[go: up one dir, main page]

DE102011079854A1 - Sensing unit for use in measurement device for detection of e.g. temperature of substance, has conductor element comprising reflectance locations, where partial reflection of signal occurs at locations based on measured variable - Google Patents

Sensing unit for use in measurement device for detection of e.g. temperature of substance, has conductor element comprising reflectance locations, where partial reflection of signal occurs at locations based on measured variable Download PDF

Info

Publication number
DE102011079854A1
DE102011079854A1 DE102011079854A DE102011079854A DE102011079854A1 DE 102011079854 A1 DE102011079854 A1 DE 102011079854A1 DE 102011079854 A DE102011079854 A DE 102011079854A DE 102011079854 A DE102011079854 A DE 102011079854A DE 102011079854 A1 DE102011079854 A1 DE 102011079854A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
conductor element
reflection
measured variable
signals
sensor element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
DE102011079854A
Other languages
German (de)
Inventor
Michael Korn
Stephan Konrad
Alfred Zotz
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Endress and Hauser Wetzer GmbH and Co KG
Original Assignee
Endress and Hauser Wetzer GmbH and Co KG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Endress and Hauser Wetzer GmbH and Co KG filed Critical Endress and Hauser Wetzer GmbH and Co KG
Priority to DE102011079854A priority Critical patent/DE102011079854A1/en
Publication of DE102011079854A1 publication Critical patent/DE102011079854A1/en
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01KMEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/16Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/0001Transmitting or indicating the displacement of elastically deformable gauges by electric, electro-mechanical, magnetic or electro-magnetic means
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01KMEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/16Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements
    • G01K2007/166Electrical time domain reflectometry

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)

Abstract

The unit (1) has a conductor element (2) comprising reflectance locations (A) that are discretely arranged along a longitudinal axis, where partial reflection of an electromagnetic signal (EM) and impedance alteration of the conductor element occur at the locations based on a chemically and/or physically measured variable. Two portions of the conductor element exhibit a dielectric constant (epsilon1) and another dielectric constant, respectively. The locations exhibit different reflectance behavior that is changed based on temperature or pressure in environment of the conductor element. The electromagnetic signal is high frequency signal, a continuous wave signal and/or pulse-type signal. An independent claim is also included for a method for determining a chemically and/or physically measured variable.

Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Sensorelement zur Erfassung einer chemischen und/oder physikalischen Messgröße, umfassend ein Leiterelement, in das elektromagnetische Signale einkoppelbar sind, sowie auf eine Messvorrichtung mit einem solchen Sensorelement.The invention relates to a sensor element for detecting a chemical and / or physical measured variable, comprising a conductor element, in which electromagnetic signals can be coupled, and to a measuring device with such a sensor element.

Die Erfindung bezieht sich auch auf ein Verfahren zur Bestimmung einer chemischen und/oder physikalischen Messgröße, wobei elektromagnetische Signale in ein Leiterelement eingekoppelt werden.The invention also relates to a method for determining a chemical and / or physical measured variable, wherein electromagnetic signals are coupled into a conductor element.

Für die Messung von Temperaturen gibt es verschiedenste Methoden, die jedoch nahezu allesamt die Eigenschaft haben, eine Temperatur nur punktuell bestimmen zu können. Will man eine Temperaturverteilung messen, so hat man nur noch sehr wenige Messverfahren zur Auswahl, wie z. B. die faseroptische Temperaturmessung.For the measurement of temperatures, there are a variety of methods, but almost all have the property of being able to determine a temperature only selectively. If you want to measure a temperature distribution, so you have only very few methods of measurement to choose from such. B. the fiber optic temperature measurement.

So ist bspw. aus der Patentschrift US 3938385 ein Temperatursensor in Form eines Koaxialkabels bekannt geworden. Dabei wird die Temperaturabhängigkeit der Leiterelemente des Koaxialkabels ausgenutzt, um mittels Zeitbereichsreflektometrie eine Temperaturverteilung entlang des Kabels zu bestimmen.For example, from the patent US 3938385 a temperature sensor in the form of a coaxial cable has become known. The temperature dependence of the conductor elements of the coaxial cable is exploited in order to determine a temperature distribution along the cable by means of time domain reflectometry.

Ferner ist aus der Patentschrift US 3938385 eine Kette von temperaturabhängigen Widerständen bekannt. Dafür werden mehrere temperaturabhängige Widerstände nahe beieinander an einer Stahlkette befestigt. Die elektrischen Signale der einzelnen Sensoren werden dann an ein Datenverarbeitungssystem übertragen.Furthermore, from the patent US 3938385 a chain of temperature-dependent resistors known. For this purpose, several temperature-dependent resistors are fastened close to one another on a steel chain. The electrical signals of the individual sensors are then transmitted to a data processing system.

Eine weitere Möglichkeit, eine Temperaturverteilung zu messen, stellt die vorliegende Erfindung dar.Another way to measure a temperature distribution is the present invention.

Die Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein Sensorelement, eine Messvorrichtung und ein Verfahren gelöst.The object is achieved by a sensor element, a measuring device and a method.

Hinsichtlich des Sensorelements wird die Aufgabe dadurch gelöst, dass das Leiterelement diskrete entlang seiner Längsachse angeordnete Reflexionsstellen aufweist, an denen in Abhängigkeit der Messgröße eine wenigstens teilweise Reflexion des elektromagnetischen Signals auftritt.With regard to the sensor element, the object is achieved in that the conductor element has discrete reflection points arranged along its longitudinal axis, at which an at least partial reflection of the electromagnetic signal occurs as a function of the measured variable.

Die Erfindung basiert auf der Tatsache, dass ein oder mehrere hochfrequente oder pulsförmige Signale, die sich in einer Leitung mit gleich bleibender Leitungsimpedanz ausbreiten, an Punkten reflektiert werden, an denen bspw. eine Impedanzänderung auftritt. Das Leiterelement dient also zur Leitung von elektromagnetischen Signalen. Das Leiterelement in dem sich die elektromagnetischen Signale ausbreiten, kann eine oder mehrere Reflexionsstellen aufweisen, an denen eine Reflexion der elektromagnetischen Signale auftritt. Es ist eine Idee der Erfindung die Reflexion von Signalen an diesen Reflexionsstellen auszunutzen, um bspw. die Temperaturverteilung oder die Druckverteilung entlang des Sensorelements, das bspw. in einem Tank in dem sich ein Messstoff befindet, untergebracht ist, zu bestimmen. Allgemein gesagt, kann das Leiterelement also aus Materialien bestehen, deren physikalische Eigenschaften sich in Abhängigkeit von der Messgröße derart verändern, dass sich auch das Reflexionsverhalten von elektromagnetischen Wellen ändert. Besteht das Leiterelement aus unterschiedlichen Materialien, die sich hinsichtlich ihrer Abhängigkeit, d. h. der Änderung ihrer physikalischen Eigenschaften, von der Messgröße unterscheiden, so ändert sich auch am Übergang zwischen den Materialien das Reflexionsverhalten der elektromagnetischen Signale. Die unterschiedlichen Materialien und/oder Reflexionsstellen sind dabei bspw. entlang der Längsachse des Sensorelements aneinander angrenzend bzw. nacheinander angeordnet. Zu diesem Zweck können bspw. zwei oder mehr, insbesondere drei, Materialien verwendet werden aus denen das Leiterelement besteht.The invention is based on the fact that one or more high-frequency or pulsed signals propagating in a line with constant line impedance are reflected at points at which, for example, an impedance change occurs. The conductor element thus serves to conduct electromagnetic signals. The conductor element in which the electromagnetic signals propagate can have one or more reflection points, at which a reflection of the electromagnetic signals occurs. It is an idea of the invention to exploit the reflection of signals at these reflection points in order to determine, for example, the temperature distribution or the pressure distribution along the sensor element, which, for example, is located in a tank in which a medium is located. Generally speaking, the conductor element can therefore consist of materials whose physical properties change in such a way depending on the measured variable that the reflection behavior of electromagnetic waves also changes. Is the conductor element made of different materials, which vary depending on their dependence, d. H. the change in their physical properties, differ from the measured variable, the reflection behavior of the electromagnetic signals also changes at the transition between the materials. The different materials and / or reflection points are, for example, along the longitudinal axis of the sensor element adjacent to each other or arranged successively. For this purpose, for example, two or more, in particular three, materials may be used from which the conductor element consists.

In einer Ausführungsform des Sensorelements findet an den Reflexionsstellen eine Impedanzänderung des Leiterelements in Abhängigkeit der Messgröße statt. Eine Impedanzänderung an einer Stelle in dem Leiterelement in Abhängigkeit der Messgröße verursacht auch eine Änderung des Reflexionsverhaltens der sich in dem Leiterelelement ausbreitenden elektromagnetischen Signale. An einer solchen Reflexionsstelle kann bspw. ein Messelement, das seine Impedanz in Abhängigkeit von der Messgröße ändert, mit dem Leiterelement verbunden sein. Der Punkt an dem das Messelement mit dem Leiterelement verbunden ist, bildet dann eine Reflexionsstelle. Eine Änderung der Impedanz dieses Messelements, bei dem es sich bspw. um einen temperaturabhängigen Widerstand handelt, verursacht dann an der Reflexionsstelle, über welche das Messelement mit dem Leiterelement verbunden ist, bspw. eine Impedanzänderung, so dass das Reflexionsverhalten eines elektromagnetischen Signals sich an dieser Reflexionsstelle ändert. Elektromagnetische Signale werden daher an der Reflexionsstelle in Abhängigkeit des Reflexionsverhaltens, das von der Messgröße abhängig ist, unterschiedlich stark reflektiert. In einer alternativen Ausführungsform besteht das Leiterelement aus mehreren aneinander grenzenden Abschnitten, wobei sich aneinander grenzende Abschnitte bspw. hinsichtlich ihrer Permittivität voneinander unterscheiden.In one embodiment of the sensor element, an impedance change of the conductor element as a function of the measured variable takes place at the reflection points. An impedance change at a position in the conductor element as a function of the measured variable also causes a change in the reflection behavior of the electromagnetic signals propagating in the conductor element. For example, a measuring element which changes its impedance as a function of the measured variable can be connected to the conductor element at such a reflection point. The point at which the measuring element is connected to the conductor element then forms a reflection point. A change in the impedance of this measuring element, which is, for example, a temperature-dependent resistor, then causes at the reflection point, via which the measuring element is connected to the conductor element, for example. An impedance change, so that the reflection behavior of an electromagnetic signal at this Reflection point changes. Electromagnetic signals are therefore at the reflection point as a function of the reflection behavior, which is dependent on the measured variable, reflected to different degrees. In an alternative embodiment, the conductor element consists of several adjoining sections, wherein adjoining sections, for example, differ from each other in terms of their permittivity.

In einer weiteren Ausführungsform des Sensorelements weist das Leiterelement mehrere diskrete Abschnitte entlang der Längsachse auf, die sich hinsichtlich ihres Reflexionsverhaltens in Abhängigkeit der Messgröße voneinander unterscheiden und Reflexionsstellen bilden. Diese Abschnitte können also bspw. aus Materialien bestehen, deren physikalische Eigenschaften sich in unterschiedlicher Weise in Abhängigkeit von der Messgröße verändern. In a further embodiment of the sensor element, the conductor element has a plurality of discrete sections along the longitudinal axis, which differ from one another with regard to their reflection behavior as a function of the measured variable and form reflection points. For example, these sections may consist of materials whose physical properties change in different ways depending on the measured variable.

Ferner kann das Sensorelement so ausgelegt sein, dass sämtliche Reflexionsstellen in dem Leiterelement ein im Wesentlichen gleiches Reflexionsverhalten bei einer bestimmten Temperatur oder allgemein bei einem bestimmten Wert der Messgröße aufweisen. Alternativ weisen die Reflexionsstellen ein unterschiedliches Reflexionsverhalten in Abhängigkeit eines Werts der Messgröße auf.Furthermore, the sensor element can be designed so that all reflection points in the conductor element have a substantially equal reflection behavior at a certain temperature or generally at a certain value of the measured variable. Alternatively, the reflection points have a different reflection behavior as a function of a value of the measured variable.

In einer weiteren Ausführungsform des Sensorelements weist das Leiterelement in einem ersten Abschnitt ein erstes Dielektrikum und in einem zweiten Abschnitt ein zweites Dielektrikum auf, wobei sich das erste Dielektrikum von dem zweiten Dielektrikum hinsichtlich seiner Permittivität in Abhängigkeit der Messgröße unterscheidet. Vorzugsweise wird also wenigstens ein Material eingesetzt, dessen Permittivität sich in Abhängigkeit der Messgröße ändert. So sind bspw. Materialien bekannt, deren Permittivität sich in Abhängigkeit der Temperatur oder des Drucks ändert. Das Sensorelement besteht daher vorzugsweise aus unterschiedlichen Dielektrika.In a further embodiment of the sensor element, the conductor element has a first dielectric in a first section and a second dielectric in a second section, wherein the first dielectric differs from the second dielectric in terms of its permittivity as a function of the measured variable. Preferably, therefore, at least one material is used whose permittivity changes as a function of the measured variable. For example, materials are known whose permittivity changes as a function of the temperature or the pressure. The sensor element therefore preferably consists of different dielectrics.

In einer weiteren Ausführungsform des Sensorelements sind mehrere aus dem ersten und dem zweiten Abschnitt bestehende Segmente insbesondere unmittelbar aneinandergereiht. Eine Reflektionsstelle wird bspw. aus dem Übergang zwischen zwei verschiedenen Materialien oder Abschnitten mit unterschiedlicher Permittivität gebildet. Diese beiden Abschnitte des Leiterelements bilden dann ein Segment des Leiterelements. Ein Leiterelement kann aus mehreren derartigen Segmenten bestehen. Zwischen diesen Segmenten kann das Leiterelement auch aus anderen Materialien oder Abschnitten mit anderer Permittivität bestehen.In a further embodiment of the sensor element, a plurality of segments consisting of the first and the second section are in particular arranged directly next to one another. A reflection point is formed, for example, from the transition between two different materials or sections with different permittivity. These two sections of the conductor element then form a segment of the conductor element. A conductor element may consist of several such segments. Between these segments, the conductor element can also consist of other materials or sections with different permittivity.

In einer weiteren Ausführungsform des Sensorelements ändert sich das Reflexionsverhalten in Abhängigkeit der Temperatur oder des Drucks. Ferner kann eine Änderung des Reflexionsverhaltens auch auf eine Längenänderung der verwendeten Materialien zurückgeführt werden. Durch diese Längenänderung(en) lassen sich ebenfalls, bspw. durch Laufzeitanalyse eines in das Leiterelement eingekoppelten und reflektierten Signals, Änderungen in der Messgröße detektieren. So kann bspw. die Permittivität der verwendeten Materialien im Wesentlichen konstant oder unabhängig von der Messgröße sein, jedoch kann die Längenausdehnung abhängig von der Messgröße sein.In a further embodiment of the sensor element, the reflection behavior changes as a function of the temperature or the pressure. Furthermore, a change in the reflection behavior can also be attributed to a change in length of the materials used. By means of this change in length (s), it is likewise possible, for example by means of transit time analysis of a signal coupled into the conductor element and reflected, to detect changes in the measured variable. Thus, for example, the permittivity of the materials used may be substantially constant or independent of the measured variable, but the length expansion may be dependent on the measured variable.

In einer weiteren Ausführungsform des Sensorelements werden durch den wenigstens einen ersten Abschnitt und den wenigstens einen zweiten Abschnitt Reflexionsstellen gebildet, an denen eine wenigstens teilweise Reflexion der elektromagnetischen Signale auftritt. Deine Reflexion eines oder mehrerer elektromagnetischer Signale in dem Leiterelement, tritt dabei an der Grenzfläche zwischen den beiden Abschnitten auf.In a further embodiment of the sensor element, reflection sites are formed by the at least one first section and the at least one second section, at which an at least partial reflection of the electromagnetic signals occurs. Your reflection of one or more electromagnetic signals in the conductor element occurs at the interface between the two sections.

Die Aufgabe wird ferner durch eine Messvorrichtung mit einem Sensorelement nach wenigstens einer der vorherigen Ausführungsformen gelöst. Das Sensorelement kann zu diesem Zweck mit einem Messumformer verbunden sein, der zum Erzeugen und/oder zur Auswerten der elektromagnetischen Signale dient, die in das Sensorelement ein- bzw. ausgekoppelt werden. Die Messvorrichtung umfasst bspw. ein Sensorelement nach einer der beschriebenen Ausführungsformen und einen Messumformer.The object is further achieved by a measuring device with a sensor element according to at least one of the previous embodiments. For this purpose, the sensor element can be connected to a measuring transducer which serves to generate and / or evaluate the electromagnetic signals which are coupled into or out of the sensor element. The measuring device comprises, for example, a sensor element according to one of the described embodiments and a measuring transducer.

Die Aufgabe wird zudem durch ein Verfahren zur Bestimmung einer chemischen und/oder physikalischen Messgröße gelöst, wobei wenigstens ein elektromagnetisches Signal in ein Leiterelement eingekoppelt wird, welches Signal in Abhängigkeit der Messgröße an diskreten Reflektionsstellen des Leiterelements wenigstens teilweise reflektiert wird, und vermittels wenigstens des reflektierten Signals die Messgröße bestimmt wird.The object is also achieved by a method for determining a chemical and / or physical measurand, wherein at least one electromagnetic signal is coupled into a conductor element, which signal is at least partially reflected as a function of the measured variable at discrete reflection points of the conductor element, and by means of at least the reflected Signal the measured variable is determined.

In einer Ausführungsform des Verfahrens wird vermittels des reflektierten Signals auf die Verteilung der Messgröße entlang des Sensorelements geschlossen.In one embodiment of the method, the distribution of the measured variable along the sensor element is concluded by means of the reflected signal.

In einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens werden als elektromagnetische Signale hochfrequente Signale, insbesondere Dauersignale, sog. continious-wave Signale, und/oder pulsförmige Signale eingesetzt.In a further embodiment of the method, high-frequency signals, in particular continuous signals, so-called continious-wave signals, and / or pulsed signals are used as electromagnetic signals.

In einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens wird als Leiterelement ein Sensorelement nach wenigstens einer der vorgeschlagenen Ausführungsformen verwendet.In a further embodiment of the method, a sensor element according to at least one of the proposed embodiments is used as the conductor element.

In einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens wird anhand der Reflexion des elektromagnetischen Signals an der wenigstens einen Reflexionsstelle eine Temperaturverteilung und/oder eine Druckverteilung entlang des Leiterelements bestimmt.In a further embodiment of the method, based on the reflection of the electromagnetic signal at the at least one reflection point, a temperature distribution and / or a pressure distribution along the conductor element is determined.

In einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens wird zur Auswertung die Laufzeit der elektromagnetischen Signale und/oder die Amplitude und/oder die Phasenbeziehung zwischen den elektromagnetischen Signalen verwendet.In a further embodiment of the method, the duration of the electromagnetic signals and / or the amplitude and / or the phase relationship between the electromagnetic signals used.

Die Erfindung wird anhand der nachfolgenden Zeichnungen näher erläutert. Es zeigt:The invention will be explained in more detail with reference to the following drawings. It shows:

1: eine schematische Darstellung einer ersten Ausführungsform der vorgeschlagenen Erfindung mit einem Sensorelement bestehend aus unterschiedlichen Dielektrika, 1 FIG. 2: a schematic representation of a first embodiment of the proposed invention with a sensor element consisting of different dielectrics, FIG.

2: eine schematische Darstellung einer zweiten Ausführungsform der vorgeschlagenen Erfindung ebenfalls bestehend aus Abschnitten unterschiedlicher Dielektrika, 2 FIG. 2: a schematic representation of a second embodiment of the proposed invention likewise consisting of sections of different dielectrics, FIG.

3: eine schematische Darstellung einer dritten Ausführungsform der vorgeschlagenen Erfindung bei der temperaturabhängige Widerstände mit dem Leiterelement des Sensorelements an diskreten Stellen verbunden sind, 3 FIG. 2 shows a schematic illustration of a third embodiment of the proposed invention in which temperature-dependent resistors are connected to the conductor element of the sensor element at discrete locations, FIG.

4: eine schematische Darstellung einer alternativen Anordnung der temperaturabhängigen Widerstandselemente gemäß der dritten Ausführungsform der vorgeschlagenen Erfindung bei der temperaturabhängige Widerstände mit dem Leiterelement des Sensorelements an diskreten Stellen verbunden sind, 4 : a schematic representation of an alternative arrangement of the temperature-dependent resistance elements according to the third embodiment of the proposed invention in which temperature-dependent resistors are connected to the conductor element of the sensor element at discrete locations,

5: eine schematische Darstellung eines Abschnitts eines Leiterelements eines Sensorelements, 5 FIG. 2: a schematic representation of a section of a conductor element of a sensor element, FIG.

6: eine schematische Darstellung eines Sensorelements mit mehreren diskreten Refexionsstellen gemäß der dritten Ausführungsform der vorgeschlagenen Erfindung, 6 FIG. 2: a schematic representation of a sensor element with a plurality of discrete reflection sites according to the third embodiment of the proposed invention, FIG.

7: eine schematische Darstellung einer fünften Ausführungsform der vorgeschlagenen Erfindung, 7 FIG. 2 is a schematic representation of a fifth embodiment of the proposed invention, FIG.

8: eine schematische Darstellung eines Signalverlaufs eines in ein vorgeschlagenes Sensorelement eingekoppelten bzw. reflektierten elektromagnetischen Signals, und 8th FIG. 2: a schematic representation of a signal course of an electromagnetic signal coupled or reflected in a proposed sensor element, and FIG

9: eine schematische Darstellung des Signalsverlaufs von in einem vorgeschlagenen Sensorelement reflektierten Signalen. 9 : A schematic representation of the waveform of reflected signals in a proposed sensor element.

1 zeigt einen Generator G, der an einen Richtkoppler angeschlossen ist. Vom Richtkoppler führt eine Leitung in diesem Fall mit koaxialem Aufbau zu einer Abschlussimpedanz Z0. Die Leitung besteht aus mehreren Abschnitten, wobei aneinander grenzende Abschnitte aus unterschiedlichen Dielektrika bestehen. Dabei besitzen Leitungsstücke mit einem ersten Dielektrikum ε1, eine Leitungsimpedanz Z0. Ein zweites Leitungsstück weist ein zweites Dielektrikum ε2 auf, das eine gegenüber dem ersten Dielektrikum hohe Abhängigkeit von der zu messenden physikalischen Größe aufweisen. Da die Leitungsimpedanz ZL der Leitung vom eingesetzten Dielektrikum abhängig ist, ist sie somit auch von der zu messenden Größe abhängig. Dadurch ist es möglich unterschiedliche physikalische Größen zu messen. Die folgenden Beispiele sind auf die Messung der Temperatur beschränkt. Die Leitungsabschnitte mit ε2 haben somit eine Impedanz, die z. B. von der Umgebungstemperatur abhängt. Sobald sich ZL von Z0 unterscheidet, tritt an diesen Punkten eine Reflexion des vom Generator G eingespeisten hochfrequenten oder pulsförmigen elektromagnetischen Signals auf. Der Grad dieser Reflexion hängt direkt von der Impedanzänderung ZL – Z0, und somit von der zur messenden Größe ab. Die zu messende Größe wird also in der Amplitude des reflektierten Signals repräsentiert. Das reflektierte Signal wird über den Richtkoppler einem Signalanalysator zugeführt, der aus der Amplitude des Signals die Messgröße bestimmt. 1 shows a generator G, which is connected to a directional coupler. From the directional coupler leads a line in this case with a coaxial structure to a terminating impedance Z 0 . The line consists of several sections, with adjoining sections consisting of different dielectrics. In this case, line sections having a first dielectric ε 1 , a line impedance Z 0 . A second line segment has a second dielectric ε 2 , which has a high dependence on the physical variable to be measured in comparison to the first dielectric. Since the line impedance Z L of the line is dependent on the dielectric used, it is therefore also dependent on the size to be measured. This makes it possible to measure different physical quantities. The following examples are limited to the measurement of temperature. The line sections with ε 2 thus have an impedance z. B. depends on the ambient temperature. As soon as Z L differs from Z 0 , a reflection of the high-frequency or pulse-shaped electromagnetic signal fed from the generator G occurs at these points. The degree of this reflection depends directly on the impedance change Z L - Z 0 , and thus on the quantity to be measured. The quantity to be measured is thus represented in the amplitude of the reflected signal. The reflected signal is fed via the directional coupler to a signal analyzer, which determines the measured variable from the amplitude of the signal.

Da nur ein kleiner Teil des eingespeisten elektromagnetischen Signals EM von den Impedanzübergängen, d. h. den Reflexionsstellen A, reflektiert wird, ist eine Anordnung von mehreren Abschnitten mit ε2 hintereinander möglich. Der Signalanalysator S kann somit anhand der unterschiedlichen Signallaufzeiten der reflektierten Signale auf die örtliche Verteilung der Messgröße entlang des Leiterelements bzw. des Sensorelements schließen.Since only a small part of the injected electromagnetic signal EM is reflected by the impedance transitions, ie the reflection points A, an arrangement of several sections with ε 2 in succession is possible. The signal analyzer S can thus conclude the local distribution of the measured variable along the conductor element or the sensor element on the basis of the different signal propagation times of the reflected signals.

2 zeigt einen Aufbau entsprechend dem Aufbau aus 1. Allerdings wird bei diesem Messprinzip ein Dielektrikum ε2 eingesetzt, das eine möglichst kleine Temperaturabhängigkeit aufweist, sich aber dennoch von dem Dielektrikum ε1 unterscheidet, so dass Reflexionen im Kabel auftreten. Da mit einer Temperaturänderung auch eine Längenausdehnung des Leiterelements 2, insbesondere der verschiedenen Abschnitte des Leiterelements 2, das hier als Kabel ausgestaltet ist, einhergeht, kann durch die Messung der Laufzeiten t1 (Übergang ε121) und t2 auf die Temperatur in diesem Bereich des Leiterelements 2 geschlossen werden. 2 shows a structure according to the structure 1 , However, in this measuring principle, a dielectric ε 2 is used, which has the smallest possible temperature dependence, but nevertheless differs from the dielectric ε 1 , so that reflections occur in the cable. As with a change in temperature, a longitudinal expansion of the conductor element 2 , in particular the different sections of the conductor element 2 , which is designed here as a cable, is accompanied by the measurement of the transit times t 1 (transition ε 121 ) and t 2 to the temperature in this region of the conductor element 2 getting closed.

3 zeigt eine zu 1 alternative Ausführungsform. Gemäß 3 werden die Abschnitte, die aus dem Dielektrikum ε2 bestehen, durch diskrete, temperaturabhängige Widerstände ersetzt. Da an den Übergängen von Z0 zu R(T) ebenfalls Reflexionen auftreten, kann die Temperatur der Messelemente über die Amplituden der Reflexionen analog zur Messmethode, wie sie in der Figurenbeschreibung zu 1 beschrieben ist, bestimmt werden. Der Unterschied zu Messmethode gemäß 1 und 2 besteht darin, dass der temperaturabhängige Widerstand R(T) praktisch keine örtliche Ausdehnung besitzt und so nur eine Reflexion pro Widerstandselement R auftritt. Das bedeutet, dass für die nachfolgenden Abschnitte des Leiterelements 2 ein stärkeres Signal zur Verfügung steht. 3 shows one too 1 alternative embodiment. According to 3 the sections that consist of the dielectric ε 2 , replaced by discrete, temperature-dependent resistors. Since reflections also occur at the transitions from Z 0 to R (T), the temperature of the measuring elements can be determined by the amplitudes of the reflections analogously to the measuring method as described in the description of the figures 1 described. The difference to measuring method according to 1 and 2 is that the temperature-dependent resistor R (T) practically no local expansion has and thus only one reflection per resistance element R occurs. This means that for the subsequent sections of the ladder element 2 a stronger signal is available.

Je nach Widerstandswert, können die temperaturabhängigen Widerstände auch wie in 4 ersichtlich angeordnet werden, wo sie auch zur Leitung der elektromagnetischen Signale EM in dem Leiterelement dienen.Depending on the resistance value, the temperature-dependent resistors can also be used as in 4 can be arranged, where they also serve to conduct the electromagnetic signals EM in the conductor element.

5 zeigt ein einzelnes (verlustfreies) Kabelsegment mit einer Abschlussimpedanz ZL. Der Reflexionsfaktor ist durch das Verhältnis von reflektiertem Signal Vr zu Vorwärtssignal Vf definiert.

Figure 00090001
wobei Zo die Wellenimpedanz der Leitung und Z, die angeschlossene Impedanz ist. Daraus ergibt sich:
Figure 00090002
5 shows a single (lossless) cable segment with a termination impedance Z L. The reflection factor is defined by the ratio of the reflected signal Vr to the forward signal Vf.
Figure 00090001
where Zo is the wave impedance of the line and Z is the connected impedance. This results in:
Figure 00090002

6 zeigt mehrere Segmente erweitert, so gilt für ZL1 folgende Beziehung:

Figure 00090003
6 shows several segments extended, the following relationship applies to Z L1 :
Figure 00090003

Dabei muss beachtet werden, dass zu den folgenden Segmenten nicht mehr das volle Generatorsignal Vf0, sondern nur noch das um Vr1 reduzierte Signal Vf1 gelangt. Das bedeutet für ZL2:

Figure 00090004
It should be noted that the full signal generator Vf 0 no longer reaches the following segments, but only the signal Vf 1 which is reduced by Vr 1 . This means for Z L2 :
Figure 00090004

Verallgemeinert bedeutet das für ein beliebiges Segment n:

Figure 00100001
Generalized, this means for any segment n:
Figure 00100001

Durch den Einbau eines konstanten Referenzelements können ferner alle Messergebnisse kalibriert und korrigiert werden und dadurch parasitäre Effekte des Leiterelements 2 minimiert werden.By the installation of a constant reference element all measurement results can be further calibrated and corrected and thereby parasitic effects of the conductor element 2 be minimized.

Wird das Leiterelement 2, bei dem es sich bspw. um ein Messkabel handelt, am Ende nicht mit einem Leitungswiderstand abgeschlossen, sondern kurzgeschlossen bzw. offen gelassen, so entsteht am Ende des Leiterelements 2 eine Totalreflexion des Sendesignals. Durch die Messung der Signalamplitude dieser Totalreflexion kann die Messgenauigkeit erhöht werden.Will the conductor element 2 , which is, for example, a measuring cable, not terminated at the end with a line resistance, but short-circuited or left open, it is formed at the end of the conductor element 2 a total reflection of the transmission signal. By measuring the signal amplitude of this total reflection, the measurement accuracy can be increased.

7 zeigt ein Sensorelement in das ein Rechteckimpuls, der von dem Generator G erzeugt wird und eine Impulsdauer von 2 nsec (Nanosekunden) aufweist, eingespeist wird. Das Signal, d. h. der Rechteckimpuls, wird über einen Widerstand R4 in ein Koaxialkabel mit Abschnitten T1, T2, T3 und T4 eingespeist. Nach einer Kabellänge von 1 m ist ein Widerstand R1 von 1 kΩ platziert. Dieses Segment bestehend aus T1 und R1 wiederholt sich drei Mal, dargestellt durch Bauteile und Bezugszeichen T2-R2, T3-R3. Am Ende wird das Kabel mit einem Widerstand R5 abgeschlossen. Am Punkt T1-P1 wird das in der Leitung reflektierte Signal abgegriffen. Die Reflektionsstellen A, an denen der Widerstand R1, R2, R3 an das Koaxialkabel angeschlossen ist, sind dabei vergrößert dargestellt. 7 shows a sensor element into which a square pulse, generated by the generator G and having a pulse duration of 2 nsec (nanoseconds), is fed. The signal, ie the rectangular pulse, is fed via a resistor R4 into a coaxial cable with sections T1, T2, T3 and T4. After a cable length of 1 m, a resistor R1 of 1 kΩ is placed. This segment consisting of T1 and R1 is repeated three times, represented by components and reference numerals T2-R2, T3-R3. At the end, the cable is terminated with a resistor R5. At point T1-P1, the signal reflected in the line is tapped. The reflection points A, to which the resistor R1, R2, R3 is connected to the coaxial cable, are shown enlarged.

8 zeigt einen typischen Signalverlauf des Sendeimpulses (großer positiver Impuls) und der Reflexionen an den Widerständen (kleine negative Impulse) am Beispiel des in 7 gezeigten Leiterelements. 8th shows a typical waveform of the transmit pulse (large positive pulse) and the reflections on the resistors (small negative pulses) using the example of the in 7 shown conductor element.

Wie in der Vergrößerung in der 9 zu sehen ist, haben die drei reflektierten Signale eine unterschiedliche Amplitude. Dabei wurde der Widerstand R2 bspw. durch eine Temperaturänderung um 100 Ω auf 1,1 Ω geändert. Die durch die Impedanzänderung von 100 Ω bei R2 im Segment T2-R2 auftretende Änderung im Signalverlauf des reflektierten Signals gegenüber den Segmenten T1-R1 und T3-R3 ist deutlich sichtbar.As in the enlargement in the 9 can be seen, the three reflected signals have a different amplitude. In this case, the resistance R2, for example, was changed by a temperature change by 100 Ω to 1.1 Ω. The change in the signal curve of the reflected signal relative to the segments T1-R1 and T3-R3 which occurs as a result of the impedance change of 100Ω at R2 in the segment T2-R2 is clearly visible.

Theoretisch kann eine unbegrenzte Anzahl von Messpunkten, die durch die Reflexionsstellen A gebildet werden, in einem Leiter- bzw. Sensorelement 1, 2 realisiert werden. Durch die Geometrie des Aufbaus des Sensorelements 1 kann das bspw. aus einem Kabel bestehende Leiterelement 2 somit sehr gut an die meisten Messaufgaben angepasst werden, wobei auch eine hohe Kabellänge möglich ist.Theoretically, an infinite number of measuring points formed by the reflection points A, in a conductor or sensor element 1 . 2 will be realized. Due to the geometry of the structure of the sensor element 1 can, for example, consisting of a cable conductor element 2 thus very well adapted to most measurement tasks, whereby a high cable length is possible.

BezugszeichenlisteLIST OF REFERENCE NUMBERS

GG
Signalgeneratorsignal generator
Z0 Z 0
Leitungsimpedanz des ersten DielektrikumsLine impedance of the first dielectric
ZL Z L
temperaturabhängige Leitungsimpedanz des zweiten DielektrikumsTemperature-dependent line impedance of the second dielectric
ZL1 Z L1
Leitungsimpedanz bei einem Leitungselement mit zwei SegmentenLine impedance for a two-segment line element
Vf0 Vf 0
erstes Vorwärtssignalfirst forward signal
Vf1 Vf 1
zweites Vorwärtssignal, nach Transmission über ZL1second forward signal, after transmission via ZL1
Vr1 Vr 1
Reflexionssignalreflection signal
ε1 ε 1
erstes Dielektrikumfirst dielectric
ε2 ε 2
zweites Dielektrikumsecond dielectric
SS
Signalanalysatorsignal analyzer
I1(T)I 1 (T)
temperaturabhängige Länge eines Abschnitts bestehend aus einem Dielektrikum des zweiten TypsTemperature-dependent length of a section consisting of a dielectric of the second type
I2(T)I 2 (T)
temperaturabhängige Länge eines weiteren Abschnitts bestehend aus einem Dielektrikum des zweiten TypsTemperature-dependent length of another section consisting of a dielectric of the second type
t1(T)t1 (T)
Laufzeit des elektromagnetischen Signals durch einen Abschnitt bestehend aus dem zweiten DielektrikumRunning time of the electromagnetic signal through a section consisting of the second dielectric
t2(T)t2 (T)
Laufzeit des elektromagnetischen Signals durch einen weiteren Abschnitt bestehend aus dem zweiten DielektrikumRunning time of the electromagnetic signal through another section consisting of the second dielectric
tt
ZeitTime
R(T)R (T)
temperaturabhängiger Widerstandtemperature-dependent resistance
R1R1
erster temperaturabhängiger Widerstandfirst temperature-dependent resistance
R2R2
zweiter temperaturabhängiger Widerstandsecond temperature-dependent resistance
R3R3
dritter temperaturabhängiger Widerstandthird temperature-dependent resistance
R4R4
vierter temperaturabhängiger Widerstandfourth temperature-dependent resistance
T1T1
erster Abschnitt eines als Leiterelement dienenden Koaxialkabelsfirst section of serving as a conductor element coaxial cable
T2T2
zweiter Abschnitt eines als Leiterelement dienenden Koaxialkabelssecond section of serving as a conductor element coaxial cable
T3T3
dritter Abschnitt eines als Leiterelement dienenden Koaxialkabelsthird section of serving as a conductor element coaxial cable
T4T4
vierter Abschnitt eines als Leiterelement dienenden Koaxialkabelsfourth section of a serving as a conductor element coaxial cable
11
Sensorelementsensor element
22
Leiterelementconductor element
AA
RelexionsstelleRelexionsstelle
EMEM
elektromagnetisches Signalelectromagnetic signal
LL
Längsachselongitudinal axis
RKRK
Richtungskopplerdirectional

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG QUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION

Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.This list of the documents listed by the applicant has been generated automatically and is included solely for the better information of the reader. The list is not part of the German patent or utility model application. The DPMA assumes no liability for any errors or omissions.

Zitierte PatentliteraturCited patent literature

  • US 3938385 [0004, 0005] US 3938385 [0004, 0005]

Claims (14)

Sensorelement (1) zur Erfassung einer chemischen und/oder physikalischen Messgröße, umfassend ein Leiterelement (2), in das wenigstens ein elektromagnetisches Signal einkoppelbar ist, wobei das Leiterelement (2) diskrete entlang seiner Längsachse (L) angeordnete Reflexionsstellen (A) aufweist, an denen in Abhängigkeit der Messgröße eine wenigstens teilweise Reflexion des elektromagnetischen Signals (EM) auftritt.Sensor element ( 1 ) for detecting a chemical and / or physical measurand, comprising a conductor element ( 2 ), in which at least one electromagnetic signal can be coupled, wherein the conductor element ( 2 ) discrete along its longitudinal axis (L) arranged reflection points (A), at which an at least partial reflection of the electromagnetic signal (EM) occurs as a function of the measured variable. Sensorelement (1) nach dem vorherigen Anspruch, wobei an den Reflexionsstellen (A) eine Impedanzänderung des Leiterelements (2) in Abhängigkeit der Messgröße stattfindet.Sensor element ( 1 ) according to the preceding claim, wherein at the reflection points (A) an impedance change of the conductor element ( 2 ) takes place as a function of the measured variable. Sensorelement (1) nach dem vorherigen Anspruch, wobei das Leiterelement (2) mehrere diskrete Abschnitte entlang der Längsachse (L) aufweist, die sich hinsichtlich ihres Reflexionsverhaltens in Abhängigkeit der Messgröße voneinander unterscheiden und Reflexionsstellen bilden.Sensor element ( 1 ) according to the preceding claim, wherein the conductor element ( 2 ) has a plurality of discrete sections along the longitudinal axis (L), which differ in terms of their reflection behavior as a function of the measured variable from one another and form reflection points. Sensorelement (1) nach dem vorherigen Anspruch, wobei das Leiterelement (2) in einem ersten Abschnitt ein erstes Dielektrikum (ε1) und in einem zweiten Abschnitt ein zweites Dielektrikum (ε2) aufweist, und sich das erste Dielektrikum (ε1) von dem zweiten Dielektrikum (ε2) hinsichtlich seiner Permittivität in Abhängigkeit der Messgröße unterscheidet.Sensor element ( 1 ) according to the preceding claim, wherein the conductor element ( 2 ) in a first section, a first dielectric (ε 1 ) and in a second section, a second dielectric (ε 2 ), and the first dielectric (ε 1 ) of the second dielectric (ε 2 ) with respect to its permittivity as a function of the measured variable different. Sensorelement (1) nach dem vorherigen Anspruch, wobei mehrere aus dem ersten und dem zweiten Abschnitt bestehende Segmente (T1, T2, T3) insbesondere unmittelbar aneinandergereiht sind.Sensor element ( 1 ) according to the preceding claim, wherein a plurality of the first and the second section existing segments (T1, T2, T3) are in particular directly lined up. Sensorelement (1) nach dem vorherigen Anspruch, wobei sich das Reflexionsverhalten an wenigstens einer Reflexionsstelle (A) in Abhängigkeit der Temperatur oder des Drucks, vorzugsweise in der Umgebung des Leiterelements, ändert.Sensor element ( 1 ) according to the preceding claim, wherein the reflection behavior at at least one reflection point (A) in dependence of the temperature or the pressure, preferably in the vicinity of the conductor element, changes. Sensorelement (1) nach dem vorherigen Anspruch, wobei durch den wenigstens einen ersten Abschnitt und den wenigstens einen zweiten Abschnitt Reflexionsstellen (A) gebildet werden, an denen eine wenigstens teilweise Reflexion der elektromagnetischen Signale (EM) auftritt.Sensor element ( 1 ) according to the preceding claim, wherein by the at least one first portion and the at least one second portion reflection points (A) are formed, at which an at least partial reflection of the electromagnetic signals (EM) occurs. Messvorrichtung mit einem Sensorelement (1) nach einem der vorherigen Ansprüche.Measuring device with a sensor element ( 1 ) according to one of the preceding claims. Verfahren zur Bestimmung einer chemischen und/oder physikalischen Messgröße, wobei elektromagnetische Signale (EM) in ein Leiterelement (2) eingekoppelt werden, welche Signale (EM) in Abhängigkeit der Messgröße an diskreten Reflektionsstellen (A) des Leiterelements (2) wenigstens teilweise reflektiert werden, und vermittels wenigstens der reflektierten Signale die Messgröße bestimmt wird.Method for the determination of a chemical and / or physical measurand, whereby electromagnetic signals (EM) in a conductor element ( 2 ), which signals (EM) as a function of the measured variable at discrete reflection points (A) of the conductor element ( 2 ) are at least partially reflected, and by means of at least the reflected signals, the measured variable is determined. Verfahren nach dem vorherigen Anspruch, wobei vermittels der reflektierten Signale auf die Verteilung der Messgröße entlang des Leierelements (12) geschlossen wird.Method according to the preceding claim, wherein by means of the reflected signals on the distribution of the measured variable along the Leierelements ( 12 ) is closed. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 oder 10, wobei als elektromagnetische Signale (EM) hochfrequente Signale, insbesondere Dauersignale, sog. continious-wave Signale, und/oder pulsförmige Signale eingesetzt werden.Method according to one of claims 9 or 10, wherein as electromagnetic signals (EM) high-frequency signals, in particular continuous signals, so-called. Continuious-wave signals, and / or pulse-shaped signals are used. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 11, wobei als Leiterelement (2) ein Sensorelement (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 7 verwendet wird.Method according to one of claims 9 to 11, wherein as conductor element ( 2 ) a sensor element ( 1 ) according to one of claims 1 to 7 is used. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 12, wobei anhand der Reflexion des elektromagnetischen Signals an der wenigstens einen Reflexionsstelle eine Temperaturverteilung und/oder eine Druckverteilung entlang des Leiterelements bestimmt wird.Method according to one of claims 9 to 12, wherein based on the reflection of the electromagnetic signal at the at least one reflection point, a temperature distribution and / or a pressure distribution along the conductor element is determined. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 13, wobei zur Auswertung die Laufzeit der elektromagnetischen Signale (EM) und/oder die Amplitude und/oder die Phasenbeziehung zwischen den elektromagnetischen Signalen (EM) verwendet wird.Method according to one of claims 9 to 13, wherein for the evaluation of the transit time of the electromagnetic signals (EM) and / or the amplitude and / or the phase relationship between the electromagnetic signals (EM) is used.
DE102011079854A 2011-07-26 2011-07-26 Sensing unit for use in measurement device for detection of e.g. temperature of substance, has conductor element comprising reflectance locations, where partial reflection of signal occurs at locations based on measured variable Ceased DE102011079854A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102011079854A DE102011079854A1 (en) 2011-07-26 2011-07-26 Sensing unit for use in measurement device for detection of e.g. temperature of substance, has conductor element comprising reflectance locations, where partial reflection of signal occurs at locations based on measured variable

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102011079854A DE102011079854A1 (en) 2011-07-26 2011-07-26 Sensing unit for use in measurement device for detection of e.g. temperature of substance, has conductor element comprising reflectance locations, where partial reflection of signal occurs at locations based on measured variable

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102011079854A1 true DE102011079854A1 (en) 2013-01-31

Family

ID=47502849

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102011079854A Ceased DE102011079854A1 (en) 2011-07-26 2011-07-26 Sensing unit for use in measurement device for detection of e.g. temperature of substance, has conductor element comprising reflectance locations, where partial reflection of signal occurs at locations based on measured variable

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE102011079854A1 (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102017001054A1 (en) 2017-02-03 2018-08-09 Hannes Nordmann Measuring arrangement and method for spatially resolved multiple temperature measurement along a path.
DE102018203809B3 (en) 2018-03-13 2019-06-19 Leoni Kabel Gmbh Sensor line, measuring arrangement and method for producing a sensor line
WO2022153015A1 (en) * 2021-01-15 2022-07-21 Win Ms Method and system for detecting heating at a connector between electrical cables and connectors suitable for such a method

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2354304A1 (en) * 1972-11-06 1974-05-09 Europaeische Atomemeinschaft E TEMPERATURE MEASURING PROBE DESIGNED AS A CABLE
US3938385A (en) 1974-05-24 1976-02-17 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Distributed temperature sensor
US4372693A (en) * 1981-01-30 1983-02-08 Raychem Corporation Temperature excursion sensing and locating apparatus
US4878226A (en) * 1987-02-09 1989-10-31 Combustion Engineering, Inc. Multiple point remote temperature sensing

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2354304A1 (en) * 1972-11-06 1974-05-09 Europaeische Atomemeinschaft E TEMPERATURE MEASURING PROBE DESIGNED AS A CABLE
US3938385A (en) 1974-05-24 1976-02-17 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Distributed temperature sensor
US4372693A (en) * 1981-01-30 1983-02-08 Raychem Corporation Temperature excursion sensing and locating apparatus
US4878226A (en) * 1987-02-09 1989-10-31 Combustion Engineering, Inc. Multiple point remote temperature sensing

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102017001054A1 (en) 2017-02-03 2018-08-09 Hannes Nordmann Measuring arrangement and method for spatially resolved multiple temperature measurement along a path.
DE102018203809B3 (en) 2018-03-13 2019-06-19 Leoni Kabel Gmbh Sensor line, measuring arrangement and method for producing a sensor line
US11874181B2 (en) 2018-03-13 2024-01-16 Leoni Kabel Gmbh Sensor line and measuring assembly
WO2022153015A1 (en) * 2021-01-15 2022-07-21 Win Ms Method and system for detecting heating at a connector between electrical cables and connectors suitable for such a method
FR3119025A1 (en) * 2021-01-15 2022-07-22 Win Ms Method and system for detecting overheating at the level of a connector between electric cables and connectors suitable for such a method
JP2024508098A (en) * 2021-01-15 2024-02-22 ウィン エムエス Method and system for detecting heat generation in connectors between electrical cables, and connectors suitable for such methods
JP7724293B2 (en) 2021-01-15 2025-08-15 ウィン エムエス System for detecting heat generation in connectors between electrical cables

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3781812B1 (en) Checking lightning conductors for wind turbines
EP2365302B1 (en) Measurement of the distance to at least one initial boundary area
DE102013227051A1 (en) Measuring arrangement and method for temperature measurement and sensor cable for such a measuring arrangement
DE102019110256A1 (en) TDR measuring device for determining the dielectric constant
DE102013104781A1 (en) Method for monitoring at least one media-specific property of a medium
EP3447456B1 (en) TDR level gauge and method for operating a TDR level gauge
DE102014109399A1 (en) Sensor for a roller conveyor and method for detecting objects located on a roller conveyor
DE102011079854A1 (en) Sensing unit for use in measurement device for detection of e.g. temperature of substance, has conductor element comprising reflectance locations, where partial reflection of signal occurs at locations based on measured variable
WO2009046751A1 (en) Method for determining the temperature distribution along a conductor
EP2884245A1 (en) Weight apparatus for a waveguide, probe and method for producing a weight apparatus
DE102016118905A1 (en) Apparatus and method for time resolved detection of pulsed electromagnetic radio frequency radiation
DE102011084320A1 (en) Method for measuring temperature distribution using two measurement elements, involves activating each measurement element using electric signal, and emitting one measurement signal depending on temperature
DE102008044738A1 (en) Sensor arrangement for detecting thickness of ice layer on surface of material layer on aircraft, has sensor unit arranged in proximity of surface of material layer, and coupling layer coupling surface of material layer with sensor unit
DE102012112855A1 (en) Cooking appliance measuring unit, particularly core temperature sensor, has sensors that are connected with control unit of cooking appliance and are electrically connected with common electrical line for measuring physical variable
DE102016213324B3 (en) Level gauge according to the time domain reflectometry principle and method for operating such a level gauge
EP3254094B1 (en) Inhomogeneous transmission line for determining the permittivity of a device under test in a position-resolved manner
DE20321802U1 (en) Arrangement, in particular for determining the moisture content of a medium
DE102004035757B3 (en) Liquid level height determining arrangement, has measuring conduit with electrical conductors that are arranged at distance to each other, and two terminal resistances are arranged at conduit end, where conductors include fiber optic core
AT501580B1 (en) HUMIDITY SENSOR
DE102021114651A1 (en) Computer-implemented method, computer program, computer program product and device for analyzing an object to be examined
DE10115150A1 (en) Process for detecting the limit level of a good and device therefor
DE102020103191A1 (en) Pulse transit time-based measuring device for conductivity measurement
DE102008021704A1 (en) Method for calibrating measuring instruments
EP1956348A2 (en) Use of a fill level measuring device operating according to the radar principle
DE102024113020A1 (en) Computer-implemented method and device for analyzing an object

Legal Events

Date Code Title Description
R163 Identified publications notified
R012 Request for examination validly filed
R016 Response to examination communication
R082 Change of representative

Representative=s name: KOSLOWSKI, CHRISTINE, DR., DE

Representative=s name: KOSLOWSKI, CHRISTINE, DIPL.-CHEM. DR. RER. NAT, DE

R016 Response to examination communication
R002 Refusal decision in examination/registration proceedings
R003 Refusal decision now final