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Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung, das das Einkapseln des Leiterrahmens in einer Spritzform mit einem Harz umfasst.
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JP H05-185467-A offenbart ein Verfahren zum Anbringen eines Leiterrahmens in einem vertieften Abschnitt einer Spritzform und das Einkapseln des Leiterrahmens mit einem Harz. Dieses Verfahren staucht Abschnitte des Umfangs des Leiterrahmens, um seitliche Vorsprünge auszubilden. Diese seitlichen Vorsprünge blockieren den Spalt (nachstehend als Zwischenraum bezeichnet) zwischen dem Leiterrahmen und der Seitenoberfläche des vertieften Abschnitts der Spritzform, an der der Anguss mündet. Wenn ein Formharz nach dem Ausbilden der seitlichen Vorsprünge durch den Anguss eingespritzt wird, wird das Formharz durch diese seitlichen Vorsprünge blockiert. Dies verhindert eine Anlagerung des Formharzes an den Anschlüssen des Leiterrahmens.
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Es wurde jedoch festgestellt, dass, wenn die seitlichen Vorsprünge ausgebildet werden, wenn der Zwischenraum groß ist, sie nicht die gegenüberliegende Seitenoberfläche des vertieften Abschnitts erreichen können und daher den Zwischenraum nicht blockieren können. Um zu verhindern, dass dies geschieht, kann der vertiefte Abschnitt verschmälert werden, um die Größe des Zwischenraums im Voraus zu verkleinern. Dies hat jedoch zur Unfähigkeit, Variationen (Herstellungsvariationen) in der Größe des Leiterrahmens auszugleichen, geführt und einige größere Leiterrahmen wurden versehentlich zwischen die obere und die untere Form eingeklemmt.
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Die vorliegende Erfindung wurde gemacht, um die obigen Probleme zu lösen. Daher ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung zu schaffen, das verhindert, dass der Leiterrahmen versehentlich zwischen die obere und die untere Form eingeklemmt wird, sowie die Anlagerung des Formharzes an den Anschlüssen des Leiterrahmens verhindert.
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Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe durch ein Verfahren nach Anspruch 1 gelöst.
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Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung umfasst ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung die Schritte des Anbringens eines Leiterrahmens in einem vertieften Abschnitt einer unteren Form, des Bringens der unteren Form und der oberen Form miteinander zur Überlappung, so dass Einrichtungen zum Verschieben des Leiterrahmens den Leiterrahmen in Richtung von Einspritzoberflächen verschieben, von denen eine die Seitenoberfläche des vertieften Abschnitts der unteren Form ist, an der der Anguss mündet, und von denen die andere die Seitenoberfläche eines vertieften Abschnitts der oberen Form ist, an der der Anguss mündet, wobei die Verschiebungseinrichtungen am vertieften Abschnitt der unteren Form oder am vertieften Abschnitt der oberen Form ausgebildet sind, des Zusammenklemmens der unteren Form und der oberen Form, so dass mindestens ein an der oberen Form ausgebildeter Vorsprung einen Endabschnitt des Leiterrahmens staucht, um seitliche Vorsprünge auf der linken und der rechten Seite des Angusses auszubilden, wobei die seitlichen Vorsprünge den Spalt zwischen den Einspritzoberflächen und dem Leiterrahmen blockieren, und des Einspritzens eines Formharzes durch den Anguss.
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Weiterbildungen der Erfindung sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.
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Andere und weitere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der Erfindung werden genauer aus der folgenden Beschreibung ersichtlich.
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Weitere Merkmale und Zweckmäßigkeiten der Erfindung ergeben sich aus der Beschreibung von Ausführungsformen der Erfindung anhand der Figuren. Von den Figuren zeigen:
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1 eine Draufsicht einer oberen Form, die von einem Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung verwendet wird;
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2 eine Draufsicht einer unteren Form, die von dem Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform verwendet wird;
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3 eine Querschnittsansicht entlang der gestrichelten Linie III-III von 1;
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4 einen Ablaufplan, der das Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform zeigt;
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5 ein Diagramm, das den Leiterrahmen im vertieften Abschnitt der unteren Form angebracht zeigt;
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6 ein Diagramm, das die Weise zeigt, in der die obere und die untere Form miteinander zur Überlappung gebracht werden (oder in genaue Ausrichtung aufeinander gebracht werden), um den Leiterrahmen in Richtung der Einspritzoberfläche zu verschieben;
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7 die Weise, in der der Zwischenraum durch den ausgebildeten seitlichen Vorsprung des zweiten Endabschnitts des Leiterrahmens infolge der Vollendung des Formklemmens blockiert wird;
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8 eine Draufsicht, die den Leiterrahmen in der in 7 gezeigten unteren Form zeigt;
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9 ein Diagramm, das die Weise zeigt, in der die seitlichen Vorsprünge das Formharz blockieren;
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10 ein Diagramm, das die obere Form zeigt, die einen anderen Typ von Vorsprüngen aufweist;
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11 ein Diagramm, das die obere Form mit vier daran ausgebildeten Vorsprüngen zeigt;
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12 ein Diagramm, das die obere Form mit daran ausgebildeten zylindrischen Vorsprüngen und zylindrischen Verschiebungsvorsprüngen zeigt;
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13 ein Diagramm, das eine obere Form zeigt, die von einem Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung verwendet wird;
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14 ein Diagramm, das eine obere Form zeigt, die von einem Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung verwendet wird; und
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15 ein Diagramm, das eine obere Form und eine untere Form zeigt, die von einem Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung verwendet werden.
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Erste Ausführungsform
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1 ist eine Draufsicht einer oberen Form 10, die von einem Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung verwendet wird. In der oberen Form 10 ist ein vertiefter Abschnitt 12 ausgebildet, der relativ zum Umfangsabschnitt der oberen Form vertieft ist. Vorsprünge 14a und 14b und Verschiebungsvorsprünge 16a und 16b sind am vertieften Abschnitt 12 ausgebildet. Die Verschiebungsvorsprünge 16a und 16b sind länger als die Vorsprünge 14a und 14b. Im zentralen Abschnitt des vertieften Abschnitts 12 ist ein Hohlraum 18 ausgebildet, der relativ zum anderen Abschnitt des vertieften Abschnitts 12 vertieft ist.
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2 ist eine Draufsicht einer unteren Form 30, die vom Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform verwendet wird. In der unteren Form 30 ist ein vertiefter Abschnitt 32, der relativ zum Umfangsabschnitt der unteren Form vertieft ist, ausgebildet. Im zentralen Abschnitt des vertieften Abschnitts 32 ist ein Hohlraum 34 ausgebildet, der relativ zum anderen Abschnitt des vertieften Abschnitts 32 vertieft ist. Ein Anguss 36 mündet an einer Seitenoberfläche des vertieften Abschnitts 32 und dient als Weg zum Einspritzen eines Formharzes in die Hohlräume 18 und 34. Die Seitenoberfläche des vertieften Abschnitts 32, an der der Anguss 36 mündet, wird als ”Einspritzoberfläche 32a” bezeichnet.
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3 ist eine Querschnittsansicht entlang der gestrichelten Linie III-III von 1. Da die Seitenoberfläche des vertieften Abschnitts 12 benachbart zu und gegenüber dem Vorsprung 14a (wie in 3 zu sehen) eine einzelne Ebene mit der Einspritzoberfläche 32a der unteren Form 30 bildet, wenn die obere und die untere Form 10 und 30 zusammengeklemmt sind, wird diese Seitenoberfläche des vertieften Abschnitts 12 als ”Einspritzoberfläche 12a” bezeichnet.
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4 ist ein Ablaufplan, der das Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform zeigt. Das Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform wird mit Bezug auf diesen Ablaufplan beschrieben. Zuerst wird in Schritt 40 ein Leiterrahmen 50 im vertieften Abschnitt 32 der unteren Form 30 angebracht. Dieser Schritt wird mit Bezug auf 5 beschrieben. 5 ist ein Diagramm, das den Leiterrahmen 50 im vertieften Abschnitt 32 der unteren Form 30 angebracht zeigt.
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Da im Allgemeinen die Abmessungen von Leiterrahmen aufgrund von Fertigungsvariationen in einem gewissen Umfang variieren, ist der vertiefte Abschnitt 32 so ausgebildet, dass er Abmessungen aufweist, die etwas größer sind als die Entwurfsabmessungen des Leiterrahmens 50, wobei somit eine Sicherheitstoleranz vorgesehen ist. Daher ist ein Spalt (oder Zwischenraum) zwischen der Einspritzoberfläche 32a und dem Leiterrahmen 50 vorhanden.
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Die Verarbeitung geht dann zu Schritt 42 weiter. In Schritt 42 wird der Leiterrahmen 50 in Richtung der Einspritzoberfläche 32a verschoben. Dieser Schritt wird mit Bezug auf 6 beschrieben. 6 ist ein Diagramm, das die Weise zeigt, in der die obere und die untere Form 10 und 30 miteinander zur Überlappung gebracht werden (oder in genaue Ausrichtung aufeinander gebracht werden), um den Leiterrahmen in Richtung der Einspritzoberfläche 32a zu verschieben. In Schritt 42 werden die obere und die untere Form 10 und 30 miteinander zur Überlappung gebracht, so dass nur ein Abschnitt der Vorderkante des Verschiebungsvorsprungs 16a mit dem Endabschnitt des Leiterrahmens 50 entgegengesetzt zu jenem, der den Einspritzoberflächen 12a und 32a zugewandt ist, in Kontakt steht. (Der Endabschnitt des Leiterrahmens 50 entgegengesetzt zu jenem, der den Einspritzoberflächen 12a und 32a zugewandt ist, wird nachstehend als ”erster Endabschnitt” des Leiterrahmens 50 bezeichnet.)
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Die obere und die untere Form 10 und 30 werden dann weiter zueinander hin gebracht, wie durch die weißen Pfeile in 6 gezeigt, so dass der Verschiebungsvorsprung 16a den ersten Endabschnitt des Leiterrahmens 50 staucht. Da der erste Endabschnitt des Leiterrahmens 50 gestaucht wird, verschiebt sich der Leiterrahmen 50 ferner in Richtung der Einspritzoberflächen 12a und 32a. Die Richtung, in der sich der Leiterrahmen 50 verschiebt, ist durch den schwarzen Pfeil in 6 angegeben. Der Zwischenraum zwischen dem Leiterrahmen 50 und den Einspritzoberflächen 12a und 32a nach der Vollendung von Schritt 42 ist kleiner als jener vor Schritt 42. Es sollte beachtet werden, dass der Verschiebungsvorsprung 16b in derselben Weise wie der Verschiebungsvorsprung 16a funktioniert.
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Die Verarbeitung geht dann zu Schritt 44 weiter. In Schritt 44 werden die Formen zusammengeklemmt, um den Zwischenraum zu beseitigen. Insbesondere werden beim Formklemmen die obere und die untere Form 10 und 30 miteinander in Kontakt gebracht, so dass ein Formharz in die Hohlräume eingespritzt werden kann. In Schritt 44 wird die ganze Vorderkante des Vorsprungs 14a mit dem zum ersten Endabschnitt entgegengesetzten Endabschnitt des Leiterrahmens 50 in Kontakt gebracht. (Der zum ersten Endabschnitt entgegengesetzte Endabschnitt des Leiterrahmens 50 wird nachstehend als ”zweiter Endabschnitt” des Leiterrahmens 50 bezeichnet.)
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Die obere und die untere Form 10 und 30 werden dann weiter zusammengeklemmt, wie durch die weißen Pfeile in 7 angegeben, so dass der zweite Endabschnitt des Leiterrahmens 50 gestaucht wird und folglich ein Abschnitt dieses Endabschnitts seitlich in Richtung der Einspritzoberflächen 12a und 32a vorsteht, wodurch der Zwischenraum blockiert wird. 7 zeigt die Weise, in der der Zwischenraum durch den ausgebildeten seitlichen Vorsprung des zweiten Endabschnitts des Leiterrahmens 50 infolge der Vollendung des Formklemmens blockiert wird.
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Es sollte beachtet werden, dass der Vorsprung 14b in derselben Weise wie der Vorsprung 14a funktioniert.
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8 ist eine Draufsicht, die den Leiterrahmen 50 in der in 7 gezeigten unteren Form 30 zeigt. Wie gezeigt, wurde der erste Endabschnitt des Leiterrahmens 50 durch die Verschiebungsvorsprünge 16a und 16b gestaucht, so dass vertiefte Abschnitte 60a und 60b im ersten Endabschnitt ausgebildet sind. Ferner wurde der zweite Endabschnitt des Leiterrahmens 50 durch die Vorsprünge 14a und 14b gestaucht, so dass vertiefte Abschnitte 62a und 62b im zweiten Endabschnitt ausgebildet sind. Aufgrund der Ausbildung der vertieften Abschnitte 62a und 62b sind ferner seitliche Vorsprünge 64a und 64b auf der linken und der rechten Seite (oder entgegengesetzten Seiten) des Angusses 36 ausgebildet, um den Zwischenraum zu blockieren.
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Die Verarbeitung geht dann zu Schritt 46 weiter. In Schritt 46 wird ein Formharz 70 durch den Anguss 36 eingespritzt. Dieser Schritt wird mit Bezug auf 9 beschrieben. 9 ist ein Diagramm, das die Weise zeigt, in der die seitlichen Vorsprünge 64a und 64b das Formharz 70 blockieren. In Schritt 46 wird das Formharz 70 durch ein Transferpressverfahren in die Hohlräume 18 und 34 eingespritzt und dann wird ein Verweilprozess usw. ausgeführt, um ein Gehäuse auszubilden. Die seitlichen Vorsprünge 64a und 64b verhindern, dass sich der Fluss des Formharzes 70 entlang des Umfangs des Leiterrahmens 50 erstreckt, wie in 9 gezeigt.
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In dem Halbleitervorrichtungs-Herstellungsverfahren der ersten Ausführungsform werden die Vorsprünge 64a und 64b vor dem Einspritzen des Formharzes in Schritt 46 ausgebildet, um den Zwischenraum (zwischen der Einspritzoberfläche 32a und dem Leiterrahmen 50) auf der linken und der rechten Seite des Angusses 36 zu blockieren. Folglich wird das Formharz 70 eingespritzt, nachdem der Zwischenraum durch die seitlichen Vorsprünge 64a und 64b blockiert ist, was es möglich macht zu verhindern, dass das Formharz 70 umfangreich auf den Anschlüssen des Leiterrahmens 50 angelagert wird.
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Es sollte beachtet werden, dass gemäß der ersten Ausführungsform in Schritt 42 der Leiterrahmen 50 in Richtung der Einspritzoberfläche 32a verschoben wird, wodurch der Zwischenraum ausreichend verkleinert wird, bevor die seitlichen Vorsprünge 64a und 64b ausgebildet werden. Dies ermöglicht, dass der Zwischenraum durch die seitlichen Vorsprünge 64a und 64b zuverlässig blockiert wird, wenn diese Vorsprünge im folgenden Schritt ausgebildet werden.
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Gemäß dem Halbleitervorrichtungs-Herstellungsverfahren der ersten Ausführungsform muss der Zwischenraum zwischen der Einspritzoberfläche 32a und dem Leiterrahmen 50 vor dem Ausführen des Verschiebungsschritts (Schritt 42) nicht klein sein, da in Schritt 42 der Leiterrahmen verschoben wird, um den Zwischenraum zu verkleinern. Daher kann der vertiefte Abschnitt 32 breit genug gemacht werden, um Herstellungsvariationen in der Größe des Leiterrahmens 50 auszugleichen. Folglich ist es möglich zu verhindern, dass der Leiterrahmen versehentlich zwischen die obere und die untere Form eingeklemmt wird.
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Obwohl das Halbleitervorrichtungs-Herstellungsverfahren der ersten Ausführungsform den ersten und den zweiten Endabschnitt des Leiterrahmens staucht, ist die vorliegende Erfindung selbstverständlich nicht darauf begrenzt. Insbesondere umfasst das Verfahren der vorliegenden Erfindung den Schritt des Verschiebens des Leiterrahmens in eine vorbestimmte Position, was die hohe Steuerbarkeit der Position des Leiterrahmens schafft. Das heißt, der Leiterrahmen kann in die gewünschte Position gesetzt werden.
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Die hohe Steuerbarkeit der Position des Leiterrahmens ermöglicht, dass seitliche Vorsprünge ausgebildet werden, z. B. an den Führungssäulen des Leiterrahmens, die viel kleiner sind als der erste und der zweite Endabschnitt des Leiterrahmens. Insbesondere können die Führungssäulen durch einige Vorsprünge geschoben und gestaucht werden, um seitliche Vorsprünge auszubilden, um den Spalt zwischen den Führungssäulen und der oberen und der unteren Form zu blockieren. In diesem Fall kann die obere Form Führungssäulen-Stauchvorsprünge zum Stauchen eines Abschnitts einer Führungssäule aufweisen und die Führungssäulen können durch diese Vorsprünge in dem Schritt zum Ausbilden der seitlichen Vorsprünge gestaucht werden.
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10 ist ein Diagramm, das eine obere Form 80 zeigt, die Vorsprünge 82a und 82b anstelle der Vorsprünge 14a und 14b aufweist. Die Vorsprünge 82a und 82b sind nicht auf die Verschiebungsvorsprünge 16a und 16b ausgerichtet wie die Vorsprünge 14a und 14b in 1. Folglich können die Vorsprünge 82a und 82b an beliebigen Stellen ausgebildet werden, solange sie verwendet werden können, um seitliche Vorsprünge auf der linken und der rechten Seite des Angusses auszubilden. Insbesondere wenn die Führungssäulen schmal sind, können einige Vorsprünge an der oberen Form nicht auf die Verschiebungsvorsprünge ausgerichtet ausgebildet werden, falls erforderlich.
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Obwohl im Halbleitervorrichtungs-Herstellungsverfahren der ersten Ausführungsform zwei Vorsprünge (zusätzlich zu den Verschiebungsvorsprüngen) an der oberen Form ausgebildet sind, ist die vorliegende Erfindung selbstverständlich nicht auf diese Anordnung begrenzt und drei oder mehr Vorsprünge können an der oberen Form ausgebildet sein. Eine beispielhafte obere Form 90 mit vier daran ausgebildeten Vorsprüngen (zusätzlich zu den Verschiebungsvorsprüngen) wird mit Bezug auf 11 beschrieben. 11 ist ein Diagramm, das die obere Form 90 mit vier daran ausgebildeten Vorsprüngen 92a, 92b, 92c und 92d zeigt. Die Verwendung dieser oberen Form 90 ermöglicht, dass zwei seitliche Vorsprünge auf sowohl der linken als auch der rechten Seite des Angusses ausgebildet werden, was es möglich macht, zuverlässiger zu verhindern, dass das Formharz entlang des Umfangs des Leiterrahmens fließt.
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Obwohl im Halbleitervorrichtungs-Herstellungsverfahren der ersten Ausführungsform rechteckige Vorsprünge und rechteckige Verschiebungsvorsprünge an der oberen Form ausgebildet sind, ist die vorliegende Erfindung selbstverständlich nicht auf solche Vorsprünge begrenzt. Eine beispielhafte obere Form 100 mit daran ausgebildeten zylindrischen Vorsprüngen und zylindrischen Verschiebungsvorsprüngen wird mit Bezug auf 12 beschrieben. 12 ist ein Diagramm, das die obere Form 100 mit daran ausgebildeten zylindrischen Vorsprüngen 102a und 102b und zylindrischen Verschiebungsvorsprüngen 104a und 104b zeigt. Es ist leicht, die Position und den Durchmesser der zylindrischen Vorsprünge und zylindrischen Verschiebungsvorsprünge (manchmal als ”Stifte” bezeichnet) einzustellen, was es möglich macht, die Zeit und Kosten für die maschinelle Bearbeitung der Form zu verringern.
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Zweite Ausführungsform.
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13 ist ein Diagramm, das eine obere Form 110 zeigt, die von einem Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung verwendet wird. An der oberen Form 110 ist ein Verschiebungsvorsprung 112 ausgebildet. Die Vorderkante des Verschiebungsvorsprungs 112 weist eine geneigte Oberfläche auf, die schräg in Richtung des Angusses (d. h. in Richtung der Einspritzoberfläche 12a) gewandt ist. Das Halbleitervorrichtungs-Herstellungsverfahren der zweiten Ausführungsform verwendet diese obere Form 110 und stellt eine Halbleitervorrichtung in derselben Weise wie das Verfahren der ersten Ausführungsform her.
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Im Leiterrahmen-Verschiebungsschritt wird die geneigte Oberfläche des Verschiebungsvorsprungs 112 abgesenkt, um den ersten Endabschnitt des Leiterrahmens zu stauchen sowie den Leiterrahmen in Richtung der Einspritzoberfläche 12a zu verschieben. Da die Vorderkante des Verschiebungsvorsprungs 112 diese geneigte Oberfläche aufweist, ist es möglich, den Leiterrahmen sanft zu verschieben. Die zweite Ausführungsform behält auch die Vorteile der ersten Ausführungsform bei. Ferner ist die zweite Ausführungsform für Veränderungen empfänglich, die dieselben wie jene sind oder jenen entsprechen, die an der ersten Ausführungsform vorgenommen werden können.
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Dritte Ausführungsform
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14 ist ein Diagramm, das eine obere Form 120 zeigt, die von einem Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung verwendet wird. An der oberen Form 120 ist eine geneigte Oberfläche 122 ausgebildet. Diese geneigte Oberfläche 122 weist die Funktionen sowohl der Vorsprünge als auch der Verschiebungsvorsprünge der ersten Ausführungsform auf. Das Halbleitervorrichtungs-Herstellungsverfahren der dritten Ausführungsform verwendet diese obere Form 120 und stellt eine Halbleitervorrichtung in derselben Weise wie das Verfahren der ersten Ausführungsform her.
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Im Leiterrahmen-Verschiebungsschritt wird die geneigte Oberfläche 122 abgesenkt, um den ersten Endabschnitt des Leiterrahmens zu stauchen sowie den Leiterrahmen in Richtung der Einspritzoberfläche zu verschieben. Ferner wird im Schritt zum Ausbilden der seitlichen Vorsprünge die geneigte Oberfläche 122 verwendet, um den zweiten Endabschnitt des Leiterrahmens zu stauchen, um einen seitlichen Vorsprung auszubilden. Diese obere Form 120 mit der geneigten Oberfläche 122 weist eine einfache Konstruktion auf, da sie keine Vorsprünge und Verschiebungsvorsprünge wie z. B. jene der ersten und der zweiten Ausführungsform aufweist, was zu verringerten Kosten für die maschinelle Bearbeitung der oberen Form führt. Die dritte Ausführungsform behält auch die Vorteile der ersten Ausführungsform bei. Ferner ist die dritte Ausführungsform für Veränderungen empfänglich, die dieselben wie jene sind oder jenen entsprechen, die an der ersten Ausführungsform vorgenommen werden können.
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Vierte Ausführungsform
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15 ist ein Diagramm, das eine obere Form 130 und eine untere Form 140 zeigt, die von einem Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung verwendet werden. Ein Vorsprung 14a ist an der oberen Form 130 ausgebildet. Eine geneigte Oberfläche 142 ist an der unteren Form 140 ausgebildet und ist schräg dem Anguss (d. h. in Richtung der Einspritzoberflächen 12a und 32a) zugewandt. Das Halbleitervorrichtungs-Herstellungsverfahren der vierten Ausführungsform verwendet diese obere und untere Form 130 und 140 und stellt eine Halbleitervorrichtung in derselben Weise wie das Verfahren der ersten Ausführungsform her.
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Im Leiterrahmen-Verschiebungsschritt wird die obere Form 130 abgesenkt, um den in der unteren Form 140 angebrachten Leiterrahmen so zu schieben, dass sich der Leiterrahmen in Richtung der Einspritzoberflächen verschiebt. Folglich ist die Spritzform der vierten Ausführungsform (einschließlich der oberen und der unteren Form 130 und 140) in der Konstruktion einfacher als jene der ersten Ausführungsform, da die obere Form 130 keine Verschiebungsvorsprünge aufweisen muss, die in Verbindung mit der ersten Ausführungsform beschrieben wurden, und statt dessen die geneigte Oberfläche 142 der unteren Form 140 die Funktion der Verschiebungsvorsprünge erfüllt. Dies führt zu verringerten Kosten für die maschinelle Bearbeitung der Form. Die vierte Ausführungsform behält auch die Vorteile der ersten Ausführungsform bei. Ferner ist die vierte Ausführungsform für Veränderungen empfänglich, die dieselben wie jene sind oder jenen entsprechen, die an der ersten Ausführungsform vorgenommen werden können.
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In anderen Ausführungsformen kann eine beliebige andere geeignete Verschiebungseinrichtung an dem vertieften Abschnitt der unteren Form oder oberen Form vorgesehen sein, um den Leiterrahmen in Richtung der Einspritzoberflächen zu verschieben.
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Folglich macht es die vorliegende Erfindung möglich zu verhindern, dass der Leiterrahmen versehentlich zwischen die obere und die untere Form eingeklemmt wird, sowie die Anlagerung des Formharzes an den Anschlüssen des Leiterrahmens zu verhindern.
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Offensichtlich sind viele Modifikationen und Veränderungen der vorliegenden Erfindung angesichts der obigen Lehren möglich. Daher kann die Erfindung selbstverständlich innerhalb des Schutzbereichs der beigefügten Ansprüche anders als speziell beschrieben ausgeführt werden.
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Obwohl die Erfindung ausführlich beschrieben und gezeigt wurde, soll dies selbstverständlich lediglich zur Erläuterung und als Beispiel dienen und nicht als Beschränkung verstanden werden, wobei der Erfindungsgedanke und der Umfang der Erfindung lediglich durch die beigefügten Ansprüche beschränkt sind.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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