DE102010027579A1

DE102010027579A1 - Light-emitting diode module and luminaire

Info

Publication number: DE102010027579A1
Application number: DE201010027579
Authority: DE
Inventors: Dr. Moeck Martin
Original assignee: Osram Opto Semiconductors GmbH
Current assignee: Ams Osram International GmbH
Priority date: 2010-07-19
Filing date: 2010-07-19
Publication date: 2012-01-19
Also published as: WO2012019853A1

Abstract

In mindestens einer Ausführungsform des Leuchtdiodenmoduls (1) umfasst dieses zumindest einen Träger (2) mit einer gedachten Mittellinie (M) an einer Trägeroberseite (20). An der Trägeroberseite (20) ist eine Mehrzahl von Halbleiterlichtquellen (3) angebracht. Den Halbleiterlichtquellen (3) ist in eine Richtung weg von der Trägeroberseite (20) eine Abdeckschicht (4) nachgeordnet, wobei die Abdeckschicht (4) eine Streuschicht oder eine Konversionsmittelschicht umfasst. Eine Ausdehnung (L) des Trägers (2) entlang der Mittellinie (M) übersteigt eine Breite (B) des Trägers (2) um mindestens einen Faktor 2. Ein Quotient aus einer minimalen und einer maximalen Leuchtdichte der im Betrieb des Leuchtdiodenmoduls (1) erzeugten Strahlung entlang der Mittellinie (M), in eine Richtung weg von der Trägeroberseite (20), unterschreitet einen Wert von 0,4 nicht.In at least one embodiment of the light-emitting diode module (1), it comprises at least one carrier (2) with an imaginary center line (M) on an upper side of the carrier (20). A plurality of semiconductor light sources (3) are attached to the upper side of the carrier (20). The semiconductor light sources (3) are followed by a cover layer (4) in a direction away from the carrier top (20), the cover layer (4) comprising a scattering layer or a conversion medium layer. An extension (L) of the carrier (2) along the center line (M) exceeds a width (B) of the carrier (2) by at least a factor of 2. A quotient of a minimum and a maximum luminance of the LEDs module (1) during operation. generated radiation along the center line (M), in a direction away from the carrier top (20), does not fall below a value of 0.4.

Description

Es wird ein Leuchtdiodenmodul angegeben. Darüber hinaus wird eine Leuchte mit einem solchen Leuchtdiodenmodul angegeben.A light-emitting diode module is specified. In addition, a luminaire is specified with such a light-emitting diode module.

Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein Leuchtdiodenmodul sowie eine Leuchte mit einem solchen Modul anzugeben, wobei das Leuchtdiodenmodul eine schlagschattenreduzierte Ausleuchtung von Objekten ermöglicht.An object to be solved is to specify a light-emitting diode module and a luminaire with such a module, wherein the light-emitting diode module allows a shadow-reduced illumination of objects.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Leuchtdiodenmoduls weist dieses mindestens einen Träger mit einer Trägeroberseite auf. Bei dem Träger handelt es sich bevorzugt um eine Leiterplatte, insbesondere um eine bedruckte Leiterplatte. Neben elektrischen Leitungen kann der Träger Bereiche aufweisen, die zu einer Wärmeableitung eingerichtet sind. Solche Bereiche können durch Metallisierungen gebildet sein, die den Träger vollständig durchdringen.According to at least one embodiment of the light-emitting diode module, this has at least one carrier with a carrier top side. The carrier is preferably a printed circuit board, in particular a printed circuit board. In addition to electrical lines, the carrier may have areas that are set up for heat dissipation. Such regions may be formed by metallizations that completely penetrate the carrier.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Leuchtdiodenmoduls zeigt der Träger an der Trägeroberseite eine Mittellinie auf, die insbesondere eine gedachte, fiktive Linie ist. Beispielsweise ist die Mittellinie, in Draufsicht auf die Trägeroberseite gesehen, entlang einer Längsrichtung gleich weit von zwei einander gegenüberliegenden Kanten des Trägers entfernt. Die Mittellinie ist eine Hilfslinie, die sich der Länge nach über die gesamte Trägeroberseite erstreckt. Die Mittellinie ist bevorzugt abschnittsweise parallel orientiert zu einer Haupterstreckungsrichtung des Trägers. Ist der Träger durch eine ebene, rechteckige Platte gebildet, so verläuft die Mittellinie deckungsgleich mit einer längsten Hauptachse, in Draufsicht gesehen.In accordance with at least one embodiment of the light-emitting diode module, the carrier has a center line on the carrier top, which in particular is an imaginary, fictitious line. For example, the center line, seen in plan view of the carrier top, along a longitudinal direction equidistant from two opposite edges of the carrier. The centerline is an auxiliary line which extends longitudinally over the entire carrier top. The center line is preferably oriented in sections parallel to a main extension direction of the carrier. If the carrier is formed by a flat, rectangular plate, then the center line is congruent with a longest main axis, seen in plan view.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Leuchtdiodenmoduls ist an der Trägeroberseite eine Mehrzahl von Halbleiterlichtquellen angebracht. Die Halbleiterlichtquellen sind bevorzugt Leuchtdioden. Es können an der Trägeroberseite verschiedene Halbleiterlichtquellen angebracht sein, die in unterschiedlichen Spektralbereichen emittieren. Beispielsweise emittieren einzelne Halbleiterlichtquellen blaues Licht und/oder rotes Licht und/oder gelbes Licht und/oder grünes Licht und/oder weißes Licht. Bei den Halbleiterlichtquellen kann es sich um gehauste oder auch um ungehauste Halbleiterchips handeln. Zum Beispiel umfasst das Leuchtdiodenmodul mindestens fünf, mindestens 15 oder mindestens 25 Halbleiterlichtquellen und alternativ oder zusätzlich höchstens 1000, höchstens 250 oder höchstens 100 Halbleiterlichtquellen.In accordance with at least one embodiment of the light-emitting diode module, a plurality of semiconductor light sources is attached to the carrier top side. The semiconductor light sources are preferably light emitting diodes. It can be attached to the top of the carrier various semiconductor light sources that emit in different spectral ranges. For example, individual semiconductor light sources emit blue light and / or red light and / or yellow light and / or green light and / or white light. The semiconductor light sources may be chopped or also unfocused semiconductor chips. For example, the light-emitting diode module comprises at least five, at least 15 or at least 25 semiconductor light sources and, alternatively or in addition, at most 1000, at most 250 or at most 100 semiconductor light sources.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Leuchtdiodenmoduls ist den Halbleiterlichtquellen, in eine Richtung weg von der Trägeroberseite, zumindest eine Abdeckschicht nachgeordnet. Bevorzugt überdeckt die Abdeckschicht sämtliche Halbleiterlichtquellen, in Draufsicht auf die Trägeroberseite gesehen. Die Abdeckschicht ist eine Streuschicht und/oder eine Konversionsmittelschicht. Konversionsmittel bedeutet, dass ein Teil oder die gesamte der von mindestens einzelnen der Halbleiterlichtquellen emittierten Strahlung von dem Konversionsmittel absorbiert und in eine Strahlung einer anderen, insbesondere größeren Wellenlänge umgewandelt wird. Es kann die Abdeckschicht Strukturierungen an Hauptseiten aufweisen, zum Beispiel zu einer Lichtauskopplung und/oder zu einer Lichteinkopplung.In accordance with at least one embodiment of the light-emitting diode module, at least one covering layer is arranged downstream of the semiconductor light sources, in a direction away from the carrier top side. The covering layer preferably covers all semiconductor light sources, viewed in plan view on the carrier top side. The covering layer is a scattering layer and / or a conversion agent layer. Conversion means means that part or all of the radiation emitted by at least one of the semiconductor light sources is absorbed by the conversion means and converted into radiation of another, in particular larger, wavelength. The cover layer may have textures on the main sides, for example for light extraction and / or for light coupling.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Leuchtdiodenmoduls weist dieses eine Ausdehnung entlang der Mittellinie auf. Die Ausdehnung ist insbesondere die Länge der gedachten Mittellinie. Weiterhin weist der Träger eine Breite auf, die in Draufsicht auf die Trägeroberseite gesehen und in eine Richtung senkrecht zu der Mittellinie zu bestimmen ist. Bezüglich der Breite des Trägers halbiert die Mittellinie den Träger, so dass die Mittellinie, bezogen auf die jeweilige, lokale Breite des Trägers, in der Mitte der Trägeroberseite liegt.According to at least one embodiment of the light-emitting diode module, this has an extension along the center line. The extent is in particular the length of the imaginary center line. Furthermore, the carrier has a width, which is seen in plan view of the carrier top and to be determined in a direction perpendicular to the center line. With respect to the width of the beam, the centerline bisects the beam so that the centerline, based on the respective local width of the beam, lies in the middle of the beam top.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Leuchtdiodenmoduls übersteigt die Ausdehnung entlang der Mittellinie die Breite des Trägers um mindestens einen Faktor 2, bevorzugt um mindestens einen Faktor 5 oder um mindestens einen Faktor 10, besonders bevorzugt um mindestens einen Faktor 20 oder um mindestens einen Faktor 50. Mit anderen Worten ist der Träger dann ähnlich einem Streifen oder einem Faden gestaltet.In accordance with at least one embodiment of the light-emitting diode module, the extent along the center line exceeds the width of the carrier by at least a factor 2, preferably by at least a factor 5 or by at least a factor 10, particularly preferably by at least a factor 20 or by at least a factor 50 In other words, the carrier is then designed similar to a strip or a thread.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Leuchtdiodenmoduls beträgt ein Quotient aus einer minimalen und einer maximalen Leuchtdichte der im Betrieb des Leuchtdiodenmoduls erzeugten Strahlung entlang der Mittellinie mindestens 0,4, bevorzugt mindestens 0,5 oder mindestens 0,6. Die Leuchtdichte kann in der Einheit cd/m^–2 angegeben sein. Mit anderen Worten ist entlang der Mittellinie, in eine Richtung weg von der Trägeroberseite, die Intensität der emittierten Strahlung keinen größeren Schwankungen unterworfen. Entlang der Mittellinie ist die Leuchtdichte näherungsweise konstant. Das heißt, das Leuchtdiodenmodul ist dann eine Linienlichtquelle. Dies kann bedeuten, dass ein Verlauf einer maximalen Intensität der vom Leuchtdiodenmodul emittierten Strahlung, in Projektion auf eine Fläche parallel zur Trägeroberseite, näherungsweise linienförmig ist und der Mittellinie folgt.According to at least one embodiment of the light-emitting diode module, a quotient of a minimum and a maximum luminance of the radiation generated during operation of the light-emitting diode module along the center line is at least 0.4, preferably at least 0.5 or at least 0.6. The luminance can be specified in the unit cd / m ^-2 . In other words, along the center line, in a direction away from the carrier top, the intensity of the emitted radiation is not subject to much variation. Along the center line, the luminance is approximately constant. That is, the light emitting diode module is then a line light source. This may mean that a profile of a maximum intensity of the radiation emitted by the light-emitting diode module, projected onto a surface parallel to the carrier top side, is approximately linear and follows the center line.

In mindestens einer Ausführungsform des Leuchtdiodenmoduls umfasst dieses zumindest einen Träger mit einer Trägeroberseite und einer gedachten Mittellinie an der Trägeroberseite. An der Trägeroberseite ist eine Mehrzahl von Halbleiterlichtquellen, insbesondere Leuchtdioden, angebracht. Den Halbleiterlichtquellen ist in eine Richtung weg von der Trägeroberseite zumindest eine Abdeckschicht nachgeordnet, wobei die Abdeckschicht eine Streuschicht und/oder eine Konversionsmittelschicht umfasst oder hieraus besteht. Eine Ausdehnung des Trägers entlang der Mittellinie übersteigt eine Breite des Trägers, insbesondere in eine Richtung senkrecht zu der Mittellinie und in Draufsicht auf die Trägeroberseite gesehen, um mindestens einen Faktor 2. Ein Quotient aus einer minimalen und einer maximalen Leuchtdichte der im Betrieb des Leuchtdiodenmoduls erzeugten Strahlung entlang der Mittellinie, in eine Richtung weg von der Trägeroberseite, unterschreitet einen Wert von 0,4 nicht.In at least one embodiment of the light-emitting diode module, this comprises at least one carrier with a carrier top side and an imaginary center line on the carrier top side. At the Carrier top is a plurality of semiconductor light sources, in particular light-emitting diodes attached. The semiconductor light sources are followed by at least one covering layer in a direction away from the carrier top side, the covering layer comprising or consisting of a scattering layer and / or a conversion agent layer. An extension of the carrier along the center line exceeds a width of the carrier, in particular in a direction perpendicular to the center line and seen in plan view of the carrier top, by at least a factor of 2. A quotient of a minimum and a maximum luminance generated during operation of the light emitting diode module Radiation along the centerline, in a direction away from the beam top, does not fall below a value of 0.4.

Wird zur Beleuchtung eines Objekts beispielsweise eine flächige oder lineare Anordnung von einzelnen, diskreten Lichtquellen verwendet, so resultieren hieraus oft Schlagschatten und/oder multiple Schatten an dem Objekt. Diese Schatten können die Formwahrnehmung des beleuchteten Objekts beeinträchtigen und einen Betrachter stören. Durch ein einfaches Zusammenrücken der insbesondere in einem Array angeordneten Lichtquellen sind derartige Schatten zwar reduzierbar, jedoch führt dies zu lokalen Steigerungen der Lichtintensität und/oder zu einer Vergrößerung der Anzahl der notwendigen Halbleiterlichtquellen, da diese dann gegebenenfalls nicht mit voller Leistung betreibbar sind.If, for example, a planar or linear arrangement of individual, discrete light sources is used to illuminate an object, this often results in drop shadows and / or multiple shadows on the object. These shadows can affect the form perception of the illuminated object and disturb a viewer. Such shadows can indeed be reduced by a simple collapse of the light sources arranged in particular in an array, but this leads to local increases in the light intensity and / or to an increase in the number of required semiconductor light sources, since then they may not be able to be operated at full power.

Ebenso können Probleme bei einer Ableitung von Abwärme, die im Betrieb der Lichtquelle entsteht, durch zu geringen Abstand der Lichtquellen zueinander verursacht und/oder ein Montageaufwand erhöht sein.Likewise, problems with a dissipation of waste heat, which arises during operation of the light source caused by too small a distance of the light sources to each other and / or increased assembly costs.

Dadurch, dass das Leuchtdiodenmodul eine Linienlichtquelle mit entlang der gedachten Mittellinie näherungsweise konstanter Abstrahlung ist, lassen sich Schlagschatten und/oder multiple Schatten vermeiden oder reduzieren. Durch die linienartige Ausführung des Leuchtdiodenmoduls ist ferner eine effiziente Entwärmung in Richtungen quer zu der Mittellinie gewährleistbar.Because the light-emitting diode module is a line light source with an approximately constant radiation along the imaginary center line, drop shadows and / or multiple shadows can be avoided or reduced. The line-like design of the light-emitting diode module further ensures efficient heat dissipation in directions transverse to the center line.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Leuchtdiodenmoduls sind die Halbleiterlichtquellen in einer oder in mehreren Reihen angeordnet. Die Reihen der Halbleiterlichtquellen verlaufen bevorzugt entlang der Mittellinie. Die Reihen der Halbleiterlichtquellen können die Mittellinie schneiden und/oder direkt auf der gedachten Mittellinie verlaufen und/oder jeweils an einer Seite der Mittellinie angeordnet sein, so dass beispielsweise die Mittellinie benachbarte Reihen der Halbleiterlichtquellen voneinander trennt. Die einzelnen Halbleiterlichtquellen einer Reihe können einen gleich bleibenden oder auch variierende Abstände zur Mittellinie aufweisen. Insbesondere kann eine der Reihen oder können alle Reihen zickzackartig oder gewunden verlaufen. Das Leuchtdiodenmodul weist insbesondere zwei oder mehr als zwei Reihen der Halbleiterlichtquellen auf. Die Reihen können physikalisch oder elektrisch zusammengefasste Einheiten sein.In accordance with at least one embodiment of the light-emitting diode module, the semiconductor light sources are arranged in one or more rows. The rows of semiconductor light sources preferably run along the center line. The rows of semiconductor light sources may intersect the center line and / or run directly on the imaginary centerline and / or be disposed on either side of the centerline such that, for example, the centerline separates adjacent rows of semiconductor light sources. The individual semiconductor light sources of a row can have a constant or varying distances to the center line. In particular, one of the rows or all rows may be zigzag or tortuous. In particular, the light-emitting diode module has two or more than two rows of semiconductor light sources. The rows can be physically or electrically combined units.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Leuchtdiodenmoduls beträgt ein Abstand zumindest zweier benachbarter Halbleiterlichtquellen, oder aller benachbarter Halbleiterlichtquellen mindestens 1,5 mm oder mindestens 3 mm oder mindestens 5 mm. Durch einen solchen Mindestabstand lässt sich eine Überhitzung einzelner Halbleiterlichtquellen vermeiden.In accordance with at least one embodiment of the light-emitting diode module, a distance of at least two adjacent semiconductor light sources, or of all adjacent semiconductor light sources, is at least 1.5 mm or at least 3 mm or at least 5 mm. By means of such a minimum distance, overheating of individual semiconductor light sources can be avoided.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Leuchtdiodenmoduls beträgt ein Abstand benachbarter Halbleiterlichtquellen höchstens 12 mm, insbesondere höchstens 9 mm oder höchstens 6 mm. Durch einen vergleichsweise kleinen Abstand benachbarter Halbleiterlichtquellen ist eine gleichmäßige Abstrahlung entlang der Mittellinie realisierbar.In accordance with at least one embodiment of the light-emitting diode module, a spacing of adjacent semiconductor light sources is at most 12 mm, in particular at most 9 mm or at most 6 mm. By a comparatively small distance between adjacent semiconductor light sources, a uniform emission along the center line can be realized.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Leuchtdiodenmoduls beträgt ein Quotient aus dem Abstand benachbarter Halbleiterlichtquellen und einer mittleren Dicke der Abdeckschicht mindestens 3 oder mindestens 5 oder mindestens 10. Mit anderen Worten liegt ein Abstand benachbarter Halbleiterlichtquellen in der gleichen Größenordnung wie die Dicke der Abdeckschicht.In accordance with at least one embodiment of the light-emitting diode module, a quotient of the distance of adjacent semiconductor light sources and an average thickness of the cover layer is at least 3 or at least 5 or at least 10. In other words, a distance of adjacent semiconductor light sources is of the same order of magnitude as the thickness of the cover layer.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Leuchtdiodenmoduls beträgt der Quotient aus dem Abstand benachbarter Halbleiterlichtquellen und der mittleren Dicke der Abdeckschicht höchstens 25, bevorzugt höchstens 20 oder höchstens 15.In accordance with at least one embodiment of the light-emitting diode module, the quotient of the distance between adjacent semiconductor light sources and the average thickness of the cover layer is at most 25, preferably at most 20 or at most 15.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Leuchtdiodenmoduls beträgt die Breite des Trägers höchstens 10 mm oder höchstens 8 mm oder höchstens 6 mm. Beispielsweise beträgt die Breite mindestens 2 mm oder mindestens 3,5 mm. Der Träger ist also vergleichsweise schmal.According to at least one embodiment of the light-emitting diode module, the width of the carrier is at most 10 mm or at most 8 mm or at most 6 mm. For example, the width is at least 2 mm or at least 3.5 mm. The carrier is so comparatively narrow.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Leuchtdiodenmoduls ist der Träger selbsttragend und verleiht dem Leuchtdiodenmodul mechanische Stabilität. Das heißt, eine Form des Leuchtdiodenmoduls kann durch den Träger vorbestimmt sein. Alternativ hierzu ist es ebenso möglich, dass der Träger mechanisch flexibel, zum Beispiel eine flexible Leiterplatte, ist.In accordance with at least one embodiment of the light-emitting diode module, the carrier is self-supporting and gives the light-emitting diode module mechanical stability. That is, a shape of the light emitting diode module may be predetermined by the carrier. Alternatively, it is also possible that the carrier is mechanically flexible, for example a flexible printed circuit board.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Leuchtdiodenmoduls sind an der Trägeroberseite entlang der Mittellinie eine oder mehrere Seitenwände angebracht. Sind mehrere Seitenwände, beispielsweise zwei Seitenwände, vorhanden, so befinden sich die Halbleiterlichtquellen bevorzugt zwischen den Seitenwänden. Die Seitenwände können sich entlang der gesamten Mittellinie oder auch nur abschnittsweise entlang der Mittellinie erstrecken.According to at least one embodiment of the light-emitting diode module, one or more side walls are attached to the carrier top side along the center line. If there are several side walls, for example two side walls, then so the semiconductor light sources are preferably located between the side walls. The sidewalls may extend along the entire centerline or even in sections along the centerline.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Leuchtdiodenmoduls weisen die Seitenwände ein Metall oder eine Metalllegierung auf und bestehen zu einem Gewichtsanteil von mindestens 50% aus einem oder mehreren Metallen. Beispielsweise weisen die Seitenwände Aluminium oder eine Aluminiumlegierung auf oder bestehen hieraus. Über derartige Seitenwände ist eine effiziente Wärmeabfuhr weg von den Halbleiterlichtquellen möglich.In accordance with at least one embodiment of the light-emitting diode module, the side walls comprise a metal or a metal alloy and consist of at least 50% by weight of one or more metals. For example, the side walls comprise or consist of aluminum or an aluminum alloy. Efficient heat removal away from the semiconductor light sources is possible via such side walls.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Leuchtdiodenmoduls gilt für eine Höhe H der Seitenwände über der Trägeroberseite im Verhältnis zu der Breite B des Trägers der folgende Zusammenhang: 0,2 ≤ H/B ≤ 1,5 oder 0,3 ≤ H/B ≤ 1. Beispielsweise ist also eine Höhe der Seitenwände kleiner als eine Breite des Trägers. Derartige Seitenwände können zu einer Bestimmung einer Abstrahlcharakteristik des Leuchtdiodenmoduls speziell in Richtungen quer zu der Mittellinie dienen.According to at least one embodiment of the light-emitting diode module, for a height H of the side walls above the carrier top in relation to the width B of the carrier, the following relationship applies: 0.2 ≦ H / B ≦ 1.5 or 0.3 ≦ H / B ≦ 1. For example, therefore, a height of the side walls is smaller than a width of the carrier. Such side walls may serve to determine a radiation characteristic of the light emitting diode module especially in directions transverse to the centerline.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Leuchtdiodenmoduls ist eine Hauptabstrahlrichtung der Halbleiterlichtquellen, mit einer Toleranz von höchstens 15°, senkrecht zu einer den Halbleiterlichtquellen zugewandten Hauptfläche der Abdeckschicht orientiert. Mit anderen Worten strahlen die Halbleiterlichtquellen dann nicht entlang der Abdeckscheibe ab, sondern insbesondere unmittelbar auf die Abdeckscheibe und die Hauptabstrahlrichtung ist näherungsweise senkrecht zu der Trägeroberseite orientiert.In accordance with at least one embodiment of the light-emitting diode module, a main emission direction of the semiconductor light sources, with a tolerance of at most 15 °, is oriented perpendicular to a main surface of the cover layer facing the semiconductor light sources. In other words, the semiconductor light sources then do not emit along the cover disk, but in particular directly on the cover disk and the main emission direction is oriented approximately perpendicular to the carrier top side.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Leuchtdiodenmoduls steht ein Teil der Halbleiterlichtquellen oder stehen alle Halbleiterlichtquellen stellenweise in unmittelbarem Kontakt zu der Abdeckschicht. Es berühren sich dann die Halbleiterlichtquellen und die Abdeckschicht. Hierdurch ist eine effiziente optische Ankopplung der Halbleiterlichtquellen an die Abdeckschicht gewährleistbar.According to at least one embodiment of the light-emitting diode module is a part of the semiconductor light sources or are all semiconductor light sources in places in direct contact with the cover layer. It then touch the semiconductor light sources and the cover layer. As a result, an efficient optical coupling of the semiconductor light sources to the cover layer can be ensured.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Leuchtdiodenmoduls ist die gedachte Mittellinie des Trägers eine gekrümmte Linie. Mit anderen Worten weicht die Mittellinie dann von der Form einer geraden Strecke ab.In accordance with at least one embodiment of the light-emitting diode module, the imaginary center line of the carrier is a curved line. In other words, the centerline then deviates from the shape of a straight line.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Leuchtdiodenmoduls verläuft die gedachte Mittellinie gerade. Es stellt die Mittellinie also einen Geradenabschnitt dar, im Rahmen der Herstellungstoleranzen.In accordance with at least one embodiment of the light-emitting diode module, the imaginary center line runs straight. It represents the center line so a straight line section, within the manufacturing tolerances.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Leuchtdiodenmoduls weist die Mittellinie einen dreidimensionalen Verlauf auf.In accordance with at least one embodiment of the light-emitting diode module, the center line has a three-dimensional profile.

Beispielsweise weist der Träger dann die Form einer Helix auf. Die Mittellinie liegt somit nicht innerhalb einer einzigen Ebene.For example, the carrier then has the form of a helix. The midline is thus not within a single plane.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Leuchtdiodenmoduls liegt die Mittellinie teilweise oder vollständig innerhalb einer Ebene. Mit anderen Worten ist die Trägeroberseite flach und planar ausgebildet.In accordance with at least one embodiment of the light-emitting diode module, the center line lies partially or completely within a plane. In other words, the carrier top is flat and planar.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Leuchtdiodenmoduls ist der Träger in einen Teilbereich einer Ebene einbeschreibbar. Mit anderen Worten ist der Träger dann innerhalb der Ebene durch eine Einhüllende eng umfassbar. Beispielsweise weist der Träger die Form einer Spirale auf und die Einhüllende ist eine Ellipse oder ein Kreis. In Draufsicht auf diese Ebene beträgt ein Flächenanteil des Trägers, bezogen auf die von der Einhüllenden umschlossenen Fläche, höchstens 70% oder höchstens 60% oder höchstens 50%. Alternativ oder zusätzlich beträgt der Flächenanteil des Trägers innerhalb der Einhüllenden mindestens 10% oder mindestens 20% oder mindestens 30%. Das Leuchtdiodenmodul kann also in der Ebene so geformt sein, dass aus der Linienlichtquelle eine Flächenleuchte ausgebildet ist. Eine Entwärmung des Leuchtdiodenmoduls ist insbesondere durch solche Bereiche der Ebene, die von dem Träger unbedeckt sind, erleichtert.In accordance with at least one embodiment of the light-emitting diode module, the carrier can be inscribed in a subregion of a plane. In other words, the carrier is then narrowly encompassable within the plane by an envelope. For example, the carrier has the shape of a spiral and the envelope is an ellipse or a circle. In plan view of this plane, an area ratio of the carrier relative to the area enclosed by the envelope is at most 70% or at most 60% or at most 50%. Alternatively or additionally, the area fraction of the carrier within the envelope is at least 10% or at least 20% or at least 30%. The light-emitting diode module can therefore be shaped in the plane such that a surface light is formed from the line light source. A heat dissipation of the light-emitting diode module is facilitated in particular by those areas of the plane that are uncovered by the carrier.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Leuchtdiodenmoduls weist dieses eine erste Teilmenge und eine davon verschiedene, mindestens eine zweite Teilmenge von Halbleiterlichtquellen auf, wobei die Teilmengen in unterschiedlichen Spektralbereichen emittierende Halbleiterlichtquellen aufweisen. Die Abdeckschicht stellt für eine erste Strahlung, die von den Halbleiterlichtquellen der ersten Teilmenge im Betrieb emittiert wird, eine Konversionsmittelschicht dar. Für eine zweite Strahlung, die von den Halbleiterlichtquellen der zweiten Teilmenge im Betrieb emittiert wird, ist die Abdeckschicht nur eine Streuschicht und keine Konversionsmittelschicht. Die zweite Strahlung wird durch die Abdeckschicht somit nur insbesondere diffus gestreut und nicht oder im Wesentlichen nicht in einer spektralen Zusammensetzung geändert.According to at least one embodiment of the light-emitting diode module, the latter has a first subset and a different, at least one second subset of semiconductor light sources, wherein the subsets have semiconductor light sources emitting in different spectral ranges. The cover layer represents a conversion agent layer for a first radiation which is emitted by the semiconductor semiconductor sources of the first subset during operation. For a second radiation which is emitted by the semiconductor sub-array semiconductor light sources in operation, the cover layer is only a scatter layer and not a conversion agent layer , The second radiation is thus only diffusely diffused by the cover layer and not or substantially not changed in a spectral composition.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Leuchtdiodenmoduls erstreckt sich die Abdeckschicht in unvariierter, mittlerer Zusammensetzung über alle Halbleiterlichtquellen. Beispielsweise weist die Abdeckschicht in ein Matrixmaterial eingebettete Partikel eines Konversionsmittels und/oder Partikel eines Streumittels auf. Die Partikel sind dann, in Draufsicht auf die Trägeroberseite, gleichmäßig und nicht gezielt variiert über die gesamte Abdeckschicht verteilt. Mit anderen Worten ist die Abdeckschicht nicht für einzelne oder für Gruppen von Halbleiterlichtquellen speziell ausgebildet. Hierdurch ist ein homogenes äußeres Erscheinungsbild des Leuchtdiodenmoduls, insbesondere in ausgeschaltetem Zustand der Halbleiterlichtquellen, erzielbar.According to at least one embodiment of the light-emitting diode module, the covering layer extends in unvaried, medium composition over all semiconductor light sources. For example, the covering layer comprises particles of a conversion agent embedded in a matrix material and / or particles of a scattering agent. The particles are then uniform in plan view of the carrier top not deliberately varied over the entire cover layer distributed. In other words, the cover layer is not specially designed for individual or groups of semiconductor light sources. As a result, a homogeneous external appearance of the light-emitting diode module, in particular in the switched-off state of the semiconductor light sources, can be achieved.

Darüber hinaus wird eine Leuchte mit mindestens einem Leuchtdiodenmodul, wie in Zusammenhang mit den oben genannten Ausführungsbeispielen beschrieben, angegeben. Merkmale für das Leuchtdiodenmodul sind daher auch für die Leuchte offenbart und umgekehrt.In addition, a luminaire is specified with at least one light-emitting diode module, as described in connection with the above-mentioned exemplary embodiments. Features for the light emitting diode module are therefore also disclosed for the lamp and vice versa.

In mindestens einer Ausführungsform der Leuchte umfasst diese mehrere Leuchtdiodenmodule. Ein Teil oder alle der Leuchtdiodenmodule sind so angeordnet, dass die Mittellinien dieser Leuchtdiodenmodule aneinander anschließen. Bevorzugt wird durch die Mittellinien dieser Leuchtdiodenmodule eine zusammenhängende Linie ausgebildet, wobei es sich bei der Linie wie auch bei den Mittellinien um eine gedachte Linie handeln kann.In at least one embodiment of the luminaire, this comprises a plurality of light-emitting diode modules. A part or all of the light-emitting diode modules are arranged so that the center lines of these light-emitting diode modules connect to each other. Preferably, a continuous line is formed by the center lines of these light-emitting diode modules, wherein it may be an imaginary line in the line as well as in the center lines.

Derartige Leuchtdiodenmodule sowie Leuchten können eine hohe Leuchtdichte sowie einen hohen Farbwiedergabeindex, kurz CRI, beispielsweise von über 80 oder von über 90, sowie eine einstellbare korrelierte Farbtemperatur aufweisen. Insbesondere sind solche Leuchtdiodenmodule und Leuchten in Boutiquen, Büros, Restaurants oder Museen etwa in Form von Lichtleisten einsetzbar. Ebenso ist es möglich, dass die genannten Leuchtdiodenmodule und/oder Leuchten wie Leuchtstofflampen, Kompaktleuchtstofflampen, Glühlampen oder Energiesparlampen geformt und anstelle von solchen Lampen einsetzbar sind.Such light-emitting diode modules and luminaires can have a high luminance as well as a high color rendering index, in short CRI, for example of more than 80 or more than 90, and also an adjustable correlated color temperature. In particular, such light emitting diode modules and lights are used in boutiques, offices, restaurants or museums in the form of light bars. Likewise, it is possible that the aforementioned light-emitting diode modules and / or luminaires such as fluorescent lamps, compact fluorescent lamps, incandescent lamps or energy-saving lamps are shaped and can be used instead of such lamps.

Nachfolgend wird ein hier beschriebenes Leuchtdiodenmodul sowie eine hier beschriebene Leuchte unter Bezugnahme auf die Zeichnung anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert. Gleiche Bezugszeichen geben dabei gleiche Elemente in den einzelnen Figuren an. Es sind dabei jedoch keine maßstäblichen Bezüge dargestellt, vielmehr können einzelne Elemente zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.Hereinafter, a light-emitting diode module described here and a luminaire described here will be explained in more detail with reference to the drawings with reference to embodiments. The same reference numerals indicate the same elements in the individual figures. However, there are no scale relationships shown, but individual elements can be shown exaggerated for better understanding.

Es zeigen:Show it:

1 bis 4 schematische Darstellungen von Ausführungsbeispielen von hier beschriebenen Leuchtdiodenmodulen, und 1 to 4 schematic representations of embodiments of light-emitting diode modules described herein, and

5 und 6 schematische Darstellungen von Ausführungsbeispielen von hier beschriebenen Leuchten mit hier beschriebenen Leuchtdiodenmodulen. 5 and 6 schematic representations of embodiments of luminaires described here with light-emitting diode modules described here.

Ein Ausführungsbeispiel eines Leuchtdiodenmoduls 1 ist in 1 in einer perspektivischen Darstellung gezeigt. Auf einer Trägeroberseite 20 eines Trägers 2 ist eine Mehrzahl von Halbleiterlichtquellen, insbesondere in Form von Leuchtdioden 3a, 3b, 3r in zwei Reihen 6 aufgebracht. Eine elektrische Kontaktierung der Leuchtdioden 3a, 3b, 3r erfolgt über den Träger 2, der bevorzugt eine Leiterplatte ist. Als Strich-Punkt-Linie ist an der Trägeroberseite 20 eine Mittellinie M des Trägers 2 eingezeichnet. Die Mittellinie M erstreckt sich entlang einer Längsausdehnung L des Trägers 2 und liegt bezüglich einer Breite B in einer Mitte des Trägers 2.An embodiment of a light emitting diode module 1 is in 1 shown in a perspective view. On a carrier top 20 a carrier 2 is a plurality of semiconductor light sources, in particular in the form of light-emitting diodes 3a . 3b . 3r in two rows 6 applied. An electrical contact of the LEDs 3a . 3b . 3r takes place via the carrier 2 , which is preferably a printed circuit board. As a dash-dot line is on the carrier top 20 a center line M of the carrier 2 located. The center line M extends along a longitudinal extent L of the carrier 2 and lies with respect to a width B in a center of the carrier 2 ,

Die Reihen 5a, 5b der Leuchtdioden 3a, 3b, 3r befinden sich jeweils auf einer Seite der Mittellinie M und schneiden die Mittellinie M nicht. Jede der Reihen 5a, 5b ist zickzackförmig angeordnet, so dass die einzelnen Leuchtdioden 3a, 3b, 3r verschiedene Abstände zu der Mittellinie M innerhalb einer der Reihen 5a, 5b aufweisen. Die Reihen 5a, 5b können in verschiedenen Spektralbereichen emittierende Leuchtdioden 3a, 3b, 3r aufweisen. Beispielsweise stellt die Reihe 5a eine abwechselnde Folge von im blauen Spektralbereich emittierende Leuchtdioden 3b und von im gelben Spektralbereich emittierende Leuchtdioden 3a dar. Die Reihe 5b ist zum Beispiel eine abwechselnde Folge von blau 3b und von rot emittierenden Leuchtdioden 3r. Ein Abstand A benachbarter Leuchtdioden 3a, 3b, 3r beträgt bevorzugt zwischen einschließlich 3 mm und 6 mm.The rows 5a . 5b the light-emitting diodes 3a . 3b . 3r are each on one side of the center line M and do not intersect the midline M. Each of the rows 5a . 5b is arranged zigzag, so that the individual light-emitting diodes 3a . 3b . 3r different distances to the mid-line M within one of the rows 5a . 5b exhibit. The rows 5a . 5b can emit light emitting diodes in different spectral ranges 3a . 3b . 3r exhibit. For example, the series represents 5a an alternating sequence of LEDs emitting in the blue spectral range 3b and of emitting in the yellow spectral light emitting diodes 3a dar. The series 5b is, for example, an alternating sequence of blue 3b and of red emitting LEDs 3r , A distance A of adjacent light-emitting diodes 3a . 3b . 3r is preferably between 3 mm and 6 mm inclusive.

Weiterhin umfasst das Leuchtdiodenmodul 1 eine Abdeckschicht 4. Die Abdeckschicht 4 weist ein Konversionsmittel auf, das von den Leuchtdioden 3b emittiertes blaues Licht teilweise in Licht einer anderen Farbe, insbesondere in grünes Licht, umwandelt. Für die im gelben und im roten Spektralbereich emittierenden Leuchtdioden 3a, 3r wirkt die Abdeckschicht 4 als Streuplatte. Die Abdeckschicht 4 ist auf die Leuchtdioden 3a, 3b, 3r sowie auf die Trägeroberseite 20 aufgesetzt, angedeutet in 1 durch einen Pfeil.Furthermore, the light-emitting diode module comprises 1 a cover layer 4 , The cover layer 4 has a conversion means that of the light emitting diodes 3b emitted blue light partly in light of another color, especially in green light, converted. For the emitting in the yellow and red spectral light emitting diodes 3a . 3r the covering layer acts 4 as a scattering plate. The cover layer 4 is on the light emitting diodes 3a . 3b . 3r as well as on the upper side of the carrier 20 put on, indicated in 1 through an arrow.

Optional ist es möglich, dass die Abdeckschicht 4 den Deckel eines Kastens bildet, der den Leuchtdioden 3a, 3b, 3r übergestülpt wird. Weiterhin können optional, wie auch in allen anderen Ausführungsbeispielen, an dem Träger 2, insbesondere an der Trägeroberseite 20, Seitenwände 6 angebracht sein, die sich parallel zu der Mittellinie M entlang der gesamten Längsseite L erstrecken. Entlang der Breite B können optional Stirnwände 60 angebracht sein. Durch die Seitenwände 6 sowie durch die Stirnwände 60 kann ein Reflektor für von den Leuchtdioden emittierte Strahlung gebildet sein. Die Stirnwände 60 sowie die Seitenwände 6 können diffus oder spiegelnd reflektierend gestaltet sein und abweichend von der Darstellung gemäß 1 andere Neigungswinkel bezüglich der Trägeroberseite 20 aufweisen.Optionally, it is possible for the cover layer 4 forms the lid of a box, the light-emitting diodes 3a . 3b . 3r slipped over. Furthermore, optionally, as in all other embodiments, on the carrier 2 , in particular on the carrier top 20 , Side walls 6 be attached, which extend parallel to the center line M along the entire longitudinal side L. Along the width B can optional end walls 60 to be appropriate. Through the side walls 6 as well as through the end walls 60 a reflector can be formed for radiation emitted by the light-emitting diodes. The end walls 60 as well as the side walls 6 can be designed to be diffuse or specularly reflective and differing from the illustration according to FIG 1 other inclination angles with respect to the carrier top 20 exhibit.

Die Längsausdehnung L des Trägers 2 liegt zum Beispiel bei mindestens 10 mm, insbesondere bei mindestens 50 mm oder bei mindestens 100 mm. Die Breite B beträgt insbesondere zwischen einschließlich 4 mm und 6 mm. Eine Höhe H der Seitenwände 6 sowie der Stirnwände über der Trägeroberseite 20 liegt zum Beispiel zwischen einschließlich 2 mm und 6 mm. Eine Dicke der Seitenwände 6, parallel zu der Breite B des Trägers 2, liegt zum Beispiel zwischen einschließlich 0,5 mm und 4 mm oder zwischen einschließlich 1,0 mm und 3 mm. The longitudinal extent L of the carrier 2 is for example at least 10 mm, in particular at least 50 mm or at least 100 mm. The width B is in particular between 4 mm and 6 mm inclusive. A height H of the side walls 6 and the end walls above the carrier top 20 is between 2 mm and 6 mm, for example. A thickness of the side walls 6 , parallel to the width B of the carrier 2 , for example, lies between 0.5 mm and 4 mm inclusive, or between 1.0 mm and 3 mm inclusive.

Die in den verschiedenen Farben emittierenden Leuchtdioden 3a, 3b, 3r sind elektrisch bevorzugt in Gruppen gleicher Farbe zusammengefasst. Diese Gruppen sind insbesondere separat elektrisch ansteuerbar zur Einstellung etwa einer Farbe und/oder einer Farbtemperatur des abgestrahlten Lichts. Ebenso können die Reihen 5a, 5b elektrische Einheiten sein. Ein Lichtstrom der von den Leuchtdiodenmodulen 1 emittierten Strahlung liegt beispielsweise zwischen einschließlich 10 lm und 100 lm oder zwischen einschließlich 20 lm und 65 lm pro Zentimeter Länge der Mittellinie M, wie auch in allen anderen Ausführungsbeispielen.The light emitting diodes in different colors 3a . 3b . 3r are preferably combined electrically into groups of the same color. These groups are in particular electrically separately controllable for setting about a color and / or a color temperature of the emitted light. Likewise, the rows 5a . 5b be electrical units. A luminous flux from the light emitting diode modules 1 emitted radiation is, for example, between 10 lm and 100 lm inclusive or between 20 lm and 65 lm per centimeter length of the center line M, as well as in all other embodiments.

Ein weiteres Ausführungsbeispiel des Leuchtdiodenmoduls 1 ist in 2 in einer schematischen Draufsicht illustriert. Zur Vereinfachung der Darstellung ist in 2 die Abdeckschicht 4 nicht gezeichnet. Die Längsausdehnung L des lang gestreckten Leuchtdiodenmoduls 1 beträgt zum Beispiel mindestens 20 cm oder mindestens 50 cm. Die Breite B beträgt circa 4 mm. Anders als in 1 sind die Leuchtdioden 3a, 3b, 3r in zwei Reihen parallel zu der Mittellinie M angeordnet, wobei die beiden Reihen jeweils gerade verlaufen.Another embodiment of the light emitting diode module 1 is in 2 illustrated in a schematic plan view. To simplify the illustration is in 2 the cover layer 4 not drawn. The longitudinal extent L of the elongated light-emitting diode module 1 is for example at least 20 cm or at least 50 cm. The width B is about 4 mm. Unlike in 1 are the light-emitting diodes 3a . 3b . 3r arranged in two rows parallel to the center line M, wherein the two rows each run straight.

In 3 sind weitere Ausführungsbeispiele des Leuchtdiodenmoduls 1 jeweils in Schnittdarstellungen quer zu der Mittellinie M gezeigt. Gemäß 3A ist die Abdeckschicht 4 beabstandet von den Leuchtdioden 3 auf den Seitenwänden 6 angebracht, so dass ein Zwischenraum 8 zwischen den Leuchtdioden 3 und der Abdeckschicht 4 auftritt. Der Zwischenraum 8 kann mit einem Gas oder mit einem Medium zur Anpassung des Brechungsindexes zwischen den Leuchtdioden 3 und der Abdeckschicht 4 gefüllt sein.In 3 are further embodiments of the light emitting diode module 1 each shown in cross-sectional views transverse to the center line M. According to 3A is the cover layer 4 spaced from the light emitting diodes 3 on the side walls 6 attached, leaving a gap 8th between the LEDs 3 and the cover layer 4 occurs. The gap 8th can with a gas or with a medium to adjust the refractive index between the LEDs 3 and the cover layer 4 be filled.

Eine Hauptabstrahlrichtung R der Leuchtdioden 3 ist senkrecht zu der Trägerseite 20 sowie zu einer den Leuchtdioden 3 zugewandten Hauptseite der Abdeckschicht 4 orientiert. Eine Dicke T der Abdeckschicht 4 liegt beispielsweise zwischen einschließlich 100 μm und 600 μm, insbesondere zwischen einschließlich 200 μm und 500 μm, wie auch in allen anderen Ausführungsbeispielen. Die ein Konversionsmittel und optional ein Streumittel enthaltende Abdeckschicht 4 ist also vergleichsweise dick.A main emission direction R of the LEDs 3 is perpendicular to the carrier side 20 and to one of the light emitting diodes 3 facing the main side of the cover layer 4 oriented. A thickness T of the cover layer 4 is, for example, between 100 μm and 600 μm, in particular between 200 μm and 500 μm, as well as in all other embodiments. The cover layer containing a conversion agent and optionally a scattering agent 4 is therefore comparatively thick.

Beim Ausführungsbeispiel gemäß 3B befindet sich die Abdeckschicht 4 vollständig zwischen den Seitenwänden 6, gesehen in einer lateralen Richtung, wie auch die Leuchtdioden 3. Ebenso steht die Abdeckschicht 4 stellenweise in unmittelbarem Kontakt zu den Leuchtdioden 3. In lateraler Richtung zwischen den Leuchtdioden 3 und den Seitenwänden 6 ist jeweils ein Hohlraum 8 gebildet.According to the embodiment 3B is the cover layer 4 completely between the side walls 6 seen in a lateral direction, as well as the light-emitting diodes 3 , Likewise, the cover layer is 4 in places in direct contact with the LEDs 3 , In the lateral direction between the LEDs 3 and the side walls 6 each is a cavity 8th educated.

Anders als dargestellt ist es möglich, dass die Abdeckschicht 4 an einer den Leuchtdioden 3 abgewandten Hauptseite etwa in Form einer Sammellinse gestaltet ist. Bevorzugt schließt die Abdeckschicht 4 in eine Richtung weg von der Trägeroberseite 20 bündig mit den Seitenwänden 6 ab.Other than illustrated, it is possible that the cover layer 4 at one of the light emitting diodes 3 remote main page is designed approximately in the form of a convergent lens. The cover layer preferably closes 4 in a direction away from the vehicle top 20 flush with the side walls 6 from.

Gemäß 3C umgibt die Abdeckschicht 4 die Leuchtdioden 3 auch in lateraler Richtung und steht an Stirnflächen als auch an einer Strahlungshauptseite der Leuchtdioden 3 in unmittelbarem Kontakt zu diesen. Optional ist, wie auch in allen anderen Ausführungsbeispielen, an der den Leuchtdioden 3 abgewandten Seite der Abdeckschicht 4 eine Schutzschicht 7, die beispielsweise Feuchte undurchlässig und/oder kratzfest ist, aufgebracht.According to 3C surrounds the cover layer 4 the light-emitting diodes 3 also in the lateral direction and is at the end faces as well as on a main radiation side of the LEDs 3 in direct contact with these. Optionally, as in all other embodiments, at the light emitting diodes 3 opposite side of the cover layer 4 a protective layer 7 , for example, moisture impermeable and / or scratch resistant applied.

Beim Ausführungsbeispiel des Leuchtdiodenmoduls 1 gemäß der Draufsicht in 4 ist der Träger 2 planar und wie ein Ring geformt. Die Leuchtdioden 3 sind in zwei Reihen an der Trägeroberseite 20 angebracht. Die gedachte Mittellinie M ist eine geschlossene Linie. Ein mittlerer Durchmesser der Mittellinie M liegt zum Beispiel zwischen einschließlich 5 mm und 100 mm, insbesondere zwischen einschließlich 10 mm und 30 mm. Es ist möglich, dass mehrere ringförmige Träger 2 mit unterschiedlichen Durchmessern konzentrisch angeordnet sind.In the embodiment of the light-emitting diode module 1 in accordance with the top view in FIG 4 is the carrier 2 planar and shaped like a ring. The light-emitting diodes 3 are in two rows on the vehicle top 20 appropriate. The imaginary center line M is a closed line. A mean diameter of the center line M is, for example, between 5 mm and 100 mm inclusive, in particular between 10 mm and 30 mm inclusive. It is possible that several annular beams 2 are arranged concentrically with different diameters.

In den schematischen Draufsichten der 5A, 5B sowie 5C sind Ausführungsbeispiele von Leuchten 100 mit Ausführungsbeispielen der Leuchtdiodenmodule 1 illustriert. Anders als in 5 dargestellt, kann die Leuchte 100 auch eines oder mehrere der Leuchtdiodenmodule 1 gemäß den 1 bis 4 umfassen. Anders als dargestellt kann die Leuchte 100 jeweils eine von der gezeichneten Anzahl abweichende Anzahl von Leuchtdiodenmodulen 1 aufweisen. Zur Vereinfachung der Darstellung sind in 5 die einzelnen Leuchtdioden sowie die Abdeckschicht nicht gezeichnet.In the schematic plan views of 5A . 5B such as 5C are exemplary embodiments of lights 100 with embodiments of the light emitting diode modules 1 illustrated. Unlike in 5 shown, the light can 100 also one or more of the light emitting diode modules 1 according to the 1 to 4 include. Other than shown, the light can 100 one each of the number drawn deviating number of light emitting diode modules 1 exhibit. To simplify the illustration are in 5 the individual LEDs and the cover layer not drawn.

Die Leuchte gemäß der 5A weist zwei gleich geformte Leuchtdiodenmodule 1 auf, die in einem Übergangsbereich 9 bündig aneinander stoßen. Die Breite B der Leuchtdiodenmodule 1 ist entlang der gesamten Mittellinie M im Rahmen der Herstellungstoleranzen konstant und die Mittellinie M ist abschnittsweise parallel orientiert zu einer Haupterstreckungsrichtung des Trägers 2. Die zwei gezeichneten Leuchtdiodenmodule 1 der Leuchte 100 schließen derart aneinander an, dass die Mittellinie M ununterbrochen und glatt von einem der Module 1 an dem anderen der Module 1 fortgesetzt wird. Die gesamte Linie, die sich aus den einzelnen Mittellinien M der Leuchtdiodenmodule 1 ergibt, ist somit eine glatte, differenzierbare Kurve.The lamp according to the 5A has two identically shaped light-emitting diode modules 1 on that in a transition area 9 butt together. The width B of the light-emitting diode modules 1 is constant along the entire center line M within the manufacturing tolerances and the center line M is partially oriented in parallel to a main direction of extension of the carrier 2 , The two drawn light-emitting diode modules 1 the light 100 connect to each other in such a way that the center line M continuous and smooth of one of the modules 1 at the other of the modules 1 will continue. The entire line, resulting from the individual center lines M of the light emitting diode modules 1 results, is thus a smooth, differentiable curve.

Gemäß 5B weist die Leuchte 100 zwei verschiedene Arten von Leuchtdiodenmodulen 1a, 1b auf. Die Leuchtdiodenmodule 1a sind wie Halbringe geformt und die Leuchtdiodenmodule 1b sind rechteckförmig. Anders als in 5B dargestellt ist es nicht notwendig, dass die Leuchtdiodenmodule 1a, 1b abwechselnd aufeinander folgen. Beispielsweise können mehrere der gerade ausgeführten Leuchtdiodenmodule 1b unmittelbar aufeinander folgen.According to 5B points the light 100 two different types of light emitting diode modules 1a . 1b on. The light-emitting diode modules 1a are shaped like half rings and the light emitting diode modules 1b are rectangular. Unlike in 5B it is not necessary that the light emitting diode modules 1a . 1b alternately follow each other. For example, several of the currently running LED modules 1b follow each other directly.

Gemäß 5C weist die Leuchte 100 mehrere der Leuchtdiodenmodule 1 auf, die jeweils gleich geformt sind und bei denen der Übergangsbereich 9, anders als gemäß 5A und 5B, nicht senkrecht zu der Mittellinie M ausgerichtet ist. Hierdurch weist die zusammenhängende Linie, die durch die einzelnen Mittellinien M gebildet ist, an den Übergangsbereichen 9 jeweils Knicke auf.According to 5C points the light 100 several of the light emitting diode modules 1 on, each of which is the same shape and where the transition area 9 , other than according to 5A and 5B , not perpendicular to the center line M is aligned. As a result, the continuous line, which is formed by the individual center lines M, at the transition areas 9 each kinks on.

Weitere Ausführungsbeispiele der Leuchten 100 und der Leuchtdiodenmodule 1 sind in 6 illustriert. Die Leuchtdiodenmodule 1 sind jeweils nur stark schematisiert speziell anhand eines Verlaufs der Mittellinie M dargestellt.Further embodiments of the lights 100 and the light emitting diode modules 1 are in 6 illustrated. The light-emitting diode modules 1 are each only highly schematized specifically illustrated by a course of the center line M.

Gemäß 6A bildet die Mittellinie M eine geschlossene Linie, die in einer x-y-Ebene liegt. Es kann sich hierbei um ein einzelnes Leuchtdiodenmodul 1 oder um eine Leuchte 100 mit mehreren zusammengesetzten Leuchtdiodenmodulen 1 handeln.According to 6A the center line M forms a closed line that lies in an xy plane. This can be a single light-emitting diode module 1 or a lamp 100 with several composite light-emitting diode modules 1 act.

Gemäß 6B ist durch die Mittellinie M eine Spirale geformt, die in der x-y-Ebene liegt. Das Leuchtdiodenmodul 1 oder die Leuchte 100 ist in der x-y-Ebene in eine ellipsenförmige Einhüllende E einbeschrieben. Ein Flächenanteil des nicht gezeichneten Trägers 2 innerhalb der Einhüllenden E beträgt beispielsweise circa 50%.According to 6B is formed by the center line M a spiral which lies in the xy plane. The light-emitting diode module 1 or the light 100 is inscribed in the xy-plane in an elliptical envelope E. An area share of the non-subscribed carrier 2 within the envelope E, for example, is about 50%.

In 6C ist eine dreidimensionale, spiralförmige Mittellinie M illustriert, die in Draufsicht auf die x-y-Ebene kreisförmig, ellipsenförmig oder spiralförmig verlaufen kann. Die Mittellinie M liegt nicht in einer Ebene.In 6C Fig. 3 illustrates a three-dimensional helical centerline M which may be circular, elliptical, or spiral in plan view of the xy plane. The midline M is not in a plane.

Beim Ausführungsbeispiel gemäß 6D weist die Leuchte 100 zumindest zwei Leuchtdiodenmodule 1a, 1b auf, die eine Doppelhelix bilden. Es sind die Leuchtdiodenmodule 1a, 1b jeweils Spiralen ähnlich der 6c. Die Leuchte 100 kann gleich oder verschieden geformte Leuchtdiodenmodule 1a, 1b umfassen.According to the embodiment 6D points the light 100 at least two light-emitting diode modules 1a . 1b which form a double helix. It is the light-emitting diode modules 1a . 1b each spirals similar to the 6c , The lamp 100 can be the same or different shaped light emitting diode modules 1a . 1b include.

In 6E ist eine Leuchte 100 als Seitenansicht dargestellt, bei der das eine oder die mehreren Leuchtdiodenmodule 1 an eine Kegeloberfläche eines optional vorhandenen Kernkörpers 10 angeformt sind. Ein Öffnungswinkel des kegelförmigen Kernkörpers 10 liegt zum Beispiel zwischen einschließlich 2° und 15°, insbesondere bei circa 5°. Eine Höhe D1 liegt beispielsweise zwischen einschließlich 30 mm und 60 mm, insbesondere um 45 mm. Der Durchmesser D2 liegt zum Beispiel zwischen einschließlich 10 mm und 30 mm, insbesondere um 20 mm. Die Abmessung D3 ergibt sich aus den Abmessungen D4 bis D8. Die Abmessung D4 beträgt beispielsweise zwischen einschließlich 3 mm und 10 mm, insbesondere um 6 mm. Die Maße D5, D6, D7 und D8 betragen zum Beispiel 5 mm, 4 mm, 3 mm und 2 mm, das Maß D9 beträgt beispielsweise circa 1 mm. Mit anderen Worten nimmt eine Breite des mindestens einen Leuchtdiodenmoduls 1 in eine Richtung weg von einer Basisfläche des Kernkörpers 10 monoton ab. Anders als dargestellt kann der Kernkörper 10 auch sphärisch oder ellipsoid geformt sein.In 6E is a lamp 100 shown as a side view, in which the one or more light-emitting diode modules 1 to a conical surface of an optional existing core body 10 are formed. An opening angle of the conical core body 10 is, for example, between 2 ° and 15 ° inclusive, in particular about 5 °. A height D1 is for example between 30 mm and 60 mm, in particular by 45 mm. The diameter D2 is, for example, between 10 mm and 30 mm, in particular 20 mm. The dimension D3 results from the dimensions D4 to D8. The dimension D4 is, for example, between 3 mm and 10 mm, in particular 6 mm. The dimensions D5, D6, D7 and D8 are for example 5 mm, 4 mm, 3 mm and 2 mm, the dimension D9 is for example about 1 mm. In other words, a width of the at least one light-emitting diode module increases 1 in a direction away from a base surface of the core body 10 monotone. Other than shown, the core body 10 also be spherical or ellipsoidal.

Insbesondere die Leuchten 100 gemäß der 6C bis 6E können wie Glühlampen, Leuchtstoffröhren oder so genannte Energiesparlampen geformt sein. Die Leuchten 100 sind dann bevorzugt so genannte Retrofits.Especially the lights 100 according to the 6C to 6E can be shaped like incandescent lamps, fluorescent tubes or so-called energy-saving lamps. The lights 100 are then preferred so-called retrofits.

Die hier beschriebene Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Ausführungsbeispielen oder in den Patentansprüchen angegeben ist.The invention described here is not limited by the description based on the embodiments. Rather, the invention encompasses any novel feature as well as any combination of features, which in particular includes any combination of features in the patent claims, even if this feature or combination itself is not explicitly stated in the exemplary embodiments or in the patent claims.

Claims

Light emitting diode module ( 1 ) with - at least one carrier ( 2 ) with a carrier top ( 20 ) and an imaginary center line (M) on the carrier top ( 20 ), - a plurality of semiconductor light sources ( 3 ), which on the carrier top ( 20 ), and - at least one covering layer ( 4 ), the semiconductor light sources ( 3 ) in the direction away from the carrier top ( 20 ) and which comprises or consists of a litter layer and / or a conversion agent layer, wherein - an extension (L) along the center line (M) has a width (B) of the carrier ( 2 ) in a direction perpendicular to the center line (M), in plan view of the carrier top ( 20 ), exceeds by at least a factor of 2, and a quotient of a minimum and a maximum luminance of the operating mode of the Light emitting diode module ( 1 ) radiation along the center line (M) does not fall below a value of 0.4.

Light emitting diode module ( 1 ) according to the preceding claim, in which the semiconductor light sources ( 3 ) in a direction parallel to the center line (M) in one or more rows ( 5 ) are arranged.

Light emitting diode module ( 1 ) according to the preceding claim, wherein at least one row ( 5 ) runs zigzag.

Light emitting diode module ( 1 ) according to one of the preceding claims, in which a spacing (A) of adjacent semiconductor light sources ( 3 ) is between 1.5 mm and 12 mm.

Light emitting diode module ( 1 ) according to one of the preceding claims, wherein a quotient of the distance (A) of adjacent semiconductor light sources ( 3 ) and an average thickness (T) of the cover layer ( 4 ) is between 3 and 25 inclusive.

Light emitting diode module ( 1 ) according to one of the preceding claims, in which the width (B) of the carrier ( 2 ) is at most 10 mm.

Light emitting diode module ( 1 ) according to one of the preceding claims, in which, along the center line (M) on the upper side of the carrier ( 20 ) one or more side walls ( 6 ), the side walls ( 6 ) consist of at least 50% by weight of one or more metals.

Light emitting diode module ( 1 ) according to the preceding claim, wherein for a height H of the side walls ( 6 ) above the carrier top ( 20 ) in relation to the width B of the carrier ( 2 ): 0.25 ≦ H / B ≦ 1.5.

Light emitting diode module ( 1 ) according to one of the preceding claims, in which a main emission direction (R) of the semiconductor light sources ( 3 ), with a tolerance of at most 15 °, perpendicular to the semiconductor light sources ( 3 ) facing the main surface of the cover layer ( 4 ) is oriented.

Light emitting diode module ( 1 ) according to one of the preceding claims, wherein at least a part of the semiconductor light sources ( 3 ) in places in direct contact with the cover layer ( 4 ) stands.

Light emitting diode module ( 1 ) according to one of the preceding claims, in which the imaginary center line (M) of the at least one carrier (M) 2 ) is a curved line and shows a three-dimensional course.

Light emitting diode module ( 1 ) according to one of the preceding claims, in which the imaginary center line (M) of the at least one carrier (M) 2 ) is a curved line and lies partially or completely within a plane.

Light emitting diode module ( 1 ) according to the preceding claim, in which a surface portion of the at least one support ( 2 ), in plan view of the plane and in a portion of the plane within an envelope (E), the light emitting diode module ( 1 ) between 10% and 70% inclusive.

Light emitting diode module ( 1 ) according to one of the preceding claims, comprising at least a first subset and at least one second subset thereof of visibly emitting semiconductor light sources ( 3a . 3b . 3r ), wherein - the cover layer ( 4 ) in unvaried average composition over all semiconductor light sources ( 3a . 3b . 3r ), - the cover layer ( 4 ) for a first radiation emitted by the semiconductor light sources ( 3b ) of the first subset is emitted in operation, represents a conversion agent layer, and - the cover layer ( 4 ) for a second radiation emitted by the semiconductor light sources ( 3a . 3r ) of the second subset is emitted during operation, represents only a scatter layer and no conversion agent layer.

Lamp ( 100 ) with several light-emitting diode modules ( 1 ) according to at least one of the preceding claims, wherein at least a part of the light-emitting diode modules ( 1 ) is arranged so that the center lines (M) of these light emitting diode modules ( 1 ) and form a coherent line.