Substrats eine gasförmige Verbindung kondensiert, wie beispielsweise ein Sputtern, ein ionenunterstütztes Abscheideverfahren oder ein thermisches Verdampfen.
Eine chemische Gasphasenabscheidung kann ein Verfahren bezeichnen, bei dem auf zumindest einer Oberfläche eines bereitgestellten Substrats mit zumindest einer organischen funktionellen Schicht zumindest zwei gasförmige Ausgangsverbindungen zu einem festen Reaktionsprodukt reagieren. Dabei können die zumindest zwei gasförmigen Ausgangsverbindungen gleichzeitig einem Volumen zugeführt werden, in dem das Substrat bereitgestellt wird. Weiterhin kann es erforderlich sein, dass die zumindest eine Oberfläche des bereitgestellten Substrats mit der zumindest einen organischen funktionellen Schicht auf eine Temperatur oberhalb der Raumtemperatur erhitzt wird.
Mit ALD ist vorliegend insbesondere ein Verfahren bezeichnet, bei dem eine erste gasförmige Ausgangsverbindung einem Volumen zugeführt wird, in dem eine zu beschichtende Oberfläche bereitgestellt ist, so dass die erste gasförmige Verbindung auf der Oberfläche adsorbieren kann. Nach einer bevorzugt vollständigen oder nahezu vollständigen Bedeckung der Oberfläche mit der ersten Ausgangsverbindung wird der Teil der ersten Ausgangsverbindung, der noch gasförmig und/oder nicht auf der Oberfläche adsorbiert vorliegt, in der Regel wieder aus dem Volumen entfernt und eine zweite Ausgangsverbindung zugeführt. Die zweite Ausgangsverbindung ist dafür vorgesehen, mit der an der Oberfläche adsorbierten, ersten Ausgangsverbindung unter Bildung einer festen ALD-Schicht chemisch zu reagieren.
Es sei an dieser Stelle darauf hingewiesen, dass bei der Atomlagenabscheidung auch mehr als zwei Ausgangsverbindungen zum Einsatz kommen können.
Bei der Atomlagenabscheidung ist es in der Regel vorteilhaft, wenn die zu beschichtende Oberfläche auf eine Temperatur über Raumtemperatur erhitzt wird. Dadurch kann die Reaktion zur Bildung der festen ALD-Schicht thermisch initiiert werden. Die Temperatur der zu beschichteten Oberfläche ist hierbei in der Regel von den Ausgangsverbindungen abhängig.
Eine plasmalose Atomlagenabscheidung („plasma-less atomic layer deposition“, PLALD) bezeichnet vorliegend ein ALD-Verfahren, für das kein Plasma wie im Folgenden beschrieben, erzeugt wird, sondern bei dem zur Bildung der festen Schicht, die Reaktion der Ausgangsverbindungen nur über die Temperatur der zu beschichtenden Oberfläche initiiert wird.
Die Temperatur der zu beschichtenden Oberfläche liegt bei einem PLALD-Verfahren in der Regel zwischen 60 °C und 120 °C, wobei die Grenzen eingeschlossen sind.
Eine plasmaunterstützte Atomlagenabscheidung („plasma enhanced atomic layer deposition“, PEALD) bezeichnet vorliegend weiterhin ein ALD-Verfahren, bei dem die zweite Ausgangsverbindung bei gleichzeitiger Erzeugung eines Plasmas zugeführt wird, wodurch die zweite Ausgangsverbindung angeregt werden soll. Dadurch kann - im Vergleich zu einem plasmalosen ALD-Verfahren - die Temperatur, auf die die zu beschichtende Oberfläche aufgeheizt werden muss, verringert werden und durch die Plasmaerzeugung dennoch die Reaktion zwischen den Ausgangsverbindungen initiiert werden. Bevorzugt ist die Temperatur der zu beschichteten Oberfläche bei PEALD kleiner oder gleich 120 °C, besonders bevorzugt kleiner oder gleich 80 °C.
Insbesondere kann ein PEALD-Verfahren vorteilhaft sein, wenn eine Initiierung der Reaktion zwischen den Ausgangsverbindungen eine Oberflächentemperatur erforderlich macht, bei der das zu verkapselnde Bauelement geschädigt werden könnte.
Gemäß einer Ausführungsform kann das Gettermaterial in der Form von Getterpartikeln in der Klebstoffschicht vorliegen. Die Getterpartikel können einen Durchmesser von < 1 µm bis 50 µm haben. Insbesondere ist der Durchmesser der Getterpartikel nicht größer als die Schichtdicke der Klebstoffschicht, um die angrenzenden Schichten und das Bauelement nicht zu schädigen. Insbesondere haben die Getterpartikel einen Durchmesser von maximal 20 % der Schichtdicke der Klebstoffschicht. Beispielsweise haben die Getterpartikel einen Durchmesser von maximal 10 µm bei einer Dicke der Klebstoffschicht von 50 µm, einen Durchmesser von maximal 5 µm bei einer Dicke der Klebstoffschicht von 25 µm und einen Durchmesser von maximal 2 µm bei einer Dicke der Klebstoffschicht von 10 µm. Besonders bevorzugt ist ein Durchmesser der Getterpartikel keiner als 1 µm, unabhängig von der Schichtdicke der Klebstoffschicht. So können auch bei einer dichten Packung der Partikel punktuelle Kräfte auf beispielsweise eine OLED vermindert werden.
Es ist auch möglich, dass das Gettermaterial in dem Klebstoff gelöst vorliegt.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung kann das Gettermaterial oxidierbare Materialien umfassen, welche mit Sauerstoff und Wasser reagieren und diese Stoffe binden kann. Als leicht oxidierende Materialien werden insbesondere Metalle aus der Gruppe der Alkali- und Erdalkali-Metalle eingesetzt. Beispielsweise kann das Gettermaterial Magnesium, Calcium, Barium, Cäsium, Kobalt, Yttrium, Lanthan und/oder Metalle der seltenen Erden aufweisen. Weiterhin können auch andere Metalle, wie beispielsweise Aluminium, Zirkonium, Tantal, und/oder Titan oder oxidierbare nichtmetallische Materialien geeignet sein. Darüber hinaus kann das Gettermaterial auch CaO, BaO und MgO umfassen.
In einer weiteren Ausführungsform umfasst das Gettermaterial Trockenmittel, die Wasser irreversibel aufnehmen können ohne ihr Volumen zu ändern.
Möglich sind auch Trockenmittel, die Wasser durch Physisorption binden können ohne dabei ihr Volumen wesentlich zu ändern. Durch erhöhte Temperatur können die adsorbierten Wassermoleküle wieder entfernt werden. Das Gettermaterial kann beispielsweise getrocknete Silikagele umfassen.
Besonders bevorzugt umfasst das Gettermaterial Zeolithe, die vorzugsweise getrocknet sind und die in ihren Poren und Kanälen Sauerstoff und/oder Wasser adsorbieren können. Bei der Adsorption von Wasser und/oder Sauerstoff durch getrocknete Silikagele und/oder Zeolithe entstehen keine für die darunter liegenden Schichten schädliche Produkte und die getrockneten Silikagele und/oder Zeolithe ändern vorzugsweise durch die Reaktion mit Wasser und/oder Sauerstoff ihr Volumen nicht.
In einer Ausführungsform ist die Verkapselung transparent ausgebildet. Unter „transparent“ wird vorliegend verstanden, dass ein Material oder eine Schicht für das gesamte sichtbare elektromagnetische Spektrum oder eines Teilspektrums davon durchlässig ist. Insbesondere kann die Verkapselung transparent für eine Strahlung sein, die entweder von einer aktiven Schicht des Bauelements, das durch die Verkapselung gegen Umgebungseinflüsse geschützt wird, emittiert oder empfangen wird. Das von beispielsweise einer OLED emittierte Licht kann so über die Verkapselung ausgekoppelt werden und die OLED ist als „Top-Emitter“ ausgeführt. Möglich ist auch, dass Licht von außen über die Verkapselung in das organische elektronische Bauelement eingestrahlt wird, wie beispielsweise bei einer organischen Solarzelle. Die Verkapselung, umfassend die Dünnschichtverkapselung, die erste Klebstoffschicht und die Deckschicht, ist bei dieser Ausführungsform im Strahlengang beispielsweise des emittierten Lichts einer OLED oder im Strahlengang des eingekoppelten Lichts einer Solarzelle angeordnet.
In einer weiteren Ausführungsform umfasst die Verkapselung mindestens eine zweite Dünnschichtverkapselung. Die zweite Dünnschichtverkapselung kann von der ersten Dünnschichtverkapselung bezüglich des Materials verschieden sein. Auf diese Art und Weise ist es möglich, die optischen Eigenschaften der ersten und zweiten Dünnschichtverkapselung derart anzupassen, dass deren Transmission für sichtbares Licht erhöht wird.
Die zweite Dünnschichtverkapselung kann wie die erste Dünnschichtverkapselung beispielsweise durch CVD, PVD und/oder ALD erzeugt werden.
Die erste und/oder zweite Dünnschichtverkapselung kann eines der folgenden Materialien aufweisen: Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid, Hafniumoxid, Lanthaniumoxid, Siliciumoxid, Siliciumnitrid.
Die Schichtdicke der ersten Dünnschichtverkapselung liegt zwischen 10 nm und 500 nm und besonders bevorzugt liegt die Schichtdicke zwischen 10 nm und 100 nm. Die zweite Dünnschichtverkapselung kann eine Schichtdicke von 1 nm bis 5 µm aufweisen. Insbesondere kann die Schichtdicke der zweiten Dünnschichtverkapselung zwischen 10 nm und 500 nm liegen und besonders bevorzugt liegt die Schichtdicke zwischen 10 nm und 100 nm. Dünne Schichtdicken der Dünnschichtverkapselung tragen in der Regel zu einer hohen optischen Transmission der Dünnschichtverkapselung bei. Die Schichtdicken der ersten und der zweiten Dünnschichtverkapselung können verschieden sein.
Die erste Klebstoffschicht weist beispielsweise eine Schichtdicke von 10 µm bis 100 µm auf. Insbesondere kann die erste Klebstoffschicht eine Schichtdicke von 10 µm bis 50 µm aufweisen. Dünne Schichtdicken der ersten Klebstoffschicht tragen in der Regel zu einer hohen optischen Transmission der Schicht bei. Weiterhin kann die erste Klebstoffschicht ein Klebstoffmaterial umfassen, in dem das Gettermaterial eingelagert ist. Die Klebstoffschicht kann insbesondere auch transparent für die vom Bauelement emittierte bzw. empfangene Strahlung sein.
Weiterhin kann das Gettermaterial, wenn es in der Form von Getterpartikeln in der Klebstoffschicht vorliegt eine streuende Wirkung auf eine Strahlung haben. Die Streuwirkung kann durch einen Brechungsindexunterschied zwischen dem Brechungsindex der ersten Klebstoffschicht, beispielsweise dem Klebstoffmaterial und dem Brechungsindex der Getterpartikel bedingt sein. Eine Streuwirkung tritt auf, wenn die Getterpartikel einen unterschiedlichen Brechungsindex zu der ersten Klebstoffschicht, beispielsweise dem Klebstoffmaterial, aufweisen. Insbesondere ergibt sich eine vorteilhafte Streuwirkung, wenn der Unterschied der Brechungsindizes in Bereichen des sichtbaren Spektralbereiches größer oder gleich 0,05 ist. Die Streuwirkung kann durch die Größe der Partikel, deren Verteilung und deren Konzentration optimiert bzw. gesteuert werden. Die Getterpartikel weisen für eine Streuwirkung eine mittlere Partikelgröße von 10 nm bis 10 µm, insbesondere eine mittlere Partikelgröße von 100 nm bis 3 µm auf. Die Getterpartikel können auch keine Streuwirkung auf eine Strahlung haben. Dies ist der Fall, wenn die Getterpartikel und die erste Klebstoffschicht einen gleichen Brechungsindex aufweisen.
Weiterhin kann die erste Klebstoffschicht zusätzlich zu dem Gettermaterial und dem Klebstoffmaterial Streupartikel umfassen. Insbesondere kann die erste Klebstoffschicht Streupartikel umfassen, wenn das Gettermaterial bzw. die Getterpartikel keine Streuwirkung auf die emittierte Strahlung, beispielsweise einer OLED haben. Die Streupartikel können Luftblasen, Metalloxide, CaF, Diamant und/oder Glas umfassen. Die Metalloxide können ZrO₂, TiO₂, Al₂O₃, SiO₂, ZnO, Indium-Zinn-Oxid (ITO), Indium-Zink-Oxid (IZO) und Ga₂O umfassen. Die Streupartikel können beschicht oder unbeschichtet sein. Die Streupartikel weisen eine mittlere Partikelgröße von 10 nm bis 10 µm, insbesondere eine mittlere Partikelgröße von 100 nm bis 3 µm auf. Es ist möglich, dass sich die Streupartikel in ihrer Partikelgröße unterscheiden. Möglich ist auch, dass verschiedene Streupartikel in der ersten Klebstoffschicht vorhanden sind. Handelt es sich bei dem optischen elektronischen Bauelement um eine OLED kann durch eine Streuwirkung der Getterpartikel und/oder der Streupartikel die Homogenität der Beleuchtungsstärke an der Lichtaustrittsfläche verbessert werden. Es lässt sich eine homogenere Abstrahlcharakteristik der OLED realisieren. Insbesondere wenn die erste Klebstoffschicht über die Kanten der aktiven Schicht der OLED hinausragt, ist es möglich, mittels der Getter- und/oder Streupartikel die Wirkung zu erzielen, dass die OLED eine größere effektive Emissionsfläche aufweist bzw. eine größere Fläche beleuchteten kann, verglichen mit einem Bauelement ohne Partikel mit einer Streuwirkung. Die Verkapselung kann folglich neben der Verklebung der Dünnschichtverkapselung und der Deckschicht und der verzögerten Luft- bzw. Sauerstoffdiffusion und der verzögerten Feuchtediffusion zusätzlich zur Verbesserung der Auskopplung wellengeleiteter Lichtmoden dienen, wenn es sich bei dem organischen elektronischen Bauelement beispielsweise um eine OLED handelt.
In einer Ausführungsform ist das Gettermaterial der ersten Klebstoffschicht homogen in der ersten Klebstoffschicht, beispielsweise in dem Klebstoffmaterial verteilt. Insbesondere erleichtert eine homogene Verteilung des Gettermaterials das Aufbringen der ersten Klebstoffschicht. Durch eine homogene Verteilung des Gettermaterials ist eine gleichmäßige Sauerstoff- bzw. Wasserabsorption über die gesamte Klebstoffschicht möglich. Wenn das Gettermaterial in der Form von Partikeln in der Klebstoffschicht vorliegt und sollten diese Partikel eine Streuwirkung auf eine emittierte Strahlung von z.B. einer OLED haben, wird durch eine homogene Verteilung der Getterpartikel zusätzlich eine homogene Streuung der Strahlung erreicht.
Weiterhin kann die erste Klebstoffschicht zusätzlich wärmeleitende Partikel umfassen. Insbesondere sind die wärmeleitenden Partikel aus einer Gruppe ausgewählt, die Kohlenstoffnanoröhrchen, Diamant, Kupfer, Bornitrid, Aluminium, Aluminiumnitrid, und/oder Aluminiumoxid umfassen. Die Wärmeleitfähigkeit kann zwischen 28 und 6000 W/mK liegen. Ist die Verkapselung Bestandteil eines organischen elektronischen Bauelements, wird in dem Bauelement im Betrieb Wärme erzeugt. Entstehende Wärmegradienten führen zu einer frühzeitigen Alterung des Bauelements und z.B. bei einer organischen Leuchtdiode zu unterschiedlich ausgekoppeltem Licht. Der Zusatz von wärmeleitenden Partikeln dient zur Wärmeableitung beziehungsweise zu einer gleichmäßigeren Wärmeverteilung innerhalb des Bauelements und vermindert somit eine differentielle Alterung des Bauelements und erhöht somit die Lebensdauer des Bauelements bzw. erhöht die Leuchtdichte bei z.B. einer organischen Leuchtdiode. Je höher die Wärmeleitfähigkeit, desto besser kann die Wärme abgeleitet werden beziehungsweise im Bauelement gleichmäßiger verteilt werden. Möglich ist auch, dass die wärmeleitenden Partikel bei entsprechender Größe und/oder Brechungsindexunterschied zum Klebstoffmaterial zusätzlich eine Streuwirkung auf eine Strahlung beispielsweise einer OLED haben.
In einer weiteren Ausführungsform ist das Gettermaterial inhomogen in der ersten Klebstoffschicht, beispielsweise in dem Klebstoffmaterial verteilt. Insbesondere kann das Gettermaterial an den Randbereichen der ersten Klebstoffschicht eine höhere Konzentration aufweisen. Diese Ausführungsform ist besonders geeignet, wenn verstärkt von der Seite eindringender Sauerstoff und/oder Wasser absorbiert werden soll. Dies ist zum Beispiel möglich, wenn die erste Klebstoffschicht an den Seitenrändern in direktem Kontakt mit der Umgebung steht, während die Hauptoberfläche der ersten Klebstoffschicht von der Deckschicht bedeckt ist.
In einer Ausführungsform umfasst das Klebstoffmaterial der ersten Klebstoffschicht einen Zweikomponentenklebstoff und/oder einen thermisch aushärtenden Klebstoff. In einer Ausführungsform umfasst das Klebstoffmaterial Methylacrylat-Klebstoffe. Methylacrylat-Klebstoffe polymerisieren nach einem radikalischen Mechanismus, wobei als Monomer Methylacrylat eingesetzt wird.
Besonders bevorzugt kann das Klebstoffmaterial der ersten Klebstoffschicht einen lichthärtenden Klebstoff umfassen. Mit lichthärtenden Klebstoffen ist ein gezieltes Aushärten unter UV-Licht und eine schnelle Aushärtung möglich. Die lichthärtende Klebstoffe werden vorzugsweise ohne Lösungsmittel verwendet. So können mögliche unerwünschte Effekte durch das Schrumpfen der Klebstoffschicht durch den Lösungsmittelschwund, wie Schichtspannungen und Punktkräfte auf die unterliegende Schicht umgangen werden. Es besteht somit auch nicht die Gefahr, dass ein Lösungsmittel in die aktive Schicht beispielsweise einer OLED vordringt und so die aktive Schicht möglicherweise beschädigt. Da Lösungsmittel bei der Aushärtung wieder abgesaugt werden müssen, ist mit dem Einsatz von lösemittelfreien Klebstoffen ein erheblich geringerer technischer Aufwand nötig.
In einer Ausführungsform umfasst das Klebstoffmaterial der ersten Klebstoffschicht einen Epoxidharzkleber. Epoxidharzkleber beschädigen das organische elektronische Bauelement im Falle eines Punktdefektes nicht. Der Epoxidharzkleber umfasst eine epoxidhaltige A-Komponente und eine B-Komponente als Härter. Die A-Komponente umfasst zumindest ein Epoxidharz, das ausgewählt ist aus cycloaliphatischen und aliphatischen Epoxidharzen. Vorzugsweise ist die A-Komponente lösungsmittelfrei.
Das Klebstoffmaterial der ersten Klebstoffschicht kann gemäß einer weiteren Ausführungsform auch Silkonhybride, Polyurethane, Acrylate, Phenolharze, Polysulfide und/oder Melaminharze umfassen.
Die Deckschicht der Verkapselung dient der mechanischen Festigkeit und Beständigkeit der Verkapselung und schützt das organische elektronische Bauelement vor mechanischen Einflüssen. Die Deckschicht kann aus einer Gruppe ausgewählt sein, die Glas, Metalle, Lacke oder Kunststoffe umfasst. Die Metalle können beispielsweise Kupfer oder Aluminium umfassen. Bei den Metallen und Kunstoffen kann es sich um Folien handeln.
Die Deckschicht kann eine Schichtdicke von 10 µm bis 4 mm aufweisen. Besonders bevorzugt ist eine Schichtdicke der Deckschicht von 100 µm bis 0,7 mm.
Eine weitere Ausführungsform der Erfindung stellt ein organisches elektronisches Bauelement umfassend ein Substrat, zumindest eine aktive Schicht, die auf dem Substrat angeordnet ist, und eine Verkapselung, wie bereits oben beschrieben, bereit. Weiterhin ist die Verkapselung über der aktiven Schicht angeordnet.
Gemäß einer Ausführungsform ist die aktive Schicht eine strahlungserzeugende Schicht, wie z.B. bei einer OLED oder eine strahlungsempfangende Schicht wie z.B. bei einer organischen Solarzelle.
Die aktive Schicht einer OLED oder die Mehrzahl davon können organische Polymere, organische Oligomere, organische Monomere, organische kleine, nicht-polymere Moleküle („small molecules“) oder Kombinationen daraus umfassen. Weiterhin kann die aktive Schicht als elektrolumineszierende Schicht ausgeführt ist. Als Materialien hierzu eignen sich Materialien, die eine Strahlungsemission aufgrund von Fluoreszenz oder Phosphoreszenz aufweisen, beispielsweise Polyfluoren, Polythiophen oder Polyphenylen oder Derivate, Verbindungen, Mischungen oder Copolymere davon.
Handelt es sich bei dem Bauelement um eine organische Solarzelle kann die aktive Schicht oder die Mehrzahl davon eine oder mehrere halbleitende Materialien, die monomer, oligomer und/oder polymer sind, umfassen.
Das organische elektronische Bauelement umfasst eine erste und eine zweite Elektrode, die der Ladungsträgerinjektion in die aktive Schicht dienen bzw. durch Lichteinstrahlung gebildete Löcher (positive Ladungen) und Elektronen abführen.
Insbesondere können die erste und/oder die zweite Elektrode transparent ausgebildet sein. Die erste bzw. zweite Elektrode kann jeweils als Anode oder als Kathode geschaltet werden. Erzeugtes Licht beispielsweise einer OLED kann so über die Anode und/oder Kathode abgestrahlt oder Licht von außen über die Anode und/oder Kathode in das Bauelement gelangen, wie beispielsweise bei einer organischen Solarzelle.
Eine transparente erste Elektrode, die als Anode ausgeführt sein kann und somit als Löcher-injizierendes Material dient, kann beispielsweise ein transparentes leitendes Oxid aufweisen oder aus einem transparenten leitenden Oxid bestehen. Transparente leitende Oxide (transparent conductive oxides, kurz „TCO“) sind transparente, leitende Materialien, in der Regel Metalloxide, wie beispielsweise Zinkoxid, Zinnoxid, Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid oder Indiumzinnoxid (ITO). Neben binären Metallsauerstoffverbindungen, wie beispielsweise ZnO, SnO₂ oder In₂O₃ gehören auch ternäre Metallsauerstoffverbindungen, wie beispielsweise Zn₂SnO₄, CdSnO₃, ZnSnO₃, MgIn₂O₄, GaInO₃, Zn₂In₂O₃ oder In₄Sn₃O₁₂ oder Mischungen unterschiedlicher transparenter leitender Oxide zu der Gruppe der TCOs. Weiterhin entsprechen die TCOs nicht zwingend einer stöchiometrischen Zusammensetzung und können auch p- oder n-dotiert sein.
Die zweite Elektrode kann als Kathode ausgeführt sein und somit als Elektronen-injizierendes Material dienen. Als Kathodenmaterial können sich unter anderem insbesondere Aluminium, Barium, Indium, Silber, Gold, Magnesium, Kalzium, Kupfer, Yttrium, Ytterbium, Samarium oder Lithium sowie Verbindungen, Kombinationen und Legierungen davon als vorteilhaft erweisen.
In einer Ausführungsform ist das Substrat transparent. Somit kann erzeugtes Licht von beispielsweise einer OLED durch das Substrat abgestrahlt oder auch Licht von außen durch das Substrat in das Bauelement eingekoppelt werden, wie beispielsweise bei einer organischen Solarzelle, wenn auch die zu dem Substrat benachbarte Elektrode transparent ist. Handelt es sich um eine OLED kann diese als so genannter „Bottom-Emitter“ ausgeführt sein. Möglich ist auch, dass es sich um eine „transparente OLED“ handelt, wenn zusätzlich die Verkapselung transparent ist und die Lichtemission somit sowohl nach unten durch ein transparentes Substrat als auch nach oben durch eine transparente Verkapselung erfolgt. Beispielsweise kann das Substrat Glas, Quarz, Kunststofffolien, Metall, Metallfolien, Siliziumwafer oder ein anderes geeignetes Substratmaterial umfassen. Insbesondere kann das Substrat eine Kunststofffolie sein, die geeignete Barriereschichten umfasst.
In einer Ausführungsform weist die an die Verkapselung direkt angrenzende Schicht des organischen elektronischen Bauelements keine Kavität, also keine Hohlräume zu der Verkapselung auf. Es besteht also ein direkter Kontakt zwischen der Dünnschichtverkapselung und dem organischen elektronischen Bauelement. Insbesondere besteht ein direkter Kontakt der Verkapselung und der aktiven Schicht. Möglich ist auch, dass die Verkapselung keine Kavität aufweist. Es besteht ein direkter Kontakt der Dünnschichtverkapselung und der zumindest einen ersten Klebstoffschicht und der zumindest einen ersten Klebstoffschicht und der Deckschicht. Auf diese Art kann eine besondere Dichtigkeit der Verkapselung und somit erhöhter Schutz des organischen elektronischen Bauelements erreicht werden.
In einer weiteren Ausführungsform weist die aktive Schicht des organischen elektronischen Bauelements Kanten und Seitenflächen und eine von dem Substrat abgewandte Hauptoberfläche auf, wobei die mindestens eine Dünnschichtverkapselung zumindest die Kanten und/oder die Seitenflächen und die von dem Substrat abgewandte Hauptoberfläche der aktiven Schicht bedeckt. Insbesondere können die Kanten und/oder Seitenflächen und die von dem Substrat abgewandte Hauptoberfläche der aktiven Schicht komplett von der Dünnschichtverkapselung bedeckt sein. So kann eine erste Abschirmung der von dem Substrat abgewandten Hauptoberfläche und den Kanten und/oder Seitenflächen der aktiven Schicht gegen Sauerstoff und Wasser der Umgebung durch die Dünnschichtverkapselung gewährleistet werden.
In einer weiteren Ausführungsform ist auch ein Teil der Hauptoberfläche des Substrats, der nicht von der aktiven Schicht bedeckt ist, von der mindestens einen Dünnschichtverkapselung bedeckt, insbesondere der Teil des Substrats, der zur aktiven Schicht benachbart ist, um eine gute Verkapselung zu gewährleisten.
In einer weiteren Ausführungsform weist die zumindest eine Dünnschichtverkapselung eine von der aktiven Schicht abgewandte Hauptoberfläche auf, wobei die erste Klebstoffschicht über der von der aktiven Schicht abgewandten Hauptoberfläche der zumindest einen Dünnschichtverkapselung angeordnet ist.
Insbesondere können auch die Teilbereiche der Dünnschichtverkapselung von der ersten Klebstoffschicht bedeckt sein, die die Kanten und/oder die Seitenflächen der aktiven Schicht des organischen elektronischen Bauelements bedecken. In dieser Ausführungsform geht die erste Klebstoffschicht über die Kanten der aktiven Schicht, die von der Dünnschichtverkapselung bedeckt sind, hinaus. Da Sauerstoff und Wasser aus der Umgebung besonders über die Kanten und Seitenflächen zu der aktiven Schicht eindringen, sollte hier der Ausschluss von Luft und Feuchtigkeit besonders hoch sein, was gemäß dieser Ausführungsform erreicht wird. Die erste Klebstoffschicht kann zwischen 10 µm und 20 mm, insbesondere zwischen 0,5 mm und 5 mm und besonders bevorzugt zwischen 0,5 mm und 3 mm über die Kanten der aktiven Schicht, die von der Dünnschichtverkapselung bedeckt sind, hinausgehen. Je weiter die erste Klebstoffschicht über die durch die Dünnschichtverkapselung bedeckten Kanten der aktiven Schicht hinausgeht, desto besser sind die Kanten und Seitenflächen der aktiven Schicht vor dem Eindringen von Sauerstoff und Wasser abgeschirmt.
Es ist möglich, dass die erste Klebstoffschicht in direktem Kontakt mit dem Substrat steht. Dadurch wird die Verklebung wesentlich verbessert.
Möglich ist auch, dass die erste Klebstoffschicht über den Teilbereichen der Dünnschichtverkapselung, die die Kanten und/oder die Seitenflächen der aktiven Schicht bedecken und über der Hauptoberfläche der Dünnschichtverkapselung unterschiedliche Schichtdicken aufweist. Insbesondere kann die Schichtdicke der ersten Klebstoffschicht, die die Teilbereiche der Dünnschichtverkapselung, die die Kanten und/oder die Seitenflächen der aktiven Schicht bedecken dicker sein als die Schichtdicke der ersten Klebstoffschicht über der Hauptoberfläche der Dünnschichtverkapselung. Auf diese Weise können die Kanten und/oder Seitenflächen der aktiven Schicht effizienter vor eindringendem Sauerstoff und Wasser geschützt werden. Dies ist zum Beispiel möglich, wenn die Deckschicht eine geringe Durchlässigkeit für Sauerstoff und Wasser aufweist und somit die Hauptoberfläche der aktiven Schicht durch die Dünnfilmverkapselung, eine dünne erste Klebstoffschicht und die Deckschicht schon ausreichend vor äußeren Einflüssen geschützt ist.
In einer weiteren Ausführungsform bedeckt die erste Klebstoffschicht Bereiche der Dünnfilmverkapselung, die über die aktive Schicht hinaus sich über das Substrat erstrecken, was zu einer besonders guten Verkapselung und somit Schutz der aktiven Schicht des organischen elektronischen Bauelements führt.
Insbesondere kann die erste Klebstoffschicht in direktem Kontakt mit der Umgebung stehen. Die Erfinder haben überraschenderweise festgestellt, dass die Klebstoffschicht mit zumindest einem Gettermaterial eine extrem hohe Absorption und/oder Adsorption an Sauerstoff und Wasser und somit eine hohe Verzögerung der Sauerstoff- und Wasserdiffusion zur aktiven Schicht eines organischen elektronischen Bauelements gewährleistet, sogar wenn ein direkter Kontakt der Klebstoffschicht mit zumindest einem Gettermaterial zu der Umgebung besteht.
In einer weiteren Ausführungsform ist die Deckschicht, die das organische Bauelement vor mechanischen Einflüssen schützt, über der von der aktiven Schicht abgewandten Hauptoberfläche der zumindest einen Dünnschichtverkapselung angeordnet. Die Deckschicht kann über die Seitenflächen und Kanten der aktiven Schicht hinausragen. Insbesondere kann die gesamte Hauptoberfläche der Deckschicht, die der ersten Klebstoffschicht zugewandt ist mit der ersten Klebstoffschicht verklebt sein. Möglich ist auch, dass die Deckschicht über den Seitenflächen der ersten Klebstoffschicht angeordnet ist. So kann ein besonders hoher Schutz der Seitenflächen der aktiven Schicht erreicht werden, die so mit der Dünnschichtverkapselung, der ersten Klebstoffschicht und der Deckschicht bedeckt ist.
In einer weiteren Ausführungsform wird ein organisches elektronisches Bauelement angegeben, wobei eine zweite Klebstoffschicht vorhanden ist und wobei die zweite Klebstoffschicht zumindest teilweise um die erste Klebstoffschicht umlaufend angeordnet ist. Die zweite Klebstoffschicht dient der Haftförderung der Deckschicht und der Dünnschichtverkapselung. Auf diese Weise wird verstärkt einer frühzeitigen Delamination dieser Schichten vorgebeugt.
Vorzugsweise zeigt somit die zweite Klebstoffschicht eine bessere Klebeeigenschaft als die erste Klebstoffschicht. Insbesondere kann die zweite Klebstoffschicht frei von Gettermaterial sein, um eine erhöhte Haftfestigkeit zu erreichen. Die Haftfestigkeit kann zwischen 1 N/mm und 20 N/mm, insbesondere zwischen 3 N/mm bis 10 N/mm liegen.
In einer weiteren Ausführungsform weist die zweite Klebstoffschicht eine Scherfestigkeit zwischen 1 und 90 N/mm², insbesondere zwischen 5 und 15 N/mm² auf. Die Scherfestigkeit ist der Widerstand, den die Deckschicht, tangentialen Scherkräften entgegensetzt. Sie gibt die maximale Schubspannung an, mit der die Deckschicht vor dem Abscheren belastet werden kann.
Die zweite Klebstoffschicht kann einen Epoxidharzkleber umfassen. Besonders vorteilhaft werden Epoxidharzkleber verwendet, die bei Temperaturen von 80 °C bis etwa 100 °C ausgehärtet werden. Möglich ist auch, dass die Epoxidharzkleber unter UV-Belichtung gehärtet werden. Bevorzugt kann die zweite Klebstoffschicht das gleiche Klebstoffmaterial wie die erste Klebstoffschicht umfassen.
Die zweite Klebstoffschicht kann transparent ausgebildet sein. So kann die Verkapselung, die eine zweite Klebstoffschicht umfasst auch insgesamt transparent ausgebildet sein.
In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform ist die zweite Klebstoffschicht vollständig umlaufend um die erste Klebstoffschicht angeordnet, was zu einer noch besseren Haftung der angrenzenden Schichten führt.
Es können die Teilbereiche der Dünnschichtverkapselung von der zweiten Klebstoffschicht bedeckt sein, die die Kanten und/oder die Seitenflächen der aktiven Schicht des organischen elektronischen Bauelements bedecken. In dieser Ausführungsform geht die zweite Klebstoffschicht über die Kanten der aktiven Schicht, die von der Dünnschichtverkapselung bedeckt sind, hinaus. Die zweite Klebstoffschicht kann zwischen 50 µm und 20 mm, insbesondere zwischen 500 µm und 5 mm und besonders bevorzugt zwischen 500 µm und 3 mm über die Kanten der aktiven Schicht, die von der Dünnschichtverkapselung bedeckt sind, hinausgehen.
In einer weiteren Ausführungsform des organischen elektronischen Bauelements ist die zweite Klebstoffschicht über der von der aktiven Schicht abgewandten Hauptoberfläche der Dünnschichtverkapselung angeordnet und die erste Klebstoffschicht ist zumindest teilweise um die zweite Klebstoffschicht umlaufend angeordnet. In dieser Ausführungsform ist die Haftfestigkeit zwischen der Deckschicht und der Dünnschichtverkapselung aufgrund der zweiten Klebstoffschicht besonders hoch und es wird verstärkt einer frühzeitigen Delamination der Schichten vorgebeugt.
Insbesondere kann die erste Klebstoffschicht vollständig um die zweite Klebstoffschicht umlaufend angeordnet sein. Neben der hohen Haftfestigkeit der an die zweite Klebstoffschicht angrenzenden Schichten wird in dieser Ausführungsform die aktive Schicht und die Dünnschichtverkapselung vor einer Luft- und Wasserdiffusion von den Seiten durch die erste Klebstoffschicht geschützt.
Dieser Schutz wird in einer weiteren Ausführungsform noch weiter erhöht, in der die erste Klebstoffschicht auch die Teilbereiche der Dünnschichtverkapselung bedeckt, die die Kanten und/oder die Seitenflächen der aktiven Schicht bedecken.
In einer weiteren Ausführungsform des organischen elektronischen Bauelements ist die aktive Schicht zwischen einer ersten und einer zweiten Elektrode angeordnet, wobei die erste Elektrode auf dem Substrat angeordnet ist. Das elektronische Bauelement umfasst eine erste weitere Klebstoffschicht, die zumindest ein Gettermaterial umfasst.
Die erste weitere Klebstoffschicht kann zwischen der ersten Elektrode und dem Substrat angeordnet sein. Bei dieser Ausführungsform kann das organische elektronische Bauelement durch die Verkapselung und zusätzlich vom Substrat her durch die erste weitere Klebstoffschicht vor dem Eindringen von Feuchtigkeit und Luft geschützt werden. Insbesondere ist diese Ausführungsform bei flexiblen OLEDs, die flexibel ausgebildete Substrate aufweisen, möglich. Flexible Substrate, beispielsweise aus Kunststofffolien weisen im Vergleich zu beispielsweise Glassubstraten eine erhöhte Durchlässigkeit für Feuchtigkeit und Sauerstoff auf. Deshalb besteht besonders in diesen Fällen, wenn das Substrat keinen ausreichenden Schutz bietet, erhöhter Bedarf die aktive Schicht einer OLED auch vom Substrat her besser gegen das Vordringen von Wasser und Luft zu schützen.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist die erste weitere Klebstoffschicht auf rauhen Substraten angeordnet. Rauhe Substrate weisen beispielsweise unterschiedliche Oberflächenhöhen, Unebenheiten oder eine uneinheitliche Oberfläche auf. Die Oberflächenhöhen können im Bereich von 10 nm und 100 µm liegen. Die erste weitere Klebstoffschicht kann hier zusätzlich planarisierend wirken und mögliche Oberflächenhöhen beziehungsweise Unebenheiten des Substrates zumindest weitgehend beheben. Insbesondere kann es sich bei dieser Ausführungsform um eine Top-Emitter OLED handeln.
Die erste weitere Klebstoffschicht, die ein Gettermaterial umfasst, kann die gleichen Merkmale oder Kombinationen von Merkmalen aufweisen, wie sie für die erste Klebstoffschicht oben beschrieben sind.
In einer weiteren Ausführungsform ist zwischen der ersten weiteren Klebstoffschicht und der ersten Elektrode zumindest eine Dünnschichtverkapselung angeordnet.
In einer weiteren Ausführungsform ist eine zweite weitere Klebstoffschicht in dem Bauelement vorhanden, die umlaufend um die erste weitere Klebstoffschicht angeordnet ist. Die zweite weitere Klebstoffschicht kann frei von Gettermaterialien sein um eine erhöhte Haftfestigkeit zu erreichen. Die zweite weitere Klebstoffschicht kann die gleichen Merkmale oder Kombinationen von Merkmalen aufweisen, die für die zweite Klebstoffschicht oben beschrieben sind. Bevorzugt ist die zweite weitere Klebstoffschicht vollständig umlaufend um die erste weitere Klebstoffschicht angeordnet.
In einer weiteren Ausführungsform ist die zweite weitere Klebstoffschicht zwischen der ersten Elektrode und dem Substrat angeordnet und die erste weitere Klebstoffschicht ist umlaufend um die zweite weitere Klebstoffschicht angeordnet. Bevorzugt ist die erste weitere Klebstoffschicht vollständig umlaufend um die zweite weitere Klebstoffschicht angeordnet.
Das organische elektronische Bauelement kann eine organische Leuchtdiode, eine Solarzelle, ein organischer Feldeffekttransistor (OFET) und/oder eine organische Elektronik sein. Bei dem organischen Feldeffekttransistor kann es sich um einen all-OFET handeln, bei dem alle Schichten organisch sind.
In einer Ausführungsform ist das organische elektronische Bauelement ein flächiges Bauelement, wobei die aktive Schicht des organischen elektronischen Bauelements eine Oberfläche von 1 cm² bis 1 m² aufweisen kann. Insbesondere kann die aktive Schicht eine Oberfläche von 5 cm² bis 2000 cm² und besonders bevorzugt eine Oberfläche von 25 cm² bis 1000 cm² aufweisen. Besonders bevorzugt handelt es sich bei dem flächigen Bauelement um eine Flächenlichtquelle.
Eine OLED kann beispielsweise als weitere Schichten umfassen: eine löcherinduzierende Schicht, eine löchertransportierende Schicht, eine elektronentransportierende Schicht und/oder eine elektroneninduzierende Schicht. Solche Schichten können dazu dienen, die Effizienz der OLED weiter zu steigern und an einer oder mehreren geeigneten Stellen der OLED ausgebildet werden. Mögliche Materialien dieser Schichten sind beispielsweise in EP 1770 799 A2 , WO 2010/122113 A1 oder WO 2010/048920 A1 beschrieben.
Erfindungsgemäß wird ein Verfahren zur Herstellung eines organischen elektronischen Bauelements angegeben umfassend die Verfahrensschritte:

a) Bereitstellen eines organischen elektronischen Schichtstapels umfassend eine erste und eine zweite Elektrode, ein Substrat und zumindest eine aktive Schicht,
b) Abscheiden mindestens einer Dünnschichtverkapselung auf dem Schichtstapel mittels chemischer Gasphasenabscheidung, physikalischer Gasphasenabscheidung oder Atomlagenabscheidung, sodass die Dünnschichtverkapselung eine Schichtdickte von 10 nm bis 500 nm aufweist,
c) Auftragen einer ersten Klebstoffschicht, die zumindest ein Gettermaterial umfasst,
d) Anordnen einer Deckschicht über der ersten Klebstoffschicht.

Durch das Auftragen der ersten Klebstoffschicht kann die Deckschicht mit der Dünnschichtverkapselung verklebt werden.
Der Verfahrensschritt b) kann einen weiteren Verfahrensschritt b1) Abscheiden zumindest einer zweiten Dünnschichtverkapselung umfassen.
Das Bereitstellen des organischen elektronischen Schichtstapels unter Verfahrensschritt a) kann folgende Verfahrensschritte umfassen:

a1) Bereitstellen des Substrats
a2) Auftragen einer ersten weiteren Klebstoffschicht auf das Substrat
a3) Anordnen der ersten Elektrode auf der ersten weiteren Klebstoffschicht
a4) Aufbringen der aktiven Schicht auf der ersten Elektrode
a5) Anordnen der zweiten Elektrode auf der aktiven Schicht.

Das Bereitstellen eines organischen elektronischen Schichtstapels unter Verfahrensschritt a) kann nach dem Verfahrensschritt a2) einen weiteren Verfahrensschritt a2') Abscheiden mindestens einer Dünnschichtverkapselung auf der ersten weiteren Klebstoffschicht umfassen.
Möglich ist, dass der Verfahrensschritt a2) einen weiteren Verfahrensschritt a2'') Auftragen einer zweiten weiteren Klebstoffschicht umfasst.
Die Dünnschichtverkapselungen unter Verfahrensschritt b) sind mittels CVD, ALD und/oder PVD abgeschieden. Insbesondere können die Dünnschichtverkapselungen unter Verfahrensschritt b1) und/oder a2') mittels CVD, ALD und/oder PVD abgeschieden werden.
Insbesondere kann die Deckschicht unter Verfahrensschritt d) auflaminiert werden. Wird die Deckschicht auflaminiert, kann eine besonders dünne Deckschicht aufgebracht werden. Die Deckschicht kann eine Schichtdicke von 100 µm bis 0,7 mm aufweisen. Dieses Verfahren eignet sich vor allem für Glas, Kunststoff und Metallfolien.
Möglich ist ein weiterer Verfahrensschritt e) UV-Härtung der ersten Klebstoffschicht nach Verfahrensschritt d).
Möglich sind auch zwei weitere Verfahrensschritte e1) UV-Vorhärten der ersten Klebstoffschicht und e2) Thermisches Nachhärten der ersten Klebstoffschicht nach dem Verfahrensschritt d). Durch das Vorhärten kann innerhalb kurzer Zeit eine Vorfixierung der Deckschicht über der Dünnschichtverkapselung erreicht werden, so dass diese ihre Position nicht mehr ändern kann. Anschließend kann die vollständige Härtung thermisch über einen längeren Zeitraum erfolgen. Das Vorhärten ist z.B. durch eine Belichtung (250 nm < A < 400 nm) in einem Intensitätsbereich von 100 mW/cm² für drei Minuten möglich. Ein thermisches Nachhärten kann bei 80 °C für 30 Minuten erfolgen.
Die erste weitere Klebstoffschicht kann analog zu den für die erste Klebstoffschicht beschriebenen Verfahren nach dem Verfahrensschritt a2') oder a3) gehärtet werden.
Möglich ist, dass der Verfahrensschritt c) einen weiteren Verfahrensschritt c1) Auftragen der zweiten Klebstoffschicht umfasst.
Möglich kann auch ein weiterer Verfahrensschritt f) Härten der zweiten Klebstoffschicht nach Verfahrensschritt d), e) oder e2) sein.
Insbesondere kann der Verfahrensschritt f) ein thermisches Härten der zweiten Klebstoffschicht bei Temperaturen von 80 °C bis 100 °C umfassen.
Möglich ist auch, dass der Verfahrensschritt f) ein Härten der zweiten Klebstoffschicht durch UV-Belichtung umfasst.
Die zweite weitere Klebstoffschicht kann analog zu den für die zweite Klebstoffschicht beschriebenen Verfahren nach dem Verfahrensschritt a2') oder a3) gehärtet werden.
Weitere vorteilhafte Ausführungsformen und Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den im Folgenden in Verbindung mit den Figuren beschriebenen Ausführungsbeispielen.
Die 1A und 1B zeigen ein Ausführungsbeispiel eines organischen elektronischen Bauelements in einer schematischen Schnittdarstellung und in der Aufsicht. Die 2 bis 5 zeigen schematische Schnittdarstellungen jeweils eines organischen elektronischen Bauelements gemäß unterschiedlicher Ausführungsbeispiele. Die 6A und 6B zeigen ein weiteres Ausführungsbeispiel eines organischen elektronischen Bauelements in einer schematischen Schnittdarstellung und in der Aufsicht. Die 7 bis 9 zeigen schematische Schnittdarstellungen jeweils eines organischen elektronischen Bauelements gemäß unterschiedlicher Ausführungsbeispiele.
In den Ausführungsbeispielen und Figuren sind gleiche oder gleich wirkende Bestandteile jeweils mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Die dargestellten Elemente und deren Größenverhältnisse untereinander sind nicht als maßstabsgerecht anzusehen, vielmehr können einzelne Elemente, insbesondere Schichtdicken, zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.
Das organische elektronische Bauelement gemäß dem Ausführungsbeispiel der 1A umfasst ein Substrat 1, eine aktive Schicht 2 angeordnet auf dem Substrat 1, eine Dünnschichtverkapselung 5 angeordnet auf der aktiven Schicht 2, eine Klebstoffschicht mit einem Gettermaterial 3 und eine Deckschicht 4. Das Gettermaterial liegt beispielsweise in der Form von Getterpartikeln in der Klebstoffschicht 3 vor. Die Dünnschichtverkapselung 5 und die Klebstoffschicht 3 und die Klebstoffschicht 3 und die Deckschicht 4 stehen insbesondere in direktem Kontakt miteinander. Die Dünnschichtverkapselung 5 bedeckt die Kanten 2a, die Seitenflächen 2b und die Hauptoberfläche 2c der aktiven Schicht 2 und teilweise die zur aktiven Schicht 2 benachbarte Hauptoberfläche des Substrats 1, die nicht von der aktiven Schicht 2 bedeckt ist. Möglich ist auch, dass die Dünnschichtverkapselung 5 die zur aktiven Schicht 2 benachbarte Hauptoberfläche des Substrats 1, die nicht von der aktiven Schicht 2 bedeckt ist, vollständig bedeckt. Die Klebstoffschicht 3 bedeckt die Hauptoberfläche der Dünnschichtverkapselung 5 und die Teilbereiche der Dünnfilmverkapselung 5, die die Kanten 2a und die Seitenflächen 2b der aktiven Schicht 2 bedecken. Die Klebstoffschicht 3 geht dabei über die Kanten 2a der aktiven Schicht 2, die von der Dünnschichtverkapselung 5 bedeckt sind, hinaus und steht in direktem Kontakt mit der Umgebung. Die Deckschicht 4 bedeckt die Hauptoberfläche der Klebstoffschicht 3. Durch die Anordnung der Klebstoffschicht 3 über den Kanten 2a und Seitenflächen 2b der aktiven Schicht 2, die von der Dünnschichtverkapselung 5 bedeckt sind, entsteht ein Überlappbereich der Klebstoffschicht 3 über die Kanten 2a der aktiven Schicht 2 hinaus. Durch diese Anordnung dringt die Feuchtigkeit erst nach viel längerer Zeit über die Seitenflächen 2b in die aktive Schicht 2 vor als bei anderen organischen elektronischen Bauteilen, da die Seitenflächen 2b der aktiven Schicht 2 mit der Dünnschichtverkapselung 5 und der Klebstoffschicht 3 bedeckt sind. Insbesondere bei großflächigen Bauelementen ist der Vorteil enorm, da der Weg von den Außenkanten zur aktiven Schicht 2 für Feuchtigkeit und/oder Sauerstoff dementsprechend länger ist. Das Gettermaterial kann bei der Ausführungsform beispielsweise Zeolithe umfassen, möglich sind aber auch oxidierbare und/oder wasseraufnehmende Materialien. Die Dünnschichtverkapselung 5 kann beispielsweise Aluminiumoxid aber auch Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid, Hafniumoxid, Lanthaniumoxid, Siliciumoxid, Siliciumnitrid umfassen. Die Deckschicht 4 kann Glas umfassen, möglich sind aber auch Aluminium, Kupfer, ein Lack oder ein Kunststoff. Die Dünnschichtverkapselung 5, die Klebstoffschicht 3 und die Deckschicht 4 können transparent ausgebildet sein. Vorzugsweise handelt es sich bei dem organischen elektronischen Bauelement um eine OLED, wobei die Strahlung entweder über ein transparentes Substrat 1 und/oder über die transparente Verkapselung ausgekoppelt wird. Die Getterpartikel können je nach deren Größe eine Streuwirkung in Bezug auf die erzeugte Strahlung der aktiven Schicht 2 haben. Die Verkapselung kann folglich neben der Verklebung der Dünnschichtverkapselung 5 und der Deckschicht 4 und einer verzögerten Luft- und Feuchtediffusion zusätzlich zur Verbesserung der Auskopplung der Strahlung dienen. Die aktive Schicht 2 des Bauelementes umfasst beispielsweise ein organisches funktionelles Material. In der aktiven Schicht 2 einer OLED kann durch Elektronen- und Löcherinjektion und - rekombination elektromagnetische Strahlung mit einer einzelnen Wellenlänge oder einem Bereich von Wellenlängen erzeugt werden. Dabei kann bei einem Betrachter ein einfarbiger, ein mehrfarbiger und/oder ein mischfarbiger Leuchteindruck erweckt werden. Das organische funktionelle Material kann beispielsweise organische Polymere, organische Oligomere, organische Monomere, organische kleine, nicht-polymere Moleküle oder Kombinationen daraus aufweisen. Das erste Substrat kann Quarz, Kunststofffolien, Metall, Metallfolien, Siliziumwafer oder ein beliebiges anderes geeignetes Substratmaterial umfassen. Möglich ist auch, dass es sich bei dem Ausführungsbeispiel gemäß 1A um eine organische Solarzelle, einen organischen Feldeffekttransistor oder eine organische Elektronik handelt. Handelt es sich bei dem Bauelement um eine organische Solarzelle kann die aktive Schicht 2 eine Strahlung empfangen und eine oder mehrere halbleitende Materialien, die monomer, oligomer und/oder polymer sind, umfassen.
1B zeigt eine Aufsicht auf das bereits in 1A gezeigte Bauelement. Die 1B zeigt, dass die aktive Schicht 2 mittig über einen Teil der Hauptoberfläche des Substrats 1 aufgebracht ist. Die Klebstoffschicht 3 ist über der aktiven Schicht 2 angeordnet, bedeckt die Hauptoberfläche 2c der aktiven Schicht 2 und ragt über die Kanten 2a der aktiven Schicht 2 hinaus. Ein Querschnitt entlang der gestrichelten Linie führt zur schematischen Schnittdarstellung des Bauelements gemäß 1A.
Die Lebensdauer von Bottom Emitter OLEDs einer Größe von 40 cm² und 1,67 cm² wurden in Abhängigkeit von der Betriebsdauer der OLEDs bei 60 °C und 90 % relativer Luftfeuchtigkeit (rH) getestet. Unter der relativen Luftfeuchtigkeit ist das prozentuale Verhältnis zwischen dem Dampfdruck des Wassers und dem Sättigungsdampfdruck desselben zu verstehen. Bottom Emitter OLEDs mit einer Dünnschichtverkapselung, einem reinen Epoxidkleber ohne Gettermaterial und einem aufgebrachten Glas weisen aufgrund der Bildung von „dark spots“, die durch das Vordringen von Luft und Wasser in die aktive Schicht entstehen, eine Ausfallrate nach ca. 1700 h von 40 % auf. Bei den erfindungsgemäßen Bottom Emitter OLEDs, die sich zu den oben genannten OLEDs nur durch ein Gettermaterial in dem Epoxidkleber unterscheiden, liegt die Ausfallrate nach ca. 1700 h bei 20 % und ist somit um die Hälfte geringer ist als bei den OLEDS ohne Gettermaterial in dem Epoxidkleber. Der Ausfallgrund für die erfindungsgemäßen OLEDS liegt nicht in dem Vordringen von Wasser und/oder Sauerstoff zur aktiven Schicht, sondern darin dass es aufgrund einer zu geringen Haftung der ersten Klebstoffschicht mit Gettermaterial zu einer frühzeitigen Delamination kommt. Diese vorzeitige Delamination kann durch das Aufbringen der zweiten Klebstoffschicht vermindert werden.
Im Unterschied zu dem Ausführungsbeispiel gemäß 1A zeigt das Ausführungsbeispiel gemäß 2, dass die Deckschicht 4 zusätzlich über den Seitenflächen der Dünnschichtverkapselung 5 und den Seitenflächen der Klebstoffschicht 3 angeordnet ist. Umfasst die Deckschicht 4 Glas kann die Deckschicht 4 mittels Glasfritten mit dem Substrat 1 verklebt werden. Die Klebstoffschicht 3 steht nicht in direkten Kontakt mit der Umgebung und wird von der Deckschicht 4 vor Luft und Feuchtigkeit der Umgebung abgeschirmt. Diese Anordnung führt zu einer Verzögerung der Luft- und Feuchtigkeitsdiffusion durch die Seitenflächen 2b der aktiven Schicht 2. Die Abschirmung der aktiven Schicht 2 an den Seitenflächen 2b wird im Vergleich zu dem Ausführungsbeispiel gemäß 1A weiter verbessert, da über den Seitenflächen 2b mindestens zwei Schutzschichten (Dünnschichtverkapselung 5, Klebstoffschicht 3 und Deckschicht 4 oder Dünnschichtverkapselung 5 und Deckschicht 4) aufgebracht sind.
Im Unterschied zu dem Ausführungsbeispiel gemäß 1A zeigt das Ausführungsbeispiel gemäß 3, dass die Deckschicht 4 zusätzlich über den Seitenflächen der Klebstoffschicht 3 angeordnet ist. Die Klebstoffschicht 3 steht nicht in direkten Kontakt mit der Umgebung und wird von der Deckschicht von Luft und Feuchtigkeit abgeschirmt. Da bei dieser Ausführungsform die Hauptoberfläche und die Seitenflächen der Klebstoffschicht 3 von der Deckschicht 4 bedeckt sind, wird die Feuchte- und Luftdiffusion zur aktiven Schicht 2 über diese Flächen besonders gut verzögert.
4 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel, wobei im Gegensatz zu dem Ausführungsbeispiel gemäß 1A die Klebstoffschicht 3 noch teilweise die zur aktiven Schicht 2 benachbarte Hauptoberfläche des Substrats 1 bedeckt. Auf diese Art sind die Seitenflächen 2b der aktiven Schicht 2 komplett mit der Dünnschichtverkapselung 5 und der Klebstoffschicht 3 verkapselt, was zu einem hohen Schutz auch der Seitenflächen 2b der aktiven Schicht 2 vor Umwelteinflüssen führt.
Im Unterschied zu dem Ausführungsbeispiel gemäß 4 zeigt das Ausführungsbeispiel in 5, dass die Deckschicht 4 auch über den Seitenflächen der Klebstoffschicht 3 angeordnet ist. Umfasst die Deckschicht 4 Glas wird die Deckschicht 4 mittels Glasfritten mit dem Substrat 1 verklebt. In dieser Ausführungsform ist die aktive Schicht 2 an der Hauptoberfläche 2c und den Seitenflächen 2b durch die Dünnschichtverkapselung 5, die Klebstoffschicht 3 und die Deckschicht 4 bedeckt, was sich in einem besonders hermetischen Schutz der aktiven Schicht 2 auszeichnet.
Alle in den 1A, 1B und 2 bis 5 gezeigten Ausführungsbeispiele sind auch mit einer ersten 3 und einer zweiten Klebstoffschicht 3a möglich. 6A zeigt eine Variante der Ausführungsform gemäß 1A mit einer zweiten Klebstoffschicht 3a. Die Klebstoffschicht 3 bedeckt in dieser Ausführungsform die Hauptoberfläche 2c der aktiven Schicht 2 und die zweite Klebstoffschicht 3a ist vollständig umlaufend um die erste Klebstoffschicht 3 angeordnet und bedeckt die Teilbereiche der Dünnschichtverkapselung 5, die die Kanten 2a und die Seitenflächen 2b der aktiven Schicht 2 bedecken. Die Klebstoffschicht 3 geht dabei über die Kanten 2a der aktiven Schicht 2, die von der Dünnschichtverkapselung 5 bedeckt sind, hinaus und steht in direktem Kontakt mit der Umgebung. Die Deckschicht 4 bedeckt die Hauptoberfläche der Klebstoffschichten 3 und 3a. Die Dünnschichtverkapselung 5, die Klebstoffschichten 3 und 3a und die Deckschicht 4 können transparent ausgebildet sein. Die zweite Klebstoffschicht 3a kann einen Epoxidkleber umfassen und weist eine bessere Klebeeigenschaft als die erste Klebstoffschicht 3 auf und kann insbesondere frei von Gettermaterial sein. Diese Anordnung der zweiten Klebstoffschicht 3a führt zu einer besseren Haftung der Deckschicht 4 und der Dünnschichtverkapselung 5. Die Scherfestigkeit der zweiten Klebstoffschicht liegt zwischen 1 und 90 N/mm², insbesondere zwischen 5 und 15 N/mm². Die Haftfestigkeit liegt zwischen 1 und 20 N/mm, insbesondere zwischen 3 bis 10 N/mm. und beugt so einer unerwünschten Delamination dieser Schichten vor. Für die zweite Klebstoffschicht 3a kann auch ein anderer Klebstoff, der eine hohe Haftfestigkeit zwischen der Deckschicht 4 und der Dünnfilmverkapselung 5 ermöglicht, Anwendung finden. Besonders geeignet ist diese Ausführungsform, wenn die erste Klebstoffschicht 3 eine unzureichende Klebeeigenschaft aufweist beziehungsweise eine der aktiven Schichten beispielsweise einer OLED eine geringere Haftung aufweist als die erste Klebstoffschicht.
6B zeigt eine Aufsicht auf das bereits in 6A gezeigte Bauelement. Die 6B zeigt, dass die aktive Schicht 2 mittig über einen Teil der Hauptoberfläche des Substrats 1 aufgebracht ist. Die Klebstoffschichten 3 und 3a sind über der aktiven Schicht 2 angeordnet und bedecken die Hauptoberfläche 2c der aktiven Schicht 2, wobei die Klebstoffschicht 3a vollständig umlaufend die erste Klebstoffschicht 3 angeordnet ist und über die Kanten 2a der aktiven Schicht 2 hinausragt. Ein Querschnitt entlang der gestrichelten Linie führt zur schematischen Schnittdarstellung des Bauelements gemäß 6A.
Im Unterschied zu dem Ausführungsbeispiel gemäß 6A zeigt das Ausführungsbeispiel gemäß 7, dass die Deckschicht 4 zusätzlich über den Seitenflächen der zweiten Klebstoffschicht 3a angeordnet ist. Da bei dieser Ausführungsform die Seitenflächen der Klebstoffschicht 3a von der Deckschicht 4 bedeckt sind, sind die Seitenflächen 2b der aktiven Schicht 2 besser vor Feuchtigkeit und Luft geschützt. Da die Klebstoffschicht 3a keine Getterpartikel aufweist und so möglicherweise keinen ausreichenden Schutz der Seitenflächen 2b der aktiven Schicht 2 vor Umwelteinflüssen bietet, ist diese Ausführungsform besonders in diesen Fällen geeignet.
Im Unterschied zu dem Ausführungsbeispiel gemäß 6A zeigt das Ausführungsbeispiel gemäß 8, dass die Klebstoffschicht 3a noch teilweise die zur aktiven Schicht 2 benachbarte Hauptoberfläche des Substrats 1 bedeckt.
In dem Ausführungsbeispiel gemäß 9 ist die Deckschicht 4 im Gegensatz zu dem Ausführungsbeispiel gemäß 8 auch über den Seitenflächen der Klebstoffschicht 3a angeordnet. Umfasst die Deckschicht 4 Glas wird die Deckschicht 4 mittels Glasfritten mit dem Substrat 1 verklebt. Analog zu dem Ausführungsbeispiel gemäß 7 sind die Seitenflächen der Klebstoffschicht 3a von der Deckschicht 4 bedeckt um die Seitenflächen 2b der aktiven Schicht 2 besser vor Feuchtigkeit und Luft zu schützten. Insbesondere wenn die Klebstoffschicht 3a keinen ausreichenden Schutz der Seitenflächen 2b der aktiven Schicht 2 bietet, ist diese Ausführungsform geeignet.
Alle in den 6A, 6B und 7 bis 9 gezeigten Ausführungsbeispiele sind auch mit vertauschten Anordnungen der ersten Klebstoffschicht 3 und der zweiten Klebstoffschicht 3a möglich. Durch die Anordnung der ersten Klebstoffschicht 3 über den Teilbereichen der Dünnfilmverkapselung, die die Kanten 2a und die Seitenflächen 2b der aktiven Schicht 2 bedecken, dringt die Feuchtigkeit erst verzögert über die Seitenflächen 2b in die aktive Schicht 2 vor und gleichzeitig wird eine hohe Haftfestigkeit der Dünnschichtverkapselung 5 und der Deckschicht 4 durch die zweite Klebstoffschicht 3a erreicht.
Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.

Claims

Verkapselung für ein organisches elektronisches Bauelement mit einer Schichtenfolge, die folgende Schichten umfasst: - mindestens eine Dünnschichtverkapselung (5), die auf der Schichtenfolge des organischen elektronischen Bauelements abgeschieden ist und eine Schichtdicke von 10 nm bis 500 nm aufweist, - zumindest eine erste Klebstoffschicht (3) angeordnet auf der mindestens einen Dünnschichtverkapselung (5), wobei die erste Klebstoffschicht (3) zumindest ein Gettermaterial umfasst und - eine Deckschicht (4) angeordnet auf der ersten Klebstoffschicht (3).
Verkapselung nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei das Gettermaterial Zeolithe umfasst.
Verkapselung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die erste Klebstoffschicht (3) zusätzlich wärmeleitende Partikel umfasst.
Verkapselung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, die mindestens eine zweite Dünnschichtverkapselung umfasst.
Organisches elektronisches Bauelement umfassend: - ein Substrat (1), - zumindest eine aktive Schicht (2), die auf dem Substrat (1) angeordnet ist, und - eine Verkapselung über der aktiven Schicht (2) nach einem der obigen Ansprüche.
Organisches elektronisches Bauelement nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei die Verkapselung keine Kavität aufweist.
Organisches elektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 5 bis 6, wobei die aktive Schicht (2) Kanten (2a) und Seitenflächen (2b) und eine von dem Substrat (1) abgewandte Hauptoberfläche (2c) aufweist und wobei die mindestens eine Dünnschichtverkapselung (5) zumindest die Kanten (2a) und/oder Seitenflächen (2b) und die von dem Substrat (1) abgewandte Hauptoberfläche (2c) der aktiven Schicht (2) bedeckt.
Organisches elektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 5 bis 7, wobei die mindestens eine Dünnschichtverkapselung (5) eine von der aktiven Schicht (2) abgewandte Hauptoberfläche aufweist und wobei die erste Klebstoffschicht (3) über der von der aktiven Schicht (2) abgewandten Hauptoberfläche der zumindest einen Dünnschichtverkapselung (5) angeordnet ist.
Organisches elektronisches Bauelement nach Anspruch 7 , wobei die erste Klebstoffschicht (3) die Teilbereiche der Dünnschichtverkapselung (5) bedeckt, die die Kanten (2a) und/oder Seitenflächen (2b) der aktiven Schicht (2) bedeckt.
Organisches elektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 5 bis 9, wobei eine zweite Klebstoffschicht (3a) vorhanden ist und wobei die zweite Klebstoffschicht (3a) zumindest teilweise um die erste Klebstoffschicht (3) umlaufend angeordnet ist.
Organisches elektronisches Bauelement nach Anspruch 8, wobei eine zweite Klebstoffschicht (3a) vorhanden ist und wobei die zweite Klebstoffschicht (3a) über der von der aktiven Schicht (2) abgewandten Hauptoberfläche der zumindest einen Dünnschichtverkapselung (5) angeordnet ist und die erste Klebstoffschicht (3) zumindest teilweise um die zweite Klebstoffschicht (3a) umlaufend angeordnet ist.
Organisches elektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 10 oder 11, wobei die zweite Klebstoffschicht (3a) frei von Gettermaterial ist.
Organisches elektronisches Bauelement nach Anspruch 8 oder 11, wobei die Deckschicht (4) über der von der aktiven Schicht (2) abgewandten Hauptoberfläche der zumindest einen Dünnschichtverkapselung (5) angeordnet ist.
Organisches elektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 6 bis 13, wobei das organische elektronische Bauelement eine organische Leuchtdiode umfasst, wobei die aktive Schicht (2) der organischen Leuchtdiode eine Strahlung emittiert, wobei die erste Klebstoffschicht (3) im Strahlengang der aktiven Schicht (2) angeordnet ist und wobei die Getterpartikel eine Streuwirkung in Bezug auf die Strahlung der aktiven Schicht (2) haben.
Verfahren zur Herstellung eines organischen elektronischen Bauelements, umfassend die Verfahrensschritte: A) Bereitstellen eines organischen elektronischen Schichtstapels umfassend eine erste und eine zweite Elektrode, ein Substrat (1) und zumindest eine aktive Schicht (2), B) Abscheiden mindestens einer Dünnschichtverkapselung (5) auf den Schichtstapel mittels chemischer Gasphasenabscheidung, physikalischer Gasphasenabscheidung oder Atomlagenabscheidung, sodass die Dünnschichtverkapselung (5) eine Schichtdickte von 10 nm bis 500 nm aufweist, C) Auftragen einer ersten Klebstoffschicht (3), die zumindest ein Gettermaterial umfasst, D) Anordnen einer Deckschicht (4) über der ersten Klebstoffschicht (3).
Verfahren nach Anspruch 15, wobei der Verfahrensschritt C) einen weiteren Verfahrensschritt C1) Auftragen einer zweiten Klebstoffschicht (3a) umfasst.