DE102011011862A1

DE102011011862A1 - Method for producing a multiplicity of optoelectronic semiconductor chips

Info

Publication number: DE102011011862A1
Application number: DE102011011862A
Authority: DE
Inventors: Stefan Eisenreich; Thomas Veit
Original assignee: Osram Opto Semiconductors GmbH
Current assignee: Ams Osram International GmbH
Priority date: 2011-02-21
Filing date: 2011-02-21
Publication date: 2012-08-23
Also published as: WO2012113648A1

Abstract

Es wird ein zur Herstellung einer Vielzahl optoelektronischer Halbleiterchips (1) mit den folgenden Schritten angegeben:
— Bereitstellen eines Trägers (2), der an einer Oberseite (2a) eine Vielzahl von aktiven Bereichen (3) aufweist, die lateral benachbart zueinander angeordnet sind,
— Erzeugen von unterseitigen Trennbereichen (4b) durch Entfernen von Material des Trägers (2) an einer der Oberseite (2a) abgewandten Unterseite (2b) des Trägers (2), wobei die unterseitigen Trennbereiche (4b) in Projektion auf die Oberseite (2a) zwischen benachbarten aktiven Bereichen (3) angeordnet sind,
— Erzeugen von oberseitigen Trennbereichen (4a) durch Entfernen von Material des Trägers (2) an der Oberseite (2a) des Träger (2), wobei die oberseitigen Trennbereiche (4a) zwischen benachbarten aktiven Bereichen (3) angeordnet sind,
— Zertrennen des Trägers (2) zwischen einander gegenüberliegenden oberseitigen Trennbereichen (4a) und unterseitigen Trennbereichen (4b).The invention relates to a method for producing a plurality of optoelectronic semiconductor chips (1) with the following steps:
Providing a carrier (2) which has on a top side (2a) a multiplicity of active regions (3) which are arranged laterally adjacent to one another,
Producing lower-side separating regions (4b) by removing material of the carrier (2) on an underside (2b) of the carrier (2) facing away from the upper side (2a), the lower-side separating regions (4b) projecting onto the upper side (2a) are arranged between adjacent active areas (3),
Producing upper-side separating regions (4a) by removing material of the carrier (2) on the upper side (2a) of the carrier (2), the upper-side separating regions (4a) being arranged between adjacent active regions (3),
- Separating the carrier (2) between opposite upper-side separation areas (4a) and lower-side separation areas (4b).

Description

Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl optoelektronischer Halbleiterchips angegeben.A method for producing a multiplicity of optoelectronic semiconductor chips is specified.

Bei der Herstellung von optoelektronischen Halbleiterchips, beispielsweise von Leuchtdiodenchips, im Waferverbund treten insbesondere bei der Vereinzelung des Waferverbunds Probleme auf, wie beispielsweise die Entstehung von schrägen Bruchkanten, die zu einzelnen Halbleiterchips mit schrägen Seitenflächen führen.In the production of optoelectronic semiconductor chips, for example of light-emitting diode chips, in the wafer composite, problems occur in particular in the singulation of the wafer composite, such as, for example, the formation of oblique breaklines which lead to individual semiconductor chips with oblique side faces.

Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl optoelektronischer Halbleiterchips anzugeben, bei dem möglichst einheitliche optoelektronische Halbleiterchips in hoher Stückzahl erzeugt werden können.An object to be solved is to provide a method for producing a plurality of optoelectronic semiconductor chips, in which the most uniform possible optoelectronic semiconductor chips can be produced in large quantities.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst das Verfahren einen Schritt, bei dem ein Träger bereitgestellt wird, der an einer Oberseite eine Vielzahl von aktiven Bereichen aufweist, die lateral benachbart zueinander angeordnet sind. Bei den herzustellenden optoelektronischen Halbleiterchips handelt es sich beispielsweise um Lumineszenzdiodenchips wie Leuchtdiodenchips oder Laserdiodenchips oder um Detektorchips wie beispielsweise Fotodiodenchips. Bei den aktiven Bereichen handelt es sich um die epitaktisch hergestellten Halbleiterstrukturen der optoelektronischen Halbleiterchips, die beispielsweise jeweils zumindest eine aktive Zone umfassen, die zur Strahlungserzeugung oder Strahlungsdetektion vorgesehen ist.In accordance with at least one embodiment of the method, the method comprises a step in which a carrier is provided which has on an upper side a multiplicity of active regions, which are arranged laterally adjacent to one another. The optoelectronic semiconductor chips to be produced are, for example, luminescence diode chips such as light-emitting diode chips or laser diode chips or detector chips such as, for example, photodiode chips. The active regions are the epitaxially produced semiconductor structures of the optoelectronic semiconductor chips, which comprise, for example, at least one active zone in each case, which is provided for radiation generation or radiation detection.

Beispielsweise sind die aktiven Bereiche durch epitaktisch hergestellte Halbleiterschichtenstapel gebildet. Die Halbleiterschichtenstapel können beispielsweise auf einem III-V-Halbleitermaterialsystem basieren.For example, the active regions are formed by epitaxially produced semiconductor layer stacks. The semiconductor layer stacks may, for example, be based on a III-V semiconductor material system.

Die aktiven Bereiche sind an der Oberseite eines Trägers, beispielsweise an den Gitterpunkten eines gedachten regelmäßigen Gitters, angeordnet. Die aktiven Bereiche sind dabei vorzugsweise beabstandet zueinander angeordnet, sodass sich zwischen benachbarten aktiven Bereichen jeweils ein Abschnitt des Trägers befindet, in dem die Oberseite des Trägers frei von einem aktiven Bereich ist.The active regions are arranged on the upper side of a carrier, for example at the grid points of an imaginary regular grid. In this case, the active regions are preferably arranged at a distance from one another such that in each case a section of the carrier is located between adjacent active regions in which the upper side of the carrier is free of an active region.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird in einem Verfahrensschritt an einer der Oberseite abgewandten Unterseite des Trägers durch Entfernen von Material, also durch Materialabtrag, ein unterseitiger Trennbereich erzeugt. Bei dem unterseitigen Trennbereich handelt es sich beispielsweise um einen Graben, der an der Unterseite des Trägers durch Materialabtrag in den Träger eingebracht wird. Im Querschnitt kann der unterseitige Trennbereich beispielsweise die Form einer Kerbe oder eines Keils aufweisen. Das heißt, der unterseitige Trennbereich kann sich von der Unterseite in Richtung der Oberseite verjüngen. Der unterseitige Trennbereich ist dabei vorzugsweise derart ausgebildet, dass er den Träger nicht vollständig durchtrennt, sondern lediglich bis zu einer bestimmten, vorgebbaren unterseitigen Eindringtiefe von der Unterseite des Trägers in diesen hineinreicht.In accordance with at least one embodiment of the method, in a method step, a underside separating region is produced on an underside of the carrier facing away from the upper side by removing material, that is to say by material removal. By way of example, the underside separating region is a trench which is introduced into the carrier at the underside of the carrier by material removal. In cross-section, the lower-side parting area may, for example, have the shape of a notch or a wedge. That is, the lower-side parting portion may be tapered from the lower side toward the upper side. The lower-side separation region is preferably designed such that it does not cut through the carrier completely, but only extends to a certain, predetermined lower-side penetration depth of the underside of the carrier in this.

Die unterseitigen Trennbereiche sind dabei insbesondere derart an der Unterseite angeordnet, dass sie in Projektion auf die Oberseite zwischen benachbarten aktiven Bereichen angeordnet sind. Das heißt, die unterseitigen Trennbereiche sind derart zur Oberseite des Trägers justiert, dass sie sich in Abschnitten an der Unterseite erstrecken, in denen an der gegenüberliegenden Seite des Trägers, also an dessen Oberseite, keine aktiven Bereiche angeordnet sind.The lower-side separation regions are in particular arranged on the underside such that they are arranged in projection on the upper side between adjacent active regions. That is, the lower-side separation areas are adjusted to the upper side of the carrier so that they extend in sections on the underside, in which no active areas are arranged on the opposite side of the carrier, ie on its upper side.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens werden in einem Verfahrensschritt oberseitige Trennbereiche erzeugt. Die oberseitigen Trennbereiche werden durch Entfernen von Material des Trägers an der Oberseite des Trägers hergestellt, wobei die oberseitigen Trennbereiche zwischen benachbarten aktiven Bereichen angeordnet sind. Das heißt, auch die oberseitigen Trennbereiche beschädigen die aktiven Bereiche nicht, sondern sind zwischen aktiven Bereichen in den Träger eingebracht. Auch die oberseitigen Trennbereiche können als Gräben ausgebildet sein, die im Querschnitt die Form einer Kerbe oder eines Keils aufweisen können. Beispielsweise verjüngen sich die oberseitigen Trennbereiche im Querschnitt von der Oberseite des Trägers in Richtung zur Unterseite des Trägers.In accordance with at least one embodiment of the method, top-side separating regions are produced in one method step. The upper-side separation regions are produced by removing material of the carrier at the top of the carrier, wherein the upper-side separation regions are arranged between adjacent active regions. That is, even the upper-side separation areas do not damage the active areas, but are incorporated between active areas in the carrier. Also, the upper-side separation areas may be formed as trenches, which may have the shape of a notch or a wedge in cross section. For example, the upper-side separation regions taper in cross-section from the upper side of the carrier in the direction of the underside of the carrier.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird der Träger in einem Verfahrensschritt zwischen einander gegenüberliegenden oberseitigen Trennbereichen und unterseitigen Trennbereichen zertrennt. Das heißt, das Vereinzeln des Trägers erfolgt entlang der oberseitigen und unterseitigen Trennbereiche, wobei zwischen einander gegenüberliegenden Trennbereichen insbesondere Seitenflächen des zu erzeugenden optoelektronischen Halbleiterchips durch den Träger hindurch erzeugt werden.In accordance with at least one embodiment of the method, the carrier is divided in a method step between opposing top-side separating regions and lower-side separating regions. That is, the separation of the carrier takes place along the upper-side and lower-side separation regions, wherein in particular side surfaces of the optoelectronic semiconductor chip to be generated are produced by the carrier between mutually opposite separation regions.

Auf diese Weise werden einzelne optoelektronische Halbleiterchips erzeugt, wobei jeder optoelektronische Halbleiterchip einen Teil des Trägers umfasst. Jeder Teil des Trägers weist Seitenflächen auf, welche die Oberseite und die Unterseite des Trägerteils verbinden. Diese Seitenflächen verlaufen entlang der oberseitigen und unterseitigen Trennbereiche, die vorher im Träger erzeugt worden sind. Jeder Trägerteil weist an seiner Oberfläche wenigstens einen aktiven Bereich auf. Das heißt, jeder optoelektronische Halbleiterchip, der mittels des Verfahrens hergestellt wird, umfasst zumindest einen aktiven Bereich. Dabei ist es insbesondere auch möglich, dass der optoelektronische Halbleiterchip mehrere aktive Bereiche wie zwei, drei, vier und so weiter aktive Bereiche umfasst.In this way, individual optoelectronic semiconductor chips are produced, wherein each optoelectronic semiconductor chip comprises a part of the carrier. Each part of the carrier has side surfaces which connect the top and the bottom of the carrier part. These side surfaces extend along the top and bottom separation regions previously created in the carrier. Each carrier part has at least one active region on its surface. That is, everyone Optoelectronic semiconductor chip produced by means of the method comprises at least one active region. In this case, it is also possible in particular for the optoelectronic semiconductor chip to comprise a plurality of active regions such as two, three, four and so on active regions.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung einer Vielzahl optoelektronischer Halbleiterchips umfasst das Verfahren die folgenden Schritte:

– Bereitstellen eines Trägers, der an einer Oberseite eine Vielzahl von aktiven Bereichen aufweist, die lateral benachbart zueinander angeordnet sind,
– Erzeugen von unterseitigen Trennbereichen durch Entfernen von Material des Trägers an eine der Oberseite abgewandten Unterseite des Trägers, wobei die unterseitigen Trennbereiche in Projektion auf die Oberseite zwischen benachbarten aktiven Bereichen angeordnet sind,
– Erzeugen von oberseitigen Trennbereichen durch Entfernen von Material des Trägers an der Oberseite des Trägers, wobei die oberseitigen Trennbereiche zwischen benachbarten aktiven Bereichen angeordnet sind, und
– Zertrennen des Trägers zwischen einander gegenüberliegenden oberseitigen Trennbereichen und unterseitigen Trennbereichen.

In accordance with at least one embodiment of the method for producing a multiplicity of optoelectronic semiconductor chips, the method comprises the following steps:

Providing a carrier having on an upper side a plurality of active regions, which are arranged laterally adjacent to one another,
Producing underside separating regions by removing material of the carrier against an underside of the carrier facing away from the upper side, wherein the lower-side separating regions are arranged in projection on the upper side between adjacent active regions,
Forming upper side separating regions by removing material of the carrier at the upper side of the carrier, wherein the upper side separating regions are arranged between adjacent active regions, and
- Separating the carrier between opposing top side separation areas and lower side separation areas.

Einem hier beschriebenen Verfahren liegt unter anderem die Erkenntnis zugrunde, dass durch das Einbringen von oberseitigen und unterseitigen Trennbereichen an einander gegenüberliegenden Außenflächen des Trägers Keime für einen späteren Schritt des Zertrennens des Trägers gebildet werden, die dafür sorgen, dass der Träger entlang gerader Bruchlinien zerteilt werden kann. Dazu sind oberseitige und unterseitige Trennbereiche einander direkt gegenüberliegend angeordnet, sodass sich Bruchlinien im Querschnitt nicht schräg, beispielsweise zu einer unterseitigen Bodenfläche des Trägers, erstrecken, sondern diese Bodenfläche senkrecht oder im Wesentlichen senkrecht schneiden. Mit anderen Worten kann mittels des Verfahrens eine Seitenfläche des optoelektronischen Halbleiterchips erzeugt werden, die im Wesentlichen senkrecht, beispielsweise zu einer Bodenfläche an einer Unterseite des optoelektronischen Halbleiterchips verläuft. Das dem optoelektronischen Halbleiterchip zugeordnete Trägerteil weist dann beispielsweise die Form eines Quaders auf. Insbesondere können mittels eines hier beschriebenen Verfahrens also schräge Bruchlinien und damit schräge Seitenflächen des optoelektronischen Halbleiterchips vermieden werden. Die mittels des Verfahrens hergestellten optoelektronischen Halbleiterchips zeichnen sich dann durch eine besonders gleichmäßige äußere Form aus.One of the methods described here is based, inter alia, on the recognition that germs are formed for a later step of dicing the carrier by introducing upper and lower separating regions on opposite outer surfaces of the carrier, which ensure that the carrier is cut along straight fault lines can. For this purpose, top and bottom separation areas are arranged directly opposite each other, so that fault lines in cross-section not obliquely, for example, to an underside bottom surface of the carrier, extend, but intersect this bottom surface perpendicular or substantially perpendicular. In other words, by means of the method, a side surface of the optoelectronic semiconductor chip can be produced, which extends substantially perpendicularly, for example, to a bottom surface on an underside of the optoelectronic semiconductor chip. The carrier part assigned to the optoelectronic semiconductor chip then has, for example, the shape of a cuboid. In particular, by means of a method described here, therefore, it is possible to avoid oblique breaking lines and thus inclined side surfaces of the optoelectronic semiconductor chip. The optoelectronic semiconductor chips produced by means of the method are then distinguished by a particularly uniform external shape.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens werden die unterseitigen Trennbereiche vor den oberseitigen Trennbereichen erzeugt. Das heißt, der Materialabtrag zur Erzeugung der Trennbereiche erfolgt zunächst von der Unterseite in den Träger hinein. Dies erweist sich als vorteilhaft, da auf diese Weise die mechanische Stabilität des Trägers sichergestellt bleibt, insbesondere dann, wenn die unterseitigen Trennbereiche eine geringere Eindringtiefe als die oberseitigen Trennbereiche in den Träger hinein aufweisen. Ferner hat sich gezeigt, dass eine Erzeugung der oberseitigen Trennbereiche vor den unterseitigen Trennbereichen eine Krümmung des Trägers, die ein Zertrennen des Trägers erschwert, verstärkt.In accordance with at least one embodiment of the method, the lower-side separating regions are produced in front of the upper-side separating regions. That is, the removal of material for generating the separation regions initially takes place from the bottom into the carrier. This proves to be advantageous since in this way the mechanical stability of the carrier remains ensured, in particular if the lower-side separating regions have a smaller penetration depth than the upper-side separating regions into the carrier. Furthermore, it has been found that generation of the upper-side separating regions in front of the lower-side separating regions enhances a curvature of the carrier, which makes it difficult to sever the carrier.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens weisen zumindest manche, insbesondere alle, der oberseitigen Trennbereiche eine größere oberseitige Eindringtiefe von der Oberseite in den Träger hinein auf als eine unterseitige Eindringtiefe mancher, insbesondere aller, unterseitigen Trennbereiche in den Träger von der Unterseite her. Das heißt, die oberseitigen Trennbereiche werden tiefer in den Träger hinein ausgebildet als die unterseitigen Trennbereiche. Beispielsweise wird der Träger im Bereich der unterseitigen Trennbereiche lediglich angeritzt. Von der Oberseite hingegen erfolgt ein Materialeintrag, der tief in den Träger eindringen kann. Dies erweist sich insbesondere als vorteilhaft, wenn ein Zertrennen des Trägers durch Brechen erfolgt, wobei die Kraft zum Brechen auf das abzulösende Teil des Trägers von der Oberseite her auf den Träger ausgeübt wird. Mit anderen Worten erweist sich eine größere oberseitige Eindringtiefe als vorteilhaft, wenn beim Zertrennen eine Bruchlinie von der Oberseite zur Unterseite erzeugt wird. Eine solche Richtung der Bruchlinie erweist sich als günstig, da dadurch die Gefahr der Beschädigung der aktiven Bereiche an der Oberseite des Trägers durch das Zertrennen des Trägers minimiert wird.In accordance with at least one embodiment of the method, at least some, in particular all, of the upper-side separating regions have a greater upper-side penetration depth from the upper side into the carrier than a lower-side penetration depth of some, in particular all, lower-side separating regions into the carrier from the lower side. That is, the upper-side partition portions are formed deeper into the carrier than the lower-side partition portions. For example, the carrier is merely scored in the region of the lower-side separating regions. From the top, however, there is a material entry, which can penetrate deep into the carrier. This proves to be particularly advantageous when a severing of the carrier is carried out by breaking, wherein the force is applied to break on the part of the carrier to be detached from the top to the carrier. In other words, a larger upper-side penetration depth proves to be advantageous if a break line from the top to the bottom is generated during dicing. Such a direction of the fracture line proves favorable because it minimizes the risk of damage to the active areas at the top of the carrier by severing the carrier.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens betragen zumindest manche, insbesondere alle, oberseitigen Eindringtiefen zwischen einem Viertel und der Hälfte, insbesondere etwa ein Drittel, der Dicke des Trägers. Die Dicke des Trägers wird dabei in einer Richtung von der Oberseite zur Unterseite des Trägers gemessen. Eine solche Tiefe des Materialabtrags von der Oberseite her zur Erzeugung der oberseitigen Trennbereiche erweist sich insbesondere für ein Zertrennen durch Brechen des Trägers als optimal.In accordance with at least one embodiment of the method, at least some, in particular all, upper-side penetration depths between a quarter and a half, in particular about one third, amount to the thickness of the carrier. The thickness of the carrier is measured in a direction from the top to the bottom of the carrier. Such a depth of the removal of material from the upper side to produce the upper-side separating regions proves to be optimal, in particular for a severing by breaking the carrier.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens betragen zumindest manche, insbesondere alle, unterseitigen Eindringtiefen höchstens ein Zehntel der Dicke des Trägers. Das heißt, die unterseitigen Eindringtiefen sind wesentlich kleiner ausgebildet als die oberseitigen Eindringtiefen. Die unterseitigen Eindringtiefen dienen auf diese Weise insbesondere dazu, beim Zertrennen des Trägers die Bruchlinie, die von der Oberseite zur Unterseite läuft, ”einzufangen”, um auf diese Weise eine schräg verlaufende Bruchflanke und dadurch erzeugte schräge Seitenflächen zu vermeiden. Auf der anderen Seite wird durch den sehr geringen Materialabtrag bei der Bearbeitung der Unterseite des Trägers, das heißt beim Ausbilden der unterseitigen Trennbereiche, die mechanische Stabilität des Trägers beibehalten, sodass die oberseitigen Trennbereiche nachfolgend ohne frühzeitigen Bruch des Trägers an der Oberseite eingebracht werden können.In accordance with at least one embodiment of the method, at least some, in particular all, underside penetration depths amount to at most one tenth of the thickness of the carrier. That is, the lower-side penetration depths are formed substantially smaller than the upper-side penetration depths. The underside penetration depths serve in this way in particular to "catch" the break line running from the top to the bottom when severing the carrier, so as to avoid a sloping fracture flank and thereby generated oblique side surfaces. On the other hand, the very low material removal during processing of the underside of the carrier, that is to say when forming the lower-side separating regions, maintains the mechanical stability of the carrier, so that the upper-side separating regions can subsequently be introduced without premature breakage of the carrier on the upper side.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst der Träger eine unterseitige Kontaktschicht, die einen Grundkörper des Trägers an der Unterseite des Trägers im Wesentlichen vollständig oder vollständig bedeckt, wobei die unterseitige Kontaktschicht eine größere Duktilität als Kupfer aufweist. Das heißt, der Träger ist an seiner Unterseite möglichst vollständig von einer elektrisch leitenden Schicht, der Kontaktschicht, bedeckt, die mit einem Grundkörper des Trägers beispielsweise in direktem Kontakt stehen kann. Dabei ist es möglich, dass die Kontaktschicht als Kontaktschichtenfolge ausgebildet ist, die zwei oder mehr Schichten elektrisch leitenden Materials enthält. Die Kontaktschicht ist dabei vorzugsweise mit Metallen gebildet. Die Kontaktschicht weist eine Duktilität auf, die größer ist als die von Kupfer. Beispielsweise kann die Kontaktschicht dazu Metalle wie Nickel, Platin, Titan, Silber und/oder Gold enthalten.In accordance with at least one embodiment of the method, the carrier comprises a bottom-side contact layer which substantially completely or completely covers a main body of the carrier on the underside of the carrier, wherein the bottom-side contact layer has a greater ductility than copper. That is, the support is as completely as possible covered on its underside by an electrically conductive layer, the contact layer, which may be in direct contact with a base body of the carrier, for example. It is possible that the contact layer is formed as a contact layer sequence containing two or more layers of electrically conductive material. The contact layer is preferably formed with metals. The contact layer has a ductility which is greater than that of copper. For example, the contact layer may contain metals such as nickel, platinum, titanium, silver and / or gold.

Bei einem Träger, der eine solche Kontaktschicht hoher Duktilität aufweist, erweist sich das hier beschriebene Verfahren als besonders vorteilhaft. Wird ein Zertrennen des Trägers lediglich dadurch vorbereitet, dass oberseitige Trennbereiche erzeugt werden, ohne, dass unterseitige Trennbereiche erzeugt werden, kann eine Kontaktschicht hoher Duktilität insbesondere beim Brechen des Trägers nicht auf einfache Weise in gleicher Weise wie der Grundkörper durchtrennt werden. Vielmehr bildet eine Kontaktschicht zwischen bereits durchtrennten Bereichen des Grundkörpers eine Verbindung aus, die die beiden Teile des Grundkörpers wie ein Scharnier miteinander verbindet.In a carrier having such a contact layer of high ductility, the method described here proves to be particularly advantageous. If severing of the carrier is prepared merely by forming top-side separation areas without generating under-side separation areas, a contact layer of high ductility, especially when the carrier is broken, can not be severed in the same way as the body. Rather, a contact layer between already severed areas of the base body forms a connection which connects the two parts of the base body like a hinge.

Werden die unterseitigen Trennbereiche insbesondere derart tief ausgebildet, dass beim Erzeugen der unterseitigen Trennbereiche die unterseitige Kontaktschicht im Bereich des jeweiligen Trennbereichs vollständig entfernt wird oder vollständig durchtrennt wird, tritt eine solche Scharnierwirkung der Kontaktschicht nicht auf.If the lower-side separating regions are in particular made so deep that when the lower-side separating regions are produced, the lower-side contact layer in the region of the respective separating region is completely removed or completely severed, such a hinge effect of the contact layer does not occur.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt das Zertrennen des Trägers zwischen einander gegenüberliegenden oberseitigen und unterseitigen Trennbereichen mittels Brechens. Das heißt, die Trennbereiche bilden Bruchkeime, zwischen denen sich Bruchlinien ausbilden, die zur Entstehung von Bruchflanken führen, welche die späteren Seitenflächen des optoelektronischen Halbleiterchips bilden. Der unterseitige Trennbereich hat dabei insbesondere die Funktion, die von der Oberseite zur Unterseite verlaufende Bruchlinie einzufangen, um einen schrägen Verlauf dieser Bruchlinie zu verhindern.According to at least one embodiment of the method, the separation of the carrier between opposing top and bottom separation regions by means of breaking occurs. That is, the separation regions form fracture nuclei, between which fracture lines form, which lead to the formation of fracture flanks, which form the later side surfaces of the optoelectronic semiconductor chip. In particular, the underside separation region has the function of trapping the fracture line extending from the top to the bottom in order to prevent an oblique course of this fracture line.

Auf diese Weise ist insbesondere ein Verfahren ermöglicht, bei dem durch das Zertrennen Seitenflächen der optoelektronischen Halbleiterchips erzeugt werden, die im Wesentlichen senkrecht oder senkrecht zu einer Bodenfläche an einer Unterseite des Trägers verlaufen. Das heißt, durch das Zertrennen des Trägers werden Trägerteile erzeugt, die quaderförmig ausgebildet sind.In this way, in particular, a method is made possible in which side surfaces of the optoelectronic semiconductor chips are produced by the dicing, which extend substantially perpendicular or perpendicular to a bottom surface on a lower side of the carrier. That is, by dividing the carrier carrier parts are generated, which are cuboidal.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst der Träger ein Aufwachssubstrat für das epitaktische Abscheiden der aktiven Bereiche. Beispielsweise bei dem Grundkörper des Trägers kann es sich also um ein Aufwachssubstrat für die aktiven Bereiche handeln. Der Grundkörper des Trägers kann dann beispielsweise aus Saphir oder SiC bestehen. Ferner ist es möglich, dass der Grundkörper des Trägers aus GaN, GaAs, GaP oder anderen Halbleitermaterialien besteht.In accordance with at least one embodiment of the method, the carrier comprises a growth substrate for the epitaxial deposition of the active regions. For example, the base body of the carrier can therefore be a growth substrate for the active regions. The main body of the carrier can then consist of sapphire or SiC, for example. Furthermore, it is possible for the base body of the carrier to consist of GaN, GaAs, GaP or other semiconductor materials.

Gemäß einer alternativen Ausführungsform eines hier beschriebenen Verfahrens ist der Träger von einem Aufwachssubstrat für das epitaktische Abscheiden der aktiven Bereiche verschieden. Das heißt, die aktiven Bereiche werden auf einem Aufwachssubstrat abgeschieden und beispielsweise mit ihrer dem Aufwachssubstrat abgewandten Seite am Träger befestigt. Das Aufwachssubstrat kann nachfolgend teilweise oder vollständig von den aktiven Bereichen entfernt werden. Auf diese Weise handelt es sich bei dem Träger um ein zum Aufwachssubstrat alternatives Material, das beispielsweise hinsichtlich seiner thermischen Leitfähigkeit und/oder seines thermischen Ausdehnungskoeffizienten für das Material der aktiven Bereiche besonders gut geeignet sein kann.According to an alternative embodiment of a method described herein, the support is different from a growth substrate for the epitaxial deposition of the active regions. That is, the active regions are deposited on a growth substrate and attached to the carrier, for example, with its side facing away from the growth substrate. The growth substrate may subsequently be partially or completely removed from the active areas. In this way, the carrier is a material which is alternative to the growth substrate and which may be particularly well suited, for example, with regard to its thermal conductivity and / or its thermal expansion coefficient for the material of the active regions.

Beispielsweise ist der Träger dann mit Germanium gebildet, das heißt der Grundkörper des Trägers kann beispielsweise aus Germanium bestehen.For example, the carrier is then formed with germanium, that is, the main body of the carrier may for example consist of germanium.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt das Erzeugen der oberseitigen und/oder unterseitigen Trennbereiche durch Einritzen. Auf diese Weise werden insbesondere keilförmige Trennbereiche erzeugt, die sich von der jeweiligen Seite, in der sie in den Träger eingebracht werden, zur gegenüberliegenden Seite hin verjüngen. Das Ritzen kann dabei insbesondere mittels eines Laserstrahls erfolgen. Bei der Verwendung eines Laserstrahls können die oberseitigen und unterseitigen Trennbereiche besonders einfach und genau zueinander justiert werden, sodass ein Erzeugen von besonders geraden Seitenflächen des Trägerteils eines optoelektronischen Halbleiterchips, der mit dem Verfahren hergestellt ist, ermöglicht ist.In accordance with at least one embodiment of the method, the production of the upper-side and / or lower-side separation regions takes place by scoring. In this way, in particular wedge-shaped separation areas are generated, which taper from the respective side in which they are introduced into the carrier to the opposite side. The scribing can in particular by means of a Laser beam done. When using a laser beam, the top and bottom separation areas can be particularly easily and accurately adjusted to each other, so that it is possible to generate particularly straight side surfaces of the support part of an optoelectronic semiconductor chip produced by the method.

Im Folgenden wird das hier beschriebene Verfahren anhand von Ausführungsbeispielen und den dazugehörigen Figuren näher erläutert.In the following, the method described here will be explained in more detail on the basis of exemplary embodiments and the associated figures.

1 zeigt eine mikroskopische Aufnahme eines Trägers zur Erläuterung des dem beschriebenen Verfahren zugrundeliegenden Problems. 1 shows a micrograph of a carrier for explaining the underlying the method described problem.

Anhand der schematischen Darstellungen der 2A, 2B, 2C und 2D ist ein Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen Verfahrens näher erläutert.Based on the schematic representations of 2A . 2 B . 2C and 2D an embodiment of a method described here is explained in more detail.

Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit denselben Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als maßstäblich zu betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente zur besseren Darstellbarkeit und/oder zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.The same, similar or equivalent elements are provided in the figures with the same reference numerals. The figures and the proportions of the elements shown in the figures with each other are not to be considered to scale. Rather, individual elements may be exaggerated in size for better representability and / or better understanding.

In Verbindung mit der mikroskopischen Darstellung der 1 ist das den hier beschriebenen Verfahren zugrundeliegende Problem näher erläutert. In der 1 ist ein Träger 2 dargestellt. Der Träger 2 umfasst einen Grundkörper 21, der beispielsweise aus Germanium besteht. An der Unterseite 2b des Trägers 2 ist eine unterseitige Kontaktschicht 22b ausgebildet, die mit einem duktilen Metall gebildet ist.In conjunction with the microscopic representation of 1 is the problem underlying the method described here explained in more detail. In the 1 is a carrier 2 shown. The carrier 2 includes a main body 21 , which consists for example of germanium. On the bottom 2 B of the carrier 2 is a bottom contact layer 22b formed, which is formed with a ductile metal.

Zum Durchtrennen des Trägers ist von der Oberseite 2a des Trägers 2 her ein oberseitiger Trennbereich 4a in den Träger eingebracht. Ein unterseitiger Trennbereich besteht vorliegend nicht. Beim Brechen des Trägers 2 vom oberseitigen Trennbereich 4a her entstehen Seitenflächen 5, die schräg, das heißt nicht senkrecht, zur Bodenfläche an der Unterseite 2b des Trägers 2 verlaufen. Das heißt, es entstehen schräge Bruchkanten.To cut through the carrier is from the top 2a of the carrier 2 a top separation area 4a introduced into the carrier. A bottom separation area does not exist here. When breaking the carrier 2 from the top separation area 4a Side surfaces are created 5 , which is oblique, that is not vertical, to the bottom surface at the bottom 2 B of the carrier 2 run. That is, it creates oblique breaklines.

Die Entstehung von schrägen Bruchkanten und damit schrägen Seitenflächen 5 ist auch damit zu begründen, dass der Träger 2 nicht entlang der Vorzugsbruchrichtung des den Träger bildenden Kristalls ausgerichtet ist. Wollte man die Seitenflächen 5 ohne das Erzeugen von unterseitigen Trennbereichen 4b rechtwinklig, beispielsweise zur Bodenfläche des optoelektronischen Halbleiterchips, erzeugen, müsste man die oberseitigen Trennbereiche 4a sehr genau an der Vorzugsbruchrichtung des Kristalls des Grundkörpers 21 des Trägers 2 orientieren. Diese Orientierung müsste mit einer Genauigkeit erfolgen, die wesentlich kleiner als 10 ist. Bei vielen Materialien für Grundkörper 21 des Trägers 2 kommt jedoch erschwerend hinzu, dass eine zweite Vorzugsbruchrichtung nicht senkrecht zur ersten orientiert ist. Die Ausbildung eines quaderförmigen Chipträgers durch Brechen ist dann kaum möglich.The emergence of oblique breaklines and thus oblique side surfaces 5 is also justified by the fact that the carrier 2 is not aligned along the preferential breaking direction of the carrier forming crystal. Did you want the side surfaces 5 without creating underparts 4b produce at right angles, for example, to the bottom surface of the optoelectronic semiconductor chip, one would have the top separation areas 4a very close to the preferred direction of fracture of the crystal of the body 21 of the carrier 2 orientate. This orientation would have to be done with an accuracy that is much smaller than 10 is. For many materials for basic body 21 of the carrier 2 However, this is aggravated by the fact that a second preferential fracture direction is not oriented perpendicular to the first one. The formation of a cuboid chip carrier by breaking is then hardly possible.

Ferner verhindert die unterseitige Kontaktschicht 22b ein vollständiges Durchtrennen des Trägers 2 durch den Brechvorgang. Das heißt, zwei Teile des Trägers sind durch die unterseitige Verbindungsschicht 2b wie durch ein Scharnier miteinander verbunden. Es entstehen beim Zertrennen zusammenhängende optoelektronische Halbleiterchips, so genannte Doppel- oder Mehrfachsysteme.Furthermore, the lower-side contact layer prevents 22b a complete severing of the carrier 2 through the breaking process. That is, two parts of the carrier are through the lower-side bonding layer 2 B as if connected by a hinge. Disconnected optoelectronic semiconductor chips, so-called double or multiple systems, are produced during dicing.

Aufgrund der schrägen Bruchkante und der daraus resultierenden schrägen Seitenfläche 5 des durch das Zertrennen herzustellenden optoelektronischen Halbleiterchips verläuft eine Deckfläche an der Oberseite des Halbleiterchips nicht planparallel und deckungsgleich zu einer Bodenfläche an der Unterseite des Halbleiterchips. Dieses Problem kann bei nachfolgenden Befestigungsverfahren für den optoelektronischen Halbleiterchip zu einer Fehlpositionierung des Halbleiterchips, beispielsweise auf einem Anschlussträger wie einer Leiterplatte führen.Due to the oblique fracture edge and the resulting oblique side surface 5 of the optoelectronic semiconductor chip to be produced by the dicing, a top surface on the upper side of the semiconductor chip does not run plane-parallel and congruent with a bottom surface on the underside of the semiconductor chip. In the case of subsequent attachment methods for the optoelectronic semiconductor chip, this problem can lead to mispositioning of the semiconductor chip, for example on a connection carrier such as a printed circuit board.

Aufgrund des die Trägerteile verbindenden Materials der unterseitigen Kontaktschicht 22b sind für ein vollständiges Durchtrennen des Trägers ferner weitere Verfahrensschritte notwendig, welche zeitaufwändig sind und zu weiteren Beschädigungen der optoelektronischen Halbleiterchips führen können.Due to the material connecting the carrier parts of the lower-side contact layer 22b For a complete severing of the carrier further method steps are necessary, which are time consuming and can lead to further damage to the optoelectronic semiconductor chips.

In Verbindung mit den schematischen Darstellungen der 2A bis 2D ist ein Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen Verfahrens näher erläutert.In conjunction with the schematic representations of 2A to 2D an embodiment of a method described here is explained in more detail.

Bei diesem Verfahren wird neben der Oberseite 2a des Trägers 2 auch die Unterseite beispielsweise durch Ritzen und das damit erfolgende Herstellen von unterseitigen Trennbereichen 4b eine Bearbeitung der Unterseite des Trägers 2 durchgeführt. Die Zahl der Doppel- oder Mehrfachsysteme kann damit praktisch auf null reduziert werden. Ein weiterer Vorteil ist die Vermeidung von schrägen Seitenflächen 5, da ein Bruch des Trägers 2 durch den rückseitigen Trennbereich definiert werden kann und eine Bruchlinie nicht mehr schräg durch den Träger 2 verläuft. Damit ist gewährleistet, dass aktive Bereiche 3 an der Oberseite 2a des Trägers 2 deckungsgleich mit der Bodenfläche an der Unterseite 2b eines jeden optoelektronischen Halbleiterchips 1 übereinander liegen. Diese definierte Lage der Oberseite und der Unterseite eines jeden optoelektronischen Halbleiterchips 1 schließt ein Verdrehen des optoelektronischen Halbleiterchips 1 durch die Eigenzentrierung des Verbindungsmittels, beispielsweise des Lotes, mit dem der optoelektronische Halbleiterchip 1 später auf einem Anschlussträger befestigt wird, nahezu aus. Dadurch lassen sich beispielsweise im fertigen optoelektronischen Bauelement, beispielsweise einer Leuchtdiode, Fokussierungsfehler beim Durchstrahlen von Linsen vermeiden, da eine Justage des optoelektronischen Halbleiterchips 1 zur optischen Achse der Linse sehr genau möglich wird. Zusätzlich kann die mechanische Belastung der optoelektronischen Halbleiterchips 1 während des Zertrennungs-Prozesses, also des Brechens, verringert werden, da geringere Brechkräfte benötigt werden, um das Material zu vereinzeln.In this process will be next to the top 2a of the carrier 2 also the underside, for example, by scribing and thus the production of underside separation areas 4b a processing of the underside of the carrier 2 carried out. The number of dual or multiple systems can thus be reduced to practically zero. Another advantage is the avoidance of sloping side surfaces 5 as a breakage of the carrier 2 can be defined by the rear separation area and a break line no longer obliquely through the carrier 2 runs. This ensures that active areas 3 at the top 2a of the carrier 2 congruent with the bottom surface at the bottom 2 B of each optoelectronic semiconductor chip 1 lie one above the other. This defined position of the top and bottom of each optoelectronic semiconductor chip 1 includes twisting the optoelectronic semiconductor chip 1 through the Self-centering of the connecting means, such as the solder, with which the optoelectronic semiconductor chip 1 later attached to a connection carrier, almost out. As a result, it is possible, for example in the finished optoelectronic component, for example a light-emitting diode, to avoid focusing errors during the transmission of lenses, since an adjustment of the optoelectronic semiconductor chip 1 to the optical axis of the lens is very possible. In addition, the mechanical stress of the optoelectronic semiconductor chips 1 be reduced during the dicing process, since lower refractive powers are needed to singulate the material.

Die 2A zeigt nun einen ersten Verfahrensschritt eines Ausführungsbeispiels eines hier beschriebenen Verfahrens. In diesem Ausführungsbeispiel umfasst der Träger 2 einen Grundkörper 21. An der Unterseite 2b des Trägers 2 ist eine unterseitige Kontaktschicht 22b angeordnet. Die unterseitige Kontaktschicht 22b besteht beispielsweise aus einem Material hoher Duktilität. Zum Beispiel enthält die unterseitige Kontaktschicht 22b wenigstens eines der folgenden Metalle: Gold, Platin, Titan. Vorliegend kann die unterseitige Kontaktschicht 22b beispielsweise durch folgenden Schichtenstapel gebildet sein: Gold/Platin/Titan, wobei das Gold an der Unterseite 2b des Trägers 2 angeordnet ist.The 2A now shows a first method step of an embodiment of a method described here. In this embodiment, the carrier comprises 2 a basic body 21 , On the bottom 2 B of the carrier 2 is a bottom contact layer 22b arranged. The lower-side contact layer 22b For example, it consists of a material of high ductility. For example, the bottom contact layer contains 22b at least one of the following metals: gold, platinum, titanium. In the present case, the lower-side contact layer 22b For example, be formed by the following layer stack: gold / platinum / titanium, with the gold at the bottom 2 B of the carrier 2 is arranged.

Alternativ kann die unterseitige Kontaktschicht 22b beispielsweise durch folgenden Schichtenstapel gebildet sein: Platin/Gold/Titan/Platin/Gold, wobei das Gold an der Unterseite 2b des Trägers 2 angeordnet ist. Eine solche unterseitige Kontaktschicht 22b ist thermisch hoch leitfähig und darüber hinaus lötbar.Alternatively, the lower-side contact layer 22b For example, be formed by the following layer stack: platinum / gold / titanium / platinum / gold, with the gold at the bottom 2 B of the carrier 2 is arranged. Such an underside contact layer 22b is highly thermally conductive and moreover solderable.

Die Dicke der unterseitigen Kontaktschicht 22b beträgt beispielsweise wenigstens 100 nm, insbesondere wenigstens 400 nm, zum Beispiel 550 nm.The thickness of the lower-side contact layer 22b is for example at least 100 nm, in particular at least 400 nm, for example 550 nm.

Der Grundkörper 21 ist beispielsweise mit einem keramischen Material oder einem Halbleitermaterial wie Germanium gebildet.The main body 21 is formed, for example, with a ceramic material or a semiconductor material such as germanium.

An der Oberseite 2a des Trägers 2 ist vorliegend eine oberseitige Kontaktschicht 22a ausgebildet. Die oberseitige Kontaktschicht 22a kann ebenfalls mit einem Metall hoher Duktilität gebildet sein, beispielsweise mit einem Schichtenstapel, der die folgende Schichtenfolge umfassen kann: Titan/Platin/Gold. Die Dicke dieses Schichtenstapels beträgt beispielsweise wenigstens 1000 nm, zum Beispiel 2000 nm.At the top 2a of the carrier 2 in the present case is a top-side contact layer 22a educated. The top-side contact layer 22a may also be formed with a metal of high ductility, for example with a layer stack which may comprise the following layer sequence: titanium / platinum / gold. The thickness of this layer stack is, for example, at least 1000 nm, for example 2000 nm.

Anders als in 2A dargestellt, ist es dabei auch möglich, dass sich die oberseitige Kontaktschicht 22a über die gesamte Oberseite 2a des Trägers 2 erstreckt.Unlike in 2A represented, it is also possible that the top-side contact layer 22a over the entire top 2a of the carrier 2 extends.

An der Oberseite 2a des Trägers sind zueinander benachbart aktive Bereiche 3 angeordnet. Die aktiven Bereiche 3 sind jeweils als Halbleiterschichtenstapel ausgebildet und umfassen beispielsweise dotierte Halbleiterschichten 32, zwischen denen aktive Schichten 31 angeordnet sind, die im Betrieb beispielsweise zur Detektion oder Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung vorgesehen sind. An der dem Träger 2 abgewandten Seite der aktiven Bereiche 3 können diese jeweils ein Kontaktpad 33 zur Kontaktierung des optoelektronischen Halbleiterchips umfassen.At the top 2a of the carrier are mutually adjacent active areas 3 arranged. The active areas 3 are each formed as a semiconductor layer stack and include, for example, doped semiconductor layers 32 between which active layers 31 are arranged, which are provided in operation, for example, for the detection or generation of electromagnetic radiation. At the the carrier 2 opposite side of the active areas 3 These can each be a contact pad 33 for contacting the optoelectronic semiconductor chip.

Vorliegend umfasst der Träger an seiner Oberseite 2a ferner eine oberseitige Passivierungsschicht 23a, die beispielsweise eines der folgenden Materialien enthält oder aus einem der folgenden Materialien besteht: Siliziumdioxid, Siliziumnitrid. Dabei ist es auch möglich, dass die oberseitige Passivierungsschicht 23a mehrere Schichten umfasst. Sie weist beispielsweise eine Dicke von kleiner 1000 nm und größer 50 nm, zum Beispiel 150 nm, auf.In the present case, the carrier comprises at its upper side 2a further, a topside passivation layer 23a containing, for example, one of the following materials or consisting of one of the following materials: silicon dioxide, silicon nitride. It is also possible that the top-side passivation layer 23a includes several layers. It has, for example, a thickness of less than 1000 nm and greater than 50 nm, for example 150 nm.

Die oberseitige Passivierungsschicht 23a erstreckt sich auch an den Seitenflanken der aktiven Bereiche 3 und kann auch das Kontaktpad 33 eines jeden aktiven Bereichs 3 berühren oder stellenweise sogar überformen.The topside passivation layer 23a also extends on the side edges of the active areas 3 and also the contact pad 33 of each active area 3 touch or in places even overshadow.

In Verbindung mit 2D ist ein nachfolgender Verfahrensschritt beschrieben, bei dem von der Unterseite 2b her in den Träger 2 hinein der unterseitige Trennbereich 4b durch Ritzen, beispielsweise mittels eines Laserstrahls, erzeugt wird. Dabei wird zumindest die unterseitige Kontaktschicht 22b im Bereich des Trennbereichs 4b vollständig durchtrennt. Auf diese Weise kann der in Verbindung mit der 1 beschriebene Scharniereffekt beim späteren Durchtrennen des Trägers 2 vermieden werden. Alternativ ist es möglich, dass die unterseitige Kontaktschicht 22b derart strukturiert an der Unterseite 2b des Trägers 2 aufgebracht wird, dass sie bereits unterseitige Trennbereiche 4b umfasst, in denen der Grundkörper 21 frei vom Material der unterseitigen Kontaktschicht 22b ist. Ferner kann eine Strukturierung der unterseitigen Kontaktschicht 22b nass- oder trockenchemisch erfolgen.Combined with 2D a subsequent process step is described in which from the bottom 2 B forth in the carrier 2 in the lower side separation area 4b by scratches, for example by means of a laser beam is generated. In this case, at least the lower-side contact layer 22b in the area of the separation area 4b completely severed. In this way, in conjunction with the 1 described hinge effect during later cutting of the carrier 2 be avoided. Alternatively, it is possible that the lower-side contact layer 22b structured in such a way at the bottom 2 B of the carrier 2 is applied, that they already have subsections 4b includes, in which the basic body 21 free from the material of the lower contact layer 22b is. Furthermore, structuring of the lower-side contact layer 22b wet or dry chemical.

Wie in der 2B dargestellt, erweist es sich jedoch als vorteilhaft, wenn der Trennbereich 4b bis in den Grundkörper 21 des Trägers 2 reicht. Auf diese Weise wird zusätzlich zur Vermeidung des oben beschriebenen Scharniereffekts auch ein Bruchkeim gebildet, der später zur Ausbildung nicht schräger Seitenflächen 5 entlang des Bruchs des Trägers 2 führt.Like in the 2 B shown, however, it proves to be advantageous if the separation area 4b to the body 21 of the carrier 2 enough. In this way, in addition to avoiding the hinge effect described above, a break germ is formed, which later to form not oblique side surfaces 5 along the break of the carrier 2 leads.

In Verbindung mit 2C ist ein Verfahrensschritt beschrieben, bei dem nachfolgend der oberseitige Trennbereich 4a in den Träger 2 eingebracht wird. Die Eindringtiefe Da an der Oberseite 2a des Trägers beträgt dabei beispielsweise ein Drittel der Dicke des Trägers 2. Vorteilhaft ist es auch, wenn die oberseitige Eindringtiefe in den Grundkörper 21 hinein zirka ein Drittel der Dicke D21 des Grundkörpers beträgt.Combined with 2C a method step is described in which subsequently the top-side separation area 4a in the carrier 2 is introduced. The penetration depth Da at the top 2a The carrier is for example one third of the thickness of the carrier 2 , It is also advantageous if the top-side penetration into the body 21 in about one third of the thickness D21 of the body is.

An der Unterseite 2b des Trägers reicht hingegen eine Kerbe geringer unterseitiger Eindringtiefe Db. Beispielsweise beträgt diese höchstens ein Zehntel der Dicke D2 des Trägers 2.On the bottom 2 B the carrier, however, a notch low underside penetration depth Db reaches. For example, this is at most one tenth of the thickness D2 of the carrier 2 ,

Wie aus der 2D ersichtlich, können auf diese Weise Seitenflächen 5 ausgebildet werden, welche jeweils einen optoelektronischen Halbleiterchip 1 seitlich begrenzen, wobei jeder optoelektronische Halbleiterchip 1 zumindest einen aktiven Bereich 3 umfasst.Like from the 2D can be seen in this way side surfaces 5 are formed, each having an optoelectronic semiconductor chip 1 laterally limit each optoelectronic semiconductor chip 1 at least one active area 3 includes.

Ein Zertrennen des Trägers 2 erfolgt durch Durchbrechen, wobei von der Oberseite 2a her eine Kraft derart ausgeübt wird, dass sich eine Bruchlinie von der Oberseite 2a in Richtung der Unterseite 2b erstreckt. Das Zertrennen kann beispielsweise mittels einer Keilbrechanlage erfolgen.A dicing of the vehicle 2 done by breaking through, being from the top 2a a force is exerted such that there is a break line from the top 2a towards the bottom 2 B extends. The dicing can be done for example by means of a wedge breaking device.

Oberseitiger Trennbereich 4a und unterseitiger Trennbereich 4b sind dabei jeweils derart zueinander justiert, dass sie möglichst an einander deckungsgleich gegenüberliegenden Seiten des Trägers 2 ausgebildet sind, was die Erzeugung von Seitenflächen 5 ermöglicht, die senkrecht zur Bodenfläche an der Unterseite 2b des Trägers 2 verlaufen.Upper separation area 4a and lower separation area 4b are in each case adjusted to each other so that they possible on congruent opposite sides of the carrier 2 are formed, which is the generation of side surfaces 5 allows perpendicular to the bottom surface at the bottom 2 B of the carrier 2 run.

Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.The invention is not limited by the description based on the embodiments of these. Rather, the invention encompasses any novel feature as well as any combination of features, including in particular any combination of features in the claims, even if this feature or combination itself is not explicitly stated in the patent claims or exemplary embodiments.

Claims

Method for producing a multiplicity of optoelectronic semiconductor chips ( 1 ) comprising the following steps: - providing a carrier ( 2 ), which is on a top side ( 2a ) a plurality of active areas ( 3 ), which are arranged laterally adjacent to each other, - generating lower-side separation areas ( 4b ) by removing material from the carrier ( 2 ) on one of the upper side ( 2a ) facing away from the bottom ( 2 B ) of the carrier ( 2 ), wherein the lower-side separation areas ( 4b ) in projection on the top ( 2a ) between adjacent active areas ( 3 ), - generating upper-side separating regions ( 4a ) by removing material from the carrier ( 2 ) at the top ( 2a ) of the carrier ( 2 ), wherein the upper-side separation areas ( 4a ) between adjacent active areas ( 3 ), - severing the support ( 2 ) between opposing upper-side separation areas ( 4a ) and lower separation areas ( 4b ).

Method according to the preceding claim, wherein the lower-side separating regions ( 4b ) in front of the upper partitions ( 4a ) be generated.

Method according to one of the preceding claims, wherein at least some, in particular all, of the upper-side separating regions ( 4a ) a larger top penetration depth (Da) from the top ( 2a ) in the carrier ( 2 ) have as a lower-side penetration depth (Db) of some, in particular all, lower-side separation regions ( 4b ) in the carrier ( 2 ) from the bottom ( 2 B ) ago.

Method according to the preceding claim, wherein at least some, in particular all, upper-side penetration depths (Da) between a quarter and a half, in particular a third, of the thickness (D2) of the carrier ( 2 ) amount.

Method according to one of the preceding claims, wherein at least some, in particular all, underside Endringtiefen (Db) highest one tenth of the thickness (D2) of the carrier ( 2 ) amount.

Method according to one of the preceding claims, wherein the carrier ( 2 ) a lower-side contact layer ( 22b ) comprising a basic body ( 21 ) of the carrier ( 2 ) on the bottom ( 2 B ) of the carrier ( 2 ) substantially completely or completely covered, wherein the lower-side contact layer ( 22b ) has a greater ductility than copper.

Method according to the preceding claim, wherein the lower-side contact layer ( 22b ) when producing some, in particular all, lower-side separation regions ( 4b ) in the region of the respective separation region ( 4b ) is completely removed or completely severed.

Method according to one of the preceding claims, wherein the dicing of the carrier ( 2 ) between opposing upper-side separation areas ( 4a ) and lower separation areas ( 4b ) by breaking.

Method according to one of the preceding claims, wherein by dicing side surfaces ( 5 ), which are substantially perpendicular or perpendicular to a bottom surface on a lower side ( 2 B ) of the carrier ( 2 ).

Method according to one of the preceding claims, wherein the carrier ( 2 ) a growth substrate for the epitaxial deposition of the active regions ( 3 ).

Method according to one of claims 1 to 9, wherein the carrier ( 2 ) from a growth substrate for the epitaxial deposition of the active regions ( 3 ) is different.

Method according to the preceding claim, wherein the active areas ( 3 ) are free from a growth substrate.

Method according to one of the preceding claims, wherein the carrier ( 2 ) a basic body ( 21 ) of germanium.

Method according to one of the preceding claims, wherein the generation of the upper-side separating regions ( 4a ) and / or the lower-side separation area ( 4b ) is done by scratches.

Method according to the preceding claim, wherein the scribing is effected by means of a laser beam.