DE102011076733B4

DE102011076733B4 - Optoelectronic component, method for producing an optoelectronic component, use of a glass frit for edge passivation of an electrode of an optoelectronic component, and use of a glass frit for passivation of one or more metallic bus lines of an optoelectronic component

Info

Publication number: DE102011076733B4
Application number: DE102011076733.9A
Authority: DE
Inventors: Erwin Lang
Original assignee: Pictiva Displays International Ltd
Current assignee: Pictiva Displays International Ltd
Priority date: 2011-05-30
Filing date: 2011-05-30
Publication date: 2023-12-28
Anticipated expiration: 2031-05-31
Also published as: DE102011076733A1

Abstract

Optolektronisches Bauelement (100, 200, 300, 400), aufweisend:• mindestens eine optisch aktive Schicht (112);• mindestens eine elektrisch leitfähige Struktur (104, 402), die mit der mindestens einen optisch aktiven Schicht (112) gekoppelt ist; und• eine Passivierungsstruktur (110, 202, 302, 404), die mit der elektrisch leitfähigen Struktur (104, 402) verbunden ist, wobei die Passivierungsstruktur (110, 202, 302, 404) Glas aufweist,• wobei die mindestens eine elektrisch leitfähige Struktur (104, 402) mindestens eine Elektrode (104) und mindestens eine elektrisch leitfähige Leitung (402) aufweist;• wobei die Passivierungsstruktur (404) als eine Passivierung (404) für die mindestens eine elektrisch leitfähige Leitung (402) angeordnet ist, und• wobei die zumindest eine elektrisch leitfähige Leitung (402) zur lateralen Stromverteilung in der zumindest einen optisch aktiven Schicht (112) vorgesehen ist,• wobei die mindestens eine elektrisch leitfähige Leitung (402) auf der mindestens einen Elektrode (104) angeordnet und mit dieser in elektrischem Kontakt ist, und• wobei die zumindest eine elektrisch leitfähige Leitung (402) von der Passivierungsstruktur (404) ummantelt ist.Optoelectronic component (100, 200, 300, 400), comprising: • at least one optically active layer (112); • at least one electrically conductive structure (104, 402) which is coupled to the at least one optically active layer (112); and• a passivation structure (110, 202, 302, 404) connected to the electrically conductive structure (104, 402), wherein the passivation structure (110, 202, 302, 404) comprises glass,• wherein the at least one electrically conductive Structure (104, 402) has at least one electrode (104) and at least one electrically conductive line (402); • wherein the passivation structure (404) is arranged as a passivation (404) for the at least one electrically conductive line (402), and • wherein the at least one electrically conductive line (402) is provided for lateral current distribution in the at least one optically active layer (112), • wherein the at least one electrically conductive line (402) is arranged on the at least one electrode (104) and with this is in electrical contact, and • wherein the at least one electrically conductive line (402) is encased by the passivation structure (404).

Description

Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement, ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements, eine Verwendung einer Glasfritte zur Kantenpassivierung einer Elektrode eines optoelektronischen Bauelements, und eine Verwendung einer Glasfritte zur Passivierung einer oder mehrerer metallischer Busleitungen eines optoelektronischen Bauelements.The invention relates to an optoelectronic component, a method for producing an optoelectronic component, a use of a glass frit for edge passivation of an electrode of an optoelectronic component, and a use of a glass frit for passivation of one or more metallic bus lines of an optoelectronic component.

Im Rahmen der Kantenpassivierung von organischen Leuchtdioden (Organic light emitting diode, OLED) oder auch der metallischen so genannten „Busleitung“-Passivierung wird bei herkömmlichen Substraten üblicherweise ein lithographisch strukturierter Photoresist (beispielsweise Polyimid) verwendet. Dieser wird beispielsweise in einer Dicke von ungefähr 1,5 µm aufgebracht und ist damit ungefähr eine Größenordnung dicker als die verwendeten organischen Schichten einer OLED. Für Standardkavitätsglas-verkapselte Bauteile mit einem Getter spielen offenliegende Organikkanten bzw. Photoresistkanten keine Rolle, da das Wasser bzw. der Sauerstoff beispielsweise mit Hilfe von Gettermaterialien absorbiert wird und somit zu keiner Schädigung der OLED führt.As part of the edge passivation of organic light emitting diodes (OLED) or the metallic so-called “bus line” passivation, a lithographically structured photoresist (e.g. polyimide) is usually used on conventional substrates. This is applied, for example, with a thickness of approximately 1.5 µm and is therefore approximately an order of magnitude thicker than the organic layers used in an OLED. For standard cavity glass encapsulated components with a getter, exposed organic edges or photoresist edges play no role, since the water or oxygen is absorbed, for example, with the help of getter materials and therefore does not damage the OLED.

Von Bedeutung ist jedoch die effektive Isolation zwischen Kathode und Anode speziell an den Kanten beispielsweise bei einer ITO(Indium-Zinnoxid)-Anode bzw. den Metallkanten. Nur teilweise gelöst ist in diesem Zusammenhang die Verkapselung solcher OLED-Bauteile mittels Dünnfilmverkapselung, da besonders im Randbereich an Schwachstellen in der Dünnfilmverkapselung eine Wasser- und Sauerstoffdiffusion in die OLED auftritt (so genannte „Kantenkorrosion“ (engl.: „Edge Corrosion“) bzw. „Seitenleckage“ (engl.: „Side Leakage“).What is important, however, is the effective insulation between cathode and anode, especially at the edges, for example with an ITO (indium tin oxide) anode or the metal edges. In this context, the encapsulation of such OLED components using thin film encapsulation is only partially solved, since water and oxygen diffusion into the OLED occurs particularly in the edge area at weak points in the thin film encapsulation (so-called “edge corrosion”) . “Side Leakage”.

Gegenstand aktueller Forschungs- und Entwicklungsarbeiten ist die Verwendung von druckbaren organischen Passivierungspasten, die ebenfalls eine gute elektrische Isolation zwischen Anode und Kathode darstellen. Solche Schichten sind beispielsweise durch die Anforderung an die Viskosität und Druckbarkeit beispielsweise mit Füllstoffen versetzt, die je nach verwendetem Material insgesamt zu einer Schichtdicke von 5 µm bis zu mehr als 30 µm führen können. Dies stellt insbesondere für die Dünnfilmverkapselung solcher OLED-Bauteile eine größere Herausforderung dar im Vergleich zu den vorher beschriebenen kommerziell erhältlichen Substraten mit beispielsweise einer Polyimid-Passivierung.The subject of current research and development work is the use of printable organic passivation pastes, which also provide good electrical insulation between anode and cathode. For example, due to the requirements for viscosity and printability, such layers are filled with fillers, which, depending on the material used, can lead to a total layer thickness of 5 µm to more than 30 µm. This represents a greater challenge, particularly for the thin-film encapsulation of such OLED components, compared to the previously described commercially available substrates with, for example, a polyimide passivation.

Bisherige Versuche haben gezeigt, dass OLED-Bauteile (im Folgenden auch bezeichnet als OLED-Bauelemente) mit einer solchen gedruckten Passivierungsschicht in Feuchtetests verstärkt vom Rande des OLED-Bauelements her altern bzw. so genannte „Dunkelpunkte“ (engl.: „Darkspots“) aufweisen. REM-Aufnahmen zeigen, dass die gedruckten Passivierungsschichten von der Oberfläche her ziemlich rau sind. Außerdem weisen zum Teil die Füllstoffe in dem Passivierungsmaterial einen hohen Grad an Porosität auf, die sich mit der aktuell eingesetzten Dünnfilmverkapselung nicht ausreichend verkapseln lassen.Previous tests have shown that OLED components (hereinafter also referred to as OLED components) with such a printed passivation layer age increasingly in moisture tests from the edge of the OLED component or so-called “dark spots”. exhibit. SEM images show that the printed passivation layers are quite rough on the surface. In addition, some of the fillers in the passivation material have a high degree of porosity, which cannot be adequately encapsulated with the thin film encapsulation currently used.

Ferner sind auch lithographiefreie Ansätze bekannt. Solche Ansätze erfordern jedoch Anodenkanten (beispielsweise ITO-Kanten) bzw. eine Metallisierung ohne scharfe Kanten oder Ecken (anders ausgedrückt dürfen die Kanten keine kleinen Krümmungsradien aufweisen). Realisieren lassen sich solche Substrate, indem das Anodenmaterial beispielsweise durch Masken bereits strukturiert aufgebracht wird.Lithography-free approaches are also known. However, such approaches require anode edges (for example ITO edges) or a metallization without sharp edges or corners (in other words, the edges must not have small radii of curvature). Such substrates can be realized by applying the anode material in a structured manner, for example using masks.

In WO 2010/006571 A1 und DE 10 2008 048 472 A1 sind verschiedene Möglichkeiten einer Realisierung einer Dünnfilmverkapselung mit guten Barriereeigenschaften mit Hilfe von anorganischen Schichten beschrieben, die beispielsweise mittels eines Plasma-unterstützten Abscheideverfahrens aus der Gasphase (PE-CVD) oder eines Atomlagenepitaxieverfahrens (ALD) hergestellt werden.In WO 2010/006571 A1 and DE 10 2008 048 472 A1 Various possibilities for realizing a thin film encapsulation with good barrier properties using inorganic layers are described, which are produced, for example, using a plasma-assisted deposition process from the gas phase (PE-CVD) or an atomic layer epitaxy process (ALD).

Die Druckschrift WO 2010/100584 A2 offenbart in Reihe geschaltete OLEDs.The publication WO 2010/100584 A2 reveals series-connected OLEDs.

Die Druckschrift US 2007/0096631 A1 offenbart einen Flachbildschirm und ein Verfahren zu dessen Herstellung.The publication US 2007/0096631 A1 discloses a flat screen and a method for producing it.

Es wird ein optoelektronisches Bauelement bereitgestellt, aufweisend: mindestens eine optisch aktive Schicht; mindestens eine elektrisch leitfähige Struktur, die mit der mindestens einen optisch aktiven Schicht gekoppelt ist; und eine Passivierungsstruktur, die mit der elektrisch leitfähige Struktur verbunden ist, wobei die Passivierungsstruktur Glas aufweist.An optoelectronic component is provided, comprising: at least one optically active layer; at least one electrically conductive structure coupled to the at least one optically active layer; and a passivation structure connected to the electrically conductive structure, the passivation structure comprising glass.

In einer Ausgestaltung kann die Passivierungsstruktur gebildet werden von einer aufgeschmolzenen und erstarrten Glasfritte.In one embodiment, the passivation structure can be formed by a melted and solidified glass frit.

In noch einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement eingerichtet sein als lichtemittierendes Bauelement.In another embodiment, the optoelectronic component can be set up as a light-emitting component.

In noch einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement eingerichtet sein als organisches lichtemittierendes Bauelement.In another embodiment, the optoelectronic component can be set up as an organic light-emitting component.

In noch einer Ausgestaltung kann die mindestens eine optisch aktive Schicht mindestens eine organische Schicht aufweisen. In another embodiment, the at least one optically active layer can have at least one organic layer.

In noch einer Ausgestaltung kann die mindestens eine organische Schicht mindestens eine der folgenden organischen Schichten aufweisen:

• eine oder mehrere Emitterschichten; und/oder
• eine oder mehrere Lochleitungsschichten; und/oder
• eine oder mehrere funktionelle organische Schichten.

In another embodiment, the at least one organic layer can have at least one of the following organic layers:

• one or more emitter layers; and or
• one or more hole conduction layers; and or
• one or more functional organic layers.

In noch einer Ausgestaltung kann die mindestens eine elektrisch leitfähige Struktur mindestens eine Elektrode und/oder mindestens eine elektrisch leitfähige Leitung aufweisen.In another embodiment, the at least one electrically conductive structure can have at least one electrode and/or at least one electrically conductive line.

In noch einer Ausgestaltung kann die mindestens eine elektrisch leitfähige Struktur mindestens eine Elektrode aufweisen; und die Passivierungsstruktur kann als eine Kantenisolation für die mindestens eine Elektrode angeordnet sein.In another embodiment, the at least one electrically conductive structure can have at least one electrode; and the passivation structure may be arranged as an edge isolation for the at least one electrode.

In noch einer Ausgestaltung kann die mindestens eine Elektrode eine erste Elektrode und eine zweite Elektrode aufweisen; und die Passivierungsstruktur kann derart zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode angeordnet sein, dass sie diese voneinander elektrisch isoliert.In another embodiment, the at least one electrode can have a first electrode and a second electrode; and the passivation structure may be disposed between the first electrode and the second electrode so as to electrically isolate them from each other.

Die mindestens eine elektrisch leitfähige Struktur weist mindestens eine elektrisch leitfähige Leitung auf; und die Passivierungsstruktur ist als eine Passivierung für die mindestens eine elektrisch leitfähige Leitung angeordnet.The at least one electrically conductive structure has at least one electrically conductive line; and the passivation structure is arranged as a passivation for the at least one electrically conductive line.

In noch einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement ferner aufweisen einen Träger; wobei die mindestens eine elektrisch leitfähige Struktur zumindest teilweise auf dem Träger angeordnet sein kann.In another embodiment, the optoelectronic component can further comprise a carrier; wherein the at least one electrically conductive structure can be arranged at least partially on the carrier.

Die mindestens eine elektrisch leitfähige Struktur weist mindestens eine Elektrode und mindestens eine elektrisch leitfähige Leitung auf; wobei die mindestens eine elektrisch leitfähige Leitung auf der mindestens einen Elektrode angeordnet und mit dieser in elektrischem Kontakt ist.The at least one electrically conductive structure has at least one electrode and at least one electrically conductive line; wherein the at least one electrically conductive line is arranged on the at least one electrode and is in electrical contact with it.

In noch einer Ausgestaltung kann die mindestens eine optisch aktive Schicht auf der mindestens einen elektrisch leitfähigen Struktur angeordnet sein.In another embodiment, the at least one optically active layer can be arranged on the at least one electrically conductive structure.

In noch einer Ausgestaltung kann die erste Elektrode auf dem Träger angeordnet sein; und die zweite Elektrode kann auf der mindestens einen optisch aktiven Schicht angeordnet sein.In another embodiment, the first electrode can be arranged on the carrier; and the second electrode can be arranged on the at least one optically active layer.

In noch einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement ferner aufweisen eine Dünnfilmverkapselung, die das optoelektronische Bauelement teilweise umschließt.In another embodiment, the optoelectronic component can further have a thin film encapsulation that partially encloses the optoelectronic component.

Es wird ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements bereitgestellt. Das Verfahren kann aufweisen: Bilden mindestens einer optisch aktiven Schicht; Bilden mindestens einer elektrisch leitfähigen Struktur, die mit der mindestens einen optisch aktiven Schicht gekoppelt wird; Aufbringen einer Glasfritte neben und/oder auf der mindestens einen elektrisch leitfähigen Struktur; und Schmelzen der Glasfritte, so dass eine bei Erstarren der geschmolzenen Glasfritte eine Passivierungsstruktur gebildet wird, die mit der elektrisch leitfähige Struktur verbunden wird.A method for producing an optoelectronic component is provided. The method may include: forming at least one optically active layer; Forming at least one electrically conductive structure that is coupled to the at least one optically active layer; Applying a glass frit next to and/or on the at least one electrically conductive structure; and melting the glass frit so that when the molten glass frit solidifies, a passivation structure is formed which is connected to the electrically conductive structure.

In einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement als lichtemittierendes Bauelement gebildet werden.In one embodiment, the optoelectronic component can be formed as a light-emitting component.

In noch einer Ausgestaltung kann das lichtemittierende Bauelement als organisches lichtemittierendes Bauelement gebildet werden.In another embodiment, the light-emitting component can be formed as an organic light-emitting component.

In noch einer Ausgestaltung kann die mindestens eine organische Schicht derart gebildet werden, dass sie mindestens eine der folgenden organischen Schichten aufweist:

In another embodiment, the at least one organic layer can be formed in such a way that it has at least one of the following organic layers:

In noch einer Ausgestaltung kann die mindestens eine elektrisch leitfähige Struktur derart gebildet werden, dass sie mindestens eine Elektrode und/oder mindestens eine elektrisch leitfähige Leitung aufweist.In another embodiment, the at least one electrically conductive structure can be formed such that it has at least one electrode and/or at least one electrically conductive line.

In noch einer Ausgestaltung kann die mindestens eine elektrisch leitfähige Struktur mindestens eine Elektrode aufweisen; und die Passivierungsstruktur kann als eine Kantenisolation für die mindestens eine Elektrode angeordnet werden.In another embodiment, the at least one electrically conductive structure can have at least one electrode; and the passivation structure can be arranged as an edge isolation for the at least one electrode.

In noch einer Ausgestaltung kann die mindestens eine Elektrode eine erste Elektrode und eine zweite Elektrode aufweisen; und die Passivierungsstruktur kann derart zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode angeordnet werden, dass sie diese voneinander elektrisch isoliert.In another embodiment, the at least one electrode can have a first electrode and a second electrode; and the passivation structure may be disposed between the first electrode and the second electrode so as to electrically isolate them from each other.

In noch einer Ausgestaltung kann die mindestens eine elektrisch leitfähige Struktur mindestens eine elektrisch leitfähige Leitung aufweisen; und die Passivierungsstruktur kann als eine Passivierung für die mindestens eine elektrisch leitfähige Leitung angeordnet werden.In another embodiment, the at least one electrically conductive structure can be at least have at least one electrically conductive line; and the passivation structure can be arranged as a passivation for the at least one electrically conductive line.

In noch einer Ausgestaltung kann das Verfahren ferner aufweisen ein Bilden der mindestens einen elektrisch leitfähigen Struktur zumindest teilweise auf einem Träger.In another embodiment, the method can further comprise forming the at least one electrically conductive structure at least partially on a carrier.

In noch einer Ausgestaltung kann die mindestens eine elektrisch leitfähige Struktur mindestens eine Elektrode und mindestens eine elektrisch leitfähige Leitung aufweisen; wobei die mindestens eine elektrisch leitfähige Leitung auf der mindestens einen Elektrode angeordnet und mit dieser in elektrischen Kontakt gebracht werden kann.In another embodiment, the at least one electrically conductive structure can have at least one electrode and at least one electrically conductive line; wherein the at least one electrically conductive line can be arranged on the at least one electrode and brought into electrical contact with it.

In noch einer Ausgestaltung kann die mindestens eine optisch aktive Schicht auf der mindestens einen elektrisch leitfähigen Struktur angeordnet werden.In another embodiment, the at least one optically active layer can be arranged on the at least one electrically conductive structure.

In noch einer Ausgestaltung kann die erste Elektrode auf dem Träger angeordnet werden; und die zweite Elektrode kann auf der mindestens einen optisch aktiven Schicht angeordnet werden.In another embodiment, the first electrode can be arranged on the carrier; and the second electrode can be arranged on the at least one optically active layer.

In noch einer Ausgestaltung kann das Verfahren ferner aufweisen ein Bilden einer Dünnfilmverkapselung derart, dass sie das optoelektronische Bauelement teilweise umschließt.In another embodiment, the method can further comprise forming a thin film encapsulation such that it partially encloses the optoelectronic component.

Es wird eine Verwendung von Glas, beispielsweise einer Glasfritte, zur Kantenpassivierung einer Elektrode, insbesondere einer Substratelektrode, eines optoelektronischen Bauelemente, insbesondere eines organisch lichtemittierenden Bauelements, bereitgestellt.A use of glass, for example a glass frit, for edge passivation of an electrode, in particular a substrate electrode, of an optoelectronic component, in particular an organic light-emitting component, is provided.

Es wird eine Verwendung von Glas, beispielsweise einer Glasfritte, zur Passivierung einer oder mehrerer metallischer Busleitungen eines optoelektronischen Bauelemente, insbesondere eines organisch lichtemittierenden Bauelements, bereitgestellt.The use of glass, for example a glass frit, for passivating one or more metallic bus lines of an optoelectronic component, in particular an organic light-emitting component, is provided.

Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert.Embodiments of the invention are shown in the figures and are explained in more detail below.

Es zeigen

1A und 1B eine Querschnittansicht (1A) und eine Draufsicht (1B) einer organischen Leuchtdiode gemäß verschiedenen Vergleichsbeispielen;
2 eine Querschnittansicht einer organischen Leuchtdiode gemäß verschiedenen Vergleichsbeispielen;
3 eine Querschnittansicht einer organischen Leuchtdiode gemäß verschiedenen Vergleichsbeispielen;
4A und 4B eine Querschnittansicht (4A) und eine Draufsicht (4B) einer organischen Leuchtdiode gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen; und
5 ein Ablaufdiagramm, in dem ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen dargestellt ist.

Show it

1A and 1B a cross-sectional view ( 1A) and a top view ( 1B) an organic light-emitting diode according to various comparative examples;
2 a cross-sectional view of an organic light-emitting diode according to various comparative examples;
3 a cross-sectional view of an organic light-emitting diode according to various comparative examples;
4A and 4B a cross-sectional view ( 4A) and a top view ( 4B) an organic light-emitting diode according to various exemplary embodiments; and
5 a flow chart showing a method for producing an optoelectronic component according to various exemplary embodiments.

In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische Ausführungsformen gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. In dieser Hinsicht wird Richtungsterminologie wie etwa „oben“, „unten“, „vorne“, „hinten“, „vorderes“, „hinteres“, usw. mit Bezug auf die Orientierung der beschriebenen Figur(en) verwendet. Da Komponenten von Ausführungsformen in einer Anzahl verschiedener Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie zur Veranschaulichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend. Es versteht sich, dass andere Ausführungsformen benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen beispielhaften Ausführungsformen miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben. Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert.In the following detailed description, reference is made to the accompanying drawings, which form a part hereof, and in which are shown, by way of illustration, specific embodiments in which the invention may be practiced. In this regard, directional terminology such as "top", "bottom", "front", "back", "front", "back", etc. is used with reference to the orientation of the figure(s) being described. Because components of embodiments may be positioned in a number of different orientations, directional terminology is for illustrative purposes and is not in any way limiting. It is to be understood that other embodiments may be used and structural or logical changes may be made without departing from the scope of the present invention. It is to be understood that the features of the various exemplary embodiments described herein may be combined with one another unless specifically stated otherwise. The following detailed description is, therefore, not to be taken in a limiting sense, and the scope of the present invention is defined by the appended claims.

Im Rahmen dieser Beschreibung werden die Begriffe „verbunden“, „angeschlossen“ sowie „gekoppelt“ verwendet zum Beschreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Verbindung, eines direkten oder indirekten Anschlusses sowie einer direkten oder indirekten Kopplung. In den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist.In the context of this description, the terms “connected”, “connected” and “coupled” are used to describe both a direct and an indirect connection, a direct or indirect connection and a direct or indirect coupling. In the figures, identical or similar elements are given identical reference numbers where appropriate.

Funktionsfähige, lithographisch- bzw. laserstrukturierte Substrate ohne Kantenpassivierung der substratseitigen Elektrode sind bislang noch nicht bekannt. Bei diesem Ansatz wird die Isolation zwischen Anode und Kathode nur durch die Organik zwischen beiden Elektroden gewährleistet. Die Position der aktiven Fläche relativ zur Abmessung des OLED-Bauelements wird damit durch die laterale Genauigkeit der Kathodeabscheidung definiert und unterliegt damit der Verteilung der Positioniergenauigkeit der Kathodenmaske. Ansätze mit so genannten „Buslines“ zur Unterstützung der lateralen Stromverteilung lassen sich damit nicht realisieren, da diese Strukturen durch einen Photoresist isoliert werden müssen, um eine Ladungsträgerinjektion aus den metallischen „Buslines“ in die OLED zu unterdrücken.Functional, lithographically or laser-structured substrates without edge passivation of the substrate-side electrode are not yet known. With this approach, the insulation between the anode and cathode is only guaranteed by the organic material between the two electrodes. The position of the active area relative to the dimension of the OLED component is therefore defined by the lateral accuracy of the cathode deposition and is therefore subject to the distribution of the positioning values accuracy of the cathode mask. Approaches with so-called “buslines” to support lateral current distribution cannot be implemented because these structures have to be isolated by a photoresist in order to suppress charge carrier injection from the metallic “buslines” into the OLED.

Ein optoelektronisches Bauelement kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen als eine lichtemittierende Diode (light emitting diode, LED), als eine organische lichtemittierende Diode (organic light emitting diode, OLED), als eine Photodiode, als eine organische Photodiode (organic photodiode, OPD), als eine Solarzelle, als eine organische Solarzelle (organic solar cell, OSC), als ein Photo-Transistor, oder als ein organischer Transistor, beispielsweise als ein organischer Dünnfilmtransistor (organic thin film transistor, OTFT) ausgebildet sein. Das optoelektronische Bauelement kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen Teil einer integrierten Schaltung sein. Weiterhin kann eine Mehrzahl von optoelektronischen Bauelementen vorgesehen sein, beispielsweise untergebracht in einem gemeinsamen Gehäuse.In various exemplary embodiments, an optoelectronic component can be designed as a light emitting diode (LED), as an organic light emitting diode (OLED), as a photodiode, as an organic photodiode (OPD), as a Solar cell, as an organic solar cell (OSC), as a photo transistor, or as an organic transistor, for example as an organic thin film transistor (OTFT). In various exemplary embodiments, the optoelectronic component can be part of an integrated circuit. Furthermore, a plurality of optoelectronic components can be provided, for example accommodated in a common housing.

1A und 1B zeigen eine Querschnittansicht (1A) entlang der Schnittlinie A-A` aus 1B und eine Draufsicht (1B) einer organischen Leuchtdiode gemäß verschiedenen Vergleichsbeispielen. Die organische Leuchtdiode dient anschaulich zur Erläuterung einer möglichen Implementierung verschiedener Ausführungsbeispiele und Vergleichsbeispiele. Alternative Implementierungen können die oben beschriebenen alternativen Ausführungsbeispiele und Vergleichsbeispiele betreffen. 1A and 1B show a cross-sectional view ( 1A) along the section line AA` 1B and a top view ( 1B) an organic light-emitting diode according to various comparative examples. The organic light-emitting diode serves to clearly explain a possible implementation of various exemplary embodiments and comparative examples. Alternative implementations may include the alternative embodiments and comparative examples described above.

Anschaulich zeigen 1A und 1B eine organische Leuchtdiode 100 mit einem neuartigen Substrat basierend auf einer aufgeschmolzenen Glasfritte als elektrische Isolationsschicht zur Kantenpassivierung an der substratseitigen Elektrode. In verschiedenen Ausführungsbeispielen deckt die Glasfritte die Kante der Anode ab.Show clearly 1A and 1B an organic light-emitting diode 100 with a novel substrate based on a melted glass frit as an electrical insulation layer for edge passivation on the substrate-side electrode. In various embodiments, the glass frit covers the edge of the anode.

Unter einer Glasfritte kann beispielsweise ein Material verstanden werden, das beispielsweise entsteht durch oberflächliches Schmelzen von Glaspulver, wobei die Glaskörner des Glaspulvers zusammenbacken. Sowohl das Glaspulver, als auch der entstehende Werkstoff wird im Rahmen dieser Beschreibung als Glasfritte bezeichnet. Schließlich kann aus dem abgeschreckten Werkstoff leicht durch Mahlen ein Glaspulver hergestellt werden, das ebenfalls im Rahmen dieser Beschreibung als Glasfritte bezeichnet wird.A glass frit can, for example, be understood as a material that is created, for example, by superficial melting of glass powder, whereby the glass grains of the glass powder cake together. Both the glass powder and the resulting material are referred to as glass frits in this description. Finally, a glass powder can easily be produced from the quenched material by grinding, which is also referred to as glass frit in this description.

Im Detail weist die Leuchtdiode einen Träger 102, beispielsweise ein Substrat 102, auf.In detail, the light-emitting diode has a carrier 102, for example a substrate 102.

Das Substrat 102 kann beispielsweise als ein Trägerelement für elektronische Elemente oder Schichten, beispielsweise lichtemittierende Elemente, dienen. Beispielsweise kann das Substrat 102 Glas, Quarz, und/oder ein Halbleitermaterial oder irgendein anderes geeignetes Material aufweisen oder daraus gebildet sein. Ferner kann das Substrat 102 eine Kunststofffolie oder ein Laminat mit einer oder mit mehreren Kunststofffolien aufweisen oder daraus gebildet sein. Der Kunststoff kann ein oder mehrere Polyolefine (beispielsweise Polyethylen (PE) mit hoher oder niedriger Dichte oder Polypropylen (PP)) aufweisen oder daraus gebildet sein. Ferner kann der Kunststoff Polyvinylchlorid (PVC), Polystyrol (PS), Polyester und/oder Polycarbonat (PC), Polyethylenterephthalat (PET), Polyethersulfon (PES) und/oder Polyethylennaphthalat (PEN) aufweisen oder daraus gebildet sein. Weiterhin kann das Substrat 102 beispielsweise eine Metallfolie aufweisen, beispielsweise eine Aluminiumfolie, eine Edelstahlfolie, eine Kupferfolie oder eine Kombination oder einen Schichtenstapel darauf. Das Substrat 102 kann eines oder mehrere der oben genannten Materialien aufweisen. Das Substrat 102 kann transluzent, beispielsweise transparent, teilweise transluzent, beispielsweise teilweise transparent, oder auch opak ausgeführt sein.The substrate 102 can, for example, serve as a carrier element for electronic elements or layers, for example light-emitting elements. For example, the substrate 102 may include or be formed from glass, quartz, and/or a semiconductor material or any other suitable material. Furthermore, the substrate 102 can have or be formed from a plastic film or a laminate with one or more plastic films. The plastic may include or be formed from one or more polyolefins (e.g., high or low density polyethylene (PE) or polypropylene (PP)). Furthermore, the plastic can have or be formed from polyvinyl chloride (PVC), polystyrene (PS), polyester and/or polycarbonate (PC), polyethylene terephthalate (PET), polyethersulfone (PES) and/or polyethylene naphthalate (PEN). Furthermore, the substrate 102 may have, for example, a metal foil, for example an aluminum foil, a stainless steel foil, a copper foil or a combination or a stack of layers thereon. The substrate 102 may comprise one or more of the materials mentioned above. The substrate 102 can be translucent, for example transparent, partially translucent, for example partially transparent, or even opaque.

Unter dem Begriff „transluzent“ oder „transluzente Schicht“ kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass eine Schicht für Licht durchlässig ist, beispielsweise für das von dem lichtemittierenden Bauelement erzeugte Licht, beispielsweise einer oder mehrerer Wellenlängenbereiche, beispielsweise für Licht in einem Wellenlängenbereich sichtbaren Lichts (beispielsweise zumindest in einem Teilbereich des Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm). Beispielsweise ist unter dem Begriff „transluzente Schicht“ in verschiedenen Ausführungsbeispielen zu verstehen, dass im Wesentlichen die gesamte in eine Struktur (beispielsweise eine Schicht) eingekoppelte Lichtmenge auch aus der Struktur (beispielsweise Schicht) ausgekoppelt wird, wobei ein Teil des Lichtes gestreut werden kann.The term “translucent” or “translucent layer” can be understood in various exemplary embodiments to mean that a layer is transparent to light, for example to the light generated by the light-emitting component, for example one or more wavelength ranges, for example to light in a wavelength range of visible light (for example at least in a portion of the wavelength range from 380 nm to 780 nm). For example, the term “translucent layer” in various exemplary embodiments means that essentially the entire amount of light coupled into a structure (for example a layer) is also coupled out of the structure (for example a layer), whereby part of the light can be scattered.

Unter dem Begriff „transparent“ oder „transparente Schicht“ kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass eine Schicht für Licht durchlässig ist (beispielsweise zumindest in einem Teilbereich des Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm), wobei in eine Struktur (beispielsweise eine Schicht) eingekoppeltes Licht im Wesentlichen ohne Streuung oder Lichtkonversion auch aus der Struktur (beispielsweise Schicht) ausgekoppelt wird. Somit ist „transparent“ als ein Spezialfall von „transluzent“ aufzufassen.In various exemplary embodiments, the term “transparent” or “transparent layer” can be understood to mean that a layer is permeable to light (for example at least in a partial range of the wavelength range from 380 nm to 780 nm), with a structure (for example a layer) coupled light is also coupled out of the structure (for example layer) essentially without scattering or light conversion. “Transparent” is therefore to be understood as a special case of “translucent”.

Auf oder über dem Substrat 102 kann eine erste Elektrode 104 (beispielsweise in Form einer ersten Elektrodenschicht 104) aufgebracht sein. Die erste Elektrode 104 ist eine mögliche Implementierung einer elektrisch leitfähigen Struktur. Die erste Elektrode 104 (im Folgenden auch als untere Elektrode 104 bezeichnet) kann aus einem elektrisch leitfähigen Material gebildet werden oder sein, wie beispielsweise aus einem Metall oder einem leitfähigen transparenten Oxid (transparent conductive oxide, TCO) oder einem Schichtenstapel mehrerer Schichten desselben oder unterschiedlichen Metalls oder Metalle und/oder desselben oder unterschiedlicher TCOs. Transparente leitfähige Oxide sind transparente, leitfähige Materialien, beispielsweise Metalloxide, wie beispielsweise Zinkoxid, Zinnoxid, Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid, oder Indium-Zinn-Oxid (ITO). Neben binären Metallsauerstoffverbindungen, wie beispielsweise ZnO, SnO₂, oder In₂O₃ gehören auch ternäre Metallsauerstoffverbindungen, wie beispielsweise Zn₂SnO₄, CdSnO₃, ZnSnO₃, MgIn₂O₄, GaInO₃, Zn₂In₂O₅ oder In₄Sn₃O₁₂ oder Mischungen unterschiedlicher transparenter leitfähiger Oxide zu der Gruppe der TCOs. Weiterhin entsprechen die TCOs nicht zwingend einer stöchiometrischen Zusammensetzung und können ferner p-dotiert oder n-dotiert sein. Die erste Elektrode 104 kann als Anode, also als löcherinjizierendes Material ausgebildet sein.On or above the substrate 102, a first electrode 104 (for example in the form of a first electrode layer 104). The first electrode 104 is a possible implementation of an electrically conductive structure. The first electrode 104 (hereinafter also referred to as lower electrode 104) may be formed from an electrically conductive material, such as a metal or a conductive transparent oxide (TCO) or a layer stack of several layers of the same or different ones Metal or metals and/or the same or different TCOs. Transparent conductive oxides are transparent, conductive materials, for example metal oxides such as zinc oxide, tin oxide, cadmium oxide, titanium oxide, indium oxide, or indium tin oxide (ITO). In addition to binary metal oxygen compounds, such as ZnO, SnO ₂ , or In ₂ O ₃ , ternary metal oxygen compounds, such as Zn ₂ SnO ₄ , CdSnO ₃ , ZnSnO ₃ , MgIn ₂ O ₄ , GaInO ₃ , Zn ₂ In ₂ O ₅ or In ₄ Sn ₃ O ₁₂ or mixtures of different transparent conductive oxides belong to the group of TCOs. Furthermore, the TCOs do not necessarily correspond to a stoichiometric composition and can also be p-doped or n-doped. The first electrode 104 can be designed as an anode, i.e. as a hole-injecting material.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste Elektrode 104 gebildet werden von einem Schichtenstapel einer Kombination einer Schicht eines Metalls auf einer Schicht eines TCOs, oder umgekehrt. Ein Beispiel ist eine Silberschicht, die auf einer Indium-Zinn-Oxid-Schicht (ITO) aufgebracht ist (Ag auf ITO). In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste Elektrode 104 ein Metall aufweisen (beispielsweise Ag, Pt, Au, Mg) oder eine Metalllegierung der beschriebenen Materialien (beispielsweise eine AgMg-Legierung) aufweisen. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste Elektrode 104 AlZnO oder ähnliche Materialien aufweisen.In various embodiments, the first electrode 104 may be formed by a layer stack of a combination of a layer of a metal on a layer of a TCO, or vice versa. An example is a silver layer deposited on an indium tin oxide (ITO) layer (Ag on ITO). In various embodiments, the first electrode 104 may comprise a metal (e.g. Ag, Pt, Au, Mg) or a metal alloy of the materials described (e.g. an AgMg alloy). In various embodiments, the first electrode 104 may comprise AlZnO or similar materials.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste Elektrode 104 ein Metall aufweisen, das beispielsweise als Kathodenmaterial, also als elektroneninjizierendes Material, dienen kann. Als Kathodenmaterial können unter anderem beispielweise Al, Ba, In, Ag, Au, Mg, Ca oder Li sowie Verbindungen, Kombinationen oder Legierungen dieser Materialien in verschiedenen Ausführungsbeispielen vorgesehen sein.In various exemplary embodiments, the first electrode 104 can comprise a metal that can serve, for example, as a cathode material, i.e. as an electron-injecting material. Cathode materials that can be used include, for example, Al, Ba, In, Ag, Au, Mg, Ca or Li, as well as compounds, combinations or alloys of these materials in various exemplary embodiments.

Für den Fall, dass das lichtemittierende Bauelement 100 Licht durch das Substrat 102 abstrahlt, sind die erste Elektrode 104 und das Substrat 102 transluzent oder transparent. In diesem Fall kann die erste Elektrode 104 beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von kleiner oder gleich ungefähr 25 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 20 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 18 nm. Weiterhin kann die erste Elektrode 104 beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von größer oder gleich ungefähr 10 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von größer oder gleich ungefähr 15 nm. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste Elektrode 104 eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 25 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 18 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 15 nm bis ungefähr 18 nm.In the event that the light-emitting component 100 emits light through the substrate 102, the first electrode 104 and the substrate 102 are translucent or transparent. In this case, the first electrode 104 can, for example, have a layer thickness of less than or equal to approximately 25 nm, for example a layer thickness of less than or equal to approximately 20 nm, for example a layer thickness of less than or equal to approximately 18 nm. Furthermore, the first electrode 104 can, for example, have a Have a layer thickness of greater than or equal to approximately 10 nm, for example a layer thickness of greater than or equal to approximately 15 nm. In various embodiments, the first electrode 104 may have a layer thickness in a range from approximately 10 nm to approximately 25 nm, for example a layer thickness in a range from about 10 nm to about 18 nm, for example a layer thickness in a range from about 15 nm to about 18 nm.

Für den Fall, dass das lichtemittierende Bauelement 100 Licht ausschließlich nach oben abstrahlt kann die erste Elektrode 104 opak oder reflektierend ausgebildet sein. In diesem Fall kann die erste Elektrode 104 beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von größer oder gleich ungefähr 40 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von größer oder gleich ungefähr 50 nm.In the event that the light-emitting component 100 emits light exclusively upwards, the first electrode 104 can be designed to be opaque or reflective. In this case, the first electrode 104 can, for example, have a layer thickness of greater than or equal to approximately 40 nm, for example a layer thickness of greater than or equal to approximately 50 nm.

Die erste Elektrode 104 kann einen ersten elektrischen Anschluss aufweisen, an den ein erstes elektrisches Potential (bereitgestellt von einer Energiequelle (beispielsweise eine Stromquelle oder eine Spannungsquelle) anlegbar ist, beispielsweise einen ersten Elektrodenkontakt 108, wie er im Folgenden noch näher erläutert wird. Alternativ kann das erste elektrische Potential an das Substrat 102 angelegt werden oder sein und darüber dann mittelbar der ersten Elektrode 104 zugeführt werden oder sein. Das erste elektrische Potential kann beispielsweise das Massepotential oder ein anderes vorgegebenes Bezugspotential sein.The first electrode 104 can have a first electrical connection to which a first electrical potential (provided by an energy source (for example a current source or a voltage source) can be applied, for example a first electrode contact 108, as will be explained in more detail below. Alternatively, the first electrical potential can be or be applied to the substrate 102 and then indirectly supplied to the first electrode 104. The first electrical potential can be, for example, the ground potential or another predetermined reference potential.

Weiterhin kann das lichtemittierende Bauelement 100 eine organische elektrolumineszente Schichtenstruktur 112 aufweisen, die auf oder über der ersten Elektrode 104 aufgebracht ist oder wird. Die organische elektrolumineszente Schichtenstruktur 112 stellt eine mögliche Implementierung mindestens einer optisch aktiven Schicht dar. Die organische elektrolumineszente Schichtenstruktur 112 kann eine oder mehrere organische Funktionsschichten zum Ladungstransport und zur Lichterzeugung aufweisen. Es ist darauf hinzuweisen, dass zur einfacheren Darstellung die organische elektrolumineszente Schichtenstruktur 112 nur in 1A dargestellt ist, in 1B jedoch weggelassen wurde.Furthermore, the light-emitting component 100 can have an organic electroluminescent layer structure 112, which is or will be applied on or above the first electrode 104. The organic electroluminescent layer structure 112 represents a possible implementation of at least one optically active layer. The organic electroluminescent layer structure 112 may have one or more organic functional layers for charge transport and light generation. It should be noted that for ease of illustration, the organic electroluminescent layer structure 112 is only shown in 1A is shown in 1B however, was omitted.

Die organische elektrolumineszente Schichtenstruktur kann eine oder mehrere Emitterschichten, beispielsweise mit fluoreszierenden und/oder phosphoreszierenden Emittern, enthalten, sowie eine oder mehrere Lochleitungsschichten.The organic electroluminescent layer structure can contain one or more emitter layers, for example with fluorescent and/or phosphorescent emitters, as well as one or more hole conduction layers.

Beispiele für Emittermaterialien, die in dem lichtemittierenden Bauelement gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen für die Emitterschicht(en) eingesetzt werden können, schließen organische oder organometallische Verbindungen, wie Derivate von Polyfluoren, Polythiophen und Polyphenylen (z.B. 2- oder 2,5-substituiertes Poly-p-phenylenvinylen) sowie Metallkomplexe, beispielsweise Iridium-Komplexe wie blau phosphoreszierendes FIrPic (Bis(3,5-difluoro-2-(2-pyridyl)phenyl-(2-carboxypyridyl)-iridium III), grün phosphoreszierendes Ir(ppy)₃ (Tris(2-phenylpyridin)iridium III), rot phosphoreszierendes Ru (dtb-bpy)₃*2(PF₆) (Tris[4,4'-di-tert-butyl-(2,2')-bipyridin]ruthenium(III)komplex) sowie blau fluoreszierendes DPAVBi (4,4-Bis[4-(di-p-tolylamino)styryl]biphenyl), grün fluoreszierendes TTPA (9,10-Bis[N,N-di-(p-tolyl)-amino]anthracen) und rot fluoreszierendes DCM2 (4-Dicyanomethylen)-2-methyl-6-julolidyl-9-enyl-4H-pyran) als nichtpolymere Emitter ein. Solche nichtpolymeren Emitter sind beispielsweise mittels thermischen Verdampfens abscheidbar. Ferner können Polymeremitter eingesetzt werden, welche insbesondere mittels nasschemischen Verfahren, wie beispielsweise Spin Coating, abscheidbar sind.Examples of emitter materials that are used in the light-emitting component according to various Examples of embodiments that can be used for the emitter layer(s) include organic or organometallic compounds, such as derivatives of polyfluorene, polythiophene and polyphenylene (e.g. 2- or 2,5-substituted poly-p-phenylene vinylene) as well as metal complexes, for example iridium complexes such as blue phosphorescent FIrPic (bis(3,5-difluoro-2-(2-pyridyl)phenyl-(2-carboxypyridyl)iridium III), green phosphorescent Ir(ppy) ₃ (tris(2-phenylpyridine)iridium III), red phosphorescent Ru (dtb-bpy) ₃ *2(PF ₆ ) (tris[4,4'-di-tert-butyl-(2,2')-bipyridine]ruthenium(III) complex) and blue fluorescent DPAVBi (4, 4-Bis[4-(di-p-tolylamino)styryl]biphenyl), green fluorescent TTPA (9,10-bis[N,N-di-(p-tolyl)-amino]anthracene) and red fluorescent DCM2 (4 -Dicyanomethylene)-2-methyl-6-julolidyl-9-enyl-4H-pyran) as non-polymeric emitters. Such non-polymer emitters can be deposited, for example, by means of thermal evaporation. Furthermore, polymer emitters can be used, which can be deposited in particular using wet chemical processes, such as spin coating.

Die Emittermaterialien können in geeigneter Weise in einem Matrixmaterial eingebettet sein.The emitter materials can be suitably embedded in a matrix material.

Die Emittermaterialien der Emitterschicht(en) des lichtemittierenden Bauelements, beispielsweise der organischen Leuchtdiode 100, können beispielsweise so ausgewählt sein, dass das lichtemittierende Bauelement Weißlicht emittiert. Die Emitterschicht(en) kann/können mehrere verschiedenfarbig (zum Beispiel blau und gelb oder blau, grün und rot) emittierende Emittermaterialien aufweisen, alternativ kann/können die Emitterschicht(en) auch aus mehreren Teilschichten aufgebaut sein, wie einer blau fluoreszierenden Emitterschicht oder blau phosphoreszierenden Emitterschicht, einer grün phosphoreszierenden Emitterschicht und einer rot phosphoreszierenden Emitterschicht. Durch die Mischung der verschiedenen Farben kann die Emission von Licht mit einem weißen Farbeindruck resultieren. Alternativ kann auch vorgesehen sein, im Strahlengang der durch diese Schichten erzeugten Primäremission ein Konvertermaterial anzuordnen, das die Primärstrahlung zumindest teilweise absorbiert und eine Sekundärstrahlung anderer Wellenlänge emittiert, so dass sich aus einer (noch nicht weißen) Primärstrahlung durch die Kombination von primärer Strahlung und sekundärer Strahlung ein weißer Farbeindruck ergibt.The emitter materials of the emitter layer(s) of the light-emitting component, for example the organic light-emitting diode 100, can, for example, be selected such that the light-emitting component emits white light. The emitter layer(s) can have several emitter materials emitting in different colors (for example blue and yellow or blue, green and red). Alternatively, the emitter layer(s) can also be made up of several partial layers, such as a blue fluorescent emitter layer or blue phosphorescent emitter layer, a green phosphorescent emitter layer and a red phosphorescent emitter layer. By mixing the different colors, the emission of light can result in a white color impression. Alternatively, it can also be provided to arrange a converter material in the beam path of the primary emission generated by these layers, which at least partially absorbs the primary radiation and emits a secondary radiation of a different wavelength, so that a (not yet white) primary radiation is obtained through the combination of primary radiation and secondary Radiation gives a white color impression.

Die organische elektrolumineszente Schichtenstruktur 112 kann allgemein eine oder mehrere elektrolumineszente Schichten aufweisen. Die eine oder mehreren elektrolumineszenten Schichten kann oder können organische Polymere, organische Oligomere, organische Monomere, organische kleine, nichtpolymere Moleküle („small molecules“) oder Kombination dieser Materialien aufweisen. Beispielsweise kann die organische elektrolumineszente Schichtenstruktur eine oder mehrere funktionelle Schichten aufweisen, die als Lochtransportschicht ausgeführt ist oder sind, so dass beispielsweise in dem Fall einer OLED eine effektive Löcherinjektion in eine elektrolumineszierende Schicht oder einen elektrolumineszierenden Bereich ermöglicht werden. Als Material für die Lochtransportschicht können beispielsweise tertiäre Amine, Carbazoderivate, leitendes Polyanilin oder Polythylendioxythiophen verwendet werden. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann oder können die eine oder die mehreren funktionellen Schichten als elektrolumineszierende Schicht ausgeführt sein.The organic electroluminescent layer structure 112 may generally include one or more electroluminescent layers. The one or more electroluminescent layers may or may contain organic polymers, organic oligomers, organic monomers, organic small, non-polymeric molecules (“small molecules”) or combinations of these materials. For example, the organic electroluminescent layer structure can have one or more functional layers, which is or are designed as a hole transport layer, so that, for example in the case of an OLED, effective hole injection into an electroluminescent layer or an electroluminescent region is made possible. For example, tertiary amines, carbazoderivatives, conductive polyaniline or polyethylenedioxythiophene can be used as material for the hole transport layer. In various exemplary embodiments, the one or more functional layers can be designed as an electroluminescent layer.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Lochtransportschicht auf oder über der ersten Elektrode 104 aufgebracht, beispielsweise abgeschieden, sein, und die Emitterschicht kann auf oder über der Lochtransportschicht aufgebracht, beispielsweise abgeschieden, sein.In various embodiments, the hole transport layer may be applied, for example deposited, on or over the first electrode 104, and the emitter layer may be applied, for example deposited, on or over the hole transport layer.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische elektrolumineszente Schichtenstruktur 112 (also die Summe der Dicken von Transportschicht(en) und Emitterschicht(en)) eine Schichtdicke aufweisen von maximal ungefähr 1,5 µm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1,2 µm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1 µm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 800 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 400 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 300 nm. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische elektrolumineszente Schichtenstruktur 112 beispielsweise einen Stapel von mehreren direkt übereinander angeordneten OLEDs aufweisen, wobei jede OLED beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen kann von maximal ungefähr 1,5 µm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1,2 µm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1 µm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 800 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 400 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 300 nm. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische elektrolumineszente Schichtenstruktur beispielsweise einen Stapel von drei oder vier direkt übereinander angeordneten OLEDs aufweisen, in welchem Fall beispielsweise die organische elektrolumineszente Schichtenstruktur eine Schichtdicke aufweisen kann von maximal ungefähr 3 µm.In various exemplary embodiments, the organic electroluminescent layer structure 112 (i.e. the sum of the thicknesses of the transport layer(s) and emitter layer(s)) may have a layer thickness of a maximum of approximately 1.5 μm, for example a layer thickness of a maximum of approximately 1.2 μm, for example one Layer thickness of a maximum of approximately 1 μm, for example a layer thickness of a maximum of approximately 800 nm, for example a layer thickness of a maximum of approximately 500 nm, for example a layer thickness of a maximum of approximately 400 nm, for example a layer thickness of a maximum of approximately 300 nm. In various exemplary embodiments, the organic electroluminescent Layer structure 112, for example, has a stack of several OLEDs arranged directly one above the other, each OLED, for example, having a layer thickness of a maximum of approximately 1.5 μm, for example a layer thickness of a maximum of approximately 1.2 μm, for example a layer thickness of a maximum of approximately 1 μm, for example a layer thickness of a maximum of approximately 800 nm, for example a layer thickness of a maximum of approximately 500 nm, for example a layer thickness of a maximum of approximately 400 nm, for example a layer thickness of a maximum of approximately 300 nm. In various exemplary embodiments, the organic electroluminescent layer structure can, for example, be a stack of three or four have OLEDs arranged directly one above the other, in which case, for example, the organic electroluminescent layer structure can have a layer thickness of a maximum of approximately 3 μm.

Das lichtemittierende Bauelement 100 kann optional allgemein weitere organische Funktionsschichten, angeordnet auf oder über der einen oder mehreren Emitterschichten, aufweisen, die dazu dienen, die Funktionalität und damit die Effizienz des lichtemittierenden Bauelements 100 weiter zu verbessern.The light-emitting component 100 can optionally generally have further organic functional layers, arranged on or above the one or more emitter layers, which serve to further improve the functionality and thus the efficiency of the light-emitting component 100.

Das lichtemittierende Bauelement 100 kann als „Bottom-Emitter“ und/oder „Top-Emitter“ ausgeführt sein.The light-emitting component 100 can be designed as a “bottom emitter” and/or “top emitter”.

Auf oder über der organischen elektrolumineszenten Schichtenstruktur oder gegebenenfalls auf oder über der einen oder mehreren weiteren organischen Funktionsschichten kann eine zweite Elektrode 114 (beispielsweise in Form einer zweiten Elektrodenschicht 114) aufgebracht sein.A second electrode 114 (for example in the form of a second electrode layer 114) can be applied on or above the organic electroluminescent layer structure or optionally on or above the one or more further organic functional layers.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite Elektrode 114 die gleichen Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein wie die erste Elektrode 104, wobei in verschiedenen Ausführungsbeispielen Metalle besonders geeignet sind.In various exemplary embodiments, the second electrode 114 can have or be formed from the same materials as the first electrode 104, with metals being particularly suitable in various exemplary embodiments.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite Elektrode 114 beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von kleiner oder gleich ungefähr 50 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 45 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 40 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 35 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 30 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 25 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 20 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 15 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 10 nm.In various exemplary embodiments, the second electrode 114 can, for example, have a layer thickness of less than or equal to approximately 50 nm, for example a layer thickness of less than or equal to approximately 45 nm, for example a layer thickness of less than or equal to approximately 40 nm, for example a layer thickness of less than or equal to approximately 35 nm, for example a layer thickness of less than or equal to approximately 30 nm, for example a layer thickness of less than or equal to approximately 25 nm, for example a layer thickness of less than or equal to approximately 20 nm, for example a layer thickness of less than or equal to approximately 15 nm, for example a layer thickness of less than or equal to approximately 10 nm.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite Elektrode 114 jedoch eine beliebig größere Schichtdicke aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von mindestens 1 µm.In various exemplary embodiments, however, the second electrode 114 can have an arbitrarily greater layer thickness, for example a layer thickness of at least 1 μm.

Die zweite Elektrode 114 kann einen zweiten elektrischen Anschluss aufweisen, an den ein zweites elektrisches Potential (welches unterschiedlich ist zu dem ersten elektrischen Potential), bereitgestellt von einer Energiequelle, anlegbar ist. Das zweite elektrische Potential kann beispielsweise einen Wert aufweisen derart, dass die Differenz zu dem ersten elektrischen Potential einen Wert in einem Bereich von ungefähr 1,5 V bis ungefähr 20 V aufweist, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 2,5 V bis ungefähr 15 V, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 5 V bis ungefähr 10 V.The second electrode 114 may have a second electrical connection to which a second electrical potential (which is different from the first electrical potential), provided by an energy source, can be applied. The second electrical potential may, for example, have a value such that the difference from the first electrical potential has a value in a range from approximately 1.5 V to approximately 20 V, for example a value in a range from approximately 2.5 V to approximately 15V, for example a value in a range from about 5V to about 10V.

Weiterhin kann die organische Leuchtdiode 100 noch eine oder mehrere Verkapselungsschichten aufweisen, allgemein eine Verkapselung 116, beispielsweise eine Dünnfilmverkapselung 116, die beispielsweise im Rahmen eines Back-End-of-Line-Prozesses aufgebracht werden kann oder können.Furthermore, the organic light-emitting diode 100 can also have one or more encapsulation layers, generally an encapsulation 116, for example a thin-film encapsulation 116, which can be applied, for example, as part of a back-end-of-line process.

Die organische Leuchtdiode 100 kann als Bottom-Emitter oder als Top-Emitter oder als Top- und Bottom-Emitter ausgebildet sein oder werden.The organic light-emitting diode 100 can be designed as a bottom emitter or as a top emitter or as a top and bottom emitter.

Weiterhin ist bei der organischen Leuchtdiode 100 in verschiedenen Ausführungsbeispielen ein erster lateraler externer Elektrodenkontakt 108 vorgesehen, der neben und/oder auf der ersten Elektrode 104 angeordnet ist und mit dieser in körperlichem Kontakt ist und mit dieser elektrisch gekoppelt ist (in 1A links und die obere Oberfläche der ersten Elektrode 104 teilweise überlappend dargestellt). Der erste Elektrodenkontakt 108 kann auch als Teil der ersten Elektrode 104 aufgefasst werden. Der erste Elektrodenkontakt 108 erstreckt sich seitlich durch die Verkapselungsschicht 116 durch eine erste Öffnung 118 zwischen der Verkapselungsschicht 116 und der oberen Oberfläche des Trägers 102 hindurch, so dass ein Teil des ersten Elektrodenkontakts 108 Bauelement-extern frei zugänglich ist, so dass das erste elektrische Potential, wie es oben beispielhaft beschrieben worden ist, an den ersten Elektrodenkontakt 108 und damit an die erste Elektrode 104 anlegbar ist. Das Material oder die Materialien des ersten Elektrodenkontakts 108 kann oder können gleich sein dem Material oder den Materialien der ersten Elektrode 104, wie es oder sie oben beispielhaft beschrieben worden ist oder sind.Furthermore, in various exemplary embodiments, a first lateral external electrode contact 108 is provided in the organic light-emitting diode 100, which is arranged next to and/or on the first electrode 104 and is in physical contact with it and is electrically coupled to it (in 1A left and the upper surface of the first electrode 104 shown partially overlapping). The first electrode contact 108 can also be understood as part of the first electrode 104. The first electrode contact 108 extends laterally through the encapsulation layer 116 through a first opening 118 between the encapsulation layer 116 and the upper surface of the carrier 102, so that a part of the first electrode contact 108 is freely accessible external to the component, so that the first electrical potential , as described above as an example, can be applied to the first electrode contact 108 and thus to the first electrode 104. The material or materials of the first electrode contact 108 may be the same as the material or materials of the first electrode 104 as exemplified above.

Ferner ist bei der organischen Leuchtdiode 100 in verschiedenen Ausführungsbeispielen ein zweiter lateraler externer Elektrodenkontakt 106 vorgesehen, der neben und/oder unterhalb der zweiten Elektrode 114 angeordnet ist und mit dieser in körperlichem und elektrischem Kontakt ist (in 1A rechts und die untere Oberfläche der zweiten Elektrode 114 teilweise überlappend dargestellt). Der zweite Elektrodenkontakt 106 kann auch als Teil der zweiten Elektrode 114 aufgefasst werden. Der zweite Elektrodenkontakt 106 erstreckt sich seitlich durch die Verkapselungsschicht 116 durch eine zweite Öffnung 120 zwischen der Verkapselungsschicht 116 und der oberen Oberfläche des Trägers 102 hindurch, so dass ein Teil des zweiten Elektrodenkontakts 106 Bauelement-extern frei zugänglich ist, so dass das zweite elektrische Potential, wie es oben beispielhaft beschrieben worden ist, an den zweiten Elektrodenkontakt 106 und damit an die zweite Elektrode 114 anlegbar ist. Das Material oder die Materialien des zweiten Elektrodenkontakts 106 kann oder können gleich sein dem Material oder den Materialien der zweiten Elektrode 114, wie es oder sie oben beispielhaft beschrieben worden ist oder sind.Furthermore, in various exemplary embodiments, a second lateral external electrode contact 106 is provided in the organic light-emitting diode 100, which is arranged next to and/or below the second electrode 114 and is in physical and electrical contact with it (in 1A right and the lower surface of the second electrode 114 shown partially overlapping). The second electrode contact 106 can also be considered part of the second electrode 114. The second electrode contact 106 extends laterally through the encapsulation layer 116 through a second opening 120 between the encapsulation layer 116 and the upper surface of the carrier 102, so that a part of the second electrode contact 106 is freely accessible external to the component, so that the second electrical potential , as described above as an example, can be applied to the second electrode contact 106 and thus to the second electrode 114. The material or materials of the second electrode contact 106 may be the same as the material or materials lien of the second electrode 114, as it or they have been or are described above by way of example.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen ist zur Kantenisolation der ersten Elektrode 104 eine Passivierungsstruktur 110 vorgesehen, die beispielsweise gebildet wird von einer Glas-Passivierungsstruktur, beispielsweise einer aufgeschmolzenen und wieder erstarrten Glasfritte 110, die beispielsweise mittels Druckens, beispielsweise mittels Siebdruckens, unter Verwendung einer Glasfrittenpaste aufgebracht wird, dann aufgeschmolzen wird und dann wieder abgekühlt wird (aktiv oder passiv). Die Glasfritte 110 erstreckt sich über den freiliegenden Bereichen der ersten Elektrode 104 und des ersten Elektrodenkontakts 108, die nicht mit der organischen elektrolumineszenten Schichtenstruktur 112 bedeckt sind, und bedeckt und passiviert diese. Anschaulich werden somit die erste Elektrode 104 und die zweite Elektrode 114 voneinander mittels der Glasfritte 110 elektrisch isoliert.In various exemplary embodiments, a passivation structure 110 is provided for edge insulation of the first electrode 104, which is formed, for example, by a glass passivation structure, for example a melted and re-solidified glass frit 110, which is applied, for example, by means of printing, for example by means of screen printing, using a glass frit paste, then melted and then cooled again (actively or passively). The glass frit 110 extends over, covers and passivates the exposed areas of the first electrode 104 and the first electrode contact 108 that are not covered with the organic electroluminescent layer structure 112. Clearly, the first electrode 104 and the second electrode 114 are electrically insulated from each other by means of the glass frit 110.

Die Glasfritte 110 kann teilweise von der zweiten Elektrode 114 und der Verkapselung 116 bedeckt sein, wobei die Verkapselung 116 seitlich sich auf der Seite des ersten Elektrodenkontakts 108 so weit erstrecken kann, dass die Verkapselung 116 in körperlichen Kontakt kommt mit dem neben der Glasfritte 110 freiliegenden Oberflächenbereich des ersten externen Elektrodenkontakts 108, so dass die organische elektrolumineszente Schichtenstruktur 112 eingekapselt ist. Alternativ kann die Verkapselung aber auch vollständig auf der Glasfritte 110, die eine Kantenisolation des ersten externen Elektrodenkontakts 108 bildet, aufliegen.The glass frit 110 may be partially covered by the second electrode 114 and the encapsulation 116, wherein the encapsulation 116 may extend laterally on the side of the first electrode contact 108 to such an extent that the encapsulation 116 comes into physical contact with that exposed next to the glass frit 110 Surface area of the first external electrode contact 108 so that the organic electroluminescent layer structure 112 is encapsulated. Alternatively, the encapsulation can also rest completely on the glass frit 110, which forms edge insulation of the first external electrode contact 108.

Ein anderer Teil der Glasfritte 110 kann auf der dem ersten Elektrodenkontakt 108 bezüglich der ersten Elektrode 104 seitlich angeordneten Bereich vorgesehen sein zur elektrischen Isolation, beispielsweise der Kantenisolation, der freiliegenden Bereiche der ersten Elektrode 104 von der zweiten Elektrode 112 sowie dem zweiten externen Elektrodenkontakt 106.Another part of the glass frit 110 can be provided on the area laterally arranged on the first electrode contact 108 with respect to the first electrode 104 for electrical insulation, for example the edge insulation, of the exposed areas of the first electrode 104 from the second electrode 112 and the second external electrode contact 106.

Anschaulich kann die Glasfritte 110, wie in 1B dargestellt, die auf der ersten Elektrode 104 aufgebrachte organische elektrolumineszente Schichtenstruktur 112 lateral (ringförmig) umschließen und die noch von der organischen elektrolumineszenten Schichtenstruktur 112 freien Oberflächenbereiche der ersten Elektrode 104 sowie die Seitenflächen der ersten Elektrode 104 vollständig bedecken.The glass frit 110 can clearly be seen, as in 1B shown, enclose the organic electroluminescent layer structure 112 applied to the first electrode 104 laterally (in a ring shape) and completely cover the surface areas of the first electrode 104 that are still free of the organic electroluminescent layer structure 112 and the side surfaces of the first electrode 104.

Durch Verwendung der Glas-Passivierung, beispielsweise der aufgeschmolzenen und wieder erstarrten Glasfritte, werden eine sehr gute elektrische Isolation und eine sehr gute Passivierung erreicht; außerdem stellt die Glas-Passivierung, beispielsweise die Glasfritte, eine sehr gute Barriere hinsichtlich Wasser- und Sauerstoffdiffusion dar.By using glass passivation, for example the melted and re-solidified glass frit, very good electrical insulation and very good passivation are achieved; In addition, the glass passivation, for example the glass frit, represents a very good barrier to water and oxygen diffusion.

2 zeigt eine Querschnittansicht einer organischen Leuchtdiode 200 gemäß verschiedenen Vergleichsbeispielen. 2 shows a cross-sectional view of an organic light-emitting diode 200 according to various comparative examples.

Die organische Leuchtdiode 200 gemäß 2 ist im Wesentlichen gleich der organischen Leuchtdiode 100 gemäß 1, weshalb im Folgenden lediglich die Unterschiede der organischen Leuchtdiode 200 gemäß 2 zu der organischen Leuchtdiode 100 gemäß 1 näher erläutert werden; hinsichtlich der übrigen Elemente der organische Leuchtdiode 200 gemäß 2 wird auf obige Ausführungen zu der organischen Leuchtdiode 100 gemäß 1 verwiesen.The organic light-emitting diode 200 according to 2 is essentially the same as the organic light-emitting diode 100 according to 1 , which is why only the differences between the organic light-emitting diode 200 are shown below 2 to the organic light-emitting diode 100 according to 1 be explained in more detail; with regard to the remaining elements of the organic light-emitting diode 200 2 is based on the above statements regarding the organic light-emitting diode 100 1 referred.

Im Unterschied zu der organischen Leuchtdiode 100 gemäß 1 ist bei der organischen Leuchtdiode 200 gemäß 2 nicht noch Material der zweiten Elektrode 114 zwischen der Glasfritte und dem zweiten externen Elektrodenkontakt 106 auf der oberen Oberfläche des Trägers 102 vorgesehen, sondern der laterale Zwischenraum zwischen der ersten Elektrode 104 und dem zweiten Elektrodenkontakt 106 ist vollständig mit der Glasfritte 202 gefüllt, die sich sogar teilweise noch über einen Teil der oberen Oberfläche des zweiten Elektrodenkontakts 106 hin erstreckt. Somit sind in diesem Vergleichsbeispiel sowohl die Seitenflächen der ersten Elektrode 104 als auch die Bauelemente-internen Seitenflächen des zweiten Elektrodenkontakts 106 vollständig mit der Glasfritte 202 bedeckt.In contrast to the organic light-emitting diode 100 according to 1 is the case with the organic light-emitting diode 200 2 No material of the second electrode 114 is provided between the glass frit and the second external electrode contact 106 on the upper surface of the carrier 102, but the lateral space between the first electrode 104 and the second electrode contact 106 is completely filled with the glass frit 202, which is even partially still extends over part of the upper surface of the second electrode contact 106. Thus, in this comparative example, both the side surfaces of the first electrode 104 and the component-internal side surfaces of the second electrode contact 106 are completely covered with the glass frit 202.

Anschaulich zeigt 2 eine organische Leuchtdiode 200 mit einem neuartigen Substrat basierend auf einer aufgeschmolzenen (und wieder erstarrten) Glasfritte 202 als elektrische Isolationsschicht zur Kantenpassivierung an der substratseitigen Elektrode, d.h. der ersten Elektrode 104. In dem gezeigten Fall deckt die Glasfritte 202 sowohl die Kante der substratseitigen Elektrode, d.h. der ersten Elektrode 104, als auch die Kante der metallischen Kontaktfläche (d.h. des zweiten Elektrodenkontakts 106) der Deckelelektrode, d.h. der zweiten Elektrode 114, ab.Clearly shows 2 an organic light-emitting diode 200 with a novel substrate based on a melted (and re-solidified) glass frit 202 as an electrical insulation layer for edge passivation on the substrate-side electrode, ie the first electrode 104. In the case shown, the glass frit 202 covers both the edge of the substrate-side electrode, ie the first electrode 104, as well as the edge of the metallic contact surface (ie the second electrode contact 106) of the cover electrode, ie the second electrode 114.

3 zeigt eine organische Leuchtdiode 300 als eine Implementierung eines lichtemittierenden Bauelements gemäß verschiedenen Vergleichsbeispielen. 3 shows an organic light-emitting diode 300 as an implementation of a light-emitting component according to various comparative examples.

Die organische Leuchtdiode 300 gemäß 3 ist im Wesentlichen gleich der organischen Leuchtdiode 200 gemäß 2, weshalb im Folgenden lediglich die Unterschiede der organischen Leuchtdiode 300 gemäß 3 zu der organischen Leuchtdiode 200 gemäß 2 näher erläutert werden; hinsichtlich der übrigen Elemente der organische Leuchtdiode 300 gemäß 3 wird auf obige Ausführungen zu der organischen Leuchtdiode 200 gemäß 2 sowie zu der organischen Leuchtdiode 100 gemäß 1 verwiesen.The organic light-emitting diode 300 according to 3 is essentially the same as the organic light-emitting diode 200 according to 2 , which is why only the differences between the organic light-emitting diode 300 are shown below 3 to the organic light-emitting diode 200 according to 2 be explained in more detail; with regard to the other elements of the organization cal LED 300 according to 3 is based on the above statements regarding the organic light-emitting diode 200 2 as well as the organic light-emitting diode 100 according to 1 referred.

Anschaulich zeigt 3 eine Leuchtdiode 300 mit einem neuartigen Substrat basierend auf einer aufgeschmolzenen (und wieder erstarrten) Glasfritte 202 als elektrische Isolationsschicht zur Kantenpassivierung an der substratseitigen Elektrode, d.h. der ersten Elektrode 104. In dem gezeigten Fall endet die Dünnfilmverkapselung 116 beim substratseitigen Elektrodenkontakt jedoch bereits auf der Glasfritte 302.Clearly shows 3 a light-emitting diode 300 with a novel substrate based on a melted (and re-solidified) glass frit 202 as an electrical insulation layer for edge passivation on the substrate-side electrode, ie the first electrode 104. In the case shown, however, the thin film encapsulation 116 already ends on the glass frit when the substrate-side electrode contact occurs 302.

4A und 4B zeigen eine Querschnittansicht (4A) entlang der Schnittlinie A-A` aus 4B und eine Draufsicht (4B) einer organischen Leuchtdiode gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen. Die organische Leuchtdiode dient anschaulich zur Erläuterung einer möglichen Implementierung verschiedener Ausführungsbeispiele. Alternative Implementierungen können die oben beschriebenen alternativen Ausführungsbeispiele betreffen. 4A and 4B show a cross-sectional view ( 4A) along the section line AA` 4B and a top view ( 4B) an organic light-emitting diode according to various exemplary embodiments. The organic light-emitting diode serves to clearly explain a possible implementation of various exemplary embodiments. Alternative implementations may involve the alternative embodiments described above.

Die organische Leuchtdiode 400 gemäß 4A und 4B ist im Wesentlichen gleich der organischen Leuchtdiode 200 gemäß 2, weshalb im Folgenden lediglich die Unterschiede der organischen Leuchtdiode 400 gemäß 4 zu der organischen Leuchtdiode 200 gemäß 2 näher erläutert werden; hinsichtlich der übrigen Elemente der organische Leuchtdiode 400 gemäß 4 wird auf obige Ausführungen zu der organischen Leuchtdiode 200 gemäß 2 und zu der organischen Leuchtdiode 100 gemäß 1 verwiesen.The organic light-emitting diode 400 according to 4A and 4B is essentially the same as the organic light-emitting diode 200 according to 2 , which is why only the differences between the organic light-emitting diode 400 are shown below 4 to the organic light-emitting diode 200 according to 2 be explained in more detail; with regard to the remaining elements of the organic light-emitting diode 400 4 is based on the above statements regarding the organic light-emitting diode 200 2 and to the organic light-emitting diode 100 according to 1 referred.

Die organische Leuchtdiode 400 gemäß 4A und 4B weist in verschiedenen Ausführungsbeispielen zusätzlich eine oder mehrere elektrisch leitfähige Leitungen 402 (auch bezeichnet als Busleitungen 402) auf, die zur lateralen Stromverteilung in die organische elektrolumineszente Schichtenstruktur 112 hinein vorgesehen sind. In verschiedenen Ausführungsbeispielen sind die Busleitungen 402 auf der oberen Oberfläche der ersten Elektrode 104 aufgebracht und mit dieser elektrisch gekoppelt. Die Busleitungen 402 können aus einem oder mehreren der Materialien, beispielsweise Metallen, gebildet sein, wie sie für die erste Elektrode 104 oder die zweite Elektrode 114 vorgesehen sind. In verschiedenen Ausführungsbeispielen können die Busleitungen 402 gebildet werden oder sein aus einem oder mehreren der folgenden Materialien: Cr, AlCr, Mb, Ti, MbTi, MbAlTi, oder dergleichen. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Glasfritte 404 zusätzlich zu den Bereichen, die schon bei der Leuchtdiode 100 gemäß 1A und 1B abgedeckt sind, auch noch vorgesehen sein zum Isolieren und/oder Passivieren der Busleitungen 402. Anschaulich sind die Busleitungen 402 von der Glasfritte 404 ummantelt und erst auf der Glasfritte ist dann die organische elektrolumineszente Schichtenstruktur 112 über den Busleitungen 402 aufgebracht. Die Busleitungen 402 bilden eine andere mögliche Implementierung einer elektrisch leitfähigen Struktur. In verschiedenen Ausführungsbeispielen können die Busleitungen 402 eine Breite aufweisen in einem Bereich von ungefähr xxx bis ungefähr yyy, beispielsweise eine Breite in einem Bereich von ungefähr zzz bis ungefähr aaa, beispielsweise eine Breite in einem Bereich von ungefähr bbb bis ungefähr ccc. In verschiedenen Ausführungsbeispielen können die Busleitungen 402 eine Höhe aufweisen in einem Bereich von ungefähr xxx bis ungefähr yyy, beispielsweise eine Höhe in einem Bereich von ungefähr zzz bis ungefähr aaa, beispielsweise eine Höhe in einem Bereich von ungefähr bbb bis ungefähr ccc.The organic light-emitting diode 400 according to 4A and 4B In various exemplary embodiments, additionally has one or more electrically conductive lines 402 (also referred to as bus lines 402), which are provided for lateral current distribution into the organic electroluminescent layer structure 112. In various embodiments, the bus lines 402 are applied to the upper surface of the first electrode 104 and electrically coupled thereto. The bus lines 402 may be formed from one or more of the materials, for example metals, as provided for the first electrode 104 or the second electrode 114. In various embodiments, the bus lines 402 may be formed from one or more of the following materials: Cr, AlCr, Mb, Ti, MbTi, MbAlTi, or the like. In various exemplary embodiments, the glass frit 404 can be in addition to the areas already in the light-emitting diode 100 according to 1A and 1B are covered, can also be provided for insulating and / or passivating the bus lines 402. Clearly, the bus lines 402 are encased by the glass frit 404 and only on the glass frit is the organic electroluminescent layer structure 112 applied over the bus lines 402. The bus lines 402 form another possible implementation of an electrically conductive structure. In various embodiments, the bus lines 402 may have a width in a range from approximately xxx to approximately yyy, for example, a width in a range from approximately zzz to approximately aaa, for example, a width in a range from approximately bbb to approximately ccc. In various embodiments, the bus lines 402 may have a height in a range from approximately xxx to approximately yyy, for example a height in a range from approximately zzz to approximately aaa, for example a height in a range from approximately bbb to approximately ccc.

Anschaulich zeigen 4A und 4B eine Leuchtdiode 400 mit einem neuartigen Substrat basierend auf einer aufgeschmolzenen (und wieder erstarrten) Glasfritte 402 als elektrische Isolationsschicht zur Kantenpassivierung an der substratseitigen Elektrode, d.h. der ersten Elektrode 104, und als Passivierung metallischer „Busleitungen“ 402 („Buslines“), die zur Verbesserung der lateralen Stromverteilung der substratseitigen Elektrode, d.h. der ersten Elektrode 104, dienen. Die Form der metallischen „Busleitungen“ 402 kann beliebig gewählt werden, beispielsweise linienartig, hexagonal, gekreuzt, rautenförmig, wellenlinienartig, stochastisch verteilt, etc.Show clearly 4A and 4B a light-emitting diode 400 with a novel substrate based on a melted (and re-solidified) glass frit 402 as an electrical insulation layer for edge passivation on the substrate-side electrode, ie the first electrode 104, and as passivation of metallic “bus lines” 402 (“buslines”), which are used for To improve the lateral current distribution of the substrate-side electrode, ie the first electrode 104. The shape of the metallic “bus lines” 402 can be chosen arbitrarily, for example line-like, hexagonal, crossed, diamond-shaped, wavy-line-like, stochastically distributed, etc.

Weiterhin ist weist die organische Leuchtdiode 400 optional eine Kratzschutzschicht 406 auf, beispielsweise gebildet von auflaminiertem Glas, Lack, einer auflaminierten Folie, oder dergleichen.Furthermore, the organic light-emitting diode 400 optionally has a scratch protection layer 406, for example formed from laminated glass, paint, a laminated film, or the like.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird eine Kantenpassivierung der Substratelektrode 104 eines optoelektronischen Bauelements bereitgestellt bzw. zur Passivierung von möglicherweise vorgesehenen „Busleitungen“ durch die Verwendung von Glasfritten, die eine sehr gute Aufwachsgrundlage für die Dünnfilmverkapselung 116 darstellen. Gläser und damit auch die Glasfritte stellen eine Materialklasse dar, die hervorragende elektrische Isolatoreigenschaften aufweist und somit auch zur elektrischen Kantenpassivierung der substratseitigen Elektrode, beispielsweise der ersten Elektrode 104, geeignet ist.In various exemplary embodiments, an edge passivation of the substrate electrode 104 of an optoelectronic component is provided or for the passivation of any “bus lines” that may be provided through the use of glass frits, which represent a very good growth basis for the thin film encapsulation 116. Glasses and thus also the glass frit represent a class of materials that have excellent electrical insulator properties and are therefore also suitable for electrical edge passivation of the substrate-side electrode, for example the first electrode 104.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen werden die Glasfritten beispielsweise mittels eines Siebdruckverfahrens aufgebracht. Die Glasfritte wird dabei nur an den Stellen aufgetragen, die gegenüber der Gegenelektrode (d.h. beispielsweise der zweiten Elektrode 114) elektrisch isoliert werden sollen (beispielsweise der Elektrodenkante bzw. den metallischen „Busleitung“-Strukturen. In einem nachfolgenden Prozessschritt wird die Glasfritte aufgeschmolzen. Dies kann beispielsweise dadurch erreicht werden, dass das gesamte Substrat 102 beispielsweise auf die dafür erforderliche Temperatur geheizt wird. Durch eine geeignete Prozessführung, die an sich bekannt ist, lassen sich damit eine glatte Oberfläche der Glasfritte mit einer guten Oberflächenbeschaffenheit erzielen. Dabei sollte in verschiedenen Ausführungsbeispielen darauf geachtet werden, dass die Haftung auf den unterschiedlichen Oberflächen wie beispielsweise dem Substratglas, der Metallisierung und dem Material der Substratelektrode (beispielsweise ITO, AZO, IMI) erreicht wird und gewährleistet ist. Das Aufheizen des gesamten Substrats 102, beispielsweise des gesamten Glassubstrats 102 ist an dieser Stelle des Herstellungsprozesses noch möglich, da sich noch keine temperaturempfindlichen organischen Materialien, beispielsweise OLED-Materialien, auf dem Substrat 102 befinden. Ähnliche Verfahren finden beispielsweise bei der Herstellung von Front- oder Heckscheiben im Automobilbereich Anwendung, bei denen die Scheiben im erhitzten Zustand auch noch in Form gebogen werden. In verschiedenen Ausführungsbeispielen ist zum Aufschmelzen der Glasfritte alternativ der Einsatz von Laserstrahlung vorgesehen. Dies kann dadurch erreicht werden, dass gezielt Laserstrahlung hoher Intensität und geeigneter Wellenlänge entlang der Glasfritte eingestrahlt wird. Gegebenenfalls kann der Glasfritte in verschiedenen Ausführungsbeispielen noch ein geeignetes Absorbermaterial hinzugefügt werden. In verschiedenen Ausführungsbeispielen ist es im Rahmen der Herstellung vorgesehen, die organische elektrolumineszente Schichtenstruktur 112 aufzubringen, beispielsweise abzuscheiden, nachdem die Glasfritte aufgebracht worden ist, aufgeschmolzen worden ist und wieder erstarrt ist.In various exemplary embodiments, the glass frits are applied, for example, using a screen printing process. The glass frit is only applied to those locations that are to be electrically insulated from the counter electrode (ie, for example, the second electrode 114) (for example, the electrode edge or the metallic “bus line” structures. In a subsequent process step, the glass frit is melted. This can be achieved, for example, by heating the entire substrate 102 to the required temperature, for example. Through suitable process control, which is known per se, a smooth surface of the glass frit with a good surface quality can be achieved. In various exemplary embodiments, care should be taken to ensure that adhesion to the different surfaces such as the substrate glass, the metallization and the material of the substrate electrode (for example ITO, AZO, IMI) is achieved and guaranteed. Heating the entire substrate 102, for example the entire glass substrate 102, is still possible at this point in the manufacturing process since there are no temperature-sensitive organic materials, for example OLED materials, on the substrate 102 yet. Similar processes are used, for example, in the production of front or rear windows in the automotive sector, in which the windows are also bent into shape when heated. In various exemplary embodiments, the use of laser radiation is alternatively provided for melting the glass frit. This can be achieved by specifically irradiating laser radiation of high intensity and suitable wavelength along the glass frit. If necessary, a suitable absorber material can be added to the glass frit in various exemplary embodiments. In various exemplary embodiments, it is intended during production to apply the organic electroluminescent layer structure 112, for example to deposit it, after the glass frit has been applied, melted and solidified again.

Gläser bzw. aufgeschmolzene Glasfritten haben die Eigenschaft einer effektiven Unterdrückung der Wasser- bzw. Sauerstoffpermeation durch diese Schicht. Diese Eigenschaft wird in verschiedenen Ausführungsbeispielen genutzt, um eine Schädigung der OLED durch Wasser und Sauerstoff zu verhindern. Durch den Einsatz einer Glaspassivierung in verschiedenen Ausführungsbeispielen, beispielsweise aufgeschmolzene Glasfritte, kann erreicht werden, dass die Dünnfilmverkapselung nur auf besonders gut haftenden Schichten wie Glas, Metallisierung, oder anorganischen Elektrodenmaterialien wie beispielsweise ITO aufwachsen kann. Im Vergleich zu herkömmlichen organischen Leuchtdioden mit beispielsweise einem Photoresist als Kantenpassivierungsschicht lässt sich damit ein OLED-Aufbau realisieren, bei dem die Dünnfilmverkapselung in einem Randbereich nicht auf einer Organikschicht bzw. einer Photoresistschicht anwachsen muss. Das Aufwachsen der Dünnfilmschichten auf der Organik oder auf dem Photoresist gilt als eine mögliche Schwachstelle im Rahmen der Verkapselung.Glass or melted glass frits have the property of effectively suppressing water or oxygen permeation through this layer. This property is used in various exemplary embodiments to prevent damage to the OLED caused by water and oxygen. By using glass passivation in various exemplary embodiments, for example molten glass frit, it can be achieved that the thin film encapsulation can only grow on particularly well-adhering layers such as glass, metallization, or inorganic electrode materials such as ITO. In comparison to conventional organic light-emitting diodes with, for example, a photoresist as an edge passivation layer, an OLED structure can be realized in which the thin film encapsulation in an edge region does not have to grow on an organic layer or a photoresist layer. The growth of the thin film layers on the organic material or on the photoresist is considered a possible weak point in the encapsulation process.

Ferner ergibt sich durch die Barrierewirkung der Glaspassivierung in verschiedenen Ausführungsbeispielen der Vorteil, dass diese Barrierewirkung die Feuchte bzw. die Sauerstoffdiffusion durch die Passivierungsschicht hindurch gezielt verhindert und nicht wie im Falle eines organischen Photoresists, einem „Wasserleiter“ gleich, die Diffusion von Wasser und/oder Sauerstoff zu den empfindlichen OLED-Schichten hin beschleunigt.Furthermore, the barrier effect of the glass passivation in various exemplary embodiments has the advantage that this barrier effect specifically prevents moisture or oxygen diffusion through the passivation layer and does not prevent the diffusion of water and/or, as is the case with an organic photoresist, like a “water conductor”. or oxygen accelerates towards the sensitive OLED layers.

Damit stellen verschiedene Ausführungsbeispiele eine sehr gute Kombination einer geeigneten elektrischen Isolationsschicht und einer Wasser- und/oder Sauerstoff-Barriereschicht dar, die außerdem eine gute Aufwachsgrundlage für die Dünnfilmverkapselung darstellt.Various exemplary embodiments therefore represent a very good combination of a suitable electrical insulation layer and a water and/or oxygen barrier layer, which also represents a good growth basis for the thin film encapsulation.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Dünnfilmverkapselung mit guten Barriereeigenschaften mit Hilfe von anorganischen Schichten realisiert werden, wie beispielsweise in WO 2010/006571 A1 oder DE 10 2008 048 472 A1 beschrieben, wobei die Dünnfilmverkapselung beispielsweise mittels eines Plasma-unterstützten Abscheideverfahrens aus der Gasphase (PE-CVD) oder eines Atomlagenepitaxieverfahrens (ALD) hergestellt wird. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Dünnfilmverkapselung auch mittels einer Kombination eines PE-CVD-Verfahrens und eines ALD-Verfahrens hergestellt werden. Dieser Prozess ist besonders geeignet zur Herstellung transparenter OLEDs.In various embodiments, the thin film encapsulation with good barrier properties can be realized with the help of inorganic layers, such as in WO 2010/006571 A1 or DE 10 2008 048 472 A1 described, wherein the thin film encapsulation is produced, for example, by means of a plasma-assisted vapor deposition process (PE-CVD) or an atomic layer epitaxy process (ALD). In various embodiments, the thin film encapsulation can also be produced using a combination of a PE-CVD process and an ALD process. This process is particularly suitable for producing transparent OLEDs.

Es ist darauf hinzuweisen, dass die Ausführungsbeispiele nicht auf die oben beschriebenen Prozesse zum Aufbringen der Glaspassivierungsschicht beschränkt sind. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Glaspassivierungsschicht alternativ aus Nanopartikeln beispielsweise mittels des so genannten Dip-Coating-Verfahrens mit wässrigen Suspensionen hergestellt werden, alternativ mittels atmosphärischen Plasmaspritzens oder mittels Elektroschmelzsprühens. Der jeweils vorgesehene Prozess kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen mit einem geeigneten Prozess kombiniert werden, die eine Kontamination der aktiven Fläche der OLED durch das Material der Passivierungsschicht schützt bzw. verhindert.It should be noted that the exemplary embodiments are not limited to the processes described above for applying the glass passivation layer. In various exemplary embodiments, the glass passivation layer can alternatively be produced from nanoparticles, for example by means of the so-called dip coating process with aqueous suspensions, alternatively by means of atmospheric plasma spraying or by means of electro-melt spraying. The respective process provided can be combined in various exemplary embodiments with a suitable process that protects or prevents contamination of the active area of the OLED by the material of the passivation layer.

Ein optoelektronisches Bauelement, beispielsweise ein OLED-Bauelement, gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen mit einer Glaspassivierung können auf der Rückseite mit verschiedenen Möglichkeiten eines Kratzschutzes versehen sein, wie beispielsweise einem oder mehreren Lacken, einem oder mehreren laminierten Gläsern, einer oder mehreren laminierten Folien, die das optoelektronische Bauelement, beispielsweise das OLED-Bauelement, vor äußerlichen mechanischen Einflüssen zusätzlich schützen.An optoelectronic component, for example an OLED component, according to various exemplary embodiments with a glass passivation can be provided on the back with various options for scratch protection, such as one or more lacquers, one or more laminated glasses sern, one or more laminated films that additionally protect the optoelectronic component, for example the OLED component, from external mechanical influences.

Gegenüber herkömmlichen OLED-Bauelementen, allgemein herkömmlichen optoelektronischen Bauelementen, bietet die Verwendung einer Kantenpassivierung mittels eines Glases, beispielsweise in Form einer Glasfritte, den Vorteil, dass die Passivierungsschicht eine sehr gute Kombination darstellt, einerseits eine elektrische Isolationsschicht zwischen Anode und Kathode und andererseits eine sehr gute Barriereschicht gegenüber Wasser- und Sauerstoffdiffusion. Ein Vorteil kann sich in verschiedenen Ausführungsbeispielen dadurch ergeben, dass die Glaspassivierung eine anorganische Passivierung darstellt. Das Aufbringen beispielsweise der OLED-Schichten kann damit in einer Weise erfolgen, bei der die Organikschichten vollständig von der Kathode (beispielsweise Al, Ag, AgMg, TCO + Ag, ITO-Metall-ITO, etc.) abgedeckt werden. Somit gibt es keine Bereiche, in denen die Dünnfilmverkapselung direkt auf den Organikschichten bzw. dem Photoresist anwachsen bzw. haften muss. Außerdem stellt die Glaspassivierung eine sehr gute Barriere bezüglich der Wasser- und Sauerstoffdiffusion vom Randbereich des Bauelements in die aktive Zone der mindestens einen optisch aktiven Schicht, beispielsweise der OLED, dar. Damit kann effektiv das Problem der „Edge-Corrosion“ bzw. „Side-leakage“ unterdrückt bzw. beseitigt werden. Diese Phänomene sind beispielsweise bei den gedruckten organischen Passivierungsschichten sehr ausgeprägt.Compared to conventional OLED components, generally conventional optoelectronic components, the use of edge passivation using a glass, for example in the form of a glass frit, offers the advantage that the passivation layer represents a very good combination, on the one hand an electrical insulation layer between anode and cathode and on the other hand a very good barrier layer against water and oxygen diffusion. In various exemplary embodiments, an advantage can arise from the fact that the glass passivation represents an inorganic passivation. The OLED layers, for example, can be applied in a way in which the organic layers are completely covered by the cathode (for example Al, Ag, AgMg, TCO + Ag, ITO-metal-ITO, etc.). This means that there are no areas in which the thin film encapsulation has to grow or adhere directly to the organic layers or the photoresist. In addition, the glass passivation represents a very good barrier to water and oxygen diffusion from the edge area of the component into the active zone of the at least one optically active layer, for example the OLED. This can effectively solve the problem of “edge corrosion” or “side -leakage“ can be suppressed or eliminated. These phenomena are very pronounced, for example, in the printed organic passivation layers.

Ferner wird in verschiedenen Ausführungsbeispielen eine kostengünstige Alternative zu den photolithographischen strukturierten Photolacken bereitgestellt, die mehrere kostenintensive Prozessschritte beinhalten. Im Falle der Verwendung einer Glasfritte ist für das Aufbringen einer Glasfritte beispielsweise mittels eines Siebdruckverfahrens und das anschließende Aufschmelzen nur ein einfacher zweistufiger Prozess erforderlich. Das Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen funktioniert beispielsweise auch bei Substraten, bei denen die Anode beispielsweise mit Hilfe einer Laserablation strukturiert wurde.Furthermore, in various exemplary embodiments, a cost-effective alternative to the photolithographic structured photoresists, which include several cost-intensive process steps, is provided. If a glass frit is used, only a simple two-stage process is required to apply a glass frit, for example using a screen printing process, and then melt it. The method according to various exemplary embodiments also works, for example, on substrates in which the anode was structured, for example, with the aid of laser ablation.

5 zeigt ein Ablaufdiagramm 500, in dem ein Verfahren zum Herstellen eines optolektronischen Bauelements gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen dargestellt ist. Das Verfahren kann aufweisen, in 502, ein Bilden mindestens einer optisch aktiven Schicht, in 504, ein Bilden mindestens einer elektrisch leitfähigen Struktur, die mit der mindestens einen optisch aktiven Schicht gekoppelt wird, in 506, ein Aufbringen einer Glasfritte neben und/oder auf der mindestens einen elektrisch leitfähigen Struktur, und, in 508, ein Schmelzen der Glasfritte, so dass eine bei Erstarren der geschmolzenen Glasfritte eine Passivierungsstruktur gebildet wird, die mit der elektrisch leitfähige Struktur verbunden wird. 5 shows a flowchart 500, in which a method for producing an optoelectronic component according to various exemplary embodiments is shown. The method may include, in 502, forming at least one optically active layer, in 504, forming at least one electrically conductive structure that is coupled to the at least one optically active layer, in 506, applying a glass frit next to and/or on the at least one electrically conductive structure, and, in 508, melting the glass frit so that when the melted glass frit solidifies, a passivation structure is formed which is connected to the electrically conductive structure.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein neuartiger Ansatz beispielsweise zur Kantenpassivierung einer Elektrode, beispielsweise Substratelektrode, oder beispielsweise zur Passivierung von möglichen metallischen so genannten „Busleitungen“ („Buslines“) bei einem optoelektronischen Bauelement, beispielsweise einem organischen lichtemittierenden Bauelement, beispielsweise einem OLED-Bauelement, bereitgestellt, bei dem Glasfritten verwendet werden, die als Isolator dienen und damit effektiv Kurzschlüsse zwischen beispielsweise Anode und Kathode besonders an den Kanten bzw. an den „Busleitungen“ unterdrücken.In various exemplary embodiments, a novel approach is used, for example, for the edge passivation of an electrode, for example a substrate electrode, or for example for the passivation of possible metallic so-called “bus lines” in an optoelectronic component, for example an organic light-emitting component, for example an OLED component, provided, in which glass frits are used that serve as an insulator and thus effectively suppress short circuits between, for example, anode and cathode, especially at the edges or on the “bus lines”.

Gleichzeitig bieten die Glasfritten in verschiedenen Ausführungsbeispielen eine sehr gute, wenn nicht sogar optimale Grundlage bzw. Aufwachsschicht für die Dünnfilmverkapselung am Rande des Bauelements, beispielsweise des OLED-Bauelements, so dass eine Wasser- und Sauerstoffdiffusion durch die Passivierung in beispielsweise die OLED hinein effektiv vermieden bzw. unterdrückt werden kann. Damit lässt sich in verschiedenen Ausführungsbeispielen ferner erreichen, dass die Schichten der Dünnfilmverkapselung auf einer anorganischen bzw. metallischen Schicht aufwachsen bzw. anhaften können und nicht auf einer organischen Schicht (wie beispielsweise den organischen OLED-Materialien bzw. beispielsweise dem Polyimid) haften bzw. aufwachsen müssen.At the same time, in various exemplary embodiments, the glass frits offer a very good, if not optimal, basis or growth layer for the thin film encapsulation on the edge of the component, for example the OLED component, so that water and oxygen diffusion through the passivation into, for example, the OLED is effectively avoided or can be suppressed. This means that in various exemplary embodiments it can also be achieved that the layers of the thin film encapsulation can grow or adhere to an inorganic or metallic layer and not adhere or grow to an organic layer (such as the organic OLED materials or, for example, the polyimide). must.

Claims

Optoelectronic component (100, 200, 300, 400), comprising: • at least one optically active layer (112); • at least one electrically conductive structure (104, 402) coupled to the at least one optically active layer (112); and • a passivation structure (110, 202, 302, 404) connected to the electrically conductive structure (104, 402), wherein the passivation structure (110, 202, 302, 404) comprises glass, • wherein the at least one electrically conductive Structure (104, 402) has at least one electrode (104) and at least one electrically conductive line (402); • wherein the passivation structure (404) is arranged as a passivation (404) for the at least one electrically conductive line (402), and • wherein the at least one electrically conductive line (402) for lateral current distribution in the at least one optically active layer (112 ) is provided, • wherein the at least one electrically conductive Lei device (402) is arranged on the at least one electrode (104) and is in electrical contact with it, and • wherein the at least one electrically conductive line (402) is encased by the passivation structure (404).

Optoelectronic component (100, 200, 300, 400) according to Claim 1 , whereby the passivation structure (110, 202, 302, 404) is formed by a melted and solidified glass frit.

Optoelectronic component (100, 200, 300, 400) according to Claim 1 or 2 , set up as a light-emitting component (100, 200, 300, 400), in particular as an organic light-emitting component (100, 200, 300, 400).

Optoelectronic component (100, 200, 300, 400) according to one of Claims 1 until 3 , wherein the at least one optically active layer (112) has at least one organic layer (112).

Optoelectronic component (100, 200, 300, 400) according to Claim 4 , wherein the at least one organic layer (112) has at least one of the following organic layers (112): • one or more emitter layers; and/or • one or more hole conduction layers; and/or • one or more functional organic layers.

Optoelectronic component (100, 200, 300, 400) according to one of Claims 1 until 5 , • wherein the passivation structure (110, 202, 302) is arranged as an edge insulation for the at least one electrode (104).

Optoelectronic component (100, 200, 300, 400) according to Claim 6 , • wherein the at least one electrode (104) has a first electrode (104) and a second electrode (114); and • wherein the passivation structure (110, 202, 302) is arranged between the first electrode (104) and the second electrode (114) such that it electrically isolates them from each other.

Optoelectronic component (100, 200, 300, 400) according to one of Claims 1 until 7 , further comprising: • a carrier (102); • wherein the at least one electrically conductive structure (104, 402) is at least partially arranged on the carrier (102).

Optoelectronic component (100, 200, 300, 400) according to one of Claims 1 until 8th , wherein the at least one optically active layer (112) is arranged on the at least one electrically conductive structure (104, 402).

Optoelectronic component (100, 200, 300, 400) according to Claims 7 and 8th , • wherein the first electrode (104) is arranged on the carrier (102); and • wherein the second electrode (114) is arranged on the at least one optically active layer (112).

Optoelectronic component (100, 200, 300, 400) according to one of Claims 1 until 10 , further comprising: a thin film encapsulation (116) which partially encloses the optoelectronic component (100, 200, 300, 400).

Method (500) for producing an optoelectronic component (100, 200, 300, 400) according to one of the preceding claims, the method comprising: • Forming (502) at least one optically active layer (112); • Forming (504) at least one electrically conductive structure (104, 402) which is coupled to the at least one optically active layer (112); • Applying (506) a glass frit (110, 202, 302, 404) next to and/or on the at least one electrically conductive structure (104, 402); and • Melting (508) the glass frit (110, 202, 302, 404), so that when the melted glass frit (110, 202, 302, 404) solidifies, a passivation structure (110, 202, 302, 404) is formed, which with the electrically conductive structure (104, 402) is connected, • wherein the optoelectronic component (100, 200, 300, 400) is produced according to one of the preceding claims.

Use of glass (110, 202, 302, 404), in particular a glass frit (110, 202, 302, 404), for edge passivation of an electrode (104), in particular a substrate electrode (104), of an optoelectronic component (100, 200, 300 , 400) according to one of the Claims 1 until 11 , in particular an organic light-emitting component (100, 200, 300, 400).

Use of glass (110, 202, 302, 404), in particular a glass frit (110, 202, 302, 404), for passivating one or more metallic bus lines (402) of an optoelectronic component (400) according to one of Claims 1 until 11 , in particular an organic light-emitting component (400).