DE102010047303A1

DE102010047303A1 - Reflector element, optoelectronic component and method for producing a reflector element and an optoelectronic component

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Publication number: DE102010047303A1
Application number: DE102010047303A
Authority: DE
Inventors: Dr. Binder Michael; Dr. Preuß Stephan
Original assignee: Osram Opto Semiconductors GmbH
Current assignee: Ams Osram International GmbH
Priority date: 2010-10-01
Filing date: 2010-10-01
Publication date: 2012-04-05
Also published as: WO2012041983A1; TW201228047A

Abstract

Es wird ein Reflektorelement (100) mit einer ersten Hauptoberfläche (101) und einer zweiten, der ersten Hauptoberfläche (101) gegenüberliegende Hauptoberfläche (102) und einer Reflektoröffnung (10) angegeben, die von der ersten Hauptoberfläche (101) zur zweiten Hauptoberfläche (102) reicht, wobei in der zweiten Hauptoberfläche (102) zumindest eine Vertiefung (11, 11') angeordnet ist, die beabstandet von der ersten Hauptoberfläche (101) ist.
Weiterhin wird ein optoelektronisches Bauelement (200) mit einem Reflektorelement (100) angegeben.
Weiterhin werden Verfahren zur Herstellung eines Reflektorelements (100) und eines optoelektronischen Bauelements (200) angegeben.The invention relates to a reflector element (100) having a first main surface (101) and a second main surface (102) facing the first main surface (101) and a reflector opening (10) extending from the first main surface (101) to the second main surface (102 ), wherein in the second main surface (102) at least one recess (11, 11 ') is arranged, which is spaced from the first main surface (101).
Furthermore, an optoelectronic component (200) with a reflector element (100) is specified.
Furthermore, methods for producing a reflector element (100) and an optoelectronic component (200) are specified.

Description

Es werden ein Reflektorelement und ein optoelektronisches Bauelement sowie Verfahren zur Herstellung eines Reflektorelements und eines optoelektronischen Bauelements angegeben.A reflector element and an optoelectronic component as well as methods for producing a reflector element and an optoelectronic component are specified.

Zur Herstellung von Licht emittierenden Dioden (LEDs), die einen Leuchtdiodenchip umgeben von einem Reflektor aufweisen, gibt es verschiedene Ansätze. Beispielsweise werden bei so genannten Premold-Packages mittels Spritzgießtechnologie einzelne PPA-Kavitäten auf einen metallischen Träger aufgebracht. In folgenden Prozessschritten werden die Kavitäten mittels Leuchtdiodenchips, ESD-Chips (ESD: ”electro-static discharge”) und Bonddrähten bestückt, vergossen und gegebenenfalls mit einer Linse versehen. Anschließend kann ein Vereinzeln von Bauteilen erfolgen.For producing light-emitting diodes (LEDs), which have a light-emitting diode chip surrounded by a reflector, there are various approaches. For example, in so-called premold packages using injection molding technology, individual PPA cavities are applied to a metallic carrier. In the following process steps, the cavities are equipped with light-emitting diode chips, ESD chips (ESD: "electro-static discharge") and bonding wires, encapsulated and optionally provided with a lens. Subsequently, a separation of components can take place.

Weiterhin sind so genannte Keramik-Packages bekannt, bei denen der Reflektor bereits als Kavität auf dem Substrat für den Leuchtdiodenchip integriert ist. Im Anschluss an die Herstellung eines Keramiksubstrats mit integrierten Reflektoren erfolgt die Bestückung mit den elektronischen Bauelementen und eine Vereinzelung in einzelne Bauteile.Furthermore, so-called ceramic packages are known in which the reflector is already integrated as a cavity on the substrate for the LED chip. Subsequent to the production of a ceramic substrate with integrated reflectors, the assembly with the electronic components and a separation into individual components takes place.

Beim bekannten so genannten QFN-Ansatz (QFN: ”quad flat nolead”) wird ein metallischer Trägerstreifen vor der Bestückung mit Leuchtdiodenchips in einem Formprozess mittels eines geeigneten Formmaterials umformt. Dabei werden ebenfalls Kavitäten geformt, die als Reflektoren dienen. Die Bestückung und Vereinzelung erfolgt analog zu den vorgenannten Verfahren.In the known so-called QFN approach (QFN: "quad flat nolead"), a metallic carrier strip is shaped by means of a suitable molding material before being fitted with light-emitting diode chips in a molding process. Cavities are also formed, which serve as reflectors. The assembly and separation takes place analogously to the aforementioned method.

Weiterhin ist es bekannt, beispielsweise die ESD-Dioden in von den Reflektoren separate, offene Kavitäten in einem Package-Array anzubringen.Furthermore, it is known, for example, to mount the ESD diodes in open cavities separate from the reflectors in a package array.

Werden Kunststoffe verwendet, mit denen Träger umformt werden, so werden üblicherweise Thermoplaste wie Polyphtalamid (PPA) oder Polyphenylensulfid (PPS) eingesetzt.If plastics are used with which carriers are formed, then usually thermoplastics such as polyphthalamide (PPA) or polyphenylene sulfide (PPS) are used.

Bei allen bekannten Ansätzen zur Herstellung von Leuchtdioden sind jedoch auch die nicht leuchtenden Komponenten wie etwa die ESD-Diode oder die Bonddrähte sichtbar, da diese erst nach dem Ausbilden des Reflektorgehäuses aufgebracht werden. Weiterhin sind die bekannten Technologien auf eine nicht zu große Tiefe des Reflektors begrenzt, da sonst aufgrund technischer Schwierigkeiten in den Reflektor kein Leuchtdiodenchip montiert werden kann.In all known approaches for the production of light-emitting diodes, however, the non-luminous components such as the ESD diode or the bonding wires are visible, since these are applied only after the formation of the reflector housing. Furthermore, the known technologies are limited to a not too great depth of the reflector, otherwise due to technical difficulties in the reflector no LED chip can be mounted.

Zumindest eine Aufgabe bestimmter Ausführungsformen ist es, ein Reflektorelement anzugeben. Zumindest eine weitere Aufgabe ist es, ein optoelektronisches Bauelement mit einem Reflektorelement anzugeben. Weitere Aufgaben zumindest einiger Ausführungsformen liegen darin, Verfahren zur Herstellung eines Reflektorelements und zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements mit einem Reflektorelement anzugeben.At least one object of certain embodiments is to specify a reflector element. At least one further object is to specify an optoelectronic component with a reflector element. Further objects of at least some embodiments are to specify methods for producing a reflector element and for producing an optoelectronic component with a reflector element.

Diese Aufgaben werden durch Gegenstände und Verfahren mit den Merkmalen der unabhängigen Patentansprüche gelöst. Vorteilhafte Ausführungsformen und Weiterbildungen der Gegenstände und Verfahren sind in den abhängigen Ansprüchen gekennzeichnet und gehen weiterhin aus der nachfolgenden Beschreibung und den Zeichnungen hervor.These objects are achieved by objects and methods having the features of the independent claims. Advantageous embodiments and further developments of the objects and methods are characterized in the dependent claims and will be apparent from the following description and the drawings.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist ein Reflektorelement eine erste Hauptoberfläche und eine zweite Hauptoberfläche auf, wobei die erste und die zweite Hauptoberfläche einander gegenüberliegen. Weiterhin weist das Reflektorelement eine Reflektoröffnung auf, die von der ersten Hauptoberfläche zur zweiten Hauptoberfläche durch das Reflektorelement hindurch reicht. Die Reflektoröffnung kann somit als durch das Reflektorelement hindurch ragende Öffnung ausgebildet sein, die vom das Reflektorelement bildenden Material umgeben ist. Das Reflektorelement ist dabei insbesondere als Reflektorelement für einen optoelektronischen Halbleiterchip ausgebildet, insbesondere für einen strahlungsemittierenden oder strahlungsempfangenden Halbleiterchip.In accordance with at least one embodiment, a reflector element has a first main surface and a second main surface, wherein the first and second main surfaces are opposed to each other. Furthermore, the reflector element has a reflector opening which extends from the first main surface to the second main surface through the reflector element. The reflector opening can thus be formed as projecting through the reflector element through opening, which is surrounded by the reflector element forming material. The reflector element is designed in particular as a reflector element for an optoelectronic semiconductor chip, in particular for a radiation-emitting or radiation-receiving semiconductor chip.

Weiterhin ist das Reflektorelement derart ausgebildet, dass der Halbleiterchip vorzugsweise in der Reflektoröffnung an der zweiten Hauptoberfläche angeordnet wird, sodass beispielsweise bei einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip Licht in Richtung der ersten Hauptoberfläche abgestrahlt wird. Besonders bevorzugt weist die Reflektoröffnung einen Querschnitt auf, der sich von der zweiten zur ersten Hauptoberfläche hin vergrößert. Der Querschnitt kann dabei in der ersten und/oder der zweiten Hauptoberfläche rund, beispielsweise kreisförmig oder elliptisch, oder auch eckig, beispielsweise quadratisch oder rechteckig, oder auch mehreckig, beispielsweise sechs- oder achteckig, und weiterhin beispielsweise auch mit abgerundeten Ecken ausgebildet sein. Weiterhin kann die Reflektoröffnung einen Querschnitt aufweisen, der von einer ersten Form an der zweiten Hauptoberfläche in eine davon verschiedene zweite Form in der ersten Hauptoberfläche übergeht.Furthermore, the reflector element is designed such that the semiconductor chip is preferably arranged in the reflector opening on the second main surface, so that, for example, in the case of a radiation-emitting semiconductor chip, light is emitted in the direction of the first main surface. Particularly preferably, the reflector opening has a cross section which increases from the second to the first main surface. In this case, the cross section may be round in the first and / or the second main surface, for example circular or elliptical, or also angular, for example square or rectangular, or also polygonal, for example hexagonal or octagonal, and furthermore, for example, also with rounded corners. Furthermore, the reflector opening may have a cross section that transitions from a first shape on the second main surface to a different second shape in the first main surface.

Weiterhin kann die Reflektorfläche, das heißt die Oberfläche der Reflektoröffnung, also diejenige Oberfläche des Reflektorelements, die in der Reflektoröffnung die erste Hauptoberfläche mit der zweiten Hauptoberfläche verbindet, mit einer reflektierenden Beschichtung versehen sein. Die reflektierende Beschichtung kann vorzugsweise durch eine reflektierende Metallisierung gebildet sein, etwa aus Silber, Aluminium oder einer Legierung mit Silber oder mit Aluminium oder mit Silber und Aluminium.Furthermore, the reflector surface, that is to say the surface of the reflector opening, that is to say that surface of the reflector element which connects the first main surface to the second main surface in the reflector opening, can be provided with a reflective coating. The reflective Coating may preferably be formed by a reflective metallization, such as silver, aluminum or an alloy with silver or with aluminum or with silver and aluminum.

Weiterhin kann in der zweiten Hauptoberfläche zumindest eine Vertiefung angeordnet sein. Die Vertiefung ist dabei vorzugsweise derart ausgebildet, dass sie von der zweiten Hauptoberfläche in das Reflektorelement hineinragt und dabei aber nicht bis zur ersten Hauptoberfläche durch das Reflektorelement hindurch ragt. Mit anderen Worten ist die zumindest eine Vertiefung in der zweiten Hauptoberfläche beabstandet von der ersten Hauptoberfläche angeordnet.Furthermore, at least one depression can be arranged in the second main surface. The recess is preferably designed such that it protrudes from the second main surface into the reflector element and does not protrude though the first main surface through the reflector element. In other words, the at least one recess in the second main surface is arranged at a distance from the first main surface.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform mündet die zumindest eine Vertiefung in die Reflektoröffnung. Das kann insbesondere bedeuten, dass die Reflektoröffnung im Bereich der zweiten Hauptoberfläche in die Vertiefung übergeht. Eine derartige Vertiefung, die in die Reflektoröffnung mündet, kann insbesondere geeignet sein, darin beispielsweise ein elektrisches Verbindungselement wie etwa einen Bonddraht zur Kontaktierung eines optoelektronischen Halbleiterchips anzuordnen, der in der Reflektoröffnung angeordnet ist.According to a further embodiment, the at least one depression opens into the reflector opening. This may mean, in particular, that the reflector opening merges into the depression in the region of the second main surface. Such a depression, which opens into the reflector opening, may in particular be suitable for arranging, for example, an electrical connection element, such as a bonding wire, for contacting an optoelectronic semiconductor chip, which is arranged in the reflector opening.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist die zumindest eine Vertiefung getrennt von der Reflektoröffnung angeordnet. Das kann insbesondere bedeuten, dass es keine direkte Verbindung zwischen der Reflektoröffnung und der zumindest einen Vertiefung durch das Reflektorelement hindurch gibt. Eine derartige Vertiefung, die getrennt von der Reflektoröffnung angeordnet ist, kann beispielsweise dafür geeignet sein, dass darin ein elektrisches Bauelement wie beispielsweise eine ESD-Schutzdiode und/oder ein elektrisches Verbindungselement wie etwa ein Bonddraht zur Kontaktierung des elektrischen Bauelements angeordnet sind.According to a further embodiment, the at least one recess is arranged separately from the reflector opening. This may mean, in particular, that there is no direct connection between the reflector opening and the at least one depression through the reflector element. Such a depression, which is arranged separately from the reflector opening, may be suitable, for example, for the fact that an electrical component such as an ESD protection diode and / or an electrical connection element such as a bonding wire for contacting the electrical component are arranged therein.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist eine Mehrzahl von Vertiefungen in der zweiten Hauptoberfläche angeordnet. Dadurch kann es möglich sein, eine Mehrzahl von elektrischen Verbindungselementen und/oder von elektrischen Bauelementen in den Vertiefungen in der zweiten Hauptoberfläche anzuordnen. Besonders bevorzugt können die Vertiefungen der Mehrzahl von Vertiefungen symmetrisch, also beispielsweise achsensymmetrisch zu einer Symmetrieachse entlang der zweiten Hauptoberfläche, oder punktsymmetrisch zu einem Mittelpunkt der zweiten Hauptoberfläche angeordnet sein. Der Mittelpunkt der zweiten Hauptoberfläche kann vorzugsweise gleichzeitig auch der Mittelpunkt der Reflektoröffnung sein. Durch die symmetrische, besonders bevorzugt die punktsymmetrische, Anordnung der Mehrzahl von Vertiefungen kann es möglich sein, dass das Reflektorelement, das beispielsweise in einer bestimmten Ausrichtung auf einem Trägerelement montierbar ist, auch in einer um 180° um eine Drehachse durch den Mittelpunkt und senkrecht zur zweiten Hauptoberfläche gedrehten Ausrichtung montierbar ist, da die Vertiefungen durch die Drehung um 180° deckungsgleich sind. Dadurch kann eine vereinfachte Handhabung des Reflektorelements ermöglicht werden.According to another embodiment, a plurality of depressions are arranged in the second main surface. As a result, it may be possible to arrange a plurality of electrical connection elements and / or of electrical components in the recesses in the second main surface. Particularly preferably, the depressions of the plurality of depressions can be arranged symmetrically, that is to say, for example, axially symmetrically with respect to an axis of symmetry along the second main surface, or point-symmetrically with respect to a center of the second main surface. The center of the second main surface may preferably also be the center of the reflector opening at the same time. Due to the symmetrical, particularly preferably the point-symmetrical, arrangement of the plurality of depressions, it may be possible for the reflector element, which can be mounted, for example, in a specific orientation on a carrier element, also in a 180 ° about an axis of rotation through the center and perpendicular to second major surface rotated alignment is mounted, since the wells are congruent by the rotation of 180 °. As a result, a simplified handling of the reflector element can be made possible.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist das Reflektorelement einen temperaturstabilen Kunststoff auf. Ein solcher temperaturstabiler Kunststoff kann beispielsweise durch ein Duroplast, besonders bevorzugt durch einen Kunststoff mit einem Epoxid, gebildet werden. Im Vergleich zu bekannten Reflektoren, die üblicherweise durch Anformung eines thermoplastischen Materials beispielsweise an einen Leiterrahmen hergestellt werden, kann das hier beschriebene Reflektorelement mit Vorteil eine höhere Temperaturstabilität aufweisen.According to a further embodiment, the reflector element has a temperature-stable plastic. Such a temperature-stable plastic can be formed for example by a thermoset, particularly preferably by a plastic with an epoxide. In comparison to known reflectors, which are usually produced by molding a thermoplastic material, for example, to a lead frame, the reflector element described here can advantageously have a higher temperature stability.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist ein optoelektronisches Bauelement ein Reflektorelement gemäß einer oder mehrerer der vorgenannten Ausführungsformen auf. Weiterhin weist das optoelektronische Bauelement ein Trägerelement auf. Das Trägerelement kann beispielsweise ein Kunststoff- oder Keramikträger mit elektrischen Leiterbahnen sein. Beispielsweise kann das Trägerelement als Leiterplatte, beispielsweise in Form eines so genannten Printed Circuit Board (PCB) oder eines so genannten Metal Core Printed Circuit Board (MCPCB) ausgeführt sein. Weiterhin kann das Trägerelement beispielsweise als so genannte FR4-Leiterplatte ausgeführt sein. Weiterhin kann das Trägerelement auch als Keramiksubstrat mit Leiterbahnen und/oder elektrischen Durchkontaktierungen ausgebildet sein. Darüber hinaus kann das Trägermaterial auch Verbundmaterialien, beispielsweise aus Kupfer und Epoxid, aufweisen.In accordance with at least one embodiment, an optoelectronic component has a reflector element according to one or more of the aforementioned embodiments. Furthermore, the optoelectronic component has a carrier element. The carrier element can be, for example, a plastic or ceramic carrier with electrical conductor tracks. For example, the carrier element can be designed as a printed circuit board, for example in the form of a so-called Printed Circuit Board (PCB) or a so-called Metal Core Printed Circuit Board (MCPCB). Furthermore, the carrier element can be designed, for example, as a so-called FR4 printed circuit board. Furthermore, the carrier element may also be formed as a ceramic substrate with conductor tracks and / or electrical feedthroughs. In addition, the carrier material may also comprise composite materials, for example of copper and epoxy.

Das Trägerelement ist insbesondere geeignet, einen Montagebereich für einen optoelektronischen Halbleiterchip bereitzustellen, sodass der optoelektronische Halbleiterchip auf dem Trägerelement montiert und elektrisch angeschlossen werden kann. Dazu kann der optoelektronische Halbleiterchip beispielsweise auf einem als elektrischen Kontaktbereich ausgebildeten Montagebereich montierbar sein. Weiterhin kann das Trägerelement auch neben dem Montagebereich einen elektrischen Kontaktbereich aufweisen, der mittels eines elektrischen Verbindungselements wie etwa eines Bonddrahts mit dem optoelektronischen Halbleiterchip verbindbar ist. Darüber hinaus kann das Trägerelement weitere Montage- beziehungsweise Kontaktbereiche aufweisen, auf denen elektrische Komponenten, beispielsweise eine oder mehrere ESD-Schutzdioden oder auch andere diskrete Bauelemente, etwa Widerstände, Kondensatoren, Transistoren und/oder IC-Chips, angeordnet werden können.The carrier element is particularly suitable for providing a mounting region for an optoelectronic semiconductor chip, so that the optoelectronic semiconductor chip can be mounted on the carrier element and electrically connected. For this purpose, the optoelectronic semiconductor chip can be mounted, for example, on a mounting region designed as an electrical contact region. Furthermore, the carrier element can also have, in addition to the mounting region, an electrical contact region, which can be connected to the optoelectronic semiconductor chip by means of an electrical connection element, such as a bonding wire. In addition, the carrier element can have further mounting or contact regions on which electrical components, for example one or more ESD protection diodes or other discrete components, such as resistors, capacitors, transistors and / or IC chips, can be arranged.

Das Reflektorelement kann insbesondere mit der zweiten Hauptoberfläche auf dem Trägerelement angeordnet sein. Dazu kann das Reflektorelement beispielsweise auf das Trägerelement aufgeklebt oder auflaminiert sein. The reflector element can be arranged in particular with the second main surface on the carrier element. For this purpose, the reflector element may for example be glued or laminated onto the carrier element.

Weiterhin kann ein optoelektronischer Halbleiterchip auf dem Trägerelement in der Reflektoröffnung angeordnet sein. Der optoelektronische Halbleiterchip kann insbesondere geeignet sein, Licht zu emittieren oder zu empfangen. Ist der optoelektronische Halbleiterchip als strahlungs- oder Licht emittierender Halbleiterchip ausgeführt, so kann er besonders bevorzugt Licht mit einer Wellenlänge vom ultravioletten bis infraroten Wellenlängenbereich und besonders bevorzugt in einem sichtbaren Wellenlängenbereich abstrahlen. Dazu kann der optoelektronische Halbleiterchip beispielsweise auf einem Arsenid-, einem Phosphid- oder einem Nitrid-Verbindungs-Halbleitermaterial basieren und als epitaktisch gewachsene Halbleiterschichtenfolge mit einem aktiven Bereich, beispielsweise einem pn-Übergang oder einer Quantentopfstruktur, ausgebildet sein.Furthermore, an optoelectronic semiconductor chip can be arranged on the carrier element in the reflector opening. The optoelectronic semiconductor chip may in particular be suitable for emitting or receiving light. If the optoelectronic semiconductor chip is embodied as a radiation- or light-emitting semiconductor chip, then it can particularly preferably emit light having a wavelength from the ultraviolet to infrared wavelength range and particularly preferably in a visible wavelength range. For this purpose, the optoelectronic semiconductor chip can be based, for example, on an arsenide, a phosphide or a nitride compound semiconductor material and can be formed as an epitaxially grown semiconductor layer sequence with an active region, for example a pn junction or a quantum well structure.

In der zumindest einen Vertiefung des Reflektorelements, die durch die Anordnung des Reflektorelements mit der zweiten Hauptoberfläche auf dem Trägerelement zum Trägerelement hin gewandt angeordnet ist, kann mit besonderem Vorteil ein elektrisches Verbindungselement, etwa ein Bonddraht oder eine elektrische Leiterbahn, oder ein elektrisches Bauelement, beispielsweise eines der oben genannten Bauelemente, besonders bevorzugt beispielsweise eine ESD-Schutzdiode, sowie ein elektrisches Verbindungselement wie etwa ein Bonddraht zur Kontaktierung des elektrischen Bauelements angeordnet sein. Dadurch, dass die zumindest eine Vertiefung nicht bis zur ersten Hauptoberfläche des Reflektorelements reicht und dem Trägerelement zugewandt ist, sind die Elemente, die in beziehungsweise unterhalb der zumindest einen Vertiefung auf dem Trägerelement angeordnet sind, durch das Trägerelement und das Reflektorelement verdeckt und somit von außen nicht sichtbar. Damit können mit besonderem Vorteil optisch nicht relevante Bauelemente durch den Reflektorkörper verdeckt werden, wodurch sich beispielsweise auch zusätzliche Design-Optionen für das optoelektronische Bauelement ergeben können. Insbesondere kann beispielsweise die Reflektoröffnung an der ersten Hauptoberfläche und auch in ihrem Verlauf zur zweiten Hauptoberfläche unabhängig oder weitgehend unabhängig von der Anordnung der optisch nicht relevanten Bauteile auf dem Trägerelement ausgebildet werden.In the at least one recess of the reflector element, which is arranged by the arrangement of the reflector element with the second main surface on the support element facing the support element, may be particularly advantageous an electrical connection element, such as a bonding wire or an electrical conductor, or an electrical component, for example one of the above-mentioned components, particularly preferably, for example, an ESD protection diode, and an electrical connection element such as a bonding wire for contacting the electrical component to be arranged. Characterized in that the at least one recess does not extend to the first main surface of the reflector element and faces the carrier element, the elements which are arranged in or below the at least one recess on the carrier element, covered by the carrier element and the reflector element and thus from the outside not visible. This can be covered by the reflector body with particular advantage optically not relevant components, which may result, for example, additional design options for the optoelectronic device. In particular, for example, the reflector opening can be formed on the first main surface and also in its course to the second main surface independently or largely independent of the arrangement of optically not relevant components on the support element.

Weiterhin kann die zumindest eine Vertiefung größer sein als ein Platzbedarf für das elektrische Bauelement und/oder das elektrische Verbindungselement, das in der zumindest einen Vertiefung angeordnet ist. Das kann insbesondere bedeuten, dass die Wände der Vertiefung derart vom Trägerelement beabstandet sind und einen derart großen Hohlraum bilden, dass ein flexibler Einsatz des Reflektorelements unabhängig von der Größe und/oder dem Verlauf oder der Erstreckung der in der Vertiefung anzuordnenden Komponenten sein kann.Furthermore, the at least one recess may be larger than a space requirement for the electrical component and / or the electrical connection element, which is arranged in the at least one recess. This may in particular mean that the walls of the recess are spaced from the support element and form such a large cavity that a flexible use of the reflector element may be independent of the size and / or the course or extension of the components to be arranged in the recess.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist die Reflektoröffnung in der zweiten Hauptoberfläche einen Querschnitt auf, der im Wesentlichen dem Querschnitt des optoelektronischen Halbleiterchips entspricht. Das kann insbesondere bedeuten, dass der Querschnitt der Reflektoröffnung in der zweiten Hauptoberfläche nur ein wenig größer ist als der Querschnitt des optoelektronischen Halbleiterchips und die Querschnittsform der Reflektoröffnung an die Querschnittsform des Halbleiterchips angepasst ist. Beispielsweise kann der Querschnitt der Reflektoröffnung in der zweiten Hauptoberfläche um einen Wert von kleiner oder gleich 20% und besonders bevorzugt um einen Wert von kleiner oder gleich 10% größer sein als die Querschnittsfläche des Halbleiterchips. Dadurch kann beispielsweise gewährleistet werden, dass zumindest nahezu das gesamte vom optoelektronischen Halbleiterchip abgestrahlte oder zu empfangende Licht direkt durch die Reflektoröffnung oder zumindest über die Wände der Reflektoröffnung ab- oder eingestrahlt werden kann, sodass Verluste, beispielsweise durch Absorption auf der Oberfläche des Trägerelements vermieden, werden können.In accordance with a further embodiment, the reflector opening in the second main surface has a cross section which substantially corresponds to the cross section of the optoelectronic semiconductor chip. This may in particular mean that the cross section of the reflector opening in the second main surface is only slightly larger than the cross section of the optoelectronic semiconductor chip and the cross sectional shape of the reflector opening is adapted to the cross sectional shape of the semiconductor chip. By way of example, the cross-section of the reflector opening in the second main surface may be greater than the cross-sectional area of the semiconductor chip by a value of less than or equal to 20% and particularly preferably by a value of less than or equal to 10%. As a result, it can be ensured, for example, that at least almost all of the light emitted or to be received by the optoelectronic semiconductor chip can be directly emitted or radiated through the reflector opening or at least over the walls of the reflector opening, so that losses, for example due to absorption on the surface of the carrier element, are avoided. can be.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist ein Verfahren zur Herstellung eines Reflektorelements einen Verfahrensschritt auf, bei dem das Reflektorelement zusammen mit einer Mehrzahl weiterer Reflektorelemente in Form eines Reflektorelementverbunds hergestellt wird. Der Reflektorelementverbund kann die Mehrzahl der Reflektorelemente in zusammenhängender Form, beispielsweise in einer matrixartigen Anordnung, aufweisen. Dadurch kann mit Vorteil eine kosteneffiziente Herstellung einer Vielzahl von Reflektorelementen möglich sein.In accordance with at least one embodiment, a method for producing a reflector element has a method step, in which the reflector element is produced together with a plurality of further reflector elements in the form of a reflector element composite. The reflector element composite can have the majority of the reflector elements in a continuous form, for example in a matrix-like arrangement. As a result, a cost-efficient production of a multiplicity of reflector elements can be possible with advantage.

Besonders bevorzugt kann der Reflektorelementverbund mittels eines Formprozesses hergestellt werden. Dazu kann in einem Verfahrensschritt ein Formwerkzeug bereitgestellt werden, das eine Negativform des Reflektorelementverbundes aufweist. Durch Einbringen einer Formmasse in das Formwerkzeug und Durchführung eines Formprozesses in einem weiteren Verfahrensschritt kann der Reflektorelementverbund herstellbar sein. Danach kann der Reflektorelementverbund zu einzelnen Reflektorelementen vereinzelt werden. Das Vereinzeln kann beispielsweise in einem weiteren Verfahrensschritt durch Sägen, Brechen und/oder Stanzen erfolgen.Particularly preferably, the reflector element composite can be produced by means of a molding process. For this purpose, a molding tool can be provided in a method step, which has a negative form of the reflector element composite. By introducing a molding compound into the mold and performing a molding process in a further process step, the reflector element composite can be produced. Thereafter, the reflector element composite can be separated into individual reflector elements. The separation can be done for example in a further process step by sawing, breaking and / or punching.

Das Formwerkzeug kann beispielsweise ein Unterteil und ein Oberteil aufweisen. Das Unterteil kann als strukturiertes Hilfssubstrat ausgeführt sein, das einer Negativform einer Mehrzahl beziehungsweise einer Matrixanordnung der zweiten Hauptoberflächen einer Mehrzahl von Reflektorelementen entspricht. Dazu kann das Unterteil eine Negativform der jeweiligen zumindest einen Vertiefung und zumindest eines Teils der jeweiligen Reflektoröffnung aufweisen. Weiterhin kann das Oberteil eine Negativform einer Mehrzahl beziehungsweise einer Matrixanordnung der ersten Hauptoberfläche sowie gegebenenfalls Vertiefungen darin sowie zumindest eines Teils der jeweiligen Reflektoröffnung aufweisen. Durch Zusammenfügen des Ober- und Unterteils kann somit die Negativform des Reflektorelementverbunds bereitgestellt werden. The molding tool may, for example, have a lower part and an upper part. The lower part can be designed as a structured auxiliary substrate that corresponds to a negative mold of a plurality or a matrix arrangement of the second main surfaces of a plurality of reflector elements. For this purpose, the lower part can have a negative mold of the respective at least one depression and at least one part of the respective reflector opening. Furthermore, the upper part may have a negative mold of a plurality or of a matrix arrangement of the first main surface and possibly depressions therein and at least one part of the respective reflector opening. By joining the upper and lower parts, the negative shape of the reflector element composite can thus be provided.

Insbesondere kann die Geometrie der Reflektoröffnung durch die Form des Oberteils oder auch zumindest teilweise durch die Form des Unterteils bestimmt sein. Nach der Durchführung des Formprozesses kann das Formwerkzeug entfernt werden und der Reflektorelementverbund kann weiterbearbeitet und modifiziert, beispielsweise beschichtet, werden.In particular, the geometry of the reflector opening can be determined by the shape of the upper part or at least partially by the shape of the lower part. After performing the molding process, the mold can be removed and the reflector element composite can be further processed and modified, for example coated.

Besonders bevorzugt kann die Formmasse ein Epoxid aufweisen und der Formprozess kann Spritzpressen sein. Dadurch kann eine kostengünstige Herstellung einer Vielzahl von temperaturstabilen Reflektorelementen möglich sein.Particularly preferably, the molding compound may comprise an epoxide and the molding process may be transfer molding. As a result, a cost-effective production of a plurality of temperature-stable reflector elements may be possible.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform können vor dem Vereinzeln des Reflektorelementverbunds die Reflektoröffnungen mit einer reflektierenden Beschichtung, beispielsweise einer Metallisierung, versehen werden. Mit Vorteil kann das Verfahren, das zum Aufbringen der Metallisierung beziehungsweise der reflektierenden Beschichtung durchgeführt wird, unabhängig von weiteren Elementen eines späteren optoelektronischen Bauelements, beispielsweise einem Trägerelement oder einem optoelektronischen Halbleiterchip, gewählt werden. Einflüsse des Beschichtungsverfahrens beispielsweise auf den optoelektronischen Halbleiterchip oder das Trägerelement können somit mit Vorteil ausgeschlossen werden. Durch die reflektierende Beschichtung können die reflektierenden Eigenschaften der Reflektorelemente verbessert werden.According to a further embodiment, before the separation of the reflector element composite, the reflector openings can be provided with a reflective coating, for example a metallization. Advantageously, the method which is carried out for applying the metallization or the reflective coating can be selected independently of further elements of a later optoelectronic component, for example a carrier element or an optoelectronic semiconductor chip. Influences of the coating process, for example, on the optoelectronic semiconductor chip or the carrier element can thus be excluded with advantage. Due to the reflective coating, the reflective properties of the reflector elements can be improved.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements zumindest einige der vorab genannten Verfahrensschritte und Merkmale des Verfahrens zur Herstellung eines Reflektorelements auf.According to a further embodiment, a method for producing an optoelectronic component has at least some of the previously mentioned method steps and features of the method for producing a reflector element.

Weiterhin kann der Reflektorelementverbund vor dem Vereinzeln auf einem Trägerelementverbund aufgebracht werden, wodurch ein Montageverbund gebildet werden kann. Der Trägerelementverbund kann beispielsweise aus einer Mehrzahl von zusammenhängenden Trägerelementen gebildet werden, die entsprechend der Anordnung der zusammenhängenden Reflektorelemente im Reflektorelementverbund eine entsprechende Anordnung, beispielsweise eine matrixartige Anordnung, aufweisen. Vor dem Aufbringen des Reflektorelementverbunds auf den Trägerelementverbund können auf den einzelnen Trägerelementen des Trägerelementverbunds optoelektronische Halbleiterchips und gegebenenfalls elektrische Bauelemente, beispielsweise ESD-Schutzdioden oder andere elektrische Bauelemente, und/oder elektrische Verbindungselemente, etwa Bonddrähte zum elektrischen Anschluss der optoelektronischen Halbleiterchips an das jeweilige Trägerelement, angeordnet werden. Die Montage des Reflektorelementverbunds auf dem Trägerelementverbund kann dadurch deutlich kostengünstiger durchführbar sein als eine Einzelmontage von Reflektorelementen auf einzelnen Trägerelementen.Furthermore, the reflector element composite can be applied prior to singulation on a carrier element composite, whereby a mounting assembly can be formed. The carrier element composite can be formed, for example, from a plurality of contiguous carrier elements which have a corresponding arrangement, for example a matrix-like arrangement, in accordance with the arrangement of the coherent reflector elements in the reflector element composite. Before the reflector element composite is applied to the carrier element composite, optoelectronic semiconductor chips and optionally electrical components, for example ESD protection diodes or other electrical components, and / or electrical connection elements, such as bonding wires for electrically connecting the optoelectronic semiconductor chips to the respective carrier element, can be provided on the individual carrier elements of the carrier element assembly. to be ordered. The assembly of the reflector element composite on the carrier element composite can thereby be significantly cheaper to carry out as a single assembly of reflector elements on individual support elements.

Die Anordnung und Montage des Reflektorelementverbunds auf dem Trägerelementverbund kann insbesondere durch Kleben oder Laminieren geschehen.The arrangement and mounting of the reflector element composite on the carrier element composite can be done in particular by gluing or laminating.

Weiterhin kann der so hergestellte Montageverbund anschließend in einzelne optoelektronische Bauelemente vereinzelt werden, beispielsweise durch Sägen, Brechen und/oder Stanzen.Furthermore, the assembly assembly produced in this way can then be separated into individual optoelectronic components, for example by sawing, breaking and / or punching.

Gemäß einer besonders bevorzugten Ausführungsform können somit optoelektronische Bauelemente in Form von Licht emittierenden Bauelementen hergestellt werden, wobei der Reflektorelementverbund in Form eines Reflektorelement-Arrays auf Epoxidbasis hergestellt anschließend auf einem Trägerelementverbund aufgebracht wird. Insbesondere kann dabei mit Vorteil der Trägerelementverbund bereits vor dem Verbinden mit dem Reflektorelementverbund mit optoelektronischen Halbleiterchips, besonders bevorzugt Licht emittierenden Halbleiterchips, bestückt sein. Durch die oben beschriebene Ausführung der Reflektorelemente können optisch inaktive Elemente der jeweiligen optoelektronische Bauelemente im Reflektorelement beziehungsweise zwischen dem Reflektorelement und dem Trägerelement integriert werden, um nach außen hin nicht sichtbar zu sein.According to a particularly preferred embodiment, optoelectronic components can thus be produced in the form of light-emitting components, the reflector element composite produced in the form of an epoxy-based reflector element array subsequently being applied to a carrier element composite. In particular, the carrier element composite can advantageously already be equipped with optoelectronic semiconductor chips, particularly preferably light-emitting semiconductor chips, prior to connection to the reflector element composite. As a result of the embodiment of the reflector elements described above, optically inactive elements of the respective optoelectronic components can be integrated in the reflector element or between the reflector element and the carrier element in order not to be visible to the outside.

Da die Herstellung des Reflektorelements beziehungsweise des Reflektorelementverbunds unabhängig von der Herstellung und Bestückung des Trägerelements beziehungsweise des Trägerelementverbunds ist, können sowohl für das Reflektorelement wie auch für das Trägerelement im Hinblick auf das jeweils andere Element unabhängige Materialien gewählt werden. Dadurch kann das hier beschriebene Reflektorelement mit einer Vielzahl von Materialien und Ausführungsformen von Trägerelementen, wie weiter oben beschrieben, kombiniert werden. Weiterhin kann die Ausgestaltung des Reflektorelements, beispielsweise die Tiefe der Reflektoröffnung, unabhängig von der Bestückung des Trägerelements gewählt werden. Somit kann das Reflektorelement beispielsweise auch eine Reflektoröffnung mit einer derartigen Tiefe aufweisen, die bei einer nachträglichen Bestückung eines Trägerelements mit bereits montiertem Reflektorelement aus technischen Gründen nicht mehr möglich wäre.Since the production of the reflector element or of the reflector element composite is independent of the production and assembly of the carrier element or of the carrier element composite, independent materials can be selected both for the reflector element and for the carrier element with regard to the respective other element. As a result, the reflector element described here with a plurality of Materials and embodiments of carrier elements, as described above, combined. Furthermore, the configuration of the reflector element, for example the depth of the reflector opening, can be selected independently of the placement of the carrier element. Thus, the reflector element, for example, also have a reflector opening with such a depth, which would no longer be possible for a subsequent assembly of a support element with already mounted reflector element for technical reasons.

Die in Verbindung mit dem Reflektorelement und dem optoelektronischen Bauelement beschriebenen Merkmale und Ausführungsformen gelten auch für die Verfahren zur Herstellung des Reflektorelements bzw. des optoelektronischen Bauelements und umgekehrt.The features and embodiments described in connection with the reflector element and the optoelectronic component also apply to the methods for producing the reflector element or the optoelectronic component and vice versa.

Weitere Vorteile und vorteilhafte Ausführungsformen und Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den im Folgenden in Verbindung mit den 1A bis 4B beschriebenen Ausführungsformen.Further advantages and advantageous embodiments and developments of the invention will become apparent from the following in connection with the 1A to 4B described embodiments.

Es zeigen:Show it:

1A und 1B schematische Darstellungen eines Reflektorelements gemäß einem Ausführungsbeispiel, 1A and 1B schematic representations of a reflector element according to an embodiment,

2A und 2B schematische Darstellungen von Verfahrensschritten eines Verfahrens zur Herstellung eines Reflektorelements gemäß einem Ausführungsbeispiel, 2A and 2 B schematic representations of method steps of a method for producing a reflector element according to an embodiment,

3 eine schematische Darstellung eines Verfahrensschritts eines Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel und 3 a schematic representation of a method step of a method for producing an optoelectronic component according to another embodiment and

4A und 4B schematische Darstellungen eines optoelektronischen Bauelements gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel. 4A and 4B schematic representations of an optoelectronic component according to another embodiment.

In den Ausführungsbeispielen und Figuren können gleiche oder gleich wirkende Bestandteile jeweils mit den gleichen Bezugszeichen versehen sein. Die dargestellten Elemente und deren Größenverhältnisse untereinander sind grundsätzlich nicht als maßstabsgerecht anzusehen, vielmehr können einzelne Elemente, wie zum Beispiel Schichten, Bauteile, Bauelemente und Bereiche, zur besseren Darstellbarkeit und/oder zum besseren Verständnis übertrieben dick oder groß dimensioniert dargestellt sein.In the exemplary embodiments and figures, identical or identically acting components may each be provided with the same reference numerals. The illustrated elements and their proportions with each other are basically not to be regarded as true to scale, but individual elements, such as layers, components, components and areas, for better representability and / or better understanding exaggerated thick or large dimensions.

In den 1A und 1B ist ein Ausführungsbeispiel für ein Reflektorelement 100 gezeigt. Das Reflektorelement 100 ist dabei aus einem Kunststoff mit einem Epoxid mittels eines Formprozesses hergestellt. Weitere Merkmale das Herstellungsverfahren betreffend sind im Weiteren in Verbindung mit den 2A und 2B beschrieben.In the 1A and 1B is an embodiment of a reflector element 100 shown. The reflector element 100 is made of a plastic with an epoxy by means of a molding process. Further features relating to the production method are described below in connection with the 2A and 2 B described.

Das Reflektorelement 100 weist eine erste Hauptoberfläche 101 sowie eine zweite Hauptoberfläche 102 auf, die einander gegenüber liegen. Von der ersten Hauptoberfläche 101 zur zweiten Hauptoberfläche 102 ragt eine Reflektoröffnung 10 durch das Reflektorelement 100 hindurch. Im gezeigten Ausführungsbeispiel weist die Reflektoröffnung 10 in der zweiten Hauptoberfläche 102 eine quadratische Form mit abgerundeten Ecken auf und geht in eine achteckige Form in der ersten Hauptoberfläche 101 über. Die gezeigte Form der Reflektoröffnung 10 ist dabei rein beispielhaft zu verstehen. Alternativ dazu kann die Reflektoröffnung 10 auch in der ersten und/oder der zweiten Hauptoberfläche 101, 102 oder im Verlauf von der ersten zur zweiten Hauptoberfläche 101, 102 andere, oben im allgemeinen Teil beschriebenen Formen aufweisen.The reflector element 100 has a first main surface 101 and a second main surface 102 on, which are opposite each other. From the first main surface 101 to the second main surface 102 protrudes a reflector opening 10 through the reflector element 100 therethrough. In the embodiment shown, the reflector opening 10 in the second main surface 102 a square shape with rounded corners and goes into an octagonal shape in the first main surface 101 above. The shown shape of the reflector opening 10 is to be understood as an example only. Alternatively, the reflector opening 10 also in the first and / or the second main surface 101 . 102 or in the course of the first to the second main surface 101 . 102 have other forms described above in the general part.

Weiterhin weist das Reflektorelement 100 in der zweiten Hauptoberfläche 102 rein beispielhaft eine Mehrzahl von Vertiefungen 11, 11' auf, die jeweils von der ersten Hauptoberfläche 101 beabstandet sind und somit nicht durch das Reflektorelement 100 hindurch ragen. Dabei weist das Reflektorelement 100 Vertiefungen 11 auf, die von der Reflektoröffnung 10 beabstandet und getrennt ausgeformt sind. Weiterhin weist das Reflektorelement 100 Vertiefungen 11' auf, die in die Reflektoröffnung 10 münden. Zumindest eine der Vertiefungen 11', die in die Reflektoröffnung 10 münden, ist insbesondere dafür vorgesehen, dass darin ein elektrisches Verbindungselement wie etwa ein Bonddraht angeordnet wird, der einen optoelektronischen Halbleiterchip, der in der Reflektoröffnung 10 angeordnet wird, kontaktiert, wie beispielsweise in 4A gezeigt ist. Im gezeigten Ausführungsbeispiel sind die Vertiefungen 11, 11' punktsymmetrisch angeordnet, sodass das Reflektorelement 100 bei einer Drehung um 180° um eine Achse senkrecht zur zweiten Hauptoberfläche 102 und durch den Mittelpunkt der zweiten Hauptoberfläche 102 mit sich selbst deckungsgleich ist. Dadurch kann eine vereinfachte Montage des Reflektorelements 100 auf einem Trägerelement ermöglicht werden.Furthermore, the reflector element 100 in the second main surface 102 purely by way of example a plurality of depressions 11 . 11 ' on, each from the first main surface 101 are spaced and thus not by the reflector element 100 protrude through. In this case, the reflector element 100 wells 11 on top of the reflector opening 10 spaced apart and formed separately. Furthermore, the reflector element 100 wells 11 ' on that in the reflector opening 10 lead. At least one of the depressions 11 ' in the reflector opening 10 In particular, it is provided that an electrical connection element, such as a bonding wire, is arranged therein, which contains an optoelectronic semiconductor chip which is located in the reflector opening 10 is arranged, contacted, such as in 4A is shown. In the embodiment shown, the depressions 11 . 11 ' arranged point-symmetrically, so that the reflector element 100 upon rotation through 180 ° about an axis perpendicular to the second major surface 102 and through the center of the second major surface 102 is congruent with itself. This allows a simplified installation of the reflector element 100 be enabled on a support element.

Zur Herstellung des Reflektorelements gemäß dem Ausführungsbeispiel in den 1A und 1B wird, wie im Ausführungsbeispiel gemäß der 2A und 2B gezeigt, ein Formwerkzeug 9 bereitgestellt, das eine Negativform eines Reflektorelementverbunds 91 bildet. In den 2A und 2B ist dabei lediglich ein Unterteil des Formwerkzeugs 9 gezeigt, das eine Negativform der zweiten Hauptoberfläche 102 mit den Vertiefungen 11, 11' und eines Teils der Reflektoröffnung 10 einer Mehrzahl von Reflektorelementen, die zusammenhängend den Reflektorelementverbund 91 bilden, aufweist. In 2B ist insbesondere ein Ausschnitt eines Schnitts durch das Unterteil des Formwerkzeugs 9 und einen bereits darauf ausgeformten Reflektorelementverbund 91 gezeigt. Die Form der Reflektoröffnung 10 und der ersten Hauptoberfläche 101 wird durch ein entsprechendes Oberteil des Formwerkzeugs 9 (nicht gezeigt) gebildet.For producing the reflector element according to the embodiment in the 1A and 1B is, as in the embodiment according to the 2A and 2 B shown a mold 9 provided, which is a negative form of a reflector element composite 91 forms. In the 2A and 2 B is only a lower part of the mold 9 shown a negative mold of the second major surface 102 with the wells 11 . 11 ' and a part of the reflector opening 10 a plurality of reflector elements connected to the Reflector element composite 91 form, has. In 2 B is in particular a section of a section through the lower part of the molding tool 9 and an already formed thereon reflector element composite 91 shown. The shape of the reflector opening 10 and the first main surface 101 is replaced by a corresponding upper part of the mold 9 formed (not shown).

Zur Herstellung des Reflektorelementverbunds 91 wird eine geeignete Formmasse, die im gezeigten Ausführungsbeispiel ein Epoxid aufweist, mittels eines Spritzpressprozesses in das Formwerkzeug 9 eingebracht und in diesem ausgehärtet. Dazu weist das Formwerkzeug 9 entsprechende Zuführungen für die Formmasse oder Ausgangsprodukte der Formmasse auf, die der Übersichtlichkeit halber nicht gezeigt sind.For the production of the reflector element composite 91 is a suitable molding material having an epoxide in the illustrated embodiment, by means of a transfer molding process in the mold 9 introduced and cured in this. For this purpose, the mold 9 corresponding feeds for the molding compound or starting materials of the molding composition, which are not shown for clarity.

Wie in 2A gezeigt, wird so eine Mehrzahl von Reflektorelementen 100 hergestellt, die entlang von mittels der gestrichelten Linien angedeuteten Vereinzelungslinien miteinander verbunden sind. Nach der Herstellung des Reflektorelementverbunds 91 kann das Formwerkzeug 9 entfernt werden und der Reflektorelementverbund 91 kann in einzelne Reflektorelemente 100 vereinzelt werden.As in 2A As shown, a plurality of reflector elements 100 manufactured, which are interconnected along indicated by the dashed lines separating lines. After the production of the reflector element composite 91 can the mold 9 be removed and the reflector element composite 91 can in individual reflector elements 100 to be isolated.

Zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements mit einem Reflektorelement 100 gemäß den vorangegangenen Ausführungsbeispielen kann, wie im Ausführungsbeispiel gemäß 3 gezeigt, zusätzlich zum Reflektorelementverbund 91 ein Trägerelementverbund 92 bereitgestellt werden. Dieser kann durch ein großflächiges Trägersubstrat, beispielsweise eine Leiterplatte wie etwa eine FR4-Leiterplatte oder ein Keramiksubstrat mit Leiterbahnen und elektrischen Kontaktflächen, ausgebildet sein. Der Trägerelementverbund 92 weist dabei eine Vielzahl von Trägerelementen 20 auf, die an mit gestrichelten Linien angedeuteten Vereinzelungslinien miteinander verbunden sind.For producing an optoelectronic component with a reflector element 100 According to the preceding embodiments, as in the embodiment according to 3 shown, in addition to the reflector element composite 91 a carrier element composite 92 to be provided. This can be formed by a large-area carrier substrate, for example a printed circuit board such as a FR4 printed circuit board or a ceramic substrate with conductor tracks and electrical contact surfaces. The carrier element composite 92 has a variety of support elements 20 on, which are connected to each other by dotted lines indicated by dashed lines.

Der Trägerelementverbund 92 wird mit optoelektronischen Halbleiterchips 1 sowie weiteren elektrischen Bauelementen 2, etwa in Form von ESD-Schutzdioden, bestückt. Die Bestückung sowie auch die Kontaktierung der optoelektronischen Halbleiterchips 1 und der elektrischen Bauelemente 2 mittels Bonddrähten erfolgt dabei unabhängig vom Reflektorelementverbund 91. Nach der Bestückung und vollständigen Kontaktierung der optoelektronischen Halbleiterchips 1 und der elektrischen Bauelemente 2 werden der Reflektorelementverbund 91 und der Trägerelementverbund 92 zu einem Montageverbund zusammengefügt. Dazu wird der Reflektorelementverbund 91 auf den Trägerelementverbund 92 aufgeklebt oder auflaminiert. Vertiefungen 11, 11' sowie die Reflektoröffnung 10 der einzelnen Reflektorelemente 100 des Reflektorelementverbunds 91 sind dabei derart angeordnet, dass sie jeweils über den elektrischen Verbindungselementen, den elektrischen Bauelementen 2 und den optoelektronischen Halbleiterchips 1 angeordnet werden können. Anschließend wird der Montageverbund entlang der Vereinzelungslinien in einzelne Halbleiterbauelemente vereinzelt.The carrier element composite 92 is using optoelectronic semiconductor chips 1 as well as other electrical components 2 , about in the form of ESD protection diodes, equipped. The assembly as well as the contacting of the optoelectronic semiconductor chips 1 and the electrical components 2 By means of bonding wires takes place independently of the reflector element composite 91 , After the assembly and complete contacting of the optoelectronic semiconductor chips 1 and the electrical components 2 become the reflector element composite 91 and the carrier element composite 92 assembled into a composite assembly. For this purpose, the reflector element composite 91 on the carrier element composite 92 glued or laminated. wells 11 . 11 ' as well as the reflector opening 10 the individual reflector elements 100 of the reflector element composite 91 are arranged such that they each have the electrical connection elements, the electrical components 2 and the optoelectronic semiconductor chips 1 can be arranged. Subsequently, the assembly composite is singulated along the singulation lines into individual semiconductor components.

Rein beispielhaft sind die optoelektronischen Halbleiterchips 1 hier und im Folgenden Ausführungsbeispiel als Licht emittierende Halbleiterchips ausgebildet, so dass die fertig gestellten Halbleiterbauelemente 200 Licht emittierende Dioden bilden. Alternativ dazu können einige oder alle Halbleiterchips 1 auch als Licht empfangende Halbleiterchips ausgebildet sein, so dass einige oder alle fertig gestellten Halbleiterbauelemente 200 beispielsweise Fotodioden bilden. Beispielsweise können auf einem Trägerelementverbund 92 auch gleichzeitig Licht emittierende und Licht empfangende Halbleiterchips 1 angeordnet werden.Purely exemplary are the optoelectronic semiconductor chips 1 here and in the following embodiment designed as light-emitting semiconductor chips, so that the finished semiconductor devices 200 Forming light-emitting diodes. Alternatively, some or all of the semiconductor chips 1 be designed as light-receiving semiconductor chips, so that some or all finished semiconductor devices 200 for example, form photodiodes. For example, on a carrier element composite 92 also simultaneously light-emitting and light-receiving semiconductor chips 1 to be ordered.

In den 4A und 4B ist ein Ausführungsbeispiel für ein fertig gestelltes, vereinzeltes optoelektronisches Halbleiterbauelement 200 in einer Schrägansicht in 4A sowie in einer Schnittansicht in 4B entlang der in 4A gekennzeichneten Schnittebene BB dargestellt.In the 4A and 4B is an embodiment of a finished, isolated optoelectronic semiconductor device 200 in an oblique view in 4A and in a sectional view in FIG 4B along the in 4A marked sectional plane BB shown.

Das Reflektorelement 100 ist dabei der Übersichtlichkeit halber in 4A transparent dargestellt, um die darunter liegenden Komponenten auf dem Trägerelement 20 sichtbar zu machen.The reflector element 100 is here for clarity in 4A shown transparently to the underlying components on the support element 20 to make visible.

Wie aus den 4A und 4B ersichtlich ist, weisen die Vertiefungen 11 und 11' Abmessung auf, die größer sind als der Platzbedarf der elektrischen Verbindungselemente 3, die im gezeigten Ausführungsbeispiel durch Bonddrähte gebildet werden, und des elektrischen Bauelements 2, das durch die ESD-Schutzdiode gebildet wird. Dabei verbindet ein elektrisches Verbindungselement 3 eine elektrische Kontaktfläche auf dem Trägerelement 20 mit einer Oberseite des optoelektronischen Halbleiterchips 1. Das andere elektrische Verbindungselement 3 verbindet eine weitere elektrische Kontaktfläche auf dem Trägerelement 20 mit dem elektrischen Bauelement 2.Like from the 4A and 4B it can be seen, have the wells 11 and 11 ' Dimension on, which are larger than the space requirement of the electrical connection elements 3 , which are formed in the embodiment shown by bonding wires, and the electrical component 2 which is made by the ESD protection diode. It connects an electrical connection element 3 an electrical contact surface on the carrier element 20 with an upper side of the optoelectronic semiconductor chip 1 , The other electrical connection element 3 connects a further electrical contact surface on the carrier element 20 with the electrical component 2 ,

Das Reflektorelement 100 weist weiterhin in der zweiten Hauptoberfläche 102 einen Querschnitt der Reflektoröffnung 10 auf, der im Wesentlichen dem Querschnitt des optoelektronischen Halbleiterchips 1 entspricht, sodass die Oberfläche des Trägerelement 20 in Bereichen neben dem Halbleiterchip 1 nahezu komplett vom Reflektorelement 100 bedeckt ist. Dadurch kann die vom optoelektronischen Halbleiterchip 1 abgestrahlte Strahlung nahezu vollständig entweder direkt durch die Reflektoröffnung 10 oder zumindest mittels Reflektion über die Oberfläche der Reflektoröffnung 10 abgestrahlt werden. Zur Verbesserung der reflektierenden Eigenschaften der Reflektoröffnung 10 kann diese beispielsweise noch vor der Montage des Reflektorelementverbunds 91 auf dem Trägerelementverbund 92 für einzelne oder alle Reflektorelemente 100 des Reflektorelementverbunds 91 mit einer reflektierenden Beschichtung, beispielsweise einer Metallisierung, versehen werden.The reflector element 100 points further in the second main surface 102 a cross section of the reflector opening 10 on, which is essentially the cross section of the optoelectronic semiconductor chip 1 corresponds to, so the surface of the support element 20 in areas next to the semiconductor chip 1 almost completely from the reflector element 100 is covered. This allows the optoelectronic semiconductor chip 1 radiated radiation almost completely either directly through the reflector opening 10 or at least by reflection over the surface of the reflector opening 10 be radiated. To improve the reflective properties of the reflector opening 10 This can, for example, before the installation of the reflector element composite 91 on the carrier element composite 92 for individual or all reflector elements 100 of the reflector element composite 91 be provided with a reflective coating, such as a metallization.

Durch die großzügige Dimensionierung der Vertiefungen 11 und 11 ist es mit Vorteil möglich, im vorab beschriebenen Array-Prozess eine Vielzahl von optoelektronischen Halbleiterchips 1, elektrischen Bauelementen 2 und elektrischen Verbindungselementen 3 von unterschiedlichen Trägerelementen 20, die aufgrund von nicht vermeidbaren Fertigungstoleranzen jeweils nicht identisch angeordnet sind, gleichzeitig unter der Vielzahl von Reflektorelementen 100 anzuordnen, sodass in der Vielzahl von fertigen optoelektronischen Halbleiterbauelementen 200 die optisch nicht relevanten Komponenten vom jeweiligen Reflektorelement 100 abgedeckt sind.Due to the generous dimensioning of the recesses 11 and 11 It is advantageously possible, in the array process described above, a plurality of optoelectronic semiconductor chips 1 , electrical components 2 and electrical connectors 3 of different support elements 20 , which are not arranged identically due to unavoidable manufacturing tolerances, at the same time among the plurality of reflector elements 100 to arrange, so that in the plurality of finished optoelectronic semiconductor devices 200 the optically not relevant components of the respective reflector element 100 are covered.

Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.The invention is not limited by the description based on the embodiments of these. Rather, the invention encompasses any novel feature as well as any combination of features, including in particular any combination of features in the claims, even if this feature or combination itself is not explicitly stated in the patent claims or exemplary embodiments.

Claims

Reflector element ( 100 ) with a first main surface ( 101 ) and a second, the first main surface ( 101 ) opposite main surface ( 102 ) and a reflector opening ( 10 ) coming from the first main surface ( 101 ) to the second main surface ( 102 ), wherein in the second main surface ( 102 ) at least one depression ( 11 . 11 ' ) spaced from the first major surface (FIG. 101 ).

Reflector element according to claim 1, wherein the at least one recess ( 11 ) in the reflector opening ( 10 ) opens.

Reflector element according to claim 1, wherein the at least one recess ( 11 ' ) separated from the reflector opening ( 10 ) is arranged.

Reflector element according to one of the preceding claims, wherein a plurality of depressions ( 11 . 11 ' ) in the second main surface ( 102 ) is arranged.

Reflector element according to the preceding claim, wherein the plurality of recesses ( 11 . 11 ' ) point-symmetrical to the center of the second main surface ( 102 ) are arranged.

Optoelectronic component ( 200 ) a reflector element ( 100 ) according to one of claims 1 to 5 and with a carrier element ( 20 ), wherein the reflector element ( 100 ) with the second main surface ( 102 ) on the carrier element ( 20 ), in the reflector opening ( 10 ) on the carrier element ( 20 ) an optoelectronic semiconductor chip ( 1 ) and in the at least one recess ( 11 . 11 ' ) in the second main surface ( 102 ) of the reflector element ( 100 ) an electrical component ( 2 ) and / or an electrical connection element ( 3 ) is arranged.

Component according to claim 6, wherein the recess ( 11 . 11 ' ) is greater than a space requirement of the electrical component ( 2 ) and / or the electrical connection element ( 3 ).

Component according to Claim 6 or 7, the reflector opening ( 10 ) in the second main surface ( 102 ) has a cross-section which essentially corresponds to the cross-section of the optoelectronic semiconductor chip ( 1 ) corresponds.

Component according to one of claims 6 to 8, wherein - the reflector element ( 100 ) in the second main surface ( 102 ) at least a first recess ( 11 ), which in the reflector opening ( 10 ) and in which a bonding wire as an electrical connection element ( 3 ) is arranged, which the optoelectronic semiconductor chip ( 1 ), and - the reflector element ( 100 ) in the second main surface ( 102 ) at least one second recess ( 11 ' ), in which an ESD protection diode as an electrical component ( 2 ) and a bonding wire contacting the ESD protection diode as a further connection element ( 3 ) are arranged, wherein the second recess ( 11 ' ) from the reflector opening ( 10 ) is formed separately.

Method for producing a reflector element ( 100 ) according to any one of claims 1 to 5, comprising the steps of: - providing a molding tool ( 9 ) with a negative form of a reflector element composite ( 91 ) formed by a plurality of contiguous reflector elements ( 100 ), - producing the reflector element composite ( 91 ) by means of the molding tool ( 9 ) from a molding compound by a molding process and - separating the reflector element composite ( 91 ) to individual reflector elements ( 100 ).

The method of claim 10, wherein the molding compound comprises an epoxy and the molding process is transfer molding.

Method according to Claim 10 or 11, in which prior to the separation of the reflector element composite ( 91 ) the reflector openings ( 10 ) are provided with a reflective coating.

Method for producing an optoelectronic component ( 200 ) according to any one of claims 6 to 9 with the method steps of the method according to claims 10 to 12, wherein - the reflector element composite ( 91 ) before singulation on a carrier element composite ( 92 ) is applied to form a composite assembly and - the assembly assembly into individual optoelectronic components ( 100 ) is isolated.

Method according to Claim 13, in which, prior to the application of the reflector element composite ( 91 ) on the carrier element composite ( 92 ) optoelectronic semiconductor chips ( 1 ) and electrical components ( 2 ) and / or electrical connection elements ( 3 ) are applied.